JP7021687B2 - Manufacturing method of adhesive tape for protecting semiconductor elements and adhesive tape for protecting semiconductor elements - Google Patents

Manufacturing method of adhesive tape for protecting semiconductor elements and adhesive tape for protecting semiconductor elements Download PDF

Info

Publication number
JP7021687B2
JP7021687B2 JP2020114322A JP2020114322A JP7021687B2 JP 7021687 B2 JP7021687 B2 JP 7021687B2 JP 2020114322 A JP2020114322 A JP 2020114322A JP 2020114322 A JP2020114322 A JP 2020114322A JP 7021687 B2 JP7021687 B2 JP 7021687B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive layer
adhesive tape
base material
adhesive
meth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020114322A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2020174201A (en
Inventor
雅範 池永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2020114322A priority Critical patent/JP7021687B2/en
Publication of JP2020174201A publication Critical patent/JP2020174201A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7021687B2 publication Critical patent/JP7021687B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、半導体素子保護用粘着テープおよび半導体素子保護用粘着テープの製造方法に関するものである。 The present invention relates to an adhesive tape for protecting a semiconductor element and a method for manufacturing an adhesive tape for protecting a semiconductor element.

近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ICパッケージの大容量高密度化が進んでいる。 In response to the recent increase in the functionality of electronic devices and the expansion into mobile applications, the demand for higher density and higher integration of semiconductor devices is increasing, and the capacity and density of IC packages are increasing.

これらの半導体装置の製造方法としては、例えば、特許文献1に記載の半導体用ウエハ加工用粘着テープを半導体用ウエハに貼付し、半導体用ウエハの外周部側をウエハリングで固定しながら、ダイシングソーを用いたダイシング工程で前記半導体用ウエハを個々の半導体素子に切断分離(個片化)し、その後、エキスパンディング工程を施した後、個片化した半導体素子をピックアップするピックアップ工程を行い、次いで、この半導体素子を基板(例えばテープ基板、有機硬質基板等)に搭載するための搭載工程へ移送する。実装用プローブにピックアップされた半導体素子は、搭載工程で、基板に搭載され、その後、基板と半導体素子との間にアンダーフィル材が充填されることにより、基板に接合される。そして、半導体素子と基板の上面側とを半導体封止材により封止することにより、半導体装置が製造される。 As a method for manufacturing these semiconductor devices, for example, the adhesive tape for semiconductor wafer processing described in Patent Document 1 is attached to a semiconductor wafer, and the outer peripheral side of the semiconductor wafer is fixed by wafer ring while dying saw. The semiconductor wafer is cut and separated (individualized) into individual semiconductor elements in a dicing step using the above, and then an expanding step is performed, and then a pickup step of picking up the separated semiconductor elements is performed, and then , This semiconductor element is transferred to a mounting process for mounting on a substrate (for example, a tape substrate, an organic hard substrate, etc.). The semiconductor element picked up by the mounting probe is mounted on the substrate in the mounting process, and then the underfill material is filled between the substrate and the semiconductor element to be bonded to the substrate. Then, the semiconductor device is manufactured by sealing the semiconductor element and the upper surface side of the substrate with a semiconductor encapsulant.

ここで、この半導体装置の製造方法を、繰り返して実施することで、1つの半導体用ウエハから、複数の半導体素子が取り出され、これにより、複数の半導体装置が製造される。また、この繰り返しを、1つの半導体用ウエハから半導体素子が1つも存在しなくなるまで実施する他、例えば、半導体装置の製造を途中で翌日以降に持ち越す場合がある。 Here, by repeatedly carrying out this method for manufacturing a semiconductor device, a plurality of semiconductor elements are taken out from one semiconductor wafer, whereby a plurality of semiconductor devices are manufactured. Further, this repetition is carried out from one semiconductor wafer until no semiconductor element exists, and for example, the manufacturing of the semiconductor device may be carried over to the next day or later in the middle.

この場合では、半導体用ウエハに半導体素子を残存させたまま、半導体装置の製造を打ち切り、エキスパンディング状態を解放して、半導体用ウエハ加工用粘着テープ(基板)における半導体用ウエハ(半導体素子)の外周部側をウエハリングで固定した状態で保管もしくは移動させることがある。そして、翌日以降に、前述したエキスパンディング工程から後を実施することで、半導体装置の製造が再開される。 In this case, the production of the semiconductor device is discontinued while the semiconductor element remains on the semiconductor wafer, the expanding state is released, and the semiconductor wafer (semiconductor element) in the adhesive tape (substrate) for semiconductor wafer processing is released. The outer peripheral side may be stored or moved while being fixed by wafer ring. Then, on or after the next day, the manufacturing of the semiconductor device is restarted by carrying out the subsequent steps from the above-mentioned expanding step.

しかしながら、エキスパンディング状態を解放した後に、単に、半導体用ウエハ加工用粘着テープにおける半導体用ウエハの外周部側をウエハリングで固定した状態でカセットケース等内において保管もしくは移動させると、その保管状況によっては、埃や水蒸気等の外部異物により、半導体用ウエハ(半導体素子)が汚染されてしまい、これに起因して、かかる半導体素子を用いて製造される半導体装置の信頼性が低下すると言う問題があった。 However, after releasing the expanding state, if the outer peripheral side of the semiconductor wafer in the adhesive tape for processing a semiconductor wafer is simply stored or moved in a cassette case or the like with the outer peripheral side fixed by a wafer ring, it depends on the storage condition. However, there is a problem that the semiconductor wafer (semiconductor element) is contaminated by external foreign substances such as dust and water vapor, and the reliability of the semiconductor device manufactured by using the semiconductor element is lowered due to this. there were.

なお、このような問題は、近年、半導体用ウエハが大型化され、1つの半導体用ウエハから取得される半導体素子の個数が多くなることに伴って、大型化された半導体用ウエハにおいて顕著に認められる。 It should be noted that such a problem is remarkably recognized in the large-sized semiconductor wafer as the semiconductor wafer becomes large in recent years and the number of semiconductor elements acquired from one semiconductor wafer increases. Will be.

特開2009-245989号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-245989

本発明は、基板における半導体素子の外周部側をウエハリングで固定した状態で、外部異物による汚染を的確に抑制または防止して半導体素子を保管・移動させることができる半導体素子保護用粘着テープ、および、かかる半導体素子保護用粘着テープを製造する半導体素子保護用粘着テープの製造方法を提供することにある。 The present invention is an adhesive tape for protecting a semiconductor element, which can store and move the semiconductor element by accurately suppressing or preventing contamination by external foreign matter while the outer peripheral side of the semiconductor element on the substrate is fixed by wafer ring. Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device protective adhesive tape for manufacturing such a semiconductor device protective adhesive tape.

このような目的は、下記(1)~(4)に記載の本発明により達成される。
(1) 基板と、該基板の中央部に固定された半導体素子と、前記基板の縁部に固定されたウエハリングとを有する積層物における、前記半導体素子を保護するために用いられ、
樹脂材料を含有するシート状をなす基材と、該基材上に積層された粘着層とを備える積層体により構成された半導体素子保護用粘着テープであって、
前記粘着層は、前記基材のほぼ全面に形成され、当該半導体素子保護用粘着テープは、さらに、前記粘着層の縁部を除く中心部に貼付された、粘着性を有しない貼付層を備えることで、
当該半導体素子保護用粘着テープの縁部において、選択的に粘着性を有しており、
前記積層物の前記基板と反対側において、前記ウエハリングに前記粘着層が粘着することで、前記半導体素子が前記基板、前記ウエハリングおよび当該半導体素子保護用粘着テープにより封止されるよう構成されていることを特徴とする半導体素子保護用粘着テープ。
Such an object is achieved by the present invention described in the following (1) to (4).
(1) Used to protect the semiconductor element in a laminate having a substrate, a semiconductor element fixed to the central portion of the substrate, and a wafer ring fixed to the edge of the substrate.
An adhesive tape for protecting a semiconductor element, which is composed of a laminated body including a sheet-shaped base material containing a resin material and an adhesive layer laminated on the base material.
The adhesive layer is formed on almost the entire surface of the base material, and the semiconductor element protective adhesive tape further includes a non-adhesive adhesive layer attached to a central portion excluding the edge portion of the adhesive layer. By that
It selectively has adhesiveness at the edge of the adhesive tape for protecting the semiconductor element.
The adhesive layer adheres to the wafer ring on the opposite side of the laminate to the substrate, so that the semiconductor element is sealed by the substrate, the wafer ring, and the adhesive tape for protecting the semiconductor element. Adhesive tape for protecting semiconductor devices.

) 前記基材は、その平面視形状が円形状をなしている上記()に記載の半導体素子保護用粘着テープ。 ( 2 ) The adhesive tape for protecting a semiconductor element according to ( 1 ) above, wherein the base material has a circular shape in a plan view.

(3) 前記基板は、円盤状をなし、前記ウエハリングは円筒状をなしている上記(1)または(2)に記載の半導体素子保護用粘着テープ。 (3) The adhesive tape for protecting a semiconductor element according to (1) or (2) above, wherein the substrate has a disk shape and the wafer ring has a cylindrical shape .

) 上記()に記載の半導体素子保護用粘着テープの製造方法であって、
樹脂材料を含有するシート状をなす基材を用意した後、該基材のほぼ全面に、それぞれ、前記粘着層および前記貼付層を、この順で積層する工程と、
前記貼付層の縁部から前記貼付層を剥離させて、前記粘着層の縁部を除く中心部に貼付された前記貼付層を形成する工程とを有することを特徴する半導体素子保護用粘着テープの製造方法。
( 4 ) The method for manufacturing an adhesive tape for protecting a semiconductor element according to ( 1 ) above.
After preparing a sheet-shaped base material containing a resin material, the adhesive layer and the sticking layer are laminated in this order on almost the entire surface of the base material, respectively.
The adhesive tape for protecting a semiconductor element, which comprises a step of peeling the adhesive layer from the edge portion of the adhesive layer to form the adhesive layer attached to the central portion excluding the edge portion of the adhesive layer. Production method.

本発明の半導体素子保護用粘着テープを、ウエハリングの基板とは反対側に、貼付させることにより、半導体素子を基板、ウエハリングおよび半導体素子保護用粘着テープにより形成される密閉空間に封止させることができる。そのため、外部異物による汚染を的確に抑制または防止して半導体素子を保管・移動させることができる。 By attaching the adhesive tape for protecting the semiconductor element of the present invention to the side opposite to the substrate of the wafer ring, the semiconductor element is sealed in the sealed space formed by the substrate, the wafer ring and the adhesive tape for protecting the semiconductor element. be able to. Therefore, the semiconductor element can be stored and moved by accurately suppressing or preventing contamination by external foreign substances.

また、半導体素子保護用粘着テープを、ウエハリングから引き剥がすと言う単純な作業で、半導体装置の製造を再開させることができる。 Further, the manufacturing of the semiconductor device can be restarted by a simple operation of peeling off the adhesive tape for protecting the semiconductor element from the wafer ring.

半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。It is a vertical sectional view which shows an example of the semiconductor device manufactured using the adhesive tape for processing a wafer for semiconductors. 図1に示す半導体装置を、半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。It is a vertical sectional view for demonstrating the method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 using the adhesive tape for processing a wafer for semiconductors. 図1に示す半導体装置を、半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。It is a vertical sectional view for demonstrating the method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 using the adhesive tape for processing a wafer for semiconductors. 半導体用ウエハ加工用粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。It is a vertical sectional view which shows the embodiment of the adhesive tape for processing a wafer for semiconductors. 半導体用ウエハ加工用粘着テープと半導体用ウエハとウエハリングとを有する積層物に、本発明の半導体素子保護用粘着テープを粘着させた状態を示す縦断面図である。It is a vertical cross-sectional view which shows the state in which the semiconductor element protection adhesive tape of this invention is adhered to the laminate which has the adhesive tape for processing a semiconductor wafer, the semiconductor wafer, and the wafer ring. 本発明の半導体素子保護用粘着テープの第1実施形態を示す縦断面図である。It is a vertical sectional view which shows 1st Embodiment of the adhesive tape for protecting a semiconductor element of this invention. 図6に示す半導体素子保護用粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。It is a vertical sectional view for demonstrating the method of manufacturing the adhesive tape for protecting a semiconductor element shown in FIG. 図6に示す半導体素子保護用粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。It is a vertical sectional view for demonstrating the method of manufacturing the adhesive tape for protecting a semiconductor element shown in FIG. 本発明の半導体素子保護用粘着テープの第2実施形態を示す縦断面図である。It is a vertical sectional view which shows the 2nd Embodiment of the adhesive tape for protecting a semiconductor element of this invention. 図9に示す半導体素子保護用粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。It is a vertical sectional view for demonstrating the method of manufacturing the adhesive tape for protecting a semiconductor element shown in FIG. 本発明の半導体素子保護用粘着テープの第3実施形態を示す縦断面図である。It is a vertical sectional view which shows the 3rd Embodiment of the adhesive tape for protecting a semiconductor element of this invention. 図11に示す半導体素子保護用粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。It is a vertical sectional view for demonstrating the method of manufacturing the adhesive tape for protecting a semiconductor element shown in FIG. 11. 図11に示す半導体素子保護用粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。It is a vertical sectional view for demonstrating the method of manufacturing the adhesive tape for protecting a semiconductor element shown in FIG. 11. 半導体用ウエハ加工用粘着テープと半導体チップとウエハリングとを有する積層物に、本発明の半導体素子保護用粘着テープを粘着させた状態を示す縦断面図である。It is a vertical cross-sectional view which shows the state in which the semiconductor element protection adhesive tape of this invention is adhered to the laminate which has the adhesive tape for processing a semiconductor wafer, the semiconductor chip, and a wafer ring.

以下、本発明の半導体素子保護用粘着テープおよび半導体素子保護用粘着テープの製造方法について詳細に説明する。 Hereinafter, the method for manufacturing the semiconductor element protective adhesive tape and the semiconductor element protective adhesive tape of the present invention will be described in detail.

まず、本発明の半導体素子保護用粘着テープを説明するのに先立って、本発明が適用された半導体装置について説明する。 First, prior to explaining the adhesive tape for protecting a semiconductor element of the present invention, the semiconductor device to which the present invention is applied will be described.

<半導体装置>
図1は、半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図1中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<Semiconductor device>
FIG. 1 is a vertical cross-sectional view showing an example of a semiconductor device manufactured by using an adhesive tape for processing a wafer for a semiconductor. In the following description, the upper side in FIG. 1 is referred to as "upper" and the lower side is referred to as "lower".

図1に示す半導体装置10は、半導体チップ(半導体素子)20と、半導体チップ20を支持するインターポーザー(基板)30と、複数の導電性を有するバンプ(端子)70と、半導体チップ20を封止するモールド部(封止部)17とを有している。 The semiconductor device 10 shown in FIG. 1 seals a semiconductor chip (semiconductor element) 20, an interposer (substrate) 30 that supports the semiconductor chip 20, a plurality of conductive bumps (terminals) 70, and a semiconductor chip 20. It has a mold portion (sealing portion) 17 for stopping.

インターポーザー30は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン(BTレジン)等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー30の平面視形状は、通常、正方形、長方形等の四角形とされる。 The interposer 30 is an insulating substrate, and is made of various resin materials such as polyimide, epoxy, cyanate, and bismaleimide triazine (BT resin). The plan view shape of the interposer 30 is usually a quadrangle such as a square or a rectangle.

インターポーザー30の上面(一方の面)には、例えば、銅等の導電性金属材料で構成される端子41が、所定形状で設けられている。 On the upper surface (one surface) of the interposer 30, for example, a terminal 41 made of a conductive metal material such as copper is provided in a predetermined shape.

また、インターポーザー30には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア(スルーホール:貫通孔)が形成されている。 Further, the interposer 30 is formed with a plurality of vias (through holes) (through holes) which are not shown so as to penetrate in the thickness direction thereof.

各バンプ70は、それぞれ、各ビアを介して、一端(上端)が端子41の一部に電気的に接続され、他端(下端)は、インターポーザー30の下面(他方の面)から突出している。 One end (upper end) of each bump 70 is electrically connected to a part of the terminal 41 via each via, and the other end (lower end) protrudes from the lower surface (the other surface) of the interposer 30. There is.

バンプ70のインターポーザー30から突出する部分は、ほぼ球形状(Ball状)をなしている。 The portion of the bump 70 protruding from the interposer 30 has a substantially spherical shape (ball shape).

このバンプ70は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。 The bump 70 is made of a brazing material such as solder, silver brazing, copper brazing, and phosphor copper brazing as a main material.

また、インターポーザー30上には、端子41が形成されている。この端子41に、接続部81を介して、半導体チップ20が有する端子21が電気的に接続されている。 Further, a terminal 41 is formed on the interposer 30. The terminal 21 of the semiconductor chip 20 is electrically connected to the terminal 41 via the connecting portion 81.

なお、本実施形態では、図1に示すように、端子21は、半導体チップ20に形成されている面側から突出する構成をなしており、端子41も、インターポーザー30から突出する構成をなしている。 In this embodiment, as shown in FIG. 1, the terminal 21 is configured to protrude from the surface side formed on the semiconductor chip 20, and the terminal 41 is also configured to protrude from the interposer 30. ing.

また、半導体チップ20と、インターポーザー30との間の間隙には、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材が充填され、このアンダーフィル材の硬化物により、封止層80が形成されている。この封止層80は、半導体チップ20と、インターポーザー30との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。 Further, the gap between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 is filled with an underfill material composed of various resin materials, and the cured product of the underfill material forms a sealing layer 80. .. The sealing layer 80 has a function of improving the bonding strength between the semiconductor chip 20 and the interposer 30, and a function of preventing foreign matter, moisture, and the like from entering the gap.

さらに、インターポーザー30の上側には、半導体チップ20と、インターポーザー30とを覆うように形成されたモールド部17が半導体封止材料の硬化物で構成されており、これにより、半導体装置10内において半導体チップ20が封止され、半導体チップ20に対する異物や水分等の浸入が防止される。 Further, on the upper side of the interposer 30, a semiconductor chip 20 and a molded portion 17 formed so as to cover the interposer 30 are composed of a cured product of a semiconductor encapsulating material, whereby the inside of the semiconductor device 10 is formed. In, the semiconductor chip 20 is sealed, and foreign matter, moisture, and the like are prevented from entering the semiconductor chip 20.

かかる構成の半導体装置10は、例えば、半導体用ウエハ加工用粘着テープ(ダイシングテープ)を用いた半導体装置の製造方法により、以下のようにして製造される。 The semiconductor device 10 having such a configuration is manufactured as follows, for example, by a method for manufacturing a semiconductor device using an adhesive tape (dicing tape) for processing a wafer for semiconductors.

<半導体装置の製造方法>
図2、図3は、図1に示す半導体装置を、半導体用ウエハ加工用粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図2、図3中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<Manufacturing method of semiconductor devices>
2 and 3 are vertical cross-sectional views for explaining a method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 using an adhesive tape for processing a wafer for semiconductors. In the following description, the upper side in FIGS. 2 and 3 is referred to as "upper" and the lower side is referred to as "lower".

[1A]まず、基材4と、基材4の上面に積層された粘着層2とを有する半導体用ウエハ加工用粘着テープ100(以下、単に「加工用粘着テープ100」ということもある。)を用意する(図2(a)参照。)。
この加工用粘着テープ100の詳細な説明については、後に行うこととする。
[1A] First, a semiconductor wafer processing adhesive tape 100 having a base material 4 and an adhesive layer 2 laminated on the upper surface of the base material 4 (hereinafter, may be simply referred to as “processing adhesive tape 100”). (See FIG. 2A).
A detailed description of the processing adhesive tape 100 will be given later.

