JP2022030601A - Ｃｍｏｓ回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】シングルイベントに対する耐性が高いＣＭＯＳ回路を提供すること。【解決手段】第一導電型の基板に形成されるＣＭＯＳ回路であって、第１論理演算回路は、第一導電型と異なる第二導電型の第１ウェルを有する第一導電型の第１トランジスタと、第一導電型の第２ウェルを有する第二導電型の第２トランジスタとの組み合わせを備え、伝送回路は、第１論理演算回路の出力端子に接続され、第一導電型の第３トランジスタと、第二導電型の第４トランジスタとのいずれか一方または両方を備え、第３トランジスタと第４トランジスタとのゲート端子には、第１トランジスタおよび第２トランジスタのうち導電型が異なるトランジスタのウェル、あるいは、第１ウェルを有する第一導電型の第５トランジスタと、第２ウェルを有する第二導電型の第６トランジスタとの組み合わせを備え、入力端子が所定の電位に固定された第２論理演算回路の出力端子が接続される。【選択図】図１

Description

本発明は、ＣＭＯＳ回路に関する。
従来から、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor：相補型金属酸化膜半導体）型のＬＳＩ（Large Scale Integration）やＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）、ＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）、ＧＰＵ（Graphics Processing Unit）などの半導体集積回路が、様々な機器や装置に使用されている。ＣＭＯＳ型半導体集積回路では、半導体基板（例えば、シリコン基板）上に形成されたトランジスタなどの回路素子を複数繋げて回路を形成することにより、必要な動作をする機能が実現される。
例えば、地球を周回する人工衛星など、宇宙空間において使用されるＣＭＯＳ型半導体集積回路は、例えば、高エネルギーの荷電粒子などの放射線が入射してしまう環境で使用される。また、地上で使用されるＣＭＯＳ型半導体集積回路も、例えば、中性子などの放射線の影響を受けることが知られている。ＣＭＯＳ型半導体集積回路に入射した放射線は、半導体基板上に形成された回路素子が誤動作してしまう要因となることが知られている。より具体的には、ＣＭＯＳ型半導体集積回路に高エネルギーの荷電粒子が入射すると、例えば、電位の変動（いわゆる、シングルイベントトランジェント：Single Event Transient：ＳＥＴ）や、電位の変動の影響を受けた信号の伝搬による誤ったデータの記憶（いわゆる、シングイベントアップセット：Single Event Upset：ＳＥＵ）などが発生することが知られている。
従来から、シングルイベントトランジェントやシングイベントアップセットなどのシングルイベントに対する対策をするための種々の技術が開示されている（特許文献１、非特許文献１参照）。例えば、特許文献１には、回路素子を二重化構造（縦積みの構造）にすることにより、高エネルギーの荷電粒子によって発生したシングルイベントによる誤動作を後段に伝搬させないようにすることが開示されている。例えば、非特許文献１には、シングルイベントのエラー（ソフトエラー）に対する耐性（ロバスト性）を高めた組み込み型の回路素子の設計（構造）に関する技術が開示されている。
特開２００４－０４８１７０号公報
S.Mitra、N.Seifert、M.Zhang、Q.Shi、K.S.Kim、"Robust system design with built-in soft-error resilience"、IEEE Computer Society、ｖｏｌ．３８、ｎｏ．２、ｐｐ．４３－５２、Feb.２００５、ｄｏｉ：１０．１１０９／ＭＣ．２００５．７０．
しかしながら、特許文献１に開示された技術は、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）構造の半導体基板に回路素子を形成する場合にのみ有効な技術である。ＳＯＩ構造の半導体基板は、基板の内部に絶縁体の層を設けている構造となっているため、例えば、シリコンの単結晶の基板（いわゆる、バルク基板）に比べて高価なものである。さらに、近年では、ＣＭＯＳ型半導体集積回路の製造プロセスの微細化が進んできている。このため、従来の技術を適用した回路素子は、製造プロセスの微細化に伴って、シングルイベントへの対策効果を期待することができなくなってきている。これは、従来の技術では、回路素子を構成するそれぞれの構成要素の間に空間的な距離を設けることによってシングルイベントへの対策を行っているが、製造プロセスが微細化すると半導体基板上に形成される回路素子が小さくなり、それぞれの構成要素の間に必要な距離を確保することができなくなってしまい、従来の技術によるシングルイベントへの対策効果が無効化されてしまうからである。
本発明は、上記の課題認識に基づいてなされたものであり、シングルイベントに対する耐性が高いＣＭＯＳ回路を提供することを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るＣＭＯＳ回路は、第一導電型の基板に形成された第１論理演算回路、および前記第１論理演算回路の出力端子の信号を伝送する伝送回路を備えるＣＭＯＳ回路であって、前記第１論理演算回路は、前記第一導電型と異なる第二導電型の第１ウェルを有する前記第一導電型の第１トランジスタと、前記第一導電型の第２ウェルを有する前記第二導電型の第２トランジスタと、の組み合わせを備え、前記伝送回路は、前記第１論理演算回路の出力端子に接続され、前記第一導電型の第３トランジスタと、前記第二導電型の第４トランジスタとのいずれか一方または両方を備え、前記第３トランジスタと前記第４トランジスタとのゲート端子には、前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタのうち導電型が異なるトランジスタのウェル、あるいは、前記第１ウェルを有する前記第一導電型の第５トランジスタと、前記第２ウェルを有する前記第二導電型の第６トランジスタと、の組み合わせを備え、入力端子が所定の電位に固定された第２論理演算回路の出力端子が接続される、ＣＭＯＳ回路である。
本発明の一態様によれば、ＣＭＯＳ回路におけるシングルイベントへの耐性を高くすることができる。
第１実施形態に係るＣＭＯＳ回路の構成の一例を示す図である。 第１実施形態に係るＣＭＯＳ回路における通常の動作の一例を示すタイミングチャートである。 第１実施形態に係るＣＭＯＳ回路に高エネルギーの荷電粒子が入射する様子の一例を模式的に示す図である。 第１実施形態に係るＣＭＯＳ回路に入射した高エネルギーの荷電粒子によりシングルイベントが発生した場合の動作の一例を示すタイミングチャートである。 第１実施形態に係るＣＭＯＳ回路に入射した高エネルギーの荷電粒子によりシングルイベントが発生した場合の動作の別の一例を示すタイミングチャートである。 第１実施形態に係るＣＭＯＳ回路の構成の別の一例を示す図である。 第１実施形態に係るＣＭＯＳ回路の構成の別の一例を示す図である。 第１実施形態に係るＣＭＯＳ回路の構成の別の一例を示す図である。 第２実施形態に係るＣＭＯＳ回路の構成の一例を示す図である。 第２実施形態に係るＣＭＯＳ回路の構成の別の一例を示す図である。
