JP2022078956A - 液晶配向剤、液晶配向膜、およびこれを用いた液晶表示素子、ならびに化合物およびポリマー - Google Patents

Abstract

【課題】良好なコントラストおよび残像特性を有し、長時間強い光に晒されても、高い電圧保持率を維持できる液晶表示素子を形成できる液晶配向剤を提供すること。【解決手段】ポリマーを含む液晶配向剤であって、前記ポリマーの少なくとも１つがテトラカルボン酸二無水物類とジアミン類を反応させてなるポリマーであり、前記テトラカルボン酸二無水物類が式（１）で表される化合物およびその誘導化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む液晶配向剤。TIFF2022078956000161.tif28122式（１）において、－Ｘ－は独立して単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、または－ＮＲ１－であり、Ｒ１は水素、または炭素数１～４のアルキル基であり、ｎは独立して１～５の整数であり、ｍは１～３の整数である。環を構成するいずれかの炭素原子に結合位置が固定されていない基は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できることを示す。【選択図】 なし

Description

本発明は、液晶配向剤、液晶配向膜およびこれを用いた液晶表示素子に関する。詳しくは、光配向方式の液晶配向膜（以降、光配向膜と略記することがある）を形成するための液晶配向剤、この液晶配向剤を用いて形成される光配向方式の液晶配向膜、そして、この液晶配向膜を有する液晶表示素子に関する。さらには、前記液晶配向剤に用いられるポリアミック酸等のポリマー、およびその原料となるテトラカルボン酸二無水物に関する。

液晶表示素子として、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モード、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モード、垂直配向型のＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等、様々な駆動方式のものが知られている。これらの液晶表示素子は、テレビ、携帯電話等、各種電子機器の画像表示装置に応用されており、さらなる表示品位の向上を目指して開発が進められている。具体的には、液晶表示素子の性能の向上は、駆動方式、素子構造の改良のみならず、素子に使用される構成部材によっても達成される。そして、液晶表示素子に使用される構成部材のなかでも、特に液晶配向膜は表示品位に係わる重要な材料の１つであり、液晶表示素子の高品位化の要求に応えるべく、この液晶配向膜についても盛んに研究が進められている。

ここで、液晶配向膜は、液晶表示素子の液晶層の両側に設けられた一対の基板上に、該液晶層に接して設けられ、液晶層を構成する液晶分子を、基板に対して一定の規則性を持って配向させる機能を有する。液晶配向性の高い液晶配向膜を用いることにより、コントラストが高く、残像特性が改善された液晶表示素子を実現することができる（例えば、特許文献１および２参照）。

こうした液晶配向膜の形成には、現在、ポリアミック酸、可溶性のポリイミドまたはポリアミック酸エステルを有機溶剤に溶解させた溶液（ワニス）が主に用いられている。これらのワニスにより液晶配向膜を形成するには、ワニスを基板に塗布した後、加熱等により塗膜を固化してポリイミド系液晶配向膜を形成し、必要に応じて前述の表示モードに適する配向処理を施す。配向処理方法としては、布などで配向膜の表面を擦ってポリマー分子の方向を整えるラビング法と、配向膜に直線偏光の紫外線を照射することにより、ポリマー分子に光異性化や二量化等の光化学変化を起こさせて膜に異方性を付与する光配向法が知られており、このうち光配向法は、ラビング法に比べて配向の均一性が高く、また、非接触の配向処理法であるため膜に傷が付かないことや、発塵や静電気等の液晶表示素子の表示不良を発生させる原因を低減できる等の利点がある。

こうした光配向法を用いた液晶配向膜として、例えば、特許文献１～６には、原料としてジアミノアゾベンゼン等を用い、光異性化の技術を応用することで、アンカリングエネルギーが大きく、液晶配向性が良好な光配向膜を得たことが記載されている。

特開２０１０－１９７９９９号公報 国際公開第２０１３／１５７４６３号 特開２００５－２７５３６４号公報 特開２００７－２４８６３７号公報 特開２００９－０６９４９３号公報 国際公開第２０１５／０１６１１８号

近年、高品位な液晶表示素子の要求はますます高まっており、コントラスト、残像特性、高い電圧保持率（ＶＨＲ）を長期に渡り維持できる信頼性などが求められている。高い電圧保持率を維持することは、表示品位の低下を抑制するために重要である。一方で、屋外での使用を考慮して、光源となるバックライトの輝度を以前のものよりも高くすることも求められている。そのような高輝度バックライトに晒される状況においては、光に対するＶＨＲ信頼性を高めることが重要であり、ラビング配向膜にくらべて一般的に電気特性が劣る光配向膜においては、特に重要な課題となっている。

そこで本発明者らは、良好なコントラストおよび残像特性を有し、長時間強い光に晒されても、高い電圧保持率が維持されて表示品位が低下しない液晶表示素子を形成できる液晶配向膜を提供すること、そのような液晶配向膜を形成できる液晶配向剤を提供することを目的として鋭意検討を進めた。

上記の課題を解決するために鋭意検討を行った結果、本発明者らは、式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類を用いることで、液晶配向性の高い液晶配向膜が得られること、そして、この液晶配向膜を用いることで、良好なコントラストおよび残像特性を有し、長時間強い光に晒されても、高い電圧保持率が維持されて表示品位が低下しない液晶表示素子を形成できることを見出し、本発明を完成させた。
本発明は以下の構成を含む。

［１］ ポリマーを含む液晶配向剤であって、前記ポリマーの少なくとも１つがテトラカルボン酸二無水物類とジアミン類を反応させてなるポリマーであり、前記テトラカルボン酸二無水物類が式（１）で表される化合物およびその誘導化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む液晶配向剤。

式（１）において、－Ｘ－は独立して単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、または－ＮＲ^１－であり、Ｒ^１は水素、または炭素数１～４のアルキル基であり、ｎは独立して１～５の整数であり、ｍは１～３の整数であり、環を構成するいずれかの炭素原子に結合位置が固定されていない基は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できることを示す。
［２］ 前記式（１）で表される化合物が、式（２）～式（４）で表される化合物の群から選ばれる少なくとも１つである、［１］に記載の液晶配向剤。

式（２）～式（４）において、ｍは１～３の整数であり、式（４）において、ｎは独立して２～５の整数である。
［３］ 前記テトラカルボン酸二無水物類とジアミン類を反応させてなるポリマーの原料として使用する原料組成物に、式（１）で表される化合物およびその誘導化合物からなる群から選択された少なくとも１つと、光反応性構造を有する化合物を含む、［１］または［２］に記載の液晶配向剤。
［４］ 前記光反応性構造を有する化合物が光分解構造を有する化合物、光異性化構造を有する化合物、または光二量化構造を有する化合物である、［３］に記載の液晶配向剤。
［５］ 前記光異性化構造を有する化合物が下記式（Ｖ－２）で表される化合物である、［４］に記載の液晶配向剤。

式（Ｖ－２）においてＸは炭素数１～１２のアルキレン基であり、前記アルキレン基の－（ＣＨ_２）_２－の隣り合わない１つ以上が－Ｏ－および－ＮＨ－のいずれかで置き換えられていてもよく、
Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して水素原子、－ＣＨ_３、－ＯＣＨ_３、－ＣＦ_３、－Ｆ、－ＣＯＯＣＨ_３、または式（Ｐ１－１）もしくは式（Ｐ１－２）で表される１価の基であり、
Ｒ^ｃはそれぞれ独立して水素原子、－ＣＨ_３、－ＯＣＨ_３、－ＣＦ_３、－Ｆ、または式（Ｐ１－１）もしくは式（Ｐ１－２）で表される１価の基であり、ｊは０または１であり、ａ～ｃはそれぞれ独立に０～２の整数であり、

式（Ｐ１－１）および式（Ｐ１－２）において、Ｒ^ｄ、Ｒ^ｅおよびＲ^ｆは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルカノイル基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、または置換もしくは無置換のアリールカルボニル基を表し、Ｒ^ｄ、Ｒ^ｅおよびＲ^ｆは互いに同一であっても異なっていてもよく、＊は、式（Ｖ－２）におけるベンゼン環への結合位置を表し、
式（Ｖ－２）において、環を構成するいずれかの炭素原子に結合位置が固定されていない基は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できることを示す。
［６］ ［１］～［５］のいずれか１項に記載の液晶配向剤から形成される液晶配向膜。
［７］ ［６］に記載の液晶配向膜を有する液晶表示素子。
［８］ ［１］～［５］のいずれか１項に記載の液晶配向剤を基板に塗布する工程と、その塗膜に偏光紫外線を照射する工程とを含む、液晶配向膜の製造方法。
［９］ 式（１）で表される化合物またはその誘導化合物。

式（１）において、－Ｘ－は独立して単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、または－ＮＲ^１－であり、Ｒ^１は水素、または炭素数１～４のアルキル基であり、ｎは独立して１～５の整数であり、ｍは１～３の整数である。環を構成するいずれかの炭素原子に結合位置が固定されていない基は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できることを示す。
［１０］ 前記式（１）で表される化合物が、式（２）～式（４）で表される化合物である、［９］に記載の化合物またはその誘導化合物。

式（２）～式（４）において、ｍは１～３の整数であり、式（４）において、ｎは独立して２～５の整数である。
［１１］ テトラカルボン酸二無水物類とジアミン類を反応させてなるポリマーであり、前記テトラカルボン酸二無水物類が、式（１）で表される化合物およびその誘導化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含むポリマー。

式（１）において、－Ｘ－は独立して単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、または－ＮＲ^１－であり、Ｒ^１は水素、または炭素数１～４のアルキル基であり、ｎは独立して１～５の整数であり、ｍは１～３の整数であり、環を構成するいずれかの炭素原子に結合位置が固定されていない基は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できることを示す。

本発明の液晶配向剤を使用することにより、液晶配向性の高い液晶配向膜を得ることができる。また、この液晶配向膜を用いることにより、残像特性およびコントラストに優れており、長時間強い光に晒されても、高い電圧保持率が維持されて表示品位が低下しない液晶表示素子を実現することができる。

以下において、本発明について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、代表的な実施形態や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施形態に限定されるものではない。本発明の実施の一形態として、光反応性構造を有する化合物を使用することで、本発明の液晶配向剤を光配向用液晶配向剤とすることができる。光配向用液晶配向剤は、その膜を基板上に形成し、偏光紫外線を照射することで異方性を付与することができる液晶配向剤であり、本明細書中では単に「液晶配向剤」ということもある。また、光配向用液晶配向剤から形成された配向膜を光配向膜と言うこともあれば、単に配向膜と言うこともある。また、本発明において「テトラカルボン酸二無水物類」とは、テトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸ジエステルまたはテトラカルボン酸ジエステルジハロゲン化物を指す。また本発明においては、ジアミンおよびジヒドラジドを「ジアミン類」と称することもある。

＜式（１）で表される化合物およびその誘導化合物＞
本発明の液晶配向剤は、テトラカルボン酸二無水物類とジアミン類を反応させてなるポリマーを含む液晶配向剤であり、前記テトラカルボン酸二無水物類は以下の式（１）で表される化合物およびその誘導化合物からなる群から選択された少なくとも１つを含む。

式（１）において、－Ｘ－は独立して単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、または－ＮＲ^１－であり、Ｒ^１は水素、または炭素数１～４のアルキル基であり、ｎは独立して１～５の整数であり、ｍは１～３の整数である。環を構成するいずれかの炭素原子に結合位置が固定されていない基は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できることを示す。

式（１）で表される化合物の誘導化合物とは、例えば、テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸ジエステルまたはテトラカルボン酸ジエステルジハロゲン化物である。なお、本発明において「式（１）で表される化合物およびその誘導化合物」は、総称して「式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類」と称することもある。

式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類をポリマーの原料に用いることで、良好なコントラストおよび残像特性を有し、長時間強い光に晒されても、高い電圧保持率が維持されて表示品位が低下しない液晶表示素子を形成できる。理由は必ずしも明らかではないが、以下のように考えられる。

式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類をポリマーの原料に用いてポリイミド配向膜を形成すると、式（１）中のアルキレン構造によってイミド構造と、式（１）中の芳香環の共役系が繋がっていないため、バックライトから照射される光の波長領域におけるポリマーの吸光係数が、芳香環に直接ジカルボン酸無水物が結合した芳香族系テトラカルボン酸二無水物を用いた場合と比較して小さくなる。そのため、式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類を原料に用いたポリマーを含む液晶配向剤を用いて液晶配向膜を形成し、この膜を用いて液晶表示素子を形成すると、光照射に起因する液晶表示素子のＶＨＲ低下が抑えられると考えられる。

もっとも、芳香環を有さないテトラカルボン酸二無水物であれば、液晶表示素子のＶＨＲ低下を抑えられると考えられるが、液晶配向膜と液晶分子との相互作用が弱いため、液晶配向性が低下すると考えられる。そのため、液晶表示素子を形成した場合に、残像特性およびコントラストが悪化するおそれがある。これに対し、本発明者らは、式（１）中に芳香環を導入した。また、式（１）中のアルキレン構造は、ポリマーの流動性を上げることで配向処理後の液晶配向膜の異方性を高める役割も果たしており、式（１）の構造とすることで、ＶＨＲ低下を抑えるとともに、良好なコントラストおよび残像特性が実現できることを見出した。

式（１）で表される化合物において、環を構成するいずれかの炭素原子に結合位置が固定されていない基の結合位置は、その環におけるパラ位であることが配向性の点からより好ましい。

式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類としては、以下の式（２）～式（４）で表される化合物およびその誘導化合物が挙げられる。

式（２）～式（４）において、ｍは１～３の整数であり、式（４）において、ｎは独立して２～５の整数である。

式（２）で表される化合物は、具体的には、下記の式（２－１）～式（２－３）で表される化合物である。

式（３）で表される化合物は、具体的には、下記の式（３－１）～式（３－３）で表される化合物である。

式（４）で表される化合物は、具体的には、下記の式（４－１）～式（４－１２）で表される化合物である。

＜式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類の製造方法＞
本発明の式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類の製造方法について説明する。

［式（２）で表される化合物の製造方法］
工程１－１～工程１－４により、式（２）で表される化合物を製造する。

式（２Ａ）、および式（２Ｃ）において、Ｒ^１は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のアリールメチル基である。Ｒ^１におけるアルキル基の具体例として、メチル基、エチル基、プロピル基を例示することができる。Ｒ^１におけるアリール基の具体例として、フェニル基を例示することができる。Ｒ^１におけるアリールメチル基の具体例として、ベンジル基、４－メトキシベンジル基、３，４－ジメトキシベンジル基、２－ナフチルメチル基を例示することができる。式（２Ｂ）において、Ｌ^１は脱離基を表す。式（２Ｂ）のＬ^１で表される脱離基としては、臭素原子やヨウ素原子などのハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基やトリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ－トルエンスルホニルオキシ基などのスルホニルオキシ基を例示することができる。式（２Ｂ）、式（２Ｃ），式（２Ｄ）、式（２Ｅ）、および式（２）において、ｍは１～３の整数である。

工程１－１は、式（２Ａ）で表される化合物と式（２Ｂ）で表される化合物の反応であり、塩基の存在下に実施する。塩基としては、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウムや炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩、水素化ナトリウムなどのアルカリ金属水素化物、ナトリウムメトキシドやナトリウムエトキシド等のアルカリ金属アルコキシド、水酸化テトラブチルアンモニウムなどを例示することができる。塩基の使用量に特に制限はなく、原料としての一般式（２Ａ）で表される化合物に対して１～５モル等量用いればよい。

工程１－１の反応は溶媒中で実施することができる。溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば使用することができ、例えば、ジエチルエーテルやジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶媒、ベンゼンやトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）やＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、水などを例示することができる。これらの溶媒は、単独で又は２種以上混合して使用してもよい。

工程１－１の反応温度は、－７８℃から使用する溶媒の還流温度の範囲から適宜選択することができる。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、１～２４時間が適当である。

工程１－１の反応により得られた式（２Ｃ）で表される化合物は、精製せずに次の反応（工程１－２）に供してもよいし、精製してから次の反応に供してもよい。精製方法として、抽出、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の方法を挙げることができる。

工程１－２は、式（２Ｃ）で表される化合物のエステルの加水分解反応であり、塩基の存在下に実施する。塩基としては、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、を例示することができる。塩基の使用量に特に制限はなく、原料としての一般式（２Ｃ）で表される化合物に対して１～５０モル等量用いればよい。

工程１－２の反応は溶媒中で実施することができる。溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば使用することができ、例えば、ジエチルエーテルやジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶媒、ベンゼンやトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）やＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、水などを例示することができる。これらの溶媒は、単独で又は２種以上混合して使用してもよい。

工程１－２の反応温度は、室温から使用する溶媒の還流温度の範囲から適宜選択することができる。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、１～２４時間が適当である。

工程１－２の反応により得られた式（２Ｄ）で表される化合物は、精製せずに次の反応（工程１－３）に供してもよいし、精製してから次の反応に供してもよい。精製方法として、抽出、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の方法を挙げることができる。

工程１－３は、式（２Ｄ）で表される化合物の脱炭酸反応であり、酸の存在下に実施する。酸としては、塩酸、硫酸等の鉱酸を例示することができる。酸の使用量に特に制限はなく、原料としての一般式（２Ｄ）で表される化合物に対して１～５モル等量用いればよい。

工程１－３の反応は溶媒中で実施することができる。溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば使用することができ、例えば、ジエチルエーテルやジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶媒、ベンゼンやトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）やＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、水などを例示することができる。これらの溶媒は、単独で又は２種以上混合して使用してもよい。

工程１－３の反応温度は、室温から使用する溶媒の還流温度の範囲から適宜選択することができる。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、１～２４時間が適当である。

工程１－３の反応により得られた式（２Ｅ）で表される化合物は、精製せずに次の反応（工程１－４）に供してもよいし、精製してから次の反応に供してもよい。精製方法として、抽出、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の方法を挙げることができる。

工程１－４は、式（２Ｅ）で表される化合物の脱水縮合反応であり、酸無水物の存在下に実施する。酸無水物としては、無水酢酸、トリフルオロ酢酸無水物を例示することができる。酸無水物の使用量に特に制限はなく、原料としての一般式（２Ｅ）で表される化合物に対して１～１００モル等量用いればよい。

工程１－４の反応は溶媒中で実施することができる。溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば使用することができ、例えば、ジエチルエーテルやジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶媒、ベンゼンやトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）やＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）などを例示することができる。酸無水物を溶媒として使用してもよい。これらの溶媒は、単独で又は２種以上混合して使用してもよい。

工程１－４の反応温度は、室温から還流温度の範囲から適宜選択することができる。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、１～２４時間が適当である。

工程１－４で得られた式（２）で表される化合物は精製することも好ましい。例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、再結晶などの通常の方法により、精製することもできる。

［式（３）で表される化合物の製造方法］
工程２－１～工程２－６により、式（３）で表される化合物を製造する。

式（３Ａ）、式（３Ｃ）、式（３Ｅ）、および式（３Ｆ）において、Ｒ^１は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のアリールメチル基である。Ｒ^１におけるアルキル基の具体例として、メチル基、エチル基、プロピル基を例示することができる。Ｒ^１におけるアリール基の具体例として、フェニル基を例示することができる。Ｒ^１におけるアリールメチル基の具体例として、ベンジル基、４－メトキシベンジル基、３，４－ジメトキシベンジル基、２－ナフチルメチル基を例示することができる。式（３Ｂ）において、Ｌ^２は脱離基を表す。式（３Ｂ）のＬ^２で表される脱離基としては、臭素原子やヨウ素原子などのハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基やトリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ－トルエンスルホニルオキシ基などのスルホニルオキシ基を例示することができる。式（３Ｄ）において、Ｌ^３はハロゲン、またはスルホニルオキシ基を表す。式（３Ｄ）のＬ^３で表されるハロゲンとしては、ヨウ素、塩素、臭素を例示することができる。式（３Ｄ）のＬ^３で表されるスルホニルオキシ基としては、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基を例示することができる。式（３Ｄ）～式（３Ｈ）、および式（３）において、ｍは１～３の整数である。

