JP2022040214A - 樹脂組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
すなわち、本発明は、下記の内容を含む。
(B)硬化剤、
(C)スチレン系エラストマー、及び
(D-1)(メタ)アクリロイル基を有する樹脂、を含む樹脂組成物。
[2] (A)エポキシ樹脂、
(B)硬化剤、
(C)スチレン系エラストマー、及び
(D)ラジカル重合性不飽和基を有する樹脂、を含む樹脂組成物であって、
樹脂組成物を、200℃で90分間熱硬化させて得られた硬化物の透湿係数が、0g・mm/m2・mm-1・24h以上10g・mm/m2・24h以下である、樹脂組成物。
[3] (D)成分が、(D-1)(メタ)アクリロイル基を有する樹脂を含む、[2]に記載の樹脂組成物。
[4] (D-1)成分の数平均分子量が、3000以下である、[1]又は[3]に記載の樹脂組成物。
[5] (C)成分の含有量が、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%とした場合、0.5質量%以上18質量%以下である、[1]~[4]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[6] (C)成分中のスチレン単位の含有量が、(C)成分を100質量%とした場合、61質量%以上のものを含む、[1]~[5]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[7] (B)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、1質量%以上15質量%以下である、[1]~[6]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[8] さらに、(E)無機充填材を含む、[1]~[7]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[9] (E)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、50質量%以上である、[8]に記載の樹脂組成物。
[10] 絶縁層形成用である、[1]~[9]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[11] 導体層を形成するための絶縁層形成用である、[1]~[10]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[12] スパッタ又は金属箔にて導体層を形成するための絶縁層形成用である、[1]~[11]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[13] トップ径が45μm以下のビアホールを有する絶縁層形成用である、[1]~[12]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[14] 厚みが20μm以下の絶縁層形成用である、[1]~[13]のいずれかに記載の樹脂組成物。
[15] 支持体と、該支持体上に設けられた、[1]~[14]のいずれかに記載の樹脂組成物を含む樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
[16] [1]~[14]のいずれかに記載の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む、プリント配線板。
[17] [16]に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。
本発明の第1実施形態の樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)スチレン系エラストマー、及び(D-1)(メタ)アクリロイル基を有する樹脂を含む。このような樹脂組成物を用いることにより、誘電正接が低く、高温高湿環境試験後の絶縁信頼性に優れる硬化物を得ることが可能となる。さらには、このような樹脂組成物を用いることにより、導体層との間のピール強度を高めることが可能である。
(A)エポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert-ブチル-カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。
樹脂組成物は、(B)成分として、硬化剤を含む。(B)硬化剤は、通常、(A)エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させる機能を有する。
樹脂組成物は、(C)スチレン系エラストマーを含有する。(C)スチレン系エラストマーは、通常(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、及び(D-1)(メタ)アクリロイル基を有する樹脂との相溶性が高い。よって、(A)成分及び(B)成分と(D-1)成分との相分離を抑制できる。したがって、水が浸入しやすい相界面の発生を抑制できるので、高温高湿環境試験後の絶縁信頼性に優れる硬化物を得ることが可能となる。また、透湿係数を低く調整することができる。
第1実施形態の樹脂組成物は、(D)ラジカル重合性不飽和基を有する樹脂のうち、(D-1)(メタ)アクリロイル基を有する樹脂を含有する。第2実施形態の樹脂組成物は、(D)ラジカル重合性不飽和基を有する樹脂を含有する。
