JP2022126089A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

ウエーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2022126089A
JP2022126089A JP2021023949A JP2021023949A JP2022126089A JP 2022126089 A JP2022126089 A JP 2022126089A JP 2021023949 A JP2021023949 A JP 2021023949A JP 2021023949 A JP2021023949 A JP 2021023949A JP 2022126089 A JP2022126089 A JP 2022126089A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sheet
thermocompression
wafer
cutting blade
dividing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021023949A
Other languages
English (en)
Inventor
巻子 大前
Makiko Omae
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2021023949A priority Critical patent/JP2022126089A/ja
Priority to KR1020220015871A priority patent/KR20220118311A/ko
Priority to CN202210132496.2A priority patent/CN114975247A/zh
Priority to TW111105427A priority patent/TW202234500A/zh
Publication of JP2022126089A publication Critical patent/JP2022126089A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J123/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J167/00—Adhesives based on polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

Figure 2022126089000001
【課題】デバイスチップの表面に切削屑が付着せず、また粘着層の一部が残存することがないウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ１０の表面１０ａに熱圧着シートＴ１を配設する熱圧着シート配設工程と、熱圧着シートＴ１を加熱してウエーハ１０の表面１０ａに圧着する熱圧着工程と、ウエーハ１０の裏面１０ｂをダイシングテープＴ２で支持するダイシングテープ支持工程と、切削ブレード４５を回転可能に備えた切削手段４２によって、分割予定ライン１４に沿って熱圧着シートＴ１を切削して除去する熱圧着シート除去工程と、切削ブレード４８を回転可能に備えた切削手段４２によって分割予定ライン１４に沿ってウエーハ１０を個々のデバイスチップ１２’に分割する分割工程と、を含み構成される。
【選択図】図６

Description

本発明は、ウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画された表面に形成されたウエーハは、切削ブレードを回転可能に備えたダイシング装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
また、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）の半導体基板の表面にレンズを含む複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたウエーハを、ダイシング装置によって個々のデバイスチップに分割すると、該デバイスを構成するレンズの周りに切削屑が付着して、デバイスの品質を低下させるという問題がある。
そこで、ウエーハの表面に粘着テープを貼着して切削し、個々のデバイスチップに分割することが考えられる（例えば、特許文献１を参照）。しかし、ウエーハの表面に該粘着テープが貼着されていることにより、ウエーハの表面への切削屑の付着は抑制できるものの、デバイスチップから粘着テープを剥離した際に、粘着層の一部がデバイスに付着して残り、デバイスチップの品質を低下させるという問題が発生する。
特開２００７－１３４３９０号公報
