JP2022057922A - 電子部品及び電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】外部端子又はめっき層との接合強度に優れた外部電極を備える電子部品及び当該電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】コイル部品１は、絶縁性の基体１０と、基体１０に設けられた外部電極２２と、外部電極２２と電気的に接続された機能部（導体）と、を備える。この外部電極２２は、金属材料からなり導電性を有する金属部Ｆ、ガラス凝集領域Ｇ及び非導電性の金属酸化物Ｈを含む。【選択図】図４

Description

本明細書の開示は、電子部品及び電子部品の製造方法に関する。

従来のインダクタやキャパシタ等の電子部品は、基体と、当該基体内に設けられた機能部と、当該機能部の端部に電気的に接続された外部電極、を備える。例えば、インダクタはコイル導体を機能部として備え、キャパシタは、静電容量を発生させる一対の電極を機能部として備える。このような電子部品の外部電極は、例えば、導電性の金属粒子を含む導電性ペーストを基体の表面に塗布し、加熱処理を行うことで形成される。導電性ペーストには、基体と外部電極との密着強度を高めることを目的として、ガラスが添加される場合がある。例えば、特許文献１には、ガラス粉末が添加された導電性ペーストから形成された外部電極を備えるチップインダクタが開示されている。

特開２０１７－００５０８７号公報

ガラスが添加された導電性ペーストを熱処理して外部電極を形成した場合、基体に対して高い親和性を有するガラスが外部電極と基体との間に介在するので、基体と外部電極との密着強度の向上を図ることができる。しかしながら、導電性ペーストがガラスを含んでいると、外部電極の表面にもガラスが存在することとなり、外部電極の表面に接続される外部の端子又は外部電極の表面に形成されるめっき層と外部電極との接合強度が低下するおそれがある。

本発明の目的の一つは、外部端子又はめっき層との接合強度に優れた外部電極を備える電子部品及び当該電子部品の製造方法を提供することである。本発明のこれ以外の目的は、明細書全体の記載を通じて明らかにされる。本明細書に開示される発明は、「発明を解決しようとする課題」の欄の記載以外から把握される課題を解決するものであってもよい。

本発明の一実施形態に係るコイル部品は、絶縁性の基体と、基体に設けられた外部電極と、外部電極と電気的に接続された機能部と、を備える。この外部電極は、金属材料からなり導電性を有する金属部、ガラス、及び非導電性の金属酸化物を含む。

本発明の一実施形態において、外部電極は、基体の表面に対向する内周面及び内周面とは反対側にある外周面を有し、外周面から金属部が露出するように構成されており、コイル部品は、基体の表面及び外部電極の内周面に接触するように設けられたガラス層を備える。

本発明の一実施形態において、外周面の３／４以上の領域において、金属部が露出していてもよい。

本発明の一実施形態において、外部電極は、ガラスが凝集したガラス凝集領域を有し、ガラス凝集領域は、金属酸化物に接触してもよい。

本発明の一実施形態において、金属酸化物は、遷移金属の酸化物であってもよい。

本発明の一実施形態において、電子部品は、外部電極の外周面上に設けられためっき層を更に備えてもよい。

本発明の一実施形態において、機能部は、コイル軸の周りに巻回された導体を含んでいてもよい。

本発明の一実施形態において、機能部は、静電容量を発生させる一対の電極を含んでいてもよい。

本発明の一実施形態において、ガラスは、鉛を含有せず、その融点は５００℃以下である。

本発明の一実施形態において、基体は酸化物を含む。

本発明の一実施形態は、上記の何れかの記載の電子部品を備える回路基板に関する。また、本発明の一実施形態は、上記の回路基板を備える電子機器に関する。

本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法は、金属から成る機能部を備えており絶縁材料からなる基体を準備する工程と、導電性の金属粒子と、非導電性の金属酸化物と、ガラスと、を含む導電性ペーストを準備する工程と、基体の表面に前記導電性ペースト層を形成する工程と、導電性ペースト層を熱処理する工程と、を備える。

本発明の一実施形態において、導電性ペーストに含まれる金属酸化物の体積比率は２％以上であってもよい。

本発明の一実施形態において、導電性ペーストに含まれる金属酸化物に対するガラスの体積比は、２．０以上５．３以下であってもよい。

本発明の一実施形態において、導電性ペースト層を熱処理する工程により、金属粒子を含む外部電極と、基体と前記外部電極との間に設けられたガラス層とが形成されてもよい。

本発明の一実施形態において、複数の金属粒子の平均粒径は、１μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。

本発明の一実施形態において、複数の金属粒子は、アスペクト比が３以上である高アスペクト比粒子を含んでいてもよい。

本発明の一実施形態において、高アスペクト比粒子の最小曲率半径の平均は、３μｍ以下であってもよい。

本発明によれば、基体及び外部端子又はめっき層のいずれとも優れた接合強度を有する外部電極を備える電子部品及び電子部品の製造方法が提供される。

本発明の一実施形態に係るコイル部品を模式的に示す斜視図である。 図１のコイル部品をＩ－Ｉ線で切断した断面を模式的に示す図である。 図１のコイル部品の導体の一方の端部と外部電極との接合部分の周辺の断面を拡大して示す拡大断面図である。 図１のコイル部品において基体と外部電極とが接合される領域の断面の電子顕微鏡像の模式図である。 従来のコイル部品において基体と外部電極とが接合される領域の断面の電子顕微鏡像の模式図である。 本発明の別の実施形態に係るコイル部品を模式的に示す正面図である。 本発明の別の実施形態に係るコイル部品を模式的に示す斜視図である。

以下、適宜図面を参照し、本発明の様々な実施形態を説明する。なお、複数の図面において共通する構成要素には、当該複数の図面を通して同一の参照符号が付されている。各図面は、説明の便宜上、必ずしも正確な縮尺で記載されているとは限らない点に留意されたい。

図１から図４を参照して、本発明の一実施形態に係るコイル部品１の概要を説明する。コイル部品１は、本発明を適用可能な電子部品の一種である。図１は、コイル部品１を模式的に示す斜視図である。図１に示されるように、コイル部品１は、基体１０と、基体１０の内部に設けられた導体２５と、基体１０の表面に設けられた外部電極２１と、基体１０の表面において外部電極２１から離間した位置に設けられた外部電極２２と、を備える。コイル部品１においては、導体２５が機能部である。導体２５は、特許請求の範囲における「機能部」の一例である。外部電極２１と基体１０との間、及び、外部電極２２と基体１０との間には、それぞれガラス層２３が設けられている。ガラス層２３は、ガラス、例えば低融点非鉛ガラスによって構成されている。

本明細書においては、文脈上別と解される場合を除き、コイル部品１の「長さ」方向、「幅」方向及び「高さ」方向はそれぞれ、図１の「Ｌ軸」方向、「Ｗ軸」方向及び「Ｔ軸」方向とする。

コイル部品１は、実装基板２ａに実装されている。実装基板２ａには、２つのランド３が設けられている。コイル部品１は、外部電極２１，２２と、当該外部電極２１，２２に対応するランド３とをそれぞれ接合することで実装基板２ａに実装され得る。このように、回路基板２は、コイル部品１と、このコイル部品１が実装される実装基板２ａと、を備える。この回路基板１が搭載され得る電子機器には、スマートフォン、タブレット、ゲームコンソール、サーバ、自動車の電装品及びこれら以外の様々な電子機器が含まれる。

コイル部品１は、基体１０の表面に外部電極２１，２２を有するインダクタ、トランス、フィルタ、リアクトル、及びこれら以外の様々なコイル部品に適用され得る。コイル部品１は、カップルドインダクタ、チョークコイル、及びこれら以外の様々な磁気結合型コイル部品にも適用することができる。コイル部品１の用途は、本明細書で明示されるものに限定されない。

基体１０は、絶縁材料で構成される。基体１０は、例えば、フェライト等のセラミック材料、軟磁性金属材料、又はこれらの混合物から構成される。一実施形態において、基体１０は主に磁性材料で構成され、直方体形状に構成されている。本発明の一実施形態に係るコイル部品１の基体１０は、長さ寸法（Ｌ軸方向の寸法）が１．０ｍｍ～４．５ｍｍ、幅寸法（Ｗ軸方向の寸法）が０．５ｍｍ～３．２ｍｍ、高さ寸法（Ｔ軸方向の寸法）が０．５ｍｍ～５．０ｍｍとなるように形成されている。基体１０の寸法は、本明細書で具体的に説明される寸法には限定されない。本明細書において「直方体」又は「直方体形状」という場合には、数学的に厳密な意味での「直方体」のみを意味するものではない。

基体１０は、第１の主面１０ａ、第２の主面１０ｂ、第１の端面１０ｃ、第２の端面１０ｄ、第１の側面１０ｅ、及び第２の側面１０ｆを有する。基体１０の外面は、これらの６つの面によって画定されている。第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとはそれぞれ高さ方向両端の面を成し、第１の端面１０ｃと第２の端面１０ｄとはそれぞれ長さ方向両端の面を成し、第１の側面１０ｅと第２の側面１０ｆとはそれぞれ幅方向両端の面を成している。

図１に示されるように、第１の主面１０ａは基体１０の上側にあるため、第１の主面１０ａを「上面」と呼ぶことがある。同様に、第２の主面１０ｂを「下面」と呼ぶことがある。コイル部品１は、第１の主面１０ａが回路基板と対向するように配置されるので、第１の主面１０ａを「実装面」と呼ぶこともある。コイル部品１の上下方向に言及する際には、図１の上下方向を基準とする。

一又は複数の実施形態において、基体１０は、ガラス層２３を構成するガラスと高い親和性を有する絶縁材料から構成される。基体１０がガラスと「親和性が高い」とは、基体１０の表面がガラスに対して濡れ性が良く、このガラスが基体１０の表面に密着しやすいことを意味する。基体１０に酸化物が含まれている場合に、基体１０はガラス層２３を構成するガラスと高い親和性を有する。基体１０に含まれる酸化物としては、例えばフェライト材料に含まれるＦｅの酸化物及び金属磁性粒子の表面に形成される酸化膜等が含まれる。図示の実施形態では、基体１０は、複数の第１金属磁性粒子１１及び複数の第２金属磁性粒子１２を含む。複数の第１金属磁性粒子１１及び複数の第２金属磁性粒子１２の各々の表面には酸化膜が形成されており、隣接する粒子同士は、この酸化膜を介して互いと結合する。言い換えると、基体１０は、酸化膜を介して互いに結合された複数の第１金属磁性粒子１１及び複数の第２金属磁性粒子１２によって構成されている。基体１０は、非磁性材料を含んでもよい。

