JP2022142064A - 熱硬化性樹脂組成物、有機ケイ素化合物、成形体、および光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高温曝露時の光学特性変化が小さい成形体を得ることができ、かつ様々なパッケージングプロセスに適用可能な熱硬化性樹脂組成物、およびそれを可能とする有機ケイ素化合物、並びにこのような熱硬化性樹脂組成物を用いて得られる成形体及び光半導体装置を提供する。【解決手段】式(1-1)などの有機ケイ素化合物(A)、架橋性基を有する有機ケイ素化合物(B)、ヒドロシリル化触媒(C)を含有し、(B)が(A)と架橋可能な化合物を含む熱硬化性樹脂組成物とする。TIFF2022142064000045.tif53144【選択図】なし
Description
本発明は、熱硬化性樹脂組成物、有機ケイ素化合物、成形体、および光半導体装置に関する。
発光ダイオード(LED)等の光半導体素子を備える光半導体装置は、各種照明装置、電光掲示板、信号機、液晶表示装置のバックライト、LEDディスプレイ等に実用化されている。これらの光半導体装置においては、光半導体素子が透明な封止材で封止されていることが一般的である。近年、光半導体産業では、高出力化並びにパッケージの小型化及び薄型化などの要求が進み、単位体積当たりの熱密度が増加する傾向にある。このため、光半導体素子の封止材には、光透過性や光屈折性などに加え、耐熱性が特に求められている。また、光半導体素子の封止材の内液状のものにおいてはパッケージングプロセスにおける操作性や生産性の要求から、プロセスに応じて粘度を適切な範囲にコントロールすることも求められている。
光半導体素子の封止材の一つとして、シリコーン樹脂が広く用いられている。特許文献1ではダブルデッカー型シルセスキオキサン構造と架橋性官能基とを有する架橋性ケイ素化合物を用いて耐熱性に優れた光半導体素子の封止材が報告されているが、2000mPa・s以下のような比較的低粘度になるように熱硬化性樹脂組成物を調製すると耐熱黄変性や耐熱クラック性が著しく低下するという問題がある。特許文献2においては、ヒドロシリル化に依らない液状のダブルデッカー型シルセスキオキサン誘導体の合成方法が報告されているが、熱硬化性樹脂組成物としては短時間の耐熱黄変性しか調べておらず、検討は不十分である。
光半導体素子の封止材の内液状のものにおいては、樹脂組成物状態での粘度に代表されるプロセス適合性と樹脂硬化物状態での耐熱性に代表される封止性能の両立が求められる。特許文献2の熱硬化性樹脂組成物を用いて低い粘度に調整する場合、耐熱性を低下させる要因となる低分子量の成分の割合が高くなり、耐熱性を維持しての低粘度化には制限がある。
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、高温曝露時の光学特性変化が小さい成形体を得ることができ、かつ様々なパッケージングプロセスに適用可能な熱硬化性樹脂組成物およびそれを可能とする有機ケイ素化合物、並びにこのような熱硬化性樹脂組成物を用いて得られる成形体及び光半導体装置を提供することである。
上記課題を解決するためになされた発明は、以下の(A)成分、(B)成分、および(C)成分を含有する熱硬化性樹脂組成物である。
(A)成分:式(1-1)で表される有機ケイ素化合物(A1)、式(1-2)で表される有機ケイ素化合物(A2)、または式(1-3)で表される有機ケイ素化合物(A3)、
(B)成分:有機ケイ素化合物(A)以外の複数の架橋性基を有する有機ケイ素化合物、および
(C)成分:ヒドロシリル化触媒
を含有し、有機ケイ素化合物(B)が、有機ケイ素化合物(A)と架橋可能な化合物を含む。
式(1-1)、式(1-2)、および式(1-3)中、nは独立して、1≦n≦10を満たす平均値であり、nは2≦n≦6を満たす平均値であることが好ましい。
(A)成分:式(1-1)で表される有機ケイ素化合物(A1)、式(1-2)で表される有機ケイ素化合物(A2)、または式(1-3)で表される有機ケイ素化合物(A3)、
(B)成分:有機ケイ素化合物(A)以外の複数の架橋性基を有する有機ケイ素化合物、および
(C)成分:ヒドロシリル化触媒
を含有し、有機ケイ素化合物(B)が、有機ケイ素化合物(A)と架橋可能な化合物を含む。
式(1-1)、式(1-2)、および式(1-3)中、nは独立して、1≦n≦10を満たす平均値であり、nは2≦n≦6を満たす平均値であることが好ましい。
有機ケイ素化合物(B)が、式(2)で表される化合物を含むことが好ましい。
式(2)中、R3は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルである。Xは独立して、式(X1)、式(X2)、または式(X3)で表される基である。
式(2)で表される化合物1分子あたりの式(X1)で表される基の平均数をx1、式(X2)で表される基の平均数をx2、式(X3)で表される基の平均数をx3としたとき、x1+2x2+x3=4r、0<x1<4r、0≦x2<2r、かつ0<x3<4rを満たす。rは、1~100を満たす平均値である。
式(2)中、R3は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルである。Xは独立して、式(X1)、式(X2)、または式(X3)で表される基である。
式(2)で表される化合物1分子あたりの式(X1)で表される基の平均数をx1、式(X2)で表される基の平均数をx2、式(X3)で表される基の平均数をx3としたとき、x1+2x2+x3=4r、0<x1<4r、0≦x2<2r、かつ0<x3<4rを満たす。rは、1~100を満たす平均値である。
式(X1)、式(X2)、および(X3)中、*は、結合部位を示す。
式(X2)中、R4は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。sは、2~20を満たす平均値である。
式(X3)中、R5は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。R6は、炭素数2~5のアルケニルである。R7は、R6と同じ炭素数のアルカンジイルである。tは、2~20を満たす平均値である。
当該熱硬化性樹脂組成物においては有機ケイ素化合物(A)の含有量が1質量%以上30質量%以下であることが好ましい。
当該熱硬化性樹脂組成物においては有機ケイ素化合物(A)の含有量と有機ケイ素化合物(B)の含有量の重量比が0.1以上2以下であることが好ましい。
式(6)中、R18は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルである。Zは独立して、式(Z1)、式(Z2)、式(Z31)、式(Z32)、式(Z33)、または式(Z41)で表される基である。
式(6)で表される化合物1分子あたりの式(Z1)で表される基の平均数をz1、式(Z2)で表される基の平均数をz2、式(Z31)、式(Z32)、または式(Z33)で表される基の平均数をz3、式(Z41)で表される基の平均数をz4としたとき、z1+2z2+z3+z4=4w、0.5w≦z1≦3w、0.5w≦2z2≦2w、0.1w≦z3≦2w、かつ0≦z4≦wを満たす。wは、1~100を満たす平均値である。
式(6)で表される化合物1分子あたりの式(Z1)で表される基の平均数をz1、式(Z2)で表される基の平均数をz2、式(Z31)、式(Z32)、または式(Z33)で表される基の平均数をz3、式(Z41)で表される基の平均数をz4としたとき、z1+2z2+z3+z4=4w、0.5w≦z1≦3w、0.5w≦2z2≦2w、0.1w≦z3≦2w、かつ0≦z4≦wを満たす。wは、1~100を満たす平均値である。
式(Z1)、式(Z2)、式(Z31)、式(Z32)、式(Z33)、および式(Z41)中、*は、結合部位を示す。
式(Z2)中、R19は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルある。iは、1~20を満たす平均値である。
式(Z41)中、R20は独立して、メチル、エチル、ブチル、またはイソプロピルである。
当該熱硬化性樹脂組成物においては密着性付与剤(D)の含有量が0.1質量%以上5質量%以下であることが好ましく、0.5質量%以上3質量%以下であることが更に好ましい。
当該熱硬化性樹脂組成物は、蛍光体(E)または白色顔料(F)をさらに含むことが好ましい。
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、当該熱硬化性樹脂組成物を硬化させてなる成形体である。
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、光半導体素子、および上記光半導体素子を封止する当該成形体を備える光半導体装置である。
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、式(1-2)で表される有機ケイ素化合物および式(1-3)で表される有機ケイ素化合物である。
本発明によれば、高温曝露時の光学特性変化が小さい成形体を得ることができ、かつ様々なパッケージングプロセスに適用可能な熱硬化性樹脂組成物およびそれを可能とする有機ケイ素化合物、並びにこのような熱硬化性樹脂組成物を用いて得られる成形体及び光半導体装置を提供することができる。
