JP2022061161A - Thermal print head and manufacturing method of thermal print head - Google Patents

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Abstract

To provide a thermal print head which can be manufactured more easily, and to provide a manufacturing method of the thermal print head.SOLUTION: A thermal print head includes: a substrate 1 including a base material 10 formed of a single-crystal semiconductor; a resistor layer 4 supported by the substrate 1 and having a plurality of heating parts 41 arranged in a main scanning direction x; and a wiring layer 3 supported by the substrate 1 and forming an energizing path to the plurality of heating parts 41. The wiring layer 3 contacts with the substrate 1 and the resistor layer 4 has a portion that overlaps with the wiring layer 3 from an opposite side of the substrate 1 in a thickness direction z.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本開示は、サーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法に関する。 The present disclosure relates to a thermal print head and a method for manufacturing a thermal print head.

サーマルプリントヘッドは、感熱紙等の印刷対象物に印刷するサーマルプリンタの主要機能を実現するデバイスである。特許文献1には、従来のサーマルプリントヘッドの一例が開示されている。同文献に開示されたサーマルプリントヘッドは、基板、抵抗体層および配線層を備える。基板は、半導体単結晶からなる基材を含む。抵抗体層は、基板上に直接形成されている。配線層は、抵抗体層上に形成されている。 The thermal print head is a device that realizes the main functions of a thermal printer that prints on an object to be printed such as thermal paper. Patent Document 1 discloses an example of a conventional thermal print head. The thermal printhead disclosed in the same document includes a substrate, a resistor layer and a wiring layer. The substrate contains a substrate made of a semiconductor single crystal. The resistor layer is formed directly on the substrate. The wiring layer is formed on the resistor layer.

特開2017-114051号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-114051

抵抗体層や配線層は、スパッタリングやCVD等の薄膜形成手法によって形成されている。このような場合、抵抗体層は、配線層のすべての部分と基板との間に形成される。一般的に、その後に、配線層にフォトリソグラフィ技術を適用することによって配線パターンが形成され、抵抗体層にフォトリソグラフィ技術を適用することによって抵抗体パターンが形成される。抵抗体パターンは、複数の発熱部を含む。各フォトリソグラフィ技術は、レジスト塗布、プリベーク、露光、現像、リンス、ポストベーク、エッチング、レジスト除去の各工程を含む。 The resistor layer and the wiring layer are formed by a thin film forming method such as sputtering or CVD. In such cases, the resistor layer is formed between all parts of the wiring layer and the substrate. Generally, after that, a wiring pattern is formed by applying a photolithography technique to the wiring layer, and a resistor pattern is formed by applying a photolithography technique to the resistor layer. The resistor pattern includes a plurality of heat generating parts. Each photolithography technique includes resist coating, prebaking, exposure, development, rinsing, post-baking, etching, and resist removal steps.

本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、より容易に製造可能なサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法を提供することをその課題とする。 The present disclosure has been conceived under the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a thermal print head and a method for manufacturing a thermal print head, which can be manufactured more easily.

本開示の第1の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、単結晶半導体からなる基材を含む基板と、前記基板に支持され、かつ、主走査方向に配列された複数の発熱部を有する抵抗体層と、前記基板に支持され、かつ、前記複数の発熱部への通電経路を構成する配線層と、を備えており、前記配線層は、前記基板に接しており、前記抵抗体層は、厚さ方向において前記基板とは反対側から前記配線層に重なる部分を有する。 The thermal printhead provided by the first aspect of the present disclosure is a resistance having a substrate including a substrate made of a single crystal semiconductor and a plurality of heat generating portions supported by the substrate and arranged in the main scanning direction. A body layer and a wiring layer supported by the substrate and forming an energization path to the plurality of heat generating portions are provided, the wiring layer is in contact with the substrate, and the resistor layer is in contact with the substrate. It has a portion that overlaps the wiring layer from the side opposite to the substrate in the thickness direction.

本開示の第2の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、単結晶半導体からなる基材を含む基板を準備する工程と、前記基板に支持された配線層を形成する工程と、前記抵抗体層を形成する工程と、を備えており、前記配線層を形成する工程は、スパッタリングまたはCVDを用いた導電膜形成処理を含み、前記抵抗体層を形成する工程は、抵抗体ペーストを塗布する処理、および前記抵抗体ペーストを焼成する処理、を含む。 The method for manufacturing a thermal printhead provided by the second aspect of the present disclosure includes a step of preparing a substrate including a substrate made of a single crystal semiconductor, a step of forming a wiring layer supported by the substrate, and the above-mentioned step. The step of forming the resistor layer includes a step of forming the wiring layer, the step of forming the wiring layer includes a conductive film forming process using sputtering or CVD, and the step of forming the resistor layer is a step of forming a resistor paste. It includes a process of applying and a process of firing the resistor paste.

本開示によれば、サーマルプリントヘッドをより容易に製造可能である。 According to the present disclosure, the thermal printhead can be manufactured more easily.

本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。 Other features and advantages of the present disclosure will be more apparent by the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本開示の第1実施形態にかかるサーマルプリントヘッドを示す平面図である。It is a top view which shows the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 図1に示す平面図の一部を拡大した要部平面図である。It is a main part plan view which enlarged a part of the plan view shown in FIG. 図2に示す平面図の一部を拡大した要部拡大平面図である。FIG. 3 is an enlarged plan view of a main part obtained by enlarging a part of the plan view shown in FIG. 第1実施形態にかかるサーマルプリントヘッドを備えるサーマルプリンタの部分拡大断面図であって、図1のIV-IV線に沿う断面図である。It is a partially enlarged sectional view of the thermal printer provided with the thermal print head which concerns on 1st Embodiment, and is the sectional view which follows the IV-IV line of FIG. 図4に示す断面図の一部を拡大した要部断面図である。It is a cross-sectional view of a main part which enlarged a part of the cross-sectional view shown in FIG. 図5に示す断面図の一部を拡大した要部拡大断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part obtained by enlarging a part of the cross-sectional view shown in FIG. 本開示の第1実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第1実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows one step of the manufacturing method of the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第1実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows one step of the manufacturing method of the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第1実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部断面図である。It is sectional drawing of the main part which shows one step of the manufacturing method of the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第1実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部拡大断面図である。It is an enlarged sectional view of the main part which shows one step of the manufacturing method of the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第1実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the main part which shows one step of the manufacturing method of the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 図12のXIII-XIII線に沿う要部拡大断面図である。It is an enlarged sectional view of a main part along the line XIII-XIII of FIG. 本開示の第1実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the main part which shows one step of the manufacturing method of the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 図14のXV-XV線に沿う要部拡大断面図である。It is an enlarged sectional view of the main part along the XV-XV line of FIG. 本開示の第1実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the main part which shows one step of the manufacturing method of the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 図16のXVII-XVII線に沿う要部拡大断面図である。16 is an enlarged cross-sectional view of a main part along the line XVII-XVII of FIG. 本開示の第1実施形態にかかるサーマルプリントヘッドの製造方法の一工程を示す要部拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the main part which shows one step of the manufacturing method of the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 図18のXIX-XIX線に沿う要部拡大断面図である。FIG. 8 is an enlarged cross-sectional view of a main part along the XIX-XIX line of FIG. 本開示の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドの第1変形例を示す要部拡大断面図である。It is an enlarged sectional view of the main part which shows the 1st modification of the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 本開示の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドの第2変形例を示す要部拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the main part which shows the 2nd modification of the thermal print head which concerns on 1st Embodiment of this disclosure. 図21のXXII-XXII線に沿う要部拡大断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a main part along the line XXII-XXII of FIG. 21. 本開示の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the main part which shows the thermal print head which concerns on 2nd Embodiment of this disclosure. 本開示の第3実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the main part which shows the thermal print head which concerns on 3rd Embodiment of this disclosure. 本開示の第3実施形態に係るサーマルプリントヘッドの第1変形例を示す要部拡大平面図である。It is an enlarged plan view of the main part which shows the 1st modification of the thermal print head which concerns on 3rd Embodiment of this disclosure. 本開示の第3実施形態に係るサーマルプリントヘッドの第1変形例の製造方法の一例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of the 1st modification of the thermal print head which concerns on 3rd Embodiment of this disclosure. 本開示の第4実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。It is an enlarged sectional view of the main part which shows the thermal print head which concerns on 4th Embodiment of this disclosure.

以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。図面の各々は、模式的に描かれている。さらに当該図面の各々は、省略された部分および誇張された部分を含むことがある。 Hereinafter, preferred embodiments of the present disclosure will be specifically described with reference to the drawings. Each of the drawings is schematically drawn. In addition, each of the drawings may include omitted and exaggerated parts.

本開示における「第1」、「第2」、「第3」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。 The terms "first", "second", "third", etc. in the present disclosure are merely used as labels and are not necessarily intended to order those objects.

<第1実施形態>
図1~図6は、本開示の第1実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドA1は、基板1、保護層2、配線層3、抵抗体層4、接続基板5、複数のワイヤ61,62、複数のドライバIC7、保護樹脂78および放熱部材8を備える。図1~図3に示すように、抵抗体層4が有する複数の発熱部41は、列をなすように並べられている。複数の発熱部41が並べられた方向を主走査方向xと呼ぶ。主走査方向xに垂直な方向を副走査方向yと呼ぶ。サーマルプリントヘッドA1は、印刷対象物(図示略)に印字を施すサーマルプリンタPr(図4参照)に組み込まれるものである。サーマルプリンタPrは、サーマルプリントヘッドA1およびプラテンローラ91を備える。プラテンローラ91は、サーマルプリントヘッドA1に正対する。印刷対象物は、サーマルプリントヘッドA1とプラテンローラ91との間に挟まれ、このプラテンローラ91によって、副走査方向に搬送される。このような印刷対象物としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。プラテンローラ91に代えて、平坦なゴムからなるプラテンを使用してもよい。このプラテンは、大きな曲率半径を有する円柱状のゴムにおける、断面視して弓形状の一部分を含む。本開示において、「プラテン」という用語は、プラテンローラ91と平坦なプラテンとの双方を含む。
<First Embodiment>
1 to 6 show a thermal print head according to the first embodiment of the present disclosure. The thermal print head A1 of the present embodiment includes a substrate 1, a protective layer 2, a wiring layer 3, a resistor layer 4, a connection substrate 5, a plurality of wires 61, 62, a plurality of driver ICs 7, a protective resin 78, and a heat dissipation member 8. Be prepared. As shown in FIGS. 1 to 3, the plurality of heat generating portions 41 included in the resistor layer 4 are arranged in a row. The direction in which the plurality of heat generating portions 41 are arranged is called the main scanning direction x. The direction perpendicular to the main scanning direction x is called the sub-scanning direction y. The thermal print head A1 is incorporated in a thermal printer Pr (see FIG. 4) that prints on a print object (not shown). The thermal printer Pr includes a thermal print head A1 and a platen roller 91. The platen roller 91 faces the thermal print head A1. The object to be printed is sandwiched between the thermal print head A1 and the platen roller 91, and is conveyed in the sub-scanning direction by the platen roller 91. Examples of such a printable object include a bar code sheet and a thermal paper for producing a receipt. Instead of the platen roller 91, a platen made of flat rubber may be used. This platen contains a portion of a columnar rubber with a large radius of curvature that is arched in cross section. In the present disclosure, the term "platen" includes both the platen roller 91 and the flat platen.

図1は、サーマルプリントヘッドA1を示す平面図である。図2は、図1に示す平面図の一部を拡大した要部平面図である。図3は、図2に示す平面図の一部を拡大した要部拡大平面図である。図4は、サーマルプリントヘッドA1を備えるサーマルプリンタの部分拡大断面図であって、図1のIV-IV線に沿う断面図である。図5は、図4に示す断面図の一部を拡大した要部断面図である。図6は、図5に示す断面図の一部を拡大した要部拡大断面図である。図1~図3においては、保護層2を省略している。図1および図2においては、保護樹脂78を省略している。図2においては、複数のワイヤ61を省略している。図中において、副走査方向yの座標軸を示す矢印が指す側(図1における上側)を下流側と呼び、印刷対象物の排出先の側に相当する。図中において、副走査方向yに沿って下流側とは反対側(図1における下側)を上流側と呼び、印刷対象物の供給元の側に相当する。 FIG. 1 is a plan view showing the thermal print head A1. FIG. 2 is an enlarged plan view of a main part of the plan view shown in FIG. FIG. 3 is an enlarged plan view of a main part obtained by enlarging a part of the plan view shown in FIG. FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view of a thermal printer including the thermal print head A1 and is a cross-sectional view taken along the line IV-IV of FIG. FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a main part of the cross-sectional view shown in FIG. FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of a main part, which is an enlarged part of the cross-sectional view shown in FIG. In FIGS. 1 to 3, the protective layer 2 is omitted. In FIGS. 1 and 2, the protective resin 78 is omitted. In FIG. 2, a plurality of wires 61 are omitted. In the figure, the side pointed by the arrow indicating the coordinate axis in the sub-scanning direction y (upper side in FIG. 1) is called the downstream side, and corresponds to the side of the output destination of the print target. In the figure, the side opposite to the downstream side (lower side in FIG. 1) along the sub-scanning direction y is called the upstream side, and corresponds to the side of the supply source of the print target.

〔基板1〕
基板1は、配線層3および抵抗体層4を支持する。本実施形態の基板1は、基材10および絶縁層19を含む。
[Board 1]
The substrate 1 supports the wiring layer 3 and the resistor layer 4. The substrate 1 of this embodiment includes a substrate 10 and an insulating layer 19.

基材10は、主走査方向xを長手方向とする細長矩形状である。以降の説明においては、基材10の厚さ方向を厚さ方向zとする。基材10の大きさは特に限定されないが、一例を挙げると、厚さ(厚さ方向z寸法)が725μmであり、主走査方向x寸法が50mm以上150mm以下であり、副走査方向y寸法が2.0mm以上5.0mm以下である。 The base material 10 has an elongated rectangular shape with the main scanning direction x as the longitudinal direction. In the following description, the thickness direction of the base material 10 is defined as the thickness direction z. The size of the base material 10 is not particularly limited, but for example, the thickness (z dimension in the thickness direction) is 725 μm, the main scanning direction x dimension is 50 mm or more and 150 mm or less, and the sub scanning direction y dimension is. It is 2.0 mm or more and 5.0 mm or less.

基材10は、単結晶半導体からなり、当該単結晶半導体はたとえばシリコン(Si)である。基材10は、図4および図5に示すように、主面11および裏面12を有する。主面11および裏面12は、厚さ方向zに離間し、かつ、厚さ方向zにおいて互いに反対側を向く。配線層3および抵抗体層4は、主面11の側に設けられる。 The base material 10 is made of a single crystal semiconductor, and the single crystal semiconductor is, for example, silicon (Si). The base material 10 has a main surface 11 and a back surface 12 as shown in FIGS. 4 and 5. The main surface 11 and the back surface 12 are separated from each other in the thickness direction z and face each other in the thickness direction z. The wiring layer 3 and the resistor layer 4 are provided on the side of the main surface 11.

