JP2022162661A - レーザー加工装置のレーザービームの出力状態を検査する検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザービームの照射開始、照射停止を切り替えた時に、レーザービームの立ち上がり遅延や漏れ光の有無を容易に確認することが可能なこと。【解決手段】検査方法は、検査用ウエーハを準備する準備ステップ１０１と、準備ステップ１０１の後、検査用ウエーハと対面する位置にレーザービームを集光する集光器を位置付ける位置付けステップ１０２と、位置付けステップ１０２の後、レーザービームの照射を開始して検査用ウエーハとレーザービームの集光点とを相対的に移動させることで検査用ウエーハに対して所定の長さで連続する加工痕を形成するレーザー加工ステップ１０３と、加工痕がレーザービームの照射開始直後から加工進行方向に対して変化しているかを確認する確認ステップ１０４と、を含む。【選択図】図６

Description

本発明は、レーザー加工装置のレーザービームの出力状態を検査する検査方法に関する。

半導体ウエーハを分割してチップを製造するために、ウエーハの内部にレーザービームを集光照射して改質層を形成することで分割起点を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

この特許文献１に示された加工に使用されるレーザー加工装置では、レーザービームの照射開始と照射停止とを切り替えて、異なる形状や大きさのデバイスが混合された所謂マルチプロジェクトタイプのウエーハの加工も行うことができる（例えば、特許文献２参照）。

特許第３４０８８０５号公報 特開２０１２－１２５７８１号公報

ところが、レーザー加工装置は、レーザービームの照射停止の状態から照射を開始する際に、レーザービームの立ち上がり遅延によってデバイスの未分割が発生したり、レーザービームを照射している状態から照射停止する際に、レーザービームの漏れ光が生じてデバイスを破損してしまうという問題がある。

このようなレーザービームの立ち上がり遅延や漏れ光の問題は、レーザービームの照射開始、照射停止を制御するＲＦドライバの出力調整によって改善が可能である。

しかしながら、立ち上がり遅延や漏れ光を確認するためには、加工点にフォトディテクタを設置する必要があり、工数がかかるなど、確認するための労力が増加する傾向であった。

本願発明は、上記事実に鑑みてなされたものであり、レーザービームの照射開始、照射停止を切り替えた時に、レーザービームの立ち上がり遅延や漏れ光の有無を容易に確認することが可能なレーザー加工装置のレーザービームの出力状態を検査する検査方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のレーザー加工装置のレーザービームの出力状態を検査する検査方法は、レーザービームの照射開始と照射停止を繰り返して被加工物に対して非連続的な加工を施すレーザー加工装置において、レーザービームの出力状態を検査する検査方法であって、検査用ウエーハを準備する準備ステップと、該準備ステップの後、該検査用ウエーハと対面する位置に該レーザービームを集光する集光器を位置付ける位置付けステップと、該位置付けステップの後、該レーザービームの照射を開始して該検査用ウエーハと該レーザービームの集光点とを相対的に移動させることで該検査用ウエーハに対して所定の長さで連続する加工痕を形成するレーザー加工ステップと、該加工痕がレーザービームの照射開始直後から加工進行方向に対して変化しているかを確認する確認ステップと、を含むことを特徴とする。

前記レーザー加工装置のレーザービームの出力状態を検査する検査方法において、該確認ステップにおいて、該加工痕が該レーザービームの照射開始直後から加工進行方向に対して変化していた場合、該加工痕の変化がなくなるように該レーザービームの照射開始と照射停止を制御するＲＦドライバの出力を調整する調整ステップを更に含んでも良い。

本発明のレーザー加工装置のレーザービームの出力状態を検査する検査方法は、レーザービームの照射開始と照射停止を繰り返して被加工物に対して非連続的な加工を施すレーザー加工装置において、レーザービームの出力状態を検査する検査方法であって、検査用ウエーハを準備する準備ステップと、該準備ステップの後、該レーザービームの照射しながら該検査用ウエーハと該レーザービームの集光点とを相対的に移動させるとともに、該検査用ウエーハ上で該レーザービームの照射を停止することで、該検査用ウエーハに対して所定の長さで連続する加工痕を形成するレーザー加工ステップと、レーザー加工ステップの後、該検査用ウエーハに該レーザービームの照射停止位置を超えてレーザービームの打痕が形成されているか否かを確認する確認ステップと、を含むことを特徴とする。

前記レーザー加工装置のレーザービームの出力状態を検査する検査方法において、該確認ステップにおいて、該検査用ウエーハに該レーザービームの照射停止位置を超えてレーザービームの打痕が形成されていた場合、該照射停止位置を超えてレーザービームの打痕が形成されなくなるように該レーザービームの照射開始と照射停止を制御するＲＦドライバの出力を調整する調整ステップを更に含んでも良い。

前記レーザー加工装置のレーザービームの出力状態を検査する検査方法において、該検査用ウエーハは、基板の上面に比熱又は融点が異なる第一の金属層と第二の金属層の少なくとも２層の金属層が積層されたものであり、該レーザービームは、該金属層が積層された側から照射されても良い。

本発明は、レーザー加工装置において、レーザービームの照射開始、照射停止を切り替えた時に、レーザービームの立ち上がり遅延や漏れ光の状態を容易に確認することが可能となるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係る検査方法によりレーザービームの出力状態が検査されるレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。 図２は、図１に示されたレーザー加工装置のレーザービーム照射ユニットの構成を示す図である。 図３は、図２に示されたレーザービーム照射ユニットの音響光学偏向素子に印加されるＲＦ信号の出力と、レーザービーム照射ユニットが集光レンズを通して出射するレーザービームの出力とを示す図である。 図４は、図３に示されたレーザービーム照射ユニットが立ち上がり遅延があった時のレーザービームの出力の変化を示す図である。 図５は、図３に示されたレーザービーム照射ユニットが漏れ光があった時のレーザービームの出力の変化を示す図である。 図６は、実施形態１に係る検査方法の流れを示すフローチャートである。 図７は、図６に示された検査方法の準備ステップにおいて準備される検査用ウエーハを分解して示す斜視図である。 図８は、図６に示された検査方法の準備ステップにおいて準備される検査用ウエーハの断面図である。 図９は、図７に示された検査用ウエーハに形成された単一加工痕の一例を示す平面図である。 図１０は、図６に示された検査方法の位置付けステップを模式的に一部断面で示す側面図である。 図１１は、図６に示された検査方法のレーザー加工ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。 図１２は、図６に示された検査方法のレーザー加工ステップ後の加工痕が形成された検査用ウエーハを模式的に示す平面図である。 図１３は、図１２中のＸＩＩＩ部を拡大して加工痕を模式的に示す平面図である。 図１４は、図１２中のＸＩＶ部を拡大して加工痕を模式的に示す平面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るレーザー加工装置のレーザービームの出力状態を検査する検査方法（以下、単に検査方法と記す）を図面に基づいて説明する。まず、レーザー加工装置を説明する。