工程２－１は、式（３Ａ）で表される化合物と式（３Ｂ）で表される化合物の反応であり、例えば、上記の工程１－１を参照することができる。

工程２－２は、式（３Ｃ）で表される化合物と式（３Ｄ）で表される化合物のカップリング反応であり、触媒、配位子、助触媒、塩基の存在下に実施する。触媒としては、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロリド、酢酸パラジウム、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、１，１‘－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンジクロロパラジウム、ジクロロビス〔ジ－ｔ－ブチル（ｐ－ジメチルアミノフェニル）ホスフィノ〕パラジウム等のパラジウム触媒を例示することができる。触媒の使用量に特に制限はなく、原料としての一般式（３Ｃ）で表される化合物に対して０．００１～１モル等量用いればよい。配位子としては、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ（２－フリル）ホスフィン、トリ（ｏ－トリル）ホスフィン、１，１‘－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等のホスフィンを例示することができる。配位子の使用量に特に制限はなく、原料としての一般式（３Ｃ）で表される化合物に対して０．００１～１モル等量用いればよい。

助触媒としては、ヨウ化銅を例示することができる。助触媒の使用量に特に制限はなく、原料としての一般式（３Ｃ）で表される化合物に対して０．００１～１モル等量用いればよい。塩基としては、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウムや炭酸カリウム、炭酸セシウムなどのアルカリ金属炭酸塩、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジイソプロピルエチルアミンなどのアミン化合物を例示することができる。塩基の使用量に特に制限はなく、原料としての一般式（３Ｃ）で表される化合物に対して１～５モル等量用いればよい。

工程２－２の反応は溶媒中で実施することができる。溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば使用することができ、例えば、ジエチルエーテルやジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶媒、ベンゼンやトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）やＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、水などを例示することができる。塩基として用いるアミン化合物を溶媒として使用してもよい。これらの溶媒は、単独で又は２種以上混合して使用してもよい。

工程２－２の反応温度は、室温から使用する溶媒の還流温度の範囲から適宜選択することができる。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、１～２４時間が適当である。

工程２－２の反応により得られた式（３Ｅ）で表される化合物は、精製せずに次の反応（工程２－３）に供してもよいし、精製してから次の反応に供してもよい。精製方法として、抽出、カラムクロマトグラフィー、再結晶等の方法を挙げることができる。

工程２－３は、式（３Ｅ）で表される化合物で表される化合物の接触還元である。水素ガス雰囲気下でＰｄ／Ｃ触媒、ラネーニッケルなどを用いて還元する。

工程２－３の反応は溶媒中で実施することができる。溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば使用することができ、例えば、ジエチルエーテルやジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、ベンゼンやトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）やＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）などを例示することができる。これらの溶媒は、単独で又は２種以上混合して使用してもよい。

工程２－３の反応温度は、室温から使用する溶媒の還流温度の範囲から適宜選択することができる。反応圧力は、大気圧からの１ＭＰａの範囲から適宜選択することができる。反応時間は、反応温度等の他の条件によっても異なるが、１～１２０時間が適当である。

工程２－４は、式（３Ｆ）で表される化合物のエステルの加水分解反応であり、例えば、上記の工程１－２を参照することができる。

工程２－５は、式（３Ｇ）で表される化合物の脱炭酸反応であり、例えば、上記の工程１－３を参照することができる。

工程２－６は、式（３Ｈ）で表される化合物の脱水縮合反応であり、例えば、上記の工程１－４を参照することができる。

［式（４）で表される化合物の製造方法］
工程３－１～工程３－５により、式（４）で表される化合物を製造する。

式（４Ａ）、式（４Ｃ）、および式（４Ｅ）において、Ｒ^１は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のアリールメチル基である。Ｒ^１におけるアルキル基の具体例として、メチル基、エチル基、プロピル基を例示することができる。Ｒ^１におけるアリール基の具体例として、フェニル基を例示することができる。Ｒ^１におけるアリールメチル基の具体例として、ベンジル基、４－メトキシベンジル基、３，４－ジメトキシベンジル基、２－ナフチルメチル基を例示することができる。式（４Ｂ）および式（４Ｃ）において、Ｌ^４およびＬ^５は脱離基を表す。式（４Ｂ）および式（４Ｃ）のＬ^４およびＬ^５で表される脱離基としては、臭素原子やヨウ素原子などのハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基やトリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ－トルエンスルホニルオキシ基などのスルホニルオキシ基を例示することができる。式（４Ｂ）、式（４Ｃ）、式（４Ｅ）～式（４Ｇ）、および式（４）において、ｎは２～５の整数である。式（４Ｄ）～式（４Ｇ）、および式（４）において、ｍは１～３の整数である。

工程３－１は、式（４Ａ）で表される化合物と式（４Ｂ）で表される化合物の反応であり、例えば、上記の工程１－１を参照することができる。

工程３－２は、式（４Ｃ）で表される化合物と式（４Ｄ）で表される化合物のエーテル化であり、塩基、ヨウ化物の存在下に実施する。塩基としては、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウムや炭酸カリウム、炭酸セシウムなどのアルカリ金属炭酸塩、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジイソプロピルアミン、ジイソプロピルエチルアミンなどのアミン化合物を例示することができる。塩基の使用量に特に制限はなく、原料としての一般式（４Ｃ）で表される化合物に対して１～５モル等量用いればよい。ヨウ化物としては、ヨウ化ナトリウムやヨウ化カリウムを例示することができる。ヨウ化物の使用量に特に制限はなく、原料としての一般式（４Ｃ）で表される化合物に対して０．０１～２モル等量用いればよい。

工程３－２の反応は溶媒中で実施することができる。溶媒としては、反応に害を及ぼさない溶媒であれば使用することができ、例えば、ジエチルエーテルやジイソプロピルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリルなどのニトリル系溶媒、ベンゼンやトルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの芳香族系溶媒、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）やＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、水などを例示することができる。塩基として用いるアミン化合物を溶媒として使用してもよい。これらの溶媒は、単独で又は２種以上混合して使用してもよい。

工程３－３は、式（４Ｅ）で表される化合物のエステルの加水分解反応であり、例えば、上記の工程１－２を参照することができる。

工程３－４は、式（４Ｆ）で表される化合物の脱炭酸反応であり、例えば、上記の工程１－３を参照することができる。

工程３－５は、式（４Ｇ）で表される化合物の脱水縮合反応であり、例えば、上記の工程１－４を参照することができる。

式（２）～式（４）で表される化合物の誘導化合物は、式（２）～式（４）で表されるテトラカルボン酸二無水物から製造することができる。テトラカルボン酸ジエステルは、テトラカルボン酸二無水物を２当量のアルコールと反応させ開環させて得ることができ、テトラカルボン酸ジエステルジクロライドは、テトラカルボン酸ジエステルを２当量の塩素化剤（例えば塩化チオニルなど）と反応させることで得ることができる。

＜ポリマーの種類＞
本発明で液晶配向剤に用いるポリマーは、原料として式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類の少なくとも１つを含むポリアミック酸、ポリイミド、部分ポリイミド、ポリアミック酸エステル、ポリアミック酸－ポリアミドコポリマー、およびポリアミドイミドからなる群から選ばれる少なくとも１つである。本明細書中では、ポリイミド、部分ポリイミド、ポリアミック酸エステル、ポリアミック酸－ポリアミドコポリマー、およびポリアミドイミドを、ポリアミック酸誘導体と称することもある。

以下に、ポリアミック酸およびポリアミック酸誘導体について詳細を説明する。

ここで、ポリアミック酸は、式（ＡＮ）で表されるテトラカルボン酸二無水物と式（ＤＩ）で表されるジアミン類との重合反応により合成されるポリマーであり、式（ＰＡＡ）で表される構成単位を有する。ポリアミック酸を含む液晶配向剤は、液晶配向膜を形成させる工程で加熱焼成すると、ポリアミック酸がイミド化され、式（ＰＩ）で表される構成単位を有するポリイミド液晶配向膜を形成することができる。

式（ＡＮ）、式（ＰＡＡ）、および式（ＰＩ）において、Ｘ^１は４価の有機基である。式（ＤＩ）、式（ＰＡＡ）、および式（ＰＩ）において、Ｘ^２は２価の有機基である。Ｘ^１の好ましい範囲と具体例については、式（１）、下記の光反応性構造を有する化合物および下記のその他のテトラカルボン酸二無水物類の欄に記載したテトラカルボン酸二無水物の対応する構造を参照することができる。Ｘ^２の好ましい範囲と具体例については、下記の光反応性構造を有する化合物およびその他のジアミン類の欄に記載したジアミンまたはジヒドラジドの対応する構造についての記載を参照することができる。

ポリアミック酸誘導体は、ポリアミック酸の一部分を他の原子または原子団に置き換えて特性を改変したポリマーであり、特に液晶配向剤に用いる溶剤への溶解性を高くしたものであることが好ましい。このようなポリアミック酸誘導体としては、具体的には１）ポリアミック酸のすべてのアミノ基とカルボキシル基とが脱水閉環反応したポリイミド、２）部分的に脱水閉環反応した部分ポリイミド、３）ポリアミック酸のカルボキシル基がエステルに変換されたポリアミック酸エステル、４）テトラカルボン酸二無水物化合物に含まれる酸二無水物の一部を有機ジカルボン酸に置き換えて反応させて得られたポリアミック酸－ポリアミドコポリマー、さらに５）該ポリアミック酸－ポリアミドコポリマーの一部または全部を脱水閉環反応させたポリアミドイミドが挙げられる。これらの誘導体のうち、例えばポリイミドとしては、上記式（ＰＩ）で表される構成単位を有するものを挙げることができ、ポリアミック酸エステルとしては、下記式（ＰＡＥ）で表される構成単位を有するものを挙げることができる。

式（ＰＡＥ）において、Ｘ^１は４価の有機基であり、Ｘ^２は２価の有機基であり、Ｙはそれぞれ独立してアルキル基である。Ｘ^１、Ｘ^２の好ましい範囲と具体例については、式（ＰＡＡ）におけるＸ^１、Ｘ^２についての記載を参照することができる。Ｙにおいては、炭素数１～６の直鎖または炭素数３～６の分岐鎖のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、またはターシャリーブチル基がより好ましい。

ポリアミック酸の合成に用いるテトラカルボン酸二無水物類およびジアミン類は、それぞれ１種類であっても２種類以上であってもよい。テトラカルボン酸二無水物類の少なくとも１つに式（１）で表される化合物を用いることで、本発明のポリアミック酸を得ることができる。

前述の本発明のポリアミック酸を、ポリアミック酸誘導体であるポリイミドとする場合には、得られたポリアミック酸溶液を、脱水剤である無水酢酸、無水プロピオン酸、無水トリフルオロ酢酸などの酸無水物、および脱水閉環触媒であるトリエチルアミン、ピリジン、コリジンなどの三級アミンとともに、温度２０～１５０℃でイミド化反応させることにより、ポリイミドを得ることができる。あるいは、得られたポリアミック酸溶液から多量の貧溶媒（メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール系溶媒やグリコール系溶媒）を用いてポリアミック酸を析出させ、析出させたポリアミック酸を、トルエン、キシレン等の溶媒中で、上記の脱水剤および脱水閉環触媒とともに、温度２０～１５０℃でイミド化反応させることにより、ポリイミドを得ることもできる。

前記イミド化反応において、脱水剤と脱水閉環触媒の割合は、０．１～１０（モル比）であることが好ましい。脱水剤と脱水閉環触媒の合計使用量は、当該ポリアミック酸の合成に使用したテトラカルボン酸二無水物のモル量の合計に対して１．５～１０倍モルであることが好ましい。このイミド化反応に用いる脱水剤、触媒量、反応温度および反応時間を調整することによって、イミド化の程度を制御することができ、これによりポリアミック酸の一部のみがイミド化した部分ポリイミドを得ることができる。得られたポリイミドは、反応に用いた溶剤と分離し、他の溶剤に再溶解させて液晶配向剤として使用することもできるし、あるいは溶剤と分離することなく液晶配向剤として使用することもできる。

ポリアミック酸エステルは、ポリアミック酸と水酸基含有化合物、ハロゲン化物、エポキシ基含有化合物等とを反応させることにより合成する方法や、テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸ジエステルもしくはテトラカルボン酸ジエステルジクロライドと、ジアミン類とを反応させることにより合成する方法により得ることができる。テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸ジエステルは、例えばテトラカルボン酸二無水物を２当量のアルコールと反応させ開環させて得ることができ、テトラカルボン酸ジエステルジクロライドは、テトラカルボン酸ジエステルを２当量の塩素化剤（例えば塩化チオニルなど）と反応させることで得ることができる。なお、ポリアミック酸エステルは、アミック酸エステル構造のみを有していてもよく、アミック酸構造とアミック酸エステル構造とが併存する部分エステル化物であってもよい。テトラカルボン酸二無水物類の少なくとも１つに、式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類を用いることで、本発明のポリアミック酸エステルを得ることができる。

本発明のポリアミック酸またはその誘導体は、ポリイミドの膜の形成に用いられる公知のポリアミック酸またはその誘導体と同様に製造することができる。テトラカルボン酸二無水物類の総仕込み量は、ジアミン類の合計１モルに対して、０．９～１．１モルとすることが好ましい。

本発明の液晶配向剤はこれらのポリアミック酸、ポリアミック酸エステルおよびこれらをイミド化して得られるポリイミドのうちの１種類のみを含んでいてもよいし、２種類以上含んでいてもよい。

本発明のポリアミック酸またはその誘導体の分子量は、ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）で、５，０００～５００，０００であることが好ましく、５，０００～５０，０００であることがより好ましい。ポリアミック酸またはその誘導体の分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法による測定から求めることができる。

本発明のポリアミック酸またはその誘導体は、多量の貧溶剤で沈殿させて得られる固形分をＩＲ（赤外分光法）、ＮＭＲ（核磁気共鳴分析）で分析することによりその存在を確認することができる。またＫＯＨやＮａＯＨ等の強アルカリの水溶液による前記ポリアミック酸またはその誘導体の分解物の有機溶剤による抽出物をＧＣ（ガスクロマトグラフィ）、ＨＰＬＣ（高速液体クロマトグラフィ）またはＧＣ－ＭＳ（ガスクロマトグラフィ質量分析法）で分析することにより、使用されているモノマーを確認することができる。

＜光反応性構造を有する化合物＞
本発明において、光反応性構造とは紫外線照射で光反応を起こす構造を表す。例えば、光分解構造、光異性化構造、または光二量化構造を好適に使用することができる。下記に記載するような光反応性構造を有する化合物を原料モノマーとして使用することで、光配向用液晶配向剤を得ることができる。光配向膜は一般的にラビング配向膜に比べてＶＨＲ信頼性が劣るので、本発明の式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類を光配向用液晶配向剤に適用すると、より大きな改善効果が得られる。

液晶配向性を向上させることを重視する場合には、光異性化構造を有する化合物を用いることが好ましい。光異性化構造を有する化合物を用いた本発明の光配向用液晶配向剤は、その塗膜に、後述するような光配向用の偏光を照射すると、その偏光方向と概ね平行にあるポリマー主鎖の光異性化構造が選択的に光異性化反応を起こして、ポリマー鎖のうちで特定の方向（偏光方向に対して概ね直角方向）を向いた成分が支配的になる。このように、ポリマー鎖のうちで特定の方向を向いた成分が支配的になった状態を、ポリマー鎖が配向したと表現する。より揃っていることを、膜の異方性が高いと表現する。この塗膜を焼成して形成した光配向膜を液晶表示素子に用いると、配向した膜の表面と液晶分子の相互作用の結果、液晶分子が偏光方向に対して概ね直角方向に長軸を揃えて配向する。本明細書において、配向膜を形成しているポリマー鎖が特定方向に配向している状態にすることを、異方性を付与すると表現することがある。また、ポリマー鎖が特定方向により揃っていることを、大きな異方性を持つと表現することがある。光異性化反応を利用した光配向膜は、大きな異方性を持ち、液晶配向性に優れている。

本発明の式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類は、アルキレン構造を有する柔軟な構造である。液晶配向剤の塗膜への偏光照射により特定の方向を向いた成分が支配的となるが、この塗膜を焼成する工程において、特定の方向を向いた成分に沿ってポリマー主鎖が配向することで、膜の異方性が増幅する。式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類は、柔軟な構造であるアルキレン構造を有していることにより、ポリマー全体が動きやすく、液晶配向膜の異方性を増大させることができる。そして、芳香環により液晶分子との相互作用を強めるため、より一層液晶配向性を高めることができると考えられる。

前記光異性化構造を有する化合物としては、光異性化構造を有するテトラカルボン酸二無水物または光異性化構造を有するジアミンが挙げられ、感光性が良好な下記式（ＩＩ）～式（ＶＩ）で表される化合物の群から選ばれる少なくとも１つであることが好ましく、式（Ｖ）で表される化合物がより好ましい。

式（ＩＩ）～（Ｖ）において、Ｒ^２およびＲ^３は－ＮＨ_２を有する１価の有機基または－ＣＯ－Ｏ－ＣＯ－を有する１価の有機基であり、式（ＩＶ）においてＲ^４は２価の有機基であり、式（ＶＩ）においてＲ^５は－ＮＨ_２もしくは－ＣＯ－Ｏ－ＣＯ－を有する芳香環である。

光異性化構造は、本発明におけるポリマーの主鎖もしくは側鎖のどちらに組み込んでもよいが、主鎖に組み込むことにより、横電界方式の液晶表示素子に好適に用いることができる。

前記光異性化構造を有する化合物としては、下記式（ＩＩ－１）、（ＩＩ－２）、（ＩＩＩ－１）、（ＩＩＩ－２）、（ＩＶ－１）、（ＩＶ－２）、（Ｖ－１）～（Ｖ－３）、（ＶＩ－１）、および（ＶＩ－２）で表される化合物の群から選ばれる少なくとも１つを好適に用いることができる。

上記各式において、環を構成するいずれかの炭素原子に結合位置が固定されていない基は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できることを示す。

式（Ｖ－２）において、Ｘは炭素数１～１２のアルキレン基であり、前記アルキレン基の－（ＣＨ_２）_２－の隣り合わない１つ以上が－Ｏ－および－ＮＨ－のいずれかで置き換えられていてもよい。Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して水素原子、－ＣＨ_３、－ＯＣＨ_３、－ＣＦ_３、－Ｆ、－ＣＯＯＣＨ_３、または式（Ｐ１－１）もしくは式（Ｐ１－２）で表される１価の基である。Ｒ^ｃはそれぞれ独立して水素原子、－ＣＨ_３、－ＯＣＨ_３、－ＣＦ_３、－Ｆ、または式（Ｐ１－１）もしくは式（Ｐ１－２）で表される１価の基である。ｊは０または１であり、ａ～ｃはそれぞれ独立に０～２の整数である。

式（Ｐ１－１）および式（Ｐ１－２）において、Ｒ^d～Ｒ^fは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルカノイル基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、または置換もしくは無置換のアリールカルボニル基を表し、Ｒ^d～Ｒ^fは互いに同一であっても異なっていてもよい。＊は、式（Ｖ－２）におけるベンゼン環への結合位置を表す。

式（Ｖ－３）において、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ独立して、単環式炭化水素、縮合多環式炭化水素および複素環から選ばれる少なくとも１つであり、Ｒ^１１は、炭素数１～２０の直鎖アルキレン、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＮＨＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－Ｎ（ＣＨ_３）ＣＯ－、または－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－であり、Ｒ^１２は、炭素数１～２０の直鎖アルキレン、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＮＨＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－Ｎ（ＣＨ_３）ＣＯ－、または－ＣＯＮ（ＣＨ_３）－であり、Ｒ^１１およびＲ^１２において、直鎖アルキレンの－ＣＨ_２－の１つまたは２つは－Ｏ－で置き換えられてもよく、Ｒ^７～Ｒ^１０は、それぞれ独立して、－Ｆ、－ＣＨ_３、－ＯＣＨ_３、－ＣＦ_３、または－ＯＨであり、そして、ｂ～ｅは、それぞれ独立して、０～４の整数である。

上記式（Ｖ－１）、式（Ｖ－２）、式（Ｖ－３）および式（ＶＩ－２）で表される化合物はその配向性の点からより好適に用いることができ、式（Ｖ－２）で表される化合物が特に好ましい。式（Ｖ－２）および式（ＶＩ－２）においては、アミノ基の結合位置がパラ位の化合物を、その配向性の点からより好適に用いることができる。