本実施形態の基材10は、凸部13を有する。凸部13は、主面11から厚さ方向zに突出しており、主走査方向xに長く延びている。図示された例においては、凸部13は、基材10の副走査方向y下流寄りに形成されている。凸部13は、基材10の一部であることから、単結晶半導体であるSiからなる。 The base material 10 of the present embodiment has a convex portion 13. The convex portion 13 projects from the main surface 11 in the thickness direction z and extends long in the main scanning direction x. In the illustrated example, the convex portion 13 is formed in the sub-scanning direction y downstream of the base material 10. Since the convex portion 13 is a part of the base material 10, it is made of Si, which is a single crystal semiconductor.

凸部13は、頂部130、一対の第1傾斜部131A,131Bおよび一対の第2傾斜部132A,132Bを有する。 The convex portion 13 has a top portion 130, a pair of first inclined portions 131A and 131B, and a pair of second inclined portions 132A and 132B.

頂部130は、凸部13のうち主面11からの距離が最も大きい部分である。頂部130は、たとえば主面11と略平行な平面である。頂部130は、厚さ方向z視において、主走査方向xに長く延びる細長矩形状である。 The top portion 130 is the portion of the convex portion 13 having the largest distance from the main surface 11. The top 130 is, for example, a plane substantially parallel to the main surface 11. The top portion 130 has an elongated rectangular shape that extends long in the main scanning direction x in the z-viewing in the thickness direction.

一対の第1傾斜部131A,131Bは、図6に示すように、頂部130の副走査方向y両側に繋がっている。第1傾斜部131Aは、副走査方向yの上流側から頂部130に繋がる。第1傾斜部131Bは、副走査方向yの下流側から頂部130に繋がる。第1傾斜部131Aが、特許請求の範囲に記載の「上流側第1傾斜部」に相当し、第1傾斜部131Bが、特許請求の範囲に記載の「下流側第1傾斜部」に相当する。一対の第1傾斜部131A,131Bはそれぞれ、主面11に対して、角度α1だけ傾斜している(第1傾斜角度α1を以て傾斜している)。一対の第1傾斜部131A,131Bはそれぞれ、厚さ方向z視において主走査方向xに長く延びる細長矩形状の平面である。なお、凸部13は、一対の第1傾斜部131A,131Bに繋がり、頂部130の主走査方向x両端に隣接する傾斜部(図示略)を有していてもよい。 As shown in FIG. 6, the pair of first inclined portions 131A and 131B are connected to both sides of the sub-scanning direction y of the top portion 130. The first inclined portion 131A is connected to the top portion 130 from the upstream side in the sub-scanning direction y. The first inclined portion 131B is connected to the top portion 130 from the downstream side in the sub-scanning direction y. The first inclined portion 131A corresponds to the "upstream side first inclined portion" described in the claims, and the first inclined portion 131B corresponds to the "downstream side first inclined portion" described in the claims. do. Each of the pair of first inclined portions 131A and 131B is inclined by an angle α1 with respect to the main surface 11 (inclined with the first inclined angle α1). Each of the pair of first inclined portions 131A and 131B is an elongated rectangular plane extending long in the main scanning direction x in the thickness direction z-view. The convex portion 13 may be connected to a pair of first inclined portions 131A and 131B and may have inclined portions (not shown) adjacent to both ends of the main scanning direction x of the top portion 130.

一対の第2傾斜部132A,132Bは、図6に示すように、一対の第1傾斜部131A,131Bに対して、副走査方向yにおいて頂部130と反対側から繋がる。第2傾斜部132Aは、副走査方向yにおいて、第1傾斜部131Aと主面11とに挟まれている。第2傾斜部132Aは、副走査方向yの上流側から第1傾斜部131Aに繋がり、副走査方向yの下流側から主面11に繋がる。第2傾斜部132Bは、副走査方向yにおいて、第1傾斜部131Bと主面11とに挟まれている。第2傾斜部132Bは、副走査方向yの下流側から第1傾斜部131Bに繋がり、副走査方向yの上流側から主面11に繋がる。第2傾斜部132Aが、特許請求の範囲に記載の「上流側第2傾斜部」に相当し、第2傾斜部132Bが、特許請求の範囲に記載の「下流側第2傾斜部」に相当する。一対の第2傾斜部132A,132Bはそれぞれ、主面11に対して、角度α2だけ傾斜している(第2傾斜角度α2を以て傾斜している)。角度α2は、角度α1よりも大きい。一対の第2傾斜部132A,132Bはそれぞれ、厚さ方向z視において主走査方向xに長く延びる細長矩形状の平面である。一対の第2傾斜部132A,132Bはそれぞれ、主面11に繋がっている。なお、凸部13は、一対の第2傾斜部132A,132Bに繋がり、頂部130の主走査方向x両端の主走査方向x外方に位置する傾斜部(図示略)を有していてもよい。 As shown in FIG. 6, the pair of second inclined portions 132A and 132B are connected to the pair of first inclined portions 131A and 131B from the side opposite to the top portion 130 in the sub-scanning direction y. The second inclined portion 132A is sandwiched between the first inclined portion 131A and the main surface 11 in the sub-scanning direction y. The second inclined portion 132A is connected to the first inclined portion 131A from the upstream side in the sub-scanning direction y, and is connected to the main surface 11 from the downstream side in the sub-scanning direction y. The second inclined portion 132B is sandwiched between the first inclined portion 131B and the main surface 11 in the sub-scanning direction y. The second inclined portion 132B is connected to the first inclined portion 131B from the downstream side in the sub-scanning direction y, and is connected to the main surface 11 from the upstream side in the sub-scanning direction y. The second inclined portion 132A corresponds to the "upstream side second inclined portion" described in the claims, and the second inclined portion 132B corresponds to the "downstream side second inclined portion" described in the claims. do. The pair of second inclined portions 132A and 132B are each inclined by an angle α2 with respect to the main surface 11 (inclined with the second inclined angle α2). The angle α2 is larger than the angle α1. The pair of second inclined portions 132A and 132B are elongated rectangular planes extending long in the main scanning direction x in the thickness direction z-view, respectively. The pair of second inclined portions 132A and 132B are connected to the main surface 11, respectively. The convex portion 13 may be connected to a pair of second inclined portions 132A and 132B and may have an inclined portion (not shown) located outside the main scanning direction x both ends of the main scanning direction of the top portion 130. ..

基材10において、主面11は(100)面である。後述の製造方法例によれば、主面11に対する各第1傾斜部131A,131Bの角度α1(図6参照)は、たとえば30.1度であり、主面11に対する各第2傾斜部132A,132Bの角度α2(図6参照)は、たとえば54.7度である。凸部13の厚さ方向z寸法は、たとえば150μm以上300μm以下である。 In the base material 10, the main surface 11 is the (100) surface. According to the manufacturing method example described later, the angle α1 (see FIG. 6) of each of the first inclined portions 131A and 131B with respect to the main surface 11 is, for example, 30.1 degrees, and each of the second inclined portions 132A with respect to the main surface 11 The angle α2 (see FIG. 6) of 132B is, for example, 54.7 degrees. The z dimension in the thickness direction of the convex portion 13 is, for example, 150 μm or more and 300 μm or less.

絶縁層19は、図5および図6に示すように主面11および凸部13を覆っている。絶縁層19は、基材10の主面11側をより確実に絶縁するためのものである。絶縁層19は、絶縁性材料からなる。この絶縁性材料としては、たとえばTEOS(オルトケイ酸テトラエチル)を原料ガスとして成膜されるSiO2(TEOS-SiO2)が採用される。TEOS-SiO2の代わりに、たとえば他の方法によって成膜されたSiO2や、SiNが採用されてもよい。絶縁層19の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げるとたとえば5μm以上15μm以下(好ましくは5μm以上10μm以下)である。 The insulating layer 19 covers the main surface 11 and the convex portion 13 as shown in FIGS. 5 and 6. The insulating layer 19 is for more reliably insulating the main surface 11 side of the base material 10. The insulating layer 19 is made of an insulating material. As the insulating material, for example, SiO 2 (TEOS-SiO 2 ) formed by using TEOS (tetraethyl orthosilicate) as a raw material gas is adopted. Instead of TEOS-SiO 2 , for example, SiO 2 formed by another method or SiN may be adopted. The thickness of the insulating layer 19 is not particularly limited, and one example thereof is, for example, 5 μm or more and 15 μm or less (preferably 5 μm or more and 10 μm or less).

〔配線層3〕
配線層3は、後述の抵抗体層4の複数の発熱部41に通電するための通電経路を構成する。配線層3は、基材10に支持されており、本実施形態においては、図5および図6に示すように、絶縁層19上に直接積層されている。
[Wiring layer 3]
The wiring layer 3 constitutes an energization path for energizing a plurality of heat generating portions 41 of the resistor layer 4 described later. The wiring layer 3 is supported by the base material 10, and in the present embodiment, as shown in FIGS. 5 and 6, the wiring layer 3 is directly laminated on the insulating layer 19.

配線層3の材質や積層構成は、何ら限定されない。たとえば、配線層3が、下層および上層(いずれも図示略)の2層からなる場合を例に説明する。下層の構成材料としては、たとえばTi(チタン)が採用されるが、Tiの代わりに、Ta、Ga、Sn、PtIr、Pt、TI(タリウム)、V(バナジウム)あるいはCrなどを採用してもよい。下層の形成方法は特に限定されないが、たとえばスパッタリング法やCVD法、めっきなどによって形成され、採用される構成材料により適宜選定される。たとえば、下層の構成材料がTiの場合、下層はスパッタリング法により形成される。下層の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げると0.1μm以上0.2μm以下である。 The material and the laminated structure of the wiring layer 3 are not limited in any way. For example, a case where the wiring layer 3 is composed of two layers, a lower layer and an upper layer (both not shown), will be described as an example. For example, Ti (titanium) is used as the constituent material of the lower layer, but Ta, Ga, Sn, PtIr, Pt, TI (thallium), V (vanadium), Cr, etc. may be used instead of Ti. good. The method for forming the lower layer is not particularly limited, but is formed by, for example, a sputtering method, a CVD method, plating, or the like, and is appropriately selected depending on the constituent material to be adopted. For example, when the constituent material of the lower layer is Ti, the lower layer is formed by a sputtering method. The thickness of the lower layer is not particularly limited, but one example thereof is 0.1 μm or more and 0.2 μm or less.

上層は、下層上に形成されている。上層の構成材料は、たとえばCuが採用されるが、Cuの代わりに、Cu合金、Al、Al合金、Au、Ag、NiあるいはW(タングステン)などを採用してもよい。上層の形成方法は特に限定されないが、たとえばスパッタリング法やCVD法、めっきなどによって形成され、採用される構成材料により適宜選定される。たとえば、上層の構成材料がCuの場合、上層はスパッタリング法により形成される。なお、上層の構成材料がAu、Ag、Niである場合、一般的にはめっきにより形成されるが、この場合、上層は、シード層(たとえばCu)などを含んでいてもよい。上層は、下層よりも厚い。上層の厚さは、使用する材料、配線層3に流れる電流の値などに依存する。上層の厚さの一例を挙げると0.5μm以上5μm以下である。 The upper layer is formed on the lower layer. For example, Cu is adopted as the constituent material of the upper layer, but Cu alloy, Al, Al alloy, Au, Ag, Ni, W (tungsten) or the like may be adopted instead of Cu. The method for forming the upper layer is not particularly limited, but is formed by, for example, a sputtering method, a CVD method, plating, or the like, and is appropriately selected depending on the constituent material to be adopted. For example, when the constituent material of the upper layer is Cu, the upper layer is formed by a sputtering method. When the constituent material of the upper layer is Au, Ag, or Ni, it is generally formed by plating, but in this case, the upper layer may contain a seed layer (for example, Cu). The upper layer is thicker than the lower layer. The thickness of the upper layer depends on the material used, the value of the current flowing through the wiring layer 3, and the like. An example of the thickness of the upper layer is 0.5 μm or more and 5 μm or less.

本実施形態の配線層3は、図3および図6に示すように、複数の個別電極32、複数の共通電極31および複数の中継電極33を有する。 As shown in FIGS. 3 and 6, the wiring layer 3 of the present embodiment has a plurality of individual electrodes 32, a plurality of common electrodes 31, and a plurality of relay electrodes 33.

図3に示すように、複数の個別電極32および複数の共通電極31は、後述の抵抗体層4の複数の発熱部41に対して副走査方向y上流側に配置されている。また、複数の中継電極33は、複数の発熱部41に対して副走査方向y下流側に配置されている。複数の個別電極32と複数の共通電極31とは、主走査方向xに沿って交互に配列されている。複数の中継電極33は、主走査方向xにおいて所定ピッチで配置されている。 As shown in FIG. 3, the plurality of individual electrodes 32 and the plurality of common electrodes 31 are arranged on the side upstream of the sub-scanning direction y with respect to the plurality of heat generating portions 41 of the resistor layer 4 described later. Further, the plurality of relay electrodes 33 are arranged on the downstream side in the sub-scanning direction y with respect to the plurality of heat generating portions 41. The plurality of individual electrodes 32 and the plurality of common electrodes 31 are alternately arranged along the main scanning direction x. The plurality of relay electrodes 33 are arranged at a predetermined pitch in the main scanning direction x.

共通電極31は、基部341および一対の第1帯状部342を有する。一対の第1帯状部342は、主走査方向xに隣り合う一対の発熱部41(後述の一対の第1発熱部411)に繋がっており、主走査方向xに沿って互いに離間配置されている。第1帯状部342は、副走査方向yに沿って延びる帯状である。基部341は、一対の第1帯状部342の双方に繋がっており、副走査方向yの上流側に位置する。本例においては、第1帯状部342の先端が、頂部130上に位置する。 The common electrode 31 has a base portion 341 and a pair of first band-shaped portions 342. The pair of first band-shaped portions 342 are connected to a pair of heat generating portions 41 (a pair of first heat generating portions 411 described later) adjacent to each other in the main scanning direction x, and are arranged apart from each other along the main scanning direction x. .. The first band-shaped portion 342 is a band-shaped portion extending along the sub-scanning direction y. The base portion 341 is connected to both of the pair of first band-shaped portions 342 and is located on the upstream side in the sub-scanning direction y. In this example, the tip of the first strip 342 is located on the top 130.

個別電極32は、第2帯状部345を有する。第2帯状部345は、個別電極32の第1帯状部342に対して主走査方向xに隣り合った位置に配置されており、発熱部41(後述の第2発熱部412)に繋がっている。第2帯状部345は、副走査方向yに沿って延びる帯状である。本実施形態においては、1つの共通電極31が有する一対の第1帯状部342を挟んで、主走査方向xの両側に一対の第2帯状部345が配置された構成である。本例においては、第2帯状部345の先端が、頂部130上に位置しており、第2帯状部345の先端の副走査方向yにおける位置が、第1帯状部342の先端の位置とほぼ同じである。 The individual electrode 32 has a second band-shaped portion 345. The second band-shaped portion 345 is arranged at a position adjacent to the first band-shaped portion 342 of the individual electrode 32 in the main scanning direction x, and is connected to the heat generating portion 41 (the second heat generating portion 412 described later). .. The second band-shaped portion 345 is a band-shaped portion extending along the sub-scanning direction y. In the present embodiment, the pair of second band-shaped portions 345 are arranged on both sides of the main scanning direction x with the pair of first strip-shaped portions 342 of the common electrode 31 interposed therebetween. In this example, the tip of the second strip 345 is located on the top 130, and the position of the tip of the second strip 345 in the sub-scanning direction y is almost the same as the position of the tip of the first strip 342. It is the same.