以下、本発明の一実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物、有機ケイ素化合物、成形体、および半導体装置について詳説する。
<有機ケイ素化合物(A1)>
本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物(A1)は式(1-1)で表され、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位とそこから伸びる4本のジメチルシロキサン単位から成り、それぞれのジメチルシロキサン単位の末端にはヒドロシリル基が存在する。
本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物(A1)は式(1-1)で表され、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位とそこから伸びる4本のジメチルシロキサン単位から成り、それぞれのジメチルシロキサン単位の末端にはヒドロシリル基が存在する。
当該有機ケイ素化合物(A1)の25℃における粘度の下限としては、10mPa・sが好ましく、100mPa・sがより好ましい場合もある。一方、この粘度の上限としては、100,000mPa・sが好ましく、10,000mPa・sがより好ましい場合もある。当該有機ケイ素化合物(A1)がこのような粘度を有する場合、適度な流動性を有し、半導体等の封止材としてより有用となる。なお、有機ケイ素化合物(A1)の粘度は、ジメチルシロキサン単位の長さ等によって調整することができる。
当該有機ケイ素化合物(A1)は、ジメチルシロキサン単位の長さが所定範囲であることにより、高温曝露時の光学特性変化が小さい成形体を得ることができる。また、この得られた成形体は、光透過性及び光屈折率も十分に高いものとなる。
<有機ケイ素化合物(A2)>
本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物(A2)は式(1-2)で表され、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位とそこから伸びる2本のジメチルシロキサン単位から成り、それぞれのジメチルシロキサン単位の末端にはヒドロシリル基が存在する。
本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物(A2)は式(1-2)で表され、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位とそこから伸びる2本のジメチルシロキサン単位から成り、それぞれのジメチルシロキサン単位の末端にはヒドロシリル基が存在する。
当該有機ケイ素化合物(A2)の25℃における粘度の下限としては、10mPa・sが好ましく、100mPa・sがより好ましい場合もある。一方、この粘度の上限としては、100,000mPa・sが好ましく、10,000mPa・sがより好ましい場合もある。当該有機ケイ素化合物(A2)がこのような粘度を有する場合、適度な流動性を有し、半導体等の封止材としてより有用となる。なお、有機ケイ素化合物(A2)の粘度は、ジメチルシロキサン単位の長さ等によって調整することができる。
当該有機ケイ素化合物(A2)は、ジメチルシロキサン単位の長さが所定範囲であることにより、高温曝露時の光学特性変化が小さい成形体を得ることができる。また、この得られた成形体は、光透過性及び光屈折率も十分に高いものとなる。
<有機ケイ素化合物(A3)>
本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物(A3)は式(1-3)で表され、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位とそこから伸びる4本のジメチルシロキサン単位から成り、それぞれのジメチルシロキサン単位の末端にはヒドロシリル基が存在する。
本発明の一実施形態に係る有機ケイ素化合物(A3)は式(1-3)で表され、ダブルデッカー型のシルセスキオキサン構造単位とそこから伸びる4本のジメチルシロキサン単位から成り、それぞれのジメチルシロキサン単位の末端にはヒドロシリル基が存在する。
当該有機ケイ素化合物(A3)の25℃における粘度の下限としては、10mPa・sが好ましく、100mPa・sがより好ましい場合もある。一方、この粘度の上限としては、100,000mPa・sが好ましく、10,000mPa・sがより好ましい場合もある。当該有機ケイ素化合物(A3)がこのような粘度を有する場合、適度な流動性を有し、半導体等の封止材としてより有用となる。なお、有機ケイ素化合物(A3)の粘度は、ジメチルシロキサン単位の長さ等によって調整することができる。
当該有機ケイ素化合物(A3)は、ジメチルシロキサン単位の長さが所定範囲であることにより、高温曝露時の光学特性変化が小さい成形体を得ることができる。また、この得られた成形体は、光透過性及び光屈折率も十分に高いものとなる。
<熱硬化性樹脂組成物>
本発明の一実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、有機ケイ素化合物(A1)、有機ケイ素化合物(A2)、または有機ケイ素化合物(A3)である有機ケイ素化合物(A)(以下、「有機ケイ素化合物(A)」または「(A)成分」ともいう。)、有機ケイ素化合物(A)以外の複数の架橋性基を有する有機ケイ素化合物(B)(以下、「有機ケイ素化合物(B)」または「(B)成分」ともいう。)、及びヒドロシリル化触媒(C)を含有する。有機ケイ素化合物(B)は、少なくとも有機ケイ素化合物(A)と架橋可能な化合物を含む。当該熱硬化性樹脂組成物は、有機ケイ素化合物(A)を含有するため粘度が低く、かつ硬化して得られる成形体の高温環境下での耐クラック性に優れる。また、この得られた成形体は、光透過性及び光屈折率も十分に高いものとなる。熱硬化性樹脂組成物中の有機ケイ素化合物の含有量の合計としては、90質量%が好ましく、95質量%がより好ましく、99質量%がさらに好ましく、ほぼ100質量%であってもよい。
当該熱硬化性樹脂組成物は、さらに他の成分を含有していてもよい。以下、当該熱硬化性樹脂組成物を構成する各成分について詳説する。
本発明の一実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、有機ケイ素化合物(A1)、有機ケイ素化合物(A2)、または有機ケイ素化合物(A3)である有機ケイ素化合物(A)(以下、「有機ケイ素化合物(A)」または「(A)成分」ともいう。)、有機ケイ素化合物(A)以外の複数の架橋性基を有する有機ケイ素化合物(B)(以下、「有機ケイ素化合物(B)」または「(B)成分」ともいう。)、及びヒドロシリル化触媒(C)を含有する。有機ケイ素化合物(B)は、少なくとも有機ケイ素化合物(A)と架橋可能な化合物を含む。当該熱硬化性樹脂組成物は、有機ケイ素化合物(A)を含有するため粘度が低く、かつ硬化して得られる成形体の高温環境下での耐クラック性に優れる。また、この得られた成形体は、光透過性及び光屈折率も十分に高いものとなる。熱硬化性樹脂組成物中の有機ケイ素化合物の含有量の合計としては、90質量%が好ましく、95質量%がより好ましく、99質量%がさらに好ましく、ほぼ100質量%であってもよい。
当該熱硬化性樹脂組成物は、さらに他の成分を含有していてもよい。以下、当該熱硬化性樹脂組成物を構成する各成分について詳説する。
<(A)成分:有機ケイ素化合物(A)>
有機ケイ素化合物(A)は、有機ケイ素化合物(A1)、有機ケイ素化合物(A2)、または有機ケイ素化合物(A3)である。有機ケイ素化合物(A)は、1種又は2種以上の混合物であってよい。
有機ケイ素化合物(A)は、有機ケイ素化合物(A1)、有機ケイ素化合物(A2)、または有機ケイ素化合物(A3)である。有機ケイ素化合物(A)は、1種又は2種以上の混合物であってよい。
当該熱硬化性樹脂組成物中の全有機ケイ素化合物に占める有機ケイ素化合物(A)の含有量の下限としては、1質量%が好ましく、5質量%がより好ましく、10質量%がさらに好ましい場合もある。一方、この含有量の上限としては、50質量%が好ましく、40質量%がより好ましく、30質量%がさらに好ましい場合もある。有機ケイ素化合物(A)の含有量を上記範囲とすることで、他の成分との混合比率が好適化されることなどにより、当該熱硬化性樹脂組成物の粘度が下がり、硬化して得られる成形体の高温曝露時の耐黄変性がより向上する。
<(B)成分:有機ケイ素化合物(B)>
