JP2022019434A - 表示方法及び基板処理装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 92
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 70
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 33
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 5
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
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- G05B23/02—Electric testing or monitoring
- G05B23/0205—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
- G05B23/0208—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterized by the configuration of the monitoring system
- G05B23/0216—Human interface functionality, e.g. monitoring system providing help to the user in the selection of tests or in its configuration
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T1/00—General purpose image data processing
- G06T1/20—Processor architectures; Processor configuration, e.g. pipelining
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- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B23/00—Testing or monitoring of control systems or parts thereof
- G05B23/02—Electric testing or monitoring
- G05B23/0205—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults
- G05B23/0218—Electric testing or monitoring by means of a monitoring system capable of detecting and responding to faults characterised by the fault detection method dealing with either existing or incipient faults
- G05B23/0221—Preprocessing measurements, e.g. data collection rate adjustment; Standardization of measurements; Time series or signal analysis, e.g. frequency analysis or wavelets; Trustworthiness of measurements; Indexes therefor; Measurements using easily measured parameters to estimate parameters difficult to measure; Virtual sensor creation; De-noising; Sensor fusion; Unconventional preprocessing inherently present in specific fault detection methods like PCA-based methods
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/30—Monitoring
- G06F11/3058—Monitoring arrangements for monitoring environmental properties or parameters of the computing system or of the computing system component, e.g. monitoring of power, currents, temperature, humidity, position, vibrations
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- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/14—Digital output to display device ; Cooperation and interconnection of the display device with other functional units
