CN110707228A - 显示设备 - Google Patents
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Abstract
一种显示设备,包括:基板;在基板上的区域,每个区域包括透明的第一和第二区域;被布置在第二区域中的一个或多个发光元件;以及被布置在像素区域的前侧的圆偏振图案。一个或多个发光元件中的每一个包括一个层叠在另一个上方的反射电极和透明电极、以及被提供在透明电极和反射电极之间的发光膜。发光膜被配置为响应于在反射电极和透明电极之间供应的电流而发射光。当从显示设备的前侧看时,圆偏振图案覆盖整个反射电极。当从显示设备的前侧看时,第一区域的至少一部分位于圆偏振图案的间隙内。
Description
技术领域
本公开涉及一种显示设备。
背景技术
已经提出了透明显示器,其在允许看到显示器后面的背景的同时显示图像。例如,透明显示器可以被用在汽车窗户或商店窗户中。透明显示器可以利用自发光元件,诸如有机发光二极管(OLED)元件。OLED元件是电流驱动的自发光元件,并且因此不需要背光。除此之外,OLED显示元件具有实现低功率消耗、宽视角和高对比度的优点。
发明内容
透明显示设备由于被提供了自发光元件和像素电路而具有反射外部光的区域。为了减少外部光的反射,已知一种称为圆偏振器的部件。通常,将圆偏振器片接合到显示设备的整个前表面。然而,以这种方式接合的圆偏振器会降低透明区域的透射率。因此,对自发光透明显示设备所需求的是一种在避免透明区域的透射率降低的同时有效地减少外部光的反射的技术。
本公开的一个方面是一种显示设备,其包括:基板;在基板上的多个像素区域,每个像素区域包括透明的第一区域和与第一区域不同的第二区域;被布置在第二区域中的一个或多个发光元件;以及被布置在多个像素区域前侧的圆偏振图案。一个或多个发光元件中的每一个包括:一个层叠在另一个上方的反射电极和透明电极;以及被提供在透明电极和反射电极之间的发光膜。发光膜被配置为响应于在反射电极和透明电极之间供应的电流而发射光。当从显示设备的前侧看时,圆偏振图案覆盖整个反射电极。当从显示设备的前侧看时,第一区域的至少一部分位于圆偏振图案的间隙内。
本公开的一个方面实现了在避免透明显示设备中的透明区域的透射率降低的同时有效减少外部光的反射。要理解的是,前面的总体性描述和以下的详细描述两者都是示例性和说明性的,而不是对此公开的限制。
附图说明
图1示意性地示出了OLED显示设备的配置示例;
图2A示出了像素电路的配置示例;
图2B示出了像素电路的另一个配置示例;
图3示出了显示区域的一部分的配置示例;
图4是示意性地示出了像素区域的配置示例的平面图;
图5示出了圆偏振图案的配置示例;
图6示出了圆偏振图案(圆偏振元件和间隙)与像素区域的位置关系的示例;
图7示出了圆偏振图案与像素区域的位置关系的另一个示例;
图8示意性地示出了OLED显示设备的剖面结构的示例;
图9示出了OLED显示设备的结构的示例,该OLED显示设备包括与封装基板不同的结构封装单元;
图10示出了OLED显示设备的结构的另一个示例;
图11示出了OLED显示设备的结构的又另一个示例;
图12示出了圆偏振图案的配置示例;
图13示出了圆偏振图案与两个像素区域的位置关系的示例;
图14示出了覆盖辅助线的圆偏振图案的示例;
图15示出了底发射OLED显示设备的结构的示例;
图16示出了底发射型OLED显示设备的结构的另一个示例;
图17示出了OLED显示设备的结构的另一个示例;
图18示出了OLED显示设备的结构的又另一个示例;
图19示出了形成圆偏振图案的示例;
图20示出了形成圆偏振图案的另一个示例;以及
图21示出了形成圆偏振图案的又另一个示例。
具体实施方式
在下文中,将参考附图来描述本公开的实施例。应当注意的是,实施例仅是用于实施本公开的示例,而不是限制本公开的技术范围。与附图共同的元件由相同的附图标记表示。附图可夸大元件的大小和形状以清楚地理解描述。
本公开的特征中的一个是被提供在透明显示设备中的圆偏振图案。透明显示设备的每个像素区域包括透明区域。圆偏振图案减少了外部光的反射。提供圆偏振图案以覆盖自发光元件的反射电极。因此,减少了被用户看到的由反射电极反射的外部光。透明区域(其至少一部分)位于圆偏振图案的间隙内,使得透射通过透明区域的光被圆偏振图案减少得较少。
透明显示设备的整体配置
参考图1描述实施例中的透明显示设备的整体配置。在下文中,将有机发光二极管(OLED)显示设备作为透明显示设备的示例来描述;然而,本公开的特征可适用于除OLED显示设备之外的任何自发光型显示设备,诸如量子点显示设备。
在以下描述中,显示设备为用户显示图像的一侧或用户看到图像的一侧被称为前,并且相对侧被称为后。与在前的面(或前表面)相对的面被称为背面或后表面。关于被提供有发光元件的基板,将更靠近基板的一侧称为下侧,并且将更远离基板的一侧称为上侧。
图1示意性地示出了OLED显示设备10的配置示例。在图1中,水平延伸的轴由X轴表示,并且垂直延伸的轴由Y轴表示。OLED显示设备10包括OLED显示面板和控制设备。OLED显示面板包括其上形成有OLED元件的薄膜晶体管(TFT)基板100、用于封装OLED元件的封装基板200、以及用于将TFT基板100与封装基板200进行粘合的粘合剂(玻璃熔料密封剂)300。
TFT基板100和封装基板200之间的空间填充有干燥空气并用粘合剂300密封住。如稍后将描述的,利用薄膜封装(TFE)技术生产的封装膜可以代替封装基板200。这两者都是用于将元件封装在TFT基板100上的结构封装单元。
