JP2010049957A - 照明装置、照明装置の製造方法並びに表示装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 148
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 174
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 37
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 11
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 10
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 9
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 12
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010013642 Drooling Diseases 0.000 description 2
- 229910010199 LiAl Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000008630 Sialorrhea Diseases 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001651 Cyanoacrylate Polymers 0.000 description 1
- MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N Methyl cyanoacrylate Chemical compound COC(=O)C(=C)C#N MWCLLHOVUTZFKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
Abstract
【課題】ボトムエミッション型の有機EL装置を用いた照明装置を含む表示装置では、位置ずれ等によるロスや、発光部からの光が直接観察者の目に入らぬよう、有機EL装置の発光部分を囲うべく、発光部よりも大きい反射層を有している。しかし、この反射層は液晶パネルで反射した光も反射、遮光する。従って、液晶パネルの開口率が小さくなり、液晶パネルからの反射光の強度が低下し、表示輝度が低い表示装置となってしまうという課題がある。
【解決手段】フォトリソグラフ工程を用いて、対向基板200の素子基板150の発光領域163Bを平面視にて覆う反射層210を対向基板200に備えた。フォトリソグラフ工程を用いることで反射層210を小さく形成することが可能となり、対向基板200側から入射される光を効率良く通すことが可能となる。また、反射型液晶装置と組み合わせた場合、高い開口率を有する明るい表示装置を得ることができる。
【選択図】図1
【解決手段】フォトリソグラフ工程を用いて、対向基板200の素子基板150の発光領域163Bを平面視にて覆う反射層210を対向基板200に備えた。フォトリソグラフ工程を用いることで反射層210を小さく形成することが可能となり、対向基板200側から入射される光を効率良く通すことが可能となる。また、反射型液晶装置と組み合わせた場合、高い開口率を有する明るい表示装置を得ることができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、照明装置、照明装置の製造方法並びに表示装置に関する。
反射型の液晶表示装置として、外光が不十分な環境下でも使用できるよう、液晶パネルを前面から照らす照明装置を備えた液晶表示装置が知られている。
照明装置として、液晶パネルの横に配置された光源からの光を液晶パネルの前面に配置された導光板を伝達させ導光板に設けられた溝で屈折させて液晶パネルへ導くものが知られている。
また、照明装置として、有機エレクトロルミネッセンス(EL)装置を有したものがある(特許文献1,2参照)。この照明装置は液晶パネルの前面(観察者側)に配置され、上記有機EL装置は例えば格子状に発光部が位置するように陰極等がパターニングされている。
上記した、導光板を用いた照明装置では、導光板へ導入された光は上記溝で液晶パネル側へ屈折するとともに逆方向すなわち観察者側にも屈折する場合があり、この場合には逆方向へ屈折した光は観察者の目に入り液晶表示装置のコントラストを低下させるという課題がある。
また、有機EL装置を用いた照明装置を含む表示装置では、位置ずれ等によるロスや、発光部からの光が直接観察者の目に入らぬよう、有機EL装置の発光部分を囲うべく、発光部よりも大きい反射層を有しているのが一般的である。しかし、この反射層は液晶パネルから反射されてきた光も反射、遮光する。従って、液晶パネルの開口率が小さくなり、液晶パネルからの反射光の強度が低下し、表示輝度が低い表示装置となってしまうという課題がある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]本適用例にかかる照明装置は、素子基板と、前記素子基板の第1面側に位置する、透光性を有する第1電極層と、前記素子基板の前記第1面側に位置し、前記第1電極層と比べ、前記素子基板から離れて位置する、透光性を有する第2電極層と、前記第1電極層と前記第2電極層との間に位置する発光部を含む有機機能層と、前記素子基板の前記第1面側と向き合うよう配置される、前記発光部と対応する位置に配置される反射層を含む対向基板と、を含み、前記対向基板の前記反射層は平面視にて前記発光部を覆い、かつ前記第2電極層よりも小さい領域を有してなることを特徴とする。
