JP2022166603A - 配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板の品質向上。【解決手段】実施形態の配線基板１００は、第１面３ａ及び第２面３ｂを有するコア基板３と、第１面３ａの上の絶縁層１ａ～１ｄ及び導体層１１～１４によって構成される第１積層体１と、第２面３ｂの上の絶縁層２ａ～２ｄ及び導体層２１～２４によって構成される第２積層体２と、絶縁層１ａ～１ｄ又は絶縁層２ａ～２ｄをそれぞれ貫通する複数のビア導体を含んでいて第１積層体１又は第２積層体２を貫通する積層導体群４ａ、４ｂと、を備えている。積層導体群４ｂは、絶縁層２ｂ～２ｄと導体層２１～２３との密着性を向上させる被覆膜に覆われていて粗化されている表面を有する被粗面化導体パッド４４、４５を含むと共に、第２ビア導体４２、及び第２ビア導体４２の幅よりも大きい幅を有していてコア基板３側で被粗面化導体パッド４５に接続されている第１ビア導体４１を含んでいる。【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板に関する。

特許文献１には、プリント配線板に関し、低粗化又は無粗化の金属配線層の表面に化成皮膜が形成され、この化成皮膜を介して金属配線層上に絶縁樹脂層が形成されることが、開示されている。

特開２０１８－１７２７５９号公報

特許文献１に開示のプリント配線板のように配線層と絶縁層とが互いに積層される配線基板では、絶縁層を介して隣接する配線層同士を接続するビア導体と導体層との界面が、配線基板に加わるストレスに抗しきれずに剥離を起こすことがある。その結果、プリント配線板の品質劣化を招くことがある。

本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有していて、前記第１面及び前記第２面それぞれに形成されている内層導体層を含むコア基板と、前記第１面の上に形成されていて、交互に積層されている絶縁層及び導体層によって構成される第１積層体と、前記第２面の上に形成されていて、交互に積層されている絶縁層及び導体層によって構成される第２積層体と、前記第１積層体又は前記第２積層体を構成する前記絶縁層をそれぞれ貫通する複数のビア導体を含んでいて前記第１積層体又は前記第２積層体を貫通する積層導体群と、を備えている。そして、前記積層導体群は、さらに、前記第１積層体又は前記第２積層体を構成する前記導体層と前記絶縁層との密着性を向上させる被覆膜に覆われていて粗化されている表面を有する被粗面化導体パッドを含み、前記複数のビア導体は、第２ビア導体、及び前記第２ビア導体の幅よりも大きい幅を有していて前記コア基板側の端面で前記被粗面化導体パッドに接続されている第１ビア導体を含んでいる。

本発明の実施形態によれば、配線基板内の応力集中に伴う導体層とビア導体との界面剥離などによる配線基板の品質劣化を抑制し得ることがある。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態における積層導体群の一例を示す平面図。 図１のIII部の拡大図。 本発明の実施形態における積層導体群内のビア導体の他の例を示す断面図。 本発明の他の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 図５のVI部の拡大図。 本発明の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。 本発明の実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１は本実施形態の配線基板の一例である配線基板１００を示す断面図であり、図２は、配線基板１００が含む積層導体群４ｂの一例を示す平面図（図１における下方からの投影による平面図）である。図３には、積層導体群４ｂの周辺部である図１のIII部の拡大図が示されている。なお、配線基板１００は本実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数は、図１の配線基板１００に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの数に限定されない。

図１に示されるように、配線基板１００は、配線基板１００の厚さ方向において対向する２つの主面（第１面３ａ及び第１面３ａの反対面である第２面３ｂ）を有するコア基板３と、第１積層体１と、第２積層体２と、を備えている。コア基板３は配線基板１００の製造時の出発基板である。すなわち、コア基板３の第１面３ａの上に第１積層体１が形成されていて第２面３ｂの上に第２積層体２が形成されている。コア基板３は、コア基板３の大半を構成する絶縁層３２と、第１面３ａ及び第２面３ｂそれぞれに形成されている導体層（内層導体層）３１と、を含んでいる。コア基板３は、さらに、絶縁層３２を貫通して絶縁層３２の両面の導体層３１同士を接続するスルーホール導体３３を含んでいる。

実施形態の説明では、配線基板１００の厚さ方向において絶縁層３２から遠い側は「上側」、「外側」、もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層３２に近い側は「下側」、「内側」、もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、配線基板１００に含まれる各要素において、絶縁層３２と反対側を向く表面又は端面は「上面」とも称され、絶縁層３２側を向く表面又は端面は「下面」又は「底面」とも称される。

第１積層体１及び第２積層体２は、それぞれ、交互に積層されている絶縁層及び導体層によって構成されている絶縁層と導体層との積層体である。配線基板１００では、第１積層体１は、４つの絶縁層（絶縁層１ａ～１ｄ）のそれぞれと４つの導体層（導体層１１～１４）のそれぞれとを交互に積層することによって形成されている。一方、第２積層体２は、４つの絶縁層（絶縁層２ａ～２ｄ）のそれぞれと４つの導体層（導体層２１～２４）のそれぞれとを交互に積層することによって形成されている。第１積層体１及び第２積層体２は、コア基板３を挟む、配線基板１００のビルドアップ部である。

絶縁層１ｄ及び導体層１４の上には、ソルダーレジスト６が形成されている。絶縁層２ｄ及び導体層２４の上にもソルダーレジスト６が形成されている。ソルダーレジスト６には、導体層１４又は導体層２４の一部を露出させる開口６ａが設けられている。ソルダーレジスト６は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などで形成される。

絶縁層１ａ～１ｄ及び絶縁層２ａ～２ｄそれぞれには、各絶縁層を貫通し、各絶縁層を介して隣接する導体層同士を接続するビア導体（第１ビア導体４１又は第２ビア導体４２）が形成されている。絶縁層１ａ～１ｄ及び絶縁層２ａ～２ｄそれぞれには、第１ビア導体４１及び第２ビア導体４２のうちの任意のビア導体が任意の数で形成され得る。図１の例の配線基板１００では、絶縁層２ｂに第１ビア導体４１が形成されており、その他の絶縁層（絶縁層１ａ～１ｄ、２ａ、２ｃ、及び２ｄ）には第２ビア導体４２が形成されている。第１ビア導体４１及び第２ビア導体４２は互いに異なる大きさを有している。第１ビア導体４１は、第２ビア導体４２の幅よりも大きい幅を有するビア導体である。

