JP2022065559A - ロードロック室、基板処理装置及び基板搬送方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の処理面を大気に曝すことなく搬送可能とするロードロック室、基板処理装置及び基板搬送方法を提供する。【解決手段】大気搬送室と真空搬送室との間に設けられ、大気雰囲気と真空雰囲気を切り替え可能なロードロック室であって、前記ロードロック室は、基板を受け取るステージと、前記ステージの上方に対向して配置される静電チャックであり、前記基板の処理面を覆うための蓋基板を吸着する静電チャックと、を備える、ロードロック室。【選択図】図３

Description

本開示は、ロードロック室、基板処理装置及び基板搬送方法に関する。

真空雰囲気下でウエハ等の基板に処理（例えば、成膜処理、エッチング処理等）を施す基板処理装置が知られている。基板に処理を施した後、基板を大気に曝すと、大気中の酸素等により酸化される等によって、処理部分の特性が変化する。

特許文献１には、基板を大気に曝すことなく真空搬送チャンバから基板測定装置に搬送する際に用いる基板収容ケースが開示されている。

特開２００７－２８１１０６号公報

一の側面では、本開示は、基板の処理面を大気に曝すことなく搬送可能とするロードロック室、基板処理装置及び基板搬送方法を提供する。

上記課題を解決するために、一の態様によれば、大気搬送室と真空搬送室との間に設けられ、大気雰囲気と真空雰囲気を切り替え可能なロードロック室であって、前記ロードロック室は、基板を受け取るステージと、前記ステージの上方に対向して配置される静電チャックであり、前記基板の処理面を覆うための蓋基板を吸着する静電チャックと、を備える、ロードロック室が提供される。

一の側面によれば、基板の処理面を大気に曝すことなく搬送可能とするロードロック室、基板処理装置及び基板搬送方法を提供することができる。

一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す構成図。 一実施形態に係るロードロック室の一例を示す断面模式図。 ロードロック室の動作を説明するフローチャート。 カバー用ウエハを静電チャックに吸着した状態を示す断面模式図。 処理済ウエハを載置台の昇降ピンに受け渡した状態を示す断面模式図。 真空雰囲気で処理済ウエハにカバー用ウエハを重ねた状態を示す断面模式図。 積層体の搬出時のロードロック室の状態を示す断面模式図。 静電チャックの下面から見た図。 切り欠き部が設けられた位置におけるロードロック室の一例を示す断面模式図。 静電チャックの位置調整を説明するフローチャート。 載置台に治具を取り付けた状態を示す断面模式図。 治具に蓋体を取り付けた状態を示す断面模式図。 位置決め機構を調整した状態を示す断面模式図。 蓋体に静電チャックを取り付ける状態を示す断面模式図。 処理容器に蓋体を取り付けた状態を示す断面模式図。

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

＜基板処理装置１００＞
一実施形態に係る基板処理装置１００について、図１を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る基板処理装置１００の一例を示す構成図である。

基板処理装置１００は、真空に保持され、基板の一例であるウエハＷを搬送するための真空搬送室１と、真空搬送室１の周囲にて各々気密に接続され、ウエハＷに対して所定の処理を行う複数の処理モジュールとを有する。この例では、処理モジュールは例えば４つ設けられているが、１つ以上設けられていればよい。以下では、４つの処理モジュールを処理室ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３、ＰＭ４といい、総称して処理室ＰＭという。４つの処理室ＰＭ１～ＰＭ４及び２つのロードロック室２は、６角形の真空搬送室１の各辺にそれぞれ接続されている。