式（ＩＩ－１）、式（ＩＩ－２）、式（ＩＩＩ－１）、式（ＩＩＩ－２）、式（ＩＶ－１）、式（ＩＶ－２）、式（Ｖ－１）～式（Ｖ－３）、式（ＶＩ－１）、および式（ＶＩ－２）に示す紫外線照射で異性化を起こし得る構造を持つテトラカルボン酸二無水物もしくはジアミンは、式（ＩＩ－１－１）、式（ＩＩ－２－１）、式（ＩＩ－２－２）、式（ＩＩＩ－１－１）、式（ＩＩＩ－２－１）、式（ＩＩＩ－２－２）、式（ＩＶ－１－１）、式（ＩＶ－２－１）、式（ＩＶ－２－２）、式（Ｖ―１－１）、式（Ｖ－２－１）～式（Ｖ－２－１６）、式（Ｖ－３－１）～式（Ｖ－３－８）、式（ＶＩ－１－１）、式（ＶＩ－２－１）～式（ＶＩ－２－３）で具体的に表すことができる。

これらの中でも式（Ｖ－１－１）、式（Ｖ－２－１）～式（Ｖ－２－１６）、および式（Ｖ－３－８）で表される化合物を使用することで、紫外線照射に対してより感度の高い光配向用液晶配向剤を得ることができる。式（Ｖ－１－１）、式（Ｖ－２－１）、式（Ｖ－２－４）～式（Ｖ－２－１６）、および式（Ｖ－３－１）～式（Ｖ－３－８）で表される化合物を使用することで、液晶分子をより一様に配向させることができる光配向用液晶配向剤を得ることができ、式（Ｖ－２－１）、式（Ｖ－２－４）～式（Ｖ－２－１６）で表される化合物を使用することがより好ましい。式（Ｖ－２－４）～式（Ｖ－２－１６）、および式（Ｖ－３－１）～式（Ｖ－３－８）で表される化合物を使用することで、形成される配向膜がより着色の少なくできる光配向用液晶配向剤を得ることができる。

光分解構造を有する化合物の好ましい例としては、以下の化合物が挙げられる。

式（ＰＡ－１）～式（ＰＡ－３）で表されるテトラカルボン酸二無水物をテトラカルボン酸ジエステルやテトラカルボン酸ジエステルジクロライドに誘導して、ポリマーの原料に用いてもよい。

なお、式（ＰＡ－１）～式（ＰＡ－５）で表される化合物は、光異性化反応に基づく液晶配向能を利用した液晶配向剤、光二量化に基づく液晶配向能を利用した液晶配向剤、またはラビング用液晶配向剤に用いるポリマーの原料モノマーとして用いる場合は、光反応性構造を有さないテトラカルボン酸二無水物または、光反応性構造を有さないジアミンとして扱われる。

光二量化構造を有する化合物の好ましい例としては、以下の化合物が挙げられる。

式（ＰＤＩ－１２）において、Ｒ^１２は炭素数１～１０のアルキル基またはアルコキシ基であり、アルキル基またはアルコキシ基の少なくとも１つの水素はフッ素に置き換えられていてもよい。

これらの中でも、式（ＰＤＩ－９）および式（ＰＤＩ－１１）で表されるジアミンをより好適に用いることができる。

光反応性構造を有さない（非感光性）テトラカルボン酸二無水物および光反応性構造を有する（感光性）テトラカルボン酸二無水物を併用する態様においては、液晶配向膜の光に対する感度の低下を防ぐために、本発明のポリアミック酸またはその誘導体を製造する際の原料として使用するテトラカルボン酸二無水物の全量に対して、感光性テトラカルボン酸二無水物は３０～１００モル％が好ましく、５０～１００モル％が特に好ましい。また、光に対する感度、電気特性、残像特性等、前述した諸般の特性を改善するために感光性テトラカルボン酸二無水物を２つ以上併用してもよい。

光反応性構造を有さない（非感光性）のジアミンおよび光反応性構造を有する（感光性）ジアミンを併用する態様においては、配向膜の光に対する感度の低下を防ぐために、本発明のポリアミック酸またはその誘導体を製造する際の原料として使用するジアミンの全量に対して、感光性ジアミンは２０～１００モル％が好ましく、５０～１００モル％が特に好ましい。また、光に対する感度、残像特性等、前述した諸般の特性を改善するために感光性ジアミンを２つ以上併用してもよい。前記のごとく、本発明の態様にはテトラカルボン酸二無水物の全量が非感光性テトラカルボン酸二無水物で占められる場合が含まれるが、その場合でもジアミンの全量の最低２０モル％が光反応性構造を有するジアミンであることが求められる。

光に対する感度、残像特性等、前述した諸般の特性を改善するために、感光性テトラカルボン酸二無水物および感光性ジアミンを併用してもよく、それぞれを２つ以上併用してもよい。

＜その他のテトラカルボン酸二無水物類＞
本発明のポリマーの原料に用いる式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類および上記光反応性構造を有する化合物以外のテトラカルボン酸二無水物類としては、公知のテトラカルボン酸二無水物類から制限されることなく選択することができる。

以下にテトラカルボン酸二無水物の例を挙げる。これらのテトラカルボン酸二無水物をテトラカルボン酸ジエステルやテトラカルボン酸ジエステルジクロライドに誘導して、ポリマーの原料に用いてもよい。

このようなテトラカルボン酸二無水物は、芳香環に直接ジカルボン酸無水物が結合した芳香族系（複素芳香環系を含む）、および芳香環に直接ジカルボン酸無水物が結合していない脂肪族系（複素環系を含む）の何れの群に属するものであってもよい。

このようなテトラカルボン酸二無水物の例として、以下の式（ＡＮ－１）、式（ＡＮ－３）～式（ＡＮ－９）、式（ＡＮ－１１）、式（ＡＮ－１２）、式（ＡＮ－１５）、式（ＡＮ－１０－１）、式（ＡＮ－１０－２）、および式（ＡＮ－１６－１）～式（ＡＮ－１６－１７）で表される化合物が挙げられる。

［式（ＡＮ－１）で表されるテトラカルボン酸二無水物］

式（ＡＮ－１）において、Ｇ^１１は単結合、炭素数１～１２のアルキレン基、１，４－フェニレン基、または１，４－シクロヘキシレン基である。Ｘ^１１は独立して単結合または－ＣＨ_２－である。Ｇ^１２は独立して下記の３価の基のいずれかである。

Ｇ^１２が＞ＣＨ－であるとき、＞ＣＨ－の水素原子はメチル基で置換されていてもよい。Ｇ^１２が＞Ｎ－であるとき、Ｇ^１１は単結合および－ＣＨ_２－であることはなく、Ｘ^１１は単結合であることはない。Ｒ^１１は水素原子またはメチル基である。

式（ＡＮ－１）で表されるテトラカルボン酸二無水物の例としては、下記の式（ＡＮ－１－１）～式（ＡＮ－１－１５）で表される化合物を挙げることができる。

式（ＡＮ－１－２）および（ＡＮ－１－１４）において、ｍはそれぞれ独立して１～１２の整数である。

［式（ＡＮ－３）で表されるテトラカルボン酸二無水物］

式（ＡＮ－３）において、環Ａ^１１はシクロヘキサン環またはベンゼン環である。

式（ＡＮ－３）で表されるテトラカルボン酸二無水物の例としては、下記の式（ＡＮ－３－１）、式（ＡＮ－３－２）で表される化合物を挙げることができる。

［式（ＡＮ－４）で表されるテトラカルボン酸二無水物］

式（ＡＮ－４）において、Ｇ^１３は単結合、－（ＣＨ_２）_ｍ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－ＳＯ_２－、－ＣＯ－、－Ｃ（ＣＦ_３）_２－、または下記式（Ｇ１３－１）で表される２価の基であり、ｍは１～１２の整数である。環Ａ^１１はそれぞれ独立してシクロヘキサン環またはベンゼン環である。Ｇ^１３は環Ａ^１１の結合可能な炭素のいずれかと結合できる。

式（Ｇ１３－１）において、Ｇ^１３ａおよびＧ^１３ｂはそれぞれ独立して、単結合、－Ｏ－、－ＣＯＮＨ－、または－ＮＨＣＯ－で表される２価の基である。フェニレン基は、１，４－フェニレン基または１，３－フェニレン基であることが好ましい。

式（ＡＮ－４）で表されるテトラカルボン酸二無水物の例としては、下記の式（ＡＮ－４－１）～式（ＡＮ－４－３１）で表される化合物を挙げることができる。

式（ＡＮ－４－１７）において、ｍは１～１２の整数である。

［式（ＡＮ－５）で表されるテトラカルボン酸二無水物］

式（ＡＮ－５）において、Ｒ^１１は独立して水素原子またはメチル基である。２つのＲ^１１のうちベンゼン環におけるＲ^１１は、ベンゼン環の置換可能な位置のいずれかに結合する。

式（ＡＮ－５）で表されるテトラカルボン酸二無水物の例としては、下記の式（ＡＮ－５－１）～式（ＡＮ－５－３）で表される化合物を挙げることができる。

［式（ＡＮ－６）で表されるテトラカルボン酸二無水物］

式（ＡＮ－６）において、Ｘ^１１は独立して単結合または－ＣＨ_２－である。Ｘ^１２は－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－または－ＣＨ＝ＣＨ－である。ｎは１または２である。ｎが２であるとき、２つのＸ^１２は互いに同一であっても異なっていてもよい。

式（ＡＮ－６）で表されるテトラカルボン酸二無水物の例としては、下記の式（ＡＮ－６－１）～式（ＡＮ－６－１２）で表される化合物を挙げることができる。

［式（ＡＮ－７）で表されるテトラカルボン酸二無水物］

式（ＡＮ－７）において、Ｘ^１１は単結合または－ＣＨ_２－である。

式（ＡＮ－７）で表されるテトラカルボン酸二無水物の例としては、下記の式（ＡＮ－７－１）、式（ＡＮ－７－２）で表される化合物を挙げることができる。

［式（ＡＮ－８）で表されるテトラカルボン酸二無水物］

式（ＡＮ－８）において、Ｘ^１１は単結合または－ＣＨ_２－である。Ｒ^１２は水素原子、メチル基、エチル基、またはフェニル基である。環Ａ^１２はシクロヘキサン環またはシクロヘキセン環である。

式（ＡＮ－８）で表されるテトラカルボン酸二無水物の例としては、下記の式（ＡＮ－８－１）、式（ＡＮ－８－２）で表される化合物を挙げることができる。

［式（ＡＮ－９）で表されるテトラカルボン酸二無水物］

式（ＡＮ－９）において、ｒはそれぞれ独立して０または１である。

式（ＡＮ－９）で表されるテトラカルボン酸二無水物の例としては、下記の式（ＡＮ－９－１）～式（ＡＮ－９－３）で表される化合物を挙げることができる。

［式（ＡＮ－１０－１）および式（ＡＮ－１０－２）で表されるテトラカルボン酸二無水物］

［式（ＡＮ－１１）で表されるテトラカルボン酸二無水物］

式（ＡＮ－１１）において、環Ａ^１１は独立してシクロヘキサン環またはベンゼン環である。

式（ＡＮ－１１）で表されるテトラカルボン酸二無水物の例としては、下記の式（ＡＮ－１１－１）～式（ＡＮ－１１－３）で表される化合物を挙げることができる。

［式（ＡＮ－１２）で表されるテトラカルボン酸二無水物］

式（ＡＮ－１２）において、環Ａ^１１はそれぞれ独立してシクロヘキサン環またはベンゼン環である。

式（ＡＮ－１２）で表されるテトラカルボン酸二無水物の例としては、下記の式（ＡＮ－１２－１）～式（ＡＮ－１２－３）で表される化合物を挙げることができる。

［式（ＡＮ－１５）で表されるテトラカルボン酸二無水物］

式（ＡＮ－１５）において、ｗは１～１０の整数である。

式（ＡＮ－１５）で表されるテトラカルボン酸二無水物の例としては、下記の式（ＡＮ－１５－１）～式（ＡＮ－１５－３）で表される化合物を挙げることができる。

上記以外のテトラカルボン酸二無水物として、下記の式（ＡＮ－１６－１）～式（ＡＮ－１６－１７）で表される化合物が挙げられる。

上記テトラカルボン酸二無水物において、後述する液晶配向膜の各特性を向上させる好適な材料について述べる。液晶配向性をさらに向上させることを重視する場合には、式（ＡＮ－１－２）、式（ＡＮ－４－１７）、式（ＡＮ－４－２１）、式（ＡＮ－４－２９）、または（ＡＮ－１６－１７）で表される化合物がより好ましく、式（ＡＮ－１－２）においては、ｍ＝４～８が好ましく、式（ＡＮ－４－１７）においては、ｍ＝４～８が好ましい。

液晶表示素子の透過率を向上させることを重視する場合には、式（ＡＮ－１－１）、式（ＡＮ－１－２）、式（ＡＮ－２－１）、式（ＡＮ－３－１）、式（ＡＮ－４－１７）、式（ＡＮ－４－３０）、式（ＡＮ－５－１）、式（ＡＮ－７－２）、式（ＡＮ－１０－１）、式（ＡＮ－１６－３）、または式（ＡＮ－１６－４）で表される化合物が好ましく、中でも式（ＡＮ－１－２）においては、ｍ＝４または８が好ましく、式（ＡＮ－４－１７）においては、ｍ＝４～８が好ましく、ｍ＝８がより好ましい。

液晶表示素子のＶＨＲを向上させることを重視する場合には、式（ＡＮ－１－１）、式（ＡＮ－１－２）、式（ＡＮ－３－１）、式（ＡＮ－４－１７）、式（ＡＮ－４－３０）、式（ＡＮ－７－２）、式（ＡＮ－１０－１）、式（ＡＮ－１６－３）、式（ＡＮ－１６－４）、または式（ＡＮ－２－１）で表される化合物が好ましく、式（ＡＮ－１－２）においては、ｍ＝４または８が好ましく、式（ＡＮ－４－１７）においては、ｍ＝４、または８が好ましく、ｍ＝８がより好ましい。

液晶配向膜の体積抵抗値を低下させることにより、液晶配向膜中の残留電荷（残留ＤＣ）の緩和速度を向上させることが、焼き付きを防ぐ方法の１つとして有効である。この目的を重視する場合には、式（ＡＮ－１－１３）、式（ＡＮ－３－２）、式（ＡＮ－４－２１）、式（ＡＮ－４－２９）、または式（ＡＮ－１１－３）で表される化合物が好ましい。

［原料における式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類の配合量］
本発明のポリマーの原料として使用する原料組成物において、原料として使用するテトラカルボン酸二無水物類の全量に対して、式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類は１０～１００モル％が好ましく、１０～６０モル％がより好ましく、２０～６０モル％がさらに好ましい。

＜その他のジアミン類＞
本発明のポリマーの原料に用いる上記光反応性構造を有する化合物以外のジアミン類としては、公知のジアミン類から制限されることなく選択することができる。

ジアミンはその構造によって２種類に分けることができる。即ち、２つのアミノ基を結ぶ骨格を主鎖として見たときに、主鎖から分岐する基、即ち側鎖基を有するジアミンと側鎖基を持たないジアミンである。以下の説明では、このような側鎖基を有するジアミンを側鎖型ジアミンと称することがある。そして、このような側鎖基を持たないジアミンを非側鎖型ジアミンと称することがある。この側鎖基はプレチルト角を大きくする効果を有する基である。
非側鎖型ジアミンと側鎖型ジアミンを適切に使い分けることにより、それぞれに必要なプレチルト角に対応することができる。

側鎖型ジアミンは、本発明の特性を損なわない程度に併用するのが好ましい。また側鎖型ジアミンおよび非側鎖型ジアミンについて、液晶に対する垂直配向性、ＶＨＲ、および残像特性等の特性を向上させる目的で取捨選択して使用することが好ましい。

既知の側鎖を有さないジアミンを以下の式（ＤＩ－１）～（ＤＩ－１６）に示す。

上記の式（ＤＩ－１）において、Ｇ^２０は、－ＣＨ_２－または式（ＤＩ－１－ａ）で表される基である。Ｇ^２０が－ＣＨ_２－であるとき、ｍ個の－ＣＨ_２－の少なくとも１つは－ＮＨ－、－Ｏ－に置き換えられてもよく、ｍ個の－ＣＨ_２－の少なくとも１つの水素原子は水酸基またはメチル基で置換されてもよい。ｍは１～１２の整数である。ＤＩ－１におけるｍが２以上であるとき、複数のＧ^２０は互いに同一であっても異なっていてもよい。ただし、Ｇ^２０が式（ＤＩ－１－ａ）であるとき、ｍは１である。

式（ＤＩ－１－ａ）において、ｖはそれぞれ独立して１～６の整数である。

式（ＤＩ－３）、式（ＤＩ－６）および式（ＤＩ－７）において、Ｇ^２１は独立して単結合、－ＮＨ－、－ＮＣＨ_３－、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ－Ｓ－、－ＳＯ_２－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＣＨ_３－、－ＣＯＮＨ－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＦ_３）_２－、－（ＣＨ_２）_ｍ－、－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｍ－Ｏ－、－Ｎ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_ｋ－Ｎ（ＣＨ_３）－、－（Ｏ－Ｃ_２Ｈ_４）_ｍ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＨ_２－Ｃ（ＣＦ_３）_２－ＣＨ_２－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－（ＣＨ_２）_ｍ－ＣＯ－Ｏ－、－ＣＯ－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｍ－Ｏ－ＣＯ－、－（ＣＨ_２）_ｍ－ＮＨ－（ＣＨ_２）_ｍ－、－ＣＯ－（ＣＨ_２）_ｋ－ＮＨ－（ＣＨ_２）_ｋ－、－（ＮＨ－（ＣＨ_２）_ｍ）_ｋ－ＮＨ－、－ＣＯ－Ｃ_３Ｈ_６－（ＮＨ－Ｃ_３Ｈ_６）_ｎ－ＣＯ－、または－Ｓ－（ＣＨ_２）_ｍ－Ｓ－であり、ｍは独立して１～１２の整数であり、ｋは１～５の整数であり、ｎは１または２である。式（ＤＩ－４）において、ｓは独立して０～２の整数である。

式（ＤＩ－５）において、Ｇ^３３は単結合、－ＮＨ－、－ＮＣＨ_３－、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ－Ｓ－、－ＳＯ_２－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＣＨ_３－、－ＣＯＮＨ－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＦ_３）_２－、－（ＣＨ_２）_ｍ－、－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｍ－Ｏ－、－Ｎ（ＣＨ_３）－（ＣＨ_２）_ｋ－Ｎ（ＣＨ_３）－、－（Ｏ－Ｃ_２Ｈ_４）_ｍ－Ｏ－、－Ｏ－ＣＨ_２－Ｃ（ＣＦ_３）_２－ＣＨ_２－Ｏ－、－Ｏ－ＣＯ－（ＣＨ_２）_ｍ－ＣＯ－Ｏ－、－ＣＯ－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｍ－Ｏ－ＣＯ－、－（ＣＨ_２）_ｍ－ＮＨ－（ＣＨ_２）_ｍ－、－ＣＯ－（ＣＨ_２）_ｋ－ＮＨ－（ＣＨ_２）_ｋ－、－（ＮＨ－（ＣＨ_２）_ｍ）_ｋ－ＮＨ－、－ＣＯ－Ｃ_３Ｈ_６－（ＮＨ－Ｃ_３Ｈ_６）_ｎ－ＣＯ－、または－Ｓ－（ＣＨ_２）_ｍ－Ｓ－、－Ｎ（Ｂｏｃ）－（ＣＨ_２）_ｅ－Ｎ（Ｂｏｃ）－、－ＮＨ－（ＣＨ_２）_ｅ－Ｎ（Ｂｏｃ）－、－Ｎ（Ｂｏｃ）－（ＣＨ_２）_ｅ－、－（ＣＨ_２）_ｍ－Ｎ（Ｂｏｃ）－ＣＯＮＨ－（ＣＨ_２）_ｍ－、－（ＣＨ_２）_ｍ－Ｎ（Ｂｏｃ）－（ＣＨ_２）_ｍ－、下記式（ＤＩ－５－ａ）または下記式（ＤＩ－５－ｂ）で表される基であり、ｍは独立して１～１２の整数であり、ｋは１～５の整数であり、ｅは２～１０の整数であり、ｎは１または２である。Ｂｏｃはｔ－ブトキシカルボニル基である。