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、切削ブレードを使用してウエーハを個々のデバイスチップに分割する場合であっても、デバイスチップの表面に切削屑が付着せず、また粘着層の一部が残存することがないウエーハの加工方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に熱圧着シートを配設する熱圧着シート配設工程と、熱圧着シートを加熱してウエーハの表面に圧着する熱圧着工程と、ウエーハの裏面をダイシングテープで支持するダイシングテープ支持工程と、切削ブレードを回転可能に備えた切削手段によって、分割予定ラインに沿って熱圧着シートを切削して除去する熱圧着シート除去工程と、切削ブレードを回転可能に備えた切削手段によって分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、を含み構成されるウエーハの加工方法が提供される。
該熱圧着シート除去工程において分割予定ラインに沿って熱圧着シートを切削して除去する場合に、切削ブレードがウエーハに至らない範囲で、該熱圧着シートを切削して除去することが好ましい。また、該熱圧着シート除去工程において使用する切削ブレードの厚みは、該分割工程において使用する切削ブレードの厚みよりも厚いことが好ましい。さらに、該熱圧着シート除去工程において使用する切削ブレードを構成する砥粒は、該分割工程において使用する切削ブレードを構成する砥粒よりも粗いことが好ましい。
該熱圧着シートは、ポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートであって、該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかであり、該ポリエステル系シートは、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシートのいずれかであることが好ましく、熱圧着シートを加熱してウエーハの表面に圧着する際の加熱温度は、該熱圧着シートとしてポリエチレンシートが選択された場合は１２０℃～１４０℃であり、ポリプロピレンシートが選択された場合は１６０℃～１８０℃であり、ポリスチレンシートが選択された場合は２２０℃～２４０℃であり、ポリエチレンテレフタレートシートが選択された場合は２５０℃～２７０℃であり、ポリエチレンナフタレートが選択された場合は１６０℃～１８０℃であることが好ましい。
本発明によれば、切削加工を実施してウエーハを個々のデバイスチップに分割したとしても、デバイスチップの表面に切削屑が付着するという問題が解消されると共に、従来の技術において発生していた、ウエーハの表面に粘着層の一部が付着して残存し、デバイスチップの品質が低下するという問題が解決される。また、熱圧着シートとウエーハとを同時に切削すると、切削ブレードが粘性のある熱圧着シートを巻き込みながらウエーハを切削することになり、デバイスチップの外周に欠けが生じたり、チッピングが発生したりするという問題が生じていたのに対し、切削加工を、熱圧着シート除去工程と、分割工程とに分けて実施することにより、上記した問題が回避され、デバイスチップの外周に欠けが生じたり、チッピングが発生したりするという問題が解消する。
本実施形態のウエーハ、及び熱圧着シート配設工程の実施態様を示す斜視図である。 （ａ）熱圧着工程の第１の形態、（ｂ）熱圧着工程の第２の形態、（ｃ）熱圧着工程の第３の形態を示す斜視図である。 熱圧着シートをウエーハの外縁に沿ってカットする態様を示す斜視図である。 ダイシングテープ支持工程の実施態様を示す斜視図である。 （ａ）熱圧着シート除去工程を実施する態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示す熱圧着シート除去工程が実施された状態の一部拡大断面図である。 （ａ）分割工程を実施する態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示す分割工程が実施された状態の一部拡大断面図、（ｃ）分割工程が施されたウエーハの斜視図及び一部拡大断面図である。
以下、本発明に基づいて構成されるウエーハの加工方法に係る実施形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
本実施形態のウエーハの加工方法を実施するに際し、まず、図１に示すように、被加工物であるウエーハ１０を用意する。ウエーハ１０は、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）の半導体基板の表面１０ａにレンズを含む複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画されて形成されたウエーハである。なお、本実施形態の分割予定ライン１４は、その幅が約５０μｍで形成されている。該ウエーハ１０を用意したならば、図１に示す熱圧着装置２０（一部のみを示している）に搬送して、熱圧着装置２０のチャックテーブル２３に裏面１０ｂ側を下方に向けて載置する。チャックテーブル２３は、図に示すように、吸着チャック２１と、吸着チャック２１を囲繞する枠体２２とを備えている。吸着チャック２１は、通気性を有する部材からなり、図示を省略する吸引源に接続され、吸着チャック２１の表面に吸引負圧が生成される。ウエーハ１０を載置したならば、ウエーハ１０の表面１０ａ側に、上方から熱圧着シートＴ１を載置する。以上により、熱圧着シート配設工程が完了する。