樹脂組成物は、通常(D-1)(メタ)アクリロイル基を有する樹脂を含有する。(D-1)(メタ)アクリロイル基を有する樹脂を樹脂組成物に含有させることで、誘電正接が低い硬化物を得ることが可能となる。(D-1)(メタ)アクリロイル基を有する樹脂を使用すると、その硬化物は通常誘電正接を低くできる一方、(D-1)成分が(A)成分及び(B)成分と相分離を生じる傾向にある。しかし、本発明では、さらに(C)成分を組み合わせて含有させることで相分離が抑制され、高温高湿環境試験後の絶縁信頼性に優れ、誘電正接が低い硬化物を得ることが可能となる。また、相分離を抑制することで透湿係数を低く調整することが可能となる。
ここで、用語「(メタ)アクリル酸」とは、アクリル酸及びメタクリル酸、並びにそれらの組み合わせを包含する。
用語「(メタ)アクリロイル基」とは、アクリロイル基及びメタクリロイル基並びにそれらの組み合わせを包含する。
樹脂組成物は、(D-1)成分に加えて、更に、(D-2)ビニルフェニル基を有する樹脂を含有することが好ましい。ビニルフェニル基とは、以下に示す構造を有する基である。
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更に、(E)無機充填材を含有していてもよい。
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更に、(F)硬化促進剤を含んでいてもよい。
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更に、(G)重合開始剤を含んでいてもよい。(G)重合開始剤は、通常(D)成分におけるラジカル重合性不飽和基の架橋を促進させる機能を有する。(G)重合開始剤は1種類単独で用いてもよく、又は2種類以上を併用してもよい。
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更にその他の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、熱可塑性樹脂(但し(C)成分及び(D)成分は除く);有機充填材;増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤等の樹脂添加剤;などが挙げられる。これらの添加剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
第2実施形態の樹脂組成物は、(A)~(D)成分に組み合わせて、樹脂組成物を200℃で90分間熱硬化させて得られた硬化物の透湿係数が、0g・mm/m2・mm-1・24h以上10g・mm/m2・24h以下であるという特性を有する。高温高湿環境試験後の絶縁信頼性を良好にするという観点から、前記の硬化物の透湿係数は、10g・mm/m2・24h以下であり、好ましくは7g・mm/m2・24h以下、より好ましくは5g・mm/m2・24h以下である。下限は、0g・mm/m2・mm-1・24h以上であり、好ましくは1g・mm/m2・24h以上であり、より好ましくは1.3g・mm/m2・24h以上、さらに好ましくは1.5g・mm/m2・24h以上である。また、第一実施形態の樹脂組成物を200℃で90分間熱硬化させて得られる硬化物も、高温高湿環境試験後の絶縁信頼性を特に良好にするという観点から、前記範囲の透湿係数を有することが好ましい。前記の透湿係数の測定は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
樹脂組成物を200℃で90分間熱硬化させた硬化物は、誘電正接が低いという特性を示す。よって、前記の硬化物は、誘電正接が低い絶縁層をもたらす。誘電正接としては、好ましくは0.005以下、より好ましくは0.0045以下、0.004以下である。一方、誘電正接の下限値は特に限定されないが、0.0001以上等とし得る。前記の誘電正接の評価は、後述する実施例に記載の方法に従って測定することができる。
(1)基材に仮固定フィルムを積層する工程、
(2)半導体チップを、仮固定フィルム上に仮固定する工程、
(3)半導体チップ上に封止層を形成する工程、
(4)基材及び仮固定フィルムを半導体チップから剥離する工程、
(5)半導体チップの基材及び仮固定フィルムを剥離した面に、絶縁層としての再配線形成層を形成する工程、及び
(6)再配線形成層上に、導体層としての再配線層を形成する工程
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた、本発明の樹脂組成物で形成された樹脂組成物層を含む。
本発明のプリント配線板は、本発明の樹脂組成物の硬化物により形成された絶縁層を含む。
(I)内層基板上に、樹脂シートの樹脂組成物層が内層基板と接合するように積層する工程
(II)樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程
本発明の半導体装置は、本発明のプリント配線板を含む。本発明の半導体装置は、本発明のプリント配線板を用いて製造することができる。
<評価基板Aの作製>
(1)内層回路基板の下地処理
内層回路を形成したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板厚み0.4mm、パナソニック社製「R1515A」)の両面を、マイクロエッチング剤(メック社製「CZ8101」)にて1μmエッチングして銅表面の粗化処理を行った。