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- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/14—Digital output to display device ; Cooperation and interconnection of the display device with other functional units
- G06F3/1407—General aspects irrespective of display type, e.g. determination of decimal point position, display with fixed or driving decimal point, suppression of non-significant zeros
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T11/00—2D [Two Dimensional] image generation
- G06T11/20—Drawing from basic elements, e.g. lines or circles
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
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Abstract
【課題】グラフ化するための処理の負荷を軽減することを提供する。【解決手段】基板処理に関する情報を示す複数のパラメータを表示する表示方法であって、予め設定された周期でサンプリングした複数の前記パラメータの測定値と、前記測定値のサンプリング時間に関する情報とを取得する工程と、前記測定値のサンプリング時間に関する情報に基づき、サンプリングした順序で複数の前記パラメータの測定値に時間変化が生じた測定値を抽出する、又は前記時間変化が生じた測定値及びその直前にサンプリングした測定値を抽出する工程と、抽出した複数の前記パラメータの測定値と前記測定値のサンプリング時間に関する情報とを紐づけてメモリ部に記憶する工程と、メモリ部に記憶した前記測定値のサンプリング時間に関する情報に基づき、複数の前記パラメータの測定値をグラフに描画する工程と、描画した前記グラフを表示する工程と、を有する表示方法が提供される。【選択図】図8
Description
本開示は、表示方法及び基板処理装置に関する。
例えば、特許文献1は、データ収集部により収集されたデータをデータバッファに一時的に保存し、所定の周期でデータバッファからデータを呼び出してグラフを描くこと、及びその際の周期をCPUの使用率に応じて設定することを提案する。
例えば、特許文献2は、外部接続してロジックアナライザを使用した場合、LSI内部の状態値を記録した際のメモリ容量不足等を解消するために、連続する同一状態値を出力する場合、この同一状態値を圧縮処理し、同一データ繰り返し回数カウント値及び値の異なるデータ個数カウント値を重畳させて記録することを提案する。
本開示はグラフ化するための処理の負荷を軽減することができる技術を提供する。
本開示の一の態様によれば、基板処理に関する情報を示す複数のパラメータを表示する表示方法であって、予め設定された周期でサンプリングした複数の前記パラメータの測定値と、前記測定値のサンプリング時間に関する情報とを取得する工程と、前記測定値のサンプリング時間に関する情報に基づき、サンプリングした順序で複数の前記パラメータの測定値に時間変化が生じた測定値を抽出する、又は前記時間変化が生じた測定値及びその直前にサンプリングした測定値を抽出する工程と、抽出した複数の前記パラメータの測定値と前記測定値のサンプリング時間に関する情報とを紐づけてメモリ部に記憶する工程と、メモリ部に記憶した前記測定値のサンプリング時間に関する情報に基づき、複数の前記パラメータの測定値をグラフに描画する工程と、描画した前記グラフを表示する工程と、を有する表示方法が提供される。
一の側面によれば、グラフ化するための処理の負荷を軽減することができる。
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
[基板処理装置]
最初に、一実施形態に係る基板処理装置10について、図1を用いて説明する。図1は、一実施形態に係る基板処理装置10の一例を示す断面模式図である。図1は、容量結合プラズマにより基板を処理する処理装置を示している。
最初に、一実施形態に係る基板処理装置10について、図1を用いて説明する。図1は、一実施形態に係る基板処理装置10の一例を示す断面模式図である。図1は、容量結合プラズマにより基板を処理する処理装置を示している。