複数の第１金属磁性粒子１１は、複数の第２金属磁性粒子１２よりも大きな平均粒径を有する。すなわち、複数の第１金属磁性粒子１１の平均粒径（以下、「第１平均粒径」と呼ぶ。）は、複数の第２金属磁性粒子１２の平均粒径（以下、「第２平均粒径」と呼ぶ。）とは異なっている。第１平均粒径は例えば３０μｍであり、第２平均粒径は例えば２μｍである。第１平均粒径は３０μｍより大きくてもよく３０μｍより小さくてもよい。第２平均粒径は２μｍより大きくてもよく２μｍより小さくてもよい。本発明の一の実施形態において、基体１０は、第１平均粒径及び第２平均粒径と異なる平均粒径を有する不図示の複数の第３金属磁性粒子を更に含んでもよい。第３金属磁性粒子の平均粒径である第３平均粒径は、第１平均粒径及び第２平均粒径より小さくてもよい。以下の説明では、本明細書においては、第１金属磁性粒子１１、第２金属磁性粒子１２及び第３金属磁性粒子を互いに区別する必要がない場合には、磁性基体１０に含まれる第１金属磁性粒子１１、第２金属磁性粒子１２及び第３金属磁性粒子を「金属磁性粒子」と総称することがある。基体１０に含まれる金属磁性粒子の「平均粒径」は、当該磁性基体をその厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って切断して断面を露出させ、当該断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により１０００倍～２０００倍の倍率で撮影した写真に基づいて粒度分布を求め、このようにして求められた粒度分布に基づいて定められる。例えば、ＳＥＭ写真に基づいて求められた粒度分布の５０％値（Ｄ５０）を金属磁性粒子の平均粒径とすることができる。

第１金属磁性粒子１１及び第２金属磁性粒子１２は、様々な軟磁性材料から成る。第１金属磁性粒子１１は、例えば、Ｆｅを主成分とする。具体的には、第１金属磁性粒子１１は、（１）Ｆｅ、Ｎｉ等の金属粒子、（２）Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒを含む合金、Ｆｅ、Ｓｉ、Ａｌを含む合金、Ｆｅ、Ｎｉを含む合金等の結晶合金粒子、（３）Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｂ、Ｃを含む合金、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｂを含む合金等の非晶質合金粒子、又は（４）これらが混合された混合粒子である。磁性基体１０に含まれる金属磁性粒子の組成は、前記のものに限られない。第１金属磁性粒子１１は、例えば、Ｆｅを８５ｗｔ％以上含む。これにより、優れた透磁率を有する磁性基体１０を得ることができる。第２金属磁性粒子１２の組成は、第１金属磁性粒子１１の組成と同じであってもよいし異なっていてもよい。磁性基体１０が不図示の複数の第３金属磁性粒子を含む場合、第３金属磁性粒子の組成は、第２金属磁性粒子１２の組成と同様に、第１金属磁性粒子１１の組成と同じであってもよいし異なっていてもよい。

金属磁性粒子の各々の表面は絶縁膜で被覆されていてもよい。この絶縁膜は、例えば、ガラス等の絶縁性に優れた材料から形成されている。この絶縁膜は、例えば、第１金属磁性粒子１１とガラス材料の粉末とを不図示の摩擦混合機内で混合することにより第１金属磁性粒子１１の表面に形成される。ガラス材料から形成される絶縁膜は、摩擦混合機内において圧縮摩擦作用により第１金属磁性粒子１１の表面に固着する。ガラス材料は、ＺｎＯ及びＰ₂Ｏ₅を含んでもよい。この絶縁膜は、様々なガラス材料から形成され得る。絶縁膜は、ガラス材料に代えて、又は、ガラス材料に加えて、アルミナ粉、ジルコニア粉、又はこれら以外の絶縁性に優れた酸化物の粉末から形成されてもよい。絶縁膜の厚さは、例えば１００ｎｍ以下である。

第２金属磁性粒子１２は、第１金属磁性粒子１１の絶縁膜と異なる絶縁膜で被覆されていてもよい。この絶縁膜は、第２金属磁性粒子１２が酸化してできる酸化膜であってもよい。この絶縁膜の厚さは、例えば２０ｎｍ以下とされる。この絶縁膜は、大気中雰囲気にて第２金属磁性粒子１２を熱処理することで、第２金属磁性粒子１２の表面に形成される酸化膜であってもよい。この絶縁膜は、Ｆｅ及びこれ以外の第２金属磁性粒子１２に含有される元素の酸化物を含む酸化膜であってもよい。この絶縁膜は、第２金属磁性粒子１２をリン酸へ投入して攪拌することにより、第２金属磁性粒子１２の表面に形成されるリン酸鉄膜であってもよい。第１金属磁性粒子１１の絶縁膜は第１金属磁性粒子１１が酸化してできる酸化膜であってもよく、第２金属磁性粒子１２の絶縁膜は第２金属磁性粒子１２の酸化によらず、別途設けられる被覆膜としてもよい。

本発明の一実施形態に係るコイル部品１は、機能部として導体２５を有している。導体２５は、所定のパターンを有するように形成されている。図示の実施形態では、導体２５は、コイル軸Ａｘの周りに巻回されている。導体２５は、例えば、平面視において、楕円形状、ミアンダ形状、直線形状、又はこれらを組み合わせた形状を有する。導体２５は、前記以外の任意の形状を有していて良く、例えばスパイラル形状であってもよい。

導体２５は、Ｃｕ、Ａｇ、又はこれら以外の導電性材料から形成されている。導体２５は、端面２５ａ２及び断面２５ｂ２以外の表面の全域が絶縁膜に覆われていてもよい。図示のように、導体２５がコイル軸Ａｘの周りに複数ターン巻回されている場合には、導体２５の各ターンは、隣接する他のターンと離間していてもよい。この場合、隣接するターン同士の間には基体１０が介在している。

一又は複数の実施形態において、導体２５は、金属材料から形成され、基体１０内に設けられている。導体２５用の金属材料として、例えば、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌ、又はこれらの合金が用いられ得る。例えば、導体２５は、厚さ方向（Ｔ軸方向）に沿って延びるコイル軸Ａｘの周りに螺旋状に巻回されている周回部２５ａと、周回部２５ａの両端をそれぞれ外部電極２１、２２に接続するために当該両端からそれぞれ引き出されている引出導体２５ｂとを有する。導体２５は、引出導体２５ｂの端面２５ｂ１において外部電極２１、２２に接続されている。図示の実施形態において、コイル軸Ａｘは、上面１０ａ及び下面１０ｂと交わるが、第１の端面１０ｃ、第２の端面１０ｄ、第１の側面１０ｅ、及び第２の側面１０ｆとは交わっていない。図示の実施形態において、周回部２５ａは、複数の導体パターンＣ１１～Ｃ１５を有している。導体パターンＣ１１～Ｃ１５は、コイル軸Ａｘに直交する平面方向に沿って延びると共に、コイル軸Ａｘの方向において互いに離間している。導体パターンＣ１１～Ｃ１５の各々は、不図示のビアを介して隣接する導体パターンと電気的に接続されている。このように、導体２５の周回部２５ａは、導体パターンＣ１１～Ｃ１５及びビアによって構成されている。本発明のコイル軸Ａｘは、図２に示した上面１０ａ及び下面１０ｂと交わっていることに限定されない。例えば、第１の端面１０ｃ及び第２の端面１０ｄに交わっていても良く、また、第１の側面１０ｅ及び第２の側面１０ｆと交わっていてもよい。

本発明の一実施形態において、外部電極２１は、基体１０の第１の主面１０ａ、第２の主面１０ｂ、第１の端面１０ｃ、第１の側面１０ｅ、及び第２の側面１０ｆの一部に設けられている。外部電極２２は、基体１０の第１の主面１０ａ、第２の主面１０ｂ、第２の端面１０ｄ、第１の側面１０ｅ、及び第２の側面１０ｆの一部に設けられている。外部電極２１と外部電極２２とは、互いに離間して配置されている。各外部電極２１、２２の形状及び配置は、図示された例には限定されない。例えば、外部電極２１及び外部電極２２は、第２の主面１０ｂのみと接するように設けられてもよい。外部電極２１は、第２の主面１０ｂ及びそれ以外の面（例えば、第１の端面１０ｂ、第１の側面１０ｅ、及び第２の側面１０ｆのうちの１以上の面）に接するように設けられてもよい。同様に、外部電極２２は、第２の主面１０ｂ及びそれ以外の面（例えば、第２の端面１０ｃ、第１の側面１０ｅ、及び第２の側面１０ｆのうちの１以上の面）に接するように設けられてもよい。既述のとおり、外部電極２１と基体１０との間及び外部電極２２と基体１０との間にはそれぞれガラス層２３が設けられている。図３及び図４には、外部電極２２と基体１０との間に形成されたガラス層２３が示されており、以下では図３及び図４を参照して外部電極２２及びこの外部電極２２と基体１０との間にあるガラス層２３について説明するが、この外部電極２２についての説明は特段の事情がない限り外部電極２１にも当てはまり、外部電極２２と基体１０との間にあるガラス層２３についての説明は特段の事情がない限り外部電極２１基体１０との間に設けられているガラス層２３にも当てはまる。

外部電極２２は、基体１０の表面に対向する内周面２２ａ、及び外周面２２ｂを有している。図示の実施形態では、外部電極２２の内周面２２ａは、第１の主面１０ａ、第２の主面１０ｂ、第２の端面１０ｄ、第１の側面１０ｅ、及び第２の側面１０ｆに対向している。外部電極２２の外周面２２ｂは、外部電極２２の面のうち、内周面２２ａ以外の面を指す。外部電極２２の外周面２２ｂは、外部電極２２の表面のうち基体１０の表面と逆側の面を含む。外部電極２２の外周面２２ｂには、めっき層が設けられてもよい。外部電極２２は、外周面２２ｂにおいて、めっき層を介して又は直接に外部端子（例えば、外部リード端子やランド３）と接続される。図示の実施形態において、外部電極２２の外周面２２ｂにはめっき層２６が設けられている。外部電極２２の内周面及び外周面も外部電極の内周面２２ａ及び外周面２２ｂとそれぞれ同様に構成及び配置される。つまり、外部電極２１の内周面は、基体１０の第１の主面１０ａ、第２の主面１０ｂ、第２の端面１０ｃ、第１の側面１０ｅ、及び第２の側面１０ｆに対向する面が内周面であり、外部電極２１の外周面は当該内周面以外の面である。ガラス層２３は、外部電極２１の内周面２１ａ及び基体１０の表面に接触している。導体２５の引出導体２５ｂの端面２５ｂ１には、ガラス層２３は設けられておらず、導体２５の端面２５ｂ１は外部電極２１と電気的に接続されている。ガラス層２３の厚さは、例えば、０．２μｍ～２μｍの範囲である。

