JP2022017601A - 有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】素子性能の向上、特に寿命がより向上された有機EL素子を提供する。【解決手段】陽極、陰極、及び該陽極と陰極の間に配置された有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、有機層が発光層と電子輸送層を含み、電子輸送層は陰極と発光層の間に配置され、かつ、発光層に隣接し、電子輸送層が窒素と炭素原子6個により構成された複素環を中心とした構造を持つ、新規な化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。【選択図】なし
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及び該有機エレクトロルミネッセンス素子を含む電子機器に関する。
一般に有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子は陽極、陰極、及び陽極と陰極に挟まれた1層以上の有機薄膜層から構成されている。両電極間に電圧が印加されると、陰極側から電子、陽極側から正孔が発光領域に注入され、注入された電子と正孔は発光領域において再結合して励起状態を生成し、励起状態が基底状態に戻る際に光を放出する。従って、電子又は正孔を効率よく発光領域に輸送し、電子と正孔との再結合を容易にする化合物の開発は高効率有機EL素子を得る上で重要である。また、近年、有機EL素子を使用した、スマートフォーン、有機ELテレビ、有機EL照明等のさらなる普及にあたり、十分な素子寿命を満たす化合物の要求がある。
特許文献1は、カルバゾール骨格の窒素原子又はベンゼン環に、アジン環を有する基が結合した化合物を記載している。実施例において、この化合物は電子輸送層又は電子注入層に使用されている。
特許文献2は、ビスカルバゾール骨格の窒素原子にアジン環を有する基が結合した化合物を記載している。実施例において、この化合物は燐光素子の発光層にホストとして使用されている。
従来、多くの有機EL素子が報告されているが、有機EL素子の寿命を更に向上させることが依然として求められている。
本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、素子性能の向上、特に寿命がより向上された有機EL素子を提供すること目的とする。
本発明者らは、特許文献1~2に記載の化合物を含む有機EL素子について鋭意研究を重ねた結果、下記式(1)で表される化合物及び下記式(2)で表される化合物を同一の電子輸送層に含む有機EL素子の性能、特に素子寿命がより向上されることを見出した。
すなわち、一態様において、本発明は、陽極、陰極、及び該陽極と陰極の間に配置された有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層が発光層と電子輸送層を含み、前記電子輸送層は前記陰極と前記発光層の間に配置され、かつ、前記発光層に隣接し、前記電子輸送層が下記式(1)で表される化合物(以下、「化合物(1)」と称することもある)及び下記式(2)で表される化合物(以下、「化合物(2)」と称することもある)を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
(式中、
Ar1~Ar3は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
nは、1~3の整数である。
Xa、Xb、及びXcの1つは窒素原子、残りの2つはそれぞれ独立にCH又は窒素原子であり、
L1は単結合、環形成炭素数6~18の芳香族炭化水素の置換もしくは無置換の2~4価の残基、又は環形成炭素数6~18の芳香族炭化水素を2~3個含む環集合の置換もしくは無置換の2~4価の残基である、ただし、L1が単結合の場合、nは1である。)
(式中、
Rxは置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
XdはCRd又は窒素原子であり、
Rdは、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
L3及びL4は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基であり、
mは、1~3の整数であり、mが2~3の整数である場合、2~3個のAr4は互いに同一であるか又は異なり、
qは、1~5の整数であり、qが2~5の整数である場合、2~5個のAzは互いに同一であるか又は異なり、
Ar4は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
Azは、下記一般式(11)で表される基である。
(式中、X29は、CR29又は窒素原子であり、X30は、CR30又は窒素原子であり、R21~R23、R29、及びR30は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、R21~R23、R29、及びR30から選ばれる隣接する2つは、互いに結合して環構造を形成してもよい。ただし、R21~R23、R29、及びR30の1つは、式(2)のL4に結合する単結合である。))
他の態様において、本発明は前記有機EL素子を備えた電子機器を提供する。
素子性能の向上、特に寿命がより向上された有機EL素子を実現できる。
本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数XX~YYのZZ基」という表現における「炭素数XX~YY」は、ZZ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。
また、本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数XX~YYのZZ基」という表現における「原子数XX~YY」は、ZZ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。
また、本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数XX~YYのZZ基」という表現における「原子数XX~YY」は、ZZ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。
本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物(例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物)の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が6であり、ナフタレン環は環形成炭素数が10であり、ピリジニル基は環形成炭素数5であり、フラニル基は環形成炭素数4である。また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合(スピロフルオレン環を含む)、置換基としてのフルオレン環の炭素数は環形成炭素数の数に含めない。
また、本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造(例えば単環、縮合環、環集合)の化合物(例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物)の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は6であり、キナゾリン環の環形成原子数は10であり、フラン環の環形成原子数は5である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。また、フルオレン環に置換基として例えばフルオレン環が結合している場合(スピロフルオレン環を含む)、置換基としてのフルオレン環の原子数は環形成原子数の数に含めない。
また、本明細書において、「水素原子」とは、中性子数が異なる同位体、すなわち、軽水素(protium)、重水素(deuterium)及び三重水素(tritium)を包含する。
本明細書中において、「ヘテロアリール基」、「ヘテロアリーレン基」及び「複素環基」は、環形成原子として、少なくとも1つのヘテロ原子を含む基であり、アリール基、アリーレン基、芳香族炭化水素基とは区別される。該へテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子及びセレン原子から選ばれる1種以上であることが好ましい。
本明細書中において、「ヘテロアリール基」、「ヘテロアリーレン基」及び「複素環基」は、環形成原子として、少なくとも1つのヘテロ原子を含む基であり、アリール基、アリーレン基、芳香族炭化水素基とは区別される。該へテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子及びセレン原子から選ばれる1種以上であることが好ましい。
本明細書中において、「置換もしくは無置換のカルバゾリル基」は、別段の定めのない限り、下記のカルバゾリル基、
及び上記の基に対して、さらに任意の置換基を有する置換カルバゾリル基を表す。
なお、当該置換カルバゾリル基は、任意の置換基同士が互いに結合して縮環してもよく、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子及びセレン原子等のヘテロ原子を含んでもよく、また、結合位置は1位~9位のいずれであってもよい。このような置換カルバゾリル基の具体例として、例えば、下記に示す基が挙げられる。
及び上記の基に対して、さらに任意の置換基を有する置換カルバゾリル基を表す。
なお、当該置換カルバゾリル基は、任意の置換基同士が互いに結合して縮環してもよく、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子及びセレン原子等のヘテロ原子を含んでもよく、また、結合位置は1位~9位のいずれであってもよい。このような置換カルバゾリル基の具体例として、例えば、下記に示す基が挙げられる。
本明細書において、「置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基」及び「置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基」は、別段の定めのない限り、下記のジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基、
及び上記の基に対して、さらに任意の置換基を有する置換ジベンゾフラニル基及び置換ジベンゾチオフェニル基を表す。
なお、当該置換ジベンゾフラニル基及び置換ジベンゾチオフェニル基は、任意の置換基同士が互いに結合して縮環してもよく、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子及びセレン原子等のヘテロ原子を含んでもよく、また、結合位置は1位~8位のいずれであってもよい。
このような置換ジベンゾフラニル基及び置換ジベンゾチオフェニル基の具体例として、例えば、下記に示す基が挙げられる。
及び上記の基に対して、さらに任意の置換基を有する置換ジベンゾフラニル基及び置換ジベンゾチオフェニル基を表す。
なお、当該置換ジベンゾフラニル基及び置換ジベンゾチオフェニル基は、任意の置換基同士が互いに結合して縮環してもよく、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子及びセレン原子等のヘテロ原子を含んでもよく、また、結合位置は1位~8位のいずれであってもよい。
このような置換ジベンゾフラニル基及び置換ジベンゾチオフェニル基の具体例として、例えば、下記に示す基が挙げられる。
[上記式中、Xは酸素原子又は硫黄原子を表し、Yは酸素原子、硫黄原子、NH、NRa(Raはアルキル基又はアリール基である。)、CH2、又は、CRb 2(Rbはアルキル基又はアリール基である。)を表す。]
また、「置換基」、又は「置換もしくは無置換」との記載における任意の置換基としては、別段の定めのない限り、炭素数1~50(好ましくは1~18、より好ましくは1~8)のアルキル基;環形成炭素数3~50(好ましくは3~10、より好ましくは3~8、さらに好ましくは5又は6)のシクロアルキル基;環形成炭素数6~50(好ましくは6~25、より好ましくは6~18)のアリール基;環形成炭素数6~50(好ましくは6~25、より好ましくは6~18)のアリール基を有する炭素数7~51(好ましくは7~30、より好ましくは7~20)のアラルキル基;アミノ基;炭素数1~50(好ましくは1~18、より好ましくは1~8)のアルキル基及び環形成炭素数6~50(好ましくは6~25、より好ましくは6~18)のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基;炭素数1~50(好ましくは1~18、より好ましくは1~8)のアルコキシ基;環形成炭素数6~50(好ましくは6~25、より好ましくは6~18)のアリール基を有するアリールオキシ基;炭素数1~50(好ましくは1~18、より好ましくは1~8)のアルキル基及び環形成炭素数6~50(好ましくは6~25、より好ましくは6~18)のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基;環形成原子数5~50(好ましくは5~24、より好ましくは5~13)のヘテロアリール基;炭素数1~50(好ましくは1~18、より好ましくは1~8)のハロアルキル基;ハロゲン原子(フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子);シアノ基;ニトロ基;炭素数1~50(好ましくは1~18、より好ましくは1~8)のアルキル基及び環形成炭素数6~50(好ましくは6~25、より好ましくは6~18)のアリール基から選ばれる置換基を有するスルホニル基;炭素数1~50(好ましくは1~18、より好ましくは1~8)のアルキル基及び環形成炭素数6~50(好ましくは6~25、より好ましくは6~18)のアリール基から選ばれる置換基を有するジ置換ホスフォリル基;アルキルスルホニルオキシ基;アリールスルホニルオキシ基;アルキルカルボニルオキシ基;アリールカルボニルオキシ基;ホウ素含有基;亜鉛含有基;スズ含有基;ケイ素含有基;マグネシウム含有基;リチウム含有基;ヒドロキシ基;アルキル置換又はアリール置換カルボニル基;カルボキシル基;ビニル基;(メタ)アクリロイル基;エポキシ基;並びにオキセタニル基からなる群より選ばれる少なくとも1つが好ましいが、特にこれらに制限されるものではない。
これらの置換基は、さらに上述の任意の置換基により置換されていてもよい。また、これらの置換基は、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。
「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
これらの置換基は、さらに上述の任意の置換基により置換されていてもよい。また、これらの置換基は、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。
「置換もしくは無置換の」という場合における「無置換」とは前記置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。
上記置換基の中でも、より好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数1~50(好ましくは1~18、より好ましくは1~8)のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~50(好ましくは3~10、より好ましくは3~8、さらに好ましくは5又は6)のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50(好ましくは6~25、より好ましくは6~18)のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1~50(好ましくは1~18、より好ましくは1~8)のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~50(好ましくは6~25、より好ましくは6~18)のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基、置換もしくは無置換の環形成原子数5~50(好ましくは5~24、より好ましくは5~13)のヘテロアリール基、ハロゲン原子、シアノ基である。
前記炭素数1~50のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基(異性体基を含む)、ヘキシル基(異性体基を含む)、ヘプチル基(異性体基を含む)、オクチル基(異性体基を含む)、ノニル基(異性体基を含む)、デシル基(異性体基を含む)、ウンデシル基(異性体基を含む)、及びドデシル基(異性体基を含む)などが挙げられる。これらの中でも、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基及びペンチル基(異性体基を含む)が好ましく、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基及びt-ブチル基がより好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基及びt-ブチル基が特に好ましい。
前記環形成炭素数3~50のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンチル基などが挙げられる。これらの中でも、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
前記環形成炭素数6~50のアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾ[c]フェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ[g]クリセニル基、s-インダセニル基、as-インダセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ[k]フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ベンゾ[b]トリフェニレニル基及びペリレニル基などが挙げられる。これらの中でも、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フルオランテニル基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。
