JP2022145300A - Adhesive tape - Google Patents

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博之 大塚
Hiroyuki Otsuka
佳典 長尾
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Abstract

To provide an adhesive tape allowing a stable separation of the adhesive tape from a component to pick up the component, even if an angle of the adhesive tape to the component varies when separating the adhesive tape from the component after obtaining the individual component by cutting a substrate in a thickness direction in the state where the substrate is adhered onto the adhesive tape.SOLUTION: An adhesive tape 100 includes a base material 4 and an adhesive layer 2. The adhesive layer 2 decreases an adhesive force by an application of energy. If a peel strength is B when measured when the adhesive tape is adhered on a surface of a silicon wafer and thereafter peeled off in a direction of 30° at a speed of 1000 mm/min, holding one end of the adhesive tape after the application of energy, and a peel strength is D when measured when peeled off in a direction of 180° at a speed of 1000 mm/min, a relation of 0≤|B-D|<110 is satisfied.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、基板および部品を仮固定して用いられる粘着テープに関するものである。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to an adhesive tape used for temporarily fixing substrates and components.

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ICパッケージの大容量高密度化が進んでいる。 In recent years, the demand for high-density and high-integration semiconductor devices has increased in response to the increasing sophistication of electronic equipment and the expansion of mobile applications, and the increase in capacity and density of IC packages is progressing.

これらの半導体装置の製造方法としては、例えば、まず、基板としての半導体基板(半導体ウエハ)に粘着テープを貼付し、半導体基板の周囲をウエハリングで固定しながら、ダイシングソーを用いたダイシング工程で、半導体基板を厚さ方向に切断することで、半導体基板を個々の半導体素子(半導体チップ)に切断分離(個片化)する。次いで、ウエハリングを用いて粘着テープを放射状に伸ばすことで、隣接する半導体素子同士の間に間隙を形成するエキスパンディング工程の後、個片化した半導体素子を、ニードルを用いて突き上げた状態で、ピックアップするピックアップ工程を行う。次いで、このピックアップした半導体素子を金属リードフレームあるいは基板(例えばテープ基板、有機硬質基板等)に搭載するための搭載工程へ移送する。ピックアップされた半導体素子は、搭載工程で、例えば、アンダーフィル材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、その後、リードフレームあるいは基板上で半導体素子を封止部により封止することで半導体装置が製造される。 As a method for manufacturing these semiconductor devices, for example, first, an adhesive tape is attached to a semiconductor substrate (semiconductor wafer) as a substrate, and while the periphery of the semiconductor substrate is fixed with a wafer ring, a dicing process using a dicing saw is performed. By cutting the semiconductor substrate in the thickness direction, the semiconductor substrate is cut and separated (individualized) into individual semiconductor elements (semiconductor chips). Next, after an expanding step of forming a gap between adjacent semiconductor elements by radially extending the adhesive tape using a wafer ring, the individualized semiconductor elements are pushed up using needles. , to perform a pick-up process to pick up. Next, the picked up semiconductor element is transferred to a mounting step for mounting it on a metal lead frame or substrate (eg, tape substrate, organic hard substrate, etc.). The picked-up semiconductor element is adhered to a lead frame or substrate via, for example, an underfill material in a mounting process, and then the semiconductor element is sealed on the lead frame or substrate with a sealing portion to form a semiconductor device. manufactured.

このような半導体装置の製造に用いられる粘着テープ(ダイシングテープ)について、近年、種々の検討がなされている(例えば、特許文献1参照。)。 In recent years, various studies have been made on adhesive tapes (dicing tapes) used for manufacturing such semiconductor devices (see, for example, Patent Document 1).

この粘着テープは、一般に、基材(フィルム基材)と、この基材上に形成された粘着層とを有するものであり、粘着層により半導体基板が固定される。また、半導体基板のダイシング工程後に半導体素子のピックアップが実現できるように、粘着層は、通常、粘着性を有するベース樹脂および光硬化性樹脂等を含有する樹脂組成物で構成されている。つまり、ダイシング工程後、粘着層にエネルギーが付与されると、樹脂組成物が硬化して粘着層の粘着性が低下し、そのため、ピックアップ工程において、半導体素子を、ニードルを用いて突き上げた際に、半導体素子から粘着テープを剥離させることができ、その結果、半導体素子のピックアップが実現できるようになっている。 This adhesive tape generally has a substrate (film substrate) and an adhesive layer formed on this substrate, and the semiconductor substrate is fixed by the adhesive layer. In addition, the adhesive layer is usually composed of a resin composition containing a base resin having adhesiveness, a photocurable resin, and the like so that the semiconductor element can be picked up after the dicing process of the semiconductor substrate. That is, when energy is applied to the adhesive layer after the dicing step, the resin composition is cured and the adhesiveness of the adhesive layer is reduced. , the adhesive tape can be peeled off from the semiconductor element, and as a result, the semiconductor element can be picked up.

ここで、半導体素子が、その平面視形状が矩形状をなす場合、一般的に、ニードルを用いた半導体素子の突き上げは、4つのニードルを用いて、半導体素子の4隅に、それぞれ、各ニードルが対応するように配置させた状態で、半導体素子の4隅をほぼ同時に突き上げることにより実施される。 Here, when the semiconductor element has a rectangular shape in a plan view, generally, the semiconductor element is pushed up using four needles, and each needle is attached to each of the four corners of the semiconductor element using four needles. are arranged so as to correspond to each other, and the four corners of the semiconductor element are pushed up substantially at the same time.

そして、ICパッケージの大容量高密度化に伴い、半導体素子の薄厚化が進んでいるため、この半導体素子の4隅をほぼ同時に4つのニードルで突き上げると、半導体素子は、その4隅を頂部とし、中央部を底部とした湾曲形状をなすものとなる。その後、この湾曲形状を半導体素子が維持した状態で、半導体素子の4隅近傍を起点として、半導体素子から粘着テープが剥離した後、この4隅から中央部に向かって粘着テープの剥離が進行し、中央部における粘着テープの剥離が完了することで、半導体素子からの粘着テープの剥離が終了する。このとき、半導体素子の湾曲形状は、粘着テープの剥離の進行にしたがって、継続的に緩和され、半導体素子は、最終的には平板形状をなすものとなる。 Since the thickness of the semiconductor element is becoming thinner as the capacity and density of the IC package increases, if the four corners of the semiconductor element are pushed up by four needles almost at the same time, the semiconductor element will be formed with the four corners as the top. , and has a curved shape with the center portion as the bottom portion. Thereafter, while the semiconductor element maintains this curved shape, the adhesive tape is peeled off from the semiconductor element starting from the vicinity of the four corners of the semiconductor element, and then the peeling of the adhesive tape progresses from the four corners toward the central portion. , and the central portion of the adhesive tape is completely peeled off, the peeling of the adhesive tape from the semiconductor element is completed. At this time, the curved shape of the semiconductor element is continuously relaxed as the peeling of the adhesive tape progresses, and the semiconductor element finally forms a flat plate shape.

このように、半導体素子からの粘着テープの剥離の際に、半導体素子は、湾曲形状から平板形状まで変形する。そのため、このときの半導体素子に対する粘着テープの角度は、不可避的に変化することとなるが、このように、半導体素子からの粘着テープの剥離の際、すなわち、半導体素子のピックアップ時において、半導体素子に対する粘着テープの角度に変化が生じたとしても、半導体素子から粘着テープを安定的に剥離させて、半導体素子をピックアップし得ることが求められる。 Thus, when the adhesive tape is peeled off from the semiconductor element, the semiconductor element is deformed from a curved shape to a flat plate shape. Therefore, the angle of the adhesive tape with respect to the semiconductor element at this time inevitably changes. Even if the angle of the adhesive tape with respect to the semiconductor element changes, it is required to be able to stably separate the adhesive tape from the semiconductor element and pick up the semiconductor element.

また、このような問題は、基板としての半導体基板(半導体用ウエハ)を厚さ方向に切断することで、部品としての半導体素子を得る場合に限らず、ガラス基板、セラミック基板、樹脂材料基板および金属材料基板のような各種基板を厚さ方向に切断(個片化)して、個片化された部品を得る場合等においても同様に生じている。 Moreover, such a problem is not limited to obtaining semiconductor elements as parts by cutting a semiconductor substrate (semiconductor wafer) as a substrate in the thickness direction. The same problem occurs when various substrates such as metal substrates are cut (singulated) in the thickness direction to obtain individualized parts.

特開2009-245989号公報JP 2009-245989 A

本発明の目的は、粘着テープに対して基板を貼付した状態で、基板を厚さ方向に切断することで個片化された部品を得た後、個片化された部品をピックアップする際に、この部品から粘着テープが剥離されるときの部品に対する粘着テープの角度に変化が生じたとしても、部品から粘着テープを安定的に剥離させて、部品をピックアップすることができる粘着テープを提供することにある。 An object of the present invention is to obtain individualized parts by cutting the substrate in the thickness direction in a state where the substrate is attached to the adhesive tape, and then pick up the individualized parts. To provide an adhesive tape capable of stably peeling the adhesive tape from a part and picking up the part even if the angle of the adhesive tape with respect to the part changes when the adhesive tape is peeled from the part. That's what it is.

このような目的は、下記(1)~(11)に記載の本発明により達成される。
(1) 樹脂材料を含有する基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層と、を備える積層体により構成され、基板および部品のうちの少なくとも一方を仮固定して用いられる粘着テープであって、
前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、前記エネルギーの付与により、前記粘着層上に積層された前記基板および部品に対する粘着力が低下するものであり、また、
当該粘着テープは、表面を#2000研磨した、直径6インチ、厚さ500μmのシリコンウエハの前記表面に、幅20mmの当該粘着テープを貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与後において、23℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をB[cN/20mm]とし、180°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度をD[cN/20mm]としたとき、0≦|B-D|<110なる関係を満足することを特徴とする粘着テープ。
Such objects are achieved by the present invention described in (1) to (11) below.
(1) A laminate comprising a substrate containing a resin material and an adhesive layer laminated on one side of the substrate, and used by temporarily fixing at least one of a substrate and a component. Adhesive tape,
The adhesive layer contains a base resin having adhesiveness and a curable resin that is cured by application of energy, and the application of energy reduces the adhesive force to the substrate and components laminated on the adhesive layer. and
The adhesive tape is prepared by attaching the adhesive tape with a width of 20 mm to the surface of a silicon wafer with a diameter of 6 inches and a thickness of 500 μm, the surface of which is polished with #2000, and then held at 23 ° C. for 1 hour. , B [cN /20 mm], and the peel strength measured when peeled off at a speed of 1000 mm / min in the direction of 180 ° is D [cN / 20 mm], 0 ≤ |BD | <110 An adhesive tape characterized by satisfying relationships.

(2) 30°の方向にて300mm/分の速度で、当該粘着テープを引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をA[cN/20mm]とし、180°の方向にて300mm/分の速度で、当該粘着テープを引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度をC[cN/20mm]としたとき、0≦|A-C|<60なる関係を満足する上記(1)に記載の粘着テープ。 (2) The peel strength measured when the adhesive tape is peeled off at a speed of 300 mm / min in the direction of 30 ° is A [cN / 20 mm], and 300 mm / min in the direction of 180 ° The above (1) satisfying the relationship of 0 ≤ |AC| adhesive tape.

(3) 前記引き剥がし強度Aは、60cN/20mm以上400cN/20mm以下である上記(2)に記載の粘着テープ。 (3) The pressure-sensitive adhesive tape according to (2) above, wherein the peel strength A is 60 cN/20 mm or more and 400 cN/20 mm or less.

(4) 前記粘着層は、前記エネルギーの付与後において、レオメーターを用いて、温度23℃、歪量1mrad、周波数1Hzで測定した複素粘度ηが1.0×10mPa・s以上6.0×10mPa・s以下である上記(1)ないし(3)のいずれかに記載の粘着テープ。 (4) After applying the energy, the pressure-sensitive adhesive layer has a complex viscosity η * of 1.0×10 7 mPa s or more measured using a rheometer at a temperature of 23° C., a strain amount of 1 mrad, and a frequency of 1 Hz. The pressure-sensitive adhesive tape according to any one of (1) to (3) above, which has a viscosity of 0×10 9 mPa·s or less.

(5) 前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の粘着テープ。 (5) The adhesive tape according to any one of (1) to (4) above, wherein the base resin is an acrylic resin.

(6) 前記硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートおよびビスフェノールA系のエポキシアクリレートのうちの少なくとも1種である上記(1)ないし(5)のいずれかに記載の粘着テープ。 (6) The pressure-sensitive adhesive tape according to any one of (1) to (5) above, wherein the curable resin is at least one of urethane acrylate and bisphenol A-based epoxy acrylate.

(7) 前記粘着層は、さらに、可塑剤を含有する上記(1)ないし(6)のいずれかに記載の粘着テープ。 (7) The adhesive tape according to any one of (1) to (6) above, wherein the adhesive layer further contains a plasticizer.

(8) 当該粘着テープは、前記粘着層上に、前記基板を固定した状態で、前記基板から前記基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、前記基板を個片化することで複数の前記部品を形成し、その後、当該粘着テープを面方向に伸長しつつ、前記部品を、前記基材側から突き上げた状態で、前記基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から分離する際に用いられるものである上記(1)ないし(7)のいずれかに記載の粘着テープ。 (8) The adhesive tape is cut so as to reach halfway in the thickness direction of the base material from the substrate with the substrate fixed on the adhesive layer, thereby singulating the substrate. After that, the adhesive tape is stretched in the surface direction, and the parts are pushed up from the base material side and pulled out from the opposite side of the base material. The pressure-sensitive adhesive tape according to any one of (1) to (7) above, which is used when separating from a layer.

(9) 前記粘着層は、その厚さが5μm以上50μm以下である上記(1)ないし(8)のいずれかに記載の粘着テープ。 (9) The adhesive tape according to any one of (1) to (8) above, wherein the adhesive layer has a thickness of 5 μm or more and 50 μm or less.

(10) 前記基材は、前記粘着層側と反対側の表面における表面抵抗率が1.0×1013(Ω/□)以下である上記(1)ないし(9)のいずれかに記載の粘着テープ。 (10) The substrate according to any one of (1) to (9) above, wherein the substrate has a surface resistivity of 1.0×10 13 (Ω/□) or less on the surface opposite to the adhesive layer side. Adhesive tape.

(11) 当該粘着テープを平面視で見たとき、前記基材と前記粘着層との界面に形成されている気泡は、面積が100μm以上のものの数が、15.0個/mm以下である上記(1)ないし(10)のいずれかに記載の粘着テープ。 (11) When the adhesive tape is viewed in plan, the number of bubbles formed at the interface between the base material and the adhesive layer has an area of 100 μm 2 or more and is 15.0/mm 2 or less. The pressure-sensitive adhesive tape according to any one of (1) to (10) above.

本発明によれば、表面を#2000研磨した、直径6インチ、厚さ500μmのシリコンウエハの前記表面に、幅20mmの当該粘着テープを貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与後において、23℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をB[cN/20mm]とし、180°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度をD[cN/20mm]としたとき、0≦|B-D|<110なる関係を満足している。このように、30°の方向(角度)で引き剥がしたときの引き剥がし強度Bと、180°の方向(角度)で引き剥がしたときの引き剥がし強度Dとが、0≦|B-D|<110なる関係を満足しているため、個片化された部品をピックアップする際に、この部品から粘着テープが剥離されるときの部品に対する粘着テープの角度に変化が生じたとしても、部品から粘着テープを安定的に剥離させて、部品をピックアップすることができる。 According to the present invention, the adhesive tape with a width of 20 mm was attached to the surface of a silicon wafer with a diameter of 6 inches and a thickness of 500 μm, the surface of which was polished with #2000, and then held at 23° C. for 1 hour. Later, after applying the energy, in an environment of 23 ° C., hold one end of the adhesive tape and peel it off in a direction of 30 ° at a speed of 1000 mm / min. cN/20 mm], and the peel strength measured when peeled off at a speed of 1000 mm/min in the direction of 180° is D [cN/20 mm], 0≦|B−D|<110 satisfied with the relationship. In this way, the peeling strength B when peeled off in the direction (angle) of 30° and the peeling strength D when peeled off in the direction (angle) of 180° are 0 ≤ |B−D| Since the relationship <110 is satisfied, even if the angle of the adhesive tape with respect to the part when the adhesive tape is peeled off from the part changes when picking up the individualized part, the The adhesive tape can be stably peeled off and the component can be picked up.

本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。1 is a vertical cross-sectional view showing an example of a semiconductor device manufactured using the adhesive tape of the present invention; FIG. 図1に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。2 is a longitudinal sectional view for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 using the adhesive tape of the present invention; FIG. 図1に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。2 is a longitudinal sectional view for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 using the adhesive tape of the present invention; FIG. 図2中の点線で囲まれた領域[A]に位置するニードルの周辺を拡大した拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view enlarging the periphery of a needle positioned in a region [A] surrounded by a dotted line in FIG. 2; 図2中の点線で囲まれた領域[A]に位置するニードルの周辺を拡大した拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view enlarging the periphery of a needle positioned in a region [A] surrounded by a dotted line in FIG. 2; 粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal section showing an embodiment of an adhesive tape. 図6に示す粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。FIG. 7 is a longitudinal sectional view for explaining a method of manufacturing the adhesive tape shown in FIG. 6;

以下、本発明の粘着テープについて詳細に説明する。
まず、本発明の粘着テープを説明するのに先立って、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置について説明する。
The pressure-sensitive adhesive tape of the present invention will be described in detail below.
First, before describing the adhesive tape of the present invention, a semiconductor device manufactured using the adhesive tape of the present invention will be described.

<半導体装置>
図1は、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図1中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、本明細書で参照する各図面では、それぞれ、左右方向および/または厚さ方向の寸法を誇張して図示しており、実際の寸法とは大きく異なる。
<Semiconductor device>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of a semiconductor device manufactured using the adhesive tape of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 1 is called "upper", and the lower side is called "lower". In addition, in each drawing referred to in this specification, the dimensions in the left-right direction and/or the thickness direction are exaggerated, and are greatly different from the actual dimensions.