絶縁層１ａ～１ｄ、絶縁層２ａ～２ｄ、及び絶縁層３２は任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などが例示される。図１の例では、絶縁層３２は、ガラス繊維やアラミド繊維などで形成される芯材（補強材）３２ａを含んでいる。図１には示されていないが、絶縁層３２以外の各絶縁層も、ガラス繊維などからなる芯材を含み得る。各絶縁層は、さらに、シリカ（ＳｉＯ₂）、アルミナ、又はムライトなどの微粒子からなる無機フィラー（図示せず）を含み得る。

導体層１１～１４、導体層２１～２４、導体層３１、第１及び第２のビア導体４１、４２、並びにスルーホール導体３３は、それぞれ、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され得る。図１の例において導体層３１は、金属箔３１ａ、金属膜３１ｂ、及び例えば電解めっき膜であるめっき膜３１ｃを含んでいる。スルーホール導体３３は、導体層３１と一体的に形成されていて、金属膜３１ｂ及びめっき膜３１ｃによって構成されている。一方、導体層１１～１４、導体層２１～２４、並びに、第１及び第２のビア導体４１、４２は、それぞれ、金属膜１０ｂ及び電解めっき膜が例示されるめっき膜１０ｃによって構成されている。金属膜３１ｂ及び金属膜１０ｂは、例えば無電解めっき膜又はスパッタリング膜であり、それぞれ、めっき膜３１ｃ及びめっき膜１０ｃが電解めっきで形成される際の給電層として機能する。第１及び第２のビア導体４１、４２は、それぞれの上側で接続する各導体層と一体的に形成されている。

導体層１１～１４及び導体層２１～２４は、それぞれ、所定の導体パターンを含んでいる。図１の例において、導体層２２は導体パッド４４を含み、導体層２２以外の導体層１１～１４、２１、２３、及び２４は、それぞれ、導体パッド４５を含んでいる。また、導体層２１～２３は、それぞれ、配線パターン２０を含んでいる。

配線基板１００は、さらに、積み重ねられた導電体によって構成されている導電体の積層体である積層導体群４ａ及び積層導体群４ｂを備えている。積層導体群４ａは第１積層体１を貫通し、積層導体群４ｂは第２積層体２を貫通している。図１の例の配線基板１００は、積層導体群４ａ及び積層導体群４ｂの両方を備えている。しかし実施形態の配線基板は、第１積層体１を貫通する積層導体群及び第２積層体２を貫通する積層導体群のいずれか一方だけを備えていてもよい。また、配線基板１００は、それぞれ複数の積層導体群４ａ及び積層導体群４ｂを備えているが、実施形態の配線基板は、少なくとも１つの積層導体群を備え得る。

配線基板１００では、コア基板３の第１面３ａ側においてスルーホール導体３３上に一部の積層導体群４ａが積層されており、第２面３ｂ側においてスルーホール導体３３上に一部の積層導体群４ｂが積層されている。すなわち、配線基板１００は、平面視で少なくとも部分的に重なっている積層導体群４ａ、スルーホール導体３３、及び積層導体群４ｂを含んでいる。配線基板１００は、積層導体群４ａ、スルーホール導体３３、及び積層導体群４ｂによって直線状に貫かれている。なお「平面視」は、実施形態の配線基板をその厚さ方向に沿う視線に沿って見ることを意味している。

図１に示されるように、積層導体群４ａ、４ｂは、それぞれ、積層されている複数のビア導体（第１ビア導体４１及び／又は第２ビア導体４２）を含んでいる。すなわち、積層導体群４ａ、４ｂは、所謂スタックビア導体である。複数のビア導体のそれぞれは、絶縁層１ａ～１ｄのいずれか、又は、絶縁層２ａ～２ｄのいずれかを貫通している。積層導体群４ａは複数のビア導体として複数の第２ビア導体４２を含んでおり、積層導体群４ａに含まれる複数の第２ビア導体４２の全ては平面視で互いに重なっている。積層導体群４ａに含まれる複数の第２ビア導体４２は、絶縁層１ａ～１ｄそれぞれを貫通している。

積層導体群４ｂは、複数のビア導体として、複数の第２ビア導体４２と第２ビア導体４２の幅よりも大きい幅を有する第１ビア導体４１とを含んでいる。積層導体群４ｂに含まれる複数の第２ビア導体４２及び第１ビア導体４１の全ては平面視で互いに重なっている。積層導体群４ｂに含まれる複数の第２ビア導体４２は、絶縁層２ａ、２ｃ、２ｄそれぞれを貫通し、第１ビア導体４１は絶縁層２ｂを貫通している。

絶縁層２ｂは、第２積層体２を構成する絶縁層２ａ～２ｄのうちで絶縁層２ａに次いで２番目にコア基板３に近接している絶縁層である。図１の例の絶縁層２ｂには、積層導体群４ｂに含まれる第１ビア導体４１以外にも、絶縁層２ｂを貫通して導体層２１と導体層２２とを接続する１以上の第１ビア導体４１が形成されている。絶縁層２ｂを貫通するビア導体は全て同じ幅を有している。すなわち、絶縁層２ｂに形成されているビア導体は全て第１ビア導体４１である。絶縁層２ｂへのビア導体の形成が容易であると考えられる。

積層導体群４ａは、さらに、導体層１１～１４それぞれに含まれている導体パッド４５を含んでいる。すなわち、積層導体群４ａは、絶縁層１ａ～１ｄのそれぞれを貫通する第２ビア導体４２と、複数の導体パッド４５とによって構成されている、複数のビア導体と複数の導体パッドとの積層体である。各導体パッド４５は、積層導体群４ａを構成する複数の第２ビア導体４２のそれぞれと交互に積層されている。積層導体群４ａは、第１積層体１を構成する導体層の数に応じて２以上の任意の数の導体パッド（導体パッド４４及び／又は導体パッド４５）を含み得る。

図１～図３に示されるように、積層導体群４ｂは、さらに、導体層２２に含まれている導体パッド４４と、導体層２１、２３及び２４それぞれに含まれている複数の導体パッド４５とを含んでいる。すなわち、積層導体群４ｂは、第１ビア導体４１と、３つの第２ビア導体４２と、導体パッド４４と、３つの導体パッド４５とによって構成されている、複数のビア導体と複数の導体パッドとの積層体である。積層導体群４ｂは、第２積層体２を構成する導体層の数に応じて２以上の任意の数の導体パッド（導体パッド４４及び／又は導体パッド４５）を含み得る。