式（ＤＩ－６）および式（ＤＩ－７）において、Ｇ^２２は独立して単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＣＯ－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、－Ｃ（ＣＦ_３）_２－、または炭素数１～１０のアルキレン基である。

式（ＤＩ－２）～式（ＤＩ－７）中のシクロヘキサン環およびベンゼン環の少なくとも１つの水素原子は、－Ｆ、－Ｃｌ、炭素数１～３のアルキレン基、－ＯＣＨ_３、－ＯＨ、－ＣＦ_３、－ＣＯ_２Ｈ、－ＣＯＮＨ_２、－ＮＨＣ_６Ｈ_５、フェニル基、またはベンジル基で置換されてもよく、加えて式（ＤＩ－４）においては、シクロヘキサン環およびベンゼン環の少なくとも１つの水素原子は、下記式（ＤＩ－４－ａ）～（ＤＩ－４－ｉ）のいずれかで表される基の群から選ばれる１つで置換されていてもよく、式（ＤＩ－５）においては、Ｇ^３３が単結合の時にはシクロヘキサン環およびベンゼン環の少なくとも１つの水素原子はＮＨＢｏｃまたはＮ（Ｂｏｃ）_２で置換されてもよい。

環を構成する炭素原子に結合位置が固定されていない基は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できることを示す。そして、シクロヘキサン環またはベンゼン環への－ＮＨ_２の結合位置は、Ｇ^２１、Ｇ^２２またはＧ^３３の結合位置を除く結合可能な位置である。

式（ＤＩ－４－ａ）および式（ＤＩ－４－ｂ）において、Ｒ^２０は独立して水素原子または－ＣＨ_３である。式（ＤＩ－４－ｆ）および式（ＤＩ－４－ｇ）において、ｍはそれぞれ独立して０～１２の整数であり、Ｂｏｃはｔ－ブトキシカルボニル基である。

式（ＤＩ－５－ａ）において、ｑはそれぞれ独立して０～６の整数である。Ｒ^４４は水素原子、－ＯＨ、炭素数１～６のアルキル基、または炭素数１～６のアルコキシ基である。

式（ＤＩ－１１）において、ｒは０または１である。式（ＤＩ－８）～式（ＤＩ－１１）において、環に結合する－ＮＨ_２は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できる。

式（ＤＩ－１２）において、Ｒ^２１およびＲ^２２は、それぞれ独立して炭素数１～３のアルキル基またはフェニル基であり、Ｇ^２３は独立して炭素数１～６のアルキレン基、フェニレン基またはアルキル基で置換されたフェニレン基であり、ｗは１～１０の整数である。
式（ＤＩ－１３）において、Ｒ^２３は独立して炭素数１～５のアルキル基、炭素数１～５のアルコキシ基または－Ｃｌであり、ｐは独立して０～３の整数であり、ｑは０～４の整数である。
式（ＤＩ－１４）において、環Ｂは単環の複素環式芳香族基であり、Ｒ^２４は水素原子、－Ｆ、－Ｃｌ、炭素数１～６のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、またはアルキニル基であり、ｑは独立して０～４の整数である。ｑが２以上であるとき、複数のＲ^２４は互いに同一であっても異なっていてもよい。式（ＤＩ－１５）において、環Ｃは複素環式芳香族基または複素環式脂肪族基である。式（ＤＩ－１６）において、Ｇ^２４は単結合、炭素数２～６のアルキレン基または１，４－フェニレン基であり、ｒは０または１である。そして、環を構成する炭素原子に結合位置が固定されていない基は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できることを示す。式（ＤＩ－１３）～式（ＤＩ－１６）において、環に結合する－ＮＨ_２は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できる。

式（ＤＩ－１）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－１－１）～式（ＤＩ－１－９）に示す。

式（ＤＩ－１－７）および式（ＤＩ－１－８）において、ｋはそれぞれ独立して、１～３の整数である。式（ＤＩ－１－９）において、ｖはそれぞれ独立して１～６の整数である。

式（ＤＩ－２）～式（ＤＩ－３）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－２－１）、式（ＤＩ－２－２）、式（ＤＩ－３－１）～式（ＤＩ－３－３）に示す。

式（ＤＩ－４）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－４－１）～式（ＤＩ－４－２７）に示す。

式（ＤＩ－４－２０）および（ＤＩ－４－２１）において、ｍはそれぞれ独立して１～１２の整数である。

式（ＤＩ－５）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－５－１）～式（ＤＩ－５－５０）に示す。

式（ＤＩ－５－１）において、ｍは１～１２の整数である。

式（ＤＩ－５－１２）および式（ＤＩ－５－１３）において、ｍはそれぞれ独立して１～１２の整数である。

式（ＤＩ－５－１６）において、ｖは１～６の整数である。

式（ＤＩ－５－３０）において、ｋは１～５の整数である。

式（ＤＩ－５－３５）～式（ＤＩ－５－３７）、および式（ＤＩ－５－３９）において、ｍはそれぞれ独立して１～１２の整数であり、式（ＤＩ－５－３８）および式（ＤＩ－５－３９）において、ｋはそれぞれ独立して１～５の整数であり、式（ＤＩ－５－４０）において、ｎは１または２の整数である。

式（ＤＩ－５－４２）～式（ＤＩ－５－４４）において、ｅはそれぞれ独立して２～１０の整数であり、式（ＤＩ－５－４５）においてＲ^４３は水素原子、－ＮＨＢｏｃ、または－Ｎ（Ｂｏｃ）_２である。式（ＤＩ－５－４２）～式（ＤＩ－５－４４）において、Ｂｏｃはｔ－ブトキシカルボニル基である。

式（ＤＩ－６）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－６－１）～式（ＤＩ－６－７）に示す。

式（ＤＩ－７）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－７－１）～式（ＤＩ－７－１１）に示す。

式（ＤＩ－７－３）および式（ＤＩ－７－４）において、ｍはそれぞれ独立して１～１２の整数であり、ｎは独立して１または２である。

式（ＤＩ－８）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－８－１）～式（ＤＩ－８－４）に示す。

式（ＤＩ－９）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－９－１）～式（ＤＩ－９－３）に示す。

式（ＤＩ－１０）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－１０－１）、式（ＤＩ－１０－２）に示す。

式（ＤＩ－１１）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－１１－１）～式（ＤＩ－１１－３）に示す。

式（ＤＩ－１２）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－１２－１）に示す。

式（ＤＩ－１３）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－１３－１）～式（ＤＩ－１３－１３）に示す。

式（ＤＩ－１４）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－１４－１）～式（ＤＩ－１４－９）に示す。

式（ＤＩ－１５）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－１５－１）～式（ＤＩ－５－１２）に示す。

式（ＤＩ－１６）で表されるジアミンの例を以下の式（ＤＩ－１６－１）に示す。

次に、本発明のポリマーの原料に用いるジヒドラジドについて説明する。既知の側鎖を有さないジヒドラジドとしては、以下の式（ＤＩＨ－１）～（ＤＩＨ－３）のいずれかで表される化合物を挙げることができる。

式（ＤＩＨ－１）において、Ｇ^２５は単結合、炭素数１～２０のアルキレン基、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、または－Ｃ（ＣＦ_３）_２－である。式（ＤＩＨ－２）において、環Ｄはシクロヘキサン環、ベンゼン環またはナフタレン環であり、この基の少なくとも１つの水素原子はメチル基、エチル基、またはフェニル基で置換されてもよい。式（ＤＩＨ－３）において、環Ｅはそれぞれ独立してシクロヘキサン環、またはベンゼン環であり、この基の少なくとも１つの水素原子はメチル基、エチル基、またはフェニル基で置換されてもよい。複数の環Ｅは互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｙは単結合、炭素数１～２０のアルキレン、－ＣＯ－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ_２－、－Ｃ（ＣＨ_３）_２－、または－Ｃ（ＣＦ_３）_２－である。式（ＤＩＨ－２）および式（ＤＩＨ－３）において、環に結合する－ＣＯＮＨＮＨ_２は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できる。

式（ＤＩＨ－１）～（ＤＩＨ－３）のいずれかで表される化合物の例を以下の式（ＤＩＨ－１－１）、式（ＤＩＨ－１－２）、式（ＤＩＨ－２－１）～式（ＤＩＨ－２－３）、式（ＤＩＨ－３－１）～式（ＤＩＨ－３－６）に示す。

式（ＤＩＨ－１－２）において、ｍは１～１２の整数である。

プレチルト角を大きくする目的に適したジアミンについて説明する。本発明の化合物は、横電界型液晶表示素子に用いる液晶配向剤に好適に用いることができるが、下記のようなジアミンと併用して、プレチルト角を大きくすることも可能である。プレチルト角を大きくする目的に適した側鎖基をもったジアミンとしては、式（ＤＩ－３１）～式（ＤＩ－３５）、および式（ＤＩ－３６－１）～式（ＤＩ－３６－８）のいずれかで表されるジアミンが挙げられる。

式（ＤＩ－３１）において、Ｇ^２６は単結合、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、または－（ＣＨ_２）_ｍａ－であり、ｍａは１～１２の整数である。Ｇ^２６の好ましい例は単結合、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＨ_２Ｏ－、および炭素数１～３のアルキレン基であり、特に好ましい例は単結合、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＨ_２－および－ＣＨ_２ＣＨ_２－である。Ｒ^２５は炭素数３～３０のアルキル基、フェニル基、ステロイド骨格を有する基、または下記の式（ＤＩ－３１－ａ）で表される基である。このアルキル基において、少なくとも１つの水素原子は－Ｆで置換されてもよく、そして少なくとも１つの－ＣＨ_２－は－Ｏ－、－ＣＨ＝ＣＨ－または－Ｃ≡Ｃ－で置き換えられていてもよい。このフェニル基の水素原子は、－Ｆ、－ＣＨ_３、－ＯＣＨ_３、－ＯＣＨ_２Ｆ、－ＯＣＨＦ_２、－ＯＣＦ_３、炭素数３～３０のアルキル基または炭素数３～３０のアルコキシ基で置換されていてもよい。ベンゼン環に結合する－ＮＨ_２はそのベンゼン環の結合可能な炭素のいずれかと結合できるが、その結合位置はメタ位またはパラ位であることが好ましい。即ち、基「Ｒ^２５－Ｇ^２６－」の結合位置を１位としたとき、２つの結合位置は３位と５位、または２位と５位であることが好ましい。

式（ＤＩ－３１－ａ）において、Ｇ^２７、Ｇ^２８およびＧ^２９は結合基であり、これらは、それぞれ独立して単結合、または炭素数１～１２のアルキレン基であり、このアルキレン基の１以上の－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＮＨ－、または－ＣＨ＝ＣＨ－で置き換えられていてもよい。環Ｂ^２１、環Ｂ^２２、環Ｂ^２３および環Ｂ^２４は、それぞれ独立して１，４－フェニレン基、１，４－シクロへキシレン基、１，３－ジオキサン－２，５－ジイル基、ピリミジン－２，５－ジイル基、ピリジン－２，５－ジイル基、ナフタレン－１，５－ジイル基、ナフタレン－２，７－ジイル基またはアントラセン－９，１０－ジイル基であり、環Ｂ^２１、環Ｂ^２２、環Ｂ^２３および環Ｂ^２４において、少なくとも１つの水素原子は－Ｆまたは－ＣＨ_３で置換されてもよく、ｓ、ｔ、およびｕは、それぞれ独立して０～２の整数であって、これらの合計は１～５であり、ｓ、ｔ、またはｕが２であるとき、各々の括弧内の２つの結合基は同じであっても異なってもよく、そして、２つの環は同じであっても異なっていてもよい。Ｒ^２６は水素原子、－Ｆ、－ＯＨ、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のフッ素置換アルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、－ＣＮ、－ＯＣＨ_２Ｆ、－ＯＣＨＦ_２、または－ＯＣＦ_３であり、この炭素数１～３０のアルキル基、または炭素数１～３０のアルコキシ基の少なくとも１つの－ＣＨ_２－は下記式（ＤＩ－３１－ｂ）で表される２価の基で置き換えられていてもよい。

式（ＤＩ－３１－ｂ）において、Ｒ^２７およびＲ^２８は、それぞれ独立して炭素数１～３のアルキル基であり、ｖは１～６の整数である。

式（ＤＩ－３２）および式（ＤＩ－３３）において、Ｇ^３０は独立して単結合、－ＣＯ－または－ＣＨ_２－であり、Ｒ^２９は独立して水素原子または－ＣＨ_３であり、Ｒ^３０は独立して水素原子、炭素数１～２０のアルキル基、または炭素数２～２０のアルケニル基である。式（ＤＩ－３３）におけるベンゼン環の少なくとも１つの水素原子は、炭素数１～２０のアルキル基またはフェニル基で置換されてもよい。そして、環を構成するいずれかの炭素原子に結合位置が固定されていない基は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できることを示す。式（ＤＩ－３２）における２つの基「－フェニレン－Ｇ^３０－Ｏ－」の一方はステロイド核の３位に結合し、もう一方はステロイド核の６位に結合していることが好ましい。式（ＤＩ－３３）における２つの基「－フェニレン－Ｇ^３０－Ｏ－」のベンゼン環への結合位置は、ステロイド核の結合位置に対して、それぞれメタ位またはパラ位であることが好ましい。式（ＤＩ－３２）および式（ＤＩ－３３）において、ベンゼン環に結合する－ＮＨ_２は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できる。

式（ＤＩ－３４）および式（ＤＩ－３５）において、Ｇ^３１は独立して－Ｏ－または炭素数１～６のアルキレン基であり、Ｇ^３２は単結合または炭素数１～３のアルキレン基である。Ｒ^３１は水素原子または炭素数１～２０のアルキル基であり、このアルキル基の少なくとも１つの－ＣＨ_２－は、－Ｏ－、－ＣＨ＝ＣＨ－または－Ｃ≡Ｃ－で置き換えられてもよい。Ｒ^３２は炭素数６～２２のアルキル基であり、Ｒ^３３は水素原子または炭素数１～２２のアルキル基である。環Ｂ^２５は１，４－フェニレン基または１，４－シクロヘキシレン基であり、ｒは０または１である。そしてベンゼン環に結合する－ＮＨ_２はそのベンゼン環の結合可能な炭素のいずれかと結合できるが、独立してＧ^３１の結合位置に対してメタ位またはパラ位であることが好ましい。

式（ＤＩ－３１）で表される化合物の例を以下の式（ＤＩ－３１－１）～式（ＤＩ－３１－５５）に示す。

式（ＤＩ－３１－１）～式（ＤＩ－３１－１１）において、Ｒ^３４はそれぞれ独立して炭素数１～３０のアルキル基または炭素数１～３０のアルコキシ基であり、好ましくは炭素数５～２５のアルキル基または炭素数５～２５のアルコキシ基である。Ｒ^３５はそれぞれ独立して炭素数１～３０のアルキル基または炭素数１～３０のアルコキシ基であり、好ましくは炭素数３～２５のアルキル基または炭素数３～２５のアルコキシ基である。

式（ＤＩ－３１－１２）～（ＤＩ－３１－１７）において、Ｒ^３６はそれぞれ独立して炭素数４～３０のアルキル基であり、好ましくは炭素数６～２５のアルキル基である。Ｒ^３７はそれぞれ独立して炭素数６～３０のアルキル基であり、好ましくは炭素数８～２５のアルキル基である。

式（ＤＩ－３１－１８）～式（ＤＩ－３１－４３）において、Ｒ^３８はそれぞれ独立して炭素数１～２０のアルキル基または炭素数１～２０のアルコキシ基であり、好ましくは炭素数３～２０のアルキル基または炭素数３～２０のアルコキシ基である。Ｒ^３９はそれぞれ独立して水素原子、－Ｆ、炭素数１～３０のアルキル基、炭素数１～３０のアルコキシ基、－ＣＮ、－ＯＣＨ_２Ｆ、－ＯＣＨＦ_２または－ＯＣＦ_３であり、好ましくは炭素数３～２５のアルキル基、または炭素数３～２５のアルコキシ基である。そしてＧ^３３は炭素数１～２０のアルキレン基である。

式（ＤＩ－３２）で表される化合物の例を以下の式（ＤＩ－３２－１）～式（ＤＩ－３２－４）に示す。

式（ＤＩ－３３）で表される化合物の例を以下の式（ＤＩ－３３－１）～式（ＤＩ－３３－８）に示す。

式（ＤＩ－３４）で表される化合物の例を以下の式（ＤＩ－３４－１）～式（ＤＩ－３４－１２）に示す。

式（ＤＩ－３４－１）～式（ＤＩ－３４－１２）において、Ｒ^４０はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１～２０のアルキル基、好ましくは水素原子または炭素数１～１０のアルキル基であり、そしてＲ^４１はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１～１２のアルキル基である。

式（ＤＩ－３５）で表される化合物の例を以下の式（ＤＩ－３５－１）～式（ＤＩ－３５－３）に示す。

式（ＤＩ－３５－１）～式（ＤＩ－３５－３）において、Ｒ^３７はそれぞれ独立して炭素数６～３０のアルキル基であり、Ｒ^４１はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１～１２のアルキル基である。

式（ＤＩ－３６－１）～式（ＤＩ－３６－８）で表される化合物を以下に示す。

式（ＤＩ－３６－１）～式（ＤＩ－３６－８）において、Ｒ^４２はそれぞれ独立して炭素数３～３０のアルキル基である。

上記ジアミン類において、後述する液晶配向膜の各特性を向上させる好適な材料について述べる。液晶配向性を向上させることを重視する場合には、式（ＤＩ－１－３）、式（ＤＩ－５－１）、式（ＤＩ－５－５）、式（ＤＩ－５－９）、式（ＤＩ－５－１２）、式（ＤＩ－５－１３）、式（ＤＩ－５－２９）、式（ＤＩ－６－７）、式（ＤＩ－７－３）、または式（ＤＩ－１１－２）で表される化合物を用いるのが好ましい。式（ＤＩ－５－１）においては、ｍ＝２～８が好ましく、ｍ＝４～８がより好ましい。式（ＤＩ－５－１２）においては、ｍ＝２～６が好ましく、ｍ＝５がより好ましい。式（ＤＩ－５－１３）においては、ｍ＝１または２が好ましく、ｍ＝１がより好ましい。

透過率を向上させることを重視する場合には、式（ＤＩ－１－３）、式（ＤＩ－２－１）、式（ＤＩ－５－１）、式（ＤＩ－５－５）、式（ＤＩ－５－２４）、または式（ＤＩ－７－３）で表されるジアミンを用いるのが好ましく、式（ＤＩ－２－１）で表される化合物がより好ましい。式（ＤＩ－５－１）においては、ｍ＝２～８が好ましく、ｍ＝８がより好ましい。式（ＤＩ－７－３）においては、ｍ＝２または３、ｎ＝１または２が好ましく、ｍ＝３、ｎ＝１がより好ましい。

液晶表示素子のＶＨＲを向上させることを重視する場合には、式（ＤＩ－２－１）、式（ＤＩ－４－１）、式（ＤＩ－４－２）、式（ＤＩ－４－１０）、式（ＤＩ－４－１５）、式（ＤＩ－４－２２）、式（ＤＩ－５－１）、式（ＤＩ－５－２８）、式（ＤＩ－５－３０）、または式（ＤＩ－１３－１）で表される化合物を用いるのが好ましく、式（ＤＩ－２－１）、式（ＤＩ－５－１）、または式（ＤＩ－１３－１）で表されるジアミンがより好ましい。式（ＤＩ－５－１）においては、ｍ＝１が好ましい。式（ＤＩ－５－３０）においては、ｋ＝２が好ましい。