図1に示す半導体装置10は、半導体チップ(半導体素子)20と、半導体チップ20を支持するインターポーザー(基板)30と、複数の導電性を有するバンプ(端子)70と、半導体チップ20を封止するモールド部(封止部)17とを有している。 A semiconductor device 10 shown in FIG. It has a mold portion (sealing portion) 17 for sealing.

インターポーザー30は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン(BTレジン)等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー30の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。 The interposer 30 is an insulating substrate, and is made of various resin materials such as polyimide, epoxy, cyanate, and bismaleimide triazine (BT resin). The plan view shape of the interposer 30 is generally a quadrangle such as a square or rectangle.

インターポーザー30の上面(一方の面)には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子41が、所定形状で設けられている。 A terminal 41 made of a conductive metal material such as copper is provided in a predetermined shape on the upper surface (one surface) of the interposer 30 .

また、インターポーザー30には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア(スルーホール:貫通孔)が形成されている。 In addition, a plurality of vias (through holes) (not shown) are formed through the interposer 30 in its thickness direction.

各バンプ70は、それぞれ、各ビアを介して、一端(上端)が端子41の一部に電気的に接続され、他端(下端)は、インターポーザー30の下面(他方の面)から突出している。 One end (upper end) of each bump 70 is electrically connected to a part of the terminal 41 via each via, and the other end (lower end) protrudes from the lower surface (the other surface) of the interposer 30. there is

バンプ70のインターポーザー30から突出する部分は、ほぼ球形状(Ball状)をなしている。 A portion of the bump 70 protruding from the interposer 30 has a substantially spherical shape (ball shape).

このバンプ70は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。 The bump 70 is mainly made of brazing material such as solder, silver brazing, copper brazing, or phosphorous copper brazing.

また、インターポーザー30上には、端子41が形成されている。この端子41に、接続部81を介して、半導体チップ20が有する端子21が電気的に接続されている。 A terminal 41 is formed on the interposer 30 . A terminal 21 of the semiconductor chip 20 is electrically connected to the terminal 41 via a connecting portion 81 .

なお、本実施形態では、図1に示すように、端子21は、半導体チップ20に形成されている面側から突出する構成をなしており、端子41も、インターポーザー30から突出する構成をなしている。 In this embodiment, as shown in FIG. 1, the terminals 21 are configured to protrude from the surface side formed on the semiconductor chip 20, and the terminals 41 are also configured to protrude from the interposer 30. ing.

また、半導体チップ20と、インターポーザー30との間の間隙には、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材が充填され、このアンダーフィル材の硬化物により、封止層80が形成されている。この封止層80は、半導体チップ20と、インターポーザー30との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。 The gap between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 is filled with an underfill material made of various resin materials, and the cured underfill material forms the sealing layer 80. . The sealing layer 80 has the function of improving the bonding strength between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 and the function of preventing foreign matter, moisture, etc. from entering the gap.

さらに、インターポーザー30の上側には、半導体チップ20と、インターポーザー30とを覆うように形成されたモールド部17が半導体封止材料の硬化物(封止材)で構成されており、これにより、半導体装置10内において半導体チップ20が封止され、半導体チップ20に対する異物や水分等の浸入が防止される。 Furthermore, on the upper side of the interposer 30, the semiconductor chip 20 and the mold part 17 formed so as to cover the interposer 30 are made of a cured semiconductor sealing material (sealing material). , the semiconductor chip 20 is sealed in the semiconductor device 10 to prevent entry of foreign matter, moisture, etc. into the semiconductor chip 20 .

半導体チップ20(半導体素子)は、図1に示すように、半導体チップ本体部23(半導体素子本体部)と、半導体チップ本体部23の下面側から突出して設けられた端子21とを有している。半導体チップ本体部23は、その上面側に回路(図示せず)が作り込まれており、主としてSi、SiC、GaNまたはGaのような半導体材料で構成されている。 As shown in FIG. 1, the semiconductor chip 20 (semiconductor element) has a semiconductor chip main body 23 (semiconductor element main body) and terminals 21 protruding from the lower surface side of the semiconductor chip main body 23 . there is The semiconductor chip main body 23 has a circuit (not shown) formed on its upper surface side, and is mainly made of a semiconductor material such as Si, SiC, GaN or Ga 2 O 3 .

かかる構成の半導体装置10および半導体チップ20は、例えば、粘着テープを用いた半導体装置の製造方法により、以下のようにして製造される。 The semiconductor device 10 and the semiconductor chip 20 having such configurations are manufactured as follows, for example, by a semiconductor device manufacturing method using an adhesive tape.

<半導体装置の製造方法>
図2、図3は、図1に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図、図4、図5は、図2中の点線で囲まれた領域[A]に位置するニードルの周辺を拡大した拡大図である。なお、以下の説明では、図2~図5中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、図4、図5中では、左側に部分断面図を示し、右側に部分平面図を示す。さらに、本明細書で参照する各図面では、それぞれ、左右方向および/または厚さ方向の寸法を誇張して図示しており、実際の寸法とは大きく異なる。
<Method for manufacturing a semiconductor device>
2 and 3 are longitudinal sectional views for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 using the adhesive tape of the present invention, and FIGS. 4 and 5 are surrounded by dotted lines in FIG. FIG. 10 is an enlarged view of the periphery of the needle positioned in the region [A]. In the following description, the upper side in FIGS. 2 to 5 is called "upper", and the lower side is called "lower". 4 and 5, the left side shows a partial sectional view, and the right side shows a partial plan view. Furthermore, in each drawing referred to in this specification, the dimensions in the left-right direction and/or the thickness direction are exaggerated, and are greatly different from the actual dimensions.

[1A]まず、基材4と、基材4の上面に積層された粘着層2とを有する積層体により構成された粘着テープ100を用意し、図2(a)に示すように、その中心部122に半導体基板7(半導体用ウエハ)を、粘着層2の上に置き、軽く押圧し、半導体基板7を積層(貼付)する(貼付工程)。 [1A] First, an adhesive tape 100 composed of a laminate having a substrate 4 and an adhesive layer 2 laminated on the upper surface of the substrate 4 is prepared, and as shown in FIG. The semiconductor substrate 7 (semiconductor wafer) is placed on the adhesive layer 2 on the portion 122 and lightly pressed to laminate (stick) the semiconductor substrate 7 (sticking step).

この半導体基板7には、その上面に個片化することで形成される半導体チップ20(半導体チップ本体部23)が備える回路が予め形成され、また、下面には端子21が予め形成されており、半導体基板7は、回路が形成されている側の上面を粘着層2側にして粘着テープ100に貼付されている。そのため、粘着層2には、半導体基板7の回路が形成されている側の上面、すなわち凹凸が形成されている凹凸面が接合される。 On the upper surface of the semiconductor substrate 7, a circuit included in the semiconductor chip 20 (semiconductor chip body portion 23) formed by singulation is formed in advance, and terminals 21 are formed in advance on the lower surface. , the semiconductor substrate 7 is adhered to the adhesive tape 100 with the upper surface of the circuit formed side facing the adhesive layer 2 . For this reason, the adhesive layer 2 is bonded to the upper surface of the semiconductor substrate 7 on which the circuit is formed, that is, the uneven surface on which the unevenness is formed.

[2A]次に、図2(b)に示すように、半導体基板7が積層された粘着テープ100をダイサーテーブル200の上に設置する。 [2A] Next, as shown in FIG. 2B, the adhesive tape 100 laminated with the semiconductor substrate 7 is placed on the dicer table 200. Then, as shown in FIG.

[3A]次に、粘着層2の外周部121をウエハリング9で固定し、その後、図示しない、ダイシングソー(ブレード)を用いて基板としての半導体基板7を切断(ダイシング)して半導体基板7を個片化することで粘着テープ100上に部品としての半導体チップ20を得る(個片化工程;図2(c)参照)。 [3A] Next, the outer peripheral portion 121 of the adhesive layer 2 is fixed by the wafer ring 9, and then the semiconductor substrate 7 as a substrate is cut (diced) using a dicing saw (blade) (not shown). are singulated to obtain semiconductor chips 20 as components on the adhesive tape 100 (singulation step; see FIG. 2(c)).

この際、粘着テープ100は、緩衝作用を有しており、半導体基板7を切断する際の割れ、欠け等を防止する。 At this time, the adhesive tape 100 has a cushioning effect and prevents cracking, chipping, etc. when the semiconductor substrate 7 is cut.

また、ブレードを用いた半導体基板7の切断は、図2(c)に示すように、基材4の厚さ方向の途中まで到達するように実施する。これにより、半導体基板7の個片化を確実に実施することができる。 Further, the cutting of the semiconductor substrate 7 using the blade is carried out so as to reach halfway in the thickness direction of the base material 4 as shown in FIG. 2(c). Thereby, the individualization of the semiconductor substrate 7 can be reliably performed.

なお、この際、半導体基板7の切断時に生じる粉塵が飛散するのを防止すること、さらには、半導体基板7が不必要に加熱されるのを抑制することを目的に、半導体基板7には切削水を供給しつつ、半導体基板7が切断される。 In this case, for the purpose of preventing dust generated when the semiconductor substrate 7 is cut from scattering, and furthermore, for the purpose of suppressing unnecessary heating of the semiconductor substrate 7, the semiconductor substrate 7 is cut. The semiconductor substrate 7 is cut while supplying water.

[4A]次に、ウエハリング9で固定した、半導体基板7を貼付した粘着テープ100をダイシング装置(図示せず)からピックアップ装置(図示せず)に移し、粘着層2の外周部121においてウエハリング9により固定した状態で、テーブル300の外周部320に対して、その中心部310を上方に突き上げることで、粘着テープ100を放射状に伸ばし、これにより、個片化した半導体基板7すなわち部品としての半導体チップ20同士の間に、一定の間隔を有する間隙を形成する(エキスパンディング工程;図2(d)参照。)。 [4A] Next, the adhesive tape 100 to which the semiconductor substrate 7 is attached and fixed by the wafer ring 9 is transferred from the dicing device (not shown) to a pick-up device (not shown), and the wafer is While fixed by the ring 9, the central portion 310 is thrust upward against the outer peripheral portion 320 of the table 300 to radially extend the adhesive tape 100, thereby forming the individualized semiconductor substrates 7, that is, the components. A gap having a constant interval is formed between the semiconductor chips 20 (expanding step; see FIG. 2(d)).

なお、次工程[5A]に先立って、粘着層2に対してエネルギーを付与することで、半導体チップ20に対する粘着力を低下させるが、この粘着層2に対するエネルギーの付与は、本工程[4A]における、エキスパンディング工程の後であってもよいし、エキスパンディング工程に先立って実施してもよい。 Prior to the next step [5A], energy is applied to the adhesive layer 2 to reduce the adhesive force to the semiconductor chip 20, but the application of energy to the adhesive layer 2 is performed in this step [4A]. may be performed after the expanding step in or prior to the expanding step.

[5A]次に、前記工程[4A]を経ることにより、間隙が形成された状態で、ステージ400上において、半導体チップ20を、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする(ピックアップ工程;図2(e)参照。)。 [5A] Next, the semiconductor chip 20 is picked up on the stage 400 by suction with a vacuum collet or air tweezers, etc. (pickup step; FIG. 2(e).).

この半導体チップ20のピックアップは、前記工程[4A]における、粘着テープ100を放射状に伸ばす前記エキスパンディング工程の後に、粘着層2にエネルギーを付与することで粘着層2を硬化させて、粘着層2の粘着力を低下させる。そして、ニードル430(図2においては図示せず)を、図4(c)に示すように、エジェクターヘッド410から突出させる。すなわち、ニードル430を、厚さ方向に突出させる。その結果、粘着テープ100に貼付された半導体チップ20が、ニードル430を用いて突き上げられ、これにより、図5(c)に示すように、粘着テープ100から剥離させた状態として、半導体チップ20がピックアップされる。 This semiconductor chip 20 is picked up by applying energy to the adhesive layer 2 to harden the adhesive layer 2 after the expanding step of radially extending the adhesive tape 100 in the step [4A]. reduce the adhesive strength of Then, the needle 430 (not shown in FIG. 2) is protruded from the ejector head 410 as shown in FIG. 4(c). That is, the needle 430 protrudes in the thickness direction. As a result, the semiconductor chip 20 adhered to the adhesive tape 100 is pushed up using the needle 430, thereby separating the semiconductor chip 20 from the adhesive tape 100 as shown in FIG. 5(c). be picked up.

ここで、半導体チップ20が、本実施形態のように、その平面視形状が矩形状をなす場合、図4、図5に示すように、一般的に、ニードル430を用いた半導体チップ20の突き上げは、4つのニードル430を用いて、半導体チップ20の4隅に、それぞれ、各ニードル430が対応するように配置させた状態で、半導体チップ20の4隅をほぼ同時に突き上げることにより実施される。 Here, when the semiconductor chip 20 has a rectangular shape in plan view as in this embodiment, generally, the semiconductor chip 20 is pushed up using a needle 430 as shown in FIGS. is performed by using four needles 430 and pushing up the four corners of the semiconductor chip 20 almost at the same time while the needles 430 are arranged in correspondence with the four corners of the semiconductor chip 20 .

なお、本実施形態では、以降「4隅をほぼ同時に4つのニードルで突き上げる」ことを中心に説明するが、一例であり半導体チップ20のピックアップの方法はこれに限定されない。 In this embodiment, hereinafter, the description will focus on "pushing up the four corners with four needles almost simultaneously", but this is an example and the method of picking up the semiconductor chip 20 is not limited to this.

そして、ICパッケージの大容量高密度化に伴い、半導体チップ20の薄厚化が進んでいる。そのため、ニードル430をエジェクターヘッド410から突出させることで、この半導体チップ20の4隅をほぼ同時に4つのニードル430で突き上げると、半導体チップ20は、その4隅を頂部とし、中央部を底部とした湾曲形状をなすものとなる(図4(c)等参照)。その後、この湾曲形状を半導体チップ20が維持した状態で、半導体チップ20の4隅近傍を起点として、半導体チップ20から粘着テープ100が剥離する。すなわち、半導体チップ20と粘着テープ100とが接合した接合部101の一部が、半導体チップ20の4隅近傍において、半導体チップ20から粘着テープ100が剥離した剥離部102を形成する。 As the capacity and density of IC packages increase, the thickness of the semiconductor chip 20 is becoming thinner. Therefore, by protruding the needles 430 from the ejector head 410, when the four needles 430 push up the four corners of the semiconductor chip 20 almost simultaneously, the semiconductor chip 20 has the four corners as the top and the center as the bottom. It has a curved shape (see FIG. 4(c), etc.). After that, while the semiconductor chip 20 maintains this curved shape, the adhesive tape 100 is peeled off from the semiconductor chip 20 starting from the vicinity of the four corners of the semiconductor chip 20 . That is, a part of the bonding portion 101 where the semiconductor chip 20 and the adhesive tape 100 are bonded together forms peeling portions 102 near the four corners of the semiconductor chip 20 where the adhesive tape 100 is peeled off from the semiconductor chip 20 .

その後、この4隅から中央部に向かって粘着テープ100の剥離が進行し、すなわち、接合部101での剥離部102の形成が進行し(図4(b)~図5(b)参照)、中央部における粘着テープ100の剥離が完了することで、半導体チップ20からの粘着テープ100の剥離が終了する。すなわち、全ての接合部101が剥離部102へと変換される(図5(c)参照)ことで、半導体チップ20から粘着テープ100が剥離される。なお、このとき、半導体チップ20の湾曲形状は、粘着テープ100の剥離の進行にしたがって、継続的に緩和され、半導体チップ20は、最終的には平板形状をなすものとなる。 After that, the peeling of the adhesive tape 100 progresses from the four corners toward the central portion, that is, the formation of the peeled portion 102 at the joint portion 101 progresses (see FIGS. 4(b) to 5(b)), The peeling of the adhesive tape 100 from the semiconductor chip 20 is completed by completing the peeling of the adhesive tape 100 in the central portion. That is, the adhesive tape 100 is peeled off from the semiconductor chip 20 by converting all the bonding portions 101 into the peeling portions 102 (see FIG. 5C). At this time, the curved shape of the semiconductor chip 20 is continuously relaxed as the peeling of the adhesive tape 100 progresses, and the semiconductor chip 20 finally forms a flat plate shape.

この本工程[5A]において、本発明の粘着テープ100が用いられる。すなわち、本工程[5A]における部品としての半導体チップ20のピックアップにおいて、粘着テープ100として、表面を#2000研磨した、直径6インチ、厚さ500μmのシリコンウエハの前記表面に、幅20mmの当該粘着テープを貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与後において、23℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をB[cN/20mm]とし、180°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度をD[cN/20mm]としたとき、0≦|B-D|<110なる関係を満足している。このように、30°の方向(角度)で引き剥がしたときの引き剥がし強度Bと、180°の方向(角度)で引き剥がしたときの引き剥がし強度Dとが、0≦|B-D|<110なる関係を満足しているものが用いられる。 In this step [5A], the adhesive tape 100 of the present invention is used. That is, in picking up the semiconductor chip 20 as a component in this step [5A], as the adhesive tape 100, a 20 mm wide adhesive After applying the tape and then holding it under the conditions of 23 ° C. for 1 hour, after applying the energy, hold one end of the adhesive tape in an environment of 23 ° C., 1000 mm / min in the direction of 30 ° The peel strength measured when peeled off at a speed of B [cN / 20 mm], and the peel strength measured when peeled off at a speed of 1000 mm / min in the direction of 180 ° D [ cN/20 mm], the relationship 0≦|BD|<110 is satisfied. In this way, the peeling strength B when peeled off in the direction (angle) of 30° and the peeling strength D when peeled off in the direction (angle) of 180° are 0 ≤ |B−D| Those satisfying the relation <110 are used.