中継電極33は、副走査方向yに折り返す通電経路を構成する形状とされている。中継電極33は、互いに隣り合う後述の第1発熱部411と第2発熱部412とに繋がっている。本例においては、各中継電極33は、凸部13の第1傾斜部131Bから第2傾斜部132Bおよび主面11に跨って形成されている。中継電極33の副走査方向y上流側の先端は、第1傾斜部131B上に位置している。 The relay electrode 33 has a shape that constitutes an energization path that folds back in the sub-scanning direction y. The relay electrode 33 is connected to a first heat-generating unit 411 and a second heat-generating unit 412, which will be described later, adjacent to each other. In this example, each relay electrode 33 is formed so as to straddle the first inclined portion 131B of the convex portion 13, the second inclined portion 132B, and the main surface 11. The tip of the relay electrode 33 on the upstream side in the sub-scanning direction y is located on the first inclined portion 131B.

〔抵抗体層4〕
抵抗体層4は、配線層3を構成する材料よりも抵抗率が大である材料からなる。抵抗体層4は、たとえば酸化ルテニウムなどからなる。本例の抵抗体層4の形成位置は、何ら限定されず、本例においては、図3および図6に示すように、凸部13の頂部130および第1傾斜部131B上に形成されている。抵抗体層4の厚さは、たとえば3μm以上6μm以下である。抵抗体層4の材料および厚さは限定されない。本例においては、抵抗体層4の厚さは、配線層3の厚さよりも厚い。抵抗体層4は、複数の発熱部41を有する。発熱部41の形状は何ら限定されず、たとえば副走査方向yを長手方向とする長矩形状である。抵抗体層4の形成手法は何ら限定されず、本実施形態においては、後述のように、酸化ルテニウムを含むペーストを塗布し、これを焼成することにより抵抗体膜を得る。この抵抗体膜の所定箇所を除去することにより、複数の発熱部41(第1発熱部411および第2発熱部412)を含む抵抗体層4が得られる。
[Resistance layer 4]
The resistor layer 4 is made of a material having a higher resistivity than the material constituting the wiring layer 3. The resistor layer 4 is made of, for example, ruthenium oxide. The formation position of the resistor layer 4 in this example is not limited in any way, and in this example, it is formed on the top 130 of the convex portion 13 and the first inclined portion 131B as shown in FIGS. 3 and 6. .. The thickness of the resistor layer 4 is, for example, 3 μm or more and 6 μm or less. The material and thickness of the resistor layer 4 are not limited. In this example, the thickness of the resistor layer 4 is thicker than that of the wiring layer 3. The resistor layer 4 has a plurality of heat generating portions 41. The shape of the heat generating portion 41 is not limited in any way, and is, for example, a long rectangular shape having the sub-scanning direction y as the longitudinal direction. The method for forming the resistor layer 4 is not limited in any way, and in the present embodiment, a paste containing ruthenium oxide is applied and fired to obtain a resistor film, as described later. By removing a predetermined portion of the resistor film, a resistor layer 4 including a plurality of heat generating portions 41 (first heat generating portion 411 and second heat generating portion 412) can be obtained.

複数の発熱部41は、主走査方向xにおいて互いに離間して配列されている。複数の発熱部は、第1発熱部411および第2発熱部412を含む。図示された例においては、一対の第1発熱部411が主走査方向xに離間して配置されている。また、一対の第1発熱部411を挟んで、主走査方向xの両側に一対の第2発熱部412が配置されている。これらの一対の第1発熱部411および一対の第2発熱部412の組が、主走査方向xに複数配列されている。 The plurality of heat generating portions 41 are arranged apart from each other in the main scanning direction x. The plurality of heat generating units include a first heat generating unit 411 and a second heat generating unit 412. In the illustrated example, the pair of first heat generating portions 411 are arranged apart from each other in the main scanning direction x. Further, a pair of second heat generating portions 412 are arranged on both sides of the main scanning direction x with the pair of first heat generating portions 411 interposed therebetween. A plurality of pairs of the pair of first heat generating portions 411 and the pair of second heat generating portions 412 are arranged in the main scanning direction x.

第1発熱部411は、第1帯状部342の先端部分と、中継電極33の一方の先端部分とのそれぞれに重なっている。すなわち、第1発熱部411は、基板1(絶縁層19)に直接接する部分と、厚さ方向zにおいて基板1とは反対側から第1帯状部342および中継電極33に重なる部分とを有する。したがって、第1発熱部411の副走査方向yに沿う寸法は、第1帯状部342の先端と中継電極33の先端との間の距離よりも大きい。 The first heat generating portion 411 overlaps each of the tip portion of the first band-shaped portion 342 and one tip portion of the relay electrode 33. That is, the first heat generating portion 411 has a portion that is in direct contact with the substrate 1 (insulating layer 19) and a portion that overlaps the first band-shaped portion 342 and the relay electrode 33 from the side opposite to the substrate 1 in the thickness direction z. Therefore, the dimension of the first heat generating portion 411 along the sub-scanning direction y is larger than the distance between the tip of the first band-shaped portion 342 and the tip of the relay electrode 33.

第2発熱部412は、第2帯状部345の先端部分と、中継電極33の他方の先端部分とのそれぞれに重なっている。すなわち、第2発熱部412は、基板1(絶縁層19)に直接接する部分と、厚さ方向zにおいて基板1とは反対側から第2帯状部345および中継電極33に重なる部分とを有する。したがって、第2発熱部412の副走査方向yに沿う寸法は、第2帯状部345の先端と中継電極33の先端との間の距離よりも大きい。 The second heat generating portion 412 overlaps the tip portion of the second band-shaped portion 345 and the other tip portion of the relay electrode 33, respectively. That is, the second heat generating portion 412 has a portion that is in direct contact with the substrate 1 (insulating layer 19) and a portion that overlaps the second band-shaped portion 345 and the relay electrode 33 from the side opposite to the substrate 1 in the thickness direction z. Therefore, the dimension of the second heat generating portion 412 along the sub-scanning direction y is larger than the distance between the tip of the second band-shaped portion 345 and the tip of the relay electrode 33.

いずれかの個別電極32が通電されると、第2帯状部345、第2発熱部412、中継電極33、第1発熱部411および第1帯状部342からなる導通経路に電流が流れる。これにより、互いに隣り合う第1発熱部411と第2発熱部412とが発熱する。すなわち、本実施形態のサーマルプリントヘッドA1においては、隣り合う1つの第1発熱部411と1つの第2発熱部412とによって、1つの印刷ドット(印刷対象物の上に形成された1つの点)が構成される。図3を参照して説明すれば、たとえば、左から4番目の第1発熱部411と左から3番目の第2発熱部412とによって、1つの印刷ドットが構成される。 When any of the individual electrodes 32 is energized, a current flows through the conduction path including the second band-shaped portion 345, the second heat generating portion 412, the relay electrode 33, the first heat generating portion 411, and the first band-shaped portion 342. As a result, the first heat generating unit 411 and the second heat generating unit 412, which are adjacent to each other, generate heat. That is, in the thermal print head A1 of the present embodiment, one printing dot (one point formed on the object to be printed) is formed by one adjacent first heat generating unit 411 and one second heat generating unit 412. ) Is configured. For example, the first heat-generating unit 411, which is the fourth from the left, and the second heat-generating unit 412, which is the third from the left, constitute one print dot.

〔保護層2〕
保護層2は、配線層3および抵抗体層4を覆っており、配線層3および抵抗体層4を保護している。保護層2は、絶縁性材料からなる。この絶縁性材料としては、たとえばSiN(窒化ケイ素)が採用されるが、SiNの代わりに、SiO2(酸化ケイ素)、SiC(炭化ケイ素)、AlN(窒化アルミニウム)などが採用されてもよい。保護層2は、先述の絶縁性材料を含む単層または複数層によって構成される。保護層2の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げると1.0μm以上10μm以下である。
[Protective layer 2]
The protective layer 2 covers the wiring layer 3 and the resistor layer 4, and protects the wiring layer 3 and the resistor layer 4. The protective layer 2 is made of an insulating material. As the insulating material, for example, SiN (silicon nitride) is adopted, but SiO 2 (silicon oxide), SiC (silicon carbide), AlN (aluminum nitride) and the like may be adopted instead of SiN. The protective layer 2 is composed of a single layer or a plurality of layers including the above-mentioned insulating material. The thickness of the protective layer 2 is not particularly limited, and one example thereof is 1.0 μm or more and 10 μm or less.

保護層2は、図5に示すように、複数のパッド用開口21を有する。各パッド用開口21は、保護層2を厚さ方向zに貫通する。複数のパッド用開口21はそれぞれ、各個別電極32の個別パッド321を露出させている。図示された例示と異なり、複数のパッド用開口21に導電性材料を充填させてもよい。この場合、この導電性材料上にめっき層を形成してもよい。このめっき層の構成は特に限定されないが、一例を挙げると、導電性材料の表面からNi、Pd(パラジウム)、Auの順に積層されている。 As shown in FIG. 5, the protective layer 2 has a plurality of pad openings 21. Each pad opening 21 penetrates the protective layer 2 in the thickness direction z. Each of the plurality of pad openings 21 exposes the individual pads 321 of the individual electrodes 32. Unlike the illustrated illustration, the plurality of pad openings 21 may be filled with a conductive material. In this case, a plating layer may be formed on this conductive material. The structure of this plating layer is not particularly limited, but to give an example, Ni, Pd (palladium), and Au are laminated in this order from the surface of the conductive material.

〔接続基板5〕
接続基板5は、図1および図4に示すように、基板1に対して副走査方向y上流側に配置されている。接続基板5は、たとえばPCB基板であり、ドライバIC7や後述のコネクタ59が搭載される。接続基板5の形状などは特に限定されないが、本実施形態においては、主走査方向xを長手方向とする矩形状である。接続基板5は、主面51および裏面52を有する。主面51は、基材10の主面11と同じ側を向く面であり、裏面52は、基材10の裏面12と同じ側を向く面である。本実施形態においては、主面51は、主面11よりも厚さ方向z図中下方に位置する。
[Connection board 5]
As shown in FIGS. 1 and 4, the connection substrate 5 is arranged on the side upstream of the sub-scanning direction y with respect to the substrate 1. The connection board 5 is, for example, a PCB board on which a driver IC 7 and a connector 59 described later are mounted. The shape of the connection substrate 5 is not particularly limited, but in the present embodiment, it is a rectangular shape having the main scanning direction x as the longitudinal direction. The connection board 5 has a main surface 51 and a back surface 52. The main surface 51 is a surface facing the same side as the main surface 11 of the base material 10, and the back surface 52 is a surface facing the same side as the back surface 12 of the base material 10. In the present embodiment, the main surface 51 is located below the main surface 11 in the thickness direction z figure.

接続基板5には、コネクタ59が取り付けられている。コネクタ59は、サーマルプリントヘッドA1をサーマルプリンタPrが有する制御部(図示略)に接続するために用いられる。コネクタ59は、接続基板5の配線パターン(図示略)に接続されている。 A connector 59 is attached to the connection board 5. The connector 59 is used to connect the thermal print head A1 to a control unit (not shown) included in the thermal printer Pr. The connector 59 is connected to a wiring pattern (not shown) of the connection board 5.

〔ドライバIC7〕
ドライバIC7は、接続基板5の主面51に搭載されており、複数の発熱部41に個別に通電させるためのものである。複数のドライバIC7は、複数のワイヤ61によって複数の個別電極32に接続されている。複数のドライバIC7による複数の発熱部41への通電制御は、接続基板5を介してサーマルプリントヘッドA1外から入力される指令信号に従う。複数のドライバIC7は、複数のワイヤ62によって接続基板5の配線パターン(図示略)に接続されている。複数のドライバIC7は、複数の発熱部41の個数に応じて、適宜設けられている。
[Driver IC7]
The driver IC 7 is mounted on the main surface 51 of the connection board 5, and is for energizing a plurality of heat generating portions 41 individually. The plurality of driver ICs 7 are connected to the plurality of individual electrodes 32 by the plurality of wires 61. The energization control of the plurality of heat generating portions 41 by the plurality of driver ICs 7 follows a command signal input from the outside of the thermal print head A1 via the connection board 5. The plurality of driver ICs 7 are connected to the wiring pattern (not shown) of the connection board 5 by the plurality of wires 62. The plurality of driver ICs 7 are appropriately provided according to the number of the plurality of heat generating portions 41.

〔保護樹脂78〕
保護樹脂78は、複数のドライバIC7、複数のワイヤ61および複数のワイヤ62を覆っている。保護樹脂78は、たとえばエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂からなりたとえば黒色である。保護樹脂78は、基板1と接続基板5とに跨るように形成されている。
[Protective resin 78]
The protective resin 78 covers a plurality of driver ICs 7, a plurality of wires 61, and a plurality of wires 62. The protective resin 78 is made of an insulating resin such as an epoxy resin and is, for example, black. The protective resin 78 is formed so as to straddle the substrate 1 and the connection substrate 5.

〔放熱部材8〕
放熱部材8は、基板1および接続基板5を支持しており、複数の発熱部41によって生じた熱の一部を、基板1の基材10を介して外部へと放熱するためのものである。放熱部材8は、たとえばAl等の金属からなるブロック状の部材である。放熱部材8は、第1支持面81および第2支持面82を有する。第1支持面81および第2支持面82は、各々が厚さ方向z上側を向いており、副走査方向yに並んで配置されている。第1支持面81には、基材10の裏面12が接合されている。第2支持面82には、接続基板5の裏面52が接合されている。
[Heat dissipation member 8]
The heat radiating member 8 supports the substrate 1 and the connecting substrate 5, and is for radiating a part of the heat generated by the plurality of heat generating portions 41 to the outside through the base material 10 of the substrate 1. .. The heat radiating member 8 is a block-shaped member made of a metal such as Al. The heat radiating member 8 has a first support surface 81 and a second support surface 82. The first support surface 81 and the second support surface 82 each face the upper side in the thickness direction z, and are arranged side by side in the sub-scanning direction y. The back surface 12 of the base material 10 is bonded to the first support surface 81. The back surface 52 of the connection substrate 5 is joined to the second support surface 82.

次に、サーマルプリントヘッドA1の製造方法の一例について、図7~図19を参照して、以下に説明する。 Next, an example of a method for manufacturing the thermal print head A1 will be described below with reference to FIGS. 7 to 19.

図7は、サーマルプリントヘッドA1の製造方法の一例を示すフローチャートである。同図に示すように、本実施形態のサーマルプリントヘッドA1の製造方法は、基板準備工程、配線層形成工程、抵抗体層形成工程および保護層形成工程を備える。 FIG. 7 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing the thermal print head A1. As shown in the figure, the method for manufacturing the thermal printhead A1 of the present embodiment includes a substrate preparation step, a wiring layer forming step, a resistor layer forming step, and a protective layer forming step.