在比TFT基板100的显示区域125更外的阴极形成区域114的外周中,提供了扫描驱动器131、发射驱动器132、保护电路133和驱动器IC 134。它们经由柔性印刷电路(FPC)135而被连接到外部设备。
扫描驱动器131驱动TFT基板100上的扫描线。发射驱动器132驱动发射控制线以控制子像素的发光周期。保护电路133保护元件免受静电放电。驱动器IC 134被安装有例如各向异性导电膜(ACF)。
驱动器IC 134具有显示控制功能。驱动器IC 134向扫描驱动器131和发射驱动器132提供功率和定时信号(控制信号),并且还向数据线提供与画面数据相对应的信号。
在下文中,由红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)三种颜色的子像素组成的像素被称为主像素。子像素或主像素可以被称为像素。本公开的特征可适用于具有与前述三种颜色不同的颜色组的像素的显示设备,并且也适用于黑白显示设备。
像素电路的配置
在TFT基板100上形成多个像素电路,以控制被供应给子像素的阳极的电流。图2A示出了像素电路的配置示例。每个像素电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和存储电容器C1。像素电路控制OLED元件(自发光元件)E1的发光。晶体管是薄膜晶体管(TFT)。在下文中,第一晶体管T1至第三晶体管T3被简写为晶体管T1至晶体管T3。
晶体管T2是用于选择子像素的开关。晶体管T2是n沟道TFT,并且其栅极端子与扫描线106连接。漏极端子与数据线105连接。源极端子与晶体管T1的栅极端子连接。
晶体管T1是用于驱动OLED元件E1的晶体管(驱动TFT)。晶体管T1是n沟道TFT,并且其栅极端子与晶体管T2的源极端子连接。晶体管T1的漏极端子与电源线(Vdd)108连接。源极端子与晶体管T3的漏极端子连接。存储电容器C1被提供在晶体管T1的栅极端子和源极端子之间。
晶体管T3是用于控制到OLED元件E1的驱动电流的供应/停止的开关。晶体管T3是n沟道TFT,并且其栅极端子与发射控制线107连接。晶体管T3的漏极端子与晶体管T1的源极端子连接。源极端子与OLED元件E1连接。
接下来,描述像素电路的操作。扫描驱动器131将选择脉冲输出到扫描线106以导通晶体管T2。从驱动器IC 134通过数据线105供应的数据电压被存储到存储电容器C1。存储电容器C1在一帧的周期期间保持所存储的电压。晶体管T1的电导根据所存储的电压以模拟方式改变,使得晶体管T1将对应于发光电平的正向偏置电流供应给OLED元件E1。电流从OLED元件E1流入阴极电源线(Vss)110。阴极电源线110向阴极提供预定电位Vss。
晶体管T3位于驱动电流的供应路径上。发射驱动器132将控制信号输出到发射控制线107以控制晶体管T3的导通(on)/截止(off)。当晶体管T3导通时,驱动电流被供应给OLED元件E1。当晶体管T3截止时,该供应被停止。可以通过控制晶体管T3的导通/截止来控制一个场周期中的发光周期(占空比)。
图2B示出了像素电路的另一个配置示例。与图2A中的像素电路的不同之处在于晶体管T2a和晶体管T3。晶体管T2a是具有与图2A中的晶体管T2的功能相同的功能的开关,即用于选择子像素的开关。
晶体管T3可被用于各种目的。例如,晶体管T3可以被用于将OLED元件E1的阳极一次复位到低于黑信号电平的足够低的电压,以防止由OLED元件E1之间的漏电流引起的串扰。
晶体管T3还可以被用于测量晶体管T1的特性。例如,通过在所选择的偏置条件下测量从电源线(Vdd)108流到参考电压供应线(Vref)109的电流,可以准确地测量晶体管T1的电压-电流特性,使得晶体管T1将在饱和区域中操作,并且开关晶体管T3将在线性区域中操作。如果通过在外部电路处生成数据信号来补偿各个子像素的晶体管T1之间的电压-电流特性的差异,则可以获得高度均匀的显示图像。
同时,当晶体管T1截止且晶体管T3在线性区域中操作时,通过施加来自参考电压供应线109的电压以点亮OLED元件E1,可以准确地测量OLED元件E1的电压-电流特性。在OLED元件E1由于长期使用而劣化的情况下,例如,如果通过在外部电路处生成数据信号来补偿该劣化,则显示设备可以具有长寿命。
图2A和图2B中的电路配置是示例;像素电路可以具有不同的电路配置。尽管图2A和图2B中的像素电路使用n沟道TFT,但像素电路可以采用p沟道TFT。
显示区域的配置
图3示出了显示区域125的一部分的配置示例。显示区域125包括多个像素区域251和多个布线区域253。在图3的示例中,作为示例,像素区域中的仅一个被提供有附图标记251,并且布线区域中的仅一个被提供有附图标记253。像素区域251对应于一个主像素,并且包括三种颜色的发光元件(子像素区域)。每个主像素的发光元件的数量可以是1。布线区域253是布置线的区域。
在图3的布局示例中,像素区域251是直角矩形,并且它们以矩阵布置。在图3的布局示例中,沿着Y轴布置成一行的像素区域251是连续的,没有间隙。在沿着X轴的方向上,像素区域251和布线区域253被交替地布置。每个布线区域253位于像素区域251之间并且沿着Y轴延伸。
像素区域251的边界根据循环布置的子像素组中的彼此相邻的子像素组的关系来限定;边界可以具有矩形形状或除矩形以外的形状。像素区域251的布局可以与图3的示例不同。布线区域253的形状和布局也可以与图3的示例不同。