図１は、実施形態１に係る検査方法によりレーザービームの出力状態が検査されるレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。図２は、図１に示されたレーザー加工装置のレーザービーム照射ユニットの構成を示す図である。図３は、図２に示されたレーザービーム照射ユニットの音響光学偏向素子に印加されるＲＦ信号の出力と、レーザービーム照射ユニットが集光レンズを通して出射するレーザービームの出力とを示す図である。図４は、図３に示されたレーザービーム照射ユニットが立ち上がり遅延があった時のレーザービームの出力の変化を示す図である。図５は、図３に示されたレーザービーム照射ユニットが漏れ光があった時のレーザービームの出力の変化を示す図である。

（被加工物）
図１に示されたレーザー加工装置１は、被加工物２００に対してパルス状のレーザービーム２１を照射し、被加工物２００にレーザー加工（加工に相当）を施す加工装置である。図１に示されたレーザー加工装置１の加工対象である被加工物２００は、シリコン、サファイア、又はＳｉＣなどで構成された基板２０１を有する円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハである。被加工物２００は、基板２０１の表面２０２に互いに交差する分割予定ラインが複数設定され、表面２０２に複数設定された分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスが形成されている。

デバイスは、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサである。

また、実施形態１において、被加工物２００は、被加工物２００の外径よりも大径な円板状でかつ外縁部に環状のフレーム２０７が貼着された粘着テープ２０８が表面２０２に貼着されて、表面２０２の裏側の裏面２０３を上方に向けてフレーム２０７の開口２０９内に支持される。実施形態１において、被加工物２００は、粘着テープ２０８によりフレーム２０７の開口２０９内に支持された状態で、レーザー加工装置１によりレーザー加工が施されるなどして、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割される。

また、実施形態１に係る被加工物２００は、分割予定ラインとして、互いに長手方向に間隔をあけて直線状の第１分割予定ラインと、第１分割予定ラインに対して直交する方向に沿って直線状でかつ互いに長手方向に間隔をあけた第２分割予定ラインと、第１分割予定ラインと第２分割予定ラインとの交点同士を連結しかつ第１分割予定ラインと第２分割予定ラインとの双方に対して交差する方向に沿って直線状でかつ互いに長手方向に間隔をあけた第３分割予定ラインとを含んでいる。

また、本発明では、被加工物２００は、分割予定ラインとして互いに直交する第１分割予定ラインと第２分割予定ラインとを備えても良い。また、実施形態１では、被加工物２００は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハであるが、本発明では、ウエーハに限定されずに、基板上に配設された複数のデバイスチップを樹脂でモールドしたパッケージ基板、ガラス基板、セラミックス基板でも良い。

（レーザー加工装置）
レーザー加工装置１は、被加工物２００の裏面２０３から被加工物２００を構成する基板２０１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２１を分割予定ラインに沿って照射して、基板２０１の内部に改質層を形成する装置である。なお、改質層とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。改質層は、被加工物２００の基板２０１の他の箇所よりも機械的な強度が低い。

なお、実施形態１では、被加工物２００が分割予定ラインとして前述した第１分割予定ラインと第２分割予定ラインと第３分割予定ラインとを含んでいるので、レーザー加工装置１は、レーザービーム２１の照射開始と照射停止とを繰り返して、被加工物２００に対して非連続（即ち、断続的）なレーザー加工を施して、被加工物２００の基板２０１の内部に非連続（即ち、断続的）な改質層を形成する。レーザー加工装置１は、図１に示すように、被加工物２００を保持するチャックテーブル１０と、レーザービーム照射ユニット２０と、移動ユニット３０と、図示しない撮像ユニットと、制御ユニット４０とを有する。

チャックテーブル１０は、被加工物２００を水平方向と平行な保持面１１で保持する。保持面１１は、ポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続されている。チャックテーブル１０は、真空吸引源により吸引されることで、保持面１１上に載置された被加工物２００を吸引保持する。チャックテーブル１０の周囲には、被加工物２００を開口２０９内に支持するフレーム２０７を挟持するクランプ部１２が複数配置されている。

また、チャックテーブル１０は、移動ユニット３０の回転移動ユニット３４により保持面１１に対して直交しかつ鉛直方向と平行なＺ軸方向と平行な軸心回りに回転される。チャックテーブル１０は、回転移動ユニット３４とともに、移動ユニット３０のＸ軸移動ユニット３１により水平方向と平行なＸ軸方向に移動されかつＹ軸移動ユニット３２により水平方向と平行でかつＸ軸方向と直交するＹ軸方向に移動される。チャックテーブル１０は、移動ユニット３０によりレーザービーム照射ユニット２０の下方の加工領域と、レーザービーム照射ユニット２０の下方から離れて被加工物２００が搬入、搬出される搬入出領域とに亘って移動される。

レーザービーム照射ユニット２０は、チャックテーブル１０に保持された被加工物２００に対してパルス状のレーザービーム２１を照射して、被加工物２００をレーザー加工するユニットである。