基板処理装置10は、チャンバ1を有し、チャンバ1内にエッチング処理や成膜処理が行われる処理空間を提供する。基板処理装置10では、チャンバ1内の上部電極3と載置台STとの間の処理空間にプラズマを形成し、プラズマの作用により基板Gを処理する。載置台STは、下部電極4及び静電チャック5を有する。載置台STは、ヒータを有してもよい。下部電極4上に基板Gが保持される。RF電源6とRF電源7は、下部電極4に結合され、異なるRF周波数が用いられ得る。上部電極3は接地電位に接続される。他の例では、RF電源6とRF電源7が異なる電極に結合されてもよい。チャンバ1には、ガス供給ライン11を介してガス供給部8が接続され、処理空間に処理ガスを供給する。ガス供給ライン11には、流量制御器MFCが接続されている。処理ガスは、流量制御器MFCにより流量制御され、チャンバ1に予め設定された流量で供給される。チャンバ1の底部には排気装置9が接続され、チャンバ1内部を排気する。
基板処理装置10は、プロセッサ及び各種の記憶領域を含む制御部20を有し、基板処理装置10の各要素を制御して基板Gにエッチング等のプラズマ処理を施す。
チャンバ1には圧力計CMが取り付けられている。圧力計CMは、基板Gを処理している間、チャンバ1内の圧力を測定する。圧力計CMが測定した圧力測定値は、制御部20に送信される。
流量制御器MFCは、基板Gを処理している間、処理ガスに含まれる各ガスの流量を制御するとともに測定する。流量制御器MFCが測定したガス流量測定値は、制御部20に送信される。
載置台STには温度計Tが取り付けられている。温度計Tは、基板Gを処理している間、載置台STの温度を測定する。温度計Tが測定した温度測定値は、制御部20に送信される。
圧力計CM、温度計T、流量制御器MFCは、基板Gを処理している間の基板Gの状態、プロセスの状態又はチャンバ1の状態等の基板処理に関する情報を測定する機器の一例である。なお、圧力測定値、温度測定値、ガス流量測定値は、基板Gの状態、プロセスの状態又はチャンバ1の状態を示す複数のパラメータの一例であり、基板処理に関する情報を示す複数のパラメータの測定値はこれらに限られない。
制御部20は、基板処理装置10が実行した基板処理を示す複数のパラメータをグラフ化して、制御部20が有するディスプレイ36(図3参照)又は制御部20と通信可能な他のコンピュータに表示する表示方法を実行する。
[制御部の機能構成]
次に、制御部20の機能構成の一例について、図2を参照しながら説明する。図2は、一実施形態に係る制御部20の機能構成の一例を示す図である。制御部20は、取得部21、記憶部22、プロセス実行部23、データ処理部24、描画部25、描画要求部26及び表示部27を有する。
次に、制御部20の機能構成の一例について、図2を参照しながら説明する。図2は、一実施形態に係る制御部20の機能構成の一例を示す図である。制御部20は、取得部21、記憶部22、プロセス実行部23、データ処理部24、描画部25、描画要求部26及び表示部27を有する。
取得部21は、予め設定された周期でサンプリングした複数のパラメータの測定値と、前記測定値のサンプリング時間に関する情報とを取得する。測定値のサンプリング時間に関する情報は、測定値のサンプリング番号であってもよいし、サンプリング時間そのものであってもよい。本実施形態では、サンプリング番号を取得する場合を例に挙げて説明する。
サンプリング番号は、周期毎に昇順に番号が付与されている。これにより、周期毎に測定した測定値をサンプリング番号と紐づけて記憶部22に記憶することで、測定値のサンプリング時間を算出することができる。たとえば、周期がT、サンプリング番号がn(nは1以上の整数)とすると、サンプリング開始の時点を起点とした各測定値のサンプリング時間tは式(1)により算出できる。
t=T×(n-1)・・・(1)
t=T×(n-1)・・・(1)
例えば、周期Tが100msecであり、周期毎に全パラメータの全データをサンプリングする場合、各測定値のサンプリング時間は、t=100(msec)×(n-1)となり、サンプリング番号nに基づき、サンプリング時間tを算出できる。例えば、n=11の場合、サンプリング開始から1秒(100msec×10)経過後にサンプリングされたデータということになる。
また、nを0以上の整数とし、サンプリングの開始の時点をn=0とした場合には、サンプリング時間tは式(1')により算出できる。
t=T×n・・・(1')
t=T×n・・・(1')
データ処理部24は、式(1)若しくは式(1')に基づき、各測定値のサンプリング時間を、サンプリング番号nに基づく整数と周期Tとの積により算出する。
なお、サンプリング間の相対時間のみに着目する場合には、nを1以上の整数とし、サンプリング開始の時点をn=1とする場合であっても、上記の式(1')を適用可能であるが、その場合、個々のnに対応するサンプリング時間の数値そのものは単独では意味を持たなくなる。
取得した複数のパラメータの測定値は、パラメータ毎に測定値のサンプリング時間に関する情報と紐づけて記憶部22のデータ格納部28に格納される。データ格納部28には、複数のモニタデータファイル128a、128b・・・が記憶されている。
図3は、一実施形態に係るデータ格納部28に記憶された測定値の一例を示す図である。例えば、データ格納部28に格納されたモニタデータファイル128aには、サンプリング番号1(n=1)の全パラメータ(圧力測定値、ガス流量測定値、温度測定値・・・)が記憶される。モニタデータファイル128bには、サンプリング番号2(n=2)の全パラメータが記憶される。モニタデータファイル128cには、サンプリング番号3(n=3)の全パラメータが記憶される。
