JP2022145297A - Adhesive tape - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板および部品を仮固定して用いられる粘着テープに関するものである。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to an adhesive tape used for temporarily fixing substrates and components.
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ICパッケージの大容量高密度化が進んでいる。 In recent years, the demand for high-density and high-integration semiconductor devices has increased in response to the increasing sophistication of electronic equipment and the expansion of mobile applications, and the increase in capacity and density of IC packages is progressing.
これらの半導体装置の製造方法としては、例えば、まず、基板としての半導体基板(半導体ウエハ)に粘着テープを貼付し、半導体基板の周囲をウエハリングで固定しながら、ダイシングソーを用いたダイシング工程で、半導体基板を厚さ方向に切断することで、半導体基板を個々の半導体素子(半導体チップ)に切断分離(個片化)する。次いで、ウエハリングを用いて粘着テープを放射状に伸ばすことで、隣接する半導体素子同士の間に間隙を形成するエキスパンディング工程の後、個片化した半導体素子を、ニードルを用いて突き上げた状態で、ピックアップするピックアップ工程を行う。次いで、このピックアップした半導体素子を金属リードフレームあるいは基板(例えばテープ基板、有機硬質基板等)に搭載するための搭載工程へ移送する。ピックアップされた半導体素子は、搭載工程で、例えば、アンダーフィル材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、その後、リードフレームあるいは基板上で半導体素子を封止部により封止することで半導体装置が製造される。 As a method for manufacturing these semiconductor devices, for example, first, an adhesive tape is attached to a semiconductor substrate (semiconductor wafer) as a substrate, and while the periphery of the semiconductor substrate is fixed with a wafer ring, a dicing process using a dicing saw is performed. By cutting the semiconductor substrate in the thickness direction, the semiconductor substrate is cut and separated (individualized) into individual semiconductor elements (semiconductor chips). Next, after an expanding step of forming a gap between adjacent semiconductor elements by radially extending the adhesive tape using a wafer ring, the individualized semiconductor elements are pushed up using needles. , to perform a pick-up process to pick up. Next, the picked up semiconductor element is transferred to a mounting step for mounting it on a metal lead frame or substrate (eg, tape substrate, organic hard substrate, etc.). The picked-up semiconductor element is adhered to a lead frame or substrate via, for example, an underfill material in a mounting process, and then the semiconductor element is sealed on the lead frame or substrate with a sealing portion to form a semiconductor device. manufactured.
このような半導体装置の製造に用いられる粘着テープ(ダイシングテープ)について、近年、種々の検討がなされている(例えば、特許文献1参照。)。 In recent years, various studies have been made on adhesive tapes (dicing tapes) used for manufacturing such semiconductor devices (see, for example, Patent Document 1).
この粘着テープは、一般に、基材(フィルム基材)と、この基材上に形成された粘着層とを有するものであり、粘着層により半導体基板が固定される。また、半導体基板のダイシング工程後に半導体素子のピックアップが実現できるように、粘着層は、通常、粘着性を有するベース樹脂および光硬化性樹脂等を含有する樹脂組成物で構成されている。つまり、ダイシング工程後、粘着層にエネルギーが付与されると、樹脂組成物が硬化して粘着層の粘着性が低下し、そのため、ピックアップ工程において、半導体素子を、ニードルを用いて突き上げた際に、半導体素子から粘着テープを剥離させることができ、その結果、半導体素子のピックアップが実現できるようになっている。 This adhesive tape generally has a substrate (film substrate) and an adhesive layer formed on this substrate, and the semiconductor substrate is fixed by the adhesive layer. In addition, the adhesive layer is usually composed of a resin composition containing a base resin having adhesiveness, a photocurable resin, and the like so that the semiconductor element can be picked up after the dicing process of the semiconductor substrate. That is, when energy is applied to the adhesive layer after the dicing step, the resin composition is cured and the adhesiveness of the adhesive layer is reduced. , the adhesive tape can be peeled off from the semiconductor element, and as a result, the semiconductor element can be picked up.
しかしながら、この粘着テープを用いた半導体装置の製造の際に、半導体基板を厚さ方向に切断して半導体素子を得るダイシング工程において、半導体基板の切断時、すなわちダイシング時に半導体素子が粘着層からはがれる、いわゆるチップ飛びが生じたり、半導体素子の粘着層が接着していた裏面に、ダイシング工程で半導体基板に供給していた切削水に混在した半導体基板や粘着テープに起因する切削屑が付着することに基づく、半導体素子の裏面の汚染が生じると言う問題があった。 However, when manufacturing a semiconductor device using this adhesive tape, in the dicing process for obtaining semiconductor elements by cutting the semiconductor substrate in the thickness direction, the semiconductor elements are peeled off from the adhesive layer when the semiconductor substrate is cut, that is, during dicing. , So-called chip flying occurs, and cutting waste caused by the semiconductor substrate mixed with the cutting water supplied to the semiconductor substrate in the dicing process and adhesive tape adheres to the back surface where the adhesive layer of the semiconductor element was adhered. There is a problem that the rear surface of the semiconductor element is contaminated due to the
また、このような問題は、基板としての半導体基板(半導体用ウエハ)を厚さ方向に切断することで、部品としての半導体素子を得る場合に限らず、ガラス基板、セラミック基板、樹脂材料基板および金属材料基板のような各種基板を厚さ方向に切断(個片化)して、個片化された部品を得る場合等においても同様に生じている。 Moreover, such a problem is not limited to obtaining semiconductor elements as parts by cutting a semiconductor substrate (semiconductor wafer) as a substrate in the thickness direction. The same problem occurs when various substrates such as metal substrates are cut (singulated) in the thickness direction to obtain individualized parts.
本発明の目的は、粘着テープに対して基板を貼付した状態で、基板を厚さ方向に切断することで個片化された部品を得る際に、粘着テープから基板を剥離させることなく、優れた貼付性をもって粘着テープに対して基板を貼付した状態で、個片化された部品を得ることができる粘着テープを提供することにある。 An object of the present invention is to obtain an excellent adhesive tape without peeling the substrate from the adhesive tape when obtaining individualized parts by cutting the substrate in the thickness direction in a state where the substrate is attached to the adhesive tape. To provide an adhesive tape capable of obtaining individualized parts in a state in which a substrate is attached to the adhesive tape with good sticking property.
このような目的は、下記(1)~(10)に記載の本発明により達成される。
(1) 樹脂材料を含有する基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層と、を備える積層体により構成され、基板および部品を仮固定して用いられる粘着テープであって、
前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、前記エネルギーの付与により、前記粘着層上に積層された前記基板および部品に対する粘着力が低下するものであり、また、
当該粘着テープは、表面を#2000研磨した、シリコンウエハの前記表面に、幅20mmの当該粘着テープを貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与前において、80℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度が50cN/20mm以上450cN/20mm以下であることを特徴とする粘着テープ。
Such objects are achieved by the present invention described in (1) to (10) below.
(1) An adhesive tape that is composed of a laminate comprising a base material containing a resin material and an adhesive layer laminated on one side of the base material, and that is used to temporarily fix a substrate and components, ,
The adhesive layer contains a base resin having adhesiveness and a curable resin that is cured by application of energy, and the application of energy reduces the adhesive force to the substrate and components laminated on the adhesive layer. and
The adhesive tape has a width of 20 mm and is attached to the surface of a silicon wafer whose surface has been polished by #2000. The peel strength measured when holding one end of the adhesive tape in an environment of 80 ° C. and peeling it off at a speed of 1000 mm / min in the direction of 30 ° is 50 cN / 20 mm or more and 450 cN / 20 mm or less. An adhesive tape characterized by:
(2) 23℃の環境下で、当該粘着テープを300mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度が400cN/20mm以上1200cN/20mm以下である上記(1)に記載の粘着テープ。 (2) The above (1), wherein the peel strength measured when the adhesive tape is peeled off at a speed of 300 mm / min in an environment of 23 ° C. is 400 cN / 20 mm or more and 1200 cN / 20 mm or less. Adhesive tape.
(3) 前記粘着層は、前記エネルギーの付与前において、レオメーターを用いて、温度80℃、歪量1mrad、周波数1Hzで測定した複素粘度η*が0.5×105mPa・s以上6.0×106mPa・s以下である上記(1)または(2)に記載の粘着テープ。 (3) The pressure-sensitive adhesive layer has a complex viscosity η * of 0.5×10 5 mPa s or more measured using a rheometer at a temperature of 80° C., a strain amount of 1 mrad, and a frequency of 1 Hz before the energy is applied. The pressure-sensitive adhesive tape according to (1) or (2) above, which has a viscosity of 0×10 6 mPa·s or less.
(4) 前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である上記(1)ないし(3)のいずれかに記載の粘着テープ。 (4) The adhesive tape according to any one of (1) to (3) above, wherein the base resin is an acrylic resin.
(5) 前記硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートおよびビスフェノールA系のエポキシアクリレートのうちの少なくとも1種である上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の粘着テープ。 (5) The pressure-sensitive adhesive tape according to any one of (1) to (4) above, wherein the curable resin is at least one of urethane acrylate and bisphenol A-based epoxy acrylate.
(6) 前記粘着層は、さらに、可塑剤を含有する上記(1)ないし(5)のいずれかに記載の粘着テープ。 (6) The adhesive tape according to any one of (1) to (5) above, wherein the adhesive layer further contains a plasticizer.
(7) 当該粘着テープは、前記粘着層上に、前記基板を固定した状態で、前記基板から前記基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、前記基板を個片化することで複数の前記部品を形成し、その後、当該粘着テープを面方向に伸長しつつ、前記部品を、前記基材側から突き上げた状態で、前記基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から分離する際に用いられるものである上記(1)ないし(6)のいずれかに記載の粘着テープ。 (7) The adhesive tape is cut so as to reach halfway in the thickness direction of the base material from the substrate while the substrate is fixed on the adhesive layer, thereby singulating the substrate. After that, the adhesive tape is stretched in the surface direction, and the parts are pushed up from the base material side and pulled out from the opposite side of the base material. The pressure-sensitive adhesive tape according to any one of the above (1) to (6), which is used when separating from a layer.
(8) 前記粘着層は、その厚さが5μm以上50μm以下である上記(1)ないし(7)のいずれかに記載の粘着テープ。 (8) The adhesive tape according to any one of (1) to (7) above, wherein the adhesive layer has a thickness of 5 μm or more and 50 μm or less.
(9) 前記基材は、前記粘着層側と反対側の表面における表面抵抗率が1.0×1013(Ω/□)以下である上記(1)ないし(8)のいずれかに記載の粘着テープ。 (9) The substrate according to any one of (1) to (8) above, wherein the substrate has a surface resistivity of 1.0×10 13 (Ω/□) or less on the surface opposite to the adhesive layer side. Adhesive tape.
(10) 当該粘着テープを平面視で見たとき、前記基材と前記粘着層との界面に形成されている気泡は、面積が100μm2以上のものの数が、15.0個/mm2以下である上記(1)ないし(9)のいずれかに記載の粘着テープ。 (10) When the adhesive tape is viewed in plan, the number of bubbles formed at the interface between the base material and the adhesive layer has an area of 100 μm 2 or more and is 15.0/mm 2 or less. The pressure-sensitive adhesive tape according to any one of (1) to (9) above.