有機ケイ素化合物(B)は、単一の有機ケイ素化合物であってもよく、複数の有機ケイ素化合物を含んでいてもよいが、有機ケイ素化合物(A)は除外される。また、有機ケイ素化合物(B)は分子内に複数の架橋性基を有している。架橋性基としては、ビニル等のアルケニル、エチニル等のアルキニル、ヒドロシリル等を挙げることができ、ビニルおよびヒドロシリルが好ましい。有機ケイ素化合物(B)は、1種又は2種以上の混合物であってよい。有機ケイ素化合物(B)は、有機ケイ素化合物(A)と架橋可能な少なくとも1種を含む。有機ケイ素化合物(A)の両末端にビニルが存在する形態の場合、架橋性基としてヒドロシリルを含む化合物が、ヒドロシリル化反応により有機ケイ素化合物(A)と架橋することができる。有機ケイ素化合物(A)の両末端にヒドロシリルが存在する形態の場合、架橋性基としてビニルを含む化合物が、ヒドロシリル化反応により有機ケイ素化合物(A)と架橋することができる。有機ケイ素化合物(B)のうち、ヒドロシリルを有する化合物としては、後述する有機ケイ素化合物(B1)、(B4)等が挙げられる。有機ケイ素化合物(B)のうち、ビニルを有する有機ケイ素化合物としては、後述する有機ケイ素化合物(B1)、(B2)、(B3)等が挙げられる。
有機ケイ素化合物(B)は、単一の有機ケイ素化合物であってもよく、複数の有機ケイ素化合物を含んでいてもよいが、有機ケイ素化合物(A)は除外される。また、有機ケイ素化合物(B)は分子内に複数の架橋性基を有している。架橋性基としては、ビニル等のアルケニル、エチニル等のアルキニル、ヒドロシリル等を挙げることができ、ビニルおよびヒドロシリルが好ましい。有機ケイ素化合物(B)は、1種又は2種以上の混合物であってよい。有機ケイ素化合物(B)は、有機ケイ素化合物(A)と架橋可能な少なくとも1種を含む。有機ケイ素化合物(A)の両末端にビニルが存在する形態の場合、架橋性基としてヒドロシリルを含む化合物が、ヒドロシリル化反応により有機ケイ素化合物(A)と架橋することができる。有機ケイ素化合物(A)の両末端にヒドロシリルが存在する形態の場合、架橋性基としてビニルを含む化合物が、ヒドロシリル化反応により有機ケイ素化合物(A)と架橋することができる。有機ケイ素化合物(B)のうち、ヒドロシリルを有する化合物としては、後述する有機ケイ素化合物(B1)、(B4)等が挙げられる。有機ケイ素化合物(B)のうち、ビニルを有する有機ケイ素化合物としては、後述する有機ケイ素化合物(B1)、(B2)、(B3)等が挙げられる。
当該熱硬化性樹脂組成物においては、有機ケイ素化合物(A)と有機ケイ素化合物(B)の少なくとも一種とがヒドロシリル化触媒(C)の下で架橋反応し、硬化物が得られることとなる。なお、有機ケイ素化合物(B)同士で架橋反応が生じてもよい。以下、有機ケイ素化合物(B)として好適な(B1)~(B4)有機ケイ素化合物について説明する。すなわち、有機ケイ素化合物(B)は、有機ケイ素化合物(B1)~(B4)のうちの1種又は2種以上を含むことが好ましい。
<有機ケイ素化合物(B1)>
有機ケイ素化合物(B1)は、ヒドロシリル、ビニル、およびシルセスキオキサン構造を有する有機ケイ素化合物である。有機ケイ素化合物(B1)は、シルセスキオキサン構造を有するため、得られる成形体の耐熱性をより高めることができる。有機ケイ素化合物(B1)としては、式(2)で表される化合物を挙げることができる。
有機ケイ素化合物(B1)は、ヒドロシリル、ビニル、およびシルセスキオキサン構造を有する有機ケイ素化合物である。有機ケイ素化合物(B1)は、シルセスキオキサン構造を有するため、得られる成形体の耐熱性をより高めることができる。有機ケイ素化合物(B1)としては、式(2)で表される化合物を挙げることができる。
式(2)中、R3は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルである。Xは独立して、式(X1)、式(X2)、または式(X3)で表される基である。式(2)で表される化合物1分子あたりの式(X1)で表される基の平均数をx1、式(X2)で表される基の平均数をx2、式(X3)で表される基の平均数をx3としたとき、x1+2x2+x3=4r、0<x1<4r、0≦x2<2r、かつ0<x3<4rを満たす。rは、1~100を満たす平均値である。
R3としては、アルキルが好ましく、メチルがより好ましい。
R3としては、アルキルが好ましく、メチルがより好ましい。
x1は、rを超えることが好ましく、2rを超えることがより好ましい。また、x1は、3r未満が好ましい。上記x2は、r以下であることが好ましい。x3は、rを超えることが好ましい。また、x3は、3r未満が好ましく、2r未満がより好ましい。x1>x3を満たすことも好ましい。一形態として、x2は0であってよい。このとき、rは1となる。
式(X1)、式(X2)、および式(X3)中、*は、結合部位を示す。
式(X2)中、R4は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。sは、2~20を満たす平均値である。
式(X3)中、R5は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。R6は、炭素数2~5のアルケニルである。R7は、R6と同じ炭素数のアルカンジイルである。tは、2~20を満たす平均値である。
R5としては、アルキルが好ましく、メチルがより好ましい。R6およびR7の炭素数としては、2が好ましい。tの上限としては、10が好ましく、5がより好ましく、3がさらに好ましい。
式(2)で表される化合物は、例えば国際公開第2011/145638号に記載の方法にて合成することができる。
当該熱硬化性樹脂組成物中の全有機ケイ素化合物に占める有機ケイ素化合物(B1)の含有量の下限としては、10質量%が好ましく、30質量%がより好ましく、50質量%がさらに好ましい場合もある。一方、この含有量の上限としては、90質量%が好ましく、70質量%がより好ましく、50質量%がさらに好ましい場合もある。有機ケイ素化合物(B1)の含有量を上記範囲とすることで、他の成分との混合比率が好適化されることなどにより、当該熱硬化性樹脂組成物の粘度が下がり、硬化して得られる成形体の高温曝露時の耐黄変性がより向上する。
<有機ケイ素化合物(B3)>
有機ケイ素化合物(B3)は、下記式(4)で表される化合物である。
有機ケイ素化合物(B3)は、下記式(4)で表される化合物である。
当該熱硬化性樹脂組成物中の全有機ケイ素化合物に占める有機ケイ素化合物(B3)の含有量の下限としては、0.5質量%が好ましく、1質量%がより好ましく、3質量%または5質量%がさらに好ましい場合もある。一方、この含有量の上限としては、40質量%が好ましく、30質量%がより好ましく、25質量%または20質量%がさらに好ましい場合もある。有機ケイ素化合物(B3)の含有量を0.5質量%以上40質量%以下とすることで、他の成分との混合比率が好適化されることなどにより、当該熱硬化性樹脂組成物の粘度が下がり、硬化して得られる成形体の高温曝露時の耐黄変性がより向上する。
<有機ケイ素化合物(B4)>
有機ケイ素化合物(B4)は、式(5)で表される化合物である。
有機ケイ素化合物(B4)は、式(5)で表される化合物である。
当該熱硬化性樹脂組成物中の全有機ケイ素化合物に占める有機ケイ素化合物(B4)の含有量の下限としては、0.5質量%が好ましく、1質量%がより好ましい。一方、この含有量の上限としては、20質量%が好ましく、10質量%がより好ましく、5質量%がさらに好ましい。有機ケイ素化合物(B4)の含有量を0.5質量%以上20質量%以下とすることで、他の成分との混合比率が好適化されることなどにより、当該熱硬化性樹脂組成物の粘度が下がり、硬化して得られる成形体の高温曝露時の耐黄変性がより向上する。
当該熱硬化性樹脂組成物中の全有機ケイ素化合物に占める有機ケイ素化合物(B)の含有量の下限としては、10質量%が好ましく、30質量%がより好ましく、40質量%がさらに好ましい場合もある。一方、この含有量の上限としては、90質量%が好ましく、70質量%または60質量%がより好ましい場合もある。有機ケイ素化合物(B)の含有量を10質量%以上90質量%以下とすることで、他の成分との混合比率が好適化されることなどにより、当該熱硬化性樹脂組成物の粘度が下がり、硬化して得られる成形体の高温曝露時の耐黄変性がより向上する。
また、当該熱硬化性樹脂組成物における各成分の含有量に関し、全成分中の全てのヒドロシリルのモル数に対する全成分中の全てのビニルのモル数の比(ビニル/ヒドロシリル)の下限としては、0.6が好ましく、0.7がより好ましく、0.8がさらに好ましく、0.9がよりさらに好ましい。さらに、この比は1超がより好ましい場合もある。一方、この比の上限としては、1.6が好ましく、1.4がより好ましい。ヒドロシリルとビニルとのモル比が上記範囲内である場合、より効果的に架橋反応が進行し、耐熱性等をより高めることができる。
<(C)成分:ヒドロシリル化触媒(C)>
ヒドロシリル化触媒(C)としては、有機ケイ素化合物(A)と有機ケイ素化合物(B)等とのヒドロシリル化反応を生じさせる触媒であれば特に限定されるものではない。このようなヒドロシリル化触媒としては、塩化白金酸、カルステッド触媒等の白金触媒を挙げることができる。
ヒドロシリル化触媒(C)としては、有機ケイ素化合物(A)と有機ケイ素化合物(B)等とのヒドロシリル化反応を生じさせる触媒であれば特に限定されるものではない。このようなヒドロシリル化触媒としては、塩化白金酸、カルステッド触媒等の白金触媒を挙げることができる。
