JP2022119416A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板の品質向上。
【解決手段】実施形態の配線基板１００は、第１導体層１１と、第１導体層１１の上に形成されている第２絶縁層２２と、第２絶縁層２２の上に形成されている第２導体層と第１導体層１１とを接続する接続導体４と、第１導体層１１と第２絶縁層２２との密着性を向上させる被覆膜５と、を備えている。第１導体層１１は、接続導体４と接する導体パッド１ａと、被覆膜５に覆われている配線パターン１ｂと、を含み、導体パッド１ａにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１の面粗度よりも高い第１面粗度を有し、導体パッド１ａにおける第２導体層２２側の表面１ａ１は被覆膜５に覆われている領域１ａ１２と被覆膜５から露出する第１領域１ａ１１とを有し、接続導体４は、第１領域１ａ１１の上に形成されていて被覆膜４から離間している。
【選択図】図３

Description

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

特許文献１には、プリント配線板に関し、低粗化又は無粗化の金属配線層の表面に化成皮膜が形成され、この化成皮膜を介して金属配線層上に絶縁樹脂層が形成されることが、開示されている。

特開２０１８－１７２７５９号公報

特許文献１に開示の方法では、金属配線層の表面上に形成された化成皮膜が、後工程における各種の処理によって溶解することがある。そのため、特許文献１の方法で製造されたプリント配線板に化成皮膜の溶解液による意図せぬ不具合がもたらされ、プリント配線板の品質劣化を招くことがある。

本発明の配線基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に形成されている第１導体層と、前記第１絶縁層及び前記第１導体層の上に形成されている第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に形成されている第２導体層と、前記第２絶縁層を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する接続導体と、前記第１導体層の表面に形成されていて前記第１導体層と前記第２絶縁層との密着性を向上させる被覆膜と、を備えている。そして、前記第１導体層は、前記接続導体と接する導体パッドと、前記被覆膜に覆われている配線パターンと、を含み、前記導体パッドにおける前記第２絶縁層と向かい合う表面は、前記配線パターンの表面の面粗度よりも高い第１面粗度を有し、前記導体パッドにおける前記第２導体層側の表面は前記被覆膜に覆われている領域と前記被覆膜から露出する第１領域とを有し、前記接続導体は、前記第１領域の上に形成されていて前記被覆膜から離間している。

本発明の配線基板の製造方法は、導体パッド及び配線パターンを有する第１導体層を第１絶縁層上に形成することと、前記導体パッドの露出面を粗化することと、前記第１絶縁層及び前記第１導体層を覆う被覆膜を設けることと、前記被覆膜の一部を除去することによって前記導体パッドの表面に前記被覆膜に覆われない第１領域を設けることと、前記被覆膜及び前記導体パッドを覆う第２絶縁層を形成することと、前記第２絶縁層の上に第２導体層を形成することと、前記第２絶縁層を貫通して前記導体パッドと前記第２導体層とを接続する接続導体を、前記第１領域の上に前記被覆膜と離間するように形成することと、を含んでいる。

本発明の実施形態によれば、配線パターンに所望される特性及び配線パターンと絶縁層との密着性を確保し、しかも、導体層同士を接続する接続導体と接する導体パッドと絶縁層との剥離などによる配線基板の品質劣化を抑制し得ることがある。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態における第１導体層の導体パターンの一例を示す平面図。 図１のIII部の拡大図。 図３のIV部の拡大図。 本発明の一実施形態の配線基板の他の例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板のさらに他の例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は一実施形態の配線基板の一例である配線基板１００を示す断面図であり、図２は、配線基板１００の第１導体層１１の一部の導体パターンの一例を示す平面図である。図１には図２のＩ－Ｉ線に重なる切断線での断面図が示されている。なお、配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造、並びに、導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１００の積層構造、並びに配線基板１００に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。

図１に示されるように、配線基板１００は、コア基板３と、コア基板３におけるその厚さ方向において対向する２つの主面（第１面３ａ及び第２面３ｂ）それぞれの上に交互に積層されている絶縁層及び導体層を含んでいる。コア基板３は、絶縁層３２と、絶縁層３２の両面それぞれの上に形成されている導体層３１とを含んでいる。

なお、実施形態の説明では、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層３２から遠い側は「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層３２に近い側は「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層及び各絶縁層において、絶縁層３２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層３２側を向く表面は「下面」とも称される。

配線基板１００は、コア基板３の第１面３ａの上に、第１絶縁層２１、第１導体層１１、第２絶縁層２２、及び第２導体層１２を備えている。第１導体層１１は第１絶縁層２１の上に形成されており、第２絶縁層２２は第１絶縁層２１及び第１導体層１１の上に形成されている。そして、第２導体層１２は第２絶縁層２２の上に形成されている。第１絶縁層２１はコア基板３の第１面３ａを覆っており、第２絶縁層２２は、第１導体層１１、及び、第１導体層１１に覆われずに露出する第１絶縁層２１を覆っている。配線基板１００は、さらに、コア基板３の第２面３ｂの上に交互に積層されている２つの絶縁層２３及び２つの導体層１３を備えている。

配線基板１００は、さらに、各絶縁層を貫通し、各絶縁層を介して隣接する導体層同士を接続する接続導体４を備えている。接続導体４は、第１絶縁層２１、第２絶縁層２２、及び２つの絶縁層２３それぞれに含まれている。コア基板３の絶縁層３２は接続導体３３を含んでいる。接続導体３３は、コア基板３の両面それぞれの導体層３１同士を接続する、所謂スルーホール導体である。

接続導体４は、順次ビルドアップされる各絶縁層内に形成される所謂ビア導体である。第１絶縁層２１に含まれる接続導体４は、導体層３１と第１導体層１１とを接続している。第２絶縁層２２に含まれる接続導体４は、第１導体層１１と第２導体層１２とを接続している。２つの絶縁層２３それぞれに含まれる接続導体４は、導体層３１と導体層１３とを接続するか、導体層１３同士を接続している。

第１及び第２の絶縁層２１、２２、絶縁層２３、及び絶縁層３２は、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。図１の例では、絶縁層３２は、ガラス繊維やアラミド繊維などで形成される芯材（補強材）３２ａを含んでいる。図１には示されていないが、絶縁層３２以外の各絶縁層も、ガラス繊維などからなる芯材を含み得る。各絶縁層は、さらに、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、又はムライトなどの微粒子からなる無機フィラー（図示せず）を含み得る。