本発明によれば、表面を#2000研磨した、シリコンウエハの前記表面に、幅20mmの当該粘着テープを貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与前において、80℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度が50cN/20mm以上450cN/20mm以下に設定されている。そのため、粘着テープが備える粘着層に対するエネルギーの付与前において、粘着テープに対して基板を貼付した状態で、基板を厚さ方向に切断することで個片化された部品を得る際に、粘着テープから基板を剥離させることなく、優れた貼付性をもって粘着テープに対して基板を貼付した状態で、個片化された部品を得ることができる。したがって、基板の切断時に、部品の飛びが生じたり、部品の粘着層が接着していた裏面に、切断時に基板に供給していた切削水に混在した半導体基板や粘着テープに起因する切削屑が付着することに基づく、部品の裏面の汚染が生じるのを的確に抑制または防止することができる。 According to the present invention, the adhesive tape with a width of 20 mm is attached to the surface of the silicon wafer whose surface is polished by #2000, and then held at 23 ° C. for 1 hour, before the energy is applied. , in an environment of 80 ° C., the peel strength measured when holding one end of the adhesive tape in the direction of 30 ° and peeling it off at a speed of 1000 mm / min is set to 50 cN / 20 mm or more and 450 cN / 20 mm or less. It is Therefore, before applying energy to the adhesive layer included in the adhesive tape, when obtaining individualized parts by cutting the substrate in the thickness direction in a state where the substrate is attached to the adhesive tape, the adhesive tape Individualized parts can be obtained in a state in which the substrate is stuck to the adhesive tape with excellent sticking property without peeling the substrate from the adhesive tape. Therefore, when the substrate is cut, the parts may fly off, and cutting waste caused by the semiconductor substrate or the adhesive tape mixed in with the cutting water supplied to the substrate during cutting may be left on the back surface of the adhesive layer of the component. It is possible to accurately suppress or prevent contamination of the back surface of the component due to adhesion.
以下、本発明の粘着テープについて詳細に説明する。
まず、本発明の粘着テープを説明するのに先立って、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置について説明する。
The pressure-sensitive adhesive tape of the present invention will be described in detail below.
First, before describing the adhesive tape of the present invention, a semiconductor device manufactured using the adhesive tape of the present invention will be described.
<半導体装置>
図1は、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図1中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、本明細書で参照する各図面では、それぞれ、左右方向および/または厚さ方向の寸法を誇張して図示しており、実際の寸法とは大きく異なる。
<Semiconductor device>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of a semiconductor device manufactured using the adhesive tape of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 1 is called "upper", and the lower side is called "lower". In addition, in each drawing referred to in this specification, the dimensions in the left-right direction and/or the thickness direction are exaggerated, and are greatly different from the actual dimensions.
図1に示す半導体装置10は、半導体チップ(半導体素子)20と、半導体チップ20を支持するインターポーザー(基板)30と、複数の導電性を有するバンプ(端子)70と、半導体チップ20を封止するモールド部(封止部)17とを有している。
A
インターポーザー30は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン(BTレジン)等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー30の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。
The
インターポーザー30の上面(一方の面)には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子41が、所定形状で設けられている。
A
また、インターポーザー30には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア(スルーホール:貫通孔)が形成されている。
In addition, a plurality of vias (through holes) (not shown) are formed through the
各バンプ70は、それぞれ、各ビアを介して、一端(上端)が端子41の一部に電気的に接続され、他端(下端)は、インターポーザー30の下面(他方の面)から突出している。
One end (upper end) of each
バンプ70のインターポーザー30から突出する部分は、ほぼ球形状(Ball状)をなしている。
A portion of the
このバンプ70は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。
The
また、インターポーザー30上には、端子41が形成されている。この端子41に、接続部81を介して、半導体チップ20が有する端子21が電気的に接続されている。
A terminal 41 is formed on the
なお、本実施形態では、図1に示すように、端子21は、半導体チップ20に形成されている面側から突出する構成をなしており、端子41も、インターポーザー30から突出する構成をなしている。
In this embodiment, as shown in FIG. 1, the
また、半導体チップ20と、インターポーザー30との間の間隙には、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材が充填され、このアンダーフィル材の硬化物により、封止層80が形成されている。この封止層80は、半導体チップ20と、インターポーザー30との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。
The gap between the
さらに、インターポーザー30の上側には、半導体チップ20と、インターポーザー30とを覆うように形成されたモールド部17が半導体封止材料の硬化物(封止材)で構成されており、これにより、半導体装置10内において半導体チップ20が封止され、半導体チップ20に対する異物や水分等の浸入が防止される。
Furthermore, on the upper side of the
半導体チップ20(半導体素子)は、図1に示すように、半導体チップ本体部23(半導体素子本体部)と、半導体チップ本体部23の下面側から突出して設けられた端子21とを有している。半導体チップ本体部23は、その上面側に回路(図示せず)が作り込まれており、主としてSi、SiC、GaNまたはGa2O3のような半導体材料で構成されている。
As shown in FIG. 1, the semiconductor chip 20 (semiconductor element) has a semiconductor chip main body 23 (semiconductor element main body) and
かかる構成の半導体装置10および半導体チップ20は、例えば、粘着テープを用いた半導体装置の製造方法により、以下のようにして製造される。
The
<半導体装置の製造方法>
図2、図3は、図1に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図、図4は、図2中の点線で囲まれた領域[A]に位置するダイシングソーの周辺を拡大した拡大断面図である。なお、以下の説明では、図2~図4中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、本明細書で参照する各図面では、それぞれ、左右方向および/または厚さ方向の寸法を誇張して図示しており、実際の寸法とは大きく異なる。
<Method for manufacturing a semiconductor device>
2 and 3 are longitudinal sectional views for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 using the adhesive tape of the present invention, and FIG. A] is an enlarged sectional view enlarging the periphery of the dicing saw. In the following description, the upper side in FIGS. 2 to 4 is called "upper", and the lower side is called "lower". In addition, in each drawing referred to in this specification, the dimensions in the left-right direction and/or the thickness direction are exaggerated, and are greatly different from the actual dimensions.
[1A]まず、基材4と、基材4の上面に積層された粘着層2とを有する積層体により構成された粘着テープ100を用意し、図2(a)に示すように、その中心部122に半導体基板7(半導体用ウエハ)を、粘着層2の上に置き、軽く押圧し、半導体基板7を積層(貼付)する(貼付工程)。
[1A] First, an
この半導体基板7には、その上面に個片化することで形成される半導体チップ20(半導体チップ本体部23)が備える回路が予め形成され、また、下面には端子21が予め形成されており、半導体基板7は、回路が形成されている側の上面を粘着層2側にして粘着テープ100に貼付されている。そのため、粘着層2には、半導体基板7の回路が形成されている側の上面、すなわち凹凸が形成されている凹凸面が接合される。
On the upper surface of the
[2A]次に、図2(b)に示すように、半導体基板7が積層された粘着テープ100をダイサーテーブル200の上に設置する。
[2A] Next, as shown in FIG. 2B, the
[3A]次に、粘着層2の外周部121をウエハリング9で固定し、その後、図示しない、ダイシングソー(ブレード)を用いて基板としての半導体基板7を切断(ダイシング)して半導体基板7を個片化することで粘着テープ100上に部品としての半導体チップ20を得る(個片化工程;図2(c)参照)。
[3A] Next, the outer
この際、粘着テープ100は、緩衝作用を有しており、半導体基板7を切断する際の割れ、欠け等を防止する。
At this time, the
また、ブレードを用いた半導体基板7の切断は、図2(c)に示すように、基材4の厚さ方向の途中まで到達するように実施する。これにより、半導体基板7の個片化を確実に実施することができる。
Further, the cutting of the
この本工程[3A]において、本発明の粘着テープ100が用いられる。すなわち、本工程[3A]における基板としての半導体基板7の切断において、粘着テープ100として、表面を#2000研磨した、シリコンウエハの前記表面に、幅20mmの粘着テープ100を貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、粘着層2へのエネルギーの付与前において、80℃の環境下で、この粘着テープ100の一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度が50cN/20mm以上450cN/20mm以下であるものが用いられる。
In this step [3A], the
そのため、本工程[3A]において、半導体基板7を切断する際に、粘着テープ100から半導体基板7(半導体チップ20)を剥離させることなく、優れた貼付性をもって粘着テープ100に対して半導体基板7を貼付した状態で、個片化された半導体チップ20を得ることができるが、その詳細な説明は後に行うこととする。
Therefore, in this step [3A], when cutting the
なお、この際、半導体基板7の切断時に生じる粉塵が飛散するのを防止すること、さらには、半導体基板7が不必要に加熱されるのを抑制することを目的に、半導体基板7には切削水を供給しつつ、半導体基板7が切断される。
In this case, for the purpose of preventing dust generated when the
[4A]次に、ウエハリング9で固定した、半導体基板7を貼付した粘着テープ100をダイシング装置(図示せず)からピックアップ装置(図示せず)に移し、粘着層2の外周部121においてウエハリング9により固定した状態で、テーブル300の外周部320に対して、その中心部310を上方に突き上げることで、粘着テープ100を放射状に伸ばし、これにより、個片化した半導体基板7すなわち部品としての半導体チップ20同士の間に、一定の間隔を有する間隙を形成する(エキスパンディング工程;図2(d)参照。)。
[4A] Next, the
なお、次工程[5A]に先立って、粘着層2に対してエネルギーを付与することで、半導体チップ20に対する粘着力を低下させるが、この粘着層2に対するエネルギーの付与は、本工程[4A]における、エキスパンディング工程の後であってもよいし、エキスパンディング工程に先立って実施してもよい。
Prior to the next step [5A], energy is applied to the
[5A]次に、前記工程[4A]を経ることにより、間隙が形成された状態で、ステージ400上において、半導体チップ20を、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする(ピックアップ工程;図2(e)参照。)。
[5A] Next, the
以上のような工程[1A]~工程[5A]を経ることにより、粘着テープ100を用いて、半導体基板7から半導体チップ20が分離(個片化)される。すなわち、粘着テープ100が備える粘着層2上に、半導体基板7を固定した状態で、半導体基板7から基材4の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、半導体基板7を個片化することで複数の半導体チップ20を形成する。その後、半導体チップ20同士の間に一定間隔の間隙を形成した状態で、粘着層2にエネルギーを付与することで粘着層2を硬化させた後、さらに、基材4側から半導体チップ20を突き上げた状態として、基材4の反対側から引き抜くことにより、半導体チップ20が粘着層2から分離される。
Through the steps [1A] to [5A] as described above, the
[6A]次に、ピックアップした半導体チップ20を、真空コレットまたはエアピンセットから実装用プローブ等に受け渡して上下反転させた後、図3(a)に示すように、この半導体チップ20が備える端子21と、インターポーザー30が備える端子41とを、端子41上に設けられた半田バンプ85を介して対向させて、インターポーザー30上に載置する。すなわち、半導体チップ20の端子21が形成された面を下側にして、半導体チップ20(半導体素子)をインターポーザー30(基板)上に載置する。
[6A] Next, after transferring the picked up
[7A]次に、図3(b)に示すように、端子21と端子41との間に介在した半田バンプ85を加熱しつつ、インターポーザー30と半導体チップ20とを接近させる。
[7A] Next, as shown in FIG. 3B, while heating the solder bumps 85 interposed between the
これにより、溶融した半田バンプ85が端子21および端子41の双方に接触し、この状態で、冷却することで、接続部81が形成され、その結果、接続部81を介して、端子21と端子41とが電気的に接続される(搭載工程;図3(c)参照。)。
As a result, the melted solder bumps 85 come into contact with both the
[8A]次に、半導体チップ20と、インターポーザー30との間に形成された間隙に、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材(封止材)を充填し、その後、このアンダーフィル材を硬化させることにより、アンダーフィル材の硬化物で構成された封止層80を形成する(封止層形成工程;図3(d)参照。)。
[8A] Next, the gap formed between the
[9A]次に、インターポーザー30の上側に、半導体チップ20と、インターポーザー30とを覆うように、モールド部17(封止部)を形成することで、半導体チップ20をインターポーザー30とモールド部17とで封止するとともに、インターポーザー30が備えるビアを介して端子41の一部に電気的に接続された、バンプ70をインターポーザー30の下側から突出するように形成する(図3(e)参照。)。
[9A] Next, on the upper side of the
ここで、モールド部17による封止は、例えば、形成すべきモールド部17の形状に対応した内部空間を備える成形型を用意し、この内部空間内に配置された半導体チップ20とインターポーザー30とを覆うように、粉末状をなす半導体封止材料を内部空間に充填する。そして、この状態で、半導体封止材料を加熱することにより硬化させて、半導体封止材料の硬化物とすることにより行われる。
Here, for the sealing by the
以上のような工程を有する半導体装置の製造方法により、半導体装置10が得られる。より詳しくは、前記工程[1A]~[9A]を実施した後に、前記工程[4A]~[9A]を繰り返して実施することで、1つの半導体基板7から複数の半導体装置10を一括して製造することができる。
The
以下、このような半導体装置10の製造方法に用いられる、本発明の粘着テープ100について説明する。
The
<粘着テープ100>
図5は、粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図5中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<
FIG. 5 is a vertical cross-sectional view showing an embodiment of the adhesive tape. In the following description, the upper side in FIG. 5 is called "upper", and the lower side is called "lower".