これによれば、明るい照明装置を提供することが可能となる。対向基板に配置された反射層が、素子基板が有する発光部の少なくとも一部を覆うことで、素子基板の発光部から射出された光は、反射層により折り返されて、当該素子基板の第1面側と対向する第2面側から射出されることとなる。この場合、反射層は発光部の寸法と対応するよう構成することが可能となり、反射層を第2電極よりも小さくできるため、反射層を避けた領域では、対向基板側から外光を取り込むことが可能となる。以上の機構により、明るい照明装置を提供することが可能となる。
[適用例2]上記適用例にかかる照明装置であって、前記素子基板の前記第1面側に位置する、前記第2電極層を含む領域の少なくとも一部を保護する保護層を含むことを特徴とする。
上記した適用例によれば、第2電極層を含む領域の少なくとも一部が保護されているため、有機機能層や第2電極層への水分や酸素の侵入を抑制することが可能となる。
[適用例3]上記適用例にかかる照明装置であって、前記保護層はエポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂、またはポリイミド系の樹脂を含むことを特徴とする。
上記した適用例によれば、樹脂系の物質は第2電極に使われる金属材料と比べヤング率が一桁以上小さい。そのため、第2電極に与える応力を抑えることが可能となる。また、上記した物質は半導体の製造プロセスでの使用実績があり、半導体の製造プロセス中に予期せぬ汚染を持ち込むことを防止することができる。
[適用例4]上記適用例にかかる照明装置であって、前記保護層は酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする。
上記した適用例によれば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素は酸素や水分の侵入を防止することができる。そのため、有機機能層や第2電極層の酸素や水分による劣化を抑えることが可能となる。
[適用例5]上記適用例にかかる照明装置であって、前記保護層は、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素の少なくともいずれか一つを含み、かつエポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂、またはポリイミド系の樹脂の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする。
上記した適用例によれば、保護層により、応力歪と、酸素や水分の侵入とを同時に防止することができる。そのため、より信頼性の高い照明装置を提供することが可能となる。
[適用例6]本適用例にかかる照明装置の製造方法は、素子基板の第1面側に、透光性を有する第1電極層を形成する工程と、前記素子基板の前記第1面側に、発光部を含む有機機能層を形成する工程と、前記素子基板の前記第1面側に、透光性を有する第2電極層を形成する工程と、島状の形状を有し、前記発光部の少なくとも一部を覆い、かつ前記第2電極層よりも小さい領域を有してなる反射層を含む対向基板を形成する工程と、を含み、前記反射層は、フォトリソグラフ工程を用いて形成され、かつ前記対向基板と前記素子基板とを位置合わせを行った後、貼り付けることを特徴とする。
これによれば、高い開口率を有する照明装置の製造方法を提供することが可能となる。反射層をマスク蒸着法を用いて形成した場合、マスク公差、アライメント公差等を考慮する必要があり、面積の大きな反射層が必要となる。これに対して、反射層をフォトリソグラフ工程で形成することでマスク蒸着法と比べ高い精度で反射層を形成することが可能となる。そのため、より少ない面積で発光部からの光を反射させることができる。
[適用例7]本適用例にかかる表示装置は、素子基板と、前記素子基板の第1面側に位置する、透光性を有する第1電極層と、前記素子基板の前記第1面側に位置し、前記第1電極層と比べ、前記素子基板から離れて位置する、透光性を有する第2電極層と、前記第1電極層と前記第2電極層との間に設けられる発光部を含む有機機能層と、前記素子基板の前記第1面側と向き合うように配置される、平面視にて前記発光部の少なくとも一部を覆い、かつ前記第2電極層よりも小さい領域を有してなる島状の形状を有する反射層を含む対向基板と、前記素子基板と協同して少なくとも前記対向基板を挟む位置に、入射された光を変調して画像を形成する光変調装置と、を含むことを特徴とする。
これによれば、明るい表示装置を提供することが可能となる。対向基板に配置された反射層が、素子基板が有する発光部の少なくとも一部を覆うことで、素子基板の発光部から射出された光は、反射層により折り返されて、当該素子基板の第1面と対向する第2面側から射出されることとなる。この場合、反射層は発光部の寸法と対応するよう構成することが可能となる。そのため、第2電極層と反射層とを兼ねさせる構造と比べ、開口率を高くとることが可能となる。
[適用例8]上記適用例にかかる表示装置であって、前記素子基板の前記第1面側に位置する、前記第2電極層の少なくとも一部を保護する保護層を含むことを特徴とする。
上記した適用例によれば、第2電極層を含む領域の少なくとも一部が保護されているため、有機機能層や第2電極層への水分や酸素の侵入を抑制することが可能となる。加えて、保護層があることで、反射層を含む対向基板を素子基板と貼り合わせる構成を用いた場合に、対向基板と素子基板との接触による第2電極の破損を防ぐことが可能となり、対向基板と素子基板との貼り合わせ工程を安全に行うことができる。
[適用例9]上記適用例にかかる表示装置であって、前記保護層はエポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂、またはポリイミド系の樹脂を含むことを特徴とする。