以下、図面を参照し、本発明のＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor：相補型金属酸化膜半導体）回路の実施形態について説明する。実施形態のＣＭＯＳ回路は、例えば、論理否定回路（ＮＯＴ回路あるいはインバータ回路）、論理和回路（ＯＲ回路）、論理積回路（ＡＮＤ回路）、否定論理和回路（ＮＯＲ回路）、否定論理積回路（ＮＡＮＤ回路）、排他的論理和回路（ＥＸＯＲ回路）、否定排他的論理和回路（ＥＸＮＯＲ回路）など、論理演算を行う単独の論理演算回路である。実施形態のＣＭＯＳ回路は、単独の論理演算回路を複数組み合わせることによって、例えば、ラッチ回路やフリップフロップ回路など、データ（信号レベル）を保持する構成にすることもできる。さらに、実施形態のＣＭＯＳ回路は、単独の論理演算回路や、フリップフロップ回路、伝送ゲート回路などを複数組み合わせることによって、例えば、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）など、データ（信号レベル）を記憶する（メモリする）構成にすることもできる。
＜第１実施形態＞
以下の説明においては、説明を容易にするため、最も簡単な構成の論理演算回路である論理否定回路（以下、「インバータ回路」という）を、第１実施形態のＣＭＯＳ回路の一例として説明する。
［インバータ回路の構成］
図１は、第１実施形態に係るＣＭＯＳ回路（インバータ回路）の構成の一例を示す図である。インバータ回路１は、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１と、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２と、を備える。図１に示したインバータ回路１は、Ｐ型の単結晶の半導体基板（バルク基板）にそれぞれのトランジスタを形成した場合の一例である。
ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１は、ゲート端子がインバータ回路１の入力端子ＩＮに、ソース端子が電源ＶＤＤに、ドレイン端子がＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１のドレイン端子に、それぞれ接続されている。ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１は、ゲート端子がインバータ回路１の入力端子ＩＮに、ソース端子がグラウンドＧＮＤに、ドレイン端子がＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１のドレイン端子に、それぞれ接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２は、ゲート端子がＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１のＰウェルＰｗ（図１では、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１のボディ）に、ソース端子がＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１およびＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１のドレイン端子に、ドレイン端子がインバータ回路１の出力端子ＯＵＴに、それぞれ接続されている。ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２は、ゲート端子がＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１のＮウェルＮｗ（図１では、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１のボディ）に、ソース端子がＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１およびＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１のドレイン端子に、ドレイン端子がインバータ回路１の出力端子ＯＵＴに、それぞれ接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２およびＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２のゲート端子と、対応するウェルは、例えば、ウェルコンタクトなどによって接続されてもよい。
インバータ回路１において、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１との構成は、一般的な論理演算回路における基本的な論理否定回路（インバータ回路）の構成である。以下の説明においては、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１とによる基本的な構成のインバータ回路を、「ＮＯＴ回路」といって、第１実施形態のインバータ回路１と区別する。インバータ回路１において、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２との構成は、一般的な半導体回路における基本的な伝送ゲート回路の構成である。つまり、インバータ回路１は、基本的な構成のＮＯＴ回路と伝送ゲート回路とを備える構成であり、ＮＯＴ回路の出力端子のノード（以下、「内部ノードＩｏ」という）が、伝送ゲート回路の入力端子に接続されている。
Ｐ型の単結晶の半導体基板は、特許請求の範囲における「第一導電型の基板」の一例である。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１は、特許請求の範囲における「第１トランジスタ」の一例であり、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１は、特許請求の範囲における「第２トランジスタ」の一例である。ＮウェルＮｗは、特許請求の範囲における「第１ウェル」の一例であり、ＰウェルＰｗは、特許請求の範囲における「第２ウェル」の一例である。Ｐ型やＰチャンネルは、特許請求の範囲における「第一導電型」の一例であり、Ｎ型やＮチャンネルは、特許請求の範囲における「第二導電型」の一例である。ＮＯＴ回路は、特許請求の範囲における「第１論理演算回路」の一例である。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２は、特許請求の範囲における「第３トランジスタ」の一例であり、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２は、特許請求の範囲における「第４トランジスタ」の一例である。伝送ゲート回路は、特許請求の範囲における「伝送回路」の一例である。