熱圧着シートＴ１は、加熱することにより粘着力を発揮するシートであり、例えば、ポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートから選択される。熱圧着シートＴ１をポリオレフィン系シートから選択する場合は、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかであることが好ましく、該ポリエステル系シートから選択する場合は、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシート、のいずれかであることが好ましい。本実施形態では、熱圧着シートＴ１として、ポリエチレンシートを選択したものとして、以下に説明する。
図１の下方に示すように、熱圧着シートＴ１は、ウエーハ１０全体を覆うと共に、チャックテーブル２３を構成する吸着チャック２１よりも大きい寸法の円形で形成されている。上記した熱圧着シート配設工程を実施して、熱圧着装置２０のチャックテーブル２３にウエーハ１０及び熱圧着シートＴ１を載置したならば、図示を省略する吸引源を作動して、ウエーハ１０と共に、熱圧着シートＴ１の下面側を負圧Ｖで吸引して内部を真空状態とし、熱圧着シートＴ１と吸着チャック２１との間の空気を除去して熱圧着シートとウエーハ１０の表面１０ａ側を密着させる。
次いで、熱圧着シートＴ１を加熱してウエーハ１０の表面１０ａに熱圧着する熱圧着工程を実施する。図２を参照しながら、熱圧着工程について、より具体的に説明する。図２（ａ）には、熱圧着工程の第１の形態が示されている。この第１の形態では、熱圧着装置２０に対し、図に示すような、熱圧着ローラ２４が配設されている。熱圧着ローラ２４の表面２４ａにはフッ素樹脂がコーティングされ、その内部には加熱手段（図示は省略する）を備えており、表面２４ａを所望の温度に加熱することができる。この熱圧着ローラ２４を、チャックテーブル２３に吸引保持されたウエーハ１０及び熱圧着シートＴ１の上方に位置付ける。
ウエーハ１０の上方に熱圧着ローラ２４を位置付けたならば、熱圧着ローラ２４の該加熱手段を作動し、熱圧着シートＴ１の上方からウエーハ１０に押し付ける。さらに、図示を省略する回転駆動手段を作動して熱圧着ローラ２４を矢印Ｒ１で示す方向に回転させると共に、矢印Ｒ２で示す方向のウエーハ１０の端部まで移動させる。該加熱手段によって加熱する際の加熱温度は、ポリエチレンからなる熱圧着シートＴ１が粘着力を発揮するポリエチレンの溶融温度（１２０℃～１４０℃）に設定される。この熱圧着時の加熱により、熱圧着シートＴ１が粘着力を発揮してウエーハ１０の表面１０ａの全域に熱圧着される。
図２（ｂ）には、熱圧着工程の第２の形態が示されている。この第２の形態では、上記した熱圧着ローラ２４に替えて、温風ヒータ２５が配設される。第２の形態においても、上記した第１の形態と同様に、熱圧着装置２０のチャックテーブル２３にウエーハ１０及び熱圧着シートＴ１を載置し、図示を省略する吸引源を作動して、ウエーハ１０と共に、熱圧着シートＴ１の下面側を負圧Ｖで吸引して内部を真空状態とし、熱圧着シートＴ１と吸着チャック２１との間の空気を除去して熱圧着シートとウエーハ１０の表面１０ａ側を密着させる。
次いで、ウエーハ１０の上方に温風ヒータ２５を位置付けて、温風ヒータ２５を作動し、ウエーハ１０を覆う熱圧着シートＴ１上に温風を吹き付ける。該温風も、熱圧着シートＴ１を１２０℃～１４０℃に加熱するように設定され、この温風加熱により、熱圧着シートＴ１が粘着力を発揮してウエーハ１０の表面１０ａの全域に熱圧着シートＴ１が熱圧着される。
さらに、図２（ｃ）には、熱圧着工程の第３の形態が示されている。この第３の形態では、上記した熱圧着ローラ２４、温風ヒータ２５に替えて、加熱ヒータ２６が配設される。この第３の形態においても、上記した第１、第２の形態と同様に、熱圧着装置２０のチャックテーブル２３にウエーハ１０及び熱圧着シートＴ１を載置し、図示を省略する吸引源を作動して、ウエーハ１０と共に、熱圧着シートＴ１の下面側を負圧Ｖで吸引して内部を真空状態とし、熱圧着シートＴ１と吸着チャック２１との間の空気を除去して熱圧着シートとウエーハ１０の表面１０ａ側を密着させる。
次いで、ウエーハ１０の上方に加熱ヒータ２６を位置付けて作動し、ウエーハ１０を覆う熱圧着シートＴ１を加熱する。該加熱ヒータ２６も、熱圧着シートＴ１を１２０℃～１４０℃に加熱するように設定され、この加熱ヒータ２６の作用により、熱圧着シートＴ１が粘着力を発揮してウエーハ１０の表面１０ａの全域に熱圧着シートＴ１が熱圧着される。