[2A]次に、図2(b)に示すように、図示しないダイサーテーブルの上に、加工用粘着テープ100を設置し、その中心部122に半導体用ウエハ7の半導体チップの無い側の面を、粘着層2の上に置き、軽く押圧し、半導体用ウエハ7を積層(貼付)する(貼付工程)。 [2A] Next, as shown in FIG. 2B, a processing adhesive tape 100 is placed on a dicer table (not shown), and the surface of the semiconductor wafer 7 on the side without the semiconductor chip is located at the center 122 thereof. Is placed on the adhesive layer 2 and lightly pressed to laminate (paste) the semiconductor wafer 7 (pasting step).

なお、加工用粘着テープ100に半導体用ウエハ7を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。 The semiconductor wafer 7 may be attached to the processing adhesive tape 100 in advance and then installed on the dicer table.

また、半導体用ウエハ7としては、通常、その厚さが100μm以上600μm以下程度のものが用いられる。 Further, as the semiconductor wafer 7, a wafer having a thickness of 100 μm or more and 600 μm or less is usually used.

[3A]次に、粘着層2の外周部121(縁部)を、円筒状をなすウエハリング9で固定し、その後、図示しない、ダイシングソー(ブレード)を用いて半導体用ウエハ7を切断(ダイシング)して半導体用ウエハ7を個片化することで半導体チップ20を得る(個片化工程;図2(c)参照。)。 [3A] Next, the outer peripheral portion 121 (edge portion) of the adhesive layer 2 is fixed by a cylindrical wafer ring 9, and then the semiconductor wafer 7 is cut using a dicing saw (blade) (not shown). The semiconductor chip 20 is obtained by dicing the semiconductor wafer 7 into pieces (individualization step; see FIG. 2C).

この際、加工用粘着テープ100は、緩衝作用を有しており、半導体用ウエハ7を切断する際の割れ、欠け等を防止する。 At this time, the processing adhesive tape 100 has a buffering action, and prevents cracking, chipping, etc. when cutting the semiconductor wafer 7.

また、ブレードを用いた半導体用ウエハ7の切断は、図2(c)に示すように、基材4の厚さ方向の途中まで到達するように実施される。これにより、半導体用ウエハの個片化を確実に実施することができる。 Further, the cutting of the semiconductor wafer 7 using the blade is carried out so as to reach the middle of the base material 4 in the thickness direction as shown in FIG. 2 (c). As a result, the semiconductor wafer can be reliably separated.

なお、この際、半導体用ウエハ7の切断時に生じる粉塵が飛散するのを防止すること、さらには、半導体用ウエハ7が不必要に加熱されるのを抑制することを目的に、半導体用ウエハ7には切削水を供給しつつ、半導体用ウエハ7が切断される。 At this time, for the purpose of preventing the dust generated when the semiconductor wafer 7 is cut from scattering, and further suppressing the semiconductor wafer 7 from being unnecessarily heated, the semiconductor wafer 7 is used. The semiconductor wafer 7 is cut while supplying cutting water to the wafer 7.

また、ウエハリング9としては、通常、その厚さが1.0mm以上1.5mm以下程度のものが用いられる。 Further, as the wafer ring 9, a wafer ring 9 having a thickness of 1.0 mm or more and 1.5 mm or less is usually used.

[4A]次に、加工用粘着テープ100が備える粘着層2にエネルギーを付与することで、粘着層2の半導体用ウエハ7に対する粘着性を低下させる(エネルギー付与工程)。
これにより、粘着層2と半導体用ウエハ7との間で剥離が生じる状態とする。
[4A] Next, by applying energy to the adhesive layer 2 included in the processing adhesive tape 100, the adhesiveness of the adhesive layer 2 to the semiconductor wafer 7 is reduced (energy applying step).
As a result, the adhesive layer 2 and the semiconductor wafer 7 are separated from each other.

粘着層2にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層2にエネルギー線を照射する方法、粘着層2を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、粘着層2にエネルギー線を加工用粘着テープ100の基材4側から照射する方法を用いるのが好ましい。 The method of applying energy to the adhesive layer 2 is not particularly limited, and examples thereof include a method of irradiating the adhesive layer 2 with energy rays, a method of heating the adhesive layer 2, and the like. Among them, the energy is applied to the adhesive layer 2. It is preferable to use a method of irradiating the wire from the base material 4 side of the adhesive tape 100 for processing.

かかる方法は、半導体チップ20が不要な熱履歴を経る必要がなく、また、粘着層2に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。 Such a method is suitably used as a method for imparting energy because the semiconductor chip 20 does not need to undergo an unnecessary thermal history and energy can be relatively easily and efficiently applied to the adhesive layer 2. Be done.

また、エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を2種以上組み合わせたものが挙げられる。これらの中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線によれば、粘着層2の半導体用ウエハ7に対する粘着性を効率よく低下させることができる。 Further, examples of the energy beam include ultraviolet rays, electron beams, particle beams such as ion beams, and combinations of two or more of these energy rays. Among these, it is particularly preferable to use ultraviolet rays. According to the ultraviolet rays, the adhesiveness of the adhesive layer 2 to the semiconductor wafer 7 can be efficiently lowered.

[5A]次に、加工用粘着テープ100を図示しないエキスパンド装置で放射状に伸ばして、個片化した半導体用ウエハ7(半導体チップ20)を一定の間隔に開き(エキスパンディング工程;図2(d)参照。)、その後、この半導体チップ20を、ニードル等を用いて突き上げた状態とし、この状態で、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする(ピックアップ工程;図2(e)参照。)。 [5A] Next, the adhesive tape 100 for processing is radially stretched by an expanding device (not shown), and the fragmented semiconductor wafers 7 (semiconductor chips 20) are opened at regular intervals (expanding step; FIG. 2 (d). ), After that, the semiconductor chip 20 is pushed up using a needle or the like, and in this state, it is picked up by suction with a vacuum collet or air tweezers (pickup step; see FIG. 2 (e)). ..

[6A]次に、ピックアップした半導体チップ20を、真空コレットまたはエアピンセットから実装用プローブ等に受け渡して上下反転させた後、図3(a)に示すように、この半導体チップ20が備える端子21と、インターポーザー30が備える端子41とを、端子41上に設けられた半田バンプ85を介して対向させて、インターポーザー30上に載置する。すなわち、半導体チップ20の加工用粘着テープ100と接触していた面を上側にして、半導体チップ(半導体素子)20をインターポーザー(基板)30上に載置する。 [6A] Next, the picked up semiconductor chip 20 is passed from a vacuum collet or an air tweezers to a mounting probe or the like and turned upside down, and then, as shown in FIG. 3A, the terminal 21 included in the semiconductor chip 20 is provided. And the terminal 41 provided in the interposer 30 are placed on the interposer 30 so as to face each other via the solder bump 85 provided on the terminal 41. That is, the semiconductor chip (semiconductor element) 20 is placed on the interposer (board) 30 with the surface of the semiconductor chip 20 in contact with the processing adhesive tape 100 facing up.

[7A]次に、図3(b)に示すように、端子21と端子41との間に介在した半田バンプ85を加熱しつつ、インターポーザー30と半導体チップ20とを接近させる。 [7A] Next, as shown in FIG. 3B, the interposer 30 and the semiconductor chip 20 are brought close to each other while heating the solder bump 85 interposed between the terminal 21 and the terminal 41.

これにより、溶融した半田バンプ85が端子21および端子41の双方に接触し、この状態で、冷却することで、接続部81が形成され、その結果、接続部81を介して、端子21と端子41とが電気的に接続される(搭載工程;図3(c)参照。)。 As a result, the molten solder bump 85 comes into contact with both the terminal 21 and the terminal 41, and by cooling in this state, the connection portion 81 is formed, and as a result, the terminal 21 and the terminal are formed via the connection portion 81. 41 is electrically connected (mounting process; see FIG. 3 (c)).

[8A]次に、半導体チップ20と、インターポーザー30との間に形成された間隙に、各種樹脂材料で構成されるアンダーフィル材(封止材)を充填し、その後、このアンダーフィル材を硬化させることにより、アンダーフィル材の硬化物で構成された封止層80を形成する(封止層形成工程;図3(d)参照。)。 [8A] Next, the gap formed between the semiconductor chip 20 and the interposer 30 is filled with an underfill material (sealing material) composed of various resin materials, and then the underfill material is filled. By curing, a sealing layer 80 composed of a cured product of the underfill material is formed (sealing layer forming step; see FIG. 3D).

[9A]次に、インターポーザー30の上側に、半導体チップ20と、インターポーザー30とを覆うように、モールド部17を形成することで、半導体チップ20をインターポーザー30とモールド部17とで封止するとともに、インターポーザー30が備えるビアを介して端子41の一部に電気的に接続された、バンプ70をインターポーザー30の下側から突出するように形成する(図3(e)参照。)。 [9A] Next, the semiconductor chip 20 is sealed by the interposer 30 and the mold portion 17 by forming a mold portion 17 on the upper side of the interposer 30 so as to cover the semiconductor chip 20 and the interposer 30. While stopping, the bump 70 electrically connected to a part of the terminal 41 via the via provided in the interposer 30 is formed so as to protrude from the lower side of the interposer 30 (see FIG. 3 (e)). ).

ここで、モールド部17による封止は、例えば、形成すべきモールド部17の形状に対応した内部空間を備える成形型を用意し、この内部空間内に配置された半導体チップ20とインターポーザー30とを覆うように、粉末状をなす半導体封止材料を内部空間に充填する。そして、この状態で、半導体封止材料を加熱することにより硬化させて、半導体封止材料の硬化物とすることにより行われる。 Here, for sealing by the mold portion 17, for example, a molding mold having an internal space corresponding to the shape of the mold portion 17 to be formed is prepared, and the semiconductor chip 20 and the interposer 30 arranged in the internal space are used. The internal space is filled with a semiconductor encapsulating material in the form of powder so as to cover the above. Then, in this state, the semiconductor encapsulating material is cured by heating to obtain a cured product of the semiconductor encapsulating material.

以上のような工程を有する半導体装置の製造方法により、半導体装置10が得られる。より詳しくは、前記工程[1A]~[9A]を実施した後に、前記工程[5A]~[9A]を繰り返して実施することで、1つの半導体用ウエハ7から複数の半導体装置10を一括して製造することができる。 The semiconductor device 10 can be obtained by the method for manufacturing a semiconductor device having the above steps. More specifically, by repeatedly performing the steps [5A] to [9A] after performing the steps [1A] to [9A], a plurality of semiconductor devices 10 are collectively combined from one semiconductor wafer 7. Can be manufactured.

以下、このような半導体装置10の製造方法に用いられる半導体用ウエハ加工用粘着テープ100について説明する。 Hereinafter, the adhesive tape 100 for processing a wafer for semiconductors used in such a method for manufacturing a semiconductor device 10 will be described.

<半導体用ウエハ加工用粘着テープ>
図4は、半導体用ウエハ加工用粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。図5は、半導体用ウエハ加工用粘着テープと半導体用ウエハとウエハリングとを有する積層物に、本発明の半導体素子保護用粘着テープを粘着させた状態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図4、5中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
<Adhesive tape for processing wafers for semiconductors>
FIG. 4 is a vertical sectional view showing an embodiment of an adhesive tape for processing a wafer for a semiconductor. FIG. 5 is a vertical sectional view showing a state in which the semiconductor element protection adhesive tape of the present invention is adhered to a laminate having a semiconductor wafer processing adhesive tape, a semiconductor wafer, and a wafer ring. In the following description, the upper side in FIGS. 4 and 5 is referred to as "upper" and the lower side is referred to as "lower".

加工用粘着テープ100は、基材4と、この基材4の上面(一方の面)に積層された粘着層2とを備える積層体により構成される。以下、これら基材4および粘着層2について説明する。 The processing adhesive tape 100 is composed of a laminated body including a base material 4 and an adhesive layer 2 laminated on the upper surface (one surface) of the base material 4. Hereinafter, the base material 4 and the adhesive layer 2 will be described.

なお、加工用粘着テープ100は、このものが備える粘着層2にエネルギーを付与することで、粘着層2の半導体用ウエハ7に対する粘着性が低下する機能を有するものである。このような粘着層2にエネルギーを付与する方法としては、粘着層2にエネルギー線を照射する方法および粘着層2を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、半導体チップ20が不要な熱履歴を経る必要がないことから、粘着層2にエネルギー線を照射する方法が好適に用いられる。そのため、以下では、粘着層2として、エネルギー線の照射により前記粘着性が低下するものを代表に説明する。 The processing adhesive tape 100 has a function of reducing the adhesiveness of the adhesive layer 2 to the semiconductor wafer 7 by applying energy to the adhesive layer 2 included in the adhesive tape 100. Examples of the method of applying energy to the adhesive layer 2 include a method of irradiating the adhesive layer 2 with energy rays and a method of heating the adhesive layer 2. Among them, the semiconductor chip 20 has an unnecessary heat history. Since it is not necessary to pass through, a method of irradiating the adhesive layer 2 with energy rays is preferably used. Therefore, in the following, as the adhesive layer 2, the adhesive layer 2 whose adhesiveness is lowered by irradiation with energy rays will be described as a representative.

<基材4>
基材4は、主として樹脂材料から成り、この基材4上に設けられた粘着層2を支持する機能を有している。また、前記工程[5A]おけるエキスパンド装置を用いた加工用粘着テープ100の面方向に対する伸長を実現させるためのものである。
<Base material 4>
The base material 4 is mainly made of a resin material and has a function of supporting the adhesive layer 2 provided on the base material 4. Further, the purpose is to realize stretching of the adhesive tape 100 for processing using the expander in the step [5A] in the plane direction.

かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、後述する半導体素子保護用粘着テープ200が備える基材204で説明する樹脂材料と同様のものを用いることができる。 The resin material is not particularly limited, and for example, the same resin material as described in the base material 204 included in the adhesive tape 200 for protecting a semiconductor element described later can be used.

また、基材4は、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程[3A]、および、前記ピックアップ工程[5A]における、半導体チップ20での静電気の発生を的確に抑制または防止することができる。 Further, the base material 4 preferably contains a conductive material having conductivity. By including such a conductive material, the conductive material can function as an antistatic agent, and the semiconductor chip 20 in the individualization step [3A] and the pickup step [5A] can be used. It is possible to accurately suppress or prevent the generation of static electricity.

この導電性材料としては、後述する半導体素子保護用粘着テープ200が備える基材204で説明する導電性材料と同様のものを用いることができる。 As the conductive material, the same conductive material as described in the base material 204 included in the adhesive tape 200 for protecting a semiconductor element, which will be described later, can be used.

基材4の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、10μm以上300μm以下であるのが好ましく、30μm以上200μm以下であるのがより好ましく、80μm以上200μm以下であるのがさらに好ましい。基材4の平均厚さがこの範囲内であると、前記工程[3A]における半導体用ウエハ7のダイシングを、優れた作業性により実施することができる。 The average thickness of the base material 4 is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more and 300 μm or less, more preferably 30 μm or more and 200 μm or less, and further preferably 80 μm or more and 200 μm or less. When the average thickness of the base material 4 is within this range, the dicing of the semiconductor wafer 7 in the step [3A] can be carried out with excellent workability.

さらに、基材4は、その表面に、粘着層2に含まれる構成材料と反応性を有する、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していることが好ましい。 Further, it is preferable that the surface of the base material 4 is exposed with functional groups such as hydroxyl groups and amino groups having reactivity with the constituent materials contained in the pressure-sensitive adhesive layer 2.

また、基材4は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体(多層体)で構成されるものであってもよい。さらに、前記樹脂材料をドライブレンドしたブレンドフィルムで構成されるものであってもよい。 Further, the base material 4 may be composed of a laminated body (multilayer body) in which a plurality of layers made of different resin materials are laminated. Further, it may be composed of a blend film obtained by dry-blending the resin material.

<粘着層>
粘着層2は、前記工程[3A]において、半導体用ウエハ7をダイシングする際に、半導体用ウエハ7を粘着して支持する機能を有している。また、この粘着層2は、このものに対するエネルギーの付与により半導体用ウエハ7への粘着性が低下し、これにより、粘着層2と半導体用ウエハ7との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となるものである。
<Adhesive layer>
The adhesive layer 2 has a function of adhering and supporting the semiconductor wafer 7 when dicing the semiconductor wafer 7 in the step [3A]. Further, the adhesive layer 2 is in a state where the adhesiveness to the semiconductor wafer 7 is lowered by applying energy to the adhesive layer 2, whereby peeling can easily occur between the adhesive layer 2 and the semiconductor wafer 7. Is to be.

かかる機能を備える粘着層2は、(1)粘着性を有するベース樹脂と、(2)粘着層2を硬化させる硬化性樹脂と、を主材料として含有する樹脂組成物で構成される。 The adhesive layer 2 having such a function is composed of a resin composition containing (1) a base resin having adhesiveness and (2) a curable resin that cures the adhesive layer 2 as a main material.

以下、樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、説明する。
(1)ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、粘着層2へのエネルギー線の照射前に、半導体用ウエハ7に対する粘着性を粘着層2に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。
Hereinafter, each component contained in the resin composition will be described in sequence.
(1) Base Resin The base resin has adhesiveness and is contained in the resin composition in order to impart adhesiveness to the semiconductor wafer 7 to the adhesive layer 2 before irradiating the adhesive layer 2 with energy rays. It is something that can be done.

このようなベース樹脂としては、特に限定されず、例えば、後述する半導体素子保護用粘着テープ200が備える粘着層202で説明するベース樹脂と同様のものを用いることができる。 The base resin is not particularly limited, and for example, the same base resin as that described in the adhesive layer 202 included in the adhesive tape 200 for protecting a semiconductor element described later can be used.

(2)硬化性樹脂
硬化性樹脂は、例えば、エネルギー線の照射により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層2の粘着力が低下する。
(2) Curable Resin The curable resin has, for example, curability that can be cured by irradiation with energy rays. As a result of the base resin being incorporated into the crosslinked structure of the curable resin by this curing, the adhesive strength of the adhesive layer 2 is reduced.

このような硬化性樹脂としては、特に限定されず、例えば、後述する半導体素子保護用粘着テープ200が備える粘着層202で説明する硬化性樹脂と同様のものを用いることができる。 The curable resin is not particularly limited, and for example, the same curable resin as described in the adhesive layer 202 included in the adhesive tape 200 for protecting a semiconductor element described later can be used.

硬化性樹脂は、ベース樹脂100重量部に対して5重量部以上500重量部以下で配合されることが好ましく、10重量部以上300重量部以下で配合されることがより好ましく、20重量部以上200重量部以下で配合されることがさらに好ましい。上記のように硬化性樹脂の配合量を調整することによって、前記工程[5A]における半導体チップ20のピックアップ性を優れたものとすることができる。 The curable resin is preferably blended in an amount of 5 parts by weight or more and 500 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the base resin, more preferably 10 parts by weight or more and 300 parts by weight or less, and 20 parts by weight or more. It is more preferably blended in an amount of 200 parts by weight or less. By adjusting the blending amount of the curable resin as described above, the pick-up property of the semiconductor chip 20 in the step [5A] can be improved.

(3)光重合開始剤
また、粘着層2は、エネルギー線の照射により半導体用ウエハ7に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、硬化性樹脂には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。
(3) Photopolymerization Initiator Further, the adhesive layer 2 is deteriorated in adhesiveness to the semiconductor wafer 7 by irradiation with energy rays, but when ultraviolet rays or the like are used as the energy rays, the curable resin is used. , It is preferable to contain a photopolymerization initiator in order to facilitate the initiation of polymerization of the curable resin.

光重合開始剤としては、特に限定されず、例えば、後述する半導体素子保護用粘着テープ200が備える粘着層202で説明する光重合開始剤と同様のものを用いることができる。 The photopolymerization initiator is not particularly limited, and for example, the same photopolymerization initiator as described in the pressure-sensitive adhesive layer 202 included in the adhesive tape 200 for protecting a semiconductor element described later can be used.

光重合開始剤は、ベース樹脂100重量部に対して0.1重量部以上50重量部以下で配合されることが好ましく、0.5重量部以上10重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように光重合開始剤の配合量を調整することによって、半導体チップ20のピックアップ性は好適なものとなる。 The photopolymerization initiator is preferably blended in an amount of 0.1 parts by weight or more and 50 parts by weight or less, and more preferably 0.5 parts by weight or more and 10 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the base resin. .. By adjusting the blending amount of the photopolymerization initiator as described above, the pick-up property of the semiconductor chip 20 becomes suitable.