［インバータ回路の動作］
以下、インバータ回路１の動作タイミングについて説明する。まず、インバータ回路１における通常の動作について説明する。図２は、第１実施形態に係るＣＭＯＳ回路（インバータ回路１）における通常の動作の一例を示すタイミングチャートである。図２は、インバータ回路１に放射線の高エネルギーの荷電粒子が入射していない通常の状態のタイミングチャートである。以下の説明においては、インバータ回路１におけるそれぞれの信号の“Ｈｉｇｈ”レベルを電源ＶＤＤのレベル（以下、「ＶＤＤレベル」という）とし、“Ｌｏｗ”レベルをグラウンドＧＮＤのレベル（以下、「ＧＮＤレベル」という）とする。
図２には、所定の時間間隔でＶＤＤレベルとＧＮＤレベルとの間で信号レベルが変化させて入力信号がインバータ回路１の入力端子ＩＮに入力された場合において、入力端子ＩＮ、内部ノードＩｏ、出力端子ＯＵＴ、ＮウェルＮｗ、およびＰウェルＰｗのそれぞれの信号が変化するタイミングとその信号レベルとを示している。
インバータ回路１の通常の動作では、入力端子ＩＮに入力された入力信号が、ＮＯＴ回路における所定の遅延時間だけ遅延したタイミングで反転されて、内部ノードＩｏに出力される。インバータ回路１において、ＮウェルＮｗはＶＤＤレベルであり、ＰウェルＰｗはＧＮＤレベルである。従って、伝送ゲート回路が備えるＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２とは、常にオン状態である。このため、インバータ回路１の通常の動作においてＮＯＴ回路により内部ノードＩｏに出力された信号（以下、「内部信号」という）は、伝送ゲート回路における所定の遅延時間だけ遅延したタイミングで伝送されて、出力端子ＯＵＴに出力される。
このように、インバータ回路１の通常の動作では、ＮＯＴ回路により出力された内部信号が伝送ゲート回路によって伝送され、出力信号として出力端子ＯＵＴに出力される。つまり、インバータ回路１における通常の動作では、一般的な論理否定回路と同様に、インバータ回路１の入力端子ＩＮに入力された入力信号が反転されて、出力端子ＯＵＴに出力される。
次に、インバータ回路１に放射線の高エネルギーの荷電粒子が入射した場合の動作について説明する。図３は、第１実施形態に係るＣＭＯＳ回路（インバータ回路１）に高エネルギーの荷電粒子が入射する様子の一例を模式的に示す図である。図３には、放射線Ｒの高エネルギーの荷電粒子Ｅが、インバータ回路１を構成するＮＯＴ回路に入射した場合を示している。入射した荷電粒子Ｅにより、インバータ回路１においても、入射した荷電粒子Ｅの電荷に応じたシングルイベントトランジェントが発生する。入射した荷電粒子Ｅは、オン状態のトランジスタよりも、オフ状態のトランジスタに対してより大きな影響を与えることが知られている。
図４および図５は、第１実施形態に係るＣＭＯＳ回路（インバータ回路１）に入射した高エネルギーの荷電粒子によりシングルイベントが発生した場合の動作の一例を示すタイミングチャートである。図４は、インバータ回路１の入力端子ＩＮにＧＮＤレベルの信号が入力されているときに荷電粒子Ｅが入射した場合のタイミングチャートであり、図５は、インバータ回路１の入力端子ＩＮにＶＤＤレベルの信号が入力されているときに荷電粒子Ｅが入射した場合のタイミングチャートである。
まず、図４に示したタイミングチャートについて説明する。インバータ回路１の入力端子ＩＮにＧＮＤレベルの信号が入力されているタイミングｔ１のときにＮＯＴ回路に荷電粒子Ｅが入射すると、入射した荷電粒子Ｅの電荷に応じて、ＮＯＴ回路を構成するオフ状態であるＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１の電位が過渡的に変動する。これにより、ＮＯＴ回路の出力信号である内部ノードＩｏにＧＮＤレベルの瞬時的なパルスが表れる。これが、シングルイベントトランジェントである。
図４の右側には、シングルイベントトランジェントが発生した期間を拡大して、より詳細なタイミングとその信号レベルとを示している。シングルイベントトランジェントの発生に伴って、例えば、ＮウェルＮｗの電位レベルが下がり、ＰウェルＰｗの電位レベルが上がる。図４の右側には、ＮウェルＮｗの電位レベルがＧＮＤレベルまで下がり、ＰウェルＰｗの電位レベルがＶＤＤレベルとＧＮＤレベルとの間のレベルまで上がった場合の一例を示している。図４の右側に示したそれぞれのウェルにおける電位レベルの変動量の違いは、ＣＭＯＳ回路を形成する半導体基板がＰ型の単結晶の半導体基板であるため、ＰウェルＰｗよりもＮウェルＮｗの方がより大きく電位レベルが変動すると考えたことによる一例であり、それぞれのウェルにおける電位レベルの変動量は、例えば、荷電粒子Ｅの電荷に応じて変わるものと考えられる。
すると、ＮウェルＮｗの電位レベルが下がったことにより、伝送ゲート回路を構成するＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２がオフ状態になり、ＰウェルＰｗの電位レベルが上がったことにより、伝送ゲート回路を構成するＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２がオフ状態になる。つまり、伝送ゲート回路は、オフ状態になる。図４の右側では、タイミングｔ１からタイミングｔ２までの間、伝送ゲート回路がオフ状態である。これにより、伝送ゲート回路は、ＮＯＴ回路により内部ノードＩｏに出力されたシングルイベントトランジェントを含む内部信号を、そのまま出力端子ＯＵＴに伝送（出力）しなくなる。言い換えれば、伝送ゲート回路は、ＮＯＴ回路により内部ノードＩｏに出力された内部信号に含まれるシングルイベントトランジェントの出力端子ＯＵＴへの伝送（出力）を排除する。あるいは、伝送ゲート回路は、ＮＯＴ回路により内部ノードＩｏに出力された内部信号に含まれるシングルイベントトランジェントを低減させて、出力端子ＯＵＴに伝送（出力）する。図４の右側には、内部ノードＩｏの内部信号に含まれるシングルイベントトランジェントが低減されて出力端子ＯＵＴに伝送（出力）されている場合の一例を示している。
次に、図５に示したタイミングチャートについて説明する。インバータ回路１の入力端子ＩＮにＶＤＤレベルの信号が入力されているタイミングｔ３のときにＮＯＴ回路に荷電粒子Ｅが入射すると、入射した荷電粒子Ｅの電荷に応じて、ＮＯＴ回路を構成するオフ状態であるＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１の電位が変動する。これにより、ＮＯＴ回路の出力信号である内部ノードＩｏにＶＤＤレベルの瞬時的なパルスが表れる。