粘着テープ100は、本発明では、基材4と、この基材4の上面(一方の面)に積層された粘着層2とを備える積層体により構成され、半導体基板7(基板)および半導体チップ20(部品)を仮固定して用いられるものであり、前述したように、粘着層2は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、エネルギーの付与により、粘着層2上に積層された半導体基板7および半導体チップ20に対する粘着力が低下するものであり、また、表面を#2000研磨した、シリコンウエハの前記表面に、幅20mmの粘着テープ100を貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与前において、80℃の環境下で、粘着テープ100の一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度が50cN/20mm以上450cN/20mm以下であることを満足するものである。
In the present invention, the
ここで、前記工程[3A]において、ダイシングソー250を用いて半導体基板7を、その厚さ方向に沿って、基材4の途中まで到達するように切断すると、粘着層2には、ダイシングソー250により、図4中の矢印に示すような方向に、半導体チップ20から粘着層2を引き剥がそう(剥離させよう)とする力が作用する。
Here, in the step [3A], when the
この粘着層2を引き剥がそうとする力が作用する方向および速さ、さらには、ダイシングソー250により切断する際に生じる摩擦熱について、本発明者が鋭意検討を行った結果、80℃の環境下で、粘着テープ100の一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに近似し得ることが判った。
As a result of intensive studies by the present inventors on the direction and speed of the force acting to peel off the
そして、本発明者のさらなる検討の結果、かかる条件で粘着テープ100を引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度を、50cN/20mm以上450cN/20mm以下に設定することで、粘着テープ100と半導体チップ20(半導体基板7)との間において剥離を生じさせることなく、優れた貼付性をもって粘着テープ100に対して半導体基板7を貼付した状態で、個片化された半導体チップ20が得られることを見出し、本発明を完成させるに至った。
As a result of further studies by the present inventor, the peeling strength measured when the
このように、本発明によれば、個片化された半導体チップ20を、粘着テープ100に対して半導体基板7を優れた貼付性をもって貼付した状態で得られることから、前記工程[3A]において、ダイシング時の半導体チップ20の飛びが生じたり、切削屑を含む切削水が半導体チップ20の裏面の一部に付着することに起因して半導体チップ20が汚染されてしまうのを、的確に抑制または防止することができる。
As described above, according to the present invention, the semiconductor chips 20 that have been separated into individual pieces can be obtained in a state in which the
以下、このような粘着テープ100(ダイシングテープ)が有する、基材4および粘着層2について、詳述する。
The
<基材4>
基材4は、主として樹脂材料から成り、シート状をなしており、この基材4上に設けられた粘着層2を支持する機能を有している。また、前記工程[4A]における、粘着テープ100を面方向に対して伸長するエキスパンディング工程において、その伸長を実現させるためのものである。
<
The
かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、オレフィン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂(エステル類高分子)、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー(スチレン系高分子)、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート(カーボネート系高分子)等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。 Examples of such resin materials include, but are not limited to, olefin resins, polyester resins (ester polymers) such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, and polybutylene naphthalate, polyvinyl chloride resins, Polyether ketone such as polyurethane, polyimide, polyamide, polyether ether ketone, polyether sulfone, polystyrene, fluorine resin, silicone resin, cellulose resin, styrene thermoplastic elastomer (styrene polymer), acrylic resin, polyester Thermoplastic resins such as thermoplastic elastomers, polyvinyl isoprene, polycarbonate (carbonate-based polymer), and mixtures of these thermoplastic resins are used.
これらの樹脂材料は、光(可視光線、近赤外線、紫外線)、X線、電子線等のエネルギー線を透過し得る材料であることから、エネルギー線を基材4側から基材4を透過させて粘着層2に照射する場合に好ましく用いることができる。そのため、エネルギー線を基材4側から粘着層2に照射することで、粘着層2の粘着性を低下させて半導体チップ20を容易にピックアップすることができる。
These resin materials are materials that can transmit energy rays such as light (visible light, near-infrared rays, ultraviolet rays), X-rays, and electron beams. It can be preferably used when irradiating the
特に、樹脂材料としては、オレフィン系樹脂を用いることが好ましい。オレフィン系樹脂を用いることで、前記エキスパンディング工程において、その伸長性(エキスパンド性)を基材4に確実に付与することができるとともに、前記工程[3A]におけるダイシングの際に、基材4の切削屑により、粘着テープ100が汚染されるのを的確に抑制または防止することができる。
In particular, it is preferable to use an olefin resin as the resin material. By using an olefin-based resin, the elongation (expandability) of the
かかるオレフィン系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、直鎖状低密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン系樹脂、エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)、エチレン-メチルメタクリレート共重合体(EMMA)、エチレン-メタクリレート共重合体(EMAA)や、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体またはカリウムイオン架橋体としてのエチレン系アイオノマー等のアイオノマーのようなエチレン共重合体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of such olefin resins include, but are not limited to, polyethylene resins such as linear low-density polyethylene, low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene-methyl Ethylene copolymers such as methacrylate copolymers (EMMA), ethylene-methacrylate copolymers (EMAA) and ionomers such as ethylene ionomers as zinc ion cross-links, sodium ion cross-links or potassium ion cross-links. One or more of these can be used in combination.
また、基材4は、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程[3A]、および、前記ピックアップ工程[5A]における、半導体チップ20での静電気の発生を的確に抑制または防止することができる。
Moreover, the
このように、基材4が導電性材料を含有する場合、基材4の粘着層2と反対側の表面における表面抵抗率は、1.0×1013(Ω/□)以下に設定されていることが好ましく、1.0×1011(Ω/□)以下に設定されていることがより好ましい。これにより、前記個片化工程[3A]、および、前記ピックアップ工程[5A]における、半導体チップ20での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。
Thus, when the
この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、界面活性剤、永久帯電防止高分子(IDP)、金属材料、金属酸化物材料および炭素系材料等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 The conductive material is not particularly limited as long as it has conductivity, and examples thereof include surfactants, permanent antistatic polymers (IDP), metal materials, metal oxide materials and carbon-based materials. One or more of these can be used in combination.
これらのうち界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等が挙げられる。 Examples of surfactants among these include anionic surfactants, cationic surfactants, nonionic surfactants, and amphoteric surfactants.
永久帯電防止高分子(IDP)としては、例えば、ポリエーテルとポリオレフィンブロックポリマー系列、ポリエステルアミド系列、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステルアミド、ポリウレタン系列等の全てのIDPを用いることができる。 As the permanent antistatic polymer (IDP), for example, all IDPs such as polyether and polyolefin block polymer series, polyesteramide series, polyesteramide, polyetheresteramide, and polyurethane series can be used.
また、金属材料としては、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられ、これらの金属粉が好ましく用いられる。 The metal material includes gold, silver, copper or silver-coated copper, nickel, etc., and these metal powders are preferably used.
金属酸化物材料としては、インジウムティンオキサイド(ITO)、インジウムオキサイド(IO)、アンチモンティンオキサイド(ATO)、インジウムジンクオキサイド(IZO)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、等が挙げられ、これらの金属酸化物粉が好ましく用いられる。 Metal oxide materials include indium tin oxide (ITO), indium oxide (IO), antimony tin oxide (ATO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), and the like. and these metal oxide powders are preferably used.
さらに、炭素系材料としては、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、CNナノチューブ、CNナノファイバー、BCNナノチューブ、BCNナノファイバー、グラフェン等が挙げられる。 Furthermore, carbon-based materials include carbon black, carbon nanotubes such as single-walled carbon nanotubes and multi-walled carbon nanotubes, carbon nanofibers, CN nanotubes, CN nanofibers, BCN nanotubes, BCN nanofibers, graphene, and the like.
これらの中でも、導電性材料としては、界面活性剤、永久帯電防止高分子(IDP)、金属酸化物材料およびカーボンブラックのうちの少なくとも1種であることが好ましい。これらのものは、抵抗率の温度依存性が小さいものであることから、前記工程[3A]において、半導体基板7をダイシングする際に、基材4が加熱されたとしても、その表面抵抗率の変化量を小さくすることができる。
Among these, the conductive material is preferably at least one of surfactants, permanent antistatic polymers (IDP), metal oxide materials and carbon black. Since these materials have small temperature dependence of resistivity, even if the
なお、基材4に導電性材料を含有させることなく、前記半導体チップ20における静電気の発生を防止する場合には、導電性材料を含有する帯電防止層を、粘着層2と反対側の表面に形成してもよい。これにより、基材4に導電性材料を含有させた場合と同様の効果を得ることができる。
In addition, in the case of preventing the generation of static electricity in the
さらに、基材4は、鉱油のような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。
Further, the
基材4の厚さは、例えば、30μm以上160μm以下であるのが好ましく、80μm以上120μm以下であるのがより好ましい。基材4の厚さがこの範囲内であると、基材4としての機能をより確実に発揮させて、前記工程[3A]における半導体基板7のダイシングおよび前記工程[5A]における半導体チップ20のピックアップを、優れた作業性により実施することができる。
The thickness of the
さらに、基材4は、その表面に、粘着層2に含まれる構成材料と反応性を有する、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していてもよい。
Furthermore, the
また、基材4は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体(多層体)で構成されるものであってもよい。
Moreover, the
<粘着層2>
粘着層2は、前記工程[3A]において、半導体基板7をダイシングする際に、半導体基板7を粘着して支持し、かつ、前記工程[4A]において、粘着層2にエネルギーを付与して粘着層2が硬化することにより、半導体基板7を個片化して得られた半導体チップ20を、前記工程[5A]において、ピックアップし得る程度の粘着性を有するものである。また、この粘着層2を有する粘着テープ100は、本発明では、表面を#2000研磨した、シリコンウエハの前記表面に、幅20mmの粘着テープ100を貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与前において、80℃の環境下で、粘着テープ100の一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度が50cN/20mm以上450cN/20mm以下であることを満足するものである。
<
The
このような粘着層2は、(1)粘着性を有するベース樹脂と、(2)粘着層2を硬化させる硬化性樹脂と、を主材料として含有する樹脂組成物で構成される。
Such an
以下、この樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
(1)ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、半導体基板7に対する粘着性を粘着層2に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。
Each component contained in this resin composition will be described in detail below.