処理室ＰＭ１～ＰＭ４では、所定温度に加熱された状態でウエハＷに所定の処理が実行される。例えば、処理室ＰＭ１～ＰＭ４はＣＯＲ（Chemical Oxide Removal）処理室であってもよく、ＰＨＴ（Post Heat Treatment）処理室であってもよい。また、例えば、処理室ＰＭ１～ＰＭ４で行われる処理としては、プラズマを用いたドライエッチング処理、アッシング処理であってもよい。その他の処理としては、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）やＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）による成膜処理、アニール処理であってもよい。また、ウエハＷに含まれる水分を除去するためにウエハＷを例えば２００℃程度に加熱する水分除去処理であってもよい。処理室ＰＭ１及び処理室ＰＭ４は、ウエハＷを載置する載置台、室内に処理ガスを供給するガス供給路及び室内を真空排気する排気管等を有している。

真空搬送室１の内部には、基板搬送装置１０が配置されている。基板搬送装置１０は、第１の搬送アーム１１と第２の搬送アーム１２の２本のアームを有し、２本のアームの一方又は両方の上にウエハＷを保持して搬送する。

第１の搬送アーム１１及び第２の搬送アーム１２は、真空搬送室１の底面に設けられた回転機構１３により同軸回りに回転自在及び昇降自在に構成されている。第１の搬送アーム１１及び第２の搬送アーム１２の先端部は、各々例えばＵ字型に形成されてウエハＷを保持するピック１４、１５をなし、処理室ＰＭ１～処理室ＰＭ４及び２つのロードロック室２に対して水平方向に各々独立して進退自在に構成されている。

第１の搬送アーム１１及び第２の搬送アーム１２は、例えば回転機構１３から伸び出すときの進行方向が互いに逆向きとなるように回転機構１３に各々接続されている。第１の搬送アーム１１及び第２の搬送アーム１２の進退及び昇降と、各処理室ＰＭ内のウエハＷを置く載置台に設けられた昇降ピンの昇降との協働作用により各処理室ＰＭ及びロードロック室２の間にてウエハＷの受け渡しが行われる。

ロードロック室２は、真空搬送室１に気密に接続され、内部の雰囲気を真空雰囲気と大気雰囲気との間において切り替える。本実施形態では、ロードロック室２は２つ設けられているが、これに限られない。

２つのロードロック室２には、大気雰囲気においてウエハＷを搬送するための共通の大気搬送室３が気密に接続されている。大気搬送室３には、例えば２５枚のウエハＷが収納されたＦＯＵＰ５を載置するためのロードポート４の載置台が複数箇所に設けられている。本実施形態では、載置台は４箇所に設けられるが、これに限られない。押圧機構４１は、載置台の上のＦＯＵＰ５を大気搬送室３側に押しつけるように機能する。

大気搬送室３の内部には、ロードロック室２とＦＯＵＰ５との間においてウエハＷの受け渡しを行うために、鉛直軸回りに回転自在及びロードポート４の並びに沿って平行に移動自在に構成された大気搬送アーム３０が設けられている。２つのロードロック室２の間には、ウエハＷの位置合わせを行うアライメント機構３６が設置されている。

真空搬送室１と処理室ＰＭ１～ＰＭ４の間、真空搬送室１とロードロック室２の間、ロードロック室２と大気搬送室３の間にはそれぞれゲートバルブＧが設けられ、ゲートバルブＧの開閉によりウエハＷを気密に搬送する。

かかる構成の基板処理装置１００は、たとえばコンピュータで構成される制御部６を有する。制御部６は、基板処理装置１００の全体を制御する。制御部６は、メモリ及びＣＰＵを有し、メモリには各処理室ＰＭにて処理を行うために使用されるプログラム及びレシピが記憶されている。プログラムには、処理パラメータの入力操作や表示に関するプログラムが含まれる。レシピには、処理室ＰＭが加熱される温度等のプロセス条件や処理手順、ウエハＷの搬送経路が設定されている。