图4是示意性地示出了一个像素区域251的配置示例的平面图。一个像素区域251由透明区域(第一区域)521和有源区域(第二区域)522组成。有源区域522包括红色子像素发光区域525R、绿色子像素发光区域525G和蓝色子像素发光区域525B。这些发光区域是被供应有电流的有机发光膜发射光的区域。
在图4的示例中,发光区域525R、525G和525B的形状(包括大小)是相同的,但它们可以是不同的。发光区域525R、525G和525B的布局也是示例并且可以是不同的。
在像素区域251中,布置了各自被包括在像素电路中的多个TFT 153R、153G和153B组。每个TFT组对应于被包括在参考图2A或图2B描述的像素电路中的TFT。在图4的示例中,TFT 153R、153G和153B组是用于分别控制红色子像素发光区域525R、绿色子像素发光区域525G和蓝色子像素发光区域525B的驱动的TFT;它们与和它们相关联的发光区域重叠。
用于控制子像素发光区域的驱动的TFT的布局取决于设计。被布置在像素区域251中的一些TFT可以控制被布置在像素区域251外部的有机发光元件的驱动。顶发射OLED显示设备中的TFT通常与发光区域重叠,如图4所示;然而,底发射OLED显示设备中的TFT被布置在发光区域外部而没有任何重叠,如稍后将描述的。
透明区域521将来自显示面板后面的可见光透射朝向前侧。用户位于OLED显示设备10的前侧以看到所显示的图像。由于每个像素区域251包括透明区域521,因此用户将整个显示区域125识别为透明区域,用户可以通过该透明区域看到显示面板后面。
有源区域522是在像素区域251中的透明区域521外部的区域。如上所述,像素电路中的OLED元件(EL)和多个TFT被布置在有源区域522中。
结构的各种示例
图5示出了圆偏振图案的配置示例。圆偏振图案400是具有圆偏振功能的图案,并且在其中具有间隙431。圆偏振图案400由具有圆偏振功能的多个部分411组成。本公开将部分411称为圆偏振元件。
圆偏振图案400被提供在显示区域125的前侧。圆偏振图案400(圆偏振元件411)将外部光转换为圆偏振光并阻挡(吸收)被内部元件反射的圆偏振外部光。圆偏振图案400(圆偏振元件411)部分地透射从内部发光元件EL发射的光和来自OLED显示设备10后面的外部光。
在图5中,圆偏振元件411像岛并且彼此远离。换句话说,每个圆偏振元件411被间隙431围绕。圆偏振元件411以矩阵布置。在图5中,圆偏振元件中的仅一个被提供有附图标记411,并且圆偏振图案的内部间隙的一部分由虚线指示并被提供有附图标记431。图5仅提供了圆偏振元件的形状和布局的示例;圆偏振元件可以具有不同的形状并且以不同的布局布置。
图6示出了圆偏振图案400(圆偏振元件411和间隙431)与像素区域251的位置关系的示例。被包括在圆偏振图案400中的圆偏振元件411在平面图中覆盖整个有源区域522。圆偏振元件411位于像素区域251的前侧。当从OLED显示设备10的前侧看时,圆偏振元件411覆盖整个有源区域522。
有源区域522包括发光区域525R、525G和525B。用于发光区域525R、525G和525B的阳极也被布置在有源区域522中。换句话说,当从OLED显示设备10的前侧看时(在平面图中),阳极被包括在有源区域522中。顶发射OLED显示设备中的阳极是反射外部光的反射电极。
图6的示例中的圆偏振元件411覆盖整个有源区域522。因此,当从OLED显示设备10的前侧看时,发光区域525R、525G和525B的所有阳极的整体被圆偏振元件411覆盖。圆偏振元件411阻挡被有源区域522内的所有阳极反射的外部光。
如图5和图6所示,像素区域251的透明区域521的整体被包括在圆偏振图案400的间隙431中。圆偏振图案400部分地阻挡来自OLED显示设备10后面的光。由于圆偏振元件411仅被布置在透明区域521的外部并且整个透明区域521位于间隙431内,因此透明区域521没有由圆偏振图案400引起的透射率的降低。
当从OLED显示设备10的前侧看时,圆偏振元件411可以与透明区域521重叠。在该情况下,透明区域521也与圆偏振图案400的间隙431重叠。当从OLED显示设备10的前侧看时,透明区域521的至少一部分被包括在圆偏振图案400的间隙431中。因此,可以使由圆偏振图案400引起的透明区域521的透射率的降低是小的。
图7示出了圆偏振图案与像素区域251的位置关系的另一个示例。图7包括被包括在圆偏振图案中的圆偏振元件421中的一些。在图7中,作为示例,圆偏振元件中的仅一个被提供有附图标记421。尽管图7没有明确地指示圆偏振图案的间隙,但是圆偏振元件421外部的整个区域都是圆偏振图案的间隙。
当从OLED显示设备10的前侧看时,三个分离的圆偏振元件421各自覆盖有源区域522的一部分。具体地,圆偏振元件421各个覆盖发光区域525R、525G和525B及其外周区域。如稍后将描述的,每个发光区域在平面图中位于阳极内。也就是说,发光区域被包括在由阳极的形状限定的区域中。阳极的外周围绕发光区域,并且整个发光区域与阳极重叠。
当从OLED显示设备10的前侧看时,图7中的圆偏振元件421覆盖发光区域525R、525G和525B的整个阳极。圆偏振元件421的外周与阳极的外周重合或者比阳极的外周更外。圆偏振元件421阻挡被有源区域522内的所有阳极反射的外部光。