図１の例では、積層導体群４ｂが含む第１ビア導体４１は、積層導体群４ｂに含まれるビア導体のうちで最も大きい幅を有する。なお、積層導体群４ａ、４ｂそれぞれに含まれる各ビア導体（第１ビア導体４１及び第２ビア導体４２）の「幅」は、各ビア導体の平面視における外周上の任意の２点間の最長距離である。積層導体群４ａ、４ｂそれぞれに含まれる各ビア導体は任意の平面形状を有し得る。例えば各ビア導体が円形の平面形状を有する場合、各ビア導体の幅は、各ビア導体の平面形状における直径である。

図１に例示の配線基板１００の積層導体群４ｂでは、図２に示されるように、平面視で第２ビア導体４２の全体が第１ビア導体４１と重なっており、第２ビア導体４２の全体が平面視で第１ビア導体４１に含まれている。図１の例の配線基板１００では、第１ビア導体４１及び第２ビア導体４２のいずれも、外側（上側）から内側（下側）に向かって先細りするテーパー形状を有している。図２に示されるように、第２ビア導体４２の上面の外縁４２ａ及び下面の外縁４２ｂの両方が、第１ビア導体４１の上面の外縁４１ａの内側に位置し、さらに第１ビア導体４１の下面の外縁４１ｂの内側に位置している。

一般に配線基板には、外力の作用や周囲温度の変化によって機械的ストレス又は熱的ストレスのような各種のストレスが加わり得る。配線基板１００の積層導体群４ａ、４ｂのような、ビルドアップ部（第１積層体１や第２積層体２）を貫通する所謂スタックビア導体を含む配線基板では、そのストレスに基づく応力が、例えば各導体層の残銅率の違いによって特定の絶縁層のビア導体に集中することがある。応力集中を受けるビア導体では、接続されるべき導体層との間の界面剥離や、界面付近でのクラックが生じることがある。

これに対して、本実施形態では、その一例の配線基板１００における積層導体群４ｂのように、ビルドアップ部（第１積層体１又は第２積層体２）を貫通する積層導体群を構成する少なくとも１つのビア導体が他のビア導体よりも大きい幅を有している。すなわち、積層導体群（配線基板１００では積層導体群４ｂ）が、その積層導体群内の他のビア導体（第２ビア導体４２）と比べて大きな幅を有するビア導体（第１ビア導体４１）を含んでいる。換言すると、接続されるべき導体層との間に比較的大きな接触面積を有するビア導体を積層導体群が含んでいる。従って、応力が集中する箇所（階層）に比較的大きな幅を有するビア導体（第１ビア導体４１）を設けることによって、特定の箇所への応力集中によって生じ得るビア導体と導体層との界面剥離やクラックが防止されることがある。

なお、積層導体群を構成する全てのビア導体の幅が大きいと、全ての導体層において配線の高密度化が阻害されたり、その結果、配線基板の小型化が阻害されたりすることがある。そのため本実施形態では、接続導体群が、応力への耐性に優れた比較的大きな幅を有するビア導体（第１ビア導体４１）と、そのビア導体の幅よりも小さい幅を有するビア導体（第２ビア導体４２）とを含んでいる。本実施形態によれば、積層導体群におけるビア導体と絶縁層との界面剥離やクラックが抑制されると共に、配線の高密度化や配線基板の小型化が促進されることがある。

図１の例の配線基板１００では、配線基板１００におけるコア基板３の第１面３ａ側の表面Ｆ１は、配線基板１００に実装される部品（図示せず）が搭載される部品実装面である。すなわち、第１積層体１は部品実装面を含んでいる。一方、配線基板１００におけるコア基板３の第２面３ｂ側の表面Ｆ２は、例えば配線基板１００が用いられる電子機器のマザーボード（図示せず）と接続される面であってもよい。積層導体群４ｂに貫通されている第２積層体２は、コア基板３に関して部品実装面と反対側に積層されている。すなわち、比較的大きな幅を有する第１ビア導体４１は、コア基板３の第２面３ｂ側に位置している。

部品実装面と反対側に積層されている第２積層体２には、部品実装面側に位置する第１積層体１よりも応力が集中し易いと考えられる。しかし図１の例の配線基板１００では、比較的大きな幅を有する第１ビア導体４１が、部品実装面と反対側となるコア基板の第２面３ｂ側に位置している。従って、第２積層体２内において生じ易いと考えられる応力集中による界面剥離やクラックが抑制され易いと考えられる。

図３に示されるように、積層導体群４ｂに含まれる複数のビア導体のうちの第１ビア導体４１よりもコア基板３から遠くに積層されている全てのビア導体は、第１ビア導体４１の幅以下の幅を有している。すなわち、積層導体群４ｂに含まれていて第１ビア導体４１よりも外側に位置しているビア導体の全ては、第１ビア導体４１よりも小さい幅を有する第２ビア導体４２である。換言すると、第１ビア導体４１は、第２積層体２において外層側に位置する２つの絶縁層２ｄ及び絶縁層２ｃをそれぞれ貫通する２つの第２ビア導体４２よりも内層側に設けられている。

配線基板１００のコア基板３のようにコア基板を有する配線基板では、変位や変形に関して外層側よりも低い自由度を有すると思われる内層側の絶縁層や導体層では、応力が緩和され難く、且つ、外層側からのストレスも加わり易いと推察される。そのため、外層側よりも内層側において応力集中が生じ易いことがある。これに対して、図１～図３の例の配線基板１００では、第２積層体２において外層側の２つの絶縁層（絶縁層２ｄ及び絶縁層２ｃ）を貫通する第２ビア導体４２よりも内層側に、比較的大きい幅を有する第１ビア導体４１が設けられている。そのため、内層側において生じ易い応力集中による界面剥離やクラックなどの不具合が抑制され易いと考えられる。

図３の例では、積層導体群４ｂに含まれる複数のビア導体のうちで第１ビア導体４１は、絶縁層２ａを貫通するビア導体（第２ビア導体４２）に次いでコア基板３に近接している。すなわち、積層導体群４ｂに含まれるビア導体のうちで２番目にコア基板３に近接しているビア導体は第１ビア導体４１である。前述したように、配線基板１００のような配線基板では、外層側よりも内層側において応力集中が生じ易いと考えられる。しかし、コア基板３の導体層３１と、絶縁層２ａを貫通するビア導体との界面では、コア基板３自体の剛性が高いため、界面剥離やクラックなどの実質的な不具合が生じ難いと推察される。そのため、絶縁層２ａを貫通するビア導体に次いで２番目にコア基板３に近接する絶縁層２ｂを貫通するビア導体において、集中する応力による実質的な不具合が最も生じ易いことがある。図３の例では、積層層導体群４ｂに含まれるビア導体のうちで２番目にコア基板３に近接しているビア導体が、比較的大きな幅を有する第１ビア導体４１であるため、２番目にコア基板３に近接するビア導体での不具合が抑制されることがある。