ＣＰＵは、メモリに記憶されたプログラム及びレシピに従い、ＦＯＵＰ５から取り出したウエハＷを大気搬送アーム３０、第１の搬送アーム１１及び第２の搬送アーム１２を用いて所定の経路で複数の処理室ＰＭに搬送する。そして、ＣＰＵは、レシピに設定されたプロセス条件に基づき各処理室ＰＭにて所定の処理を実行する。プログラムは、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）などの記憶部に格納されて制御部６にインストールされてもよいし、通信機能を使用してダウンロードしてもよい。

ＦＯＵＰ５から搬出された未処理のウエハＷは、大気搬送アーム３０によりロードロック室２へ搬送される。次に、未処理のウエハＷは、第１の搬送アーム１１又は第２の搬送アーム１２により処理室ＰＭに搬送される。処理室ＰＭにてウエハＷに所望の処理（例えば、成膜処理等）が施される。処理室ＰＭにて処理が施されたウエハＷは、第１の搬送アーム１１又は第２の搬送アーム１２により他の処理室ＰＭに搬送され、更に処理が施されてもよい。処理が施されたウエハＷ（後述する処理済ウエハ７２）はロードロック室２を介してＦＯＵＰ５に戻される。

＜ロードロック室２＞
次に、ロードロック室２について図２を用いて更に説明する。図２は、一実施形態に係るロードロック室２の一例を示す断面模式図である。

ロードロック室２は、処理容器２０と、載置台（ステージ）２１と、蓋体２３と、静電チャック２４と、電源ボックス２５と、を備える。

処理容器２０は、上部が開放された容器である。処理容器２０の側面には、ゲート２０１，２０２が形成されている。ゲート２０１は、真空搬送室１（図１参照）と連通する。ゲート２０２は、大気搬送室３（図１参照）と連通する。ゲート２０１，２０２には、開閉可能なゲートバルブＧが設けられている。

載置台２１は、処理容器２０内に設けられておりウエハＷを載置する。載置台２１には、昇降ピン２２が設けられている。昇降ピン２２は、駆動機構（図示せず）によって昇降する。これにより、昇降ピン２２が上昇することにより、昇降ピン２２が載置台２１から突出する。また、昇降ピン２２が下降することにより、昇降ピン２２が載置台２１に没する。

蓋体２３は、中央部に開口を有する略円環状に形成されている。蓋体２３の中央部には静電チャック２４が配置される。蓋体２３は、処理容器２０の開口部を塞ぐ。蓋体２３と処理容器２０との間は、シール部材２６でシールされている。

静電チャック２４は、載置台２１の上方に対向して配置される。静電チャック２４は、母材２４１と、絶縁体２４２と、電極２４３とを有する。母材２４１は、蓋体２３の開口部を塞ぐ。母材２４１と蓋体２３との間は、シール部材２７でシールされている。母材２４１の下面には、絶縁体２４２が設けられている。絶縁体２４２の内部には、電極２４３が配置される。電極２４３には、電源ボックス２５から電力が供給される。なお、図２において、電源ボックス２５は静電チャック２４の上に配置されている場合を例に図示しているが、電源ボックス２５の位置はこれに限られない。

ロードロック室２には、ガス供給機構（図示せず）及び排気機構（図示せず）が設けられている。排気機構がロードロック室２内を排気することにより、ロードロック室２内を真空雰囲気とすることができる。一方、ガス供給機構がロードロック室２内へガス（例えば、窒素ガス、希ガス等）を供給することにより、ロードロック室２内を大気雰囲気とすることができる。

＜ロードロック室２の動作＞
次に、ロードロック室２の動作について図３から図７を用いて説明する。図３は、ロードロック室２の動作を説明するフローチャートである。ここで、処理室ＰＭで処理（例えば成膜処理）が施された評価用のウエハＷは、基板測定装置（図示せず）へと搬送され、基板測定装置（図示せず）で分析測定され、処理室ＰＭでのプロセスの評価を行う。評価用のウエハＷを好適に分析測定するためには、基板測定装置への搬送中に評価用のウエハＷの処理面（上面）が酸化されないことが有効である。ここでは、評価用のウエハＷの処理面（上面）を大気に曝すことなく基板測定装置（図示せず）に搬送可能とする構成について説明する。また、処理室ＰＭで処理された評価用のウエハＷ（処理済ウエハ７２）を真空搬送室１からロードロック室２に搬送し、更にロードロック室２から大気搬送室３に搬出する場合を例に説明する。なお、図３に示すフローの開始時において、ゲート２０１，２０２のゲートバルブＧは閉じており、昇降ピン２２は載置台２１に没している。