ガラス層２３は、ガラスによって構成されており、例えば、低融点非鉛ガラスによって構成されている。低融点非鉛ガラスは、例えば、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃、Ｖ₂Ｏ₃、ＧｅＯ₂、Ｂｉ₂Ｏ₃のうち一又は複数を含有する低融点のガラス材料である。本発明の一又は複数の実施形態において、ガラス層２３を構成する低融点非鉛ガラスの融点は、５００℃以下である。ガラスに鉛が含まれていると、ガラスの融点が５００℃を超えることが多く、また、環境問題の観点から電子部品は鉛を含まないことが望ましいので、ガラス２３は、低融点非鉛ガラスから構成されることが望ましい。また、ガラス層２３を構成する低融点非鉛ガラスは、外部電極２１、２２に含まれる金属粒子の焼結時の温度おいて、１０⁴～１０⁷Ｐ（ポアズ）の粘度を有することが好ましい。

図４に示されるように、外部電極２２は、金属材料からなり導電性を有する金属部Ｆと、ガラスが凝集したガラス凝集領域Ｇと、非導電性の金属酸化物Ｈと、を含むことができる。外部電極２２は、内部にわずかな空隙(不図示）を有することがある。外部電極２２の空隙は、後述する外部電極の作製工程において加熱処理の時間を長くすることによって縮小し又は消滅する。

本発明の一又は複数の実施形態において、非導電性の金属酸化物Ｈは、遷移金属の酸化物である。具体的には、金属酸化物Ｈとして、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ＨｆＯ₂、Ｆｅ₂Ｏ₃、Ｃｏ₃Ｏ₄、Ｎｂ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₅、ＮｉＯ、ＣｕＯ等を用いることができる。金属酸化物Ｈとしては、後述の金属粒子Ｆの加熱処理工程の温度領域（すなわち、金属粒子Ｆが焼結する温度領域）において、金属粒子Ｆと固溶しない材料を用いることが好ましい。このような金属酸化物Ｈは、金属粒子Ｆに比べ、金属粒子Ｆの焼結時の温度領域において、ガラス層２３を構成する低融点非鉛ガラスと高い親和性を有している。ここで「親和性が高い」とは、金属酸化物Ｈの表面が低融点非鉛ガラスに対して濡れ性が良く、低融点非鉛ガラスが密着しやすいことを意味する。金属酸化物Ｈの平均粒径は、例えば１μｍ以上５μｍ以下である。金属酸化物Ｈは、低融点非鉛ガラスよりも高い融点を有する。

図示のように、外部電極２２は、低融点非鉛ガラスが凝集したガラス凝集領域Ｇを複数有している。ガラス凝集領域Ｇを構成する低融点非鉛ガラスは、ガラス層２３を構成する低融点非鉛ガラスと同一の材料である。上述のように、金属酸化物Ｈは、金属粒子Ｆの焼結時の温度領域において、ガラス層２３を構成する低融点非鉛ガラスと高い親和性を有しているので、金属粒子Ｆの加熱処理工程において、外部電極２２となる導電性ペーストに含まれる低融点非鉛ガラスは、軟化して金属酸化物Ｈの周辺に移動しやすい。このため、ガラス凝集領域Ｇは、金属酸化物Ｈに接触して形成される。外部電極２２において、ガラス凝集領域Ｇは、一又は複数の金属酸化物Ｈの一部又は全部を取り囲むように配置される。

外部電極２２の外周面２２ｂの少なくとも一部においては、金属材料からなり導電性を有する金属部Ｆが露出している。例えば、外周面２２ｂにおいて、金属部Ｆが露出する領域の面積の合計は、外周面２２ｂの面積の３／４以上となる。外周面２２ｂにおいて金属部Ｆが露出していない箇所においては、例えば低融点非鉛ガラスが凝集したガラス凝集領域Ｇ又は金属酸化物Ｈが露出していてもよい。外周面２２ｂからはガラス凝集領域Ｇが全く露出していなくともよい。ガラス凝集領域Ｇが外周面２２ｂから露出している場合には、外周面２２ｂの面積に占めるガラス凝集領域Ｇが露出している領域の面積は、外周面２２ｂの面積の１／４未満である。外周面２２ｂにおいてガラス凝集領域Ｇが占める面積の割合は、内周面２２ａにおいてガラス凝集領域Ｇが占める面積よりも少ない。外周面２２ｂに存在するガラス凝集領域Ｇは、内周面２１ａを覆う層状のガラス層２３とは異なり、外周面２２ｂにおいて島状に存在している。つまり、外周面２２ｂにおいて、ガラス凝集領域Ｇは、互いから離散した複数の島状の領域として存在している。

図示の実施形態では、外部電極２２の外周面２２ｂにめっき層２６が設けられている。めっき層２６は、外部電極２２の外周面２２ｂ全体（すなわち、外部電極２２の表面のうち基体１０の表面と対向していない領域の全体）を覆うことができる。めっき層２６は、例えばＮｉ又はＳｎから構成される。めっき層２６は、Ｎｉ及びＳｎ以外にも、はんだ付け時の熱に対して耐食性を示すバリア層となる金属又は合金から構成されていてもよいし、はんだ濡れ性が良好な金属又は合金から構成されていてもよい。図示の実施形態では、めっき層２６は単層であるが、めっき層２６は複数の層から成る多層構造を有していてもよい。外部電極２２の外周面２２ｂから露出する金属部Ｆは、めっき層２６と接しており、めっき層２６と金属結合していてもよい。外部電極２２の外周面２２ｂには、めっき層２６が設けられていなくともよい。外部電極２２の外周面２２ｂにめっき層２６が設けられていない場合には、外部電極２２は、外部端子（例えば、外部リード端子やランド３）と直接接続されてもよい。この場合、外部電極２２の外周面２２ｂから露出する金属部Ｆは、外部端子を構成する金属材料と金属結合していてもよい。めっき層２６及び外部端子を構成する金属材料は、外周面２２ｂに存在する低融点非鉛ガラスとの密着性が悪い。外周面２２ｂには、めっき層２６や外部端子を構成する金属材料との密着性が悪い低融点非鉛ガラスから成るガラス凝集領域Ｇが存在しないか、存在していてもガラス凝集領域Ｇが存在する領域は外周面２２ｂ全体の１／４未満であるから、ガラス凝集領域Ｇによって金属部Ｆとめっき層２６又は外部端子との結合が阻害されない。よって、外部電極２２の外周面２２ｂとめっき層２６又は外部端子との間での接合強度を高めることができる。

続いて、一又は複数の実施形態によるコイル部品１の製造方法について説明する。本発明の一又は複数の実施形態において、コイル部品１の基体１０は、絶縁シートを積層するシート積層法により作製される。シート積層法によりコイル部品１を作製する場合には、まず絶縁シートを準備する。絶縁シートは、軟磁性金属材料から成る金属磁性粒子と樹脂とを混練して得られたスラリーから、ドクターブレード式シート成形機等の各種シート成形機を用いて作成される。金属磁性粒子としては、例えば、加熱処理後に第１金属磁性粒子１１となる比較的大径の金属磁性粒子と加熱処理後に第２金属磁性粒子１２となる比較的小径の金属磁性粒子とを混合した混合粒子が用いられる。金属磁性粒子と混練される樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂等の熱分解性に優れ、脱脂処理がしやすい樹脂が用いられ得る。基体１０がフェライトを含む場合には、金属磁性粒子に代えてフェライト粉が用いられる。

絶縁シートは所定の形状に切断され、所定の位置に厚さ方向に貫通する貫通孔が形成される。次に、所定形状に切断された絶縁シートに、スクリーン印刷等の公知の手法で導体ペーストを塗布することにより、焼成後にそれぞれが導体パターンＣ１１となる複数の未焼成導体パターンが形成される。別の絶縁シートにも同様にして導体ペーストを塗布することにより、それぞれ焼成後に導体パターンＣ１２～Ｃ１５となる複数の未焼成導体パターンが形成される。未焼成導体パターンの形成時に、導体ペーストが絶縁シートの貫通孔内に埋め込まれ、未焼成のビア（未焼成ビア）となる。導体パターンＣ１１～Ｃ１５の材料となる導体ペーストは、例えば、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらの合金及び樹脂を混練することで得られる。

以上のようにして作製された導体パターンＣ１１～Ｃ１５に対応する未焼成導体パターン、未焼成ビア、未焼成導体プレートが形成された絶縁シート、及び導体が形成されていない絶縁シートを積層することでマザー積層体が得られる。導体が形成されていない絶縁シートは、マザー積層体の上端及び下端に配置される。このマザー積層体の上端及び下端に配置された絶縁シートは、焼成後に、導体２５と上面１０ａとの間にある上部カバー層（参照符号省略）及び導体２５と下面１０ｂとの間にある下部カバー層（参照符号省略）となる。

次に、ダイシング機やレーザ加工機などの切断機を用いてマザー積層体を個片化することでチップ積層体が得られる。次に、このチップ積層体を脱脂し、脱脂されたチップ積層体に加熱処理を施す。チップ積層体への加熱処理は、例えば４００℃～９００℃で２０分間～１２０分間行われる。この加熱処理により、絶縁シート及び導体ペーストが焼成されて、導体２５を内部に含む基体１０が得られる。

次に、導体２５の引出導体２５ｂの端面２５ｂ１が露出した基体１０の表面を平滑化し、端面２５ｂ１及び端面２５ｂ２から酸化物を取り除く。基体１０の表面を平滑化するために、例えば、基体１０の表面に対して研磨剤を用いて研磨が行われる。基体１０の表面は、研磨後にエッチングされてもよい。研磨剤として、例えば、第１金属磁性粒子１１より小さい粒径を有するものが選ばれる。第１金属粒子１１の平均粒径が３０μｍであれば、２５μｍの粒径の研磨剤が選ばれてもよい。エッチングは、例えばプラズマエッチングにより行われる。エッチングは、プラズマエッチング及びこれ以外の基体１０の表面の酸化物を除去することができる任意のエッチングが用いられ得る。