(4)架橋剤
さらに、硬化性樹脂には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、硬化性樹脂の硬化性の向上が図られる。
(4) Cross-linking agent Further, the curable resin may contain a cross-linking agent. The inclusion of the cross-linking agent improves the curability of the curable resin.

架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、後述する半導体素子保護用粘着テープ200が備える粘着層202で説明する架橋剤と同様のものを用いることができる。 The cross-linking agent is not particularly limited, but for example, the same cross-linking agent as described in the pressure-sensitive adhesive layer 202 included in the adhesive tape 200 for protecting semiconductor elements described later can be used.

架橋剤は、ベース樹脂100重量部に対して0.01重量部以上50重量部以下で配合されることが好ましく、5重量部以上50重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することによって、半導体チップ20のピックアップ性は好適なものとなる。 The cross-linking agent is preferably blended in an amount of 0.01 parts by weight or more and 50 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the base resin, and more preferably 5 parts by weight or more and 50 parts by weight or less. By adjusting the blending amount of the cross-linking agent as described above, the pick-up property of the semiconductor chip 20 becomes suitable.

(5)導電性材料(帯電防止剤)
さらに、粘着層2を構成する樹脂組成物には、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、前記個片化工程[3A]、および、前記ピックアップ工程[5A]における、半導体チップ20での静電気の発生が的確に抑制または防止される。
(5) Conductive material (antistatic agent)
Further, it is preferable that the resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer 2 contains a conductive material having conductivity. By including such a conductive material, the conductive material can function as an antistatic agent, and the semiconductor chip 20 in the individualization step [3A] and the pickup step [5A] can be used. The generation of static electricity is accurately suppressed or prevented.

この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、後述する半導体素子保護用粘着テープ200が備える基材204で説明する導電性材料と同様のものを用いることができる。 The conductive material is not particularly limited as long as it has conductivity, but the same conductive material as described in the base material 204 included in the adhesive tape 200 for protecting semiconductor elements described later can be used. ..

なお、基材4および粘着層2のうちの一方に導電性材料を含有させる構成とする場合には、基材4に導電性材料を含有させることが好ましい。これにより、半導体チップ20に導電性材料を確実に付着させることなく、半導体チップ20での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。 When one of the base material 4 and the adhesive layer 2 contains the conductive material, it is preferable that the base material 4 contains the conductive material. As a result, it is possible to more accurately suppress or prevent the generation of static electricity in the semiconductor chip 20 without reliably adhering the conductive material to the semiconductor chip 20.

(6)その他の成分
さらに、粘着層2を構成する樹脂組成物には、上述した各成分(1)~(5)の他に他の成分として、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも1種が含まれていてもよい。
(6) Other components Further, in the resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer 2, a pressure-sensitive adhesive, an antiaging agent, and a pressure-sensitive adhesive are added as other components in addition to the above-mentioned components (1) to (5). , At least one of a filler, a colorant, a flame retardant, a softener, an antioxidant, a plasticizer, a surfactant and the like may be contained.

なお、これらのうち粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 The tackifier is not particularly limited, and for example, rosin resin, terpene resin, kumaron resin, phenol resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, and aliphatic aromatic copolymerized petroleum. Examples thereof include resins, and one or more of these can be used in combination.

また、粘着層2の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、1μm以上30μm以下であるのが好ましく、5μm以上30μm以下であるのがより好ましく、10μm以上20μm以下であるのがさらに好ましい。粘着層2の平均厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層2は、粘着層2へのエネルギー付与前には、良好な粘着力を発揮するとともに、粘着層2へのエネルギー付与後には、粘着層2と半導体用ウエハ7との間において、良好な剥離性を発揮する。 The average thickness of the adhesive layer 2 is not particularly limited, but is preferably 1 μm or more and 30 μm or less, more preferably 5 μm or more and 30 μm or less, and further preferably 10 μm or more and 20 μm or less. By setting the average thickness of the adhesive layer 2 within such a range, the adhesive layer 2 exhibits good adhesive force before the energy is applied to the adhesive layer 2, and after the energy is applied to the adhesive layer 2. , Exhibits good peelability between the adhesive layer 2 and the semiconductor wafer 7.

なお、粘着層2は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体(多層体)で構成されるものであってもよい。 The adhesive layer 2 may be composed of a laminated body (multilayer body) in which a plurality of layers composed of different resin compositions are laminated.

以上のような半導体用ウエハ加工用粘着テープ100を用いた半導体装置の製造方法において、前述の通り、前記工程[1A]~[9A]を実施した後に、前記工程[5A]~[9A]を繰り返して実施することで、1つの半導体用ウエハ7から複数の半導体装置10が製造される。 In the method for manufacturing a semiconductor device using the semiconductor wafer processing adhesive tape 100 as described above, as described above, after performing the steps [1A] to [9A], the steps [5A] to [9A] are performed. By repeating this process, a plurality of semiconductor devices 10 are manufactured from one semiconductor wafer 7.

この場合では、1つの半導体用ウエハ7からの複数の半導体装置10の製造を、その途中で翌日以降に持ち越すために、半導体用ウエハ7に半導体チップ20を残存させたまま、半導体装置10の製造を打ち切り、エキスパンディング状態を解放して、半導体用ウエハ7(半導体チップ20)の外周部121側において、加工用粘着テープ100をウエハリング9で固定した状態、すなわち、加工用粘着テープ100(基板)と、半導体用ウエハ7(半導体チップ20)と、ウエハリング9とを有する積層物150とした状態で保管、さらには移動させることがある。そして、例えば、翌日以降に、前述した工程[5A]におけるエキスパンディング工程から後を実施することで、半導体装置10の製造が再開される。 In this case, in order to carry over the production of the plurality of semiconductor devices 10 from one semiconductor wafer 7 to the next day or later on the way, the semiconductor device 10 is manufactured while the semiconductor chip 20 remains on the semiconductor wafer 7. Is cut off, the expanding state is released, and the processing adhesive tape 100 is fixed by the wafer ring 9 on the outer peripheral portion 121 side of the semiconductor wafer 7 (semiconductor chip 20), that is, the processing adhesive tape 100 (substrate). ), The semiconductor wafer 7 (semiconductor chip 20), and the laminate 150 having the wafer ring 9 may be stored and further moved. Then, for example, by carrying out the subsequent step from the expanding step in the above-mentioned step [5A] on or after the next day, the production of the semiconductor device 10 is restarted.

しかしながら、エキスパンディング状態を解放した後に、単に、半導体用ウエハ7の外周部121側において加工用粘着テープ100をウエハリング9で固定した積層物150の状態でカセットケース等内において保管すると、その保管状況によっては、埃や水蒸気等の外部異物により、半導体用ウエハ7(半導体チップ20)が汚染されてしまい、これに起因して、かかる半導体チップ20を用いて製造される半導体装置10の信頼性が低下すると言う問題があった。 However, after the expanding state is released, if the processing adhesive tape 100 is simply stored in the cassette case or the like in the state of the laminate 150 in which the processing adhesive tape 100 is fixed by the wafer ring 9 on the outer peripheral portion 121 side of the semiconductor wafer 7, the storage thereof is performed. Depending on the situation, the semiconductor wafer 7 (semiconductor chip 20) may be contaminated by external foreign matter such as dust and water vapor, and as a result, the reliability of the semiconductor device 10 manufactured by using the semiconductor chip 20 may be contaminated. There was a problem that it decreased.

これに対して、本発明では、樹脂材料を含有するシート状をなす基材204と、この基材204上に積層された粘着層202とを備える積層体により構成され、この積層体の縁部において選択的に粘着性を有する半導体素子保護用粘着テープ200(以下、単に「保護用粘着テープ200」ということもある。)を用意する。そして、この保護用粘着テープ200を、積層物150の加工用粘着テープ100とは反対側において、ウエハリング9に粘着層202が備える粘着性をもって粘着させる。これにより、加工用粘着テープ100、ウエハリング9および保護用粘着テープ200により密閉空間250が形成され、その結果、この密閉空間250内に、半導体用ウエハ7(半導体チップ20)が封止される(図5参照。)。このように、密閉空間250内に半導体用ウエハ7(半導体チップ20)を封止した状態で、カセットケース等内において保管することができるため、埃や水蒸気等の外部異物により、半導体用ウエハ7(半導体チップ20)が汚染されるのを的確に抑制または防止することができる。したがって、かかる半導体チップ20を用いて製造される半導体装置10の信頼性の向上が図られる。 On the other hand, in the present invention, it is composed of a laminated body including a sheet-shaped base material 204 containing a resin material and an adhesive layer 202 laminated on the base material 204, and an edge portion of the laminated body. In the above, a semiconductor element protective adhesive tape 200 (hereinafter, may be simply referred to as “protective adhesive tape 200”) having adhesiveness selectively is prepared. Then, the protective adhesive tape 200 is adhered to the wafer ring 9 with the adhesiveness of the adhesive layer 202 on the side opposite to the processing adhesive tape 100 of the laminate 150. As a result, the sealed space 250 is formed by the processing adhesive tape 100, the wafer ring 9, and the protective adhesive tape 200, and as a result, the semiconductor wafer 7 (semiconductor chip 20) is sealed in the closed space 250. (See FIG. 5). Since the semiconductor wafer 7 (semiconductor chip 20) can be stored in the cassette case or the like in the sealed space 250 in this way, the semiconductor wafer 7 is caused by external foreign matter such as dust and water vapor. It is possible to accurately suppress or prevent the (semiconductor chip 20) from being contaminated. Therefore, the reliability of the semiconductor device 10 manufactured by using the semiconductor chip 20 can be improved.

そして、例えば、翌日以降に、保護用粘着テープ200を、ウエハリング9から引き剥がすと言う単純な作業の後に、前述した工程[5A]におけるエキスパンディング工程から後を実施することで、半導体装置10の製造を再開させることができる。 Then, for example, after the next day, the semiconductor device 10 is performed by performing the simple operation of peeling the protective adhesive tape 200 from the wafer ring 9 and then the expanding step in the above-mentioned step [5A]. Production can be resumed.

以下、この半導体素子保護用粘着テープ200について説明する。
<半導体素子保護用粘着テープ>
<<第1実施形態>>
図6は、本発明の半導体素子保護用粘着テープの第1実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図6中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
Hereinafter, the adhesive tape 200 for protecting the semiconductor element will be described.
<Adhesive tape for protecting semiconductor elements>
<< First Embodiment >>
FIG. 6 is a vertical sectional view showing a first embodiment of the adhesive tape for protecting a semiconductor element of the present invention. In the following description, the upper side in FIG. 6 is referred to as "upper" and the lower side is referred to as "lower".

保護用粘着テープ200は、本実施形態では、樹脂材料を含有する円盤状をなす基材204と、基材204の上面(一方の面)のほぼ全面に積層して形成された粘着層202と、粘着層202の上面の縁部を除く中心部に積層(貼付)して形成された貼付層205とを備える積層体により構成される。すなわち、本実施形態の保護用粘着テープ200では、粘着層202は、基材204のほぼ全面に形成され、さらに、保護用粘着テープ200は、さらに、粘着層202の縁部を除く中心部に貼付された貼付層205を備えている。 In the present embodiment, the protective adhesive tape 200 includes a disk-shaped base material 204 containing a resin material and an adhesive layer 202 formed by laminating almost the entire upper surface (one side) of the base material 204. , It is composed of a laminated body including a sticking layer 205 formed by laminating (sticking) on a central portion excluding the edge portion of the upper surface of the adhesive layer 202. That is, in the protective adhesive tape 200 of the present embodiment, the adhesive layer 202 is formed on almost the entire surface of the base material 204, and the protective adhesive tape 200 is further formed on the central portion excluding the edge portion of the adhesive layer 202. The pasted layer 205 is provided.

保護用粘着テープ200をかかる構成のものとすることで、基材204と、この基材204上に積層された粘着層202とを備える積層体において、この積層体の縁部において選択的に粘着性が発揮される。したがって、この縁部における粘着性をもってウエハリング9に対して保護用粘着テープ200を貼付させることができる。 By adopting the protective adhesive tape 200 in such a configuration, in a laminated body including the base material 204 and the adhesive layer 202 laminated on the base material 204, the adhesive is selectively adhered at the edge of the laminated body. The sex is demonstrated. Therefore, the protective adhesive tape 200 can be attached to the wafer ring 9 with the adhesiveness at the edge portion.

以下、これら基材204、粘着層202および貼付層205について説明する。
なお、保護用粘着テープ200において、本実施形態では、粘着層202は、エネルギーを付与することで、粘着層202のウエハリング9に対する粘着性が低下する機能を有するものであり、これにより、半導体装置10の製造を再開させる際に、エネルギーを付与することで、粘着層202の粘着性を低下させて保護用粘着テープ200を容易に剥離させることができる。
Hereinafter, these base materials 204, the adhesive layer 202, and the sticking layer 205 will be described.
In the protective adhesive tape 200, in the present embodiment, the adhesive layer 202 has a function of reducing the adhesiveness of the adhesive layer 202 to the wafer ring 9 by applying energy, whereby the semiconductor is used. By applying energy when the production of the apparatus 10 is restarted, the adhesiveness of the adhesive layer 202 can be lowered and the protective adhesive tape 200 can be easily peeled off.

このような粘着層202にエネルギーを付与する方法としては、粘着層202にエネルギー線を照射する方法および粘着層202を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、半導体チップ20が不要な熱履歴を経る必要がないことから、粘着層202にエネルギー線を照射する方法が好適に用いられる。そのため、以下では、粘着層202として、エネルギー線の照射により前記粘着性が低下するものを代表に説明する。 Examples of the method of applying energy to the adhesive layer 202 include a method of irradiating the adhesive layer 202 with energy rays and a method of heating the adhesive layer 202. Among them, the semiconductor chip 20 has an unnecessary heat history. Since it is not necessary to pass through, a method of irradiating the adhesive layer 202 with energy rays is preferably used. Therefore, in the following, as the adhesive layer 202, a layer whose adhesiveness is lowered by irradiation with energy rays will be described as a representative.

<基材204>
基材204は、主として樹脂材料から成り、この基材204上に設けられた粘着層202および貼付層205を支持する機能を有している。この基材204は、その全体形状が円盤状、すなわち、平面視形状が円形状をなしている。
<Base material 204>
The base material 204 is mainly made of a resin material and has a function of supporting the adhesive layer 202 and the sticking layer 205 provided on the base material 204. The base material 204 has a disk shape as a whole, that is, a circular shape in a plan view.

かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレンのようなポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリイソブチレン等のポリオレフィン系樹脂(オレフィン系高分子)、エチレン-酢酸ビニル共重合体、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体のようなアイオノマー、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン-プロピレン共重合体、エチレン-ブテン共重合体、エチレン-ヘキセン共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂(エステル類高分子)、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー(スチレン系高分子)、ポリプロピレン系熱可塑性エラストマーのようなオレフィン系熱可塑性エラストマー(オレフィン系高分子)、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート(カーボネート系高分子)等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられ、中でも、エステル類高分子、スチレン系高分子、オレフィン系高分子、カーボネート系高分子、アイオノマー、またはこれらの高分子の少なくとも1種が含有されている共重合物であることが好ましい。 The resin material is not particularly limited, and is, for example, low-density polyethylene, linear polyethylene, medium-density polyethylene, high-density polyethylene, polyethylene such as ultra-low-density polyethylene, random copolymerized polypropylene, block copolymerized polypropylene, and homozygous. Polypropylene such as polyprolene, polyvinyl chloride, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, polyolefin resin (olefin polymer) such as polyisobutylene, ethylene-vinyl acetate copolymer, zinc ion cross-linking body, sodium ion cross-linking body Ionomer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-propylene copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene-hexene Like olefin copolymers such as copolymers, polyester resins (esters polymers) such as polyethylene terephthalates, polyethylene naphthalates, polybutylene terephthalates, and polybutylene naphthalates, polyurethanes, polyimides, polyamides, and polyether ether ketones. Polyether-based thermoplastic elastomers such as polyether ketones, polyether sulfones, polystyrenes, fluororesins, silicone resins, cellulose-based resins, styrene-based thermoplastic elastomers (styrene-based polymers), and polypropylene-based thermoplastic elastomers (olefin-based highs). Polymers), acrylic resins, polyester-based thermoplastic elastomers, polyvinylisoprenes, polycarbonates (carbonate-based polymers) and other thermoplastic resins, and mixtures of these thermoplastic resins are used. Among them, ester polymers and styrene-based high-grade products are used. It is preferably a copolymer containing a molecule, an olefin polymer, a carbonate polymer, an ionomer, or at least one of these polymers.

これらの樹脂材料は、光(可視光線、近赤外線、紫外線)、X線、電子線等のエネルギー線を透過し得る材料であることから、エネルギー線を基材204側から基材204を透過させて粘着層202に照射する場合に好ましく用いることができる。そのため、半導体装置10の製造を再開させる際に、エネルギー線を基材204側から粘着層202に照射することで、粘着層202の粘着性を低下させて保護用粘着テープ200を容易に剥離させることができる。 Since these resin materials are materials capable of transmitting energy rays such as light (visible light, near infrared rays, ultraviolet rays), X-rays, and electron beams, the energy rays are transmitted from the base material 204 side to the base material 204. It can be preferably used when irradiating the adhesive layer 202. Therefore, when the production of the semiconductor device 10 is restarted, the adhesive layer 202 is irradiated with energy rays from the base material 204 side to reduce the adhesiveness of the adhesive layer 202 and easily peel off the protective adhesive tape 200. be able to.

特に、樹脂材料としては、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、またはポリエチレンとエラストマーとの混合物を用いることが好ましい。 In particular, as the resin material, it is preferable to use a mixture of polypropylene and an elastomer, or a mixture of polyethylene and an elastomer.

また、このエラストマーとしては、下記一般式(1)で示されるポリスチレンセグメントと、下記一般式(2)で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体(スチレン-イソプレンブロック共重合体:SIS)が好ましい。 The elastomer is a block copolymer (styrene-isoprene block copolymer: SIS) composed of a polystyrene segment represented by the following general formula (1) and a vinyl polyisoprene segment represented by the following general formula (2). ) Is preferable.

Figure 0007021687000001
(一般式(1)中、nは2以上の整数を表す。)
Figure 0007021687000001
(In the general formula (1), n represents an integer of 2 or more.)

Figure 0007021687000002
(一般式(2)中、nは2以上の整数を表す。)
Figure 0007021687000002
(In the general formula (2), n represents an integer of 2 or more.)

また、基材204は、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、保護用粘着テープ200の剥離の際に、ウエハリング9ひいては半導体チップ20における静電気の発生を的確に抑制または防止することができる。 Further, the base material 204 preferably contains a conductive material having conductivity. By including such a conductive material, the conductive material exerts a function as an antistatic agent, and when the protective adhesive tape 200 is peeled off, static electricity is generated in the wafer ring 9 and thus the semiconductor chip 20. It can be accurately suppressed or prevented.

この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、界面活性剤、永久帯電防止高分子(IDP)、金属材料、金属酸化物材料および炭素系材料等が挙げられ、これらのうち1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 The conductive material is not particularly limited as long as it has conductivity, and examples thereof include a surfactant, a permanent antistatic polymer (IDP), a metal material, a metal oxide material, and a carbon-based material. And one or more of these can be used in combination.

これらのうち界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等が挙げられる。 Among these, examples of the surfactant include anionic surfactants, cationic surfactants, nonionic surfactants, and amphoteric surfactants.

永久帯電防止高分子(IDP)としては、例えば、ポリエーテルとポリオレフィンブロックポリマー系列、ポリエステルアミド系列、ポリエステルアミド、ポリエーテルエステルアミド、ポリウレタン系列等の全てのIDPを用いることができる。 As the permanent antistatic polymer (IDP), for example, all IDPs such as a polyether and a polyolefin block polymer series, a polyester amide series, a polyester amide, a polyether ester amide, and a polyurethane series can be used.