このようにモニタデータファイル128a、128b・・・は、サンプリング番号毎に設けられ、複数のパラメータについて、各パラメータの測定値をサンプリング番号に紐づけて記憶する。図3では、3つのパラメータのみ示すが、パラメータ数は3つに限られず、2以上であればよい。なお、モニタデータファイル128a、128b・・・を総称してモニタデータファイル128ともいう。
プロセス実行部23は、基板Gに所望の処理を実行する。データ処理部24は、測定値毎に紐づけられたサンプリング番号に基づき、複数のパラメータの測定値のグラフ化のためのデータ処理(グラフ化処理の一部)を行う。具体的には、データ処理部24は、複数のパラメータのパラメータ毎の測定値をサンプリング番号の順に探索し、時間変化が生じた測定値を抽出する。ただし、データ処理部24は、複数のパラメータのパラメータ毎の測定値をサンプリング番号の順に探索し、時間変化が生じた測定値とその直前の測定値とを抽出してもよい。以上のように定められた所定のルールにより抽出した測定値は、記憶部22の一時記憶領域であるメモリ部29に記憶される。メモリ部29には、抽出された測定値と紐づけて前記測定値のサンプリング時間に関する情報が記憶される。
描画部25は、メモリ部29に記憶したサンプリング番号から算出されるサンプリング時間に基づき、対応する測定値をパラメータ毎にグラフに描画する。表示部27は、複数のパラメータの測定値の時間変化を描画したグラフを表示する。
本実施形態では、制御部20は、サンプリングした測定値のすべてをまずモニタデータファイル128に蓄積する。そして、グラフの描画の際にモニタデータファイル128に格納された複数のパラメータの測定値から上記所定のルールに基づき抽出した複数のパラメータの測定値とその抽出した測定値のサンプリング時間に関する情報とを紐づけてメモリ部29に記憶する。
しかしながら、測定値の記憶方法はこれに限られず、例えば、サンプリングした測定値からデータ処理部24が抽出した測定値をダイレクトにメモリ部29に記憶してもよい。この場合、サンプリングされた測定値のすべてをまずモニタデータファイル128に記憶する処理を省略できる。これにより、処理の負荷を軽減できるとともに、サンプリングした測定値を記憶するメモリの使用量を軽減できる。
データ処理部24は、グラフの描画要求に応じて、サンプリングした測定値から上記所定のルールに基づき複数のパラメータの測定値の抽出を行い、描画部25は、これに応じて抽出した複数のパラメータの測定値の時間変化をグラフに描画してもよい。描画要求部26は、グラフの描画要求が可能な画面(描画要求画面)の表示に応じて、測定値を抽出する工程の開始を指示する指示信号を出力してもよい。描画要求部26は、描画要求画面に対するグラフの描画要求の操作に応じて、描画処理(グラフ化処理の一部)の開始を指示する指示信号を出力してもよい。
[制御部のハードウェア構成]
次に、制御部20のハードウェア構成の一例について、図4を参照しながら説明する。図4は、一実施形態に係る制御部20のハードウェア構成の一例を示す図である。制御部20は、インターフェース31、補助記憶装置32、主メモリ33、CPU34、キーボード35及びディスプレイ36を有する。
次に、制御部20のハードウェア構成の一例について、図4を参照しながら説明する。図4は、一実施形態に係る制御部20のハードウェア構成の一例を示す図である。制御部20は、インターフェース31、補助記憶装置32、主メモリ33、CPU34、キーボード35及びディスプレイ36を有する。
インターフェース31は、圧力計CM等の測定部とのインターフェースである。これにより、制御部20は、インターフェース31を介して予め設定された周期にサンプリングした複数のパラメータの測定値を取得できる。
補助記憶装置32は、サンプリングした複数のパラメータの測定値を当該測定値のサンプリング番号と紐づけて格納する不揮発性の記憶装置である。主メモリ33は、サンプリングした複数のパラメータの測定値から上記所定のルールに基づき抽出した測定値を当該測定値のサンプリング番号と紐づけて一時保持する揮発性の半導体メモリである。
CPU34は、補助記憶装置32及び主メモリ33に記憶された測定値及び当該測定値のサンプリング番号に基づきグラフ化処理(データ処理及び描画処理等)を実行する。
キーボード35は、入力装置の一例であり、所定の操作を入力する。ディスプレイ36は、表示装置の一例であり、グラフ化した複数のパラメータの測定値の時間変化を表示する。キーボード35の代わりにタッチパネルを入力装置としてもよい。
図2は制御部20の機能に着目したブロック図を描いており、例えば、プロセス実行部23、データ処理部24、描画部25の機能は、CPU34に実行させる基板処理、データ処理、描画処理により実現され得る。
記憶部22の機能は、補助記憶装置32及び主メモリ33により実現され得る。表示部27の機能は、ディスプレイ36により実現され得る。取得部21の機能は、インターフェース31により実現され得る。描画要求部26の機能は、キーボード35により実現され得る。
[測定値の収集処理]
次に、制御部20が実行する測定値の収集処理について、図5を参照しながら説明する。図5は、一実施形態に係る測定値の収集処理の流れの一例を示す図である。