上記した適用例によれば、樹脂系の物質は第2電極に使われる金属材料と比べヤング率が一桁以上小さい。そのため、第2電極に与える応力を抑えることが可能となる。加えて、素子基板と対向基板とを貼り合わせる工程での応力を緩和することが可能となり、信頼性の高い表示装置を提供することが可能となる。加えて、上記した物質は半導体の製造プロセスでの使用実績があり、半導体の製造プロセス中に予期せぬ汚染を持ち込むことを防止することができる。
[適用例10]上記適用例にかかる表示装置であって、前記保護層は酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする。
上記した適用例によれば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素は酸素や水分の侵入を防止することができる。そのため、有機機能層や第2電極層の酸素や水分による劣化を抑えることが可能となる。そのため、信頼性の高い表示装置を提供することが可能となる。加えて、上記した物質は半導体の製造プロセスでの使用実績があり、半導体の製造プロセス中に予期せぬ汚染を持ち込むことを防止することができる。
[適用例11]上記適用例にかかる表示装置であって、前記保護層は、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素の少なくともいずれか一つを含み、かつエポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂、またはポリイミド系の樹脂の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする。
上記した適用例によれば、保護層により、応力歪と、酸素や水分の侵入とを同時に防止することができる。そのため、より信頼性の高い表示装置を提供することが可能となる。
以下、本発明を具体化した各実施形態を図面に基づいて説明する。
(第1の実施形態:照明装置の構成)
以下、第1の実施形態として、有機EL装置を備えた照明装置の構成について説明する。図1(a)は、有機EL装置160を含む素子基板150の構成を示す平面図である。図1(b)は、有機EL装置160の発光部からの光を反射する反射層210を含む対向基板200の構成を示す平面図、図1(c)は素子基板150と対向基板200とを対向させて得られる照明装置300の構成を示す図1(a)のA−A’線断面図である。
以下、第1の実施形態として、有機EL装置を備えた照明装置の構成について説明する。図1(a)は、有機EL装置160を含む素子基板150の構成を示す平面図である。図1(b)は、有機EL装置160の発光部からの光を反射する反射層210を含む対向基板200の構成を示す平面図、図1(c)は素子基板150と対向基板200とを対向させて得られる照明装置300の構成を示す図1(a)のA−A’線断面図である。
図1(a)〜(c)に示されるように、照明装置300は、素子基板150の第1面側に、発光を司る有機機能層163と、ITO(インジウム・錫・酸化物)等を用い、光学的に透明な陽極線162と、陽極線162の一部を用いた陽極162Aと、MgAg(マグネシウムと銀との合金)等を用い、発光層163Aを含む有機機能層163に電子を注入する陰極164と、ITO等を用い、陰極164に電流を供給する陰極線165と、酸化珪素等を用い、有機機能層163を分離する隔壁166と、を備えている。また、図示はしないが、照明装置300中には有機EL装置160を水分から守るべく、乾燥剤が備えられている。
そして、対向基板200は、素子基板150と対向する面側に、有機機能層163の発光領域163B(本実施形態では有機機能層163と一致する)を覆う反射層210が備えられている。反射層210は、アルミニウムや銀等の可視光反射率が高い物質を用いて、200nm程度の厚さを有するよう配置されている。
有機機能層163としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。具体的には、(ポリ)フルオレン誘導体(PF)、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリフェニレン誘導体(PP)、ポリパラフェニレ誘導体(PPP)、ポリビニルカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。またカルバゾール(CBP)などの低分子材料にこれらの低分子色素をドープして発光層とすることもできる。またトリス−8−キノリノラトアルミニウム錯体(Alq3)を有機機能層163の構成要素(電子輸送層)として用いることもできる。また、これらの物質に限定されることなく、可視光を含む光を射出する物質を用いることが可能である。
有機機能層163は、赤色を発光可能な赤色発光材料、緑色を発光可能な緑色発光材料、及び青色を発光可能な青色発光材料の3種類の発光材料を含んでおり、これらの発光材料を混合することにより、白色を発光するように構成されている。
なお、有機機能層163は単層に限定されるわけではなく、他の層をさらに形成してもよい。例えば、陽極162Aと発光層163Aとの間に配置されて、陽極162Aから供給された正孔を発光層163Aに注入/輸送する正孔注入層を形成しても良い。また、陰極164と発光層163Aとの間に配置されて、陰極164から供給された電子を発光層163Aに注入/輸送する電子注入層を形成しても良い。このようにした場合、注入されたキャリアが発光層163A中に滞留するため、発光層163A中でのキャリア再結合効率が上昇し、発光効率が高い有機EL装置160を提供することが可能となる。
また、隔壁166としては、酸化珪素等の無機絶縁材料の他にもアクリル樹脂等の有機絶縁材料を用いることができる。また、このような無機物或いは有機物以外にも、有機・無機材料を組み合わせてなる絶縁材料を用いることもできる。隔壁166を用いることで、有機機能層163を規則的に配置することができる。そのため、有機機能層163から均一な密度で光束が発生し、均一な発光強度分布を有する有機EL装置160を提供することが可能となる。