本実施形態において、第２ビア導体４２の幅に対する第１ビア導体４１の幅の比率としては、２倍以上、７倍以下が例示される。第１ビア導体４１の内層側の導体層との界面（下面）における幅Ｗ１としては、５５μｍ以上、１８０μｍ以下が例示される。第２ビア導体４２の内層側の導体層との界面（下面）における幅Ｗ２としては、５μｍ以上、６０μｍ以下が例示される。このような数値範囲の幅を有する第１ビア導体４１が設けられると、配線基板１００のサイズに過剰に影響を与えることなく、ビア導体と導体層との界面剥離やクラックの抑制作用が得られると考えられる。

図３を参照して、積層導体群４ｂを構成する導体パッド４４、４５を含む導体層２１～２４がさらに説明される。

図１では省略されているが、図３に示されるように、積層導体群４ｂを構成する導体パッド４４、４５を含む導体層２１～２４、及び導体層３１は被覆膜５に覆われている。被覆膜５は、導体層３１及び導体層２１～２４それぞれの表面に形成されており、導体層３１及び導体層２１～２４それぞれと、これら各導体層上にそれぞれ積層されている絶縁層２ａ～２ｄ及びソルダーレジスト６のいずれかとの間に介在している。被覆膜５は、これら各導体層と各絶縁層又はソルダーレジスト６との密着性を向上させる。従って、導体層３１及び導体層２１～２４それぞれからの絶縁層２ａ～２ｄ及びソルダーレジスト６それぞれの浮きや剥離が生じ難いと考えられる。

具体的には、例えば導体層２１～２３では、導体層２１に含まれる導体パッド４５、導体層２２に含まれる導体パッド４４、導体層２３に含まれる導体パッド４５、及び、導体層２１～２３それぞれに含まれている配線パターン２０が被覆膜５に覆われている。配線パターン２０は全面的に被覆膜５に覆われている。一方、導体パッド４４、４５は、部分的に被覆膜５に覆われている。被覆膜５は、導体パッド４４、４５上に開口を有しており、この開口の周囲の部分で導体パッド４４又は導体パッド４５を覆っている。被覆膜５は、絶縁層２ａ～２ｃ及び絶縁層３２の表面も部分的に覆っている。

被覆膜５は、例えば、各絶縁層やソルダーレジスト６を構成する樹脂などの有機材料、及び各導体層を構成する金属などの無機材料の両方と結合し得る材料によって形成される。被覆膜５は、例えば、有機材料と化学結合し得る反応基及び無機材料と化学結合し得る反応基の両方を含む材料によって形成される。そのため、被覆膜５に覆われている各導体層の導体パターンと各絶縁層とが十分な強度で密着する。被覆膜５の材料としては、トリアゾール化合物などのアゾールシラン化合物を含むシランカップリング剤が例示される。なお、被覆膜５の材料は、各導体層の上に各絶縁層又はソルダーレジスト６が直接形成される場合と比べて、各導体層と各絶縁層又はソルダーレジスト６との密着強度を高め得るものであればよく、シランカップリング剤に限定されない。

導体層２１～２３のいずれかに含まれる導体パッド４４、４５において被覆膜５に覆われずに被覆膜５の開口内に露出している部分は、第１ビア導体４１又は第２ビア導体４２に覆われていて第１ビア導体４１又は第２ビア導体４２と接続されている。そのため、被覆膜５を構成する例えばシランカップリング剤のような有機材料を介さずに、各導体パッドを構成する銅などの金属と各ビア導体を構成する銅などの金属とが直接接している。従って、各導体パッドと各ビア導体との界面において金属同士による機械的に強固で電気的抵抗の小さい接合が得られていると考えられる。

先に参照された図１では省略されているが、図３に示されるように、導体パッド４４、４５それぞれの外側を向く表面Ｓ１及び側面、並びに、各配線パターン２０の外側を向く表面Ｓ２及び側面は、凹凸を有し得る。配線パターン２０の表面Ｓ２及び側面上の凹凸の高低差は、導体パッド４４、４５の表面Ｓ１及び側面の凹凸の高低差よりも小さく、配線パターン２０の表面Ｓ２及び側面は比較的低い面粗度（第２面粗度）を有している。配線パターン２０の表面Ｓ２及び側面は、配線パターン２０の表面Ｓ２及び側面の粗化のために積極的に設けられた工程で粗化されていなくてもよい。配線パターン２０の表面Ｓ２及び側面の凹凸は、各導体層の形成時のレジストの表面の凹凸やめっき膜の粒界によって生じていてもよい。

一般に、面粗度の高い表面を有する配線パターンでは、高周波信号の伝送において、表皮効果の影響による実質的なインピーダンスの増加によって伝送特性が低下することがある。また、例えば１０μｍ／１０μｍ（配線幅／配線間隔）程度以下のファインな配線パターンでは、その表面が高度に粗化されると、設計上の配線幅や厚さに対して粗化後に所望の寸法が得られないことがある。これに対して図３の例では、配線パターン２０の表面Ｓ２は、比較的低い面粗度、少なくとも導体パッド４４、４５の表面Ｓ１よりも低い面粗度を有しているので、高い面粗度に起因する高周波伝送特性の低下などの問題が生じ難いと考えられる。

一方、比較的低い面粗度の表面を有する導体層とその表面上に形成される絶縁層との間では、所謂アンカー効果として得られる作用は比較的小さいので、導体層と絶縁層との剥離が生じ易いことがある。しかし図３の例の配線パターン２０の表面Ｓ２は被覆膜５に覆われているので、各配線パターン２０と絶縁層２ｂ～２ｄそれぞれとの間の剥離は生じ難いと考えられる。

一方、導体パッド４４、４５の表面Ｓ１及び側面は、配線パターン２０の表面Ｓ２及び側面が有する面粗度（第２面粗度）よりも高い面粗度（第１面粗度）を有している。導体パッド４４、４５の表面Ｓ１及び側面は、第２面粗度よりも高い第１面粗度を有するように粗化されている。後述されるように、導体パッド４４、４５の表面Ｓ１及び側面は、例えばマイクロエッチングなどによって粗化されている。