液晶配向膜の体積抵抗値を低下させることにより、液晶配向膜中の残留電荷（残留ＤＣ）の緩和速度を向上させることが、焼き付きを防ぐ方法の１つとして有効である。この目的を重視する場合には、式（ＤＩ－４－１）、式（ＤＩ－４－２）、式（ＤＩ－４－１０）、式（ＤＩ－４－１５）、式（ＤＩ－５－１）、式（ＤＩ－５－１２）、式（ＤＩ－５－１３）、式（ＤＩ－５－２８）、式（ＤＩ－４－２０）、式（ＤＩ－４－２１）、または式（ＤＩ－１６－１）で表される化合物を用いるのが好ましく、式（ＤＩ－４－１）、式（ＤＩ－５－１）、または式（ＤＩ－５－１３）で表される化合物がより好ましい。式（ＤＩ－５－１）において、ｍ＝２～８が好ましく、ｍ＝４～８がより好ましい。式（ＤＩ－５－１２）においては、ｍ＝２～６が好ましく、ｍ＝５がより好ましい。式（ＤＩ－５－１３）においては、ｍ＝１または２が好ましく、ｍ＝１がより好ましい。

本発明のポリマーの原料として使用する原料組成物において、ジアミン類の一部がモノアミンおよびモノヒドラジドからなる群から選択された少なくとも１つに置き換えられていてもよい。置き換える割合は、ジアミン類に対するモノアミンおよびモノヒドラジドからなる群から選択された少なくとも１つの比率が４０モル％以下の範囲であることが好ましい。このような置き換えは、ポリアミック酸を生成する際の重合反応のターミネーションを起こすことができ、それ以上の重合反応の進行を抑えることができる。このため、このような置き換えによって、得られるポリマー（ポリアミック酸またはその誘導体）の分子量を容易に制御することができ、例えば本発明の効果が損われることなく液晶配向剤の塗布特性を改善することができる。モノアミンまたはモノヒドラジドで置き換えられてもよいジアミン類は、本発明の効果が損なわれなければ、１種でも２種以上でもよい。前記モノアミンとしては、例えばアニリン、４－ヒドロキシアニリン、シクロヘキシルアミン、ｎ－ブチルアミン、ｎ－ペンチルアミン、ｎ－ヘキシルアミン、ｎ－ヘプチルアミン、ｎ－オクチルアミン、ｎ－ノニルアミン、ｎ－デシルアミン、ｎ－ウンデシルアミン、ｎ－ドデシルアミン、ｎ－トリデシルアミン、ｎ－テトラデシルアミン、ｎ－ペンタデシルアミン、ｎ－ヘキサデシルアミン、ｎ－ヘプタデシルアミン、ｎ－オクタデシルアミン、ｎ－エイコシルアミン、パラアミノフェニルトリメトキシシラン、および３－アミノプロピルトリエトキシシランが挙げられる。

本発明のポリマーがポリアミック酸またはその誘導体である場合、その原料は、モノマーとしてモノイソシアネート化合物をさらに含んでいてもよい。モノイソシアネート化合物をモノマーに含むことによって、得られるポリアミック酸またはその誘導体の末端が修飾され、分子量が調節される。この末端修飾型のポリアミック酸またはその誘導体を用いることにより、例えば本発明の効果が損われることなく液晶配向剤の塗布特性を改善することができる。モノマー中のモノイソシアネート化合物の含有量は、モノマー中のジアミンおよびテトラカルボン酸二無水物の総量に対して１～１０モル％であることが、前記の観点から好ましい。前記モノイソシアネート化合物としては、例えばフェニルイソシアネート、およびナフチルイソシアネートが挙げられる。

＜液晶配向剤＞
以下において、本発明のポリマーによる液晶配向剤について詳細に説明する。本発明の液晶配向剤は、本発明のポリマー１種類で構成されていてもよく、本発明のポリマーおよび、本発明以外のポリマーが混合されていてもよい。なお、本明細書において、前記のポリマー１種類で構成された液晶配向剤を単層型液晶配向剤と称することがある。前記のポリマーを２種以上混合する液晶配向剤をブレンド型液晶配向剤と称することがある。ブレンド型液晶配向剤は、特にＶＨＲ信頼性やその他の電気的特性を重視する場合に用いられる。

ブレンド型液晶配向剤に用いる本発明以外のポリマーとしては、ポリアミック酸およびポリアミック酸誘導体のいずれか１つ以上が好ましい。本発明以外のポリマーとしては、ポリアミック酸およびポリアミック酸誘導体に関しては、原料として式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類を含まないこと以外は、上記の本発明のポリマーの説明を参照することができる。

２成分のポリマーを用いる場合、例えば、一方には液晶配向能に優れた性能を有するポリマーを選択し、他方には液晶表示素子の電気的特性を改善するのに優れた性能を有するポリマーを選択する態様があり、液晶配向性と電気特性のバランスの良い配向剤を得るために好適である。

この場合、それぞれのポリマーの構造や分子量を制御することにより、これらのポリマーを溶剤に溶解した液晶配向剤を、後述するように、基板に塗布し、予備乾燥を行って薄膜を形成する過程で、液晶配向能に優れた性能を有するポリマーを薄膜の上層に、液晶表示素子の電気的特性を改善するのに優れた性能を有するポリマーを薄膜の下層に偏析させることができる。これには、混在するポリマーにおいて、表面エネルギーの小さなポリマーが上層に、表面エネルギーの大きなポリマーが下層に分離する現象を応用することができる。このような層分離の確認は、形成された液晶配向膜の表面エネルギーが、上層に偏析させることを意図したポリマーのみを含有する液晶配向剤によって形成された膜の表面エネルギーと同じか、または近い値であることで確認することができる。

層分離を発現させる方法として、上層に偏析させたいポリマーの分子量を小さくすることも挙げられる。

ポリマー同士の混合からなる液晶配向剤では、上層に偏析させたいポリマーをポリイミドとすることで層分離を発現させることもできる。

式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類は前記薄膜の上層に偏析するポリマーの原料モノマーとして用いられてもよく、薄膜の下層に偏析するポリマーの原料モノマーとして用いられてもよくまた、両方のポリマーの原料モノマーとして用いられてもよいが、薄膜の上層に偏析するポリマーの原料モノマーとして用いることがより好ましい。光配向用液晶配向剤に適用する場合には、光反応性構造を有する化合物と共に薄膜の上層に偏析するポリマーの原料モノマーとして用いることがより好ましい。

光反応性構造を有する化合物は前記薄膜の上層に偏析するポリマーの原料モノマーとして用いられてもよく、薄膜の下層に偏析するポリマーの原料モノマーとして用いられてもよくまた、両方のポリマーの原料モノマーとして用いられてもよいが、式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類と共に薄膜の上層に偏析するポリマーの原料モノマーとして用いることがより好ましい。

前記薄膜の上層に偏析するポリアミック酸またはその誘導体を合成するために用いられるテトラカルボン酸二無水物としては、上記に例示した公知のテトラカルボン酸二無水物から制限されることなく選択することができる。

薄膜の上層に偏析するポリアミック酸またはその誘導体を合成するために用いられる式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類以外のテトラカルボン酸二無水物類は、式（ＡＮ－１－１）、式（ＡＮ－１－２）、式（ＡＮ－２－１）、式（ＡＮ－３－１）、式（ＡＮ－４－５）、式（ＡＮ－４－１７）、または式（ＡＮ－４－２１）、で表される化合物が好ましく、式（ＡＮ－４－１７）または式（ＡＮ－４－２１）がより好ましい。式（ＡＮ－４－１７）においては、ｍ＝４～８が好ましい。

薄膜の上層に偏析するポリアミック酸またはその誘導体を合成するために用いられるジアミン類としては、上記に例示した公知のジアミン類から制限されることなく選択することができる。

薄膜の上層に偏析するポリアミック酸またはその誘導体を合成するために用いられるジアミン類としては、式（ＤＩ－４－１）、式（ＤＩ－４－１３）、式（ＤＩ－４－１５）、式（ＤＩ－５－１）、式（ＤＩ－７－３）、または式（ＤＩ－１３－１）で表される化合物を用いるのが好ましい。中でも、式（ＤＩ－４－１３）、式（ＤＩ－４－１５）、式（ＤＩ－５－１）、または式（ＤＩ－１３－１）で表される化合物を用いるのがより好ましい。式（ＤＩ－５－１）において、ｍ＝４～８が好ましい。式（ＤＩ－７－３）においてはｍ＝３、ｎ＝１が好ましい。

薄膜の下層に偏析するポリアミック酸またはその誘導体を合成するために用いられるテトラカルボン酸二無水物としては、上記に例示した公知のテトラカルボン酸二無水物から制限されることなく選択することができる。

薄膜の下層に偏析するポリアミック酸またはその誘導体を合成するために用いられる式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類以外のテトラカルボン酸二無水物類としては、式（ＡＮ－１－１）、式（ＡＮ－１－１３）、式（ＡＮ－２－１）、式（ＡＮ－３－２）、または式（ＡＮ－４－２１）で表される化合物が好ましく、式（ＡＮ－１－１）、式（ＡＮ－２－１）、または式（ＡＮ－３－２）がより好ましい。

薄膜の下層に偏析するポリアミック酸またはその誘導体を合成するために用いられるテトラカルボン酸二無水物は、テトラカルボン酸二無水物の全量中芳香族テトラカルボン酸二無水物を１０モル％以上含むことが好ましく、３０モル％以上含むことがより好ましい。

薄膜の下層に偏析するポリアミック酸またはその誘導体を合成するために用いられるジアミン類としては、上記に例示した公知のジアミン類から制限されることなく選択することができる。

薄膜の下層に偏析するポリアミック酸またはその誘導体を合成するために用いられるジアミン類としては、式（ＤＩ－４－１）、式（ＤＩ－４－２）、式（ＤＩ－４－１０）、式（ＤＩ－４－１８）、式（ＤＩ－４－１９）、式（ＤＩ－５－１）、式（ＤＩ－５－９）、式（ＤＩ－５－２８）、式（ＤＩ－５－３０）、式（ＤＩ－１３－１）、または式（ＤＩＨ－１－２）で表される化合物が好ましい。式（ＤＩ－５－１）において、ｍ＝１または２である化合物が好ましく、式（ＤＩ－５－３０）において、ｋ＝２である化合物が好ましい。中でも、式（ＤＩ－４－１）、式（ＤＩ－４－１８）、式（ＤＩ－４－１９）、式（ＤＩ－５－９）、式（ＤＩ－１３－１）、または式（ＤＩＨ－１－２）で表される化合物がより好ましい。

薄膜の下層に偏析するポリアミック酸またはその誘導体を合成するために用いられるジアミン類は、芳香族ジアミンおよび芳香族ジヒドラジドからなる群から選択された少なくとも１つを、全ジアミン類に対して、３０モル％以上含むものである事が好ましく、５０モル％以上含むものであることがより好ましい。

薄膜の上層に偏析するポリアミック酸またはその誘導体、および薄膜の下層に偏析するポリアミック酸またはその誘導体の合計量に対する薄膜の上層に偏析するポリアミック酸またはその誘導体の割合としては、５重量％～５０重量％が好ましく、１０重量％～４０重量％がさらに好ましい。

本発明のポリアミック酸又はその誘導体は、第１ポリマー鎖と、第１ポリマー鎖とは構造が異なる第２ポリマー鎖を含むブロックポリマーであってもよい。また、ブロックポリマーは、さらに第１ポリマー鎖及び第２ポリマー鎖と構造が異なる他のポリマー鎖を含んでいてもよい。例えば、ポリアミック酸のブロックポリマーは、式（ＰＡＡ）で示される特定のポリアミック酸（ＰＡＡ１）の溶液と、ポリアミック酸（ＰＡＡ１）とＸ^１及びＸ^２の組み合わせが異なるポリアミック酸（ＰＡＡ２）の溶液を混合して加熱することにより形成することができる。こうして形成されるポリアミック酸のブロックポリマーは、（ＰＡＡ１）_ｎ１で表されるブロックと（ＰＡＡ２）_ｎ２で表されるブロックを含む。（ＰＡＡ１）_ｎ１及び（ＰＡＡ２）_ｎ２におけるｎ１及びｎ２は、各々独立して１以上の整数であり、好ましくは各々独立して２以上の整数である。ブロックポリマーにおいて、式（１）で表される化合物を原料組成物に用いるポリマー鎖は、いずれか１つであってもよいし、２つ以上であってもよいし、全てのポリマー鎖であってもよい。

ブロックポリマーにおいて、式（１）で表されるテトラカルボン酸二無水物類は、原料として使用するテトラカルボン酸二無水物類の全量に対して、１～９０モル％が好ましく、１０～７０モル％がより好ましく、1０～５０モル％がさらに好ましい。

ここで、ポリアミック酸ブロックポリマーは、２種以上のポリアミック酸をそれぞれ単独で製造した後に混合し、加熱して合成してもよい。または、１種類目のポリアミック酸を合成した後に同じ反応容器に２種類目のポリアミック酸の原料を加えて合成するなどのように、２種以上のポリアミック酸を同じ反応容器中で合成した後、加熱して合成してもよい。

また、本発明の液晶配向剤は、液晶配向剤の塗布性や前記ポリアミック酸またはその誘導体の濃度の調整の観点から、溶剤をさらに含有していてもよい。前記溶剤は、ポリマー成分を溶解する能力を持った溶剤であれば格別制限なく適用可能である。前記溶剤は、ポリアミック酸、可溶性ポリイミド等のポリマー成分の製造工程や用途面で通常使用されている溶剤を広く含み、使用目的に応じて、適宜選択できる。前記溶剤は１種でも２種以上の混合溶剤であってもよい。

溶剤としては、前記ポリアミック酸またはその誘導体の親溶剤や、塗布性改善を目的とした他の溶剤が挙げられる。

ポリアミック酸またはその誘導体に対し親溶剤である非プロトン性極性有機溶剤としては、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－エチル－２－ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ－メチルカプロラクタム、Ｎ－メチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジエチルホルムアミド、ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルイソブチルアミド、γ－ブチロラクトン、およびγ－バレロラクトン等が挙げられる。
これらの中で、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン、γ－ブチロラクトン、またはγ－バレロラクトンが好ましい。

塗布性改善等を目的とした他の溶剤の例としては、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノターシャリーブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のジエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテルが挙げられる。また、プロピレングリコールモノメチルエーテル、１－ブトキシ－２－プロパノール等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテル、トリエチレングリコールモノアルキルエーテル、ブチルセロソルブアセテート、フェニルアセテート、およびこれらアセテート類等のエステル化合物が挙げられる。さらにマロン酸ジエチル等のマロン酸ジアルキル、乳酸アルキル、ジイソブチルケトン、ジアセトンアルコール、３－メチル－３－メトキシブタノール、４－メチル－２－ペンタノール、ジイソブチルカルビノール、テトラリン、およびイソホロンが挙げられる。

これらの中で、ジイソブチルケトン、４－メチル－２－ペンタノール、ジイソブチルカルビノール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノターシャリーブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、１－ブトキシ－２－プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、またはブチルセロソルブアセテートが好ましい。

本発明の液晶配向剤におけるポリマー濃度は特に限定されるものではなく、下記の種々の塗布法に合わせ最適な値を選べばよい。通常、塗布時のムラやピンホール等を抑えるため、ワニス重量に対し、好ましくは０．１～３０重量％、より好ましくは１～１０重量％である。

本発明の液晶配向剤の粘度は、塗布する方法、ポリアミック酸またはその誘導体の濃度、使用するポリアミック酸またはその誘導体の種類、溶剤の種類と割合によって好ましい範囲が異なる。例えば、印刷機による塗布の場合は５～１００ｍＰａ・ｓ（より好ましくは１０～８０ｍＰａ・ｓ）である。５ｍＰａ・ｓ以上であれば十分な膜厚が得られやすくなり、１００ｍＰａ・ｓ以下であれば印刷ムラを抑えやすくなる。スピンコートによる塗布の場合は５～２００ｍＰａ・ｓ（より好ましくは１０～１００ｍＰａ・ｓ）が適している。インクジェット塗布装置を用いて塗布する場合は５～５０ｍＰａ・ｓ（より好ましくは５～２０ｍＰａ・ｓ）が適している。液晶配向剤の粘度は回転粘度測定法により測定され、例えば回転粘度計（東機産業製ＴＶＥ－２０Ｌ型）を用いて測定（測定温度：２５℃）される。

本発明の液晶配向剤は各種添加剤をさらに含有していてもよい。各種添加剤は、配向膜の各種特性を向上させるために、それぞれの目的に応じて選択して使用することができる。以下に例を示す。

＜アルケニル置換ナジイミド化合物＞
例えば、本発明の液晶配向剤は、液晶表示素子の電気特性を長期に安定させる目的から、アルケニル置換ナジイミド化合物をさらに含有していてもよい。アルケニル置換ナジイミド化合物は１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。アルケニル置換ナジイミド化合物の含有量は、上記の目的から、ポリアミック酸またはその誘導体に対して１～５０重量％であることが好ましく、１～３０重量％であることがより好ましく、１～２０重量％であることがさらに好ましい。アルケニル置換ナジイミド化合物は、本発明で用いられるポリアミック酸またはその誘導体を溶解する溶剤に溶解させることができる化合物であることが好ましい。好ましいアルケニル置換ナジイミド化合物には、特開２００８－０９６９７９号公報、特開２００９－１０９９８７号公報、特開２０１３－２４２５２６号公報に開示されているアルケニル置換ナジイミド化合物が挙げられる。特に好ましいアルケニル置換ナジイミド化合物としては、ビス｛４－（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド）フェニル｝メタン、Ｎ，Ｎ’－ｍ－キシリレン－ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド）、またはＮ，Ｎ’－ヘキサメチレン－ビス（アリルビシクロ［２．２．１］ヘプト－５－エン－２，３－ジカルボキシイミド）が挙げられる。

＜ラジカル重合性不飽和二重結合を有する化合物＞
例えば、本発明の液晶配向剤は、液晶表示素子の電気特性を長期に安定させる目的から、ラジカル重合性不飽和二重結合を有する化合物をさらに含有していてもよい。ラジカル重合性不飽和二重結合を有する化合物は１種の化合物であってもよいし、２種以上の化合物であってもよい。なお、ラジカル重合性不飽和二重結合を有する化合物にはアルケニル置換ナジイミド化合物は含まれない。ラジカル重合性不飽和二重結合を有する化合物には、好ましいものとして、Ｎ，Ｎ’－メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ’－ジヒドロキシエチレン－ビスアクリルアミド、エチレンビスアクリレート、４，４’－メチレンビス（Ｎ，Ｎ－ジヒドロキシエチレンアクリレートアニリン）、シアヌル酸トリアリル、他に、特開２００９－１０９９８７号公報、特開２０１３－２４２５２６号公報、国際公報２０１４／１１９６８２、国際公報２０１５／１５２０１４に開示されているラジカル重合性不飽和二重結合を有する化合物が挙げられる。ラジカル重合性不飽和二重結合を有する化合物の含有量は、上記の目的から、ポリアミック酸またはその誘導体に対して１～５０重量％であることが好ましく、１～３０重量％であることがより好ましい。

＜オキサジン化合物＞
例えば、本発明の液晶配向剤は、液晶表示素子における電気特性を長期に安定させる目的から、オキサジン化合物をさらに含有していてもよい。オキサジン化合物は１種の化合物であってもよいし、２種以上の化合物であってもよい。オキサジン化合物の含有量は、上記の目的から、ポリアミック酸またはその誘導体に対して０．１～５０重量％であることが好ましく、１～４０重量％であることがより好ましく、１～２０重量％であることがさらに好ましい。

オキサジン化合物は、ポリアミック酸またはその誘導体を溶解させる溶剤に可溶であり、加えて、開環重合性を有するオキサジン化合物が好ましい。好ましいオキサジン化合物には、式（ＯＸ－３－１）、式（ＯＸ－３－９）、式（ＯＸ－３－１０）で表されるオキサジン化合物、他に、特開２００７－２８６５９７号公報、特開２０１３－２４２５２６号公報に開示されているオキサジン化合物が挙げられる。