当該熱硬化性樹脂組成物におけるヒドロシリル化触媒(C)の含有量の下限としては、例えば0.1ppmであり、0.5ppmが好ましい。ヒドロシリル化触媒(C)の含有量を0.1ppm以上とすることで、十分な反応を生じさせることができる。一方、この含有量の上限としては、例えば1,000ppmであり、100ppmが好ましく、10ppmまたは3ppmがより好ましい。ヒドロシリル化触媒(C)の含有量を1,000ppm以下とすることで、得られる成形体の耐クラック性や光透過性等をより良好にすることができる。
<(D)成分:密着性付与剤(D)>
当該熱硬化性樹脂組成物は、密着性付与剤(D)をさらに含有することが好ましい。密着性付与剤(D)としては、ヒドロシリルおよびエポキシを有する有機ケイ素化合物が好ましく、さらにアルコキシシリル基を有するものであることがより好ましい。このような化合物は、当該熱硬化性樹脂組成物中の他の成分と架橋反応しつつ、当該熱硬化性樹脂組成物が積層される基材等の成分と結合反応することができ、得られる成形体の密着性を高めることができる。さらに、密着性付与剤(D)は、耐熱性などの点から、シルセスキオキサン構造を有するものであることがより好ましい。このような好適な密着性付与剤(D)としては、式(6)で表される化合物を挙げることができる。
当該熱硬化性樹脂組成物は、密着性付与剤(D)をさらに含有することが好ましい。密着性付与剤(D)としては、ヒドロシリルおよびエポキシを有する有機ケイ素化合物が好ましく、さらにアルコキシシリル基を有するものであることがより好ましい。このような化合物は、当該熱硬化性樹脂組成物中の他の成分と架橋反応しつつ、当該熱硬化性樹脂組成物が積層される基材等の成分と結合反応することができ、得られる成形体の密着性を高めることができる。さらに、密着性付与剤(D)は、耐熱性などの点から、シルセスキオキサン構造を有するものであることがより好ましい。このような好適な密着性付与剤(D)としては、式(6)で表される化合物を挙げることができる。
式(6)中、R18は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルである。Zは独立して、式(Z1)、式(Z2)、式(Z31)、式(Z32)、式(Z33)、または式(Z41)で表される基である。式(6)で表される化合物1分子あたりの式(Z1)で表される基の平均数をz1、式(Z2)で表される基の平均数をz2、式(Z31)、式(Z32)、または式(Z33)で表される基の平均数をz3、式(Z41)で表される基の平均数をz4としたとき、z1+2z2+z3+z4=4w、0.5w≦z1≦3w、0.5w≦2z2≦2w、0.1w≦z3≦2w、かつ0≦z4≦wを満たす。wは、1~100を満たす平均値である。
R18としては、アルキルが好ましく、メチルがより好ましい。z1、z2、z3、およびz4は、それぞれ、w≦z1≦2w、0.3w≦z2≦w、0.3w≦z3≦w、および0.3w≦z4≦wであることが好ましい。wの下限は、3であってよく、5であってもよい。また、wの上限は、30であってよく、15であってもよい。
式(Z1)、式(Z2)、式(Z31)、式(Z32)、式(Z33)、および式(Z41)中、*は、結合部位を示す。
式(Z2)中、R19は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。iは、1~20を満たす平均値である。R19としては、アルキルが好ましく、メチルがより好ましい。
式(Z41)中、R20は独立して、メチル、エチル、ブチル、またはイソプロピルである。R20としては、メチルが好ましい。
式(Z2)中、R19は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。iは、1~20を満たす平均値である。R19としては、アルキルが好ましく、メチルがより好ましい。
式(Z41)中、R20は独立して、メチル、エチル、ブチル、またはイソプロピルである。R20としては、メチルが好ましい。
当該熱硬化性樹脂組成物における密着性付与剤(D)の含有量の下限としては、0.1質量%が好ましく、1質量%がより好ましい。密着性付与剤(D)の含有量を0.1質量%以上とすることで、十分な密着性を付与することができる。一方、この含有量の上限としては、10質量%が好ましく、3質量%がより好ましい。密着性付与剤(D)の含有量を10質量%以下とすることで、他の成分との混合比率や得られる成形体の架橋密度が好適化されることなどにより、硬化して得られる成形体の高温環境下での耐クラック性がより向上する。また、密着性付与剤(D)は有機ケイ素化合物であってもよい。
<(E)成分:蛍光体(E)>
<(F)成分:白色顔料(F)>
当該熱硬化性樹脂組成物は蛍光体(E)または白色顔料(F)をさらに含むことが好ましい。蛍光体(E)または白色顔料(F)は、通常、当該熱硬化性樹脂組成物中に分散含有される。当該熱硬化性樹脂組成物が蛍光体(E)または白色顔料(F)をさらに含む場合、当該熱硬化性樹脂組成物は、光半導体素子の封止材等としてより好適に用いることができる。
<(F)成分:白色顔料(F)>
当該熱硬化性樹脂組成物は蛍光体(E)または白色顔料(F)をさらに含むことが好ましい。蛍光体(E)または白色顔料(F)は、通常、当該熱硬化性樹脂組成物中に分散含有される。当該熱硬化性樹脂組成物が蛍光体(E)または白色顔料(F)をさらに含む場合、当該熱硬化性樹脂組成物は、光半導体素子の封止材等としてより好適に用いることができる。
蛍光体(E)としては、YAG系蛍光体、TAG系蛍光体、シリケート系蛍光体等の無機蛍光体や、アリルスルホアミド・メラミンホルムアルデヒド共縮合染色物、ペリレン系蛍光体等の有機蛍光体を挙げることができる。
白色顔料(F)としては、酸化チタン、アルミナ、チタン酸バリウム、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、無機中空粒子等を挙げることができる。
<その他の成分>
当該熱硬化性樹脂組成物は、(A)~(F)成分以外の他の成分を含有していてもよい。他の成分としては、充填剤、難燃剤、イオン吸着体、酸化防止剤、硬化遅延剤、硬化禁止剤、紫外線吸収剤等を挙げることができる。
当該熱硬化性樹脂組成物は、(A)~(F)成分以外の他の成分を含有していてもよい。他の成分としては、充填剤、難燃剤、イオン吸着体、酸化防止剤、硬化遅延剤、硬化禁止剤、紫外線吸収剤等を挙げることができる。
(A)~(F)成分以外の他の成分の含有量は、用途等に応じて適宜設定することができる。一方、これらの他の成分は、少ない方が好ましい場合もある。当該熱硬化性樹脂組成物におけ(A)~(F)成分以外の他の成分の含有量の上限は、10質量%、1質量%、0.1質量%、または0.01質量%が好ましい場合もある。一方、(A)~(F)成分以外の他の成分の含有量の下限は、例えば0.01質量%、0.1質量%、または1質量%であってよい。
当該熱硬化性樹脂組成物は、溶媒やその他の揮発性成分を含んでいてもよく、含んでいなくてもよい。但し、有機ケイ素化合物(A)は、通常、液状であるため、溶媒を用いなくても良好な流動性を示すことができる。また、実質的に溶媒等の揮発性成分を含まない組成とすることで、光半導体素子の封止材等としてより好適に用いることができる。当該熱硬化性樹脂組成物における溶媒または揮発性成分の含有量の上限としては、1質量%が好ましく、0.1質量%がより好ましく、0.01質量%がより好ましい。
<調製方法>
当該熱硬化性樹脂組成物の調製方法は特に限定されるものでは無い。当該熱硬化性樹脂組成物の調製方法は、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール、ビーズミル等の混合機を用いて、常温または40℃から200℃などの加温下で、各成分を混合する方法が挙げられる。
当該熱硬化性樹脂組成物の調製方法は特に限定されるものでは無い。当該熱硬化性樹脂組成物の調製方法は、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール、ビーズミル等の混合機を用いて、常温または40℃から200℃などの加温下で、各成分を混合する方法が挙げられる。
<用途>
当該熱硬化性樹脂組成物は、光半導体素子の封止材、その他の半導体素子の封止材、絶縁膜、シール材、光学レンズ等の形成材料、その他接着剤等として好適に用いることができる。中でも、硬化して得られる成形体が、高温環境下での耐クラック性に優れ、また、良好な光透過性および光屈折性を有し得るため、光半導体素子の封止材として特に好適に用いることができる。
当該熱硬化性樹脂組成物は、光半導体素子の封止材、その他の半導体素子の封止材、絶縁膜、シール材、光学レンズ等の形成材料、その他接着剤等として好適に用いることができる。中でも、硬化して得られる成形体が、高温環境下での耐クラック性に優れ、また、良好な光透過性および光屈折性を有し得るため、光半導体素子の封止材として特に好適に用いることができる。
<成形体>
本発明の一実施形態に係る成形体は、当該熱硬化性樹脂組成物を硬化させてなる成形体である。すなわち、当該成形体は、当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物である。本発明の一実施形態は、当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物も含まれる。当該成形体としては、光半導体素子等の半導体素子の封止材、絶縁膜、シール材、光学レンズ等が挙げられ、これらの中でも光半導体素子の封止材であることが好ましい。