次に、導電性の金属粒子と、非導電性の金属酸化物Ｈと、低融点非鉛ガラスと、を含む導電性ペーストを準備する。導電性ペーストには、焼結助剤として、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＧｅＯ₂（二酸化ゲルマニウム）、又はＢ₂Ｏ₃（酸化ホウ素）等が含まれていてもよい。そして、印刷法又はこれ以外の公知の手法により、基体１０の表面に外部電極２１、２２となる導電性ペーストを塗布して導電性ペースト層を形成する。

導電性ペーストに含まれる金属粒子は、複数の種類の金属粒子を含んでいてもよい。本発明の一又は複数の実施形態において、金属粒子は、アスペクト比が２以下である複数の第１の金属粒子とアスペクト比が３以上である複数の第２の金属粒子とを含む混合粒子であってもよい。本発明の一又は複数の実施形態において、複数の第２の金属粒子のそれぞれのアスペクト比は、３～１５の範囲にある。本明細書中において、第１の金属粒子のアスペクト比は、外部電極２２の厚さ方向の断面における当該第１の金属粒子の長軸方向の寸法に対する短軸方向の寸法の比を意味する。第２の金属粒子のアスペクト比も同様の意味である。本明細書では、第１の金属粒子、第２の金属粒子の長軸方向の寸法をそれぞれ第１の金属粒子、第２の金属粒子の最大粒径と呼び、第１の金属粒子、第２の金属粒子の短軸方向の寸法を最小粒径と呼ぶ。つまり、第１の金属粒子のアスペクト比は、当該第１の金属粒子の最大粒径を最小粒径で除算した値を意味し、第２の金属粒子のアスペクト比は、当該第２の金属粒子の最大粒径を最小粒径で除算した値を意味する。本明細書中において、そのアスペクト比が２以下の粒子を低アスペクト比粒子と呼び、またアスペクト比が３以上の粒子を高アスペクト比粒子と呼ぶ。高アスペクト比粒子は、球形状ではない形状を有するので非球状粒子と呼ぶこともある。この定義に従えば、第１の金属粒子は、低アスペクト比粒子であり、第２の金属粒子は、高アスペクト比粒子（非球状粒子）である。高アスペクト比粒子（非球状粒子）の形状には、扁平形状、鱗片形状、針状粒子、及びこれら以外の形状が含まれる。アスペクト比が２より大きく３未満である粒子は、アスペクト比の観点から低アスペクト比粒子と高アスペクト比粒子との中間にある粒子であるため、本明細書において中アスペクト比粒子と呼ぶ。外部電極２２は、中アスペクト比粒子を含んでもよい。中アスペクト比粒子は、少ない比率で含まれる。例えば、低アスペクト比粒子、中アスペクト比粒子、及び高アスペクト比粒子の合計を１００ｖｏｌ％としたときに、中アスペクト比粒子は、１０ｖｏｌ％よりも少ない体積比率で外部電極２２に含まれていてもよい。

外部電極２２の厚さ方向の断面において、第２の金属粒子の最大粒径の平均は、第１の金属粒子の最大粒径の平均より大きくなっていてもよい。例えば、第２の金属粒子の最大粒径の平均は、１μｍ～１０μｍであり、第１の金属粒子の最大粒径の平均は、０．１μｍ～１０μｍであってもよい。

第２の金属粒子の長軸方向の両端部において、第２の金属粒子の外径の曲率半径は最小となる。本発明の一又は複数の実施形態において、第２の金属粒子の最小曲率半径（すなわち、第２の金属粒子の長軸方向の端部の曲率半径）の平均が０．１μｍ～３μｍの範囲である。第２の金属粒子の最小曲率半径の平均は、外部電極２１又は外部電極２２を切断して断面を露出させ（例えば、後述する図４に示されているようにＴＬ面に沿って切断した断面を露出させ）、当該断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により２０００倍の倍率で撮影した撮影像に含まれている第２の金属粒子の各々の最小曲率半径を求め、このようにして求められた第２の金属粒子の各々の最小曲率半径の平均値とされる。

低アスペクト比粒子、中アスペクト比粒子、及び高アスペクト比粒子の合計を１００ｖｏｌ％としたときに、低アスペクト比粒子（第１の金属粒子）の体積比率は、例えば０ｖｏｌ％～７０ｖｏｌ％であり、高アスペクト比粒子（第２の金属粒子）の比率は、例えば、３０ｖｏｌ％～１００ｖｏｌ％である。第１の金属粒子及び第２の金属粒子は、コイル部品１の製造過程において加熱処理されている。この加熱処理により、第１の金属粒子及び第２の金属粒子は焼結され、第１の金属粒子同士、第２の金属粒子同士、及び第１の金属粒子と第２の金属粒子とは金属結合する。

第１の金属粒子及び第２の金属粒子は、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ等の導電性に優れた金属材料、これらの金属材料の合金、又はこれらの混合物によって構成される。第１の金属粒子及び第２の金属粒子は、同じ成分の金属を含んでいてもよい。図示の実施形態では、第１の金属粒子及び第２の金属粒子は、共にＡｇによって構成されている。第１の金属粒子と第２の金属粒子とは、互いに異なる金属を含んでいてもよく、互いに異なる金属のみによって構成されていてもよい。第１の金属粒子と第２の金属粒子とが互いに異なる金属を含む場合においても、後述の加熱処理により第１の金属粒子と第２の金属粒子とは互いに金属結合し、第１の金属粒子と第２の金属粒子との結合部は合金化する。この場合、第１の金属粒子に含まれる金属と第２の金属粒子に含まれる金属との組み合わせは、同種の金属間における金属結合よりも結合強度が強くなる組み合わせを選択することが好ましい。異なる金属の組み合わせによる合金の結合強度については、当業者にとって明らかである。第１の金属粒子及び第２の金属粒子はいずれも、低融点非鉛ガラスよりも高い融点を有する。

次に、この導電性ペースト層が形成された基体１０に対して加熱処理を行う。この加熱処理により、導電性ペースト層に含まれる金属粒子が焼結して金属部Ｆとなり、導電性ペースト層が外部電極２１、２２となる。加熱処理は、例えば、５５０℃～８００℃で３０分～６０分間行われる。また、加熱処理は、金属粒子の材質に応じて、低酸素雰囲気又は還元雰囲気で行われてもよい。

この加熱処理において、導電性ペースト層が昇温されると、この導電性ペースト層に含まれる低融点非鉛ガラスが溶融する。溶解した低融点非鉛ガラスは、導電性ペースト層内を移動しやすい。低融点非鉛ガラスは、金属よりも酸化物と高い親和性を有するので、溶融した低融点非鉛ガラスは、導電性ペースト層内の金属酸化物Ｈに向かって移動する。また、加熱処理において導電性ペースト層に含まれる複数の第１の金属粒子及び第２の金属粒子が焼結し金属部Ｆを形成する際に導電性ペースト層が収縮して、低融点非鉛ガラスが導電性ペースト層の外側に向かって押し出される。このとき、低融点非鉛ガラスは金属磁性粒子が酸化した酸化物が含まれている基体１０との親和性が高いため、溶融した低融点非鉛ガラスは基体１０に向かって移動しやすい。この結果、加熱処理によって形成される外部電極２１と基体１０の表面との間には導電性ペースト層に含まれていた低融点非鉛ガラスに由来するガラス層２３が形成される。同様に、外部電極２２と基体１０の表面との間にもガラス層が形成される。導電性ペースト層に含まれる低融点非鉛ガラスは、導電性ペースト層の凝集時に基体１０と反対側にも移動するが、導電性ペースト層には低融点非鉛ガラスと親和性の高い金属酸化物Ｈが含まれており、金属酸化物Ｈは導電性ペースト層の凝集時にも当初の位置からほとんど移動しないため、溶融した低融点非鉛ガラスの基体１０と反対側への移動は金属酸化物Ｈによって抑制される。このように、導電性ペーストに金属酸化物Ｈが含まれていることにより、溶融した低融点非鉛ガラスを金属酸化物Ｈの周辺に保持することができるので、加熱処理の過程で外部電極２２の外周面２２ｂ側に溶融した低融点非鉛ガラスが移動することを抑制できる。その結果、外部電極２２の外周面２１ｂが低融点非鉛ガラスによって覆われることを防止し、外周面２２ｂから金属材料からなり導電性を有する金属部Ｆを露出させやすくできる。

外部電極２１、２２を作製する際に、導電性ペーストに含まれる金属酸化物Ｈの導電性ペースト全体に対する体積比を２．０以上とすることができる。導電性ペーストにおける金属酸化物Ｈの量が少な過ぎると、加熱処理において溶融した低融点非鉛ガラスの外部電極２１、２２の外周面（例えば、外部電極２２の外周面２２ｂ）への移動を抑制できなくなり、外部電極２１、２２の外周面に多くの低融点非鉛ガラスが移動してしまうためである。

本発明の一又は複数の実施形態において、導電性ペーストに含まれる金属酸化物Ｈに対する低融点非鉛ガラスの体積比は、２．０以上５．３以下とされる。金属酸化物Ｈに対する低融点非鉛ガラスの下限を２．０とするのは、金属酸化物Ｈに対する低融点非鉛ガラスの比率が２．０よりも少ないと、加熱処理において溶融した低融点非鉛ガラスが金属酸化物Ｈにトラップされて基体１０の表面まで移動できず、外部電極２１、２２と基体１０との間にガラス層２３が十分な厚さで形成されない可能性があるためである。ガラス層２３が十分な厚さで形成されないと、外部電極２１、２２と基体１０との接合強度が弱くなってしまう可能性がある。そこで、本発明の一又は複数の実施形態においては、導電性ペーストに含まれる金属酸化物Ｈに対する低融点非鉛ガラスの体積比を２．０以上とすることで、ガラス層２３により外部電極２１、２２と基体１０とを強固に接合する。また、金属酸化物Ｈに対する低融点非鉛ガラスの比率が５．３よりも大きいと、導電性ペーストにおいて低融点非鉛ガラスの量が過剰となり、加熱処理の際に過剰な低融点非鉛ガラスの移動を金属酸化物Ｈにより抑制することができなくなる。このため、導電性ペースト層に過剰な低融点非鉛ガラスが含まれる場合には、基体１０に向かう方向だけでなく外部電極２１、２２の外周面に向かう方向へも多くの低融点非鉛ガラスが移動してしまう。この結果、外部電極２１、２２の外周面とめっき層２６又は外部端子との接合強度が弱められてしまう。そこで、本発明の一又は複数の実施形態においては、金属酸化物Ｈに対する低融点非鉛ガラスの比率を５．３以下とすることで、外部電極２１、２２の外周面まで移動する低融点非鉛ガラスの量を抑制し、これにより外部電極２１、２２とめっき層２６又は外部端子とを強固に接合する。

