JP2022135083A5 - - Google Patents
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Claims (13)
- 所定のパターン形状を有し、透明基板の上に積層される半透過膜と、半透過膜と異なるエッチング特性を有し、半透過膜の上に重なるように積層される中間膜と、所定のパターン形状及び半透過膜と同じエッチング特性を有し、中間膜の周辺領域の少なくとも一部が露出するように中間膜の上に積層される遮光膜とを備え、中間膜の露出した部分の少なくとも一部が透明基板に近づくほどエッジが外側に広がる形状を有する積層膜構造からなる中間体を準備する中間体準備工程と、
中間膜の露出した部分を複数回に分けてエッチングする中間膜分割エッチング工程と、
各回のエッチング後に半透過膜の露出した部分をプラズマ処理し、当該部分の透過率を変更するプラズマ処理工程とを備える
多階調フォトマスクの製造方法。 - 中間体準備工程は、中間体を製造する中間体製造工程を含み、
中間体製造工程は、
フォトマスクブランクスの表面にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
所定のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
レジストパターンをマスクとして、遮光膜の露出した部分をエッチングし、除去する遮光膜エッチング工程と、
遮光膜をマスクとして、中間膜の露出した部分のうち、膜厚方向における所定の深さの部分をエッチングし、除去する中間膜表面エッチングと、遮光膜のうち、露出したエッジの端面から内側方向における所定の深さの部分をエッチングし、除去する遮光膜サイドエッチングとを交互に繰り返すことにより、中間膜の該当部分を透明基板に近づくほどエッジが外側に広がる形状に整形する整形工程と、
中間膜をマスクとして、半透過膜の露出した部分をエッチングし、除去する半透過膜エッチング工程と、
レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程とを備える
請求項１に記載の多階調フォトマスクの製造方法。 - 整形工程は、中間膜の該当部分を階段状に整形する
請求項２に記載の多階調フォトマスクの製造方法。 - 中間膜表面エッチング及び遮光膜サイドエッチングの回数は、グラデーション部の階調数に基づいて設定される
請求項２又は請求項３に記載の多階調フォトマスクの製造方法。 - 各回の中間膜表面エッチングのエッチング量は、各回の中間膜表面エッチングのエッチング量の合計が中間膜の膜厚と同じ又は中間膜の膜厚よりも大きくなるように設定される
請求項２ないし請求項４のいずれか１項に記載の多階調フォトマスクの製造方法。 - 各回の遮光膜サイドエッチングのエッチング量は、グラデーション部の透過率勾配に基づいて設定される
請求項２ないし請求項５のいずれか１項に記載の多階調フォトマスクの製造方法。 - レジストパターンの、グラデーション部に対応する部分の、エッジの位置は、半透過膜エッチング工程後の半透過膜のエッジの位置に対し、半透過膜、中間膜及び遮光膜の膜厚の合計値又はこの合計値よりも大きい値で外側にオフセットした位置である
請求項２ないし請求項６のいずれか１項に記載の多階調フォトマスクの製造方法。 - 中間膜として、半透過膜及び遮光膜よりもエッチングレートが低い膜が選択される
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の多階調フォトマスクの製造方法。 - 中間膜分割エッチング及びプラズマ処理の回数は、グラデーション部の階調数に基づいて設定される
請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の多階調フォトマスクの製造方法。 - 各回のプラズマ処理の処理時間は、グラデーション部の透過率勾配に基づいて設定される
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の多階調フォトマスクの製造方法。 - 所定のパターン形状を有し、透明基板の上に積層される半透過膜と、
半透過膜と異なるエッチング特性を有し、半透過膜の周辺領域の少なくとも一部が露出するように半透過膜の上に積層される中間膜と、
所定のパターン形状及び半透過膜と同じエッチング特性を有し、中間膜の上に重なるように積層される遮光膜とを備え、
半透過膜の露出した部分の少なくとも一部は、半透過膜のエッジに近づくほど透過率が高くなる複数の領域で構成されるグラデーション部を備える
多階調フォトマスク。 - 中間膜のエッジが遮光膜のエッジよりも内側に入り込むことにより、遮光膜のエッジの下方に、中間膜が存在しないアンダーカットが形成され、これに伴い、遮光膜の端部がオーバーハングして突出端部となる
請求項１１に記載の多階調フォトマスク。 - 中間膜の膜厚は、９０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である
請求項１１又は請求項１２に記載の多階調フォトマスク。
Priority Applications (4)
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