JP2022069820A - 液体吐出ヘッド、液体吐出装置およびアクチュエーター - Google Patents

液体吐出ヘッド、液体吐出装置およびアクチュエーター Download PDF

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Abstract

【課題】圧電体のクラックを低減する。【解決手段】振動板と第1電極と圧電体と第2電極とがこの順に第1方向に積層された液体吐出ヘッドであって、第1電極と第2電極との間に介在する圧電体の領域を第1領域とし、第1領域以外の圧電体の領域を第2領域とし、第1領域と第2領域との境界の少なくとも一部を含む圧電体の部分を境界部分とし、境界部分とは異なり、かつ、第1領域に位置する圧電体の部分を非境界部分とするとき、境界部分の誘電率は、非境界部分の誘電率よりも小さい、液体吐出ヘッド。【選択図】図4

Description

本発明は、液体吐出ヘッド、液体吐出装置およびアクチュエーターに関する。
ピエゾ方式のインクジェットプリンター等の液体吐出装置は、圧電体を用いたアクチュエーターを有する。例えば、特許文献1に記載のアクチュエーターユニットは、振動板、下電極層、圧電体層および上電極層を有し、この順でこれらが積層される。
特開2016-58467号公報
特許文献1に記載のアクチュエーターユニットでは、圧電体層が下電極層と上電極層との間に挟まれる部分とそうでない部分とを有する。これらの部分の境界では、一方の部分が下電極層と上電極層との間の電界に応じて変形するのに対し、他方の部分が当該電界によりほとんど変形しないため、応力が集中する。従来では、圧電体の特性が全域にわたり一定であるため、圧電体の特性を高めようとすると、当該応力により圧電体層にクラックが生じやすいという課題がある。
以上の課題を解決するために、本発明に係る液体吐出ヘッドの一態様は、振動板と第1電極と圧電体と第2電極とがこの順に第1方向に積層された液体吐出ヘッドであって、前記第1電極と前記第2電極との間に介在する前記圧電体の領域を第1領域とし、前記第1領域以外の前記圧電体の領域を第2領域とし、前記第1領域と前記第2領域との境界の少なくとも一部を含む前記圧電体の部分を境界部分とし、前記境界部分とは異なり、かつ、前記第1領域に位置する前記圧電体の部分を非境界部分とするとき、前記境界部分の誘電率は、前記非境界部分の誘電率よりも小さい。
本発明に係る液体吐出ヘッドの他の一態様は、振動板と第1電極と圧電体と第2電極とがこの順に第1方向に積層された液体吐出ヘッドであって、前記圧電体は、鉛を含み、前記第1電極と前記第2電極との間に介在する前記圧電体の領域を第1領域とし、前記第1領域以外の前記圧電体の領域を第2領域とし、前記第1領域と前記第2領域との境界の少なくとも一部を含む前記圧電体の部分を境界部分とし、前記境界部分とは異なり、かつ、前記第1領域に位置する前記圧電体の部分を非境界部分とするとき、前記境界部分の鉛の含有率は、前記非境界部分の鉛の含有率よりも大きい。
本発明に係る液体吐出装置の一態様は、前述の態様の液体吐出ヘッドと、前記液体吐出ヘッドによる液体の吐出動作を制御する制御部と、を有する。
本発明に係るアクチュエーターの一態様は、振動板と第1電極と圧電体と第2電極とがこの順に第1方向に積層されたアクチュエーターであって、前記第1電極と前記第2電極との間に介在する前記圧電体の領域を第1領域とし、前記第1領域以外の前記圧電体の領域を第2領域とし、前記第1領域と前記第2領域との境界の少なくとも一部を含む前記圧電体の部分を境界部分とし、前記境界部分とは異なり、かつ、前記第1領域に位置する前記圧電体の部分を非境界部分とするとき、前記境界部分の誘電率は、前記非境界部分の誘電率よりも小さい。
本発明に係るアクチュエーターの他の一態様は、振動板と第1電極と圧電体と第2電極とがこの順に第1方向に積層されたアクチュエーターであって、前記圧電体は、鉛を含み、前記第1電極と前記第2電極との間に介在する前記圧電体の領域を第1領域とし、前記第1領域以外の前記圧電体の領域を第2領域とし、前記第1領域と前記第2領域との境界の少なくとも一部を含む前記圧電体の部分を境界部分とし、前記境界部分とは異なり、かつ、前記第1領域に位置する前記圧電体の部分を非境界部分とするとき、前記境界部分の鉛の含有率は、前記非境界部分の鉛の含有率よりも大きい。
第1実施形態に係る液体吐出装置を模式的に示す構成図である。 第1実施形態に係る液体吐出ヘッドの分解斜視図である。 図2中のA-A線断面図である。 第1実施形態に係るアクチュエーターを示す平面図である。 図4中のA-A線断面図である。 図4中のB-B線断面図である。 図4中のC-C線断面図である。 図4中のD-D線断面図である。 境界部分および非境界部分について電界と歪み量との関係を示す図である。 第2実施形態に係るアクチュエーターの断面図である。 第3実施形態に係るアクチュエーターの断面図である。 第4実施形態に係るアクチュエーターの断面図である。 第5実施形態に係るアクチュエーターの断面図である。 第6実施形態に係るアクチュエーターの断面図である。 第7実施形態に係るアクチュエーターの断面図である。 第8実施形態に係るアクチュエーターを圧電体の非境界部分で切断した断面図である。 第8実施形態に係るアクチュエーターを圧電体の境界部分で切断した断面図である。
以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示している部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。
なお、以下の説明は、互いに交差するX軸、Y軸およびZ軸を適宜に用いて行う。また、X軸に沿う一方向をX1方向といい、X1方向と反対の方向をX2方向という。同様に、Y軸に沿って互いに反対の方向をY1方向およびY2方向という。また、Z軸に沿って互いに反対の方向をZ1方向およびZ2方向という。Z1方向は、「第1方向」の一例である。Z2方向は、「第2方向」の一例である。また、Z軸に沿う方向でみることを「平面視」という。
ここで、典型的には、Z軸が鉛直な軸であり、Z2方向が鉛直方向での下方向に相当する。ただし、Z軸は、鉛直な軸でなくともよい。また、X軸、Y軸およびZ軸は、典型的には互いに直交するが、これに限定されず、例えば、80°以上100°以下の範囲内の角度で交差すればよい。
1.第1実施形態
1-1.液体吐出装置の全体構成
図1は、第1実施形態に係る液体吐出装置100を模式的に示す構成図である。液体吐出装置100は、液体の一例であるインクを液滴として媒体12に吐出するインクジェット方式の印刷装置である。媒体12は、典型的には印刷用紙である。なお、媒体12は、印刷用紙に限定されず、例えば、樹脂フィルムまたは布帛等の任意の材質の印刷対象でもよい。
図1に示すように、液体吐出装置100には、インクを貯留する液体容器14が装着される。液体容器14の具体的な態様としては、例えば、液体吐出装置100に着脱可能なカートリッジ、可撓性のフィルムで形成された袋状のインクパック、および、インクを補充可能なインクタンクが挙げられる。なお、液体容器14に貯留されるインクの種類は任意である。