図５の右側には、シングルイベントトランジェントが発生した期間を拡大して、より詳細なタイミングとその信号レベルとを示している。シングルイベントトランジェントの発生に伴って、図４に示したインバータ回路１の入力端子ＩＮにＧＮＤレベルの信号が入力されているときにＮＯＴ回路に荷電粒子Ｅが入射した場合と同様に、伝送ゲート回路は、オフ状態になる。図５の右側では、タイミングｔ３からタイミングｔ４までの間、伝送ゲート回路がオフ状態である。これにより、伝送ゲート回路は、ＮＯＴ回路により内部ノードＩｏに出力されたシングルイベントトランジェントを含む内部信号を、そのまま出力端子ＯＵＴに伝送（出力）しなくなる。図５の右側には、内部ノードＩｏの内部信号に含まれるシングルイベントトランジェントが低減されて出力端子ＯＵＴに伝送（出力）されている場合の一例を示している。
このように、インバータ回路１では、入射した荷電粒子ＥによってＮＯＴ回路で発生したシングルイベントトランジェントを含む内部ノードＩｏの内部信号を、伝送ゲート回路がオフ状態になることによって出力端子ＯＵＴに出力しないようにする。言い換えれば、インバータ回路１では、入射した荷電粒子Ｅによってオフ状態にされる伝送ゲート回路によって、出力端子ＯＵＴに出力されるシングルイベントトランジェントを排除または低減させる。これにより、インバータ回路１では、インバータ回路１の内部で発生したシングルイベントトランジェントを、例えば、インバータ回路１の後段に接続されている他のＣＭＯＳ回路に伝搬させることがなくなる。このことにより、インバータ回路１を備えるＣＭＯＳ型半導体集積回路では、発生したシングルイベントトランジェントを含む信号の伝搬によって誤ったデータが記憶されてしまうシングイベントアップセットを防止することができる。つまり、ＣＭＯＳ回路に荷電粒子Ｅが入射したことによって発生するシングルイベントに対する耐性を高くすることができる。
［他のＣＭＯＳ回路の構成］
以上の説明では、第１実施形態のＣＭＯＳ回路の一例として、インバータ回路１について説明した。しかし、第１実施形態のＣＭＯＳ回路は、インバータ回路１と異なる他の構成も考えられる。以下、第１実施形態のＣＭＯＳ回路におけるインバータ回路１以外の他のＣＭＯＳ回路の構成の一例について説明する。図６～図８は、第１実施形態に係るＣＭＯＳ回路の構成の別の一例を示す図である。
図６は、２入力の否定論理積回路（ＮＡＮＤ回路）の一例である。ＮＡＮＤ回路２は、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１Ａと、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１Ｂと、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１Ａと、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１Ｂと、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２と、を備える。図６に示したＮＡＮＤ回路２は、Ｐ型の単結晶の半導体基板にそれぞれのトランジスタを形成した場合の一例である。
ＮＡＮＤ回路２において、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１Ａ、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１Ｂ、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１Ａ、およびＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１Ｂの構成は、一般的な論理演算回路における基本的な否定論理積回路（ＮＡＮＤ回路）の構成である。ＮＡＮＤ回路２において、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２との構成は、インバータ回路１における伝送ゲート回路と同様である。つまり、ＮＡＮＤ回路２は、基本的な構成のＮＡＮＤ回路と伝送ゲート回路とを備え、ＮＡＮＤ回路の出力端子の内部ノードＩｏが、伝送ゲート回路の入力端子に接続されている。ＮＡＮＤ回路２では、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２のゲート端子に、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１ＡとＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１Ｂとで共通のＰウェルＰｗが接続され、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２のゲート端子に、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１ＡとＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１Ｂとで共通のＮウェルＮｗが接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２のゲート端子と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１ＡおよびＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１Ｂで共通のＰウェルＰｗとの接続、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２のゲート端子と、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１ＡおよびＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１Ｂで共通のＮウェルＮｗとの接続は、例えば、ウェルコンタクトなどによって行われてもよい。
ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１ＡおよびＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１Ｂは、特許請求の範囲における「第１トランジスタ」の一例であり、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１ＡおよびＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１Ｂは、特許請求の範囲における「第２トランジスタ」の一例である。基本的なＮＡＮＤ回路は、特許請求の範囲における「第１論理演算回路」の一例である。