本発明の一又は複数の実施形態において、導電性ペーストに含まれる第１の金属粒子及び第２の金属粒子の合計の体積に対する低融点非鉛ガラスの体積比は、１２．１以上２９．８以下とされる。第１の金属粒子及び第２の金属粒子の合計の体積に対する低融点非鉛ガラスの体積比が１２．１よりも小さいと、低融点非鉛ガラスの量がガラス層２３を形成するには不十分であり、その結果、外部電極２１、２２と基体１０との接合強度が弱くなってしまう。本発明の一又は複数の実施形態においては、第１の金属粒子及び第２の金属粒子の合計の体積に対する低融点非鉛ガラスの体積比を１２．１以上とすることで、十分な厚さのガラス層２３を形成し、このガラス層２３により外部電極２１、２２と基体１０とを強固に接合する。第１の金属粒子及び第２の金属粒子の合計の体積に対する低融点非鉛ガラスの体積比が大きくなり過ぎると、外部電極２１、２２の抵抗値を高くしてしまう（つまり、外部電極２１、２２と、外部電極２１、２２に接続される外部端子との間の電気抵抗が高くなってしまう）ため望ましくない。特に、第１の金属粒子及び第２の金属粒子の合計の体積に対する低融点非鉛ガラスの体積比が２９．８よりも大きいと、低融点非鉛ガラスの量が過剰となり、加熱処理において外部電極２１、２２の外周面に多くのガラスが移動してしまう。外部電極２１、２２の外周面に多くのガラスが存在すると、外部電極２１、２２とめっき層２６又は外部端子との接合強度が弱められてしまう。そこで、本発明の一又は複数の実施形態においては、第１の金属粒子及び第２の金属粒子の合計の体積に対する低融点非鉛ガラスの体積比を２９．８以下とすることで、外部電極２１、２２の外周面まで移動する低融点非鉛ガラスの量を抑制し、これにより外部電極２１、２２とめっき層２６又は外部端子とを強固に接合する。

上記の加熱処理により外部電極２１、２２が形成された後に、めっき法により、外部電極２１、２２の外周面にめっき層２６を形成する。めっき層２６を構成する金属材料は、低融点非鉛ガラスとの密着性が悪いが、上記のように導電性ペーストにおける低融点非鉛ガラスの含有比率を調整することで、外部電極２１、２２の外周面には、低融点非鉛ガラスが凝集したガラス凝集領域Ｇがほとんど存在しないか、存在していても外部電極２１、２２の各々の外周面においてガラス凝集領域Ｇが露出している領域の面積を各々の外周面の面積の１／４未満とすることができるから、めっき層２６と外部電極２１、２２との接合強度が低融点非鉛ガラスに由来するガラス凝集領域Ｇによって低下することを防止又は抑制できる。これにより、めっき層２６と外部電極２１、２２とを強固に接合することができる。

以上の工程により、コイル部品１が製造される。製造されたコイル部品１は、外部電極２１、２２がそれぞれ実装基板２ａのランド３にはんだ接合される。外部電極２１、２２の外周面にめっき層２６が形成されている場合には、外部電極２１、２２の各々はめっき層２６を介してランド３と接続される。この場合、めっき層２６は、外部電極２１、２２の外周面に強固に接合されているため、めっき層２６が外部電極２１、２２から剥離することによるコイル部品１の脱落が抑制される。したがって、コイル部品１を実装基板２ａにより強固に接合することができる。外部電極２１、２２の外周面にめっき層２６が形成されない場合には、外部電極２１、２２は各々の外周面においてランド３と接続される。上記のとおり、外部電極２１、２２の外周面には低融点非鉛ガラスに由来するガラス凝集領域Ｇが存在しないか、存在していてもその存在量が少ないため、外部電極２１、２２とランド３との接合強度のガラス凝集領域Ｇによる低下は防止又は抑制されている。よって、ランド３から外部電極２１、２２から剥離することによるコイル部品１の脱落が抑制される。したがって、コイル部品１を実装基板２ａにより強固に接合することができる。以上のようにして、コイル部品１の実装基板２ａに対する接合強度を向上させることができる。

以上説明したように、コイル部品１の外部電極２２は、非導電性の金属酸化物Ｈを含む。このような金属酸化物Ｈを含む外部電極は、非導電性の金属酸化物Ｈを含む導電性ペーストを加熱処理することによって形成される。この加熱処理において、導電性ペーストでは低融点非鉛ガラスが溶融し移動しやすくなる。低融点非鉛ガラスは、金属粒子に比べ酸化物を含む基体１０との親和性が高いので、融解した低融点非鉛ガラスの一部は基体１０の表面に向かって移動し、外部電極２１、２２と基体１０との間にガラス層２３を形成する。これに対し、従来の一般的なコイル部品の外部電極は金属酸化物Ｈを含んでいないので、加熱処理において融解した低融点非鉛ガラスが外部電極２１、２２の外周面側にも移動する。

図５も参照して、従来のコイル部品と本発明の一又は複数の実施形態によるコイル部品１とを対比して説明する。図５は、従来のコイル部品の一部の断面を模式的に示す断面図である。図５には、図４に示されているコイル部品１と対比して従来のコイル部品を理解できるように、従来のコイル部品のうち図４に対応する領域の断面が示されている。図５に示されているように、従来のコイル部品は、基体１０ｐと、外部電極２２ｐと、この基体１０ｐと外部電極２２ｐとの間に設けられたガラス層２３ｐと、を備えている。外部電極２２ｐは、金属酸化物Ｈを含まない点でコイル部品１の外部電極２２と異なっている。基体１０ｐ及びガラス層２３ｐはそれぞれ、コイル部品１の基体１０及びガラス層２３と同様に構成される。従来のコイル部品においては、外部電極２２ｐが金属酸化物Ｈを含まないため、外部電極２２ｐを作製する際の加熱処理において、溶融した低融点非鉛ガラスが金属酸化物Ｈに捕獲されることなく外部電極２２ｐの外周面に移動するので、図５に示されるように、外部電極２２ｐの外周面に、コイル部品１の外部電極２２の外周面２２ｂと比べて多くのガラス凝集領域Ｇが生成される。また、外部電極２２ｐの内部では、低融点非鉛ガラスの外部電極２２ｐの外周面への移動によって生じた空間が加熱処理によって集結することで空隙Ｓが形成される。本願発明の実施形態によるコイル部品１の外部電極２１、２２と異なり、従来のコイル部品の外部電極２２ｐは、非導電性の金属酸化物Ｈを含んでいないため、加熱処理において溶解した低融点非鉛ガラスが外部電極２２ｐの表面へ移動しやすく、このため外部電極２２ｐには空隙Ｓの数が多く、その体積も大きい。従来のコイル部品の外部電極２２ｐを生成するための加熱時間を長くすることにより粒成長によって空隙Ｓの体積を減少させることはできるが、長時間の加熱処理によって粒成長を促進したとしても外部電極２２ｐには多数の空隙Ｓが残存する。このように外部電極２２ｐの内部に形成された空隙Ｓは、外部電極２２ｐの強度低下の原因となる。また、外部電極２２ｐの外周面には多くのガラス凝集領域Ｇが生成されている。このガラス凝集領域Ｇにより、外部電極２２ｐの表面に接続される外部端子又は外部電極２２ｐの表面に形成されるめっき層２６ｐと外部電極２２ｐとの密着強度が低下する。

これに対し、本発明の一又は複数の実施形態に係るコイル部品１の外部電極２１、２２は、第１の金属粒子及び第２の金属粒子及びこれらが焼結して形成された金属材料からなり導電性を有する金属部Ｆよりも低融点非鉛ガラスに対して高い親和性を有する金属酸化物Ｈを含んでいるので、加熱処理の際に融解した低融点非鉛ガラスは、基体１０の表面側に移動するとともに金属酸化物Ｈの周辺に凝集する。このように、金属酸化物Ｈが外部電極２１、２２に含まれていることにより、加熱処理において金属酸化物Ｈの周辺に低融点非鉛ガラスを保持することができるので、外部電極２１、２２が金属酸化物Ｈを含んでいない従来のコイル部品と比べ、外部電極２１、２２の外周面への低融点非鉛ガラスの移動を抑制できる。このため、本発明の一又は複数の実施形態におけるコイル部品１の外部電極２１、２２の外周面に生成されるガラス凝集領域Ｇの量は、従来のコイル部品の外部電極２２ｐの外周面に生成されるガラス凝集領域Ｇの量よりも少ない。したがって、外部端子（たとえば、外部リード端子やランド３）又はめっき層２６との接合強度に優れた外部電極２１、２２を備えるコイル部品１を得ることができる。

本発明の一又は複数の実施形態においては、外周面２２ｂから金属部Ｆが露出する領域の面積は、外周面２２ｂの面積の３／４以上とされる。これにより、外周面２２ｂの面積の３／４以上の領域において外部電極２２の金属部Ｆとめっき層２６を構成する金属材料とを金属結合させることができるので、外部電極２２の外周面２２ｂに形成されるめっき層２６と外部電極２２との接合強度を高めることができる。また、外周面２２ｂの面積に占めるガラス凝集領域Ｇが露出している領域の面積は、外周面２２ｂの面積の１／４未満であるため、より多くのガラス凝集領域Ｇが外周面２２ｂに生成されている従来のコイル部品と比べて、外部電極２２とめっき層２６との間の電気抵抗を低減することができる。

本発明の一又は複数の実施形態において、外部電極２２は、アスペクト比が３以上である第２の金属粒子を含んでいてもよい。また、第２の金属粒子の最小曲率半径の平均は、０．１μｍ以上３μｍ以下であってもよい。このような第２の金属粒子においては、長軸方向の両端部において金属結合に必要なエネルギーが小さくなるので、第２の金属粒子の長軸方向の両端部における金属粒子同士の金属結合の形成を容易にすることができる。

