JP2022084520A - Ｏｌｅｄ発光装置、表示装置、電子機器及びｏｌｅｄ発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】素子間のクロストークによる発光品質の低下を抑制する。【解決手段】第１スタック構造発光素子は、二つの発光ユニットと、それらの間の第１電荷発生層を含む。第２スタック構造発光素子は、二つの発光ユニットと、それらの間の第２電荷発生層を含む。第１電荷発生層及び第２電荷発生層は、それぞれ、１以上の電荷発生構成層で構成される。第１電荷発生層の第１端部と第２電荷発生層の第２端部とが、素子分離層の頂面において重なっている。第１端部と第２端部とが重なっている部分において、第１電荷発生層及び第２電荷発生層それぞれの同一極性の電荷を生成する電荷発生構成層の間に、第１スタック構造発光素子又は第２スタック構造発光素子の構成層であって、上記同一極性の電荷を遮蔽する構成層の端部が介在する。【選択図】図３Ａ

Description

本開示は、ＯＬＥＤ発光装置に関する。

ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子は電流駆動型の自発光素子であるため、バックライトが不要となる上に、低消費電力、高視野角、高コントラスト比が得られるなどのメリットがあり、フラットパネルディスプレイや光源装置等の発光装置の開発において期待されている。

同一色又は異なる色のＯＬＥＤ構造を有する複数の発光ユニットをスタックする構造が知られている。同一色の発光ユニットをスタックすることで、ＯＬＥＤ発光装置の長寿命化及び高輝度化を実現することができる。また、例えば赤、青及び緑の発光ユニットをスタックすることで、白色発光素子を構成することができる。スタック構造を有する発光素子（画素）は、例えば、特許文献１又は２に開示されている。

米国特許出願公開第２０１５／０３５７３８８号 米国特許出願公開第２０１８／０１９０７３１号

スタック構造を有する発光素子は、発光ユニットの間に電荷発生層を必要とする。電荷発生層は、一方の発光ユニットに電子を供給し、他方のユニットに正孔を供給する。しかし、隣接する発光素子の間において、電荷発生層を介した電荷リークが発生する可能性がある。電荷リークによる発光素子間のクロストークは、ＯＬＥＤ発光装置の発光品質を低下させる。

本開示の一態様に係るＯＬＥＤ発光装置は、発光領域を定義する開口と、前記開口間の頂面とを含む、素子分離層と、前記開口内で露出している下部電極と、第１下部電極上に配置されている、第１スタック構造発光素子と、前記第１スタック構造発光素子に隣接し、前記第１下部電極に隣接する第２下部電極上に配置されている、第２スタック構造発光素子と、を含む。前記第１スタック構造発光素子は、前記素子分離層より上層でスタックされた第１発光ユニット及び第２発光ユニットと、前記第１発光ユニット及び前記第２発光ユニットの間の第１電荷発生層と、を含む。前記第１発光ユニット及び前記第２発光ユニットは、それぞれ発光層を含む。前記第１電荷発生層は、一方極性の電荷を前記第１発光ユニットに供給し、他方極性の電荷を前記第２発光ユニットに供給する。前記第２スタック構造発光素子は、前記素子分離層より上層でスタックされた第３発光ユニット及び第４発光ユニットと、前記第３発光ユニット及び前記第４発光ユニットの間の第２電荷発生層と、を含む。前記第３発光ユニット及び前記第４発光ユニットは、それぞれ発光層を含む。前記第２電荷発生層は、前記一方極性の電荷を前記第３発光ユニットに供給し、前記他方極性の電荷を前記第４発光ユニットに供給する。前記第１電荷発生層及び前記第２電荷発生層は、それぞれ、１以上の電荷発生構成層で構成される。前記第１電荷発生層の第１端部と前記第２電荷発生層の第２端部とが、前記素子分離層の頂面において重なっている。前記第１端部と前記第２端部とが重なっている部分において、前記第１電荷発生層及び前記第２電荷発生層それぞれの同一極性の電荷を生成する電荷発生構成層の間に、前記第１スタック構造発光素子又は前記第２スタック構造発光素子の構成層であって、前記同一極性の電荷を遮蔽する構成層の端部が介在する。

本開示の一態様に係る、ＯＬＥＤ発光装置の製造方法は、下部電極を形成し、発光領域を定義する開口と前記開口間の頂面とを含む素子分離層を、前記下部電極が前記開口それぞれから露出するように形成し、前記素子分離層上に、隣接する第１スタック構造発光素子及び第２スタック構造発光素子を形成することを含む。前記第１スタック構造発光素子は、前記第１スタック構造発光素子は、前記素子分離層より上層でスタックされた第１発光ユニット及び第２発光ユニットと、前記第１発光ユニット及び前記第２発光ユニットの間の第１電荷発生層と、を含む。前記第１発光ユニット及び前記第２発光ユニットは、それぞれ発光層を含む。前記第１電荷発生層は、一方極性の電荷を前記第１発光ユニットに供給し、他方極性の電荷を前記第２発光ユニットに供給する。前記第２スタック構造発光素子は、前記素子分離層より上層でスタックされた第３発光ユニット及び第４発光ユニットと、前記第３発光ユニット及び前記第４発光ユニットの間の第２電荷発生層と、を含む。前記第３発光ユニット及び前記第４発光ユニットは、それぞれ発光層を含む。前記第２電荷発生層は、前記一方極性の電荷を前記第３発光ユニットに供給し、前記他方極性の電荷を前記第４発光ユニットに供給する。前記第１電荷発生層及び前記第２電荷発生層は、それぞれ、１以上の電荷発生構成層で構成される。前記第１電荷発生層の第１端部と前記第２電荷発生層の第２端部とが、前記素子分離層の頂面において重なっている。前記第１端部と前記第２端部とが重なっている部分において、前記第１電荷発生層及び前記第２電荷発生層それぞれの同一極性の電荷を生成する電荷発生構成層の間に、前記第１スタック構造発光素子又は前記第２スタック構造発光素子の構成層であって、前記同一極性の電荷を遮蔽する構成層の端部が介在している。

本開示の一態様によれば、発光素子間のクロストークによる発光品質の低下を抑制できる。

ＯＬＥＤ表示装置の構成例を模式的に示す。 スタック構造発光素子アレイの一部の平面図を示す。 図２ＡにおけるＩＩＢ－ＩＩＢ切断線での断面構造を模式的に示す。 図２Ｂにおける破線の円ＩＩＣで囲まれた部分の拡大図を示す。 隣接するスタック構造発光素子の電荷発生層の異なる構成例を示す断面図である。 図３Ａにおける破線の円ＩＩＩＢで囲まれた部分の拡大図を示す。 電荷発生層生成するために使用可能なメタルマスクの開口パターンを模式的に示す。 電荷発生層生成するために使用可能なメタルマスクの開口パターンの他の例を模式的に示す。 画素定義層を形成した後の製造工程の一部のフローチャートを示す。 隣接するスタック構造発光素子の異なる構成例を示す断面図である。 図７Ａにおける破線の円ＶＩＩＢで囲まれた部分の拡大図を示す。 隣接するスタック構造発光素子の異なる構成例を示す断面図である。 図８Ａにおける破線の円ＶＩＩＩＢで囲まれた部分の拡大図を示す。 隣接するスタック構造発光素子の異なる構成例を示す断面図である。 図９Ａにおける破線の円ＩＸＢで囲まれた部分の拡大図を示す。 隣接するスタック構造発光素子の異なる構成例を示す断面図である。 スタック構造発光素子アレイの一部の平面図を示す。 図１１ＡにおけるＸＩＢ－ＸＩＢ切断線での断面構造の一部を模式的に示す。 図１１ＡにおけるＸＩＣ－ＸＩＣ切断線での断面構造の一部を模式的に示す。 隣接するスタック構造発光素子の構成例を示す断面図である。 図１２に示す赤、緑又は青の光を放出するスタック構造発光素子のレイアウト例を示す平面図である。 スタック構造発光素子の他の構造例を示す。 車両及び車載ディスプレイの構成例を模式的に示す。 スマートフォンの構成例を模式的に示す。 本明細書の実施形態に係るＯＬＥＤ発光装置を適用した生体センサの例を示す。

以下、添付図面を参照して実施形態を説明する。実施形態は本開示を実現するための一例に過ぎず、本開示の技術的範囲を限定するものではない。各図において共通の構成については同一の参照符号が付されている。説明をわかりやすくするため、図示した物の寸法、形状については、誇張して記載している場合もある。

以下において、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）発光装置を開示する。ＯＬＥＤ発光装置の代表的な一例は、ＯＬＥＤ表示装置である。本明細書の一実施形態に係るＯＬＥＤ表示装置は、それぞれＯＬＥＤ構造を有する複数の発光ユニットをスタックしたスタック構造発光素子を含む。一つのスタック構造発光素子において、スタックされた複数の発光ユニットは、同一色又は異なる色の発光層を含む。本明細書において、特に明示のない場合、画素は、画像を表示するために特定の色を放出する要素であって、例えば、赤、青、緑又は白の光を放出する。なお、赤、青、又は緑の画素を、副画素と呼ぶことがある。スタック構造発光素子は、一つの画素に対応する。

スタック構造発光素子において、電圧を印加することで電荷が発生する電荷発生層が、隣接する上下の発光ユニットの間に挟まれている。電荷発生層は、一方の発光ユニットに電子を供給し、他方のユニットに正孔を供給する。隣接するスタック構造発光素子の電荷発生層の間において電荷リークが発生すると、この微少電流が、隣接画素をわずかに発光させる（いわゆる、クロストーク）。本実施の形態では、この電荷リークを低減又は無くす、ＯＬＥＤ表示装置の構造を説明する。

本明細書の一実施形態に係るＯＬＥＤ表示装置の表示領域は、画素に対応するスタック構造発光素子を含む。スタック構造発光素子は、スタックされた複数の発光ユニットを含み、さらに、発光ユニット間に電荷発生層を含む。隣接するスタック構造発光素子の電荷発生層の端部は、画素定義層の頂面において重なっている。画素定義層は、素子分離層の例である。電荷発生層端部が重なっている部分において電荷発生層それぞれの同一極性の電荷を生成する構成層の間に、当該極性の電荷を遮蔽する構成層の端部が介在する。これにより、電荷発生層間の電荷リークを抑制できる。