実施形態１では、レーザービーム照射ユニット２０の一部は、図１に示すように、装置本体２から立設した立設壁３に支持された支柱４の先端に支持されている。レーザービーム照射ユニット２０は、図２に示すように、被加工物２００の基板２０１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２１を出射するレーザー発振器２５と、チャックテーブル１０の保持面１１に保持された被加工物２００にレーザー発振器２５から出射されたレーザービーム２１を集光する集光器２３と、を備える。レーザー発振器２５は、励起用ＬＤ２２と、励起用ＬＤ２２からの光によって励起されるＮｄ：ＹＶＯ_４結晶２４３と、Ｎｄ：ＹＶＯ_４結晶２４３が励起され放出した光を往復させるリアミラー２４１および出力ミラー２４２と、を含む。Ｎｄ：ＹＶＯ_４結晶２４３が励起され放出した光がリアミラー２４１と出力ミラー２４２との間で往復することで、光が増幅されてレーザー発振が起こる。また、レーザー発振器２５は、Ｎｄ：ＹＶＯ_４結晶２４３とリアミラー２４１との間に配置される音響光学偏向素子２４５を更に含み、レーザービーム２１の光路を集光器２３とダンパ２４７とに選択的に偏向させる。

音響光学偏向手段２４は、ＲＦ（Radio Frequency）ドライバ２４４と、ＲＦ（Radio Frequency）ドライバ２４４により印加されるＲＦ（Radio Frequency）信号によりレーザービーム２１をパルス化するとともにレーザービーム２１の進行方向を偏向する音響光学偏向素子２４５とを備える。

ＲＦドライバ２４４は、出力調整手段２４６により音響光学偏向素子２４５に印加するＲＦ信号の振幅が調整される。音響光学偏向素子２４５は、印加されるＲＦ信号の振幅に対応してレーザービーム２１の出力を調整することができる。音響光学偏向素子２４５は、ＲＦドライバ２４４からＲＦ信号が印加されることにより、レーザービーム２１をダンパ２４７に導いて、図３に示すように、レーザービーム２１の被加工物２００等への照射を停止する。音響光学偏向素子２４５は、ＲＦドライバ２４４のＲＦ信号の印加が停止することにより、レーザービーム２１を集光器２３に導いて、図３に示すように、レーザービーム２１を集光器２３等を通して被加工物２００等に照射する。

なお、図３の横軸は、時間の経過を示し、図３の上側の縦軸は、ＲＦドライバ２４４が音響光学偏向素子２４５に印加するＲＦ信号の出力を示し、図３の下側の縦軸は、レーザービーム照射ユニット２０から被加工物２００等に照射されるレーザービーム２１の出力を示している。

集光器２３は、チャックテーブル１０の保持面１１とＺ軸方向に対向する位置に配置された集光レンズ２３１と、レーザービーム２１を集光レンズ２３１に向けて反射するミラー２３２とを備えている。集光レンズ２３１は、レーザービーム２１を透過して、レーザービーム２１を集光点２１１（図１１に示す）に集光する。

前述した構成のレーザービーム照射ユニット２０は、チャックテーブル１０に保持された被加工物２００に対して透過性を有する波長のパルス状のレーザービーム２１の集光点２１１を、被加工物２００の内部に設定して、レーザービーム２１を被加工物２００の裏面２０３側から照射して、被加工物２００の内部に改質層を形成する。集光器２３は、少なくとも集光レンズ２３１が図示しない集光点移動ユニットによりＺ軸方向に移動自在に設けられている。

また、前述した構成のレーザービーム照射ユニット２０は、音響光学偏向素子２４５がＲＦドライバ２４４からＲＦ信号が印加されることで、被加工物２００へのレーザービーム２１の照射を停止し、音響光学偏向素子２４５がＲＦドライバ２４４からのＲＦ信号の印加が停止されることで、被加工物２００に対してレーザービーム２１の照射を開始する。実施形態１では、ＲＦドライバ２４４が音響光学偏向素子２４５に印加するＲＦ信号の出力が高いと、図４に示すように、ＲＦ信号の印加が停止されても、レーザービーム照射ユニット２０が被加工物２００に照射するレーザービーム２１の出力の立ち上がりに、図４に破線で示す理想的な立ち上がりよりも図４に実線で示すように遅延（以下、立ち上がり遅延と記す）が生じることがある。なお、立ち上がり遅延が生じるとは、理想的な立ち上がりよりもレーザービーム２１の出力が所望の出力になるまでに時間がかかることをいう。

実施形態１では、ＲＦドライバ２４４が音響光学偏向素子２４５に印加するＲＦ信号の出力が低いと、図５に示すように、ＲＦ信号の印加が開始されてもレーザービーム照射ユニット２０が被加工物２００に照射するレーザービーム２１が停止されずに図５に示すように漏れ光２１２が生じることがある。なお、漏れ光２１２とは、ＲＦ信号の印加が開始されてもレーザービーム照射ユニット２０のレーザービーム２１が断続的に照射されることをいう。なお、レーザービーム２１の漏れ光２１２の出力は、ＲＦ信号の印加の停止中のレーザービーム２１の出力よりも弱い。

なお、図４及び図５の横軸は、時間の経過を示し、図４及び図５の縦軸は、レーザービーム照射ユニット２０から被加工物２００等に照射されるレーザービーム２１の出力を示している。

移動ユニット３０は、チャックテーブル１０とレーザービーム照射ユニット２０が照射するレーザービーム２１の集光点２１１とをＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及びＺ軸方向と平行な軸心回りに相対的に移動させるものである。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は、互いに直交し、かつ保持面１１（即ち水平方向）と平行な方向である。移動ユニット３０は、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動させる加工送りユニットであるＸ軸移動ユニット３１と、チャックテーブル１０をＹ軸方向に移動させる割り出し送りユニットであるＹ軸移動ユニット３２と、チャックテーブル１０をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転する回転移動ユニット３４とを備える。

Ｙ軸移動ユニット３２は、チャックテーブル１０と、レーザービーム照射ユニット２０とを相対的に割り出し送りするユニットである。実施形態１では、Ｙ軸移動ユニット３２は、レーザー加工装置１の装置本体２上に設置されている。Ｙ軸移動ユニット３２は、Ｘ軸移動ユニット３１を支持した移動プレート５をＹ軸方向に移動自在に支持している。