〔基板準備工程〕
まず、図8に示すように、基板材料1Kを用意する。基板材料1Kは、単結晶半導体からなり、たとえば、ほぼ円形のSiウェハの一部分である。1枚のSiウェハは複数の基板材料1Kを含む。以下の図では、Siウェハの一部分であって1個のサーマルプリントヘッドA1に対応する1個の基板材料1K(基材10)を対象にして図示する場合がある。基板材料1Kの厚さ(言い換えればSiウェハの厚さ)は特に限定されないが、本実施形態においては、たとえば725μm程度である。基板材料1Kは、互いに反対側を向く主面11Kおよび裏面12Kを有する。主面11Kは、(100)面である。
[Board preparation process]
First, as shown in FIG. 8, the substrate material 1K is prepared. The substrate material 1K is made of a single crystal semiconductor and is, for example, a part of a substantially circular Si wafer. One Si wafer contains a plurality of substrate materials 1K. In the figure below, one substrate material 1K (base material 10), which is a part of a Si wafer and corresponds to one thermal printhead A1, may be shown as a target. The thickness of the substrate material 1K (in other words, the thickness of the Si wafer) is not particularly limited, but in the present embodiment, it is, for example, about 725 μm. The substrate material 1K has a main surface 11K and a back surface 12K facing opposite sides. The main surface 11K is the (100) surface.

次いで、主面11Kを所定のマスク層で覆った後、たとえばKOHを用いた異方性エッチングを行う。その後にマスク層を除去する。これにより、図9に示すように、基板材料1Kには、凸部13Kが形成される。凸部13Kは、主面11Kから突出しており、主走査方向xに長く延びている。凸部13Kは、頂部130Kおよび一対の傾斜部132Kを有する。頂部130Kは、主面11Kと平行な面であり、主面11Kと同じ(100)面である。一対の傾斜部132Kは、頂部130Kの副走査方向y両側に位置しており、頂部130Kと主面11Kとの間に介在している。一対の傾斜部132Kはそれぞれ、頂部130Kおよび主面11Kに対して傾斜した平面である。一対の傾斜部132Kのそれぞれと、主面11Kおよび頂部130Kとがなす角度は、54.7度である。 Next, after covering the main surface 11K with a predetermined mask layer, anisotropic etching using, for example, KOH is performed. Then the mask layer is removed. As a result, as shown in FIG. 9, a convex portion 13K is formed on the substrate material 1K. The convex portion 13K protrudes from the main surface 11K and extends long in the main scanning direction x. The convex portion 13K has a top portion 130K and a pair of inclined portions 132K. The top 130K is a plane parallel to the main surface 11K and is the same (100) plane as the main surface 11K. The pair of inclined portions 132K are located on both sides of the top portion 130K in the sub-scanning direction y, and are interposed between the top portion 130K and the main surface 11K. The pair of inclined portions 132K are planes inclined with respect to the top portion 130K and the main surface 11K, respectively. The angle between each of the pair of inclined portions 132K and the main surface 11K and the top portion 130K is 54.7 degrees.

次いで、前記マスク層を除去した後に、たとえばTMAH(水酸化トリメチルアンモニウム)を用いた異方性エッチングを行う。これにより、基板材料1Kが、図10に示すように、主面11、裏面12および凸部13を有する基材10となる。凸部13は、頂部130、一対の第1傾斜部131A,131Bおよび一対の第2傾斜部132A,132Bを有する。頂部130は、頂部130Kであった部分であり、一対の第2傾斜部132A,132Bは、一対の傾斜部132Kであった部分である。一対の第1傾斜部131A,131Bは、頂部130Kと一対の傾斜部132Kとの境界がTMAHによりエッチングされた部分である。主面11に対する各第1傾斜部131A,131Bの角度α1(図6および図10参照)は、30.1度であり、主面11に対する各第2傾斜部132A,132Bの角度α2(図6および図10参照)は、54.7度である。 Then, after removing the mask layer, anisotropic etching using, for example, TMAH (trimethylammonium hydroxide) is performed. As a result, the substrate material 1K becomes the substrate 10 having the main surface 11, the back surface 12, and the convex portion 13, as shown in FIG. The convex portion 13 has a top portion 130, a pair of first inclined portions 131A and 131B, and a pair of second inclined portions 132A and 132B. The top portion 130 is a portion that was the top portion 130K, and the pair of second inclined portions 132A and 132B is a portion that was the pair of inclined portions 132K. The pair of first inclined portions 131A and 131B is a portion where the boundary between the top portion 130K and the pair of inclined portions 132K is etched by TMAH. The angle α1 of the first inclined portions 131A and 131B with respect to the main surface 11 (see FIGS. 6 and 10) is 30.1 degrees, and the angle α2 of the second inclined portions 132A and 132B with respect to the main surface 11 (FIG. 6). And see FIG. 10) is 54.7 degrees.

次いで、図11に示すように、絶縁層19を形成する。絶縁層19の形成は、たとえばCVDを用いて、TEOS(オルトケイ酸テトラエチル)を原料ガスとして形成されるSiO2を基材10に堆積させることによって行う。絶縁層19の形成方法は、これに限定されない。以上の工程により、基材10および絶縁層19を有する基板1が得られる。 Next, as shown in FIG. 11, the insulating layer 19 is formed. The insulating layer 19 is formed by depositing SiO 2 formed using TEOS (tetraethyl orthosilicate) as a raw material gas on the base material 10, for example, by using CVD. The method for forming the insulating layer 19 is not limited to this. By the above steps, the substrate 1 having the base material 10 and the insulating layer 19 is obtained.

〔配線層形成工程〕
配線層形成工程は、導電膜形成処理および導電膜パターニング処理を有する。
[Wiring layer forming process]
The wiring layer forming step includes a conductive film forming process and a conductive film patterning process.

(導電膜形成処理)
次いで、図12および図13に示すように、導電膜3Kを形成する。導電膜3Kを形成する工程では、たとえば、上述した下層および上層を順に形成する。下層を形成する工程では、たとえば、スパッタリングによって基板1の絶縁層19上に、Tiの薄膜を形成する。このとき、下層は、基板1の略全面を覆っている。上層を形成する工程では、たとえば、めっきやスパッタリングなどによって下層上に、Cuからなる層を形成する。このとき、上層は、下層の略全面を覆っている。
(Condensate forming process)
Then, as shown in FIGS. 12 and 13, a conductive film 3K is formed. In the step of forming the conductive film 3K, for example, the above-mentioned lower layer and upper layer are formed in order. In the step of forming the lower layer, for example, a thin film of Ti is formed on the insulating layer 19 of the substrate 1 by sputtering. At this time, the lower layer covers substantially the entire surface of the substrate 1. In the step of forming the upper layer, for example, a layer made of Cu is formed on the lower layer by plating, sputtering, or the like. At this time, the upper layer covers almost the entire surface of the lower layer.

(導電膜パターニング処理)
次いで、導電膜3Kを部分的に除去する導電膜パターニング処理を行う。導電膜パターニング処理は、たとえばフォトリソグラフィの手法を用いたマスク作成と、当該マスクを用いたエッチングにより行う。これにより、図14および図15に示すように、複数の共通電極31、複数の個別電極32および複数の中継電極33を有する配線層3が得られる。
(Membrane patterning process)
Next, a conductive film patterning process for partially removing the conductive film 3K is performed. The conductive film patterning process is performed, for example, by creating a mask using a photolithography technique and etching using the mask. As a result, as shown in FIGS. 14 and 15, a wiring layer 3 having a plurality of common electrodes 31, a plurality of individual electrodes 32, and a plurality of relay electrodes 33 is obtained.

〔抵抗体層形成工程〕
抵抗体層形成工程は、抵抗体ペースト塗布処理、抵抗体ペースト焼成処理および抵抗体膜除去処理を有する。
[Resistance layer forming step]
The resistor layer forming step includes a resistor paste coating process, a resistor paste firing process, and a resistor film removing process.

(抵抗体ペースト塗布処理)
図16および図17に示すように、酸化ルテニウムを含む抵抗体ペーストを、厚膜印刷等によって、基板1上に塗布する。この際、抵抗体ペーストを主走査方向xに延びる帯状に塗布する。また、第1帯状部342および第2帯状部345の副走査方向y下流側の先端部分と中継電極33の副走査方向y上流側の先端部分とに重なるように、抵抗体ペーストを塗布する。帯状の抵抗体ペーストの副走査方向yにおける寸法は、第1帯状部342および第2帯状部345と中継電極33との副走査方向yにおける距離よりも大きい。なお、ディスペンサを使用して、抵抗体ペーストを基板1上に吐出してもよい。
(Resistance paste application treatment)
As shown in FIGS. 16 and 17, a resistor paste containing ruthenium oxide is applied onto the substrate 1 by thick film printing or the like. At this time, the resistor paste is applied in a band shape extending in the main scanning direction x. Further, the resistor paste is applied so as to overlap the tip portion of the first strip-shaped portion 342 and the second strip-shaped portion 345 on the downstream side of the sub-scanning direction y and the tip portion of the relay electrode 33 on the upstream side of the sub-scanning direction y. The dimension of the band-shaped resistor paste in the sub-scanning direction y is larger than the distance between the first band-shaped portion 342 and the second band-shaped portion 345 and the relay electrode 33 in the sub-scanning direction y. The resistor paste may be discharged onto the substrate 1 using a dispenser.

(抵抗体ペースト焼成処理)
次いで、抵抗体ペーストを乾燥させた後に、抵抗体ペーストを焼成することによって固化する。これにより、図16および図17に示す固化された抵抗体膜4Kが得られる。抵抗体膜4Kは、凸部13の頂部130および第1傾斜部131B上に位置しており、複数の共通電極31の第1帯状部342、複数の個別電極32の第2帯状部345および複数の中継電極33の一部ずつと重なっている。
(Resistance paste firing process)
The resistor paste is then dried and then solidified by firing the resistor paste. This gives the solidified resistor film 4K shown in FIGS. 16 and 17. The resistor film 4K is located on the top 130 and the first inclined portion 131B of the convex portion 13, and has the first band-shaped portion 342 of the plurality of common electrodes 31 and the second band-shaped portion 345 and the plurality of individual electrodes 32. It overlaps with each part of the relay electrode 33 of.

(抵抗体膜除去処理)
次いで、固化された抵抗体膜40の一部を除去する。この除去処理においては、図16に示すように、抵抗体膜4Kに複数の除去領域49Kを設定し、これらの除去領域49Kを除去する。除去領域49Kは、主走査方向xにおいて隣り合う第1帯状部342同士の間、または第1帯状部342と第2帯状部345との間に位置し、副走査方向yに長く延びる細長い帯状または線状の領域である。また、除去領域49Kは、主走査方向xにおいて隣り合う中継電極33同士の間、または中継電極33の副走査方向y上流側の一対の先端の間に位置する。なお、除去領域49Kの設定は、除去処理を行うための製造条件によって設定され、必ずしも抵抗体膜4Kに視認可能な印を付したり、特徴的な幾何的形状を形成したり、治具等を配置することを意味するものではない。上述したように、抵抗体膜40の一部を除去する処理を行うタイミングは、抵抗体ペーストを焼成することによって固化した後である。このことは他の実施形態においても同様である。
(Resistance film removal treatment)
Then, a part of the solidified resistor film 40 is removed. In this removal process, as shown in FIG. 16, a plurality of removal regions 49K are set in the resistor film 4K, and these removal regions 49K are removed. The removal region 49K is located between the adjacent first band-shaped portions 342 in the main scanning direction x, or between the first band-shaped portion 342 and the second band-shaped portion 345, and is an elongated band-shaped or elongated band extending in the sub-scanning direction y. It is a linear area. Further, the removal region 49K is located between adjacent relay electrodes 33 in the main scanning direction x, or between a pair of tips on the upstream side of the sub scanning direction y of the relay electrodes 33. The removal area 49K is set according to the manufacturing conditions for performing the removal process, and the resistor film 4K is not necessarily marked with a visible mark, a characteristic geometric shape is formed, a jig or the like is used. Does not mean to place. As described above, the timing for performing the process of removing a part of the resistor film 40 is after the resistor paste is solidified by firing. This also applies to other embodiments.

本実施形態においては、抵抗体膜4Kの除去領域49Kを除去する手法は、なんら限定されない。除去手法としては、レーザ光を用いた手法、砥粒を含む回転刃(ダイシングブレード)、ワイヤソーなどの切削工具を使用する切削手法等が適宜挙げられる。本実施形態においては、図18および図19に示すように、レーザ光Lを用いて複数の除去領域49Kを除去する。レーザ光Lの種類は何ら限定されず、除去領域49Kを除去可能なものであればよい。本実施形態においては、レーザ光Lとして、パルス幅がたとえば1ps程度~25ps程度のいわゆるピコ秒レーザ光を用いる。あるいは、いわゆるナノ秒レーザ光を用いてもよい。また、レーザ光Lの波長は何ら限定されず、たとえば赤外領域の波長の赤外線レーザ光を用いる。 In the present embodiment, the method for removing the removal region 49K of the resistor film 4K is not limited in any way. Examples of the removal method include a method using a laser beam, a rotary blade (dicing blade) containing abrasive grains, a cutting method using a cutting tool such as a wire saw, and the like. In this embodiment, as shown in FIGS. 18 and 19, a plurality of removal regions 49K are removed by using the laser beam L. The type of the laser beam L is not limited at all, and any laser beam L may be used as long as it can remove the removal region 49K. In the present embodiment, as the laser beam L, a so-called picosecond laser beam having a pulse width of, for example, about 1 ps to about 25 ps is used. Alternatively, so-called nanosecond laser light may be used. Further, the wavelength of the laser beam L is not limited in any way, and for example, an infrared laser beam having a wavelength in the infrared region is used.

本実施形態においては、除去領域49Kに向けて、副走査方向yに沿ってレーザ光Lを走査させる。すなわち、抵抗体層4の除去領域49Kよりも副走査方向y下流側の位置から、抵抗体層4の除去領域49Kを経由して、抵抗体層4の除去領域49Kの副走査方向y上流側の位置に向けて、副走査方向yに沿ってレーザ光Lを走査させる。これにより、抵抗体膜4Kには、副走査方向yに延びるスリットが生じ、発熱部41が順次形成される。そして、すべての除去領域49Kを除去することにより、図3に示した、複数の発熱部41を含む抵抗体層4が形成される。図3においては、レーザ光Lが照射された部分を想像線で示している。当該部分は、レーザ光Lが照射された痕跡が変色等となって、隣り合う発熱部41を区画する加工痕109として残存する場合がある。砥粒を含む回転刃などを使用して除去領域49Kを除去した場合には、抵抗体層4が除去されることによって形成された面において、砥粒に起因する加工痕109が残存する。 In the present embodiment, the laser beam L is scanned along the sub-scanning direction y toward the removal region 49K. That is, from a position downstream of the removal region 49K of the resistor layer 4 in the sub-scanning direction y, via the removal region 49K of the resistor layer 4, the sub-scanning direction y upstream side of the removal region 49K of the resistor layer 4 The laser beam L is scanned along the sub-scanning direction y toward the position of. As a result, a slit extending in the sub-scanning direction y is formed in the resistor film 4K, and the heat generating portion 41 is sequentially formed. Then, by removing all the removal regions 49K, the resistor layer 4 including the plurality of heat generating portions 41 shown in FIG. 3 is formed. In FIG. 3, a portion irradiated with the laser beam L is shown by an imaginary line. In this portion, the trace of irradiation with the laser beam L may be discolored or the like, and may remain as a processing mark 109 for partitioning the adjacent heat generating portions 41. When the removal region 49K is removed by using a rotary blade or the like containing the abrasive grains, the processing marks 109 due to the abrasive grains remain on the surface formed by removing the resistor layer 4.