(1) Base Resin The base resin is contained in the resin composition in order to have adhesiveness and impart adhesiveness to the
このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂(粘着剤)、シリコーン系樹脂(粘着剤)、ポリエステル系樹脂(粘着剤)、ポリ酢酸ビニル系樹脂(粘着剤)、ポリビニルエーテル系樹脂(粘着剤)、スチレン系エラストマー樹脂(粘着剤)、ポリイソプレン系樹脂(粘着剤)、ポリイソブチレン系樹脂(粘着剤)またはウレタン系樹脂(粘着剤)のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。ベース樹脂としてアクリル系樹脂を用いることにより、粘着テープ100の前記引き剥がし強度の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。また、アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、かかる観点からも、ベース樹脂として好ましく用いられる。
Such base resins include acrylic resins (adhesives), silicone resins (adhesives), polyester resins (adhesives), polyvinyl acetate resins (adhesives), and polyvinyl ether resins (adhesives). , styrene-based elastomer resins (adhesives), polyisoprene-based resins (adhesives), polyisobutylene-based resins (adhesives), and urethane-based resins (adhesives). However, among them, it is preferable to use an acrylic resin. By using an acrylic resin as the base resin, the peeling strength of the
アクリル系樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー(ホモポリマーまたはコポリマー)をベースポリマーとするもののことを言う。 The acrylic resin refers to a resin having a polymer (homopolymer or copolymer) containing (meth)acrylic ester as a main monomer component as a base polymer.
(メタ)アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸s-ブチル、(メタ)アクリル酸t-ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸イソデシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシルのような(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシルのような(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸フェニルのような(メタ)アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸オクチルのような(メタ)アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。 The (meth)acrylic acid ester is not particularly limited, but examples include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, and butyl (meth)acrylate. , isobutyl (meth)acrylate, s-butyl (meth)acrylate, t-butyl (meth)acrylate, pentyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, (meth)acrylate Octyl acrylate, isooctyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, (meth) ) undecyl acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, pentadecyl (meth) acrylate, hexadecyl (meth) acrylate, heptadecyl (meth) acrylate, (meth) (meth)acrylic acid alkyl esters such as octadecyl acrylate, (meth)acrylic acid cycloalkyl esters such as cyclohexyl (meth)acrylate, (meth)acrylic acid aryl esters such as phenyl (meth)acrylate, etc. One or more of these can be used in combination. Among these, (meth)acrylic acid alkyl esters such as methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, octyl (meth)acrylate is preferably (Meth)acrylic acid alkyl esters, in particular, are excellent in heat resistance, and can be obtained relatively easily and inexpensively.
なお、本明細書において、(メタ)アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。 In this specification, (meth)acrylic acid ester is used in the sense of including both acrylic acid ester and methacrylic acid ester.
アクリル系樹脂は、凝集力、耐熱性等の改質等を目的として、必要に応じて、ポリマーを構成するモノマー成分として、官能基含有共重合性モノマーを含むものが用いられる。 For the purpose of improving cohesive strength, heat resistance, etc., acrylic resins may be those containing functional group-containing copolymerizable monomers as monomer components constituting polymers, if necessary.
このような官能基含有共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6-ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー、(メタ)アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、(メタ)アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、(メタ)アクリルアミド、N,N-ジメチル(メタ)アクリルアミド、N-ブチル(メタ)アクリルアミド、N-メチロール(メタ)アクリルアミド、N-メチロールプロパン(メタ)アクリルアミド、N-メトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N-ブトキシメチル(メタ)アクリルアミドのようなアミド系モノマー、(メタ)アクリル酸アミノエチル、(メタ)アクリル酸N,N-ジメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸t-ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、(メタ)アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンのようなオレフィン系モノマー、スチレン、α-メチルスチレン、ビニルトルエンのようなスチレン系モノマー、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル系モノマー、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルのようなビニルエーテル系モノマー、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなハロゲン原子含有モノマー、(メタ)アクリル酸メトキシエチル、(メタ)アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、N-ビニル-2-ピロリドン、N-メチルビニルピロリドン、N-ビニルピリジン、N-ビニルピペリドン、N-ビニルピリミジン、N-ビニルピペラジン、N-ビニルピラジン、N-ビニルピロール、N-ビニルイミダゾール、N-ビニルオキサゾール、N-ビニルモルホリン、N-ビニルカプロラクタム、N-(メタ)アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of such functional group-containing copolymerizable monomers include, but are not limited to, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, hydroxyl group-containing monomers such as 6-hydroxyhexyl (meth)acrylate, epoxy group-containing monomers such as glycidyl (meth)acrylate, (meth)acrylic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, isocrotone Carboxyl group-containing monomers such as acids, maleic anhydride, acid anhydride group-containing monomers such as itaconic anhydride, (meth)acrylamide, N,N-dimethyl(meth)acrylamide, N-butyl(meth)acrylamide, N - Methylol (meth) acrylamide, N-methylolpropane (meth) acrylamide, N-methoxymethyl (meth) acrylamide, N-butoxymethyl (meth) amide monomers such as acrylamide, aminoethyl (meth) acrylate, (meth) ) N,N-dimethylaminoethyl acrylate, amino group-containing monomers such as t-butylaminoethyl (meth)acrylate, cyano group-containing monomers such as (meth)acrylonitrile, ethylene, propylene, isoprene, butadiene, isobutylene styrene monomers such as styrene, α-methylstyrene and vinyl toluene; vinyl ester monomers such as vinyl acetate and vinyl propionate; vinyl ether monomers such as methyl vinyl ether and ethyl vinyl ether; Vinyl, halogen atom-containing monomers such as vinylidene chloride, alkoxy group-containing monomers such as methoxyethyl (meth)acrylate and ethoxyethyl (meth)acrylate, N-vinyl-2-pyrrolidone, N-methylvinylpyrrolidone, N -vinylpyridine, N-vinylpiperidone, N-vinylpyrimidine, N-vinylpiperazine, N-vinylpyrazine, N-vinylpyrrole, N-vinylimidazole, N-vinyloxazole, N-vinylmorpholine, N-vinylcaprolactam, N- Examples thereof include monomers having a nitrogen atom-containing ring such as (meth)acryloylmorpholine, and these may be used singly or in combination of two or more.
これら官能基含有共重合性モノマーの含有量は、アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分に対して、40重量%以下であることが好ましく、10重量%以下であることがより好ましい。 The content of these functional group-containing copolymerizable monomers is preferably 40% by weight or less, more preferably 10% by weight or less, relative to all monomer components constituting the acrylic resin.
また、官能基含有共重合性モノマーは、アクリル系樹脂を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。 In addition, the functional group-containing copolymerizable monomer may be contained at the terminal of the main chain in the polymer constituting the acrylic resin, contained in the main chain, furthermore, at the terminal of the main chain and in the main chain.
さらに、官能基含有共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。 Furthermore, the functional group-containing copolymerizable monomer may contain a polyfunctional monomer for the purpose of cross-linking between polymers.
多官能性モノマーとしては、例えば、1,6-ヘキサンジオール(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ(メタ)アクリレート、ヘキシルジ(メタ)アクリレート等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of polyfunctional monomers include 1,6-hexanediol (meth)acrylate, (poly)ethylene glycol di(meth)acrylate, (poly)propylene glycol di(meth)acrylate, and neopentyl glycol di(meth)acrylate. , pentaerythritol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, glycerin di(meth)acrylate, epoxy (meth)acrylate, polyester ( Meth)acrylate, urethane (meth)acrylate, divinylbenzene, butyl di(meth)acrylate, hexyl di(meth)acrylate and the like can be mentioned, and one or more of these can be used in combination.
また、エチレン-酢酸ビニルコポリマーおよび酢酸ビニルポリマー等も、官能基含有共重合性モノマー成分として用いることができる。 Ethylene-vinyl acetate copolymers, vinyl acetate polymers, and the like can also be used as functional group-containing copolymerizable monomer components.
なお、このようなアクリル系樹脂(ポリマー)は、単一のモノマー成分または2種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。 Such an acrylic resin (polymer) can be produced by polymerizing a single monomer component or a mixture of two or more monomer components. Moreover, polymerization of these monomer components can be carried out using a polymerization method such as a solution polymerization method, an emulsion polymerization method, a bulk polymerization method, a suspension polymerization method, or the like.