第１及び第２の導体層１１、１２、導体層１３、及び導体層３１、並びに、接続導体４及び接続導体３３は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成される。図１の例において、導体層３１は、金属箔３１ａ、金属膜３１ｂ、及びめっき膜３１ｃを含んでいる。接続導体３３は、導体層３１と一体的に形成されていて、金属膜３１ｂ及びめっき膜３１ｃによって構成されている。

一方、第１及び第２の導体層１１、１２、及び導体層１３、並びに接続導体４は、それぞれ、金属膜１０ｂ及びめっき膜１０ｃによって構成されている。各接続導体４は、第１導体層１１、第２導体層１２、又は導体層１３と一体的に形成されている。めっき膜３１ｃ、１０ｃは、例えば電解めっき膜である。金属膜３１ｂ及び金属膜１０ｂは、例えば無電解めっき膜又はスパッタリング膜であり、それぞれ、めっき膜３１ｃ及びめっき膜１０ｃが電解めっきで形成される際の給電層として機能する。

第２絶縁層２２及び第２導体層１２の上には、ソルダーレジスト６が形成されている。コア基板３の第２面３ｂ側の表層の絶縁層２３及び導体層１３の上にもソルダーレジスト６が形成されている。ソルダーレジスト６には、第２導体層１２又は導体層１３の一部を露出させる開口６ａが設けられている。ソルダーレジスト６は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などで形成される。

第１導体層１１、第２導体層１２、２つの導体層１３、及び２つの導体層３１は、それぞれ、所定の導体パターンを含んでいる。第１導体層１１は、導体パッド１ａと、配線パターン１ｂと、を含んでいる。

導体パッド１ａは、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４と接している。すなわち、導体パッド１ａは、その上に接続導体４が形成される導体パッドであり、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４に対する、所謂受けパッドである。そのため、導体パッド１ａの第２絶縁層２２側の表面の一部は、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４に覆われている。換言すると、導体パッド１ａの第２絶縁層２２側の表面の一部は、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４の底面に対向している。図１の例では、第１絶縁層２１を貫通する接続導体４と第２絶縁層２２を貫通する接続導体４とが積み重なるように形成されており、所謂スタックビア導体が形成されている。導体パッド１ａは、第１絶縁層２１を貫通する接続導体４（ビア導体）の所謂ビアパッドとして設けられている。

配線パターン１ｂは、任意の電気信号の伝送や電力の供給に用いられる導電路として機能する導体パターンである。配線パターン１ｂは、第１絶縁層２１を向く表面以外の表面を第２絶縁層２２に覆われている。配線パターン１ｂは、例えば電気信号の所定の送信元と送信先とを単独で又は他の導体パターンと連携して接続していてもよく、電力の所定の給電元と給電先とを接続していてもよい。配線パターン１ｂは、例えば数ＧＨｚを超えるような高周波信号の伝送路であってもよい。

図２に示されるように、図１の例の２つの配線パターン１ｂは、第１導体層１１内の２つの導体パッド１ｄ同士を接続している。なお、図２の例の導体パッド１ａ、１ｄにおいて二点鎖線で囲まれている領域１ａａ、１ｄａは、導体パッド１ａ、１ｄそれぞれの表面のうちで第２絶縁層２２を貫通する接続導体４に覆われている領域を示している。

図１及び図２の例では、第１導体層１１は、さらに、導体パターン１ｃを含んでいる。導体パターン１ｃは、導体パッド１ａ及び配線パターン１ｂが形成されていない領域に広がる平板状の形体を有する導体パターンである。導体パターン１ｃは、第１導体層１１において導体パターン１ｃ以外の配線や接続パッドなどの導体が形成されない領域を略埋め尽くすように設けられる所謂ベタパターンであってもよい。導体パターン１ｃは、例えば、グランド電位又は特定の電源の電位が印加されるグランドプレーン又は電源プレーンとして用いられる。

図１では省略されているが、図２に示されるように、配線基板１００は、さらに、第１導体層１１及び第１絶縁層２１を覆う被覆膜５を備えている。図２において被覆膜５には、解り易さのために、ドットパターンによるハッチングが付されている。また第１導体層１１の導体パッド１ａ、配線パターン１ｂ、及び導体パターン１ｃは被覆膜５に覆われているが、図２では、これらは解りやすいように実線で示されている。図２の例の被覆膜５は、導体パッド１ａの一部又は導体パッド１ｄの一部を露出させる開口５ａを有している。

図３には、図１のIII部の拡大図が示されており、図４には図３のIV部のさらなる拡大図が示されている。図３及び図４を参照して、被覆膜５が詳述される。図３及び図４に示されるように、被覆膜５は、第１導体層１１及び第１絶縁層２１それぞれの表面に形成されており、第１導体層１１又は第１絶縁層２１と、第２絶縁層２２との間に介在している。第１導体層１１及び第１絶縁層２１それぞれにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面が被覆膜５に覆われている。なお「第１導体層１１及び第１絶縁層２１それぞれにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面」は、第１導体層１１及び第１絶縁層２１それぞれの表面のうちの第２絶縁層２２と向かい合っている領域を意味している。同様に、導体パッド１ａ、配線パターン１ｂ、及び導体パターン１ｃそれぞれに関して後述する「第２絶縁層２２と向かい合う表面」は、導体パッド１ａ、配線パターン１ｂ、及び導体パターン１ｃの表面それぞれのうちの第２絶縁層２２と向かい合っている領域を意味している。

図３の例では、被覆膜５は、第１導体層１１における第２絶縁層２２と向かい合う表面のうちの接続導体４の周辺部を除く略全面を覆っている。さらに被覆膜５は、第１絶縁層２１における第２絶縁層２２と向かい合う表面を覆っている。図３の例では、被覆膜５は、第１絶縁層２１における第２絶縁層２２と向かい合う表面の略全てを覆っている。なお、「第１絶縁層２１における第２絶縁層２２と向かい合う表面」には、第１絶縁層２１の表面のうちで第１導体層１１に覆われている部分は含まれない。