液体吐出装置100は、制御ユニット20と搬送機構22と移動機構24と液体吐出ヘッド26とを有する。制御ユニット20は、例えば、CPU(Central Processing Unit)またはFPGA(Field Programmable Gate Array)等の処理回路と半導体メモリー等の記憶回路とを含み、液体吐出装置100の各要素の動作を制御する。ここで、制御ユニット20は、「制御部」の一例であり、液体吐出ヘッド26によるインクの吐出動作を制御する。
搬送機構22は、制御ユニット20による制御のもとで、媒体12をY2方向に搬送する。移動機構24は、制御ユニット20による制御のもとで、液体吐出ヘッド26をX1方向とX2方向とに往復させる。図1に示す例では、移動機構24は、液体吐出ヘッド26を収容するキャリッジと称される略箱型の搬送体242と、搬送体242が固定される搬送ベルト244と、を有する。なお、搬送体242に搭載される液体吐出ヘッド26の数は、1個に限定されず、複数個でもよい。また、搬送体242には、液体吐出ヘッド26のほかに、前述の液体容器14が搭載されてもよい。
液体吐出ヘッド26は、制御ユニット20による制御のもとで、液体容器14から供給されるインクを複数のノズルのそれぞれから媒体12に向けてZ2方向に吐出する。この吐出が搬送機構22による媒体12の搬送と移動機構24による液体吐出ヘッド26の往復移動とに並行して行われることにより、媒体12の表面にインクによる画像が形成される。
以上のように、液体吐出装置100は、液体吐出ヘッド26と、液体吐出ヘッド26によるインクの吐出動作を制御する「制御部」の一例である制御ユニット20と、を有する。
1-2.液体吐出ヘッドの全体構成
図2は、第1実施形態に係る液体吐出ヘッド26の分解斜視図である。図3は、図2のA-A線の断面図である。図2および図3に示すように、液体吐出ヘッド26は、流路基板32と圧力室基板34と振動板36と複数の圧電素子38と筐体部42と封止体44とノズル板46と吸振体48と配線基板50とを有する。なお、圧力室基板34と振動板36と複数の圧電素子38とでアクチュエーター30が構成される。
ここで、流路基板32よりもZ1方向に位置する領域には、圧力室基板34と振動板36と複数の圧電素子38と筐体部42と封止体44とが設置される。他方、流路基板32よりもZ2方向に位置する領域には、ノズル板46と吸振体48とが設置される。液体吐出ヘッド26の各要素は、概略的にはY方向に長尺な板状部材であり、例えば接着剤により互いに接合される。
図2に示すように、ノズル板46は、Y軸に沿う方向に配列される複数のノズルNが設けられる板状部材である。各ノズルNは、インクを通過させる貫通孔である。ノズル板46は、例えば、ドライエッチングまたはウェットエッチング等の加工技術を用いる半導体製造技術によりシリコン単結晶基板を加工することにより製造される。ただし、ノズル板46の製造には、他の公知の方法および材料が適宜に用いられてもよい。
流路基板32は、インクの流路を形成するための板状部材である。図2および図3に示すように、流路基板32には、開口部322と複数の供給流路324と複数の連通流路326と中継流路328とが設けられる。開口部322は、複数のノズルNにわたり連続するように、Z軸に沿う方向でみた平面視で、Y軸に沿う方向に延びる長尺状の貫通孔である。他方、供給流路324および連通流路326それぞれは、ノズルNごとに個別に設けられる貫通孔である。中継流路328は、図3に示すように、流路基板32のZ2方向を向く面に設けられる。中継流路328は、複数の供給流路324にわたり設けられ、開口部322と複数の供給流路324とを連通させる流路である。流路基板32は、前述のノズル板46と同様に、例えば、半導体製造技術によりシリコン単結晶基板を加工することにより製造される。ただし、流路基板32の製造には、他の公知の方法および材料が適宜に用いられてもよい。
圧力室基板34は、複数のノズルNに対応する複数の圧力室Cが形成される板状部材である。圧力室Cは、流路基板32と振動板36との間に位置し、当該圧力室C内に充填されるインクに圧力を付与するためのキャビティと称される空間である。複数の圧力室Cは、Y軸に沿う方向に配列される。各圧力室Cは、圧力室基板34の両面に開口する孔341で構成されており、X軸に沿う方向に延びる長尺状をなす。各圧力室CのX2方向での端は、対応する供給流路324に連通する。一方、各圧力室CのX1方向での端は、対応する連通流路326に連通する。圧力室基板34は、前述のノズル板46と同様に、例えば、半導体製造技術によりシリコン単結晶基板を加工することにより製造される。ただし、圧力室基板34のそれぞれの製造には、他の公知の方法および材料が適宜に用いられてもよい。
圧力室基板34のZ1方向を向く面には、振動板36が配置される。振動板36は、弾性的に変形可能な板状部材である。図2および図3に示す例では、振動板36は、第1層361と第2層362とを有し、これらがこの順でZ1方向に積層される。第1層361は、例えば、酸化シリコン(SiO)で構成される弾性膜である。当該弾性膜は、例えば、シリコン単結晶基板の一方の面を熱酸化することにより形成される。第2層362は、例えば、酸化ジルコニウム(ZrO)で構成される絶縁膜である。当該絶縁膜は、例えば、スパッタ法によりジルコニウムの層を形成し、当該層を熱酸化することにより形成される。
なお、第1層361は、酸化シリコンに限定されず、例えば、シリコン単体等の他の弾性材料で構成されてもよい。第2層362の構成材料は、酸化ジルコニウムに限定されず、例えば、窒化シリコン等の他の絶縁材料でもよい。また、第1層361と第2層362との間には、金属酸化物等の他の層が介在してもよい。また、振動板36の一部または全部は、圧力室基板34と同一材料で一体に構成されてもよい。また、振動板36は、単一材料の層で構成されてもよい。
振動板36のZ1方向を向く面には、互いに異なるノズルNまたは圧力室Cに対応する複数の圧電素子38が配置される。各圧電素子38は、駆動信号の供給により変形する受動素子であり、X軸に沿う方向に延びる長尺状をなす。複数の圧電素子38は、複数の圧力室Cに対応するようにY軸に沿う方向に配列される。圧電素子38の変形に連動して振動板36が振動すると、圧力室C内の圧力が変動することにより、インクがノズルNから吐出される。なお、圧電素子38の詳細については、後述の1-3.において説明する。
筐体部42は、複数の圧力室Cに供給されるインクを貯留するためのケースであり、流路基板32のZ1方向を向く面に接着剤等により接合される。筐体部42は、例えば、樹脂材料で構成されており、射出成形により製造される。筐体部42には、収容部422と導入口424とが設けられる。収容部422は、流路基板32の開口部322に対応する外形の凹部である。導入口424は、収容部422に連通する貫通孔である。開口部322および収容部422による空間は、インクを貯留するリザーバーである液体貯留室Rとして機能する。液体貯留室Rには、液体容器14からのインクが導入口424を介して供給される。