［装置構成］
図１は、ＯＬＥＤ表示装置１の構成例を模式的に示す。ＯＬＥＤ表示装置１は、ＯＬＥＤ素子及び画素回路が形成されるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板１０と、有機発光素子を封止する薄膜封止構造（ＴＦＥ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）２０と、を含んで構成されている。薄膜封止構造２０は、封止構造部の一つであり、他の例として、封止構造部は、有機発光素子を封止する封止基板と、ＴＦＴ基板１０と封止基板とを接合する接合部（ガラスフリットシール部）を含むことができる。ＴＦＴ基板１０と封止基板との間には、例えば、乾燥窒素が封入される。

ＴＦＴ基板１０の表示領域２５の外側のカソード電極形成領域１４の周囲に、走査ドライバ３１、エミッションドライバ３２、保護回路３３、ドライバＩＣ３４、デマルチプレクサ３６が配置されている。ドライバＩＣ３４は、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）３５を介して外部の機器と接続される。走査ドライバ３１、エミッションドライバ３２、保護回路３３は、ＴＦＴ基板１０に形成された周辺回路である。

走査ドライバ３１はＴＦＴ基板１０の走査線を駆動する。エミッションドライバ３２は、エミッション制御線を駆動して、各画素の発光期間を制御する。ドライバＩＣ３４は、例えば、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）を用いて実装される。

保護回路３３は、画素回路内の素子の静電破壊を防ぐ。ドライバＩＣ３４は、走査ドライバ３１及びエミッションドライバ３２に電源及びタイミング信号（制御信号）を与える。さらに、ドライバＩＣ３４は、デマルチプレクサ３６に、電源及びデータ信号を与える。

デマルチプレクサ３６は、ドライバＩＣ３４の一つのピンの出力を、ｄ本（ｄは２以上の整数）のデータ線に順次出力する。デマルチプレクサ３６は、ドライバＩＣ３４からのデータ信号の出力先データ線を、走査期間内にｄ回切り替えることで、ドライバＩＣ３４の出力ピン数のｄ倍のデータ線を駆動する。

［スタック構造発光素子の構成］
図２Ａは、スタック構造発光素子アレイの一部の平面図を示す。図２Ａは、表示領域２５における、複数のスタック構造発光素子のレイアウト例を示す。図２Ａの構成例において、各スタック構造発光素子は、白の光を放出する。例えば、不図示のカラーフィルタがスタック構造発光素子の前側に形成され、各画素は、赤、青又は緑の光を放出することができる。他の構成例において、各スタック構造発光素子が、赤、青又は緑の光を放出してもよい。赤、青、及び緑画素により、映像フレームにおける一つの画素の情報を表示する。

図２Ａにおいて、スタック構造発光素子の発光領域２５１は角の丸い長方形であって、それらはマトリックス状に配置されている。図２Ａにおけるスタック構造発光素子の発光領域のうち、一つの発光領域のみが、例として符号２５１で指示されている。なお、スタック構造発光素子の発光領域の形状及びレイアウトは任意である。

それぞれの発光領域２５１は、絶縁性の画素定義層２５３で囲まれている。画素定義層２５３は、画素（発光領域２５１）それぞれを画定する。発光領域２５１は、画素定義層２５３の開口２５４内に形成されている。図２Ａにおいては、一つの開口が、例として符号２５４で指示されている。開口２５４の間の領域は、画素定義層２５３の頂面である。

後述するように、発光領域２５１は、開口２５４の底において露出しているアノード電極の領域である。図２Ａの例において、画素定義層２５３の開口を画定する壁面はテーパ形状を有しており、開口面積は底に向かって減少している。

図２Ｂは、図２ＡにおけるＩＩＢ－ＩＩＢ切断線での断面構造を模式的に示す。図２Ｂは、任意の隣接するスタック構造発光素子２１０Ａ及びスタック構造発光素子２１０Ｂの積層構造を示す。スタック構造発光素子２１０Ａ、２１０Ｂは、それぞれ、画素定義層２５３の開口２５４から露出するアノード電極上に配置されている。スタック構造発光素子２１０Ａ、２１０Ｂは、それぞれ、スタックされた複数の発光ユニット及び発光ユニット間の電荷発生層を含んで構成されている。

図２Ｂに示す例において、スタック構造発光素子２１０Ａ、２１０Ｂそれぞれのスタックされた発光ユニットは、二つの発光ユニットで構成されている。上側発光ユニット２８０が、下側発光ユニット２７０の上にスタックされている。図２Ｂにおいて、一つの上側発光ユニット及び一つの下側発光ユニットが例として符号で指示されている。下側発光ユニット２７０及び上側発光ユニット２８０は、異なる色、例えば青の光と黄緑の光を放出してもよい。下側発光ユニット２７０及び上側発光ユニット２８０は、それぞれ、同一の白の光を放出してもよい。

上側発光ユニット２８０と下側発光ユニット２７０との間には、電荷発生層が存在する。スタック構造発光素子２１０Ａ、２１０Ｂの電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂは、それぞれ、上側発光ユニット２８０と下側発光ユニット２７０と界面を形成する。電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂは、二つの構成層（電荷発生構成層）で構成されている。電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂの構成の詳細は後述する。

スタック構造発光素子２１０Ａは第１スタック構造発光素子の例である。その下側発光ユニット２７０、電荷発生層２９１Ａ及びその上側発光ユニット２８０は、それぞれ、第１発光ユニット、第１電荷発生層、及び第２発光ユニットの例である。スタック構造発光素子２１０Ｂは第２スタック構造発光素子の例である。その下側発光ユニット２７０、電荷発生層２９１Ｂ及びその上側発光ユニット２８０は、それぞれ、第３発光ユニット、第２電荷発生層、及び第４発光ユニットの例である。

図２Ｂに示すように、ＯＬＥＤ表示装置１は、絶縁基板上に配置された、ＴＦＴ回路層（ＴＦＴアレイ）２６０と、複数の分離した下部電極、例えば、アノード電極２６１とを含む。アノード電極２６１は、発光ユニットからの光を反射する。ＯＬＥＤ表示装置１は、さらに、上部電極、例えば、カソード電極２６２を含む。カソード電極２６２は、発光ユニットからの光を透過させる。例えば、各画素のカソード電極２６２は、一つの電極膜の一部である。なお、アノード電極とカソード電極の位置関係が逆でもよい。この構成においては、各層の極性は逆となる。

絶縁基板は、例えばガラス又は樹脂で形成されており、不撓性又は可撓性基板である。絶縁基板に近い側を下側、遠い側を上側と記す。カソード電極２６２とアノード電極２６１との間に、各スタック構造発光素子が配置されている。複数のアノード電極２６１は、ＴＦＴ回路層２６０の面上（例えば、平坦化膜上）に配置され、１つのアノード電極２６１の上に１つのスタック構造発光素子が配置されている。

カソード電極２６２は、有機発光層からの可視光の一部又は全てを封止構造部に向けて透過させる透明電極（半透明を含む）である。画素それぞれのカソード電極２６２は、連続するシート状導電膜の異なる一部である。なお、カソード電極２６２の上には、不図示のキャップ層が形成されてもよい。

ＴＦＴ回路層２６０は、それぞれが複数のＴＦＴを含む複数の画素回路を含む。画素回路の各々は、絶縁基板とアノード電極２６１との間に形成され、アノード電極２６１の各々に供給する電流を制御する。アノード電極２６１は、不図示の平坦化膜のコンタクトホールに形成されたコンタクト部によって画素回路に接続される。任意構成の画素回路を使用することができる。画素回路の一例は、例えば、画素選択スイッチＴＦＴ、ＯＬＥＤ素子の駆動ＴＦＴ、ＯＬＥＤ素子への駆動電流の供給と停止を制御するスイッチＴＦＴ、及び、保持容量を含む。

画素定義層２５３は、アノード電極２６１それぞれの周辺部を覆うように形成されている。アノード電極２６１の中心を含む一部は、画素定義層２５３の開口２５４内に存在している（開口２５４において露出している）。アノード電極２６１の開口２５４内の領域が、発光領域２５１に対応する。アノード電極２６１の開口２５４内の領域上に、スタック構造発光素子が積層されている。

下側発光ユニット２７０は、正孔輸送層２７１、発光層２７２及び電子輸送層２７３を含む。正孔輸送層２７１、発光層２７２及び電子輸送層２７３は、この順に、下から積層されている。図２Ｂの構成例において、正孔輸送層２７１は、アノード電極２６１と接触して、界面を形成する。本例において、発光層２７２は、青く発光する。これら層は、適切な任意の材料で形成してよい。

図２Ｂの構成例において、正孔輸送層２７１、発光層２７２及び電子輸送層２７３は、それぞれ、複数の下側発光ユニット２７０の当該層を含む連続した膜の一部である。正孔輸送層２７１及び／又は電子輸送層２７３は省略されてもよい。下側発光ユニット２７０は、他の積層構造を有することができる。他の機能層、例えば、正孔注入層がアノード電極２６１と正孔輸送層２７１との間に積層されていてもよい。

上側発光ユニット２８０は、正孔輸送層２８１、発光層２８２及び電子輸送層２８３を含む。正孔輸送層２８１、発光層２８２及び電子輸送層２８３は、この順に、下から積層されている。図２Ｂの構成例において、電子輸送層２８３は、カソード電極２６２と接触して界面を形成する。本例において、発光層２８２は、黄緑に発光する。これら層は、適切な任意の材料で形成してよい。

図２Ｂの構成例において、正孔輸送層２８１、発光層２８２及び電子輸送層２８３は、それぞれ、複数の上側発光ユニット２８０の当該層を含む連続した膜の一部である。正孔輸送層２８１及び／又は電子輸送層２８３は省略されてもよい。上側発光ユニット２８０は、他の積層構造を有することができる。他の機能層、例えば、電子注入層がカソード電極２６２と電子輸送層２８３との間に積層されていてもよい。

電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂは、それぞれ、下側発光ユニット２７０及び上側発光ユニット２８０の間に積層されている。電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂは、下側発光ユニット２７０の電子輸送層２７３及び上側発光ユニット２８０の正孔輸送層２８１と接触して、界面を形成する。

後述するように、電荷発生層は、単一構成層又は複数構成層で構成することができる。電荷発生層の構成層は、電子のみ生成する電子発生層、正孔のみ生成する正孔発生層、又は電子及び正孔を生成する電子正孔発生層である。これら構成層それぞれに使用することができる様々な材料が知られておい、いずれの材料を使用してもよい。例えば、Ｖ_２Ｏ_５Ｒｅ_２Ｏ_７、ＩＴＯのような無機化合物や、有機化合物を使用することができる。異なる色の発光ユニットの正孔輸送層又は正孔注入層の厚みは、異なっていてもよい。