ステップＳ１０１において、制御部６は、ロードロック室２を大気雰囲気とする。具体的には、制御部６は、ロードロック室２のガス供給機構（図示せず）を制御して、ロードロック室２内にガスを供給して大気雰囲気とする。

ステップＳ１０２において、制御部６は、円板状のカバー用ウエハ（蓋基板）７１を静電チャック２４に吸着させる。図４は、カバー用ウエハ７１を静電チャック２４に吸着した状態を示す断面模式図である。具体的には、制御部６は、ゲート２０２のゲートバルブＧを開ける。制御部６は、大気搬送アーム３０を制御して、ＦＯＵＰ５に収容されたカバー用ウエハ７１をＦＯＵＰ５から取り出し、大気搬送室３を介して、カバー用ウエハ７１をロードロック室２に搬送する。制御部６は、大気搬送アーム３０を制御して、カバー用ウエハ７１を高さ方向に持ち上げ、カバー用ウエハ７１（図４において、二点鎖線で示す。）を静電チャック２４に近づける。制御部６は、電源ボックス２５を制御して静電チャック２４の電極２４３に電力を供給する。これにより、大気搬送アーム３０に保持されたカバー用ウエハ７１（図４において、実線で示す。）は、静電チャック２４に吸着される。その後、制御部６は、大気搬送アーム３０を制御して、ゲート２０２から退避させる。制御部６は、ゲート２０２のゲートバルブＧを閉じる。

ステップＳ１０３において、制御部６は、ロードロック室２を真空雰囲気とする。具体的には、制御部６は、ロードロック室２の排気機構（図示せず）を制御して、ロードロック室２内のガスを排気して真空雰囲気とする。

ステップＳ１０４において、制御部６は、円板状の処理済ウエハ（基板）７２を載置台２１の昇降ピン２２に受け渡す。図５は、処理済ウエハ７２を載置台２１の昇降ピン２２に受け渡した状態を示す断面模式図である。具体的には、制御部６は、ゲート２０１のゲートバルブＧを開ける。制御部６は、基板搬送装置１０を制御して、処理済ウエハ７２を処理室ＰＭから取り出し、真空搬送室１を介して、処理済ウエハ７２（図４において、二点鎖線で示す。）をロードロック室２に搬送する。制御部６は、昇降ピン２２の駆動機構（図示せず）を制御して、昇降ピン２２を上昇させ、処理済ウエハ７２（図４において、実線で示す。）を昇降ピン２２で持ち上げて支持する。制御部６は、基板搬送装置１０を制御して、ゲート２０１から退避させる。制御部６は、ゲートバルブＧを制御してゲート２０１を閉じる。なお、処理済ウエハ７２は、昇降ピン２２で支持され、冷却される。

ステップＳ１０５において、制御部６は、真空雰囲気で処理済ウエハ７２にカバー用ウエハ７１を重ねる。図６は、真空雰囲気で処理済ウエハ７２にカバー用ウエハ７１を重ねた状態を示す断面模式図である。具体的には、制御部６は、電源ボックス２５を制御して、静電チャック２４の吸着を解除する。これにより、静電チャック２４に吸着されたカバー用ウエハ７１が落下して、処理済ウエハ７２の上にカバー用ウエハ７１が重なり、積層体７３を形成する。ここで、真空雰囲気でカバー用ウエハ７１を落下させることにより、カバー用ウエハ７１の落下中の位置ずれを抑制して、処理済ウエハ７２とカバー用ウエハ７１を同軸に重ねることができる。また、真空雰囲気でカバー用ウエハ７１を処理済ウエハ７２に落下させることにより、カバー用ウエハ７１を処理済ウエハ７２に密着させることができる。なお、カバー用ウエハ７１を落下させる前に、制御部６は、昇降ピン２２の駆動機構（図示せず）を制御して、昇降ピン２２を更に上昇させ、処理済ウエハ７２をカバー用ウエハ７１に近づけてもよい。