本発明の一実施形態に係る成形体は、当該熱硬化性樹脂組成物を硬化させてなる成形体である。すなわち、当該成形体は、当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物である。本発明の一実施形態は、当該熱硬化性樹脂組成物の硬化物も含まれる。当該成形体としては、光半導体素子等の半導体素子の封止材、絶縁膜、シール材、光学レンズ等が挙げられ、これらの中でも光半導体素子の封止材であることが好ましい。
当該成形体は、上述した熱硬化性樹脂組成物を加熱により硬化させることにより得られる。このときの加熱温度としては、例えば60~200℃であり、80~160℃が好ましい。また、加熱時間は、例えば1~24時間とすることができる。
当該成形体の光屈折率としては、1.4以上が好ましく、1.48以上がより好ましく、1.50以上がさらに好ましい。このような高屈折率を有する場合、光半導体素子からの光の取り出し効率に優れ、光半導体素子の封止材としてより有用となる。なお、この光屈折率の上限としては、例えば2であり、1.8、1.7又は1.6であってもよい。
当該成形体の波長400nmにおける光透過率は、95%以上であることが好ましく、97%以上であることがより好ましい。このような高い光透過率を有する場合、光半導体素子の封止材等としてより有用となる。なお、この光透過率の上限としては、例えば99.9%であり、99%であってもよい。
<光半導体装置>
本発明の一実施形態に係る光半導体装置は、光半導体素子、及び上記光半導体素子を封止する当該成形体を備える。
本発明の一実施形態に係る光半導体装置は、光半導体素子、及び上記光半導体素子を封止する当該成形体を備える。
上記光半導体素子としては特に限定されず、例えば、上記光半導体素子がLEDである場合、例えば基板上に半導体材料を積層して形成したものが挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN、SiC等が挙げられる。
当該光半導体装置は、光半導体素子を本発明の一実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物を用いて封止することにより得られる。この封止方法は、例えば(1)モールド型枠中に当該熱硬化性樹脂組成物を予め注入し、そこに光半導体素子が固定されたリードフレーム等を浸漬した後、熱硬化させる方法、(2)光半導体素子を挿入した型枠中に当該熱硬化性樹脂組成物を注入し、熱硬化させる方法等が挙げられる。当該熱硬化性樹脂組成物を注入する方法としては、例えばディスペンサーによる注入、トランスファー成形及び射出成形が挙げられる。更に、その他の封止方法としては、例えば当該熱硬化性樹脂組成物を光半導体素子上へ滴下、印刷又は塗布等し、その後、熱硬化させる方法なども挙げられる。
当該光半導体装置は、本発明の一実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物が封止材として用いられているため、その封止材が高温環境下での耐クラック性に優れる。従って、当該光半導体装置は、高出力及び高電力密度のものであっても耐久性に優れる。当該光半導体装置は、各種照明装置、電光掲示板、信号機、液晶表示装置のバックライト、LEDディスプレイ等に用いることができる。
本発明を実施例に基づいて更に詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。なお、化学式中「Me」はメチル基を表し、「Vi」はビニル基を表し、「Ph」はフェニル基を表す。以下、合成した有機ケイ素化合物の分析方法を示す。
<数平均分子量及び重量平均分子量>
日本分光(株)製の高速液体クロマトグラフシステムCO-1565plusを使用し、試料濃度1質量%のTHF溶液20μLを分析サンプルとして、以下の条件でのGPC法により測定した。ポリスチレン換算することにより、数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。
カラム:Shodex KF402HQ、Shodex KF402.5HQ[昭和電工(株)製]
カラム温度:40℃
検出器:RI
溶離液:THF
溶離液流速:0.3mL毎分
日本分光(株)製の高速液体クロマトグラフシステムCO-1565plusを使用し、試料濃度1質量%のTHF溶液20μLを分析サンプルとして、以下の条件でのGPC法により測定した。ポリスチレン換算することにより、数平均分子量及び重量平均分子量を求めた。
カラム:Shodex KF402HQ、Shodex KF402.5HQ[昭和電工(株)製]
カラム温度:40℃
検出器:RI
溶離液:THF
溶離液流速:0.3mL毎分
<NMR(核磁気共鳴スペクトル)>
日本電子(株)製の500MHZのNMR測定装置を使用し、1H-NMR及び13C-NMRについては測定サンプルを重クロロホルム(ACROS ORGANICS社製)に溶解して測定し、29Si-NMRについては測定サンプルをテトラヒドロフラン(富士フイルム和光純薬株式会社製)に溶解して測定した。また、1H-NMR又は29Si-NMRの積分比より、合成した有機ケイ素化合物におけるフェニル基の核水素化率を計算した。また、1H-NMR又は29Si-NMRの積分比より、合成した有機ケイ素化合物誘導体において導入された平均シロキサン鎖長等を決定した。
日本電子(株)製の500MHZのNMR測定装置を使用し、1H-NMR及び13C-NMRについては測定サンプルを重クロロホルム(ACROS ORGANICS社製)に溶解して測定し、29Si-NMRについては測定サンプルをテトラヒドロフラン(富士フイルム和光純薬株式会社製)に溶解して測定した。また、1H-NMR又は29Si-NMRの積分比より、合成した有機ケイ素化合物におけるフェニル基の核水素化率を計算した。また、1H-NMR又は29Si-NMRの積分比より、合成した有機ケイ素化合物誘導体において導入された平均シロキサン鎖長等を決定した。
<粘度>
東機産業(株)製のTV-22形粘度計コーンプレートタイプを使用し、恒温槽温度25℃にて、粘度を測定した。
東機産業(株)製のTV-22形粘度計コーンプレートタイプを使用し、恒温槽温度25℃にて、粘度を測定した。
<有機ケイ素化合物(7-3)の合成>
特許第4379120号公報記載の方法にて、式(7-3)で表される有機ケイ素化合物を合成した。
特許第4379120号公報記載の方法にて、式(7-3)で表される有機ケイ素化合物を合成した。
その他、以下の有機ケイ素化合物の合成の際に使用した試薬等を以下に示す。
・ヘキサメチルシクロトリシロキサン(東京化成工業(株)製)
・ジメチルクロロシラン(信越化学工業(株)製)(式(8-1))
[合成例1]
<有機ケイ素化合物(A2-1)の合成>
200mLの4ツ口フラスコに冷却管、温度計、サンプリング装置を取り付けて窒素雰囲気下、ヘキサメチルシクロトリシロキサン18.0gを36.1gのトルエンに溶解して仕込んだ。氷浴上でジメチルクロロシラン6.4g、ジエチルホルムアミド5.4gを加えマグネティックスターラーにより攪拌を行って反応した。ガスクロマトグラフィー(以下、GC)でヘキサメチルシクロトリシロキサン、ジメチルクロロシランの消費および有機ケイ素化合物(8-2)の化合物の生成を確認した。
<有機ケイ素化合物(A2-1)の合成>
200mLの4ツ口フラスコに冷却管、温度計、サンプリング装置を取り付けて窒素雰囲気下、ヘキサメチルシクロトリシロキサン18.0gを36.1gのトルエンに溶解して仕込んだ。氷浴上でジメチルクロロシラン6.4g、ジエチルホルムアミド5.4gを加えマグネティックスターラーにより攪拌を行って反応した。ガスクロマトグラフィー(以下、GC)でヘキサメチルシクロトリシロキサン、ジメチルクロロシランの消費および有機ケイ素化合物(8-2)の化合物の生成を確認した。
続いて下記式(7-2)20.0gをトルエン40.0gに懸濁させてフラスコ内へフィードした。続いてトリエチルアミン6.0gを加え17時間撹拌した後、ジメチルクロロシラン2.8gを加え、5時間撹拌した。得られたスラリーを純水および飽和重曹水、3%酢酸水溶液で洗浄し、エヴァポレーターにて低沸成分を留去して、液状の生成物24.2gを得た。
生成物の一部をGC、核磁気共鳴分析(以下、NMR)、および高速液体クロマトグラフィー質量分析(以下、LC-MS)により分析したところ、n平均=3.5である式有機ケイ素化合物(A2-1)であることが分かった。
生成物の一部をGC、核磁気共鳴分析(以下、NMR)、および高速液体クロマトグラフィー質量分析(以下、LC-MS)により分析したところ、n平均=3.5である式有機ケイ素化合物(A2-1)であることが分かった。
<有機ケイ素化合物(A2-1)>
(分析結果)
1H-NMR (Acetone-d6):δ(ppm): 7.66-7.22 (40H), 4.76-4.67(2H), 0.38-0.34 (6H), 0.20-0.00 (42H).