被覆膜５は、第１導体層１１と第２絶縁層２２との密着性を向上させる。被覆膜５は、例えば、第２絶縁層２２を構成する樹脂などの有機材料、及び第１導体層１１を構成する金属などの無機材料の両方と結合し得る材料によって形成される。被覆膜５は、例えば、有機材料と化学結合し得る反応基及び無機材料と化学結合し得る反応基の両方を含む材料によって形成される。そのため、被覆膜５に覆われている第１導体層１１の各導体パターンと第２絶縁層２２とが十分な強度で密着する。被覆膜５の材料としては、トリアゾール化合物などのアゾールシラン化合物を含むシランカップリング剤が例示される。なお、被覆膜５の材料は、第１導体層１１の上に第２絶縁層２２が直接形成される場合と比べて、第１導体層１１と第２絶縁層２２との密着強度を高め得るものであればよく、シランカップリング剤に限定されない。

図３に示されるように、本実施形態では、第１導体層１１の配線パターン１ｂにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面１ｂ１は、被覆膜５に覆われている。すなわち、被覆膜５がない場合と比べて配線パターン１ｂと第２絶縁層２２との密着性が高められている。従って、配線パターン１ｂからの第２絶縁層２２の浮きや剥離が生じ難いと考えられる。

図３の例では、平板状の導体パターン１ｃにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面１ｃ１も、被覆膜５に覆われている。すなわち、被覆膜５がない場合と比べて導体パターン１ｃと第２絶縁層２２との密着性が高められている。従って、導体パターン１ｃからの第２絶縁層２２の浮きや剥離が生じ難いと考えられる。

さらに、導体パッド１ａにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面も、一部を除いて被覆膜５に覆われている。そのため導体パッド１ａにおいても、被覆膜５がない場合と比べて導体パッド１ａと第２絶縁層２２との密着性が高められている。従って、導体パッド１ａからの第２絶縁層２２の浮きや剥離が生じ難いと考えられる。なお、導体パッド１ａにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面には、接続導体４に覆われている領域１ａａは含まれない。

導体パッド１ａにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面は、導体パッド１ａの側面１ａ２と、導体パッド１ａにおける第２導体層側（第１絶縁層２１と反対側）の表面１ａ１のうちの接続導体４に覆われていない部分とによって構成される（導体パッド１ａにおける第２導体層側の表面１ａ１は、以下では「導体パッド１ａの上面１ａ１」とも称される）。被覆膜５は、導体パッド１ａの側面１ａ２の全体を覆うと共に、上面１ａ１を部分的に覆っている。具体的には、被覆膜５は、導体パッド１ａの上面１ａ１のうちの第１領域１ａ１１を露出させながら、上面１ａ１における第１領域１ａ１１以外の領域である第２領域１ａ１２を覆っている。すなわち導体パッド１ａにおける第２導体層側の表面１ａ１は、被覆膜５に覆われている第２領域１ａ１２と、被覆膜５から露出する第１領域１ａ１１とを有している。導体パッド１ａの上面１ａ１における被覆膜５の開口５ａ内の領域が第１領域１ａ１１である。

第１領域１ａ１１は、導体パッド１ａの上面１ａ１のうちの接続導体４と接していて接続導体４に覆われている領域（接続領域）１ａａと、接続領域１ａａの周囲の領域であって接続導体４にも被覆膜５にも覆われていない領域（非被覆領域）１ａｂとを含んでいる。従って被覆膜５の開口５ａの面積は、導体パッド１ａと接続導体４との界面の面積よりも大きい。接続導体４は、導体パッド１ａの上面１ａ１の第１領域１ａ１１の上に、具体的には第１領域１ａ１１のうちの接続領域１ａａの上に形成されていて被覆膜５から離間している。一方、非被覆領域１ａｂは第２絶縁層２２に直接接している。換言すると、被覆膜５と接続導体４との間には第２絶縁層２２の一部が介在している。

先に参照された図１では省略されているが、図３に示されるように、第１導体層１１の各導体パターン（導体パッド１ａ、配線パターン１ｂ、及び導体パターン１ｃなど）は、第１絶縁層２１と接していない表面に、互いに程度の異なる凹凸を有している。換言すると、第１導体層１１は、その表面に、互いに面粗度の異なる複数の領域を有している。図３の例において表面１ｂ１、表面１ｃ１、並びに導体パッド１ａの側面１ａ２及び第２領域１ａ１２上の凹凸の凹部は、被覆膜５で充填されている。一方、導体パッド１ａの非被覆領域１ａｂ上の凹凸の凹部は、第２絶縁層２２で充填されている。

図３に示される第１導体層１１では、導体パッド１ａの側面１ａ２、並びに上面１ａ１のうちの第２領域１ａ１２及び非被覆領域１ａｂの凹凸の高低差は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１上の凹凸の高低差よりも大きい。すなわち、導体パッド１ａにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面は、配線パターン１ｂにおける被覆膜５に覆われている表面の面粗度（第２面粗度）よりも高い面粗度（第１面粗度）を有している。導体パッド１ａにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面は、第２面粗度よりも高い第１面粗度を有するように粗化されている。後述されるように、導体パッド１ａの表面は、例えばマイクロエッチングなどによって粗化されている。

一方、配線パターン１ｂの表面１ｂ１は、表面１ｂ１の粗化のために積極的に設けられた工程で粗化されていなくてもよい。表面１ｂ１の凹凸は、めっき膜１０ｃの粒界やめっき膜１０ｃの形成時のめっきレジストの表面の凹凸によって生じていてもよい。

本実施形態の配線基板１００では、導体パッド１ａにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面が比較的高い面粗度（第１面粗度）を有するように粗化されている。そのため、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との剥離が抑制されることがある。具体的には、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面への意図せぬ液体の浸入が、比較的高い第１面粗度を有する導体パッド１ａの表面の凹凸によって防がれる。その結果、そのような液体の浸入によって引き起こされ得る導体パッド１ａと第２絶縁層２２との剥離が抑制されることがある。

詳述すると、配線基板１００の製造工程では、接続導体４の形成のために第２絶縁層２２に設けられた貫通孔４ａの内壁が、各種の処理溶液やめっき液になどに晒されることがある。そしてそれらの液体が、貫通孔４ａの内壁から導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面に侵入し、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との剥離を引き起こすことがある。しかし本実施形態では、そのような剥離を引き起こし得る意図せぬ液体の浸入が、比較的高い第１面粗度を有する導体パッド１ａの表面の凹凸によって防がれる。