画素定義層２５３は、アノード電極２６１と下側発光ユニット２７０の正孔輸送層２７１との間の層である。画素定義層２５３は、スタック構造発光素子の発光領域２５１が形成される開口２５４内の側面と、開口２５４間の頂面２５６を含む。図２Ｂの例において、頂面２５６はフラットである。

図２Ｂに示すように、電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂは、分離されている。より具体的には、電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂは、画素定義層２５３の対応する開口２５４を覆い、それぞれの端部が、画素定義層２５３の頂面２５６上に存在する。それら端部は、面内方向（基板の主面内の方向）において離れている。つまり、電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂの端部の間には、面内方向において間隙が存在する。その間隙は、正孔輸送層２８１の材料で埋められている。

図２Ｃは、図２Ｂにおける破線の円ＩＩＣで囲まれた部分の拡大図を示す。電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂは、それぞれ、複数層で形成されている。具体的には、それらは二層構造を有し、下側の電子発生層２９３及び上側の正孔発生層２９５を含む。

電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂは同一構造を有しており、それぞれの電子発生層２９３及び正孔発生層２９５の材料は同一である。図２Ｃにおいては、電荷発生層２９１Ｂの電子発生層及び正孔発生層が、それぞれ、例として符号２９３及び２９５で指示されている。電子発生層２９３は下側発光ユニット２７０に電子を与え、正孔発生層２９５は、上側発光ユニット２８０に正孔を与える。

電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂは、それぞれ、その周囲を囲む画素定義層２５３の頂面２５６の一部を覆うように形成されている。電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂは頂面２５６の一部上のみに形成され、電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂの端は、画素定義層２５３の頂面２５６上に存在している。電子発生層２９３は、正孔発生層２９５に覆われている。電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂの端は面内方向において離れており、それら間に間隙が存在する。

このように、電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂが分離されていることで、これらの間のリーク電流を抑制することができる。また、電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂの端が画素定義層２５３の頂面２５６上に存在するため、スタック構造発光素子の上下の発光ユニットに対してより適切に電荷を供給することができる。

電荷発生層２９１Ａの端部及び電荷発生層２９１Ｂの端部は、画素定義層２５３の頂面２５６上でテーパ形状を有している。電子発生層２９３及び正孔発生層２９５の端部は、テーパ形状を有している。電荷発生層がテーパを持つことで、成膜のアライメントズレにより膜が重なった場合でも膜厚が薄いので、リークパスを遮断することができる。

図２Ａ、２Ｂに示す構成例において、隣接するスタック構造発光素子は、下側及び上側発光ユニットそれぞれにおいて同一色の発光層を含み、隣接する下側及び上側発光ユニットの発光層は連続している。下側及び上側発光ユニットの発光層の色は異なる。他の構成例において、隣接するスタック構造発光素子は、異なる色の発光層を含むことができる。例えば、一方のスタック構造発光素子は赤、青又は緑の光を放出し、他方のスタック構造発光素子は、それらの色の内の異なる色の光を放出する。この構成において、隣接する下側及び上側発光ユニットの異なる色の発光層は、図２Ａ及び２Ｂに示す電荷発生層のように、面内方向において分離される。

図３Ａは、隣接するスタック構造発光素子２１０Ａ、２１０Ｂの電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂの異なる構成例を示す断面図である。以下において、図２Ｂに示す構成例との差異を主に説明する。図３Ａに示す構成例において、電荷発生層２９１Ａの端部と電荷発生層２９１Ｂの端部は、画素定義層２５３の頂面２５６上において重なっている。この構成により、隣接するスタック構造発光素子を分離するための空隙を形成する必要がないため、よりＯＬＥＤ表示装置の高精細化を促進することができる。

図３Ｂは、図３Ａにおける破線の円ＩＩＩＢで囲まれた部分の拡大図を示す。電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂは、それぞれ、二層構造を有する。電荷発生層２９１Ａは、下側の電子発生層２９３Ａ及び上側の正孔発生層２９５Ａで構成されている。電荷発生層２９１Ｂは、下側の電子発生層２９３Ｂ及び上側の正孔発生層２９５Ｂで構成されている。

電荷発生層２９１Ａの端部の上に、電荷発生層２９１Ｂの端部が積層されている。具体的には、電子発生層２９３Ｂの端部が、電荷発生層２９１Ａの正孔発生層２９５Ａの端部の上に積層されている。これらは接触して界面を形成している。これら端部の積層構造は、下側から、電子発生層２９３Ａ、正孔発生層２９５Ａ、電子発生層２９３Ｂ及び正孔発生層２９５Ｂの順で積層され、これらの層で構成されている。

電荷発生層２９１Ａの端部及び電荷発生層２９１Ｂの端部は、画素定義層２５３の頂面２５６上でテーパ形状を有している。電子発生層２９３Ａ及び正孔発生層２９５Ａの端部は、テーパ形状を有している。電子発生層２９３Ｂ及び正孔発生層２９５Ｂの端部は、テーパ形状を有している。電荷発生層がテーパを持つことで、リークパスを遮断することができる。

電荷発生層２９１Ａの電子発生層２９３Ａと電荷発生層２９１Ｂの電子発生層２９３Ｂとの間には、正孔発生層２９５Ａが存在している。正孔発生層２９５Ａは、電子発生層２９３Ａ及び電子発生層２９３Ｂそれぞれと接触して界面を形成する。電子発生層２９３Ａと電子発生層２９３Ｂとは直接接触することなく、正孔発生層２９５Ａによって隔てられている。

電荷発生層２９１Ａの正孔発生層２９５Ａと電荷発生層２９１Ｂの正孔発生層２９５Ｂとの間には、電子発生層２９３Ｂが存在している。電子発生層２９３Ｂは、正孔発生層２９５Ａ及び正孔発生層２９５Ｂそれぞれと接触して界面を形成する。正孔発生層２９５Ａと正孔発生層２９５Ｂとは直接接触することなく、電子発生層２９３Ｂによって隔てられている。

電子発生層２９３Ａ、２９３Ｂは、電子を供給輸送し、正孔を流すことなく遮蔽する。一方、正孔発生層２９５Ａ、２９５Ｂは、正孔を供給輸送し、電子を流すことなく遮蔽する。つまり、電子発生層２９３Ａ、２９３Ｂは、二つの極性の電荷のうち電子のみを流し、正孔発生層２９５Ａ、２９５Ｂは、二つの極性の電荷のうち正孔のみを流す。

上述のように、隣接する電荷発生層の端部が重なっている部分において、電荷発生層２９１Ａ及び電荷発生層２９１Ｂそれぞれの一方極性の電荷を生成する電荷発生構成層の間に、電荷発生層２９１Ａ又は２９１Ｂの構成層であって、他方極性の電荷のみを生成し、上記一方極性の電荷を遮蔽する構成層の端部が介在している。これにより、電荷発生層間の電荷リークを効果的に抑制することができる。

［メタルマスクを使用した成膜方法］
図２Ａから３Ｂを参照して説明した構成を有する電荷発生層は、例えば、所定の開口パターンを有するメタルマスクを使用した蒸着により形成することができる。材料の蒸着は、材料を収容する蒸着源を移動しながら、蒸着源内の材料を加熱する。加熱された材料が気化して、蒸着源の噴出口から外部に噴出する。噴出した材料は、蒸着源とターゲット基板との間にアライメントされているメタルマスクの開口を通過して、ターゲット基板における所定の箇所に蒸着されて製膜される。

図４は、電荷発生層生成するために使用可能なメタルマスクの開口パターンを模式的に示す。図４は、一つのメタルマスクが二つの異なる位置に位置合わせされた状態における、二つの開口パターンを示す。

破線の角の丸い長方形３０１は、第１の位置に位置合わせされたメタルマスクの開口パターンを模式的に示す。図４において、一つの破線の角の丸い長方形が、例として符号３０１で指示されている。点線の角の丸い長方形３０３は、第１の位置と異なる第２の位置に位置合わせされたメタルマスクの開口パターンを模式的に示す。図４において、一つの点線の角の丸い長方形が、例として符号３０３で指示されている。

図４に示すメタルマスクは、電荷発生層の一つの構成層、例えば、正孔発生層又は電子発生層の蒸着に使用される。各構成層は、異なるチャンバにおいて、以下に説明する方法で蒸着により形成することができる。

本明細書の一実施形態は、一つのメタルマスクを異なる位置に順次位置合わせし、蒸着による二回の成膜によって、電荷発生層の各構成層を形成する。これにより、二つのチャンバを用意することなく、図３Ａに示す構造を有する電荷発生層の電子発生層及び正孔発生層の各層を形成することができる。

図４に示す構成例において、メタルマスクの開口は、千鳥配列でレイアウトされている。つまり、開口パターンは、Ｘ軸に沿って（図４における左右方向において）並ぶ開口からなる開口行が、Ｙ軸に沿って（図４における上下方向において）配列されている。隣接する開口行の一方の開口の重心は、他方の重心とＹ軸に沿って半ピッチずれている。

電荷発生層の構成層の形成は、例えば、第１の位置にメタルマスクを位置合わせした状態で材料を蒸着し、その後、メタルマスクをずらして第２の位置に位置合わせし、同一の材料を蒸着する。

図４に示す例において、Ｘ軸にそって、開口３０１と開口３０２が交互に配列されており、Ｙ軸にそって開口３０１と開口３０２が交互に配列されている。Ｘ軸に沿って隣接する開口３０１と開口３０３とは、部分的に重なっている。一方、Ｙ軸に沿って隣接する開口３０１と開口３０３とは、離間しており、重なっている部分が存在しない。そのため、Ｘ軸に沿って隣接するスタック構造発光素子の電荷発生層の端部は積層され、Ｙ軸に沿って隣接するスタック構造発光素子の電荷発生層の端部は、離れている。

例えば、図４におけるＡ－Ａ切断線に示す部分の断面構造は、図３Ａに示す断面構造を有する。一方、図４におけるＢ－Ｂ切断線に示す部分の断面構造は、図２Ｂに示す断面構造を有する。

図５は、電荷発生層生成するために使用可能なメタルマスクの開口パターンの他の例を模式的に示す。図５は、一つのメタルマスクが二つの異なる位置に位置合わせされた状態における、二つの開口パターンを示す。