前記環形成炭素数6~50のアリール基を有する炭素数7~51のアラルキル基の具体例としては、アリール基部位が前記環形成炭素数6~50のアリール基の具体例であるものが挙げられ、アルキル基部位が前記炭素数1~50のアルキル基の具体例であるものが挙げられる。前記炭素数7~51のアラルキル基の好ましい例としては、前記アリール基部位が前記環形成炭素数6~50のアリール基の好ましい例であるものが挙げられ、前記アルキル基部位が前記炭素数1~50のアルキル基の好ましい例であるものが挙げられる。より好ましい具体例、さらに好ましい具体例についても同様である。
前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基の具体例としては、アリール基部位が前記環形成炭素数6~50のアリール基の具体例であるものが挙げられ、アルキル基部位が前記炭素数1~50のアルキル基の具体例であるものが挙げられる。前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基の好ましい例としては、前記アリール基部位が前記環形成炭素数6~50のアリール基の好ましい例であるものが挙げられ、前記アルキル基部位が前記炭素数1~50のアルキル基の好ましい例であるものが挙げられる。より好ましい具体例、さらに好ましい具体例、特に好ましい具体例についても同様である。
前記炭素数1~50のアルキル基を有するアルコキシ基の具体例としては、アルキル基部位が前記炭素数1~50のアルキル基の具体例であるものが挙げられる。前記炭素数1~50のアルキル基を有するアルコキシ基の好ましい例としては、前記アルキル基部位が前記炭素数1~50のアルキル基の好ましい例であるものが挙げられる。より好ましい具体例、さらに好ましい具体例、特に好ましい具体例についても同様である。
前記環形成炭素数6~50のアリール基を有するアリールオキシ基の具体例としては、アリール基部位が前記環形成炭素数6~50のアリール基の具体例であるものが挙げられる。前記環形成炭素数6~50のアリール基を有するアリールオキシ基の好ましい例としては、前記アリール基部位が前記環形成炭素数6~50のアリール基の好ましい例であるものが挙げられる。より好ましい具体例、さらに好ましい具体例についても同様である。
前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基としては、モノアルキルシリル基、ジアルキルシリル基、トリアルキルシリル基;モノアリールシリル基、ジアリールシリル基、トリアリールシリル基;モノアルキルジアリールシリル基、ジアルキルモノアリールシリル基が挙げられ、これらのアルキル基部位及びアリール部位を、それぞれ、前記環形成炭素数6~50のアリール基、炭素数1~50のアルキル基の具体例とした例が挙げられる。また、前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基の好ましい例としては、モノアルキルシリル基、ジアルキルシリル基、トリアルキルシリル基;モノアリールシリル基、ジアリールシリル基、トリアリールシリル基;モノアルキルジアリールシリル基、ジアルキルモノアリールシリル基のアルキル基部位及びアリール部位が、それぞれ、前記環形成炭素数6~50のアリール基、炭素数1~50のアルキル基の好ましい例であるものが挙げられる。より好ましい具体例、さらに好ましい具体例、特に好ましい具体例についても同様である。
前記環形成原子数5~50のヘテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズチアゾリル基、インダゾリル基、ベンズイソキサゾリル基、ベンズイソチアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、9-フェニルカルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基及びキサンテニル基などが挙げられる。これらの中でも、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ベンズイミダゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、9-フェニルカルバゾリル基、フェナントロリニル基、キナゾリニル基が好ましい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
前記炭素数1~50のハロアルキル基の具体例としては、前記炭素数1~50のアルキル基の水素原子が前記ハロゲン原子で置換された例が挙げられ、その場合の好ましいアルキル基は、前記炭素数1~50のアルキル基の好ましい例であるものが挙げられる。より好ましい具体例、さらに好ましい具体例、特に好ましい具体例についても同様である。
前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するスルホニル基、前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するジ置換ホスフォリル基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ、アルキル置換又はアリール置換カルボニル基の例としては、それぞれのアリール基部位とアルキル基部位を、それぞれ、前記環形成炭素数6~50のアリール基、炭素数1~50のアルキル基の具体例とした例が挙げられる。また、前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するスルホニル基、前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するジ置換ホスフォリル基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルキル置換又はアリール置換カルボニル基の好ましい例としては、それぞれのアリール基部位とアルキル基部位が、それぞれ、前記環形成炭素数6~50のアリール基、炭素数1~50のアルキル基の好ましい例であるものが挙げられる。より好ましい具体例、さらに好ましい具体例、特に好ましい具体例についても同様である。
前記環形成炭素数3~50のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、アダマンチル基などが挙げられる。これらの中でも、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が好ましい。
前記環形成炭素数6~50のアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アセナフチレニル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、アセアントリル基、フェナントリル基、ベンゾ[c]フェナントリル基、フェナレニル基、フルオレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾ[g]クリセニル基、s-インダセニル基、as-インダセニル基、フルオランテニル基、ベンゾ[k]フルオランテニル基、トリフェニレニル基、ベンゾ[b]トリフェニレニル基及びペリレニル基などが挙げられる。これらの中でも、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基、フルオランテニル基が好ましく、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基がより好ましく、フェニル基がさらに好ましい。
前記環形成炭素数6~50のアリール基を有する炭素数7~51のアラルキル基の具体例としては、アリール基部位が前記環形成炭素数6~50のアリール基の具体例であるものが挙げられ、アルキル基部位が前記炭素数1~50のアルキル基の具体例であるものが挙げられる。前記炭素数7~51のアラルキル基の好ましい例としては、前記アリール基部位が前記環形成炭素数6~50のアリール基の好ましい例であるものが挙げられ、前記アルキル基部位が前記炭素数1~50のアルキル基の好ましい例であるものが挙げられる。より好ましい具体例、さらに好ましい具体例についても同様である。
前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基の具体例としては、アリール基部位が前記環形成炭素数6~50のアリール基の具体例であるものが挙げられ、アルキル基部位が前記炭素数1~50のアルキル基の具体例であるものが挙げられる。前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換又はジ置換アミノ基の好ましい例としては、前記アリール基部位が前記環形成炭素数6~50のアリール基の好ましい例であるものが挙げられ、前記アルキル基部位が前記炭素数1~50のアルキル基の好ましい例であるものが挙げられる。より好ましい具体例、さらに好ましい具体例、特に好ましい具体例についても同様である。
前記炭素数1~50のアルキル基を有するアルコキシ基の具体例としては、アルキル基部位が前記炭素数1~50のアルキル基の具体例であるものが挙げられる。前記炭素数1~50のアルキル基を有するアルコキシ基の好ましい例としては、前記アルキル基部位が前記炭素数1~50のアルキル基の好ましい例であるものが挙げられる。より好ましい具体例、さらに好ましい具体例、特に好ましい具体例についても同様である。
前記環形成炭素数6~50のアリール基を有するアリールオキシ基の具体例としては、アリール基部位が前記環形成炭素数6~50のアリール基の具体例であるものが挙げられる。前記環形成炭素数6~50のアリール基を有するアリールオキシ基の好ましい例としては、前記アリール基部位が前記環形成炭素数6~50のアリール基の好ましい例であるものが挙げられる。より好ましい具体例、さらに好ましい具体例についても同様である。
前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基としては、モノアルキルシリル基、ジアルキルシリル基、トリアルキルシリル基;モノアリールシリル基、ジアリールシリル基、トリアリールシリル基;モノアルキルジアリールシリル基、ジアルキルモノアリールシリル基が挙げられ、これらのアルキル基部位及びアリール部位を、それぞれ、前記環形成炭素数6~50のアリール基、炭素数1~50のアルキル基の具体例とした例が挙げられる。また、前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ置換、ジ置換又はトリ置換シリル基の好ましい例としては、モノアルキルシリル基、ジアルキルシリル基、トリアルキルシリル基;モノアリールシリル基、ジアリールシリル基、トリアリールシリル基;モノアルキルジアリールシリル基、ジアルキルモノアリールシリル基のアルキル基部位及びアリール部位が、それぞれ、前記環形成炭素数6~50のアリール基、炭素数1~50のアルキル基の好ましい例であるものが挙げられる。より好ましい具体例、さらに好ましい具体例、特に好ましい具体例についても同様である。
前記環形成原子数5~50のヘテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズオキサゾリル基、ベンズチアゾリル基、インダゾリル基、ベンズイソキサゾリル基、ベンズイソチアゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、9-フェニルカルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基及びキサンテニル基などが挙げられる。これらの中でも、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、ベンズイミダゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基、9-フェニルカルバゾリル基、フェナントロリニル基、キナゾリニル基が好ましい。
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
前記炭素数1~50のハロアルキル基の具体例としては、前記炭素数1~50のアルキル基の水素原子が前記ハロゲン原子で置換された例が挙げられ、その場合の好ましいアルキル基は、前記炭素数1~50のアルキル基の好ましい例であるものが挙げられる。より好ましい具体例、さらに好ましい具体例、特に好ましい具体例についても同様である。
前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するスルホニル基、前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するジ置換ホスフォリル基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ、アルキル置換又はアリール置換カルボニル基の例としては、それぞれのアリール基部位とアルキル基部位を、それぞれ、前記環形成炭素数6~50のアリール基、炭素数1~50のアルキル基の具体例とした例が挙げられる。また、前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するスルホニル基、前記炭素数1~50のアルキル基及び環形成炭素数6~50のアリール基から選ばれる置換基を有するジ置換ホスフォリル基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルキル置換又はアリール置換カルボニル基の好ましい例としては、それぞれのアリール基部位とアルキル基部位が、それぞれ、前記環形成炭素数6~50のアリール基、炭素数1~50のアルキル基の好ましい例であるものが挙げられる。より好ましい具体例、さらに好ましい具体例、特に好ましい具体例についても同様である。
本明細書中、好ましいとする態様(例えば、化合物、各種基、数値範囲等)は、他のあらゆる態様(例えば、化合物、各種基、数値範囲等)と任意に組み合わせることができ、また、好ましいとする態様(より好ましい態様、更に好ましい態様、特に好ましい態様を含む。)の組み合わせはより好ましいと言える。
本発明の一態様に係る、有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極、陰極、及び該陽極と陰極の間に配置された有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層が発光層と電子輸送層を含み、前記電子輸送層は前記陰極と前記発光層の間に配置され、かつ、前記発光層に隣接し、前記電子輸送層が下記式(1)で表される化合物(1)及び下記式(2)で表される化合物(2)を含む。
Ar1~Ar3は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18、好ましくは6~12のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13、好ましくは6~13のヘテロアリール基である。
前記Ar1~Ar3が表す置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基において、該環形成炭素数6~18のアリール基としては、それぞれ独立に、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、又はトリフェニレニル基であり、好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、又は、ナフチル基であり、より好ましくは、フェニル基、2-、3-、又は4-ビフェニリル基、2-、3-、又は4-o-ターフェニリル基、2-、3-、又は4-m-ターフェニリル基、2-、3-、又は4-p-ターフェニリル基、又は、1-又は2-ナフチル基であり、更に好ましくは、フェニル基、2-、3-、又は4-ビフェニリル基、又は、1-又は2-ナフチル基であり、特に好ましくは、フェニル基である。
置換された環形成炭素数6~30のアリール基は、例えば、トリル基、t-ブチルフェニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、9,9-ジフェニルフルオレニル基、又は、スピロビフルオレニル基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
置換された環形成炭素数6~30のアリール基は、例えば、トリル基、t-ブチルフェニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、9,9-ジフェニルフルオレニル基、又は、スピロビフルオレニル基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記Ar1~Ar3が表す置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基において、該環形成原子数5~13のヘテロアリール基としては、それぞれ独立に、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、インダゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基(ベンゾチエニル基、以下同様)、イソベンゾチオフェニル基(イソベンゾチエニル基、以下同様)、ジベンゾチオフェニル基(ジベンゾチエニル基、以下同様)、又はカルバゾリル基である。
好ましくは、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基(9-カルバゾリル基、又は、1-、2-、3-又は4-カルバゾリル基)である。
置換された環形成原子数5~13のヘテロアリール基は、例えば、9-フェニルカルバゾリル基、9-ビフェニリルカルバゾリル基、9-フェニルフェニルカルバゾリル基、9-ナフチルカルバゾリル基、フェニルジベンゾフラニル基、又はフェニルジベンゾチオフェニル基(フェニルジベンゾチエニル基、以下同様)である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
好ましくは、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基(9-カルバゾリル基、又は、1-、2-、3-又は4-カルバゾリル基)である。