次に、制御部20が実行する測定値の収集処理について、図5を参照しながら説明する。図5は、一実施形態に係る測定値の収集処理の流れの一例を示す図である。
本収集処理は、プロセス実行部23が基板処理を実行している間であって、例えば100msec周期毎に複数のパラメータのすべての測定値を取得し、モニタデータファイル128に記憶する処理である。
基板処理が開始されると、取得部21は、予め設定された周期で複数のパラメータの測定値をサンプリングし、複数のパラメータのサンプリング番号と測定値とを取得する(ステップS1)。次に、取得部21は、取得したパラメータ毎のサンプリング番号と測定値とをデータ格納部28のモニタデータファイル128に記憶する(ステップS2)。
次に、取得部21は、プロセス(基板処理)が終了したかを判定する(ステップS3)。プロセスが終了するまで、ステップS1~S3が繰り返し実行され、サンプリングしたパラメータ毎のサンプリング番号と測定値とがモニタデータファイル128に蓄積される。プロセスが終了すると、次のプロセスが開始されたかを判定し(ステップS4)、次のプロセスが開始されるまで待つ。次のプロセスが開始されたとき、次のプロセスが実行される間、取得部21は、再びサンプリングした複数のパラメータのサンプリング番号と測定値とを取得してモニタデータファイル128に蓄積する。
[従来のグラフ化]
次に、従来の測定値のグラフ化処理について、図6及び図7を参照しながら説明する。図6は、従来の測定値のグラフ化処理の流れの一例を示す図である。図7は、従来の測定値のグラフ化処理とグラフ表示を説明するための図である。なお、従来のグラフ化処理では、モニタデータファイル128には、サンプリングした順番に測定値が蓄積され、測定値のサンプリング時間がサンプリング番号を用いずに得られる場合、サンプリング番号を測定値に紐づけて記憶しなくてもよい。
次に、従来の測定値のグラフ化処理について、図6及び図7を参照しながら説明する。図6は、従来の測定値のグラフ化処理の流れの一例を示す図である。図7は、従来の測定値のグラフ化処理とグラフ表示を説明するための図である。なお、従来のグラフ化処理では、モニタデータファイル128には、サンプリングした順番に測定値が蓄積され、測定値のサンプリング時間がサンプリング番号を用いずに得られる場合、サンプリング番号を測定値に紐づけて記憶しなくてもよい。
図6の従来のグラフ化処理では、まず、描画要求画面に遷移したかを判定する(ステップS11)。このように描画要求画面が表示されている場合、描画要求画面に遷移したと判定し、モニタデータファイル128に格納された複数のパラメータの測定値をメモリ部29にそのままの形で記憶する(ステップS12)。
例えば、図7に示すように、ディスプレイ36に描画要求画面136が表示されると、図7(a)に示すモニタデータファイル128に格納された各パラメータ(A:圧力測定値、B:ガス流量測定値、C:温度測定値)をメモリ部29にそのままの形で記憶する。つまり、メモリ部29に記憶されたデータは、モニタデータファイル128に格納された各パラメータの測定値と同一である。
次に、描画要求があるかを判定する(ステップS13)。たとえばオペレータが図7に示す描画要求画面136の「Yes」のボタン136aを押さずに(ステップS13「No」)、予め設定された時間が経過した場合(ステップS14)、本処理を終了する。所定時間が経過する前に描画要求画面136の「Yes」のボタン136aが押されると、描画要求があったと判定される。なお、ステップS14を設けず、ボタン136aが押されるまで待ち状態が継続されるように、ステップS13で「No」の場合はステップS13の前に戻るようにしてもよい。
この場合、描画要求に応じて、メモリ部29内に記憶された複数のパラメータの各パラメータの測定値を、記憶した順番にプロットし、グラフ化し(ステップS15)、複数のパラメータのグラフを表示し(ステップS16)、処理を終了する。これにより、図7(b)に示すように、メモリ部29に記憶された複数のパラメータの測定値の時間変化をグラフにして表示し、基板処理状態を確認することができる。
従来のグラフ化処理では、メモリ部29に記憶された測定値は、モニタデータファイル128に格納された各パラメータの測定値と同一であり、サンプリングした測定値のすべてをグラフにプロットする。このため、サンプリングした順番にプロットし、グラフ化する処理の負荷が高く、グラフ化に時間がかかる。特に、近年、パラメータの数が膨大し、グラフ化処理の負荷がより高くなっている。
また、従来のグラフ化処理では、モニタデータファイル128内に蓄積された複数のパラメータの測定値をそのままメモリ部29に記憶させるため、メモリの使用量が大きい。特に、近年、パラメータの数が膨大し、メモリの使用量がより大きくなっている。メモリは、グラフの描画だけでなく他の処理にも使用されるため、グラフ化処理によりメモリの使用量が大きくなると他の処理にも影響を及ぼすことになる。
以上のように、グラフ化のために使用するCPU34及び主メモリ33の消費が多くなる。また、グラフ化処理にCPU34の負荷の高い状況が継続するため、画面にグラフを表示するまでにかかる時間も長くなり、サービスの低下を招く。