一方、配線パターン１ｂの表面１ｂ１は、導体パッド１ａの表面が有する第１面粗度よりも低い面粗度（第２面粗度）を有している。例えば高度に粗化された表面を有する配線パターンでは、高周波信号の伝送において、表皮効果の影響を受けて実質的なインピーダンスが増加して伝送特性が低下することがある。また、例えば１０μｍ／１０μｍ（配線幅／配線間隔）程度以下のファインな配線パターンでは、その表面が高度に粗化されると、設計上の配線幅や厚さに対して粗化後に所望の形状が得られないことがある。しかし本実施形態では、配線パターン１ｂの表面１ｂ１は、比較的低い面粗度、少なくとも第１面粗度よりも低い第２面粗度を有しているので、高い面粗度に起因する高周波伝送特性の低下などの問題が生じ難いと考えられる。

そして配線パターン１ｂの表面１ｂ１は、配線パターン１ｂと第２絶縁層２２との密着性を向上させる被覆膜５に覆われている。一般に、比較的低い面粗度の表面を有する導体層とその表面上に形成される絶縁層との間には、所謂アンカー効果の作用が十分に得られず、その結果、導体層と絶縁層との剥離が生じることがある。しかし本実施形態の配線パターン１ｂの表面１ｂ１は被覆膜５に覆われているので、配線パターン１ｂと第２絶縁層２２との間の剥離が生じ難いと考えらえられる。

さらに本実施形態では、導体パッド１ａの表面上に形成された被覆膜５の溶解による品質の劣化が生じ難いと考えられる。前述したように、配線基板１００の製造工程では、第２絶縁層２２に設けられた貫通孔４ａの内壁は各種の液体に晒され得る。その液体が導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面に浸入すると、浸入した液体が導体パッド１ａの表面上に形成されている被覆膜５を溶解させることがある。その場合、被覆膜５が貫通孔４ａ内に溶出して接続導体４と導体パッド１ａとの接続不良を引き起こしたり、被覆膜５の溶解箇所において導体パッド１ａと第２絶縁層２２との剥離が発生したりすることがある。

しかし本実施形態では、接続導体４と被覆膜５とが離間している。すなわち、接続導体４が内部に形成される貫通孔４ａと被覆膜５とが離間している。そのため、配線基板１００の製造工程において、例え貫通孔４ａの内壁から各種の液体が導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面に浸入しても、その液体は被覆膜５に達し難い。従って、被覆膜５が溶解し難い。すなわち、導体パッド１ａと第２絶縁層２２とが剥離し難い。また、被覆膜５が万一溶解したとしても、その溶解液が貫通孔４ａ内に溶出し難い。従って、接続導体４と導体パッド１ａとの接続不良が生じ難い。このように本実施形態では、被覆膜５の溶解が生じ難く、その溶解によって引き起こされる界面剥離や接続不良などの問題が防がれると考えられる。

被覆膜５の溶解防止の観点から、平面視での接続導体４と被覆膜５との間隔Ｇとしては、５μｍ以上、２０μｍ以下が例示される。この程度の間隔が確保されていれば、被覆膜５まで達するような製造工程中の各種液体の浸入が防止され、しかも、この程度の間隔は、配線基板１００の小型化を顕著に阻害しないと考えられる。なお「平面視」は、配線基板１００をその厚さ方向に沿う視線に沿って視ることを意味している。

上記のように配線基板１００では、配線パターン１ｂにおいて良好な伝送特性及び第２絶縁層２２との十分な密着性が得られ、しかも、接続導体４と接する導体パッド１ａと第２絶縁層２２との剥離などによる品質劣化が抑制される。このように本実施形態によれば、配線パターンに所望される特性及び配線パターンと絶縁層との密着性を確保し、しかも、導体層同士を接続する接続導体と接する導体パッドと絶縁層との剥離などによる配線基板の品質劣化を抑制し得ると考えられる。

配線パターン１ｂにおける良好な高周波伝送特性、及び、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面への液体の浸入の確実な防止の両立のためには、導体パッド１ａの表面が有する第１面粗度と、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する第２面粗度との差は大きい方が好ましいと考えられる。例えば、導体パッド１ａの上面１ａ１及び側面１ａ２が有する第１面粗度は、配線パターン１ｂの第２面粗度よりも１００％以上高い。その場合、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面への液体の浸入を略確実に防ぎながら、配線パターン１ｂにおいて、数ＧＨｚオーダーの高周波信号に対する良好な伝送特性が得られると考えられる。

第１面粗度は、第２面粗度の２００％以上、１２００％以下であってもよい。その場合、導体パッド１ａの上面１ａ１や側面１ａ２の粗化工程が過剰な時間を必要とせず、また、粗化工程中の第１絶縁層２１などへのダメージも少ないと考えられる。導体パッド１ａの上面１ａ１などが有する第１面粗度は、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．３μｍ以上、０．６μｍ以下である。また、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する第２面粗度は、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ以上、０．１５μｍ以下である。すなわち、導体パッド１ａの上面１ａ１や側面１ａ２の算術平均粗さ（Ｒａ）は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１の算術平均粗さ（Ｒａ）の２倍以上である。

図３の例では、導体パッド１ａを覆う被覆膜５における第２絶縁層２２と向かい合う表面は、導体パッド１ａの表面の凹凸に基づく起伏を有している。被覆膜５の表面が平坦な場合と比べて、被覆膜５と第２絶縁層２２との接触面積が増大していると考えられる。被覆膜５による密着性向上作用に加えて、接触面積の増大による密着性向上作用が得られることがある。

一方、導体パッド１ａの上面１ａ１と接続導体４との間には被覆膜５は介在していない。すなわち、例えばシランカップリング剤のような有機材料を介さずに、導体パッド１ａを構成する銅などの金属と接続導体４を構成する銅などの金属とが、導体パッド１ａと接続導体４との界面において直接接している。従って、導体パッド１ａと接続導体４との界面において金属同士による機械的に強固で電気的抵抗の小さい接合が得られていると考えられる。