置換された環形成原子数5~13のヘテロアリール基は、例えば、9-フェニルカルバゾリル基、9-ビフェニリルカルバゾリル基、9-フェニルフェニルカルバゾリル基、9-ナフチルカルバゾリル基、フェニルジベンゾフラニル基、又はフェニルジベンゾチオフェニル基(フェニルジベンゾチエニル基、以下同様)である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
Xa、Xb、及びXcの1つは窒素原子、残りの2つはCH又は窒素原子である。
本発明の一態様において、XaとXb、XaとXc、又はXbとXcが窒素原子であることが好ましく、他の態様においては、Xa、Xb、及びXcがすべて窒素原子であることが好ましい。
本発明の一態様において、XaとXb、XaとXc、又はXbとXcが窒素原子であることが好ましく、他の態様においては、Xa、Xb、及びXcがすべて窒素原子であることが好ましい。
nは1~3の整数、好ましくは1又は2である。
L1は単結合、環形成炭素数6~18、好ましくは6~12の芳香族炭化水素の置換もしくは無置換の2~4価の残基、又は環形成炭素数6~18、好ましくは6~12の芳香族炭化水素が2~3個結合した環集合の置換もしくは無置換の2~4価の残基である。ただし、L1が単結合の場合、nは1である。
前記2~4価の残基としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、ピレン、ビフェニル、ターフェニル、9,9-ジメチルフルオレン等の芳香族炭化水素の2~4価の残基、及び、これらの芳香族炭化水素を2~3個含む環集合の2~4価の残基が挙げられる。
好ましくは、以下の2~4価の残基が挙げられる。遊離原子価の1つが6員環の環形成炭素原子に結合し、残りの遊離原子価がAr3に結合する。
L1は単結合、環形成炭素数6~18、好ましくは6~12の芳香族炭化水素の置換もしくは無置換の2~4価の残基、又は環形成炭素数6~18、好ましくは6~12の芳香族炭化水素が2~3個結合した環集合の置換もしくは無置換の2~4価の残基である。ただし、L1が単結合の場合、nは1である。
前記2~4価の残基としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、ピレン、ビフェニル、ターフェニル、9,9-ジメチルフルオレン等の芳香族炭化水素の2~4価の残基、及び、これらの芳香族炭化水素を2~3個含む環集合の2~4価の残基が挙げられる。
好ましくは、以下の2~4価の残基が挙げられる。遊離原子価の1つが6員環の環形成炭素原子に結合し、残りの遊離原子価がAr3に結合する。
式中、
*aはL1に結合する位置を表し、
Xbは酸素原子、硫黄原子、又はNRbであり、
Rbは置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基であり、
X1~X8は、それぞれ独立に、N又はCRcであり、
Rcは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、
nは1~3の整数、好ましくは1又は2である。
ただし、
X1~X8の少なくとも一つはCRcであり、Rb及びRcから選ばれる一つは*aを介してL1に結合する単結合であり、
隣接する2つのRcは、それぞれ独立に、水素原子又は前記置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。
*aはL1に結合する位置を表し、
Xbは酸素原子、硫黄原子、又はNRbであり、
Rbは置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基であり、
X1~X8は、それぞれ独立に、N又はCRcであり、
Rcは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、
nは1~3の整数、好ましくは1又は2である。
ただし、
X1~X8の少なくとも一つはCRcであり、Rb及びRcから選ばれる一つは*aを介してL1に結合する単結合であり、
隣接する2つのRcは、それぞれ独立に、水素原子又は前記置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。
前記Rbが表す置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基において、該環形成原子数5~30のヘテロアリール基は1~5個、好ましくは1~3個、より好ましくは1~2個の環形成ヘテロ原子を含む。該環形成ヘテロ原子は、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選択される。該ヘテロアリール基の遊離原子価は環形成炭素原子上に存在するか、又は、可能な場合には、環形成窒素原子上に存在する。
前記Rbが表す置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基において、該環形成原子数5~30のヘテロアリール基としては、例えば、
ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、インダゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、キサンテニル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基(ベンゾチエニル基、以下同様)、イソベンゾチオフェニル基(イソベンゾチエニル基、以下同様)、ナフトベンゾチオフェニル基(ナフトベンゾチエニル基、以下同様)、ジベンゾチオフェニル基(ジベンゾチエニル基、以下同様)、又はカルバゾリル基である。
好ましくは、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基(9-カルバゾリル基、又は、1-、2-、3-又は4-カルバゾリル基)である。
置換された環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、例えば、9-フェニルカルバゾリル基、9-ビフェニリルカルバゾリル基、9-フェニルフェニルカルバゾリル基、9-ナフチルカルバゾリル基、フェニルジベンゾフラニル基、又はフェニルジベンゾチオフェニル基(フェニルジベンゾチエニル基、以下同様)である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
また、前記Rbが表す置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基において、該環形成炭素数6~30のアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、又はトリフェニレニル基であり、好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、又は、ナフチル基であり、より好ましくは、フェニル基、2-、3-、又は4-ビフェニリル基、2-、3-、又は4-o-ターフェニリル基、2-、3-、又は4-m-ターフェニリル基、2-、3-、又は4-p-ターフェニリル基、又は、1-又は2-ナフチル基であり、更に好ましくは、フェニル基、2-、3-、又は4-ビフェニリル基、又は、1-又は2-ナフチル基であり、特に好ましくは、フェニル基である。
置換された環形成炭素数6~30のアリール基は、例えば、トリル基、t-ブチルフェニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、9,9-ジフェニルフルオレニル基、又は、スピロビフルオレニル基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記Rbが表す置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基において、該環形成原子数5~30のヘテロアリール基としては、例えば、
ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、インダゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、キサンテニル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基(ベンゾチエニル基、以下同様)、イソベンゾチオフェニル基(イソベンゾチエニル基、以下同様)、ナフトベンゾチオフェニル基(ナフトベンゾチエニル基、以下同様)、ジベンゾチオフェニル基(ジベンゾチエニル基、以下同様)、又はカルバゾリル基である。
好ましくは、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基(9-カルバゾリル基、又は、1-、2-、3-又は4-カルバゾリル基)である。
置換された環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、例えば、9-フェニルカルバゾリル基、9-ビフェニリルカルバゾリル基、9-フェニルフェニルカルバゾリル基、9-ナフチルカルバゾリル基、フェニルジベンゾフラニル基、又はフェニルジベンゾチオフェニル基(フェニルジベンゾチエニル基、以下同様)である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
また、前記Rbが表す置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基において、該環形成炭素数6~30のアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、又はトリフェニレニル基であり、好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、又は、ナフチル基であり、より好ましくは、フェニル基、2-、3-、又は4-ビフェニリル基、2-、3-、又は4-o-ターフェニリル基、2-、3-、又は4-m-ターフェニリル基、2-、3-、又は4-p-ターフェニリル基、又は、1-又は2-ナフチル基であり、更に好ましくは、フェニル基、2-、3-、又は4-ビフェニリル基、又は、1-又は2-ナフチル基であり、特に好ましくは、フェニル基である。
置換された環形成炭素数6~30のアリール基は、例えば、トリル基、t-ブチルフェニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、9,9-ジフェニルフルオレニル基、又は、スピロビフルオレニル基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
Rcが表す前記置換基は、ハロゲン原子;シアノ基;ニトロ基;置換もしくは無置換の炭素数1~30、好ましくは1~18、より好ましくは1~8のアルキル基;置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30、好ましくは3~10、より好ましくは3~8、さらに好ましくは5又は6のシクロアルキル基;置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30、好ましくは6~25、より好ましくは6~18のアリール基;置換もしくは無置換の炭素数7~36、好ましくは7~26、より好ましくは7~20のアラルキル基;置換もしくは無置換の炭素数1~30、好ましくは1~18、より好ましくは1~8のアルコキシ基;置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30、好ましくは6~25、より好ましくは6~18のアリールオキシ基;置換もしくは無置換の炭素数1~30、好ましくは1~18、より好ましくは1~8のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30、好ましくは6~25、より好ましくは6~18のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基;置換もしくは無置換の炭素数1~30、好ましくは1~18、より好ましくは1~8ハロアルキル基;置換もしくは無置換の炭素数1~30、好ましくは1~18、より好ましくは1~8のハロアルコキシ基;及び、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30、好ましくは5~24、より好ましくは5~13のヘテロアリール基からなる群から選ばれる。
Rcが表す前記置換基は、好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、及び、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基からなる群から選ばれ;より好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、及び、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基からなる群から選ばれ;更に好ましくは置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基であり、特に好ましくは置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基である。
Rcが表す前記置換基は、好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、及び、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基からなる群から選ばれ;より好ましくは、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、及び、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基からなる群から選ばれ;更に好ましくは置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基であり、特に好ましくは置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基である。
前記ハロゲン原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子であり、フッ素原子が好ましい。
前記置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基において、該炭素数1~30のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、又はドデシル基であり;好ましくは、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、t-ブチル基、又はペンチル基であり;より好ましくは、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、s-ブチル基、又はt-ブチル基であり;更に好ましくは、メチル基又はt-ブチル基である。
前記置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基において、該環形成炭素数3~30のシクロアルキル基は、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、又はシクロヘプチル基であり、好ましくは、シクロペンチル基又はシクロヘキシル基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基において、該環形成炭素数6~30のアリール基は、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピセニル基、ペンタフェニル基、ピレニル基、クリセニル基、ベンゾクリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、又はトリフェニレニル基であり、好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、又はナフチル基である。
置換された環形成炭素数6~30のアリール基は、例えば、トリル基、t-ブチルフェニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、9,9-ジフェニルフルオレニル基、9,9’-スピロビフルオレニル基、ベンゾ-9,9-ジメチルフルオレニル基、ベンゾ-9,9-ジフェニルフルオレニル基、又は、ベンゾ-9,9’-スピロビフルオレニル基である。
置換された環形成炭素数6~30のアリール基は、例えば、トリル基、t-ブチルフェニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、9,9-ジフェニルフルオレニル基、9,9’-スピロビフルオレニル基、ベンゾ-9,9-ジメチルフルオレニル基、ベンゾ-9,9-ジフェニルフルオレニル基、又は、ベンゾ-9,9’-スピロビフルオレニル基である。
前記置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基において、該炭素数7~36のアラルキル基のアリール部位は上記の環形成炭素数6~30、好ましくは6~25、より好ましくは6~18のアリール基から選択され、アルキル部位は上記の置換もしくは無置換の炭素数1~30、好ましくは1~18、より好ましくは1~8のアルキル基から選択される。該炭素数7~36のアラルキル基は、例えば、ベンジル基、フェネチル基、又は、フェニルプロピル基であり、ベンジル基が好ましい。
前記置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基において、該炭素数1~30のアルコキシ基のアルキル部位は上記置換もしくは無置換の炭素数1~30、好ましくは1~18、より好ましくは1~8のアルキル基から選択される。該炭素数1~30のアルコキシ基は、例えば、t-ブトキシ基、プロポキシ基、エトキシ基、又はメトキシ基であり、好ましくは、エトキシ基又はメトキシ基であり、より好ましくは、メトキシ基である。
前記置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基において、該環形成炭素数6~30アリールオキシ基のアリール部位は上記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30、好ましくは6~25、より好ましくは6~18のアリール基から選択される。該環形成炭素数6~30のアリールオキシ基は、例えば、ターフェニルオキシ基、ビフェニルオキシ基、又はフェノキシ基であり、好ましくは、ビフェニルオキシ基又はフェノキシ基であり、より好ましくは、フェノキシ基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記モノ、ジ又はトリ置換シリル基が有する置換基は、上記置換もしくは無置換の炭素数1~30、好ましくは1~18、より好ましくは1~8のアルキル基、及び、上記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30、好ましくは6~25、より好ましくは6~18のアリール基から選択される。トリ置換シリル基が好ましく、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、t-ブチルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジメチルシリル基、t-ブチルジフェニルシリル基、又はトリトリルシリル基がより好ましい。