如图7所示,当从OLED显示设备10的前侧看时,每个圆偏振元件421的整个区域被包括在有源区域522中。圆偏振元件421被布置在透明区域521的外部,并且当从OLED显示设备10的前侧看时,圆偏振元件421与透明区域521完全不重叠。像素区域251的整个透明区域521被包括在圆偏振图案的间隙中。因此,透明区域521没有由圆偏振图案引起的透射率的降低。圆偏振元件421可以与透明区域521重叠。
图8示意性地示出了OLED显示设备10的剖面结构的示例,特别地,示出了像素区域251中的透明区域521的一部分和有源区域522的一部分的剖面结构。一个OLED元件被包括在有源区域522内。OLED显示设备10包括下电极的阳极162、上电极的阴极166和绝缘透明基板151上的有机发光膜652。
图8中的结构将由有机发光膜652发射的光透射朝向透明基板151的相对侧。透明基板151可以是刚性玻璃基板。阳极162是反射来自有机发光膜652的光的反射电极。阳极162包括如下三层:由ITO、IZO、ZnO、In2O3等制成的透明膜、由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir或Cr或者这种金属的合金制成的反射膜、以及如上所述的另一种透明膜。
阴极166是透明电极,其将来自有机发光膜652的光透射朝向封装基板200。透明阴极166例如通过气相沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al或Mg而形成。透明阴极166可以包括ITO层。
在图8中,阴极166被形成为覆盖整个显示区域125。针对子像素单独地形成阳极162。来自有机发光膜652的光的一部分被阳极162反射,穿过阴极166和封装基板200,并从显示设备10的显示表面出去。在另一种结构中,阳极可以是上透明电极,并且阴极可以是下反射电极。
用于控制发光元件的驱动的TFT电路150被提供在阳极162和透明基板151之间的层上。在TFT电路150上方提供了绝缘平坦化膜161。阳极162被提供在绝缘平坦化膜161上。阳极162通过被提供在平坦化膜161的接触孔中的触点与TFT电路150中的驱动TFT的源极或漏极连接。
在阳极162上方,提供了绝缘像素限定层(PDL)163以分离OLED元件。OLED元件包括一个层叠在另一个上方的阳极162、有机发光膜652和阴极166。像素限定层163的开口限定各个子像素的发光区域。
有机发光膜652被提供在阴极166和阳极162之间。未示出的空穴供应膜可以被提供在阳极162和有机发光膜652之间。空穴供应膜可以由空穴注入层和空穴传输层组成,或者替代地,空穴供应膜可以由具有这些层的功能的一个或多个层组成。未示出的电子供应膜可以被提供在阴极166和有机发光膜652之间。电子供应膜可以由电子注入层和电子传输层组成,或者替代地,电子供应膜可以由具有这些层的功能的一个或多个层组成。
封装基板200被固定在距TFT基板100的预定距离处。封装基板200是透明的刚性绝缘基板,并且可以是玻璃基板。在TFT基板100和封装基板200之间保持空间,并且诸如干燥空气的气体被紧密地填充在该空间中。这种气密结构防止水分进入并防止损坏有机发光元件。
圆偏振元件170(圆偏振图案)被提供在封装基板200的前表面上。圆偏振元件170可以被提供在封装基板200的后表面上。如图8所示,当在正交于封装基板200的方向上(在平面图中)看时,或者当从OLED显示设备10的前侧看时,圆偏振元件170覆盖整个阳极162。
圆偏振元件170包括被层压在一起的四分之一波片173和线性偏振器171。线性偏振器171在前侧,并且四分之一波片173在线性偏振器171的后面。线性偏振器171和四分之一波片173在平面图中具有相同的形状,并且它们一个堆叠在另一个上。
线性偏振器171仅透射入射的外部光中的与偏振轴平行的偏振光(线性偏振光)。四分之一波片173将线性偏振入射光转换成圆偏振光。来自四分之一波片173的圆偏振光被阳极162部分地反射。被阳极162反射的是与入射光逆向旋转的圆偏振光。反射通过四分之一波片173以变为线性偏振光。该线性偏振光垂直于线性偏振器171的偏振轴,并因此被线性偏振器171吸收。
圆偏振元件170透射从有机发光膜652发射的光。由于圆偏振元件170包括线性偏振器171,所以它部分地阻挡(吸收)从后面入射的光。在图8的配置示例中,圆偏振元件170与透明区域521重叠,但是透明区域521中的大部分未被圆偏振元件170覆盖。因此,可以使透射过透明区域521的光被圆偏振元件170的减少是小的。
图9示出了OLED显示设备的结构的示例,该OLED显示设备10包括与封装基板200不同的结构封装单元。主要描述与图8中所示的结构示例的不同之处。图9中的结构包括代替刚性透明基板151的透明柔性基板152。透明柔性基板152可以由聚酰亚胺制成。尽管在图9中被省略,但是在TFT电路150的层和透明柔性基板152之间提供了阻挡层。阻挡层可以由氮化硅制成。
结构封装单元是利用薄膜封装技术生产的封装膜250。封装膜250具有无机膜和有机膜的层压结构。例如,封装膜250包括交替层叠的多个无机膜和多个有机膜。无机膜是防止氧气或水分进入的阻挡膜,并且可以由氮化硅或氧化铝制成。每个无机膜具有近似10nm的厚度。有机膜是平坦化树脂膜。每个有机膜可以是具有近似2μm厚度的丙烯酸树脂。
封装膜250被层压在透明柔性基板152上方。封装膜250被形成在阴极166的表面上。无机膜可以通过等离子体化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)或原子层沉积(ALD)而形成。