上記したように、熱圧着工程を実施したならば、図３に示すカッター３０をチャックテーブル２３上に位置付ける。カッター３０は、ケーシング３２に回転自在に支持された回転軸３３の先端にブレード３４が配設されており、図示を省略する駆動モータによって、ブレード３４を矢印Ｒ３で示す方向に回転させることができる。ブレード３４を矢印Ｒ３で示す方向に回転させながら、熱圧着シートＴ１の上方からウエーハ１０の外周縁に位置付けて切込み、チャックテーブル２３を矢印Ｒ４で示す方向に回転させる。これにより、図３の下方に示すように、熱圧着シートＴ１は、ウエーハ１０の表面１０ａに熱圧着された状態で、ウエーハ１０の外周縁に沿った円形状にカットされる。
次いで、ウエーハ１０の裏面１０ｂをダイシングテープＴ２で支持するダイシングテープ支持工程を実施する。図４を参照しながら、該ダイシングテープ支持工程について、より具体的に説明する。
ダイシングテープ支持工程を実施するに際し、図４に示すように、ウエーハ１０を収容可能な開口Ｆａを有する環状のフレームＦと、該開口Ｆａよりも大きくフレームＦの外形よりも小さい表面に粘着層を備えたダイシングテープＴ２を用意する。フレームＦの開口Ｆａの中央にウエーハ１０の裏面１０ｂを下方に向けて位置付けると共に、ダイシングテープＴ２の中央にウエーハ１０の裏面１０ｂを位置付けて、ダイシングテープＴ２の外周縁をフレームＦの下面側に貼着して一体とし、ウエーハ１０の裏面１０ｂをダイシングテープＴ２で支持した状態とする（図４の下段を参照）。
次いで、ダイシングテープ支持工程によってダイシングテープＴ２に支持されたウエーハ１０を、図５（ａ）に示す切削装置４０に搬送する。切削装置４０は、切削手段４２を備えており、切削手段４２は、スピンドルハウジング４３と、スピンドルハウジング４３に回転自在に支持された回転軸４４と、回転軸４４の先端部に固定される第１の切削ブレード４５と、第１の切削ブレード４５を覆いスピンドルハウジング４３の先端部に配設されたブレードカバー４６と、第１の切削ブレード４５による切削加工位置に切削水を噴射する切削水供給ノズル４７と、を備えている。スピンドルハウジング４３の後方には、図示を省略する電動モータが配設されており、該電動モータに駆動される回転軸４４により切削ブレード４５が矢印Ｒ５で示す方向に回転させられる。なお、上記した第１の切削ブレード４５は、例えば、その直径が５０ｍｍ、厚みが約３５μｍであり、ダイヤモンド等からなる砥粒を金属、樹脂等のボンド材で固定して形成したものであって、該砥粒は、比較的大きい４～６μｍの粒径で構成される。
上記した切削装置４０にウエーハ１０を搬送したならば、ウエーハ１０の表面１０ａを上方に、ダイシングテープＴ２を下方に向けて図示を省略する保持手段に保持して、ウエーハ１０の所定の分割予定ラン１４をＸ方向に整合させると共に、第１の切削ブレード４５との位置合わせを実施する。次いで、第１の切削ブレード４５を、例えば３００００ｒｐｍの速度で、矢印Ｒ５で示す方向に回転させると共に、切削水供給ノズル４７から例えば２Ｌ／分の量で切削水を供給して第１の切削ブレード４５を表面１０ａ側から切り込ませる。このとき、表面１０ａ側から切り込ませる量は、図５（ｂ）に示すように、ウエーハ１０の表面１０ａに配設された熱圧着シートＴ１を除去すると共に、ウエーハ１０を切削しない位置に至る量に設定されている。なお、図示の実施形態では、第１の切削ブレード４５の先端部とウエーハ１０の表面１０ａとの間に、熱圧着シートＴ１の残部１１０が僅かに残されている。
上記したように第１の切削ブレード４５を、表面１０ａ側から切り込ませたならば、ウエーハ１０をＸ方向に例えば３ｍｍ／秒の速度で加工送りして、いわゆるダウンカットとなる状態で熱圧着シートＴ１を切削して除去し、分割予定ライン１４に沿って熱圧着シート除去溝１００を形成する。さらに、該熱圧着シート除去溝１００を形成した分割予定ライン１４にＹ方向で隣接し、熱圧着シート除去溝１００が形成されていない分割予定ライン１４上に第１の切削ブレード４５を割り出し送りして、上記と同様にして熱圧着シート除去溝１００を形成する。これらを繰り返すことにより、Ｘ方向に沿うすべての分割予定ライン１４に沿って上記の熱圧着シート除去溝１００を形成する。次いで、該保持手段を９０度回転し、先に熱圧着シート除去溝１００を形成した方向と直交する方向をＸ方向に整合させ、上記した切削加工を新たにＸ方向に整合させたすべての分割予定ライン１４に対して実施し、ウエーハ１０の表面１０ａに形成されたすべての分割予定ライン１４に沿って熱圧着シート除去溝１００を形成する。このようにしてウエーハ１０の表面１０ａに形成されたすべての分割予定ラン１４に沿って熱圧着シートＴ１を除去した熱圧着シート除去溝１００を形成する。以上により、第１の切削ブレード４５によってウエーハ１０の分割予定ライン１４に沿って熱圧着シートＴ１を切削して除去する熱圧着シート除去工程が完了する。
上記したように、熱圧着シート除去工程を実施したならば、分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程を実施する。該分割工程について、図６を参照しながら、より具体的に説明する。