前記モノ、ジ又はトリ置換シリル基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記モノ、ジ又はトリ置換シリル基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルキル基において、該炭素数1~30のハロアルキル基は、上記炭素数1~30、好ましくは1~18、より好ましくは1~8のアルキル基の少なくとも1個の水素原子、好ましくは1~7個の水素原子、又は全ての水素原子をハロゲン原子で置換して得られる基である。該ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子から選ばれ、好ましくはフッ素原子である。該ハロアルキル基は炭素数1~30、好ましくは1~18、より好ましくは1~8のフルオロアルキル基が好ましく、ヘプタフルオロプロピル基、ペンタフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、又はトリフルオロメチル基がより好ましく、ペンタフルオロエチル基、2,2,2-トリフルオロエチル基、又はトリフルオロメチル基がさらに好ましく、トリフルオロメチル基が特に好ましい。
前記置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルキル基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基において、該炭素数1~30のハロアルコキシ基のハロアルキル部位は上記炭素数1~30、好ましくは1~18、より好ましくは1~8のハロアルキル基から選択される。該ハロアルコキシ基は炭素数1~30、好ましくは1~18、より好ましくは1~8のフルオロアルコキシ基が好ましく、ヘプタフルオロプロポキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、2,2,2-トリフルオロエトキシ基、又はトリフルオロメトキシ基がより好ましく、ペンタフルオロエトキシ基、2,2,2-トリフルオロエトキシ基、又はトリフルオロメトキシ基がさらに好ましく、トリフルオロメトキシ基が特に好ましい。
前記置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基において、該環形成原子数5~30のヘテロアリール基は1~5個、好ましくは1~3個、より好ましくは1~2個の環形成ヘテロ原子を含む。該環形成ヘテロ原子は、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選択される。該ヘテロアリール基の遊離原子価は環形成炭素原子上に存在するか、又は、可能な場合には、環形成窒素原子上に存在する。
該環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、インダゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、キサンテニル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基(ベンゾチエニル基、以下同様)、イソベンゾチオフェニル基(イソベンゾチエニル基、以下同様)、ナフトベンゾチオフェニル基(ナフトベンゾチエニル基、以下同様)、ジベンゾチオフェニル基(ジベンゾチエニル基、以下同様)、又はカルバゾリル基である。
好ましくは、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基(9-カルバゾリル基、又は、1-、2-、3-又は4-カルバゾリル基)である。
置換された環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、例えば、9-フェニルカルバゾリル基、9-ビフェニリルカルバゾリル基、9-フェニルフェニルカルバゾリル基、9-ナフチルカルバゾリル基、フェニルジベンゾフラニル基、又はフェニルジベンゾチオフェニル基(フェニルジベンゾチエニル基、以下同様)である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
該環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、インダゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、キサンテニル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基(ベンゾチエニル基、以下同様)、イソベンゾチオフェニル基(イソベンゾチエニル基、以下同様)、ナフトベンゾチオフェニル基(ナフトベンゾチエニル基、以下同様)、ジベンゾチオフェニル基(ジベンゾチエニル基、以下同様)、又はカルバゾリル基である。
好ましくは、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基(9-カルバゾリル基、又は、1-、2-、3-又は4-カルバゾリル基)である。
置換された環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、例えば、9-フェニルカルバゾリル基、9-ビフェニリルカルバゾリル基、9-フェニルフェニルカルバゾリル基、9-ナフチルカルバゾリル基、フェニルジベンゾフラニル基、又はフェニルジベンゾチオフェニル基(フェニルジベンゾチエニル基、以下同様)である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記隣接する2つのRcが任意に形成する前記環構造は、例えば、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18の芳香族炭化水素環、置換もしくは無置換の環形成炭素数5~18の脂肪族炭化水素環、置換もしくは無置換の環形成原子数5~18の芳香族複素環、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~18の脂肪族複素環である。
前記環形成炭素数6~18の芳香族炭化水素環は、例えば、ベンゼン環、ビフェニレン環、ナフタレン環、アントラセン環、ベンゾアントラセン環、フェナントレン環、ベンゾフェナントレン環、フェナレン環、ピレン環、クリセン環、1,1-ジメチルインデン環、又はトリフェニレン環であり、好ましくはベンゼン環又はナフタレン環である。
前記環形成炭素数5~18の脂肪族炭化水素環は、例えば、シクロペンテン環、シクロペンタジエン環、シクロヘキセン環、シクロヘキサジエン環、又は、前記環形成炭素数6~18の芳香族炭化水素環を部分的に水素化して得られる脂肪族環である。
前記環形成原子数5~18の芳香族複素環は、例えば、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、インドール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ベンゾイミダゾール環、インダゾール環、ジベンゾフラン環、ナフトベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトベンゾチオフェン環、カルバゾール環、又はベンゾカルバゾール環である。
前記環形成原子数5~18の脂肪族複素環は、例えば、上記環形成原子数5~18の芳香族複素環を部分的に水素化して得られる脂肪族複素環である。
2個以上の前記環構造が同一の環上に形成されてもよい。
前記環形成炭素数6~18の芳香族炭化水素環は、例えば、ベンゼン環、ビフェニレン環、ナフタレン環、アントラセン環、ベンゾアントラセン環、フェナントレン環、ベンゾフェナントレン環、フェナレン環、ピレン環、クリセン環、1,1-ジメチルインデン環、又はトリフェニレン環であり、好ましくはベンゼン環又はナフタレン環である。
前記環形成炭素数5~18の脂肪族炭化水素環は、例えば、シクロペンテン環、シクロペンタジエン環、シクロヘキセン環、シクロヘキサジエン環、又は、前記環形成炭素数6~18の芳香族炭化水素環を部分的に水素化して得られる脂肪族環である。
前記環形成原子数5~18の芳香族複素環は、例えば、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、インドール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ベンゾイミダゾール環、インダゾール環、ジベンゾフラン環、ナフトベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトベンゾチオフェン環、カルバゾール環、又はベンゾカルバゾール環である。
前記環形成原子数5~18の脂肪族複素環は、例えば、上記環形成原子数5~18の芳香族複素環を部分的に水素化して得られる脂肪族複素環である。
2個以上の前記環構造が同一の環上に形成されてもよい。
本発明の一態様において、隣接する2つのRcは環構造を形成するのが好ましく、他の態様においては、隣接する2つのRcは環構造を形成しないことが好ましい。
本発明の一態様において、Xbは酸素原子又は硫黄原子であることが好ましく、他の態様においてはNRbであることが好ましい。
本発明の一態様において、*aを介してL1に結合する単結合ではないRcはすべて水素原子であることが好ましい。
式中、X1~X8、及びnは、前記と同じである。
本発明の一態様において、X1~X8のすべてがCHであることが好ましい。
本発明の一態様において、X1~X8のすべてがCHであることが好ましい。
式中、X1~X8及びnは、前記と同じである。ただし、X1~X8の少なくとも一つはCRcであり、該Rcは*aを介してL1に結合する単結合である。
式中、Rb、Rc、及びnは、前記と同じである。ただし、Rcの1つは*aを介してL1に結合する単結合である。
本発明の一態様において、カルバゾール骨格の3位に結合するRcが*aを介してL1に結合する単結合であることが好ましい。
本発明の他の態様において、カルバゾール骨格の3位に結合するRcが*aを介してL1に結合する単結合であり、他のRcがすべて水素原子であることが好ましい。
本発明の一態様において、カルバゾール骨格の3位に結合するRcが*aを介してL1に結合する単結合であることが好ましい。
本発明の他の態様において、カルバゾール骨格の3位に結合するRcが*aを介してL1に結合する単結合であり、他のRcがすべて水素原子であることが好ましい。
式中、Rc及びnは、前記と同じである。
本発明の一態様において、Rcがすべて水素原子であることが好ましい。
本発明の一態様において、Rcがすべて水素原子であることが好ましい。
式中、Rc及びnは、前記と同じである。
本発明の一態様において、ジベンゾフラン骨格又はジベンゾチオフェン骨格の1、2,又は3位、好ましくは2又は3位、より好ましくは2位に結合するRcが*aを介してL1に結合する単結合であることが好ましい。
本発明の他の態様において、ジベンゾフラン骨格又はジベンゾチオフェン骨格の1、2,又は3位、好ましくは2又は3位、より好ましくは2位に結合するRcが*aを介してL1に結合する単結合であり、他のRcがすべて水素原子であることが好ましい。
本発明の一態様において、ジベンゾフラン骨格又はジベンゾチオフェン骨格の1、2,又は3位、好ましくは2又は3位、より好ましくは2位に結合するRcが*aを介してL1に結合する単結合であることが好ましい。
本発明の他の態様において、ジベンゾフラン骨格又はジベンゾチオフェン骨格の1、2,又は3位、好ましくは2又は3位、より好ましくは2位に結合するRcが*aを介してL1に結合する単結合であり、他のRcがすべて水素原子であることが好ましい。
前記式(4-a)において、
*bはL1に結合する位置を表し、
R5~R8の1つは*cに結合する単結合であり、
R11~R14の1つは*dに結合する単結合であり、
R1~R4、R15~R18、*cに結合する単結合ではないR5~R8、及び*dに結合する単結合ではないR11~R14は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基である。
ただし、R1~R4、R15~R18、*cに結合する単結合ではないR5~R8、及び*dに結合する単結合ではないR11~R14から選ばれる隣接する2つは、それぞれ独立に、水素原子又は前記置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。
Ar5は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、
L5は単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリーレン基である。
*bはL1に結合する位置を表し、
R5~R8の1つは*cに結合する単結合であり、
R11~R14の1つは*dに結合する単結合であり、
R1~R4、R15~R18、*cに結合する単結合ではないR5~R8、及び*dに結合する単結合ではないR11~R14は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基である。
ただし、R1~R4、R15~R18、*cに結合する単結合ではないR5~R8、及び*dに結合する単結合ではないR11~R14から選ばれる隣接する2つは、それぞれ独立に、水素原子又は前記置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。
Ar5は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、
L5は単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリーレン基である。
前記置換基の詳細は、式(3-a)のRcに関して上記した対応する基の詳細と同様である。
Ar5が表す環形成炭素数6~30のアリール基及び環形成原子数5~30のヘテロアリール基の詳細は、式(3-a)のRcに関して上記した環形成炭素数6~30のアリール基及び環形成原子数5~30のヘテロアリール基の詳細と同様である。
L5は、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30、好ましくは6~25、より好ましくは6~18のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30、好ましくは5~24、より好ましくは5~13のヘテロアリーレン基であり、好ましくは単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリーレン基である。
本発明の一態様において、L5が単結合であってもよい。
本発明の他の態様において、L5が前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリーレン基、好ましくは前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリーレン基であってもよい。
本発明の一態様において、L5が単結合であってもよい。
本発明の他の態様において、L5が前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリーレン基、好ましくは前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリーレン基であってもよい。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリーレン基において、該環形成炭素数6~30のアリーレン基は、例えば、フェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、アントリレン基、ベンゾアントリレン基、フェナントリレン基、ベンゾフェナントリレン基、フェナレニレン基、ピセニレン基、ペンタフェニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ベンゾクリセニレン基、トリフェニレニレン基、フルオランテニレン基、フルオレニレン基、又は9,9’-スピロビフルオレニレン基であり;好ましくはフェニレン基、ビフェニリレン基、ターフェニリレン基、ナフチレン基、又はフェナントリレン基であり;より好ましくはm-フェニレン基、p-フェニレン基、ビフェニル-4,4’-ジイル基、ビフェニル-3,4’-ジイル基、p-ターフェニル-4,4”-ジイル基、1,4-ナフチレン基、2,6-ナフチレン基、2,7-ナフチレン基、又は2,7-フェナントリレン基であり;更に好ましくはm-フェニレン基、p-フェニレン基である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリーレン基において、該ヘテロアリーレン基は1~5個、好ましくは1~3個、より好ましくは1~2個の環形成ヘテロ原子を含む。該環形成ヘテロ原子は、例えば、窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選ばれる。遊離原子価は環形成炭素原子上に存在するか、又は、構造的に可能である場合には、窒素原子上に存在してもよい。
