JP2018006991A - 撮像素子およびカメラ - Google Patents
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Abstract
Description
従来の撮像素子では、1フレームの読出期間においてローリング電子シャッタ方式とグローバル電子シャッタ方式による信号読出を行うことはできなかった。
請求項10に記載のカメラは、請求項4〜9のいずれか一項に記載の撮像素子と、前記撮像素子から前記第1電子シャッタ方式で読み出された撮像信号を用いて、焦点調節処理、露出演算処理、ホワイトバランス調整処理、被写体認識処理、動体予測処理および被写体追尾処理の少なくとも1つを実行する処理実行部と、を備える。
請求項12に記載のカメラは、請求項6〜9のいずれか一項に記載の撮像素子と、前記一部の画素においては、前記第1電子シャッタ方式で読み出された撮像信号と前記第2電子シャッタ方式で読み出された撮像信号とを用いて画像信号を取得し、残りの画素においては前記第2電子シャッタ方式で読み出された撮像信号を用いて画像信号を取得する画像取得部と、を備える。
図面を参照しながら、本発明の第1の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態におけるデジタルカメラの構成を示すブロック図である。図1のデジタルカメラは、レンズ交換式のデジタルカメラであり、交換レンズ110とカメラボディ100とから構成され、交換レンズ110がレンズ取り付け部105を介してカメラボディ100に装着される。
図2は、撮像素子101の全体構成を簡略化して説明する図である。なお、図2では、電源部や詳細回路は省略している。撮像素子101は、CMOSイメージセンサで構成される。撮像素子101は、画素エリア201と、垂直駆動回路202と、カラム回路203と、水平転送回路204と、出力回路205と、制御部206と、を有する。画素エリア201は、水平方向(行方向)および垂直方向(列方向)に二次元状に配列された複数の画素を有する。各画素は、入射光量に応じた電荷を蓄積するフォトダイオード(光電変換部)を有する。画素エリア201内にある各画素は垂直駆動回路202により制御され、光電変換によりフォトダイオードに蓄積された蓄積電荷に応じた撮像信号が順次カラム回路203に出力される。カラム回路203では、各画素からの撮像信号に対して相関二重サンプリング(CDS)を行ったりゲインをかけたりすることで、画像信号として後段回路(不図示)で扱いやすいように処理する。カラム回路203で処理された撮像信号は、水平転送回路204を通り出力回路205に送られ、撮像素子101の出力として後段回路に受け渡される。ここでは、アナログ出力のセンサの例で記載したが、デジタル出力のセンサを用いても基本的な考え方は変わらない。制御部206は、以上の各部を制御する。以下に説明する画素エリア201、垂直駆動回路202、カラム回路203、水平転送回路204、および出力回路205の動作は、全て制御部206の制御によるものである。
ここで、本実施形態による撮像システムの説明の前に、従来の撮像システムの構成例について説明する。図3は、従来の撮像システムの構成例を示す図である。従来の撮像システム500では、撮像素子501により得られた画像信号に基づいて被写体検出部502により被写体検出を行う。そして、処理実行部503は、被写体検出部502による検出結果に基づいて、被写体認識処理を行い、その認識結果を基に、動体の動きを予測する動体予測処理や被写体を追尾する被写体追尾処理、AF(AutoFocus)エリアの選択処理などを行ってきた。このような撮像システム500の用途に応じて、ローリング電子シャッタ方式で駆動する撮像素子やグローバル電子シャッタ方式で駆動するCMOS撮像素子が用いられている。