ＮＡＮＤ回路２においても、通常の動作では、一般的な否定論理積回路と同様に、ＮＡＮＤ回路２の入力端子ＩＮＡおよび入力端子ＩＮＢに入力された入力信号に応じた出力信号が出力端子ＯＵＴに出力される。ＮＡＮＤ回路２においても、インバータ回路１と同様に、入射した高エネルギーの荷電粒子Ｅに応じてオフ状態のいずれかのトランジスタで発生したシングルイベントトランジェントを含む内部信号を、入射した荷電粒子Ｅによってオフ状態にされる伝送ゲート回路によって、出力端子ＯＵＴに伝送（出力）されるのを排除または低減させる。
図７は、２入力の否定論理和回路（ＮＯＲ回路）の一例である。ＮＯＲ回路３は、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１Ａと、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１Ｂと、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１Ａと、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１Ｂと、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２と、を備える。図７に示したＮＯＲ回路３は、Ｐ型の単結晶の半導体基板にそれぞれのトランジスタを形成した場合の一例である。
ＮＯＲ回路３において、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１Ａ、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１Ｂ、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１Ａ、およびＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１Ｂの構成は、一般的な論理演算回路における基本的な否定論理和回路（ＮＯＲ回路）の構成である。ＮＯＲ回路３において、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２との構成は、インバータ回路１における伝送ゲート回路と同様である。つまり、ＮＯＲ回路３は、基本的な構成のＮＯＲ回路と伝送ゲート回路とを備え、ＮＯＲ回路の出力端子の内部ノードＩｏが、伝送ゲート回路の入力端子に接続されている。ＮＯＲ回路３では、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２のゲート端子に、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１ＡとＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１Ｂとで共通のＰウェルＰｗが接続され、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２のゲート端子に、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１ＡとＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１Ｂとで共通のＮウェルＮｗが接続されている。
基本的なＮＯＲ回路は、特許請求の範囲における「第１論理演算回路」の一例である。
ＮＯＲ回路３においても、通常の動作では、一般的な否定論理和回路と同様に、ＮＯＲ回路３の入力端子ＩＮＡおよび入力端子ＩＮＢに入力された入力信号に応じた出力信号が出力端子ＯＵＴに出力される。ＮＯＲ回路３においても、インバータ回路１と同様に、入射した高エネルギーの荷電粒子Ｅに応じてオフ状態のいずれかのトランジスタで発生したシングルイベントトランジェントを含む内部信号を、入射した荷電粒子Ｅによってオフ状態にされる伝送ゲート回路によって、出力端子ＯＵＴに伝送（出力）されるのを排除または低減させる。
図８は、六つのインバータ回路１（インバータ回路１－１～１－６）と四つのトランスミッションゲートＴＭＧ（トランスミッションゲートＴＭＧ－１～ＴＭＧ－４）とで構成したＤ型フリップフロップ回路（以下、「Ｄ－ＦＦ回路」という）の一例である。図８に示したＤ－ＦＦ回路４は、六つのインバータ回路（ＮＯＴ回路）と四つのトランスミッションゲートＴＭＧとで構成した一般的なＤ型フリップフロップ回路において、それぞれのインバータ回路（ＮＯＴ回路）を第１実施形態のインバータ回路１に置き換えた構成である。図８においては、インバータ回路１－１～１－６が備えるそれぞれの構成要素を論理ゲート記号で示している。図８に示したＤ－ＦＦ回路４は、Ｐ型の単結晶の半導体基板にそれぞれのトランジスタを形成した場合の一例である。
Ｄ－ＦＦ回路４においても、通常の動作では、一般的なＤ型フリップフロップ回路と同様に、入力端子Ｄに入力された入力信号の状態変化をクロック信号ＣＬＫに応じて遅延させて出力端子Ｑに出力するとともに、出力端子Ｑの状態を保持する。より具体的には、Ｄ－ＦＦ回路４では、入力端子Ｄの入力信号をクロック信号ＣＬＫの立ち下がりエッジのタイミングで取り込み、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりエッジのタイミングで出力端子Ｑに出力するとともに、クロック信号ＣＬＫが他の状態のときには、出力信号の出力端子Ｑへの出力状態を保持する。図８においてクロック信号ＣＬＫＢは、クロック信号ＣＬＫの反転クロック信号である。Ｄ－ＦＦ回路４では、それぞれのインバータ回路１において、入射した高エネルギーの荷電粒子Ｅに応じてオフ状態のいずれかのトランジスタで発生したシングルイベントトランジェントを含む内部信号を、入射した荷電粒子Ｅによってオフ状態にされる伝送ゲート回路によって、出力端子Ｑに伝送（出力）されるのを排除または低減させる。これにより、Ｄ－ＦＦ回路４において誤ったデータが記憶されてしまうシングイベントアップセットを防止することができる。図８においては、六つのインバータ回路（ＮＯＴ回路）をインバータ回路１に置き換えることによってシングイベントアップセットを防止する構成のＤ－ＦＦ回路４を示したが、Ｄ－ＦＦ回路４が備える四つのトランスミッションゲートＴＭＧも、入射した荷電粒子Ｅによってオフ状態にされる伝送ゲート回路を接続した構成にしてもよい。
図６～図８に示したそれぞれのＣＭＯＳ回路においてシングルイベントトランジェントを排除または低減させる際の動作は、図３～図５に示したインバータ回路１に高エネルギーの荷電粒子が入射した場合の動作と同様に考えることによって、容易に理解することができる。従って、図６～図８に示したそれぞれのＣＭＯＳ回路においてシングルイベントトランジェントを排除または低減させる際の動作に関する詳細な説明は省略する。さらに、上述したように、ＣＭＯＳ回路は、図６～図８に示したそれぞれのＣＭＯＳ回路の他にも種々の構成が考えられる。これらの構成は、図１に示したインバータ回路１や、図６～図８に示したＣＭＯＳ回路（ＮＡＮＤ回路２、ＮＯＲ回路３、Ｄ－ＦＦ回路４）の構成と等価なものになるように構成すればよい。さらに、上述したように、ＣＭＯＳ回路は、例えば、ＳＲＡＭなどのように、単独の論理演算回路や、フリップフロップ回路、伝送ゲート回路などを複数組み合わせることによってデータ（信号レベル）を記憶するメモリの構成も考えられる。このメモリを構成する伝送ゲート回路は、メモリの機能を実現するための構成要素である。このため、メモリを構成する伝送ゲート回路にも、シングルイベントトランジェントを排除または低減させるための伝送ゲート回路を接続してもよい。これらの動作は、図３～図５に示したインバータ回路１に高エネルギーの荷電粒子が入射した場合の動作と同様に考えることによって、容易に理解することができる。従って、ＣＭＯＳ回路において考えられる種々の構成や動作に関する詳細な説明は省略する。