このように図３の例では、積層導体群４ｂに含まれる導体パッド４４、４５は、被覆膜５に覆われていて粗化されている表面を有する導体パッドを含んでいる。「被覆膜５に覆われていて粗化されている表面を有する導体パッド」は「被粗面化導体パッド」とも称される。図３の例では、導体層２１、２３、２４それぞれに含まれる導体パッド４５、並びに導体層２２に含まれる導体パッド４４全てが被粗面化導体パッドである（図３の例では、導体層３１において第２ビア導体４２と接続されている導体パッドも被粗面化導体パッドである）。被粗面化導体パッドを含む導体層２１～２３それぞれが、被覆膜５に覆われている配線パターン２０を含んでいる。そして、被粗面化導体パッド（導体パッド４４、並びに、導体層２１及び導体層２３それぞれに含まれる各導体パッド４５）の表面Ｓ１及び側面は配線パターン２０の表面Ｓ２及び側面よりも高い面粗度を有している。

図３の例の配線基板１００では、導体パッド４４、４５の表面Ｓ１は、比較的高い面粗度（第１面粗度）を有するように粗化されているため、導体パッド４４、４５と絶縁層２ｂ～２ｄそれぞれとの剥離が抑制されることがある。具体的には、各導体パッドと各絶縁層との界面への意図せぬ液体の浸入が、比較的高い面粗度を有する各導体パッドの表面Ｓ１の凹凸によって防がれる。その結果、そのような液体の浸入によって引き起こされ得る導体パッド４４、４５と絶縁層２ｂ～２ｄそれぞれとの剥離が抑制されることがある。

詳述すると、配線基板１００の製造工程では、第１ビア導体４１又は第２ビア導体４２の形成のために絶縁層２ｂ～２ｄそれぞれに設けられた貫通孔４６の内壁が、各種の処理溶液やめっき液などに晒されることがある。そしてそれらの液体が、貫通孔４６の内壁から導体パッド４４、４５と絶縁層２ｂ～２ｄそれぞれとの界面に侵入し、各導体パッドと各絶縁層との剥離を引き起こすことがある。しかし、図３の例では、そのような剥離を引き起こし得る意図せぬ液体の浸入が、比較的高い第１面粗度を有する導体パッド４４、４５の表面Ｓ１の凹凸によって防がれる。

さらに図３の例では、導体パッド４４、４５の表面Ｓ１上に形成された被覆膜５の溶解による品質の劣化が、各導体パッドの表面Ｓ１の凹凸によって防がれることがある。前述したように、配線基板１００の製造工程では、絶縁層２ｂ～２ｄに設けられた貫通孔４６の内壁は各種の液体に晒され得る。その液体が導体パッド４４、４５の表面Ｓ１と絶縁層２ｂ～２ｄそれぞれとの界面に浸入すると、浸入した液体が各導体パッドの表面Ｓ１上に形成されている被覆膜５を溶解させることがある。その場合、被覆膜５が貫通孔４６内に溶出して各導体パッドと第１ビア導体４１又は第２ビア導体４２との接続不良を引き起こしたり、被覆膜５の溶解箇所において各導体パッドと各絶縁層との剥離が発生したりすることがある。しかし本実施形態では、そのような被覆膜５の溶解をもたらし得る意図せぬ液体の浸入が、比較的高い第１面粗度を有する導体パッド４４、４５の表面Ｓ１の凹凸によって防がれる。

このように、図３の例では、配線パターン２０において良好な伝送特性及び絶縁層２ｂ～２ｄそれぞれとの十分な密着性が得られ、しかも、導体パッド４４、４５それぞれと絶縁層２ｂ～２ｄそれぞれとの剥離などによる品質劣化が抑制される。

特に本実施形態では、第１ビア導体４１は、コア基板３側の端面で被粗面化導体パッドである導体層２１の導体パッド４５と接続されている。比較的大きい幅を有する第１ビア導体４１は、前述したように、好ましくは界面剥離などを抑制すべく応力が集中し易い箇所に配置される。そのため第１ビア導体４１と接続する導体パッド（例えば図３における導体層２１の導体パッド４５）も応力集中の影響を受け易いと推察される。しかし、第１ビア導体４１と接続する導体パッド４５と絶縁層２ｂとの剥離は、被粗面化導体パッドである導体パッド４５の表面Ｓ１の凹凸及び表面Ｓ１を覆う被覆膜５によって抑制されると考えられる。前述したように本実施形態では、応力集中箇所におけるビア導体と導体層との剥離が、第１ビア導体４１と各導体層との間の比較的大きな接触面積によって抑制されると考えられる。そして、応力集中箇所における導体パッドと絶縁層との剥離が、被粗面化導体パッドの粗化された表面Ｓ１及びその表面Ｓ１を覆う被覆膜５によって抑制されると考えられる。

配線パターン２０における良好な高周波伝送特性、及び、導体パッド４４、４５と絶縁層２ｂ～２ｄとの界面への液体の浸入の確実な防止の両立のためには、第１面粗度と第２面粗度の差は大きい方が好ましいと考えられる。例えば、第１面粗度は第２面粗度よりも１００％以上高い。その場合、導体パッド４４、４５と絶縁層２ｂ～２ｄそれぞれとの界面への液体の浸入を略確実に防ぎながら、配線パターン２０において数ＧＨｚオーダーの高周波信号に対する良好な伝送特性が得られると考えられる。第１面粗度は、第２面粗度の１２００％以下であってもよい。導体パッド４４、４５の表面Ｓ１の粗化工程が過剰な時間を必要とせず、また、粗化工程中の絶縁層２ａ～２ｄなどへのダメージも少ないと考えられる。第１面粗度は、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．３μｍ以上、０．６μｍ以下である。また、第２面粗度は、例えば、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ以上、０．１５μｍ以下である。

図３の例では、導体パッド４４、４５の表面Ｓ１における第１ビア導体４１又は第２ビア導体４２に覆われている部分は、表面Ｓ１における被覆膜５に覆われている部分が有する面粗度（第１面粗度）よりも低い第３面粗度を有している。第３面粗度は、第２面粗度よりも高くてもよく、第２面粗度よりも低くてよい。

図１～図３の配線基板１００では、積層導体群４ａ、４ｂを構成する各ビア導体は外側から内側に向かって先細りするテーパー形状を有している。ビア導体同士の幅の比較において各ビア導体がテーパー形状を有している場合、比較されるビア導体それぞれの上面（外側の端面）同士又は下面（内側の端面、図１の例ではコア基板３側の端面）同士の幅が比較される。また、図１の積層導体群４ａ、４ｂに例示される本実施形態における積層導体群は、互いに異なる勾配のテーパー形状を有する複数のビア導体によって構成されていてもよい。この点に関する例が、図４に示されている。