そのため、本工程[5A]において、個片化された半導体チップ20をピックアップする際に、この半導体チップ20から粘着テープ100が剥離されるときの半導体チップ20と粘着テープ100とがなす角度に変化が生じたとしても、半導体チップ20から粘着テープ100を安定的に剥離させて、半導体チップ20をピックアップすることができるが、その詳細な説明は後に行うこととする。 Therefore, in this step [5A], when picking up the individualized semiconductor chips 20, the angle formed by the semiconductor chip 20 and the adhesive tape 100 when the adhesive tape 100 is peeled off from the semiconductor chip 20 changes. Even if this occurs, it is possible to stably separate the adhesive tape 100 from the semiconductor chip 20 and pick up the semiconductor chip 20, which will be described in detail later.

以上のような工程[1A]~工程[5A]を経ることにより、粘着テープ100を用いて、半導体基板7から半導体チップ20が分離(個片化)される。すなわち、粘着テープ100が備える粘着層2上に、半導体基板7を固定した状態で、半導体基板7から基材4の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、半導体基板7を個片化することで複数の半導体チップ20を形成する。その後、半導体チップ20同士の間に一定間隔の間隙を形成した状態で、粘着層2にエネルギーを付与することで粘着層2を硬化させた後、さらに、基材4側から半導体チップ20を突き上げた状態として、基材4の反対側から引き抜くことにより、半導体チップ20が粘着層2から分離される。 Through the steps [1A] to [5A] as described above, the semiconductor chip 20 is separated (divided) from the semiconductor substrate 7 using the adhesive tape 100. FIG. That is, the semiconductor substrate 7 is fixed on the adhesive layer 2 of the adhesive tape 100, and the semiconductor substrate 7 is cut from the semiconductor substrate 7 to reach halfway in the thickness direction of the base material 4, thereby separating the semiconductor substrate 7 into individual pieces. A plurality of semiconductor chips 20 are formed by separating. After that, the adhesive layer 2 is hardened by applying energy to the adhesive layer 2 in a state in which a constant gap is formed between the semiconductor chips 20, and then the semiconductor chip 20 is pushed up from the base material 4 side. The semiconductor chip 20 is separated from the adhesive layer 2 by pulling out from the opposite side of the substrate 4 in this state.

[6A]次に、ピックアップした半導体チップ20を、真空コレットまたはエアピンセットから実装用プローブ等に受け渡して上下反転させた後、図3(a)に示すように、この半導体チップ20が備える端子21と、インターポーザー30が備える端子41とを、端子41上に設けられた半田バンプ85を介して対向させて、インターポーザー30上に載置する。すなわち、半導体チップ20の端子21が形成された面を下側にして、半導体チップ20(半導体素子)をインターポーザー30(基板)上に載置する。 [6A] Next, after transferring the picked up semiconductor chip 20 from a vacuum collet or air tweezers to a mounting probe or the like and turning it upside down, as shown in FIG. and the terminals 41 provided on the interposer 30 are opposed to each other via the solder bumps 85 provided on the terminals 41 , and placed on the interposer 30 . That is, the semiconductor chip 20 (semiconductor element) is placed on the interposer 30 (substrate) with the surface of the semiconductor chip 20 on which the terminals 21 are formed facing downward.

[7A]次に、図3(b)に示すように、端子21と端子41との間に介在した半田バンプ85を加熱しつつ、インターポーザー30と半導体チップ20とを接近させる。 [7A] Next, as shown in FIG. 3B, while heating the solder bumps 85 interposed between the terminals 21 and 41, the interposer 30 and the semiconductor chip 20 are brought close to each other.

これにより、溶融した半田バンプ85が端子21および端子41の双方に接触し、この状態で、冷却することで、接続部81が形成され、その結果、接続部81を介して、端子21と端子41とが電気的に接続される(搭載工程;図3(c)参照。)。 As a result, the melted solder bumps 85 come into contact with both the terminals 21 and the terminals 41 , and are cooled in this state to form the connecting portions 81 . 41 are electrically connected (mounting step; see FIG. 3(c)).

[8A]次に、半導体チップ20と、インターポーザー30との間に形成された間隙に、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材(封止材)を充填し、その後、このアンダーフィル材を硬化させることにより、アンダーフィル材の硬化物で構成された封止層80を形成する(封止層形成工程;図3(d)参照。)。 [8A] Next, the gap formed between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 is filled with an underfill material (sealing material) composed of various resin materials. By curing, a sealing layer 80 composed of a cured product of the underfill material is formed (sealing layer forming step; see FIG. 3(d)).

[9A]次に、インターポーザー30の上側に、半導体チップ20と、インターポーザー30とを覆うように、モールド部17(封止部)を形成することで、半導体チップ20をインターポーザー30とモールド部17とで封止するとともに、インターポーザー30が備えるビアを介して端子41の一部に電気的に接続された、バンプ70をインターポーザー30の下側から突出するように形成する(図3(e)参照。)。 [9A] Next, on the upper side of the interposer 30, the semiconductor chip 20 is molded with the interposer 30 by forming the mold part 17 (sealing part) so as to cover the semiconductor chip 20 and the interposer 30. Bumps 70 are formed so as to protrude from the lower side of the interposer 30, which is sealed with the portion 17 and electrically connected to a part of the terminals 41 through vias provided in the interposer 30 (see FIG. 3). (e).).

ここで、モールド部17による封止は、例えば、形成すべきモールド部17の形状に対応した内部空間を備える成形型を用意し、この内部空間内に配置された半導体チップ20とインターポーザー30とを覆うように、粉末状をなす半導体封止材料を内部空間に充填する。そして、この状態で、半導体封止材料を加熱することにより硬化させて、半導体封止材料の硬化物とすることにより行われる。 Here, for the sealing by the mold part 17, for example, a mold having an internal space corresponding to the shape of the mold part 17 to be formed is prepared, and the semiconductor chip 20 and the interposer 30 are placed in the internal space. The internal space is filled with a powdery semiconductor sealing material so as to cover the . Then, in this state, the semiconductor encapsulating material is heated to be cured to obtain a cured product of the semiconductor encapsulating material.

以上のような工程を有する半導体装置の製造方法により、半導体装置10が得られる。より詳しくは、前記工程[1A]~[9A]を実施した後に、前記工程[4A]~[9A]を繰り返して実施することで、1つの半導体基板7から複数の半導体装置10を一括して製造することができる。 The semiconductor device 10 is obtained by the semiconductor device manufacturing method including the steps described above. More specifically, after performing the steps [1A] to [9A], the steps [4A] to [9A] are repeatedly performed, thereby collectively forming a plurality of semiconductor devices 10 from one semiconductor substrate 7. can be manufactured.

以下、このような半導体装置10の製造方法に用いられる、本発明の粘着テープ100について説明する。 The adhesive tape 100 of the present invention, which is used in the manufacturing method of the semiconductor device 10, will be described below.

<粘着テープ100>
図6は、粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図6中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<Adhesive tape 100>
FIG. 6 is a vertical cross-sectional view showing an embodiment of the adhesive tape. In the following description, the upper side in FIG. 6 is called "upper", and the lower side is called "lower".

粘着テープ100は、本発明では、基材4と、この基材4の上面(一方の面)に積層された粘着層2とを備える積層体により構成され、半導体基板7(基板)および半導体チップ20(部品)を仮固定して用いられるものであり、前述したように、粘着層2は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、エネルギーの付与により、粘着層2上に積層された半導体基板7および半導体チップ20に対する粘着力が低下するものであり、また、表面を#2000研磨した、直径6インチ、厚さ500μmのシリコンウエハの前記表面に、幅20mmの当該粘着テープを貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与後において、23℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をB[cN/20mm]とし、180°の方向にて1000m/分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度をD[cN/20mm]としたとき、0≦|B-D|<110なる関係を満足している。このように、30°の方向(角度)で引き剥がしたときの引き剥がし強度Bと、180°の方向(角度)で引き剥がしたときの引き剥がし強度Dとが、0≦|B-D|<110なる関係を満足するものである。 In the present invention, the adhesive tape 100 is composed of a laminate including a base material 4 and an adhesive layer 2 laminated on the upper surface (one side) of the base material 4, and includes a semiconductor substrate 7 (substrate) and a semiconductor chip. 20 (parts) are temporarily fixed. As a result, the adhesive strength to the semiconductor substrate 7 and the semiconductor chip 20 laminated on the adhesive layer 2 is reduced. , The adhesive tape with a width of 20 mm is attached, and then held at 23 ° C. for 1 hour. After applying the energy, hold one end of the adhesive tape in an environment of 23 ° C. The peel strength measured when peeled off at a speed of 1000 mm / min in the direction is B [cN / 20 mm], and the peel strength measured when peeled off at a speed of 1000 m / min in the direction of 180 ° When the peel strength is D [cN/20 mm], the relationship 0≦|BD|<110 is satisfied. In this way, the peeling strength B when peeled off in the direction (angle) of 30° and the peeling strength D when peeled off in the direction (angle) of 180° are 0 ≤ |B−D| <110 is satisfied.

ここで、前記工程[5A]において、個片化された半導体チップ20を、4つのニードル430を用いてピックアップする際に、前述の通り、半導体チップ20の4隅の4つのニードル430による突き上げにより、半導体チップ20は、湾曲形状から平板形状まで変形することとなる(図4、図5参照)。 Here, in the step [5A], when picking up the individualized semiconductor chip 20 using the four needles 430, as described above, the four needles 430 at the four corners of the semiconductor chip 20 push up the , the semiconductor chip 20 is deformed from a curved shape to a flat plate shape (see FIGS. 4 and 5).

そのため、このときの半導体チップ20に対する粘着テープ100の角度は、不可避的に変化することとなるが、このように、半導体チップ20からの粘着テープ100の剥離の際、すなわち、半導体チップ20のピックアップ時において、半導体チップ20に対する粘着テープ100の角度に変化が生じたとしても、半導体チップ20から粘着テープ100を安定的に剥離させて、半導体チップ20をピックアップし得ることが求められる。 Therefore, the angle of the adhesive tape 100 with respect to the semiconductor chip 20 at this time inevitably changes. Sometimes, even if the angle of the adhesive tape 100 with respect to the semiconductor chip 20 changes, it is required to be able to stably separate the adhesive tape 100 from the semiconductor chip 20 and pick up the semiconductor chip 20 .

このように求められる粘着テープ100の要求特性に対して、本発明では、上記の通り、粘着テープ100は、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度Bと、180°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度D[cN/20mm]とが、0≦|B-D|<110なる関係を満足している。 For the required properties of the adhesive tape 100 thus obtained, in the present invention, as described above, the adhesive tape 100 has a peeling resistance measured when peeled off at a speed of 1000 mm / min in a direction of 30 °. The relationship between the strength B and the peel strength D [cN/20 mm] measured when peeled off at a speed of 1000 mm / min in the direction of 180 ° satisfies the relationship 0 ≤ |BD | <110. ing.

関係式|B-D|において、粘着テープ100をシリコンウエハから引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度B、Dを測定する際に、粘着テープ100(粘着層2)を引き剥がそうとする力が作用する方向および速さは、本発明者の検討により、前記工程[5A]において、個片化された半導体チップ20がピックアップされる際の条件に近似されている。 In the relational expression |BD|, the adhesive tape 100 (adhesive layer 2) is about to be peeled off when measuring the peeling strengths B and D measured when the adhesive tape 100 is peeled off from the silicon wafer. The direction and speed in which the force acts are approximated to the conditions when the separated semiconductor chips 20 are picked up in the step [5A] according to the study of the present inventors.

そして、30°の方向(角度)で引き剥がしたときの前記引き剥がし強度Bと、180°の方向で引き剥がしたときの前記引き剥がし強度Dとのバラツキの程度が、本発明では、0≦|B-D|<110のように、一定の範囲内に設定されている。 In the present invention, the degree of variation between the peeling strength B when peeled off in the direction (angle) of 30° and the peeling strength D when peeled off in the direction of 180° is 0 ≤ It is set within a certain range such as |BD|<110.

このように、本発明によれば、角度30°および角度180°における前記引き剥がし強度B、Dのバラツキの程度が、一定の範囲内に設定されていることから、前記工程[5A]において、個片化された半導体チップ20をピックアップする際に、この半導体チップ20をピックアップする際の角度に変化が生じたとしても、半導体チップ20から粘着テープ100を安定的に剥離させて、半導体チップ20をピックアップすることができる。 Thus, according to the present invention, since the degree of variation in the peeling strengths B and D at angles of 30° and 180° is set within a certain range, in the step [5A], When picking up the separated semiconductor chips 20, even if the angle at which the semiconductor chips 20 are picked up changes, the adhesive tape 100 can be stably peeled off from the semiconductor chips 20, and the semiconductor chips 20 can be stably peeled off. can be picked up.

以下、このような粘着テープ100(ダイシングテープ)が有する、基材4および粘着層2について、詳述する。 The base material 4 and the adhesive layer 2 of the adhesive tape 100 (dicing tape) will be described in detail below.

<基材4>
基材4は、主として樹脂材料から成り、シート状をなしており、この基材4上に設けられた粘着層2を支持する機能を有している。また、前記工程[4A]における、粘着テープ100を面方向に対して伸長するエキスパンディング工程において、その伸長を実現させるためのものである。
<Base material 4>
The base material 4 is mainly made of a resin material, has a sheet shape, and has a function of supporting the adhesive layer 2 provided on the base material 4 . Also, in the expanding step of stretching the pressure-sensitive adhesive tape 100 in the plane direction in the step [4A], it is for realizing the stretching.

かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、オレフィン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂(エステル類高分子)、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー(スチレン系高分子)、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート(カーボネート系高分子)等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられる。 Examples of such resin materials include, but are not limited to, olefin resins, polyester resins (ester polymers) such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, and polybutylene naphthalate, polyvinyl chloride resins, Polyether ketone such as polyurethane, polyimide, polyamide, polyether ether ketone, polyether sulfone, polystyrene, fluorine resin, silicone resin, cellulose resin, styrene thermoplastic elastomer (styrene polymer), acrylic resin, polyester Thermoplastic resins such as thermoplastic elastomers, polyvinyl isoprene, polycarbonate (carbonate-based polymer), and mixtures of these thermoplastic resins are used.

これらの樹脂材料は、光(可視光線、近赤外線、紫外線)、X線、電子線等のエネルギー線を透過し得る材料であることから、エネルギー線を基材4側から基材4を透過させて粘着層2に照射する場合に好ましく用いることができる。そのため、エネルギー線を基材4側から粘着層2に照射することで、粘着層2の粘着性を低下させて半導体チップ20を容易にピックアップすることができる。 These resin materials are materials that can transmit energy rays such as light (visible light, near-infrared rays, ultraviolet rays), X-rays, and electron beams. It can be preferably used when irradiating the adhesive layer 2 with light. Therefore, by irradiating the adhesive layer 2 from the base material 4 side with the energy beam, the adhesiveness of the adhesive layer 2 is reduced and the semiconductor chip 20 can be easily picked up.

特に、樹脂材料としては、オレフィン系樹脂を用いることが好ましい。オレフィン系樹脂を用いることで、前記エキスパンディング工程において、その伸長性(エキスパンド性)を基材4に確実に付与することができるとともに、前記工程[3A]におけるダイシングの際に、基材4の切削屑により、粘着テープ100が汚染されるのを的確に抑制または防止することができる。 In particular, it is preferable to use an olefin resin as the resin material. By using an olefin-based resin, the elongation (expandability) of the base material 4 can be reliably imparted to the base material 4 in the expanding step, and the base material 4 can be stretched during dicing in the step [3A]. Contamination of the adhesive tape 100 by cutting waste can be suppressed or prevented accurately.

かかるオレフィン系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、直鎖状低密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン系樹脂、エチレン-酢酸ビニル共重合体(EVA)、エチレン-メチルメタクリレート共重合体(EMMA)、エチレン-メタクリレート共重合体(EMAA)や、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体またはカリウムイオン架橋体としてのエチレン系アイオノマー等のアイオノマーのようなエチレン共重合体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of such olefin resins include, but are not limited to, polyethylene resins such as linear low-density polyethylene, low-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), ethylene-methyl Ethylene copolymers such as methacrylate copolymers (EMMA), ethylene-methacrylate copolymers (EMAA) and ionomers such as ethylene ionomers as zinc ion cross-links, sodium ion cross-links or potassium ion cross-links. One or more of these can be used in combination.

また、基材4は、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程[3A]、および、前記ピックアップ工程[5A]における、半導体チップ20での静電気の発生を的確に抑制または防止することができる。 Moreover, the base material 4 preferably contains a conductive material having conductivity. By containing such a conductive material, the conductive material functions as an antistatic agent, and the semiconductor chip 20 in the singulation step [3A] and the pick-up step [5A] generation of static electricity can be accurately suppressed or prevented.

このように、基材4が導電性材料を含有する場合、基材4の粘着層2と反対側の表面における表面抵抗率は、1.0×1013(Ω/□)以下に設定されていることが好ましく、1.0×1011(Ω/□)以下に設定されていることがより好ましい。これにより、前記個片化工程[3A]、および、前記ピックアップ工程[5A]における、半導体チップ20での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。 Thus, when the substrate 4 contains a conductive material, the surface resistivity of the surface of the substrate 4 opposite to the adhesive layer 2 is set to 1.0×10 13 (Ω/□) or less. preferably 1.0×10 11 (Ω/□) or less. This makes it possible to more accurately suppress or prevent the generation of static electricity in the semiconductor chip 20 in the singulation step [3A] and the pick-up step [5A].

この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、界面活性剤、永久帯電防止高分子(IDP)、金属材料、金属酸化物材料および炭素系材料等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 The conductive material is not particularly limited as long as it has conductivity, and examples thereof include surfactants, permanent antistatic polymers (IDP), metal materials, metal oxide materials and carbon-based materials. One or more of these can be used in combination.

これらのうち界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等が挙げられる。 Examples of surfactants among these include anionic surfactants, cationic surfactants, nonionic surfactants, and amphoteric surfactants.