また、金属材料としては、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられ、これらの金属粉が好ましく用いられる。 Examples of the metal material include gold, silver, copper, silver-coated copper, nickel and the like, and these metal powders are preferably used.

金属酸化物材料としては、インジウムティンオキサイド(ITO)、インジウムオキサイド(IO)、アンチモンティンオキサイド(ATO)、インジウムジンクオキサイド(IZO)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)、等が挙げられ、これらの金属酸化物粉が好ましく用いられる。 Examples of the metal oxide material include indium tin oxide (ITO), indium oxide (IO), antimontin oxide (ATO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), and the like. These metal oxide powders are preferably used.

さらに、炭素系材料としては、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、CNナノチューブ、CNナノファイバー、BCNナノチューブ、BCNナノファイバー、グラフェン等が挙げられる。 Further, examples of the carbon-based material include carbon black, single-walled carbon nanotubes, carbon nanotubes such as multi-walled carbon nanotubes, carbon nanofibers, CN nanotubes, CN nanofibers, BCN nanotubes, BCN nanofibers, and graphene.

さらに、基材204は、鉱油のような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。 Further, the base material 204 includes softeners such as mineral oil, fillers such as calcium carbonate, silica, talc, mica and clay, antioxidants, light stabilizers, lubricants, dispersants, neutralizers, colorants and the like. May be contained.

基材204の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、10μm以上600μm以下であるのが好ましく、30μm以上250μm以下であるのがより好ましい。基材204の平均厚さがこの範囲内であると、保護用粘着テープ200をウエハリング9に粘着させた際に、保護用粘着テープ200が撓むのを確実に抑制または防止した状態で、粘着層202および貼付層205を支持することができるため、半導体チップ20に保護用粘着テープ200が接触するのを確実に防止することができる。 The average thickness of the base material 204 is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more and 600 μm or less, and more preferably 30 μm or more and 250 μm or less. When the average thickness of the base material 204 is within this range, when the protective adhesive tape 200 is adhered to the wafer ring 9, the protective adhesive tape 200 is surely suppressed or prevented from bending. Since the adhesive layer 202 and the adhesive layer 205 can be supported, it is possible to reliably prevent the protective adhesive tape 200 from coming into contact with the semiconductor chip 20.

さらに、基材204は、その表面に、粘着層202に含まれる構成材料と反応性を有する、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していることが好ましい。 Further, it is preferable that the surface of the base material 204 is exposed with functional groups such as hydroxyl groups and amino groups having reactivity with the constituent materials contained in the pressure-sensitive adhesive layer 202.

また、基材204は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体(多層体)で構成されるものであってもよい。さらに、前記樹脂材料をドライブレンドしたブレンドフィルムで構成されるものであってもよい。 Further, the base material 204 may be composed of a laminated body (multilayer body) in which a plurality of layers made of different resin materials are laminated. Further, it may be composed of a blend film obtained by dry-blending the resin material.

なお、基材204は、その全体形状が円盤状をなしているが、縁部の一部から、厚さ方向に直交する方向に突出する突出部を把持部として備えるものであってもよい。これにより、ウエハリング9からの保護用粘着テープ200の引き剥がしを、この把持部を把持して実施することができる。そのため、かかる引き剥がしを、より容易に行うことができる。 Although the base material 204 has a disk shape as a whole, it may be provided with a protruding portion protruding from a part of the edge portion in a direction orthogonal to the thickness direction as a grip portion. Thereby, the protective adhesive tape 200 can be peeled off from the wafer ring 9 by gripping the grip portion. Therefore, such peeling can be performed more easily.

<粘着層>
粘着層202は、その粘着性をもって、保護用粘着テープ200をウエハリング9に粘着させる機能を有している。また、本実施形態では、この粘着層202は、このものに対するエネルギー線の照射によりウエハリング9への粘着性が低下し、これにより、粘着層202とウエハリング9との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となるものである。
<Adhesive layer>
The adhesive layer 202 has a function of adhering the protective adhesive tape 200 to the wafer ring 9 with its adhesiveness. Further, in the present embodiment, the adhesive layer 202 is less adhesive to the wafer ring 9 by irradiating the adhesive layer 202 with energy rays, whereby the adhesive layer 202 and the wafer ring 9 can be easily peeled off. It is a state that can occur.

かかる機能を備える粘着層202は、加工用粘着テープ100が備える粘着層2と同様に、(1)粘着性を有するベース樹脂と、(2)粘着層202を硬化させる硬化性樹脂と、を主材料として含有する樹脂組成物で構成される。 The adhesive layer 202 having such a function is mainly composed of (1) a base resin having adhesiveness and (2) a curable resin for curing the adhesive layer 202, similarly to the adhesive layer 2 provided in the adhesive tape 100 for processing. It is composed of a resin composition contained as a material.

以下、樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、説明する。
(1)ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、粘着層202へのエネルギー線の照射前に、ウエハリング9に対する粘着性を粘着層202に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。
Hereinafter, each component contained in the resin composition will be described in sequence.
(1) Base Resin The base resin has adhesiveness and is contained in the resin composition in order to impart adhesiveness to the wafer ring 9 to the adhesive layer 202 before irradiating the adhesive layer 202 with energy rays. It is a thing.

このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂(粘着剤)、シリコーン系樹脂(粘着剤)、ポリエステル系樹脂(粘着剤)、ポリ酢酸ビニル系樹脂(粘着剤)、ポリビニルエーテル系樹脂(粘着剤)、スチレン系エラストマー樹脂(粘着剤)、ポリイソプレン系樹脂(粘着剤)、ポリイソブチレン系樹脂(粘着剤)またはウレタン系樹脂(粘着剤)のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、ベース樹脂として好ましく用いられる。 Examples of such a base resin include acrylic resin (adhesive), silicone resin (adhesive), polyester resin (adhesive), polyvinyl acetate resin (adhesive), and polyvinyl ether resin (adhesive). , Stylized elastomer resin (adhesive), polyisoprene resin (adhesive), polyisobutylene resin (adhesive) or urethane resin (adhesive), which are known as adhesive layer components. However, it is particularly preferable to use an acrylic resin. Acrylic resins are preferably used as base resins because they have excellent heat resistance and can be obtained relatively easily and at low cost.

アクリル系樹脂は、(メタ)アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー(ホモポリマーまたはコポリマー)をベースポリマーとするもののことを言う。 Acrylic resin refers to a polymer (homopolymer or copolymer) containing a (meth) acrylic acid ester as a main component of a monomer as a base polymer.

(メタ)アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸s-ブチル、(メタ)アクリル酸t-ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸オクチル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸イソデシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシルのような(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシルのような(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸フェニルのような(メタ)アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸オクチルのような(メタ)アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。(メタ)アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。 The (meth) acrylic acid ester is not particularly limited, and is, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, and butyl (meth) acrylate. , (Meta) isobutyl acrylate, (meth) s-butyl acrylate, (meth) t-butyl acrylate, (meth) pentyl acrylate, (meth) hexyl acrylate, (meth) heptyl acrylate, (meth) Octyl acrylate, (meth) isooctyl acrylate, (meth) 2-ethylhexyl acrylate, (meth) nonyl acrylate, (meth) isononyl acrylate, (meth) decyl acrylate, (meth) isodecyl acrylate, (meth) ) Undecyl acrylate, (meth) dodecyl acrylate, (meth) tridecyl acrylate, (meth) tetradecyl acrylate, (meth) pentadecyl acrylate, (meth) hexadecyl acrylate, (meth) heptadecyl acrylate, (meth) (Meta) acrylic acid alkyl esters such as octadecyl acrylate, (meth) acrylic acid cycloalkyl esters such as (meth) acrylic acid cyclohexyl, (meth) acrylic acid aryl esters such as (meth) acrylic acid phenyl, etc. These can be mentioned, and one or more of these can be used in combination. Among these, (meth) acrylic acid alkyl esters such as (meth) methyl acrylate, (meth) ethyl acrylate, (meth) butyl acrylate, (meth) 2-ethylhexyl acrylate, and (meth) octyl acrylate. Is preferable. The (meth) acrylic acid alkyl ester is particularly excellent in heat resistance and can be obtained relatively easily and inexpensively.

なお、本明細書において、(メタ)アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。 In addition, in this specification, (meth) acrylic acid ester is used in the meaning which includes both acrylic acid ester and methacrylic acid ester.

また、このアクリル系樹脂は、そのガラス転移点が20℃以下であることが好ましい。これにより、粘着層202へのエネルギー線の照射前において、粘着層202に優れた粘着性を発揮させることができる。 Further, it is preferable that the glass transition point of this acrylic resin is 20 ° C. or lower. As a result, the adhesive layer 202 can exhibit excellent adhesiveness before the adhesive layer 202 is irradiated with energy rays.

アクリル系樹脂は、凝集力、耐熱性等の改質等を目的として、必要に応じて、ポリマーを構成するモノマー成分として、共重合性モノマーを含むものが用いられる。 As the acrylic resin, a resin containing a copolymerizable monomer is used as a monomer component constituting the polymer, if necessary, for the purpose of modifying the cohesive force, heat resistance and the like.

このような共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6-ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー、(メタ)アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、(メタ)アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、(メタ)アクリルアミド、N,N-ジメチル(メタ)アクリルアミド、N-ブチル(メタ)アクリルアミド、N-メチロール(メタ)アクリルアミド、N-メチロールプロパン(メタ)アクリルアミド、N-メトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N-ブトキシメチル(メタ)アクリルアミドのようなアミド系モノマー、(メタ)アクリル酸アミノエチル、(メタ)アクリル酸N,N-ジメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸t-ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、(メタ)アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンのようなオレフィン系モノマー、スチレン、α-メチルスチレン、ビニルトルエンのようなスチレン系モノマー、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル系モノマー、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルのようなビニルエーテル系モノマー、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなハロゲン原子含有モノマー、(メタ)アクリル酸メトキシエチル、(メタ)アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、N-ビニル-2-ピロリドン、N-メチルビニルピロリドン、N-ビニルピリジン、N-ビニルピペリドン、N-ビニルピリミジン、N-ビニルピペラジン、N-ビニルピラジン、N-ビニルピロール、N-ビニルイミダゾール、N-ビニルオキサゾール、N-ビニルモルホリン、N-ビニルカプロラクタム、N-(メタ)アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 The copolymerizable monomer is not particularly limited, and is, for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, (meth). Hydroxyl group-containing monomers such as 6-hydroxyhexyl acrylate, epoxy group-containing monomers such as glycidyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, isocrotonic acid, etc. Carboxyl group-containing monomers, acid anhydride group-containing monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride, (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N-butyl (meth) acrylamide, N-methylol ( Amid-based monomers such as meta) acrylamide, N-methylolpropane (meth) acrylamide, N-methoxymethyl (meth) acrylamide, N-butoxymethyl (meth) acrylamide, aminoethyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid. Amino group-containing monomers such as N, N-dimethylaminoethyl, t-butylaminoethyl (meth) acrylate, cyano group-containing monomers such as (meth) acrylonitrile, ethylene, propylene, isoprene, butadiene, isobutylene and the like. Olefin-based monomers, styrene, α-methylstyrene, styrene-based monomers such as vinyltoluene, vinyl acetate-based monomers such as vinyl acetate and vinyl propionate, vinyl ether-based monomers such as methylvinyl ether and ethyl vinyl ether, vinyl chloride, chloride. Halogen atom-containing monomers such as vinylidene, methoxyethyl (meth) acrylate, alkoxy group-containing monomers such as ethoxyethyl (meth) acrylate, N-vinyl-2-pyrrolidone, N-methylvinylpyrrolidone, N-vinylpyridine , N-vinylpiperidone, N-vinylpyrimidine, N-vinylpiperazin, N-vinylpyrazine, N-vinylpyrrole, N-vinylimidazole, N-vinyloxazole, N-vinylmorpholin, N-vinylcaprolactam, N- (meth) Examples thereof include a monomer having a nitrogen atom-containing ring such as acryloylmorpholine, and one or a combination of two or more of these can be used.

これら共重合性モノマーの含有量は、アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分に対して、40重量%以下であることが好ましく、10重量%以下であることがより好ましい。 The content of these copolymerizable monomers is preferably 40% by weight or less, more preferably 10% by weight or less, based on all the monomer components constituting the acrylic resin.

また、共重合性モノマーは、アクリル系樹脂を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。 Further, the copolymerizable monomer may be contained at the end of the main chain in the polymer constituting the acrylic resin, or may be contained in the main chain, and further, the end of the main chain and the main chain. It may be included in both the inside and the inside.

さらに、共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。 Further, the copolymerizable monomer may contain a polyfunctional monomer for the purpose of cross-linking between polymers.

多官能性モノマーとしては、例えば、1,6-ヘキサンジオール(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ(メタ)アクリレート、ヘキシルジ(メタ)アクリレート等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the polyfunctional monomer include 1,6-hexanediol (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, and neopentyl glycol di (meth) acrylate. , Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropanthry (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, glycerinji (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester ( Examples thereof include meta) acrylate, urethane (meth) acrylate, divinylbenzene, butyldi (meth) acrylate, and hexyldi (meth) acrylate, and one or more of these can be used in combination.

また、エチレン-酢酸ビニルコポリマーおよび酢酸ビニルポリマー等も、共重合性モノマー成分として用いることができる。 Further, ethylene-vinyl acetate copolymer, vinyl acetate polymer and the like can also be used as the copolymerizable monomer component.

なお、このようなアクリル系樹脂(ポリマー)は、単一のモノマー成分または2種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。 In addition, such an acrylic resin (polymer) can be produced by polymerizing a single monomer component or a mixture of two or more kinds of monomer components. Further, the polymerization of these monomer components can be carried out by using a polymerization method such as a solution polymerization method, an emulsion polymerization method, a bulk polymerization method, or a suspension polymerization method.

以上、説明したモノマー成分を重合することにより得られるアクリル系樹脂としては、炭素-炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているアクリル系樹脂(「二重結合導入型アクリル系樹脂」と言うこともある。)であることが好ましい。アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、後述する硬化性樹脂の添加を省略したとしても、得られる粘着層202に、上述した粘着層202としての機能を発揮させることができる。 As the acrylic resin obtained by polymerizing the monomer components described above, an acrylic resin having a carbon-carbon double bond in the side chain, in the main chain, or at the end of the main chain (“double”). It may also be referred to as "bond-introduced acrylic resin"). When the acrylic resin is a double bond introduction type acrylic resin, the obtained adhesive layer 202 can exhibit the function as the above-mentioned adhesive layer 202 even if the addition of the curable resin described later is omitted. Can be done.

このような二重結合導入型アクリル系樹脂としては、アクリル系樹脂を構成するポリマー内の側鎖のうち、1/100以上の側鎖のそれぞれに、炭素-炭素二重結合を1個有している二重結合導入型アクリル系樹脂(「二重結合側鎖導入型アクリル系樹脂」と言うこともある。)であることが好ましい。このように、炭素-炭素二重結合を、アクリル系樹脂の側鎖に導入することは、分子設計の点からも有利である。なお、この二重結合側鎖導入型アクリル系樹脂は、主鎖中や、主鎖の末端にも、炭素-炭素二重結合を有していてもよい。 Such a double bond-introduced acrylic resin has one carbon-carbon double bond in each of 1/100 or more of the side chains in the polymer constituting the acrylic resin. It is preferably a double bond-introduced acrylic resin (sometimes referred to as "double bond side chain-introduced acrylic resin"). As described above, introducing a carbon-carbon double bond into the side chain of an acrylic resin is advantageous from the viewpoint of molecular design. The double bond side chain introduction type acrylic resin may have a carbon-carbon double bond in the main chain or at the end of the main chain.

このような二重結合導入型アクリル系樹脂の合成方法(すなわち、アクリル系樹脂に炭素-炭素二重結合を導入する方法)としては、特に限定されず、例えば、共重合性モノマーとして官能基を有するモノマーを用いて共重合して、官能基を含有するアクリル系樹脂(「官能基含有アクリル系樹脂」と言うこともある。)を合成した後、官能基含有アクリル系樹脂中の官能基と反応し得る官能基と、炭素-炭素二重結合とを有する化合物(「炭素-炭素二重結合含有反応性化合物」と言うこともある。)を、官能基含有アクリル系樹脂に、炭素-炭素二重結合のエネルギー線硬化性(エネルギー線重合性)を維持した状態で、縮合反応または付加反応させることにより、二重結合導入型アクリル系樹脂を合成する方法等が挙げられる。 The method for synthesizing such a double bond-introducing acrylic resin (that is, a method for introducing a carbon-carbon double bond into an acrylic resin) is not particularly limited, and for example, a functional group is used as a copolymerizable monomer. After copolymerizing with the monomer having a functional group to synthesize a functional group-containing acrylic resin (sometimes referred to as "functional group-containing acrylic resin"), it is combined with the functional group in the functional group-containing acrylic resin. A compound having a reactive functional group and a carbon-carbon double bond (sometimes referred to as a "carbon-carbon double bond-containing reactive compound") is added to a functional group-containing acrylic resin to carbon-carbon. Examples thereof include a method of synthesizing a double bond-introduced acrylic resin by subjecting a condensation reaction or an addition reaction while maintaining the energy ray curability (energy ray polymerization property) of the double bond.

なお、アクリル系樹脂に炭素-炭素二重結合を、全側鎖のうちの1/100以上の側鎖に導入する際の制御手段としては、例えば、官能基含有アクリル系樹脂に縮合反応または付加反応させる化合物である炭素-炭素二重結合含有反応性化合物の含有量を適宜調節することにより行う方法等が挙げられる。 As a control means for introducing a carbon-carbon double bond into an acrylic resin in 1/100 or more of the side chains, for example, a condensation reaction or addition to a functional group-containing acrylic resin is performed. Examples thereof include a method in which the content of the carbon-carbon double bond-containing reactive compound, which is a compound to be reacted, is appropriately adjusted.

また、官能基含有アクリル系樹脂に炭素-炭素二重結合含有反応性化合物を縮合反応又は付加反応させる際には、触媒を用いることにより、前記反応を効果的に進行させることができる。このような触媒としては、特に制限されないが、ジラウリン酸ジブチルスズのようなスズ系触媒が好ましく用いられる。このスズ系触媒の含有量としては、特に制限されないが、例えば、官能基含有アクリル系樹脂100重量部に対して0.05重量部以上1重量部以下であることが好ましい。 Further, when a carbon-carbon double bond-containing reactive compound is subjected to a condensation reaction or an addition reaction with a functional group-containing acrylic resin, the reaction can be effectively advanced by using a catalyst. The catalyst is not particularly limited, but a tin-based catalyst such as dibutyltin dilaurate is preferably used. The content of the tin-based catalyst is not particularly limited, but is preferably 0.05 parts by weight or more and 1 part by weight or less with respect to 100 parts by weight of the functional group-containing acrylic resin.

また、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Aおよび炭素-炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Bとしては、例えば、カルボキシル基、酸無水物基、ヒドロキシル基、アミノ基、エポキシ基、イソシアネート基、アジリジン基等が挙げられ、さらに、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Aと、炭素-炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Bとの組み合わせとしては、例えば、カルボン酸基(カルボキシル基)とエポキシ基との組み合わせ、カルボン酸基とアジリジン基との組み合わせ、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせ、ヒドロキシル基とカルボキシル基との組み合わせ等の各種の組み合わせが挙げられ、これらの中でも、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせであることが好ましい。これにより、これら官能基A、B同士の反応追跡を容易に行うことができる。 The functional group A in the functional group-containing acrylic resin and the functional group B in the carbon-carbon double bond-containing reactive compound include, for example, a carboxyl group, an acid anhydride group, a hydroxyl group, an amino group, an epoxy group, and an isocyanate. Examples of the combination of the functional group A in the functional group-containing acrylic resin and the functional group B in the carbon-carbon double bond-containing reactive compound include a carboxylic acid group (carboxyl). Various combinations such as a combination of a group) and an epoxy group, a combination of a carboxylic acid group and an aziridine group, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group, and a combination of a hydroxyl group and a carboxyl group can be mentioned. It is preferably a combination of a group and an isocyanate group. Thereby, the reaction tracking between these functional groups A and B can be easily performed.