吸振体48は、液体貯留室R内の圧力変動を吸収するための要素である。吸振体48は、例えば、弾性変形可能な可撓性のシート部材であるコンプライアンス基板である。ここで、吸振体48は、流路基板32の開口部322と中継流路328と複数の供給流路324とを閉塞して液体貯留室Rの底面を構成するように、流路基板32のZ2方向を向く面に配置される。
封止体44は、複数の圧電素子38を保護するとともに圧力室基板34および振動板36の機械的な強度を補強する構造体である。封止体44は、振動板36の表面に例えば接着剤により接合される。封止体44には、複数の圧電素子38を収容する凹部が設けられる。
圧力室基板34または振動板36のZ1方向を向く面には、配線基板50が接合される。配線基板50は、制御ユニット20と液体吐出ヘッド26とを電気的に接続するための複数の配線が形成される実装部品である。配線基板50は、例えば、FPC(Flexible Printed Circuit)またはFFC(Flexible Flat Cable)等の可撓性の配線基板である。配線基板50には、圧電素子38を駆動するための駆動信号が供給される。当該駆動信号は、配線基板50を介して各圧電素子38に供給される。
1-3.アクチュエーターの詳細
図4は、第1実施形態に係るアクチュエーター30を示す平面図である。図5は、図4中のA-A線断面図である。図6は、図4中のB-B線断面図である。図7は、図4中のC-C線断面図である。図8は、図4中のD-C線断面図である。これらの図では、アクチュエーター30の構成が前述の図2および図3よりも詳細に示される。
図5に示すように、アクチュエーター30は、圧力室基板34、振動板36および複数の圧電素子38のほか、配線層54と錘層55と錘層56とを有する。ここで、アクチュエーター30では、前述のように圧力室基板34、振動板36および複数の圧電素子38がこの順でZ1方向に積層されており、配線層54と錘層55と錘層56は、最もZ1方向に位置する層であり、同一の成膜工程により得られる。
図4および図5に示すように、圧力室基板34には、圧力室Cを構成する孔341が設けられる。図4では、孔341の平面視形状が破線で示される。圧力室基板34は、例えば、シリコン単結晶基板を異方性エッチングすることにより形成される。当該異方性エッチングのエッチング液には、例えば、水酸化カリウム水溶液(KOH)等が用いられる。また、当該異方性エッチングでは、振動板36の第1層361がエッチング停止層として用いられる。
図4に示す例では、孔341の平面視形状が平行四辺形である。このような平面視形状の孔341は、例えば、面方位(110)のシリコン単結晶基板を異方性エッチングすることにより形成される。なお、孔341の平面視形状は、図4に示す例に限定されず、任意である。
図4に示すように、圧電素子38は、平面視で圧力室Cに重なる。図5に示すように、圧電素子38は、第1電極381と圧電体382と第2電極383と鉛吸収層384とを有し、これらがこの順でZ1方向に積層される。
なお、圧電素子38の層間、または圧電素子38と振動板36との間には、密着性を高めるための層等の他の層が適宜介在してもよい。また、第1電極381と圧電体382との間には、シード層が設けられてもよい。当該シード層は、圧電体382を形成する際に、圧電体382の配向性を向上させる機能を有する。当該シード層は、例えば、チタン(Ti)で構成されるか、または、Pb(Fe,Ti)O等のペロブスカイト構造を有する複合酸化物で構成される。当該シード層がチタンで構成される場合、圧電体382を形成する際に、島状のTiが結晶核となって圧電体382の配向性を向上させる。この場合、シード層は、例えば、スパッタ法等の公知の成膜技術、およびフォトリソグラフィおよびエッチング等を用いる公知の加工技術により3nm以上20nm以下程度の厚さで形成される。また、当該シード層が当該複合酸化物で構成される場合、圧電体382を形成する際に、圧電体382がシード層の結晶構造の影響を受けることにより、圧電体382の配向性が向上する。この場合、シード層は、例えば、ゾルゲル法またはMOD(metal organic decomposition)法により複合酸化物の前駆体層を形成し、その前駆体層を焼成して結晶化することにより形成される。
第1電極381は、圧電素子38ごとに互いに離間して配置される個別電極である。具体的には、X軸に沿う方向に延びる複数の第1電極381が、互いに間隔をあけてY軸に沿う方向に配列される。各圧電素子38の第1電極381には、当該圧電素子38に対応するノズルNからインクを吐出するための駆動信号が配線基板50を介して印加される。
第1電極381は、図示しないが、例えば、チタン(Ti)で構成される第1層と、白金(Pt)で構成される第2層と、イリジウム(Ir)で構成される第3層と、を有し、これらがこの順でZ1方向に積層される。第1電極381は、例えば、スパッタ法等の公知の成膜技術、およびフォトリソグラフィおよびエッチング等を用いる公知の加工技術により形成される。
ここで、前述の第1層は、振動板36に対する第1電極381の密着性を向上させる密着層として機能する。第1層の厚さは、特に限定されないが、例えば、3nm以上50nm以下程度である。なお、第1層の構成材料は、チタンに限定されず、例えば、チタンに代えて、クロムを用いてもよい。
また、前述の第2層および第3層を構成する金属は、ともに導電性に優れた電極材料であり、かつ、互いに化学的性質が近い。このため、第1電極381の電極としての特性を優れたものとすることができる。第2層の厚さは、特に限定されないが、例えば、50nm以上200nm以下程度である。第3層の厚さは、特に限定されないが、例えば、4nm以上20nm以下程度である。
なお、第1電極381の構成は、前述の例に限定されない。例えば、前述の第2層または第3層のいずれかが省略されてもよいし、前述の第1層と第2層との間に、イリジウムで構成された層がさらに設けられてもよい。また、第2層および第3層に代えて、または、第2層および第3層に加えて、イリジウムおよび白金以外の電極材料で構成された層が用いられてもよい。当該電極材料としては、例えば、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、金(Au)、銅(Cu)等の金属材料が挙げられ、これらのうち、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を積層または合金等の形態で組み合わせて用いてもよい。
以上の第1電極381は、圧電体382よりもX1方向の位置に引き出されており、第1電極381には、配線層54が接続される。配線層54は、第1電極381ごとに圧電素子38からX1方向に延びる導電膜であり、第1電極381と配線基板50とを接続する配線として機能する。図5に示す例では、配線層54は、層541と層542とを有し、これらがこの順でZ1方向に積層される。層541は、配線層54と圧電素子38との密着性を高めるための層であり、例えば、ニッケルクロム合金で構成される。層542は、配線層54の導電性を高めるための層であり、例えば、金(Au)で構成される。