＜オキサゾリン化合物＞
例えば、本発明の液晶配向剤は、液晶表示素子における電気特性を長期に安定させる目的から、オキサゾリン化合物をさらに含有していてもよい。オキサゾリン化合物はオキサゾリン構造を有する化合物である。オキサゾリン化合物は１種の化合物であってもよいし、２種以上の化合物であってもよい。オキサゾリン化合物の含有量は、上記の目的から、ポリアミック酸またはその誘導体に対して０．１～５０重量％であることが好ましく、１～４０重量％であることがより好ましく、１～２０重量％であることがさらに好ましい。好ましいオキサゾリン化合物には、特開２０１０－０５４８７２号公報、特開２０１３－２４２５２６号公報に開示されているオキサゾリン化合物が挙げられる。より好ましくは、１，３－ビス（４，５－ジヒドロ－２－オキサゾリル）ベンゼンが挙げられる。

＜エポキシ化合物＞
例えば、本発明の液晶配向剤は、液晶表示素子における電気特性を長期に安定させる目的、膜の硬度を向上させる目的、もしくはシール剤との密着性を向上させる目的から、エポキシ化合物をさらに含有していてもよい。エポキシ化合物は１種の化合物であってもよいし、２種以上の化合物であってもよい。エポキシ化合物の含有量は、上記の目的から、ポリアミック酸またはその誘導体に対して０．１～５０重量％であることが好ましく、１～２０重量％であることがより好ましく、１～１０重量％であることがさらに好ましい。

エポキシ化合物としては、分子内にエポキシ環を１つまたは２つ以上有する種々の化合物を用いることができる。
膜の硬度を向上させる目的、もしくはシール剤との密着性を向上させる目的のためには、分子内にエポキシ環を２つ以上有する化合物が好ましく、３つまたは４つ有する化合物がより好ましい。

エポキシ化合物としては、特開２００９-１７５７１５号公報、特開２０１３－２４２５２６号公報、特開２０１６－１７０４０９号公報、国際公報２０１７／２１７４１３に開示されているエポキシ化合物が挙げられる。好ましいエポキシ化合物としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラグリシジル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、（３，３‘，４，４’－ジエポキシ）ビシクロヘキシル、１，４－ブタンジオールグリシジルエーテル、イソシアヌル酸トリス（２，３－エポキシプロピル）、１，３－ビス（Ｎ，Ｎ－ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、またはＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ‘－テトラグリシジル－ｍ－キシレンジアミンが挙げられる。
上記の他、エポキシ環を有するオリゴマーやポリマーを添加することもできる。エポキシ環を有するオリゴマーやポリマーは特開２０１３－２４２５２６号公報に開示されているオリゴマーやポリマーを使用することができる。

＜シラン化合物＞
例えば、本発明の液晶配向剤は、基板およびシール剤との密着性を向上させる目的から、シラン化合物をさらに含有していてもよい。シラン化合物の含有量は、上記の目的から、ポリアミック酸またはその誘導体に対して０．１～３０重量％であることが好ましく、０．５～２０重量％であることがより好ましく、０．５～１０重量％であることがさらに好ましい。

シラン化合物としては、特開２０１３－２４２５２６、特開２０１５－２１２８０７号公報、特開２０１８－１７３５４５号公報、国際公報２０１８／１８１５６６に開示されているシランカップリング剤を使用することができる。
好ましいシランカップリング剤として、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、パラアミノフェニルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、または３－ウレイドプロピルトリエトキシシランが挙げられる。

上記記載の添加剤の他、配向膜の強度を上げる目的、または液晶表示素子における電気特性を長期に安定させる目的から、シクロカーボネート基を持つ化合物、ヒドロキシアルキルアミド部位や水酸基を持つ化合物を添加することもできる。具体的化合物としては、特開２０１６－１１８７５３号公報、国際公報２０１７／１１０９７６に開示されている化合物が挙げられる。好ましい化合物としては、以下の式（ＨＤ－１）～式（ＨＤ－４）が挙げられる。これらの化合物は、ポリアミック酸またはその誘導体に対して０．５～５０重量％であることが好ましく、１～３０重量％であることがより好ましく、１～１０重量％であることがさらに好ましい。

また、帯電防止の向上を必要とするときは帯電防止剤、低温でイミド化を進行させる場合はイミド化触媒を使用することもできる。イミド化触媒としては、特開２０１３－２４２５２６号公報に開示されているイミド化触媒が挙げられる。

＜液晶配向膜＞
次に、本発明の液晶配向膜について説明する。
本発明の液晶配向膜は、本発明の液晶配向剤を使用して形成されたものである。本発明の液晶配向剤を用いて液晶配向膜を形成させる過程で加熱焼成すると、イミド化反応を起こしてポリイミド系液晶配向膜を形成させることができる。本発明の液晶配向剤は、配用処理方法としてラビング法を用いるラビング配向膜にも、原料として光反応性構造を有する化合物を併用すれば配向処理方法として光配向法を用いる光配向膜にも適用することができる。

以下において、本発明の光配向用液晶配向剤による液晶配向膜の形成方法について説明する。

本発明の液晶配向膜は、光配向用液晶配向剤から液晶配向膜を作製する通常の方法によって得ることができる。本発明の液晶配向膜は、例えば、本発明の光配向用液晶配向剤の塗膜を形成する工程と、塗膜を加熱乾燥して液晶配向剤の膜を形成する工程と、液晶配向剤の膜に光を照射して異方性を付与する工程と、異方性を付与した液晶配向剤の膜を加熱焼成する工程を経ることによって得ることができる。本発明の液晶配向膜については、塗膜工程、加熱乾燥工程の後に光を照射して異方性を付与し、その後加熱焼成工程を経るのが好ましい。

塗膜は、通常の液晶配向膜の作製と同様に、液晶表示素子における基板に本発明の液晶配向剤を塗布することによって形成することができる。基板には、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（Ｉｎ－Ｇａ－ＺｎＯ_４）電極等の電極やカラーフィルタ等が設けられていてもよいガラス製、窒化ケイ素製、アクリル製、ポリカーボネイト製、ポリイミド製等の基板が挙げられる。

液晶配向剤を基板に塗布する方法としてはスピンナー法、印刷法、ディッピング法、滴下法、インクジェット法等が一般に知られている。これらの方法は本発明においても同様に適用可能である。

加熱乾燥工程は、オーブンまたは赤外炉の中で加熱処理する方法、ホットプレート上で加熱処理する方法等が一般に知られている。加熱乾燥工程は溶剤の蒸発が可能な範囲内の温度で実施することが好ましく、加熱焼成工程における温度に対して比較的低い温度で実施することがより好ましい。具体的には加熱乾燥温度は３０℃～１５０℃の範囲であること、さらには５０℃～１２０℃の範囲であることが好ましい。

加熱焼成工程は、ポリアミック酸またはその誘導体がイミド化反応を呈するのに必要な条件で行うことができる。塗膜の焼成は、オーブンまたは赤外炉の中で加熱処理する方法、ホットプレート上で加熱処理する方法等が一般に知られている。これらの方法も本発明において同様に適用可能である。一般に９０～３００℃程度の温度で１分間～３時間行うことが好ましく、１２０～２８０℃がより好ましく、１５０～２５０℃がさらに好ましい。

膜の異方性や、液晶表示素子を作製した際の残像特性を向上させることを重視する場合には、加熱工程の昇温を緩やかに行うことが好ましく、例えば、段階的に温度を上げながら、異なる温度で複数回加熱焼成する、または、低温から高温へと温度を変化させて加熱することができる。また、両方の加熱方法を組み合わせて行ってもよい。

異なる温度で複数回加熱焼成する場合、異なる温度に設定された複数の加熱装置を用いてもよいし、１台の加熱装置を用いて、異なる温度に順次変化させながら行ってもよい。

異なる温度で複数回加熱焼成する場合は、初めの焼成温度は９０～１８０℃で行うのが好ましく、最後の温度は１８５℃～３００℃で行うのが好ましい。例えば、１１０℃で加熱焼成した後２２０℃で加熱焼成、１１０℃で加熱焼成した後２３０℃で加熱焼成、１３０℃で加熱焼成した後２２０℃で加熱焼成、１５０℃で加熱焼成した後２００℃で加熱焼成、１５０℃で加熱焼成した後２２０℃で加熱焼成、１５０℃で加熱焼成した後２３０℃で加熱焼成、または１７０℃で加熱焼成した後２００℃で加熱焼成することが好ましい。さらに段階を増やして緩やかに昇温させながら加熱焼成することも好ましい。加熱温度を変えて２段階以上で加熱焼成を行う場合、各加熱工程での加熱時間は５分～３０分であることが好ましい。

低温度から高温へと温度を変化させて焼成を行なう場合、初期温度は９０～１８０℃が好ましい。最終温度は１８５～３００℃が好ましく、１９０～２３０℃がより好ましい。加熱時間は５分～６０分が好ましく、２０分～６０分がより好ましい。昇温スピードは、例えば０．５℃／分～４０℃／分とすることができる。昇温中の昇温スピードは一定でなくともよい。

本発明の液晶配向膜の形成方法において、液晶を水平および／または垂直方向に対して一方向に配向させるために、薄膜へ異方性を付与する手段として、公知の光配向法を好適に用いることができる。

光配向法による本発明の液晶配向膜の形成方法について、詳細に説明する。光配向法を用いた本発明の液晶配向膜は、塗膜を加熱乾燥した後の薄膜に、光を照射することにより、薄膜に異方性を付与し、その膜を加熱焼成することにより形成することができる。または、塗膜を加熱乾燥し、加熱焼成した後に、薄膜に光を照射することにより形成する事ができる。液晶配向性の点から、光の照射工程は加熱焼成工程前に行うのが好ましい。

さらに、液晶配向膜の液晶配向能を上げるために、塗膜を加熱しながら光を照射することもできる。光の照射は、塗膜を加熱乾燥する工程、または加熱焼成する工程で行ってもよく、加熱乾燥工程と加熱焼成工程の間に行ってもよい。
塗膜を加熱乾燥する工程、または加熱焼成する工程で光を照射する場合の加熱温度は、上記の加熱乾燥工程、または加熱焼成工程の記載を参考にできる。加熱乾燥工程と加熱焼成工程の間に光を照射する場合の加熱温度は、３０℃～１５０℃の範囲であることが好ましく、５０℃～１１０℃の範囲であることがさらに好ましい。

光としては、例えば１５０～８００ｎｍの波長の光を含む紫外線または可視光を用いることができる。原料として用いる光反応性構造を有する化合物が、光異性化構造または光二量化構造を有する場合は、２００～５００ｎｍが好ましく、３００～４００ｎｍがさらに好ましい。光分解構造を有する場合は、１５０～４００ｎｍが好ましく、２００～３００ｎｍがさらに好ましい。また、偏光または無偏光を用いることができる。これらの光は、前記薄膜に液晶配向能を付与することができる光であれば特に限定されないが、液晶に対して強い配向規制力を発現させたい場合、偏光が好ましく、直線偏光がさらに好ましい。

前記光照射工程における直線偏光の照射量は０．０５～１０Ｊ／ｃｍ^２であることが好ましく、０．１～５Ｊ／ｃｍ^２がより好ましい。直線偏光の膜表面に対する照射角度は特に限定されないが、液晶に対する強い配向規制力を発現させたい場合、膜表面に対してなるべく垂直であることが配向処理時間短縮の観点から好ましい。また、本発明の液晶配向膜は、直線偏光を照射することにより、直線偏光の偏光方向に対して直角方向に液晶を配向させることができる。

光を照射する工程に使用する光源には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、Ｄｅｅｐ ＵＶランプ、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、ハイパワーメタルハライドランプ、キセノンランプ、水銀キセノンランプ、エキシマランプ、ＫｒＦエキシマレーザー、蛍光ランプ、ＬＥＤランプ、ナトリウムランプ、マイクロウェーブ励起無電極ランプ、などを制限なく用いることができる。

本発明の液晶配向膜は、前述した工程以外の他の工程をさらに含む方法によって好適に得られる。

本発明の液晶配向膜は焼成または光照射後の膜を洗浄液で洗浄する工程は必須としないが、他の工程の都合で洗浄工程を設けることができる。洗浄液による洗浄方法としては、ブラッシング、ジェットスプレー、蒸気洗浄または超音波洗浄等が挙げられる。これらの方法は単独で行ってもよいし、併用してもよい。洗浄液としては純水または、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等の各種アルコール類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、塩化メチレン等のハロゲン系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類を用いることができるが、これらに限定されるものではない。もちろん、これらの洗浄液は十分に精製された不純物の少ないものが用いられる。このような洗浄方法は、本発明の液晶配向膜の形成における前記洗浄工程にも適用することができる。

本発明の液晶配向膜の液晶配向能を高めるために、加熱焼成工程の前後、または、偏光または無偏光の光照射の前後に、熱や光によるアニール処理を用いることができる。該アニール処理において、アニール温度が３０～１８０℃、好ましくは５０～１５０℃であり、時間は１分～２時間が好ましい。また、アニール処理に使用するアニール光には、ＵＶランプ、蛍光ランプ、ＬＥＤランプなどが挙げられる。光の照射量は０．３～１０Ｊ／ｃｍ^２であることが好ましい。

本発明の液晶配向剤から、ラビング法を用いて配向膜を形成する場合は、ラビング用液晶配向剤から配向膜を作製する通常の方法によって得ることができ、例えば国際公開２０１９／０３１６０４に記載の方法を参照することができる。

本発明の液晶配向膜の膜厚は、特に限定されないが、１０～３００ｎｍであることが好ましく、３０～１５０ｎｍであることがより好ましい。本発明の液晶配向膜の膜厚は、段差計やエリプソメータ等の公知の膜厚測定装置によって測定することができる。

本発明の液晶配向膜は特に大きな配向の異方性を持つことを特徴とする。このような異方性の大きさは特開２００５－２７５３６４等に記載の偏光ＩＲを用いた方法で評価する事ができる。またエリプソメトリーを用いた方法によっても評価することができる。詳しくは、分光エリプソメータによって液晶配向膜のリタデーション値を測定することができる。膜のリタデーション値はポリマー主鎖の配向度に比例して大きくなる。

本発明の液晶配向膜は、スマートフォン、タブレット、車載モニター、テレビ等、液晶ディスプレイ用の液晶組成物の配向制御に用いることができる。液晶ディスプレイ用の液晶組成物の配向用途以外に、光学補償材や液晶を用いたマイクロ波・ミリ波帯の広帯域可変移相器等、その他すべての液晶材料の配向制御に用いることができる。また本発明の液晶配向膜は大きな異方性を有するので、単独で光学補償材用途に使用することができる。

＜液晶表示素子＞
次に、本発明の液晶表示素子について説明する。本発明の液晶表示素子は、本発明の液晶配向膜を有する点に特徴があり、その残像特性、コントラストおよびＶＨＲ信頼性の良さから、高い表示品位を実現することができる。

本発明の液晶表示素子について詳細に説明する。本発明は、対向配置されている一対の基板と、前記一対の基板それぞれの対向している面の一方または両方に形成されている電極と、前記一対の基板それぞれの対向している面に形成された液晶配向膜と、前記一対の基板間に形成された液晶層と、前記対向基板を挟むように設置されている一対の偏光フィルムとバックライトと駆動装置とを有する液晶表示素子において、前記液晶配向膜が本発明の液晶配向膜により構成されている。

電極は、基板の一面に形成される電極であれば特に限定されない。このような電極には、例えばＩＴＯや金属の蒸着膜等が挙げられる。また電極は、基板の一方の面の全面に形成されていてもよいし、例えばパターン化されている所望の形状に形成されていてもよい。電極の前記所望の形状には、例えば櫛型またはジグザグ構造等が挙げられる。電極は、一対の基板のうちの一方の基板に形成されていてもよいし、両方の基板に形成されていてもよい。電極の形成の形態は液晶表示素子の種類に応じて異なり、例えばＩＰＳ型液晶表示素子（横電界型液晶表示素子）の場合は前記一対の基板の一方に電極が配置され、その他の液晶表示素子の場合は前記一対の基板の双方に電極が配置される。前記基板または電極の上に前記液晶配向膜が形成される。

ホモジニアス配向の液晶表示素子（例えばＩＰＳ、ＦＦＳなど）の場合は、構成として、少なくとも、バックライト側からバックライト、第一の偏光フィルム、第一の基板、第一の液晶配向膜、液晶層、第二の基板、第二の偏光フィルムを有し、前記偏光フィルムの偏光軸は、第一の偏光フィルムの偏光軸（偏光吸収の方向）と第二の偏光フィルムの偏光軸は交差（好ましくは直交）するように設置される。この時、第一の偏光フィルムの偏光軸と液晶配向方向が平行になるように、または直交するように設置することができる。第一の偏光フィルムの偏光軸と液晶配向方向が平行になるように設置した液晶表示素子をＯ－モード、直交するように設置した液晶表示素子をＥ－モードと言う。本発明の液晶配向膜は、Ｏ-モード、Ｅ－モードどちらにも適用でき、目的によって選択することができる。

多くの光異性化型材料には２色性を有する化合物が用いられている。そのため、液晶配向剤に対して異方性を付加させるために照射する偏光の偏光軸を、バックライト側に配置した偏光フィルムからの偏光の偏光軸と平行に揃える（本発明の液晶配向剤を使用した場合には、Ｏ－モードの配置とする）と、液晶配向膜の光吸収波長域の透過率が上昇する。その為、液晶表示素子の透過率を更に改善することができる。

前記液晶層は、液晶配向膜が形成された面が対向している前記一対の基板によって液晶組成物が挟持される形で形成される。液晶層の形成では、微粒子や樹脂シート等の、前記一対の基板の間に介在して適当な間隔を形成するスペーサーを必要に応じて用いることができる。

液晶層の形成方法としては、真空注入法とＯＤＦ（Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）法が知られている。

真空注入法では、液晶配向膜面が対向するように、空隙（セルギャップ）を設けて、かつ液晶の注入口を残して、シール剤を印刷し、基板を張り合わせる。基板表面およびシール剤により区画されたセルギャップ内に、真空差圧を利用して液晶を注入充填した後、注入口を封止し、液晶表示素子を製造する。

ＯＤＦ法では、一対の基板のうちの一方の液晶配向膜面の外周にシール剤を印刷し、シール剤の内側の領域に液晶を滴下した後、液晶配向膜面が対向するように他方の基板を張り合わせる。そして、液晶を基板の全面に押し広げ、次いで基板の全面に紫外光を照射してシール剤を硬化し、液晶表示素子を製造する。

基板の張り合わせに用いられるシール剤には、ＵＶ硬化型以外に熱硬化型も知られている。シール剤の印刷は、例えばスクリーン印刷法により行なうことができる。

液晶組成物には、特に制限はなく、誘電率異方性が正または負の各種の液晶組成物を用いることができる。誘電率異方性が正の好ましい液晶組成物には、特許３０８６２２８、特許２６３５４３５、特表平５－５０１７３５、特開平８－１５７８２６、特開平８－２３１９６０、特開平９－２４１６４４（ＥＰ８８５２７２Ａ１）、特開平９－３０２３４６（ＥＰ８０６４６６Ａ１）、特開平８－１９９１６８（ＥＰ７２２９９８Ａ１）、特開平９－２３５５５２、特開平９－２５５９５６、特開平９－２４１６４３（ＥＰ８８５２７１Ａ１）、特開平１０－２０４０１６（ＥＰ８４４２２９Ａ１）、特開平１０－２０４４３６、特開平１０－２３１４８２、特開２０００－０８７０４０、特開２００１－４８８２２等に開示されている液晶組成物が挙げられる。

前記負の誘電率異方性を有する液晶組成物の好ましい例として、特開昭５７－１１４５３２、特開平２－４７２５、特開平４－２２４８８５、特開平８－４０９５３、特開平８－１０４８６９、特開平１０－１６８０７６、特開平１０－１６８４５３、特開平１０－２３６９８９、特開平１０－２３６９９０、特開平１０－２３６９９２、特開平１０－２３６９９３、特開平１０－２３６９９４、特開平１０－２３７０００、特開平１０－２３７００４、特開平１０－２３７０２４、特開平１０－２３７０３５、特開平１０－２３７０７５、特開平１０－２３７０７６、特開平１０－２３７４４８（ＥＰ９６７２６１Ａ１）、特開平１０－２８７８７４、特開平１０－２８７８７５、特開平１０－２９１９４５、特開平１１－０２９５８１、特開平１１－０８００４９、特開２０００－２５６３０７、特開２００１－０１９９６５、特開２００１－０７２６２６、特開２００１－１９２６５７、特開２０１０－０３７４２８、国際公開２０１１／０２４６６６、国際公開２０１０／０７２３７０、特表２０１０－５３７０１０、特開２０１２－０７７２０１、特開２００９－０８４３６２等に開示されている液晶組成物が挙げられる。