陰極164は、仕事関数の小さいアルカリ金属や、アルカリ土類等の金属材料を含む。陰極164は、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、カルシウム(Ca)等を含む材料によって形成されている。好ましくは、MgAg(MgとAgを重量比でMg:Ag=10:1に混合した材料)からなる薄層の透光性電極が、電子注入障壁が低く、かつ耐腐蝕性を持つことから好適に採用される。この他にも、MgAgAl電極、LiAl電極、LiFAl電極、ITO電極、IZO電極等を用いても同様の効果をもって陰極164を構成することが可能となる。
反射層210は対向基板200の、素子基板150と対向する面に設けられており、有機機能層163の発光領域163B(本実施形態では有機機能層163と一致する)を平面視にて覆う反射層210が備えられている。反射層210を、陰極164と分けて設けることで反射層210が形成される領域の面積は、陰極164と反射層210とを兼ねさせて形成される領域の面積と比べ、小さく抑えることが可能となる。そのため、照明装置300は、有機EL装置160からの光束に加え、対向基板200の、素子基板150と反対側から入射される外光も通過する。そして、この外光も照明装置300の光束として用いることができるため、高い輝度を有する照明装置300を提供することが可能となる。
(第1の実施形態の変形例)
以下、第1の実施形態についての変形例について説明する。第1の実施形態で示した素子基板150は陰極164が露出した状態で対向基板200と対向させて配置し、照明装置300を構成させているが、これは図2に示すように陰極164等を覆う少なくとも一部の領域に保護層220を設けても良い。この場合、素子基板150と対向基板200とが接触した場合においても陰極164等は損傷から免れることが可能となり、より近接した状態で対向基板200と素子基板150とを配置することができる。そのため、素子基板150と対向基板200との間で発生する、光の多重反射による共振現象により発生する可視光中での色バランスの乱れを抑制することが可能となる。
以下、第1の実施形態についての変形例について説明する。第1の実施形態で示した素子基板150は陰極164が露出した状態で対向基板200と対向させて配置し、照明装置300を構成させているが、これは図2に示すように陰極164等を覆う少なくとも一部の領域に保護層220を設けても良い。この場合、素子基板150と対向基板200とが接触した場合においても陰極164等は損傷から免れることが可能となり、より近接した状態で対向基板200と素子基板150とを配置することができる。そのため、素子基板150と対向基板200との間で発生する、光の多重反射による共振現象により発生する可視光中での色バランスの乱れを抑制することが可能となる。
また、保護層220を設けることで、有機EL装置160への酸素や水分の浸入を抑えることが可能となるため、有機EL装置160の寿命を延ばすことが可能となる。ここで、保護層220は、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素等を用いることが、酸素や水分の侵入を抑えるために好適である。酸化珪素に近い組成の層を用いる場合には、有機EL装置160に与える応力を緩和することが可能となる。また、窒化珪素に近い組成の層を用いる場合には、有機EL装置160への酸素や水分の浸入を抑えることが可能となる。また、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素は半導体プロセスで好適に使われる材質であり、有機EL装置160の製造ラインに予期せぬ物質による汚染を引き起こす可能性が低い。そのため、製造ラインの安定した稼動を阻害する畏れは抑制される。ここで、汚染の可能性が確認され、プロセス的に扱える場合には、上記した物質以外のもの、例えばアルミナや窒化硼素等の材質を用いることも可能である。
また、保護層220を構成する物質は無機物に限定されることはなく、例えばエポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂、またはポリイミド系の樹脂を用いても良い。この場合には、保護層220に上記した無機物を用いる場合と比べ、樹脂系の有機物はヤング率が少なくとも一桁程度低いため、有機EL装置160にかかる応力を抑制することが可能である。特に、上記した有機物は、半導体プロセスで好適に使われる材質であり、有機EL装置160の製造ラインに予期せぬ物質による汚染を引き起こす可能性が低い。そのため、製造ラインの安定した稼動を阻害する畏れは抑制される。ここで、汚染の発生が抑えられることが確認された場合には、上記した物質以外のもの、例えばシアノアクリレート系の有機物や、フェノール樹脂等の有機物を用いることも可能である。
また、保護層220を、無機層と有機層とを併用して用いても良い。この場合、有機層で応力を吸収し、無機層で酸素や水分の浸入を抑えることが可能となる。この構成を用いる場合の典型的な例としては、陰極164に近い方から、酸窒化珪素を100nm程度、エポキシ系の樹脂を4μm程度、酸窒化珪素を500nm程度で構成することができ、応力の緩和と酸素や水分の侵入を抑えるガスバリア性の高さとを両立させて形成することが可能である。
また、第1の実施形態では有機EL装置160を用いた例について説明したが、これは無機のEL(LED)を用いても良い。また、半導体レーザ等を用いても良く、両面に向けて発光する装置を用いる場合について好適に対応することが可能である。
(第2の実施形態:照明装置の製造方法)