該分割工程は、図６（ａ）に示すように、上記した切削装置４０を使用する。ただし、本実施形態の分割工程を実施するに際しては、熱圧着シート除去工程を実施した際に切削装置４０に装着されていた第１の切削ブレード４５に替えて、第２の切削ブレード４８を装着する。第２の切削ブレード４８は、例えば、第１の切削ブレード４５の厚みＤ１に対して厚みの薄いブレードを使用したり、第１の切削ブレード４５に対して、細かい砥粒（例えば粒径が１～２μｍ）を使用してボンド材で固めたものを使用したりすることが好ましい。なお、本実施形態の第２の切削ブレード４８は、図６（ｂ）に示すように、第１の切削ブレード４５の厚みＤ１（約３５μｍ）よりも薄い厚みＤ２（約１５μｍ）のブレードを採用したものとして説明する。
該分割工程を実施するに際しては、熱圧着シート除去工程を施したウエーハ１０を、切削装置４０にそのまま保持させておき、図６（ａ）に示すように、第２の切削ブレード４８を装着した切削手段４２の直下に位置付ける。次いで、ウエーハ１０の表面１０ａにおいて、上記した熱圧着シート除去溝１００が形成された所定の分割予定ライン１４をＸ方向に整合させると共に、第２の切削ブレード４８との位置合わせを実施する。次いで、Ｘ方向に整合させた分割予定ライン１４の熱圧着シート除去溝１００の中央に、例えば３００００ｒｐｍの速度で、矢印Ｒ６で示す方向に回転駆動させられた第２の切削ブレード４８を位置付けて、切削水供給ノズル４７から例えば２Ｌ／分の量で切削水を供給すると共に表面１０ａ側から切り込ませる。このとき、表面１０ａ側から切り込ませる量は、図６（ｂ）に示すように、ウエーハ１０を分割予定ライン１４に沿って完全に分割する量に設定されている。
上記したように第２の切削ブレード４８を、表面１０ａ側から切り込ませたならば、ウエーハ１０をＸ方向に例えば３ｍｍ／秒の速度で加工送りして、いわゆるダウンカットとなる状態で切削して、第２の切削ブレード４８の厚みＤ２に対応した分割溝１０２を形成する。さらに、熱圧着シート除去溝１００及び該分割溝１０２を形成した分割予定ライン１４にＹ方向で隣接し、分割溝１０２が形成されていない分割予定ライン１４上に第２の切削ブレード４８を割り出し送りして、上記と同様にして熱圧着シート除去溝１００の中央に分割溝１０２を形成する。これらを繰り返すことにより、Ｘ方向に沿うすべての分割予定ライン１４に沿って上記の熱圧着シート除去溝１００及び分割溝１０２を形成する。次いで、該保持手段を９０度回転し、先に分割溝１０２を形成した方向と直交する方向をＸ方向に整合させ、上記した切削加工を新たにＸ方向に整合させたすべての分割予定ライン１４に対して実施し、ウエーハ１０の表面１０ａに形成されたすべての分割予定ライン１４に沿って熱圧着シート除去溝１００及び分割溝１０２を形成し、ウエーハ１０が、分割予定ライン１４に沿って分割されて個々のデバイスチップ１２’が形成される。以上により、第２の切削ブレード４８を備えた切削手段４２によって分割予定ライン１４に沿ってウエーハ１０を個々のデバイスチップ１２’に分割する分割工程が完了する。
なお、上記した分割工程が完了したならば、必要に応じて、個々のデバイスチップ１２’に分割されたウエーハ１０の表面１０ａ側に貼着された熱圧着シートＴ１を除去するようにしてもよい。該熱圧着シートＴ１を除去する場合は、ウエーハ１０の表面１０ａ側を加熱、又は冷却することにより、熱圧着シートＴ１の粘着力を低下させ、剥離用のテープ（図示は省略する）を熱圧着シートＴ１側に貼り付ける等して、個々のデバイスチップ１２’に分割されたウエーハ１０の表面１０ａから熱圧着シートＴ１を除去する。
上記した実施形態によれば、分割工程を実施してウエーハ１０を個々のデバイスチップ１２’に分割したとしても、デバイスチップ１２’の表面に切削屑が付着するという問題が解消されると共に、従来の技術において発生していた、ウエーハ１０の表面１０ａに粘着層の一部が付着して残存しデバイスチップ１２’の品質が低下するという問題が解決される。また、熱圧着シートＴ１とウエーハ１０とを一緒に切削すると、切削ブレードが粘性のある熱圧着シートＴ１を巻き込みながらウエーハ１０を切削することになり、デバイスチップ１２’の外周に欠けが生じたり、チッピングが発生したりするという問題が生じていたのに対し、切削加工を、熱圧着シート除去工程と、分割工程とに分けて実施することにより、上記した問題が回避され、デバイスチップ１２’の外周に欠けが生じたり、チッピングが発生したりするという問題が解消する。
また、上記した実施形態では、熱圧着シート除去工程において使用する第１の切削ブレード４５の厚みＤ１は、該分割工程において使用する第２の切削ブレード４８の厚みＤ２よりも厚く設定されていることから、第２の切削ブレード４８を使用して、先に形成された熱圧着シート除去溝１００に切り込む際に、熱圧着シートＴ１を巻き込むことなくウエーハ１０の分割予定ライン１４に沿って切削加工を実施することができ、デバイスチップ１２’の外周に欠けが生じたり、チッピングが発生したりするという問題がより効果的に解決される。また、上記した実施形態では、熱圧着シート除去工程で使用する第１の切削ブレード４５の砥粒の粒径を大きい粒径とし、第２の切削ブレード４８で使用する砥粒の砥粒の粒径を小さい粒径としたことから、熱圧着シート除去工程と分割工程と適切に実施することができる。