永久帯電防止高分子(IDP)としては、例えば、ポリエーテルとポリオレフィンブロックポリマー系列、ポリエステルアミド系列、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステルアミド、ポリウレタン系列等の全てのIDPを用いることができる。 As the permanent antistatic polymer (IDP), for example, all IDPs such as polyether and polyolefin block polymer series, polyesteramide series, polyesteramide, polyetheresteramide, and polyurethane series can be used.

また、金属材料としては、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられ、これらの金属粉が好ましく用いられる。 The metal material includes gold, silver, copper or silver-coated copper, nickel, etc., and these metal powders are preferably used.

金属酸化物材料としては、インジウムティンオキサイド(ITO)、インジウムオキサイド(IO)、アンチモンティンオキサイド(ATO)、インジウムジンクオキサイド(IZO)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)、等が挙げられ、これらの金属酸化物粉が好ましく用いられる。 Metal oxide materials include indium tin oxide (ITO), indium oxide (IO), antimony tin oxide (ATO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), and the like. and these metal oxide powders are preferably used.

さらに、炭素系材料としては、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、CNナノチューブ、CNナノファイバー、BCNナノチューブ、BCNナノファイバー、グラフェン等が挙げられる。 Furthermore, carbon-based materials include carbon black, carbon nanotubes such as single-walled carbon nanotubes and multi-walled carbon nanotubes, carbon nanofibers, CN nanotubes, CN nanofibers, BCN nanotubes, BCN nanofibers, graphene, and the like.

これらの中でも、導電性材料としては、界面活性剤、永久帯電防止高分子(IDP)、金属酸化物材料およびカーボンブラックのうちの少なくとも1種であることが好ましい。これらのものは、抵抗率の温度依存性が小さいものであることから、前記工程[3A]において、半導体基板7をダイシングする際に、基材4が加熱されたとしても、その表面抵抗率の変化量を小さくすることができる。 Among these, the conductive material is preferably at least one of surfactants, permanent antistatic polymers (IDP), metal oxide materials and carbon black. Since these materials have small temperature dependence of resistivity, even if the base material 4 is heated during dicing of the semiconductor substrate 7 in the step [3A], the surface resistivity of the material does not change. The amount of change can be reduced.

なお、基材4に導電性材料を含有させることなく、前記半導体チップ20における静電気の発生を防止する場合には、導電性材料を含有する帯電防止層を、粘着層2と反対側の表面に形成してもよい。これにより、基材4に導電性材料を含有させた場合と同様の効果を得ることができる。 In addition, in the case of preventing the generation of static electricity in the semiconductor chip 20 without containing a conductive material in the base material 4, an antistatic layer containing a conductive material is formed on the surface opposite to the adhesive layer 2. may be formed. This makes it possible to obtain the same effect as when the base material 4 contains a conductive material.

さらに、基材4は、鉱油のような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。 Further, the base material 4 may contain softening agents such as mineral oil, fillers such as calcium carbonate, silica, talc, mica, and clay, antioxidants, light stabilizers, lubricants, dispersants, neutralizers, colorants, and the like. may contain.

基材4の厚さは、例えば、30μm以上160μm以下であるのが好ましく、80μm以上120μm以下であるのがより好ましい。基材4の厚さがこの範囲内であると、基材4としての機能をより確実に発揮させて、前記工程[3A]における半導体基板7のダイシングおよび前記工程[5A]における半導体チップ20のピックアップを、優れた作業性により実施することができる。 The thickness of the base material 4 is, for example, preferably 30 μm or more and 160 μm or less, more preferably 80 μm or more and 120 μm or less. When the thickness of the base material 4 is within this range, the function of the base material 4 is exhibited more reliably, and the dicing of the semiconductor substrate 7 in the step [3A] and the production of the semiconductor chip 20 in the step [5A] are performed. Pick-up can be carried out with excellent workability.

さらに、基材4は、その表面に、粘着層2に含まれる構成材料と反応性を有する、カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していてもよい。 Furthermore, the base material 4 may have functional groups such as carboxyl groups, hydroxyl groups, and amino groups that are reactive with constituent materials contained in the adhesive layer 2 exposed on its surface.

また、基材4は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体(多層体)で構成されるものであってもよい。 Moreover, the base material 4 may be composed of a laminate (multilayer body) in which a plurality of layers composed of different resin materials are laminated.

<粘着層2>
粘着層2は、前記工程[3A]において、半導体基板7をダイシングする際に、半導体基板7を粘着して支持し、かつ、前記工程[4A]において、粘着層2にエネルギーを付与して粘着層2が硬化することにより、半導体基板7を個片化して得られた半導体チップ20を、前記工程[5A]において、ピックアップし得る程度の粘着性を有するものである。また、この粘着層2を有する粘着テープ100は、本発明では、表面を#2000研磨した、直径6インチ、厚さ500μmのシリコンウエハの前記表面に、幅20mmの当該粘着テープを貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与後において、23℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をB[cN/20mm]とし、180°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をD[cN/20mm]としたとき、0≦|B-D|<110なる関係を満足している。このように、30°の方向(角度)で引き剥がしたときの引き剥がし強度Bと、180°の方向(角度)で引き剥がしたときの引き剥がし強度Dとが、0≦|B-D|<110なる関係を満足するものである。
<Adhesive layer 2>
The adhesive layer 2 adheres and supports the semiconductor substrate 7 when the semiconductor substrate 7 is diced in the step [3A], and applies energy to the adhesive layer 2 to adhere in the step [4A]. By hardening the layer 2, the semiconductor chip 20 obtained by dividing the semiconductor substrate 7 into individual pieces can be picked up in the step [5A]. Further, in the present invention, the adhesive tape 100 having this adhesive layer 2 is obtained by attaching the adhesive tape with a width of 20 mm to the surface of a silicon wafer having a diameter of 6 inches and a thickness of 500 μm, the surface of which is #2000 polished, and then , After being held at 23°C for 1 hour, after applying the energy, in an environment of 23°C, hold one end of the adhesive tape and peel it off at a speed of 1000 mm / min in a direction of 30°. B [cN / 20 mm] is the peeling strength measured when the , 0≦|BD|<110. In this way, the peeling strength B when peeled off in the direction (angle) of 30° and the peeling strength D when peeled off in the direction (angle) of 180° are 0 ≤ |B−D| <110 is satisfied.

このような粘着層2は、(1)粘着性を有するベース樹脂と、(2)粘着層2を硬化させる硬化性樹脂と、を主材料として含有する樹脂組成物で構成される。 Such an adhesive layer 2 is composed of a resin composition containing (1) a base resin having adhesiveness and (2) a curable resin for curing the adhesive layer 2 as main materials.

以下、この樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
(1)ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、半導体基板7に対する粘着性を粘着層2に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。
Each component contained in this resin composition will be described in detail below.
(1) Base Resin The base resin is contained in the resin composition in order to have adhesiveness and impart adhesiveness to the semiconductor substrate 7 to the adhesive layer 2 .

このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂(粘着剤)、シリコーン系樹脂(粘着剤)、ポリエステル系樹脂(粘着剤)、ポリ酢酸ビニル系樹脂(粘着剤)、ポリビニルエーテル系樹脂(粘着剤)、スチレン系エラストマー樹脂(粘着剤)、ポリイソプレン系樹脂(粘着剤)、ポリイソブチレン系樹脂(粘着剤)またはウレタン系樹脂(粘着剤)のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。ベース樹脂としてアクリル系樹脂を用いることにより、粘着テープ100の前記引き剥がし強度の関係式である|B-D|の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。また、アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、かかる観点からも、ベース樹脂として好ましく用いられる。 Such base resins include acrylic resins (adhesives), silicone resins (adhesives), polyester resins (adhesives), polyvinyl acetate resins (adhesives), and polyvinyl ether resins (adhesives). , styrene-based elastomer resins (adhesives), polyisoprene-based resins (adhesives), polyisobutylene-based resins (adhesives), and urethane-based resins (adhesives). However, among them, it is preferable to use an acrylic resin. By using an acrylic resin as the base resin, it is possible to relatively easily set the magnitude of |BD|, which is the relational expression of the peeling strength of the adhesive tape 100, within the above range. In addition, acrylic resins are excellent in heat resistance and can be obtained relatively easily and at low cost, and therefore are preferably used as base resins from this point of view as well.

アクリル系樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー(ホモポリマーまたはコポリマー)をベースポリマーとするもののことを言う。 The acrylic resin refers to a resin having a polymer (homopolymer or copolymer) containing (meth)acrylic ester as a main monomer component as a base polymer.

(メタ)アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸s-ブチル、(メタ)アクリル酸t-ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸イソデシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシルのような(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシルのような(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸フェニルのような(メタ)アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸オクチルのような(メタ)アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。 The (meth)acrylic acid ester is not particularly limited, but examples include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, and butyl (meth)acrylate. , isobutyl (meth)acrylate, s-butyl (meth)acrylate, t-butyl (meth)acrylate, pentyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, (meth)acrylate Octyl acrylate, isooctyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, (meth) ) undecyl acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, tetradecyl (meth) acrylate, pentadecyl (meth) acrylate, hexadecyl (meth) acrylate, heptadecyl (meth) acrylate, (meth) (meth)acrylic acid alkyl esters such as octadecyl acrylate, (meth)acrylic acid cycloalkyl esters such as cyclohexyl (meth)acrylate, (meth)acrylic acid aryl esters such as phenyl (meth)acrylate, etc. One or more of these can be used in combination. Among these, (meth)acrylic acid alkyl esters such as methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, octyl (meth)acrylate is preferably (Meth)acrylic acid alkyl esters, in particular, are excellent in heat resistance, and can be obtained relatively easily and inexpensively.

なお、本明細書において、(メタ)アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。 In this specification, (meth)acrylic acid ester is used in the sense of including both acrylic acid ester and methacrylic acid ester.

アクリル系樹脂は、凝集力、耐熱性等の改質等を目的として、必要に応じて、ポリマーを構成するモノマー成分として、官能基含有共重合性モノマーを含むものが用いられる。 For the purpose of improving cohesive strength, heat resistance, etc., acrylic resins may be those containing functional group-containing copolymerizable monomers as monomer components constituting polymers, if necessary.

このような官能基含有共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6-ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー、(メタ)アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、(メタ)アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、(メタ)アクリルアミド、N,N-ジメチル(メタ)アクリルアミド、N-ブチル(メタ)アクリルアミド、N-メチロール(メタ)アクリルアミド、N-メチロールプロパン(メタ)アクリルアミド、N-メトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N-ブトキシメチル(メタ)アクリルアミドのようなアミド系モノマー、(メタ)アクリル酸アミノエチル、(メタ)アクリル酸N,N-ジメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸t-ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、(メタ)アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンのようなオレフィン系モノマー、スチレン、α-メチルスチレン、ビニルトルエンのようなスチレン系モノマー、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル系モノマー、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルのようなビニルエーテル系モノマー、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなハロゲン原子含有モノマー、(メタ)アクリル酸メトキシエチル、(メタ)アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、N-ビニル-2-ピロリドン、N-メチルビニルピロリドン、N-ビニルピリジン、N-ビニルピペリドン、N-ビニルピリミジン、N-ビニルピペラジン、N-ビニルピラジン、N-ビニルピロール、N-ビニルイミダゾール、N-ビニルオキサゾール、N-ビニルモルホリン、N-ビニルカプロラクタム、N-(メタ)アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of such functional group-containing copolymerizable monomers include, but are not limited to, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, hydroxyl group-containing monomers such as 6-hydroxyhexyl (meth)acrylate, epoxy group-containing monomers such as glycidyl (meth)acrylate, (meth)acrylic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, isocrotone Carboxyl group-containing monomers such as acids, maleic anhydride, acid anhydride group-containing monomers such as itaconic anhydride, (meth)acrylamide, N,N-dimethyl(meth)acrylamide, N-butyl(meth)acrylamide, N - Methylol (meth) acrylamide, N-methylolpropane (meth) acrylamide, N-methoxymethyl (meth) acrylamide, N-butoxymethyl (meth) amide monomers such as acrylamide, aminoethyl (meth) acrylate, (meth) ) N,N-dimethylaminoethyl acrylate, amino group-containing monomers such as t-butylaminoethyl (meth)acrylate, cyano group-containing monomers such as (meth)acrylonitrile, ethylene, propylene, isoprene, butadiene, isobutylene styrene monomers such as styrene, α-methylstyrene and vinyl toluene; vinyl ester monomers such as vinyl acetate and vinyl propionate; vinyl ether monomers such as methyl vinyl ether and ethyl vinyl ether; Vinyl, halogen atom-containing monomers such as vinylidene chloride, alkoxy group-containing monomers such as methoxyethyl (meth)acrylate and ethoxyethyl (meth)acrylate, N-vinyl-2-pyrrolidone, N-methylvinylpyrrolidone, N -vinylpyridine, N-vinylpiperidone, N-vinylpyrimidine, N-vinylpiperazine, N-vinylpyrazine, N-vinylpyrrole, N-vinylimidazole, N-vinyloxazole, N-vinylmorpholine, N-vinylcaprolactam, N- Examples thereof include monomers having a nitrogen atom-containing ring such as (meth)acryloylmorpholine, and these may be used singly or in combination of two or more.

これら官能基含有共重合性モノマーの含有量は、アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分に対して、40重量%以下であることが好ましく、10重量%以下であることがより好ましい。 The content of these functional group-containing copolymerizable monomers is preferably 40% by weight or less, more preferably 10% by weight or less, relative to all monomer components constituting the acrylic resin.

また、官能基含有共重合性モノマーは、アクリル系樹脂を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。 In addition, the functional group-containing copolymerizable monomer may be contained at the terminal of the main chain in the polymer constituting the acrylic resin, contained in the main chain, furthermore, at the terminal of the main chain and in the main chain.

さらに、官能基含有共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。 Furthermore, the functional group-containing copolymerizable monomer may contain a polyfunctional monomer for the purpose of cross-linking between polymers.

多官能性モノマーとしては、例えば、1,6-ヘキサンジオール(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ(メタ)アクリレート、ヘキシルジ(メタ)アクリレート等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of polyfunctional monomers include 1,6-hexanediol (meth)acrylate, (poly)ethylene glycol di(meth)acrylate, (poly)propylene glycol di(meth)acrylate, and neopentyl glycol di(meth)acrylate. , pentaerythritol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, glycerin di(meth)acrylate, epoxy (meth)acrylate, polyester ( Meth)acrylate, urethane (meth)acrylate, divinylbenzene, butyl di(meth)acrylate, hexyl di(meth)acrylate and the like can be mentioned, and one or more of these can be used in combination.

また、エチレン-酢酸ビニルコポリマーおよび酢酸ビニルポリマー等も、官能基含有共重合性モノマー成分として用いることができる。 Ethylene-vinyl acetate copolymers, vinyl acetate polymers, and the like can also be used as functional group-containing copolymerizable monomer components.

なお、このようなアクリル系樹脂(ポリマー)は、単一のモノマー成分または2種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。 Such an acrylic resin (polymer) can be produced by polymerizing a single monomer component or a mixture of two or more monomer components. Moreover, polymerization of these monomer components can be carried out using a polymerization method such as a solution polymerization method, an emulsion polymerization method, a bulk polymerization method, a suspension polymerization method, or the like.

アクリル系樹脂は、前記工程[3A]において、半導体基板7をダイシングする際に、アクリル系樹脂による半導体基板7等の汚染を防止するという観点から、低分子量物の含有量が少ないものであることが好ましい。この場合、アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、好ましくは30万以上500万以下に設定され、より好ましくは40万以上400万以下に設定され、さらに好ましくは50万以上150万以下に設定される。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量が、モノマー成分の種類等によっては、50万未満であると、半導体基板7等に対する汚染防止性が低下し、その結果、半導体チップ20を剥離させた際に糊残りが生じるおそれがある。 The acrylic resin should have a low content of low-molecular-weight substances from the viewpoint of preventing contamination of the semiconductor substrates 7 and the like with the acrylic resin when the semiconductor substrates 7 are diced in the step [3A]. is preferred. In this case, the weight average molecular weight of the acrylic resin is preferably set to 300,000 or more and 5,000,000 or less, more preferably set to 400,000 or more to 4,000,000 or less, and further preferably set to 500,000 or more to 1,500,000 or less. be. If the weight-average molecular weight of the acrylic resin is less than 500,000 depending on the type of the monomer component, etc., the contamination prevention property for the semiconductor substrate 7 and the like is lowered, and as a result, when the semiconductor chip 20 is removed, Adhesive residue may occur.

また、アクリル系樹脂は、そのガラス転移点が、好ましくは-100℃以上50℃以下、より好ましくは-50℃以上0℃以下であるものが用いられる。ベース樹脂として、かかる範囲内のガラス転移点を有するアクリル系樹脂を用いることにより、粘着テープ100の前記引き剥がし強度の関係式である|B-D|の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。 The acrylic resin to be used has a glass transition point of preferably -100°C or higher and 50°C or lower, more preferably -50°C or higher and 0°C or lower. By using an acrylic resin having a glass transition point within this range as the base resin, the size |BD| can be set within

なお、アクリル系樹脂は、ヒドロキシル基やカルボキシル基(特に、ヒドロキシル基)のような、架橋剤や光重合開始剤に対して反応性を有する官能基(反応性官能基)を有していることが好ましい。これにより、架橋剤や光重合開始剤がポリマー成分であるアクリル系樹脂に連結するため、粘着層2からこれら架橋剤や光重合開始剤が漏出することを的確に抑制または防止することができる。その結果、前記工程[4A]におけるエネルギー線照射時により、粘着層2の半導体基板7に対する粘着性が確実に低下される。 In addition, the acrylic resin has a functional group (reactive functional group) having reactivity with a cross-linking agent or a photopolymerization initiator, such as a hydroxyl group or a carboxyl group (particularly, a hydroxyl group). is preferred. As a result, the cross-linking agent and the photopolymerization initiator are linked to the acrylic resin, which is the polymer component, so that leakage of the cross-linking agent and the photopolymerization initiator from the adhesive layer 2 can be suppressed or prevented accurately. As a result, the adhesiveness of the adhesive layer 2 to the semiconductor substrate 7 is reliably lowered by the energy beam irradiation in the step [4A].

