JP2022043221A - 撮像素子 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、一実施の形態による撮像素子101を備えるデジタルカメラの構成例を模式的に示す図である。デジタルカメラは、交換レンズ110とカメラボディ100とから構成され、交換レンズ110がレンズ取り付け部105を介してカメラボディ100に装着される。
なお、デジタルカメラをレンズ交換式ではなく、レンズ一体式のカメラとして構成してもよい。
レンズ制御部111は、受信したデフォーカス量に基づいてフォーカスレンズ113の駆動量を算出する。そして、算出した駆動量に基づいて不図示のモーター等を駆動することにより、フォーカスレンズ113を合焦位置へ移動させる。
図2は、撮像素子101の概要を説明する模式図である。撮像素子101は、CMOSイメージセンサによって構成される。撮像素子101は、画素エリア201と、垂直制御部202と、水平制御部203と、出力部204と、制御部205とを有する。なお、図2では、電源部や詳細回路は省略している。
また、出力部204は、垂直信号線210を介して読出された信号を、後段の信号処理部へ並列に出力する例を図示したが、出力部204において水平転送した上で、一つずつ後段の信号処理部へ出力するように構成してもよい。
なお、本実施の形態では、フォトダイオードと、フォトダイオードで生成された電荷に基づく信号を読出す読出し部とを含めて「画素」と呼ぶ。読出し部は、後述する各転送トランジスタ、フローティングディフュージョン(FD)領域、増幅トランジスタ、および選択トランジスタを含む例を説明するが、読出し部の範囲は、必ずしも本例の通りでなくてもよい。
図5は、グローバルシャッタ動作の全体のタイミングを説明する図である。図5において、縦軸は画素エリア201(図2)に設けられた画素行、横軸は時間を示している。第PフレームにおいてフォトダイオードPDをリセットする時刻t1から、フォトダイオードPDで生成された電荷を拡散容量SCへ転送する時刻t2までの間が、第Pフレームの蓄積時間に相当する。フォトダイオードPDから拡散容量SCへ電荷を転送後、行毎に拡散容量SCから電荷の読出しが行われる。図5によれば、グローバルシャッタ動作では、PDリセット時点(t1)からPD→SC転送時点(t2)までの蓄積時間は各行で同時性がある。拡散容量SCからの電荷の読出しは行毎に行うため、読出し期間においては行間で時間差が生じる。
1.蓄積期間
制御部205は、画素エリア201(図2)内の全画素30に対して同時に蓄積を行わせるとともに、蓄積期間の始めにフォトダイオードPDのリセットを行わせる。
図6において、制御部205の指示により、制御信号φRSTとしてHighレベルのリセットパルスがリセットトランジスタRSTに供給される。これにより、リセットトランジスタRSTがオンしてFD領域の電位がリセットされる。
撮像素子101に対して第2の転送トランジスタTx2を設けたことにより、第2の転送トランジスタTx2を設けない場合と比べてフォトダイオードPDのリセットを短時間で行うことができる。
リセット後のフォトダイオードPDは、入射光量に応じた電荷を生成し、蓄積する。
制御部205は、画素エリア201(図2)内の全画素30の拡散容量SCから、行毎に順次電荷を読出す。図6において、破線で囲んだ範囲が読出し期間である。図6では1行分の読出しを説明する波形のみを図示して他の行の読出し波形の図示を省略したが、同様の読出しが行毎に行われる。
図5においては、1フレーム分の蓄積期間の終了を待ってから、読出し期間を開始し、読出し期間の終了を待ってから、次フレームの蓄積期間を開始した。
図5に代えて、前フレームの信号の読出し期間の終了を待たずに、次フレームの蓄積期間を開始するようにしてもよい。図7(a)および図7(b)は、どちらも他のグローバルシャッタ動作における全体のタイミングを説明する図である。例えば、連続して静止画を撮影する連写モードに設定されている場合や、動画を撮影する動画モードに設定されている場合には、図7(a)または図7(b)によるタイミングでグローバルシャッタ動作を行うとよい。
図8を図6と比較すると、第Pフレームに対する読出しを開始する前に、第P+1フレームの蓄積が開始され、フォトダイオードPDに存在する不要電荷が排出(PDリセット)される。
図9は、ローリングシャッタ動作の全体のタイミングを説明する図である。図9において、縦軸は画素エリア201(図2)に設けられた画素行、横軸は時間を示している。例えば、第Pフレームの第1行においてフォトダイオードPDをリセットした時刻t1から、第1行のフォトダイオードPDで生成された電荷をFD領域へ転送する時刻t1eまでの間が、第1行の蓄積時間に相当する。フォトダイオードPDからFD領域へ電荷を転送した後は、この電荷に基づく信号の読出しが行われる。以上の動作が行毎に行われる。第N行においてフォトダイオードPDをリセットした時刻tNから、第N行のフォトダイオードPDで生成された電荷をFD領域へ転送する時刻tNeまでの間が、第N行の蓄積時間に相当する。
本実施の形態では、3通りのローリングシャッタ動作が可能である。第1のローリング動作は、フォトダイオードPDの電荷が飽和した場合に溢れた電荷を拡散容量SCに蓄積し、フォトダイオードPDおよび拡散容量SCの電荷を同時にFD領域へ転送する動作である。FD領域の容量に余裕がある場合に適しており、ダイナミックレンジをかせぐことができる。なお、FD領域の容量は撮像素子101の設計時に決定される。
図10(a)および図10(b)は、第1のローリングシャッタ動作時において、撮像素子101の各画素30に供給される各種制御信号を説明するタイムチャートである。図10(a)は、蓄積期間の開始時の各種制御信号を説明するタイムチャートであり、図10(b)は、蓄積期間から読出しへ移行時の各種制御信号を説明するタイムチャートである。
図11(a)および図11(b)は、第2のローリングシャッタ動作時において、撮像素子101の各画素30に供給される各種制御信号を説明するタイムチャートである。図11(a)は、蓄積期間の開始時の各種制御信号を説明するタイムチャートであり、図11(b)は、蓄積期間から読出しへ移行時の各種制御信号を説明するタイムチャートである。
図12(a)および図12(b)は、第3のローリングシャッタ動作時において、撮像素子101の各画素30に供給される各種制御信号を説明するタイムチャートである。図12(a)は、蓄積期間の開始時の各種制御信号を説明するタイムチャートであり、図12(b)は、蓄積期間から読出しへ移行時の各種制御信号を説明するタイムチャートである。
一方、ボディ制御部102は、動画モードに設定された場合には、撮像素子101にローリングシャッタ動作を行わせる。
なお、動画を撮影する動画モードに設定された場合でも、撮像素子101にグローバルシャッタ動作を行わせてもよい。
(1)撮像素子101が備える複数の画素30は、それぞれ、光を光電変換して電荷を生成するフォトダイオードPDと、フォトダイオードPDで生成された電荷を蓄積するFD領域と、フォトダイオードPDで生成された電荷を保持する拡散容量SCと、電荷をフォトダイオードPDからFD領域へ転送する第1転送路(第2の転送トランジスタTx2)と、電荷を、拡散容量SCを介してフォトダイオードPDからFD領域へ転送する第2転送路(第1の転送トランジスタTx1)とを有する。このように構成したので、フォトダイオードPDで生成された電荷を二つの転送ルートによりフォトダイオードPDからFD領域へ転送することができる。このため、例えばグローバルシャッタ動作や、ローリングシャッタ動作を適切に行わせることが可能になる。
日本国特許出願2017年第192167号(2017年9月29日出願)
100…カメラボディ
101…撮像素子
102…ボディ制御部
201…画素エリア