図4は、ローリング電子シャッタ方式のCMOS撮像素子600における単位画素620の構成を示す図である。図4では、単位画素(1画素)620あたり、フォトダイオードPD1個とトランジスタ4個(転送トランジスタTX−Tr、リセットトランジスタRST−Tr、増幅トランジスタSF−Tr、セレクトトランジスタSEL−Tr)を有する。これらの各部は、図4に示すように接続されている。転送トランジスタTXは、フォトダイオードPDに蓄積された電荷を転送する。フローティングディフュージョン(浮遊容量)FDは、フォトダイオードPDから転送される電荷を保持する電荷保持部として機能する。増幅トランジスタSF-Trは、ソースフォロワ回路を形成し、フローティングディフュージョンFDの電位に応じた信号を出力する。リセットトランジスタRST-Trは、フローティングディフュージョンFDの電位やフォトダイオードPDの電荷をリセットする。セレクトトランジスタSEL−Trは、画素が選択されるとオンし、フローティングディフュージョンFDから垂直信号線640までを接続する。図4においてVDDは電源電圧を示す。
図7は、グローバル電子シャッタ方式のCMOS撮像素子700における単位画素720の構成を示す図である。図7では、単位画素(1画素)720あたり、フォトダイオードPD1個と保持容量SC1個とトランジスタ5個(転送トランジスタTX−Tr、リセットトランジスタRST−Tr、増幅トランジスタSF−Tr、セレクトトランジスタSEL−Tr、保持容量転送トランジスタSG−Tr)とを有する。これらの各部は、図7に示すように接続されている。また、図7では、垂直駆動回路730の一部を記載しており、垂直駆動回路730内におけるドライバDrの接続までを示す。
ローリング電子シャッタは、行毎の蓄積同時性がないことから動体が歪んで画像に写るため、被写体認識やその認識結果を基に被写体追尾する用途には不向きである。たとえ高速にローリング電子シャッタ駆動を行える撮像素子を用いたとしても、原理的に画像の歪みは解消しないし、高速動作させることで消費電力が増大するという問題も生じてしまう。また、ローリング電子シャッタをAF(像面位相差AFやコントラストAFなど)に用いた場合も、縦方向(同列画素)の蓄積同時性がないため、動体のピント合わせには不利である。横方向(同行画素)の蓄積同時性だけを頼りにAFを行うことになるので精度が劣る。
そこで、本実施形態の撮像素子101では、1フレーム分の撮像信号の読み出しにおいて、一部のエリアをグローバル電子シャッタで駆動させ、それ以外のエリアをローリング電子シャッタで駆動させることで問題解決を図る。グローバル電子シャッタで駆動させる一部のエリアとしては、例えば、被写体認識エリアやAFエリアなどが挙げられる。このように画素の蓄積同時性を有していた方が機能的に精度が高い場合にグローバル電子シャッタを用いるとよい。
図10は、本実施形態の撮像システム300の構成例を示す図である。本実施形態の撮像システム300は、撮像素子101により得られた画像信号に基づいて被写体検出部302により被写体検出を行う。そして、処理実行部303は、被写体検出部302による検出結果に基づいて、被写体認識処理を行い、その認識結果を基に、動体予測処理や、被写体追尾処理、AFエリア選択処理を行う。なお、カメラボディ100のボディ制御装置102が被写体検出部302および処理実行部303を機能的に備えている。また、本実施形態の撮像システム300は、従来の撮像システム500と異なり、処理実行部303で得られた動体予測結果や被写体追尾結果、AFエリア選択結果を撮像素子101にフィードバックする構成となっている。撮像素子101側に、このようにフィードバックされた情報を保持できる回路を搭載しておくことで、フレーム毎に当該フィードバックされた情報に基づいてグローバル電子シャッタで動作させるエリアを設定することができる。
まず、本実施形態に係る第1実施例について説明する。第1実施例は、グローバル電子シャッタ駆動を行うエリアを連続行で設定する一例である。図11は、第1実施例における撮像素子101の単位画素220の構成を示す図である。図11では、垂直駆動回路202の一部を記載しており、垂直駆動回路202内におけるドライバDrの接続までを示す。単位画素220は、フォトダイオードPDとフォトダイオードPDから蓄積電荷に応じた撮像信号を読み出す読出部250とを有する。読出部250は、転送トランジスタTX−Tr、保持容量SC、保持容量転送トランジスタSG−Tr、フローティングディフュージョンFD、リセットトランジスタRST−Tr、増幅トランジスタSF−Tr、およびセレクトトランジスタSEL−Trを有する。なお、このような単位画素220の構成は、図7のグローバル電子シャッタ方式のCMOS撮像素子の単位画素720と同じ構成であるため、説明を省略する。