以下、第2の実施形態として、有機EL装置を備えた照明装置の製造方法について説明する。図3(a)〜(c)、図4(a)〜(d)は、照明装置300を形成するための工程断面図である。
以下、第2の実施形態として、有機EL装置を備えた照明装置の製造方法について説明する。図3(a)〜(c)、図4(a)〜(d)は、照明装置300を形成するための工程断面図である。
まず、図3(a)に示すように、素子基板150を超純水等で洗浄した後、ITO層をイオンプレーティング法等を用いて層形成する。そして、ITO層を公知のフォトリソグラフ法を用いてパターニングし、陽極線162と、陽極162Aと、陰極線165とを形成する。
次に、図3(b)に示すように、酸化珪素層をCVD法等を用いて形成した後、公知のフォトリソグラフ法を用いてパターニングし、隔壁166を形成する。これは、感光性有機物を用い、フォトリソグラフ法を用いて有機物からなる隔壁166を用いても良い。また、隔壁166を複層構造とし、有機物と無機物を組み合わせた隔壁166を用いても良い。
次に、図3(c)に示すように、第1の実施形態で示した物質をマスク真空蒸着法等を用いて積層し、有機機能層163を形成する。有機機能層163は発光層163Aと、発光領域163B(本実施形態では有機機能層163と一致する)と、を含む。
ここで、有機機能層163に複層構造の層を形成する場合には、蒸着源を複数配置し、多層構造を形成しても良い。この場合、大気中に晒す工程を用いずに積層できるため、吸湿による特性変動の発生を抑制することができる。また、一旦大気中に晒して蒸着源を交換し、再度蒸着を行っても良い。この場合、蒸着源の数を減らすことができ、設備投資が抑えられる。加えて、層厚分布が良好に制御できる位置に蒸着源を配置することが可能となり、層厚の均一性を向上させることが可能となる。また、有機機能層163の形成手段としては、第1の実施形態で示した物質を用いたゾルを用い、液滴吐出法を用いて形成しても良い。
次に、図4(a)に示すように、マスク蒸着法を用い、陰極164を形成する。陰極164の材質としてはMgAg等を用いることができる。この場合、後述する対向基板200との位置合わせを容易にすべく、図示せぬアライメントマークを形成しておくことも好適である。この場合、対向基板200と素子基板150との位置合わせを容易かつ精密に行うことが可能となる。なお、陰極164の製造方法としては、全面に金属等、電気的な導体を用いて被覆し、フォトリソグラフ工程を用いて形成しても良い。陰極164に用いられる物質としては、上記したように仕事関数の小さいアルカリ金属や、アルカリ土類等の金属を含む、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、カルシウム(Ca)等を用いることが好適であり、特に、MgAg(MgとAgを重量比でMg:Ag=10:1に混合した材料)が、電子注入障壁が低く、かつ耐腐蝕性を持つことから好適に採用される。この他にも、MgAgAl、LiAl、LiFAl、ITO、IZO等を用いても良い。
次に、図4(b)に示すように、保護層220を形成する。形成方法としては、スパッタ法等を用いて酸窒化珪素を100nm程度形成する。次にエポキシ系の樹脂を4μm程度塗布し、再び酸窒化珪素を500nm程度の層厚で積層する。保護層220を形成することで、後述する素子基板150と対向基板200との貼り合わせを行う際、接触による陰極164の破損を防止することができる。なお、保護層220として、有機層と無機層の積層構造を用いた例について説明したが、これは有機層だけ、または無機層だけを用いて形成しても良く、精密に位置制御ができ、素子基板150と対向基板200とを接触させずに位置合わせが行える場合等では、保護層220の形成を省略することが可能となる。
次に、図4(c)に示すように、対向基板200を超純水等で洗浄した後、スパッタ法等を用いてアルミニウム等の可視光反射率が高い物質を用いて、200nm程度の厚さとなるよう反射層210の前駆体を形成し、フォトリソグラフ工程を用いて、反射層210の前駆体をパターニングし、ドライエッチング法を用いて、アルミニウム等をエッチングし、反射層210を形成する。この場合でも、図示せぬアライメントマークを形成しておくことが好適であり、素子基板150との位置合わせを容易かつ精密に行うことができる。フォトリソグラフ工程を用いることで、他の方法と比べきわめて精密にパターン形成が可能となるため、反射層210の形状は有機機能層163の発光領域163Bのパターンと同じパターン、もしくは若干発光領域163Bを覆う程度の面積を有するように形成することができる。
次に、図4(d)に示すように、素子基板150に形成されたアライメントマーク(図示せず)と対向基板200に形成されたアライメントマーク(図示せず)を用いて、素子基板150と対向基板200とをアライメント接合する。素子基板150側に保護層220を形成していない場合には、素子基板150と対向基板200との間が不活性雰囲気で封入されるようアライメント接合を行い、素子基板150と対向基板200の周辺部で固定する。不活性雰囲気中に固定することで、素子基板150側に形成された部材の損傷を防ぐことができるため好適である。また、水分等による有機機能層163等の劣化を抑えるべく、乾燥剤等を配置しても良い。