さらに、これらの官能基A、Bの組み合わせにおいて、何れの官能基が、官能基含有アクリル系樹脂の官能基Aまたは炭素-炭素二重結合含有反応性化合物の官能基Bとなっていてもよいが、例えば、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせの場合、ヒドロキシル基が、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Aとなっており、イソシアネート基が、炭素-炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Bとなっていることが好ましい。 Further, in the combination of these functional groups A and B, any functional group may be the functional group A of the functional group-containing acrylic resin or the functional group B of the carbon-carbon double bond-containing reactive compound. However, for example, in the case of a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group, the hydroxyl group is the functional group A in the functional group-containing acrylic resin, and the isocyanate group is the functional group in the carbon-carbon double bond-containing reactive compound. It is preferably the group B.

この場合、官能基含有アクリル系樹脂を構成する官能基Aを有するモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸のようなカルボキシル基を有するもの、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基を有するもの、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8-ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10-ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12-ヒドロキシラウリル、(4-ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレート、ビニルアルコール、アリルアルコール、2-ヒドロキシエチルビニルエーテル、2-ヒドロキシプロピルビニルエーテル、4-ヒドロキシブチルビニルエーテル、エチレングリコールモノビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、プロピレングリコールモノビニルエーテル、ジプロピレングリコールモノビニルエーテルのようなヒドロキシル基を有するもの、(メタ)アクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテルのようなエポキシ基を有するもの等が挙げられる。 In this case, examples of the monomer having a functional group A constituting the functional group-containing acrylic resin include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid. Those having a carboxyl group, those having an acid anhydride group such as maleic anhydride and itaconic acid anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylic acid, 2-hydroxypropyl (meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid. 4-Hydroxybutyl, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethyl) Cyclohexyl) Methyl (meth) acrylate, vinyl alcohol, allyl alcohol, 2-hydroxyethyl vinyl ether, 2-hydroxypropyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, ethylene glycol monovinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, propylene glycol monovinyl ether, dipropylene glycol mono Examples thereof include those having a hydroxyl group such as vinyl ether, those having an epoxy group such as glycidyl (meth) acrylate and allyl glycidyl ether.

また、官能基Bを有する炭素-炭素二重結合含有反応性化合物としては、イソシアネート基を有するものとして、例えば、(メタ)アクリロイルイソシアネート、(メタ)アクリロイルオキシメチルイソシアネート、2-(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2-(メタ)アクリロイルオキシプロピルイソシアネート、3-(メタ)アクリロイルオキシプロピルイソシアネート、4-(メタ)アクリロイルオキシブチルイソシアネート、m-プロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられ、エポキシ基を有するものとして、(メタ)アクリル酸グリシジル等が挙げられる。 Examples of the carbon-carbon double bond-containing reactive compound having a functional group B include those having an isocyanate group, such as (meth) acryloyl isocyanate, (meth) acryloyloxymethyl isocyanate, and 2- (meth) acryloyloxy. Examples thereof include ethyl isocyanate, 2- (meth) acryloyloxypropyl isocyanate, 3- (meth) acryloyloxypropyl isocyanate, 4- (meth) acryloyloxybutyl isocyanate, m-propenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, and epoxy. Examples of those having a group include glycidyl (meth) acrylate.

アクリル系樹脂は、保護用粘着テープ200を、ウエハリング9から剥離させる際に、アクリル系樹脂をウエハリング9に残存させないという観点から、低分子量物の含有量が少ないものであることが好ましい。この場合、アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、好ましくは30万~500万に設定され、より好ましくは50万~500万に設定され、さらに好ましくは80万~300万に設定される。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量が、モノマー成分の種類等によっては、前記下限値未満であると、ウエハリング9等に対する汚染防止性が低下し、ウエハリング9を剥離させた際に糊残りが生じるおそれがある。 The acrylic resin preferably has a low content of low molecular weight substances from the viewpoint that the acrylic resin does not remain on the wafer ring 9 when the protective adhesive tape 200 is peeled off from the wafer ring 9. In this case, the weight average molecular weight of the acrylic resin is preferably set to 300,000 to 5,000,000, more preferably 500,000 to 5,000,000, and even more preferably 800,000 to 3,000,000. If the weight average molecular weight of the acrylic resin is less than the lower limit depending on the type of the monomer component or the like, the antifouling property for the wafer ring 9 or the like is lowered, and the adhesive residue is left when the wafer ring 9 is peeled off. May occur.

なお、アクリル系樹脂は、ヒドロキシル基やカルボキシル基(特に、ヒドロキシル基)のような、架橋剤や光重合開始剤に対して反応性を有する官能基(反応性官能基)を有していることが好ましい。これにより、架橋剤や光重合開始剤がポリマー成分であるアクリル樹脂に連結するため、粘着層202からこれら架橋剤や光重合開始剤が漏出することを的確に抑制または防止することができる。その結果、エネルギー線照射時により、粘着層202のウエハリング9に対する粘着性が確実に低下される。 The acrylic resin has a functional group (reactive functional group) that is reactive with a cross-linking agent and a photopolymerization initiator, such as a hydroxyl group and a carboxyl group (particularly, a hydroxyl group). Is preferable. As a result, since the cross-linking agent and the photopolymerization initiator are linked to the acrylic resin which is a polymer component, it is possible to accurately suppress or prevent the leakage of these cross-linking agents and the photopolymerization initiator from the adhesive layer 202. As a result, the adhesiveness of the adhesive layer 202 to the wafer ring 9 is surely lowered by the time of irradiation with energy rays.

(2)硬化性樹脂
硬化性樹脂は、例えば、エネルギー線の照射により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層202の粘着力が低下する。
(2) Curable Resin The curable resin has, for example, curability that can be cured by irradiation with energy rays. As a result of the base resin being incorporated into the crosslinked structure of the curable resin by this curing, the adhesive strength of the adhesive layer 202 is reduced.

このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素-炭素二重結合を、官能基として少なくとも2個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、1,4-ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレートのような(メタ)アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、2-プロペニル-ジ-3-ブテニルシアヌレート等の炭素-炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス(2-アクリロキシエチル)イソシアヌレート、トリス(2-メタクリロキシエチル)イソシアヌレート、2-ヒドロキシエチル ビス(2-アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ビス(2-アクリロキシエチル)2-[(5-アクリロキシヘキシル)-オキシ]エチルイソシアヌレート、トリス(1,3-ジアクリロキシ-2-プロピル-オキシカルボニルアミノ-n-ヘキシル)イソシアヌレート、トリス(1-アクリロキシエチル-3-メタクリロキシ-2-プロピル-オキシカルボニルアミノ-n-ヘキシル)イソシアヌレート、トリス(4-アクリロキシ-n-ブチル)イソシアヌレートのような炭素-炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、官能基数が6官能以上であるオリゴマーが含まれることが好ましく、官能基数が15官能以上であるオリゴマーが含まれることがより好ましい。これにより、エネルギー線の照射により硬化性樹脂をより確実に硬化させることができる。また、このような硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートであることが好ましい。これにより、適度な柔軟性によるピックアップ時の糊割れを抑制できるという効果が得られる。 Such a curable resin has, for example, a low molecular weight having at least two or more polymerizable carbon-carbon double bonds as functional groups that can be three-dimensionally crosslinked by irradiation with energy rays such as ultraviolet rays and electron beams. Compounds are used. Specifically, for example, trimethylolpropanetri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, tetramethylolmethanetetra (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-Hexanediol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, 1,4-butylene glycol di (meth) ) Acrylate, esterified product of (meth) acrylic acid and polyhydric alcohol such as polyethylene glycol di (meth) acrylate, glycerin di (meth) acrylate, ester acrylate oligomer, 2-propenyl-di-3-butenyl cyanurate Cyanurate compounds having a carbon-carbon double bond-containing group such as tris (2-acryloxyethyl) isocyanurate, tris (2-methacryloxyethyl) isocyanurate, 2-hydroxyethyl bis (2-acrylate). Loxyethyl) isocyanurate, bis (2-acryloxyethyl) 2-[(5-acryloxyhexyl) -oxy] ethyl isocyanurate, tris (1,3-diacryloxy-2-propyl-oxycarbonylamino-n-hexyl) ) Isocyanurate, Tris (1-acryloxyethyl-3-methacryloxy-2-propyl-oxycarbonylamino-n-hexyl) isocyanurate, Tris (4-acryloxy-n-butyl) Isocyanurate-like carbon-carbon di Examples thereof include isocyanurate-based compounds having a heavy bond-containing group, commercially available oligoester acrylates, aromatic-based and aliphatic-based urethane acrylates, and one or more of these are used in combination. be able to. Among these, it is preferable to include an oligomer having a functional group number of 6 or more, and more preferably to include an oligomer having a functional group number of 15 or more. This makes it possible to cure the curable resin more reliably by irradiating with energy rays. Further, such a curable resin is preferably urethane acrylate. This has the effect of suppressing glue cracking during pickup due to moderate flexibility.

なお、このウレタンアクリレートとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル型またはポリエーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物(例えば、2,4-トリレンジイソシアナート、2,6-トリレンジイソシアナート、1,3-キシリレンジイソシアナート、1,4-キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン4,4-ジイソシアナート等)を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレート(例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート等)を反応させて得られたものが挙げられる。 The urethane acrylate is not particularly limited, but for example, a polyol compound such as a polyester type or a polyether type and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene). The terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting isocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) has a hydroxyl group ( Examples thereof include those obtained by reacting a meta) acrylate (for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, etc.).

また、硬化性樹脂には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる2つ以上の硬化性樹脂が混合されているのが好ましい。このような硬化性樹脂を利用すれば、エネルギー線照射による樹脂の架橋度を容易に制御することができ、保護用粘着テープ200をウエハリング9から容易に剥離させることができる。また、このような硬化性樹脂として、例えば、第1の硬化性樹脂と、第1の硬化性樹脂よりも重量平均分子量が大きい第2の硬化性樹脂との混合物等が用いられてもよい。 Further, the curable resin is not particularly limited, but it is preferable that two or more curable resins having different weight average molecular weights are mixed. By using such a curable resin, the degree of cross-linking of the resin by energy ray irradiation can be easily controlled, and the protective adhesive tape 200 can be easily peeled off from the wafer ring 9. Further, as such a curable resin, for example, a mixture of a first curable resin and a second curable resin having a larger weight average molecular weight than the first curable resin may be used.

硬化性樹脂は、ベース樹脂100重量部に対して5重量部以上500重量部以下で配合されることが好ましく、10重量部以上300重量部以下で配合されることがより好ましく、20重量部以上200重量部以下で配合されることがさらに好ましい。上記のように硬化性樹脂の配合量を調整することによって、保護用粘着テープ200をウエハリング9から容易に剥離させることができる。 The curable resin is preferably blended in an amount of 5 parts by weight or more and 500 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the base resin, more preferably 10 parts by weight or more and 300 parts by weight or less, and 20 parts by weight or more. It is more preferably blended in an amount of 200 parts by weight or less. By adjusting the blending amount of the curable resin as described above, the protective adhesive tape 200 can be easily peeled off from the wafer ring 9.

なお、この硬化性樹脂は、前述したアクリル系樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素-炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略するようにしてもよい。これは、アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素-炭素二重結合の機能によって、粘着層202が硬化し、これにより、粘着層202の粘着力が低下することによる。 In this curable resin, when a double bond-introduced acrylic resin is used as the acrylic resin described above, that is, a carbon-carbon double bond is placed in the side chain, in the main chain, or at the end of the main chain. When a possessed material is used, its addition to the resin composition may be omitted. This is because, when the acrylic resin is a double bond-introduced acrylic resin, the pressure-sensitive adhesive layer 202 is provided by the carbon-carbon double bond function of the double-bond-introduced acrylic resin by irradiation with energy rays. Is cured, which reduces the adhesive strength of the adhesive layer 202.

(3)光重合開始剤
また、粘着層202は、エネルギー線の照射によりウエハリング9に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、硬化性樹脂には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。
(3) Photopolymerization Initiator Further, the adhesive layer 202 is deteriorated in adhesiveness to the wafer ring 9 by irradiation with energy rays, but when ultraviolet rays or the like are used as the energy rays, the curable resin may be used. It is preferable to contain a photopolymerization initiator in order to facilitate the polymerization initiation of the curable resin.

光重合開始剤としては、例えば、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、1-[4-(2-ヒドロキシエトキシ)-フェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン、2-ヒドロキシ-1-{4-[4-(2-ヒドロキシ-2-メチル-プロピオニル)-ベンジル]フェニル}-2-メチル-プロパン-1-オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、4-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル(2-ヒドロキシ-2-プロピル)ケトン、α-ヒドロキシ-α,α´-ジメチルアセトフェノン、2-メチル-2-ヒドロキシプロピオフェノン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,2-ジエトキシアセトフェノン、2-メチル-1-[4-(メチルチオ)-フェニル]-2-モルホリノプロパン-1、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、2-ヒドロキシメチルフェニルプロパン、2-ナフタレンスルホニルクロリド、1-フェノン-1,1-プロパンジオン-2-(o-エトキシカルボニル)オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、4,4'-ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4’-ジエチルアミノベンゾフェノン、4,4’-ジクロロベンゾフェノン、3,3’-ジメチル-4-メトキシベンゾフェノン、o-アクリルオキシベンゾフェノン、p-アクリルオキシベンゾフェノン、o-メタクリルオキシベンゾフェノン、p-メタクリルオキシベンゾフェノン、p-(メタ)アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、1,4-ブタンジオールモノ(メタ)アクリラート、1,2-エタンジオールモノ(メタ)アクリラート、1,8-オクタンジオールモノ(メタ)アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン-4-カルボン酸エステル、チオキサンソン、2-クロロチオキサンソン、2-メチルチオキサンソン、2,4-ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4-ジクロロチオキサンソン、2,4-ジエチルチオキサンソン、2,4-ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β-クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、2-エチルアントラキノン、t-ブチルアントラキノン、2,4,5-トリアリ-ルイミダゾール二量体、等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the photopolymerization initiator include 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one and 1- [4- (2-hydroxyethoxy) -phenyl] -2-hydroxy-2-methyl-1. -Propane-1-one, 2-hydroxy-1-{4- [4- (2-hydroxy-2-methyl-propionyl) -benzyl] phenyl} -2-methyl-propane-1-one, benzyldiphenylsulfide, Tetramethylthium monosulfide, 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α'-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropiophenone, 1 -Hydroxycyclohexylphenylketone, Michelersketone, acetophenone, methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) -phenyl] -2- Morphorinopropane-1, benzoinmethyl ether, benzoin ethyl ether, benzoinpropyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzyl, benzoin, dibenzyl, α-hydroxycyclohexylphenylketone, benzyldimethylketal, 2-hydroxymethylphenylpropane, 2 -Naphthalenesulfonyl chloride, 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, benzophenone, benzoylbenzoic acid, 4,4'-dimethylaminobenzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone, 4 , 4'-dichlorobenzophenone, 3,3'-dimethyl-4-methoxybenzophenone, o-acrylicoxybenzophenone, p-acrylicoxybenzophenone, o-methacryloxybenzophenone, p-methacryloxybenzophenone, p- (meth) acrylicoxy Benzophenone-4-carboxylic acid esters of acrylates such as ethoxybenzophenone, 1,4-butanediol mono (meth) acrylate, 1,2-ethanediol mono (meth) acrylate, 1,8-octanediol mono (meth) acrylate. , Thioxanson, 2-chlorothioxanson, 2-methylthioxanson, 2,4-dimethylthioxanson, isopropylthioxanson, 2,4-dichlorothioxanson, 2,4-diethylthioxane Son, 2,4-diisopropylthioxanthone, azobisisobutyronitrile, β-chloranthraquinone, camphorquinone, halogenated ketone, acylphosphinoxide, acylphosphonate, polyvinylbenzophenone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, Dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, 2-ethylanthraquinone, t-butylanthraquinone, 2,4,5-trially-luimidazole dimer, etc. may be mentioned, and one or more of these may be used in combination. Can be done.

また、これらの中でも、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体であることが好ましい。これらの化合物は分子中に反応性官能基として水酸基を備えるものであり、この反応性官能基を介して、ベース樹脂や硬化性樹脂に連結することができ、光重合開始剤としての機能をより確実に発揮させることができる。 Among these, benzophenone derivatives and alkylphenone derivatives are preferable. These compounds have a hydroxyl group as a reactive functional group in the molecule, and can be linked to a base resin or a curable resin via this reactive functional group, and can further function as a photopolymerization initiator. It can be surely demonstrated.

光重合開始剤は、ベース樹脂100重量部に対して0.1重量部以上50重量部以下で配合されることが好ましく、0.5重量部以上10重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように光重合開始剤の配合量を調整することによって、保護用粘着テープ200のウエハリング9からの剥離性を好適なものとし得る。 The photopolymerization initiator is preferably blended in an amount of 0.1 parts by weight or more and 50 parts by weight or less, and more preferably 0.5 parts by weight or more and 10 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the base resin. .. By adjusting the blending amount of the photopolymerization initiator as described above, the peelability of the protective adhesive tape 200 from the wafer ring 9 can be made suitable.

(4)架橋剤
さらに、硬化性樹脂には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、硬化性樹脂の硬化性の向上が図られる。
(4) Cross-linking agent Further, the curable resin may contain a cross-linking agent. The inclusion of the cross-linking agent improves the curability of the curable resin.

架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。 The cross-linking agent is not particularly limited, and is, for example, an isocyanate-based cross-linking agent, an epoxy-based cross-linking agent, a urea resin-based cross-linking agent, a methylol-based cross-linking agent, a chelate-based cross-linking agent, an aziridine-based cross-linking agent, a melamine-based cross-linking agent, and a multivalent cross-linking agent. Examples thereof include a metal chelate-based cross-linking agent, an acid anhydride-based cross-linking agent, a polyamine-based cross-linking agent, and a carboxyl group-containing polymer-based cross-linking agent. Among these, isocyanate-based cross-linking agents are preferable.

イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。 The isocyanate-based cross-linking agent is not particularly limited, but is, for example, a trimer of a polyisocyanate compound and a polyisocyanate compound of polyisocyanate, or a trimer of a terminal isocyanate compound obtained by reacting a polyisocyanate compound with a polyol compound. Alternatively, a blocked polyisocyanate compound or the like in which a terminal isocyanate urethane prepolymer is sealed with phenol, oximes or the like can be mentioned.

また、多価イソシアネートとして、例えば、2,4-トリレンジイソシアネート、2,6-トリレンジイソシアネート、1,3-キシリレンジイソシアネート、1,4-キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジフェニルメタン-2,4’-ジイソシアネート、3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-2,4’-ジイソシアネート、4,4’-ジフェニルエーテルジイソシアネート、4,4’-〔2,2-ビス(4-フェノキシフェニル)プロパン〕ジイソシアネート、2,2,4-トリメチル-ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも2,4-トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネートおよびヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも1種の多価イソシアネートが好ましい。 Further, as the polyvalent isocyanate, for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, diphenylmethane -2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, 4,4'-diphenylether diisocyanate, 4 , 4'-[2,2-bis (4-phenoxyphenyl) propane] diisocyanate, 2,2,4-trimethyl-hexamethylene diisocyanate, etc., and one or a combination of two or more of these may be used. be able to. Among these, at least one polyvalent isocyanate selected from the group consisting of 2,4-tolylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate and hexamethylene diisocyanate is preferable.

架橋剤は、ベース樹脂100重量部に対して0.01重量部以上50重量部以下で配合されることが好ましく、5重量部以上50重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することによって、保護用粘着テープ200のウエハリング9からの剥離性を好適なものとし得る。 The cross-linking agent is preferably blended in an amount of 0.01 parts by weight or more and 50 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight of the base resin, and more preferably 5 parts by weight or more and 50 parts by weight or less. By adjusting the blending amount of the cross-linking agent as described above, the peelability of the protective adhesive tape 200 from the wafer ring 9 can be made suitable.