圧電体382は、第1電極381と第2電極383との間に配置される。圧電体382は、複数の圧電素子38にわたり連続するようにY軸に沿う方向に延びる帯状をなす。図4に示す例では、圧電体382には、互いに隣り合う各圧力室Cの間隙に平面視で対応する領域に、圧電体382を貫通する貫通孔HOがX軸に沿う方向に延びて設けられる。なお、圧電体382は、複数の圧電素子38に個別に設けられてもよい。
圧電体382は、一般組成式ABOで表されるペロブスカイト型結晶構造を有する圧電材料で構成される。本実施形態では、当該圧電材料が鉛を含む。具体的には、当該圧電材料としては、例えば、チタン酸鉛(PbTiO)、チタン酸ジルコン酸鉛(Pb(Zr,Ti)O)、ジルコニウム酸鉛(PbZrO)、チタン酸鉛ランタン((Pb,La),TiO)、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン((Pb,La)(Zr,Ti)O)、ニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛(Pb(Zr,Ti,Nb)O)、マグネシウムニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛(Pb(Zr,Ti)(Mg,Nb)O)等が挙げられる。中でも、圧電体382の構成材料には、チタン酸ジルコン酸鉛が好適に用いられる。なお、圧電体382には、不純物等の他の元素が少量含まれてもよい。
圧電体382は、例えば、ゾルゲル法またはMOD(metal organic decomposition)法等の液相法により圧電体の前駆体層を形成し、その前駆体層を焼成して結晶化することにより形成される。ここで、圧電体382は、単層で構成されてもよいが、複数層で構成される場合、圧電体382の厚さを厚くしても、圧電体382の特性を高めやすいという利点がある。
第2電極383は、複数の圧電素子38にわたり連続するようにY軸に沿う方向に延びる帯状の共通電極である。第2電極383には、所定の基準電圧が印加される。
第2電極383は、第1層383aと第2層383bとを有し、これらがこの順でZ1方向に積層される。第1層383aおよび第2層383bのそれぞれの厚さは、特に限定されないが、例えば、10nm以上100nm以下の範囲内である。第1層383aおよび第2層383bのそれぞれは、例えば、スパッタ法等の公知の成膜技術、およびフォトリソグラフィおよびエッチング等を用いる公知の加工技術により形成される。
第1層383aおよび第2層383bの構成材料は、互いに異なる。第1層383aおよび第2層383bのそれぞれの構成材料としては、特に限定されないが、例えば、イリジウム(Ir)、チタン(Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、ニッケル(Ni)、金(Au)、銅(Cu)等の金属、または、これらの金属を含む合金あるいは導電性の酸化物が挙げられる。ただし、第1層383aおよび第2層383bのそれぞれの構成材料は、後述の鉛吸収層384の構成材料のような鉛を吸収する作用を有する材料を実質的に含まないことが好ましい。
以上の第2電極383上には、鉛吸収層384が配置される。鉛吸収層384は、平面視で後述の非境界部分PA2に重なる範囲にわたり配置され、圧電体382に含まれる過剰な鉛を吸収する作用を有する。鉛吸収層384は、例えば、チタンで構成される。鉛吸収層384は、例えば、スパッタ法等の公知の成膜技術、およびフォトリソグラフィおよびエッチング等を用いる公知の加工技術により形成される。鉛吸収層384の厚さは、特に限定されないが、例えば、10nm以上100nm以下の範囲内である。なお、鉛吸収層384は、鉛を吸収することができれば、チタン以外の金属等の材料が含まれてもよし、チタン以外の材料のみで構成されてもよい。
鉛吸収層384は、例えば、チタンで構成される場合、圧電体382の前駆体層を結晶化するためのアニール処理後のポストアニール処理により圧電体382から過剰な鉛を吸収する。当該吸収を好適に行う観点から、圧電体382の前駆体層を結晶化する際の処理温度をT1[°]とし、当該ポストアニール処理の処理温度をT2[°]とするとき、(T1-10)<T2<(T1+50)の関係を満たすことが好ましい。ここで、鉛吸収層384の形成は、例えば、圧電体382の前駆体層を結晶化するためのアニール処理の後に第2電極383を形成した後に行われる。
以上の鉛吸収層384上には、錘層55および錘層56が配置される。図5に示す例では、鉛吸収層384の一部は、第2電極383上の一部にも配置される。錘層55および錘層56は、振動板36の不要な振動を抑制するための錘である。具体的には、錘層55は、第2電極383のX1方向での端縁に沿ってY軸に沿って延びる帯状の導電膜である。図5に示す例では、錘層55は、層541と同一の成膜工程により得られる層551と、層542と同一の成膜工程より得られる層552と、を有し、これらがこの順でZ1方向に積層される。錘層56は、第2電極383のX2方向での端縁に沿ってY軸に沿って延びる帯状の導電膜である。図5に示す例では、錘層55は、層541と同一の成膜工程により得られる層551と、層542と同一の成膜工程より得られる層552と、を有し、これらがこの順でZ1方向に積層される。
以上の基本構成を有する圧電素子38では、圧電体382が、第1電極381と第2電極383との間に介在する第1領域RE1と、第1領域RE1以外の第2領域RE2と、を有する。言い換えると、第1領域RE1は、Z軸に沿った方向において、圧電体382が、第1電極381と第2電極383に挟まれる領域である。また、第2領域RE2は、Z軸に沿った方向において、圧電体382が、第1電極381と第2電極383に挟まれない領域である。
ここで、第1電極381、圧電体382および第2電極383のそれぞれのX軸に沿う長さが圧力室CのX軸に沿う長さよりも長く、かつ、第1電極381、圧電体382および第2電極383のそれぞれのX1方向およびX2方向での端が平面視で圧力室Cの外側に位置する。
特に、第1電極381のX1方向での端は、前述の配線基板50と接続する必要があることから、圧電体382のX1方向での端よりもX1方向に位置する。また、圧電体382のX1方向での端は、第1電極381と第2電極383との間の絶縁性を確保する必要があることから、第2電極383のX1方向での端よりもX1方向に位置する。さらに、第2電極383のX1方向での端は、圧力室CのX軸に沿う方向での全域にわたり圧電体382に電界を印加する必要があることから、圧力室CのX1方向での端よりもX1方向に位置する。これらのX1方向での端の位置関係から、第1領域RE1と第2領域RE2との境界BDは、図7および図8に示すように、振動板36を介した圧力室基板34との接合により変形の拘束を受ける圧電体382の部分に位置する。
第1領域RE1では、図6および図7に示すように、第1電極381および第2電極383の両方が存在するので、第1電極381と第2電極383との間の電界が圧電体382に印加される。これに対し、第2領域RE2では、図8に示すように、第2電極383が存在しないので、当該電界が圧電体382に印加されない。このため、第1領域RE1と第2領域RE2との境界BDでは、当該電界による圧電体382の変形が大きいと、応力集中によりクラックが生じやすい。