そこで、本実施形態のグラフ化処理では、複数のパラメータのグラフを表示するために使用するCPU34及び主メモリ33の消費を低減し、画面にグラフを表示するまでの時間を短縮する。なお、本実施形態に係る表示方法を示すグラフ化処理は、図5に示す収集処理と、図8に示すグラフ化処理(データ処理、描画処理等)とを含む。
[本実施形態のグラフ化]
次に、本実施形態に係る測定値のグラフ化処理について、図8及び図9を参照しながら説明する。図8は、一実施形態に係る測定値のグラフ化処理の流れの一例を示す図である。図9は、一実施形態に係る測定値のグラフ化処理とグラフ表示を説明するための図である。
次に、本実施形態に係る測定値のグラフ化処理について、図8及び図9を参照しながら説明する。図8は、一実施形態に係る測定値のグラフ化処理の流れの一例を示す図である。図9は、一実施形態に係る測定値のグラフ化処理とグラフ表示を説明するための図である。
本処理では、まず、描画要求部26が描画要求画面に遷移したかを判定する(ステップS21)。描画要求部26が、描画要求画面に遷移したと判定した場合、データ処理部24は、モニタデータファイル128に格納された複数のパラメータについてパラメータ毎に上記所定のルールに基づき測定値の変化点を抽出する。データ処理部24は、抽出した変化点の測定値をサンプリング番号と紐づけてメモリ部29に記憶する(ステップS22)。ただし、データ処理部24は、抽出した変化点の測定値及び前記測定値の直前にサンプリングした測定値をサンプリング番号と紐づけてメモリ部29に記憶してもよい。
例えば、図9に示すように、ディスプレイ36に描画要求画面136が表示されると、描画要求部26は、測定値を抽出する処理の開始を指示する指示信号を出力する。データ処理部24は、測定値を抽出する処理の開始を指示する指示信号を受け付けると、図9(a)に示すモニタデータファイル128に格納された各パラメータ(A:圧力測定値、B:ガス流量測定値、C:温度測定値・・・)から測定値の変化点を抽出する。そして、データ処理部24は、抽出した変化点の測定値をサンプリング番号と紐づけてメモリ部29に記憶する。なお、複数の周期で構成されるサンプリング期間の最初の測定値と最後の測定値は無条件にメモリ部29に記憶する。これにより、例えば、Aの圧力測定値では、サンプリング番号が1、3、6の変化点が抽出される。そして、抽出した変化点の測定値「7」、「10」、「11」がサンプリング番号「1」、「3」、「6」と紐づけてメモリ部29に記憶される。なお、本実施形態では、抽出した変化点の直前のサンプリング番号「2」、「5」の測定値「7」、「10」についてもサンプリング番号「2」、「5」と紐づけてメモリ部29に記憶される。Bのガス流量測定値及びCの温度測定値についても同様に測定値の抽出を行う。
この結果、図9(b)に示すように、サンプリング番号「4」の圧力測定値及び温度測定値が実質的に破棄され、メモリ部29に記憶されないこととなる。よって、メモリ部29に記憶されたデータは、モニタデータファイル128に格納された各パラメータの測定値よりも少なくなり、メモリ部29の使用量を低減できる。
次に、描画要求部26は、描画要求があるかを判定する(ステップS23)。たとえばオペレータが図9に示す描画要求画面136の「Yes」のボタン136aを押さずに(ステップS23「No」)、予め設定された時間が経過した場合(ステップS24)、本処理を終了する。所定時間が経過する前に描画要求画面136の「Yes」のボタン136aが押されると、描画要求部26は、描画要求があったと判定し、抽出した測定値の描画処理の開始を指示する指示信号を出力する。なお、ステップS24を設けず、ボタン136aが押されるまで待ち状態が継続されるように、ステップS23で「No」の場合はステップS23の前に戻るようにしてもよい。
描画部25は、描画処理の開始を指示する指示信号を受け付けると、データ処理部24が抽出した測定値を、式(1)若しくは式(1')に基づきサンプリング番号から算出したサンプリング時間に応じてプロットし、グラフ化する(ステップS25)。表示部27は、複数のパラメータのグラフを表示し(ステップS26)、処理を終了する。例えば図9(b)のメモリ部29内の測定値に紐づけられたサンプリング番号から算出したサンプリング時間に応じてパラメータ毎に測定値をプロットし、各パラメータの測定値の時間変化をグラフ化して表示する。これにより、図9(c)に示すように、メモリ部29に記憶された複数のパラメータの測定値をグラフにして表示し、基板処理等の状態を確認することができる。図9(c)に示したグラフは、図7(c)に示す従来例のグラフと同一の表示になっている。
以上に説明したように、本実施形態に係る測定値のグラフ化処理では、モニタデータファイル128に蓄積された各パラメータの測定値の変化点を抽出して、変化点の測定値をメモリ部29に記憶する。または、モニタデータファイル128に蓄積された各パラメータの測定値の変化点を抽出して、変化点の測定値及びその直前にサンプリングした測定値をメモリ部29に記憶する。
これにより、測定値が変化しない間、その間の測定値はグラフ化に不要なデータとしてメモリ部29に記憶せず、破棄することができる。つまり、サンプリングした測定値が同じ値が続く間、グラフ上では水平な直線として表示されるため、変化点の測定値以外の測定値又は変化点の測定値及びその直前の測定値以外の測定値はグラフ化には不要なデータとなる。そこで、本実施形態では、不要なデータと判定された測定値をメモリ部29に記憶しないことでグラフ化のための測定値を減らす。これにより、グラフ化のためのメモリ使用量を低減できる。