(2)硬化性樹脂
硬化性樹脂は、例えば、エネルギー線の照射により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層2の粘着力が低下する。
(2) Curable resin The curable resin is, for example, a resin that is cured by irradiation with energy rays. As a result of this curing, the base resin is taken into the crosslinked structure of the curable resin, and as a result, the adhesive force of the adhesive layer 2 is lowered.

このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素-炭素二重結合を、官能基として少なくとも2個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、1,4-ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレートのような(メタ)アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、2-プロペニル-ジ-3-ブテニルシアヌレート等の炭素-炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス(2-アクリロキシエチル)イソシアヌレート、トリス(2-メタクリロキシエチル)イソシアヌレート、2-ヒドロキシエチル ビス(2-アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ビス(2-アクリロキシエチル)2-[(5-アクリロキシヘキシル)-オキシ]エチルイソシアヌレート、トリス(1,3-ジアクリロキシ-2-プロピル-オキシカルボニルアミノ-n-ヘキシル)イソシアヌレート、トリス(1-アクリロキシエチル-3-メタクリロキシ-2-プロピル-オキシカルボニルアミノ-n-ヘキシル)イソシアヌレート、トリス(4-アクリロキシ-n-ブチル)イソシアヌレートのような炭素-炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート、ビスフェノールA系のエポキシアクリレート等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ウレタンアクリレートおよびビスフェノールA系のエポキシアクリレートのうちの少なくとも1種が含まれることが好ましい。これにより、エネルギー線の照射により硬化性樹脂をより確実に硬化させることができる。また、粘着テープ100の前記引き剥がし強度の関係式である|B-D|の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。 Such curable resins include, for example, low-molecular-weight polymers having at least two or more polymerizable carbon-carbon double bonds as functional groups in the molecule, which can be three-dimensionally crosslinked by irradiation with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams. compounds are used. Specifically, for example, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, tetramethylolmethane tetra(meth)acrylate, tetraethylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta(meth)acrylate, 1,4-butylene glycol di(meth)acrylate ) acrylates, polyethylene glycol di(meth)acrylates, esters of (meth)acrylic acid and polyhydric alcohols such as glycerin di(meth)acrylates, ester acrylate oligomers, 2-propenyl-di-3-butenyl cyanurate Cyanurate compounds having a carbon-carbon double bond-containing group such as tris (2-acryloxyethyl) isocyanurate, tris (2-methacryloxyethyl) isocyanurate, 2-hydroxyethyl bis (2-acrylic oxyethyl) isocyanurate, bis(2-acryloxyethyl) 2-[(5-acryloxyhexyl)-oxy]ethyl isocyanurate, tris(1,3-diacryloxy-2-propyl-oxycarbonylamino-n-hexyl ) isocyanurate, tris(1-acryloxyethyl-3-methacryloxy-2-propyl-oxycarbonylamino-n-hexyl)isocyanurate, tris(4-acryloxy-n-butyl)isocyanurate, and the like. Examples include isocyanurate compounds having a heavy bond-containing group, commercially available oligoester acrylates, aromatic and aliphatic urethane acrylates, bisphenol A epoxy acrylates, etc., and one or Two or more kinds can be used in combination. Among these, at least one of urethane acrylate and bisphenol A-based epoxy acrylate is preferably included. As a result, the curable resin can be cured more reliably by irradiation with energy rays. In addition, the magnitude of |BD|, which is the relational expression of the peeling strength of the adhesive tape 100, can be relatively easily set within the above range.

また、硬化性樹脂には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる2つ以上の硬化性樹脂が混合されているのが好ましい。このような硬化性樹脂を利用すれば、エネルギー線照射による樹脂の架橋度を容易に制御することができ、前記工程[5A]における半導体チップ本体部23(半導体チップ20)のピックアップ性を向上させることができる。また、このような硬化性樹脂として、例えば、第1の硬化性樹脂と、第1の硬化性樹脂よりも重量平均分子量が大きい第2の硬化性樹脂との混合物等が用いられてもよい。 The curable resin is not particularly limited, but it is preferable that two or more curable resins having different weight average molecular weights are mixed. By using such a curable resin, it is possible to easily control the degree of cross-linking of the resin by irradiation of the energy beam, thereby improving the pick-up property of the semiconductor chip main body 23 (semiconductor chip 20) in the step [5A]. be able to. As such a curable resin, for example, a mixture of a first curable resin and a second curable resin having a weight average molecular weight larger than that of the first curable resin may be used.

硬化性樹脂を、第1の硬化性樹脂と、第2の硬化性樹脂との混合物とする場合、第1の硬化性樹脂の重量平均分子量は、100~1000程度であることが好ましく、200~500程度であることがより好ましい。また、第2の硬化性樹脂の重量平均分子量は、1000~30000程度であることが好ましく、1000~10000程度であることがより好ましく、2000~5000程度であることがさらに好ましい。さらに、第1の硬化性樹脂の官能基数は、1~5官能基であることが好ましく、第2の硬化性樹脂の官能基数は、6官能基以上であることが好ましい。かかる関係を満足することにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。 When the curable resin is a mixture of the first curable resin and the second curable resin, the weight average molecular weight of the first curable resin is preferably about 100 to 1000, preferably 200 to About 500 is more preferable. The weight average molecular weight of the second curable resin is preferably about 1,000 to 30,000, more preferably about 1,000 to 10,000, even more preferably about 2,000 to 5,000. Furthermore, the number of functional groups in the first curable resin is preferably 1 to 5, and the number of functional groups in the second curable resin is preferably 6 or more. By satisfying this relationship, the above effects can be exhibited more remarkably.

硬化性樹脂は、ベース樹脂100重量部に対して30重量部以上200重量部以下で配合されることが好ましく、50重量部以上140重量部以下で配合されることがより好ましい。これにより、樹脂組成物中に、硬化性樹脂およびベース樹脂を、それぞれ添加することにより発揮される機能を、硬化性樹脂とベース樹脂との双方に確実に発揮させることができる。 The curable resin is preferably blended in an amount of 30 to 200 parts by weight, more preferably 50 to 140 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base resin. As a result, both the curable resin and the base resin can reliably exhibit the functions achieved by adding the curable resin and the base resin to the resin composition.

なお、この硬化性樹脂は、前述したアクリル系樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素-炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略するようにしてもよい。これは、アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素-炭素二重結合の機能によって、粘着層2が硬化し、これにより、粘着層2の粘着力が低下することによる。 In addition, when a double bond-introduced acrylic resin is used as the acrylic resin described above, this curable resin has a carbon-carbon double bond in the side chain, in the main chain, or at the end of the main chain. In the case of using one already possessed, the addition to the resin composition may be omitted. This is because, when the acrylic resin is a double bond-introduced acrylic resin, the adhesive layer 2 is activated by the function of the carbon-carbon double bond of the double bond-introduced acrylic resin by irradiation with energy rays. hardens, thereby reducing the adhesive strength of the adhesive layer 2 .

(3)光重合開始剤
また、粘着層2は、エネルギー線の照射により半導体基板7に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、粘着層2を構成する樹脂組成物には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。
(3) Photopolymerization Initiator In addition, the adhesive layer 2 decreases its adhesiveness to the semiconductor substrate 7 when irradiated with energy rays. The resin composition preferably contains a photopolymerization initiator in order to facilitate initiation of polymerization of the curable resin.

光重合開始剤としては、例えば、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、1-[4-(2-ヒドロキシエトキシ)-フェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン、2-ヒドロキシ-1-{4-[4-(2-ヒドロキシ-2-メチル-プロピオニル)-ベンジル]フェニル}-2-メチル-プロパン-1-オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、4-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル(2-ヒドロキシ-2-プロピル)ケトン、α-ヒドロキシ-α,α’-ジメチルアセトフェノン、2-メチル-2-ヒドロキシプロピオフェノン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、2-メチル-1-[4-(メチルチオ)-フェニル]-2-モルホリノプロパン-1、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、2-ヒドロキシメチルフェニルプロパン、2-ナフタレンスルホニルクロリド、1-フェノン-1,1-プロパンジオン-2-(o-エトキシカルボニル)オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、4,4’-ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4’-ジエチルアミノベンゾフェノン、4,4’-ジクロロベンゾフェノン、3,3’-ジメチル-4-メトキシベンゾフェノン、o-アクリルオキシベンゾフェノン、p-アクリルオキシベンゾフェノン、o-メタクリルオキシベンゾフェノン、p-メタクリルオキシベンゾフェノン、p-(メタ)アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、1,4-ブタンジオールモノ(メタ)アクリラート、1,2-エタンジオールモノ(メタ)アクリラート、1,8-オクタンジオールモノ(メタ)アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン-4-カルボン酸エステル、チオキサンソン、2-クロロチオキサンソン、2-メチルチオキサンソン、2,4-ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4-ジクロロチオキサンソン、2,4-ジエチルチオキサンソン、2,4-ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β-クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、2-エチルアントラキノン、t-ブチルアントラキノン、2,4,5-トリアリールイミダゾール二量体等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of photopolymerization initiators include 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 1-[4-(2-hydroxyethoxy)-phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1 -propan-1-one, 2-hydroxy-1-{4-[4-(2-hydroxy-2-methyl-propionyl)-benzyl]phenyl}-2-methyl-propan-1-one, benzyldiphenylsulfide, Tetramethylthiuram monosulfide, 4-(2-hydroxyethoxy)phenyl(2-hydroxy-2-propyl)ketone, α-hydroxy-α,α'-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropiophenone, 1 -hydroxycyclohexylphenyl ketone, Michler's ketone, acetophenone, methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1-[4-(methylthio)-phenyl]-2- Morpholinopropane-1, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin propyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzyl, benzoin, dibenzyl, α-hydroxycyclohexylphenyl ketone, benzyldimethylketal, 2-hydroxymethylphenylpropane, 2 -naphthalenesulfonyl chloride, 1-phenone-1,1-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime, benzophenone, benzoylbenzoic acid, 4,4'-dimethylaminobenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, 4 ,4'-dichlorobenzophenone, 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone, o-acryloxybenzophenone, p-acryloxybenzophenone, o-methacryloxybenzophenone, p-methacryloxybenzophenone, p-(meth)acryloxy Benzophenone-4-carboxylic acid esters of acrylates such as ethoxybenzophenone, 1,4-butanediol mono(meth)acrylate, 1,2-ethanediol mono(meth)acrylate, 1,8-octanediol mono(meth)acrylate , thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone 2,4-diisopropylthioxanthone, azobisisobutyronitrile, β-chloroanthraquinone, camphorquinone, halogenated ketones, acylphosphinoxide, acylphosphonate, polyvinylbenzophenone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, 2-ethylanthraquinone, t-butylanthraquinone, 2,4,5-triarylimidazole dimer, etc., and one or more of these may be used in combination. .

また、これらの中でも、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体であることが好ましい。これらの化合物は分子中に反応性官能基として水酸基を備えるものであり、この反応性官能基を介して、ベース樹脂や硬化性樹脂に連結することができ、光重合開始剤としての機能をより確実に発揮させることができる。 Among these, benzophenone derivatives and alkylphenone derivatives are preferred. These compounds have a hydroxyl group as a reactive functional group in the molecule, and can be linked to a base resin or a curable resin via this reactive functional group, thereby enhancing their function as a photopolymerization initiator. You can make it work for sure.

光重合開始剤は、ベース樹脂100重量部に対して0.1重量部以上50重量部以下で配合されることが好ましく、0.5重量部以上10重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように光重合開始剤の配合量を調整することによって、樹脂組成物中に、光重合開始剤を添加することにより発揮される機能を、光重合開始剤に確実に発揮させることができる。 The photopolymerization initiator is preferably blended in an amount of 0.1 parts by weight or more and 50 parts by weight or less, more preferably 0.5 parts by weight or more and 10 parts by weight or less per 100 parts by weight of the base resin. . By adjusting the blending amount of the photopolymerization initiator as described above, the function exhibited by adding the photopolymerization initiator to the resin composition can be reliably exhibited by the photopolymerization initiator. .

(4)架橋剤
さらに、粘着層2を構成する樹脂組成物には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、粘着層2を適度な硬さを有するものに調整することができる。また、粘着テープ100の前記引き剥がし強度の関係式である|B-D|の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。
(4) Cross-linking agent Further, the resin composition forming the adhesive layer 2 may contain a cross-linking agent. By containing the cross-linking agent, the pressure-sensitive adhesive layer 2 can be adjusted to have appropriate hardness. In addition, the magnitude of |BD|, which is the relational expression of the peeling strength of the adhesive tape 100, can be relatively easily set within the above range.

架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。 The cross-linking agent is not particularly limited. Examples include metal chelate-based cross-linking agents, acid anhydride-based cross-linking agents, polyamine-based cross-linking agents, and carboxyl group-containing polymer-based cross-linking agents. Among these, isocyanate-based cross-linking agents are preferred.

イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。 Examples of the isocyanate-based cross-linking agent include, but are not limited to, a polyisocyanate compound of a polyisocyanate, a trimer of the polyisocyanate compound, and a trimer of a terminal isocyanate compound obtained by reacting a polyisocyanate compound with a polyol compound. Alternatively, a blocked polyisocyanate compound obtained by blocking a terminal isocyanate urethane prepolymer with phenol, oximes, or the like can be used.

また、多価イソシアネートとして、例えば、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,4-キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-2,4’-ジイソシアネート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-2,4’-ジイソシアネート、4,4’-ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4’-〔2,2-ビス(4-フェノキシフェニル)プロパン〕ジイソシアネート、2,2,4-トリメチル-ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも2,4-トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネートおよびヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも1種の多価イソシアネートが好ましい。 Examples of polyvalent isocyanates include 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, diphenylmethane -2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, 4,4'-diphenyl ether diisocyanate, 4 ,4′-[2,2-bis(4-phenoxyphenyl)propane]diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate and the like, and one or more of these are used in combination. be able to. Among these, at least one polyvalent isocyanate selected from the group consisting of 2,4-tolylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate and hexamethylene diisocyanate is preferred.

架橋剤は、ベース樹脂100重量部に対して0.01重量部以上50重量部以下で配合されることが好ましく、5重量部以上50重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することで、樹脂組成物中に、架橋剤を添加することにより発揮される機能を、架橋剤に確実に発揮させることができる。 The cross-linking agent is preferably blended in an amount of 0.01 to 50 parts by weight, more preferably 5 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base resin. By adjusting the blending amount of the cross-linking agent as described above, the cross-linking agent can reliably exhibit the function exhibited by adding the cross-linking agent to the resin composition.

(5)可塑剤
可塑剤は、粘着力がエネルギーの付与により低下する粘着層2において、その柔軟性を向上させることで、粘着テープ100に対する半導体基板7の粘着力を優れたものとし、その結果、前記引き剥がし強度の関係式である|B-D|の大きさを、比較的容易に前記範囲内に設定することができるため、粘着層2、すなわち、樹脂組成物中に含まれることが好ましい。
(5) Plasticizer The plasticizer improves the flexibility of the adhesive layer 2 whose adhesive strength is reduced by the application of energy, thereby improving the adhesive strength of the semiconductor substrate 7 to the adhesive tape 100. As a result, , the size of |BD|, which is the relational expression of the peel strength, can be relatively easily set within the range, so that the adhesive layer 2, that is, the resin composition can contain preferable.

この可塑剤としては、特に限定されないが、例えば、DOP(ジオクチルフタレート)、DBP(ジブチルフタレート)、DIBP(ジイソブチルフタレート)、DHP(ジヘプチルフタレート)のようなフタル酸エステル系可塑剤、DOA(ジ-2-エチルヘキシルアジペート)、DIDA(ジイソデシルアジペート)、DOS(ジ-2-エチルヘキシルセバセート)のような脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤、エチレングリコールのベンゾエート類のような芳香族カルボン酸エステル系可塑剤、およびTOTM(トリオクチルトリメリテート)のようなトリメリット酸エステル系可塑剤、アジピン酸エステル系可塑剤等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the plasticizer include, but are not limited to, phthalate plasticizers such as DOP (dioctyl phthalate), DBP (dibutyl phthalate), DIBP (diisobutyl phthalate), DHP (diheptyl phthalate), DOA (di -2-ethylhexyl adipate), DIDA (diisodecyl adipate), DOS (di-2-ethylhexyl sebacate) and other aliphatic dibasic acid ester plasticizers, aromatic carboxylic acid esters such as ethylene glycol benzoates Plasticizers, trimellitic acid ester plasticizers such as TOTM (trioctyl trimellitate), adipate plasticizers, etc., may be used alone or in combination of two or more thereof. can.

粘着層2すなわち樹脂組成物中における可塑剤の含有率は、特に限定されないが、例えば、ベース樹脂100重量部に対して0.1重量部以上5.0重量部以下で配合されることが好ましく、0.5重量部以上3.0重量部以下で配合されることがより好ましい。これにより、粘着層2の柔軟性を確実に向上させることができるため、前記引き剥がし強度の関係式である|B-D|の大きさを、容易に前記範囲内に設定することができる。 The content of the plasticizer in the adhesive layer 2, i.e., the resin composition, is not particularly limited, but for example, it is preferably blended at 0.1 parts by weight or more and 5.0 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the base resin. , 0.5 parts by weight or more and 3.0 parts by weight or less. As a result, the flexibility of the adhesive layer 2 can be reliably improved, so that the magnitude of |BD|, which is the relational expression of the peeling strength, can be easily set within the above range.