また、素子基板150に保護層220を形成している場合には、機械的に素子基板150側が保護されているため、アクリル等からなる充填層140を用いて樹脂封入し、アライメント接合することが可能となり、機械的応力に強い照明装置300の製造方法を提供することが可能となる。なお、ここでは素子基板150と対向基板200に設けられたアライメントマーク同士を用いてアライメント接合を行ったが、アライメントマークを形成することは必須ではなく、両パターン同士を用いてアライメント接合を施しても良い。また、素子基板150、対向基板200のどちらか一方にのみアライメントマークを形成し、アライメントマークとパターンとを用いてアライメント接合を行うことも可能である。また、保護層220が形成されている場合でも、素子基板150と対向基板200との間が不活性雰囲気で封入されるようアライメント接合を行い、素子基板150と対向基板200の周辺部で固定しても良い。この場合にも同様に、水分等による有機機能層163等の劣化を抑えるべく、乾燥剤等を配置しても良い。アライメント接合を行うことで、素子基板150と対向基板200との合わせずれが抑えられるため、反射層210を小さく(発光領域163Bと同程度)することが可能となる。反射層210を小さくすることで、反射層210により阻止される外光の量を少なくすることが可能となる。即ち、対向基板200を挟んで素子基板150と対向する方向から入射する外光は、対向基板200と素子基板150とを抜けて発光領域163Bからの光と加算されて照明装置300からの光として寄与する。そのため、照明装置300からの光量は大きくなり、より明るい照明装置300の製造方法を提供することが可能となる。
(第3の実施形態:表示装置の構成)
以下、第3の実施形態として、照明装置を備えた表示装置の構成について説明する。図5は、第1の実施形態で説明した照明装置を用いた表示装置に用いられる液晶装置の等価回路図、図6は、液晶装置を構成するTFTアレイ基板の部分平面図、図7は、図6における液晶装置のA−A’断面図、図8は、照明装置を液晶装置に実装した表示装置の平面図、図9は、図8のA−A’線断面図である。
以下、第3の実施形態として、照明装置を備えた表示装置の構成について説明する。図5は、第1の実施形態で説明した照明装置を用いた表示装置に用いられる液晶装置の等価回路図、図6は、液晶装置を構成するTFTアレイ基板の部分平面図、図7は、図6における液晶装置のA−A’断面図、図8は、照明装置を液晶装置に実装した表示装置の平面図、図9は、図8のA−A’線断面図である。
図5に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数のドットには、画素電極9と当該画素電極9を制御するためのスイッチング素子であるTFT(薄膜トランジスタ)90がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線6aが当該TFT90のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1,S2,…,Snは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線6aに対してグループ毎に供給される。
また、走査線3aはTFT90のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線3aに対して走査信号G1,G2,…,Gmが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極9はTFT90のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT90を一定期間だけオンすることにより、データ線6aから供給される画像信号S1,S2…,Snを所定のタイミングで書き込む。
画素電極9を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1,S2,…,Snは、蓄積容量98により一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークし画像信号が変動することを防止すべく、画素電極9と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量98が付加されている。
図7に示すように、本実施形態の液晶装置500は、液晶層102を挟持して対向配置され、TFT90や画素電極9が形成されたTFTアレイ基板100と、共通電極108が形成された対向基板104とを具備して概略構成されている。
以下、図6に基づいて、TFTアレイ基板100の平面構造について説明する。
TFTアレイ基板100には、矩形状の画素電極9が複数、マトリクス状に設けられており、図6に示すように、各画素電極9の縦横の境界に沿って、データ線6a、走査線3a及び容量線3bが設けられている。本実施形態において、各画素電極9及び各画素電極9を囲むように配設されたデータ線6a、走査線3a等が形成された領域が1ドットとなっている。
データ線6aは、TFT90を構成する多結晶半導体層14a(図7参照)のうちソース領域18に、コンタクトホール92を介して電気的に接続されており、画素電極9は、多結晶半導体層14aのうちドレイン領域19に、コンタクトホール96、ソース線6b、コンタクトホール94を介して電気的に接続されている。また、走査線3aの一部が、多結晶半導体層14aのうちチャネル領域20に対向するように拡幅されており、走査線3aの拡幅された部分が、ゲート電極24aとして機能する。また、TFT90を構成する多結晶半導体層14aは、容量線3bと対向する部分にまで延設されており、この延設部分1fを下電極、容量線3bを上電極とする蓄積容量98が形成されている。
次に、図7に基づいて、本実施形態の液晶装置500の断面構造について説明する。ここで、「上」とは図面上側(観察者側)を指すものとする。
TFTアレイ基板100は、ガラス等の透光性材料からなる基板10とその液晶層102側表面に形成された画素電極9、TFT90、配向層11を主体として構成されており、対向基板104はガラス等の透光性材料からなる基板104Aとその液晶層102側表面に形成された共通電極108と配向層110とを主体として構成されている。