図３の例では、平板状の導体パターン１ｃにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面１ｃ１は、導体パッド１ａの上面１ａ１や側面１ａ２が有する第１面粗度よりも低い面粗度を有している。表面１ｃ１は、表面１ｃ１の粗化のために積極的に設けられた工程で粗化されていなくてもよい。図３の例の導体パターン１ｃの表面１ｃ１は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１の面粗度（第２面粗度）と略同じ面粗度を有している。導体パターン１ｃの表面１ｃ１は第２面粗度を有していてもよい。導体パターン１ｃにおいても、良好な高周波伝送特性が得られると考えられる。その反面、導体パターン１ｃの表面１ｃ１において得られるアンカー効果は小さいと推察されるが、導体パターン１ｃの表面１ｃ１は、前述したように被覆膜５に覆われている。被覆膜５によって密着性を高められている導体パターン１ｃと第２絶縁層２２との間の界面剥離は生じ難いと考えられる。

配線基板１００では、図４に示されるように、導体パッド１ａの上面１ａ１のうちの接続導体４に覆われている領域１ａａは、上面１ａ１の第２領域１ａ１２や非被覆領域１ａｂ及び側面１ａ２が有する第１面粗度よりも低い面粗度（第３面粗度）を有している。第３面粗度は、図３に示される配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する第２面粗度よりも高い。接続導体４に覆われている領域（接続領域）１ａａは、第２絶縁層２２のような樹脂と接しておらず、また、表皮効果によって電流の集中が生じる「伝送路の表面」でもない。そのため、領域１ａａには大きな凹凸及び平坦性のいずれも特に求められない。従って、図３及び図４に示されるように、導体パッド１ａの上面１ａ１のうちの接続領域１ａａは、第１面粗度と第２面粗度との間の任意の面粗度（第３面粗度）を有し得る。

図５Ａ及び図５Ｂには、本実施形態の配線基板の他の例が示されている。図５Ａ及び図５Ｂは、本実施形態の配線基板の他の例における図１のIII部に相当する部分の拡大図である。図５Ａ及び図５Ｂにおいて図１に示される例と同様の構成要素には、図１のIII部の拡大図である図３おいて付された符号と同じ符号が付されるか適宜省略され、その再度の説明は省略される。

図５Ａの例では、平板状の導体パターン１ｃにおける第２絶縁層２２と向かい合う表面１ｃ１は、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する面粗度（第２面粗度）よりも高い面粗度を有するように粗化されている。図５Ａの例において表面１ｃ１は、導体パッド１ａの上面１ａ１のうちの第２領域１ａ１２や非被覆領域１ａｂ及び側面１ａ２の面粗度（第１面粗度）と略同じ面粗度を有している。このように導体パターン１ｃの表面１ｃ１も第１面粗度を有するように粗化されていてもよい。例えば導体パターン１ｃにおいて高周波信号が伝送されない場合には、表面１ｃ１の高い面粗度が特に問題とならないと考えられる。

図５Ａの例においても、導体パターン１ｃの表面１ｃ１は、図３の例と同様に、被覆膜５に覆われている。そして表面１ｃ１を覆う被覆膜５の表面は、表面１ｃ１の凹凸に基づく起伏を有している。被覆膜５による密着性向上作用に加えて、被覆膜５と第２絶縁層２２との接触面積の増大による密着性向上作用が得られることがある。

図５Ｂの例では、導体パターン１ｃの表面１ｃ１は被覆膜に覆われていない。すなわち、導体パターン１ｃの表面１ｃ１と第２絶縁層２２とが被覆膜５を介さずに直接接している。しかし、導体パターン１ｃの表面１ｃ１は、図５Ａの例と同様に、配線パターン１ｂの表面１ｂ１が有する面粗度（第２面粗度）よりも高い面粗度を有している。導体パターン１ｃの表面１ｃ１は、導体パッド１ａの第２領域１ａ１２や非被覆領域１ａｂが有する第１面粗度を有していてもよい。導体パターン１ｃと第２絶縁層２２との間において十分なアンカー効果が得られるため、界面剥離が生じ難いと考えられる。

つぎに、一実施形態の配線基板の製造方法が、図１の配線基板１００を例に用いて図６Ａ～図６Ｉを参照して説明される。

図６Ａに示されるように、コア基板３の絶縁層３２となる絶縁層と、この絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔３１ａを含む出発基板（例えば両面銅張積層板）が用意され、コア基板３の導体層３１及び接続導体３３が形成される。例えばドリル加工又は炭酸ガスレーザー光の照射によって接続導体３３の形成位置に貫通孔が形成され、その貫通孔内及び金属箔３１ａ上に無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜３１ｂが形成される。そして金属膜３１ｂを給電層として用いる電解めっきによってめっき膜３１ｃが形成される。その結果、３層構造の導体層３１、及び２層構造の接続導体３３が形成される。その後、サブトラクティブ法によって導体層３１をパターニングすることによって所定の導体パターンを備えるコア基板３が得られる。

そして、第１絶縁層２１及び絶縁層２３が、コア基板３の第１面３ａ上及び第２面３ｂ上にそれぞれ形成される。第１絶縁層２１及び絶縁層２３それぞれの形成では、例えばフィルム状のエポキシ樹脂が、コア基板３の上に積層され、加熱及び加圧される。その結果、第１絶縁層２１及び絶縁層２３が、それぞれ形成される。第１絶縁層２１及び絶縁層２３は、フィルム状のエポキシ樹脂に限らず、ＢＴ樹脂、又はフェノール樹脂などの任意の樹脂によって形成され得る。第１絶縁層２１及び絶縁層２３には、接続導体４を形成するための貫通孔４ａが、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。

本実施形態の配線基板の製造方法は、図６Ａに示されるように、導体パッド１ａ及び配線パターン１ｂを有する第１導体層１１を第１絶縁層２１上に形成することを含んでいる。図６Ａの例では、導体パッド１ａ及び配線パターン１ｂに加えて導体パターン１ｃを含む第１導体層１１が形成される。コア基板３の第２面３ｂ側には導体層１３が形成される。第１絶縁層２１及び絶縁層２３それぞれには接続導体４が形成される。