(6)その他の成分
さらに、粘着層2を構成する樹脂組成物には、上述した各成分(1)~(5)の他に他の成分として、導電性材料、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも1種が含まれていてもよい。
(6) Other components Furthermore, the resin composition constituting the adhesive layer 2 contains, in addition to the components (1) to (5) described above, other components such as a conductive material, a tackifier, and an anti-aging agent. , adhesion modifiers, fillers, colorants, flame retardants, softeners, antioxidants, plasticizers, surfactants, and the like.

なお、これらのうち導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、前記基材4に含まれる導電性材料として説明したのと、同様のものを用いることができる。 Among these, the conductive material is not particularly limited as long as it has conductivity, and the same materials as those described as the conductive material contained in the base material 4 can be used.

このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程[3A]、および、前記ピックアップ工程[5A]における、半導体チップ20での静電気の発生が的確に抑制または防止される。 By containing such a conductive material, the conductive material functions as an antistatic agent, and the semiconductor chip 20 in the singulation step [3A] and the pick-up step [5A] generation of static electricity is accurately suppressed or prevented.

基材4および粘着層2のうちの一方に導電性材料を含有させる構成とする場合には、基材4に導電性材料を含有させることが好ましい。これにより、半導体チップ20に導電性材料を確実に付着させることなく、半導体チップ20での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。 When one of the substrate 4 and the adhesive layer 2 contains a conductive material, the substrate 4 preferably contains the conductive material. As a result, the generation of static electricity in the semiconductor chip 20 can be more accurately suppressed or prevented without reliably adhering the conductive material to the semiconductor chip 20 .

また、これらのうち粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Among these, the tackifier is not particularly limited, but for example, rosin resin, terpene resin, coumarone resin, phenol resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, aliphatic aromatic copolymer petroleum Resins and the like can be mentioned, and one or more of these can be used in combination.

以上のような、粘着層2に含まれる、成分(1)、(2)を必須成分とする各成分(1)~(6)の種類、および含有量を適宜選択することにより、前記引き剥がし強度B、Dの関係式|B-D|を、0≦|B-D|<110なる関係を満足するものとし得るが、前記関係式|B-D|は、0≦|B-D|<90なる関係を満足するのが好ましく、0≦|B-D|<50なる関係を満足するのがより好ましい。これにより、前記工程[5A]において、個片化された半導体チップ20をピックアップする際に、この半導体チップ20から粘着テープ100が剥離されるときの半導体チップ20と粘着テープ100とがなす角度に変化が生じたとしても、半導体チップ20から粘着テープ100を安定的に剥離させて、半導体チップ20をピックアップすることができる。 As described above, by appropriately selecting the types and contents of the components (1) to (6) containing the components (1) and (2) as essential components contained in the adhesive layer 2, the peeling off The relational expression |B−D| between the intensities B and D may satisfy the relationship 0≦|B−D|<110, but the relational expression |B−D| It preferably satisfies the relationship of <90, and more preferably satisfies the relationship of 0≦|BD|<50. As a result, in the step [5A], when picking up the individualized semiconductor chip 20, the angle formed by the semiconductor chip 20 and the adhesive tape 100 when the adhesive tape 100 is peeled off from the semiconductor chip 20 Even if a change occurs, the semiconductor chip 20 can be picked up by stably peeling off the adhesive tape 100 from the semiconductor chip 20 .

さらに、23℃の環境下で、粘着テープ100を30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度Bは、60cN/20mm以上400cN/20mm以下であることが好ましく、80cN/20mm以上170cN/20mm以下であることがより好ましい。前記引き剥がし強度Bの大きさがかかる範囲内に設定されていることにより、前記工程[5A]において、個片化された半導体チップ20をピックアップする際に、半導体チップ20と粘着テープ100とがなす角度が低くなったときにおいても、半導体チップ20から粘着テープ100を安定的に剥離させて、半導体チップ20をピックアップすることができる。 Furthermore, the peel strength B measured when the adhesive tape 100 is peeled off at a speed of 1000 mm / min in a direction of 30 ° in an environment of 23 ° C. is 60 cN / 20 mm or more and 400 cN / 20 mm or less. 80 cN/20 mm or more and 170 cN/20 mm or less is more preferable. Since the magnitude of the peeling strength B is set within such a range, the semiconductor chip 20 and the adhesive tape 100 are separated from each other when picking up the separated semiconductor chip 20 in the step [5A]. Even when the formed angle becomes low, the semiconductor chip 20 can be picked up by stably peeling off the adhesive tape 100 from the semiconductor chip 20 .

また、23℃の環境下で、粘着テープ100を180°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度Dは、60cN/20mm以上400cN/20mm以下であることが好ましく、80cN/20mm以上170cN/20mm以下であることがより好ましい。前記引き剥がし強度Dの大きさがかかる範囲内に設定されていることにより、前記工程[5A]において、個片化された半導体チップ20をピックアップする際に、半導体チップ20と粘着テープ100とがなす角度が高くなったときにおいても、半導体チップ20から粘着テープ100を安定的に剥離させて、半導体チップ20をピックアップすることができる。 In addition, the peel strength D measured when the adhesive tape 100 is peeled off at a speed of 1000 mm/min in a direction of 180° in an environment of 23° C. is 60 cN/20 mm or more and 400 cN/20 mm or less. 80 cN/20 mm or more and 170 cN/20 mm or less is more preferable. Since the magnitude of the peeling strength D is set within such a range, the semiconductor chip 20 and the adhesive tape 100 are separated from each other when picking up the separated semiconductor chip 20 in the step [5A]. Even when the formed angle becomes high, the semiconductor chip 20 can be picked up by stably peeling off the adhesive tape 100 from the semiconductor chip 20 .

また、表面を#2000研磨した、シリコンウエハの前記表面に、幅20mmの粘着テープ100を貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、粘着層2へのエネルギーの付与後において、23℃の環境下で、粘着テープ100の一端を持ち、30°の方向にて300mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をA[cN/20mm]とし、180°の方向にて300mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をC[cN/20mm]としたとき、0≦|A-C|<60なる関係を満足することが好ましく、0≦|A-C|<40なる関係を満足するのがより好ましい。 In addition, an adhesive tape 100 with a width of 20 mm was attached to the surface of the silicon wafer whose surface was polished by #2000, and then held at 23 ° C. for 1 hour. After applying energy to the adhesive layer 2, , in an environment of 23 ° C., the peel strength measured when holding one end of the adhesive tape 100 and peeling it off at a speed of 300 mm / min in the direction of 30 ° is A [cN / 20 mm], 180 ° When the peel strength measured when peeled off at a speed of 300 mm / min in the direction of is C [cN / 20 mm], it is preferable to satisfy the relationship 0 ≤ | AC | < 60, It is more preferable to satisfy the relationship 0≦|A−C|<40.

ここで、前記工程[5A]において、半導体チップ20をピックアップする際のピックアップ速度、すなわち、半導体チップ20から粘着テープ100を剥離させる剥離速度(引き剥がし速度)が、半導体チップ20の種類や大きさ等に応じて変化することがある。そのため、半導体チップ20から粘着テープ100を剥離させる剥離速度が1000mm/分とは異なる300mm/分における、引き剥がし強度A、Cの関係式|A-C|が前記範囲内に設定されることにより、前記工程[5A]において、個片化された半導体チップ20をピックアップする際に、この半導体チップ20をピックアップする際の速度が比較的遅く設定されていたとしても、半導体チップ20から粘着テープ100をより安定的に剥離させて、半導体チップ20をピックアップすることができる。 Here, in the step [5A], the pickup speed when picking up the semiconductor chip 20, that is, the peeling speed (peeling speed) for peeling the adhesive tape 100 from the semiconductor chip 20, depends on the type and size of the semiconductor chip 20. etc., may change. Therefore, by setting the relational expression |AC| , in the step [5A], when picking up the separated semiconductor chips 20, even if the speed for picking up the semiconductor chips 20 is set relatively slow, the adhesive tape 100 is removed from the semiconductor chips 20. can be stably peeled off and the semiconductor chip 20 can be picked up.

また、23℃の環境下で、粘着テープ100を30°の方向にて300mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度Aは、60cN/20mm以上400cN/20mm以下であることが好ましく、80cN/20mm以上170cN/20mm以下であることがより好ましい。前記引き剥がし強度Aの大きさがかかる範囲内に設定されていることにより、前記工程[5A]において、個片化された半導体チップ20をピックアップする際に、半導体チップ20と粘着テープ100とがなす角度が低くなったときにおいても、半導体チップ20から粘着テープ100を安定的に剥離させて、半導体チップ20をピックアップすることができる。 In addition, the peel strength A measured when the adhesive tape 100 is peeled off at a speed of 300 mm/min in a direction of 30° in an environment of 23° C. is 60 cN/20 mm or more and 400 cN/20 mm or less. 80 cN/20 mm or more and 170 cN/20 mm or less is more preferable. Since the magnitude of the peeling strength A is set within such a range, the semiconductor chip 20 and the adhesive tape 100 are separated from each other when picking up the separated semiconductor chip 20 in the step [5A]. Even when the formed angle becomes low, the semiconductor chip 20 can be picked up by stably peeling off the adhesive tape 100 from the semiconductor chip 20 .

さらに、23℃の環境下で、粘着テープ100を180°の方向にて300mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度Cは、60cN/20mm以上400cN/20mm以下であることが好ましく、80cN/20mm以上170cN/20mm以下であることがより好ましい。前記引き剥がし強度Cの大きさがかかる範囲内に設定されていることにより、前記工程[5A]において、個片化された半導体チップ20をピックアップする際に、半導体チップ20と粘着テープ100とがなす角度が高くなったときにおいても、半導体チップ20から粘着テープ100を安定的に剥離させて、半導体チップ20をピックアップすることができる。 Furthermore, the peel strength C measured when the adhesive tape 100 is peeled off at a speed of 300 mm/min in a direction of 180° in an environment of 23° C. is 60 cN/20 mm or more and 400 cN/20 mm or less. 80 cN/20 mm or more and 170 cN/20 mm or less is more preferable. Since the magnitude of the peeling strength C is set within such a range, the semiconductor chip 20 and the adhesive tape 100 are separated from each other when picking up the separated semiconductor chip 20 in the step [5A]. Even when the formed angle becomes high, the semiconductor chip 20 can be picked up by stably peeling off the adhesive tape 100 from the semiconductor chip 20 .

また、半導体チップ20から粘着テープ100を剥離させる際の半導体チップ20と粘着テープ100とがなす角度が同一であるときに、半導体チップ20から粘着テープ100を剥離させる剥離速度(引き剥がし速度)ごとにおける引き剥がし強度のバラツキが、一定の範囲内に設定されていることが好ましい。これにより、個片化された半導体チップ20をピックアップする際に、この半導体チップ20をピックアップする際の速度に変化が生じたとしても、半導体チップ20から粘着テープ100を安定的に剥離させて、半導体チップ20をピックアップすることができる。 Also, when the angle formed by the semiconductor chip 20 and the adhesive tape 100 when peeling the adhesive tape 100 from the semiconductor chip 20 is the same, the peeling speed (peeling speed) for peeling the adhesive tape 100 from the semiconductor chip 20 It is preferable that the variation in the peeling strength in is set within a certain range. As a result, when picking up the individualized semiconductor chips 20, even if the speed at which the semiconductor chips 20 are picked up changes, the adhesive tape 100 can be stably peeled off from the semiconductor chips 20. A semiconductor chip 20 can be picked up.

そこで、本発明では、粘着テープ100を30°の方向にて300mm/分または1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度A、Bのバラツキの程度を示す関係式B/Aは、0.90≦B/A≦1.20なる関係を満足するのが好ましく、1.00≦B/A≦1.10なる関係を満足するのがより好ましい。 Therefore, in the present invention, the relationship B /A preferably satisfies the relationship 0.90≦B/A≦1.20, and more preferably satisfies the relationship 1.00≦B/A≦1.10.

また、粘着テープ100を180°の方向にて300mm/分または1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度C、Dのバラツキの程度を示す関係式D/Cは、0.90≦D/C≦1.20なる関係を満足するのが好ましく、1.00≦D/C≦1.10なる関係を満足するのがより好ましい。 In addition, the relational expression D/C, which indicates the degree of variation in the peeling strengths C and D measured when the adhesive tape 100 is peeled off in the direction of 180° at a speed of 300 mm/min or 1000 mm/min, is It preferably satisfies the relationship 0.90≤D/C≤1.20, and more preferably satisfies the relationship 1.00≤D/C≤1.10.

関係式B/Aおよび関係式D/Cの大きさを前記範囲内に設定することで、半導体チップ20から粘着テープ100を剥離させる剥離速度(引き剥がし速度)ごとにおける引き剥がし強度のバラツキが、一定の範囲内に設定されていると言うことができるため、半導体チップ20をピックアップする際の速度に変化が生じたとしても、半導体チップ20から粘着テープ100をより安定的に剥離させて、半導体チップ20をピックアップすることができる。 By setting the magnitudes of the relational expression B/A and the relational expression D/C within the above ranges, variations in the peeling strength at each peeling speed (peeling speed) at which the adhesive tape 100 is peeled from the semiconductor chip 20 are Since it can be said that it is set within a certain range, even if the speed at which the semiconductor chip 20 is picked up changes, the adhesive tape 100 can be more stably peeled from the semiconductor chip 20 and the semiconductor chip 20 can be removed. A chip 20 can be picked up.

さらに、粘着層2は、エネルギーの付与後において、レオメーターを用いて、温度23℃、歪量1mrad、周波数1Hzで測定した複素粘度η(付与後、23℃)が1.0×10mPa・s以上6.0×10mPa・s以下であることが好ましく、1.0×10mPa・s以上1.0×10mPa・s以下であることがより好ましい。これにより、前記引き剥がし強度A、Cの関係式|A-C|および前記引き剥がし強度B、Dの関係式|B-D|を、比較的容易に前記範囲内に設定することができる。さらに、前記工程[3A]において、半導体チップ20の側面に対して粘着層2の一部が付着する糊残りの発生を、的確に抑制または防止することができる。 Furthermore, the pressure-sensitive adhesive layer 2 had a complex viscosity η * (at 23° C. after application) of 1.0×10 7 measured at a temperature of 23° C., a strain amount of 1 mrad, and a frequency of 1 Hz using a rheometer after applying energy. It is preferably mPa·s or more and 6.0×10 9 mPa·s or less, and more preferably 1.0×10 8 mPa·s or more and 1.0×10 9 mPa·s or less. Accordingly, the relational expression |AC| of the peeling strengths A and C and |BD| of the peeling strengths B and D can be relatively easily set within the above range. Furthermore, in the step [3A], it is possible to appropriately suppress or prevent the occurrence of adhesive residue, which is caused by part of the adhesive layer 2 adhering to the side surface of the semiconductor chip 20 .

また、粘着層2の厚さは、特に限定されないが、例えば、5μm以上50μm以下であるのが好ましく、5μm以上10μm以下であるのがより好ましい。粘着層2の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層2を、前記個片化工程[3A]において、半導体基板7に対する良好な粘着力を発揮し、かつ、前記ピックアップ工程[5A]において、粘着層2と半導体基板7との間において、良好な剥離性を発揮する程度の粘着性を備えるものとし得る。 Although the thickness of the adhesive layer 2 is not particularly limited, it is preferably 5 μm or more and 50 μm or less, and more preferably 5 μm or more and 10 μm or less. By setting the thickness of the adhesive layer 2 within such a range, the adhesive layer 2 exhibits good adhesive strength to the semiconductor substrate 7 in the singulation step [3A], and the pick-up step [5A]. , the adhesive layer 2 and the semiconductor substrate 7 can be provided with adhesiveness to the extent that good releasability is exhibited.

なお、粘着層2は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体(多層体)で構成されるものであってもよい。 The adhesive layer 2 may be composed of a laminate (multilayer body) in which a plurality of layers composed of different resin compositions are laminated.

さらに、基材4に粘着層2が積層された構成をなしている粘着テープ100において、この粘着テープ100を平面視で見たとき、基材4と粘着層2との界面に形成されている気泡は、面積が100μm以上のものの数が、15.0個/mm以下であることが好ましく、0.01個/mm以上7.0個/mm以下であることがより好ましく、0.1個/mm以上2.0個/mm以下であることがさらに好ましい。基材4と粘着層2との界面に形成されている気泡の数をコントロールして、面積が100μm以上のものの数を上記のように設定することで、前記工程[5A]において、半導体チップ20をピックアップして、半導体チップ20から粘着テープ100を剥離させる際に、半導体チップ20に糊残りが生じるのをより的確に抑制または防止することができる。 Furthermore, in the adhesive tape 100 having a structure in which the adhesive layer 2 is laminated on the base material 4, when the adhesive tape 100 is viewed from above, the adhesive layer 2 is formed at the interface between the base material 4 and the adhesive layer 2. The number of bubbles having an area of 100 μm 2 or more is preferably 15.0 cells/mm 2 or less, more preferably 0.01 cells/mm 2 or more and 7.0 cells/mm 2 or less, More preferably, it is 0.1 pieces/mm 2 or more and 2.0 pieces/mm 2 or less. By controlling the number of bubbles formed at the interface between the base material 4 and the adhesive layer 2 and setting the number of bubbles having an area of 100 μm 2 or more as described above, in the step [5A], the semiconductor chip When picking up the semiconductor chip 20 and peeling off the adhesive tape 100 from the semiconductor chip 20 , it is possible to more accurately suppress or prevent the adhesive residue from being left on the semiconductor chip 20 .

次に、かかる構成の粘着テープ100は、例えば、以下のようにして製造することができる。 Next, the pressure-sensitive adhesive tape 100 having such a configuration can be manufactured, for example, as follows.

<粘着テープの製造方法>
図7は、図6に示す粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図7中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<Method for manufacturing adhesive tape>
FIG. 7 is a longitudinal sectional view for explaining a method of manufacturing the adhesive tape shown in FIG. 6. FIG. In the following description, the upper side in FIG. 7 is called "upper", and the lower side is called "lower".