Ｘ軸移動ユニット３１は、チャックテーブル１０と、レーザービーム照射ユニット２０とを相対的に加工送りするユニットである。Ｘ軸移動ユニット３１は、移動プレート５上に設置されている。Ｘ軸移動ユニット３１は、チャックテーブル１０をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転する回転移動ユニット３４を支持した第２移動プレート６をＸ軸方向に移動自在に支持している。第２移動プレート６は、回転移動ユニット３４、チャックテーブル１０を支持している。回転移動ユニット３４は、チャックテーブル１０を支持している。

Ｘ軸移動ユニット３１、及びＹ軸移動ユニット３２は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させる周知のパルスモータ、移動プレート５，６をＸ軸方向又はＹ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレールを備える。回転移動ユニット３４は、チャックテーブル１０を軸心回りに回転するモータ等を備える。

また、レーザー加工装置１は、チャックテーブル１０のＸ軸方向の位置を検出するための図示しないＸ軸方向位置検出ユニットと、チャックテーブル１０のＹ軸方向の位置を検出するための図示しないＹ軸方向位置検出ユニットと、レーザービーム照射ユニット２０に含まれる集光器２３のＺ軸方向の位置を検出するＺ軸方向位置検出ユニットとを備える。各位置検出ユニットは、検出結果を制御ユニット４０に出力する。

撮像ユニットは、チャックテーブル１０に保持された被加工物２００を撮像する撮像素子を複数備えている。撮像素子は、例えば、ＣＣＤ（Charge-Coupled Device）撮像素子又はＣＭＯＳ（Complementary MOS）撮像素子である。撮像ユニットは、チャックテーブル１０の保持面１１に保持された被加工物２００を撮像して、被加工物２００とレーザービーム照射ユニット２０との位置合わせを行うアライメントを遂行するための画像を取得し、取得した画像を制御ユニット４０に出力する。実施形態１では、撮像ユニットは、支柱４の先端に支持され、レーザービーム照射ユニット２０の集光レンズ２３１とＸ軸方向に並ぶ位置に配置されている。

制御ユニット４０は、レーザー加工装置１の上述した構成要素をそれぞれ制御して、被加工物２００に対するレーザー加工動作をレーザー加工装置１に実施させるものである。なお、制御ユニット４０は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット４０の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザー加工装置１を制御するための制御信号を入出力インターフェース装置を介してレーザー加工装置１の上述した構成要素に出力して、制御ユニット４０の機能を実現する。

また、制御ユニット４０は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示ユニットと、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニットと、音と光の少なくとも一方を発してオペレータに報知する報知ユニットとが接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置との少なくとも一方により構成される。

次に、実施形態１に係る検査方法を説明する。図６は、実施形態１に係る検査方法の流れを示すフローチャートである。検査方法は、前述した構成のレーザー加工装置１において、レーザービーム２１の出力状態を検査する方法である。なお、レーザービーム２１の出力状態を検査するとは、前述した立ち上がり遅延の有無、漏れ光２１２の有無を確認することをいう。

実施形態１に係る検査方法は、図６に示すように、準備ステップ１０１と、位置付けステップ１０２と、レーザー加工ステップ１０３と、確認ステップ１０４と、調整ステップ１０５とを含む。

（準備ステップ）
図７は、図６に示された検査方法の準備ステップにおいて準備される検査用ウエーハを分解して示す斜視図である。図８は、図６に示された検査方法の準備ステップにおいて準備される検査用ウエーハの断面図である。図９は、図７に示された検査用ウエーハに形成された単一加工痕の一例を示す平面図である。準備ステップ１０１は、図７及び図８に示す検査用ウエーハ５０を準備するステップである。

検査用ウエーハ５０は、レーザー加工装置１の加工対象の被加工物２００と対応するものである。検査用ウエーハ５０は、図７及び図８に示すように、基板５１の上面５４に比熱又は融点の異なる第一の金属層５２と第二の金属層５３の少なくとも２層の金属層５２，５３が積層されたものである。実施形態１では、検査用ウエーハ５０は、基板５１と、第一の金属層５２と、第二の金属層５３とを備え、基板５１の上面５４に２層の金属層５２，５３が形成されている。

基板５１は、両方の面５４，５５がそれぞれ平坦であり、互いに平行であって、厚みが一様の円板状に形成されている。基板５１は、被加工物２００の基板２０１と同様に、集光点２１１が内部に設定されてレーザービーム２１が照射されることで、改質層が形成される材質で構成される。基板５１は、検査用ウエーハ５０の対応する被加工物２００の基板２０１と同じ材質で構成され、厚みが、検査用ウエーハ５０の対応する被加工物２００の基板２０１の厚みと等しい。実施形態１では、基板５１は、対応する被加工物２００の基板２０１と同じシリコン、サファイア、又はＳｉＣなどで構成されている。

第一の金属層５２は、基板５１の上面５４全体に蒸着されて所定の厚みに形成されている。第二の金属層５３は、第一の金属層５２の上面全体に蒸着されて所定の厚みに形成されている。実施形態１では、第一の金属層５２と第二の金属層５３とは、基板５１の上面５４に比熱の小さい順に積層されている。第二の金属層５３は、第一の金属層５２よりも比熱が小さな金属によって形成されている。また、本発明では、第一の金属層５２と第二の金属層５３とは、基板５１の上面５４に融点の大きな順に積層されても良い。

第一の金属層５２及び第二の金属層５３は、被加工物２００の基板５１及び検査用ウエーハ５０の基板５１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２１が照射した照射スポット領域でアブレーション加工され、図９に示す単一加工痕５６が形成される。

このように、第一の金属層５２は、レーザービーム２１によって融解又は熱変形される材質が使用される。実施形態１では、第一の金属層５２は、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はアルミニウム（Ａｌ）などの金属により構成される。なお、チタンの比熱は約５２８Ｊ／ｋｇ℃、クロムの比熱は約４６１Ｊ／ｋｇ℃である。第一の金属層５２として、さらに比熱が低いものを使用することも可能であるが、その場合には十分な厚みが必要である。つまり、第一の金属層５２は第二の金属層５３よりレーザービーム２１の影響を受けにくい構成で形成されると良い。