29Si-NMR (THF):δ(ppm): -3.9(s、0.4Si)、 -6.5(s、1.5Si)、 -19.5~-20.8(s、4.5Si)、 -62.9(s、0.3Si)、 -64.6(s、1.5Si)、 -78.5~-79.0(m、8.0Si).
数平均分子量:Mn=1435
重量平均分子量:Mw=1525
粘度 3,510mPa・s
(分析結果)
1H-NMR (Acetone-d6):δ(ppm): 7.66-7.22 (40H), 4.76-4.67(2H), 0.38-0.34 (6H), 0.20-0.00 (42H).
29Si-NMR (THF):δ(ppm): -3.9(s、0.4Si)、 -6.5(s、1.5Si)、 -19.5~-20.8(s、4.5Si)、 -62.9(s、0.3Si)、 -64.6(s、1.5Si)、 -78.5~-79.0(m、8.0Si).
数平均分子量:Mn=1435
重量平均分子量:Mw=1525
粘度 3,510mPa・s
[合成例2]
<有機ケイ素化合物(A1-1)の合成>
1000mLの4ツ口フラスコに冷却管、温度計、サンプリング装置を取り付けて窒素雰囲気下、ヘキサメチルシクロトリシロキサン89.9gを179.8gのトルエンに溶解して仕込んだ。氷浴上でジメチルクロロシラン31.9g、ジエチルホルムアミド27.0gを加えマグネティックスターラーにより攪拌を行って反応した。GCでヘキサメチルシクロトリシロキサン、ジメチルクロロシランの消費および式(8-2)の化合物の生成を確認した。
続いて式(7-1)80.1gをトルエン161.5gに懸濁させてフラスコ内へフィードした。続いてトリエチルアミン61.3gを加え15時間撹拌した後、ジメチルクロロシラン5.5gを加え、2時間撹拌した。得られたスラリーを純水および飽和重曹水、3%酢酸水溶液で洗浄し、エヴァポレーターにて低沸成分を留去して、液状の生成物123.5gを得た。
生成物の一部をGC、NMR、およびLC-MSにより分析したところ、生成物はn平均=3.1である有機ケイ素化合物(A1-1)であることが分かった。
<有機ケイ素化合物(A1-1)の合成>
1000mLの4ツ口フラスコに冷却管、温度計、サンプリング装置を取り付けて窒素雰囲気下、ヘキサメチルシクロトリシロキサン89.9gを179.8gのトルエンに溶解して仕込んだ。氷浴上でジメチルクロロシラン31.9g、ジエチルホルムアミド27.0gを加えマグネティックスターラーにより攪拌を行って反応した。GCでヘキサメチルシクロトリシロキサン、ジメチルクロロシランの消費および式(8-2)の化合物の生成を確認した。
続いて式(7-1)80.1gをトルエン161.5gに懸濁させてフラスコ内へフィードした。続いてトリエチルアミン61.3gを加え15時間撹拌した後、ジメチルクロロシラン5.5gを加え、2時間撹拌した。得られたスラリーを純水および飽和重曹水、3%酢酸水溶液で洗浄し、エヴァポレーターにて低沸成分を留去して、液状の生成物123.5gを得た。
生成物の一部をGC、NMR、およびLC-MSにより分析したところ、生成物はn平均=3.1である有機ケイ素化合物(A1-1)であることが分かった。
<有機ケイ素化合物(A1-1)>
(分析結果)
1H-NMR (Acetone-d6):δ(ppm): 8.02-7.17 (40H), 4.90-4.65 (4H), 4.6- -0.19 (74H).
29Si-NMR (THF):δ(ppm): -3.9(s、0.8Si)、 -7.0(s、3.5Si)、 -19.3~ -21.9(m、9.5Si)、 -75.3~-80.0(m、8.0Si).
数平均分子量:Mn=1592
重量平均分子量:Mw=1735
粘度 1,960mPa・s
(分析結果)
1H-NMR (Acetone-d6):δ(ppm): 8.02-7.17 (40H), 4.90-4.65 (4H), 4.6- -0.19 (74H).
29Si-NMR (THF):δ(ppm): -3.9(s、0.8Si)、 -7.0(s、3.5Si)、 -19.3~ -21.9(m、9.5Si)、 -75.3~-80.0(m、8.0Si).
数平均分子量:Mn=1592
重量平均分子量:Mw=1735
粘度 1,960mPa・s
[合成例3]
<有機ケイ素化合物(A1-2)の合成>
500mLの4ツ口フラスコに冷却管、温度計、サンプリング装置を取り付けて窒素雰囲気下、ヘキサメチルシクロトリシロキサン19.84gを36.67gのトルエンに溶解して仕込んだ。氷浴上でジメチルクロロシラン5.3g、ジエチルホルムアミド4.8gを加えマグネティックスターラーにより攪拌を行って反応した。GCでヘキサメチルシクロトリシロキサン、ジメチルクロロシランの消費および式(8-2)の化合物の生成を確認した。
続いて式(7-1)25.0gをトルエン100.0gに懸濁させてフラスコ内へフィードした。続いてトリエチルアミン18.5gを加え15時間撹拌した後、ジメチルクロロシラン8.0gを加え、2時間撹拌した。得られたスラリーを純水および飽和重曹水、3%酢酸水溶液で洗浄し、エヴァポレーターにて低沸成分を留去して、液状の生成物36.9gを得た。
生成物の一部をGC、NMR、およびLC-MSにより分析したところ、生成物はn平均=2.7である、有機ケイ素化合物(A1-2)であることが分かった。
<有機ケイ素化合物(A1-2)の合成>
500mLの4ツ口フラスコに冷却管、温度計、サンプリング装置を取り付けて窒素雰囲気下、ヘキサメチルシクロトリシロキサン19.84gを36.67gのトルエンに溶解して仕込んだ。氷浴上でジメチルクロロシラン5.3g、ジエチルホルムアミド4.8gを加えマグネティックスターラーにより攪拌を行って反応した。GCでヘキサメチルシクロトリシロキサン、ジメチルクロロシランの消費および式(8-2)の化合物の生成を確認した。
続いて式(7-1)25.0gをトルエン100.0gに懸濁させてフラスコ内へフィードした。続いてトリエチルアミン18.5gを加え15時間撹拌した後、ジメチルクロロシラン8.0gを加え、2時間撹拌した。得られたスラリーを純水および飽和重曹水、3%酢酸水溶液で洗浄し、エヴァポレーターにて低沸成分を留去して、液状の生成物36.9gを得た。
生成物の一部をGC、NMR、およびLC-MSにより分析したところ、生成物はn平均=2.7である、有機ケイ素化合物(A1-2)であることが分かった。
<有機ケイ素化合物(A1-2)>
(分析結果)
1H-NMR (THF-d8):δ(ppm): 7.5-7.11 (40H), 4.90-4.66 (4H), 0.32- -0.06 (64H).