第１導体層１１、導体層１３、及び接続導体４は、例えばセミアディティブ法を用いて形成される。すなわち、貫通孔４ａ内、並びに、第１絶縁層２１及び絶縁層２３の表面上に、例えば無電解めっき又はスパッタリングによって金属膜１０ｂが形成される。金属膜１０ｂの上に、導体パッド１ａ、配線パターン１ｂ、及び導体パターン１ｃに対応する開口、又は、導体層１３に含まれるべき導体パターンに対応する開口を有するめっきレジスト（図示せず）が設けられる。そして、金属膜１０ｂを給電層として用いる電解めっきによって、めっきレジストの開口内にめっき膜１０ｃが形成される。その結果、金属膜１０ｂ及びめっき膜１０ｃからなる第１導体層１１及び導体層１３それぞれが形成される。貫通孔４ａ内には、金属膜１０ｂ及びめっき膜１０ｃからなる接続導体４が形成される。その後、めっきレジストが、例えば水酸化ナトリウムなどのアルカリ性剥離剤を用いて除去され、さらに、金属膜１０ｂにおいてめっき膜１０ｃに覆われずに露出している部分がエッチングなどによって除去される。

本実施形態の配線基板の製造方法は、図６Ｂ及び図６Ｃに示されるように、導体パッド１ａの表面のうちの第１絶縁層２１と接していない領域である露出面を粗化することを含んでいる。図６Ｃは、図６ＢのVIＣ部における導体パッド１ａの露出面の粗化処理後の拡大図である。本実施形態の配線基板の製造方法では、配線パターン１ｂの露出面は粗化されない。そのため、図６Ｂ及び図６Ｃに示されるように、導体パッド１ａの露出面の粗化において、配線パターン１ｂを覆うレジスト膜Ｒ１が設けられる。このように、導体パッド１ａの露出面を粗化することは、配線パターン１ｂを覆うレジスト膜Ｒ１を設けることを含んでいてもよい。図１の配線基板１００では導体パターン１ｃの表面も粗化されないので、図６Ｂ及び図６Ｃのレジスト膜Ｒ１は導体パターン１ｃも覆うように設けられている。

レジスト膜Ｒ１は、例えば感光性樹脂を含むフィルムの積層によって形成される。レジスト膜Ｒ１には、露光及び現像などのフォトリソグラフィ技術を用いて、少なくとも導体パッド１ａを露出させる開口Ｒ１ａが設けられる。レジスト膜Ｒ１は、例えば、前述した第１導体層１１の形成に用いられるめっきレジスト（図示せず）と同様の材料で形成される。

導体パッド１ａの露出面の粗化は任意の方法で行われ得る。例えば、黒化処理又はブラウン処理と呼ばれる表面酸化処理や、酸性の溶剤を用いたマイクロエッチング処理によって、導体パッド１ａの露出面が粗化される。

導体パッド１ａの露出面は、少なくとも、配線パターン１ｂの粗化されない表面１ｂ１が有する面粗度（第２面粗度）よりも高い面粗度（第１面粗度）を有するように粗化される。導体パッド１ａの露出面は、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で、０．３μｍ以上、０．６μｍ以下の面粗度を有するように粗化される。導体パッド１ａの露出面の粗化後、レジスト膜Ｒ１は、例えば水酸化ナトリウムなどのアルカリ性剥離剤を用いて除去される。

図６Ｄに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、第１絶縁層２１及び第１導体層１１を覆う被覆膜５を設けることを含んでいる。図６Ｄは、図６Ｃと同様の部分における被覆膜５の形成後の状態を示している。図６Ｄの例では、被覆膜５は、第１絶縁層２１の露出面、すなわち、第１絶縁層２１における第１導体層１１側の表面において第１導体層１１に覆われていない領域の全部に設けられている。また被覆膜５は、導体パッド１ａの露出面、配線パターン１ｂの露出面、及び導体パターン１ｃの露出面を含む、第１導体層１１の露出面の全部に設けられている。

被覆膜５は、第１導体層１１と、後工程で形成される第２絶縁層２２（図６Ｆ参照）との密着性を向上させる。被覆膜５は、例えば、シランカップリング剤などの、有機材料及び無機材料の両方と結合し得る材料を含む液体への第１導体層１１及び第１絶縁層２１の浸漬や、そのような液体の噴霧（スプレーイング）によって形成される。しかし、被覆膜５の形成方法は任意であり、被覆膜５を構成する材料への浸漬や、その材料の噴霧に限定されない。

図６Ｅに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、被覆膜５の一部を除去することによって被覆膜５に覆われない第１領域１ａ１１を導体パッド１ａの表面に設けることを含んでいる。図６Ｅは、図６Ｄと同様の部分における被覆膜５の一部の除去後の状態を示している。導体パッド１ａの表面上の被覆膜５の一部を除去することによって、後工程で導体パッド１ａ上に形成される接続導体４（図６Ｈ参照）と導体パッド１ａとを、金属同士で強固に、且つ小さな電気抵抗で接合させることができる。図６Ｅの例では、被覆膜５の一部を除去することによって、第１領域１ａ１１を被覆膜５から露出させる開口５ａが形成されている。このように被覆膜５の一部を除去することは、被覆膜５に第１領域１ａ１１を露出させる開口５ａを形成することを含んでいてもよい。

第１領域１ａ１１は、導体パッド１ａにおける第１絶縁層２１と反対側の表面（導体パッド１ａの上面）１ａ１に設けられる。すなわち、導体パッド１ａの上面１ａ１のうちの一部（第１領域１ａ１１）が露出される。導体パッド１ａの上面１ａ１のうちの第１領域１ａ１１以外の領域は、被覆膜５に覆われている第２領域１ａ１２となる。

被覆膜５の一部の除去は任意の方法で行われ得るが、図６Ｅは、レーザー光Ｌの照射によって被覆膜５の一部が除去される例を示している。図６Ｅの例では、第１領域１ａ１１が設けられる領域以外の被覆膜５の上にはレジスト膜Ｒ２が設けられている。レジスト膜Ｒ２には第１領域１ａ１１に対応する領域に開口Ｒ２ａが設けられている。レジスト膜Ｒ２は、例えば、前述した導体パッド１ａの露出面の粗化に用いられるめっきレジストＲ１（図６Ｃ参照）と同様の感光性の材料で形成される。その場合、露光及び現像によって開口Ｒ２ａが設けられる。

そして被覆膜５のうちの開口Ｒ２ａ内に露出する部分が、レーザー光Ｌの照射によって除去される。開口Ｒ２ａ内の被覆膜５は、レーザー光Ｌの照射を受けて、溶解及び気化するか、又は昇華する。その結果、開口Ｒ２ａ内に露出していた被覆膜５が除去され得る。被覆膜５の一部の除去に用いるレーザー光としては、炭酸ガスレーザー光、ＹＡＧレーザー光などが例示されるが、被覆膜５の一部の除去に用いるレーザー光は、これらに限定されない。また、被覆膜５の一部を除去する方法はレーザー光の照射に限定されず、例えばプラズマ処理によって被覆膜５の一部が除去されてもよい。被覆膜５の一部の除去後、レジスト膜Ｒ２は、例えば水酸化ナトリウムなどのアルカリ性剥離剤を用いて除去される。