[1B]まず、基材4を用意する(図7(a)参照。)。
基材4の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、カレンダー法、インフレーション押出し法、Tダイ押出し法のような押出成形法、湿式キャスティング法等の一般的な成形方法が挙げられる。なお、基材4が積層体で構成される場合、かかる構成のその基材4の製造方法としては、例えば、共押出し法、ドライラミネート法等の成形方法が用いられる。
[1B] First, the substrate 4 is prepared (see FIG. 7(a)).
The method for manufacturing the substrate 4 is not particularly limited, but examples thereof include general molding methods such as calendaring, inflation extrusion, T-die extrusion, and wet casting. In addition, when the base material 4 is composed of a laminate, as a method for manufacturing the base material 4 having such a configuration, for example, a molding method such as a co-extrusion method or a dry lamination method is used.

また、基材4は、無延伸で用いることができ、さらに、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いるようにしてもよい。 Moreover, the base material 4 can be used without being stretched, and if necessary, it may be used after being uniaxially or biaxially stretched.

[2B]次に、基材4の上面に粘着層2を形成する(図7(b)参照。)。
基材4の表面(上面)には、基材4と粘着層2との密着性を向上させることを目的に、コロナ処理、クロム酸処理、マット処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理、プライマー処理、アンカーコート処理のような表面処理が施されていてもよい。
[2B] Next, the adhesive layer 2 is formed on the upper surface of the substrate 4 (see FIG. 7(b)).
The surface (upper surface) of the substrate 4 was subjected to corona treatment, chromic acid treatment, matte treatment, ozone exposure treatment, flame exposure treatment, and high voltage shock treatment for the purpose of improving the adhesion between the substrate 4 and the adhesive layer 2. Surface treatments such as exposure treatment, ionizing radiation treatment, primer treatment, and anchor coating treatment may be applied.

また、粘着層2は、基材4上に、粘着層2の構成材料である樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させることにより得ることができる。 In addition, the adhesive layer 2 is formed by coating or spraying a varnish-like liquid material obtained by dissolving a resin composition, which is a constituent material of the adhesive layer 2, on the base material 4, and then volatilizing the solvent. Obtainable.

なお、溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the solvent include, but are not particularly limited to, methyl ethyl ketone, acetone, toluene, ethyl acetate, dimethylformaldehyde, etc. One or more of these may be used in combination.

また、基材4上への液状材料の塗布または散布は、例えば、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコートおよびリップコート等の方法を用いて行うことができる。 Also, the application or spraying of the liquid material onto the base material 4 can be performed using methods such as die coating, curtain die coating, gravure coating, comma coating, bar coating and lip coating.

[3B]次に、基材4上に形成された粘着層2に対して、中心側と外周側とが分離されるように、粘着層2の厚さ方向に基材4を残存させて円環状に粘着層2の一部を除去することにより、粘着層2を中心部122と外周部121とを備えるものとする(図7(c)参照。)。 [3B] Next, with respect to the adhesive layer 2 formed on the base material 4, the base material 4 is left in the thickness direction of the adhesive layer 2 so that the center side and the outer peripheral side are separated. By removing a part of the adhesive layer 2 annularly, the adhesive layer 2 is provided with a central portion 122 and an outer peripheral portion 121 (see FIG. 7(c)).

粘着層2の一部を円環状に除去する方法としては、例えば、除去すべき領域を取り囲むように打ち抜いた後、この打ち抜かれた領域に位置する粘着層2を除去する方法が挙げられる。 As a method for removing a part of the adhesive layer 2 in an annular shape, for example, there is a method of punching so as to surround the area to be removed, and then removing the adhesive layer 2 located in this punched area.

また、除去すべき領域に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に粘着テープ100を製造することができるロール状金型を用いる方法が好ましい。 Also, the punching of the region to be removed can be performed by using, for example, a method using a roll-shaped mold or a method using a press mold. Among them, a method using a roll-shaped mold capable of continuously manufacturing the adhesive tape 100 is preferable.

なお、本工程では、粘着層2の一部をリング状(円形状)に打ち抜いて中心部122と外周部121とを形成したが、粘着層2の一部を打ち抜く形状は、前述した半導体装置の製造方法において、粘着層2の外周部121をウエハリングで固定できる形状となっていれば如何なる形状のものであってもよい。具体的には、打ち抜く形状としては、例えば、上述した円形状の他、楕円状、俵型状のような長円状や、四角形状、五角形状のような多角形状等が挙げられる。 In this step, part of the adhesive layer 2 is punched out in a ring shape (circular shape) to form the center part 122 and the outer peripheral part 121. In the manufacturing method of 1, any shape may be used as long as the outer peripheral portion 121 of the adhesive layer 2 can be fixed by the wafer ring. Specifically, examples of the shape to be punched include, in addition to the circular shape described above, an elliptical shape, an oval shape such as a bale shape, and a polygonal shape such as a square shape and a pentagonal shape.

[4B]次に、基材4上に形成された粘着層2に対して、セパレーター1を積層することにより、粘着層2がセパレーター1で被覆された粘着テープ100を得る(図7(d)参照。)。 [4B] Next, by laminating the separator 1 on the adhesive layer 2 formed on the substrate 4, an adhesive tape 100 in which the adhesive layer 2 is coated with the separator 1 is obtained (Fig. 7(d) reference.).

粘着層2にセパレーター1を積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができる。これらの中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。 The method for laminating the separator 1 on the adhesive layer 2 is not particularly limited, but for example, a lamination method using a roll or a lamination method using a press can be used. Among these, the lamination method using rolls is preferable from the viewpoint of productivity that enables continuous production.

なお、セパレーター1としては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。 The separator 1 is not particularly limited, but examples thereof include a polypropylene film, a polyethylene film, a polyethylene terephthalate film, and the like.

また、セパレーター1は、粘着テープ100の使用時に剥がされるために、表面を離型処理されたものを使用してもよい。離型処理としては離型剤をセパレーター1の表面にコーティングする処理や、セパレーター1の表面に細かい凹凸をつける処理等が挙げられる。なお、離型剤としては、シリコーン系、アルキッド系、フッ素系等のものが挙げられる。 Moreover, since the separator 1 is peeled off when the adhesive tape 100 is used, the separator 1 whose surface has been subjected to a release treatment may be used. Examples of the mold release treatment include a treatment of coating the surface of the separator 1 with a mold release agent, a treatment of making the surface of the separator 1 finely uneven, and the like. Examples of release agents include silicone-based, alkyd-based, fluorine-based, and the like.

以上のような工程を経て、セパレーター1で被覆された粘着テープ100を形成することができる。 The pressure-sensitive adhesive tape 100 coated with the separator 1 can be formed through the steps described above.

なお、本実施形態で製造されたセパレーター1で被覆された粘着テープ100は、前述した粘着テープ100を用いた半導体装置の製造方法において、粘着テープ100をセパレーター1から剥離した後に使用される。 The adhesive tape 100 coated with the separator 1 manufactured in this embodiment is used after the adhesive tape 100 is peeled off from the separator 1 in the above-described method for manufacturing a semiconductor device using the adhesive tape 100.

また、セパレーター1が被覆する粘着層2から、このセパレーター1を剥がす際には、粘着層2の面に対してセパレーター1を90°以上180°以下の角度で剥離を行うことが好ましい。セパレーター1を剥離する角度を前記範囲とすることで、粘着層2とセパレーター1との界面以外での剥離を確実に防止することができる。 When peeling off the separator 1 from the adhesive layer 2 covered by the separator 1, it is preferable to peel the separator 1 at an angle of 90° or more and 180° or less with respect to the surface of the adhesive layer 2. By setting the angle at which the separator 1 is peeled off within the range described above, the peeling at areas other than the interface between the adhesive layer 2 and the separator 1 can be reliably prevented.

以上、本発明の粘着テープについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。 Although the adhesive tape of the present invention has been described above, the present invention is not limited thereto.

例えば、本発明の粘着テープが備える各層には、同様の機能を発揮し得る、任意の成分が添加されていてもよく、あるいは、基材は、前記実施形態で説明したように、1層で構成されるものの他、複数の層で構成されるものであってもよく、例えば、前述した基材の粘着層とは反対側の面に、帯電防止層を備えるものであってもよい。 For example, each layer of the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention may be added with an optional component that can exhibit the same function, or the base material is a single layer as described in the above embodiment. In addition to the structure, it may be composed of a plurality of layers, and for example, an antistatic layer may be provided on the surface of the base material opposite to the adhesive layer.

また、粘着テープが備える各層の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。 In addition, the structure of each layer of the adhesive tape can be replaced with any one capable of exhibiting the same function, or any structure can be added.

さらに、粘着テープを用いて形成する半導体装置の構成によっては、半導体装置10が備えるモールド部17の形成を省略することもできる。 Furthermore, depending on the configuration of the semiconductor device formed using the adhesive tape, the formation of the mold portion 17 included in the semiconductor device 10 may be omitted.

また、粘着テープが貼付された半導体基板を厚さ方向に切断(ダイシング)することで、切断片すなわち部品として半導体チップを得る場合に限らず、粘着テープ上に基板を仮固定した状態で、基板を厚さ方向に切断することで部品を得た後に、部品を粘着テープから剥離させる必要が生じる各種の基板加工用途にも、本発明の粘着テープを適用することができる。本発明の粘着テープにより貼付される基板としては、上述した半導体基板(半導体用ウエハ)の他に、例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどのガラス基板、アルミナ、窒化ケイ素、酸化チタンなどのセラミック基板、アクリル、ポリカーボネート、ゴムなどの樹脂材料基板、金属材料基板等が挙げられる。 In addition, by cutting (dicing) the semiconductor substrate to which the adhesive tape is attached in the thickness direction, it is not limited to the case where the semiconductor chip is obtained as a cut piece, that is, a part, and the substrate is temporarily fixed on the adhesive tape. The adhesive tape of the present invention can also be applied to various substrate processing applications in which it is necessary to separate the parts from the adhesive tape after obtaining the parts by cutting in the thickness direction. Substrates to which the adhesive tape of the present invention is attached include, in addition to the semiconductor substrates (semiconductor wafers) described above, glass substrates such as soda lime glass, borosilicate glass, quartz glass, alumina, silicon nitride, and titanium oxide. and the like, resin material substrates such as acryl, polycarbonate, and rubber, metal material substrates, and the like.

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
Next, specific examples of the present invention will be described.
It should be noted that the present invention is not limited to the description of these examples.

1.原材料の準備
まず、各実施例および各比較例の粘着テープの製造に用いた原材料を以下に示す。
1. Preparation of Raw Materials First, the raw materials used for manufacturing the adhesive tapes of each example and each comparative example are shown below.

(オレフィン系樹脂1)
オレフィン系樹脂1として、低密度ポリエチレン(LDPE:住友化学社製、「スミカセンF200-0」、比重:0.92g/cm)を用意した。
(Olefin resin 1)
As the olefinic resin 1, low-density polyethylene (LDPE: “Sumikasen F200-0” manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., specific gravity: 0.92 g/cm 3 ) was prepared.

(帯電防止剤1)
帯電防止剤1として、ポリエーテル系帯電防止剤(三洋化成工業社製、「ペレクトロンPVL」)を用意した。
(Antistatic agent 1)
As the antistatic agent 1, a polyether-based antistatic agent (manufactured by Sanyo Chemical Industries, Ltd., "Pelectron PVL") was prepared.

(ベース樹脂1~5)
ベース樹脂1~5として、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸2-エチルヘキシル、アクリル酸、アクリル酸2-ヒドロキシエチル、N,N-ジメチルアクリルアミド、酢酸ビニルのうちの少なくとも2種を混合し、常法によりトルエン溶媒中にて溶液重合させて生成されたアクリル共重合体を用意した。
(Base resin 1-5)
As base resins 1 to 5, at least two of butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, acrylic acid, 2-hydroxyethyl acrylate, N,N-dimethylacrylamide, and vinyl acetate are mixed, An acrylic copolymer was prepared by solution polymerization in a toluene solvent by a conventional method.

なお、ベース樹脂(アクリル共重合体)1~5におけるガラス転移点および重量平均分子量は、以下に示す通りであった。 The glass transition points and weight average molecular weights of the base resins (acrylic copolymers) 1 to 5 were as shown below.

ベース樹脂1(ガラス転移点:-14℃、重量平均分子量:50万)
ベース樹脂2(ガラス転移点:-37℃、重量平均分子量:60万)
ベース樹脂3(ガラス転移点:-45℃、重量平均分子量:50万)
ベース樹脂4(ガラス転移点:-10℃、重量平均分子量:65万)
ベース樹脂5(ガラス転移点:-60℃、重量平均分子量:50万)
Base resin 1 (glass transition point: -14°C, weight average molecular weight: 500,000)
Base resin 2 (glass transition point: -37°C, weight average molecular weight: 600,000)
Base resin 3 (glass transition point: -45°C, weight average molecular weight: 500,000)
Base resin 4 (glass transition point: -10°C, weight average molecular weight: 650,000)
Base resin 5 (glass transition point: -60°C, weight average molecular weight: 500,000)

(硬化性樹脂1)
硬化性樹脂1として、ウレタンアクリレート1(日本化薬社製、品番:UX-5000)を用意した。
(Curable resin 1)
Urethane acrylate 1 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., product number: UX-5000) was prepared as curable resin 1.

(硬化性樹脂2)
硬化性樹脂2として、ウレタンアクリレート2(Miwon Specialty Chemical社製、品番:SC2152)を用意した。
(Curable resin 2)
Urethane acrylate 2 (manufactured by Miwon Specialty Chemical, product number: SC2152) was prepared as the curable resin 2 .

(硬化性樹脂3)
硬化性樹脂3として、ビスA型エポキシアクリレート1(日本化薬社製、品番:R-130)を用意した。
(Curable resin 3)
As curable resin 3, bis A type epoxy acrylate 1 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., product number: R-130) was prepared.

(架橋剤1)
架橋剤1として、ポリイソシアネート(東ソー社製、品番:コロネートL)を用意した。
(Crosslinking agent 1)
As the cross-linking agent 1, polyisocyanate (manufactured by Tosoh Corporation, product number: Coronate L) was prepared.

(光重合開始剤1)
光重合開始剤1として、ベンジルジメチルケタール(東京化成工業社製)を用意した。
(Photoinitiator 1)
As a photoinitiator 1, benzyl dimethyl ketal (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was prepared.

(可塑剤1)
可塑剤1として、ポリエステル系可塑剤(DIC社製、品番:W-230H)を用意した。
(Plasticizer 1)
As the plasticizer 1, a polyester plasticizer (manufactured by DIC, product number: W-230H) was prepared.

2.粘着テープの作製
[実施例1]
オレフィン系樹脂1を押出し機で押し出して、厚さ100μmの基材4を作製した。
2. Preparation of adhesive tape [Example 1]
An olefinic resin 1 was extruded by an extruder to prepare a substrate 4 having a thickness of 100 μm.

次に、ベース樹脂1(100重量部)、硬化性樹脂1(92重量部)、架橋剤1(10重量部)、光重合開始剤1(4重量部)および可塑剤1(2重量部)が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層2の厚さが20μmになるようにして基材4にバーコート塗工した後、80℃で1分間乾燥させて、基材4の上面(一方の面)に、厚さ10μmの粘着層2を形成することで、実施例1の粘着テープ100を得た。 Next, base resin 1 (100 parts by weight), curable resin 1 (92 parts by weight), cross-linking agent 1 (10 parts by weight), photoinitiator 1 (4 parts by weight) and plasticizer 1 (2 parts by weight) A liquid material containing a resin composition containing was prepared. This liquid material is bar-coated on the base material 4 so that the thickness of the adhesive layer 2 after drying is 20 μm, and then dried at 80° C. for 1 minute. ) to obtain an adhesive tape 100 of Example 1 by forming an adhesive layer 2 having a thickness of 10 μm.

なお、粘着テープ100が備える粘着層2について、紫外線照度:55W/cm、紫外線照射量:200mj/cmの条件で粘着層2に紫外線を照射するエネルギーの付与後において、レオメーター(アントンパール社製、「MCR102」)を用いて、温度23℃、歪量1mrad、周波数1Hzで複素粘度η(付与後、23℃)を測定したところ、7.5E+08mPa・sであった。 Regarding the adhesive layer 2 included in the adhesive tape 100, after applying energy for irradiating the adhesive layer 2 with ultraviolet rays under the conditions of ultraviolet irradiation intensity: 55 W / cm 2 and ultraviolet irradiation amount: 200 mj / cm 2 , rheometer (Anton Pearl The complex viscosity η * (at 23° C. after application) was measured at a temperature of 23° C., a strain amount of 1 mrad, and a frequency of 1 Hz using a “MCR102” manufactured by Co., Ltd., and it was 7.5E+08 mPa·s.

[実施例2~5、比較例1、2]
基材4の形成に用いた樹脂組成物中に含まれる各構成材料、および、粘着層2の形成に用いた樹脂組成物中に含まれる各構成材料として、表1に示すものを用い、さらに、各構成材料の含有量を表1に示すように変更して、表1に示す厚さの基材4および粘着層2を形成したこと以外は、前記実施例1と同様にして、実施例2~5、比較例1、2の粘着テープを作製した。
[Examples 2 to 5, Comparative Examples 1 and 2]
As each constituent material contained in the resin composition used for forming the base material 4 and each constituent material contained in the resin composition used for forming the adhesive layer 2, those shown in Table 1 are used, and further , Except that the content of each constituent material was changed as shown in Table 1, and the base material 4 and the adhesive layer 2 having the thicknesses shown in Table 1 were formed in the same manner as in Example 1, Example 2 to 5 and Comparative Examples 1 and 2 were produced.

3.評価
得られた各実施例および各比較例の粘着テープを、以下の方法で評価した。
3. Evaluation The obtained adhesive tapes of Examples and Comparative Examples were evaluated by the following methods.