次に、本実施形態に係る第2実施例について説明する。第2実施例も、第1実施例と同様に、グローバル電子シャッタ駆動を行うエリアを連続行で設定する一例である。第2実施例も、第1実施例と同様に、グローバル電子シャッタ駆動させる行エリアを複数設定することができる。図15は、第2実施例における撮像素子101の単位画素220の構成を示す図である。図15では、垂直駆動回路202の一部を記載しており、垂直駆動回路202内におけるドライバDrの接続までを示す。単位画素220の構成は、第1実施例と同様(すなわち図7のグローバル電子シャッタ方式のCMOS撮像素子の単位画素720と同様)の構成であるため、説明を省略する。
第3実施例は、グローバル電子シャッタ駆動を行うエリアをXYアドレス指定によりブロックエリアで設定する一例である。図18(A)は、第3実施例における撮像素子101の単位画素220の構成を示す図である。図18では、垂直駆動回路202の一部を記載しており、垂直駆動回路202内におけるドライバDrの接続までを示す。第3実施例における単位画素220の構成は、第1実施例と同様(すなわち図7のグローバル電子シャッタ方式のCMOS撮像素子の単位画素720と同様)の構成に加え、保持容量転送トランジスタSG−Trを制御する第1ブロックエリア切替スイッチBS1と転送トランジスタTX−Trを制御する第2ブロックエリア切替スイッチBS2とが設けられる。第1ブロックエリア切替スイッチBS1および第2ブロックエリア切替スイッチBS2は、X方向(水平方向)のエリア設定に用いる。第1ブロックエリア切替スイッチBS1および第2ブロックエリア切替スイッチBS2の切り替えは、水平エリア設定回路260から入力される水平エリア設定パルスで制御される。なお、第1ブロックエリア切替スイッチBS1および第2ブロックエリア切替スイッチBS2は、図18(B)に示すようにトランジスタで構成されているが、図18(A)では簡略化した記載としている。
<ブロックエリア設定の前提条件>
(1)1フレーム毎に1回ブロックエリアを設定可能である。
(2)水平エリア設定回路260および垂直エリア設定回路210が1つずつであっても、1回の設定で複数のブロックエリアを設定可能である。
(3)複数のブロックエリアにおいて読み出し行または読み出し列が重なる場合、重なった範囲が1つのブロックエリアとして設定される。
図19は、グローバル電子シャッタ駆動させるブロックエリアの第1設定例を示す図である。これは、撮像素子101において、水平エリア設定回路260および垂直エリア設定回路210を1つずつ有し、ブロックエリアを1つ設定する場合の例である。図19(A)に示すように、m行n列の画素エリア201に、ブロックエリアAを設定する。読み出される信号は、ブロックエリアAが位置する最初の行(a行目)全てとブロックエリアA内が、蓄積同時性を持つことになる。ブロックエリアAが位置する最初の行(a行目)はローリング電子シャッタで駆動し、ブロックエリアAの最初の行以外はグローバル電子シャッタで駆動する。図19(B)に示すように、a行目全てとブロックエリアAが蓄積同時性を持つ。
図21は、グローバル電子シャッタ駆動させるブロックエリアの第2設定例を示す図である。この例は、2つあるブロックエリアの読み出し行と読み出し列が重ならない場合を示している。図21(A)に示すように、m行n列の画素エリア201に、ブロックエリアA、Bが設定されているとする。図21(B)は、蓄積同時性を有する領域を示しており、前述したブロックエリア設定の前提条件により、ブロックエリアA、B以外の領域も一部グローバル電子シャッタ駆動により読み出されることになる。ブロックエリアAと同行でブロックエリアBと同列にあるエリアCと、ブロックエリアBと同行でブロックエリアAと同列にあるエリアDが、ブロックエリア設定されていないがグローバル電子シャッタ駆動により読み出される領域である。したがって、a行目全てとブロックエリアAおよびエリアCが蓄積同時性を持ち、b行目全てとブロックエリアBおよびエリアDが蓄積同時性を持つ。