また、従来と比べてメモリ部29に記憶した測定値が減ることにより、グラフに描画する測定値の点数が減り、グラフ化のための処理を行うCPU34の負荷を低減でき、グラフを描画し、表示するまでの時間を短縮できる。また、測定値がサンプリングされた時間を算出するために、測定値に紐づけてサンプリング番号をメモリ部29に記憶する。これにより、例えば、メモリ部29に記憶した測定部のサンプリング時間を算出でき、測定値をサンプリング時間に応じてプロットし、測定値の時間変化をグラフ化することができる。
なお、変化点の測定値の直前の測定値は記憶してもよいし、記憶しなくてもよい。変化点の測定値とともにその直前の測定値をメモリ部29に記憶する場合、プロットした隣接する測定値同士を直線で結ぶグラフ化ルールによりグラフ化してもよい。
変化点の測定値のみをメモリ部29に記憶する場合、プロットした隣接する測定値同士を直線で結ばず、次の変化点の測定値まで直前の変化点の測定値から水平な直線を引き、次の変化点の測定値で段階的に測定値が増減するグラフ化ルールを用いてもよい。ただし、グラフ化ルールはこれに限られず、他のルールを用いることができる。
以上に説明した本実施形態に係る表示方法によれば、メモリ部29に記憶する測定値を圧縮できる。これにより、測定値のグラフ化においてプロットする点数を少なくでき、グラフ化のための処理の負荷を軽減でき、グラフ化までの時間を短縮できる。
また、モニタデータファイル128内に蓄積された複数のパラメータの測定値を圧縮させてメモリ部29に記憶させるため、メモリの使用量を少なくできる。
なお、本実施形態では、モニタデータファイル128には、全パラメータのサンプリングされた全測定値を記憶し、メモリ部29に変化点抽出後の各パラメータの測定値を記憶した。ただし、変化点抽出後の各パラメータの測定値をモニタデータファイル128に記憶し、測定値を抽出する工程の開始を指示する指示信号を受け付けると、モニタデータファイル128に記憶した変化点抽出後の各パラメータの測定値をグラフ化して表示してもよい。または、メモリ部29に記憶した測定値によりモニタデータファイル128のデータを更新してもよい。これにより、サンプリングした測定値を圧縮して記憶し、モニタデータファイル128を格納するデータ格納部28の使用量を低減できる。
今回開示された実施形態に係る表示方法及び基板処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示の基板処理装置は、Atomic Layer Deposition(ALD)装置、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna(RLSA)、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のいずれのタイプの装置でも適用可能である。
また、基板処理装置の一例としてプラズマ処理装置を挙げて説明したが、基板処理装置は、基板に所定の処理(例えば、成膜処理、エッチング処理等)を施す装置であればよく、プラズマ処理装置に限定されるものではない。
1 チャンバ
2 プラズマ
3 上部電極
4 下部電極
5 静電チャック
6 RF電源
7 RF電源
8 ガス供給部
9 排気装置
10 基板処理装置
20 制御部
21 取得部
22 記憶部
23 プロセス実行部
24 データ処理部
25 描画部
26 描画要求部
27 表示部
ST 載置台
G 基板
2 プラズマ
3 上部電極
4 下部電極
5 静電チャック
6 RF電源
7 RF電源
8 ガス供給部
9 排気装置
10 基板処理装置
20 制御部
21 取得部
22 記憶部
23 プロセス実行部
24 データ処理部
25 描画部
26 描画要求部
27 表示部
ST 載置台
G 基板
Claims (6)
- 基板処理に関する情報を示す複数のパラメータを表示する表示方法であって、
予め設定された周期でサンプリングした複数の前記パラメータの測定値と、前記測定値のサンプリング時間に関する情報とを取得する工程と、
前記測定値のサンプリング時間に関する情報に基づき、サンプリングした順序で複数の前記パラメータの測定値に時間変化が生じた測定値を抽出する、又は前記時間変化が生じた測定値及びその直前にサンプリングした測定値を抽出する工程と、
抽出した複数の前記パラメータの測定値と前記測定値のサンプリング時間に関する情報とを紐づけてメモリ部に記憶する工程と、
メモリ部に記憶した前記測定値のサンプリング時間に関する情報に基づき、複数の前記パラメータの測定値をグラフに描画する工程と、
描画した前記グラフを表示する工程と、
を有する表示方法。 - 取得した前記測定値のサンプリング時間に関する情報は、取得した前記測定値のサンプリング番号であり、
前記グラフに描画する工程は、前記測定値のサンプリング時間を、前記サンプリング番号に基づく整数と前記周期との積により算出し、前記測定値のサンプリング時間に対応して複数の前記パラメータの測定値をグラフに描画する、