圆偏振元件170被布置在封装膜250的前表面上。该结构可以减少在形成圆偏振图案时对OLED元件的损坏。圆偏振元件170由在平面图中具有相同形状的线性偏振器171和四分之一波片173组成。当从OLED显示设备10的前侧看时,圆偏振元件170覆盖整个阳极162。
圆偏振元件170吸收来自OLED显示设备10的前侧并被阳极162反射的外部光。透明区域521中的大部分未被圆偏振元件170覆盖,使得透射过透明区域521的光被圆偏振元件170的减少可以是小的。
图10示出了OLED显示设备10的结构的另一示例。在此主要描述与图9中所示的结构示例的不同之处。OLED显示设备10包括覆盖整个显示区域125的四分之一波片178和多个分离的线性偏振器176(线性偏振图案)。一个圆偏振元件175由一个线性偏振器176和与线性偏振器176重叠的四分之一波片178的一部分组成。四分之一波片178可以覆盖整个封装膜250。
如上所述,当从OLED显示设备10的前侧看时,每个线性偏振器176覆盖整个阳极162或整个有源区域522。线性偏振器176与透明区域521重叠,但是透明区域521中的大部分未被线性偏振器176覆盖。
四分之一波片178在湿法工艺中用作抵抗化学物质的阻挡膜,以用于在期望的位置处图案化线性偏振器176,以减少对OLED元件或封装膜250的湿损坏。由于四分之一波片178薄并且不像线性偏振器176那样多地减少从其中透射过的光,因此四分之一波片178对透射通过透明区域521的光的影响是小的。
图11示出了OLED显示设备10的结构的又另一个示例。在此主要描述与图9中所示的结构示例的不同之处。在图11的结构示例中,阴极181被图案化以避免与透明区域521重叠。该结构增加了透射通过透明区域521的光的量。此外,阴极181被加厚以获得OLED元件的腔效应。例如,每个子像素的阴极181可以被成形为岛状,或者可以是条带状阴极的一部分。阴极181可以与透明区域521重叠。
图12示出了圆偏振图案的配置示例。该圆偏振图案440是未分离的并且具有网格状形状。圆偏振图案440在其中具有多个分离的间隙471。作为示例,圆偏振图案440中的间隙中的仅一个被提供有附图标记471。圆偏振图案440由未分离的圆偏振元件组成。
在图12中,两种圆偏振元件451和452由虚线指示。两种圆偏振元件中的仅一个各自被提供有附图标记451和452。圆偏振元件451是覆盖像素区域的有源区域的部分,并且圆偏振元件452是覆盖TFT基板100的布线区域的部分。
圆偏振元件451以矩阵布置,以与像素区域匹配。圆偏振元件452被布置成在沿着Y轴布置的圆偏振元件451的列之间沿着Y轴延伸。每个间隙471由两个圆偏振元件451和两个圆偏振元件452围绕。
图13示出了圆偏振图案440与两个像素区域251的位置关系的示例。在平面图中,圆偏振图案440覆盖整个有源区域522。已经参考图6描述了有源区域522。更具体地,作为圆偏振图案440的一部分的圆偏振元件451覆盖一整个有源区域522。圆偏振图案440位于像素区域251的前侧。当从OLED显示设备10的前侧看时,圆偏振图案440覆盖整个有源区域522。
当从OLED显示设备10的前侧看时,发光区域525R、525G和525B的阳极被圆偏振图案440完全覆盖。圆偏振元件451阻挡外部光被有源区域522内的所有阳极的反射。
圆偏振图案440还覆盖像素区域251之间的布线区域253。具体地,圆偏振元件452覆盖布线区域253。布线区域253是TFT基板100中线所在的区域。在布线区域253中,提供了诸如电源线108的线和与阴极181连接以供应阴极电位Vss的线。替代地,可以提供用于将覆盖整个显示区域125的阴极166连接到显示区域125外部的阴极电源线的辅助线169,如图14所示。辅助线169防止由于阴极电阻而损害显示质量。
电源线108和辅助线169被形成在与TFT电路150相同的层上,并且由诸如Mo、Al或Ti的金属或这种金属的合金制成。针对这个原因,布线区域253中的线反射外部光。圆偏振图案440覆盖布线区域253内的所有线,以阻挡线对外部光的反射。
如图5和图6所示,像素区域251的整个透明区域521可以被包括在圆偏振图案440的间隙471中。圆偏振图案440阻挡来自OLED显示设备10后面的光的一部分。由于圆偏振图案440仅存在于透明区域521的外部并且整个透明区域521存在于间隙471内,因此透明区域521没有由圆偏振图案440引起的透射率的降低。
当从OLED显示设备10的前侧看时,圆偏振图案440可以与透明区域521重叠。在该情况下,透明区域521也与圆偏振图案440的间隙471重叠。当从OLED显示设备10的前侧看时,透明区域521的至少一部分被包括在圆偏振图案440的间隙471中。因此,可以使由圆偏振图案440引起的透明区域521的透射率的降低是小的。
圆偏振图案440可以代替参考图8至图11描述的结构中的任一个中的圆偏振图案400。
图15示出了底发射OLED显示设备10的结构的示例。OLED显示设备10的前部位于图15的底部。在此主要描述与图11中所示结构的不同之处。
阳极141是透明电极并且例如由ITO制成。阴极143是反射电极,并且例如由铝制成。透明柔性基板323被附接在TFT基板100的透明柔性基板152的前表面上。包括多个圆偏振元件320的圆偏振图案被提供在透明柔性基板323的前表面上。具有圆偏振图案的透明柔性基板323以正确对准方式被接合到TFT基板100的前表面。