図22は、グローバル電子シャッタ駆動させるブロックエリアの第3設定例を示す図である。この例は、2つあるブロックエリアの読み出し列が重なっている場合を示している。図22(A)に示すように、m行n列の画素エリア201に、ブロックエリアA、Bが設定されているとする。図22(B)は、蓄積同時性を有する領域を示しており、前述したブロックエリア設定の前提条件により、ブロックエリアA、B以外の箇所も一部グローバル電子シャッタ駆動により読み出されることになる。ブロックエリア設定の前提条件(3)により、水平エリア設定回路260は、グローバル電子シャッタで駆動させる列(水平エリア)としてブロックエリアA、B個々の領域より広い範囲K(ブロックエリアAの左端からブロックエリアBの右端までの範囲)を設定する。ブロックエリアAの右側の隣接エリアCと、ブロックエリアB左側の隣接エリアDとが、ブロックエリアとして設定されていないが、グローバル電子シャッタ駆動で読み出される領域となる。したがって、a行目全てとブロックエリアAおよびエリアCが蓄積同時性を持ち、b行目全てとブロックエリアBおよびエリアDが蓄積同時性を持つ。
図23は、グローバル電子シャッタ駆動させるブロックエリアの第4設定例を示す図である。この例は、2つあるブロックエリアの読み出し行が重なっている場合を示している。図23(A)に示すように、m行n列の画素エリア201に、ブロックエリアA、Bが設定されているとする。図23(B)は、蓄積同時性を有する領域を示しており、前述したブロックエリア設定の前提条件により、ブロックエリアA、B以外の箇所も一部グローバル電子シャッタ駆動で読み出されてしまう。ブロックエリア設定の前提条件(3)により、垂直エリア設定回路210は、グローバル電子シャッタで駆動させる行(垂直エリア)としてブロックエリアA、B個々の領域より広い範囲(ブロックエリアAの下端からブロックエリアBの上端までの範囲)Jを設定する。ブロックエリアAの上側の隣接エリアCと、ブロックエリアBの下側の隣接エリアDとが、ブロックエリア設定されていないがグローバル電子シャッタ駆動で読み出される領域となる。したがって、a行目全てとブロックエリアA、BおよびエリアC、Dが蓄積同時性を持つ。
第4実施例に係る撮像素子101は、水平エリア設定回路および垂直エリア設定回路をそれぞれ2つずつ有する。図示しないが、水平エリア設定回路および垂直エリア設定回路をそれぞれ2つずつ持つことで、図18で示した構成に対し、単位画素220内にある水平切替スイッチを3入力に変更することや、垂直駆動回路202において、保持容量転送トランジスタSG−Trの制御パルスVsgと転送トランジスタTX−Trの制御パルスVtxの出力ラインをもう1セット設けることなどが必要になる。
(1)撮像素子101は、光を電荷に変換するフォトダイオードPDと、フォトダイオードPDで光電変換された電荷により生成された撮像信号を読み出す読出部250と、を含む画素220を有する。撮像素子101の制御部206は、一部の画素220の撮像信号を第1電子シャッタ方式で読み出し、他の画素220の撮像信号を第1電子シャッタ方式とは異なる第2電子シャッタ方式で読み出すように読出部250を制御する。このような構成により、1フレーム内において、複数の電子シャッタ方式による撮像信号を得ることができる。
次に、図面を参照しながら、本発明の第2の実施の形態について説明する。第2の実施の形態におけるデジタルカメラの構成および撮像素子の全体構成は、第1の実施の形態におけるデジタルカメラの構成(図1)および撮像素子101の全体構成(図2)と同様であるため、説明を省略する。第2の実施の形態の撮像素子101は、1フレーム分の撮像信号の読み出しにおいて、画素エリア201の全ての画素からローリング電子シャッタ方式で撮像信号を読み出すのに並行して、設定した一部の領域の画素についてはグローバル電子シャッタ方式で撮像信号を読み出すことができるように構成されている。なお、ここで、上記全ての画素とは、欠陥画素などの一部の画素を除いた場合も含み、撮影画面全体の画像を生成するための画素という意味である。
画像処理部317は、1フレーム分の読み出しで得られた上記GS信号およびRS信号を用いて、動体検出を行うことができる。図29は、このような動体検出について説明する図である。図29(A)〜(C)は、被写体である動体Pについて時刻t0〜t2における動きを示す。時刻t0〜t2において、動体Pが右から左に移動している。グローバル電子シャッタ駆動させるGSエリアAgは、動体Pを含むように設定されている。図29(D)は、時刻t1のグローバル電子シャッタにより得られた画像(GS画像)を示す。GS画像では、図29(D)に示すように、GSエリアAgにおいて動体Pが歪まずに写っている。図29(E)は、時刻t0〜t2のローリング電子シャッタにより得られた画像(RS画像)を示す。時刻t0〜t2にかけて動体Pが移動しているため、RS画像では、図29(E)に示すように動体Pが歪んで写っている。