詳細には、TFTアレイ基板100において、基板10の直上に、酸化珪素層等からなる下地保護層(緩衝層)12が形成されている。また、基板10の液晶層102側表面にはアルミニウムや、ITOとアルミニウムの積層構造材料等を用いた光反射性の画素電極9が設けられ、各画素電極9に隣接する位置に、各画素電極9をスイッチング制御する画素スイッチング用のTFT90が設けられている。画素電極9はドット状の凹凸を有する第2層間絶縁層5上に配置されており、下地形状の影響を受けて凹凸形状を有している。そのため、鏡面反射を防ぐことが可能となり、ぎらつき感を抑えて表示することを可能としている。そして画素電極9上には、配向層11が配置されている。
下地保護層12上には、多結晶珪素等を用いた多結晶半導体層14aが所定のパターンで形成されており、この多結晶半導体層14a上に、酸化珪素層等を用いたゲート絶縁層22が形成され、このゲート絶縁層22上に、ゲート電極24aが形成されている。また、多結晶半導体層14aのうち、ゲート絶縁層22を介してゲート電極24aと対向する領域が、ゲート電極24aからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域20となっている。また、多結晶半導体層14aにおいて、チャネル領域20の一方側(図示左側)には、ソース領域18が形成され、他方側(図示右側)にはドレイン領域19が形成されている。そして、ゲート電極24a、ゲート絶縁層22、データ線6a、ソース線6b、多結晶半導体層14aのソース領域18、チャネル領域20、ドレイン領域19等により、画素スイッチング用のTFT90が構成されている。
本実施形態において、画素スイッチング用のTFT90は、LDD構造を有するものとなっており、不純物濃度が相対的に高いソース領域18及びドレイン領域19と、相対的に低い低濃度領域としてソース側低濃度領域26、ドレイン側低濃度領域27(LDD領域)が形成されている。
また、ゲート電極24aが形成された基板10上には、酸化珪素層等からなる第1層間絶縁層4が形成されており、この第1層間絶縁層4上に、データ線6a及びソース線6bが形成されている。データ線6aは、第1層間絶縁層4に形成されたコンタクトホール92を介して、多結晶半導体層14aのソース領域18に電気的に接続されており、ソース線6bは、第1層間絶縁層4に形成されたコンタクトホール94を介して、多結晶半導体層14aのドレイン領域19に電気的に接続されている。
また、データ線6a、ソース線6bが形成された第1層間絶縁層4上には、窒化珪素層等を用いた第2層間絶縁層5が形成されている。第2層間絶縁層5上には、画素電極9が形成されている。画素電極9は、第2層間絶縁層5に形成されたコンタクトホール96を介して、ソース線6bに電気的に接続されている。そして、TFTアレイ基板100の液晶層102側最表面には、液晶層102内の液晶分子の配列を制御するための配向層11が形成されている。
TFTアレイ基板100中には、TFT90に外光が照射されるのを防ぐため、遮光層106が形成されている。そして、遮光層106は、コンタクトホール96とコンタクトホール97を介して画素電極9と電気的に接続され、画素電極9の電位を制御している。そして、対向基板104の基板104A上には、そのほぼ全面に渡って、ITO等からなる、光学的に透明な共通電極108が形成されている。また、カラーフィルタ130が配置され、カラー表示を可能としている。そして、共通電極108と液晶層102との間には、配向層110が形成されている。
次に、図8と図9とを用いて表示装置400の動作について説明する。図8は、表示装置400の平面図、図9は図8のA−A’線断面図である。図8に示すように、照明装置300(反射層210を除き、点線で記載)を液晶装置500と重ねて配置することで、明るい表示装置400を得ることができる。
次に、図9を用いて表示装置400について説明する。ここで、照明装置300と液晶装置500の詳細については既に説明しているため、その説明を省略する。照明装置300内で発生し、液晶装置500に向かう光は、液晶装置500が有する光反射性の画素電極9により反射されて、上(観察者側)に向けて射出される。そして、照明装置300内で発生し、直接上側に向かう光は、照明装置300が有する反射層210により折り返され、液晶装置500に向かい照射され、画素電極9による反射を受けて上側に向けて射出される。そして、外部から入射された光は、液晶装置500が有する光反射性の画素電極9により反射されて、上(観察者側)に向けて射出される。ここで、照明装置300が有する反射層210は、前述したようにアライメント接合を用いて位置合わせされるため、照明装置300が有する有機機能層163の発光領域163Bとほぼ同一の形状で発光領域163Bからの光を反射することができる。そのため、外光を有効に用いることが可能となり、明るい表示装置400を形成することができる。また、反射層210が小さく形成されていることから、液晶装置500から反射してきた光は、反射層210での再反射による効率低下を最小限に抑えることが可能となる。即ち、液晶装置500に対して高い開口率を持った表示装置400を提供することが可能となる。
なお、上記した実施形態では、液晶装置500を用いた例について説明したが、これはLCOS(Liquid Crystal on Silicon)装置や、デジタルミラーデバイス等、他の反射制御手段を含む装置を用いても良く、この場合についても、高い開口率を持った表示装置を得ることが可能となる。