ステップＳ１０６において、制御部６は、ロードロック室２を大気雰囲気とする。具体的には、制御部６は、ロードロック室２のガス供給機構（図示せず）を制御して、ロードロック室２内にガスを供給して大気雰囲気とする。

ステップＳ１０７において、制御部６は、積層体７３をロードロック室２から大気搬送室３に搬送する。図７は、積層体７３の搬出時のロードロック室２の状態を示す断面模式図である。具体的には、制御部６は、ゲート２０２のゲートバルブＧを開ける。制御部６は、大気搬送アーム３０を制御して、ロードロック室２に挿入する。制御部６は、昇降ピン２２の駆動機構（図示せず）を制御して、昇降ピン２２を下降させ、積層体７３を大気搬送アーム３０に受け渡す。制御部６は、大気搬送アーム３０を制御して、積層体７３をゲート２０２を介して大気搬送室３に搬送する。制御部６は、ゲートバルブＧを制御してゲート２０２を閉じる。その後、制御部６は、大気搬送アーム３０を制御して、積層体７３をＦＯＵＰ５に収容する。なお、積層体７３を収容したＦＯＵＰ５は、基板測定装置（図示せず）へと搬送される。基板測定装置は、真空雰囲気で積層体７３からカバー用ウエハ７１を取り外して、処理済ウエハ７２の分析測定を行う。

これによれば、真空雰囲気でカバー用ウエハ７１によって処理済ウエハ７２の処理面（上面）を覆うことにより、積層体７３を大気搬送室３に搬送して大気雰囲気に曝したとしても、処理済ウエハ７２の処理面が大気雰囲気に曝されることなく処理済ウエハ７２を搬送することができる。これにより、処理済ウエハ７２の処理面が大気雰囲気中で酸化等することを防止することができる。また、評価用の処理済ウエハ７２を基板測定装置（図示せず）で分析測定することにより、精度よく処理室ＰＭでのプロセスの評価を行うことができる。

また、真空中でカバー用ウエハ７１を処理済ウエハ７２に重ねることにより、大気雰囲気において、カバー用ウエハ７１と処理済ウエハ７２とは密着している。これにより、積層体７３の搬送中にカバー用ウエハ７１が処理済ウエハ７２からずれることを防止することができる。

なお、カバー用ウエハ７１は、例えば、シリコンで形成されることが好ましい。これにより、処理済ウエハ７２の処理面（上面）にカバー用ウエハ７１を重ねた際、処理済ウエハ７２の処理面がカバー用ウエハ７１の材料によって汚染されることを防止することができる。また、カバー用ウエハ７１は、処理済ウエハ７２と同径であることが好ましい。これにより、カバー用ウエハ７１と処理済ウエハ７２とを好適に重ねることができる。なお、カバー用ウエハ７１は、処理済ウエハ７２よりも大きくてもよく、小さくてもよい。カバー用ウエハ７１は、処理済ウエハ７２の処理面（上面）のうち、少なくとも保護したい範囲を覆うことができる構成であってもよい。