每个圆偏振元件320包括被层压在透明柔性基板323的前表面上的线性偏振器321和四分之一波片322。线性偏振器321位于前侧,并且四分之一波片322位于线性偏振器321的后面。当从OLED显示设备10的前侧看时,圆偏振元件320覆盖整个阴极143。可以省略透明柔性基板323,使得圆偏振图案被形成在透明柔性基板152的前表面上。
图16示出了底发射OLED显示设备10的结构的另一示例。在此主要描述与图15中所示结构的不同之处。圆偏振图案被提供在TFT基板100内部或者透明柔性基板152和封装膜250之间。线性偏振器331和四分之一波片332被层压在平坦化膜161和阳极141之间或者平坦化膜161和像素限定层163之间。
线性偏振器331位于前侧,并且四分之一波片332位于线性偏振器331的后面。尽管通过线性偏振器331和四分之一波片332提供阳极141和TFT电路150之间的接触,但是TFT电路150阻挡来自OLED显示设备10的前侧的可见光。因此,当从OLED显示设备10的前侧看时,由线性偏振器331和四分之一波片332组成的圆偏振元件覆盖整个阴极143。
在制造TFT阵列时,可以在有机发光膜652之前形成线性偏振器331和四分之一波片332。因此,可以避免由形成线性偏振器331和四分之一波片332而引起的对有机发光膜652的损坏。图15和图16中所示的圆偏振图案可适用于刚性底发射OLED显示设备。
图17示出了OLED显示设备的另一个结构示例。OLED显示设备10包括触摸传感器。主要描述与图11中所示结构的不同之处。触摸传感器被布置在封装膜250的前表面上。触摸传感器包括多个透明上电极(前电极)601、多个透明下电极(后电极)602、以及在上电极601和下电极602之间的透明绝缘膜603。例如,上电极601和下电极602由ITO制成,并且绝缘膜603是有机膜。
例如,多个上电极601沿着X轴并排单独地布置,以沿着Y轴延伸。多个下电极602沿着Y轴并排单独地布置,以沿着X轴延伸。触摸传感器可以具有任何结构;电极可以具有期望的形状,并且它们可以按期望地布置。
圆偏振图案被层压在触摸传感器的前表面上。每个圆偏振元件170由被层压在一起的线性偏振器171和四分之一波片173组成。触摸传感器的绝缘膜603减少了由形成圆偏振图案而引起的对有机发光膜652的损坏。
图18示出了OLED显示设备的结构的又另一个示例。主要描述与图11中所示结构的不同之处。圆偏振元件350覆盖被提供在透明区域521和有源区域522之间的边界处的封装膜250的台阶部357。具体地,线性偏振器351和四分之一波片352的层压体覆盖台阶部357。该配置降低了台阶部357破裂的可能性。
形成圆偏振图案的方法
在下文中,描述了在制造OLED显示设备时形成圆偏振图案的方法。制造TFT基板100、封装基板200和封装膜250的工艺可以采用已知技术。
图19示出了形成圆偏振图案的示例。该方法将圆偏振器的材料涂覆到封装膜上并将其图案化以形成圆偏振图案。首先,该方法在封装膜250的整个表面上形成四分之一波片802和线性偏振器801(S101)。
该步骤首先涂覆可光聚合的液晶单体,并且然后通过用紫外光对该膜进行照射来使其聚合以固定取向。因此,在封装膜250上形成四分之一波片802。接下来,该步骤通过以二色性染料被吸收并沿着取向的PVA分子链取向的这种方式向四分之一波片802提供聚乙烯醇(PVA)和二色性染料而在四分之一波片802上形成染料线性偏振器801。
接下来,该方法在线性偏振器801上形成光刻胶图案810,并利用通过光刻胶图案810中的间隙的紫外光来照射线性偏振器801和四分之一波片802(S102)。此外,该方法使线性偏振器801和四分之一波片802显影以形成圆偏振图案(圆偏振元件170)(S103)。在步骤S102处,该方法可以使用掩模代替光刻胶图案。
图20示出了形成圆偏振图案的另一个示例。该方法通过激光烧蚀对封装膜250上的圆偏振膜进行图案化。该方法首先在整个封装膜250上形成四分之一波片802和线性偏振器801(S201)。该步骤与图19中的步骤S101相同。接下来,该方法用激光束照射线性偏振器801和四分之一波片802(S202)以形成圆偏振图案(圆偏振元件170)(S203)。
图21示出了形成圆偏振图案的又另一个示例。该方法将其上形成有圆偏振图案(圆偏振元件170)的透明柔性基板260以正确对准的方式接合到封装膜250的前表面上(S301)。因此,圆偏振图案(圆偏振元件170)被提供在封装膜250的前表面上(S302)。圆偏振图案(圆偏振元件170)被提供在透明柔性基板260的前表面上,并且将透明柔性基板260的后表面与封装膜250的前表面接合。
如上所述,已经描述了本公开的实施例;然而,本公开不限于前述实施例。本领域技术人员可以在本公开的范围内容易地修改、添加或转换前述实施例中的每个元件。一个实施例的配置的一部分可以用另一个实施例的配置代替,或者实施例的配置可以合并到另一个实施例的配置中。
Claims (10)
1.一种显示设备,包括:
基板;
在所述基板上的多个像素区域,每个像素区域包括透明的第一区域和与所述第一区域不同的第二区域;
被布置在所述第二区域中的一个或多个发光元件;以及
被布置在所述多个像素区域的前侧的圆偏振图案,
其中,所述一个或多个发光元件中的每一个发光元件包括:
一个层叠在另一个上方的反射电极和透明电极;以及
被提供在所述透明电极和所述反射电极之间的发光膜,所述发光膜被配置为响应于在所述反射电极和所述透明电极之间供应的电流而发射光,