そこで、アクチュエーター30では、圧電体382の境界BD付近の部分である境界部分PA1の当該電界による変形が他の部分である非境界部分PA2に比べて小さくなるよう、境界部分PA1の圧電特性が非境界部分PA2の圧電特性よりも低い。
ここで、境界部分PA1は、境界BDの少なくとも一部を含む圧電体382の部分であればよいが、本実施形態では、図4中の二点鎖線で示すように、第1電極381ごとに分割された複数の部分PA11で構成される。当該複数の部分PA11のぞれぞれは、平面視で圧力室Cに重ならない。なお、境界部分PA1は、複数の部分PA11を包含するように、第1電極381に共通した圧電体382の1つの部分で構成されてもよい。ただし、境界部分PA1は、平面視で圧力室Cに重ならないことが好ましい。
一方、非境界部分PA2は、境界部分PA1とは異なり、かつ、第1領域RE1に位置する圧電体382の部分であれよいが、図4に示す例では、圧力室Cの長手方向での全域にわたる範囲の圧電体382の部分である。
本実施形態では、鉛吸収層384により、非境界部分PA2よりも圧電特性の低い境界部分PA1が形成される。すなわち、鉛吸収層384は、Z1方向にみて、非境界部分PA2に重なり、かつ、境界部分PA1に重ならない。このため、境界部分PA1の鉛の含有率が非境界部分PA2の鉛の含有率よりも大きい。また、境界部分PA1の誘電率が非境界部分PA2の誘電率よりも小さい。この結果、境界部分PA1の圧電特性が非境界部分PA2の圧電特性よりも低い。
図9は、境界部分PA1および非境界部分PA2について電界と歪み量との関係を示す図である。同一の電界のもとでは、図9中に実線で示される境界部分PA1の歪み量は、図9中に一点鎖線で示される非境界部分PA2の歪み量よりも小さい。
以上のように、液体吐出ヘッド26は、アクチュエーター30を有する。アクチュエーター30では、振動板36と第1電極381と圧電体382と第2電極383とが、この順に、「第1方向」の一例であるZ1方向に積層される。
特に、圧電体382の境界部分PA1の誘電率は、圧電体382の非境界部分PA2の誘電率よりも小さい。なお、前述のように、境界部分PA1は、圧電体382の第1領域RE1と第2領域RE2との境界BDの少なくとも一部を含む圧電体382の部分である。第1領域RE1は、第1電極381と第2電極383との間に介在する圧電体382の領域である。第2領域RE2は、第1領域RE1以外の圧電体382の領域である。非境界部分PA2は、境界部分PA1とは異なり、かつ、第1領域RE1に位置する圧電体382の部分である。
以上のアクチュエーター30または液体吐出ヘッド26では、境界部分PA1の誘電率が非境界部分PA2の誘電率よりも小さいので、境界部分PA1の圧電特性を非境界部分PA2の圧電特性よりも低くすることができる。このため、境界部分PA1に電界が印加されても、境界部分PA1の変形が低減されるので、圧電体382の第1領域RE1と第2領域RE2との境界BDにおける応力集中を低減することができる。この結果、圧電体382の変位を大きくしても、圧電体382の境界BDでのクラックを低減することができる。
前述のように、本実施形態の圧電体382は、鉛を含む。そして、境界部分PA1の鉛の含有率は、非境界部分PA2の鉛の含有率よりも大きい。このため、境界部分PA1の誘電率を非境界部分PA2の誘電率よりも小さくすることができる。
本実施形態のアクチュエーター30は、前述のように、鉛吸収層384を有する。鉛吸収層384は、圧電体382よりもZ1方向に配置され、鉛を吸収する作用を有する。また、鉛吸収層384は、Z1方向にみて、非境界部分PA2に重なり、かつ、境界部分PA1に重ならない構成である。当該構成により、境界部分PA1の鉛の含有率を非境界部分PA2の鉛の含有率よりも大きくすることができる。
なお、鉛吸収層384は、Z1方向にみて境界部分PA1に重なる部分を有してもよい。この場合、当該部分の厚さは、鉛吸収層384のZ1方向にみて非境界部分PA2に重なる部分の厚さよりも薄い。すなわち、この場合、鉛吸収層384は、Z1方向にみて非境界部分PA2に重なる部分の厚さが、Z1方向にみて境界部分PA1に重なる部分の厚さが大きい構成である。当該構成によっても、境界部分PA1の鉛の含有率を非境界部分PA2の鉛の含有率よりも大きくすることができる。
本実施形態では、前述のように、圧電体382、第2電極383および鉛吸収層384がこの順でZ1方向に積層される。すなわち、第2電極383は、圧電体382と鉛吸収層384との間に配置される。このため、鉛吸収層384が圧電体382と第2電極383との間に介在する構成に比べて、第1電極381と第2電極383との間の電界により圧電体382の逆圧電効果を効率的に生じさせることができる。
ここで、鉛吸収層384は、チタンを含むことが好ましい。鉛吸収層384がチタンを含むことにより、圧電体382が構成元素としてチタンを含むPZT等の圧電材料で構成される場合、圧電体382からの鉛を鉛吸収層384に効率的に吸収させることができる。
また、アクチュエーター30は、前述のように、圧力室基板34を有する。圧力室基板34は、振動板36よりも、「第1方向とは反対の第2方向」の一例であるZ2方向に配置され、配列される複数の圧力室Cを区画する。そして、境界部分PA1および非境界部分PA2は、複数の圧力室Cの配列方向に対して交差する方向に互いに隣り合う。すなわち、境界部分PA1および非境界部分PA2は、各圧力室Cの長手方向であるX1方向またはX2方向に互いに隣り合う。
本実施形態では、前述のように、第1電極381は、複数の圧力室Cに対して個別に設けられる。これに対し、第2電極383は、複数の圧力室Cに対して共通に設けられる。ここで、X1方向およびX2方向のそれぞれにおいて、第1電極381および第2電極383のそれぞれの端が圧力室Cの外側に位置する。また、第1電極381のX1方向での端は、第2電極383のX1方向での端よりもX1方向に位置する。したがって、境界BDが平面視で圧力室基板34の圧力室Cのない部分に重なる。言い換えると、境界BDが平面視で圧力室Cに重ならない。このため、境界BDが平面視で圧力室Cに重なる構成に比べて、圧電体382の第1領域RE1と第2領域RE2との変形差を低減することができる。このような観点から、前述のように、境界部分PA1は、X1方向にみて圧力室Cに重ならない。
2.第2実施形態
以下、本発明の第2実施形態について説明する。以下に例示する形態において作用や機能が第1実施形態と同様である要素については、第1実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
図10は、第2実施形態に係るアクチュエーター30Aの断面図である。アクチュエーター30Aは、圧電素子38に代えて圧電素子38Aを有する以外は、前述の第1実施形態のアクチュエーター30と同様である。圧電素子38Aは、第2層383bを省略した以外は、圧電素子38と同様である。ここで、第1層383aおよび鉛吸収層384は、第2電極383Aを構成する。