本発明の一又は複数の実施形態においては、体積比で２％以上の金属酸化物Ｈを含有する導電性ペーストから外部電極２１、２２を作製してもよい。導電性ペーストにおける金属酸化物Ｈの量が少な過ぎると、加熱処理において溶融した低融点非鉛ガラスの外部電極２１、２２の外周面（例えば、外部電極２２の外周面２２ｂ）への移動を抑制できなくなり、外部電極２１、２２の外周面に多くの低融点非鉛ガラスが移動してしまうためである。

本発明の一又は複数の実施形態において、外部電極２１、２２は、低融点非鉛ガラスに対する金属酸化物Ｈの体積比が２．０以上５．３以下である導電性ペーストから作製されてもよい。導電性ペーストに含まれる金属酸化物Ｈに対する低融点非鉛ガラスの体積比を２．０以上とすることで、導電性ペーストの加熱処理において低融点非鉛ガラスが基体１０の表面に移動しやすくでき、これにより基体１０の表面にガラス層２３を形成することができる。この結果、ガラス層２３により外部電極２１、２２と基体１０とを強固に接合することができる。また、金属酸化物Ｈに対する低融点非鉛ガラスの比率を５．３以下とすることで、外部電極２１、２２の外周面まで移動する低融点非鉛ガラスの量を抑制することができる。めっき層２６やランド３を構成する金属材料は、低融点非鉛ガラス（又は低融点非鉛ガラスが凝集したガラス凝集領域Ｇ）との密着性が悪い。よって、外部電極２１、２２の外周面まで移動する低融点非鉛ガラスの量を抑制することで、外部電極２１、２２とめっき層２６又は外部端子（例えば外部リード端子やランド３）との接合強度をより高くすることができる。

本発明の一又は複数の実施形態においては、導電性ペーストに含まれる第１の金属粒子及び第２の金属粒子の合計の体積に対する低融点非鉛ガラスの体積比は、１２．１以上２９．８以下であってもよい。第１の金属粒子及び第２の金属粒子の合計の体積に対する低融点非鉛ガラスの体積比を１２．１以上とすることで、十分な厚さのガラス層２３を形成し、このガラス層２３により外部電極２１、２２と基体１０とを強固に接合することができる。また、第１の金属粒子及び第２の金属粒子の合計の体積に対する低融点非鉛ガラスの体積比を２９．８以下とすることで、外部電極２１、２２の外周面まで移動する低融点非鉛ガラスの量を抑制し、これにより外部電極２１、２２とめっき層２６又は外部端子とを強固に接合することができる。

コイル部品１は、本発明が適用可能な電子部品の例であり、本発明はコイル部品１以外の様々な種類のコイル部品に適用され得る。例えば、本発明は、巻線型のコイル部品にも適用され得る。図６を参照して、本発明の別の実施形態によるコイル部品１０１について説明する。図６に示されているコイル部品１０１は、基体１１０の周囲にコイル導体１２５（巻線１２５）が巻回された巻線型のインダクタである。図示のように、コイル部品１０１は、基体１１０と、コイル導体１２５と、第１の外部電極１２１と、第２の外部電極１２２と、を備えている。

磁性基体１１０は、巻芯１１１と、当該巻芯１１１の一方の端部に設けられた直方体形状のフランジ１１２ａと、当該巻芯１１１の他方の端部に設けられた直方体形状のフランジ１１２ｂとを有する。巻芯１１１には、コイル導体１２５が巻回されている。コイル導体１２５は、導電性に優れた金属材料から成る導線と、当該導線の周囲を被覆する絶縁被膜とを有する。第１の外部電極１２１は、フランジ１１２ａの下面に沿って設けられており、第２の外部電極１２２は、フランジ１１２ｂの下面に沿って設けられている。基体１１０のフランジ１１２ａの表面と外部電極１２１との間及び基体１１０のフランジ１１２ｂの表面と外部電極１２２との間にはそれぞれ、ガラス層１２３が設けられている。

ガラス層１２３は、ガラス層２３と同様に、ガラスによって構成され、例えば、低融点非鉛ガラスによって構成される。基体１１０は、基体１０と同様に、ガラス層１２３を構成するガラスと高い親和性を有する絶縁材料から構成される。

次に、コイル部品１０１の製造方法の例を説明する。まず、基体１１０が作製される。基体１１０は、まず、金属磁性粒子を樹脂と混練して混合樹脂組成物を得る。次に、この混合樹脂組成物を磁性基体１１０に対応する形状のキャビティを有する成型金型に入れ、この成型金型内の混合樹脂組成物を加熱しながら所定の成形圧力で加圧することで成形体が作製される。次に、この成形体を脱脂し、脱脂された成形体に対して、熱処理を行うことで基体１１０が得られる。この熱処理における加熱時間は例えば２０分間～１２０分間とされ、加熱温度例えば５５０～８５０℃とされる。

次に、上記の熱処理工程により得られた基体１１０のフランジ１１２ａ及び１１２ｂに外部電極１２１、１２２となる導電性ペーストを塗布して導電性ペースト層を形成する。この導電性ペーストは、コイル部品１の外部電極２１、２２の形成に用いられる導電ペーストと同じものを用いることができる。つまり、外部電極１２１、１２２の作製に用いられる導電性ペーストとして、導電性の第１の金属粒子及び第２の金属粒子と、非導電性の金属酸化物Ｈと、低融点非鉛ガラスと、を含む。次に、この導電性ペースト層が塗布形成された基体１１０に対して加熱処理を行う。この加熱処理により、導電性ペースト層に含まれる第１の金属粒子及び第２の金属粒子が焼結することで、導電性を有する金属部を形成し、導電性ペースト層が外部電極１２１、１２２となる。加熱処理は、例えば、５５０℃～８００℃で３０分～６０分間行われる。この加熱処理において、導電性ペーストに含まれている低融点非鉛ガラスがフランジ１１２ａ、１１２ｂの表面に移動し、フランジ１１２ａの表面と外部電極１２１との間及びフランジ１１２ｂの表面と外部電極１２２との間にガラス層１２３が生成される。

次に、上記の熱処理工程により得られた基体１１０の周りにコイル導体１２５を巻回し、このコイル導体１２５の一端を第１の外部電極１２１に接続し、他端を第２の外部電極１２２に接続する。以上により、コイル部品１０１が得られる。

コイル導体１０１の各構成要素の形状及び配置は、図６に示されたものには限られない。例えば、磁性基体１１０は、リング形状のトロイダルコアであってもよい。コイル部品１０１は、リング形状の基体１１０（トロイダルコア１１０）と、磁性基体１１０の周りに巻回されたコイル導体１２５と、を備えるトロイダルコイルであってもよい。また、巻回されたコイル導体１２５を覆う外装部を有していてもよい。外装部には、樹脂やガラスが含まれても良く、フィラーが含まれていてもよい。フィラーとして、フェライト粉や金属磁性粒子を用いてもよい。

コイル部品１０１の外部電極１２１、１２２も、コイル部品１の外部電極２１、２２と同様に、非導電性の金属酸化物Ｈを含む。したがって、外部電極１２１、１２２となる導電性ペーストを加熱する際に、金属酸化物Ｈの周辺に低融点非鉛ガラスを保持することができるので、外部電極が金属酸化物Ｈを含んでいない従来のコイル部品と比べて、外部電極１２１、１２２の外周面に生成される低融点非鉛ガラスの量を抑制できる。このため、低融点非鉛ガラスから形成されるガラス凝集領域による外部電極１２１、１２２と、この外部電極１２１、１２２の外周面に設けられるめっき層又は外部電極１２１、１２２の外周面と接合される外部端子との接合強度の劣化を抑制することができる。また、基体１１０は、低融点非鉛ガラスと高い親和性を有する絶縁材料から構成されているので、フランジ１１２ａの表面と外部電極１２１との間及びフランジ１１２ｂの表面と外部電極１２２との間にガラス層１２３が生成され、このガラス層１２３により外部電極１２１、１２２をフランジ１１２ａ、１１２ｂに強固に接合することができる。

続いて、図７を参照して、本発明の別の実施形態によるコイル部品２０１について説明する。図示のコイル部品２０１は、基体２１０と、この基体２１０内に設けられたコイル導体２２５と、当該コイル導体２２５の一端と電気的に接続された外部電極２２１と、当該コイル導体２２５の他端と電気的に接続された外部電極２２２と、を備える。基体２１０の表面と外部電極２２１との間及び基体２１０の表面と外部電極２２２との間にはそれぞれ、ガラス層２２３が設けられている。ガラス層２２３は、ガラス層２３と同様に、ガラスによって構成され、例えば、低融点非鉛ガラスによって構成される。基体２１０は、基体１０と同様に、ガラス層２２３を構成するガラスと高い親和性を有する絶縁材料から構成される。

次に、コイル部品２０１の製造方法について説明する。まず、金属磁性粒子を準備する。次に、この金属磁性粒子３０と樹脂組成物とを混合してスラリー（混合物）を作製する。次に、成形金型に予め準備したコイル導体を設置し、このコイル導体が設置された成形金型内に上記のスラリーを入れ、成形圧力を加えることで、内部にコイル導体を含む成形体が得られる。次に、この成形体を熱処理する。この成形体は、例えば、５５０℃～８５０℃で、２０分間～１２０分間熱処理される。これにより、内部にコイル導体２２５を有する基体２１０が得られる。次に、上記のようにして得られた基体２１０の表面に外部電極２２１、２２２となる導電性ペーストを塗布することにより、導電性ペースト層を形成する。この導電性ペーストとして、コイル部品１の外部電極２１、２２の形成に用いられる導電ペーストと同じものを用いることができる。つまり、外部電極２２１、２２２の作製に用いられる導電性ペーストは、導電性の第１の金属粒子及び第２の金属粒子と、非導電性の金属酸化物Ｈと、低融点非鉛ガラスと、を含む。次に、この導電性ペースト層が塗布形成された基体２１０に対して加熱処理を行う。この加熱処理により、導電性ペースト層に含まれる第１の金属粒子及び第２の金属粒子が焼結することで、導電性を有する金属部を形成し、導電性ペースト層が外部電極２２１、２２２となる。加熱処理は、例えば、５５０℃～８００℃で３０分～６０分間行われる。この加熱処理において、導電性ペーストに含まれている低融点非鉛ガラスが基体２１０の表面に移動し、基体２１０の表面と外部電極２２１との間及びフ基体２１０の表面と外部電極１２２との間にガラス層２２３が生成される。以上により、コイル部品２０１が得られる。