アクリル系樹脂は、前記工程[3A]において、半導体基板7をダイシングする際に、アクリル系樹脂による半導体基板7等の汚染を防止するという観点から、低分子量物の含有量が少ないものであることが好ましい。この場合、アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、好ましくは30万以上500万以下に設定され、より好ましくは40万以上400万以下に設定され、さらに好ましくは50万以上150万以下に設定される。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量が、モノマー成分の種類等によっては、50万未満であると、半導体基板7等に対する汚染防止性が低下し、その結果、半導体チップ20を剥離させた際に糊残りが生じるおそれがある。
The acrylic resin should have a low content of low-molecular-weight substances from the viewpoint of preventing contamination of the
また、アクリル系樹脂は、そのガラス転移点が、好ましくは-100℃以上50℃以下、より好ましくは-50℃以上0℃以下であるものが用いられる。ベース樹脂として、かかる範囲内のガラス転移点を有するアクリル系樹脂を用いることにより、粘着テープ100の前記引き剥がし強度の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。
The acrylic resin to be used has a glass transition point of preferably -100°C or higher and 50°C or lower, more preferably -50°C or higher and 0°C or lower. By using an acrylic resin having a glass transition point within this range as the base resin, the peel strength of the
なお、アクリル系樹脂は、ヒドロキシル基やカルボキシル基(特に、ヒドロキシル基)のような、架橋剤や光重合開始剤に対して反応性を有する官能基(反応性官能基)を有していることが好ましい。これにより、架橋剤や光重合開始剤がポリマー成分であるアクリル系樹脂に連結するため、粘着層2からこれら架橋剤や光重合開始剤が漏出することを的確に抑制または防止することができる。その結果、前記工程[4A]におけるエネルギー線照射時により、粘着層2の半導体基板7に対する粘着性が確実に低下される。
In addition, the acrylic resin has a functional group (reactive functional group) having reactivity with a cross-linking agent or a photopolymerization initiator, such as a hydroxyl group or a carboxyl group (particularly, a hydroxyl group). is preferred. As a result, the cross-linking agent and the photopolymerization initiator are linked to the acrylic resin, which is the polymer component, so that leakage of the cross-linking agent and the photopolymerization initiator from the
(2)硬化性樹脂
硬化性樹脂は、例えば、エネルギー線の照射により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層2の粘着力が低下する。
(2) Curable resin The curable resin is, for example, a resin that is cured by irradiation with energy rays. As a result of this curing, the base resin is taken into the crosslinked structure of the curable resin, and as a result, the adhesive force of the
このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素-炭素二重結合を、官能基として少なくとも2個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、1,4-ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレートのような(メタ)アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、2-プロペニル-ジ-3-ブテニルシアヌレート等の炭素-炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス(2-アクリロキシエチル)イソシアヌレート、トリス(2-メタクリロキシエチル)イソシアヌレート、2-ヒドロキシエチル ビス(2-アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ビス(2-アクリロキシエチル)2-[(5-アクリロキシヘキシル)-オキシ]エチルイソシアヌレート、トリス(1,3-ジアクリロキシ-2-プロピル-オキシカルボニルアミノ-n-ヘキシル)イソシアヌレート、トリス(1-アクリロキシエチル-3-メタクリロキシ-2-プロピル-オキシカルボニルアミノ-n-ヘキシル)イソシアヌレート、トリス(4-アクリロキシ-n-ブチル)イソシアヌレートのような炭素-炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート、ビスフェノールA系のエポキシアクリレート等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ウレタンアクリレートおよびビスフェノールA系のエポキシアクリレートのうちの少なくとも1種が含まれることが好ましい。これにより、エネルギー線の照射により硬化性樹脂をより確実に硬化させることができる。また、粘着テープ100の前記引き剥がし強度の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。
Such curable resins include, for example, low-molecular-weight polymers having at least two or more polymerizable carbon-carbon double bonds as functional groups in the molecule, which can be three-dimensionally crosslinked by irradiation with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams. compounds are used. Specifically, for example, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, tetraethylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, 1,4-butylene glycol di(meth)acrylate ) acrylates, polyethylene glycol di(meth)acrylates, esters of (meth)acrylic acid and polyhydric alcohols such as glycerin di(meth)acrylates, ester acrylate oligomers, 2-propenyl-di-3-butenyl cyanurate Cyanurate compounds having a carbon-carbon double bond-containing group such as tris (2-acryloxyethyl) isocyanurate, tris (2-methacryloxyethyl) isocyanurate, 2-hydroxyethyl bis (2-acrylic oxyethyl) isocyanurate, bis(2-acryloxyethyl) 2-[(5-acryloxyhexyl)-oxy]ethyl isocyanurate, tris(1,3-diacryloxy-2-propyl-oxycarbonylamino-n-hexyl ) isocyanurate, tris(1-acryloxyethyl-3-methacryloxy-2-propyl-oxycarbonylamino-n-hexyl)isocyanurate, tris(4-acryloxy-n-butyl)isocyanurate, and the like. Examples include isocyanurate compounds having a heavy bond-containing group, commercially available oligoester acrylates, aromatic and aliphatic urethane acrylates, bisphenol A epoxy acrylates, etc., and one or Two or more kinds can be used in combination. Among these, at least one of urethane acrylate and bisphenol A-based epoxy acrylate is preferably included. As a result, the curable resin can be cured more reliably by irradiation with energy rays. Moreover, the magnitude of the peeling strength of the
また、硬化性樹脂には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる2つ以上の硬化性樹脂が混合されているのが好ましい。このような硬化性樹脂を利用すれば、エネルギー線照射による樹脂の架橋度を容易に制御することができ、前記工程[5A]における半導体チップ本体部23(半導体チップ20)のピックアップ性を向上させることができる。また、このような硬化性樹脂として、例えば、第1の硬化性樹脂と、第1の硬化性樹脂よりも重量平均分子量が大きい第2の硬化性樹脂との混合物等が用いられてもよい。 The curable resin is not particularly limited, but it is preferable that two or more curable resins having different weight average molecular weights are mixed. By using such a curable resin, it is possible to easily control the degree of cross-linking of the resin by irradiation of the energy beam, thereby improving the pick-up property of the semiconductor chip main body 23 (semiconductor chip 20) in the step [5A]. be able to. As such a curable resin, for example, a mixture of a first curable resin and a second curable resin having a weight average molecular weight larger than that of the first curable resin may be used.
硬化性樹脂を、第1の硬化性樹脂と、第2の硬化性樹脂との混合物とする場合、第1の硬化性樹脂の重量平均分子量は、100~1000程度であることが好ましく、200~500程度であることがより好ましい。また、第2の硬化性樹脂の重量平均分子量は、1000~30000程度であることが好ましく、1000~10000程度であることがより好ましく、2000~5000程度であることがさらに好ましい。さらに、第1の硬化性樹脂の官能基数は、1~5官能基であることが好ましく、第2の硬化性樹脂の官能基数は、6官能基以上であることが好ましい。かかる関係を満足することにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。 When the curable resin is a mixture of the first curable resin and the second curable resin, the weight average molecular weight of the first curable resin is preferably about 100 to 1000, preferably 200 to About 500 is more preferable. The weight average molecular weight of the second curable resin is preferably about 1,000 to 30,000, more preferably about 1,000 to 10,000, even more preferably about 2,000 to 5,000. Furthermore, the number of functional groups in the first curable resin is preferably 1 to 5, and the number of functional groups in the second curable resin is preferably 6 or more. By satisfying this relationship, the above effects can be exhibited more remarkably.
硬化性樹脂は、ベース樹脂100重量部に対して50重量部以上200重量部以下で配合されることが好ましく、100重量部以上180重量部以下で配合されることがより好ましい。これにより、樹脂組成物中に、硬化性樹脂およびベース樹脂を、それぞれ添加することにより発揮される機能を、硬化性樹脂とベース樹脂との双方に確実に発揮させることができる。 The curable resin is preferably blended in an amount of 50 to 200 parts by weight, more preferably 100 to 180 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base resin. As a result, both the curable resin and the base resin can reliably exhibit the functions achieved by adding the curable resin and the base resin to the resin composition.
なお、この硬化性樹脂は、前述したアクリル系樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素-炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略するようにしてもよい。これは、アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素-炭素二重結合の機能によって、粘着層2が硬化し、これにより、粘着層2の粘着力が低下することによる。
In addition, when a double bond-introduced acrylic resin is used as the acrylic resin described above, this curable resin has a carbon-carbon double bond in the side chain, in the main chain, or at the end of the main chain. In the case of using one already possessed, the addition to the resin composition may be omitted. This is because, when the acrylic resin is a double bond-introduced acrylic resin, the
(3)光重合開始剤
また、粘着層2は、エネルギー線の照射により半導体基板7に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、粘着層2を構成する樹脂組成物には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。
(3) Photopolymerization Initiator In addition, the
光重合開始剤としては、例えば、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、1-[4-(2-ヒドロキシエトキシ)-フェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン、2-ヒドロキシ-1-{4-[4-(2-ヒドロキシ-2-メチル-プロピオニル)-ベンジル]フェニル}-2-メチル-プロパン-1-オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、4-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル(2-ヒドロキシ-2-プロピル)ケトン、α-ヒドロキシ-α,α’-ジメチルアセトフェノン、2-メチル-2-ヒドロキシプロピオフェノン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、2-メチル-1-[4-(メチルチオ)-フェニル]-2-モルホリノプロパン-1、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、2-ヒドロキシメチルフェニルプロパン、2-ナフタレンスルホニルクロリド、1-フェノン-1,1-プロパンジオン-2-(o-エトキシカルボニル)オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、4,4’-ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4’-ジエチルアミノベンゾフェノン、4,4’-ジクロロベンゾフェノン、3,3’-ジメチル-4-メトキシベンゾフェノン、o-アクリルオキシベンゾフェノン、p-アクリルオキシベンゾフェノン、o-メタクリルオキシベンゾフェノン、p-メタクリルオキシベンゾフェノン、p-(メタ)アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、1,4-ブタンジオールモノ(メタ)アクリラート、1,2-エタンジオールモノ(メタ)アクリラート、1,8-オクタンジオールモノ(メタ)アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン-4-カルボン酸エステル、チオキサンソン、2-クロロチオキサンソン、2-メチルチオキサンソン、2,4-ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4-ジクロロチオキサンソン、2,4-ジエチルチオキサンソン、2,4-ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β-クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、2-エチルアントラキノン、t-ブチルアントラキノン、2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of photopolymerization initiators include 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 1-[4-(2-hydroxyethoxy)-phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1 -propan-1-one, 2-hydroxy-1-{4-[4-(2-hydroxy-2-methyl-propionyl)-benzyl]phenyl}-2-methyl-propan-1-one, benzyldiphenylsulfide, Tetramethylthiuram monosulfide, 4-(2-hydroxyethoxy)phenyl(2-hydroxy-2-propyl)ketone, α-hydroxy-α,α'-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropiophenone, 1 -hydroxycyclohexylphenyl ketone, Michler's ketone, acetophenone, methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1-[4-(methylthio)-phenyl]-2- Morpholinopropane-1, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin propyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzyl, benzoin, dibenzyl, α-hydroxycyclohexylphenyl ketone, benzyldimethylketal, 2-hydroxymethylphenylpropane, 2 -naphthalenesulfonyl chloride, 1-phenone-1,1-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime, benzophenone, benzoylbenzoic acid, 4,4'-dimethylaminobenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, 4 ,4'-dichlorobenzophenone, 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone, o-acryloxybenzophenone, p-acryloxybenzophenone, o-methacryloxybenzophenone, p-methacryloxybenzophenone, p-(meth)acryloxy Benzophenone-4-carboxylic acid esters of acrylates such as ethoxybenzophenone, 1,4-butanediol mono(meth)acrylate, 1,2-ethanediol mono(meth)acrylate, 1,8-octanediol mono(meth)acrylate , thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone 2,4-diisopropylthioxanthone, azobisisobutyronitrile, β-chloroanthraquinone, camphorquinone, halogenated ketones, acylphosphinoxide, acylphosphonate, polyvinylbenzophenone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, 2-ethylanthraquinone, t-butylanthraquinone, 2,4,5-triarylimidazole dimer, etc., and one or more of these may be used in combination. .
また、これらの中でも、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体であることが好ましい。これらの化合物は分子中に反応性官能基として水酸基を備えるものであり、この反応性官能基を介して、ベース樹脂や硬化性樹脂に連結することができ、光重合開始剤としての機能をより確実に発揮させることができる。 Among these, benzophenone derivatives and alkylphenone derivatives are preferred. These compounds have a hydroxyl group as a reactive functional group in the molecule, and can be linked to a base resin or a curable resin via this reactive functional group, thereby enhancing their function as a photopolymerization initiator. You can make it work for sure.