(5)導電性材料(帯電防止剤)
さらに、粘着層202を構成する樹脂組成物には、導電性を有する導電性材料を含有することが好ましい。このような導電性材料が含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、保護用粘着テープ200の剥離の際に、ウエハリング9ひいては半導体チップ20における静電気の発生を的確に抑制または防止することができる。
(5) Conductive material (antistatic agent)
Further, it is preferable that the resin composition constituting the adhesive layer 202 contains a conductive material having conductivity. By including such a conductive material, the conductive material exerts a function as an antistatic agent, and when the protective adhesive tape 200 is peeled off, static electricity is generated in the wafer ring 9 and thus the semiconductor chip 20. It can be accurately suppressed or prevented.

この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、前記基材204に含まれる導電性材料として説明したのと、同様のものを用いることができる。 The conductive material is not particularly limited as long as it has conductivity, but the same conductive material as described above as the conductive material contained in the base material 204 can be used.

なお、基材204および粘着層202のうちの一方に導電性材料を含有させる構成とする場合には、基材204に導電性材料を含有させることが好ましい。これにより、半導体チップ20に導電性材料を確実に付着させることなく、半導体チップ20での静電気の発生をより的確に抑制または防止することができる。 When one of the base material 204 and the adhesive layer 202 contains the conductive material, it is preferable that the base material 204 contains the conductive material. As a result, it is possible to more accurately suppress or prevent the generation of static electricity in the semiconductor chip 20 without reliably adhering the conductive material to the semiconductor chip 20.

(6)その他の成分
さらに、粘着層202を構成する樹脂組成物には、上述した各成分(1)~(5)の他に他の成分として、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等のうちの少なくとも1種が含まれていてもよい。
(6) Other components Further, in the resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer 202, as other components in addition to the above-mentioned components (1) to (5), a tackifier, an antiaging agent, and a pressure-sensitive adhesive are used. , At least one of a filler, a colorant, a flame retardant, a softener, an antioxidant, a plasticizer, a surfactant and the like may be contained.

なお、これらのうち粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 The tackifier is not particularly limited, and for example, rosin resin, terpene resin, kumaron resin, phenol resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum resin, and aliphatic aromatic copolymerized petroleum. Examples thereof include resins, and one or more of these can be used in combination.

また、粘着層202の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、1μm以上30μm以下であるのが好ましく、5μm以上30μm以下であるのがより好ましく、10μm以上20μm以下であるのがさらに好ましい。粘着層202の平均厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層202は、粘着層202へのエネルギー付与前には、良好な粘着力を発揮するとともに、粘着層202へのエネルギー付与後には、粘着層202とウエハリング9との間において、良好な剥離性を発揮する。 The average thickness of the adhesive layer 202 is not particularly limited, but is preferably 1 μm or more and 30 μm or less, more preferably 5 μm or more and 30 μm or less, and further preferably 10 μm or more and 20 μm or less. By setting the average thickness of the adhesive layer 202 within such a range, the adhesive layer 202 exhibits good adhesive force before the energy is applied to the adhesive layer 202, and after the energy is applied to the adhesive layer 202. , Exhibits good peelability between the adhesive layer 202 and the wafer ring 9.

なお、粘着層202は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体(多層体)で構成されるものであってもよく、この場合、ウエハリング9が接合される層(基材204の反対側に位置する層)に撥油材が含まれていればよい。 The adhesive layer 202 may be composed of a laminated body (multilayer body) in which a plurality of layers composed of different resin compositions are laminated, and in this case, the layer to which the wafer ring 9 is bonded (multilayer body). The layer located on the opposite side of the base material 204) may contain an oil repellent material.

なお、本実施形態では、粘着層202が、エネルギーを付与することで、粘着層202のウエハリング9に対する粘着性が低下する機能を有するものとし、(1)ベース樹脂と、(2)硬化性樹脂と、を主材料として含有し、(3)光重合開始剤と、(4)架橋剤と、(5)導電性材料と、(6)その他の成分とが好ましくは含有される場合について説明したが、粘着層202の粘着性がエネルギーの付与を省略してもウエハリング9から剥離させ得る程度の強度である際には、粘着層202を、(1)ベース樹脂を主材料として含有するものとし、粘着層202への(2)硬化性樹脂、(3)光重合開始剤の添加を省略することができる。 In the present embodiment, the adhesive layer 202 has a function of reducing the adhesiveness of the adhesive layer 202 to the wafer ring 9 by applying energy, and (1) a base resin and (2) curability. A case where a resin is contained as a main material, and (3) a photopolymerization initiator, (4) a cross-linking agent, (5) a conductive material, and (6) other components are preferably contained will be described. However, when the adhesiveness of the adhesive layer 202 is strong enough to be peeled off from the wafer ring 9 even if the application of energy is omitted, the adhesive layer 202 contains (1) a base resin as a main material. It is possible to omit the addition of (2) the curable resin and (3) the photopolymerization initiator to the adhesive layer 202.

<貼付層205>
貼付層205は、主として樹脂材料から成り、粘着層202の上面の縁部を除く中心部に積層(貼付)して形成される。これにより、基材204と粘着層202と貼付層205とを備える積層体において、この積層体の縁部において選択的に粘着性を発揮させる機能を有している。
<Attachment layer 205>
The sticking layer 205 is mainly made of a resin material, and is formed by laminating (sticking) on the central portion of the adhesive layer 202 excluding the edge portion. As a result, in the laminated body including the base material 204, the adhesive layer 202, and the sticking layer 205, it has a function of selectively exhibiting adhesiveness at the edge of the laminated body.

かかる樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、前記基材204に含まれる樹脂材料として説明したのと同様のものを用いることができる。 The resin material is not particularly limited, and for example, the same resin material as described above as the resin material contained in the base material 204 can be used.

また、貼付層205は、導電性を有する導電性材料を含有していてもよい。この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、前記基材204に含まれる導電性材料として説明したのと、同様のものを用いることができる。 Further, the sticking layer 205 may contain a conductive material having conductivity. The conductive material is not particularly limited as long as it has conductivity, but the same conductive material as described above as the conductive material contained in the base material 204 can be used.

貼付層205の平均厚さは、特に限定されないが、例えば、5μm以上150μm以下であるのが好ましく、15μm以上100μm以下であるのがより好ましい。貼付層205の平均厚さがこの範囲内であると、保護用粘着テープ200をウエハリング9に粘着させた際に、貼付層205が半導体チップ20に接触するのを確実に防止することができる。 The average thickness of the sticking layer 205 is not particularly limited, but is preferably 5 μm or more and 150 μm or less, and more preferably 15 μm or more and 100 μm or less. When the average thickness of the sticking layer 205 is within this range, it is possible to reliably prevent the sticking layer 205 from coming into contact with the semiconductor chip 20 when the protective adhesive tape 200 is adhered to the wafer ring 9. ..

また、かかる範囲内の平均厚さを有する貼付層205は、その平均厚さが基材204の平均厚さよりも薄いことが好ましい。これにより、保護用粘着テープ200をウエハリング9に粘着させた際に、貼付層205が半導体チップ20に接触するのをより確実に防止することができる。 Further, it is preferable that the average thickness of the sticking layer 205 having an average thickness within such a range is thinner than the average thickness of the base material 204. This makes it possible to more reliably prevent the sticking layer 205 from coming into contact with the semiconductor chip 20 when the protective adhesive tape 200 is adhered to the wafer ring 9.

さらに、粘着層202に貼付層205を貼付することで積層体に形成される縁部、すなわち粘着領域は、その幅が、2mm以上30mm以下であるのが好ましく、5mm以上15mm以下であるのがより好ましい。これにより、ウエハリング9に対して保護用粘着テープ200を確実に貼付することができる。 Further, the width of the edge portion, that is, the adhesive region formed in the laminated body by attaching the adhesive layer 205 to the adhesive layer 202 is preferably 2 mm or more and 30 mm or less, and 5 mm or more and 15 mm or less. More preferred. As a result, the protective adhesive tape 200 can be reliably attached to the wafer ring 9.

また、保護用粘着テープ200は、JIS K 7361-1に規定された方法に準拠して測定された、D65標準光源における全光線透過率が85%以上98%以下となっているのが好ましく、90%以上98%以下となっているのがより好ましい。これにより、保護用粘着テープ200をウエハリング9に粘着させたまま、密閉空間250内に封止された半導体チップ20の状態を視認することができる。 Further, the protective adhesive tape 200 preferably has a total light transmittance of 85% or more and 98% or less in the D65 standard light source measured according to the method specified in JIS K 7361-1. It is more preferable that it is 90% or more and 98% or less. As a result, the state of the semiconductor chip 20 sealed in the sealed space 250 can be visually recognized while the protective adhesive tape 200 is adhered to the wafer ring 9.

さらに、この保護用粘着テープ200は、粘着層202面へ±5000Vの電圧を印加した場合における10%減衰時間が5秒以内であるのが好ましく、0.1秒以上3秒以下であることがより好ましい。このように前記10%減衰時間がかかる範囲内の時間であることで、ウエハリング9から保護用粘着テープ200を剥離させたとしても、この剥離に起因する静電気により、半導体用ウエハ7が帯電するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、この帯電により半導体用ウエハ7に作り込まれた半導体チップ20の回路に不具合が生じ、その結果、半導体チップ20の破損を招くのを的確に抑制または防止することができるため、半導体チップ20を備える半導体装置10を歩留まり良く製造することができる。 Further, the protective adhesive tape 200 preferably has a 10% attenuation time of 5 seconds or less when a voltage of ± 5000 V is applied to the surface of the adhesive layer 202, and is preferably 0.1 seconds or more and 3 seconds or less. More preferred. Even if the protective adhesive tape 200 is peeled off from the wafer ring 9 because the time is within the range where the 10% attenuation time is required, the static electricity caused by the peeling causes the semiconductor wafer 7 to be charged. Can be accurately suppressed or prevented. Therefore, this charging causes a defect in the circuit of the semiconductor chip 20 built in the semiconductor wafer 7, and as a result, it is possible to accurately suppress or prevent the semiconductor chip 20 from being damaged. Therefore, the semiconductor chip 20 can be accurately suppressed or prevented. The semiconductor device 10 provided with the above can be manufactured with a good yield.

かかる構成の半導体素子保護用粘着テープ200は、例えば、以下のようにして製造することができる。 The semiconductor element protective adhesive tape 200 having such a configuration can be manufactured, for example, as follows.

(半導体素子保護用粘着テープの製造方法)
図7、図8は、図6に示す半導体素子保護用粘着テープ、を製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図7、図8中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
(Manufacturing method of adhesive tape for protecting semiconductor elements)
7 and 8 are vertical cross-sectional views for explaining a method of manufacturing the adhesive tape for protecting a semiconductor element shown in FIG. In the following description, the upper side in FIGS. 7 and 8 is referred to as "upper" and the lower side is referred to as "lower".

[1B]まず、基材204を用意する(図7(a)参照。)
基材204の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、カレンダー法、インフレーション押出し法、Tダイ押出し法のような押出成形法、湿式キャスティング法等の一般的な成形方法が挙げられる。なお、基材204が積層体で構成される場合、かかる構成のその基材204の製造方法としては、例えば、共押出し法、ドライラミネート法等の成形方法が用いられる。
[1B] First, the base material 204 is prepared (see FIG. 7A).
The method for producing the base material 204 is not particularly limited, and examples thereof include general molding methods such as a calendar method, an inflation extrusion method, an extrusion molding method such as a T-die extrusion method, and a wet casting method. When the base material 204 is composed of a laminated body, for example, a molding method such as a coextrusion method or a dry laminating method is used as a method for manufacturing the base material 204 having such a structure.

また、基材204は、無延伸で用いることができるし、さらに、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いるようにしてもよい。 Further, the base material 204 can be used without stretching, and if necessary, a uniaxial or biaxial stretching treatment may be used.

[2B]次に、基材204の上面に粘着層202を形成する(図7(b)参照。)。
基材204の表面(上面)には、基材204と粘着層202との密着性を向上させることを目的に、コロナ処理、クロム酸処理、マット処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理、プライマー処理、アンカーコート処理のような表面処理が施されていてもよい。
[2B] Next, the adhesive layer 202 is formed on the upper surface of the base material 204 (see FIG. 7B).
The surface (upper surface) of the base material 204 is subjected to corona treatment, chromic acid treatment, mat treatment, ozone exposure treatment, flame exposure treatment, and high-voltage impact for the purpose of improving the adhesion between the base material 204 and the adhesive layer 202. Surface treatments such as exposure treatment, ionizing radiation treatment, primer treatment, and anchor coating treatment may be applied.

また、粘着層202は、基材204上に、粘着層202の構成材料である樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させて粘着層202を形成することにより得ることができる。 Further, the adhesive layer 202 is adhered by applying or spraying a liquid material in which a resin composition which is a constituent material of the adhesive layer 202 is dissolved in a solvent to form a varnish on the base material 204, and then volatilizing the solvent. It can be obtained by forming the layer 202.

なお、溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 The solvent is not particularly limited, and examples thereof include methyl ethyl ketone, acetone, toluene, ethyl acetate, and dimethyl formaldehyde, and one or a combination of two or more of these can be used.

また、基材204上への液状材料の塗布または散布は、例えば、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコートおよびリップコート等の方法を用いて行うことができる。 Further, the application or spraying of the liquid material on the base material 204 can be performed by using a method such as a die coat, a curtain die coat, a gravure coat, a comma coat, a bar coat and a lip coat.

[3B]次に、貼付層205を用意し、そして、この貼付層205を、基材204上に形成された粘着層202のほぼ全面に貼付する(図7(c)参照。)。 [3B] Next, a sticking layer 205 is prepared, and the sticking layer 205 is stuck on almost the entire surface of the adhesive layer 202 formed on the base material 204 (see FIG. 7 (c)).

これにより、基材204と粘着層202と貼付層205とがこの順で積層された積層体210が得られる。 As a result, a laminated body 210 in which the base material 204, the adhesive layer 202, and the sticking layer 205 are laminated in this order is obtained.

この貼付層205は、基材204で説明した製造方法と同様にして製造することができる。 The sticking layer 205 can be manufactured in the same manner as the manufacturing method described in the base material 204.

また、粘着層202上への貼付層205の貼付は、粘着層202が備える粘着性をもって、粘着層202上に貼付層205を積層することにより、実施することができる。 Further, the sticking layer 205 can be attached to the adhesive layer 202 by laminating the adhesive layer 205 on the adhesive layer 202 with the adhesiveness of the adhesive layer 202.

粘着層202に貼付層205を積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができる。これらの中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。 The method of laminating the sticking layer 205 on the adhesive layer 202 is not particularly limited, and for example, a laminating method using a roll or a laminating method using a press can be used. Among these, the laminating method using a roll is preferable from the viewpoint of productivity that continuous production can be performed.

なお、本実施形態では、前記工程[1B]~[3B]により、シート状をなす基材204を用意した後、この基材204のほぼ全面に、それぞれ、粘着層202および貼付層205を、この順で積層する工程が構成される。 In the present embodiment, after the sheet-shaped base material 204 is prepared by the steps [1B] to [3B], the adhesive layer 202 and the sticking layer 205 are provided on almost the entire surface of the base material 204, respectively. The step of laminating in this order is configured.

[4B]次に、貼付層205が下側になるように積層体210を裏返し、その後、貼付層205上の粘着層202および基材204を貫通するように、円環状に打ち抜く(図7(d)参照。)。 [4B] Next, the laminate 210 is turned over so that the sticking layer 205 is on the lower side, and then punched in an annular shape so as to penetrate the adhesive layer 202 and the base material 204 on the sticking layer 205 (FIG. 7 (FIG. 7). d) See.).

また、粘着層202および基材204に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に打ち抜くことができるロール状金型を用いる方法が好ましい。 Further, the punching of the adhesive layer 202 and the base material 204 can be performed by using, for example, a method using a roll-shaped die or a method using a press die. Above all, a method using a roll-shaped die capable of continuously punching is preferable.

[5B]次に、貼付層205上の粘着層202および基材204のうち、円環状に打ち抜いた位置よりも外側に位置する粘着層202および基材204を除去する(図7(e)参照。)。 [5B] Next, of the adhesive layer 202 and the base material 204 on the sticking layer 205, the adhesive layer 202 and the base material 204 located outside the position punched out in an annular shape are removed (see FIG. 7 (e)). .).

これにより、積層体210を、貼付層205上に円盤状をなす粘着層202と基材204とがこの順で積層されたものとして得ることができる。 As a result, the laminated body 210 can be obtained as a disk-shaped adhesive layer 202 and a base material 204 laminated on the sticking layer 205 in this order.

[6B]次に、基材204が下側になるように積層体210を裏返し、その後、粘着層202上の貼付層205を、粘着層202よりも内側で貫通するように、円環状に打ち抜く(図8(a)参照。)。 [6B] Next, the laminate 210 is turned over so that the base material 204 is on the lower side, and then the adhesive layer 205 on the adhesive layer 202 is punched out in an annular shape so as to penetrate inside the adhesive layer 202. (See FIG. 8 (a).).

また、貼付層205に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に打ち抜くことができるロール状金型を用いる方法が好ましい。 Further, the punching of the sticking layer 205 can be performed by using, for example, a method using a roll-shaped die or a method using a press die. Above all, a method using a roll-shaped die capable of continuously punching is preferable.

[7B]次に、粘着層202上の貼付層205のうち、円環状に打ち抜かれた位置よりも外側に位置する貼付層205を除去する(図8(b)参照。)。 [7B] Next, of the adhesive layer 205 on the adhesive layer 202, the adhesive layer 205 located outside the position punched out in an annular shape is removed (see FIG. 8B).

これにより、積層体210を、粘着層202上に、その内側で円盤状をなす貼付層205が積層されたものとして得ることができる。すなわち、保護用粘着テープ200を、円盤状をなす基材204と、基材204の上面のほぼ全面に積層して形成された粘着層202と、粘着層202の上面の縁部を除く中心部に積層して形成された円盤状をなす貼付層205とを備える積層体210として得ることができる。 As a result, the laminated body 210 can be obtained as a disk-shaped pasting layer 205 laminated on the adhesive layer 202. That is, the protective adhesive tape 200 is laminated on the disk-shaped base material 204, the adhesive layer 202 formed by laminating almost the entire upper surface of the base material 204, and the central portion excluding the edge of the upper surface of the adhesive layer 202. It can be obtained as a laminated body 210 including a disk-shaped sticking layer 205 formed by laminating the layers.

なお、本実施形態では、前記工程[6B]~[7B]により、前記貼付層の縁部から前記貼付層を剥離させて、前記粘着層の縁部を除く中心部に貼付された前記貼付層を形成する工程が構成される。 In the present embodiment, the sticking layer is peeled off from the edge of the sticking layer by the steps [6B] to [7B], and the sticking layer is stuck to the central portion excluding the edge of the sticking layer. The process of forming is configured.

以上のような工程を経ることで、第1実施形態の保護用粘着テープ200を製造することができる。 By going through the above steps, the protective adhesive tape 200 of the first embodiment can be manufactured.

<<第2実施形態>>
次に、半導体素子保護用粘着テープの第2実施形態について説明する。
<< Second Embodiment >>
Next, a second embodiment of the adhesive tape for protecting the semiconductor element will be described.

図9は、本発明の半導体素子保護用粘着テープの第2実施形態を示す縦断面図である。
以下、第2実施形態の保護用粘着テープ200について、前記第1実施形態の保護用粘着テープ200との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
FIG. 9 is a vertical sectional view showing a second embodiment of the adhesive tape for protecting a semiconductor element of the present invention.
Hereinafter, the protective adhesive tape 200 of the second embodiment will be described mainly on the differences from the protective adhesive tape 200 of the first embodiment, and the same matters will be omitted.