以上の第2実施形態によっても、前述の第1実施形態と同様、圧電体382のクラックを低減することができる。
3.第3実施形態
以下、本発明の第3実施形態について説明する。以下に例示する形態において作用や機能が第1実施形態と同様である要素については、第1実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
図11は、第3実施形態に係るアクチュエーター30Bの断面図である。アクチュエーター30Bは、圧電素子38に代えて圧電素子38Bを有する以外は、前述の第1実施形態のアクチュエーター30と同様である。圧電素子38Bは、鉛吸収層384の配置が異なる以外は、圧電素子38と同様である。ここで、鉛吸収層384は、第1層383aと第2層383bとの間に配置される。このように鉛吸収層384を挟む第1層383aおよび第2層383bは、第2電極383Bを構成する。
以上の第3実施形態によっても、前述の第1実施形態と同様、圧電体382のクラックを低減することができる。本実施形態では、前述のように、第2電極383Bは、第1層383aと第2層383bとを有し、第1層383aおよび第2層383bがこの順でZ1方向に積層される。そして、鉛吸収層384は、第1層383aと第2層383bとの間に配置される。このため、第1層383aが圧電体382と鉛吸収層384との間に配置されるので、前述の第1実施形態と同様、第1電極381と第2電極383Bとの間の圧電体382に電界を効率的に印加することができる。また、第2層383bを用いない第2実施形態に比べて、第2電極383Bの導電性を高めやすいので、この点でも、第1電極381と第2電極383Bとの間の圧電体382に電界を効率的に印加することができる。
4.第4実施形態
以下、本発明の第4実施形態について説明する。以下に例示する形態において作用や機能が第1実施形態と同様である要素については、第1実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
図12は、第4実施形態に係るアクチュエーター30Cの断面図である。アクチュエーター30Cは、圧電素子38に代えて圧電素子38Cを有する以外は、前述の第1実施形態のアクチュエーター30と同様である。圧電素子38Cは、鉛吸収層384に代えて鉛拡散抑制層385を有する以外は、圧電素子38と同様である。
鉛拡散抑制層385は、圧電体382と第2電極383との間に配置される。鉛拡散抑制層385は、平面視で境界部分PA1に重なる範囲にわたり配置され、圧電体382からの鉛の拡散を抑制する作用を有する。鉛拡散抑制層385は、例えば、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)等の貴金属、ZrO、HfO等の金属酸化物等が挙げられる。中でも、当該作用を好適に発揮し得るという観点から、鉛拡散抑制層385の構成材料としては、イリジウム、白金、ZrO、HfO等が好ましい。鉛拡散抑制層385は、例えば、スパッタ法等の公知の成膜技術、およびフォトリソグラフィおよびエッチング等を用いる公知の加工技術により形成される。鉛吸収層384の厚さは、特に限定されないが、例えば、5nm以上100nm以下の範囲内であることが好ましい。
以上の第4実施形態によっても、前述の第1実施形態と同様、圧電体382のクラックを低減することができる。本実施形態のアクチュエーター30Cは、前述のように、鉛拡散抑制層385を有する。鉛拡散抑制層385は、圧電体382よりもZ1方向に配置され、鉛の拡散を抑制する作用を有する。そして、鉛拡散抑制層385は、Z1方向にみて、境界部分PA1に重なり、かつ、非境界部分PA2に重ならない構成である。当該構成により、境界部分PA1の鉛の含有率を非境界部分PA2の鉛の含有率よりも大きくすることができる。
ここで、鉛拡散抑制層385は、イリジウム、白金、亜鉛およびハフニウムのうちのいずれか1つを含むことが好ましい。これらの金属またはその酸化物は、鉛を吸収し難い。このため、圧電体382からの鉛の拡散を好適に抑制することができる。
5.第5実施形態
以下、本発明の第5実施形態について説明する。以下に例示する形態において作用や機能が第1実施形態と同様である要素については、第1実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
図13は、第5実施形態に係るアクチュエーター30Dの断面図である。アクチュエーター30Dは、圧電素子38に代えて圧電素子38Dを有する以外は、前述の第1実施形態のアクチュエーター30と同様である。圧電素子38Dは、第1層383aおよび鉛拡散抑制層385を同一材料で一体化した以外は、第4実施形態の圧電素子38Cと同様である。圧電素子38Cは、圧電体382と第2層383bとの間に配置される鉛拡散抑制層385Dを有する。
鉛拡散抑制層385Dは、Z1方向にみて境界部分PA1に重なる部分385aの厚さが、Z1方向にみて非境界部分PA2に重なる部分385bの厚さよりも大きい構成である。当該構成によっても、前述の第4実施形態と同様、境界部分PA1の鉛の含有率を非境界部分PA2の鉛の含有率よりも大きくすることができる。
以上の第5実施形態によっても、前述の第1実施形態と同様、圧電体382のクラックを低減することができる。
6.第6実施形態
以下、本発明の第6実施形態について説明する。以下に例示する形態において作用や機能が第1実施形態と同様である要素については、第1実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
図14は、第6実施形態に係るアクチュエーター30Eの断面図である。アクチュエーター30Eは、圧電素子38に代えて圧電素子38Eを有する以外は、前述の第1実施形態のアクチュエーター30と同様である。圧電素子38Eは、圧電体382に代えて圧電体382Eを有する以外は、圧電素子38と同様である。
圧電体382Eは、第1電極381と第2電極383との間に配置される。圧電体382Eは、層382aと層382bとを有し、この順でこれらがZ1方向に積層される。層382aは、第1領域RE1および第2領域RE2の全域にわたり設けられる。これに対し、層382bは、境界部分PA1にのみ設けられる。このため、境界部分PA1の厚さtp1が非境界部分PA2の厚さtp2よりも大きい。
層382aおよび層382bのそれぞれは、前述の第1実施形態の圧電体382と同様の圧電材料で構成される。これらの層は、別々の成膜工程により形成される。ここで、層382bの鉛の含有率は、層382aの鉛の含有率よりも大きい。このため、境界部分PA1の鉛の含有率を非境界部分PA2の鉛の含有率よりも大きくすることができる。