光重合開始剤は、ベース樹脂100重量部に対して0.1重量部以上50重量部以下で配合されることが好ましく、0.5重量部以上10重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように光重合開始剤の配合量を調整することによって、樹脂組成物中に、光重合開始剤を添加することにより発揮される機能を、光重合開始剤に確実に発揮させることができる。 The photopolymerization initiator is preferably blended in an amount of 0.1 parts by weight or more and 50 parts by weight or less, more preferably 0.5 parts by weight or more and 10 parts by weight or less per 100 parts by weight of the base resin. . By adjusting the blending amount of the photopolymerization initiator as described above, the function exhibited by adding the photopolymerization initiator to the resin composition can be reliably exhibited by the photopolymerization initiator. .
(4)架橋剤
さらに、粘着層2を構成する樹脂組成物には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、粘着層2を適度な硬さを有するものに調整することができる。また、粘着テープ100の前記引き剥がし強度の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。
(4) Cross-linking agent Further, the resin composition forming the
架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。 The cross-linking agent is not particularly limited. Examples include metal chelate-based cross-linking agents, acid anhydride-based cross-linking agents, polyamine-based cross-linking agents, and carboxyl group-containing polymer-based cross-linking agents. Among these, isocyanate-based cross-linking agents are preferred.
イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。 Examples of the isocyanate-based cross-linking agent include, but are not limited to, a polyisocyanate compound of a polyisocyanate, a trimer of the polyisocyanate compound, and a trimer of a terminal isocyanate compound obtained by reacting a polyisocyanate compound with a polyol compound. Alternatively, a blocked polyisocyanate compound obtained by blocking a terminal isocyanate urethane prepolymer with phenol, oximes, or the like can be used.
また、多価イソシアネートとして、例えば、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,4-キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-2,4’-ジイソシアネート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-2,4’-ジイソシアネート、4,4’-ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4’-〔2,2-ビス(4-フェノキシフェニル)プロパン〕ジイソシアネート、2,2,4-トリメチル-ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも2,4-トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネートおよびヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも1種の多価イソシアネートが好ましい。 Examples of polyvalent isocyanates include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, diphenylmethane -2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, 4,4'-diphenyl ether diisocyanate, 4 ,4′-[2,2-bis(4-phenoxyphenyl)propane]diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate and the like, and one or more of these are used in combination. be able to. Among these, at least one polyvalent isocyanate selected from the group consisting of 2,4-tolylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate and hexamethylene diisocyanate is preferred.
架橋剤は、ベース樹脂100重量部に対して0.01重量部以上50重量部以下で配合されることが好ましく、5重量部以上50重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することで、樹脂組成物中に、架橋剤を添加することにより発揮される機能を、架橋剤に確実に発揮させることができる。 The cross-linking agent is preferably blended in an amount of 0.01 to 50 parts by weight, more preferably 5 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base resin. By adjusting the blending amount of the cross-linking agent as described above, the cross-linking agent can reliably exhibit the function exhibited by adding the cross-linking agent to the resin composition.
(5)可塑剤
可塑剤は、粘着力がエネルギーの付与により低下する粘着層2において、その柔軟性を向上させることで、粘着テープ100に対する半導体基板7の粘着力を優れたものとし、その結果、前記引き剥がし強度を、比較的容易に前記範囲内に設定することができるため、粘着層2、すなわち、樹脂組成物中に含まれていてもよい。
(5) Plasticizer The plasticizer improves the flexibility of the
この可塑剤としては、特に限定されないが、例えば、DOP(ジオクチルフタレート)、DBP(ジブチルフタレート)、DIBP(ジイソブチルフタレート)、DHP(ジヘプチルフタレート)のようなフタル酸エステル系可塑剤、DOA(ジ-2-エチルヘキシルアジペート)、DIDA(ジイソデシルアジペート)、DOS(ジ-2-エチルヘキシルセバセート)のような脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤、エチレングリコールのベンゾエート類のような芳香族カルボン酸エステル系可塑剤、およびTOTM(トリオクチルトリメリテート)のようなトリメリット酸エステル系可塑剤、アジピン酸エステル系可塑剤等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the plasticizer include, but are not limited to, phthalate plasticizers such as DOP (dioctyl phthalate), DBP (dibutyl phthalate), DIBP (diisobutyl phthalate), DHP (diheptyl phthalate), DOA (di -2-ethylhexyl adipate), DIDA (diisodecyl adipate), DOS (di-2-ethylhexyl sebacate) and other aliphatic dibasic acid ester plasticizers, aromatic carboxylic acid esters such as ethylene glycol benzoates Plasticizers, trimellitic acid ester plasticizers such as TOTM (trioctyl trimellitate), adipate plasticizers, etc., may be used alone or in combination of two or more thereof. can.
粘着層2すなわち樹脂組成物中における可塑剤の含有率は、特に限定されないが、例えば、ベース樹脂100重量部に対して0.1重量部以上5.0重量部以下で配合されることが好ましく、0.5重量部以上3.0重量部以下で配合されることがより好ましい。これにより、粘着層2の柔軟性を確実に向上させることができるため、前記引き剥がし強度を、容易に前記範囲内に設定することができる。
The content of the plasticizer in the
(6)その他の成分
さらに、粘着層2を構成する樹脂組成物には、上述した各成分(1)~(5)の他に他の成分として、導電性材料、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも1種が含まれていてもよい。
(6) Other components Furthermore, the resin composition constituting the
なお、これらのうち導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、前記基材4に含まれる導電性材料として説明したのと、同様のものを用いることができる。
Among these, the conductive material is not particularly limited as long as it has conductivity, and the same materials as those described as the conductive material contained in the
このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程[3A]、および、前記ピックアップ工程[5A]における、半導体チップ20での静電気の発生が的確に抑制または防止される。
By containing such a conductive material, the conductive material functions as an antistatic agent, and the
基材4および粘着層2のうちの一方に導電性材料を含有させる構成とする場合には、基材4に導電性材料を含有させることが好ましい。これにより、半導体チップ20に導電性材料を確実に付着させることなく、半導体チップ20での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。
When one of the
また、これらのうち粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Among these, the tackifier is not particularly limited, but for example, rosin resin, terpene resin, coumarone resin, phenol resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, aliphatic aromatic copolymer petroleum Resins and the like can be mentioned, and one or more of these can be used in combination.
以上のような、粘着層2に含まれる、成分(1)、(2)を必須成分とする各成分(1)~(6)の種類、および含有量を適宜選択することにより、前記引き剥がし強度を、50cN/20mm以上450cN/20mm以下の大きさに設定することができるが、前記引き剥がし強度は、100cN/20mm以上400cN/20mm以下であることが好ましく、270cN/20mm以上350cN/20mm以下であることがより好ましい。これにより、粘着テープ100と半導体チップ20(半導体基板7)との間において剥離を生じさせることなく、より優れた貼付性をもって粘着テープ100に対して半導体基板7を貼付した状態で、個片化された半導体チップ20を得ることができる。
As described above, by appropriately selecting the types and contents of the components (1) to (6) containing the components (1) and (2) as essential components contained in the
また、23℃の環境下で、粘着テープ100を30°の方向にて300mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度は、400cN/20mm以上1200cN/20mm以下であることが好ましく、500cN/20mm以上1000cN/20mm以下であることがより好ましい。粘着層2を引き剥がそうとする力が作用する速さ、および、ダイシングソー250により切断する際に生じる摩擦熱が異なる際の引き剥がし強度を、前記範囲内に設定すること、すなわち、粘着層2を引き剥がそうとする力が作用する速さ、および、ダイシングソー250により切断する際に生じる摩擦熱に幅を持たせて、引き剥がし強度の範囲を規定することで、粘着テープ100と半導体チップ20(半導体基板7)との間において剥離を生じさせることなく、より優れた貼付性をもって粘着テープ100に対して半導体基板7を貼付した状態で、個片化された半導体チップ20を得ることができる。
In addition, the peel strength measured when the
さらに、粘着層2は、エネルギーの付与前において、レオメーターを用いて、温度80℃、歪量1mrad、周波数1Hzで測定した複素粘度η*(付与前、80℃)が0.5×105mPa・s以上6.0×106mPa・s以下であることが好ましく、7.0×104mPa・s以上4.0×106mPa・s以下であることがより好ましい。これにより、80℃の環境下で、粘着テープ100を30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度を、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。さらに、前記工程[3A]において、半導体チップ20の側面に対して粘着層2の一部が付着する糊残りの発生を、的確に抑制または防止することができる。
Furthermore, the
また、粘着層2の厚さは、特に限定されないが、例えば、5μm以上50μm以下であるのが好ましく、5μm以上10μm以下であるのがより好ましい。粘着層2の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層2を、前記個片化工程[3A]において、半導体基板7に対する良好な粘着力を発揮し、かつ、前記ピックアップ工程[5A]において、粘着層2と半導体基板7との間において、良好な剥離性を発揮する程度の粘着性を備えるものとし得る。
Although the thickness of the
なお、粘着層2は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体(多層体)で構成されるものであってもよい。
The
さらに、基材4に粘着層2が積層された構成をなしている粘着テープ100において、この粘着テープ100を平面視で見たとき、基材4と粘着層2との界面に形成されている気泡は、面積が100μm2以上のものの数が、15.0個/mm2以下であることが好ましく、0.01個/mm2以上7.0個/mm2以下であることがより好ましく、0.1個/mm2以上2.0個/mm2以下であることがさらに好ましい。基材4と粘着層2との界面に形成されている気泡の数をコントロールして、面積が100μm2以上のものの数を上記のように設定することで、前記工程[5A]において、半導体チップ20をピックアップして、半導体チップ20から粘着テープ100を剥離させる際に、半導体チップ20に糊残りが生じるのをより的確に抑制または防止することができる。
Furthermore, in the
次に、かかる構成の粘着テープ100は、例えば、以下のようにして製造することができる。
Next, the pressure-sensitive
<粘着テープの製造方法>
図6は、図5に示す粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図6中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<Method for manufacturing adhesive tape>
FIG. 6 is a longitudinal sectional view for explaining a method of manufacturing the adhesive tape shown in FIG. 5. FIG. In the following description, the upper side in FIG. 6 is called "upper", and the lower side is called "lower".
[1B]まず、基材4を用意する(図6(a)参照。)。
基材4の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、カレンダー法、インフレーション押出し法、Tダイ押出し法のような押出成形法、湿式キャスティング法等の一般的な成形方法が挙げられる。なお、基材4が積層体で構成される場合、かかる構成のその基材4の製造方法としては、例えば、共押出し法、ドライラミネート法等の成形方法が用いられる。
[1B] First, the
The method for manufacturing the
また、基材4は、無延伸で用いることができ、さらに、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いるようにしてもよい。
Moreover, the
[2B]次に、基材4の上面に粘着層2を形成する(図6(b)参照。)。
基材4の表面(上面)には、基材4と粘着層2との密着性を向上させることを目的に、コロナ処理、クロム酸処理、マット処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理、プライマー処理、アンカーコート処理のような表面処理が施されていてもよい。
[2B] Next, the
The surface (upper surface) of the
また、粘着層2は、基材4上に、粘着層2の構成材料である樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させることにより得ることができる。
In addition, the
なお、溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the solvent include, but are not particularly limited to, methyl ethyl ketone, acetone, toluene, ethyl acetate, dimethylformaldehyde, etc. One or more of these may be used in combination.