コイル部品２０１の外部電極２２１、２２２も、コイル部品１の外部電極２１、２２と同様に、非導電性の金属酸化物Ｈを含む。したがって、外部電極２２１、２２２となる導電性ペーストを加熱する際に、金属酸化物Ｈの周辺に低融点非鉛ガラスを保持することができるので、外部電極が金属酸化物Ｈを含んでいない従来のコイル部品と比べて、外部電極２２１、２２２の外周面に生成される低融点非鉛ガラスの量を抑制できる。低融点非鉛ガラスから形成されるガラス凝集領域による外部電極２２１、２２２と、この外部電極２２１、２２２の外周面に設けられるめっき層又は外部電極２２１、２２２の外周面と接合される外部端子との接合強度の劣化を抑制することができる。また、基体２１０は、低融点非鉛ガラスと高い親和性を有する絶縁材料から構成されているので、基体２１０の表面と外部電極２２１との間及び基体２１０の表面と外部電極２２２との間にガラス層２２３が生成され、このガラス層２２３により外部電極２２１、２２２を基体２１０に強固に接合することができる。

前述の様々な実施形態で説明された各構成要素の寸法、材料及び配置は、それぞれ、各実施形態で明示的に説明されたものに限定されず、当該各構成要素は、本発明の範囲に含まれ得る任意の寸法、材料及び配置を有するように変形することができる。また、本明細書において明示的に説明していない構成要素を、上述の各実施形態に付加することもできるし、各実施形態において説明した構成要素の一部を省略することもできる。

例えば、本発明の一実施形態に係る電子部品は、静電容量を発生させる一対の電極を機能部として備えるキャパシタであってもよい。この場合、外部電極２１は機能部の一方の電極と電気的に接続され、外部電極２１は機能部の他方の電極と電気的に接続される。本発明の一実施形態に係る電子部品がキャパシタである場合、基体に含まれる酸化物としては、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、ジルコニア、チタン酸バリウム（ＢａＯ₃Ｔｉ）等のセラミック材料を用いることができる。

次に、本発明の実施例について説明する。評価対象とする試料を以下のようにして作製した。金属磁性粒子とポリビニルブチラール（ＰＶＢ）樹脂とを混練して得られたスラリーから、ドクターブレード式シート成形機を用いて絶縁シートを作製し、この絶縁シートを５５０℃で６０分間加熱して絶縁シートの焼成体を得た。この絶縁シートの焼成体を切断して同一形状の絶縁体基板を２４枚作製した。次に、当該絶縁体基板の各々に、Ａｇ粒子、低融点非鉛ガラス（ＴｉＯ₂－ＳｉＯ₂－Ｂ₂Ｏ₃系のガラス）、及び金属酸化物（ＣｕＯ）を含む導電性ペーストをスクリーン印刷によって塗布し、導電性ペースト層を形成した。Ａｇ粒子は、アスペクト比がほぼ１で平均粒径が０．２μｍの球形状のＡｇ粒子とアスペクト比が１０で最小曲率半径の平均が０．３のＡｇ粒子とを４：６の重量比率で混合した混合粒子を用いた。この混合粒子のうち、平均粒径が０．２μｍの球形状のＡｇ粒子は第１の金属粒子の例であり、アスペクト比が１０で最小曲率半径の平均が０．３のＡｇ粒子は第２の金属粒子の例である。その後、０．７Ｔｍの温度（Ｔｍは、Ａｇの融点である。）で、導電性ペーストが塗布された絶縁体基板を６０分間加熱し、導電性ペーストに含まれるＡｇ粒子を焼結させ、導電性ペースト層をＡｇ焼結層とした。次に、直径１８０μｍの銅線を準備し、Ａｇ焼結層に当該銅線の一端付近を２５０ｋＰａの圧力で圧接し、６５０℃で導電性ペーストと銅線とを固相接合した。その後、当該銅線を導電性ペースト層と垂直な方向に折り曲げて、この折り曲げられた銅線の他端をテンションゲージに接続し、当該テンションゲージにより当該銅線を導電性ペーストと垂直な方向に引っ張って９０度剥離強度を測定した。テンションゲージとして、ミツトヨ製の５４６シリーズダイヤルテンションゲージＤＴＧ－３０Ｎ（３０－３００－３０ｇｆレンジ）を使用した。上記の測定は、導電性ペーストに含まれるＡｇの金属粒子、低融点非鉛ガラス、及び金属酸化物の割合が異なる２４個のサンプル（サンプルＡ１～サンプルＡ２４）に対して行った。各サンプルにおける導電性ペーストに含まれるＡｇの金属粒子、低融点非鉛ガラス、及び金属酸化物の割合、並びに、各サンプルにおける接合強度の測定結果は、下記の表１の通りであった。なお、表１において、サンプル番号Ａ１５は欠番となっている。各サンプルにおいては、絶縁体基板にＡｇ焼結層が形成され、このＡｇ焼結層に銅線が固相接合されているので、剥離試験においては、絶縁体基板とＡｇ焼結層との間及びＡｇ焼結層と銅線とのそれぞれで剥離が起こりえる。表１の「剥離モード」の欄には、測定時に絶縁体基板とＡｇ焼結層との間で剥離が起こったサンプルについて「第１モード剥離」と記入し、Ａｇ焼結層と銅線との間で剥離が起こったサンプルについて「第２モード剥離」と記入した。また、測定上限の２５ＧＰａを超える力で銅線を引っ張った際に第１モード剥離が起こったサンプルがあったため、当該サンプルについては、「９０度引張強度」の欄に「＞２５．０」と記載し「剥離モード」の欄に「第１モード剥離」と記載した。測定上限の２５ＧＰａを超える力で銅線を引っ張った際に第１モード剥離も第２モード剥離も発生せずに、測定中に銅線が破断したサンプルがあったため、当該サンプルについては表１の「剥離モード」の欄に「剥離無し」と記入した。

表１のサンプルＡ１～Ａ３の剥離強度の測定結果から、導電性ペーストがガラスを含まない場合には、絶縁体基板とＡｇ焼結層との間で剥離が起きやすいこと、導電性ペーストにガラス及び金属酸化物を少量添加することにより、導電性ペーストがガラスを含まない場合と比較して、剥離強度が改善することが確認できた。

サンプルＡ１、Ａ３、Ａ４の測定結果から、導電性ペーストにおけるガラスの含有比率が低い場合には剥離モードが第１モードとなるのに対し、導電性ペーストにおけるガラスの含有比率が高くなると剥離モードが第２モードとなることが確認された。

サンプルＡ４、Ａ５の測定結果から、導電性ペーストに金属酸化物を添加することにより、Ａｇ焼結層と銅線との間の接合面の剥離強度が向上することが確認された。また、サンプルＡ４～Ａ９の測定結果から、導電性ペーストに含まれる金属酸化物に対するガラスの比率が低くなると（つまり、導電性ペーストに含まれるガラスに対する金属酸化物の比率が高くなると）第１モード剥離が起こりやすく、逆に導電性ペーストに含まれる金属酸化物に対するガラスの比率が高くなると（つまり、導電性ペーストに含まれるガラスに対する金属酸化物の比率が低くなると）第２モード剥離が起こりやすくなることが確認された。また、特にサンプルＡ６、Ａ７の測定結果から、導電性ペーストに含まれる金属酸化物に対するガラスの比率が２．０以上５．３以下の範囲にあるときに、絶縁体基板とＡｇ焼結層との間の接合面及びＡｇ焼結層と銅線との間の接合面のいずれでも９０度剥離強度が高いことが確認された。

サンプルＡ１０の測定結果とサンプルＡ１１～Ａ１４の測定結果との比較から、導電性ペーストに金属酸化物を添加することにより、Ａｇ焼結層と銅線との間の接合面の剥離強度が向上することが確認された。また、サンプルＡ１０～Ａ１４の測定結果から、導電性ペーストに含まれる金属酸化物に対するガラスの比率が低くなると第１モード剥離が起こりやすくなることが確認された。また、特にサンプルＡ１２～Ａ１４の測定結果から、導電性ペーストに含まれる金属酸化物に対するガラスの比率が２．６以上５．０以下の範囲にあるときに、絶縁体基板とＡｇ焼結層との間の接合面及びＡｇ焼結層と銅線との間の接合面のいずれでも９０度剥離強度が高いことが確認された。

サンプルＡ１６の測定結果とサンプルＡ１７～Ａ２１の測定結果との比較から、導電性ペーストに金属酸化物を添加することにより、Ａｇ焼結層と銅線との間の接合面の剥離強度が向上することが確認された。サンプルＡ１６～Ａ２１の測定結果からも同様に、導電性ペーストに含まれる金属酸化物に対するガラスの比率が低くなると第１モード剥離が起こりやすく、逆に導電性ペーストに含まれる金属酸化物に対するガラスの比率が高くなると第２モード剥離が起こりやすくなることが確認された。また、特にサンプルＡ６、Ａ７の測定結果から、導電性ペーストに含まれる金属酸化物に対するガラスの比率が３．０以上３．９以下の範囲にあるときに、絶縁体基板とＡｇ焼結層との間の接合面及びＡｇ焼結層と銅線との間の接合面のいずれでも９０度剥離強度が高いことが確認された。

サンプルＡ２２の測定結果とサンプルＡ２３～Ａ２５の測定結果との比較から、導電性ペーストに金属酸化物を添加することにより、Ａｇ焼結層と銅線との間の接合面の剥離強度が向上することが確認された。

サンプルＡ３、Ａ８、Ａ９の測定結果から、導電性ペーストに含まれる金属（Ａｇ）に対するガラスの体積比率が７．７以下の場合には、導電性ペーストに含まれる金属（Ａｇ）に対するガラスの体積比率が１２．１以上の場合と比較して、絶縁体基板とＡｇ焼結層との間の接合強度が低く、第１モード剥離が比較的起こりやすいことが分かった。導電性ペーストに含まれる金属（Ａｇ）に対するガラスの体積比率を１２．１以上とすることにより、第１モード剥離が起きにくいことが確認できた。