破線の角の丸い長方形３０５は、第１の位置に位置合わせされたメタルマスクの開口パターンを模式的に示す。図５において、一つの破線の角の丸い長方形が、例として符号３０５で指示されている。点線の角の丸い長方形３０７は、第１の位置と異なる第２の位置に位置合わせされたメタルマスクの開口パターンを模式的に示す。図５において、一つの点線の角の丸い長方形が、例として符号３０７で指示されている。

図５に示すメタルマスクの開口パターンは、図４の構成例と同様に、千鳥配列である。図５に示す例において、Ｘ軸にそって、開口３０５と開口３０７が交互に配列されており、Ｙ軸にそって開口３０５と開口３０７が交互に配列されている。

Ｘ軸に沿って隣接する開口３０５と開口３０７のペアの一部において、開口が部分的に重なっている。Ｘ軸に沿って隣接する開口３０５と開口３０７のペアの他の一部において、開口が離間しており、重なっている部分が存在しない。また、Ｙ軸に沿って隣接する開口３０５と開口３０７のペアの一部において、開口が部分的に重なっている。Ｙ軸に沿って隣接する開口３０５と開口３０７のペアの他の一部において、開口が離間しており、重なっている部分が存在しない。

このように、電荷発生層の端部が積層されているスタック構造発光素子ペアと、電荷発生層の端部が離れているスタック構造発光素子ペアが存在する。図５の構成例において、各開口３０５は、Ｘ軸に沿って隣接する一方（左）の開口３０７と部分的に重なり、他方（右）の開口３０７から離れている。また、各開口３０５は、Ｙ軸に沿って隣接する一方（上）の開口３０７と部分的に重なり、他方（下）の開口３０７から離れている。

例えば、図５におけるＣ－Ｃ切断線及びＥ－Ｅ切断線に示す部分の断面構造は、図３Ａに示す断面構造を有する。図５におけるＤ－Ｄ切断線及びＦ－Ｆ切断線に示す部分の断面構造は、図２Ｂに示す断面構造を有する。

図４及び５を参照して説明したように、隣接するスタック構造発光素子の電荷発生層は、方向によって、異なる構造を有していてもよい。他の構成例において、各スタック構造発光素子の電荷発生層の端部は、Ｘ軸及びＹ軸に沿って隣接する全てのスタック構造発光素子の電荷発生層の端部から離れていてもよく、又は、重っていてもよい。

［ＯＬＥＤ表示装置の製造方法］
ＯＬＥＤ表示装置１の製造方法の一例を説明する。以下の説明において、同一工程で（同時に）形成される要素は、同一層の要素である。ＯＬＥＤ表示装置１の製造は、まず、絶縁基板上に、ＴＦＴ回路層２６０を形成する。ＴＦＴ回路層２６０の形成は、公知の技術を利用することができ、詳細な説明を省略する。

次に、ＴＦＴ回路層２６０上にアノード電極を形成する。例えば、スパッタを使用して、コンタクトホールを形成した平坦化膜上に、アノード電極２６１を形成する。アノード電極２６１の層構成及び材料は任意である。例えば、金属材料の蒸着又はスパッタにより形成することができる。アノード電極２６１は、コンタクト部を介して、ＴＦＴ回路層２６０内の画素回路に接続される。

次に、スピンコート法等によって、例えば感光性の有機樹脂膜を堆積し、パターニングを行って画素定義層２５３を形成する。パターニングにより画素定義層２５３には開口２５４が形成され、各画素のアノード電極２６１が、形成された開口２５４で露出する。画素定義層２５３により、発光領域が分離される。

画素定義層２５３を形成した後の製造工程の一部を、図６のフローチャートを参照して説明する。画素定義層２５３を形成した表示領域全面に、正孔輸送層２７１、発光層２７２、電子輸送層２７３を、順に形成する（Ｓ１０１）。これら層の形成は、例えば蒸着法を使用することができる。

次に、電子発生層２９３Ａ及び２９３Ｂのパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、電子発生層の材料を基板に付着して、電子発生層２９３Ａを形成する（Ｓ１０２）。図４又は５を参照して説明した方法により、電子発生層２９３Ａが形成される。

次に、正孔発生層２９５Ａ及び２９５Ｂのパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、正孔発生層の材料を基板に付着して、正孔発生層２９５Ａを形成する（Ｓ１０３）。図４又は５を参照して説明した方法により、正孔発生層２９５Ａが形成される。

次に、電子発生層２９３Ａ及び２９３Ｂのパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、電子発生層の材料を基板に付着して、電子発生層２９３Ｂを形成する（Ｓ１０４）。図４又は５を参照して説明した方法により、電子発生層２９３Ｂが形成される。

次に、正孔発生層２９５Ａ及び２９５Ｂのパターンに対応したメタルマスクを介した蒸着により、正孔発生層の材料を基板に付着して、正孔発生層２９５Ｂを形成する（Ｓ１０５）。図４又は５を参照して説明した方法により、正孔発生層２９５Ｂが形成される。

次に、表示領域全面に、正孔輸送層２８１、発光層２８２、電子輸送層２８３を、順に形成する（Ｓ１０６）。これら層の形成は、例えば蒸着法を使用することができる。次に、カソード電極２６２のための金属材料を付着する（Ｓ１０７）。カソード電極２６２は、表示領域の全域に成膜する。カソード電極２６２の層構成及び材料は任意である。例えば、金属材料の蒸着又はスパッタにより形成することができる。カソード電極２６２を形成した後、カラーフィルタ層及び封止構造部が形成される。

上記製造方法は一例であって、他の製造方法によってＯＬＥＤ表示装置を製造することができる。例えば、ＯＬＥＤ表示装置が、赤、青、及び緑のスタック構造発光素子により画像を表示する場合、これらの色の発光層は、対応するメタルマスクを使用した蒸着法により形成することができる。この構成において、カラーフィルタは省略される。

［スタック構造発光素子の他の構成例］
以下において、スタック構造発光素子の他の構成例を説明する。主に図３Ａを参照して説明した構成例との相違点を説明する。図７Ａは、隣接するスタック構造発光素子２１０Ａ、２１０Ｂの異なる構成例を示す断面図である。図７Ｂは、図７Ａにおける破線の円ＶＩＩＢで囲まれた部分の拡大図を示す。

図７Ａに示す構成例は、図３Ａに示す電荷発生層２９１Ａ及び２９１Ｂに代えて、電荷発生層３５１Ａ及び３５１Ｂを含む。電荷発生層３５１Ａの端部と電荷発生層３５１Ｂの端部は、画素定義層２５３の頂面２５６上において重なっている。この構成により、よりＯＬＥＤ表示装置の高精細化を促進することができる。

電荷発生層３５１Ａ、３５１Ｂは、それぞれ、二層構造を有し、二つの構成層で構成されている。具体的には。電荷発生層３５１Ａは、下側の電子正孔発生層３５３Ａ及び上側の正孔発生層３５５Ａで構成されている。同様に、電荷発生層３５１Ｂは、下側の電子正孔発生層３５３Ｂ及び上側の正孔発生層３５５Ｂで構成されている。電子正孔発生層３５３Ａ、３５３Ｂは、例えばアルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属化合物で形成され、電子及び正孔のいずれの電荷（キャリア）も供給輸送可能である。正孔発生層３５５Ａ、３５５Ｂは、正孔のみ供給輸送可能である。

図７Ｂに示すように、電荷発生層３５１Ａの端部の上に、電荷発生層３５１Ｂの端部が積層されている。電荷発生層３５１Ａの端部は、スタック構造発光素子２１０Ａの下側発光ユニットの電子輸送層２７３Ａの端部上に積層されている。電荷発生層３５１Ａの端部及び電荷発生層３５１Ｂの端部は、画素定義層２５３の頂面２５６上でテーパ形状を有している。電子正孔発生層３５３Ａ及び正孔発生層３５５Ａの端部は、テーパ形状を有している。電子正孔発生層３５３Ｂ及び正孔発生層３５５Ｂの端部は、テーパ形状を有している。電荷発生層がテーパを持つことで、リークパスを遮断することができる。

電荷発生層３５１Ａの端部と電荷発生層３５１Ｂの端部との間に、スタック構造発光素子２１０Ｂの下側発光ユニットの電子輸送層２７３Ｂの端部が介在している。電荷発生層３５１Ｂの端部は、電子輸送層２７３Ｂの端部を介して、電荷発生層３５１Ａの端部の上に積層されている。電子輸送層２７３Ｂの端部は、電荷発生層３５１Ａ、３５１Ｂそれぞれの端部と接触して界面を形成する。

電荷発生層端部の積層構造は、下側から、電子正孔発生層３５３Ａ、正孔発生層３５５Ａ、電子輸送層２７３Ｂ、電子正孔発生層３５３Ｂ及び正孔発生層３５５Ｂの順で積層され、これらの層で構成されている。

電荷発生層３５１Ａの正孔発生層３５５Ａと電荷発生層３５１Ｂの電子正孔発生層３５３Ｂとの間には、電子輸送層２７３Ｂが存在している。電子輸送層２７３Ｂは、正孔発生層３５５Ａ及び電子正孔発生層３５３Ｂそれぞれと接触して界面を形成する。正孔発生層３５５Ａと電子正孔発生層３５３Ｂとは直接接触することなく、電子輸送層２７３Ｂによって隔てられている。

電子輸送層２７３Ｂは、電子を流し、正孔を流すことなく遮蔽する。したがって、電子輸送層２７３Ｂは、電子正孔発生層３５３Ｂと正孔発生層３５５Ａとの間の正孔の流れを遮蔽することができる。

電子輸送層２７３Ｂと電荷発生層３５１Ａの電子正孔発生層３５３Ａとの間には、電荷発生層３５１Ａの正孔発生層３５５Ａが存在している。正孔発生層３５５Ａは、電子正孔発生層３５３Ａ及び電子輸送層２７３Ｂそれぞれと接触して界面を形成する。電子輸送層２７３Ｂと電子正孔発生層３５３Ａとは直接接触することなく、正孔発生層３５５Ａによって隔てられている。したがって、電荷発生層３５１Ａの電子正孔発生層３５３Ａと電荷発生層３５１Ｂの電子正孔発生層３５３Ｂとは、直接接触することなく、電子輸送層２７３Ｂ及び正孔発生層３５５Ａによって隔てられている。

電子輸送層２７３Ｂは、電子を流し、正孔を流すことなく遮蔽する。また、正孔発生層３５５Ａは、電子の流れを遮蔽する。これら層は、電子正孔発生層３５３Ｂと電子正孔発生層３５３Ａとの間の電子及び正孔の流れを遮蔽できる。