図４には、図１における第２積層体２を貫通する積層導体群の他の例である積層導体群４００の一部が示されている。絶縁層２０１を貫通するビア導体４０１と、絶縁層２０２を貫通するビア導体４０２との積層体によって、積層導体群４００の一部が構成されている。ビア導体４０２は、ビア導体４０１よりも緩やかな勾配のテーパー形状を有している。ビア導体４０１の下面４０１ａの幅Ｗ３とビア導体４０２の上面４０２ｂの幅Ｗ４との比較では、ビア導体４０２の上面４０２ｂの幅Ｗ４の方が大きい。しかし、ビア導体４０１の下面４０１ａの幅Ｗ３は、ビア導体４０２の下面４０２ａの幅Ｗ５よりも大きい。従って、図４の例の積層導体群４００では、ビア導体４０１が第１ビア導体であり、ビア導体４０２は第２ビア導体である。

また、各ビア導体同士の幅の比較において、上面の幅同士の比較結果と下面の幅同士の比較結果とが異なる場合は、下面の幅同士の比較結果に基づいて、ビア導体の幅の大小関係が決定される。その理由は、上層側の導体層と連続している上面ではなく下面の方が、下層側の導体層との界面において剥離やクラックが生じ易いからである。従って、図４の例で、ビア導体４０２の側面の勾配がさらに緩やかで、ビア導体４０１の上面４０１ｂの幅よりもビア導体４０２の上面４０２ｂの幅の方が大きくても、ビア導体４０１の下面４０１ａの幅がビア導体４０２の下面４０２ａの幅よりも大きい限り、ビア導体４０１が第１ビア導体である。

（第２実施形態）
図５及び図６を参照して、第２実施形態の配線基板が説明される。図５には、本実施形態の配線基板の一例である配線基板２００の断面図が示され、図６には、積層導体群４ｄの周辺部である図５のVI部の拡大図が示されている。図５及び図６において、図１及び図３に示されている各構成要素と同様の構成要素には、図１及び図３に付されている符号と同じ符号が付され、繰り返しとなる説明は適宜省略される。

図５に示されるように、配線基板２００は、図１の配線基板１００と同様に、コア基板３と、コア基板３の第１面３ａ上に形成されている第１積層体１と、コア基板の第２面３ｂ上に形成されている第２積層体２とを備えている。配線基板２００は、図１の配線基板１００の積層導体群４ａと同様に第１積層体１を貫通する積層導体群４ｃ（第１積層導体群）を備えている。配線基板２００は、さらに、図１の配線基板１００の積層導体群４ｂと同様に第２積層体２を貫通する積層導体群４ｄ（第２積層導体群）を備えている。積層導体群４ｃは、第１積層体１を構成する絶縁層１ａ～１ｄをそれぞれ貫通する複数のビア導体（第１ビア導体４１及び第２ビア導体４２）を含んでいる。積層導体群４ｄは、第２積層体２を構成する絶縁層２ａ～２ｄをそれぞれ貫通する複数のビア導体（第１ビア導体４１、第２ビア導体４２、及び第３ビア導体４３）を含んでいる。

積層導体群４ｃは、図１の配線基板１００における積層導体群４ｂと同様に、複数の第２ビア導体４２、及び、第２ビア導体４２の幅よりも大きい幅を有する第１ビア導体４１を含んでいる。第１ビア導体４１は、第１積層体１を構成する絶縁層１ａ～１ｄのうちで、絶縁層１ａに次いで２番目にコア基板３に近接している絶縁層１ｂを貫通している。積層導体群４ｃを構成する第１ビア導体４１は、積層導体群４ｃを構成する複数のビア導体のうちで２番目にコア基板３に近接するビア導体である。

一方、積層導体群４ｄも、図１の配線基板１００の積層導体群４ｂと同様に、複数の第２ビア導体４２、及び第２ビア導体４２の幅よりも大きい幅を有する第１ビア導体４１を含んでいる。図１の第１ビア導体４１と同様に、配線基板２００において積層導体群４ｄを構成する第１ビア導体４１も、積層導体群４ｄを構成する複数のビア導体のうちで２番目にコア基板３に近接するビア導体である。

このように本実施形態では、第１積層体１を貫通する積層導体群４ｃ及び第２積層体２を貫通する積層導体群４ｄの両方が、比較的大きな幅を有する第１ビア導体４１を含んでいる。コア基板３の両側において、応力集中によるビア導体と導体層との界面における剥離やクラックが抑制されることがある。

本実施形態の配線基板２００は、さらに、積層導体群４ｄと同様に第２積層体２を貫通する積層導体群４ｅを備えている。積層導体群４ｅは、第２積層体２を構成する絶縁層２ａ～２ｄをそれぞれ貫通する複数のビア導体（第１ビア導体４１及び第２ビア導体４２）を含んでいる。積層導体群４ｅは、第２ビア導体４２の幅よりも大きな幅を有する第１ビア導体４１を２つ備えている。実施形態の配線基板が含む積層導体群は、積層導体群４ｅのように、比較的大きな幅を有する複数の第１ビア導体４１を含んでいてもよい。ビア導体と導体層との界面剥離やクラックが一層抑制されることがある。

また、図５の例では、第１ビア導体４１にそれぞれ貫通される絶縁層１ｂ、絶縁層２ｂ、及び絶縁層２ｃには、第１ビア導体４１以外に、第２ビア導体４２も形成されている。実施形態の配線基板では、第１ビア導体４１が形成されている絶縁層に、第１ビア導体４１よりも小さい幅を有する第２ビア導体４２が、第１ビア導体４１と共に形成されていてもよい。特定の絶縁層に形成されるビア導体全てが比較的大きな幅を有する第１ビア導体４１として形成される場合と比べて、配線基板２００のサイズの肥大化が抑制されると考えられる。