図６Ｆ及び図６Ｇに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、さらに、被覆膜５及び導体パッド１ａを覆う第２絶縁層２２を形成することを含んでいる。コア基板３の第２面３ｂ側には、さらに絶縁層２３が形成される。なお、図６Ｇには図６ＦにおけるVIＧ部の拡大図が示されている。第２絶縁層２２及び絶縁層２３は、第１絶縁層２１と同様に、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂の積層、並びに加熱及び加圧によって形成される。第２絶縁層２２は、被覆膜５の開口５ａ内に露出する導体パッド１ａの上面１ａ１の第１領域１ａ１１を覆うように形成される。このように、第２絶縁層２２を形成することは、開口５ａ内に露出する導体パッド１ａの第１領域１ａ１１を第２絶縁層２２で全面的に覆うことを含んでいてもよい。

第２絶縁層２２及び絶縁層２３には、後工程で接続導体４（図６Ｈ参照）を形成するための貫通孔４ａが、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって形成される。第２絶縁層２２における導体パッド１ａの第１領域１ａ１１内の領域１ａａ上に貫通孔４ａが形成される。このように後工程において接続導体４を形成することは、第２絶縁層２２に覆われている第１領域１ａ１１を部分的に露出させる貫通孔４ａを第２絶縁層２２に形成することを含み得る。前述したように第１領域１ａ１１は被覆膜５の一部の除去によって設けられる。その第１領域１ａ１１内に形成される貫通孔４ａは、被覆膜５と離間するように形成される。貫通孔４ａによって導体パッド１ａの第１領域１ａ１１内の一部の領域（接続領域１ａａ）が露出する。接続領域１ａａは、第１領域１ａ１１のうち後工程で接続導体４と接続される部分である。第１領域１ａ１１のうちの接続領域１ａａ以外の領域１ａｂは、第２絶縁層２２に覆われたまま残存する。

貫通孔４ａの形成の際に例えばレーザー光に照射される導体パッド１ａの表面が被覆膜５に覆われていると、レーザー光の照射によって被覆膜５が溶解し、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面に浸透して、界面剥離などをもたらすことがある。しかし、本実施形態の配線基板の製造方法では、上記の通り、貫通孔４ａは被覆膜５と離間するように形成されるので、被覆膜５の溶解が防止され、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面への被覆膜５の溶解液の浸透も起こり難い。

貫通孔４ａの形成後、好ましくは、貫通孔４ａの形成によって生じた樹脂残渣（スミア）を除去するデスミア処理が行われる。例えばアルカリ性過マンガン酸溶液などの処理液に貫通孔４ａの内壁を晒すことによって貫通孔４ａ内のスミアが除去される。このデスミア処理のための処理液による、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面への浸入が、導体パッド１ａの粗化された上面１ａ１の凹凸によって防がれる。導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面剥離などの不具合が防止されると考えられる。

好ましくは、後工程での第２導体層１２及び接続導体４（図６Ｈ参照）の形成の前に、ソフトエッチング処理が行われる。ソフトエッチング処理によって、第２導体層１２及び接続導体４が形成される表面（導体パッド１ａの表面１ａ１の露出部分及び第２絶縁層２２の表面）の酸化膜などが除去される。またソフトエッチング処理によって、図６Ｇに示されるように、導体パッド１ａの表面１ａ１のうちの貫通孔４ａ内に露出している接続領域１ａａの面粗度が、領域１ａｂや第２領域１ａ１２の第１面粗度よりも低い面粗度（第３面粗度）に低下する。

図６Ｈ及び図６Ｉに示されるように、本実施形態の配線基板の製造方法は、第２絶縁層２２の上に第２導体層１２を形成することと、第２絶縁層２２を貫通して導体パッド１ａと第２導体層１２とを接続する接続導体４を形成することとを含んでいる。図６Ｉには、図６ＨのVIＩ部の拡大図が示されている。接続導体４は貫通孔４ａ内に形成される。従って、接続導体４は、第１領域１ａ１１の上に被覆膜５と離間するように形成される。なお、コア基板３の第２面３ｂ側には、さらに、導体層１３及び接続導体４が形成される。

第２導体層１２、及び、第２絶縁層２２を貫通する接続導体４は、それぞれ、例えば、前述した第１導体層１１、及び、第１絶縁層２１を貫通する接続導体４の形成方法と同様の方法で形成される。例えば、第２導体層１２、及び第２絶縁層２２を貫通する接続導体４、並びにコア基板３の第２面３ｂ側にさらに形成される導体層１３及び接続導体４は、セミアディティブ法によって形成される。

配線基板１００が製造される図６Ｈの例では、ソルダーレジスト６が形成されている。ソルダーレジスト６には第２導体層１２又は導体層１３の一部を露出させる開口６ａが設けられる。ソルダーレジスト６及び開口６ａは、例えば感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって形成される。

セミアディティブ法による第２絶縁層２２への接続導体４の形成では、図６Ｉに示されるように、貫通孔４ａ内に例えば無電解めっきによって金属膜１０ｂが形成され、さらに電解めっきによってめっき膜１０ｃが形成される。本実施形態の配線基板の製造方法では、金属膜１０ｂの形成時の導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面へのめっき液の浸入が、導体パッド１ａの粗化された表面の凹凸によって防がれる。めっき液の浸透による、導体パッド１ａと第２絶縁層２２との界面剥離などの不具合が防止されると考えられる。

以上の工程を経る事によって、図１の例の配線基板１００が完成する。ソルダーレジスト６の開口６ａ内に露出する第２導体層１２又は導体層１３の一部の表面上には、無電解めっき、半田レベラ、又はスプレーコーティングなどによって表面保護膜（図示せず）が形成されてもよい。

なお、先に参照した図５Ａの例の配線基板が製造される場合は、図６Ｃに例示の工程において、導体パターン１ｃを覆うレジスト膜Ｒ１が設けられずに、第１導体層１１の露出面が粗化される。その結果、導体パターン１ｃの表面１ｃ１も導体パターン１ａの露出面と略同じ面粗度を有するように粗化される。