また、ロードロック室２は、静電チャック２４にカバー用ウエハ７１が吸着されているか否かを確認可能に構成されていてもよい。図８は、静電チャック２４の下面から見た図である。静電チャック２４には、外周部に複数の切り欠き部２４４が形成されている。図８に示す例において、切り欠き部２４４は、等間隔に３か所設けられている。図９は、切り欠き部２４４が設けられた位置におけるロードロック室２の一例を示す断面模式図である。蓋体２３には、静電チャック２４の切り欠き部２４４と対応する位置に貫通孔２３４が設けられている。貫通孔２３４には、のぞき窓機構２８が設けられている。のぞき窓機構２８は、透過部材２８１と固定部材２８２を有する。このような構成により、ロードロック室２を気密とした状態で、ロードロック室２の外から静電チャック２４に吸着されたカバー用ウエハ７１のエッジを確認することができる。

また、ステップＳ１０５において、真空雰囲気でカバー用ウエハ７１を落下させ、処理済ウエハ７２とカバー用ウエハ７１を同軸に重ねるためには、処理済ウエハ７２を支持する載置台２１とカバー用ウエハ７１を吸着する静電チャック２４を同軸に配置することが求められる。

次に、治具８０を用いた載置台２１と静電チャック２４との位置調整について、図１０から図１５を用いて説明する。図１０は、静電チャック２４の位置調整を説明するフローチャートである。ここでは、載置台２１と同軸となるように静電チャック２４の位置調整を行う。

ステップＳ２０１において、作業者は、載置台２１に治具８０を取り付ける。図１１は、載置台２１に治具８０を取り付けた状態を示す断面模式図である。ここで、蓋体２３及び静電チャック２４を処理容器２０に取り付ける前の状態であり、処理容器２０の上方は開口している。治具８０は、載置台２１と同軸に嵌合する嵌合部８１と、嵌合部８１と同軸の嵌合部８２と、を有する。載置台２１に治具８０の嵌合部８１を取り付けて嵌合させることにより、載置台２１、嵌合部８１及び嵌合部８２が同軸に配置される。

ステップＳ２０２において、作業者は、治具８０に蓋体２３を取り付ける。図１２は、治具８０に蓋体２３を取り付けた状態を示す断面模式図である。蓋体２３は、治具８０の嵌合部８２と嵌合する嵌合部２３１と、静電チャック２４を取り付ける取付部２３２と、を有する。蓋体２３の嵌合部２３１及び取付部２３２は、同軸に配置されている。治具８０の嵌合部８２に蓋体２３の嵌合部２３１を取り付けて嵌合させることにより、載置台２１、嵌合部８１、嵌合部８２、嵌合部２３１及び取付部２３２が同軸に配置される。

ステップＳ２０３において、作業者は位置決め機構２９を調整する。図１３は、位置決め機構２９を調整した状態を示す断面模式図である。位置決め機構２９は、蓋体２３に設けられている。位置決め機構２９は可動部材２９１と、固定部材２９２と、を有する。作業者は、可動部材２９１を処理容器２０の壁面２０３に可動部材２９１を当接させ、固定部材２９２で可動部材２９１を蓋体２３に固定する。なお、位置決め機構２９は複数設けられていてもよい。

ステップＳ２０４において、治具８０及び蓋体２３を取り外し、蓋体２３に静電チャック２４を取り付ける。図１４は、蓋体２３に静電チャック２４を取り付ける状態を示す断面模式図である。処理容器２０及び治具８０から蓋体２３を取り外す。また、載置台２１から治具８０を取り外す。蓋体２３の取付部２３２に静電チャック２４を取り付ける。ここで、蓋体２３の取付部２３２と静電チャック２４とはインロー構造となっている。これにより、蓋体２３の取付部２３２及び静電チャック２４が同軸に配置される。

ステップＳ２０５において、作業者は処理容器２０に蓋体２３を取り付ける。図１５は、処理容器２０に蓋体２３を取り付けた状態を示す断面模式図である。作業者は、処理容器２０の壁面２０３に位置決め機構２９の可動部材２９１が当接する位置で蓋体２３を処理容器２０に固定する。これにより、蓋体２３の位置をステップＳ２０３における位置とすることができる。したがって、載置台２１と静電チャック２４を同軸に配置することができる。