本実施形態の保護用粘着テープ200は、貼付層205の形成が省略され、さらに、基材204上のほぼ全面に形成され、縁部に粘着性を選択的に有する粘着層202を備えること以外は、第1実施形態の保護用粘着テープ200と同様である。 The protective adhesive tape 200 of the present embodiment is provided with an adhesive layer 202 formed on almost the entire surface of the base material 204 and selectively having adhesiveness at the edges, except that the formation of the adhesive layer 205 is omitted. Is the same as the protective adhesive tape 200 of the first embodiment.

すなわち、保護用粘着テープ200は、本実施形態では、樹脂材料を含有する円盤状をなす基材204と、基材204の上面(一方の面)のほぼ全面に積層して形成された粘着層202とを備える積層体により構成され、かかる積層体において、粘着層202は、縁部に位置する粘着性を有する粘着領域212と、粘着層202の縁部を除く中央部に粘着性を有しない非粘着領域222とを備えている。 That is, in the present embodiment, the protective adhesive tape 200 is formed by laminating a disk-shaped base material 204 containing a resin material on almost the entire upper surface (one side) of the base material 204. The adhesive layer 202 is composed of a laminated body including 202, and in such a laminated body, the adhesive layer 202 does not have adhesiveness in the adhesive area 212 having adhesiveness located at the edge portion and the central portion excluding the edge portion of the adhesive layer 202. It has a non-adhesive region 222.

保護用粘着テープ200をかかる構成のものとすることで、基材204と、この基材204上に積層された粘着層202とを備える積層体において、この積層体の縁部において選択的に粘着性が発揮される。 By adopting the protective adhesive tape 200 in such a configuration, in a laminated body including the base material 204 and the adhesive layer 202 laminated on the base material 204, the adhesive is selectively adhered at the edge of the laminated body. The sex is demonstrated.

かかる構成の保護用粘着テープ200において、基材204は、前記第1実施形態の保護用粘着テープ200が備える基材204と同様の構成のものとされる。そして、この基材204は、平面視において円形状をなしている。 In the protective adhesive tape 200 having such a configuration, the base material 204 has the same structure as the base material 204 included in the protective adhesive tape 200 of the first embodiment. The base material 204 has a circular shape in a plan view.

また、粘着層202は、基材204の上面(一方の面)のほぼ全面に積層して形成されている。そして、この粘着層202は、縁部に位置する粘着性を有する粘着領域212と、粘着層202の縁部を除く中央部に粘着性を有しない非粘着領域222とを備えている。また、この粘着層202において、非粘着領域222は、平面視において円形状をなし、粘着領域212は、平面視において、リング状をなしている。 Further, the adhesive layer 202 is formed by being laminated on almost the entire upper surface (one surface) of the base material 204. The adhesive layer 202 includes an adhesive region 212 located at the edge portion and a non-adhesive region 222 having no adhesiveness in the central portion excluding the edge portion of the adhesive layer 202. Further, in the adhesive layer 202, the non-adhesive region 222 has a circular shape in a plan view, and the adhesive region 212 has a ring shape in a plan view.

このような粘着層202は、(1)粘着性を有するベース樹脂と、(2)粘着層202を硬化させる硬化性樹脂と、を主材料として含有し、(3)光重合開始剤と、(4)架橋剤と、(5)導電性材料と、(6)その他の成分とを好ましくは含有する樹脂組成物で構成される点では、第1実施形態の保護用粘着テープ200が備える粘着層202と同様である。これに対して、非粘着領域222において、エネルギーの付与により硬化性樹脂が硬化することで粘着性が低下し、粘着領域212において、エネルギーが付与されていないことにより硬化性樹脂が未硬化であることで粘着性を備えている点で、第1実施形態の保護用粘着テープ200が備える粘着層202と異なっている。このように、エネルギーを付与する非粘着領域222と、エネルギーを付与しない粘着領域212とを設けることで、保護用粘着テープ200を、その縁部において選択的に粘着性が発揮されるものとすることができる。 Such an adhesive layer 202 contains (1) an adhesive base resin and (2) a curable resin that cures the adhesive layer 202 as main materials, and (3) a photopolymerization initiator and (3) a photopolymerization initiator. The adhesive layer provided in the protective adhesive tape 200 of the first embodiment is composed of a resin composition preferably containing 4) a cross-linking agent, (5) a conductive material, and (6) other components. It is the same as 202. On the other hand, in the non-adhesive region 222, the curable resin is cured by applying energy, so that the adhesiveness is lowered, and in the adhesive region 212, the curable resin is uncured because no energy is applied. This is different from the adhesive layer 202 provided in the protective adhesive tape 200 of the first embodiment in that it has adhesiveness. By providing the non-adhesive region 222 to which energy is applied and the adhesive region 212 to not apply energy in this way, the protective adhesive tape 200 is made to selectively exhibit adhesiveness at its edge. be able to.

このような第2実施形態の保護用粘着テープ200によっても、前記第1実施形態と同様の効果が得られる。 The protective adhesive tape 200 of the second embodiment also has the same effect as that of the first embodiment.

また、かかる構成の保護用粘着テープ200は、例えば、以下のようにして製造することができる。 Further, the protective adhesive tape 200 having such a configuration can be manufactured, for example, as follows.

(半導体素子保護用粘着テープの製造方法)
図10は、図9に示す半導体素子保護用粘着テープ、を製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図10中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
(Manufacturing method of adhesive tape for protecting semiconductor elements)
FIG. 10 is a vertical sectional view for explaining a method of manufacturing the adhesive tape for protecting a semiconductor element shown in FIG. 9. In the following description, the upper side in FIG. 10 is referred to as "upper" and the lower side is referred to as "lower".

[1C]まず、基材204を用意する(図10(a)参照。)
基材204の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、カレンダー法、インフレーション押出し法、Tダイ押出し法のような押出成形法、湿式キャスティング法等の一般的な成形方法が挙げられる。なお、基材204が積層体で構成される場合、かかる構成のその基材204の製造方法としては、例えば、共押出し法、ドライラミネート法等の成形方法が用いられる。
[1C] First, the base material 204 is prepared (see FIG. 10A).
The method for producing the base material 204 is not particularly limited, and examples thereof include general molding methods such as a calendar method, an inflation extrusion method, an extrusion molding method such as a T-die extrusion method, and a wet casting method. When the base material 204 is composed of a laminated body, for example, a molding method such as a coextrusion method or a dry laminating method is used as a method for manufacturing the base material 204 having such a structure.

また、基材204は、無延伸で用いることができるし、さらに、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いるようにしてもよい。 Further, the base material 204 can be used without stretching, and if necessary, a uniaxial or biaxial stretching treatment may be used.

[2C]次に、基材204の上面のほぼ全面に粘着層202を形成する(図10(b)参照。)。 [2C] Next, the adhesive layer 202 is formed on almost the entire upper surface of the base material 204 (see FIG. 10 (b)).

基材204の表面(上面)には、基材204と粘着層202との密着性を向上させることを目的に、コロナ処理、クロム酸処理、マット処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理、プライマー処理、アンカーコート処理のような表面処理が施されていてもよい。 The surface (upper surface) of the base material 204 is subjected to corona treatment, chromic acid treatment, mat treatment, ozone exposure treatment, flame exposure treatment, and high-voltage impact for the purpose of improving the adhesion between the base material 204 and the adhesive layer 202. Surface treatments such as exposure treatment, ionizing radiation treatment, primer treatment, and anchor coating treatment may be applied.

また、粘着層202は、基材204上に、粘着層202の構成材料である樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させて粘着層202を形成することにより得ることができる。 Further, the adhesive layer 202 is adhered by applying or spraying a liquid material in which a resin composition which is a constituent material of the adhesive layer 202 is dissolved in a solvent to form a varnish on the base material 204, and then volatilizing the solvent. It can be obtained by forming the layer 202.

なお、溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 The solvent is not particularly limited, and examples thereof include methyl ethyl ketone, acetone, toluene, ethyl acetate, and dimethyl formaldehyde, and one or a combination of two or more of these can be used.

また、基材204上への液状材料の塗布または散布は、例えば、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコートおよびリップコート等の方法を用いて行うことができる。 Further, the application or spraying of the liquid material on the base material 204 can be performed by using a method such as a die coat, a curtain die coat, a gravure coat, a comma coat, a bar coat and a lip coat.

なお、本実施形態では、前記工程[1C]~[2C]により、樹脂材料を含有するシート状をなす基材204を用意した後、基材204のほぼ全面に、粘着層202を形成する工程が構成される。 In the present embodiment, after the sheet-shaped base material 204 containing the resin material is prepared by the above steps [1C] to [2C], the adhesive layer 202 is formed on almost the entire surface of the base material 204. Is configured.

[3C]次に、粘着層202の非粘着領域222を形成すべき形状に対応した開口部310を有するマスク300を用意し、その後、このマスク300を介して、粘着層202にエネルギー線を照射する(図10(c)参照。)。 [3C] Next, a mask 300 having an opening 310 corresponding to the shape to form the non-adhesive region 222 of the adhesive layer 202 is prepared, and then the adhesive layer 202 is irradiated with energy rays through the mask 300. (See FIG. 10 (c)).

これにより、粘着層202のエネルギー線が照射された領域に含まれる硬化性樹脂が硬化することに起因して粘着性が低下し、その結果、粘着層202の中心部に非粘着領域222が形成される。 As a result, the adhesiveness is lowered due to the curing of the curable resin contained in the region irradiated with the energy rays of the adhesive layer 202, and as a result, the non-adhesive region 222 is formed in the center of the adhesive layer 202. Will be done.

[4C]次に、粘着層202の縁部に、エネルギー線が照射されず粘着性を備えている領域が残存するように、粘着層202および基材204を貫通させることで、円環状に打ち抜く(図10(d)参照。)。 [4C] Next, the adhesive layer 202 and the base material 204 are passed through the edge of the adhesive layer 202 so that a region having adhesiveness remains without being irradiated with energy rays, thereby punching out in an annular shape. (See FIG. 10 (d).).

これにより、積層体210を、貼付層205上に全体形状が円盤状をなす粘着層202と基材204とがこの順で積層されたものとして得ることができる。また、粘着層202を、縁部において粘着性を備える粘着領域212と、中心部において粘着性が低減している非粘着領域222とを有するものとして得ることができる。すなわち、保護用粘着テープ200を、円盤状をなす基材204と、基材204の上面のほぼ全面に積層して形成された粘着層202とを備え、粘着層202を、縁部において粘着性を備える粘着領域212と、中心部において粘着性が低減している非粘着領域222とを有する積層体210として得ることができる。 As a result, the laminated body 210 can be obtained by laminating the adhesive layer 202 having a disk-like overall shape and the base material 204 on the sticking layer 205 in this order. Further, the adhesive layer 202 can be obtained as having an adhesive region 212 having adhesiveness at the edge portion and a non-adhesive region 222 having reduced adhesiveness at the central portion. That is, the protective adhesive tape 200 is provided with a disk-shaped base material 204 and an adhesive layer 202 formed by laminating almost the entire upper surface of the base material 204, and the adhesive layer 202 is adhesive at the edge. It can be obtained as a laminated body 210 having an adhesive region 212 having an adhesive region 212 and a non-adhesive region 222 having reduced adhesiveness in the central portion.

なお、本実施形態では、前記工程[3C]~[4C]により、粘着層202の縁部を除く中央部の粘着性を低減させて、前記中央部に粘着性を有しない非粘着領域222を形成して、非粘着領域222と、粘着層202の縁部に粘着性を有する粘着領域212とを形成する工程が構成される。 In the present embodiment, the non-adhesive region 222 having no adhesiveness in the central portion is reduced by reducing the adhesiveness of the central portion excluding the edge portion of the adhesive layer 202 by the steps [3C] to [4C]. A step of forming the non-adhesive region 222 and the adhesive region 212 having adhesiveness at the edge of the adhesive layer 202 is configured.

なお、本実施形態では、粘着層202上に保護層を設けることなく、粘着層202に非粘着領域222および粘着領域212を形成する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、例えば、前記工程[2C]の後に、粘着層202上に保護層を形成しそして、前記工程[3C]~[4C]を経た後に、この保護層を剥離させることで、本実施形態の保護用粘着テープ200を得るようにしてもよい。なお、この場合、保護層としては、前記第1実施形態の貼付層205として説明したのと同様の構成のものを用いることができる。 In the present embodiment, the case where the non-adhesive region 222 and the adhesive region 212 are formed on the adhesive layer 202 without providing the protective layer on the adhesive layer 202 has been described, but the case is not limited to this case, and for example, the above. After the step [2C], a protective layer is formed on the adhesive layer 202, and after the steps [3C] to [4C], the protective layer is peeled off to form the protective adhesive tape 200 of the present embodiment. May be obtained. In this case, as the protective layer, a layer having the same structure as that described as the sticking layer 205 of the first embodiment can be used.

以上のような工程を経ることで、第2実施形態の保護用粘着テープ200を製造することができる。 By going through the above steps, the protective adhesive tape 200 of the second embodiment can be manufactured.

<<第3実施形態>>
次に、半導体素子保護用粘着テープの第3実施形態について説明する。
<< Third Embodiment >>
Next, a third embodiment of the adhesive tape for protecting the semiconductor element will be described.

図11は、本発明の半導体素子保護用粘着テープの第3実施形態を示す縦断面図である。 FIG. 11 is a vertical sectional view showing a third embodiment of the adhesive tape for protecting a semiconductor element of the present invention.

以下、第3実施形態の保護用粘着テープ200について、前記第1実施形態の保護用粘着テープ200との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。 Hereinafter, the protective adhesive tape 200 of the third embodiment will be described mainly on the differences from the protective adhesive tape 200 of the first embodiment, and the same matters will be omitted.

本実施形態の保護用粘着テープ200は、貼付層205の形成が省略され、基材204上の縁部に選択的に形成された、粘着性を有する粘着層202を備えること以外は、第1実施形態の保護用粘着テープ200と同様である。 The protective adhesive tape 200 of the present embodiment is the first except that the formation of the sticking layer 205 is omitted and the adhesive layer 202 having adhesiveness is selectively formed on the edge portion on the base material 204. It is the same as the protective adhesive tape 200 of the embodiment.

すなわち、保護用粘着テープ200は、本実施形態では、樹脂材料を含有する円盤状をなす基材204と、基材204の上面(一方の面)の縁部に選択的に積層して形成された粘着層202とを備える積層体により構成される。 That is, in the present embodiment, the protective adhesive tape 200 is formed by selectively laminating a disk-shaped base material 204 containing a resin material on the edge of the upper surface (one side) of the base material 204. It is composed of a laminated body including the adhesive layer 202.

保護用粘着テープ200をかかる構成のものとすることで、基材204と、この基材204上に積層された粘着層202とを備える積層体において、この積層体の縁部において選択的に粘着性が発揮される。 By adopting the protective adhesive tape 200 in such a configuration, in a laminated body including the base material 204 and the adhesive layer 202 laminated on the base material 204, the adhesive is selectively adhered at the edge of the laminated body. The sex is demonstrated.

かかる構成の保護用粘着テープ200において、基材204は、前記第1実施形態の保護用粘着テープ200が備える基材204と同様の構成のものとされる。そして、この基材204は、平面視において円形状をなしている。 In the protective adhesive tape 200 having such a configuration, the base material 204 has the same structure as the base material 204 included in the protective adhesive tape 200 of the first embodiment. The base material 204 has a circular shape in a plan view.

また、粘着層202は、基材204の上面(一方の面)の縁部に選択的に積層して形成される。 Further, the adhesive layer 202 is formed by selectively laminating on the edge portion of the upper surface (one surface) of the base material 204.

このような粘着層202は、基材204の上面(一方の面)のほぼ全面ではなく、縁部に選択的に形成されること以外は、前記第1実施形態の保護用粘着テープ200が備える粘着層202と同様のものである。この縁部に選択的に形成される粘着層202は、平面視においてリング状をなし、(1)粘着性を有するベース樹脂と、(2)粘着層202を硬化させる硬化性樹脂と、を主材料として含有し、(3)光重合開始剤と、(4)架橋剤と、(5)導電性材料と、(6)その他の成分とが好ましくは含有される樹脂組成物で構成される。また、粘着層202の粘着性がエネルギーの付与を省略してもウエハリング9から剥離させ得る程度の強度である際には、粘着層202は、(1)ベース樹脂を主材料として含有し、(2)硬化性樹脂、(3)光重合開始剤の添加が省略された樹脂組成物で構成される。 The protective adhesive tape 200 of the first embodiment includes such an adhesive layer 202, except that the adhesive layer 202 is selectively formed not on almost the entire upper surface (one surface) of the base material 204 but on the edge portion. It is the same as the adhesive layer 202. The adhesive layer 202 selectively formed on the edge thereof has a ring shape in a plan view and is mainly composed of (1) a base resin having adhesiveness and (2) a curable resin that cures the adhesive layer 202. It is composed of a resin composition contained as a material, preferably containing (3) a photopolymerization initiator, (4) a cross-linking agent, (5) a conductive material, and (6) other components. Further, when the adhesiveness of the adhesive layer 202 is strong enough to be peeled off from the wafer ring 9 even if the application of energy is omitted, the adhesive layer 202 contains (1) a base resin as a main material. It is composed of (2) a curable resin and (3) a resin composition in which the addition of a photopolymerization initiator is omitted.

このような第3実施形態の保護用粘着テープ200によっても、前記第1実施形態と同様の効果が得られる。 The protective adhesive tape 200 of the third embodiment also has the same effect as that of the first embodiment.

(半導体素子保護用粘着テープの製造方法)
図12、図13は、図11に示す半導体素子保護用粘着テープ、を製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図12中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
(Manufacturing method of adhesive tape for protecting semiconductor elements)
12 and 13 are vertical cross-sectional views for explaining a method of manufacturing the adhesive tape for protecting a semiconductor element shown in FIG. 11. In the following description, the upper side in FIG. 12 is referred to as "upper" and the lower side is referred to as "lower".

[1D]まず、基材204を用意する(図12(a)参照。)
基材204の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、カレンダー法、インフレーション押出し法、Tダイ押出し法のような押出成形法、湿式キャスティング法等の一般的な成形方法が挙げられる。なお、基材204が積層体で構成される場合、かかる構成のその基材204の製造方法としては、例えば、共押出し法、ドライラミネート法等の成形方法が用いられる。
[1D] First, the base material 204 is prepared (see FIG. 12A).
The method for producing the base material 204 is not particularly limited, and examples thereof include general molding methods such as a calendar method, an inflation extrusion method, an extrusion molding method such as a T-die extrusion method, and a wet casting method. When the base material 204 is composed of a laminated body, for example, a molding method such as a coextrusion method or a dry laminating method is used as a method for manufacturing the base material 204 having such a structure.

また、基材204は、無延伸で用いることができるし、さらに、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いるようにしてもよい。 Further, the base material 204 can be used without stretching, and if necessary, a uniaxial or biaxial stretching treatment may be used.

なお、本実施形態では、前記工程[1D]により、シート状をなす基材204を用意する工程が構成される。 In the present embodiment, the step of preparing the sheet-shaped base material 204 is configured by the step [1D].

[2D]次に、基材204の上面に粘着層202を形成する(図12(b)参照。)。
基材204の表面(上面)には、基材204と粘着層202との密着性を向上させることを目的に、コロナ処理、クロム酸処理、マット処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理、プライマー処理、アンカーコート処理のような表面処理が施されていてもよい。
[2D] Next, the adhesive layer 202 is formed on the upper surface of the base material 204 (see FIG. 12 (b)).
The surface (upper surface) of the base material 204 is subjected to corona treatment, chromic acid treatment, mat treatment, ozone exposure treatment, flame exposure treatment, and high-voltage impact for the purpose of improving the adhesion between the base material 204 and the adhesive layer 202. Surface treatments such as exposure treatment, ionizing radiation treatment, primer treatment, and anchor coating treatment may be applied.