また、基材4上への液状材料の塗布または散布は、例えば、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコートおよびリップコート等の方法を用いて行うことができる。
Also, the application or spraying of the liquid material onto the
[3B]次に、基材4上に形成された粘着層2に対して、中心側と外周側とが分離されるように、粘着層2の厚さ方向に基材4を残存させて円環状に粘着層2の一部を除去することにより、粘着層2を中心部122と外周部121とを備えるものとする(図6(c)参照。)。
[3B] Next, with respect to the
粘着層2の一部を円環状に除去する方法としては、例えば、除去すべき領域を取り囲むように打ち抜いた後、この打ち抜かれた領域に位置する粘着層2を除去する方法が挙げられる。
As a method for removing a part of the
また、除去すべき領域に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に粘着テープ100を製造することができるロール状金型を用いる方法が好ましい。
Also, the punching of the region to be removed can be performed by using, for example, a method using a roll-shaped mold or a method using a press mold. Among them, a method using a roll-shaped mold capable of continuously manufacturing the
なお、本工程では、粘着層2の一部をリング状(円形状)に打ち抜いて中心部122と外周部121とを形成したが、粘着層2の一部を打ち抜く形状は、前述した半導体装置の製造方法において、粘着層2の外周部121をウエハリングで固定できる形状となっていれば如何なる形状のものであってもよい。具体的には、打ち抜く形状としては、例えば、上述した円形状の他、楕円状、俵型状のような長円状や、四角形状、五角形状のような多角形状等が挙げられる。
In this step, part of the
[4B]次に、基材4上に形成された粘着層2に対して、セパレーター1を積層することにより、粘着層2がセパレーター1で被覆された粘着テープ100を得る(図6(d)参照。)。
[4B] Next, by laminating the separator 1 on the
粘着層2にセパレーター1を積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができる。これらの中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。
The method for laminating the separator 1 on the
なお、セパレーター1としては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。 The separator 1 is not particularly limited, but examples thereof include a polypropylene film, a polyethylene film, a polyethylene terephthalate film, and the like.
また、セパレーター1は、粘着テープ100の使用時に剥がされるために、表面を離型処理されたものを使用してもよい。離型処理としては離型剤をセパレーター1の表面にコーティングする処理や、セパレーター1の表面に細かい凹凸をつける処理等が挙げられる。なお、離型剤としては、シリコーン系、アルキッド系、フッ素系等のものが挙げられる。
Moreover, since the separator 1 is peeled off when the
以上のような工程を経て、セパレーター1で被覆された粘着テープ100を形成することができる。
The pressure-sensitive
なお、本実施形態で製造されたセパレーター1で被覆された粘着テープ100は、前述した粘着テープ100を用いた半導体装置の製造方法において、粘着テープ100をセパレーター1から剥離した後に使用される。
The
また、セパレーター1が被覆する粘着層2から、このセパレーター1を剥がす際には、粘着層2の面に対してセパレーター1を90°以上180°以下の角度で剥離を行うことが好ましい。セパレーター1を剥離する角度を前記範囲とすることで、粘着層2とセパレーター1との界面以外での剥離を確実に防止することができる。
When peeling off the separator 1 from the
以上、本発明の粘着テープについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。 Although the adhesive tape of the present invention has been described above, the present invention is not limited thereto.
例えば、本発明の粘着テープが備える各層には、同様の機能を発揮し得る、任意の成分が添加されていてもよく、あるいは、基材は、前記実施形態で説明したように、1層で構成されるものの他、複数の層で構成されるものであってもよく、例えば、前述した基材の粘着層とは反対側の面に、帯電防止層を備えるものであってもよい。 For example, each layer of the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention may be added with an optional component that can exhibit the same function, or the base material is a single layer as described in the above embodiment. In addition to the structure, it may be composed of a plurality of layers, and for example, an antistatic layer may be provided on the surface of the base material opposite to the adhesive layer.
また、粘着テープが備える各層の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。 In addition, the structure of each layer of the adhesive tape can be replaced with any one capable of exhibiting the same function, or any structure can be added.
さらに、粘着テープを用いて形成する半導体装置の構成によっては、半導体装置10が備えるモールド部17の形成を省略することもできる。
Furthermore, depending on the configuration of the semiconductor device formed using the adhesive tape, the formation of the
また、粘着テープが貼付された半導体基板を厚さ方向に切断(ダイシング)することで、切断片すなわち部品として半導体チップを得る場合に限らず、粘着テープ上に基板を仮固定した状態で、基板を厚さ方向に切断することで部品を得た後に、部品を粘着テープから剥離させる必要が生じる各種の基板加工用途にも、本発明の粘着テープを適用することができる。本発明の粘着テープにより貼付される基板としては、上述した半導体基板(半導体用ウエハ)の他に、例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどのガラス基板、アルミナ、窒化ケイ素、酸化チタンなどのセラミック基板、アクリル、ポリカーボネート、ゴムなどの樹脂材料基板、金属材料基板等が挙げられる。 In addition, by cutting (dicing) the semiconductor substrate to which the adhesive tape is attached in the thickness direction, it is not limited to the case where the semiconductor chip is obtained as a cut piece, that is, a part, and the substrate is temporarily fixed on the adhesive tape. The adhesive tape of the present invention can also be applied to various substrate processing applications in which it is necessary to separate the parts from the adhesive tape after obtaining the parts by cutting in the thickness direction. Substrates to which the adhesive tape of the present invention is attached include, in addition to the semiconductor substrates (semiconductor wafers) described above, glass substrates such as soda lime glass, borosilicate glass, quartz glass, alumina, silicon nitride, and titanium oxide. and the like, resin material substrates such as acryl, polycarbonate, and rubber, metal material substrates, and the like.
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
Next, specific examples of the present invention will be described.
It should be noted that the present invention is not limited to the description of these examples.
1.原材料の準備
まず、各実施例および各比較例の粘着テープの製造に用いた原材料を以下に示す。
1. Preparation of Raw Materials First, the raw materials used for manufacturing the adhesive tapes of each example and each comparative example are shown below.
(オレフィン系樹脂1)
オレフィン系樹脂1として、低密度ポリエチレン(LDPE:住友化学社製、「スミカセンF200-0」、比重:0.92g/cm3)を用意した。
(Olefin resin 1)
As the olefinic resin 1, low-density polyethylene (LDPE: “Sumikasen F200-0” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., specific gravity: 0.92 g/cm 3 ) was prepared.
(帯電防止剤1)
帯電防止剤1として、ポリエーテル系帯電防止剤(三洋化成工業社製、「ペレクトロンPVL」)を用意した。
(Antistatic agent 1)
As the antistatic agent 1, a polyether-based antistatic agent (manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd., "Pelectron PVL") was prepared.
(ベース樹脂1~4)
ベース樹脂1~4として、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸2-エチルヘキシル、アクリル酸、アクリル酸2-ヒドロキシエチル、N,N-ジメチルアクリルアミド、酢酸ビニルのうちの少なくとも2種を混合し、常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させて生成されたアクリル共重合体を用意した。
(Base resin 1-4)
As base resins 1 to 4, at least two of butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, acrylic acid, 2-hydroxyethyl acrylate, N,N-dimethylacrylamide, and vinyl acetate are mixed, An acrylic copolymer was prepared by solution polymerization in a toluene solvent by a conventional method.
なお、ベース樹脂(アクリル共重合体)1~4におけるガラス転移点および重量平均分子量は、以下に示す通りであった。 The glass transition points and weight average molecular weights of base resins (acrylic copolymers) 1 to 4 were as shown below.
ベース樹脂1(ガラス転移点:-14℃、重量平均分子量:50万)
ベース樹脂2(ガラス転移点:-37℃、重量平均分子量:60万)
ベース樹脂3(ガラス転移点:-45℃、重量平均分子量:50万)
ベース樹脂4(ガラス転移点:-10℃、重量平均分子量:65万)
Base resin 1 (glass transition point: -14°C, weight average molecular weight: 500,000)
Base resin 2 (glass transition point: -37°C, weight average molecular weight: 600,000)
Base resin 3 (glass transition point: -45°C, weight average molecular weight: 500,000)
Base resin 4 (glass transition point: -10°C, weight average molecular weight: 650,000)
(硬化性樹脂1)
硬化性樹脂1として、ウレタンアクリレート1(日本化薬社製、品番:UX-5000)を用意した。
(Curable resin 1)
Urethane acrylate 1 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., product number: UX-5000) was prepared as curable resin 1.
(硬化性樹脂2)
硬化性樹脂2として、ウレタンアクリレート2(Miwon Specialty Chemical社製、品番:SC2152)を用意した。
(Curable resin 2)
Urethane acrylate 2 (manufactured by Miwon Specialty Chemical, product number: SC2152) was prepared as the
(硬化性樹脂3)
硬化性樹脂3として、ビスA型エポキシアクリレート1(日本化薬社製、品番:R-130)を用意した。
(Curable resin 3)
As curable resin 3, bis A type epoxy acrylate 1 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., product number: R-130) was prepared.
(架橋剤1)
架橋剤1として、ポリイソシアネート(東ソー社製、品番:コロネートL)を用意した。
(Crosslinking agent 1)
As the cross-linking agent 1, polyisocyanate (manufactured by Tosoh Corporation, product number: Coronate L) was prepared.
(光重合開始剤1)
光重合開始剤1として、ベンジルジメチルケタール(東京化成工業社製)を用意した。
(Photoinitiator 1)
As a photoinitiator 1, benzyl dimethyl ketal (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was prepared.
(可塑剤1)
可塑剤1として、ポリエステル系可塑剤(DIC社製、品番:W-230H)を用意した。
(Plasticizer 1)
As the plasticizer 1, a polyester plasticizer (manufactured by DIC, product number: W-230H) was prepared.
2.粘着テープの作製
[実施例1]
オレフィン系樹脂1を押出し機で押し出して、厚さ100μmの基材4を作製した。
2. Preparation of adhesive tape [Example 1]
An olefinic resin 1 was extruded by an extruder to prepare a
次に、ベース樹脂1(100重量部)、硬化性樹脂1(92重量部)、架橋剤1(10重量部)、光重合開始剤1(4重量部)および可塑剤1(2重量部)が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層2の厚さが20μmになるようにして基材4にバーコート塗工した後、80℃で1分間乾燥させて、基材4の上面(一方の面)に、厚さ10μmの粘着層2を形成することで、実施例1の粘着テープ100を得た。
Next, base resin 1 (100 parts by weight), curable resin 1 (92 parts by weight), cross-linking agent 1 (10 parts by weight), photoinitiator 1 (4 parts by weight) and plasticizer 1 (2 parts by weight) A liquid material containing a resin composition containing was prepared. This liquid material is bar-coated on the
なお、粘着テープ100が備える粘着層2について、エネルギーの付与前において、レオメーター(アントンパール社製、「MCR102」)を用いて、温度80℃、歪量1mrad、周波数1Hzで複素粘度η*(付与前、80℃)を測定したところ、7.2E+05mPa・sであった。
Regarding the
[実施例2~5、比較例1~2]
基材4の形成に用いた樹脂組成物中に含まれる各構成材料、および、粘着層2の形成に用いた樹脂組成物中に含まれる各構成材料として、表1に示すものを用い、さらに、各構成材料の含有量を表1に示すように変更して、表1に示す厚さの基材4および粘着層2を形成したこと以外は、前記実施例1と同様にして、実施例2~5、比較例1~2の粘着テープを作製した。
[Examples 2-5, Comparative Examples 1-2]
As each constituent material contained in the resin composition used for forming the