第二の金属層５３は、レーザービーム２１によって完全に除去または炭化される材質が使用される。実施形態１では、第二の金属層５３は、錫（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、又は鉛（Ｐｂ）などにより構成される。なお、錫の比熱は約２２６Ｊ／ｋｇ℃、白金の比熱は約１３４Ｊ／ｋｇ℃、金の比熱は約１３０Ｊ／ｋｇ℃、銀の比熱は約２３４Ｊ／ｋｇ℃、インジウムの比熱は２３９Ｊ／ｋｇ℃、鉛の比熱は約１３０Ｊ／ｋｇ℃である。

前述したように、第二の金属層５３よりも第一の金属層５２の比熱が大きいため、検査用ウエーハ５０は、レーザービーム２１が照射されると、レーザービーム２１のスポット形状（レーザービーム２１の集光点２１１における光軸に対して直交する方向の断面形状）が円形の場合、図９に示すように、単一加工痕５６が円形に形成される。単一加工痕５６の外縁部（図９では密な平行斜線で示す）では、第二の金属層５３が除去又は炭化されて炭化した第二の金属層５３が露出する。また、単一加工痕５６の中央部（図９では粗な平行斜線で示す）では、第二の金属層５３が完全に除去され、第一の金属層５２の表層が除去されて、第一の金属層５２が露出する。

また、実施形態１において、準備ステップ１０１では、検査用ウエーハ５０の外径よりも大径な円板状の粘着テープ２０８を検査用ウエーハ５０の基板５１の下面５５に貼着し、粘着テープ２０８の外縁部に内径が検査用ウエーハ５０の外径よりの大径の環状のフレーム２０７を貼着する。

（位置付けステップ）
図１０は、図６に示された検査方法の位置付けステップを模式的に一部断面で示す側面図である。位置付けステップ１０２は、準備ステップ１０１の後、検査用ウエーハ５０と対面する位置にレーザービーム２１を集光する集光器２３を位置付けるステップである。

実施形態１において、位置付けステップ１０２では、オペレータが入力ユニット等を操作して入力した加工条件を制御ユニット４０が受け付け、搬入出領域に位置付けられたチャックテーブル１０の保持面１１に検査用ウエーハ５０の基板５１が粘着テープ２０８を介して載置される。実施形態１において、制御ユニット４０が入力ユニットからオペレータの検査動作開始指示を受け付けると、位置付けステップ１０２及びレーザー加工ステップ１０３の動作を開始する。

なお、加工条件は、レーザービーム２１の波長、繰り返し周波数、出力、集光点２１１のＺ軸方向の位置、レーザービーム２１を照射する際のチャックテーブル１０のＸ軸方向の移動速度（以下、加工送り速度と記す）、ＲＦ信号の出力等を含む。実施形態１では、レーザービーム２１の波長は、１３４２ｎｍで、レーザービーム２１の繰り返し周波数は、９０ｋＨｚである。また、レーザービーム２１の出力は、０．２Ｗから０．５Ｗの間で０．０５Ｗ刻みとしている（具体的には、０．２Ｗ、０．２５Ｗ、０．３Ｗ、０．３５Ｗ、０．４Ｗ、０．４５Ｗ、０．５Ｗ）。なお、実施形態１では、レーザービーム２１の出力は、０．２Ｗである所定値と、０．２５Ｗである第２の所定値と、０．３Ｗである第３所定値と、０．３５Ｗである第４所定値と、０．４Ｗである第５所定値である。

実施形態１において、検査方法では、レーザー加工装置１は、検査用ウエーハ５０に所定値のレーザービーム２１を照射して形成した単一加工痕５６（以下、単一加工痕５６同士を区別する際には、符号５６－１で示す）と、第２所定値のレーザービーム２１を照射して形成した単一加工痕５６（以下、単一加工痕５６同士を区別する際には、符号５６－２で示す）と、第３所定値のレーザービーム２１を照射して形成した単一加工痕５６（以下、単一加工痕５６同士を区別する際には、符号５６－３で示す）と、第４所定値のレーザービーム２１を照射して形成した単一加工痕５６（以下、単一加工痕５６同士を区別する際には、符号５６－４で示す）と、第５所定値のレーザービーム２１を照射して形成した単一加工痕５６（以下、単一加工痕５６同士を区別する際には、符号５６－５で示す）とをそれぞれ複数形成する。

位置付けステップ１０２では、制御ユニット４０が検査用ウエーハ５０をチャックテーブル１０の保持面１１に粘着テープ２０８を介して吸引保持し、クランプ部１２でフレーム２０７を挟持する。位置付けステップ１０２では、制御ユニット４０が移動ユニット３０を制御して検査用ウエーハ５０を吸引保持したチャックテーブル１０を搬入出領域から加工領域に向けて移動し、チャックテーブル１０に吸引保持された検査用ウエーハ５０を撮像ユニットの下方に位置付ける。

位置付けステップ１０２では、制御ユニット４０が撮像ユニットでチャックテーブル１０の保持面１１に吸引保持した検査用ウエーハ５０を撮像して、アライメントを遂行して、図１０に示すように、レーザービーム照射ユニット２０の集光器２３の集光レンズ２３１の下方に検査用ウエーハ５０を位置付ける。実施形態１において、位置付けステップ１０２では、レーザー加工装置１は、レーザービーム照射ユニット２０をチャックテーブル１０の保持面１１に吸引保持した検査用ウエーハ５０のＹ軸方向の中央部上でかつＸ軸方向の一端部上に位置付ける。

（レーザー加工ステップ）
図１１は、図６に示された検査方法のレーザー加工ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。図１２は、図６に示された検査方法のレーザー加工ステップ後の加工痕が形成された検査用ウエーハを模式的に示す平面図である。