上述したようにGSエリアにおけるRS信号は、グローバル電子シャッタの蓄積時間の分蓄積時間が少ないため、加算部313においてGSエリアにおけるRS信号とGS信号とを加算する。このとき、RS信号に歪のない場合には、加算部313においてGSエリアにおけるRS信号とGS信号とを単純加算すればよい。しかしながら、RS信号に歪がある場合には、GSエリアにおけるRS信号とGS信号とを単純加算すると、歪がある画像と歪がない画像とが加算されてブレたような画像となってしまう。そこで、RS信号に歪がある場合には、GSエリアにおけるRS信号とGS信号とを単純加算するのではなく、以下の方法により画像信号を生成する。
図30(A)および(B)は、RS信号における歪がGSエリアAg内である場合のGS画像およびRS画像の例を示す図である。図30(A)および(B)では、GSエリアAg内に動体Pが収まっており、図30(B)のRS画像の歪はGSエリアAg内に収まっている。この場合、画像処理部317は、GSエリアにおいてGS信号のみを採用し、当該GS信号とGSエリア以外のRS信号とを合成して、1フレームの画像信号を生成する。なお、GS信号とRS信号とは蓄積時間が異なっているため、画像処理部317は、GS信号に対してゲインをかけたりオフセット補正を行ったりしてRS信号と対応するように補正して、1フレームの画像信号を生成する。
図30(C)および(D)は、RS信号における歪がGSエリアAg外である場合のGS画像およびRS画像の例を示す図である。図30(C)および(D)では、GSエリアAgから動体Pがはみ出しており、図30(B)のRS画像の歪はGSエリアAg外にはみ出している。この場合、画像処理部317は、GSエリアAgにおいてRS信号のみを採用し、RS信号のみを用いて1フレームの画像信号を生成する。なお、GSエリアAgにおけるRS信号は、GSエリア外のRS信号と蓄積時間が異なっているため、画像処理部317は、GSエリアAgにおけるRS信号に対してゲインをかけたりオフセット補正を行ったりしてGSエリア外のRS信号と対応するように補正して、1フレームの画像信号を生成する。
(1)撮像素子101は、光を電荷に変換するフォトダイオードPDと、フォトダイオードPDで光電変換された電荷により生成された撮像信号を読み出す読出部250と、を含む画素220を有する。撮像素子101の制御部206は、一部の画素220の撮像信号を第1電子シャッタ方式で読み出し、他の画素220の撮像信号を第1電子シャッタ方式とは異なる第2電子シャッタ方式で読み出すように読出部250を制御する。このような構成により、1フレーム内において、複数の電子シャッタ方式による撮像信号を得ることができる。
Claims (13)
- 光を電荷に変換する第1光電変換部と、前記第1光電変換部で光電変換された電荷により生成された第1信号を読み出す第1読出部と、を含む第1画素と、光を電荷に変換する第2光電変換部と、前記第2光電変換部で光電変換された電荷により生成された第2信号を読み出す第2読出部と、を含む第2画素と、を有する撮像素子と、
前記第1信号を第1電子シャッタ方式で読み出し、前記第2信号を前記第1電子シャッタ方式とは異なる第2電子シャッタ方式で読み出すように前記第1読出部及び前記第2読出部を制御する制御部と、
を備える撮像素子。 - 請求項1に記載の撮像素子において、
前記第1電子シャッタ方式はグローバル電子シャッタ方式であり、前記第2電子シャッタ方式はローリング電子シャッタ方式である撮像素子。 - 請求項1または2に記載の撮像素子において、
前記第1および第2読出部は、前記第1および第2光電変換部から転送される蓄積電荷を保持する第1電荷保持部と、前記第1電荷保持部から転送される蓄積電荷を保持する第2電荷保持部と、をそれぞれ有し、