上述したように、第１実施形態のＣＭＯＳ回路では、基本的な構成の論理演算回路の出力端子に、入射した荷電粒子Ｅによってオフ状態にされる伝送ゲート回路を接続し、伝送ゲート回路の出力端子をＣＭＯＳ回路の出力端子とする。この構成により、第１実施形態のＣＭＯＳ回路では、入射した荷電粒子Ｅに応じて論理演算回路で発生したシングルイベントトランジェントが出力端子に伝送（出力）されるのを排除または低減させる。これにより、第１実施形態のＣＭＯＳ回路では、ＣＭＯＳ回路の内部で発生したシングルイベントトランジェントが、例えば、ＣＭＯＳ回路の後段に接続されている他のＣＭＯＳ回路に伝搬されてしまうのを防止することができる。さらに、第１実施形態のＣＭＯＳ回路では、ＣＭＯＳ回路の内部で発生したシングルイベントトランジェントが伝搬して誤ったデータが記憶されてしまうシングイベントアップセットを防止することができる。つまり、荷電粒子Ｅの入射に対する耐性を高めたＣＭＯＳ回路を実現することができる。
このことにより、第１実施形態のＣＭＯＳ回路で実現された機能を備える半導体集積回路は、例えば、宇宙空間などのように高エネルギーの荷電粒子Ｅが入射してしまう環境で使用された場合でも、誤動作をしてしまう可能性を低減させることができる。つまり、第１実施形態のＣＭＯＳ回路で機能を実現することにより、使用環境の影響による誤動作の可能性が少ない、信頼性の高い半導体集積回路を実現することができる。このため、第１実施形態のＣＭＯＳ回路で実現された機能を備える半導体集積回路は、例えば、産業機器用や、車載用、医療用など、宇宙空間以外の場所でも高い信頼性が求められる環境において使用した場合でも、その効果を得ることができる。
第１実施形態のＣＭＯＳ回路では、伝送ゲート回路が備えるそれぞれのトランジスタのゲート端子に、基本的な構成の論理演算回路が備える導電型が異なるトランジスタのウェルを接続することにより、伝送ゲート回路が、入射した荷電粒子Ｅによってオフ状態にされる構成を示した。しかし、入射した荷電粒子Ｅによって伝送ゲート回路をオフ状態にさせる構成は、他の構成であってもよい。
＜第２実施形態＞
以下、第２実施形態のＣＭＯＳ回路について説明する。以下の説明においても、説明を容易にするため、最も簡単な構成の論理演算回路である論理否定回路（インバータ回路）を、第２実施形態のＣＭＯＳ回路の一例として説明する。
［インバータ回路の構成］
図９は、第２実施形態に係るＣＭＯＳ回路（インバータ回路）の構成の一例を示す図である。インバータ回路１Ａは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１と、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２と、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ３と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ３と、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ４と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ４と、を備える。図９に示したインバータ回路１Ａは、Ｐ型の単結晶の半導体基板にそれぞれのトランジスタを形成した場合の一例である。
インバータ回路１Ａにおいて、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１との構成、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ３とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ３との構成、およびＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ４とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ４との構成は、それぞれ、一般的な論理否定回路（ＮＯＴ回路）である。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１とにより構成されるＮＯＴ回路の入力端子は、第１実施形態のインバータ回路１が備えるＮＯＴ回路と同様に、入力端子ＩＮに接続されている。このＮＯＴ回路の出力端子の内部ノードＩｏは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２とにより構成される伝送ゲート回路の入力端子に接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ３とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ３とにより構成されるＮＯＴ回路（以下、「ＮＯＴ回路Ａ」という）の入力端子は、グラウンドＧＮＤが接続され、出力端子は、伝送ゲート回路を構成するＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２のゲート端子に接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ４とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ４とにより構成されるＮＯＴ回路（以下、「ＮＯＴ回路Ｂ」という）の入力端子は、電源ＶＤＤが接続され、出力端子は、伝送ゲート回路を構成するＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２のゲート端子に接続されている。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１と、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ３と、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ４とのウェルは、共通のＮウェルＮｗである。ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ３と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ４とのウェルは、共通のＰウェルＰｗである。ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２のゲート端子とＮＯＴ回路Ａの出力端子との接続、およびＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２のゲート端子とＮＯＴ回路Ｂの出力端子との接続は、例えば、ＣＭＯＳ型半導体集積回路の製造プロセスにおける配線工程において行われてもよい。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２とにより構成される伝送ゲート回路の出力端子は、第１実施形態のインバータ回路１が備える伝送ゲート回路と同様に、出力端子ＯＵＴに接続されている。
ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ３は、特許請求の範囲における「第５トランジスタ」の一例であり、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ３は、特許請求の範囲における「第６トランジスタ」の一例である。ＮＯＴ回路Ａは、特許請求の範囲における「第２論理演算回路」の一例である。ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ４は、特許請求の範囲における「第７トランジスタ」の一例であり、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ４は、特許請求の範囲における「第８トランジスタ」の一例である。ＮＯＴ回路Ｂは、特許請求の範囲における「第２論理演算回路」の一例である。
インバータ回路１Ａの通常の動作では、ＮＯＴ回路Ａの入力端子はグラウンドＧＮＤに固定されているため常に“Ｈｉｇｈ”レベル（例えば、ＶＤＤレベル）を出力し、ＮＯＴ回路Ｂの入力端子は電源ＶＤＤに固定されているため常に“Ｌｏｗ”レベル（例えば、ＧＮＤレベル）を出力する。従って、伝送ゲート回路が備えるＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ２とＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２とは、常にオン状態である。このため、インバータ回路１Ａの通常の動作では、ＮＯＴ回路により内部ノードＩｏに出力された内部信号が、伝送ゲート回路における所定の遅延時間だけ遅延したタイミングで伝送されて、出力端子ＯＵＴに出力される。
一方、インバータ回路１Ａにおいても、高エネルギーの荷電粒子Ｅが入射すると、インバータ回路１Ａが備えるオフ状態のいずれかのトランジスタにおいて、入射した荷電粒子Ｅの電荷に応じたシングルイベントトランジェントが発生する。このため、インバータ回路１Ａにおいても、第１実施形態において説明したのと同様の理由によって、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタに共通のＮウェルＮｗの電位レベルが下がり、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタに共通のＰウェルＰｗの電位レベルが上がる。これにより、インバータ回路１Ａでは、ＮＯＴ回路Ａが“Ｌｏｗ”レベルを出力し、ＮＯＴ回路Ｂが“Ｈｉｇｈ”レベルを出力する。このことにより、インバータ回路１Ａにおいても、第１実施形態のインバータ回路１と同様に、伝送ゲート回路は、入射した高エネルギーの荷電粒子Ｅに応じてオフ状態になる。これにより、インバータ回路１Ａにおいても、第１実施形態のインバータ回路１と同様に、入射した高エネルギーの荷電粒子Ｅに応じてオフ状態のいずれかのトランジスタで発生したシングルイベントトランジェントを含む内部信号を、入射した荷電粒子Ｅによってオフ状態にされる伝送ゲート回路によって、出力端子ＯＵＴに伝送（出力）されるのを排除または低減させる。
［インバータ回路の別の構成］
図１０は、第２実施形態に係るＣＭＯＳ回路（インバータ回路）の構成の別の一例を示す図である。インバータ回路１Ｂは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ１と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ１と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２と、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＰ３と、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ３と、を備える。図１０に示したインバータ回路１Ｂは、Ｐ型の単結晶の半導体基板にそれぞれのトランジスタを形成した場合の一例である。
インバータ回路１Ｂは、インバータ回路１Ａが備える伝送ゲート回路が、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタＮ２のみによる構成となり、これに伴ってＮＯＴ回路Ｂが削除されている。このため、インバータ回路１Ｂは、インバータ回路１Ａよりも少ない回路規模で、ＣＭＯＳ回路を構成することができる。
インバータ回路１Ｂは、伝送ゲート回路の構成が異なるが、その動作は、インバータ回路１Ａと同様である。従って、インバータ回路１Ｂにおいても、インバータ回路１やインバータ回路１Ａと同様に、入射した高エネルギーの荷電粒子Ｅに応じてオフ状態のいずれかのトランジスタで発生したシングルイベントトランジェントを含む内部信号を、入射した荷電粒子Ｅによってオフ状態にされる伝送ゲート回路によって、出力端子ＯＵＴに伝送（出力）されるのを排除または低減させる。
上述したように、第２実施形態のＣＭＯＳ回路では、基本的な構成の論理演算回路の出力端子に、ウェルが共通のトランジスタにより構成されるＮＯＴ回路Ａおよび／またはＮＯＴ回路Ｂの出力信号によってオフ状態にされる伝送ゲート回路を接続し、伝送ゲート回路の出力端子をＣＭＯＳ回路の出力端子とする。この構成により、第２実施形態のＣＭＯＳ回路では、入射した荷電粒子Ｅに応じて論理演算回路で発生したシングルイベントトランジェントが出力端子に伝送（出力）されるのを排除または低減させる。ここで、第２実施形態のＣＭＯＳ回路における伝送ゲート回路のオフ状態への動作は、ウェルの電位レベルの変動を間接的に検出したことによる動作であると考えることができる。これは、第１実施形態のインバータ回路１では、伝送ゲート回路が備えるそれぞれのトランジスタのゲート端子にウェルが直接接続されていることにより、ウェルの電位レベルの変動を直接的に検出して伝送ゲート回路がオフ状態になるのに対して、第２実施形態のＣＭＯＳ回路では、共通のウェルを有するＮＯＴ回路Ａおよび／またはＮＯＴ回路Ｂの出力信号の電位レベルの変化によって伝送ゲート回路がオフ状態になるからである。このように、直接的であるか間接的であるかの違いはあるものの、第２実施形態のＣＭＯＳ回路においても、伝送ゲート回路が、入射した高エネルギーの荷電粒子Ｅによるウェルの電位レベルの変動を検出してオフ状態にされる。これにより、第２実施形態のＣＭＯＳ回路でも、第１実施形態のＣＭＯＳ回路と同様に、ＣＭＯＳ回路に入射した荷電粒子Ｅに応じてオフ状態のいずれかのトランジスタで発生したシングルイベントトランジェントを含む内部信号が出力端子ＯＵＴに伝送（出力）されるのを排除または低減させる。