請求項1に記載の表示方法。 - 取得した複数の前記パラメータの測定値と、前記測定値のサンプリング時間に関する情報とを紐づけてデータファイルに格納する工程を有し、
前記メモリ部に記憶する工程は、前記データファイルに格納した複数の前記パラメータの測定値から抽出した複数の前記パラメータの測定値と前記測定値のサンプリング時間に関する情報とを紐づけて前記メモリ部に記憶する、
請求項1又は2に記載の表示方法。 - 前記測定値を取得する工程は、前記基板処理の間、前記周期で複数の前記パラメータの測定値をサンプリングし、前記サンプリングの順序を示すサンプリング番号を紐づけして前記データファイルに記憶する、
請求項3に記載の表示方法。 - 前記グラフの描画要求が可能な画面を表示する工程と、
前記グラフの描画要求が可能な画面の表示に応じて、前記測定値を抽出する工程の開始を指示する指示信号を出力する工程と、を有する、
請求項1~4のいずれか一項に記載の表示方法。 - 基板処理を実行する基板処理装置であって、
予め設定された周期でサンプリングした複数のパラメータの測定値と、前記測定値のサンプリング時間に関する情報とを取得する取得部と、
前記測定値のサンプリング時間に関する情報に基づき、サンプリングした順序で複数の前記パラメータの測定値に時間変化が生じた測定値を抽出する、又は前記時間変化が生じた測定値及びその直前にサンプリングした測定値を抽出するデータ処理部と、
抽出した複数の前記パラメータの測定値と前記測定値のサンプリング時間に関する情報とを紐づけてメモリ部に記憶する記憶部と、
メモリ部に記憶した前記測定値のサンプリング時間に関する情報に基づき、複数の前記パラメータの測定値をグラフに描画する描画部と、
描画した前記グラフを表示する表示部と、
を有する基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020123266A JP7390990B2 (ja) | 2020-07-17 | 2020-07-17 | 表示方法及び基板処理装置 |
TW110124572A TW202217543A (zh) | 2020-07-17 | 2021-07-05 | 顯示方法及基板處理裝置 |
KR1020210088980A KR102511296B1 (ko) | 2020-07-17 | 2021-07-07 | 표시 방법 및 기판 처리 장치 |
CN202110777046.4A CN113947517A (zh) | 2020-07-17 | 2021-07-09 | 显示方法和基板处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020123266A JP7390990B2 (ja) | 2020-07-17 | 2020-07-17 | 表示方法及び基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022019434A true JP2022019434A (ja) | 2022-01-27 |
JP7390990B2 JP7390990B2 (ja) | 2023-12-04 |
Family
ID=79327375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020123266A Active JP7390990B2 (ja) | 2020-07-17 | 2020-07-17 | 表示方法及び基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7390990B2 (ja) |
KR (1) | KR102511296B1 (ja) |
CN (1) | CN113947517A (ja) |
TW (1) | TW202217543A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006090727A (ja) | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Nec Engineering Ltd | オンチップ・ロジックアナライザ |
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-
2020
- 2020-07-17 JP JP2020123266A patent/JP7390990B2/ja active Active
-
2021
- 2021-07-05 TW TW110124572A patent/TW202217543A/zh unknown
- 2021-07-07 KR KR1020210088980A patent/KR102511296B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202217543A (zh) | 2022-05-01 |
KR20220010433A (ko) | 2022-01-25 |
JP7390990B2 (ja) | 2023-12-04 |
CN113947517A (zh) | 2022-01-18 |
KR102511296B1 (ko) | 2023-03-20 |
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