JP2022168045A - 撮像素子、撮像装置、並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
1.従来の撮像素子の概要
2.第1の実施の形態
3.図3の撮像素子の製造処理
4.第1の変形例
5.第2の変形例
6.第3の変形例
7.第4の変形例
8.電子機器への適用例
9.撮像素子の使用例
本開示の撮像素子を説明するにあたって、従来の撮像素子の概要について説明する。
図1は、従来の撮像素子における単位画素を上面(受光面の反対側の面)から見たときの構成を示す図である。図1に示した構成は、2画素共有の構成であり、ここでは、フォトダイオード11-1と、フォトダイオード11-1の右側に位置するフォトダイオード11-2とでリセットゲートなどが共有されている。
図1の従来の撮像素子においては、転送ゲート17とメモリ部16-1は、配線18を介して接続された例を示したが、配線18は省略するようにしてもよい。図2の左部は、配線18は省略するようにした単位画素を上面(受光面と反対側の面)から見たときの構成を示す図である。また、図2の右上部は、図2の左部の単位画素の側面図である。
<本開示の撮像素子の構成例>
そこで、本開示の撮像素子は、少ないフォトマスクパターンで、フォトダイオードから電荷蓄積部への電荷転送路を確保しつつ、電荷蓄積部を遮光できるような埋め込み膜を形成できるようにし、加工回数を低減して、製造コストの増大を抑制させるものである。
次に、図5のフローチャートを参照して、図3の撮像素子の製造処理について説明する。尚、事前にフォトダイオード121、転送トランジスタ122、および電荷蓄積部123が形成されていることを前提とする。
以上においては、溝埋め込み膜142は、透過性のある絶縁膜のみから構成される例について説明してきたが、さらに、DTIに遮光膜145の金属膜を埋め込むようにしてもよい。
以上においては、アレイ状にフォトダイオード121が配列される面の水平方向および垂直方向に対して直線状に形成される溝埋め込み膜142の交点部分を円形の環状構造にして接続する撮像素子101の例について説明してきたが、溝埋め込み膜142の交点部分における接続の形状については、環状構造であれば、円形以外の形状であってもよい。例えば、図7の左部で示されるように、アレイ状にフォトダイオード121が配列される面の水平方向および垂直方向に対して直線状に形成される溝埋め込み膜142の交点部分をひし形の環状構造とするようにしてもよいし、図7の右部で示されるように、方形状の構造としてもよい。
以上においては、アレイ状にフォトダイオード121が配列される面の水平方向および垂直方向に対して直線状に形成される溝埋め込み膜142の交点部分を環状構造とすることで、マイクロローディング効果による加工変換差により溝埋め込み膜142の深さを調整する撮像素子101の例について説明してきたが、溝埋め込み膜142を形成するための溝を形成するフォトリソグラフィにおける幅を変化させることで、反応性ガスとの接触量(接触面積)を調整して、掘り込まれる溝の深さを調整するようにしてもよい。
以上においては、電荷蓄積部123が、1個のフォトダイオード毎に設定される浮遊拡散領域(FD:フローティングディフュージョン)である撮像素子101の例について説明してきたが、電荷蓄積部123を、浮遊拡散領域(FD:フローティングディフュージョン)に代えて、複数のフォトダイオードで共有するメモリにするようにしてもよい。
上述した撮像素子は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像装置、撮像機能を備えた携帯電話機、または、撮像機能を備えた他の機器といった各種の電子機器に適用することができる。
図11は、上述の図3の撮像素子101を使用する使用例を示す図である。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
<1> アレイ状に配置され、入射光の光量に応じた電荷を発生する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードより転送される電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記フォトダイオードおよび前記電荷蓄積部をそれぞれ個別に遮光する遮光壁とを含み、
前記遮光壁は、前記電荷蓄積部を取り囲むように構成され、一部の部位が第1の深さで構成され、その他の部位については、第2の深さで構成され、前記遮光壁の前記第1の深さ、および前記第2の深さは、マイクロローディング効果による加工変換差を利用した、フォトマスクパターンを用いたドライエッチングにより形成される