なお、本開示の抵抗体膜除去処理において除去領域49Kを除去する処理は、抵抗体膜4Kを明瞭に分断して、複数の発熱部41が完全に個別の領域に形成される構成のみに限定されない。たとえば、レーザ光Lの出力設定や、抵抗体膜4Kの厚さ等の出来栄えによって、隣り合う発熱部41同士が、抵抗体層4のわずかな部分によって互いに繋がった構成が生じうる。このような構成であっても、個々の発熱部41が実質的に個別に発熱し、それぞれが個別の印刷ドットを形成可能な構成であれば、本開示における抵抗体膜除去処理によって形成されたものに含まれる。この点は、以降の実施形態においても同様である。 In the resistor film removing process of the present disclosure, the process of removing the removed region 49K is limited to a configuration in which the resistor film 4K is clearly divided and a plurality of heat generating portions 41 are completely formed in individual regions. Not done. For example, depending on the output setting of the laser beam L, the thickness of the resistor film 4K, and the like, a configuration may occur in which adjacent heat generating portions 41 are connected to each other by a small portion of the resistor layer 4. Even with such a configuration, if the individual heat generating portions 41 generate heat substantially individually and each can form individual print dots, the heat generating portions 41 are formed by the resistor film removing treatment in the present disclosure. Included in things. This point is the same in the subsequent embodiments.

〔保護層形成工程〕
次いで、保護層2を形成する。保護層2の形成は、たとえばCVDを用いて絶縁層19、配線層3および抵抗体層4上にSiNを堆積させることにより実行される。また、保護層2をエッチング等によって部分的に除去することにより、パッド用開口21を形成する。この後は、ダイシング装置などを使用して、1枚のSiウェハを複数個の基材10(図1,4,5を参照)に個片化する。
[Protective layer forming process]
Next, the protective layer 2 is formed. The formation of the protective layer 2 is performed, for example, by depositing SiN on the insulating layer 19, the wiring layer 3, and the resistor layer 4 using CVD. Further, the pad opening 21 is formed by partially removing the protective layer 2 by etching or the like. After that, one Si wafer is separated into a plurality of base materials 10 (see FIGS. 1, 4 and 5) by using a dicing device or the like.

その後に、1個の基材10に対して組立工程が行われる。放熱部材8への基材10および接続基板5の取付け、ドライバIC7の接続基板5への搭載、複数のワイヤ61および複数のワイヤ62のボンディング、および、保護樹脂78の形成などの工程を経ることにより、上述のサーマルプリントヘッドA1が得られる。 After that, an assembly process is performed on one base material 10. The process includes mounting the base material 10 and the connecting board 5 on the heat radiating member 8, mounting the driver IC 7 on the connecting board 5, bonding the plurality of wires 61 and the plurality of wires 62, and forming the protective resin 78. The above-mentioned thermal print head A1 is obtained.

本実施形態においては、1つの印刷ドットを構成する隣り合う1つの第1発熱部411および1つの第2発熱部412(たとえば、図3では左から4番目の第1発熱部411と左から3番目の第2発熱部412)の境界においても、除去領域49Kを設定して抵抗体層4を除去する。これに限らず、上述した境界に除去領域49Kを設定しなくてもよい。これにより、その境界に抵抗体層4が残る。したがって、隣り合う1つの第1発熱部411と1つの第2発熱部412とがつながった横長で1個の矩形の領域が、1つの印刷ドットを構成する。この横長で1個の矩形の領域が発熱する際に、その領域の中心部における温度が上昇する場合がある。上昇した温度が1つの印刷ドットの形状に悪影響を与えなければ、隣り合う1つの第1発熱部411と1つの第2発熱部412とがつながった構成を採用できる。この場合には、除去領域49Kを除去する処理の時間が半減するので、サーマルプリントヘッドA1を製造する工数を削減できる。 In the present embodiment, one adjacent first heat-generating unit 411 and one second heat-generating unit 412 (for example, the fourth heat-generating unit 411 from the left and 3 from the left in FIG. 3) constituting one printing dot are adjacent to each other. Also at the boundary of the second second heat generating portion 412), the removal region 49K is set to remove the resistor layer 4. Not limited to this, it is not necessary to set the removal area 49K at the above-mentioned boundary. As a result, the resistor layer 4 remains at the boundary. Therefore, one horizontally long rectangular area in which one adjacent first heat generating unit 411 and one second heat generating unit 412 are connected constitutes one print dot. When this horizontally long rectangular region generates heat, the temperature at the center of the region may rise. If the increased temperature does not adversely affect the shape of one print dot, a configuration in which one adjacent first heat generating unit 411 and one second heat generating unit 412 are connected can be adopted. In this case, since the processing time for removing the removal area 49K is halved, the man-hours for manufacturing the thermal print head A1 can be reduced.

次に、サーマルプリントヘッドA1およびサーマルプリントヘッドA1の製造方法の作用について説明する。 Next, the operation of the thermal print head A1 and the method of manufacturing the thermal print head A1 will be described.

サーマルプリントヘッドA1は、配線層3の全体が基板1の絶縁層19に直接接している。この配線層3は、たとえばスパッタリングやCVD等の薄膜形成手法によって形成されている。一方、抵抗体層4は、配線層3の一部と重なる構成であり、スパッタリングやCVD等の薄膜形成手法によって形成されることが必須ではない。そして、本実施形態においては、抵抗体層4は、抵抗体ペーストを塗布し、これを焼成することによって抵抗体膜を得る。そして、この抵抗体膜を部分的に除去することにより、複数の発熱部41が形成されている。このため、第1に、薄膜形成手法によって基板1の全面において基板1と配線層3との間に介在する抵抗体層4を形成する場合と比べて、抵抗体層4をより容易に形成可能である。第2に、フォトリソグラフィ技術を適用することによって抵抗体パターンを形成する場合と比べて、複数の発熱部41をより容易に形成可能である。したがって、サーマルプリントヘッドA1をより容易に製造することができる。 In the thermal print head A1, the entire wiring layer 3 is in direct contact with the insulating layer 19 of the substrate 1. The wiring layer 3 is formed by a thin film forming method such as sputtering or CVD. On the other hand, the resistor layer 4 has a structure that overlaps with a part of the wiring layer 3, and is not essential to be formed by a thin film forming method such as sputtering or CVD. Then, in the present embodiment, the resistor layer 4 is coated with a resistor paste and fired to obtain a resistor film. Then, by partially removing the resistor film, a plurality of heat generating portions 41 are formed. Therefore, first, the resistor layer 4 can be formed more easily than the case where the resistor layer 4 interposed between the substrate 1 and the wiring layer 3 is formed on the entire surface of the substrate 1 by the thin film forming method. Is. Secondly, it is possible to more easily form the plurality of heat generating portions 41 as compared with the case where the resistor pattern is formed by applying the photolithography technique. Therefore, the thermal print head A1 can be manufactured more easily.

図3に示すように、隣接する第1発熱部411と第2発熱部412とによって1つの印刷ドットが構成される。第1に、1つの印刷ドットの副走査方向yに沿う寸法ydは、印刷された抵抗体の幅(副走査方向yに沿う寸法)によって決まるのではなくて、第2帯状部345の先端と中継電極33の先端との間の距離によって規定される。この距離は、導電膜3Kをエッチングすることによって決定される(図3および図14参照)。この距離に相当する抵抗体の領域に電流が流れることによって、その抵抗体の領域が発熱する。したがって、エッチングによって高精度でこの距離が得られるので、1つの印刷ドットの寸法ydが抵抗体の幅によって決まる場合(図24参照)に比較して、寸法ydの精度を向上させることができる。 As shown in FIG. 3, one print dot is formed by the adjacent first heat generating unit 411 and the second heat generating unit 412. First, the dimension yd of one print dot along the sub-scanning direction y is not determined by the width of the printed resistor (dimension along the sub-scanning direction y), but with the tip of the second band-shaped portion 345. It is defined by the distance from the tip of the relay electrode 33. This distance is determined by etching the conductive film 3K (see FIGS. 3 and 14). When a current flows through the region of the resistor corresponding to this distance, the region of the resistor generates heat. Therefore, since this distance can be obtained with high accuracy by etching, the accuracy of the dimension yd can be improved as compared with the case where the dimension yd of one print dot is determined by the width of the resistor (see FIG. 24).

第2に、1つの印刷ドットの主走査方向xに沿う寸法xdは、ドットピッチ(隣接するドット同士の中心間距離)から、1個の加工痕109の主走査方向xに沿う寸法(1個の加工痕109の幅)を差し引いた長さによって規定される。この長さは、レーザ光Lまたは切削工具による1個の加工痕109の幅(主走査方向xに沿う寸法)によって決定される。したがって、高精度でこの長さが得られるので、1つの印刷ドットの寸法xdの精度が向上する。さらに、1個の加工痕109の幅の部分には抵抗体層4が存在しないので、1ドットに相当する発熱体からx方向の両側に熱が伝わりにくくなる。これらにより、サーマルプリントヘッドA1によって形成される印刷ドットの寸法および形状の均一化が可能であり、良好な印字品質を実現するサーマルプリントヘッドA1が得られる。 Second, the dimension xd along the main scanning direction x of one print dot is the dimension (one) along the main scanning direction x of one processing mark 109 from the dot pitch (distance between the centers of adjacent dots). It is defined by the length obtained by subtracting the width of the machined mark 109). This length is determined by the width (dimension along the main scanning direction x) of one machining mark 109 by the laser beam L or the cutting tool. Therefore, since this length can be obtained with high accuracy, the accuracy of the dimension xd of one print dot is improved. Further, since the resistor layer 4 does not exist in the width portion of one processing mark 109, it becomes difficult for heat to be transferred from the heating element corresponding to one dot to both sides in the x direction. As a result, the dimensions and shape of the print dots formed by the thermal print head A1 can be made uniform, and the thermal print head A1 that realizes good print quality can be obtained.

図16に示すように、主走査方向xに延びる帯状の抵抗体膜4Kを形成した後に、図18および図19に示すように、この抵抗体膜4Kの複数の除去領域49Kを除去することにより、複数の発熱部41を形成する。この手法は、たとえば、抵抗体ペーストを、複数の発熱部41に対応する大きさ、形状および個数の複数の小領域に塗布する場合と比べて、製造効率を高めることができる。 As shown in FIG. 16, after forming a band-shaped resistor film 4K extending in the main scanning direction x, as shown in FIGS. 18 and 19, by removing a plurality of removal regions 49K of the resistor film 4K. , A plurality of heat generating portions 41 are formed. In this method, for example, the manufacturing efficiency can be improved as compared with the case where the resistor paste is applied to a plurality of small regions having a size, shape and number corresponding to the plurality of heat generating portions 41.

図18および図19に示す抵抗体膜除去処理において、レーザ光Lを用いることにより、より正確に除去領域49Kを除去することができる。また、レーザ光Lを用いれば、様々な形状の除去領域49Kを除去することができる。さらに、レーザ光Lとして、パルス幅がたとえば1ps程度~25ps程度のピコ秒レーザを用いれば、よりシャープな外形の発熱部41を形成することができる。 In the resistor film removing process shown in FIGS. 18 and 19, the removal region 49K can be removed more accurately by using the laser beam L. Further, if the laser beam L is used, the removal region 49K having various shapes can be removed. Further, if a picosecond laser having a pulse width of, for example, about 1 ps to about 25 ps is used as the laser beam L, a heat generating portion 41 having a sharper outer shape can be formed.

サーマルプリントヘッドA1では、複数の発熱部41が、凸部13の頂部130および第1傾斜部131B上に配置されている。これにより、プラテンローラ91の各発熱部41に対する接触位置を通る半径910(図4参照)を凸部13に対して副走査方向y下流側に偏らせた場合でも、良好な印字品質が得られる。このような配置は、プラテンローラ91と後述の保護樹脂78との干渉を回避するのに有利であり、基板1の副走査方向yを縮小することができる。 In the thermal print head A1, a plurality of heat generating portions 41 are arranged on the top portion 130 of the convex portion 13 and the first inclined portion 131B. As a result, good print quality can be obtained even when the radius 910 (see FIG. 4) passing through the contact position of the platen roller 91 with respect to each heat generating portion 41 is biased to the downstream side in the sub-scanning direction with respect to the convex portion 13. .. Such an arrangement is advantageous in avoiding interference between the platen roller 91 and the protective resin 78 described later, and the sub-scanning direction y of the substrate 1 can be reduced.

図20~図27は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。 20-27 show other embodiments of the present disclosure. In these figures, the same or similar elements as those in the above embodiment are designated by the same reference numerals as those in the above embodiment.

<第1実施形態 第1変形例>
図20は、サーマルプリントヘッドA1の第1変形例を示している。本例のサーマルプリントヘッドA11は、配線層3および抵抗体層4の形成位置が、上述したサーマルプリントヘッドA1と異なっている。
<1st Embodiment 1st modification>
FIG. 20 shows a first modification of the thermal print head A1. In the thermal print head A11 of this example, the formation positions of the wiring layer 3 and the resistor layer 4 are different from those of the thermal print head A1 described above.

本例においては、抵抗体層4(複数の発熱部41)は、凸部13の頂部130上に形成されている。第1帯状部342および第2帯状部345の先端は、頂部130上に位置している。また、中継電極33の副走査方向y上流側の先端は、頂部130上に位置している。 In this example, the resistor layer 4 (plurality of heat generating portions 41) is formed on the top 130 of the convex portion 13. The tips of the first strip 342 and the second strip 345 are located on the apex 130. Further, the tip of the relay electrode 33 on the upstream side in the sub-scanning direction y is located on the top 130.

本変形例によっても、サーマルプリントヘッドA11をより容易に製造することができる。また、本変形例から理解されるように、配線層3および抵抗体層4の厚さ方向zに沿って視た配置は、何ら限定されない。 The thermal print head A11 can be manufactured more easily by this modification as well. Further, as can be understood from this modification, the arrangement of the wiring layer 3 and the resistor layer 4 as viewed along the thickness direction z is not limited in any way.