該ヘテロアリーレン基としては、例えば、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、フラン、チオフェン、オキサゾール、イソオキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、イソチアゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、インドール、イソインドール、インドリジン、キノリジン、キノリン、イソキノリン、シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、フェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、キサンテン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ナフトベンゾチオフェン、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソキサゾール、フェノキサジン、ベンゾチアゾール、ベンゾイソチアゾール、及びフェノチアジンから選ばれる芳香族複素環の2価の残基が挙げられ;好ましくはピリジン、ピリミジン、トリアジン、インドール、キノリン、キナゾリン、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、フェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ナフトベンゾチオフェン、及びベンゾオキサゾールから選ばれる芳香族複素環の2価の残基であり;より好ましくはピリジン、ピリミジン、トリアジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、及びジベンゾチオフェンから選ばれる芳香族複素環の2価の残基である。
該ヘテロアリーレン基としては、例えば、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、フラン、チオフェン、オキサゾール、イソオキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、イソチアゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、インドール、イソインドール、インドリジン、キノリジン、キノリン、イソキノリン、シンノリン、フタラジン、キナゾリン、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、フェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、フェナジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、キサンテン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ナフトベンゾチオフェン、ベンゾオキサゾール、ベンゾイソキサゾール、フェノキサジン、ベンゾチアゾール、ベンゾイソチアゾール、及びフェノチアジンから選ばれる芳香族複素環の2価の残基が挙げられ;好ましくはピリジン、ピリミジン、トリアジン、インドール、キノリン、キナゾリン、キノキサリン、ベンゾイミダゾール、インダゾール、フェナントロリン、フェナントリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ナフトベンゾチオフェン、及びベンゾオキサゾールから選ばれる芳香族複素環の2価の残基であり;より好ましくはピリジン、ピリミジン、トリアジン、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ベンゾフラン、ジベンゾフラン、ナフトベンゾフラン、ベンゾチオフェン、及びジベンゾチオフェンから選ばれる芳香族複素環の2価の残基である。
R1~R4、R15~R18、*cに結合する単結合ではないR5~R8、及び*dに結合する単結合ではないR11~R14から選ばれる隣接する2つが任意に形成する環構造の詳細は、式(3-a)の隣接する2つのRcが任意に形成する環構造の詳細と同じである。本発明の一態様において、前記隣接する2つは環構造を形成するのが好ましく、他の態様においては、前記隣接する2つは環構造を形成しないことが好ましい。
式中、R1~R8、R11~R18、Ar5、L5、及び*bは前記と同じである。
本発明の一態様において、式(4-b)~(4-e)の各Rが水素原子であることが好ましい。
本発明の一態様において、式(4-b)~(4-e)の各Rが水素原子であることが好ましい。
式(1)のAr3が式(4-a)~(4-d)のいずれかで表される場合、nは好ましくは1又は2、より好ましくは1である。
式(1)で表される化合物は公知の方法、例えば、国際公開第2011/132684号公報に記載の方法により合成することが出来る。
本発明に係る式(1)の化合物の具体例を以下に挙げるが、特にこれらに制限されるものではない。
化合物(2)
(式中、
Rxは置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
XdはCRd又は窒素原子であり、
Rdは、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
L3及びL4は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基であり、
mは、1~3の整数であり、mが2~3の整数である場合、2~3個のAr4は互いに同一であるか又は異なり、
qは、1~5の整数であり、qが2~5の整数である場合、2~5個のAzは互いに同一であるか又は異なり、
Ar4は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
Azは、下記一般式(11)で表される基である。
(式中、X29は、CR29又は窒素原子であり、X30は、CR30又は窒素原子であり、R21~R23、R29、及びR30は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、R21~R23、R29、及びR30から選ばれる隣接する2つは、互いに結合して環構造を形成してもよい。ただし、R21~R23、R29、及びR30の1つは、式(2)のL4に結合する単結合である。))
(式中、
Rxは置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
XdはCRd又は窒素原子であり、
Rdは、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
L3及びL4は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基であり、
mは、1~3の整数であり、mが2~3の整数である場合、2~3個のAr4は互いに同一であるか又は異なり、
qは、1~5の整数であり、qが2~5の整数である場合、2~5個のAzは互いに同一であるか又は異なり、
Ar4は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
Azは、下記一般式(11)で表される基である。
(式中、X29は、CR29又は窒素原子であり、X30は、CR30又は窒素原子であり、R21~R23、R29、及びR30は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、R21~R23、R29、及びR30から選ばれる隣接する2つは、互いに結合して環構造を形成してもよい。ただし、R21~R23、R29、及びR30の1つは、式(2)のL4に結合する単結合である。))
XdはCRd又は窒素原子である。
本発明の一態様において、Xdが窒素原子であることが好ましく、他の態様においては、XdはCHであることが好ましい。
本発明の一態様において、Xdが窒素原子であることが好ましく、他の態様においては、XdはCHであることが好ましい。
前記Rxが表す置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基において、該環形成炭素数6~18(好ましくは6~12)のアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、又はトリフェニレニル基であり、好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、又は、ナフチル基であり、より好ましくは、フェニル基、2-、3-、又は4-ビフェニリル基、2-、3-、又は4-o-ターフェニリル基、2-、3-、又は4-m-ターフェニリル基、2-、3-、又は4-p-ターフェニリル基、又は、1-又は2-ナフチル基であり、更に好ましくは、フェニル基、2-、3-、又は4-ビフェニリル基、又は、1-又は2-ナフチル基であり、特に好ましくは、フェニル基である。
置換された環形成炭素数6~30のアリール基は、例えば、トリル基、t-ブチルフェニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、9,9-ジフェニルフルオレニル基、又は、スピロビフルオレニル基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
置換された環形成炭素数6~30のアリール基は、例えば、トリル基、t-ブチルフェニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、9,9-ジフェニルフルオレニル基、又は、スピロビフルオレニル基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記Rxが表す置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基において、該環形成原子数5~13(好ましくは6~13)のヘテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、インダゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基(ベンゾチエニル基、以下同様)、イソベンゾチオフェニル基(イソベンゾチエニル基、以下同様)、ジベンゾチオフェニル基(ジベンゾチエニル基、以下同様)、又はカルバゾリル基である。
好ましくは、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基(9-カルバゾリル基、又は、1-、2-、3-又は4-カルバゾリル基)である。
置換された環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、例えば、9-フェニルカルバゾリル基、9-ビフェニリルカルバゾリル基、9-フェニルフェニルカルバゾリル基、9-ナフチルカルバゾリル基、フェニルジベンゾフラニル基、又はフェニルジベンゾチオフェニル基(フェニルジベンゾチエニル基、以下同様)である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
好ましくは、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基(9-カルバゾリル基、又は、1-、2-、3-又は4-カルバゾリル基)である。
置換された環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、例えば、9-フェニルカルバゾリル基、9-ビフェニリルカルバゾリル基、9-フェニルフェニルカルバゾリル基、9-ナフチルカルバゾリル基、フェニルジベンゾフラニル基、又はフェニルジベンゾチオフェニル基(フェニルジベンゾチエニル基、以下同様)である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
L3及びL4は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30、好ましくは6~25、より好ましくは6~18の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30、好ましくは5~24、より好ましくは5~13の複素環基であり、好ましくは単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素基である。
本発明の一態様において、L3及びL4の双方が単結合であってもよい。
本発明の他の態様において、L3及びL4の双方が、それぞれ独立に、前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基、好ましくは前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素基であってもよい。
本発明の更に他の態様において、L3及びL4の一方が単結合であり、他方が前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基、好ましくは前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素基であってもよい。
本発明の一態様において、L3及びL4の双方が単結合であってもよい。
本発明の他の態様において、L3及びL4の双方が、それぞれ独立に、前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基、好ましくは前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素基であってもよい。
本発明の更に他の態様において、L3及びL4の一方が単結合であり、他方が前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基、好ましくは前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素基であってもよい。
本発明の他の態様において、L3及びL4は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30、好ましくは6~18の2~4価の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30、好ましくは5~13の2~4価の複素環基である。
前記2~4価の芳香族炭化水素基としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ナフタセン、ピレン、ペンタセン、ヘプタセン、ビフェニル、ターフェニル、9,9-ジメチルフルオレン等の芳香族炭化水素の2~4価の残基が挙げられる。
好ましくは、以下の芳香族炭化水素の2~4価の残基が挙げられる。これらの芳香族炭化水素は、同一の又は異なる2以上(好ましくは2~3個)の芳香族炭化水素が単結合を介して結合したものであってもよい。
また、前記2~4価の複素環基としては、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、アクリジン環、ピペリジン環、モルフォリン環、ピペラジン環、ピロール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環、ピロリジン環、ジオキサン環、カルバゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾチアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピラン環、ジベンゾフラン環、ベンゾ[c]ジベンゾフラン環等の複素環の2~4価の残基が挙げられる。これらの複素環は、同一の又は異なる2以上(好ましくは2~3個)の複素環が単結合を介して結合したものであってもよい。例えば、ピリジン環やピリミジン環における結合手は、オルト位、メタ位、パラ位のいずれにあってもよい。中でも、ピリジン環又はピリミジン環や、2以上のピリジン環又はピリミジン環が単結合を介して結合した環から誘導される2~4価の基が好ましく、ピリジン環やピリミジン環から誘導される2~3価の基がさらに好ましい。
前記2~4価の芳香族炭化水素基としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ナフタセン、ピレン、ペンタセン、ヘプタセン、ビフェニル、ターフェニル、9,9-ジメチルフルオレン等の芳香族炭化水素の2~4価の残基が挙げられる。
好ましくは、以下の芳香族炭化水素の2~4価の残基が挙げられる。これらの芳香族炭化水素は、同一の又は異なる2以上(好ましくは2~3個)の芳香族炭化水素が単結合を介して結合したものであってもよい。
また、前記2~4価の複素環基としては、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、アクリジン環、ピペリジン環、モルフォリン環、ピペラジン環、ピロール環、イソインドール環、ベンゾフラン環、イソベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環、ピロリジン環、ジオキサン環、カルバゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾチアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピラン環、ジベンゾフラン環、ベンゾ[c]ジベンゾフラン環等の複素環の2~4価の残基が挙げられる。これらの複素環は、同一の又は異なる2以上(好ましくは2~3個)の複素環が単結合を介して結合したものであってもよい。例えば、ピリジン環やピリミジン環における結合手は、オルト位、メタ位、パラ位のいずれにあってもよい。中でも、ピリジン環又はピリミジン環や、2以上のピリジン環又はピリミジン環が単結合を介して結合した環から誘導される2~4価の基が好ましく、ピリジン環やピリミジン環から誘導される2~3価の基がさらに好ましい。
XdはCRd又は窒素原子であり、好ましくはCH又は窒素原子である。
前記Rdは、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
前記Rdが表す置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基において、該環形成炭素数6~18(好ましくは6~12)のアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、又はトリフェニレニル基であり、好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、又は、ナフチル基であり、より好ましくは、フェニル基、2-、3-、又は4-ビフェニリル基、2-、3-、又は4-o-ターフェニリル基、2-、3-、又は4-m-ターフェニリル基、2-、3-、又は4-p-ターフェニリル基、又は、1-又は2-ナフチル基であり、更に好ましくは、フェニル基、2-、3-、又は4-ビフェニリル基、又は、1-又は2-ナフチル基であり、特に好ましくは、フェニル基である。