1フレーム分の撮像信号の読み出しにおいて、前記第1画素では、前記第1光電変換部の蓄積電荷が前記第1電荷保持部に同時に転送され、前記第1電荷保持部に保持された蓄積電荷が前記第2電荷保持部に行単位で転送されて読み出され、前記第2画素では、前記第2光電変換部の蓄積電荷が前記第1電荷保持部および前記第2電荷保持部に行単位で転送されて読み出される、撮像素子。 - 請求項1から3までのいずれか一項に記載の撮像素子において、
各々が前記第1画素であり且つ前記第2画素である複数の画素と、
前記複数の画素の行のうち一部の行を選択する選択部とをさらに備え、
前記選択部により選択された行の画素は前記第1電子シャッタ方式で撮像信号が読み出され、残りの行の画素は前記第2電子シャッタ方式で撮像信号が読み出される、撮像素子。 - 請求項4に記載の撮像素子において、
前記複数の画素の行のうち一部の行を選択する第1選択部と、
前記複数の画素の列のうち一部の列を選択する第2選択部と、
をさらに備え、
前記第1選択部により選択された行であり且つ前記第2選択部により選択された列である画素は前記第1電子シャッタ方式で撮像信号が読み出され、残りの画素は前記第2電子シャッタ方式で撮像信号が読み出される、撮像素子。 - 請求項1または2に記載の撮像素子において、
各々が前記第1画素であり且つ前記第2画素である複数の画素をさらに備え、
1フレーム分の撮像信号の読み出しにおいて、前記複数の画素のうち全ての画素は前記第2電子シャッタ方式で撮像信号が読み出され、前記複数の画素のうち一部の画素は前記第1電子シャッタ方式で撮像信号が読み出される、撮像素子。 - 請求項6に記載の撮像素子において、
前記第1および第2読出部は、前記第1および第2光電変換部に接続された第1および第2読出回路をそれぞれ有し、
前記第1読出回路は、前記第1電子シャッタ方式が可能に構成され、
前記第2読出回路は、前記第2電子シャッタ方式が可能に構成され、
1フレーム分の撮像信号の読み出しにおいて、前記全ての画素は前記第2読出回路により前記第2電子シャッタ方式で撮像信号が読み出され、前記一部の画素は前記第1読出回路により前記第1電子シャッタ方式で撮像信号が読み出される、撮像素子。 - 請求項7に記載の撮像素子において、
前記第1読出回路は、前記第1および第2光電変換部から転送される蓄積電荷を保持する第1電荷保持部を有し、前記第1電荷保持部に保持された蓄積電荷に応じた撮像信号を読み出し、
前記第2読出回路は、前記第1および第2光電変換部から転送される蓄積電荷を保持する第2電荷保持部と、前記第2電荷保持部から転送される蓄積電荷を保持する第3電荷保持部と、を有し、前記第3電荷保持部に保持された蓄積電荷に応じた撮像信号を読み出す、撮像素子。 - 請求項6〜8のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記一部の画素では、前記第2電子シャッタ方式における前記第2光電変換部の電荷蓄積時間の一部を前記第1電子シャッタ方式における前記第1光電変換部の電荷蓄積時間とする、撮像素子。 - 請求項4〜9のいずれか一項に記載の撮像素子と、
前記撮像素子から前記第1電子シャッタ方式で読み出された撮像信号を用いて、焦点調節処理、露出演算処理、ホワイトバランス調整処理、被写体認識処理、動体予測処理および被写体追尾処理の少なくとも1つを実行する処理実行部と、
を備えるカメラ。 - 請求項10に記載のカメラにおいて、
前記処理実行部による処理の結果に基づいて、前記複数の画素のうち前記第1電子シャッタ方式により撮像信号を読み出す画素を決定する決定部をさらに備えるカメラ。 - 請求項6〜9のいずれか一項に記載の撮像素子と、
前記一部の画素においては、前記第1電子シャッタ方式で読み出された撮像信号と前記第2電子シャッタ方式で読み出された撮像信号とを用いて画像信号を取得し、残りの画素においては前記第2電子シャッタ方式で読み出された撮像信号を用いて画像信号を取得する画像取得部と、
を備えるカメラ。 - 請求項12に記載のカメラにおいて、
前記一部の画素における、前記第1電子シャッタ方式で読み出された撮像信号と前記第2電子シャッタ方式で読み出された撮像信号との差分を用いて、前記一部の画素によって撮像される動体を検出する動体検出部をさらに備えるカメラ。
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