図５及び図６に示されるように、積層導体群４ｄは、第１ビア導体４１及び第２ビア導体４２に加えて第３ビア導体４３を含んでいる。第３ビア導体４３は、第２ビア導体４２の幅よりも大きく、且つ、第１ビア導体４１の幅よりも小さい幅を有している。そして、第３ビア導体４３は、第１ビア導体４１と第２ビア導体４２との間に位置している。すなわち、第３ビア導体４３は、第１ビア導体４１よりも外層側に設けられ、且つ、第２ビア導体４２よりも内層側に設けられている。前述したように、コア基板を有する配線基板では、外層側よりも内層側において応力集中が生じ易いと考えられる。従って、第３ビア導体４３が第１ビア導体４１と第２ビア導体４２との間に配置されると、内層側程大きくなる応力への耐性を内層側程高め得ることがある。また、第１ビア導体４１と第２ビア導体４２だけを設ける場合と比べて、配線基板２００のサイズの拡大を抑制し得ることがある。

図６に示されるように積層導体群４ｄにおいても、積層導体群４ｄを構成する導体パッド４４、４５の表面Ｓ１及び側面は、配線パターン２０の表面Ｓ２の面粗度よりも高い面粗度を有するように粗化されている。また、導体層２１～２３それぞれに形成されている配線パターン２０、及び導体パッド４４、４５は被覆膜５に覆われている。図６の例においても、第１ビア導体４１は、コア基板３側の端面において、被粗面化導体パッドである導体パッド４５に接続されている。

つぎに、実施形態の配線基板を製造する方法が、図１の配線基板１００を例に用いて図７Ａ～図７Ｈを参照して説明される。

図７Ａに示されるように、コア基板３が形成される。例えば、コア基板３の絶縁層３２となる絶縁層と、この絶縁層の両表面にそれぞれ積層された金属箔３１ａを含む出発基板（例えば両面銅張積層板）が用意される。そして、貫通孔の形成及びパネルめっきに続くサブトラクティブ法を用いたパターニングによって、所望の導体パターンを有する導体層３１と、スルーホール導体３３が形成される。

図７Ｂに示されるように、絶縁層１ａ及び絶縁層２ａが、コア基板３の第１面３ａ上及び第２面３ｂ上にそれぞれ形成される。例えばフィルム状のエポキシ樹脂が、コア基板３の上に積層され、加熱及び加圧されることによって、絶縁層１ａ及び絶縁層２ａそれぞれが形成される。

さらに、導体層１１及び導体層２１が形成される。絶縁層１ａ及び絶縁層２ａには、それぞれ第２ビア導体４２が形成される。導体層１１、導体層２１、及び第２ビア導体４２は、例えばセミアディティブ法を用いて形成される。すなわち、絶縁層１ａ及び絶縁層２ａに貫通孔４６が形成され、貫通孔４６内、並びに、絶縁層１ａ及び絶縁層２ａの表面上に、例えば無電解めっきによって金属膜１０ｂが形成される。金属膜１０ｂの上に、適切な開口を有するめっきレジスト（図示せず）が設けられ、電解めっきによって、めっきレジストの開口内にめっき膜１０ｃが形成される。その結果、導体層１１及び導体層２１、並びに第２ビア導体４２が、それぞれ形成される。

図７Ｃに示されるように、導体層２１の表面のうちの絶縁層２ａと接していない領域が粗化される。図７Ｃは、図７ＢのVIIＣ部における、導体層２１の表面の粗化処理後の状態が示されている。図示されていないが、導体層１１の表面も導体層２１の表面と同様に粗化され得る。導体層２１の表面の粗化において、配線パターン２０の露出面は粗化されずに導体パッド４５の露出面は粗化される。そのため、図７Ｃに示されるように、導体パッド４５の表面以外の露出面を覆うレジスト膜Ｒ１が設けられる。導体層２１の露出面の粗化は、例えば、黒化処理などの表面酸化処理やマイクロエッチング処理によって行われる。導体パッド４５の露出面は、少なくとも、配線パターン２０の粗化されない表面が有する面粗度よりも高い面粗度を有するように粗化される。

図７Ｄに示されるように、導体層２１の露出面に被覆膜５が設けられる。図７Ｄは、図７Ｃと同様の部分についての被覆膜５の形成後の状態を示している。被覆膜５は、例えば、シランカップリング剤などの、有機材料及び無機材料の両方と結合し得る材料を含む液体への導体層２１の浸漬や、そのような液体の噴霧によって形成される。なお、先に参照された図７Ａに示される導体層３１の形成後、導体層３１の表面は、例えば図７Ｃに示される導体層２１の露出面の粗化と同様の方法で粗化されており、例えば図７Ｄに示される被覆膜５の形成と同様の方法で被覆膜５が設けられている。後述される導体層２２～２４それぞれの形成後にも、同様に、各導体層の表面の粗化及び被覆膜５の形成が行われる。

図７Ｅ及び図７Ｆに示されるように、絶縁層１ｂ及び絶縁層２ｂが形成される。図７Ｆには図７ＥにおけるVIIＦ部の拡大図が示されている。絶縁層１ｂ及び絶縁層２ｂは、絶縁層１ａ及び絶縁層２ａと同様に、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂の積層、並びに加熱及び加圧によって形成される。絶縁層１ｂ及び絶縁層２ｂには、例えば炭酸ガスレーザー光の照射などによって貫通孔４６が形成される。絶縁層２ｂには、絶縁層２ａが有する貫通孔４６よりも大きい幅を有する貫通孔４６が形成される。

図７Ｆに示されるように、貫通孔４６の形成によって導体パッド４５の表面Ｓ１上に形成されている被覆膜５の一部が除去される。図示されていないが、図７Ｅに示される導体層１１に含まれる導体パッド４５の表面に被覆膜５が形成されている場合は、その被覆膜５の一部は、図７Ｆに示される導体パッド４５上の被覆膜５と同様に除去される。なお、被覆膜５の除去時の被覆膜５の溶解液による導体パッド４５と絶縁層２ｂとの界面への浸透が、比較的高い面粗度に粗化されている導体パッド４５の表面Ｓ１の凹凸によって防がれる。

貫通孔４６の形成後、必要に応じてデスミア処理が行わる。デスミア処理のための処理液による、導体パッド４５と絶縁層２ｂとの界面への浸入が、導体パッド４５の粗化された表面Ｓ１の凹凸によって妨げられる。

図７Ｇに示されるように、絶縁層１ｂの上に導体層１２が形成されると共に、絶縁層１ｂを貫通する第２ビア導体４２が形成される。また、絶縁層２ｂの上に導体層２２が形成される。導体層２２の形成と共に、絶縁層２ａを貫通する第２ビア導体４２の幅よりも大きい幅を有する第１ビア導体４１が絶縁層２ｂに形成される。第１ビア導体４１は絶縁層２ｂを貫通し、導体層２１と導体層２２とを接続する。導体層１２及び導体層２２、並びに、絶縁層１ｂ及び絶縁層２ｂそれぞれを貫通する第２ビア導体４２及び第１ビア導体４１は、例えば前述した導体層１１及び絶縁層１ａを貫通する第２ビア導体４２の形成方法と同様の方法で形成される。例えばセミアディティブ法が用いられる。