以上の第6実施形態によっても、前述の第1実施形態と同様、圧電体382Eのクラックを低減することができる。本実施形態では、境界部分PA1の厚さtp1は、非境界部分PA2の厚さtp2よりも大きい。このため、圧電体382Eをアニール処理した際に、境界部分PA1の鉛の含有率を非境界部分PA2の鉛の含有率よりも大きくすることができる。また、本実施形態では、圧電体382Eが層382aおよび層382bの積層で構成される。層382aが境界部分PA1および非境界部分PA2の双方にわたり設けられるのに対し、層382bが非境界部分PA2に設けられずに境界部分PA1に設けられる。これらの層が別々の成膜工程により形成されるので、層382bの鉛の含有率を層382aの鉛の含有率よりも大きくすることができる。このため、境界部分PA1の鉛の含有率を非境界部分PA2の鉛の含有率よりも大きくすることができる。また、層382bが前述の第4実施形態の鉛拡散抑制層385と同様に層382aからの鉛の拡散を抑制する作用を有する。このため、境界部分PA1の鉛の含有率を非境界部分PA2の鉛の含有率よりも大きくしやすいという利点がある。
なお、本実施形態では、圧電体382Eが鉛を含まなくてもよく、例えば、圧電体382Eがチタン酸バリウム等の非鉛材料で構成されてもよい。
7.第7実施形態
以下、本発明の第7実施形態について説明する。以下に例示する形態において作用や機能が第1実施形態と同様である要素については、第1実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
図15は、第7実施形態に係るアクチュエーター30Fの断面図である。アクチュエーター30Fは、圧電素子38に代えて圧電素子38Fを有する以外は、前述の第1実施形態のアクチュエーター30と同様である。圧電素子38Fは、圧電体382に代えて圧電体382Fを有する以外は、圧電素子38と同様である。
圧電体382Fは、第1電極381と第2電極383との間に配置される。圧電体382Fは、層382cと層382dとを有し、この順でこれらがZ1方向に積層される。層382cおよび382dのそれぞれは、第1領域RE1および第2領域RE2の全域にわたり設けられる。ただし、層382cのZ1方向を向く面には、平面視で境界部分PA1に重なる範囲にわたり凹部が設けられる。層382dは、当該凹部を埋めるように、層382c上に設けられる。このため、層382dは、境界部分PA1に対応する層382dの部分の厚さが、非境界部分PA2に対応する層382dの部分の厚さよりも大きい。
層382cおよび層382dのそれぞれは、前述の第1実施形態の圧電体382と同様の圧電材料で構成される。これらの層は、別々の成膜工程により形成される。ここで、層382dの鉛の含有率は、層382cの鉛の含有率よりも大きい。このため、境界部分PA1の鉛の含有率を非境界部分PA2の鉛の含有率よりも大きくすることができる。
以上の第7実施形態によっても、前述の第1実施形態と同様、圧電体382Fのクラックを低減することができる。
8.第8実施形態
以下、本発明の第8実施形態について説明する。以下に例示する形態において作用や機能が第1実施形態と同様である要素については、第1実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
図16は、第8実施形態に係るアクチュエーター30Gを圧電体382の非境界部分PA2で切断した断面図である。図17は、第8実施形態に係るアクチュエーター30Gを圧電体382の境界部分PA1で切断した断面図である。アクチュエーター30Gは、圧電素子38に代えて圧電素子38Gを有する以外は、前述の第1実施形態のアクチュエーター30と同様である。圧電素子38Gは、第1電極381および第2電極383に代えて第1電極381Gおよび第2電極383Gを有する以外は、圧電素子38と同様である。
図16および図17に示すように、第1電極381Gは、複数の圧電素子38Gにわたり連続するようにY軸に沿う方向に延びる帯状の共通電極である。一方、第2電極383Gは、圧電素子38Gごとに互いに離間して配置される個別電極である。ここで、前述の第1実施形態と同様、境界部分PA1の鉛の含有率が非境界部分PA2の鉛の含有率よりも大きい。また、境界部分PA1の誘電率が非境界部分PA2の誘電率よりも小さい。
以上の第8実施形態によっても、前述の第1実施形態と同様、圧電体382のクラックを低減することができる。本実施形態では、第1電極381Gは、複数の圧力室Cに対して共通に設けられる。これに対し、第2電極383Gは、複数の圧力室Cに対して個別に設けられる。
9.変形例
以上の例示における各形態は多様に変形され得る。前述の各形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。なお、以下の例示から任意に選択される2以上の態様は、互いに矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。
9-1.変形例1
前述の各形態では、第2領域RE2が第1領域RE1よりもX1方向に位置する構成が例示されるが、当該構成に限定されず、第2領域RE2が第1領域RE1よりもX2方向に位置してもよい。この場合、境界部分PA1が非境界部分PA2よりもX2方向に位置する。
9-2.変形例2
前述の形態では、アクチュエーターが液体吐出ヘッドに搭載される構成が例示されるが、アクチュエーターを搭載する機器等は、液体吐出ヘッドに限定されず、例えば、圧電アクチュエーター等の他の駆動デバイスでもよい。
9-3.変形例3
前述の形態では、個別電極と共通電極との間に圧電体が介在する構成が例示されるが、これに限定されず、個別電極と個別電極との間に圧電体が介在する構成でもよい。
9-4.変形例4
前述の各形態では、液体吐出ヘッド26を搭載する搬送体242を往復させるシリアル方式の液体吐出装置100を例示するが、複数のノズルNが媒体12の全幅にわたり分布するライン方式の液体吐出装置にも本発明を適用することが可能である。
9-5.変形例5
前述の各形態では、圧電体が鉛を含み、境界部分PA1の鉛の含有率が非境界部分PA2の鉛の含有率よりも大きい構成が例示されるが、これに限定されない。鉛の含有率がこの関係を満たさなくても、境界部分PA1の誘電率が非境界部分PA2の誘電率よりも小さい構成であればよい。
9-6.変形例6
前述の各形態では、圧電体が鉛を含む構成が例示されるが、これに限定されず、圧電体が鉛を含まない構成でも良い。例えば、圧電体382Eがチタン酸バリウム等の非鉛材料で構成されてもよい。この場合であっても、境界部分PA1の誘電率が非境界部分PA2の誘電率よりも小さい構成であればよい。
9-7.変形例7
前述の各形態で例示する液体吐出装置100は、印刷に専用される機器のほか、ファクシミリ装置やコピー機等の各種の機器に採用され得る。もっとも、本発明の液体吐出装置の用途は印刷に限定されない。例えば、色材の溶液を吐出する液体吐出装置は、液晶表示装置のカラーフィルターを形成する製造装置として利用される。また、導電材料の溶液を吐出する液体吐出装置は、配線基板の配線や電極を形成する製造装置として利用される。