実施例及び比較例で作製した樹脂シートaを、バッチ式真空加圧ラミネーター(名機製作所社製「MVLP-500」)を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接するように、内層回路基板の両面に積層した。積層は、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とした後、100℃、圧力0.74MPaにて30秒間ラミネート処理することにより行った。
積層された樹脂シートaを、100℃で30分間、次いで170℃で30分間加熱し、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成した。
支持体を剥離して、絶縁層の表面を露出させ、UV-YAGレーザー加工機(ビアメカニクス社製「LU-2L212/M50L」)を使用して、絶縁層に下記条件でビアホールを形成した。
条件:パワー0.30W、ショット数25、狙いトップ径30μm
ビアホールの形成後、絶縁層を形成した内層回路基板を、真空プラズマエッチング装置(Tepla社製100-E PLASMA SYSTEM)を使用して、O2/CF4(混合ガス比)=25/75、真空度100Paの条件にて、5分間処理を行った。
スパッタリング装置(キャノンアネルバ社製「E-400S」)を用いて、絶縁層上にチタン層(厚さ30nm)、次いで銅層(厚さ300nm)を形成した。得られた基板を、150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った後に、セミアディティブ法に従って、エッチングレジストを形成し、露光・現像によるパターン形成の後に、硫酸銅電解めっきを行い、25μmの厚さで導体層を形成した。導体パターン形成後、200℃にて60分間加熱してアニール処理を行った。得られたプリント配線板を「評価基板A」と称する。
絶縁層と導体層のピール強度の測定は、評価基板Aについて、JIS C6481に準拠して行った。具体的には、評価基板Aの導体層に、幅10mm、長さ100mmの部分の切込みをいれ、この一端を剥がしてつかみ具で掴み、室温中にて、50mm/分の速度で垂直方向に35mmを引き剥がした時の荷重(kgf/cm)を測定し、ピール強度を求めた。測定には、引っ張り試験機(TSE社製「AC-50C-SL」)を使用した。
<評価用硬化物Bの作製>
実施例及び比較例で作製した樹脂シートaを200℃にて90分間加熱して樹脂組成物層を熱硬化させた後、支持体を剥離した。得られた硬化物を「評価用硬化物B」と称する。
評価用硬化物Bを、幅2mm、長さ80mmの試験片に切断した。該試験片について、アジレントテクノロジーズ社製「HP8362B」を用いて、空洞共振摂動法により測定周波数5.8GHz、測定温度23℃にて誘電正接を測定した。2本の試験片について測定を行い、平均値を算出した。
<測定・評価用サンプルの調製>
実施例及び比較例で作製した樹脂シートbを200℃にて90分間加熱して樹脂組成物層を熱硬化させた後、支持体を剥離した。得られた硬化物を「評価用硬化物C」と称する。
評価用硬化物Cを直径70mmの円状に切断し、JIS Z0208の透湿度試験方法(カップ法)に従って、透湿度の測定を行った。具体的には、60℃、85%RH、24時間でサンプルを透過した水分重量を測定することにより透湿度(g/m2・24h)を求め、膜厚で除して透湿係数(g・mm/m2・24h)を算出した。3つの試験片の平均値で算出した。
<評価用基板Dの調製>
(1)内層回路基板の下地処理
内層回路基板として、1mm角格子の配線パターン(残銅率が70%)にて形成された回路導体(銅)を両面に有するガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ18μm、基板の厚さ0.4mm、パナソニック社製「R1515A」)を用意した。該内層回路基板の両面を、マイクロエッチング剤(メック社製「CZ8101」)に浸漬して銅表面の粗化処理(銅エッチング量0.7μm)を行った。
実施例及び比較例で作製した樹脂シートcを、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコーマテリアルズ社製、2ステージビルドアップラミネーター、CVP700)を用いて、樹脂組成物層が内層回路基板と接するように、内層回路基板の両面にラミネートした。ラミネートは、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とし、120℃、圧力0.74MPaにて30秒間圧着させることにより実施した。次いで、120℃、圧力0.5MPaにて60秒間熱プレスを行った。
樹脂シートcがラミネートされた内層回路基板を、100℃で30分間、次いで170℃で30分間加熱し、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成した。
支持体を剥離して、絶縁層の表面を露出させ、UV-YAGレーザー加工機(ビアメカニクス社製「LU-2L212/M50L」)を使用して、内層回路基板の回路導体上に開口するように、絶縁層に下記条件でビアホールを形成した。
条件:パワー0.30W、ショット数25、狙いトップ径30μm
ビアホールの形成後、絶縁層を形成した内層回路基板を、真空プラズマエッチング装置(Tepla社製100-E PLASMA SYSTEM)を使用して、O2/CF4(混合ガス比)=25/75、真空度100Paの条件にて、5分間処理を行った。
スパッタリング装置(キャノンアネルバ社製「E-400S」)を用いて、チタン層(厚さ30nm)、次いで銅層(厚さ300nm)を形成した。得られた基板を、150℃にて30分間加熱してアニール処理を行った。