図７Ｈに示されるように、さらに、絶縁層１ｃ及び絶縁層２ｃが形成され、導体層１３及び導体層２３が形成されると共に、絶縁層１ｃ及び絶縁層２ｃそれぞれを貫通する第２ビア導体４２が形成される。さらに、絶縁層１ｄ及び絶縁層２ｄが形成され、導体層１４及び導体層２４が形成されると共に、絶縁層１ｄ及び絶縁層２ｄそれぞれを貫通する第２ビア導体４２が形成される。これら各絶縁層は、前述した絶縁層１ａの形成方法と同様の方法で形成され、各絶縁層を貫通する第２ビア導体４２は、前述した絶縁層１ａを貫通する第２ビア導体４２の形成方法と同様の方法で形成され得る。また各導体層は、前述した導体層１１の形成方法と同様の方法で形成され得る。その結果、コア基板３の第１面３ａ上に第１積層体１が形成され、第２面３ｂ上に第２積層体２が形成される。また、第１積層体１を貫通する積層導体群４ａが形成され、第２積層体２を貫通する積層導体群４ｂが形成される。

配線基板１００が製造される図７Ｈの例では、開口６ａを有するソルダーレジスト６が形成されている。ソルダーレジスト６及び開口６ａは、例えば感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを含む樹脂層の形成と、適切な開口パターンを有するマスクを用いた露光及び現像とによって形成される。以上の工程を経る事によって、図１の例の配線基板１００が完成する。

なお、第２実施形態の配線基板２００が製造される場合は、絶縁層１ａ～１ｄ及び絶縁層２ａ～２ｄに、形成されるべき第１ビア導体４１、第２ビア導体４２、及び第３ビア導体４３に応じた適切な幅を有する開口４６が形成される。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。第１ビア導体４１は配線基板の積層構造上の任意の階層に存在し得る。積層導体群を構成する導体パッドのうちの一部だけが被覆膜５に覆われていてもよい。被覆膜５に覆われていない導体パッドと絶縁層との間の密着性は、粗化された表面によるアンカー効果によって確保されてもよい。第１～第３のビア導体４１～４３は、図１などの例のようなテーパー形状を有していなくてもよい。積層導体群は、第１積層体１及び第２積層体２の一方だけに形成されていてもよい。スルーホール導体３３と、積層導体群４ａ、４ｂとは、平面視で重なっていなくてもよい。また、コア基板３の第１面３ａ側は、部品実装面を含んでいなくてもよい。

１００、２００ 配線基板
１ 第１積層体
１１～１４ 導体層
１ａ～１ｄ 絶縁層
２ 第２積層体
２０ 配線パターン
２１～２４ 導体層
２ａ～２ｄ 絶縁層
３ コア基板
３ａ 第１面
３ｂ 第２面
３１ 導体層（内層導体層）
４ａ、４ｂ、４ｅ 積層導体群
４ｃ 積層導体群（第１積層導体群）
４ｄ 積層導体群（第２積層導体群）
４１ 第１ビア導体
４２ 第２ビア導体
４３ 第３ビア導体
４４、４５ 導体パッド
５ 被覆膜
Ｓ１ 導体パッドの表面
Ｓ２ 配線パターンの表面

Claims (9)

1. 第１面及び前記第１面の反対面である第２面を有していて、前記第１面及び前記第２面それぞれに形成されている内層導体層を含むコア基板と、
   前記第１面の上に形成されていて、交互に積層されている絶縁層及び導体層によって構成される第１積層体と、
   前記第２面の上に形成されていて、交互に積層されている絶縁層及び導体層によって構成される第２積層体と、
   前記第１積層体又は前記第２積層体を構成する前記絶縁層をそれぞれ貫通する複数のビア導体を含んでいて前記第１積層体又は前記第２積層体を貫通する積層導体群と、
   を備える配線基板であって、
   前記積層導体群は、さらに、前記第１積層体又は前記第２積層体を構成する前記導体層と前記絶縁層との密着性を向上させる被覆膜に覆われていて粗化されている表面を有する被粗面化導体パッドを含み、
   前記複数のビア導体は、第２ビア導体、及び前記第２ビア導体の幅よりも大きい幅を有していて前記コア基板側の端面で前記被粗面化導体パッドに接続されている第１ビア導体を含んでいる。
2. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記第１積層体又は前記第２積層体を構成していて、前記第１ビア導体の前記端面と接続されている前記被粗面化導体パッドを含む導体層は、さらに前記被覆膜に覆われている配線パターンを含み、
   前記被粗面化導体パッドの前記表面は前記配線パターンの表面よりも高い面粗度を有する。
3. 請求項１記載の配線基板であって、前記積層導体群に含まれる前記複数のビア導体のうちの前記第１ビア導体よりも前記コア基板から遠くに積層されている全てのビア導体は、前記第１ビア導体の幅以下の幅を有する。
4. 請求項３記載の配線基板であって、
   前記積層導体群は、前記複数のビア導体として、前記第２ビア導体の幅よりも大きく、且つ、前記第１ビア導体の幅よりも小さい幅を有する第３ビア導体をさらに含み、
   前記第３ビア導体は、前記第１ビア導体と前記第２ビア導体との間に位置している。
5. 請求項１記載の配線基板であって、前記積層導体群に含まれる前記複数のビア導体のうちで２番目に前記コア基板に近接しているビア導体は前記第１ビア導体である。
6. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記配線基板における前記コア基板の第１面側の表面は、前記配線基板に実装される部品が搭載される部品実装面であり、
   前記積層導体群に含まれる前記第１ビア導体は前記コア基板の第２面側に位置している。
7. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記配線基板は、前記積層導体群として、前記第１積層体を貫通する第１積層導体群と前記第２積層体を貫通する第２積層導体群とを備え、
   前記第１積層導体群及び前記第２積層導体群の両方が前記第１ビア導体を含んでいる。
8. 請求項１記載の配線基板であって、前記第１ビア導体の幅は前記第２ビア導体の幅の２倍以上、７倍以下である。
9. 請求項１記載の配線基板であって、前記積層導体群は、複数の前記第１ビア導体を含んでいる。

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