誘電率異方性が正または負の液晶組成物に１種以上の光学活性化合物を添加して使用することも何ら差し支えない。

また例えば、本発明の液晶表示素子に用いる液晶組成物は、例えば配向性を向上させる観点から、添加物をさらに添加してもよい。このような添加物は、光重合性モノマー、光学活性な化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、色素、消泡剤、重合開始剤、重合禁止剤などである。好ましい光重合性モノマー、光学活性な化合物、酸化防止剤、紫外線吸収剤、色素、消泡剤、重合開始剤、重合禁止剤には、国際公開２０１５／１４６３３０等に開示されている化合物が挙げられる。

ＰＳＡ（polymer sustained alignment）モードの液晶表示素子に適合させるために重合可能な化合物を液晶組成物に混合することができる。重合可能な化合物の好ましい例はアクリレート、メタクリレート、ビニル化合物、ビニルオキシ化合物、プロペニルエーテル、エポキシ化合物（オキシラン、オキセタン）、ビニルケトンなどの重合可能な基を有する化合物である。好ましい化合物には、国際公開２０１５／１４６３３０等に開示されている化合物が挙げられる。

以下、本発明を実施例により説明する。なお、実施例において用いる評価法および化合物は次の通りである。

＜重量平均分子量（Ｍｗ）＞
ポリアミック酸の重量平均分子量は、２６９５セパレーションモジュール・２４１４示差屈折計（Ｗａｔｅｒｓ製）を用いてＧＰＣ法により測定し、ポリスチレン換算することにより求めた。得られたポリアミック酸をリン酸－ＤＭＦ混合溶液（リン酸／ＤＭＦ＝０．６／１００：重量比）で、ポリアミック酸濃度が約２重量％になるように希釈した。カラムはＨＳＰｇｅｌ ＲＴ ＭＢ－Ｍ（Ｗａｔｅｒｓ製）を使用し、前記混合溶液を展開剤として、カラム温度５０℃、流速０．４０ｍＬ／ｍｉｎの条件で測定を行った。標準ポリスチレンは東ソー（株）製ＴＳＫ標準ポリスチレンを用いた。

＜ＡＣ残像測定・コントラスト測定＞
ＡＣ残像は国際公開２０００／４３８３３号に記載の方法に従って測定した。
具体的には、作製した液晶セルの輝度－電圧特性（Ｂ－Ｖ特性）を測定し、これをストレス印加前の輝度－電圧特性：Ｂ（before）とした。次に、液晶セルに４．５Ｖ、６０Ｈｚの交流を２０分間印加した後、１秒間ショートし、再び輝度－電圧特性（Ｂ－Ｖ特性）を測定した。これをストレス印加後の輝度－電圧特性：Ｂ（after）とした。ここでは、測定した各輝度－電圧特性の電圧１．３Ｖにおける輝度を用い、下記式にて輝度変化率ΔＢ（％）を求めた。ΔＢ（％）の値が小さいほど、ＡＣ残像の発生を抑制できること、すなわち残像特性が良好であることを意味する。ΔＢは、３％以下であれば残像特性が良好と言えるが、近年残像特性の要望はさらに高まっており、より低いことが好ましい。
ΔＢ（％）＝｛［Ｂ（after）－Ｂ（before）］／Ｂ（before）｝×１００
また、ストレス印加前のＢ－Ｖ特性における最小輝度と最大輝度の比を用いてコントラスト(ＣＲ)を求めた。ＣＲの値が大きいほど、明暗表示が鮮明であり、コントラストが良好であることを意味し、３０００以上で優れたコントラストを有すると言える。
ＣＲ＝Ｂ(before)_ｍａｘ/Ｂ(before)_ｍｉｎ
式において、Ｂ(before)_ｍａｘはストレス印加前のＢ－Ｖ特性における最大輝度を示し、Ｂ(before)_ｍｉｎはストレス印加前のＢ－Ｖ特性における最小輝度を示す。

＜電圧保持率（ＶＨＲ）信頼性の評価＞
液晶表示素子の電圧保持率（ＶＨＲ）は、「水嶋他、第１４回液晶討論会予稿集ｐ７８（１９８８）」に記載の方法に従い、６０℃で、波高±５Ｖの矩形波をセルに印加して測定した。このときのＶＨＲをＶＨＲ（before）とした。電圧保持率は、印加した電圧がフレーム周期後どの程度保持されているかを示す指標であり、この値が１００％であれば、全ての電荷が保持されていることを意味する。上記セルをＬＥＤバックライトに３００時間暴露し、再度ＶＨＲを測定した。このときのＶＨＲをＶＨＲ（after）とした。
ＶＨＲ信頼性は、下記の式を用いて算出したＶＨＲ低下率にて評価した。ＶＨＲ低下率が小さい程、ＶＨＲ信頼性が高く、光に対する安定性が高いと言える。
ＶＨＲ低下率（％）
＝｛［ＶＨＲ（after）－ＶＨＲ（before）］／ＶＨＲ（before）｝×１００

＜テトラカルボン酸二無水物＞

＜ジアミン類＞

式（ＡＮ－１－２）、式（ＡＮ－４－１７）、式（ＤＩ－５－１）または式（ＤＩＨ－１－２）におけるｍの値は、表１～３に記載した。

＜溶剤＞
ＮＭＰ： Ｎ－メチル－２－ピロリドン
ＢＣ： ブチルセロソルブ（エチレングリコールモノブチルエーテル）
＜添加剤＞
Ａｄ－１：３－アミノプロピルトリエトキシシラン
Ａｄ－２：２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン
Ａｄ－３：（３，３’，４，４’－ジエポキシ）ビシクロヘキシル
Ａｄ－４：１，３－ビス（４，５－ジヒドロ－２－オキサゾリル）ベンゼン

［合成例１］式（２－１）の合成
下記スキームに従って式（２－１）で表される化合物を合成した。

＜式（２Ｃ－１）の合成＞
窒素導入管を装着した５００ｍＬ３つ口フラスコに、ナトリウムエトキシド（６．９８ｇ、９７．５ｍｍｏｌ）を入れ、ＤＭＦ（８０ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液に、式（２Ａ－１）で表される化合物(２０．０ｇ、８１．２ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（４０ｍＬ）溶液を氷冷下（氷浴）で滴下し、０．５時間撹拌した。次いで、この溶液に、式（２Ｂ－１）で表される化合物（１０．７ｇ、４０．６ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（１６０ｍＬ）溶液を氷冷下（氷浴）で滴下し、４時間撹拌した。反応後、水（３００ｍＬ）と酢酸エチル（５００ｍＬ）を加え、分液した。有機層を水（５００ｍＬ）で２回洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥させた溶液を減圧留去して粗体を得た。この粗体をヘキサン：酢酸エチル＝５:１の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、式（２Ｃ－１）で表される化合物を収量１８．５ｇ、収率７７％で得た。
＜式（２Ｄ－１）の合成＞
窒素導入管を装着した３００ｍＬ３つ口フラスコに、式（２Ｃ－１）で表される化合物（１８．５ｇ、３１．１ｍｍｏｌ）を入れ、エタノール（１１０ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液に、水酸化ナトリウム(１４．９ｇ、３７３．３ｍｍｏｌ）の水（５０ｍＬ）溶液を加え、３時間加熱還流した。反応後、室温まで冷却し、エタノールを減圧留去した後、６Ｍ塩酸で溶液を酸性にした。得られた固形分をろ過して乾燥し、式（２Ｄ－１）で表される化合物を収量１２．５ｇ、収率９４％で得た。
＜式（２Ｅ－１）の合成＞
窒素導入管を装着した２００ｍＬ３つ口フラスコに、式（２Ｄ－１）で表される化合物（１２．５ｇ、２９．３ｍｍｏｌ）を入れ、水（５０ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液に、濃硫酸(１．７２ｍＬ、３２．２ｍｍｏｌ）を加え、６時間加熱還流した。反応後、室温まで冷却し、析出した固形分をろ過して乾燥し、式（２Ｅ－１）で表される化合物を収量８．２ｇ、収率８３％で得た。
＜式（２－１）の合成＞
窒素導入管を装着した１００ｍＬ３つ口フラスコに、式（２Ｅ－１）で表される化合物（８．２ｇ、２４．２ｍｍｏｌ）を入れ、無水酢酸（５０ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液を６時間加熱還流した。反応後、室温まで冷却し、析出した固形分をろ過して乾燥し、式（２－１）で表される化合物を収量６．４ｇ、収率８７％で得た。
¹H-NMR (500MHz, DMSO-D₆): δ 7.19 (s, 4H), 3.51-3.58 (m, 2H), 3.08-3.11 (m, 2H), 2.85-2.95 (m, 4H), 2.72-2.77 (m, 2H).

［合成例２］式（３－２）の合成
下記スキームに従って式（３－２）で表される化合物を合成した。

＜式（３Ｃ－２）の合成＞
窒素導入管を装着した５００ｍＬ３つ口フラスコに、ナトリウムエトキシド（１４．０ｇ、１９５ｍｍｏｌ）を入れ、ＤＭＦ（１６０ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液に、式（３Ａ－２）で表される化合物(４０．０ｇ、１６２ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（４０ｍＬ）溶液を氷冷下（氷浴）で滴下し、０．５時間撹拌した。次いで、この溶液に、式（３Ｂ－２）で表される化合物（２３．２ｇ、１９５ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（４０ｍＬ）溶液を氷冷下（氷浴）で滴下し、４時間撹拌した。反応後、水（４００ｍＬ）と酢酸エチル（６００ｍＬ）を加え、分液した。有機層を水（５００ｍＬ）で２回洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥させた溶液を減圧留去して粗体を得た。この粗体をヘキサン：酢酸エチル＝５:１の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、式（３Ｃ－２）で表される化合物を収量４６．１ｇ、収率１００％で得た。
＜式（３Ｅ－２）の合成＞
窒素導入管を装着した５００ｍＬ３つ口フラスコに、式（３Ｃ－２）で表される化合物（４６．１ｇ、１６２ｍｍｏｌ）を入れ、アセトニトリル（１５０ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液に、式（３Ｄ－２）で表される化合物（２３．０ｇ、７３．６ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム（９６．０ｇ、２９５ｍｍｏｌ）、Ｐｄ－１３２（０．５５ｇ、０．７４ｍｍｏｌ）を加え、８時間加熱還流した。反応後、水（２００ｍＬ）と酢酸エチル（２００ｍＬ）を加え、分液した。有機層を水（２００ｍＬ）で２回洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥させた溶液を減圧留去して粗体を得た。この粗体をヘキサン：酢酸エチル＝５:１の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、式（３Ｅ－２）で表される化合物を収量３６．７ｇ、収率６９％で得た。
＜式（３Ｆ－２）の合成＞
オートクレーブに、式（３Ｅ－２）で表される化合物（３６．７ｇ、５１．０ｍｍｏｌ）を入れ、ＴＨＦ（８００ｍＬ）を加えた。この溶液に、Ｐｄ／Ｃ（Ｐｄ：５重量％、１．８ｇ）を加えた。オートクレーブを窒素置換した後に、水素置換を行ない、２４時間反応させた。反応後、ろ過し、溶液を減圧留去して粗体を得た。この粗体をヘキサン：酢酸エチル＝１:１の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、式（３Ｆ－２）で表される化合物を収量３７．１ｇ、収率１００％で得た。
＜式（３Ｇ－２）の合成＞
窒素導入管を装着した５００ｍＬ３つ口フラスコに、式（３Ｆ－２）で表される化合物（３７．９ｇ、５１．０ｍｍｏｌ）を入れ、エタノール（２００ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液に、水酸化ナトリウム(２４．５ｇ、６１２ｍｍｏｌ）の水（１００ｍＬ）溶液を加え、３時間加熱還流した。反応後、室温まで冷却し、エタノールを減圧留去した後、６Ｍ塩酸で溶液を酸性にした。得られた固形分をろ過して乾燥し、式（３Ｇ－２）で表される化合物を収量２７．５ｇ、収率９６％で得た。
＜式（３Ｈ－２）の合成＞
窒素導入管を装着した２００ｍＬ３つ口フラスコに、式（３Ｇ－２）で表される化合物（２６．７ｇ、４７．８ｍｍｏｌ）を入れ、水（１００ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液に、濃硫酸(１．８０ｍＬ、５２．５ｍｍｏｌ）を加え、６時間加熱還流した。反応後、室温まで冷却し、析出した固形分をろ過して乾燥し、式（３Ｈ－２）で表される化合物を収量２０．２ｇ、収率９０％で得た。
＜式（３－２）の合成＞
窒素導入管を装着した１００ｍＬ３つ口フラスコに、式（３Ｈ－２）で表される化合物（２０．２ｇ、４３．０ｍｍｏｌ）を入れ、無水酢酸（１３０ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液を６時間加熱還流した。反応後、室温まで冷却し、析出した固形分をろ過して乾燥し、式（３－２）で表される化合物を収量１６．５ｇ、収率８８％で得た。
¹H-NMR (500MHz, DMSO-D₆): δ 7.56 (d, J = 7.5Hz, 4H), 7.28 (d, J = 7.5Hz, 4H), 3.22-3.29 (m, 2H), 3.03-3.09 (m, 2H), 2.45-2.80 (m, 2H), 2.62 (t, J = 6.8Hz, 4H), 1.59-1.84 (m, 8H).

［合成例３］式（２－２）の合成
下記スキームに従って式（２－２）で表される化合物を合成した。

＜式（２Ｃ－２）の合成＞
窒素導入管を装着した１０００ｍＬ３つ口フラスコに、ナトリウムエトキシド（６．６３ｇ、９２．６ｍｍｏｌ）を入れ、ＤＭＦ（８０ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液に、式（２Ａ－２）で表される化合物(１９．０ｇ、７７．２ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（４０ｍＬ）溶液を氷冷下（氷浴）で滴下し、０．５時間撹拌した。次いで、この溶液に、式（２Ｂ－２）で表される化合物（１２．６ｇ、３７．０ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（１５０ｍＬ）溶液を氷冷下（氷浴）で滴下し、３時間撹拌した。反応後、水（３００ｍＬ）と酢酸エチル（６００ｍＬ）を加え、分液した。有機層を水（４００ｍＬ）で２回洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥させた溶液を減圧留去して粗体を得た。この粗体をヘキサン：酢酸エチル＝９:１の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、式（２Ｃ－２）で表される化合物を収量２０．３ｇ、収率８２％で得た。
＜式（２Ｄ－２）の合成＞
窒素導入管を装着した５００ｍＬ３つ口フラスコに、式（２Ｃ－２）で表される化合物（２０．３ｇ、３０．２ｍｍｏｌ）を入れ、エタノール（１２０ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液に、水酸化ナトリウム(１４．５ｇ、３６２．３ｍｍｏｌ）の水（６０ｍＬ）溶液を加え、４時間加熱還流した。反応後、室温まで冷却し、エタノールを減圧留去した後、６Ｍ塩酸で溶液を酸性にした。この溶液を酢酸エチル（２００ｍL×５回）にて抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた溶液を減圧留去して、式（２Ｄ－２）で表される化合物を収量１５．１ｇ、収率１００％で得た。
＜式（２Ｅ－２）の合成＞
窒素導入管を装着した２００ｍＬ３つ口フラスコに、式（２Ｄ－２）で表される化合物（１５．１ｇ、３０．１ｍｍｏｌ）を入れ、水（６０ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液に、濃硫酸(１．７７ｍＬ、３３．２ｍｍｏｌ）を加え、７時間加熱還流した。反応後、室温まで冷却し、析出した固形分をろ過して乾燥し、式（２Ｅ－２）で表される化合物を収量９．５ｇ、収率７６％で得た。
＜式（２－２）の合成＞
窒素導入管を装着した１００ｍＬ３つ口フラスコに、式（２Ｅ－２）で表される化合物（９．５ｇ、２２．８ｍｍｏｌ）を入れ、無水酢酸（５０ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液を６時間加熱還流した。反応後、室温まで冷却し、析出した固形分をろ過して乾燥し、式（２－２）で表される化合物を収量６．１ｇ、収率７０％で得た。
¹H-NMR (500MHz, DMSO-D₆): δ 7.61 (d, J = 7.5Hz, 4H), 7.33 (d, J = 8.5Hz, 4H), 3.57-3.64 (m, 2H), 3.16 (dd, J = 5.2, 13.7Hz, 2H), 2.91-3.02 (m, 4H), 2.80 (dd, J = 7.0, 18.5Hz, 2H).

［合成例４］式（４－３）の合成
下記スキームに従って式（４－３）で表される化合物を合成した。

＜式（４Ｃ－３）の合成＞
窒素導入管を装着した１０００ｍＬ３つ口フラスコに、ナトリウムエトキシド（１７．５ｇ、２４３．７ｍｍｏｌ）を入れ、ＤＭＦ（２００ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液に、式（４Ａ－３）で表される化合物(５０．０ｇ、２０３．０ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（５０ｍＬ）溶液を氷冷下（氷浴）で滴下し、０．５時間撹拌した。次いで、この溶液に、式（４Ｂ－３）で表される化合物（４１．８ｇ、２４３．７ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（５０ｍＬ）溶液を氷冷下（氷浴）で滴下し、２３時間撹拌した。反応後、水（３００ｍＬ）と酢酸エチル（５００ｍＬ）を加え、分液した。有機層を水（４００ｍＬ）で２回洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥させた溶液を減圧留去して粗体を得た。この粗体をヘキサン：酢酸エチル＝１０:１の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、式（４Ｃ－３）で表される化合物を収量６２．０ｇ、収率９１％で得た。
＜式（４Ｅ－３）の合成＞
窒素導入管を装着した２０００ｍＬ３つ口フラスコに、式（４D－３）で表される化合物(１４．５ｇ、７７．９ｍｍｏｌ）と、炭酸カリウム(１０７．７ｇ、７７９．２ｍｍｏｌ）を入れ、ＤＭＦ（７００ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液に、式（４C－３）で表される化合物(６０．４ｇ、１７９．２ｍｍｏｌ）と、ヨウ化カリウム(０．３９ｇ、２．３ｍｍｏｌ）を加え、４２時間８０℃で反応させた。反応後、水（５００ｍＬ）と酢酸エチル（８００ｍＬ）を加え、分液した。有機層を水（４００ｍＬ）で２回洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥させた溶液を減圧留去して粗体を得た。この粗体をヘキサン：酢酸エチル＝４:１の混合溶媒を溶離液に用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、式（４Ｅ－３）で表される化合物を収量４８．３ｇ、収率７９％で得た。
＜式（４Ｆ－３）の合成＞
窒素導入管を装着した１０００ｍＬ３つ口フラスコに、式（４Ｅ－３）で表される化合物（４６．８ｇ、５９．５ｍｍｏｌ）を入れ、エタノール（２８０ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液に、水酸化ナトリウム(２８．５ｇ、７１３．４ｍｍｏｌ）の水（１４０ｍＬ）溶液を加え、４時間加熱還流した。反応後、室温まで冷却し、エタノールを減圧留去した後、６Ｍ塩酸で溶液を酸性にした。得られた固形分をろ過して乾燥し、式（４Ｆ－３）で表される化合物を収量３６．７ｇ、収率１００％で得た。
＜式（４Ｇ－３）の合成＞
窒素導入管を装着した３００ｍＬ３つ口フラスコに、式（４Ｆ－３）で表される化合物（３６．７ｇ、５９．４ｍｍｏｌ）を入れ、水（１４０ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液に、濃硫酸(３．４９ｍＬ、６５．４ｍｍｏｌ）を加え、２４時間加熱還流した。反応後、室温まで冷却し、析出した固形分をろ過して乾燥し、式（４Ｇ－３）で表される化合物を収量３０．９ｇ、収率９８％で得た。
＜式（４－３）の合成＞
窒素導入管を装着した３００ｍＬ３つ口フラスコに、式（４Ｇ－３）で表される化合物（３０．９ｇ、５８．２ｍｍｏｌ）を入れ、無水酢酸（１５０ｍＬ）を加え撹拌した。この溶液を６時間加熱還流した。反応後、室温まで冷却し、析出した固形分をろ過して乾燥し、式（４－３）で表される化合物を収量２６．４ｇ、収率９２％で得た。
¹H-NMR (500MHz, DMSO-D₆): δ 7.52 (d, J = 9.0Hz, 4H), 6.98 (d, J = 8.5Hz, 4H), 3.99 (t, J = 6.5Hz, 4H), 3.21-3.28 (m, 2H), 3.07 (dd, J = 9.2, 17.7, 2H), 2.77 (dd, J = 7.0, 18.5Hz, 2H), 1.81-1.88 (m, 2H), 1.63-1.78 (m, 6H), 1.42-1.56 (m, 4H).