電荷発生層３５１Ａの正孔発生層３５５Ａと電荷発生層３５１Ｂの正孔発生層３５５Ｂとの間には、電子輸送層２７３Ｂが存在している。電子輸送層２７３Ｂは、正孔発生層３５５Ａ及び電子正孔発生層３５３Ｂそれぞれと接触して界面を形成する。正孔発生層３５５Ａと電子正孔発生層３５３Ｂとは直接接触することなく、電子輸送層２７３Ｂによって隔てられている。電子輸送層２７３Ｂは、正孔発生層３５５Ａと正孔発生層３５５Ｂと間の正孔の流れを遮蔽することができる。

図７Ａ、７Ｂを参照して説明したように、電荷発生層３５１Ａ及び電荷発生層３５１Ｂそれぞれの正孔を生成する電荷発生構成層３５５Ａ、３５３Ｂの間に、正孔を遮蔽する電子輸送層２７３Ｂの端部が介在する。電子輸送層２７３Ｂは、スタック構造発光素子２１０Ｂの発光ユニットの構成層である。また、図７Ａ、７Ｂを参照して説明したように、電子正孔発生層３５３Ａ、３５３Ｂは、正孔及び電子を生成する。電子正孔発生層３５３Ａ、３５３Ｂの間に、正孔を遮蔽する電子輸送層２７３Ｂの端部に加えて、電子を遮蔽する正孔発生層３５５Ａの端部が介在する。

上述のように、図７Ａ及び７Ｂに示す構成例は、隣接する電荷発生層の端部の積層部における電荷リークを効果的に抑制することができる。

図７Ａ及び７Ｂに示す積層構造の形成は、下側発光ユニットの電子輸送層及び電荷発生層を塗り分け被覆することで形成できる。例えば、電荷発生層の形成で説明した様に、位置合わせ機能を使用してメタルマスクを異なる二つの位置に位置合わせして成膜を行うことで、電子輸送層２７３Ａ及び２７３Ｂの成膜を行う。電子輸送層２７３Ａ、電荷発生層３５１Ａ、電子輸送層２７３Ｂ及び電荷発生層３５１Ｂの順で形成される。共通メタルマスクの位置合わせにより、効率的にＯＬＥＤ表示装置を製造できる。

図８Ａは、隣接するスタック構造発光素子２１０Ａ、２１０Ｂの異なる構成例を示す断面図である。図８Ｂは、図８Ａにおける破線の円ＶＩＩＩＢで囲まれた部分の拡大図を示す。

図８Ａに示す構成例は、図３Ａに示す電荷発生層２９１Ａ及び２９１Ｂに代えて、電荷発生層３７１Ａ及び３７１Ｂを含む。電荷発生層３７１Ａの端部と電荷発生層３７１Ｂの端部は、画素定義層２５３の頂面２５６上において重なっている。この構成により、よりＯＬＥＤ表示装置の高精細化を促進することができる。

電荷発生層３７１Ａ、３７１Ｂは、それぞれ、単層構造を有し、単一構成層で構成されている。電荷発生層３７１Ａ、３７１Ｂは、電子及び正孔の双方の極性の電荷を供給輸送可能である。電荷発生層３７１Ａ、３７１Ｂは、例えば、ＩＴＯ、Ｖ_２Ｏ_５などで形成することができる。

図８Ｂに示すように、電荷発生層３７１Ａの端部の上に、電荷発生層３７１Ｂの端部が積層されている。電荷発生層３７１Ａの端部は、スタック構造発光素子２１０Ａの下側発光ユニットの電子輸送層２７３Ａの端部上に積層されている。電荷発生層３７１Ａの端部及び３７１Ｂの端部は、画素定義層２５３の頂面２５６上でテーパ形状を有している。電荷発生層がテーパを持つことで、リークパスを遮断することができる。

電荷発生層３７１Ａの端部と電荷発生層３７１Ｂの端部との間に、スタック構造発光素子２１０Ａの上側発光ユニットの正孔輸送層２８１Ａの端部、及び、スタック構造発光素子２１０Ｂの下側発光ユニットの電子輸送層２７３Ｂの端部が、介在している。電荷発生層３７１Ｂの端部は、正孔輸送層２８１Ａの端部及び電子輸送層２７３Ｂの端部を介して、電荷発生層３７１Ａの端部の上に積層されている。

正孔輸送層２８１Ａの端部は、電荷発生層３７１Ａ及び電子輸送層２７３Ｂそれぞれの端部と接触して界面を形成する。電子輸送層２７３Ｂの端部は、正孔輸送層２８１Ａ及び電荷発生層３７１Ｂそれぞれの端部と接触して界面を形成する。

電荷発生層端部の積層構造は、下側から、電荷発生層３７１Ａ、正孔輸送層２８１Ａ、電子輸送層２７３Ｂ、電荷発生層３７１Ｂの順で積層され、これらの層で構成されている。

電荷発生層３７１Ａと電荷発生層３７１Ｂとの間には、正孔輸送層２８１Ａ及び電子輸送層２７３Ｂが存在している。電荷発生層３７１Ａと電子輸送層２７３Ｂとは、直接接触することなく、正孔輸送層２８１Ａによって隔てられている。正孔輸送層２８１Ａと電荷発生層３７１Ｂとは、直接接触することなく、電子輸送層２７３Ｂによって隔てられている。つまり、電荷発生層３７１Ａと電荷発生層３７１Ｂとは、直接接触することなく、正孔輸送層２８１Ａ及び電子輸送層２７３Ｂの積層によって隔てられている。

正孔輸送層２８１Ａは、正孔を流し、電子を流すことなく遮蔽する。電子輸送層２７３Ｂは、電子を流し、正孔を流すことなく遮蔽する。したがって、正孔輸送層２８１Ａ及び電子輸送層２７３Ｂの積層は、電荷発生層３７１Ａと電荷発生層３７１Ｂとの間の正孔及び電子の流れを遮蔽することができる。

図８Ａ、８Ｂを参照して説明したように、正孔を生成する電荷発生層３７１Ａ及び電荷発生層３７１Ｂの間に、正孔を遮蔽する電子輸送層２７３Ｂの端部が存在する。あるいは、電子を生成する電荷発生層３７１Ａ及び電荷発生層３７１Ｂの間に、電子を遮蔽する正孔輸送層２８１Ａの端部が存在する。また、図８Ａ、８Ｂを参照して説明したように、電荷発生層３７１Ａ及び電荷発生層３７１Ｂは、電子及び正孔を生成する。電荷発生層３７１Ａ及び電荷発生層３７１Ｂに間には、正孔を遮蔽する電子輸送層２７３Ｂの端部に加えて、電子を遮蔽する正孔輸送層２８１Ａの端部が存在する。

上述のように、図８Ａ及び８Ｂに示す構成例は、隣接する電荷発生層の端部の積層部における電荷リークを効果的に抑制することができる。図８Ａ及び８Ｂに示す積層構造の形成は、例えば、下側発光ユニットの電子輸送層から上側発光ユニットの正孔輸送層まで塗分け被覆することで形成できる。例えば、電荷発生層の形成で説明した様に、位置合わせ機能を使用してメタルマスクを異なる二つの位置に位置合わせして成膜を行うことで、正孔輸送層２８１Ａ、２８１Ｂ及び電子輸送層２７３Ａ、２７３Ｂの成膜を行う。電子輸送層２７３Ａ、電荷発生層３７１Ａ、正孔輸送層２８１Ａ、電子輸送層２７３Ｂ、電荷発生層３７１Ｂ、正孔輸送層２８１Ｂの順で形成される。共通メタルマスクの位置合わせにより、効率的にＯＬＥＤ表示装置を製造できる。

図９Ａは、隣接するスタック構造発光素子２１０Ａ、２１０Ｂの異なる構成例を示す断面図である。図９Ｂは、図９Ａにおける破線の円ＩＸＢで囲まれた部分の拡大図を示す。図９Ａに示す構成例は、図３Ａに示す電荷発生層２９１Ａ及び２９１Ｂに代えて、電荷発生層３８１Ａ及び３８１Ｂを含む。電荷発生層３８１Ａの端部と電荷発生層３８１Ｂの端部は、画素定義層２５３の頂面２５６上において重なっている。この構成により、よりＯＬＥＤ表示装置の高精細化を促進することができる。

電荷発生層３８１Ａは、下側の電子正孔発生層３８３Ａ及び上側の正孔発生層３８５Ａで構成されている。同様に、電荷発生層３８１Ｂは、下側の電子正孔発生層３８３Ｂ及び上側の正孔発生層３８５Ｂで構成されている。電荷発生層３８１Ａ、３８１Ｂは異なる構造を有してもよい。例えば、これらは、図３Ｂ、７Ｂ又は８Ｂに示すような層構造を有してもよい。

図９Ｂに示すように、電荷発生層３８１Ａの端部の上に、電荷発生層３８１Ｂの端部が積層されている。電荷発生層３８１Ａの端部と電荷発生層３８１Ｂの端部との間に、スタック構造発光素子２１０Ａの上側発光ユニットの正孔輸送層２８１Ａの端部及び同発光ユニットの発光層２８２Ａの端部が介在している。電荷発生層３８１Ｂの端部は、正孔輸送層２８１Ａの端部及び発光層２８２Ａの端部を介して、電荷発生層３８１Ａの端部の上に積層されている。

電荷発生層３８１Ａの端部及び電荷発生層３８１Ｂの端部は、画素定義層２５３の頂面２５６上でテーパ形状を有している。電子正孔発生層３８３Ａの端部及び正孔発生層３８５Ａの端部は、テーパ形状を有している。電子正孔発生層３８３Ｂの端部及び正孔発生層３８５Ｂの端部は、テーパ形状を有している。電荷発生層がテーパを持つことで、リークパスを遮断することができる。

正孔輸送層２８１Ａの端部は、電荷発生層３８１Ａの正孔発生層３８５Ａの端部及び発光層２８２Ａの端部それぞれと接触して界面を形成する。発光層２８２Ａの端部は、正孔輸送層２８１Ａの端部及び電荷発生層３８１Ｂの電子正孔発生層３８３Ｂの端部それぞれと接触して界面を形成する。

電荷発生層端部の積層構造は、下側から、電子正孔発生層３８３Ａ、正孔発生層３８５Ａ、正孔輸送層２８１Ａ、発光層２８２Ａ、電子正孔発生層３８３Ｂ及び正孔発生層３８５Ｂの順で積層され、これらの層で構成されている。