また、粘着層202は、基材204上に、粘着層202の構成材料である樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させて粘着層202を形成することにより得ることができる。 Further, the adhesive layer 202 is adhered by applying or spraying a liquid material in which a resin composition which is a constituent material of the adhesive layer 202 is dissolved in a solvent to form a varnish on the base material 204, and then volatilizing the solvent. It can be obtained by forming the layer 202.

なお、溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、酢酸エチル、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 The solvent is not particularly limited, and examples thereof include methyl ethyl ketone, acetone, toluene, ethyl acetate, and dimethyl formaldehyde, and one or a combination of two or more of these can be used.

また、基材204上への液状材料の塗布または散布は、例えば、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコートおよびリップコート等の方法を用いて行うことができる。 Further, the application or spraying of the liquid material on the base material 204 can be performed by using a method such as a die coat, a curtain die coat, a gravure coat, a comma coat, a bar coat and a lip coat.

[3D]次に、貼付層205を用意し、そして、この貼付層205を、基材204上に形成された粘着層202のほぼ全面に貼付する(図12(c)参照。)。 [3D] Next, a sticking layer 205 is prepared, and the sticking layer 205 is stuck on almost the entire surface of the adhesive layer 202 formed on the base material 204 (see FIG. 12 (c)).

これにより、基材204と粘着層202と貼付層205とがこの順で積層された積層体210が得られる。 As a result, a laminated body 210 in which the base material 204, the adhesive layer 202, and the sticking layer 205 are laminated in this order is obtained.

この貼付層205は、基材204で説明した製造方法と同様にして製造することができる。 The sticking layer 205 can be manufactured in the same manner as the manufacturing method described in the base material 204.

また、粘着層202上への貼付層205の貼付は、粘着層202が備える粘着性をもって、粘着層202上に貼付層205を積層することにより、実施することができる。 Further, the sticking layer 205 can be attached to the adhesive layer 202 by laminating the adhesive layer 205 on the adhesive layer 202 with the adhesiveness of the adhesive layer 202.

粘着層202に貼付層205を積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができる。これらの中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。 The method of laminating the sticking layer 205 on the adhesive layer 202 is not particularly limited, and for example, a laminating method using a roll or a laminating method using a press can be used. Among these, the laminating method using a roll is preferable from the viewpoint of productivity that continuous production can be performed.

[4D]次に、貼付層205、粘着層202および基材204を貫通するように、円環状に打ち抜く(図12(d)参照。)。 [4D] Next, the adhesive layer 205, the adhesive layer 202, and the base material 204 are punched out in an annular shape (see FIG. 12 (d)).

また、貼付層205、粘着層202および基材204に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に打ち抜くことができるロール状金型を用いる方法が好ましい。 Further, the punching of the sticking layer 205, the adhesive layer 202 and the base material 204 can be performed by using, for example, a method using a roll-shaped die or a method using a press die. Above all, a method using a roll-shaped die capable of continuously punching is preferable.

[5D]次に、円環状に打ち抜かれた貼付層205、粘着層202および基材204のうち、外側に位置する貼付層205、粘着層202および基材204を除去する(図12(e)参照。)。 [5D] Next, among the adhesive layer 205, the adhesive layer 202 and the base material 204 punched out in an annular shape, the adhesive layer 205, the adhesive layer 202 and the base material 204 located on the outside are removed (FIG. 12 (e)). reference.).

これにより、積層体210を、全体形状が円盤状をなす基材204と、粘着層202と、貼付層205とがこの順で積層されたものとして得ることができる。 As a result, the laminated body 210 can be obtained as a base material 204 having a disk-like overall shape, an adhesive layer 202, and a sticking layer 205 laminated in this order.

[6D]次に、基材204上の粘着層202および貼付層205を、基材204よりも内側で貫通するように、円環状に打ち抜く(図13(a)参照。)。 [6D] Next, the adhesive layer 202 and the sticking layer 205 on the base material 204 are punched out in an annular shape so as to penetrate inside the base material 204 (see FIG. 13A).

また、粘着層202および貼付層205に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に打ち抜くことができるロール状金型を用いる方法が好ましい。 Further, the punching of the adhesive layer 202 and the sticking layer 205 can be performed by using, for example, a method using a roll-shaped die or a method using a press die. Above all, a method using a roll-shaped die capable of continuously punching is preferable.

[7D]次に、貼付層205の全てと、円環状に打ち抜かれた粘着層202のうち、内側に位置する粘着層202とを除去する(図13(b)参照。)。 [7D] Next, all of the sticking layer 205 and the adhesive layer 202 located inside among the adhesive layers 202 punched out in an annular shape are removed (see FIG. 13 (b)).

これにより、積層体210を、基材204上に、その縁部側でリング状をなす粘着層202が積層されたものとして得ることができる。すなわち、保護用粘着テープ200を、円盤状をなす基材204と、基材204の上面の縁部に積層して形成された粘着層202とを備える積層体210として得ることができる。 As a result, the laminated body 210 can be obtained as a layered adhesive layer 202 having a ring shape on the edge side thereof on the base material 204. That is, the protective adhesive tape 200 can be obtained as a laminated body 210 including a disk-shaped base material 204 and an adhesive layer 202 formed by laminating on the edge of the upper surface of the base material 204.

なお、基材204からの粘着層202の除去を円滑に実施するために、前記工程[2D]に先立って、基材204の上面には離型処理を施すことが好ましい。離型処理としては離型剤を基材204の上面にコーティングする処理や、基材204の上面に細かい凹凸をつける処理等が挙げられる。なお、離型剤としては、シリコーン系、アルキッド系、フッ素系等のものが挙げられる。 In order to smoothly remove the adhesive layer 202 from the base material 204, it is preferable to perform a mold release treatment on the upper surface of the base material 204 prior to the step [2D]. Examples of the mold release treatment include a treatment of coating the upper surface of the base material 204 with a mold release agent, a treatment of forming fine irregularities on the upper surface of the base material 204, and the like. Examples of the mold release agent include silicone-based, alkyd-based, and fluorine-based ones.

また、粘着層は、円環状に打ち抜かれた粘着層202および貼付層205のうち、内側に位置する粘着層202および貼付層205を除去した後、縁部側に位置する貼付層205上にさらに粘着層を積層することで、基材204の縁部に、粘着層202と貼付層205と粘着層とがこの順で積層された3層の積層体として形成することもできる。 Further, the adhesive layer is further formed on the adhesive layer 205 located on the edge side after removing the adhesive layer 202 and the adhesive layer 205 located inside from the adhesive layer 202 and the adhesive layer 205 punched out in an annular shape. By laminating the adhesive layer, it is also possible to form a three-layered laminate in which the adhesive layer 202, the sticking layer 205, and the adhesive layer are laminated in this order on the edge of the base material 204.

なお、本実施形態では、前記工程[2D]~[7D]により、基材204の縁部に、選択的に粘着層202を形成する工程が構成される。 In the present embodiment, the steps [2D] to [7D] constitute a step of selectively forming the adhesive layer 202 on the edge of the base material 204.

以上のような工程を経ることで、第3実施形態の保護用粘着テープ200を製造することができる。 By going through the above steps, the protective adhesive tape 200 of the third embodiment can be manufactured.

以上、本発明の半導体素子保護用粘着テープおよび半導体素子保護用粘着テープの製造方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。 Although the method for manufacturing the semiconductor element protective adhesive tape and the semiconductor element protective adhesive tape of the present invention has been described above, the present invention is not limited thereto.

例えば、本発明の半導体素子保護用粘着テープが備える各層には、同様の機能を発揮し得る、任意の成分が添加されていてもよく、あるいは、基材は、前記実施形態で説明したように、1層で構成されるものの他、複数の層で構成されるものであってもよく、例えば、前述した基材の粘着層とは反対側の面に、帯電防止層を備えるものであってもよい。 For example, any component capable of exhibiting the same function may be added to each layer of the adhesive tape for protecting a semiconductor element of the present invention, or the base material may be as described in the above-described embodiment. In addition to one composed of one layer, one composed of a plurality of layers may be used. For example, an antistatic layer may be provided on a surface opposite to the adhesive layer of the above-mentioned base material. May be good.

また、本発明の半導体素子保護用粘着テープが備える各層の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。 Further, the configuration of each layer included in the adhesive tape for protecting the semiconductor element of the present invention can be replaced with an arbitrary one capable of exhibiting the same function, or an arbitrary configuration can be added.

さらに、前記実施形態では、加工用粘着テープ100に固定された状態で個片化された半導体用ウエハ7(半導体チップ20)の外周部121側において加工用粘着テープ100をウエハリング9で固定した積層物150を前記工程[5A]の後に、ウエハリング9に保護用粘着テープ200を貼付することで密閉空間250を形成して、半導体用ウエハ7(半導体チップ20)を保管・移動する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、以下のようにして形成された積層物155に対して保護用粘着テープ200を貼付して半導体チップ20を保管・移動するようにしてもよい。 Further, in the above embodiment, the processing adhesive tape 100 is fixed by the wafer ring 9 on the outer peripheral portion 121 side of the semiconductor wafer 7 (semiconductor chip 20) that has been separated into pieces while being fixed to the processing adhesive tape 100. After the step [5A], the laminate 150 is attached to the wafer ring 9 with a protective adhesive tape 200 to form a closed space 250, and the semiconductor wafer 7 (semiconductor chip 20) is stored and moved. As described above, the present invention is not limited to this case, and the semiconductor chip 20 may be stored and moved by attaching the protective adhesive tape 200 to the laminate 155 formed as follows.

すなわち、加工用粘着テープ100を、前記工程[5A]でピックアップした半導体チップ20を積層(貼付)する載せ替え用粘着テープとして用い、加工用粘着テープ100に半導体チップ20を貼付した状態で、半導体チップ20の外周部側において加工用粘着テープ100をウエハリング9で固定した積層物155とした後に、ウエハリング9の加工用粘着テープ100(載せ替え用粘着テープ)の反対側に、保護用粘着テープ200を貼付することで密閉空間255を形成して、半導体チップ20を保管・移動するようにしてもよい(図14参照。)。 That is, the processing adhesive tape 100 is used as a replacement adhesive tape on which the semiconductor chips 20 picked up in the step [5A] are laminated (attached), and the semiconductor chip 20 is attached to the processing adhesive tape 100. After the processing adhesive tape 100 is fixed to the laminate 155 on the outer peripheral side of the chip 20 by the wafer ring 9, the protective adhesive is applied to the opposite side of the processing adhesive tape 100 (replacement adhesive tape) of the wafer ring 9. By attaching the tape 200, a closed space 255 may be formed so that the semiconductor chip 20 can be stored and moved (see FIG. 14).

さらに、本発明の半導体素子保護用粘着テープの製造方法では、任意の目的で、1以上の工程を追加することができる。 Further, in the method for manufacturing an adhesive tape for protecting a semiconductor element of the present invention, one or more steps can be added for any purpose.

2 粘着層
4 基材
7 半導体用ウエハ
9 ウエハリング
10 半導体装置
17 モールド部
20 半導体チップ
21 端子
30 インターポーザー
41 端子
70 バンプ
80 封止層
81 接続部
85 半田バンプ
100 半導体用ウエハ加工用粘着テープ(加工用粘着テープ)
121 外周部
122 中心部
150 積層物
155 積層物
200 半導体素子保護用粘着テープ(保護用粘着テープ)
202 粘着層
204 基材
205 貼付層
210 積層体
212 粘着領域
222 非粘着領域
250 密閉空間
255 密閉空間
300 マスク
310 開口部
2 Adhesive layer 4 Base material 7 Wafer for semiconductor 9 Wafer ring 10 Semiconductor device 17 Mold part 20 Semiconductor chip 21 terminal 30 Interposer 41 terminal 70 Bump 80 Encapsulation layer 81 Connection part 85 Solder bump 100 Adhesive tape for semiconductor wafer processing Adhesive tape for processing)
121 Peripheral part 122 Central part 150 Laminated product 155 Laminated material 200 Adhesive tape for protecting semiconductor elements (adhesive tape for protection)
202 Adhesive layer 204 Base material 205 Adhesive layer 210 Laminated body 212 Adhesive area 222 Non-adhesive area 250 Sealed space 255 Sealed space 300 Mask 310 Opening

Claims (4)

基板と、該基板の中央部に固定された半導体素子と、前記基板の縁部に固定されたウエハリングとを有する積層物における、前記半導体素子を保護するために用いられ、
樹脂材料を含有するシート状をなす基材と、該基材上に積層された粘着層とを備える積層体により構成された半導体素子保護用粘着テープであって、
前記粘着層は、前記基材のほぼ全面に形成され、当該半導体素子保護用粘着テープは、さらに、前記粘着層の縁部を除く中心部に貼付された、粘着性を有しない貼付層を備えることで、
当該半導体素子保護用粘着テープの縁部において、選択的に粘着性を有しており、
前記積層物の前記基板と反対側において、前記ウエハリングに前記粘着層が粘着することで、前記半導体素子が前記基板、前記ウエハリングおよび当該半導体素子保護用粘着テープにより封止されるよう構成されていることを特徴とする半導体素子保護用粘着テープ。
Used to protect the semiconductor element in a laminate having a substrate, a semiconductor element fixed to the center of the substrate, and a wafer ring fixed to the edge of the substrate.
An adhesive tape for protecting a semiconductor element, which is composed of a laminated body including a sheet-shaped base material containing a resin material and an adhesive layer laminated on the base material.
The adhesive layer is formed on almost the entire surface of the base material, and the semiconductor element protective adhesive tape further includes a non-adhesive adhesive layer attached to a central portion excluding the edge portion of the adhesive layer. By that
It selectively has adhesiveness at the edge of the adhesive tape for protecting the semiconductor element.
The adhesive layer adheres to the wafer ring on the opposite side of the laminate to the substrate, so that the semiconductor element is sealed by the substrate, the wafer ring, and the adhesive tape for protecting the semiconductor element. Adhesive tape for protecting semiconductor devices.
前記基材は、その平面視形状が円形状をなしている請求項1に記載の半導体素子保護用粘着テープ。 The adhesive tape for protecting a semiconductor element according to claim 1, wherein the base material has a circular shape in a plan view. 前記基板は、円盤状をなし、前記ウエハリングは円筒状をなしている請求項1または2に記載の半導体素子保護用粘着テープ。 The adhesive tape for protecting a semiconductor element according to claim 1 or 2, wherein the substrate has a disk shape and the wafer ring has a cylindrical shape . 請求項1に記載の半導体素子保護用粘着テープの製造方法であって、
樹脂材料を含有するシート状をなす基材を用意した後、該基材のほぼ全面に、それぞれ、前記粘着層および前記貼付層を、この順で積層する工程と、
前記貼付層の縁部から前記貼付層を剥離させて、前記粘着層の縁部を除く中心部に貼付された前記貼付層を形成する工程とを有することを特徴する半導体素子保護用粘着テープの製造方法。
The method for manufacturing an adhesive tape for protecting a semiconductor element according to claim 1.
After preparing a sheet-shaped base material containing a resin material, the adhesive layer and the sticking layer are laminated in this order on almost the entire surface of the base material, respectively.
The adhesive tape for protecting a semiconductor element, which comprises a step of peeling the adhesive layer from the edge portion of the adhesive layer to form the adhesive layer attached to the central portion excluding the edge portion of the adhesive layer. Production method.
JP2020114322A 2020-07-01 2020-07-01 Manufacturing method of adhesive tape for protecting semiconductor elements and adhesive tape for protecting semiconductor elements Active JP7021687B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020114322A JP7021687B2 (en) 2020-07-01 2020-07-01 Manufacturing method of adhesive tape for protecting semiconductor elements and adhesive tape for protecting semiconductor elements

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020114322A JP7021687B2 (en) 2020-07-01 2020-07-01 Manufacturing method of adhesive tape for protecting semiconductor elements and adhesive tape for protecting semiconductor elements

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016123991A Division JP6729050B2 (en) 2016-06-22 2016-06-22 Adhesive tape for protecting semiconductor element and method for manufacturing adhesive tape for protecting semiconductor element

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020174201A JP2020174201A (en) 2020-10-22
JP7021687B2 true JP7021687B2 (en) 2022-02-17

Family

ID=72831727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020114322A Active JP7021687B2 (en) 2020-07-01 2020-07-01 Manufacturing method of adhesive tape for protecting semiconductor elements and adhesive tape for protecting semiconductor elements

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7021687B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022109631A (en) 2021-01-15 2022-07-28 日東電工株式会社 Adhesive sheet for semiconductor device protection
JP2023001742A (en) 2021-06-21 2023-01-06 日東電工株式会社 Pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor element processing

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006344932A (en) 2005-05-10 2006-12-21 Lintec Corp Protective sheet for semiconductor, sheet for semiconductor processing, and method for processing semiconductor wafer
JP2012111800A (en) 2010-11-19 2012-06-14 Nitto Denko Corp Protective film for wheel and protective film laminate for wheel
JP2013235998A (en) 2012-05-10 2013-11-21 Disco Abrasive Syst Ltd Protective member and protective tape sticking method
JP2013243286A (en) 2012-05-22 2013-12-05 Disco Abrasive Syst Ltd Adhesive tape
JP2015500391A (en) 2011-12-15 2015-01-05 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Method for manufacturing an adhesive film in the form of a precut semiconductor wafer on a dicing tape

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0731839U (en) * 1993-11-11 1995-06-16 利幸 白井 Adhesive tape with a portion where no adhesive is applied
US6164454A (en) * 1997-11-14 2000-12-26 Lucent Technologies Inc. Apparatus and method for storing semiconductor objects

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006344932A (en) 2005-05-10 2006-12-21 Lintec Corp Protective sheet for semiconductor, sheet for semiconductor processing, and method for processing semiconductor wafer
JP2012111800A (en) 2010-11-19 2012-06-14 Nitto Denko Corp Protective film for wheel and protective film laminate for wheel
JP2015500391A (en) 2011-12-15 2015-01-05 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング Method for manufacturing an adhesive film in the form of a precut semiconductor wafer on a dicing tape
JP2013235998A (en) 2012-05-10 2013-11-21 Disco Abrasive Syst Ltd Protective member and protective tape sticking method
JP2013243286A (en) 2012-05-22 2013-12-05 Disco Abrasive Syst Ltd Adhesive tape

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020174201A (en) 2020-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110352472B (en) Adhesive tape for processing semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor device
JP7021687B2 (en) Manufacturing method of adhesive tape for protecting semiconductor elements and adhesive tape for protecting semiconductor elements
JP6318750B2 (en) Adhesive tape for semiconductor wafer processing
JP6477284B2 (en) Adhesive tape for semiconductor wafer processing
JP2016096239A (en) Adhesive tape for processing wafer for semiconductor
JP6418360B1 (en) Adhesive tape set and semiconductor device transfer adhesive tape
JP6915675B2 (en) Adhesive tape and base material for adhesive tape
JP6303754B2 (en) Dicing film
JP6729050B2 (en) Adhesive tape for protecting semiconductor element and method for manufacturing adhesive tape for protecting semiconductor element
JP7099575B2 (en) Adhesive tape
JP6733804B1 (en) Adhesive tape and base material for adhesive tape
JP6733803B1 (en) Adhesive tape for sticking substrates and base material for adhesive tape
JP7035720B2 (en) Adhesive tape for processing semiconductor substrates
JP2017188539A (en) Semiconductor element, semiconductor element manufacturing method and semiconductor device
JP6798631B1 (en) Adhesive tape for board attachment and base material for adhesive tape
JP6870760B1 (en) Adhesive tape for attaching the substrate and base material for the adhesive tape
JP7099574B2 (en) Adhesive tape
JP6128043B2 (en) Adhesive tape for semiconductor wafer processing
JP7205596B1 (en) Adhesive tape
JP2022091098A (en) Adhesive tape
JP2024049225A (en) Adhesive tape
JP2022145299A (en) Adhesive tape
JP2016162787A (en) Base material film for dicing film and dicing film
JP2022145297A (en) Adhesive tape
JP2023119534A (en) Adhesive tape

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200731

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200731

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210729

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211005

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220105

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220118

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7021687

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151