次いで、アトテックジャパン社製の薬液を使用して、ビアホール内に銅が充填される条件で電解銅めっき工程を行った。その後に、エッチングによるパターニングのためのレジストパターンとして、ビアホールを通して下層導体(即ち、内層回路基板の回路導体)に導通された直径1mmのランドパターン及び、前記下層導体とは接続されていない直径10mmの円形導体パターンを用いて、絶縁層の表面に10μmの厚さでランド及び導体パターンを有する導体層を形成した。次に、アニール処理を200℃にて90分間行った。この基板を評価用基板Dとした。
評価用基板Dを、FIB-SEM複合装置(SIIナノテクノロジー社製「SMI3050SE」)を用いて、断面観察を行った。詳細には、導体層の表面に垂直な方向における断面をFIB(集束イオンビーム)により削り出し、断面SEM画像から、導体層間の絶縁層厚を測定した。各サンプルにつき、無作為に選んだ5箇所の断面SEM画像を観察し、その平均値を導体層間の絶縁層の厚みとした。
上記において得られた評価用基板Dの直径10mmの円形導体側を+電極とし、直径1mmのランドと接続された内層回路基板の回路導体(銅)側を-電極として、高度加速寿命試験装置(ETAC社製「PM422」)を使用し、130℃、85%相対湿度、3.3V直流電圧印加の条件で500時間経過させた際の絶縁抵抗値を、エレクトロケミカルマイグレーションテスター(J-RAS社製「ECM-100」)にて測定した。これを6回繰り返し、平均値を算出した。また、6点の試験ピース全てにおいてその抵抗値が107Ω以上の場合を「○」、1つでも107Ω未満の場合は「×」とした。
ビスフェノールAF型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YL7760」、エポキシ当量約238)15部、スチレン系エラストマー(旭化成社製水添スチレン系熱可塑性エラストマー「タフテックH1043」、スチレン含有量67%)3部をトルエン25部、MEK15部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへビニルフェニル基を有する樹脂(三菱ガス化学社製「OPE-2St」、数平均分子量1200、不揮発分65質量%のトルエン溶液)46部、(メタ)アクリロイル基を有する樹脂(新中村化学工業社製「NKエステルA-DOG」、分子量326)30部、活性エステル型硬化剤(DIC社製「HPC8000-65T」、固形分65質量%のトルエン溶液)30部、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、水酸基当量約151の固形分50%の2-メトキシプロパノール溶液)4部、カルボジイミド系硬化剤(日清紡ケミカル社製「V-03」、活性基当量約216、固形分50質量%のトルエン溶液)8部、硬化促進剤(N,N-ジメチル-4-アミノピリジン(DMAP)、固形分5質量%のMEK溶液)6部、重合開始剤(日油社製「パーブチルC」)1部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製、「KBM573」)で表面処理された球形シリカ(平均粒径0.5μm、比表面積5.9m2/g、アドマテックス社製「SO-C2」)250部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して樹脂ワニスを作製した。
ビフェニル型エポキシ樹脂(日本化薬社製「NC3000L」、エポキシ当量約269)5部、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YL7760」、エポキシ当量約238)10部、スチレン系エラストマー(旭化成社製水添スチレン系熱可塑性エラストマー「タフテックP2000」、スチレン含有量67%)20部、スチレン系エラストマー(ダイセル社製エポキシ化スチレン-ブタジエン熱可塑性エラストマー「エポフレンドAT501」、スチレン含有量40%)20部をトルエン50部、MEK20部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却後、そこへビニルフェニル基を有する樹脂(三菱ガス化学社製「OPE-2St」、数平均分子量1200、不揮発分65質量%のトルエン溶液)92部、(メタ)アクリロイル基を有する樹脂(新中村化学工業社製「NKエステルA-DOG」、分子量326)30部、活性エステル型硬化剤(DIC社製「EXB9416-70BK」、活性基当量約330の不揮発分70質量%のメチルイソブチルケトン溶液)28部、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤(DIC社製「LA-3018-50P」、水酸基当量約151の固形分50%の2-メトキシプロパノール溶液)4部、カルボジイミド系硬化剤(日清紡ケミカル社製「V-03」、活性基当量約216、固形分50質量%のトルエン溶液)8部、硬化促進剤(N,N-ジメチル-4-アミノピリジン(DMAP)、固形分5質量%のMEK溶液)6部、重合開始剤(日油社製「パーブチルC」)1部、フェニルアミノシラン系カップリング剤(信越化学工業社製、「KBM573」)で表面処理された球状シリカ(平均粒径0.3μm、比表面積30.7m2/g、デンカ社製「UFP-30」)200部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して樹脂ワニスを作製し、実施例1と同様にして樹脂シートa~cを作製した。