正孔輸送層２８１Ａと電荷発生層３８１Ｂの電子正孔発生層３８３Ｂとの間に、発光層２８２Ａが存在する。正孔輸送層２８１Ａと電子正孔発生層３８３Ｂとは直接接触することなく、発光層２８２Ａによって隔てられている。電荷発生層３８１Ａ、３８１Ｂの関係に着目すると、発光層２８２Ａがこれらの間に介在し、これらは直接接触することなく、発光層によって隔てられている。

発光層は、他の層と比較して移動度が小さい。例えば、正孔輸送層の正孔の移動度は１０^-4ｃｍ²／Ｖｓ程度にあるのに対して、発光層の正孔の移動度は、１０^-11ｃｍ²／Ｖｓ程度である。そのため、発光層２８２Ａは、隣接する電荷発生層の端部の積層構造における電荷リークを効果的に抑制することができる。

上述のように、図９Ａ及び９Ｂに示す構成例は、隣接する電荷発生層の端部が重なっている部分において、電荷発生層３８１Ａ及び荷発生層３８１Ｂの間に、発光層２８２Ａが介在する。これにより、電荷発生層３８１Ａ、３８１Ｂの間の電荷リークを効果的に抑制することができる。図９Ｂの構成例において、発光層２８２Ａの端部は、電荷発生層３８１Ａの端部に直接接触することなく、正孔輸送層２８１Ａの端部により隔てられている。他の構成例において、発光層２８２Ａの端部の一部が、電荷発生層３８１Ａの端部の一部に接触していてもよい。

図９Ｂに示すように、スタック構造発光素子２１０Ｂの上側発光ユニットの正孔輸送層２８１Ｂの端部及び発光層２８２Ｂの端部は、電荷発生層３８１Ｂの端部上に積層されている。図９Ａ及び９Ｂに示す積層構造の形成は、電荷発生層から上側発発光ユニットの発光層までを塗り分け被覆することで形成することができる。例えば、電荷発生層の形成で説明した様に、位置合わせ機能を使用してメタルマスクを異なる二つの位置に位置合わせして成膜を行うことで、正孔輸送層及び発光層の成膜を行う。電荷発生層３８１Ａ、正孔輸送層２８１Ａ、発光層２８２Ａ、電荷発生層３８１Ｂ、正孔輸送層２８１Ｂ、発光層２８２Ｂの順で形成される。共通メタルマスクの位置合わせこれにより、効率的にＯＬＥＤ表示装置を製造できる。

スタック構造発光素子の他の例を説明する。図１０は、隣接するスタック構造発光素子２１０Ａ、２１０Ｂの異なる構成例を示す断面図である。図２Ｂに示す構成例との相違を主に説明する。図１０に示す構成例において、下側発光ユニットの正孔輸送層の端部と上側発光ユニットの正孔輸送層の端部とは、画素定義層の頂面上に位置する。

図１０において、破線円５１０は、スタック構造発光素子２１０Ａの電荷発生層２９１Ａ及び正孔輸送層５１１Ａの端部、並びに、スタック構造発光素子２１０Ｂの電荷発生層２９１Ｂ及び正孔輸送層５１１Ｂの端部を囲む。

電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂは、画素定義層２５３の頂面の一部上のみに形成され、電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂの端は、画素定義層２５３の頂面上に存在している。電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂの端は面内方向において離れており、それら間に間隙が存在する。

正孔輸送層５１１Ａ、５１１Ｂは、画素定義層２５３の頂面の一部上のみに形成され、正孔輸送層５１１Ａ、５１１Ｂの端は、画素定義層２５３の頂面上に存在している。正孔輸送層５１１Ａ、５１１Ｂの端は面内方向において離れており、それら間に間隙が存在する。正孔輸送層５１１Ａの端部はテーパ形状を有し、電荷発生層２９１Ａの端部を覆っている。正孔輸送層５１１Ｂの端部はテーパ形状を有し、電荷発生層２９１Ｂの端部を覆っている。面内方向において、電荷発生層２９１Ａの端部と電荷発生層２９１Ｂ端部との間に、正孔輸送層５１１Ａ、発光層２８２及び正孔輸送層５１１Ｂが存在している。

図１０において、破線円５２０、スタック構造発光素子２１０Ａの正孔輸送層５２１Ａの端部、並びに、スタック構造発光素子２１０Ｂの正孔輸送層５２１Ｂの端部を囲む。正孔輸送層５２１Ａ、５２１Ｂは、画素定義層２５３の頂面の一部上のみに形成され、正孔輸送層５２１Ａ、５２１Ｂの端は、画素定義層２５３の頂面上に存在している。正孔輸送層５２１Ａ、５２１Ｂの端は面内方向において離れており、それら間に間隙が存在する。正孔輸送層５２１Ａ、５２１Ｂの端部はテーパ形状を有する。面内方向において、正孔輸送層５２１Ａの端部と正孔輸送層５２１Ａの５２１Ｂとの間に発光層２７２が存在する。

次に、スタック構造発光素子の他の構造例を説明する。以下において、図２Ａから２Ｃを参照して説明した構成例との相違を主に説明する。図１１Ａは、スタック構造発光素子アレイの一部の平面図を示す。図１１Ｂは、図１１ＡにおけるＸＩＢ－ＸＩＢ切断線での、断面構造の一部を示す。図１１Ｃは、図１１ＡにおけるＸＩＣ－ＸＩＣ切断線での、断面構造の一部を示す。ＸＩＢ－ＸＩＢ切断線は、Ｘ方向に延びる切断線であり、ＸＩＣ－ＸＩＣ切断線は、Ｙ方向に延びる切断線である。

図１１Ｂは、Ｘ方向において隣接する二つのスタック構造発光素子の境界部を示す。図１１Ｃは、Ｙ方向において隣接する二つのスタック構造発光素子の境界部を示す。図１１Ｂ及び１１Ｃに示すように、電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂは、それぞれ、その周囲を囲む画素定義層２５３の頂面２５６の一部を覆うように形成されている。電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂは頂面２５６の一部上のみに形成され、電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂの端は、画素定義層２５３の頂面２５６上に存在している。電子発生層２９３は、正孔発生層２９５に覆われている。電荷発生層２９１Ａ、２９１Ｂの端は面内方向において離れており、それら間に間隙が存在する。

電荷発生層２９１Ａの端部及び電荷発生層２９１Ｂの端部は、画素定義層２５３の頂面上でテーパ形状を有している。電荷発生層がテーパを持つことで、成膜のアライメントズレにより膜が重なった場合でも膜厚が薄いので、リークパスを遮断することができる。また、図１１Ｂに示すＸ方向のテーパは、図１１Ｃに示すＹ方向のテーパに比べて急峻になる。詳しく説明すると、図１１Ｂの正孔発生層２９５及び電子発生層２９３の端部（第３端部）の傾斜面の角度（画素定義層２５３の平面部に対する角度）は、図１１Ｃの正孔発生層２９５及び電子発生層２９３の端部（第４端部）の傾斜面の角度よりも大きい。

上記異なるテーパ角の構造は、正孔発生層２９５及び電子発生層２９３それぞれのマスクを介した蒸着により形成することができる。蒸着源は、ノズルの噴出口から気化した材料を外部に噴出する。例えば、蒸着源は、Ｘ方向に配列された１列のノズルを有し、気化した材料を噴出しながらＹ方向に移動する。

スタック構造発光素子の他の例を説明する。図１２は、隣接するスタック構造発光素子の構成例を示す断面図である。図２Ｂに示す構成例との相違を主に説明する。スタック構造発光素子２１０Ｒは赤の光を放出し、スタック構造発光素子２１０Ｇは緑の光を放出する。表示領域には、これらに加えて、青の光を放出するスタック構造発光素子が形成されている。

スタック構造発光素子２１０Ｒの下側発光ユニット２７０及び上側発光ユニット２８０は、共に赤の光を放出する。つまり、スタック構造発光素子２１０Ｒの二つの発光ユニットの発光層２７２Ｒ及び２８２Ｒは、赤の光を放出する。スタック構造発光素子２１０Ｇの下側発光ユニット２７０及び上側発光ユニット２８０は、共に緑の光を放出する。つまり、スタック構造発光素子２１０Ｇの二つの発光ユニットの発光層２７２Ｇ及び２８２Ｇは、緑の光を放出する。青のスタック構造発光素子の二つの発光ユニットの発光層は、共に青の光を放出する。

図１３は、図１２に示す赤、緑又は青の光を放出するスタック構造発光素子のレイアウト例を示す平面図である。図１３は、スタック構造発光素子アレイの一部を示し、ストライプレイアウトの例を示す。Ｘ方向に赤、緑及び青のスタック構造発光素子がサイクリックに配列され、Ｙ方向にスタック構造発光素子が配列されている。

図１１Ｂ及びＣを参照したテーパ形状の説明が、本構成例にも適用できる。上述のように、Ｘ方向のテーパは、Ｙ方向のテーパに比べて急峻になる。これにより、異なる色のスタック構造素子の間における電荷リークを効果的に抑制することができる。

図１４は、スタック構造発光素子の他の構造例を模式的に示す。図１４は、赤、緑、及び青のスタック構造発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、及び２１０Ｂを示す。実施形態に係る上記隣接スタック構造発光素子間の構造は、図１４の構成例に対して適用される。赤のスタック構造発光素子２１０Ｒは、赤の発光層２７２Ｒ、２８２Ｒ、赤のスタック構造発光素子固有の正孔輸送層２７１Ｒ、２８１Ｒを含む。

緑のスタック構造発光素子２１０Ｇは、緑の発光層２７２Ｇ、２８２Ｇ、緑のスタック構造発光素子固有の正孔輸送層２７１Ｇ、２８１Ｇを含む。青のスタック構造発光素子２１０Ｂは、青の発光層２７２Ｂ、２８２Ｂ、青のスタック構造発光素子固有の正孔輸送層２７１Ｂ、２８１Ｂを含む。正孔輸送層２７１Ｒ、２７１Ｇ、２７１Ｂとアノード電極（ＩＴＯ）２６１との間には、正孔注入層２９７が形成されている。

異なる色のスタック構造発光素子２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｇは、異なる厚みの正孔輸送層を有している。具体的には、赤のスタック構造発光素子２１０Ｒの正孔輸送層２７１Ｒ、２８１Ｒのトータルの厚みが最も大きく、青のスタック構造発光素子２１０Ｂの正孔輸送層２７１Ｂ、２８１Ｂのトータルの厚みが最も小さい。