レーザー加工ステップ１０３は、位置付けステップ１０２の後、レーザービーム２１の照射を開始して検査用ウエーハ５０とレーザービーム２１の集光点２１１とを相対的に移動させることで検査用ウエーハ５０に対して所定の長さで連続する加工痕５７（図７に示す）を形成するステップである。また、レーザー加工ステップ１０３は、準備ステップ１０１の後、レーザービーム２１の照射しながら該検査用ウエーハ５０とレーザービーム２１の集光点２１１とを相対的に移動させるとともに、検査用ウエーハ５０上で該レーザービーム２１の照射を停止することで、検査用ウエーハ５０に対して所定の長さで連続する加工痕５７を形成するステップでもある。なお、加工痕５７は、複数の単一加工痕５６により構成されるものである。

実施形態１において、レーザー加工ステップ１０３では、加工条件に基づいて、制御ユニット４０が集光点２１１をチャックテーブル１０に吸引保持された検査用ウエーハ５０の表面に設定する。実施形態１において、レーザー加工ステップ１０３では、加工条件に基づいて、制御ユニット４０が、レーザービーム照射ユニット２０及び移動ユニット３０を制御して、レーザービーム照射ユニット２０から検査用ウエーハ５０に向けてパルス状のレーザービーム２１の照射を開始する。

実施形態１において、レーザー加工ステップ１０３では、加工条件に基づいて、制御ユニット４０が、レーザービーム照射ユニット２０及び移動ユニット３０を制御して、チャックテーブル１５をＸ軸方向に移動させて、チャックテーブル１０に対してレーザービーム照射ユニット２０を図１１中の点線で示す位置から図１１中の実線で示す位置に向かって移動させながら、レーザービーム照射ユニット２０からパルス状のレーザービーム２１を金属層５２，５３が積層された側から検査用ウエーハ５０に照射する。こうして、実施形態１では、レーザービーム２１は、検査用ウエーハ５０の金属層５２，５３が積層された側から照射される。

実施形態１において、レーザー加工ステップ１０３では、加工条件に基づいて、制御ユニット４０が、レーザービーム照射ユニット２０及び移動ユニット３０を制御して、検査用ウエーハ５０上でレーザービーム照射ユニット２０からのレーザービームの照射を停止する。

実施形態１において、レーザー加工ステップ１０３では、レーザービーム２１が、検査用ウエーハ５０の金属層５２，５３をアブレーション加工するので、レーザー加工装置１は、検査用ウエーハ５０の金属層５２，５３に対して、図１２に示すように、複数の単一加工痕５６により構成され、かつ所定の長さで連続する加工痕５７を形成する。なお、本明細書では、加工痕５７が連続するとは、単一加工痕５６が同一線上に並んで形成されることをいい、隣り合う単一加工痕５６が重なっていても良く、間隔をあけていても良い。

実施形態１において、レーザー加工ステップ１０３では、制御ユニット４０が、レーザービーム照射ユニット２０及び移動ユニット３０を制御して、検査用ウエーハ５０上のレーザービーム照射ユニット２０から所定値の出力のレーザービーム２１の照射を開始し、レーザービーム照射ユニット２０とチャックテーブル１０とをＸ軸方向に相対的に移動させながらパルス状のレーザービーム２１を検査用ウエーハ５０に照射するとともに、検査用ウエーハ５０上のレーザービーム照射ユニット２０からのレーザービーム２１の照射を停止する。実施形態１において、レーザー加工ステップ１０３では、所定値の出力のレーザービーム２１の照射により、検査用ウエーハ５０に複数の単一加工痕５６－１により構成された加工痕５７（以下、加工痕５７同士を区別する際には、符号５７－１で示す）を形成する。

実施形態１において、レーザー加工ステップ１０３では、検査用ウエーハ５０に加工痕５７－１を形成した後、制御ユニット４０が、移動ユニット３０を制御して、チャックテーブル１０をＹ軸方向及びＸ軸方向に移動して、検査用ウエーハ５０の加工痕５７－１を形成する際に、レーザービーム２１の照射開始した位置からＹ軸方向に所定距離間隔をあけた位置の上方にレーザービーム照射ユニット２０を位置付ける。

実施形態１において、レーザー加工ステップ１０３では、制御ユニット４０が、レーザービーム照射ユニット２０及び移動ユニット３０を制御して、検査用ウエーハ５０上のレーザービーム照射ユニット２０から第２所定値の出力のレーザービーム２１の照射を開始し、レーザービーム照射ユニット２０とチャックテーブル１０とをＸ軸方向に相対的に移動させながらパルス状のレーザービーム２１を検査用ウエーハ５０に照射するとともに、検査用ウエーハ５０上のレーザービーム照射ユニット２０からのレーザービーム２１の照射を停止する。実施形態１では、レーザー加工ステップ１０３では、第２所定値の出力のレーザービーム２１の照射により、検査用ウエーハ５０に複数の単一加工痕５６－２により構成された加工痕５７（以下、加工痕５７同士を区別する際には、符号５７－２で示す）を形成する。

こうして、実施形態１において、レーザー加工ステップ１０３では、レーザー加工装置１は、パルス状のレーザービーム２１を検査用ウエーハ５０に照射開始してレーザービーム照射ユニット２０とチャックテーブル１０とをＸ軸方向に相対的に移動させる動作と、レーザービーム２１を照射停止してチャックテーブル１０をＹ軸方向及びＸ軸方向に移動して、検査用ウエーハ５０の上方にレーザービーム照射ユニット２０を位置付ける動作とを、レーザービーム２１の出力を順に所定値、第２所定値、第３所定値、第４所定値及び第５所定値に切り替えて繰り返す。実施形態１において、レーザー加工ステップ１０３では、レーザー加工装置１は、検査用ウエーハ５０の金属層５２，５３側に、加工痕５７－１、加工痕５７－２、複数の単一加工痕５６－３により構成された加工痕５７（以下、加工痕５７同士を区別する際には、符号５７－３で示す）、複数の単一加工痕５６－４により構成された加工痕５７（以下、加工痕５７同士を区別する際には、符号５７－４で示す）、及び複数の単一加工痕５６－５により構成された加工痕５７（以下、加工痕５７同士を区別する際には、符号５７－５で示す）を形成する。