202…垂直制御部
203…水平制御部
204…出力部
205…制御部
210…垂直信号線
MEM…拡散容量転送トランジスタ
PD…フォトダイオード
SC…拡散容量
SF…増幅トランジスタ
Tx1…第1の転送トランジスタ
Tx2…第2の転送トランジスタ
Claims (1)
- 光を光電変換して電荷を生成する光電変換部と、
前記光電変換部で生成された電荷を保持する保持部と、
前記光電変換部で生成された電荷を蓄積する蓄積部と、
前記光電変換部で生成された電荷を前記蓄積部へ転送する第1転送路と、
前記光電変換部で生成された電荷を前記蓄積部へ前記保持部を介して転送する第2転送路と、
を備える撮像素子。
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---|---|---|---|---|
JP2017183563A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | 撮像装置、駆動方法、および、電子機器 |
WO2019065866A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社ニコン | 撮像素子 |
TW202005357A (zh) * | 2018-05-25 | 2020-01-16 | 原相科技股份有限公司 | 改善像素感測效率的電路 |
JP7101721B2 (ja) * | 2019-08-01 | 2022-07-15 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子 |
FR3126172B1 (fr) * | 2021-08-12 | 2024-01-19 | St Microelectronics Crolles 2 Sas | Capteur photosensible et procédé d’acquisition d’un signal optique correspondant |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011096340A1 (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-11 | 国立大学法人静岡大学 | 固体撮像装置、画素信号を読み出す方法、画素 |
JP2012248952A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Olympus Corp | 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法 |
JP2013110449A (ja) * | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Olympus Corp | 固体撮像装置および撮像装置 |
JP2017055322A (ja) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、および、撮像装置の制御方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102017150B (zh) * | 2008-05-02 | 2016-08-03 | 佳能株式会社 | 固态成像装置 |
US9420210B2 (en) * | 2008-06-10 | 2016-08-16 | Tohoku University | Solid-state image sensor for capturing high-speed phenomena and drive method for the same |
US8089036B2 (en) * | 2009-04-30 | 2012-01-03 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with global shutter and in pixel storage transistor |
JP5521682B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-06-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器 |
JP2012084644A (ja) | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Renesas Electronics Corp | 裏面照射型固体撮像装置 |
US9257468B2 (en) | 2012-11-21 | 2016-02-09 | Olympus Corporation | Solid-state imaging device, imaging device, and signal reading medium that accumulates an amplified signal without digitization |
US9900481B2 (en) * | 2015-11-25 | 2018-02-20 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging pixels having coupled gate structure |
JP6727797B2 (ja) * | 2015-12-04 | 2020-07-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置の駆動方法 |
US9942503B2 (en) * | 2016-02-23 | 2018-04-10 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors having high-efficiency charge storage capabilities |
JP2017183563A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | 撮像装置、駆動方法、および、電子機器 |
US10072974B2 (en) * | 2016-06-06 | 2018-09-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensors with LED flicker mitigaton global shutter pixles |
JP6727938B2 (ja) * | 2016-06-10 | 2020-07-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像装置の制御方法、及び撮像システム |
TW201817223A (zh) * | 2016-10-20 | 2018-05-01 | 原相科技股份有限公司 | 全域快門高動態範圍像素及全域快門高動態範圍影像感測器 |
US10469775B2 (en) * | 2017-03-31 | 2019-11-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | High dynamic range storage gate pixel circuitry |
WO2019065866A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 株式会社ニコン | 撮像素子 |
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Patent Citations (4)
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