実施例1において、ビニルフェニル基を有する樹脂(三菱ガス化学社製「OPE-2St」、数平均分子量1200、不揮発分65質量%のトルエン溶液)の量を46部から92部に変え、(メタ)アクリル酸エステル(新中村化学工業社製「NKエステルA-DOG」、分子量326)30部を用いなかった。以上の事項以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニス、樹脂シートa~cを作製した。
実施例1において、スチレン系エラストマー(旭化成社製水添スチレン系熱可塑性エラストマー「タフテックH1043」、スチレン含有量67%)3部を用いなかった。以上の事項以外は、実施例1と同様にして樹脂ワニス、樹脂シートa~cを作製した。
実施例2において、ビニルフェニル基を有する樹脂(三菱ガス化学社製「OPE-2St」、数平均分子量1200、不揮発分65質量%のトルエン溶液)の量を92部から138部に変え、(メタ)アクリル酸エステル(新中村化学工業社製「NKエステルA-DOG」、分子量326)30部を用いなかった。以上の事項以外は、実施例2と同様にして樹脂ワニス、樹脂シートa~cを作製した。
実施例2において、スチレン系エラストマー(旭化成社製水添スチレン系熱可塑性エラストマー「タフテックP2000」、スチレン含有量67%)20部を用いず、スチレン系エラストマー(ダイセル社製エポキシ化スチレン-ブタジエン熱可塑性エラストマー「エポフレンドAT501」、スチレン含有量40%)20部を用いなかった。以上の事項以外は、実施例2と同様にして樹脂ワニス、樹脂シートa~cを作製した。
Claims (15)
- (C)スチレン系エラストマー、
(D)ラジカル重合性不飽和基を有する樹脂((C)成分を除く)、
(A)エポキシ樹脂((C)成分及び(D)成分を除く)、及び、
(B)硬化剤((A)成分、(C)成分及び(D)成分を除く)、を含む樹脂組成物を熱硬化させて得られた硬化物であって、
(B)成分が、活性エステル系硬化剤、ナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、アミン系硬化剤、及び酸無水物系硬化剤から選択される1種以上であり、
樹脂組成物を、200℃で90分間熱硬化させて得られた硬化物の透湿係数が、0g/mm・m2・24h以上10g/mm・m2・24h以下である、導体層を形成するための絶縁層形成用の硬化物。 - (D)成分が、(D-1)(メタ)アクリロイル基を有する樹脂を含む、請求項1に記載の硬化物。
- (D-1)成分の数平均分子量が、3000以下である、請求項1又は2に記載の硬化物。
- (C)成分の含有量が、樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%とした場合、0.5質量%以上18質量%以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載の硬化物。
- (C)成分中のスチレン単位の含有量が、(C)成分を100質量%とした場合、61質量%以上のものを含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の硬化物。
- (B)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、1質量%以上15質量%以下である、請求項1~5のいずれか1項に記載の硬化物。
- さらに、(E)無機充填材を含む、請求項1~6のいずれか1項に記載の硬化物。
- (E)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、50質量%以上である、請求項7に記載の硬化物。
- 絶縁層形成用である、請求項1~8のいずれか1項に記載の硬化物。
- スパッタ又は金属箔にて導体層を形成するための絶縁層形成用である、請求項1~9のいずれか1項に記載の硬化物。
- トップ径が45μm以下のビアホールを有する絶縁層形成用である、請求項1~10のいずれか1項に記載の硬化物。
- 厚みが20μm以下の絶縁層形成用である、請求項1~11のいずれか1項に記載の硬化物。
- 請求項1~12のいずれか1項に記載の硬化物により形成された絶縁層を含む、プリント配線板。
- 請求項13に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。
- 内層基板上に、導体層を形成するための絶縁層形成用の樹脂組成物を含む樹脂組成物層を積層する工程、
樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する工程を含む、プリント配線板の製造方法であって、
樹脂組成物は、(C)スチレン系エラストマー、(D)ラジカル重合性不飽和基を有する樹脂((C)成分を除く)、(A)エポキシ樹脂((C)成分及び(D)成分を除く)、及び、(B)硬化剤((A)成分、(C)成分及び(D)成分を除く)、を含み、
(B)成分が、活性エステル系硬化剤、ナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、カルボジイミド系硬化剤、アミン系硬化剤、及び酸無水物系硬化剤から選択される1種以上であり、
樹脂組成物を、200℃で90分間熱硬化させて得られた硬化物の透湿係数が、0g/mm・m2・24h以上10g/mm・m2・24h以下である、プリント配線板の製造方法。
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