図１４に示す例においては、正孔輸送層２７１Ｒの厚みは正孔輸送層２７１Ｇ、２７１Ｂより大きく、正孔輸送層２７１Ｇの厚みは、正孔輸送層２７１Ｂより大きい。また、正孔輸送層２８１Ｒの厚みは正孔輸送層２８１Ｇ、２８１Ｂより大きく、正孔輸送層２８１Ｇの厚みは、正孔輸送層２８１Ｂより大きい。なお、各発光ユニットは、図１４において不図示の正孔注入層を含むことができる。

図１４に示す例において、異なる色のスタック構造発光素子の下側発光ユニットは、異なる総厚みを有し、異なる色のスタック構造発光素子の上側発光ユニットは、異なる総厚みを有している。具体的には、赤のスタック構造素子の発光ユニットの厚みが最も大きく、青のスタック構造発光素子の発光ユニットの厚みが最も小さい。

このように、スタック構造発光素子の発光層の色に応じて、正孔輸送層／正孔注入層（正孔輸送層又は正孔注入層）の膜厚を変えることで、スタック構造発光素子の発光効率を高めることができる。膜厚を変えるため、発光層ごとに正孔輸送層／正孔注入層が形成される。スタック構造発光素子間で区切られた電荷発生層により、スタック構造発光素子間の電荷リークを抑制できる。

上記各実施形態で説明した表示領域は、トップエミッション型の画素構造を有する。トップエミッション型の画素構造は、光が出射する側（図面上側）に、カソード電極が配置される。カソード電極は、表示領域の全面を完全に覆う形状を有する。本開示の特徴は、ボトムエミッション型の画素構造を有するＯＬＥＤ表示装置にも適用できる。ボトムエミッション型の画素構造は、透明アノード電極と反射カソード電極を有し、ＴＦＴ基板介して外部に光を出射する。

［適用例］
以下において、本明細書の実施形態に係るＯＬＥＤ発光装置の適用例を説明する。図１５は、実施形態に係る表示装置を用いた車載ディスプレイの例を模式的に示す。図１５は、本実施形態に係る車載ディスプレイを備える自動車４００及び車載ディスプレイ４１０Ａから４１０Ｄの構成例を示す。

車載ディスプレイは、車両としての自動車４００の車内に設けられて各種情報を表示するディスプレイである。図１５の車載ディスプレイは、例えば、図１５に示す、ＣＩＤ（Ｃｅｎｔｅｒ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）４１０Ａ、クラスターディスプレイ４１０Ｂ、及びサイドディスプレイ４１０Ｃ、４１０Ｄである。ＣＩＤ４１０Ａ、クラスターディスプレイ４１０Ｂ、及びサイドディスプレイ４１０Ｃ、４１０Ｄは、表示装置１を用いたディスプレイである。

ＣＩＤ４１０Ａは、自動車４００のダッシュボードの中央に設けられ、オーディオやナビゲーションシステム、自動車状態管理システムなどの情報を表示する。クラスターディスプレイ４１０Ｂは、スピードメータ等を表示する。また、サイドディスプレイ４１０Ｃ、４１０Ｄは、ダッシュボードの左右に設けられてカメラの画像を表示することでサイドミラーとして機能する。

これらの車載ディスプレイが設けられる自動車４００の車内は、日光の影響等により高温環境となることがある。車載ディスプレイは、ＯＬＥＤ表示装置１を用いることで、高温寿命を長くすることができる。従って、高温環境に晒される車載ディスプレイも長期間にわたって良好な表示を行うことができる。

車載ディスプレイの例として、ＣＩＤ４１０Ａ、クラスターディスプレイ４１０Ｂ、及びサイドディスプレイ４１０Ｃ、４１０Ｄを挙げたが、車載ディスプレイはこれらに限られない。車載ディスプレイは、車中に設けられる任意のディスプレイであることができる。また、本明細書の実施形態に係る表示装置は、高温環境にさらされる産業用輸送機器に用いてもよい。

図１６は、本明細書の実施形態に係る表示装置の他の適用例を示す。図１６は、実施形態に係る表示装置１を用いた電子機器の例を模式的に示す。図１６は、電子機器としてのスマートフォン４５０の斜視図である。このスマートフォン４５０は、筐体４５１の内部に実施形態にかかる表示装置４５３が設けられ、当該表示装置４５３の表示面側に設けられたカバーガラス４５２が設けられている。その他、これらの筐体４５１には、送信・受信装置、各種の制御装置、記憶装置、スピーカ及びマイクを含む音声装置、バッテリ等、スマートフォンに求められる機能を持つ装置が設けられている。

スマートフォン４５０は、屋外で使用されるなど高温環境で使用されることがある。スマートフォン４５０は、本明細書の実施形態に係る表示装置４５３を用いることで、高温寿命を長くすることができる。従って、高温環境に晒されるスマートフォン４５０も長期間にわたって良好な表示を行うことができる。

電子機器としてスマートフォンを例に挙げたが、本明細書の実施形態に係る表示装置を適用できる電子機器はこれに限定されるものではなく、例えば、パーソナルコンピューター、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）、タブレット端末、ヘッドマウントディスプレイ、プロジェクタ、デジタル（ビデオ）カメラ等であってもよい。

図１７は、本明細書の実施形態に係るＯＬＥＤ発光装置を適用した生体センサの例を示す。生体センサは、本明細書の実施形態に係るＯＬＥＤ素子及び光検出素子を含む。生体センサは、赤、緑、及び青のスタック構造発光素子６１０Ｒ、６１０Ｇ、及び６１０Ｂを含む。生体センサは、さらに、光検出素子６３０を含む。図１７は、それぞれ一つの赤、緑、及び青のスタック構造発光素子６１０Ｒ、６１０Ｇ、及び６１０Ｂを例として示し、二つの光検出素子６３０を例として示す。スタック構造発光素子６１０Ｒ、６１０Ｇ、及び６１０Ｂは、上記実施形態に係るＯＬＥＤ表示装置と同様の構造を有する。

赤のスタック構造発光素子６１０Ｒは、赤の発光層６７２Ｒ、６８２Ｒ、赤のスタック構造発光素子固有の正孔輸送層６７１Ｒ、６８１Ｒを含む。緑のスタック構造発光素子６１０Ｇは、緑の発光層６７２Ｇ、６８２Ｇ、緑のスタック構造発光素子固有の正孔輸送層６７１Ｇ、６８１Ｇを含む。青のスタック構造発光素子６１０Ｂは、青の発光層６７２Ｂ、６８２Ｂ、青のスタック構造発光素子固有の正孔輸送層６７１Ｂ、６８１Ｂを含む。光検出素子６３０は、光検出層６３２及び光検出素子固有の正孔輸送層６３１を含む。

スタック構造発光素子６１０Ｒ、６１０Ｇ、６１０Ｂ及び光検出素子６３０は、それぞれ、アノード電極６６１とカソード電極６６２とを含む。正孔輸送層６３１、６７１Ｒ、６７１Ｇ、６７１Ｂとアノード電極６６１との間には、正孔注入層６９７が形成されている。

発光層６７２Ｒ、６７２Ｇ、６７２Ｂと、正孔輸送層６８１Ｒ、６８１Ｇ、６８１Ｂとの間には、電子輸送層６７３、電子発生層６９３、正孔発生層６９５が形成されている。発光層６８２Ｒ、６８２Ｇ、６８２Ｂ及び光検出層６３２とカソード電極６６２との間に、電子輸送層６８３及び電子注入層６８４が形成されている。

封止構造部６２１は、全てのスタック構造発光素子６１０Ｒ、６１０Ｇ、６１０Ｂ及び光検出素子６３０を覆う。保護層６２２は、封止構造部６２１を覆うように、封止構造部６２１上に積層されている。

生体センサは、スタック構造発光素子６１０Ｒ、６１０Ｇ、６１０Ｂを順次点灯させる。スタック構造発光素子６１０Ｒ、６１０Ｇ、６１０Ｂから出射した光が、人体６２５により反射し、反射光が光検出素子６３０に入ることで、様々な生体情報を検出できる。例えば、血中の飽和酸素濃度を測定するには、従来技術において、赤色発光ＬＥＤと近赤外発光ＬＥＤを用いていた。一方、ＯＬＥＤ素子を光源とする場合、赤色発光ＬＥＤと近赤外発光ＬＥＤの代わりに緑色スタック構造素子を用いることができる。図１７では、赤、緑、青色発光のスタック構造素子と光検出素子とを備えるセンサの例を示すが、測定する対象物によって、スタック構造素子の発光色は適宜選択できる。

センサを小型化するには、光源となる発光素子を近接させる必要がある。これに対して、ＯＬＥＤ素子は小型で軽量、薄型に形成できる特徴がある。一方、人の体表面を広い範囲で生体モニタリングしたいというニーズもある。ＯＬＥＤ素子は、平面上に均一な発光体を形成しやすく、さらにフレキシブル基板上にも素子を形成できることから、人の体表面に広く沿わせやすいといった特徴を実現できる。また、センサ感度を向上させるには、光源からの発光強度を高める必要がある。こうしたセンサのニーズに対して、隣接スタック構造ＯＬＥＤ素子間で電荷発生層が離間する構成は、その光源として応用が期待できる。

以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明が上記の実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、上記の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。

１ ＯＬＥＤ表示装置
２５ 表示領域
２１０Ａ、２１０Ｂ スタック構造発光素子
２５３ 画素定義層
２５４ 開口
２５６ 頂面
２６１ アノード電極
２７０ 下側発光ユニット
２７１、２８１ 正孔輸送層
２７２、２８２ 発光層
２７３、２８３ 電子輸送層
２８０ 上側発光ユニット
２９１Ａ、２９１Ｂ、３５１Ａ、３５１Ｂ、３７１Ａ、３７１Ｂ、３８１Ａ、３８１Ｂ 電荷発生層
２９３ 電子発生層
２９５ 正孔発生層
３５３Ａ、３５３Ｂ、３８３Ａ、３８３Ｂ 電子正孔発生層
３５５Ａ、３５５Ｂ、３８５Ａ、３８５Ｂ 正孔発生層
４００ 自動車
４１０Ａ－４１０Ｃ 車載ディスプレイ
４５０ スマートフォン
４５３ ディスプレイ

Claims (16)