1f…延設部分、3a…走査線、3b…容量線、4…第1層間絶縁層、5…第2層間絶縁層、6a…データ線、6b…ソース線、9…画素電極、10…基板、11…配向層、12…下地保護層、14a…多結晶半導体層、18…ソース領域、19…ドレイン領域、20…チャネル領域、22…ゲート絶縁層、24a…ゲート電極、26…ソース側低濃度領域、27…ドレイン側低濃度領域、90…TFT、92…コンタクトホール、94…コンタクトホール、96…コンタクトホール、97…コンタクトホール、98…蓄積容量、100…TFTアレイ基板、102…液晶層、104…対向基板、104A…基板、106…遮光層、108…共通電極、110…配向層、130…カラーフィルタ、140…充填層、150…素子基板、160…有機EL装置、162…陽極線、162A…陽極、163…有機機能層、163A…発光層、163B…発光領域、164…陰極、165…陰極線、166…隔壁、200…対向基板、210…反射層、220…保護層、300…照明装置、400…表示装置、500…液晶装置。
Claims (11)
- 素子基板と、
前記素子基板の第1面側に位置する、透光性を有する第1電極層と、
前記素子基板の前記第1面側に位置し、前記第1電極層と比べ、前記素子基板から離れて位置する、透光性を有する第2電極層と、
前記第1電極層と前記第2電極層との間に位置する発光部を含む有機機能層と、
前記素子基板の前記第1面側と向き合うよう配置される、前記発光部と対応する位置に配置される反射層を含む対向基板と、を含み、
前記対向基板の前記反射層は平面視にて前記発光部を覆い、かつ前記第2電極層よりも小さい領域を有してなることを特徴とする照明装置。 - 請求項1に記載の照明装置であって、
前記素子基板の前記第1面側に位置する、前記第2電極層を含む領域の少なくとも一部を保護する保護層を含むことを特徴とする照明装置。 - 請求項2に記載の照明装置であって、前記保護層はエポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂、またはポリイミド系の樹脂を含むことを特徴とする照明装置。
- 請求項2に記載の照明装置であって、
前記保護層は酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする照明装置。 - 請求項2〜4のいずれか一項に記載の照明装置であって、
前記保護層は、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素の少なくともいずれか一つを含み、かつエポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂、またはポリイミド系の樹脂の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする照明装置。 - 素子基板の第1面側に、透光性を有する第1電極層を形成する工程と、
前記素子基板の前記第1面側に、発光部を含む有機機能層を形成する工程と、
前記素子基板の前記第1面側に、透光性を有する第2電極層を形成する工程と、
島状の形状を有し、前記発光部の少なくとも一部を覆い、かつ前記第2電極層よりも小さい領域を有してなる反射層を含む対向基板を形成する工程と、を含み、
前記反射層は、フォトリソグラフ工程を用いて形成され、かつ前記対向基板と前記素子基板とを位置合わせを行った後、貼り付けることを特徴とする照明装置の製造方法。 - 素子基板と、
前記素子基板の第1面側に位置する、透光性を有する第1電極層と、
前記素子基板の前記第1面側に位置し、前記第1電極層と比べ、前記素子基板から離れて位置する、透光性を有する第2電極層と、
前記第1電極層と前記第2電極層との間に設けられる発光部を含む有機機能層と、
前記素子基板の前記第1面側と向き合うように配置される、平面視にて前記発光部の少なくとも一部を覆い、かつ前記第2電極層よりも小さい領域を有してなる島状の形状を有する反射層を含む対向基板と、
前記素子基板と協同して少なくとも前記対向基板を挟む位置に、入射された光を変調して画像を形成する光変調装置と、を含むことを特徴とする表示装置。 - 請求項7に記載の表示装置であって、
前記素子基板の前記第1面側に位置する、前記第2電極層の少なくとも一部を保護する保護層を含むことを特徴とする表示装置。 - 請求項8に記載の表示装置であって、前記保護層はエポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂、またはポリイミド系の樹脂を含むことを特徴とする表示装置。
- 請求項8に記載の表示装置であって、
前記保護層は酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする表示装置。 - 請求項8〜10のいずれか一項に記載の表示装置であって、
前記保護層は、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素の少なくともいずれか一つを含み、かつエポキシ系の樹脂、アクリル系の樹脂、またはポリイミド系の樹脂の少なくともいずれか一つを含むことを特徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008213635A JP2010049957A (ja) | 2008-08-22 | 2008-08-22 | 照明装置、照明装置の製造方法並びに表示装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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JP2010049957A true JP2010049957A (ja) | 2010-03-04 |
Family
ID=42066866
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JP2008213635A Withdrawn JP2010049957A (ja) | 2008-08-22 | 2008-08-22 | 照明装置、照明装置の製造方法並びに表示装置 |
Country Status (1)
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