また、実施形態１において、レーザー加工ステップ１０３では、レーザー加工装置１は、図１２に示すように、複数の加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５を平行に形成する。なお、図１２に示された加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５は、図中の左側の端でレーザービーム２１が照射開始されて単一加工痕５６－１，５６－２，５６－３，５６－４，５６－５が形成され始められている。図１２に示された加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５は、図中の右側の端でレーザービーム２１が照射停止されて単一加工痕５６－１，５６－２，５６－３，５６－４，５６－５の形成が停止されている。

実施形態１において、レーザー加工ステップ１０３では、レーザー加工装置１は、検査用ウエーハ５０の金属層５２，５３側に加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５を形成すると、移動ユニット３０を制御してチャックテーブル１０を搬入出領域に位置付け、チャックテーブル１０の保持面１１の検査用ウエーハ５０の吸引保持を停止するとともに、クランプ部１２のフレーム２０７の挟持を解除する。

（確認ステップ）
図１３は、図１２中のＸＩＩＩ部を拡大して加工痕を模式的に示す平面図である。図１４は、図１２中のＸＩＶ部を拡大して加工痕を模式的に示す平面図である。

確認ステップ１０４は、加工痕５７がレーザービーム２１の照射開始直後から加工進行方向に対して変化しているかを確認するステップである。確認ステップ１０４は、レーザー加工ステップ１０３の後、検査用ウエーハ５０にレーザービーム２１の照射停止位置を超えてレーザービーム２１の打痕５８が形成されているか否かを確認するステップでもある。なお、打痕５８は、レーザービーム２１の漏れ光２１２が照射されることで、主に第二の金属層５３の表面がアブレーション加工されることにより形成されるものである。

確認ステップ１０４では、オペレータ等が加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５のレーザービーム２１の照射開始直後のものを含む図１３に示された単一加工痕５６－１，５６－２，５６－３，５６－４，５６－５を観察する。確認ステップ１０４では、オペレータ等が、加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５の単一加工痕５６－１，５６－２，５６－３，５６－４，５６－５が外縁部に炭化した第二の金属層５３１を露出させ、かつ中央部に第一の金属層５２を露出させているか否かを確認して、加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５がレーザービーム２１の照射開始直後から加工進行方向に対して変化しているかを確認する。

実施形態１において、確認ステップ１０４では、例えば、単一加工痕５６－１，５６－２，５６－３，５６－４，５６－５の露出した第一の金属層５２の外径が単一加工痕５６－１，５６－２，５６－３，５６－４，５６－５の外径の９０％以上であると、外縁部に炭化した第二の金属層５３１を露出させ、かつ中央部に第一の金属層５２を露出させていると判定する。

実施形態１において、確認ステップ１０４では、オペレータ等が、加工痕５７の単一加工痕５６が照射開始直後から加工進行方向であるＸ軸方向に対して変化している際に、レーザービーム２１の立ち上がり遅延が生じていると判定する。例えば、図１３に示すように、加工痕５７－２の単一加工痕５６－２が、照射開始直後では、中央部の第一の金属層５２を露出させていなく、時間の経過とともに中央部に第一の金属層５２を露出させている場合には、第２所定値の出力のレーザービーム２１を照射する際にレーザービーム２１の立ち上がり遅延が生じていると判定する。

また、確認ステップ１０４では、オペレータ等が加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５のレーザービーム２１の照射停止位置のものを含みかつ照射停止位置の単一加工痕５６－１，５６－２，５６－３，５６－４，５６－５よりも加工進行方向の先の第二の金属層５３の表面を含む例えば図１４に示された領域を観察する。

確認ステップ１０４では、オペレータ等が、全ての加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５の全ての照射停止位置の単一加工痕５６－１，５６－２，５６－３，５６－４，５６－５よりも加工進行方向の先の第二の金属層５３の表面に打痕５８が形成されているか否か、即ち、照射停止位置を超えてレーザービーム２１の打痕５８が形成されているか否かを確認する。実施形態１において、確認ステップ１０４では、全ての加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５の全ての照射停止位置の単一加工痕５６－１，５６－２，５６－３，５６－４，５６－５よりも加工進行方向の先の第二の金属層５３の表面に打痕５８が形成されていないと判定すると、漏れ光２１２がないと判定する。

一方、実施形態１において、確認ステップ１０４では、照射停止位置よりも加工進行方向の先の第二の金属層５３の表面に打痕５８が形成されていると判定されると、打痕５８が形成された加工痕５７の単一加工痕５６を形成する際に、漏れ光２１２があると判定する。例えば、図１４に示すように、加工痕５７－４の照射停止位置の単一加工痕５６－４よりも加工進行方向の先の第二の金属層５３の表面に打痕５８が形成されている場合には、第４所定値の出力のレーザービーム２１を照射する際にレーザービーム２１の漏れ光２１２があると判定する。

（調整ステップ）
調整ステップ１０５は、確認ステップ１０４において、加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５がレーザービーム２１の照射開始直後からＸ軸方向に対して変化していた場合、加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５の変化がなくなるようにレーザービームの照射開始と照射停止を制御するＲＦドライバ２４４の出力であるＲＦ信号の出力を調整するステップである。また、調整ステップ１０５は、該確認ステップ１０４において、検査用ウエーハ５０にレーザービーム２１の照射停止位置を超えてレーザービーム２１の打痕５８が形成されていた場合、照射停止位置を超えてレーザービームの打痕５８が形成されなくなるようにＲＦドライバ２４４のＲＦ信号の出力を調整するステップでもある。

実施形態１において、調整ステップ１０５では、確認ステップ１０４において、図１３に示すように、第２所定値の出力のレーザービーム２１を照射する際にレーザービーム２１の立ち上がり遅延が生じていると判定した場合、加工痕５７の変化がなくなる、即ち、レーザービーム２１の立ち上がりの遅延が小さくなるようにＲＦドライバ２４４のＲＦ信号の出力を調整する。また、調整ステップ１０５は、確認ステップ１０４において、図１４に示すように、第４所定値の出力のレーザービーム２１を照射する際にレーザービーム２１の漏れ光２１２があると判定した場合、照射停止位置を超えてレーザービームの打痕５８が形成されなくなるようにＲＦドライバ２４４のＲＦ信号の出力を調整する。