20…制御ユニット(制御部)、30…アクチュエーター、30A…アクチュエーター、30B…アクチュエーター、30C…アクチュエーター、30D…アクチュエーター、30E…アクチュエーター、30F…アクチュエーター、30G…アクチュエーター、34…圧力室基板、36…振動板、38…圧電素子、38A…圧電素子、38B…圧電素子、38C…圧電素子、38D…圧電素子、38E…圧電素子、38F…圧電素子、38G…圧電素子、100…液体吐出装置、381…第1電極、381G…第1電極、382…圧電体、382E…圧電体、382F…圧電体、383…第2電極、383A…第2電極、383B…第2電極、383G…第2電極、383a…第1層、383b…第2層、384…鉛吸収層、385…鉛拡散抑制層、385D…鉛拡散抑制層、385a…部分、385b…部分、BD…境界、C…圧力室、PA1…境界部分、PA2…非境界部分、RE1…第1領域、RE2…第2領域、tp1…厚さ、tp2…厚さ。

Claims (17)

  1. 振動板と第1電極と圧電体と第2電極とがこの順に第1方向に積層された液体吐出ヘッドであって、
    前記第1電極と前記第2電極との間に介在する前記圧電体の領域を第1領域とし、
    前記第1領域以外の前記圧電体の領域を第2領域とし、
    前記第1領域と前記第2領域との境界の少なくとも一部を含む前記圧電体の部分を境界部分とし、
    前記境界部分とは異なり、かつ、前記第1領域に位置する前記圧電体の部分を非境界部分とするとき、
    前記境界部分の誘電率は、前記非境界部分の誘電率よりも小さい、
    ことを特徴とする液体吐出ヘッド。
  2. 前記圧電体は、鉛を含み、
    前記境界部分の鉛の含有率は、前記非境界部分の鉛の含有率よりも大きい、
    ことを特徴とする請求項1に記載の液体吐出ヘッド。
  3. 振動板と第1電極と圧電体と第2電極とがこの順に第1方向に積層された液体吐出ヘッドであって、
    前記圧電体は、鉛を含み、
    前記第1電極と前記第2電極との間に介在する前記圧電体の領域を第1領域とし、
    前記第1領域以外の前記圧電体の領域を第2領域とし、
    前記第1領域と前記第2領域との境界の少なくとも一部を含む前記圧電体の部分を境界部分とし、
    前記境界部分とは異なり、かつ、前記第1領域に位置する前記圧電体の部分を非境界部分とするとき、
    前記境界部分の鉛の含有率は、前記非境界部分の鉛の含有率よりも大きい、
    ことを特徴とする液体吐出ヘッド。
  4. 前記圧電体よりも前記第1方向に配置され、鉛を吸収する作用を有する鉛吸収層をさらに有し、
    前記鉛吸収層は、前記第1方向にみて、前記非境界部分に重なり、かつ、前記境界部分に重ならない構成であるか、
    または、前記第1方向にみて前記非境界部分に重なる部分の厚さが、前記第1方向にみて前記境界部分に重なる部分の厚さよりも大きい構成である、
    ことを特徴とする請求項2または3に記載の液体吐出ヘッド。
  5. 前記第2電極は、前記圧電体と前記鉛吸収層との間に配置される、
    ことを特徴とする請求項4に記載の液体吐出ヘッド。
  6. 前記第2電極は、第1層と第2層とを有し、
    前記第1層および前記第2層がこの順で前記第1方向に積層されており、
    前記鉛吸収層は、前記第1層と前記第2層との間に配置される、
    ことを特徴とする請求項4に記載の液体吐出ヘッド。
  7. 前記鉛吸収層は、チタンを含む、
    ことを特徴とする請求項4から6のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド。
  8. 前記圧電体よりも前記第1方向に配置され、鉛の拡散を抑制する作用を有する鉛拡散抑制層をさらに有し、
    前記鉛拡散抑制層は、
    前記第1方向にみて、前記境界部分に重なり、かつ、前記非境界部分に重ならない構成であるか、
    または、前記第1方向にみて前記境界部分に重なる部分の厚さが、前記第1方向にみて前記非境界部分に重なる部分の厚さよりも大きい構成である、
    ことを特徴とする請求項2から7のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド。
  9. 前記鉛拡散抑制層は、イリジウム、白金、亜鉛およびハフニウムのうちのいずれか1つを含む、
    ことを特徴とする請求項8に記載の液体吐出ヘッド。
  10. 前記境界部分の厚さは、前記非境界部分の厚さよりも大きい、
    ことを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド。
  11. 前記振動板よりも前記第1方向とは反対の第2方向に配置され、配列される複数の圧力室を区画する圧力室基板をさらに有し、
    前記境界部分および前記非境界部分は、前記複数の圧力室の配列方向に対して交差する方向に互いに隣り合う、
    ことを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド。
  12. 前記第1電極は、前記複数の圧力室に対して個別に設けられ、
    前記第2電極は、前記複数の圧力室に対して共通に設けられる、
    ことを特徴とする請求項11に記載の液体吐出ヘッド。
  13. 前記第1電極は、前記複数の圧力室に対して共通に設けられ、
    前記第2電極は、前記複数の圧力室に対して個別に設けられる、
    ことを特徴とする請求項11に記載の液体吐出ヘッド。
  14. 前記境界部分は、前記第1方向にみて前記圧力室に重ならない、
    ことを特徴とする請求項11から13のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッド。
  15. 請求項1から14のいずれか1項に記載の液体吐出ヘッドと、
    前記液体吐出ヘッドによる液体の吐出動作を制御する制御部と、を有する、
    ことを特徴とする液体吐出装置。
  16. 振動板と第1電極と圧電体と第2電極とがこの順に第1方向に積層されたアクチュエーターであって、
    前記第1電極と前記第2電極との間に介在する前記圧電体の領域を第1領域とし、
    前記第1領域以外の前記圧電体の領域を第2領域とし、
    前記第1領域と前記第2領域との境界の少なくとも一部を含む前記圧電体の部分を境界部分とし、
    前記境界部分とは異なり、かつ、前記第1領域に位置する前記圧電体の部分を非境界部分とするとき、
    前記境界部分の誘電率は、前記非境界部分の誘電率よりも小さい、
    ことを特徴とするアクチュエーター。
  17. 振動板と第1電極と圧電体と第2電極とがこの順に第1方向に積層されたアクチュエーターであって、
    前記圧電体は、鉛を含み、
    前記第1電極と前記第2電極との間に介在する前記圧電体の領域を第1領域とし、
    前記第1領域以外の前記圧電体の領域を第2領域とし、
    前記第1領域と前記第2領域との境界の少なくとも一部を含む前記圧電体の部分を境界部分とし、
    前記境界部分とは異なり、かつ、前記第1領域に位置する前記圧電体の部分を非境界部分とするとき、
    前記境界部分の鉛の含有率は、前記非境界部分の鉛の含有率よりも大きい、
    ことを特徴とするアクチュエーター。
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