29Si-NMR (THF):δ(ppm):-3.9(s、1.7Si)、-7.0(s、3.2Si)、-19.4~-21.9(m、8.6Si)、-75.4~-78.7(m、8.0Si).
数平均分子量:Mn=1501
重量平均分子量:Mw=1621
粘度 2,870mPa・s
(分析結果)
1H-NMR (THF-d8):δ(ppm): 7.5-7.11 (40H), 4.90-4.66 (4H), 0.32- -0.06 (64H).
29Si-NMR (THF):δ(ppm):-3.9(s、1.7Si)、-7.0(s、3.2Si)、-19.4~-21.9(m、8.6Si)、-75.4~-78.7(m、8.0Si).
数平均分子量:Mn=1501
重量平均分子量:Mw=1621
粘度 2,870mPa・s
[合成例4]
<有機ケイ素化合物(A3-1)の合成>
200mLの4ツ口フラスコに冷却管、温度計、サンプリング装置を取り付けて窒素雰囲気下、ヘキサメチルシクロトリシロキサン26.9gを53.9gのトルエンに溶解して仕込んだ。氷浴上でジメチルクロロシラン9.5g、ジエチルホルムアミド8.1gを加えマグネティックスターラーにより攪拌を行って反応した。GCでヘキサメチルシクロトリシロキサン、ジメチルクロロシランの消費および下記式(8-2)の化合物の生成を確認した。
<有機ケイ素化合物(A3-1)の合成>
200mLの4ツ口フラスコに冷却管、温度計、サンプリング装置を取り付けて窒素雰囲気下、ヘキサメチルシクロトリシロキサン26.9gを53.9gのトルエンに溶解して仕込んだ。氷浴上でジメチルクロロシラン9.5g、ジエチルホルムアミド8.1gを加えマグネティックスターラーにより攪拌を行って反応した。GCでヘキサメチルシクロトリシロキサン、ジメチルクロロシランの消費および下記式(8-2)の化合物の生成を確認した。
続いて式(7-3)15.0gをトルエン60.0gに懸濁させてフラスコ内へフィードした。続いてトリエチルアミン10.6gを加え16時間撹拌した後、ジメチルクロロシラン2.2gを加え、2時間撹拌した。得られたスラリーを純水および飽和重曹水、3%酢酸水溶液で洗浄し、エヴァポレーターにて低沸成分を留去して、液状の生成物23.4gを得た。
生成物の一部をGC、NMR、およびLC-MSにより分析したところ、生成物はn平均=3.1である有機ケイ素化合物(A3-1)であることが分かった。
生成物の一部をGC、NMR、およびLC-MSにより分析したところ、生成物はn平均=3.1である有機ケイ素化合物(A3-1)であることが分かった。
<有機ケイ素化合物(A3-1)>」
(分析結果)
1H-NMR (THF-d8):δ(ppm): 7.67-7.05 (40H), 4.88-4.66 (4H), 0.15- -0.01 (74H).
29Si-NMR (THF):δ(ppm): -3.0(s、1.1Si)、-7.0(s、1.9)、-19.7~-20.9(m、5.6Si)、-78.7~-79.3(m、6.2Si)、 -106.2~-109.5(m、1.8Si).
数平均分子量:Mn=1670
重量平均分子量:Mw=1951
粘度 663mPa・s
(分析結果)
1H-NMR (THF-d8):δ(ppm): 7.67-7.05 (40H), 4.88-4.66 (4H), 0.15- -0.01 (74H).
29Si-NMR (THF):δ(ppm): -3.0(s、1.1Si)、-7.0(s、1.9)、-19.7~-20.9(m、5.6Si)、-78.7~-79.3(m、6.2Si)、 -106.2~-109.5(m、1.8Si).
数平均分子量:Mn=1670
重量平均分子量:Mw=1951
粘度 663mPa・s
以下の熱硬化性樹脂組成物の調製に用いた、合成した上記有機ケイ素化合物((A)有機ケイ素化合物)以外の成分を以下に示す。
<有機ケイ素化合物(B)>
・B1:下記式(B1-1)で表される有機ケイ素化合物
(式(2)におけるR3がメチル、rが1、式(X3)におけるR5がメチル、R6がビニル、R7がエタン-1,2-ジイル、tが2、x1[式(X1)]=2.34、x2[式(X2)]=0、x3[式(X3)]=1.66である化合物)
この有機ケイ素化合物(B1-1)は国際公開2011/145638号に記載の方法にて合成した。
・B1:下記式(B1-1)で表される有機ケイ素化合物
(式(2)におけるR3がメチル、rが1、式(X3)におけるR5がメチル、R6がビニル、R7がエタン-1,2-ジイル、tが2、x1[式(X1)]=2.34、x2[式(X2)]=0、x3[式(X3)]=1.66である化合物)
この有機ケイ素化合物(B1-1)は国際公開2011/145638号に記載の方法にて合成した。
<ヒドロキシ化触媒(C)>
・C-1:カルステッド触媒(製品名「Pt-VTS-3.0X」:3wt%キシレン溶液、ユミコア社製)
・C-1:カルステッド触媒(製品名「Pt-VTS-3.0X」:3wt%キシレン溶液、ユミコア社製)
<密着性付与剤(D)>
・D-1:式(D-1)で表される化合物
(式(6)におけるR18がメチル、wが8.8、式(Z2)におけるR19がメチル、式(Z41)におけるR20がメチル、z1[式(Z1)]=1.32w、z2[式(Z2)]=0.69w、z3[式(Z31)]=0.65w、z4[式(Z41)]=0.65wである化合物)
この密着性付与剤(D-1)は、特許第5880556号公報に記載の方法にて合成した。
・D-1:式(D-1)で表される化合物
(式(6)におけるR18がメチル、wが8.8、式(Z2)におけるR19がメチル、式(Z41)におけるR20がメチル、z1[式(Z1)]=1.32w、z2[式(Z2)]=0.69w、z3[式(Z31)]=0.65w、z4[式(Z41)]=0.65wである化合物)
この密着性付与剤(D-1)は、特許第5880556号公報に記載の方法にて合成した。
<その他の成分>
・硬化遅延剤:1,3,5,7-テトラビニル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン(MVS-H:GELEST社製)
・硬化禁止剤:1-エチニルシクロヘキサノール(ECYH-OH:東京化成(株)製)
・硬化遅延剤:1,3,5,7-テトラビニル-1,3,5,7-テトラメチルシクロテトラシロキサン(MVS-H:GELEST社製)
・硬化禁止剤:1-エチニルシクロヘキサノール(ECYH-OH:東京化成(株)製)
[組成物比較例1および組成物実施例1~12]
表1に示す配合で樹脂組成物を調製し、硬化物は下記の方法で組成物を150℃で2時間加熱して得た。
<組成物および硬化物の特性評価>
4mm厚硬化物:ガラス2枚に4mm径のナフロンSPパッキン(ニチアス(株)製)をスペーサーとして挟み、この中に樹脂組成物を流し込んだ。次いで加熱硬化させ、ガラスをはがして4mm厚の表面が平滑な硬化物を得た。
0.5~1mm厚硬化物:ガラス2枚に0.5~1mm厚のSUS板をスペーサーとして挟み、この中に樹脂組成物を流し込んだ。次いで加熱硬化させ、ガラスをはがして0.5~1mm厚の表面が平滑な硬化物を得た。
0.1mm厚硬化物:スライドガラス(S9213(厚さ1.3mm):松浪硝子工業製) にアプリケーターを用いて塗布した。次いで加熱硬化させ、表面が平滑な硬化物を得た。
得られた組成物及び硬化物の特性評価を以下の方法で行なった。
表1に示す配合で樹脂組成物を調製し、硬化物は下記の方法で組成物を150℃で2時間加熱して得た。
<組成物および硬化物の特性評価>
4mm厚硬化物:ガラス2枚に4mm径のナフロンSPパッキン(ニチアス(株)製)をスペーサーとして挟み、この中に樹脂組成物を流し込んだ。次いで加熱硬化させ、ガラスをはがして4mm厚の表面が平滑な硬化物を得た。
0.5~1mm厚硬化物:ガラス2枚に0.5~1mm厚のSUS板をスペーサーとして挟み、この中に樹脂組成物を流し込んだ。次いで加熱硬化させ、ガラスをはがして0.5~1mm厚の表面が平滑な硬化物を得た。