実施形態１に係る検査方法は、確認ステップ１０４においてレーザービームの立ち上がり遅延がなく漏れ光２１２がないと判定した後、又は、調整ステップ１０５においてＲＦドライバ２４４のＲＦ信号の出力を調整した後、終了する。なお、本発明では、検査方法は、調整ステップ１０５においてＲＦドライバ２４４のＲＦ信号の出力を調整した後、再度、準備ステップ１０１、位置付けステップ１０２、レーザー加工ステップ１０３及び確認ステップ１０４を順に実施して、レーザービーム２１の立ち上がり遅延の有無、漏れ光２１２の有無を確認しても良い。

以上説明したように、実施形態１に係る検査方法は、チャックテーブル１０に保持された検査用ウエーハ５０の金属層５２，５３にレーザービーム２１を照射するので、検査用ウエーハ５０に形成された加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５を確認することで、レーザービーム２１の照射開始、照射停止を切り替えた時のレーザービーム２１の立ち上がり遅延の有無と漏れ光２１２の有無を確認することが可能である。

したがって、実施形態１に係る検査方法は、フォトディテクタを設置する必要がなくなるため、工数の削減を図ることができ、レーザービーム２１のレーザービームの立ち上がり遅延の有無や漏れ光２１２の有無を容易に確認することが可能となるという効果を奏する。

また、実施形態１に係る検査方法は、加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５がレーザービーム２１の照射開始直後からＸ軸方向に対して変化しているか否かを確認するので、容易に、レーザービーム２１の立ち上がり遅延の有無を確認することが可能である。

また、実施形態１に係るレーザー加工装置１は、確認ステップ１０４において、加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５がレーザービーム２１の照射開始直後からＸ軸方向に対して変化していた場合、調整ステップ１０５において、加工痕５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５の変化が小さくなるようにＲＦドライバ２４４のＲＦ信号の出力を調整するので、レーザービーム２１のレーザービームの立ち上がり遅延を抑制することができる。

また、実施形態１に係る検査方法は、確認ステップ１０４において、照射停止位置を超えて打痕５８が形成されているか否かを確認するので、容易に、レーザービーム２１の漏れ光２１２の有無を確認することが可能である。

また、実施形態１に係る検査方法は、照射停止位置を超えて打痕５８が形成されていた場合、調整ステップ１０５において、打痕５８が形成されなくなるようにＲＦドライバ２４４のＲＦ信号の出力を調整するので、レーザービーム２１の漏れ光２１２を抑制することができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変質して実施することができる。

１ レーザー加工装置
２１ レーザービーム
２３ 集光器
５０ 検査用ウエーハ
５１ 基板
５２ 第一の金属層（金属層）
５３ 第二の金属層（金属層）
５４ 上面
５７，５７－１，５７－２，５７－３，５７－４，５７－５ 加工痕
５８ 打痕
１０１ 準備ステップ
１０２ 位置付けステップ
１０３ レーザー加工ステップ
１０４ 確認ステップ
１０５ 調整ステップ
２００ 被加工物
２１１ 集光点
２４４ ＲＦドライバ

Claims (5)

1. レーザービームの照射開始と照射停止を繰り返して被加工物に対して非連続的な加工を施すレーザー加工装置において、レーザービームの出力状態を検査する検査方法であって、
   検査用ウエーハを準備する準備ステップと、
   該準備ステップの後、
   該検査用ウエーハと対面する位置に該レーザービームを集光する集光器を位置付ける位置付けステップと、
   該位置付けステップの後、
   該レーザービームの照射を開始して該検査用ウエーハと該レーザービームの集光点とを相対的に移動させることで該検査用ウエーハに対して所定の長さで連続する加工痕を形成するレーザー加工ステップと、
   該加工痕がレーザービームの照射開始直後から加工進行方向に対して変化しているかを確認する確認ステップと、
   を含むことを特徴とする、レーザービームの出力状態を検査する検査方法。
2. 該確認ステップにおいて、該加工痕が該レーザービームの照射開始直後から加工進行方向に対して変化していた場合、該加工痕の変化がなくなるように該レーザービームの照射開始と照射停止を制御するＲＦドライバの出力を調整する調整ステップを更に含む、
   請求項１に記載のレーザービームの出力状態を検査する検査方法。
3. レーザービームの照射開始と照射停止を繰り返して被加工物に対して非連続的な加工を施すレーザー加工装置において、レーザービームの出力状態を検査する検査方法であって、
   検査用ウエーハを準備する準備ステップと、
   該準備ステップの後、
   該レーザービームの照射しながら該検査用ウエーハと該レーザービームの集光点とを相対的に移動させるとともに、該検査用ウエーハ上で該レーザービームの照射を停止することで、該検査用ウエーハに対して所定の長さで連続する加工痕を形成するレーザー加工ステップと、
   レーザー加工ステップの後、
   該検査用ウエーハに該レーザービームの照射停止位置を超えてレーザービームの打痕が形成されているか否かを確認する確認ステップと、
   を含むことを特徴とする、レーザービームの出力状態を検査する検査方法。
4. 該確認ステップにおいて、該検査用ウエーハに該レーザービームの照射停止位置を超えてレーザービームの打痕が形成されていた場合、該照射停止位置を超えてレーザービームの打痕が形成されなくなるように該レーザービームの照射開始と照射停止を制御するＲＦドライバの出力を調整する調整ステップを更に含む、
   請求項３に記載のレーザービームの出力状態を検査する検査方法。
5. 該検査用ウエーハは、
   基板の上面に比熱又は融点が異なる第一の金属層と第二の金属層の少なくとも２層の金属層が積層されたものであり、
   該レーザービームは、
   該金属層が積層された側から照射されることを特徴とする、請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載のレーザービームの出力状態を検査する検査方法。

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