1. ＯＬＥＤ発光装置であって、
   発光領域を定義する開口と、前記開口間の頂面とを含む、素子分離層と、
   前記開口内で露出している下部電極と、
   第１下部電極上に配置されている、第１スタック構造発光素子と、
   前記第１スタック構造発光素子に隣接し、前記第１下部電極に隣接する第２下部電極上に配置されている、第２スタック構造発光素子と、
   を含み、
   前記第１スタック構造発光素子は、前記素子分離層より上層でスタックされた第１発光ユニット及び第２発光ユニットと、前記第１発光ユニット及び前記第２発光ユニットの間の第１電荷発生層と、を含み、
   前記第１発光ユニット及び前記第２発光ユニットは、それぞれ発光層を含み、
   前記第１電荷発生層は、一方極性の電荷を前記第１発光ユニットに供給し、他方極性の電荷を前記第２発光ユニットに供給し、
   前記第２スタック構造発光素子は、前記素子分離層より上層でスタックされた第３発光ユニット及び第４発光ユニットと、前記第３発光ユニット及び前記第４発光ユニットの間の第２電荷発生層と、を含み、
   前記第３発光ユニット及び前記第４発光ユニットは、それぞれ発光層を含み、
   前記第２電荷発生層は、前記一方極性の電荷を前記第３発光ユニットに供給し、前記他方極性の電荷を前記第４発光ユニットに供給し、
   前記第１電荷発生層及び前記第２電荷発生層は、それぞれ、１以上の電荷発生構成層で構成され、
   前記第１電荷発生層の第１端部と前記第２電荷発生層の第２端部とが、前記素子分離層の頂面において重なっており、
   前記第１端部と前記第２端部とが重なっている部分において、前記第１電荷発生層及び前記第２電荷発生層それぞれの同一極性の電荷を生成する電荷発生構成層の間に、前記第１スタック構造発光素子又は前記第２スタック構造発光素子の構成層であって、前記同一極性の電荷を遮蔽する構成層の端部が介在する、
   ＯＬＥＤ発光装置。
2. 請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置であって、
   前記同一極性の電荷を遮蔽する構成層は、前記第１電荷発生層又は前記第２電荷発生層の構成層であって、前記同一極性と逆極性の電荷のみを生成する構成層である、
   ＯＬＥＤ発光装置。
3. 請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置であって、
   前記同一極性の電荷を遮蔽する構成層は、前記第１スタック構造発光素子又は前記第２スタック構造発光素子の発光ユニットの構成層であって、前記同一極性と逆極性の電荷輸送層である、
   ＯＬＥＤ発光装置。
4. 請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置であって、
   前記同一極性の電荷を生成する電荷発生構成層は、前記同一極性の電荷に加えて前記同一極性の逆極性の電荷を生成し、
   前記第１電荷発生層及び前記第２電荷発生層それぞれの前記同一極性の電荷を生成する電荷発生構成層の間に、前記同一極性の電荷を遮蔽する構成層の端部に加えて、前記第１スタック構造発光素子又は前記第２スタック構造発光素子の構成層であって、前記逆極性の電荷を遮蔽する構成層の端部が介在する、
   ＯＬＥＤ発光装置。
5. 請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置であって、
   前記第１電荷発生層は、第１極性の電荷のみを生成する第１電荷発生構成層と、前記第１電荷発生構成層上の第２極性の電荷のみを生成する第２電荷発生構成層と、で構成され、
   前記第２電荷発生層は、前記第１極性の電荷のみを生成する第３電荷発生構成層と、前記第３電荷発生構成層上の前記第２極性の電荷のみを生成する第４電荷発生構成層と、で構成され、
   前記重なっている部分において、下側から、前記第１電荷発生構成層、前記第２電荷発生構成層、前記第３電荷発生構成層、前記第４電荷発生構成層、の順で積層されており、
   前記第２電荷発生構成層は、前記第１電荷発生構成層と前記第３電荷発生構成層との間において前記第１極性の電荷を遮蔽し、
   前記第３電荷発生構成層は、前記第２電荷発生構成層と前記第４電荷発生構成層との間において前記第２極性の電荷を遮蔽する、
   ＯＬＥＤ発光装置。
6. 請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置であって、
   前記第１電荷発生層は、第１極性及び第２極性の電荷を生成する第１電荷発生構成層と、前記第１電荷発生構成層上の第２極性の電荷のみを生成する第２電荷発生構成層と、で構成され、
   前記第２電荷発生層は、前記第１極性及び前記第２極性の電荷を生成する第３電荷発生構成層と、前記第３電荷発生構成層上の前記第２極性の電荷のみを生成する第４電荷発生構成層と、で構成され、
   前記重なっている部分において、下側から、前記第１電荷発生構成層、前記第２電荷発生構成層、前記第３電荷発生構成層、及び前記第４電荷発生構成層、の順で積層されており、
   前記重なっている部分において、前記第２スタック構造発光素子の構成層であって、前記第１極性の電荷輸送層の端部が、前記第２電荷発生構成層と前記第３電荷発生構成層との間に介在し、
   前記第１極性の電荷輸送層の端部は、前記第２電荷発生構成層と前記第３電荷発生構成層と間において前記第２極性の電荷を遮蔽する、
   ＯＬＥＤ発光装置。
7. 請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置であって、
   前記第１電荷発生層は、第１極性及び第２極性の電荷を生成する電荷発生構成層で構成され、
   前記第２電荷発生層は、前記第１極性及び前記第２極性の電荷を生成する電荷発生構成層で構成され、
   前記重なっている部分において、前記第１電荷発生層と前記第２電荷発生層との間に、前記第１スタック構造発光素子の前記第２極性の電荷輸送層の端部と、前記第２スタック構造発光素子の前記第１極性の電荷輸送層の端部と、が介在し、
   前記第１極性の電荷輸送層の端部は、前記第１電荷発生層と前記第２電荷発生層との間において前記第２極性の電荷を遮蔽し、
   前記第２極性の電荷輸送層の端部は、前記第１電荷発生層と前記第２電荷発生層との間において前記第１極性の電荷を遮蔽する、
   ＯＬＥＤ発光装置。
8. 請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置であって、
   前記重なっている部分において、前記第１電荷発生層と前記第２電荷発生層との間に、前記第１スタック構造発光素子の発光層の端部が介在する、
   ＯＬＥＤ発光装置。
9. 請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置であって、
   前記第１電荷発生層の第１端部及び前記第２電荷発生層の第２端部は、前記素子分離層の頂面上で、テーパ形状を有する、
   ＯＬＥＤ発光装置。
10. 請求項９に記載のＯＬＥＤ発光装置であって、
    前記第１電荷発生層は、前記素子分離層の頂面上で、第１方向に沿って傾斜するテーパ形状を有する第３端部と、前記第１方向に垂直な第２方向に傾斜するテーパ形状を有する第４端部を含み、
    前記第３端部のテーパ角は、前記第４端部のテーパ角より急峻である、
    ＯＬＥＤ発光装置。
11. 請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置であって、
    前記第１発光ユニット及び前記第２発光ユニットは、それぞれ、正孔輸送層を含み、
    前記正孔輸送層の端部は、前記素子分離層の頂面上に位置する、
    ＯＬＥＤ発光装置。
12. 請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置であって、
    前記第１発光ユニット及び前記第２発光ユニットは、第１色の光を放出し、
    前記第３発光ユニット及び前記第４発光ユニットは、第２色の光を放出し、
    前記第１発光ユニット及び前記第２発光ユニットは、それぞれ、正孔輸送層を含み、
    前記第３発光ユニット及び前記第４発光ユニットは、それぞれ、正孔輸送層を含み、
    前記第１発光ユニット及び前記第２発光ユニットの前記正孔輸送層の厚みは、前記第３発光ユニット及び前記第４発光ユニットの前記正孔輸送層の厚みより大きい、
    ＯＬＥＤ発光装置。
13. 請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置を含む表示装置。
14. 請求項１に記載のＯＬＥＤ発光装置を含む電子機器。
15. ＯＬＥＤ発光装置の製造方法であって、
    下部電極を形成し、
    発光領域を定義する開口と前記開口間の頂面とを含む素子分離層を、前記下部電極が前記開口それぞれから露出するように形成し、
    前記素子分離層上に、隣接する第１スタック構造発光素子及び第２スタック構造発光素子を形成することを含み、
    前記第１スタック構造発光素子は、前記素子分離層より上層でスタックされた第１発光ユニット及び第２発光ユニットと、前記第１発光ユニット及び前記第２発光ユニットの間の第１電荷発生層と、を含み、
    前記第１発光ユニット及び前記第２発光ユニットは、それぞれ発光層を含み、
    前記第１電荷発生層は、一方極性の電荷を前記第１発光ユニットに供給し、他方極性の電荷を前記第２発光ユニットに供給し、
    前記第２スタック構造発光素子は、前記素子分離層より上層でスタックされた第３発光ユニット及び第４発光ユニットと、前記第３発光ユニット及び前記第４発光ユニットの間の第２電荷発生層と、を含み、
    前記第３発光ユニット及び前記第４発光ユニットは、それぞれ発光層を含み、
    前記第２電荷発生層は、前記一方極性の電荷を前記第３発光ユニットに供給し、前記他方極性の電荷を前記第４発光ユニットに供給し、
    前記第１電荷発生層及び前記第２電荷発生層は、それぞれ、１以上の電荷発生構成層で構成され、
    前記第１電荷発生層の第１端部と前記第２電荷発生層の第２端部とが、前記素子分離層の頂面において重なっており、
    前記第１端部と前記第２端部とが重なっている部分において、前記第１電荷発生層及び前記第２電荷発生層それぞれの同一極性の電荷を生成する電荷発生構成層の間に、前記第１スタック構造発光素子又は前記第２スタック構造発光素子の構成層であって、前記同一極性の電荷を遮蔽する構成層の端部が介在している、
    ＯＬＥＤ発光装置の製造方法。
16. 請求項１５に記載のＯＬＥＤ発光装置の製造方法であって、
    前記第１電荷発生層の第１電荷発生構成層を、第１の位置に位置合わせされたメタルマスクを使用した蒸着により形成し、
    前記第１電荷発生構成層を形成した後に、前記メタルマスクを前記第１の位置から第２の位置に位置合わせし、
    前記第２の位置における前記メタルマスクを使用した蒸着によって、前記第２電荷発生層の前記第１電荷発生構成層と同材料の第２電荷発生構成層を形成する、
    ＯＬＥＤ発光装置の製造方法。

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