<第1実施形態 第2変形例>
図21および図22は、サーマルプリントヘッドA1の第2変形例を示している。本変形例のサーマルプリントヘッドA12は、基材10が、端面15を有している。端面15は、副走査方向yの下流側を向く面である。また、凸部13は、端面15に接している。すなわち、主面11は、凸部13に対して副走査方向y上流側にのみ存在し、凸部13に対して副走査方向y下流側に位置する部分を有していない。
<First Embodiment Second Modification Example>
21 and 22 show a second modification of the thermal print head A1. In the thermal print head A12 of this modification, the base material 10 has an end face 15. The end surface 15 is a surface facing the downstream side in the sub-scanning direction y. Further, the convex portion 13 is in contact with the end face 15. That is, the main surface 11 exists only on the sub-scanning direction y upstream side with respect to the convex portion 13, and does not have a portion located on the sub-scanning direction y downstream side with respect to the convex portion 13.

中継電極33は、第1傾斜部131Bおよび第2傾斜部132B上に形成されている。中継電極33は、凸部13からはみ出した部分を有していない。 The relay electrode 33 is formed on the first inclined portion 131B and the second inclined portion 132B. The relay electrode 33 does not have a portion protruding from the convex portion 13.

本変形例によっても、サーマルプリントヘッドA12をより容易に製造することができる。また、主面11が、凸部13に対して副走査方向y上流側にのみ存在することにより、図4に示す印刷状態と比べて、半径910がさらに傾いた状態で、サーマルプリンタPrを設定することが可能である。これは、サーマルプリンタPrと保護樹脂78との干渉抑制に好ましい。 The thermal print head A12 can be manufactured more easily by this modification as well. Further, since the main surface 11 exists only on the side upstream of the sub-scanning direction y with respect to the convex portion 13, the thermal printer Pr is set in a state where the radius 910 is further tilted as compared with the printing state shown in FIG. It is possible to do. This is preferable for suppressing interference between the thermal printer Pr and the protective resin 78.

<第2実施形態>
図23は、本開示の第2実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドA2は、配線層3の構成が上述した実施形態と異なっている。
<Second Embodiment>
FIG. 23 shows a thermal printhead according to a second embodiment of the present disclosure. The thermal print head A2 of the present embodiment has a different configuration of the wiring layer 3 from the above-described embodiment.

本実施形態の配線層3は、共通電極31および複数の個別電極32を有する。共通電極31は、抵抗体層4の複数の発熱部41に対して、副走査方向y下流側から繋がっている。複数の個別電極32は、抵抗体層4の複数の発熱部41に対して、副走査方向y上流側から繋がっている。 The wiring layer 3 of the present embodiment has a common electrode 31 and a plurality of individual electrodes 32. The common electrode 31 is connected to the plurality of heat generating portions 41 of the resistor layer 4 from the downstream side in the sub-scanning direction y. The plurality of individual electrodes 32 are connected to the plurality of heat generating portions 41 of the resistor layer 4 from the upstream side in the sub-scanning direction y.

本実施形態の共通電極31は、連結部351および複数の第3帯状部352を有する。連結部351は、基板1の副走査方向y下流側の端縁寄りに配置されており、主走査方向xに延びる帯状である。複数の第3帯状部352は、各々が連結部351から副走査方向y上流側に延びており、主走査方向xに等ピッチで配置されている。共通電極31は、配線層3のうちコネクタ59において印字用電圧が供給されるコモンラインに導通する部位(図示略)に繋がる。当該部位は、凸部13よりも副走査方向y上流側に位置する。共通電極31と当該部位とを導通させる経路の具体的構成は、何ら限定されない。凸部13の主走査方向xの一方側または両側を迂回する経路を採用してもよい。あるいは、基材10と絶縁層19との間に設けられた導電層を導通経路として利用してもよい。 The common electrode 31 of the present embodiment has a connecting portion 351 and a plurality of third band-shaped portions 352. The connecting portion 351 is arranged near the edge of the substrate 1 on the downstream side in the sub-scanning direction y, and has a band shape extending in the main scanning direction x. Each of the plurality of third band-shaped portions 352 extends from the connecting portion 351 to the upstream side in the sub-scanning direction y, and is arranged at equal pitches in the main scanning direction x. The common electrode 31 is connected to a portion (not shown) of the wiring layer 3 that conducts to the common line to which the printing voltage is supplied in the connector 59. The portion is located on the side upstream of the convex portion 13 in the sub-scanning direction y. The specific configuration of the path for conducting the common electrode 31 and the portion concerned is not limited in any way. A path bypassing one or both sides of the main scanning direction x of the convex portion 13 may be adopted. Alternatively, a conductive layer provided between the base material 10 and the insulating layer 19 may be used as a conduction path.

複数の個別電極32は、各々が第4帯状部355を有する。第4帯状部355は、副走査方向yに沿って延びた帯状であり、共通電極31の第3帯状部352に対して副走査方向yの上流側に対向配置されている。1つの発熱部41に1つの第3帯状部352と1つの第4帯状部355とが繋がっている。 Each of the plurality of individual electrodes 32 has a fourth band-shaped portion 355. The fourth band-shaped portion 355 has a band shape extending along the sub-scanning direction y, and is arranged to face the third band-shaped portion 352 of the common electrode 31 on the upstream side in the sub-scanning direction y. One third band-shaped portion 352 and one fourth strip-shaped portion 355 are connected to one heat generating portion 41.

サーマルプリントヘッドA2の製造方法は、たとえば、上述したサーマルプリントヘッドA1の製造方法と同様である。このため、抵抗体層4(発熱部41)は、第3帯状部352の先端部分と第4帯状部355の先端部分とに重なる部分を有する。したがって、発熱部41の副走査方向yに沿う寸法は、第4帯状部355の先端と第3帯状部352の先端との間の距離よりも大きい。 The method for manufacturing the thermal printhead A2 is, for example, the same as the method for manufacturing the thermal printhead A1 described above. Therefore, the resistor layer 4 (heat generating portion 41) has a portion that overlaps the tip portion of the third strip-shaped portion 352 and the tip portion of the fourth strip-shaped portion 355. Therefore, the dimension of the heat generating portion 41 along the sub-scanning direction y is larger than the distance between the tip of the fourth strip-shaped portion 355 and the tip of the third strip-shaped portion 352.

本実施形態によっても、サーマルプリントヘッドA2をより容易に製造することができる。また、いずれかの個別電極32を通電させることにより、1つの発熱部41のみが発熱する。このため、1つの発熱部41によって1つの印刷ドットが構成される。これにより、サーマルプリントヘッドA2の高精細化を図ることができる。 Also in this embodiment, the thermal print head A2 can be manufactured more easily. Further, by energizing any of the individual electrodes 32, only one heat generating portion 41 generates heat. Therefore, one printing dot is formed by one heat generating portion 41. This makes it possible to improve the definition of the thermal print head A2.

たとえば、第1実施形態(図3参照)と本実施形態(図23参照)とを比較する。図3において、それぞれ左から4番目の第1発熱部411と3番目の第2発熱部412とによって構成される1つの印刷ドットと、左から5番目の第1発熱部411と6番目の第2発熱部412とによって構成される1つの印刷ドットとの間のドットピッチを考える。このドットピッチが84.7μmである場合は、300dpi(dots per inch)のドット密度に相当する。本実施形態によれば、図23に示す1つの発熱部41が1つの印刷ドットを構成する。図3に示す配線と図23に示す配線とが同じ配線ピッチ(隣接する配線同士の中心間距離)を有する場合には、図23に示すように、隣接する2つの発熱部41の間のピッチ(隣接する発熱部41同士の中心間距離)が42.3(≒84.7/2)μmになる。この場合は、600dpi(dots per inch)のドット密度に相当する。 For example, the first embodiment (see FIG. 3) and the present embodiment (see FIG. 23) are compared. In FIG. 3, one printing dot composed of a first heat generating unit 411 and a third heat generating unit 412, which are the fourth from the left, and a first heat generating unit 411 and a sixth, respectively, which are the fifth from the left. Consider the dot pitch between the two heat generating portions 412 and one printing dot. When this dot pitch is 84.7 μm, it corresponds to a dot density of 300 dpi (dots per inch). According to the present embodiment, one heat generating unit 41 shown in FIG. 23 constitutes one printing dot. When the wiring shown in FIG. 3 and the wiring shown in FIG. 23 have the same wiring pitch (distance between the centers of adjacent wirings), as shown in FIG. 23, the pitch between the two adjacent heat generating portions 41. (Distance between centers of adjacent heat generating portions 41) is 42.3 (≈84.7 / 2) μm. In this case, it corresponds to a dot density of 600 dpi (dots per inch).

<第3実施形態>
図24は、本開示の第3実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドA3は、配線層3および抵抗体層4の構成が、上述した実施形態と異なっている。
<Third Embodiment>
FIG. 24 shows a thermal printhead according to a third embodiment of the present disclosure. In the thermal print head A3 of the present embodiment, the configurations of the wiring layer 3 and the resistor layer 4 are different from those of the above-described embodiment.

共通電極31は、連結部361および第5帯状部362を有する。連結部361は、基板1の副走査方向y下流側の端縁寄りに配置されており、主走査方向xに延びる帯状である。複数の第5帯状部362は、各々が連結部361から副走査方向y上流側に延びており、主走査方向xに等ピッチで配置されている。本実施形態の第5帯状部362は、副走査方向y下流側から、主面11、第2傾斜部132B、第1傾斜部131B、頂部130を経て、第1傾斜部131Aに到達している。厚さ方向zに沿って視て、複数の第5帯状部362の副走査方向y上流側における先端は、抵抗体層4から突出している。 The common electrode 31 has a connecting portion 361 and a fifth band-shaped portion 362. The connecting portion 361 is arranged near the edge of the substrate 1 on the downstream side in the sub-scanning direction y, and has a band shape extending in the main scanning direction x. Each of the plurality of fifth band-shaped portions 362 extends from the connecting portion 361 to the upstream side in the sub-scanning direction y, and is arranged at equal pitches in the main scanning direction x. The fifth strip-shaped portion 362 of the present embodiment reaches the first inclined portion 131A from the secondary scanning direction y downstream side via the main surface 11, the second inclined portion 132B, the first inclined portion 131B, and the top portion 130. .. When viewed along the thickness direction z, the tips of the plurality of fifth strips 362 on the upstream side in the sub-scanning direction y project from the resistor layer 4.

複数の個別電極32は、各々が第6帯状部365を有する。第6帯状部365は、副走査方向yに沿って延びた帯状であり、主走査方向xにおいて隣り合う第5帯状部362の間に配置されている。第6帯状部365は、副走査方向y上流側から、主面11、第2傾斜部132A、第1傾斜部131A、頂部130、第1傾斜部131Bを経て、第2傾斜部132Bに到達している。厚さ方向zに沿って視て、各第6帯状部365の副走査方向y下流側における先端は、抵抗体層4から突出している。 Each of the plurality of individual electrodes 32 has a sixth band-shaped portion 365. The sixth band-shaped portion 365 is a band-shaped portion extending along the sub-scanning direction y, and is arranged between adjacent fifth band-shaped portions 362 in the main scanning direction x. The sixth strip-shaped portion 365 reaches the second inclined portion 132B from the secondary scanning direction y upstream side via the main surface 11, the second inclined portion 132A, the first inclined portion 131A, the top portion 130, and the first inclined portion 131B. ing. When viewed along the thickness direction z, the tip of each sixth band-shaped portion 365 on the downstream side in the sub-scanning direction y protrudes from the resistor layer 4.

抵抗体層4は、主走査方向xに延びる帯状であり、全体が1つの連続した領域からなる。抵抗体層4は、複数の第5帯状部362および複数の第6帯状部365に跨っており、複数の第5帯状部362および複数の第6帯状部365の一部ずつと重なっている。抵抗体層4は、上述したサーマルプリントヘッドA1の製造方法の抵抗体層形成工程の抵抗体膜除去処理を省略した製造方法によって製造される。 The resistor layer 4 has a band shape extending in the main scanning direction x, and is composed of one continuous region as a whole. The resistor layer 4 straddles the plurality of fifth strips 362 and the plurality of sixth strips 365, and overlaps with each of the plurality of fifth strips 362 and the plurality of sixth strips 365. The resistor layer 4 is manufactured by a manufacturing method that omits the resistor film removing process in the resistor layer forming step of the above-mentioned manufacturing method of the thermal print head A1.

サーマルプリントヘッドA3においては、いずれかの個別電極32が接地電極に導通されると、この個別電極32につながる1つの第6帯状部365に隣り合う2つの第5帯状部362に、連結部361から電流が流れる。このため、抵抗体層4のうち、この1つの第6帯状部365とこれに隣り合う2つの第5帯状部362とに挟まれた部分の各々が、発熱部41となっている。2つの発熱部41が、1つの印刷ドットを構成する。 In the thermal print head A3, when any of the individual electrodes 32 is conducted to the ground electrode, the connecting portion 361 is connected to the two fifth band-shaped portions 362 adjacent to the one sixth strip-shaped portion 365 connected to the individual electrode 32. Current flows from. Therefore, each of the portions of the resistor layer 4 sandwiched between the one sixth band-shaped portion 365 and the two adjacent fifth band-shaped portions 362 is the heat generating portion 41. The two heat generating portions 41 form one print dot.

本実施形態によっても、サーマルプリントヘッドA3をより容易に製造することができる。また、本実施形態の抵抗体層4は、1つの連続した領域からなり、互いに区画された複数の小領域を有さない。このため、抵抗体層形成工程において抵抗体膜除去処理を行う必要がない。これは、製造効率の向上に好ましい。 Also in this embodiment, the thermal print head A3 can be manufactured more easily. Further, the resistor layer 4 of the present embodiment is composed of one continuous region and does not have a plurality of small regions partitioned from each other. Therefore, it is not necessary to perform the resistor film removing process in the resistor layer forming step. This is preferable for improving the manufacturing efficiency.

<第3実施形態 第1変形例>
図25は、本開示の第3実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示している。本変形例のサーマルプリントヘッドA31は、配線層3および抵抗体層4の構成が、上述した実施形態と異なっている。サーマルプリントヘッドA31においては、配線層3と抵抗体層4とが重なっている部分において、配線層3と基板1(絶縁層19)との間に、抵抗体層4が介在している。すなわち、抵抗体層4は、基板1(絶縁層19)と直接接している。なお、このような変形例は、上述したサーマルプリントヘッドA1,A2にも、適宜適用可能である。
<Third Embodiment First Modification Example>
FIG. 25 shows a thermal printhead according to a third embodiment of the present disclosure. The configuration of the wiring layer 3 and the resistor layer 4 of the thermal print head A31 of this modification is different from that of the above-described embodiment. In the thermal print head A31, the resistor layer 4 is interposed between the wiring layer 3 and the substrate 1 (insulating layer 19) at the portion where the wiring layer 3 and the resistor layer 4 overlap. That is, the resistor layer 4 is in direct contact with the substrate 1 (insulating layer 19). It should be noted that such a modification can be appropriately applied to the above-mentioned thermal print heads A1 and A2.

図26は、サーマルプリントヘッドA31の製造方法の一例を示すフローチャートである。同図に示すように、本例の製造方法においては、基板準備工程、抵抗体層形成工程、配線層形成工程および保護層形成工程の順に行う。それぞれの工程で行う処理等は、上述したサーマルプリントヘッドA1の製造方法における処理と同様である。 FIG. 26 is a flowchart showing an example of a method for manufacturing the thermal print head A31. As shown in the figure, in the manufacturing method of this example, the substrate preparation step, the resistor layer forming step, the wiring layer forming step, and the protective layer forming step are performed in this order. The processing and the like performed in each step are the same as the processing in the manufacturing method of the thermal print head A1 described above.