0.1mm厚硬化物:スライドガラス(S9213(厚さ1.3mm):松浪硝子工業製) にアプリケーターを用いて塗布した。次いで加熱硬化させ、表面が平滑な硬化物を得た。
得られた組成物及び硬化物の特性評価を以下の方法で行なった。
<粘度>
E型回転粘度計(TV-25:東機産業(株)製)にて、組成液の粘度(25℃)を測定した。
E型回転粘度計(TV-25:東機産業(株)製)にて、組成液の粘度(25℃)を測定した。
<光透過率>
4mm厚硬化物を紫外可視分光光度計(V-650:日本分光(株)製)にて波長400nmにおける光の透過率を測定した。
4mm厚硬化物を紫外可視分光光度計(V-650:日本分光(株)製)にて波長400nmにおける光の透過率を測定した。
<硬度>
4mm厚硬化物を自動硬度計(GX-610II:(株)テクロック製)を用いてJIS K6301に準拠して測定した(タイプD、タイプA)。
4mm厚硬化物を自動硬度計(GX-610II:(株)テクロック製)を用いてJIS K6301に準拠して測定した(タイプD、タイプA)。
<光屈折率>
30mm×10mm×4mm厚の板状試験片を作製し、アッベ屈折計(NAR-2T:(株)アタゴ製)によりナトリウムランプのD線を用いて、上記試験片の一か所の光屈折率を測定した。中間液は1-ブロモナフタレン(和光純薬工業(株)製)を用いた。
30mm×10mm×4mm厚の板状試験片を作製し、アッベ屈折計(NAR-2T:(株)アタゴ製)によりナトリウムランプのD線を用いて、上記試験片の一か所の光屈折率を測定した。中間液は1-ブロモナフタレン(和光純薬工業(株)製)を用いた。
<DMA>
30mm×10mm×0.5mm厚の板状試験片を作製し、動的粘弾性測定装置(DMS6100:日立ハイテクサイエンス(株)製)にて下記条件で測定して得られた貯蔵弾性率(
E´)と損失弾性率(E´´)の商で表される損失係数(tanδ=E´´/E´)の極大点の温度を求めた。
測定温度:-100℃~250℃(昇温速度:10℃/min)
測定周波数:10Hz
30mm×10mm×0.5mm厚の板状試験片を作製し、動的粘弾性測定装置(DMS6100:日立ハイテクサイエンス(株)製)にて下記条件で測定して得られた貯蔵弾性率(
E´)と損失弾性率(E´´)の商で表される損失係数(tanδ=E´´/E´)の極大点の温度を求めた。
測定温度:-100℃~250℃(昇温速度:10℃/min)
測定周波数:10Hz
<透過率保持率>
4mm厚硬化物を200℃空気雰囲気下で1008時間加熱した。加熱前の波長400nmにおける光透過率(Ta)に対する1008時間加熱後の光透過率(Tb)の比(Tb/Ta×100)から透過率保持率を求めた。
4mm厚硬化物を200℃空気雰囲気下で1008時間加熱した。加熱前の波長400nmにおける光透過率(Ta)に対する1008時間加熱後の光透過率(Tb)の比(Tb/Ta×100)から透過率保持率を求めた。
<耐クラック試験>
0.1mm厚硬化物を250℃空気雰囲気下で加熱した。加熱中の硬化物を168時間毎に取出し、室温まで戻した後、外観を観察しクラックが発生した時間を記録した。
0.1mm厚硬化物を250℃空気雰囲気下で加熱した。加熱中の硬化物を168時間毎に取出し、室温まで戻した後、外観を観察しクラックが発生した時間を記録した。
表1に示す通り、有機ケイ素化合物(A1)、有機ケイ素化合物(A2)、または有機ケイ素化合物(A3)を含む実施例1~12の熱硬化性樹脂組成物は、比較実施例1の熱硬化性樹脂組成物に対して、粘度が低く、また、実施例1~12の硬化物は比較実施例1の硬化物に対して透過率保持率に優れている。
このことから、本発明の熱硬化性樹脂組成物は硬化前の粘度低減と硬化後の高い耐熱黄変性を両立させることが可能であるとわかる。
本発明の有機ケイ素化合物及びこれを含む熱硬化性樹脂組成物は、光半導体素子の封止材、その他の半導体素子の封止材、絶縁膜、シール材、光学レンズ等に用いることができる。
Claims (14)
- 有機ケイ素化合物(A)のnが独立して、1<n≦4を満たす平均値である請求項1に記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 有機ケイ素化合物(B)が式(2)で表される化合物を含む請求項1または2に記載の熱硬化性樹脂組成物。
式(2)中、R3は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルであり、Xは独立して、式(X1)、式(X2)、または式(X3)で表される基である。
式(2)で表される化合物1分子あたりの式(X1)で表される基の平均数をx1、式(X2)で表される基の平均数をx2、式(X3)で表される基の平均数をx3としたとき、x1+2x2+x3=4r、0<x1<4r、0≦x2<2r、かつ0<x3<4rを満たし、rは、1~100を満たす平均値である。
式(X1)、式(X2)、および式(X3)中、*は、結合部位を示す。
式(X2)中、R4は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。sは、2~20を満たす平均値である。
式(X3)中、R5は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルである。R6は、炭素数2~5のアルケニルである。R7は、R6と同じ炭素数のアルカンジイルであり、tは、2~20を満たす平均値である。 - 有機ケイ素化合物(A)の含有量が1質量%以上30質量%以下である請求項1から6のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 有機ケイ素化合物(A)の含有量と有機ケイ素化合物(B)の含有量の重量比が0.1以上2以下である請求項1から6のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 密着性付与剤(D)をさらに含有し、
密着性付与剤(D)が、式(6)で表される化合物を含む請求項1から8のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
式(6)中、R18は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、またはシクロヘキシルであり、Zは独立して、式(Z1)、式(Z2)、式(Z31)、式(Z32)、式(Z33)、または式(Z41)で表される基である。
式(6)で表される化合物1分子あたりの式(Z1)で表される基の平均数をz1、式(Z2)で表される基の平均数をz2、式(Z31)、式(Z32)、または式(Z33)で表される基の平均数をz3、式(Z41)で表される基の平均数をz4としたとき、z1+2z2+z3+z4=4w、0.5w≦z1≦3w、0.5w≦2z2≦2w、0.1w≦z3≦2w、かつ0≦z4≦wを満たし、wは、1~100を満たす平均値である。
式(Z1)、式(Z2)、式(Z31)、式(Z32)、式(Z33)、および式(Z41)中、*は、結合部位を示す。
式(Z2)中、R19は独立して、炭素数1~4のアルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、またはフェニルであり、iは、1~20を満たす平均値である。
式(Z41)中、R20は独立して、メチル、エチル、ブチル、またはイソプロピルである。 - 密着性付与剤(D)の含有量が0.1質量%以上5質量%以下である請求項9に記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 蛍光体(E)または白色顔料(F)をさらに含む請求項1から10のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
- 請求項1から11のいずれか1項に記載の熱硬化性樹脂組成物を硬化させてなる成形体。
- 請求項12に記載の成形体、およびこの成形体によって封止された光半導体素子を備える光半導体装置。
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