＜ワニスの調製＞
本実施例および比較例で使用したワニスは、下記の手順で調製した。ここで、ワニスの調製例１～１８で調製したワニスＡ１～Ａ１８は、光反応性構造を有する少なくとも１つの化合物を原料の一つに用いて反応させて得られたポリアミック酸の溶液である。ワニスの調製例１９～２１で調製したブレンド用ワニスＢ１～Ｂ３は、光反応性構造を有する化合物を原料に用いないで得られたポリアミック酸の溶液であり、ワニスＡ１～Ａ１８とブレンドして使用するものである。ワニスの調製例２２～３５で調製したワニスＣ１～Ｃ１４は、光反応性構造を有する少なくとも１つの化合物を原料の一つに用いて反応させて得られたポリアミック酸のブロックポリマーの溶液であり、ワニスＣ１～Ｃ１４を単独で液晶配向剤に使用してもよく、ブレンド用ワニスＢ１～Ｂ３とブレンドして使用してもよい。

［ワニスの調製例１］ ワニスＡ１の調製
攪拌翼、窒素導入管を装着した１００ｍＬ３つ口フラスコに、式（Ｖ－２－１）で表される化合物１．０２ｇ、式（ＤＩ－１３－１）で表される化合物０．０７１７ｇ、および式（ＤＩ－４－１３）で表される化合物０．０６８２ｇを入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドンを１７．０ｇ加え撹拌した。この溶液に、式（２－１）で表される化合物０．９７０ｇ、および式（ＡＮ－４－１７、ｍ＝８）で表される化合物０．８６９ｇを加え、１２時間室温で攪拌させた。そこにＮＭＰ１５．０ｇおよびＢＣ１５．０ｇを加え、溶質のポリマーの重量平均分子量が所望する重量平均分子量になるまで、その溶液を７０℃で加熱攪拌して、溶質の重量平均分子量がおよそ１４，０００であり、ポリマー濃度が６重量％であるワニスＡ１を得た。

［ワニスの調製例２～２１］ ワニスＡ２～Ａ１８、ワニスＢ１～Ｂ３の調製
ジアミン類およびテトラカルボン酸二無水物として用いる化合物を、表１に示すように変更したこと以外は、調製例１と同様にして樹脂分濃度が６重量％のワニスＡ２～Ａ１８を調製した。ジアミン類およびテトラカルボン酸二無水物として用いる化合物を、表２に示すように変更したこと以外は、調製例１と同様にしてワニスＢ１～Ｂ３を調製した。ワニスＢ１～Ｂ３においては、ポリマーの重量平均分子量が５０，０００程度になるように加熱撹拌の条件を調整した。生成したポリマーの重量平均分子量を、調整例１の結果と共に表１および表２に示す。なお、表１において、ジアミン類として２以上の化合物が掲載されている調製例では、その全ての化合物を合わせてジアミン類として使用したことを意味し、テトラカルボン酸二無水物として２以上の化合物が掲載されている調製例では、その全ての化合物を合わせてテトラカルボン酸二無水物として使用したことを意味する。角括弧内の数値は、配合比（モル％）を表し、空欄はその欄に対応する化合物を使用していないことを意味する。表２および表３においても、同様である。

［表１］

［表２］

［ワニスの調製例２２］ ワニスＣ１の調製
本調製例では、２段階の重合工程を行ってポリアミック酸のブロックポリマーを合成した。
（１）第１段の重合工程
攪拌翼、窒素導入管を装着した１００ｍＬの３つ口フラスコに、式（ＤＩ－４－１）で表される化合物０．０７０７ｇ、式（ＤＩ－１３－１）で表される化合物０．１７５ｇ、式（ＤＩ－４－１９）で表される化合物０．２６７ｇを入れ、Ｎ－メチル－２－ピロリドンを１５．０ｇ加え撹拌した。この溶液に、式（ＡＮ－３－２）で表される化合物０．１４３ｇ、式（ＡＮ－２－１）で表される化合物０．５１３ｇを入れ、室温で６時間攪拌を続け、第１のポリアミック酸の溶液を得た。

（２）第２段の重合工程
第１段の重合を行ったフラスコに、式（Ｖ－２－１）で表される化合物０．１３９ｇ、式（Ｖ－２－１３）で表される化合物０．５３０ｇ、式（ＤＩ－１３－１）で表される化合物０．１７５ｇ、式（２－１）で表される化合物０．５９３ｇ、式（ＡＮ－４－１７、ｍ＝８）で表される化合物０．２６６ｇ、式（ＡＮ－２－１）で表される化合物０．０６４１ｇ、式（ＡＮ－１－１）で表される化合物０．０６４８ｇを入れ、さらにＮ－メチル－２－ピロリドンを１７．０ｇ加え、室温で２４時間攪拌を続け、第１のポリアミック酸と第２のポリアミック酸の混合溶液を得た。この反応溶液にＢＣ（１５．０ｇ）を加えて、６０℃に加熱しながら、８時間攪拌を行い、ポリマー濃度が６重量％のポリアミック酸ブロックポリマー溶液を得た。このポリアミック酸ブロックポリマー溶液をワニスＣ１とする。

［ワニスの調製例２３～３５］ ワニスＣ２～Ｃ１４の調製
ジアミン類及びテトラカルボン酸二無水物として用いる化合物を、表３に示すように変更したこと以外は、調製例２２と同様にして樹脂分濃度が６重量％のワニスＣ２～Ｃ１４を調製した。使用したジアミン類及びテトラカルボン酸二無水物を、調整例２２の結果と共に表３に示す。

［表３］

［実施例１］
＜液晶配向剤の調製＞
ワニスＡ１を、ポリマー濃度が４重量％になるようにＮＭＰ・ＢＣ混合溶液（ＮＭＰ／ＢＣ＝７／３重量比）で希釈、撹拌し、液晶配向剤Ｅ１を調製した。
＜コントラストの測定、およびＡＣ残像測定＞
ＦＦＳ電極付きガラス基板およびカラムスペーサー付きガラス基板に、液晶配向剤１をスピンナー法により塗布した。塗布後、基板を６０℃で８０秒間加熱し、溶剤を蒸発させた後、ウシオ電機（株）製マルチライトＭＬ－５０１Ｃ／Ｂを用い、基板に対して鉛直方向から、偏光板を介して紫外線の直線偏光を照射した。この時の露光エネルギーは、ウシオ電機（株）製紫外線積算光量計ＵＩＴ－１５０（受光器：ＵＶＤ－Ｓ３６５）を用いて光量を測定し、波長３６５ｎｍで２．０±０．１Ｊ／ｃｍ^２になるよう、露光時間を調整した。その後、２２０℃にて３０分間焼成処理を行い、膜厚およそ１００ｎｍの液晶配向膜を形成した。次いで、これらの液晶配向膜が形成された基板２枚を、液晶配向膜が形成されている面を対向させ、かつ、対向する液晶配向膜の間に液晶組成物を注入するための空隙を設けて貼り合わせた。この時、それぞれの液晶配向膜に照射された直線偏光の偏光方向が平行になるようにした。これらのセルにポジ型液晶組成物Ａを注入し、セル厚５μｍの液晶セル（液晶表示素子）を作製した。

＜ポジ型液晶組成物Ａ＞

（物性値）
相転移温度ＮＩ：１００．１℃、誘電率異方性Δε：５．１、屈折率異方性Δｎ：０．０９３、粘度η：２５．６ｍＰａ・ｓ．

作製した液晶セルを用いて、前述の評価法「ＡＣ残像測定・コントラスト測定」に従ってＡＣ残像測定およびコントラスト測定を行った。その結果、ΔＢは１．３％、ＣＲは３３００であった。

＜ＶＨＲ信頼性評価＞
ＩＰＳ電極付きガラス基板およびカラムスペーサー付きガラス基板に液晶配向剤Ｅ１をスピンナー法により塗布した。塗布後、基板を６０℃で８０秒間加熱し、溶剤を蒸発させた後、ウシオ電機（株）製マルチライトＭＬ－５０１Ｃ／Ｂを用い、基板に対して鉛直方向から、偏光板を介して紫外線の直線偏光を照射した。この時の露光エネルギーは、ウシオ電機（株）製紫外線積算光量計ＵＩＴ－１５０（受光器：ＵＶＤ－Ｓ３６５）を用いて光量を測定し、波長３６５ｎｍで２．０±０．１Ｊ／ｃｍ^２になるよう、露光時間を調整した。その後、２２０℃にて３０分間焼成処理を行い、膜厚およそ１００ｎｍの液晶配向膜を形成した。

次いで、液晶配向膜が形成された基板２枚を、液晶配向膜が形成されている面を対向させ、かつ、対向する液晶配向膜の間に液晶組成物を注入するための空隙が形成されるように貼り合わせた。このとき、基板の向きは、光配向処理の際に各液晶配向膜に照射した直線偏光の偏光方向が互いに平行になるような向きにした。この貼り合わせた基板間の空隙に、下記組成のネガ型液晶組成物Ａを注入し、セル厚７μｍの液晶セル（液晶表示素子）を作製した。

＜ネガ型液晶組成物Ａ＞

（物性値）
相転移温度ＮＩ：７５．７℃、誘電率異方性Δε：－４．１、屈折率異方性Δｎ：０．１０１、粘度η：１４．５ｍＰａ・ｓ．

作製した液晶セルを用いて、前述の評価法「電圧保持率（ＶＨＲ）信頼性の評価」に従ってＶＨＲ信頼性評価を行った。その結果、ＶＨＲ低下率は－６％であった。

［実施例２］～［実施例１８］、［比較例１］～［比較例３］
ワニスＡ１の代わりに、表４に記載のワニスを用いた以外は、実施例１と同様の操作を行ない、液晶配向剤Ｅ２～Ｅ１８、およびＦ１～Ｆ３を調製した。また、液晶配向剤Ｅ１１、Ｅ１２、およびＥ１８には、表４に示した添加剤をワニス中のポリマー重量に対して表４に示した重量部加え、液晶配向剤を調製した。調製した液晶配向剤を用いて、実施例１と同様の操作を行い、コントラストの測定、ＡＣ残像測定、およびＶＨＲ信頼性評価を行なった。結果を、実施例１の結果と共に表４に示す。

［表４］

本発明の式（１）で表される化合物を使用した実施例１～１８では、コントラストの値は３０００以上を示し、優れたコントラストを示した。また、ΔＢの値が２％以下と小さく、優れた残像特性を示した。さらに、ＶＨＲ低下率も小さく、ＶＨＲ信頼性の高い液晶表示素子が得られた。一方、比較例１および比較例３では、使用した化合物（式（ＡＮ－１－２、ｍ＝６）で表される化合物および式（ＡＮ－１－３）で表される化合物）が芳香環に直接ジカルボン酸無水物が結合した芳香族系テトラカルボン酸ではないため、ＶＨＲ低下率は抑えられているが、コントラストおよびΔＢが良好な液晶表示素子は得られなかった。また、比較例２では、コントラストおよびΔＢは良好であったが、使用した化合物（式（ＡＮ－３－２）で表される化合物）が芳香環に直接ジカルボン酸無水物が結合した芳香族系テトラカルボン酸であるため、ＶＨＲ低下率は大きかった。

［実施例１９］～［実施例３６］、［比較例４］～［比較例５］
ワニスＡ１の代わりに、表５に記載のワニス、および添加剤を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、液晶配向剤Ｅ１９～３６、およびＦ４～Ｆ５を調製した。調製した液晶配向剤を用いて、実施例１と同様の操作を行い、コントラストの測定、ＡＣ残像測定、およびＶＨＲ信頼性評価を行った。結果を表５に示す。

［表５］

本発明の式（１）で表される化合物を使用したブロックポリマーを使用した実施例１９～３６においても、コントラストの値は３０００以上を示し、優れたコントラストを示した。また、ΔＢの値が２％以下と小さく、優れた残像特性を示した。さらに、ＶＨＲ低下率も小さく、ＶＨＲ信頼性の高い液晶表示素子が得られた。一方、比較例４では、使用した化合物（式（ＡＮ－１－２、ｍ＝６）で表される化合物）が芳香環に直接ジカルボン酸無水物が結合した芳香族系テトラカルボン酸ではないため、ＶＨＲ低下率は抑えられているが、コントラストおよびΔＢが良好な液晶表示素子は得られなかった。また、比較例５では、コントラストおよびΔＢは良好であったが、使用した化合物（式（ＡＮ－３－２）で表される化合物）が芳香環に直接ジカルボン酸無水物が結合した芳香族系テトラカルボン酸であるため、ＶＨＲ低下率は大きかった。

［実施例３７］
ワニスＡ１とワニスＢ１を重量比３：７になるようにブレンドし、さらにポリマー濃度が４重量％になるようにＮＭＰ・ＢＣ混合溶液（ＮＭＰ／ＢＣ＝７／３重量比）で希釈、撹拌し、液晶配向剤Ｅ３７を調製した。
液晶配向剤Ｅ３７を用いて、実施例１と同様の操作を行い、コントラストの測定、ＡＣ残像測定、およびＶＨＲ信頼性評価を行った。

［実施例３８］～［実施例５７］、［比較例６］～［比較例７］
ワニスＡ１とワニスＢ１の代わりに、表６に示すワニス、および添加剤を使用し、表６に示すブレンド比に変更した以外は、実施例３７と同様にして、液晶配向剤Ｅ３８～Ｅ５７、およびＦ６～Ｆ７を調製した。調製した液晶配向剤を用いて、実施例１と同様に、コントラストの測定、ＡＣ残像測定、およびＶＨＲ信頼性評価を行った。使用したワニス、ブレンド比および結果を、実施例３７と共に表６に示す。

［表６］

本発明の式（１）で表される化合物を使用したブレンド型液晶配向剤を使用した実施例３７～５７においても、コントラストの値は３０００以上を示し、優れたコントラストを示した。また、ΔＢの値が３％以下と小さく、優れた残像特性を示した。さらに、ＶＨＲ低下率も小さく、ＶＨＲ信頼性の高い液晶表示素子が得られた。一方、比較例６では、使用した化合物（式（ＡＮ－１－２、ｍ＝６）で表される化合物）が芳香環に直接ジカルボン酸無水物が結合した芳香族系テトラカルボン酸ではないため、ＶＨＲ低下率は抑えられているが、コントラストおよびΔＢが良好な液晶表示素子は得られなかった。また、比較例７では、コントラストおよびΔＢは良好であったが、使用した化合物（式（ＡＮ－３－２）で表される化合物）が芳香環に直接ジカルボン酸無水物が結合した芳香族系テトラカルボン酸であるため、ＶＨＲ低下率は大きかった。

本発明の液晶配向剤を用いて形成される液晶配向膜を使用すれば、良好なコントラストおよび残像特性を有し、長時間強い光に晒されても、高い電圧保持率が維持されて表示品位が低下しない液晶表示素子を得ることができる。本発明の液晶配向剤は、横電界型液晶表示素子に好適に適用することができる。また、本発明の液晶配向剤を用いることで、異方性の高い液晶配向膜を得ることができ、光学補償材等に利用可能である。

Claims (11)

1. ポリマーを含む液晶配向剤であって、前記ポリマーの少なくとも１つがテトラカルボン酸二無水物類とジアミン類を反応させてなるポリマーであり、前記テトラカルボン酸二無水物類が式（１）で表される化合物およびその誘導化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含む液晶配向剤。
   

   

   
   式（１）において、－Ｘ－は独立して単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、または－ＮＲ^１－であり、Ｒ^１は水素、または炭素数１～４のアルキル基であり、ｎは独立して１～５の整数であり、ｍは１～３の整数であり、環を構成するいずれかの炭素原子に結合位置が固定されていない基は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できることを示す。
2. 前記式（１）で表される化合物が、式（２）～式（４）で表される化合物の群から選ばれる少なくとも１つである、請求項１に記載の液晶配向剤。
   
   

   

   式（２）～式（４）において、ｍは１～３の整数であり、式（４）において、ｎは独立して２～５の整数である。
3. 前記テトラカルボン酸二無水物類とジアミン類を反応させてなるポリマーの原料として使用する原料組成物に、式（１）で表される化合物およびその誘導化合物からなる群から選択された少なくとも１つと、光反応性構造を有する化合物を含む、請求項１または２に記載の液晶配向剤。
4. 前記光反応性構造を有する化合物が光分解構造を有する化合物、光異性化構造を有する化合物、または光二量化構造を有する化合物である、請求項３に記載の液晶配向剤。
5. 前記光異性化構造を有する化合物が下記式（Ｖ－２）で表される化合物である、請求項４に記載の液晶配向剤。
   
   

   

   
   式（Ｖ－２）においてＸは炭素数１～１２のアルキレン基であり、前記アルキレン基の－（ＣＨ_２）_２－の隣り合わない１つ以上が－Ｏ－および－ＮＨ－のいずれかで置き換えられていてもよく、
   Ｒ^ａおよびＲ^ｂはそれぞれ独立して水素原子、－ＣＨ_３、－ＯＣＨ_３、－ＣＦ_３、－Ｆ、－ＣＯＯＣＨ_３、または式（Ｐ１－１）もしくは式（Ｐ１－２）で表される１価の基であり、
   Ｒ^ｃはそれぞれ独立して水素原子、－ＣＨ_３、－ＯＣＨ_３、－ＣＦ_３、－Ｆ、または式（Ｐ１－１）もしくは式（Ｐ１－２）で表される１価の基であり、ｊは０または１であり、ａ～ｃはそれぞれ独立に０～２の整数であり、
   
   

   

   
   式（Ｐ１－１）および式（Ｐ１－２）において、Ｒ^ｄ、Ｒ^ｅおよびＲ^ｆは、それぞれ独立して、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルカノイル基、置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基、または置換もしくは無置換のアリールカルボニル基を表し、Ｒ^ｄ、Ｒ^ｅおよびＲ^ｆは互いに同一であっても異なっていてもよく、＊は、式（Ｖ－２）におけるベンゼン環への結合位置を表し、
   式（Ｖ－２）において、環を構成するいずれかの炭素原子に結合位置が固定されていない基は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できることを示す。
6. 請求項１～５のいずれか１項に記載の液晶配向剤から形成される液晶配向膜。
7. 請求項６に記載の液晶配向膜を有する液晶表示素子。
8. 請求項１～５のいずれか１項に記載の液晶配向剤を基板に塗布する工程と、その塗膜に偏光紫外線を照射する工程とを含む、液晶配向膜の製造方法。
9. 式（１）で表される化合物またはその誘導化合物。
   

   

   式（１）において、－Ｘ－は独立して単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、または－ＮＲ^１－であり、Ｒ^１は水素、または炭素数１～４のアルキル基であり、ｎは独立して１～５の整数であり、ｍは１～３の整数である。環を構成するいずれかの炭素原子に結合位置が固定されていない基は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できることを示す。
10. 前記式（１）で表される化合物が、式（２）～式（４）で表される化合物である、請求項９に記載の化合物またはその誘導化合物。
    
    

    

    式（２）～式（４）において、ｍは１～３の整数であり、式（４）において、ｎは独立して２～５の整数である。
11. テトラカルボン酸二無水物類とジアミン類を反応させてなるポリマーであり、前記テトラカルボン酸二無水物類が、式（１）で表される化合物およびその誘導化合物からなる群から選択される少なくとも１つを含むポリマー。
    

    

    
    式（１）において、－Ｘ－は独立して単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、または－ＮＲ^１－であり、Ｒ^１は水素、または炭素数１～４のアルキル基であり、ｎは独立して１～５の整数であり、ｍは１～３の整数であり、環を構成するいずれかの炭素原子に結合位置が固定されていない基は、その環における結合可能な炭素のいずれかと結合できることを示す。