サンプルＡ２３～Ａ２５については、Ａｇ焼結層と銅線との接合面に多くのガラスが凝集していることが確認された。このため、他のサンプルと比べて、Ａｇ焼結層と銅線との間の導電性が悪くなるおそれがある。導電性ペーストに含まれる金属（Ａｇ）に対するガラスの体積比率を２９．８以下とすることにより、Ａｇ焼結層と銅線との接合面に生成するガラスを少なくすることができ、この接合面に生成するガラスによる導電性の劣化を抑制することができる。

次に、導電性ペーストが含有するＡｇ粒子の形状に応じたＡｇ焼結層の緻密性及びＡｇ焼結層の表面に生成されるガラス凝集物の多寡について以下のようにして確認した。まず、サンプルＡ１～サンプルＡ２５と同様にして絶縁体基板を作製し、当該絶縁体基板の各々に、８１．７ｖｏｌ％のＡｇ粒子、１２．１ｖｏｌ％の低融点非鉛ガラス（ＴｉＯ₂－ＳｉＯ₂－Ｂ₂Ｏ₃系のガラス）、及び６．１ｖｏｌ％の金属酸化物（ＣｕＯ）を含む導電性ペーストをスクリーン印刷によって塗布し、導電性ペースト層を形成した。Ａｇ粒子は、アスペクト比がほぼ１であり、平均粒径が０．２μｍの小径球形粒子、アスペクト比がほぼ１であり、平均粒径が０．６μｍの大径球形粒子、アスペクト比が１０であり最小曲率半径の平均が０．３である第１非球形粒子、アスペクト比が７であり最小曲率半径の平均が２．０である第２非球形粒子、又はこれらを混合した混合粒子である。小径球形粒子及び大径球形粒子は、第１の金属粒子の例であり、第１非球形粒子及び第２非球形粒子は、第２の金属粒子の例である。次に、０．７Ｔｍの温度（Ｔｍは、Ａｇの融点である。）で、導電性ペーストが塗布された絶縁体基板を６０分間加熱し、導電性ペーストに含まれるＡｇ粒子を焼結させ、導電性ペースト層をＡｇ焼結層とした。このＡｇ焼結層は外部電極２１、２２の例であり、絶縁体基板は基体１０の例である。

次に、Ａｇ焼結層の表面（絶縁体基板と反対側の面）を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で２０００倍の倍率で撮影する。このようにして得られた撮影像に画像処理を行って、明度の違いに基づいて、撮影領域を、ガラスの凝集物が存在する領域と、それ以外の領域（銀粒子又は金属酸化物が露出している領域）とに区分した。ガラスの凝集物が存在する領域とそれ以外の領域とは、撮影像の明度の違いにより容易に識別される。次に、ガラスの凝集物が存在する領域の面積、及び、ガラスの凝集物が存在する領域の面積の撮影像に含まれる領域全体の面積に対する比（以下、「ガラス存在比」という。）を求めた。また、Ａｇ焼結層をその厚さ方向に沿って切断して断面を露出させ、当該断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により２０００倍の倍率で撮影したて断面撮影像を得た。この断面撮影像に画像処理を行って、明度の違いに基づいて、撮影領域を空隙と空隙以外の領域とに区分した。空隙とそれ以外の領域とは、撮影像の明度の違いにより容易に識別される。次に、空隙の面積及び当該空隙の面積の撮影像に含まれる領域全体の面積に対する比（以下、「空隙存在比」という。）を求めた。

上記のガラスの凝集物が存在する領域の面積及び空隙の面積の測定は、導電性ペーストに含まれるＡｇ粒子が異なる９個のサンプル（サンプルＢ１～サンプルＢ９）に対して行った。サンプルＢ１は、小径球形粒子のみをＡｇ粒子として用い、サンプルＢ２は、大径球形粒子のみをＡｇ粒子として用いて作製された。サンプルＢ３は、第１非球形粒子のみをＡｇ粒子として用い、サンプルＢ４は、第１非球形粒子のみをＡｇ粒子として用いて作製された。サンプルＢ５は、小径球形粒子と第１非球形粒子とを重量比で１：１の割合で混合した混合粒子をＡｇ粒子として用いて作製された。サンプルＢ６は、大径球形粒子と第１非球形粒子とを重量比で１：１の割合で混合した混合粒子をＡｇ粒子として用いて作製された。サンプルＢ７は、小径球形粒子と第２非球形粒子とを重量比で１：１の割合で混合した混合粒子をＡｇ粒子として用いて作製された。サンプルＢ８は、大径球形粒子と第１非球形粒子とを重量比で１：１の割合で混合した混合粒子をＡｇ粒子として用いて作製された。サンプルＢ９は、第１非球形粒子と第２非球形粒子とを重量比で１：１の割合で混合した混合粒子をＡｇ粒子として用いて作製された。

各サンプルの空隙存在比及びガラス存在比の評価結果は以下の表２に記載のとおりである。空隙存在比は、１５％未満の場合に「低」、１５％以上２５％未満の場合に「中」、２５％以上の場合に「高」と評価した。ガラス存在比は、１０％未満の場合に「低」、１０％以上２５％未満の場合に「中」、２５％以上の場合に「高」と評価した。

サンプルＢ５～Ｂ７の評価結果により、小径球形粒子又は大径球形粒子と第１非球形粒子又は第２非球形粒子とを混合した混合粒子をＡｇ粒子として含む導電性ペーストを用いてＡｇ焼結層を作製することにより、当該Ａｇ焼結層の絶縁体基板と反対側の表面ではガラスが少なく、当該Ａｇ焼結層の内部には空隙が少ない（つまり、当該Ａｇ焼結層は緻密性が高い）ことが分かった。このため、サンプルＢ５～Ｂ７は、Ａｇ焼結層の表面の電気抵抗が低く、また、高い機械的強度を有する。

サンプルＢ１、Ｂ２の評価結果と、サンプルＢ３～Ｂ９の評価結果とを比較することにより、第１非球形粒子又は第２非球形粒子をＡｇ粒子として含有する導電性ペーストから作製されたＡｇ焼結層は、Ａｇ粒子が小径球形粒子のみ又は大径球形粒子のみを含む導電性ペーストから作製されたＡｇ焼結層と比べて、Ａｇ焼結層の絶縁体基板と反対側の表面に生成されるガラスが少なく、当該Ａｇ焼結層の内部には空隙が少ないことが分かった。第１非球形粒子又は第２非球形粒子をＡｇ粒子として含有する導電性ペーストから作製されたＡｇ焼結層の表面においてガラスが少なく、また、当該Ａｇ焼結層の内部において空隙が少ないのは、第１非球形粒子及び第２非球形粒子が溶解したガラスの移動を抑制するためと考えられる。

以上から、外部電極を作製するために用いられるＡｇ粒子に第１非球形粒子又は第２非球形粒子（つまり、高アスペクト比粒子）を含むことにより、外部電極の外周面（基体と反対側の面）におけるガラスの生成を抑制し、また、機械的強度に優れた外部電極が得られることが分かった。

１、１０１、２０１ コイル部品
１０、１１０、２１０ 基体
２１，２２、１２１、１２２、２２１、２２２ 外部電極
２３、１２３、２２３ ガラス層
２５ 導体
２６ めっき層
Ｆ 金属部
Ｇ ガラス凝集領域
Ｈ 金属酸化物。

Claims (19)

1. 絶縁性の基体と、
   前記基体に設けられ、金属材料からなり導電性を有する金属部、ガラス、及び非導電性の金属酸化物を含む外部電極と、
   前記外部電極と電気的に接続された金属から成る機能部と、を備える、電子部品。
2. 前記外部電極は、前記基体の表面に対向する内周面及び前記内周面とは反対側にある外周面を有し、前記外周面から前記金属部が露出するように構成されており、
   前記基体の表面及び前記外部電極の前記内周面に接触するように設けられたガラス層を備える、請求項１に記載の電子部品。
3. 前記外周面の３／４以上の領域において、前記金属部が露出している、請求項２に記載の電子部品。
4. 前記外部電極は、前記ガラスが凝集したガラス凝集領域を含み、
   前記ガラス凝集領域は、前記金属酸化物に接触する、請求項１～３の何れか一項に記載の電子部品。
5. 前記金属酸化物は、遷移金属の酸化物である、請求項１～４の何れか一項に記載の電子部品。
6. 前記外部電極の前記外周面上に設けられためっき層を更に備える、請求項１～５の何れか一項に記載の電子部品。
7. 前記機能部は、コイル軸の周りに巻回された導体を含む、請求項１～６の何れか一項に記載の電子部品。
8. 前記機能部は、静電容量を発生させる一対の電極を含む、請求項１～６の何れか一項に記載の電子部品。
9. 前記ガラスは、鉛を含有せず、前記ガラスの融点は、５００℃以下である、請求項１～８のいずれか一項に記載の電子部品。
10. 前記基体は、酸化物を含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の電子部品。
11. 請求項１～１０の何れか一項に記載の電子部品を備える、回路基板。
12. 請求項１１に記載の回路基板を備える、電子機器。
13. 金属から成る機能部を備えており絶縁材料からなる基体を準備する工程と、
    導電性の金属粒子と、非導電性の金属酸化物と、ガラスと、を含む導電性ペーストを準備する工程と、
    前記基体の表面に前記導電性ペースト層を形成する工程と、
    前記導電性ペースト層を熱処理する工程と、を備える、電子部品の製造方法。
14. 前記導電性ペーストに含まれる前記金属酸化物の体積比率は２％以上である、請求項１３に記載の電子部品の製造方法。
15. 前記導電性ペーストに含まれる前記金属酸化物に対する前記ガラスの体積比は、２．０以上５．３以下である、請求項１３又は１４に記載の電子部品の製造方法。
16. 前記導電性ペースト層を熱処理する工程により、前記金属粒子を含む外部電極と、前記基体と前記外部電極との間に設けられたガラス層とが形成される、請求項１３～１５の何れか一項に記載の電子部品の製造方法。
17. 前記複数の金属粒子の平均粒径は、１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１３～１６の何れか一項に記載の電子部品の製造方法。
18. 前記複数の金属粒子は、アスペクト比が３以上である高アスペクト比粒子を含む、請求項１３～１７の何れか一項に記載の電子部品の製造方法。
19. 前記高アスペクト比粒子の最小曲率半径の平均は、３μｍ以下である、請求項１３～１８の何れか一項に記載の電子部品の製造方法。

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