JP5044778B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る半導体集積回路(以下「本半導体集積回路」という。)の機能ブロックを示す図である。本実施形態に係る半導体集積回路は、上記機能ブロックで表現される限りにおいて具体的な構成については限定されず周知の構成を採用することができる。限定されるわけではないが、例えばシリコン基板上に不純物をドープしてp型、n型の領域を形成し、それらに直接又はゲート絶縁膜を介して電極を取り付けてMOS型トランジスタを構成し、更にそれらを複数接続しあうことで実現することができる。
Claims (2)
- 第一の組み合せ回路部と、
前記第一の組み合わせ回路部に接続される第一の遅延回路部と、
第二の組み合わせ回路部と、
前記第一の組み合わせ回路部、前記第二の組み合わせ回路部、及び、前記第一の遅延回路部に接続され、前記第一の組み合わせ回路部の出力のみを遅延させ、前記第一の組み合わせ回路部の出力、前記第一の遅延回路部によって遅延した前記第一の組み合わせ回路部の出力、及び前記第二の組み合わせ回路部の出力のうち、最も多い値を採用する多数決回路部と、を有する半導体集積回路。 - 前記多数決回路部に接続されるラッチ回路部と、を有する請求項1に記載の半導体集積回路。
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Applications Claiming Priority (3)
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JP2006248431 | 2006-09-13 | ||
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JP5044778B2 true JP5044778B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
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2006
- 2006-09-29 JP JP2006266835A patent/JP5044778B2/ja active Active
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