3-1.基材の抵抗率の評価
各実施例および各比較例の粘着テープについて、その基材4における粘着層2と反対側の表面抵抗率を、それぞれ、JIS K 6911に従って、抵抗値測定装置(アドバンテスト社製、「R8340」)を用いて測定した。
3-1. Evaluation of resistivity of base material For the adhesive tapes of each example and each comparative example, the surface resistivity of the side opposite to the adhesive layer 2 on the base material 4 was measured according to JIS K 6911 with a resistance value measuring device (Advantest Co., Ltd.). manufactured by "R8340").

3-2.シリコンウエハからの引き剥がし強度の測定
各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、紫外線照度:55W/cm、紫外線照射量:200mj/cmの条件で粘着層2に紫外線を照射するエネルギーの付与後において、23℃の環境下で、粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度B(ピール強度B)を、前記剥離解析装置を用いて測定した。
3-2. Measurement of Peeling Strength from Silicon Wafer For the adhesive tapes of each example and each comparative example, the adhesive layer 2 was irradiated with ultraviolet rays under the conditions of an ultraviolet irradiation intensity of 55 W/cm 2 and an ultraviolet irradiation amount of 200 mj/cm 2 . After applying energy, the peel strength B (peel strength B) measured when holding one end of the adhesive tape and peeling it off at a speed of 1000 mm / min in the direction of 30 ° in an environment of 23 ° C. , was measured using the peel analyzer.

さらに、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、紫外線照度:55W/cm、紫外線照射量:200mj/cmの条件で粘着層2に紫外線を照射するエネルギーの付与後において、23℃の環境下で、粘着テープの一端を持ち、180°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度D(ピール強度D)を、前記剥離解析装置を用いて測定した。 Furthermore, for the adhesive tapes of each example and each comparative example, after applying energy for irradiating ultraviolet rays to the adhesive layer 2 under the conditions of ultraviolet irradiance: 55 W/cm 2 and ultraviolet irradiation amount: 200 mj/cm 2 , 23 The peel strength D (peel strength D) measured when holding one end of the adhesive tape and peeling it off at a speed of 1000 mm / min in the direction of 180 ° in an environment of ° C. is measured using the peel analysis device. measured by

そして、測定された引き剥がし強度Bおよび引き剥がし強度Dに基づいて、これらの差の絶対値の関係を示す関係式|B-D|を求めた。 Then, based on the measured peeling strength B and peeling strength D, a relational expression |BD| indicating the relationship between the absolute values of these differences was obtained.

また、各実施例および各比較例の幅を20mmとした粘着テープを、それぞれ、表面を#2000研磨した直径6インチ、厚さ500μmのシリコンウエハの前記表面に、貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、紫外線照度:55W/cm、紫外線照射量:200mj/cmの条件で粘着層2に紫外線を照射するエネルギーの付与後において、JIS G 3469に準拠して、23℃の環境下で、粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて300mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度A(ピール強度A)を、剥離解析装置(協和界面科学社製、「VPA-H100」)を用いて測定した。 In addition, the adhesive tape of each example and each comparative example having a width of 20 mm was attached to the surface of a silicon wafer having a diameter of 6 inches and a thickness of 500 μm, the surface of which was polished with #2000. After being held for 1 hour, after applying energy for irradiating the adhesive layer 2 with ultraviolet rays under the conditions of ultraviolet irradiation intensity: 55 W/cm 2 and ultraviolet irradiation amount: 200 mj/cm 2 , in accordance with JIS G 3469, In an environment of 23 ° C., hold one end of the adhesive tape and peel it off at a speed of 300 mm / min in the direction of 30 °. It was measured using “VPA-H100” manufactured by Interface Science Co., Ltd.).

また、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、紫外線照度:55W/cm、紫外線照射量:200mj/cmの条件で粘着層2に紫外線を照射するエネルギーの付与後において、23℃の環境下で、粘着テープの一端を持ち、180°の方向にて300mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度C(ピール強度C)を、前記剥離解析装置を用いて測定した。 Further, for the adhesive tapes of each example and each comparative example, after applying energy for irradiating ultraviolet rays to the adhesive layer 2 under the conditions of ultraviolet irradiance: 55 W/cm 2 and ultraviolet irradiation amount: 200 mj/cm 2 , 23 The peel strength C (peel strength C) measured when holding one end of the adhesive tape and peeling it off at a speed of 300 mm / min in the direction of 180 ° in an environment of ° C. is measured using the peel analysis device. measured by

そして、測定された引き剥がし強度Aおよび引き剥がし強度Cに基づいて、これらの差の絶対値の関係を示す関係式|A-C|を求めた。 Then, based on the measured peeling strength A and peeling strength C, a relational expression |AC| indicating the relationship between the absolute values of these differences was obtained.

3-3.シリコンチップのピックアップ性および隣接するチップの剥離性の評価
<1>シリコンで構成されるシリコンウエハ(SUMCO社製)を用意し、常法により削りして厚さ230μmのこのシリコンウエハを得た後、厚さ200μmに#2000番ホイールにて研削した後の研削面に、各実施例および各比較例の粘着テープ100を、粘着層2をシリコンウエハ側にして固定した。その後、シリコンウエハを厚さ方向に基材4の途中に到達するまで切断して個片化することで縦6mm×横6mmの大きさの複数のシリコンチップを得た。その後、粘着層2に紫外線照度:55W/cm、紫外線照射量:200mj/cmの条件で紫外線を照射することでエネルギーを付与して粘着層2を硬化させた。
3-3. Evaluation of pick-up property of silicon chip and peelability of adjacent chip <1> After preparing a silicon wafer (manufactured by SUMCO) composed of silicon and grinding it by a conventional method to obtain this silicon wafer with a thickness of 230 μm. , the adhesive tape 100 of each example and each comparative example was fixed to the ground surface after grinding with a #2000 wheel to a thickness of 200 μm with the adhesive layer 2 facing the silicon wafer. After that, the silicon wafer was cut in the thickness direction until it reached the middle of the base material 4 to obtain a plurality of silicon chips each having a size of 6 mm long and 6 mm wide. After that, the adhesive layer 2 was irradiated with ultraviolet rays under the conditions of an ultraviolet irradiation intensity of 55 W/cm 2 and an ultraviolet irradiation amount of 200 mj/cm 2 to impart energy and cure the adhesive layer 2 .

<2>次いで、シリコンチップを、先端直径が100μmの4つのニードルを用いて、ニードルの突き上げ量500[μm]として、突き上げた。 <2> Next, the silicon chip was pushed up using four needles each having a tip diameter of 100 μm with a needle pushing-up amount of 500 [μm].

<3>次いで、ニードルによるシリコンチップの突き上げを維持した状態で、真空コレットによる吸着により、シリコンチップをピックアップした。 <3> Next, the silicon chip was picked up by suction with a vacuum collet while the silicon chip was being pushed up by the needle.

以上のような工程<1>~<3>を経ることで、吸着によるシリコンチップのピックアップを、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ、50個ずつ繰り返して実施した。 By going through the steps <1> to <3> as described above, 50 silicon chips were repeatedly picked up by suction for each adhesive tape of each example and each comparative example.

なお、工程<2>における、ニードルによるシリコンチップの突き上げの際に、ニードルを突き上げる突き上げ速度を、300mm/分~1000mm/分の間で5段階に変化させ、各段階の速度において、10個ずつシリコンチップのピックアップを実施した。 In step <2>, when pushing up the silicon chip with the needle, the push-up speed of the needle was changed in 5 steps between 300 mm/min and 1000 mm/min, and 10 chips were set at each step speed. A pick-up of a silicon chip was carried out.

そして、各実施例および各比較例の粘着テープについて、それぞれ得られたシリコンチップについて、シリコンチップの吸着によるピックアップの成否(ピックアップ性)と、ピックアップしたシリコンチップに隣接するシリコンチップにおける粘着テープの剥離の有無(隣接チップの剥離性)とを観察し、これらを、以下の基準にしたがって評価した。 Then, regarding the adhesive tapes of each example and each comparative example, regarding the obtained silicon chips, the success or failure (pickup performance) of picking up the silicon chip by adsorption of the silicon chip, and the peeling of the adhesive tape on the silicon chip adjacent to the picked up silicon chip. (Peelability of adjacent chips) was observed, and these were evaluated according to the following criteria.

(ピックアップ性評価)
◎:50個のシリコンチップについて、ピックアップすることができた
〇:48個以上50個未満のシリコンチップについて、
ピックアップすることができた
△:40個以上48個未満のシリコンチップについて、
ピックアップすることができた
×:40個未満のシリコンチップについて、
ピックアップすることができた
(Evaluation of pick-up property)
◎: 50 silicon chips could be picked up ○: 48 or more but less than 50 silicon chips
I was able to pick up △: For 40 or more and less than 48 silicon chips,
Could be picked up ×: For less than 40 silicon chips,
could pick up

(隣接チップの剥離性評価)
◎:ピックアップした50個のシリコンチップについて、
隣接するシリコンチップにおいて剥離が認められなかった
〇:ピックアップした50個のシリコンチップについて、
隣接するシリコンチップにおいて問題となる剥離が認められなかったが、
その一部において、チップ端部における部分的な軽微な剥離が認められた
△:ピックアップした45個以上50個未満のシリコンチップについて、
隣接するシリコンチップにおいて剥離が認められなかった
×:ピックアップした45個未満のシリコンチップについて、
隣接するシリコンチップにおいて剥離が認められなかった
(Evaluation of peelability of adjacent chips)
◎: About 50 silicon chips picked up,
No peeling was observed in the adjacent silicon chips. ○: For 50 silicon chips picked up,
Although no problematic delamination was observed in the adjacent silicon chips,
In some of them, partial slight peeling was observed at the chip end △: About 45 or more and less than 50 silicon chips picked up,
No detachment was observed in adjacent silicon chips ×: For less than 45 silicon chips picked up,
No delamination was observed in adjacent silicon chips

Figure 2022145300000002
Figure 2022145300000002

表1に示したように、各実施例の粘着テープでは、粘着テープ100をシリコンウエハから引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度B、Dの関係式|B-D|が0≦|B-D|<110なる関係を満足しており、シリコンチップから粘着テープが剥離されるときのシリコンチップと粘着テープとがなす角度に変化が生じたとしても、シリコンチップから粘着テープを安定的に剥離させて、シリコンチップをピックアップすることができる結果を示した。 As shown in Table 1, in the adhesive tape of each example, the relational expression |BD| of the peel strengths B and D measured when the adhesive tape 100 is peeled off from the silicon wafer is 0≦|B -D|<110 is satisfied, and the adhesive tape can be stably removed from the silicon chip even when the angle formed by the silicon chip and the adhesive tape changes when the adhesive tape is peeled off from the silicon chip. The result showed that the silicon chip could be picked up by peeling.

これに対して、各比較例の粘着テープでは、前記関係式|B-D|が0≦|B-D|<110なる関係を満足しておらず、これに起因して、シリコンチップをピックアップする際に、シリコンチップから粘着テープを安定的に剥離させることができない結果を示した。 On the other hand, the pressure-sensitive adhesive tapes of the respective comparative examples do not satisfy the relational expression |BD| of 0≦|BD|<110. The result showed that the adhesive tape could not be stably peeled off from the silicon chip when the adhesive tape was applied.

1 セパレーター
2 粘着層
4 基材
7 半導体基板
9 ウエハリング
10 半導体装置
17 モールド部
20 半導体チップ
21 端子
23 半導体チップ本体部
30 インターポーザー
41 端子
70 バンプ
80 封止層
81 接続部
85 半田バンプ
100 粘着テープ
101 接合部
102 剥離部
121 外周部
122 中心部
200 ダイサーテーブル
300 テーブル
310 中心部
320 外周部
400 ステージ
410 エジェクターヘッド
430 ニードル
REFERENCE SIGNS LIST 1 separator 2 adhesive layer 4 base material 7 semiconductor substrate 9 wafer ring 10 semiconductor device 17 mold section 20 semiconductor chip 21 terminal 23 semiconductor chip body section 30 interposer 41 terminal 70 bump 80 sealing layer 81 connection section 85 solder bump 100 adhesive tape REFERENCE SIGNS LIST 101 joining portion 102 peeling portion 121 outer peripheral portion 122 central portion 200 dicer table 300 table 310 central portion 320 outer peripheral portion 400 stage 410 ejector head 430 needle

Claims (11)

樹脂材料を含有する基材と、該基材の一方の面に積層された粘着層と、を備える積層体により構成され、基板および部品のうちの少なくとも一方を仮固定して用いられる粘着テープであって、
前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂と、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂とを含有し、前記エネルギーの付与により、前記粘着層上に積層された前記基板および部品に対する粘着力が低下するものであり、また、
当該粘着テープは、表面を#2000研磨した、直径6インチ、厚さ500μmのシリコンウエハの前記表面に、幅20mmの当該粘着テープを貼付し、次いで、23℃・1時間の条件で保持した後に、前記エネルギーの付与後において、23℃の環境下で、当該粘着テープの一端を持ち、30°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をB[cN/20mm]とし、180°の方向にて1000mm/分の速度で引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度をD[cN/20mm]としたとき、0≦|B-D|<110なる関係を満足することを特徴とする粘着テープ。
An adhesive tape comprising a laminate comprising a base material containing a resin material and an adhesive layer laminated on one side of the base material, and used to temporarily fix at least one of a substrate and a component. There is
The adhesive layer contains a base resin having adhesiveness and a curable resin that is cured by application of energy, and the application of energy reduces the adhesive force to the substrate and components laminated on the adhesive layer. and
The adhesive tape is prepared by attaching the adhesive tape with a width of 20 mm to the surface of a silicon wafer with a diameter of 6 inches and a thickness of 500 μm, the surface of which is polished with #2000, and then held at 23 ° C. for 1 hour. , B [cN /20 mm], and the peel strength measured when peeled off at a speed of 1000 mm / min in the direction of 180 ° is D [cN / 20 mm], 0 ≤ |BD | <110 An adhesive tape characterized by satisfying relationships.
30°の方向にて300mm/分の速度で、当該粘着テープを引き剥がしたときに測定される引き剥がし強度をA[cN/20mm]とし、180°の方向にて300mm/分の速度で、当該粘着テープを引き剥がしたときに測定される前記引き剥がし強度をC[cN/20mm]としたとき、0≦|A-C|<60なる関係を満足する請求項1に記載の粘着テープ。 The peel strength measured when the adhesive tape is peeled off at a speed of 300 mm / min in a direction of 30 ° is A [cN / 20 mm], and at a speed of 300 mm / min in a direction of 180 °, The pressure-sensitive adhesive tape according to claim 1, wherein the peel strength measured when the pressure-sensitive adhesive tape is peeled off is C [cN/20 mm], satisfying the relationship 0≦|AC|<60. 前記引き剥がし強度Aは、60cN/20mm以上400cN/20mm以下である請求項2に記載の粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive tape according to claim 2, wherein the peel strength A is 60 cN/20 mm or more and 400 cN/20 mm or less. 前記粘着層は、前記エネルギーの付与後において、レオメーターを用いて、温度23℃、歪量1mrad、周波数1Hzで測定した複素粘度ηが1.0×10mPa・s以上6.0×10mPa・s以下である請求項1ないし3のいずれか1項に記載の粘着テープ。 After applying the energy, the adhesive layer has a complex viscosity η * of 1.0 × 10 mPa s or more and 6.0 × The pressure-sensitive adhesive tape according to any one of claims 1 to 3, which has a viscosity of 10 9 mPa·s or less. 前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である請求項1ないし4のいずれか1項に記載の粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive tape according to any one of claims 1 to 4, wherein the base resin is an acrylic resin. 前記硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートおよびビスフェノールA系のエポキシアクリレートのうちの少なくとも1種である請求項1ないし5のいずれか1項に記載の粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive tape according to any one of claims 1 to 5, wherein the curable resin is at least one of urethane acrylate and bisphenol A-based epoxy acrylate. 前記粘着層は、さらに、可塑剤を含有する請求項1ないし6のいずれか1項に記載の粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive tape according to any one of claims 1 to 6, wherein the pressure-sensitive adhesive layer further contains a plasticizer. 当該粘着テープは、前記粘着層上に、前記基板を固定した状態で、前記基板から前記基材の厚さ方向の途中まで到達するように切断して、前記基板を個片化することで複数の前記部品を形成し、その後、当該粘着テープを面方向に伸長しつつ、前記部品を、前記基材側から突き上げた状態で、前記基材の反対側から引き抜くことで、前記粘着層から分離する際に用いられるものである請求項1ないし7のいずれか1項に記載の粘着テープ。 The adhesive tape is cut from the substrate to reach halfway in the thickness direction of the base material in a state where the substrate is fixed on the adhesive layer, and the substrate is separated into a plurality of pieces. After that, while stretching the adhesive tape in the surface direction, the part is pushed up from the base material side and pulled out from the opposite side of the base material, thereby separating from the adhesive layer. 8. The adhesive tape according to any one of claims 1 to 7, which is used when applying pressure. 前記粘着層は、その厚さが5μm以上50μm以下である請求項1ないし8のいずれか1項に記載の粘着テープ。 The adhesive tape according to any one of claims 1 to 8, wherein the adhesive layer has a thickness of 5 µm or more and 50 µm or less. 前記基材は、前記粘着層側と反対側の表面における表面抵抗率が1.0×1013(Ω/□)以下である請求項1ないし9のいずれか1項に記載の粘着テープ。 The pressure-sensitive adhesive tape according to any one of claims 1 to 9, wherein the substrate has a surface resistivity of 1.0 x 1013 ( Ω/□) or less on the surface opposite to the pressure-sensitive adhesive layer. 当該粘着テープを平面視で見たとき、前記基材と前記粘着層との界面に形成されている気泡は、面積が100μm以上のものの数が、15.0個/mm以下である請求項1ないし10のいずれか1項に記載の粘着テープ。 When the pressure-sensitive adhesive tape is viewed from above, the number of bubbles formed at the interface between the base material and the pressure-sensitive adhesive layer having an area of 100 μm 2 or more is 15.0/mm 2 or less. Item 11. The adhesive tape according to any one of Items 1 to 10.
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