これにより、第２実施形態のＣＭＯＳ回路でも、第１実施形態のＣＭＯＳ回路と同様に、ＣＭＯＳ回路の内部で発生したシングルイベントトランジェントが、例えば、ＣＭＯＳ回路の後段に接続されている他のＣＭＯＳ回路に伝搬されてしまうのを防止することができ、発生したシングルイベントトランジェントが伝搬して誤ったデータが記憶されてしまうシングイベントアップセットを防止することができる。つまり、第２実施形態のＣＭＯＳ回路でも、第１実施形態のＣＭＯＳ回路と同様に、荷電粒子Ｅの入射に対する耐性を高めることができる。このことにより、第２実施形態のＣＭＯＳ回路でも、使用環境の影響による誤動作の可能性が少ない、信頼性の高い半導体集積回路を実現することができる。
上記に述べたとおり、各実施形態のＣＭＯＳ回路によれば、使用環境から放射線の高エネルギーの荷電粒子が入射したことにより論理演算回路にシングルイベントトランジェントが発生した場合でも、発生したシングルイベントトランジェントが出力端子ＯＵＴに伝送（出力）されてしまうのと排除または低減させることができる。これにより、各実施形態のＣＭＯＳ回路で実現された機能を備える半導体集積回路は、高エネルギーの荷電粒子が入射してしまう環境で使用された場合でも、誤動作をしてしまう可能性を低減させることができ、高い信頼性を得ることができる。
上述したそれぞれの実施形態では、ＣＭＯＳ回路が備えるトランジスタをＰ型の単結晶の半導体基板（バルク基板）に形成した場合の一例を説明した。しかし、半導体基板には、Ｐ型の単結晶の基板の他にも、Ｎ型の単結晶の基板や、Ｐ型あるいはＮ型のＳＯＩ構造の基板など、種々の構造のものがある。この場合におけるＣＭＯＳ回路の構成や動作などは、上述したＰ型の単結晶の半導体基板に形成したＣＭＯＳ回路の構成や動作と等価なものになるようにすればよい。従って、ＣＭＯＳ回路をＰ型の単結晶の半導体基板と異なる半導体基板に形成する場合の構成や動作に関する詳細な説明は省略する。
以上、本発明を実施するための形態について実施形態を用いて説明したが、本発明はこうした実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の変形および置換を加えることができる。
１，１－１，１－２，１－３，１－４，１－５，１－６，１Ａ，１Ｂ・・・インバータ回路
２・・・ＮＡＮＤ回路
３・・・ＮＯＲ回路
４・・・Ｄ－ＦＦ回路
Ｐ１，Ｐ１Ａ，Ｐ１Ｂ，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４・・・ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ
Ｎ１，Ｎ１Ａ，Ｎ１Ｂ、Ｎ２，Ｎ３，Ｎ４・・・ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ
Ｐｗ・・・Ｐウェル
Ｎｗ・・・Ｎウェル
Ｉｏ・・・内部ノード

Claims (6)

  1. 第一導電型の基板に形成された第１論理演算回路、および前記第１論理演算回路の出力端子の信号を伝送する伝送回路を備えるＣＭＯＳ回路であって、
    前記第１論理演算回路は、前記第一導電型と異なる第二導電型の第１ウェルを有する前記第一導電型の第１トランジスタと、前記第一導電型の第２ウェルを有する前記第二導電型の第２トランジスタと、の組み合わせを備え、
    前記伝送回路は、前記第１論理演算回路の出力端子に接続され、前記第一導電型の第３トランジスタと、前記第二導電型の第４トランジスタとのいずれか一方または両方を備え、
    前記第３トランジスタと前記第４トランジスタとのゲート端子には、前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタのうち導電型が異なるトランジスタのウェル、あるいは、前記第１ウェルを有する前記第一導電型の第５トランジスタと、前記第２ウェルを有する前記第二導電型の第６トランジスタと、の組み合わせを備え、入力端子が所定の電位に固定された第２論理演算回路の出力端子が接続される、
    ＣＭＯＳ回路。
  2. 前記第３トランジスタのゲート端子には、前記第２トランジスタの前記第２ウェルが接続され、
    前記第４トランジスタのゲート端子には、前記第１トランジスタの前記第１ウェルが接続される、
    請求項１に記載のＣＭＯＳ回路。
  3. 前記第２論理演算回路は、前記第１ウェルを有する前記第一導電型の第７トランジスタと、前記第２ウェルを有する前記第二導電型の第８トランジスタと、の組み合わせをさらに備え、
    前記第３トランジスタのゲート端子には、前記第７トランジスタのドレイン端子と前記第８トランジスタのドレイン端子とが接続された第１出力端子が接続され、前記第７トランジスタのゲート端子と前記第８トランジスタのゲート端子とが接続された第１入力端子は、電源の電位に固定され、
    前記第４トランジスタのゲート端子には、前記第５トランジスタのドレイン端子と前記第６トランジスタのドレイン端子とが接続された第２出力端子が接続され、前記第５トランジスタのゲート端子と前記第６トランジスタのゲート端子とが接続された第２入力端子は、グラウンドの電位に固定される、
    請求項１に記載のＣＭＯＳ回路。
  4. 前記伝送回路は、前記第４トランジスタを備え、
    前記第４トランジスタのゲート端子には、前記第５トランジスタのドレイン端子と前記第６トランジスタのドレイン端子とが接続された前記出力端子が接続され、前記第５トランジスタのゲート端子と前記第６トランジスタのゲート端子とが接続された前記入力端子は、グラウンドの電位に固定される、
    請求項１に記載のＣＭＯＳ回路。
  5. 前記第２論理演算回路は、論理否定回路である、
    請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載のＣＭＯＳ回路。
  6. 前記第一導電型のトランジスタは、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタであり、
    前記第二導電型のトランジスタは、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタである、
    請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載のＣＭＯＳ回路。
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