撮像素子。
<2> 前記遮光壁は、前記電荷蓄積部を取り囲むように構成され、このうち、前記フォトダイオードから前記電荷蓄積部へと前記電荷を転送する電荷転送路として機能する部位については、前記フォトダイオードがアレイ状に配置された面上から基板層に到達しない第1の深さで構成され、その他の部位については、前記フォトダイオードがアレイ状に配置された面上から基板層に到達する第2の深さで構成され、前記第1の深さ、および前記第2の深さを有する前記遮光壁は、マイクロローディング効果による加工変換差を利用した制御により、1枚のフォトマスクパターンによる1回のドライエッチングにより形成される
<1>に記載の撮像素子。
<3> 前記電荷蓄積部は、複数のフォトダイオードにより共有され、前記複数のフォトダイオードのそれぞれとの間に前記電荷転送路が形成される
<2>に記載の撮像素子。
<4> 前記フォトマスクパターンは、前記ドライエッチングにより使用される反応性ガスのシリコン基板への接触量を制御することで、前記ドライエッチングによる前記遮光壁を形成する溝の深さを制御する
<1>に記載の撮像素子。
<5> 前記フォトマスクパターンは、前記ドライエッチングにより使用される反応性ガスのシリコン基板への接触面積、または、前記反応性ガスの流通経路数により接触量を制御することで、前記ドライエッチングによる前記遮光壁を形成する溝の深さを制御する
<4>に記載の撮像素子。
<6> 前記フォトマスクパターンは、前記電荷蓄積部を取り囲むような環状構造で形成することにより、前記流通経路数による、前記反応性ガスの接触量を制御する
<5>に記載の撮像素子。
<7> 前記環状構造は、円形、ひし形、方形、または、多角形である
<6>に記載の撮像素子。
<8> 前記電荷蓄積部は、浮遊拡散領域、およびメモリを含む
<1>乃至<7>のいずれかに記載の撮像素子。
<9> 前記遮光壁は、透過性のある、シリコンよりも屈折率が低い絶縁膜、または、内部に遮光性の金属が設けられた前記絶縁膜より構成される
<1>乃至<8>のいずれかに記載の撮像素子。
<10> アレイ状に配置され、入射光の光量に応じた電荷を発生する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードより転送される電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記フォトダイオードおよび前記電荷蓄積部をそれぞれ個別に遮光する遮光壁とを含み、
前記遮光壁は、前記電荷蓄積部を取り囲むように構成され、一部の部位が第1の深さで構成され、その他の部位については、第2の深さで構成され、前記遮光壁の前記第1の深さ、および前記第2の深さは、マイクロローディング効果による加工変換差を利用した、フォトマスクパターンを用いたドライエッチングにより形成される
撮像装置。
<11> アレイ状に配置され、入射光の光量に応じた電荷を発生する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードより転送される電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記フォトダイオードおよび前記電荷蓄積部をそれぞれ個別に遮光する遮光壁とを含み、
前記遮光壁は、前記電荷蓄積部を取り囲むように構成され、一部の部位が第1の深さで構成され、その他の部位については、第2の深さで構成され、前記遮光壁の前記第1の深さ、および前記第2の深さは、マイクロローディング効果による加工変換差を利用した、フォトマスクパターンを用いたドライエッチングにより形成される
電子機器。
前記各画素の角部における前記第1の部分は、前記入射光の入射方向から見て、環状構造の一部を構成するようにしてもよく、前記環状構造は、前記円形、前記ひし形、前記方形、または、前記多角形としてもよい。
前記遮光壁は、透過性のある、シリコンよりも屈折率が低い絶縁膜にすることができる。
遮光性を有する金属膜からなる遮光膜が、前記断面方向から見て、前記第1の部分の内部に埋め込まれるよにすることができる。
前記断面方向から見て、遮光性を有する金属膜からなる遮光膜が、前記電荷蓄積部の前記入射光の入射方向に対して直上における前記第2の部分の上部に配置されるようにすることができる。
Claims (11)
- アレイ状に配置され、入射光の光量に応じた電荷を発生する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードより転送される電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記フォトダイオードおよび前記電荷蓄積部をそれぞれ個別に遮光する遮光壁とを含み、