置換された環形成炭素数6~30のアリール基は、例えば、トリル基、t-ブチルフェニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、9,9-ジフェニルフルオレニル基、又は、スピロビフルオレニル基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記Rdが表す置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基において、該環形成原子数5~13(好ましくは6~13)のヘテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、インダゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基(ベンゾチエニル基、以下同様)、イソベンゾチオフェニル基(イソベンゾチエニル基、以下同様)、ジベンゾチオフェニル基(ジベンゾチエニル基、以下同様)、又はカルバゾリル基である。
好ましくは、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基(9-カルバゾリル基、又は、1-、2-、3-又は4-カルバゾリル基)である。
置換された環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、例えば、9-フェニルカルバゾリル基、9-ビフェニリルカルバゾリル基、9-フェニルフェニルカルバゾリル基、9-ナフチルカルバゾリル基、フェニルジベンゾフラニル基、又はフェニルジベンゾチオフェニル基(フェニルジベンゾチエニル基、以下同様)である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記Rdは、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
前記Rdが表す置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基において、該環形成炭素数6~18(好ましくは6~12)のアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、又はトリフェニレニル基であり、好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、又は、ナフチル基であり、より好ましくは、フェニル基、2-、3-、又は4-ビフェニリル基、2-、3-、又は4-o-ターフェニリル基、2-、3-、又は4-m-ターフェニリル基、2-、3-、又は4-p-ターフェニリル基、又は、1-又は2-ナフチル基であり、更に好ましくは、フェニル基、2-、3-、又は4-ビフェニリル基、又は、1-又は2-ナフチル基であり、特に好ましくは、フェニル基である。
置換された環形成炭素数6~30のアリール基は、例えば、トリル基、t-ブチルフェニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、9,9-ジフェニルフルオレニル基、又は、スピロビフルオレニル基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記Rdが表す置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基において、該環形成原子数5~13(好ましくは6~13)のヘテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、インダゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基(ベンゾチエニル基、以下同様)、イソベンゾチオフェニル基(イソベンゾチエニル基、以下同様)、ジベンゾチオフェニル基(ジベンゾチエニル基、以下同様)、又はカルバゾリル基である。
好ましくは、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基(9-カルバゾリル基、又は、1-、2-、3-又は4-カルバゾリル基)である。
置換された環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、例えば、9-フェニルカルバゾリル基、9-ビフェニリルカルバゾリル基、9-フェニルフェニルカルバゾリル基、9-ナフチルカルバゾリル基、フェニルジベンゾフラニル基、又はフェニルジベンゾチオフェニル基(フェニルジベンゾチエニル基、以下同様)である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記Ar4が表す置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基において、該環形成炭素数6~18(好ましくは6~12)のアリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、又はトリフェニレニル基であり、好ましくは、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、又は、ナフチル基であり、より好ましくは、フェニル基、2-、3-、又は4-ビフェニリル基、2-、3-、又は4-o-ターフェニリル基、2-、3-、又は4-m-ターフェニリル基、2-、3-、又は4-p-ターフェニリル基、又は、1-又は2-ナフチル基であり、更に好ましくは、フェニル基、2-、3-、又は4-ビフェニリル基、又は、1-又は2-ナフチル基であり、特に好ましくは、フェニル基である。
置換された環形成炭素数6~30のアリール基は、例えば、トリル基、t-ブチルフェニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、9,9-ジフェニルフルオレニル基、又は、スピロビフルオレニル基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
置換された環形成炭素数6~30のアリール基は、例えば、トリル基、t-ブチルフェニル基、9,9-ジメチルフルオレニル基、9,9-ジフェニルフルオレニル基、又は、スピロビフルオレニル基である。
前記置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
前記Ar4が表す置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基において、該環形成原子数5~13(好ましくは6~13)のヘテロアリール基としては、例えば、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、インダゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基(ベンゾチエニル基、以下同様)、イソベンゾチオフェニル基(イソベンゾチエニル基、以下同様)、ジベンゾチオフェニル基(ジベンゾチエニル基、以下同様)、又はカルバゾリル基である。
好ましくは、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基(9-カルバゾリル基、又は、1-、2-、3-又は4-カルバゾリル基)である。
置換された環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、例えば、9-フェニルカルバゾリル基、9-ビフェニリルカルバゾリル基、9-フェニルフェニルカルバゾリル基、9-ナフチルカルバゾリル基、フェニルジベンゾフラニル基、又はフェニルジベンゾチオフェニル基(フェニルジベンゾチエニル基、以下同様)である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
好ましくは、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、カルバゾリル基(9-カルバゾリル基、又は、1-、2-、3-又は4-カルバゾリル基)である。
置換された環形成原子数5~30のヘテロアリール基は、例えば、9-フェニルカルバゾリル基、9-ビフェニリルカルバゾリル基、9-フェニルフェニルカルバゾリル基、9-ナフチルカルバゾリル基、フェニルジベンゾフラニル基、又はフェニルジベンゾチオフェニル基(フェニルジベンゾチエニル基、以下同様)である。
前記置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基は、存在する場合には異性体基を含む。
本発明の他の態様として、前記式(2)のAr4が、下記式(10-a)で表される基を含むことが好ましい。
式中、
*gはL3に結合する位置を表し、
Xfは酸素原子、硫黄原子、又はNRfであり、
Rfは置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基であり、
X21~X28は、それぞれ独立に、N又はCReである、
Reは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、
mは1~3の整数、好ましくは1又は2であり、より好ましくは1である。
ただし、
X21~X28の少なくとも一つはCReであり、Rf及びReから選ばれる一つは*gを介してL3に結合する単結合であり、
隣接する2つのReは、それぞれ独立に、水素原子又は前記置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。
式中、
*gはL3に結合する位置を表し、
Xfは酸素原子、硫黄原子、又はNRfであり、
Rfは置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基であり、
X21~X28は、それぞれ独立に、N又はCReである、
Reは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、
mは1~3の整数、好ましくは1又は2であり、より好ましくは1である。
ただし、
X21~X28の少なくとも一つはCReであり、Rf及びReから選ばれる一つは*gを介してL3に結合する単結合であり、
隣接する2つのReは、それぞれ独立に、水素原子又は前記置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。
Rf及びReが表す各基の詳細は、式(3-a)のRcに関して上記した対応する基の詳細と同じである。隣接する2つのReが任意に形成する環構造の詳細は、式(3-a)の隣接する2つのRcが任意に形成する環構造の詳細と同じである。本発明の一態様において、隣接する2つのReは環構造を形成するのが好ましく、他の態様においては、隣接する2つのReは環構造を形成しないことが好ましい。
本発明の一態様において、Xfは酸素原子又は硫黄原子であることが好ましく、他の態様においてはNRfであることが好ましい。
本発明の一態様において、*gを介してL3に結合する単結合ではないReはすべて水素原子であることが好ましい。
本発明の他の態様として、式(2)の化合物において、式(10-a)が式(10-b)、又は、式(10-c)で表される基を含むことが好ましい。
式(10-b)において、X21~X28、Rf、及びmは、前記と同じである。ただし、X21~X28の少なくとも一つはCReであり、該Reは*gを介してL3に結合する単結合である。
式(10-c)において、X21~X28、及びmは、前記と同じである。
本発明の一態様において、X21~X28のすべてがCHであることが好ましい。
式(10-b)において、X21~X28、Rf、及びmは、前記と同じである。ただし、X21~X28の少なくとも一つはCReであり、該Reは*gを介してL3に結合する単結合である。
式(10-c)において、X21~X28、及びmは、前記と同じである。
本発明の一態様において、X21~X28のすべてがCHであることが好ましい。
本発明の他の態様として、式(2)の化合物の式(10-a)が式(10-d)、又は、式(10-e)で表される基を含むことが好ましい。
式(10-d)及び式(10-e)において、X21~X28、及びmは、前記と同じであり、ただし、X21~X28の少なくとも一つはCReであり、該Reは*gを介してL3に結合する単結合である。
式(10-d)及び式(10-e)において、X21~X28、及びmは、前記と同じであり、ただし、X21~X28の少なくとも一つはCReであり、該Reは*gを介してL3に結合する単結合である。
本発明の態様として、前記式(10-b)が式(10-b’)、又は、前記式(10-c)が式(10-c’)で表される基を含むことが好ましい。
式(10-b’)において、Rf、Re、及びmは、前記と同じである。ただし、Reの1つは*gを介してL3に結合する単結合である。
本発明の一態様において、カルバゾール骨格の3位に結合するReが*gを介してL3に結合する単結合であることが好ましい。
本発明の他の態様において、カルバゾール骨格の3位に結合するReが*gを介してL3に結合する単結合であり、他のReがすべて水素原子であることが好ましい。
式(10-c’)において、Re及びmは、前記と同じである。
本発明の一態様において、Reがすべて水素原子であることが好ましい。
式(10-b’)において、Rf、Re、及びmは、前記と同じである。ただし、Reの1つは*gを介してL3に結合する単結合である。
本発明の一態様において、カルバゾール骨格の3位に結合するReが*gを介してL3に結合する単結合であることが好ましい。
本発明の他の態様において、カルバゾール骨格の3位に結合するReが*gを介してL3に結合する単結合であり、他のReがすべて水素原子であることが好ましい。
式(10-c’)において、Re及びmは、前記と同じである。
本発明の一態様において、Reがすべて水素原子であることが好ましい。
本発明の態様として、前記式(10-d)が式(10-d’)、又は、前記式(10-e)が式(10-e’)で表される基を含むことが好ましい。
式(10-d’)及び式(10-e’)において、Re及びmは、前記と同じである
本発明の一態様において、ジベンゾフラン骨格又はジベンゾチオフェン骨格の1、2,又は3位、好ましくは2又は3位、より好ましくは2位に結合するReが*gを介してL3に結合する単結合であることが好ましい。
本発明の他の態様において、ジベンゾフラン骨格又はジベンゾチオフェン骨格の1、2,又は3位、好ましくは2又は3位、より好ましくは2位に結合するReが*gを介してL3に結合する単結合であり、他のReがすべて水素原子であることが好ましい。
式(10-d’)及び式(10-e’)において、Re及びmは、前記と同じである
本発明の一態様において、ジベンゾフラン骨格又はジベンゾチオフェン骨格の1、2,又は3位、好ましくは2又は3位、より好ましくは2位に結合するReが*gを介してL3に結合する単結合であることが好ましい。
本発明の他の態様において、ジベンゾフラン骨格又はジベンゾチオフェン骨格の1、2,又は3位、好ましくは2又は3位、より好ましくは2位に結合するReが*gを介してL3に結合する単結合であり、他のReがすべて水素原子であることが好ましい。
(式(11)中、X29は、CR29又は窒素原子であり、X30は、CR30又は窒素原子であり、R21~R23、R29、及びR30は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、R21~R23、R29、及びR30から選ばれる隣接する2つは、互いに結合して環構造を形成してもよい。ただし、R21~R23、R29、及びR30の1つは、式(2)のL4に結合する単結合である。)
R21~R23、R29、及びR30は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基である。該置換基の詳細は、Rcに関して前記した「水素原子又は置換基」における置換基の詳細と同様である。
前記式(2)において、前記式(11)のR21~R23、R29、及びR30のうち隣り合う基が結合してさらに環を形成する場合、環を形成していないR21~R23、R29、及びR30のうちいずれかが、L4に結合する単結合である場合がある。また、環を形成したR21~R23、R29、及びR30のうちいずれかが、さらにL4に結合する単結合である場合、すなわち、R21~R23、R29、及びR30のうちいずれかで形成された環が、L4に結合する場合がある。例えば、前記式(11)において、R21とR29とが環を形成する場合、環を形成していないR22またはR23がL2に結合する単結合である場合と、例えば、下記式(11-A)で表すようにR21とR29とで形成された環がL4に結合する結合手を有する場合とがある。なお、下記式(11-A)において、R22、R23、X30は、前記式(11)のR22、R23、X30と同じである。
前記式(11)で表されるAzは、置換もしくは無置換のピリジン環、置換もしくは無置換のピリミジン環、置換もしくは無置換のトリアジン環、置換もしくは無置換のキノリン環、置換もしくは無置換のイソキノリン環、置換もしくは無置換のキナゾリン環、および置換もしくは無置換のフェナントロリン環のいずれかから選ばれることが好ましい。
中でも、前記Azは、無置換のピリジン環、無置換のピリミジン環、無置換のトリアジン環、無置換のキノリン環、無置換のイソキノリン環、無置換のキナゾリン環および無置換のフェナントロリン環のいずれかから選ばれることが好ましい。
さらに、前記Azは、下記式(11-a)から(11-x)までのいずれかで表される基であることが好ましく、これらの中でも、縮合環を有さない単環の構造を有する基であることがより好ましく、(11-a)から(11-g)までのいずれかで表される基であることがさらに好ましい。
なお、下記式(11-a)から(11-x)までのいずれかで表される基は、さらに置換基を有していてもよく、置換基を有する場合は、「置換もしくは無置換」との記載における任意の置換基を有する。
さらに、前記Azは、下記式(11-a)から(11-x)までのいずれかで表される基であることが好ましく、これらの中でも、縮合環を有さない単環の構造を有する基であることがより好ましく、(11-a)から(11-g)までのいずれかで表される基であることがさらに好ましい。
なお、下記式(11-a)から(11-x)までのいずれかで表される基は、さらに置換基を有していてもよく、置換基を有する場合は、「置換もしくは無置換」との記載における任意の置換基を有する。
(前記式(11-a)~(11-x)において、結合手は前記式(2)のL4に結合する結合手である。)
前記式(11)において、前記X29は、CR29であり、前記X30は、CR30であることが好ましい。すなわち、前記式(2)において、前記Azが、置換もしくは無置換のピリジン環であることが好ましい。前記Azは、無置換のピリジン環であることがより好ましく、前記式(11-a)、式(11-b)又は式(11-c)で表されることが好ましい。
qは、1~5の整数であり、qが2~5の整数である場合、2~5個のAzは、互いに同一であるか又は異なる。
本発明の一態様において、qは1又は2が好ましく、より好ましくは1である。