3.評価
得られた各実施例および各比較例の粘着テープを、以下の方法で評価した。
3. Evaluation The obtained adhesive tapes of Examples and Comparative Examples were evaluated by the following methods.
3-1.基材の抵抗率の評価
各実施例および各比較例の粘着テープについて、その基材4における粘着層2と反対側の表面抵抗率を、それぞれ、JIS K 6911に従って、抵抗値測定装置(アドバンテスト社製、「R8340」)を用いて測定した。
3-1. Evaluation of resistivity of base material For the adhesive tapes of each example and each comparative example, the surface resistivity of the side opposite to the
3-2.シリコンウエハからの30°引き剥がし強度の測定
各実施例および各比較例の幅を20mmとした粘着テープを、それぞれ、表面を#2000研磨したシリコンウエハの前記表面に貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、エネルギーの付与前において、JIS G 3469に準拠して、80℃の環境下で、粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度(ピール強度)を、剥離解析装置(協和界面科学社製、「VPA-H100」)を用いて測定した。
また、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、23℃の環境下で、粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて300mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をも、前記剥離解析装置を用いて測定した。
3-2. Measurement of 30° Peeling Strength from Silicon Wafer Each adhesive tape with a width of 20 mm of each example and each comparative example was attached to the surface of a silicon wafer whose surface was polished with #2000. After holding the conditions for 1 hour, before applying energy, in accordance with JIS G 3469, in an environment of 80 ° C., hold one end of the adhesive tape and pull it at a speed of 1000 mm / min in the direction of 30 °. The peel strength (peel strength) measured when peeled was measured using a peel analyzer ("VPA-H100" manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.).
In addition, for the adhesive tapes of each example and each comparative example, each is measured when one end of the adhesive tape is held in an environment of 23 ° C. and peeled off at a speed of 300 mm / min in a direction of 30 °. Peel strength was also measured using the peel analyzer.
3-3.シリコンチップのチップ飛びの評価
シリコンで構成されるシリコンウエハ(SUMCO社製)を用意し、常法により削りして厚さ230μmのシリコンウエハを得た後、厚さ200μmに#2000番ホイールにて研削した後の研削面に、各実施例および各比較例の粘着テープ100を、粘着層2をシリコンウエハ側にして固定した。その後、シリコンウエハを厚さ方向に基材4の途中に到達するまで切断して個片化することで縦0.4mm×横0.4mmの大きさの複数のシリコンチップを得た。
3-3. Evaluation of Chip Flying of Silicon Chips A silicon wafer (manufactured by SUMCO) made of silicon was prepared and ground by a conventional method to obtain a silicon wafer with a thickness of 230 μm. The
以上のようにして得られたシリコンチップについて、各実施例および各比較例の粘着テープにおいて、それぞれ、50個ずつシリコンチップのチップ飛び(飛散)の有無を目視にて確認し、以下の基準にしたがって評価した。 Regarding the silicon chips obtained as described above, the presence or absence of chip flying (scattering) of 50 silicon chips in each adhesive tape of each example and each comparative example was visually confirmed, and the following criteria were used. therefore evaluated.
(チップ飛びの有無の評価)
◎:50個のシリコンチップについて、
ダイシング時におけるチップ飛びが認められなかった
〇:45個以上50個未満のシリコンチップについて、
ダイシング時におけるチップ飛びが認められなかった
△:40個以上45個未満のシリコンチップについて、
ダイシング時におけるチップ飛びが認められなかった
×:40個未満のシリコンチップについて、
ダイシング時におけるチップ飛びが認められなかった
(Evaluation of presence/absence of chip flying)
◎: For 50 silicon chips,
Chip flying during dicing was not observed ○: About 45 or more and less than 50 silicon chips
Chip flying during dicing was not observed △: For 40 or more and less than 45 silicon chips,
Chip flying during dicing was not observed ×: For less than 40 silicon chips,
Chip flying during dicing was not observed.
3-4.シリコンチップの汚染性および糊付着性の評価
シリコンで構成されるシリコンウエハ(SUMCO社製)を用意し、常法により削りして厚さ430μmのシリコンウエハを得た後、厚さ400μmに#2000番ホイールにて研削した後の研削面に、各実施例および各比較例の粘着テープ100を、粘着層2をシリコンウエハ側にして固定した。その後、シリコンウエハを厚さ方向に基材4の途中に到達するまで切断して個片化することで縦6mm×横6mmの大きさの複数のシリコンチップを得た。その後、粘着層2に紫外線照度:55W/cm2、紫外線照射量:200mj/cm2の条件で紫外線を照射することでエネルギーを付与して粘着層2を硬化させた。
3-4. Evaluation of Contamination and Glue Adherence of Silicon Chip A silicon wafer (manufactured by SUMCO) made of silicon was prepared and ground by a conventional method to obtain a silicon wafer with a thickness of 430 μm. The
次いで、シリコンチップを、先端直径が100μmの4つのニードルを用いて、ニードルの突き上げ量を1000[μm]として、突き上げた。 Next, the silicon chip was pushed up using four needles with tip diameters of 100 μm, with a needle pushing up amount of 1000 [μm].
次いで、ニードルによるシリコンチップの突き上げを維持した状態で、真空コレットによる吸着により、シリコンチップをピックアップした。 Next, the silicon chip was picked up by suction with a vacuum collet while the needle pushed up the silicon chip.
以上のような、吸着によるシリコンチップのピックアップを、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、50個ずつ繰り返して実施した。 The pick-up of silicon chips by suction as described above was repeated 50 times for each adhesive tape of each example and each comparative example.
そして、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ得られたシリコンチップについて、光学顕微鏡(倍率x500)を用いてチップ裏面およびチップ側面を観察し、シリコンチップ裏面の汚染性およびシリコンチップ側面への糊付着性を、以下の基準にしたがって評価した。 Then, for the adhesive tapes of each example and each comparative example, the silicon chips obtained respectively were observed on the back surface and the side surface of the chip using an optical microscope (magnification x500), and the contamination of the back surface of the silicon chip and the side surface of the silicon chip were observed. Adhesion of glue to was evaluated according to the following criteria.
(裏面の汚染性評価)
◎:50個のシリコンチップについて、
チップ裏面に切削水の付着に基づく汚染が発生していなかった
〇:45個以上50個未満のシリコンチップについて、
チップ裏面に切削水の付着に基づく汚染が発生していなかった
△:40個以上45個未満のシリコンチップについて、
チップ裏面に切削水の付着に基づく汚染が発生していなかった
×:40個未満のシリコンチップについて、
チップ裏面に切削水の付着に基づく汚染が発生していなかった
(Staining property evaluation on the back surface)
◎: For 50 silicon chips,
There was no contamination due to adhesion of cutting water on the back surface of the chip.
There was no contamination due to adhesion of cutting water to the back surface of the chip.
There was no contamination due to adhesion of cutting water on the back surface of the chip. ×: For less than 40 silicon chips,
There was no contamination due to adhesion of cutting water to the back surface of the chip.
(側面の糊付着性評価)
◎:50個のシリコンチップについて、
チップ側面に糊付着が発生していなかった
〇:45個以上50個未満のシリコンチップについて、
チップ側面に糊付着が発生していなかった
△:40個以上45個未満のシリコンチップについて、
チップ側面に糊付着が発生していなかった
×:40個未満のシリコンチップについて、
チップ側面に糊付着が発生していなかった
以上のようにして実施した、各種評価の評価結果を表1に示す。
(Evaluation of adhesive adhesion on side surface)
◎: For 50 silicon chips,
No glue adhered to the side of the chip ○: About 45 to less than 50 silicon chips
No glue adhered to the side surface of the chip.
No glue adhered to the side of the chip ×: For less than 40 silicon chips,
Adhesion of glue did not occur on the side surface of the chip Table 1 shows the evaluation results of various evaluations performed as described above.
表1に示したように、各実施例の粘着テープでは、80℃の環境下で、前記粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度が50cN/20mm以上450cN/20mm以下であること満足しており、粘着テープからシリコンウエハを剥離させることなく、優れた貼付性をもって粘着テープに対してシリコンウエハを貼付した状態で、個片化されたシリコンチップが得られる結果を示した。 As shown in Table 1, the pressure-sensitive adhesive tape of each example was measured by holding one end of the pressure-sensitive adhesive tape in an environment of 80° C. and peeling it off at a speed of 1000 mm/min in a direction of 30°. It is satisfied that the peel strength is 50 cN / 20 mm or more and 450 cN / 20 mm or less, and the silicon wafer is stuck to the adhesive tape with excellent sticking property without peeling the silicon wafer from the adhesive tape. The result of obtaining singulated silicon chips is shown.
これに対して、各比較例の粘着テープでは、80℃の環境下で、前記粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度が50cN/20mm以上450cN/20mm以下であること満足しておらず、これに起因して、シリコンチップのチップ飛びおよびシリコンチップの裏面の汚染が認められる結果を示した。すなわち、優れた貼付性をもって粘着テープに対してシリコンウエハを貼付した状態で、個片化されたシリコンチップを得ることができない結果を示した。 On the other hand, in the adhesive tape of each comparative example, the peeling measured when one end of the adhesive tape was held in an environment of 80 ° C. and peeled off at a speed of 1000 mm / min in a direction of 30 ° A strength of 50 cN/20 mm or more and 450 cN/20 mm or less was unsatisfactory, and due to this, chip flying of the silicon chip and contamination of the back surface of the silicon chip were observed. That is, the result showed that it was not possible to obtain individualized silicon chips in a state in which the silicon wafer was adhered to the adhesive tape with excellent sticking properties.
1 セパレーター
2 粘着層
4 基材
7 半導体基板
9 ウエハリング
10 半導体装置
17 モールド部
20 半導体チップ
21 端子
23 半導体チップ本体部
30 インターポーザー
41 端子
70 バンプ
80 封止層
81 接続部
85 半田バンプ
100 粘着テープ
121 外周部
122 中心部
200 ダイサーテーブル
300 テーブル
310 中心部
320 外周部
250 ダイシングソー
400 ステージ
REFERENCE SIGNS LIST 1
Claims (10)
前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、前記エネルギーの付与により、前記粘着層上に積層された前記基板および部品に対する粘着力が低下するものであり、また、
当該粘着テープは、表面を#2000研磨した、シリコンウエハの前記表面に、幅20mmの当該粘着テープを貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与前において、80℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度が50cN/20mm以上450cN/20mm以下であることを特徴とする粘着テープ。 An adhesive tape comprising a laminate comprising a substrate containing a resin material and an adhesive layer laminated on one surface of the substrate, and used to temporarily fix a substrate and a component,
The adhesive layer contains a base resin having adhesiveness and a curable resin that is cured by application of energy, and the application of energy reduces the adhesive force to the substrate and components laminated on the adhesive layer. and
The adhesive tape has a width of 20 mm and is attached to the surface of a silicon wafer whose surface has been polished by #2000. The peel strength measured when holding one end of the adhesive tape in an environment of 80 ° C. and peeling it off at a speed of 1000 mm / min in the direction of 30 ° is 50 cN / 20 mm or more and 450 cN / 20 mm or less. An adhesive tape characterized by:
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