上記した実施形態では、熱圧着シートＴ１として、ポリエチレンシートを採用したものとして説明したが、本発明は、これに限定されず、ポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートのいずれかから採用することができ、熱圧着シートＴ１を加熱してウエーハ１０の表面１０ａに圧着する際の加熱温度は、熱圧着シートＴ１としてポリプロピレンシートが選択された場合は１６０℃～１８０℃に設定し、ポリスチレンシートが選択された場合は２２０℃～２４０℃に設定し、ポリエチレンテレフタレートシートが選択された場合は２５０℃～２７０℃に設定し、ポリエチレンナフタレートが選択された場合は１６０℃～１８０℃に設定することが好ましい。
本発明は、上記した実施形態に限定されない。例えば、上記した実施形態では、第１の切削ブレード４５の厚みＤ１を、第２の切削ブレード４８の厚みＤ２よりも厚くなるようにしたが、第１の切削ブレード４５と、第２の切削ブレード４８とを同一の切削ブレードとなるように、すなわち、熱圧着シート除去工程及び分割工程のいずれにおいても、同一の切削ブレードを使用するようにしてもよい。
また、上記した実施形態では、切削装置４０の切削手段４２に装着される切削ブレードを交換して、熱圧着シート除去工程と分割工程とを順次実施する旨説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、２つの切削手段を備えた切削装置を用意し、一方の切削手段に第１の切削ブレード４５を装着し、他方の切削手段に第２の切削ブレード４８を装着して、熱圧着シート除去工程を実施し、続けて分割工程を実施するようにしてもよい。
１０：ウエーハ
１０ａ：表面
１０ｂ：裏面
１２：デバイス
１４：分割予定ライン
２０：熱圧着装置
２１：吸着チャック
２２：枠体
２３：チャックテーブル
２４：熱圧着ローラ
２５：温風ヒータ
２６：加熱ヒータ
３０：カッター
３２：ケーシング
３３：回転軸
３４：ブレード
４０：切削装置
４２：切削手段
４３：スピンドルハウジング
４４：回転軸
４５：第１の切削ブレード
４６：ブレードカバー
４７：切削水供給ノズル
４８：第２の切削ブレード
１００：熱圧着シート除去溝
１０２：分割溝
１１０：残部
Ｆ：フレーム
Ｆａ：開口
Ｔ１：熱圧着シート
Ｔ２：ダイシングテープ

Claims (7)

  1. 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
    ウエーハの表面に熱圧着シートを配設する熱圧着シート配設工程と、
    熱圧着シートを加熱してウエーハの表面に圧着する熱圧着工程と、
    ウエーハの裏面をダイシングテープで支持するダイシングテープ支持工程と、
    切削ブレードを回転可能に備えた切削手段によって、分割予定ラインに沿って熱圧着シートを切削して除去する熱圧着シート除去工程と、
    切削ブレードを回転可能に備えた切削手段によって分割予定ラインに沿ってウエーハを個々のデバイスチップに分割する分割工程と、
    を含み構成されるウエーハの加工方法。
  2. 該熱圧着シート除去工程において分割予定ラインに沿って熱圧着シートを切削して除去する場合に、切削ブレードがウエーハに至らない範囲で、該熱圧着シートを切削して除去する請求項１に記載のウエーハの加工方法。
  3. 該熱圧着シート除去工程において使用する切削ブレードの厚みは、該分割工程において使用する切削ブレードの厚みよりも厚い請求項１又は２に記載されたウエーハの加工方法。
  4. 該熱圧着シート除去工程において使用する切削ブレードを構成する砥粒は、該分割工程において使用する切削ブレードを構成する砥粒よりも粗い請求項１から３のいずれかに記載のウエーハの加工方法。
  5. 該熱圧着シートは、ポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートである請求項１から４のいずれかに記載のウエーハの加工方法。
  6. 該ポリオレフィン系シートは、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかであり、該ポリエステル系シートは、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシートのいずれかである請求項５に記載のウエーハの加工方法。
  7. 熱圧着シートを加熱してウエーハの表面に圧着する際の加熱温度は、該熱圧着シートとしてポリエチレンシートが選択された場合は１２０℃～１４０℃であり、ポリプロピレンシートが選択された場合は１６０℃～１８０℃であり、ポリスチレンシートが選択された場合は２２０℃～２４０℃であり、ポリエチレンテレフタレートシートが選択された場合は２５０℃～２７０℃であり、ポリエチレンナフタレートが選択された場合は１６０℃～１８０℃である請求項６に記載のウエーハの加工方法。