また、先に参照した図５Ｂの例の配線基板が製造される場合は、図６Ｅに例示の工程において、導体パターン１ｃ上にレジスト膜Ｒ２が設けられずに、被覆膜５の一部の除去が行われる。その結果、導体パターン１ｃの表面１ｃ１上の被覆膜５も除去される。或いは、図６Ｄに例示の工程において、導体パターン１ｃ上にレジスト膜（図示せず）を設けて被覆膜５の形成を行うことによって、導体パターン１ｃを覆わない被覆膜５が形成されてもよい。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の積層構造を有し得る。例えば実施形態の配線基板はコア基板を含まないコアレス基板であってもよい。実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。第１導体層１１は、配線基板の積層構造上の任意の階層に存在し得る。第１導体層１１は、電解めっき膜からなるめっき膜１０ｃを含まなくてもよく、例えば無電解めっき膜からなる金属膜１０ｂだけを含んでいてもよい。また、配線基板に含まれる複数の導体層の全部又は一部の複数の導体層が、第１導体層１１に含まれているような導体パッド１ａ、配線パターン１ｂ、及び導体パターン１ｃを含んでいてもよい。また、導体パッド１ａは、第１導体層１１の下層の絶縁層（配線基板１００における第１絶縁層２１）を貫通する接続導体のビアパッドでなくてもよい。

実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されない。例えば第１及び第２の導体層１１、１２はフルアディティブ法によって形成されてもよい。また、第１及び第２の絶縁層２１、２２は、フィルム状の樹脂に限らず、任意の形態の樹脂を用いて形成され得る。また、第２絶縁層２２以外の絶縁層には、接続導体が形成されなくてもよい。実施形態の配線基板の製造方法には、前述された各工程以外に任意の工程が追加されてもよく、前述された工程のうちの一部が省略されてもよい。

１００ 配線基板
１１ 第１導体層
１ａ 導体パッド
１ａ１ 第２導体層側の表面（上面）
１ａ１１ 第１領域
１ａ１２ 第２領域
１ｂ 配線パターン
１ｂ１ 表面
１ｃ 平板状の導体パターン
１ｃ１ 表面
１２ 第２導体層
２１ 第１絶縁層
２２ 第２絶縁層
４ 接続導体（ビア導体）
４ａ 貫通孔
５ 被覆膜
５ａ 開口
Ｇ 接続導体と被覆膜との間隔
Ｒ１ レジスト膜

Claims (14)

1. 第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層上に形成されている第１導体層と、
   前記第１絶縁層及び前記第１導体層の上に形成されている第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層の上に形成されている第２導体層と、
   前記第２絶縁層を貫通して前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する接続導体と、
   前記第１導体層の表面に形成されていて前記第１導体層と前記第２絶縁層との密着性を向上させる被覆膜と、
   を備える配線基板であって、
   前記第１導体層は、前記接続導体と接する導体パッドと、前記被覆膜に覆われている配線パターンと、を含み、
   前記導体パッドにおける前記第２絶縁層と向かい合う表面は、前記配線パターンの表面の面粗度よりも高い第１面粗度を有し、
   前記導体パッドにおける前記第２導体層側の表面は前記被覆膜に覆われている領域と前記被覆膜から露出する第１領域とを有し、
   前記接続導体は、前記第１領域の上に形成されていて前記被覆膜から離間している。
2. 請求項１記載の配線基板であって、前記被覆膜は前記第１領域を露出させる開口を有している。
3. 請求項２記載の配線基板であって、前記開口の面積は、前記導体パッドと前記接続導体との界面の面積よりも大きい。
4. 請求項１記載の配線基板であって、平面視での前記接続導体と前記被覆膜との間隔は、５μｍ以上、２０μｍ以下である。
5. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１絶縁層における前記第２絶縁層と向かい合う表面が前記被覆膜に覆われている。
6. 請求項５記載の配線基板であって、前記被覆膜は、前記第１絶縁層における前記第２絶縁層と向かい合う表面の略全てを覆っている。
7. 請求項１記載の配線基板であって、前記被覆膜と前記接続導体との間に前記第２絶縁層の一部が介在している。
8. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第１導体層は、さらに、前記導体パッド及び前記配線パターンが形成されていない領域に広がる平板状の導体パターンを含み、
   前記平板状の導体パターンにおける前記第２絶縁層と向かい合う表面は前記被覆膜に覆われている。
9. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第１導体層は、さらに、前記導体パッド及び前記配線パターンが形成されていない領域に広がる平板状の導体パターンを含み、
   前記平板状の導体パターンにおける前記第２絶縁層と向かい合う表面は前記第１面粗度を有している。
10. 導体パッド及び配線パターンを有する第１導体層を第１絶縁層上に形成することと、
    前記導体パッドの露出面を粗化することと、
    前記第１絶縁層及び前記第１導体層を覆う被覆膜を設けることと、
    前記被覆膜の一部を除去することによって前記導体パッドの表面に前記被覆膜に覆われない第１領域を設けることと、
    前記被覆膜及び前記導体パッドを覆う第２絶縁層を形成することと、
    前記第２絶縁層の上に第２導体層を形成することと、
    前記第２絶縁層を貫通して前記導体パッドと前記第２導体層とを接続する接続導体を、前記第１領域の上に前記被覆膜と離間するように形成することと、
    を含んでいる、配線基板の製造方法。
11. 請求項１０記載の配線基板の製造方法であって、前記被覆膜の一部を除去することは、前記被覆膜に前記第１領域を露出させる開口を形成することを含んでいる。
12. 請求項１１記載の配線基板の製造方法であって、前記第２絶縁層を形成することは、前記開口内に露出する前記第１領域を前記第２絶縁層で全面的に覆うことを含んでいる。
13. 請求項１２記載の配線基板の製造方法であって、前記接続導体を形成することは、前記第２絶縁層に覆われている前記第１領域を部分的に露出させる貫通孔を、前記被覆膜と離間するように前記第２絶縁層に形成することを含んでいる。
14. 請求項１０記載の配線基板の製造方法であって、前記導体パッドの前記露出面を粗化することは、前記配線パターンを覆うレジスト膜を設けることを含んでいる。

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