本発明の一態様において、qは1又は2が好ましく、より好ましくは1である。
本発明に係る式(2)の化合物の具体例を以下に挙げるが、特にこれらに制限されるものではない。
有機EL素子
本発明の有機EL素子は陽極、陰極、及び該陽極と陰極の間に配置された有機層を含む。該有機層は発光層と電子輸送層を含み、該電子輸送層は前記陰極と前記発光層の間に配置され、かつ、前記発光層に隣接している。前記電子輸送層が上記化合物(1)及び上記化合物(2)を同時に含む。
本発明の有機EL素子は陽極、陰極、及び該陽極と陰極の間に配置された有機層を含む。該有機層は発光層と電子輸送層を含み、該電子輸送層は前記陰極と前記発光層の間に配置され、かつ、前記発光層に隣接している。前記電子輸送層が上記化合物(1)及び上記化合物(2)を同時に含む。
本発明の有機EL素子は、蛍光又は燐光発光型の単色発光素子であっても、蛍光/燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよいし、単独の発光ユニットを有するシンプル型であっても、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよく、中でも、蛍光発光型の素子であることが好ましい。ここで、「発光ユニット」とは、有機層を含み、そのうちの少なくとも一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光する最小単位をいう。
例えば、シンプル型有機EL素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
(1)陽極/発光ユニット/陰極
また、上記発光ユニットは、燐光発光層や蛍光発光層を複数有する積層型であってもよく、その場合、各発光層の間に、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、スペース層を有していてもよい。シンプル型発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。括弧内の層は任意である。
(a)(正孔注入層/)正孔輸送層/蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(b)(正孔注入層/)正孔輸送層/燐光発光層電子輸送層(/電子注入層)
(c)(正孔注入層/)正孔輸送層/第1蛍光発光層/第2蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(d)(正孔注入層/)正孔輸送層/第1燐光発光層/第2燐光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(e)(正孔注入層/)正孔輸送層/燐光発光層/スペース層/蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(f)(正孔注入層/)正孔輸送層/第1燐光発光層/第2燐光発光層/スペース層/蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(g)(正孔注入層/)正孔輸送層/第1燐光発光層/スペース層/第2燐光発光層/スペース層/蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(h)(正孔注入層/)正孔輸送層/燐光発光層/スペース層/第1蛍光発光層/第2蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(i)(正孔注入層/)正孔輸送層/電子阻止層/蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(j)(正孔注入層/)正孔輸送層/電子阻止層/燐光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(k)(正孔注入層/)正孔輸送層/励起子阻止層/蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(l)(正孔注入層/)正孔輸送層/励起子阻止層/燐光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(m)(正孔注入層/)第1正孔輸送層/第2正孔輸送層/蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(n)(正孔注入層/)第1正孔輸送層/第2正孔輸送層/燐光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(o)(正孔注入層/)第1正孔輸送層/第2正孔輸送層/蛍光発光層/第1電子輸送層/第2電子輸送層(/電子注入層)
(p)(正孔注入層/)第1正孔輸送層/第2正孔輸送層/燐光発光層/第1電子輸送層/第2電子輸送層(/電子注入層)
(q)(正孔注入層/)正孔輸送層/蛍光発光層/正孔阻止層/電子輸送層(/電子注入層)
(r)(正孔注入層/)正孔輸送層/燐光発光層/正孔阻止層/電子輸送層(/電子注入層)
(s)(正孔注入層/)正孔輸送層/蛍光発光層/励起子阻止層/電子輸送層(/電子注入層)
(t)(正孔注入層/)正孔輸送層/燐光発光層/励起子阻止層/電子輸送層(/電子注入層)
(1)陽極/発光ユニット/陰極
また、上記発光ユニットは、燐光発光層や蛍光発光層を複数有する積層型であってもよく、その場合、各発光層の間に、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐ目的で、スペース層を有していてもよい。シンプル型発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。括弧内の層は任意である。
(a)(正孔注入層/)正孔輸送層/蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(b)(正孔注入層/)正孔輸送層/燐光発光層電子輸送層(/電子注入層)
(c)(正孔注入層/)正孔輸送層/第1蛍光発光層/第2蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(d)(正孔注入層/)正孔輸送層/第1燐光発光層/第2燐光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(e)(正孔注入層/)正孔輸送層/燐光発光層/スペース層/蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(f)(正孔注入層/)正孔輸送層/第1燐光発光層/第2燐光発光層/スペース層/蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(g)(正孔注入層/)正孔輸送層/第1燐光発光層/スペース層/第2燐光発光層/スペース層/蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(h)(正孔注入層/)正孔輸送層/燐光発光層/スペース層/第1蛍光発光層/第2蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(i)(正孔注入層/)正孔輸送層/電子阻止層/蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(j)(正孔注入層/)正孔輸送層/電子阻止層/燐光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(k)(正孔注入層/)正孔輸送層/励起子阻止層/蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(l)(正孔注入層/)正孔輸送層/励起子阻止層/燐光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(m)(正孔注入層/)第1正孔輸送層/第2正孔輸送層/蛍光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(n)(正孔注入層/)第1正孔輸送層/第2正孔輸送層/燐光発光層/電子輸送層(/電子注入層)
(o)(正孔注入層/)第1正孔輸送層/第2正孔輸送層/蛍光発光層/第1電子輸送層/第2電子輸送層(/電子注入層)
(p)(正孔注入層/)第1正孔輸送層/第2正孔輸送層/燐光発光層/第1電子輸送層/第2電子輸送層(/電子注入層)
(q)(正孔注入層/)正孔輸送層/蛍光発光層/正孔阻止層/電子輸送層(/電子注入層)
(r)(正孔注入層/)正孔輸送層/燐光発光層/正孔阻止層/電子輸送層(/電子注入層)
(s)(正孔注入層/)正孔輸送層/蛍光発光層/励起子阻止層/電子輸送層(/電子注入層)
(t)(正孔注入層/)正孔輸送層/燐光発光層/励起子阻止層/電子輸送層(/電子注入層)
上記各燐光又は蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる発光色を示すものとすることができる。具体的には、上記積層発光ユニット(f)において、(正孔注入層/)正孔輸送層/第1燐光発光層(赤色発光)/第2燐光発光層(緑色発光)/スペース層/蛍光発光層(青色発光)/電子輸送層といった層構成等が挙げられる。
なお、各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、適宜、電子阻止層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、適宜、正孔阻止層を設けてもよい。電子阻止層や正孔阻止層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。
なお、各発光層と正孔輸送層あるいはスペース層との間には、適宜、電子阻止層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間には、適宜、正孔阻止層を設けてもよい。電子阻止層や正孔阻止層を設けることで、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。
タンデム型有機EL素子の代表的な素子構成としては、以下の素子構成を挙げることができる。
(2)陽極/第1発光ユニット/中間層/第2発光ユニット/陰極
ここで、上記第1発光ユニット及び第2発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に上述の発光ユニットから選択することができる。
上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第1発光ユニットに電子を、第2発光ユニットに正孔を供給する、公知の材料構成を用いることができる。
(2)陽極/第1発光ユニット/中間層/第2発光ユニット/陰極
ここで、上記第1発光ユニット及び第2発光ユニットとしては、例えば、それぞれ独立に上述の発光ユニットから選択することができる。
上記中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、第1発光ユニットに電子を、第2発光ユニットに正孔を供給する、公知の材料構成を用いることができる。
図1に、本発明の有機EL素子の構成の一例を示す概略図である。有機EL素子1は、基板2、陽極3、陰極4、及び該陽極3と陰極4との間に配置された発光ユニット10とを有する。発光ユニット10は、発光層5を有する。発光層5と陽極3との間に正孔輸送帯域6(正孔注入層、正孔輸送層等)、発光層5と陰極4との間に電子輸送帯域7(電子注入層、電子輸送層等)を有する。また、発光層5の陽極3側に電子阻止層(図示せず)を、発光層5の陰極4側に正孔阻止層(図示せず)を、それぞれ設けてもよい。これにより、電子や正孔を発光層5に閉じ込めて、発光層5における励起子の生成効率をさらに高めることができる。
図2は、本発明の有機EL素子の他の構成を示す概略図である。有機EL素子11は、基板2、陽極3、陰極4、及び該陽極3と陰極4との間に配置された発光ユニット20とを有する。発光ユニット20は、発光層5を有する。陽極3と発光層5の間に配置された正孔輸送帯域は、第1正孔輸送層6a及び第2正孔輸送層6bから形成されている。また、発光層5と陰極4の間に配置された電子輸送帯域は、第1電子輸送層7a及び第2電子輸送層7bから形成されている。
なお、本発明において、蛍光ドーパント(蛍光発光材料)と組み合わされたホストを蛍光ホストと称し、燐光ドーパントと組み合わされたホストを燐光ホストと称する。蛍光ホストと燐光ホストは分子構造のみにより区分されるものではない。すなわち、燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を形成する材料を意味し、蛍光発光層を形成する材料として利用できないことを意味しているわけではない。蛍光ホストについても同様である。
基板
基板は、有機EL素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどの板を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
基板は、有機EL素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチックなどの板を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板としては、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。
陽極
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛、酸化タングステンおよび酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、チタン(Ti)、または前記金属の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム-酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ、酸化インジウム-酸化亜鉛、酸化タングステンおよび酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、チタン(Ti)、または前記金属の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。
これらの材料は、通常、スパッタリング法により成膜される。例えば、酸化インジウム-酸化亜鉛は、酸化インジウムに対し1~10wt%の酸化亜鉛を加えたターゲットを、酸化タングステンおよび酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを0.5~5wt%、酸化亜鉛を0.1~1wt%含有したターゲットを用いることにより、スパッタリング法で形成することができる。その他、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法などにより作製してもよい。
陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔注入が容易である材料を用いて形成されるため、電極材料として一般的に使用される材料(例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物、元素周期表の第1族または第2族に属する元素)を用いることができる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(例えば、MgAg、AlLi)、ユーロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
仕事関数の小さい材料である、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(例えば、MgAg、AlLi)、ユーロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属およびこれらを含む合金等を用いることもできる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびこれらを含む合金を用いて陽極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。さらに、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
正孔注入層
正孔注入層は、正孔注入性の高い材料(正孔注入性材料)を含む層であり、陽極と発光層の間、又は、存在する場合には、陽極と正孔輸送層の間に形成される。
正孔注入層は、正孔注入性の高い材料(正孔注入性材料)を含む層であり、陽極と発光層の間、又は、存在する場合には、陽極と正孔輸送層の間に形成される。
正孔注入性材料としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。
低分子の有機化合物である4,4’,4’’-トリス(N,N-ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’-トリス[N-(3-メチルフェニル)-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’-ビス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、4,4’-ビス(N-{4-[N’-(3-メチルフェニル)-N’-フェニルアミノ]フェニル}-N-フェニルアミノ)ビフェニル(略称:DNTPD)、1,3,5-トリス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)、3-[N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6-ビス[N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3-[N-(1-ナフチル)-N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)アミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等の芳香族アミン化合物等も正孔注入層材料として挙げられる。