前記遮光壁は、前記電荷蓄積部を取り囲むように構成され、一部の部位が第1の深さで構成され、その他の部位については、第2の深さで構成され、前記遮光壁の前記第1の深さ、および前記第2の深さは、マイクロローディング効果による加工変換差を利用した、フォトマスクパターンを用いたドライエッチングにより形成される
撮像素子。 - 前記遮光壁は、前記電荷蓄積部を取り囲むように構成され、このうち、前記フォトダイオードから前記電荷蓄積部へと前記電荷を転送する電荷転送路として機能する部位については、前記フォトダイオードがアレイ状に配置された面上から基板層に到達しない第1の深さで構成され、その他の部位については、前記フォトダイオードがアレイ状に配置された面上から基板層に到達する第2の深さで構成され、前記第1の深さ、および前記第2の深さを有する前記遮光壁は、マイクロローディング効果による加工変換差を利用した制御により、1枚のフォトマスクパターンによる1回のドライエッチングにより形成される
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記電荷蓄積部は、複数のフォトダイオードにより共有され、前記複数のフォトダイオードのそれぞれとの間に前記電荷転送路が形成される
請求項2に記載の撮像素子。 - 前記フォトマスクパターンは、前記ドライエッチングにより使用される反応性ガスのシリコン基板への接触量を制御することで、前記ドライエッチングによる前記遮光壁を形成する溝の深さを制御する
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記フォトマスクパターンは、前記ドライエッチングにより使用される反応性ガスのシリコン基板への接触面積、または、前記反応性ガスの流通経路数により接触量を制御することで、前記ドライエッチングによる前記遮光壁を形成する溝の深さを制御する
請求項4に記載の撮像素子。 - 前記フォトマスクパターンは、前記電荷蓄積部を取り囲むような環状構造で形成することにより、前記流通経路数による、前記反応性ガスの接触量を制御する
請求項5に記載の撮像素子。 - 前記環状構造は、円形、ひし形、方形、または、多角形である
請求項6に記載の撮像素子。 - 前記電荷蓄積部は、浮遊拡散領域、およびメモリを含む
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記遮光壁は、透過性のある、シリコンよりも屈折率が低い絶縁膜、または、内部に遮光性の金属が設けられた前記絶縁膜より構成される
請求項1に記載の撮像素子。 - アレイ状に配置され、入射光の光量に応じた電荷を発生する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードより転送される電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記フォトダイオードおよび前記電荷蓄積部をそれぞれ個別に遮光する遮光壁とを含み、
前記遮光壁は、前記電荷蓄積部を取り囲むように構成され、一部の部位が第1の深さで構成され、その他の部位については、第2の深さで構成され、前記遮光壁の前記第1の深さ、および前記第2の深さは、マイクロローディング効果による加工変換差を利用した、フォトマスクパターンを用いたドライエッチングにより形成される
撮像装置。 - アレイ状に配置され、入射光の光量に応じた電荷を発生する複数のフォトダイオードと、
前記フォトダイオードより転送される電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記フォトダイオードおよび前記電荷蓄積部をそれぞれ個別に遮光する遮光壁とを含み、
前記遮光壁は、前記電荷蓄積部を取り囲むように構成され、一部の部位が第1の深さで構成され、その他の部位については、第2の深さで構成され、前記遮光壁の前記第1の深さ、および前記第2の深さは、マイクロローディング効果による加工変換差を利用した、フォトマスクパターンを用いたドライエッチングにより形成される
電子機器。
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Citations (5)
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JP2014096490A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Sony Corp | 撮像素子、製造方法 |
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