其中,当从所述显示设备的前侧看时,所述圆偏振图案覆盖整个反射电极,并且
其中,当从所述显示设备的前侧看时,所述第一区域的至少一部分位于所述圆偏振图案中的间隙内。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,当从所述显示设备的前侧看时,整个第一区域位于所述圆偏振图案中的间隙内。
3.根据权利要求1所述的显示设备,还包括在所述像素区域之间延伸的线,
其中,当从所述显示设备的前侧看时,所述圆偏振图案覆盖所述线。
4.根据权利要求1所述的显示设备,还包括以如下方式被层压在所述基板上的封装膜:所述封装膜覆盖所述多个像素区域的全部以封装所述多个像素区域,
其中,所述圆偏振图案被提供在所述封装膜的前表面上。
5.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述圆偏振图案包括:
当从所述显示设备的前侧看时覆盖所述多个像素区域的全部的四分之一波片;以及
被层压在所述四分之一波片的前表面上的线性偏振图案。
6.根据权利要求4所述的显示设备,还包括在所述封装膜和所述圆偏振图案之间的触摸传感器,
其中,所述触摸传感器包括前电极层、后电极层、以及被布置在所述前电极层和所述后电极层之间的绝缘膜,并且
其中,所述圆偏振图案被层压在所述触摸传感器的前表面上。
7.根据权利要求4所述的显示设备,其中,所述圆偏振图案覆盖所述封装膜的台阶部。
8.根据权利要求1所述的显示设备,还包括以如下这种方式被固定在所述基板上方的刚性封装基板:所述封装基板在不接触所述一个或多个发光元件的情况下覆盖所述多个像素区域的全部以封装所述多个像素区域,
其中,所述圆偏振图案被层压在所述封装基板的前表面或后表面上。
9.根据权利要求1所述的显示设备,
其中,所述透明电极被布置在所述反射电极和所述基板之间,并且
其中,所述圆偏振图案被布置在所述基板和所述透明电极之间。
10.根据权利要求1所述的显示设备,
其中,所述透明电极被布置在所述反射电极和所述基板之间,并且
其中,所述圆偏振图案被层压在所述基板的前表面上。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11917862B2 (en) | 2021-08-02 | 2024-02-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus, electronic device including the same, and method of manufacturing the display apparatus |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102404905B1 (ko) * | 2017-11-10 | 2022-06-07 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
JP2020166099A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
US20210036265A1 (en) * | 2019-07-30 | 2021-02-04 | Apple Inc. | Electronic Device Having Display With Internal Light Reflection Suppression |
CN110649178B (zh) * | 2019-09-26 | 2022-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、及其制备方法和显示装置 |
US11239289B2 (en) * | 2019-09-26 | 2022-02-01 | Yao-Dong Ma | Foldable AMOLED display employing all-in-one substrate and auxiliary means |
CN110989191B (zh) * | 2019-12-20 | 2022-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 集成式显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN111081747A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
KR20220096896A (ko) * | 2020-12-31 | 2022-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 터치 디스플레이 장치 |
KR20230060807A (ko) * | 2021-10-28 | 2023-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200941427A (en) * | 2008-03-19 | 2009-10-01 | Teco Nanotech Co Ltd | Transparent display apparatus |
CN101946195A (zh) * | 2008-05-22 | 2011-01-12 | Lg化学株式会社 | 用于有机发光元件的提高亮度的偏振板 |