本変形例によっても、サーマルプリントヘッドA31をより容易に製造することができる。また、本変形例から理解されるように、抵抗体層4を塗布および焼成を用いた手法によって形成することによる効果は、抵抗体層4が基板1と配線層3との間に介在する構成であっても奏することができる。 The thermal print head A31 can be manufactured more easily by this modification as well. Further, as can be understood from this modification, the effect of forming the resistor layer 4 by a method using coating and firing is such that the resistor layer 4 is interposed between the substrate 1 and the wiring layer 3. Even if it can be played.

<第4実施形態>
図27は、本開示の第4実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドA4は、基板1の構成が、上述した実施形態と異なっている。
<Fourth Embodiment>
FIG. 27 shows a thermal printhead according to a fourth embodiment of the present disclosure. In the thermal print head A4 of the present embodiment, the configuration of the substrate 1 is different from that of the above-described embodiment.

本実施形態の基板1は、基材10に凸部13が形成されていない。すなわち、基材10は、主面11から突出する部分を有していない。配線層3および抵抗体層4は、主面11上に配置されている。 In the substrate 1 of the present embodiment, the convex portion 13 is not formed on the substrate 10. That is, the base material 10 does not have a portion protruding from the main surface 11. The wiring layer 3 and the resistor layer 4 are arranged on the main surface 11.

このような実施形態によっても、サーマルプリントヘッドA4をより容易に製造することができる。また、本実施形態から理解されるように、基板1の基材10は、凸部13を有する構成に限定されない。 Even with such an embodiment, the thermal print head A4 can be manufactured more easily. Further, as understood from the present embodiment, the base material 10 of the substrate 1 is not limited to the configuration having the convex portion 13.

本開示に係るサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係るサーマルプリントヘッドおよびサーマルプリントヘッドの製造方法の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。 The thermal print head and the method for manufacturing the thermal print head according to the present disclosure are not limited to the above-described embodiment. The specific configuration of each part of the thermal print head and the method for manufacturing the thermal print head according to the present disclosure can be freely changed in design.

〔付記1〕
単結晶半導体からなる基材を含む基板と、
前記基板に支持され、かつ、主走査方向に配列された複数の発熱部を有する抵抗体層と、
前記基板に支持され、かつ、前記複数の発熱部への通電経路を構成する配線層と、
を備えており、
前記配線層は、前記基板に接しており、
前記抵抗体層は、厚さ方向において前記基板とは反対側から前記配線層に重なる部分を有する、サーマルプリントヘッド。
〔付記2〕
前記基板は、前記基材と前記配線層との間に介在する絶縁層を含む、付記1に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記3〕
前記基材は、厚さ方向を向く主面と、前記主面から突出し且つ主走査方向に延びる凸部と、を有し、
前記複数の発熱部は、前記厚さ方向に沿って視て前記凸部に重なる、付記2に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記4〕
前記凸部は、前記主面からの距離が最も大きい頂部と、副走査方向の上流側から前記頂部に繋がる上流側第1傾斜部と、副走査方向の下流側から前記頂部に繋がる下流側第1傾斜部とを含み、
前記発熱部は、前記厚さ方向に沿って視て前記頂部に重なる、付記3に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記5〕
前記凸部は、前記上流側第1傾斜部に対して副走査方向において前記頂部とは反対側に繋がる上流側第2傾斜部と、前記下流側第1傾斜部に対して副走査方向において前記頂部とは反対側に繋がる下流側第2傾斜部と、をさらに含む、付記4に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記6〕
前記複数の発熱部は、主走査方向に互いに離間して配列されており、且つ主走査方向に隣り合う一対の第1発熱部と、前記一対の第1発熱部を挟んで主走査方向両側に離間配置された一対の第2発熱部と、を含み、
前記配線層は、
各々が副走査方向に延び且つ主走査方向に離間配置された一対の第1帯状部と、前記一対の第1帯状部に対して副走査方向上流側から繋がる基部と、を有する共通電極と、
前記一対の第1帯状部を挟んで主走査方向両側に離間配置された第2帯状部を有する一対の個別電極と、
一対の中継電極と、を有し、
前記一対の第1帯状部は、前記一対の第1発熱部に副走査方向上流側から個別に繋がっており、
前記一対の個別電極の前記第2帯状部は、主走査方向において前記一対の第2発熱部に副走査方向上流側から繋がっており、
前記中継電極は、主走査方向に隣り合う前記第1発熱部と前記第2発熱部とに、副走査方向下流側から繋がっている、付記1ないし5のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記7〕
前記第1発熱部および前記第2発熱部の副走査方向の寸法は、前記第1帯状部または前記第2帯状部と前記中継電極との副走査方向の距離よりも大きい、付記6に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記8〕
前記第1発熱部および前記第2発熱部の主走査方向の寸法は、前記第1帯状部および前記第2帯状部のそれぞれの主走査方向の寸法よりも大きい、付記6または7に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記9〕
前記基板は、主走査方向において隣り合う前記発熱部同士を区画する加工痕が形成されている、付記6ないし8のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記10〕
前記配線層は、前記抵抗体層の前記複数の発熱部の各々に副走査方向の下流側から繋がる共通電極と、前記抵抗体層の前記複数の発熱部に副走査方向の上流側から個別に繋がる複数の個別電極と、を含む、付記1ないし5のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記11〕
前記複数の発熱部は、主走査方向に互いに離間して配列されており、
前記共通電極は、前記主走査方向に延びる連結部と、前記連結部から副走査方向上流側に各々が延びており且つ主走査方向に沿って互いに離間して配列された複数の第3帯状部を有し、
前記複数の個別電極の各々は、副走査方向に延びており且つ前記複数の第3帯状部に対して副走査方向上流側に各々が対向配置された複数の第4帯状部を有し、
前記複数の第3帯状部と前記複数の第4帯状部が、前記複数の発熱部に個別に繋がる、付記10に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記12〕
前記発熱部の副走査方向の寸法は、前記第3帯状部と前記第4帯状部との副走査方向の距離よりも大きい、付記11に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記13〕
前記発熱部の主走査方向の寸法は、前記第3帯状部および前記第4帯状部のそれぞれの主走査方向の寸法よりも大きい、付記11または12に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記14〕
前記基板は、主走査方向において隣り合う前記発熱部同士を区画する加工痕が形成されている、付記11ないし13のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記15〕
前記共通電極は、前記主走査方向に延びる連結部と、前記連結部から副走査方向上流側に各々が延びており且つ主走査方向に沿って互いに離間して配列された複数の第5帯状部を有し、
前記複数の個別電極の各々は、副走査方向に延びており且つ主走査方向において隣り合う前記第5帯状部の間に位置する第6帯状部を有し、
前記抵抗体層は、前記複数の第5帯状部および前記複数の第6帯状部に重なる、主走査方向に延びる帯形状であり、
前記抵抗体層のうち隣り合う前記第5帯状部に挟まれた部分が、前記発熱部を構成する、付記10に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記16〕
前記第5帯状部は、前記抵抗体層から副走査方向上流側に延出しており、
前記第6帯状部は、前記抵抗体層から副走査方向下流側に延出している、付記15に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記17〕
単結晶半導体からなる基材を含む基板を準備する工程と、
前記基板に支持された配線層を形成する工程と、
前記抵抗体層を形成する工程と、を備えており、
前記配線層を形成する工程は、スパッタリングまたはCVDを用いた導電膜形成処理を含み、
前記抵抗体層を形成する工程は、抵抗体ペーストを塗布する処理、および前記抵抗体ペーストを焼成する処理、を含む、サーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記18〕
前記抵抗体層を形成する工程は、前記配線層を形成する工程の後に行う、付記17に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記19〕
前記抵抗体層を形成する工程は、前記配線層を形成する工程の前に行う、付記17に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
〔付記20〕
前記抵抗体層を形成する工程は、前記抵抗体ペーストを焼成する処理の後に、抵抗体層を部分的に除去することにより、主走査方向に互いに離間配置された複数の発熱部を形成する処理をさらに含む、付記17ないし19のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
[Appendix 1]
A substrate containing a base material made of a single crystal semiconductor,
A resistor layer supported by the substrate and having a plurality of heat generating portions arranged in the main scanning direction,
A wiring layer that is supported by the substrate and constitutes an energization path to the plurality of heat generating portions.
Equipped with
The wiring layer is in contact with the substrate and is in contact with the substrate.
The resistor layer is a thermal print head having a portion overlapping the wiring layer from the side opposite to the substrate in the thickness direction.
[Appendix 2]
The thermal print head according to Appendix 1, wherein the substrate includes an insulating layer interposed between the base material and the wiring layer.
[Appendix 3]
The substrate has a main surface facing in the thickness direction and a convex portion protruding from the main surface and extending in the main scanning direction.
The thermal print head according to Appendix 2, wherein the plurality of heat generating portions overlap the convex portions when viewed along the thickness direction.
[Appendix 4]
The convex portion has a top portion having the largest distance from the main surface, a first inclined portion on the upstream side connecting from the upstream side in the sub-scanning direction to the top portion, and a downstream side connecting the downstream side in the sub-scanning direction to the top portion. Including 1 inclined part
The thermal print head according to Appendix 3, wherein the heat generating portion overlaps the top portion when viewed along the thickness direction.
[Appendix 5]
The convex portion is the upstream side second inclined portion connected to the side opposite to the top in the sub-scanning direction with respect to the upstream side first inclined portion, and the upstream side second inclined portion connected to the downstream side first inclined portion in the sub-scanning direction. The thermal printhead according to Appendix 4, further comprising a second sloping portion on the downstream side connected to the opposite side to the top.
[Appendix 6]
The plurality of heat generating portions are arranged so as to be separated from each other in the main scanning direction, and the pair of first heat generating portions adjacent to each other in the main scanning direction and the pair of first heat generating portions are interposed therebetween on both sides in the main scanning direction. Including a pair of second heat generating portions arranged apart from each other.
The wiring layer is
A common electrode having a pair of first band-shaped portions each extending in the sub-scanning direction and spaced apart from each other in the main scanning direction, and a base portion connected to the pair of first band-shaped portions from the upstream side in the sub-scanning direction.
A pair of individual electrodes having a second band-shaped portion spaced apart from each other on both sides in the main scanning direction with the pair of first strip-shaped portions interposed therebetween.
With a pair of relay electrodes,
The pair of first band-shaped portions are individually connected to the pair of first heat generating portions from the upstream side in the sub-scanning direction.
The second band-shaped portion of the pair of individual electrodes is connected to the pair of second heat generating portions in the main scanning direction from the upstream side in the sub-scanning direction.
The thermal print head according to any one of Supplementary note 1 to 5, wherein the relay electrode is connected to the first heat generating portion and the second heat generating portion adjacent to each other in the main scanning direction from the downstream side in the sub scanning direction.
[Appendix 7]
The dimension of the first heat generating portion and the second heat generating portion in the sub-scanning direction is larger than the distance between the first band-shaped portion or the second band-shaped portion and the relay electrode in the sub-scanning direction, according to Appendix 6. Thermal print head.
[Appendix 8]
The thermal according to Appendix 6 or 7, wherein the dimensions of the first heat generating portion and the second heat generating portion in the main scanning direction are larger than the dimensions of the first band-shaped portion and the second band-shaped portion in the main scanning direction, respectively. Print head.
[Appendix 9]
The thermal print head according to any one of Supplementary note 6 to 8, wherein the substrate is formed with processing marks for partitioning the heat generating portions adjacent to each other in the main scanning direction.
[Appendix 10]
The wiring layer has a common electrode connected to each of the plurality of heat generating portions of the resistor layer from the downstream side in the sub-scanning direction, and the plurality of heat generating portions of the resistor layer individually from the upstream side in the sub-scanning direction. The thermal printhead according to any one of Appendix 1 to 5, comprising a plurality of individual electrodes to be connected.
[Appendix 11]
The plurality of heat generating portions are arranged so as to be separated from each other in the main scanning direction.
The common electrode has a connecting portion extending in the main scanning direction and a plurality of third band-shaped portions extending from the connecting portion to the upstream side in the sub-scanning direction and arranged apart from each other along the main scanning direction. Have,
Each of the plurality of individual electrodes extends in the sub-scanning direction and has a plurality of fourth band-shaped portions each facing each other on the upstream side in the sub-scanning direction with respect to the plurality of third band-shaped portions.
The thermal print head according to Appendix 10, wherein the plurality of third strips and the plurality of fourth strips are individually connected to the plurality of heat generating portions.
[Appendix 12]
The thermal print head according to Appendix 11, wherein the dimension of the heat generating portion in the sub-scanning direction is larger than the distance between the third band-shaped portion and the fourth band-shaped portion in the sub-scanning direction.
[Appendix 13]
The thermal print head according to Appendix 11 or 12, wherein the dimension of the heat generating portion in the main scanning direction is larger than the dimension of the third band-shaped portion and the fourth strip-shaped portion in the main scanning direction, respectively.
[Appendix 14]
The thermal print head according to any one of Supplementary note 11 to 13, wherein the substrate is formed with processing marks for partitioning the heat generating portions adjacent to each other in the main scanning direction.
[Appendix 15]
The common electrode has a connecting portion extending in the main scanning direction and a plurality of fifth band-shaped portions extending from the connecting portion to the upstream side in the sub-scanning direction and arranged apart from each other along the main scanning direction. Have,
Each of the plurality of individual electrodes has a sixth band-shaped portion extending in the sub-scanning direction and located between the fifth band-shaped portions adjacent to each other in the main scanning direction.
The resistor layer has a band shape extending in the main scanning direction, overlapping the plurality of fifth band-shaped portions and the plurality of sixth band-shaped portions.
The thermal print head according to Appendix 10, wherein a portion of the resistor layer sandwiched between adjacent fifth strips constitutes the heat generating portion.
[Appendix 16]
The fifth band-shaped portion extends from the resistance layer to the upstream side in the sub-scanning direction.
The thermal print head according to Appendix 15, wherein the sixth strip extends from the resistor layer to the downstream side in the sub-scanning direction.
[Appendix 17]
The process of preparing a substrate containing a base material made of a single crystal semiconductor, and
The process of forming the wiring layer supported by the substrate and
The step of forming the resistance layer is provided.
The step of forming the wiring layer includes a conductive film forming process using sputtering or CVD.
A method for manufacturing a thermal printhead, wherein the step of forming the resistor layer includes a process of applying the resistor paste and a process of firing the resistor paste.
[Appendix 18]
The method for manufacturing a thermal print head according to Appendix 17, wherein the step of forming the resistor layer is performed after the step of forming the wiring layer.
[Appendix 19]
The method for manufacturing a thermal printhead according to Appendix 17, wherein the step of forming the resistor layer is performed before the step of forming the wiring layer.
[Appendix 20]
In the step of forming the resistor layer, after the process of firing the resistor paste, the resistor layer is partially removed to form a plurality of heat generating portions spaced apart from each other in the main scanning direction. The method for manufacturing a thermal printhead according to any one of Supplementary note 17 to 19, further comprising.