また、ステップＳ１０２において、静電チャック２４にカバー用ウエハ７１を吸着させる際、静電チャック２４とカバー用ウエハ７１とが同軸となるように、大気搬送アーム３０の制御がティーチングされている。また、ステップＳ１０４において、処理済ウエハ７２を載置台２１の昇降ピン２２に受け渡す際、載置台２１のと処理済ウエハ７２とが同軸となるように、基板搬送装置１０の制御がティーチングされている。したがって、ステップＳ１０５において、処理済ウエハ７２とカバー用ウエハ７１を同軸に重ねることができる。

以上、一実施形態に係る基板処理装置について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本開示の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。

１００ 基板処理装置
ＰＭ１～ＰＭ４ 処理室
１ 真空搬送室
２ ロードロック室
３ 大気搬送室
６ 制御部
１０ 基板搬送装置
２０ 処理容器
２１ 載置台（ステージ）
２２ 昇降ピン
２３ 蓋体
２４ 静電チャック
２４１ 母材
２４２ 絶縁体
２４３ 電極
２５ 電源ボックス
２６ シール部材
２７ シール部材
２８ のぞき窓機構
２９ 位置決め機構
３０ 大気搬送アーム
７１ カバー用ウエハ（蓋基板）
７２ 処理済ウエハ（基板）
７３ 積層体
８０ 治具
Ｇ ゲートバルブ

Claims (5)

1. 大気搬送室と真空搬送室との間に設けられ、大気雰囲気と真空雰囲気を切り替え可能なロードロック室であって、
   前記ロードロック室は、
   基板を受け取るステージと、
   前記ステージの上方に対向して配置される静電チャックであり、前記基板の処理面を覆うための蓋基板を吸着する静電チャックと、を備える、ロードロック室。
2. 内部が大気雰囲気の状態で、前記大気搬送室から搬入される蓋基板を、前記静電チャックで吸着するステップと、
   内部を真空雰囲気とするステップと、
   内部が真空雰囲気の状態で、前記真空搬送室から搬入される前記基板を、前記ステージで受け取るステップと、
   内部が真空雰囲気の状態で、前記蓋基板を前記基板の上に落下させ、前記基板の上に前記蓋基板を重ねるステップと、
   内部を大気雰囲気とするステップと、
   内部が大気雰囲気の状態で、重ねられた前記基板及び前記蓋基板を前記大気搬送室に搬出するステップと、を実行する、
   請求項１に記載のロードロック室。
3. 前記ステージと前記静電チャックとは、同軸に配置される、請求項１または請求項２に記載のロードロック室。
4. 前記基板に処理を施す処理室と、
   請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のロードロック室と、
   前記処理室と前記ロードロック室の間に設けられる真空搬送室と、
   前記ロードロック室と接続される大気搬送室と、を備える、基板処理装置。
5. 基板を受け取るステージと、前記ステージの上方に対向して配置される静電チャックであり、前記基板の処理面を覆うための蓋基板を吸着する静電チャックと、を備える、ロードロック室を用いる基板搬送方法であって、
   大気雰囲気で、大気搬送室から前記ロードロック室に搬送された蓋基板を、前記静電チャックで吸着するステップと、
   前記ロードロック室を真空雰囲気とするステップと、
   真空雰囲気で、真空搬送室から前記ロードロック室に搬送された前記基板を、前記ステージに受け渡すステップと、
   真空雰囲気で、前記蓋基板を前記基板の上に落下させ、前記基板の上に前記蓋基板を重ねるステップと、
   前記ロードロック室を大気雰囲気とするステップと、
   大気雰囲気で、前記ロードロック室から前記大気搬送室に、重ねられた前記基板及び前記蓋基板を搬送するステップと、を有する、基板搬送方法。

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