CN104170525A (zh) * | 2012-03-15 | 2014-11-26 | 富士胶片株式会社 | 具有光学层叠体的有机el显示元件 |
US20150168776A1 (en) * | 2013-12-18 | 2015-06-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device for controlling light transmittance |
US20180005561A1 (en) * | 2016-07-04 | 2018-01-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display panel |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4184189B2 (ja) | 2003-08-13 | 2008-11-19 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 発光型表示装置 |
JP4750727B2 (ja) | 2006-03-28 | 2011-08-17 | キヤノン株式会社 | 有機発光装置及びその製造方法 |
JP5672695B2 (ja) | 2009-12-18 | 2015-02-18 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置 |
KR102092082B1 (ko) | 2013-11-11 | 2020-03-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102445185B1 (ko) * | 2014-10-08 | 2022-09-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP2016100126A (ja) | 2014-11-19 | 2016-05-30 | 日本精機株式会社 | 有機elパネル |
US20180269426A1 (en) | 2015-10-01 | 2018-09-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device |
KR102572128B1 (ko) | 2016-03-14 | 2023-08-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2018
- 2018-07-09 JP JP2018129752A patent/JP7300813B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-08 CN CN201910609159.6A patent/CN110707228A/zh active Pending
- 2019-07-08 US US16/504,420 patent/US10910454B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200941427A (en) * | 2008-03-19 | 2009-10-01 | Teco Nanotech Co Ltd | Transparent display apparatus |
CN101946195A (zh) * | 2008-05-22 | 2011-01-12 | Lg化学株式会社 | 用于有机发光元件的提高亮度的偏振板 |
CN104170525A (zh) * | 2012-03-15 | 2014-11-26 | 富士胶片株式会社 | 具有光学层叠体的有机el显示元件 |
US20150168776A1 (en) * | 2013-12-18 | 2015-06-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device for controlling light transmittance |
US20180005561A1 (en) * | 2016-07-04 | 2018-01-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display panel |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11917862B2 (en) | 2021-08-02 | 2024-02-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus, electronic device including the same, and method of manufacturing the display apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020009634A (ja) | 2020-01-16 |
JP7300813B2 (ja) | 2023-06-30 |
US20200013838A1 (en) | 2020-01-09 |
US10910454B2 (en) | 2021-02-02 |
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