A1,A11,A12,A2,A3,A31,A4:サーマルプリントヘッド
1 :基板
1K :基板材料
2 :保護層
3 :配線層
3K :導電膜
4 :抵抗体層
4K :抵抗体膜
5 :接続基板
7 :ドライバIC
8 :放熱部材
10 :基材
11,11K:主面
12,12K:裏面
13,13K:凸部
15 :端面
19 :絶縁層
21 :パッド用開口
31 :共通電極
32 :個別電極
33 :中継電極
40 :抵抗体膜
41 :発熱部
49K :除去領域
51 :主面
52 :裏面
59 :コネクタ
61,62:ワイヤ
78 :保護樹脂
81 :第1支持面
82 :第2支持面
91 :プラテンローラ
109 :加工痕
130,130K:頂部
131A,131B:第1傾斜部
132A,132B:第2傾斜部
132K :傾斜部
321 :個別パッド
341 :基部
342 :第1帯状部
345 :第2帯状部
351 :連結部
352 :第3帯状部
355 :第4帯状部
361 :連結部
362 :第5帯状部
365 :第6帯状部
411 :第1発熱部
412 :第2発熱部
910 :半径
L :レーザ光
Pr :サーマルプリンタ
x :主走査方向
y :副走査方向
z :厚さ方向
α1 :第1傾斜角度
α2 :第2傾斜角度
A1, A11, A12, A2, A3, A31, A4: Thermal printhead 1: Substrate 1K: Substrate material 2: Protective layer 3: Wiring layer 3K: Conductive film 4: Resistor layer 4K: Resistor film 5: Connection substrate 7: Driver IC
8: Heat dissipation member 10: Base material 11, 11K: Main surface 12, 12K: Back surface 13, 13K: Convex portion 15: End surface 19: Insulation layer 21: Pad opening 31: Common electrode 32: Individual electrode 33: Relay electrode 40 : Resistor film 41: Heat generation part 49K: Removal area 51: Main surface 52: Back surface 59: Connector 61, 62: Wire 78: Protective resin 81: First support surface 82: Second support surface 91: Platen roller 109: Processing Traces 130, 130K: Top 131A, 131B: First inclined portion 132A, 132B: Second inclined portion 132K: Inclined portion 321: Individual pad 341: Base 342: First strip-shaped portion 345: Second strip-shaped portion 351: Connecting portion 352 : 3rd band-shaped part 355: 4th band-shaped part 361: Connecting part 362: 5th band-shaped part 365: 6th band-shaped part 411: 1st heat-generating part 412: 2nd heat-generating part 910: Radius L: Laser light Pr: Thermal printer x: Main scanning direction y: Sub-scanning direction z: Thickness direction α1: First tilt angle α2: Second tilt angle

Claims (20)

単結晶半導体からなる基材を含む基板と、
前記基板に支持され、かつ、主走査方向に配列された複数の発熱部を有する抵抗体層と、
前記基板に支持され、かつ、前記複数の発熱部への通電経路を構成する配線層と、
を備えており、
前記配線層は、前記基板に接しており、
前記抵抗体層は、厚さ方向において前記基板とは反対側から前記配線層に重なる部分を有する、サーマルプリントヘッド。
A substrate containing a substrate made of a single crystal semiconductor and a substrate
A resistor layer supported by the substrate and having a plurality of heat generating portions arranged in the main scanning direction,
A wiring layer that is supported by the substrate and constitutes an energization path to the plurality of heat generating portions.
Equipped with
The wiring layer is in contact with the substrate and is in contact with the substrate.
The resistor layer is a thermal print head having a portion overlapping the wiring layer from the side opposite to the substrate in the thickness direction.
前記基板は、前記基材と前記配線層との間に介在する絶縁層を含む、請求項1に記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to claim 1, wherein the substrate includes an insulating layer interposed between the base material and the wiring layer. 前記基材は、厚さ方向を向く主面と、前記主面から突出し且つ主走査方向に延びる凸部と、を有し、
前記複数の発熱部は、前記厚さ方向に沿って視て前記凸部に重なる、請求項2に記載のサーマルプリントヘッド。
The substrate has a main surface facing in the thickness direction and a convex portion protruding from the main surface and extending in the main scanning direction.
The thermal print head according to claim 2, wherein the plurality of heat generating portions overlap the convex portions when viewed along the thickness direction.
前記凸部は、前記主面からの距離が最も大きい頂部と、副走査方向の上流側から前記頂部に繋がる上流側第1傾斜部と、副走査方向の下流側から前記頂部に繋がる下流側第1傾斜部とを含み、
前記発熱部は、前記厚さ方向に沿って視て前記頂部に重なる、請求項3に記載のサーマルプリントヘッド。
The convex portion has a top portion having the largest distance from the main surface, a first inclined portion on the upstream side connecting from the upstream side in the sub-scanning direction to the top portion, and a downstream side connecting the downstream side in the sub-scanning direction to the top portion. Including 1 inclined part
The thermal print head according to claim 3, wherein the heat generating portion overlaps the top portion when viewed along the thickness direction.
前記凸部は、前記上流側第1傾斜部に対して副走査方向において前記頂部とは反対側に繋がる上流側第2傾斜部と、前記下流側第1傾斜部に対して副走査方向において前記頂部とは反対側に繋がる下流側第2傾斜部と、をさらに含む、請求項4に記載のサーマルプリントヘッド。 The convex portion is the upstream side second inclined portion connected to the side opposite to the top in the sub-scanning direction with respect to the upstream side first inclined portion, and the upstream side second inclined portion connected to the downstream side first inclined portion in the sub-scanning direction. The thermal print head according to claim 4, further comprising a second inclined portion on the downstream side connected to the side opposite to the top portion. 前記複数の発熱部は、主走査方向に互いに離間して配列されており、且つ主走査方向に隣り合う一対の第1発熱部と、前記一対の第1発熱部を挟んで主走査方向両側に離間配置された一対の第2発熱部と、を含み、
前記配線層は、
各々が副走査方向に延び且つ主走査方向に離間配置された一対の第1帯状部と、前記一対の第1帯状部に対して副走査方向上流側から繋がる基部と、を有する共通電極と、
前記一対の第1帯状部を挟んで主走査方向両側に離間配置された第2帯状部を有する一対の個別電極と、
一対の中継電極と、を有し、
前記一対の第1帯状部は、前記一対の第1発熱部に副走査方向上流側から個別に繋がっており、
前記一対の個別電極の前記第2帯状部は、主走査方向において前記一対の第2発熱部に副走査方向上流側から繋がっており、
前記中継電極は、主走査方向に隣り合う前記第1発熱部と前記第2発熱部とに、副走査方向下流側から繋がっている、請求項1ないし5のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
The plurality of heat generating portions are arranged so as to be separated from each other in the main scanning direction, and the pair of first heat generating portions adjacent to each other in the main scanning direction and the pair of first heat generating portions are interposed therebetween on both sides in the main scanning direction. Including a pair of second heat generating portions arranged apart from each other.
The wiring layer is
A common electrode having a pair of first band-shaped portions each extending in the sub-scanning direction and spaced apart from each other in the main scanning direction, and a base portion connected to the pair of first band-shaped portions from the upstream side in the sub-scanning direction.
A pair of individual electrodes having a second band-shaped portion spaced apart from each other on both sides in the main scanning direction with the pair of first strip-shaped portions interposed therebetween.
With a pair of relay electrodes,
The pair of first band-shaped portions are individually connected to the pair of first heat generating portions from the upstream side in the sub-scanning direction.
The second band-shaped portion of the pair of individual electrodes is connected to the pair of second heat generating portions in the main scanning direction from the upstream side in the sub-scanning direction.
The thermal print head according to any one of claims 1 to 5, wherein the relay electrode is connected to the first heat generating portion and the second heat generating portion adjacent to each other in the main scanning direction from the downstream side in the sub scanning direction.
前記第1発熱部および前記第2発熱部の副走査方向の寸法は、前記第1帯状部または前記第2帯状部と前記中継電極との副走査方向の距離よりも大きい、請求項6に記載のサーマルプリントヘッド。 The sixth aspect of claim 6, wherein the dimensions of the first heat generating portion and the second heat generating portion in the sub-scanning direction are larger than the distance between the first band-shaped portion or the second band-shaped portion and the relay electrode in the sub-scanning direction. Thermal print head. 前記第1発熱部および前記第2発熱部の主走査方向の寸法は、前記第1帯状部および前記第2帯状部のそれぞれの主走査方向の寸法よりも大きい、請求項6または7に記載のサーマルプリントヘッド。 6. Thermal print head. 前記基板は、主走査方向において隣り合う前記発熱部同士を区画する加工痕が形成されている、請求項6ないし8のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to any one of claims 6 to 8, wherein the substrate is formed with processing marks for partitioning the heat generating portions adjacent to each other in the main scanning direction. 前記配線層は、前記抵抗体層の前記複数の発熱部の各々に副走査方向の下流側から繋がる共通電極と、前記抵抗体層の前記複数の発熱部に副走査方向の上流側から個別に繋がる複数の個別電極と、を含む、請求項1ないし5のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 The wiring layer has a common electrode connected to each of the plurality of heat generating portions of the resistor layer from the downstream side in the sub-scanning direction, and the plurality of heat generating portions of the resistor layer individually from the upstream side in the sub-scanning direction. The thermal printhead according to any one of claims 1 to 5, comprising a plurality of individual electrodes to be connected. 前記複数の発熱部は、主走査方向に互いに離間して配列されており、
前記共通電極は、前記主走査方向に延びる連結部と、前記連結部から副走査方向上流側に各々が延びており且つ主走査方向に沿って互いに離間して配列された複数の第3帯状部を有し、
前記複数の個別電極の各々は、副走査方向に延びており且つ前記複数の第3帯状部に対して副走査方向上流側に各々が対向配置された複数の第4帯状部を有し、
前記複数の第3帯状部と前記複数の第4帯状部が、前記複数の発熱部に個別に繋がる、請求項10に記載のサーマルプリントヘッド。
The plurality of heat generating portions are arranged so as to be separated from each other in the main scanning direction.
The common electrode has a connecting portion extending in the main scanning direction and a plurality of third band-shaped portions extending from the connecting portion to the upstream side in the sub-scanning direction and arranged apart from each other along the main scanning direction. Have,
Each of the plurality of individual electrodes extends in the sub-scanning direction and has a plurality of fourth band-shaped portions each facing each other on the upstream side in the sub-scanning direction with respect to the plurality of third band-shaped portions.
The thermal print head according to claim 10, wherein the plurality of third strips and the plurality of fourth strips are individually connected to the plurality of heat generating portions.
前記発熱部の副走査方向の寸法は、前記第3帯状部と前記第4帯状部との副走査方向の距離よりも大きい、請求項11に記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to claim 11, wherein the dimension of the heat generating portion in the sub-scanning direction is larger than the distance between the third band-shaped portion and the fourth band-shaped portion in the sub-scanning direction. 前記発熱部の主走査方向の寸法は、前記第3帯状部および前記第4帯状部のそれぞれの主走査方向の寸法よりも大きい、請求項11または12に記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to claim 11 or 12, wherein the dimension of the heat generating portion in the main scanning direction is larger than the dimension of the third band-shaped portion and the fourth strip-shaped portion in the main scanning direction, respectively. 前記基板は、主走査方向において隣り合う前記発熱部同士を区画する加工痕が形成されている、請求項11ないし13のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。 The thermal print head according to any one of claims 11 to 13, wherein the substrate is formed with processing marks for partitioning the heat generating portions adjacent to each other in the main scanning direction. 前記共通電極は、前記主走査方向に延びる連結部と、前記連結部から副走査方向上流側に各々が延びており且つ主走査方向に沿って互いに離間して配列された複数の第5帯状部を有し、
前記複数の個別電極の各々は、副走査方向に延びており且つ主走査方向において隣り合う前記第5帯状部の間に位置する第6帯状部を有し、
前記抵抗体層は、前記複数の第5帯状部および前記複数の第6帯状部に重なる、主走査方向に延びる帯形状であり、
前記抵抗体層のうち隣り合う前記第5帯状部に挟まれた部分が、前記発熱部を構成する、請求項10に記載のサーマルプリントヘッド。
The common electrode has a connecting portion extending in the main scanning direction and a plurality of fifth band-shaped portions extending from the connecting portion to the upstream side in the sub-scanning direction and arranged apart from each other along the main scanning direction. Have,
Each of the plurality of individual electrodes has a sixth band-shaped portion extending in the sub-scanning direction and located between the fifth band-shaped portions adjacent to each other in the main scanning direction.
The resistor layer has a band shape extending in the main scanning direction, overlapping the plurality of fifth band-shaped portions and the plurality of sixth band-shaped portions.
The thermal print head according to claim 10, wherein a portion of the resistor layer sandwiched between adjacent fifth strips constitutes the heat generating portion.
前記第5帯状部は、前記抵抗体層から副走査方向上流側に延出しており、
前記第6帯状部は、前記抵抗体層から副走査方向下流側に延出している、請求項15に記載のサーマルプリントヘッド。
The fifth band-shaped portion extends from the resistance layer to the upstream side in the sub-scanning direction.
The thermal print head according to claim 15, wherein the sixth band-shaped portion extends downstream from the resistor layer in the sub-scanning direction.
単結晶半導体からなる基材を含む基板を準備する工程と、
前記基板に支持された配線層を形成する工程と、
前記抵抗体層を形成する工程と、を備えており、
前記配線層を形成する工程は、スパッタリングまたはCVDを用いた導電膜形成処理を含み、
前記抵抗体層を形成する工程は、抵抗体ペーストを塗布する処理、および前記抵抗体ペーストを焼成する処理、を含む、サーマルプリントヘッドの製造方法。
The process of preparing a substrate containing a base material made of a single crystal semiconductor, and
The process of forming the wiring layer supported by the substrate and
The step of forming the resistance layer is provided.
The step of forming the wiring layer includes a conductive film forming process using sputtering or CVD.
A method for manufacturing a thermal printhead, wherein the step of forming the resistor layer includes a process of applying the resistor paste and a process of firing the resistor paste.
前記抵抗体層を形成する工程は、前記配線層を形成する工程の後に行う、請求項17に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。 The method for manufacturing a thermal print head according to claim 17, wherein the step of forming the resistor layer is performed after the step of forming the wiring layer. 前記抵抗体層を形成する工程は、前記配線層を形成する工程の前に行う、請求項17に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。 The method for manufacturing a thermal print head according to claim 17, wherein the step of forming the resistor layer is performed before the step of forming the wiring layer. 前記抵抗体層を形成する工程は、前記抵抗体ペーストを焼成する処理の後に、抵抗体層を部分的に除去することにより、主走査方向に互いに離間配置された複数の発熱部を形成する処理をさらに含む、請求項17ないし19のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。 In the step of forming the resistor layer, after the process of firing the resistor paste, the resistor layer is partially removed to form a plurality of heat generating portions spaced apart from each other in the main scanning direction. The method for manufacturing a thermal printhead according to any one of claims 17 to 19, further comprising.
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