JP2021023949A 2021-02-18 2021-02-18 ウエーハの加工方法 Pending JP2022126089A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021023949A JP2022126089A (ja) 2021-02-18 2021-02-18 ウエーハの加工方法
KR1020220015871A KR20220118311A (ko) 2021-02-18 2022-02-08 웨이퍼의 가공 방법
CN202210132496.2A CN114975247A (zh) 2021-02-18 2022-02-14 晶片的加工方法
TW111105427A TW202234500A (zh) 2021-02-18 2022-02-15 晶圓之加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021023949A JP2022126089A (ja) 2021-02-18 2021-02-18 ウエーハの加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022126089A true JP2022126089A (ja) 2022-08-30

Family

ID=82975521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021023949A Pending JP2022126089A (ja) 2021-02-18 2021-02-18 ウエーハの加工方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2022126089A (ja)
KR (1) KR20220118311A (ja)
CN (1) CN114975247A (ja)
TW (1) TW202234500A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007134390A (ja) 2005-11-08 2007-05-31 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220118311A (ko) 2022-08-25
TW202234500A (zh) 2022-09-01
CN114975247A (zh) 2022-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110783249B (zh) 晶片的加工方法
TWI810309B (zh) 晶圓的加工方法
KR20210054986A (ko) 웨이퍼의 처리 방법
JP2019186488A (ja) ウエーハの加工方法
JP2022126089A (ja) ウエーハの加工方法
JP7143023B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP7214364B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2019186489A (ja) ウエーハの加工方法
JP2005175148A (ja) ダイシング方法
JP7258421B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP7374657B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6104070B2 (ja) 切削方法
CN111063631A (zh) 晶片的加工方法
KR20200042849A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2023080511A (ja) ウエーハの処理方法
JP7461118B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2019201018A (ja) ウェーハの加工方法
US20220037160A1 (en) Processing method of wafer, protective sheet, and protective sheet laying method
JP7404109B2 (ja) 一体化方法
US20220051897A1 (en) Wafer processing method
CN110867396B (zh) 晶片的保护方法
TW202348346A (zh) 被加工物之磨削方法、器件晶片之製造方法
JP2023170986A (ja) ウエーハの生成方法およびウエーハ生成装置
TW202318517A (zh) 加工方法
CN110858537A (zh) 晶片的保护方法、保护部件和保护部件的生成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20231227

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20240105