高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)を用いることもできる。例えば、ポリ(N-ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(4-ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N-(4-{N’-[4-(4-ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’-ビス(4-ブチルフェニル)-N,N’-ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly-TPD)などの高分子化合物が挙げられる。また、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ポリ(スチレンスルホン酸)(PAni/PSS)等の酸を添加した高分子化合物を用いることもできる。
(上記式中、R21~R26は、それぞれ独立にシアノ基、-CONH2、カルボキシル基、又は-COOR27(R27は炭素数1~20のアルキル基又は炭素数3~20のシクロアルキル基を表す)を表す。また、R21及びR22、R23及びR24、及びR25及びR26から選ばれる隣接する2つが互いに結合して-CO-O-CO-で示される基を形成してもよい。)
R27としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
R27としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、t-ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
正孔輸送層
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い材料(正孔輸送性材料)を含む層であり、陽極と発光層の間、又は、存在する場合には、正孔注入層と発光層の間に形成される。
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い材料(正孔輸送性材料)を含む層であり、陽極と発光層の間、又は、存在する場合には、正孔注入層と発光層の間に形成される。
正孔輸送層は、単層構造でもよく、2以上の層を含む多層構造でもよい。例えば、正孔輸送層は第1正孔輸送層(陽極側)と第2正孔輸送層(陰極側)を含む2層構造であってもよい。本発明の一態様において、前記単層構造の正孔輸送層は発光層に隣接していることが好ましく、又、前記多層構造中の最も陰極に近い正孔輸送層、例えば、上記2層構造の第2正孔輸送層、は発光層に隣接していることが好ましい。本発明の他の態様において、前記単層構造の正孔輸送層と発光層の間に、又は、前記多層構造中の最も発光層に近い正孔輸送層と発光層の間に、後述する電子阻止層などを介在させてもよい。
正孔輸送性材料としては、例えば、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用する事ができる。
芳香族アミン化合物としては、例えば、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)やN,N’-ビス(3-メチルフェニル)-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン(略称:TPD)、4-フェニル-4’-(9-フェニルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:BAFLP)、4,4’-ビス[N-(9,9-ジメチルフルオレン-2-イル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DFLDPBi)、4,4’,4”-トリス(N,N-ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4”-トリス[N-(3-メチルフェニル)-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、及び、4,4’-ビス[N-(スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル)-N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)が挙げられる。上記化合物は、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する。
芳香族アミン化合物としては、例えば、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)やN,N’-ビス(3-メチルフェニル)-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン(略称:TPD)、4-フェニル-4’-(9-フェニルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:BAFLP)、4,4’-ビス[N-(9,9-ジメチルフルオレン-2-イル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DFLDPBi)、4,4’,4”-トリス(N,N-ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4”-トリス[N-(3-メチルフェニル)-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、及び、4,4’-ビス[N-(スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル)-N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)が挙げられる。上記化合物は、10-6cm2/Vs以上の正孔移動度を有する。
カルバゾール誘導体としては、例えば、4,4’-ジ(9-カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、9-[4-(9-カルバゾリル)フェニル]-10-フェニルアントラセン(略称:CzPA)、及び、9-フェニル-3-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:PCzPA)が挙げられる。
アントラセン誘導体としては、例えば、2-t-ブチル-9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:t-BuDNA)、9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、及び、9,10-ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)が挙げられる。
ポリ(N-ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4-ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い化合物であれば、上記以外の化合物を用いてもよい。
アントラセン誘導体としては、例えば、2-t-ブチル-9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:t-BuDNA)、9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、及び、9,10-ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)が挙げられる。
ポリ(N-ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4-ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)等の高分子化合物を用いることもできる。
但し、電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い化合物であれば、上記以外の化合物を用いてもよい。
発光層のドーパント材料
発光層は、発光性の高い材料(ドーパント材料)を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光発光材料や燐光発光材料をドーパント材料として用いることができる。蛍光発光材料は一重項励起状態から発光する化合物であり、燐光発光材料は三重項励起状態から発光する化合物である。
発光層は、発光性の高い材料(ドーパント材料)を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光発光材料や燐光発光材料をドーパント材料として用いることができる。蛍光発光材料は一重項励起状態から発光する化合物であり、燐光発光材料は三重項励起状態から発光する化合物である。
発光層に用いることができる青色系の蛍光発光材料として、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体等が使用できる。具体的には、N,N’-ビス[4-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン(略称:YGA2S)、4-(9H-カルバゾール-9-イル)-4’-(10-フェニル-9-アントリル)トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、4-(10-フェニル-9-アントリル)-4’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPA)などが挙げられる。
発光層に用いることができる緑色系の蛍光発光材料として、芳香族アミン誘導体等を使用できる。具体的には、N-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:2PCAPA)、N-[9,10-ビス(1,1’-ビフェニル-2-イル)-2-アントリル]-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:2PCABPhA)、N-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン(略称:2DPAPA)、N-[9,10-ビス(1,1’-ビフェニル-2-イル)-2-アントリル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン(略称:2DPABPhA)、N-[9,10-ビス(1,1’-ビフェニル-2-イル)]-N-[4-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]-N-フェニルアントラセン-2-アミン(略称:2YGABPhA)、N,N,9-トリフェニルアントラセン-9-アミン(略称:DPhAPhA)などが挙げられる。
発光層に用いることができる赤色系の蛍光発光材料として、テトラセン誘導体、ジアミン誘導体等が使用できる。具体的には、N,N,N’,N’-テトラキス(4-メチルフェニル)テトラセン-5,11-ジアミン(略称:p-mPhTD)、7,14-ジフェニル-N,N,N’,N’-テトラキス(4-メチルフェニル)アセナフト[1,2-a]フルオランテン-3,10-ジアミン(略称:p-mPhAFD)などが挙げられる。
発光層に用いることができる青色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス[2-(4’,6’-ジフルオロフェニル)ピリジナト-N,C2’]イリジウム(III)テトラキス(1-ピラゾリル)ボラート(略称:FIr6)、ビス[2-(4’,6’-ジフルオロフェニル)ピリジナト-N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)、ビス[2-(3’,5’ビストリフルオロメチルフェニル)ピリジナト-N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:Ir(CF3ppy)2(pic))、ビス[2-(4’,6’-ジフルオロフェニル)ピリジナト-N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIracac)などが挙げられる。
発光層に用いることができる緑色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体等が使用される。トリス(2-フェニルピリジナト-N,C2’)イリジウム(III)(略称:Ir(ppy)3)、ビス(2-フェニルピリジナト-N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(ppy)2(acac))、ビス(1,2-ジフェニル-1H-ベンゾイミダゾラト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(pbi)2(acac))、ビス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bzq)2(acac))などが挙げられる。
発光層に用いることができる赤色系の燐光発光材料として、イリジウム錯体、白金錯体、テルビウム錯体、ユーロピウム錯体等の金属錯体が使用される。具体的には、ビス[2-(2’-ベンゾ[4,5-α]チエニル)ピリジナト-N,C3’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(btp)2(acac))、ビス(1-フェニルイソキノリナト-N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(piq)2(acac))、(アセチルアセトナート)ビス[2,3-ビス(4-フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:Ir(Fdpq)2(acac))、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金(II)(略称:PtOEP)等の有機金属錯体が挙げられる。
また、トリス(アセチルアセトナート)(モノフェナントロリン)テルビウム(III)(略称:Tb(acac)3(Phen))、トリス(1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(DBM)3(Phen))、トリス[1-(2-テノイル)-3,3,3-トリフルオロアセトナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:Eu(TTA)3(Phen))等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光(異なる多重度間の電子遷移)であるため、燐光発光材料として用いることができる。
発光層のホスト材料
発光層は、上述したドーパント材料を他の材料(ホスト材料)に分散させた構成としてもよい。ドーパント材料よりも最低空軌道準位(LUMO準位)が高く、最高占有軌道準位(HOMO準位)が低い材料を用いることが好ましい。
発光層は、上述したドーパント材料を他の材料(ホスト材料)に分散させた構成としてもよい。ドーパント材料よりも最低空軌道準位(LUMO準位)が高く、最高占有軌道準位(HOMO準位)が低い材料を用いることが好ましい。
ホスト材料としては、例えば
(1)アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、又は亜鉛錯体等の金属錯体、
(2)オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、又はフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、
(3)カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、又はクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、
(4)トリアリールアミン誘導体又は縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が使用される。
(1)アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、又は亜鉛錯体等の金属錯体、
(2)オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、又はフェナントロリン誘導体等の複素環化合物、
(3)カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、又はクリセン誘導体等の縮合芳香族化合物、
(4)トリアリールアミン誘導体又は縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物が使用される。
例えば、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)、トリス(4-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Almq3)、ビス(10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(II)(略称:BeBq2)、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(4-フェニルフェノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス(8-キノリノラト)亜鉛(II)(略称:Znq)、ビス[2-(2-ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnPBO)、ビス[2-(2-ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnBTZ)などの金属錯体;
2-(4-ビフェニリル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3-ビス[5-(p-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン(略称:OXD-7)、3-(4-ビフェニリル)-4-フェニル-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-トリアゾール(略称:TAZ)、2,2’,2’’-(1,3,5-ベンゼントリイル)トリス(1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール)(略称:TPBI)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)などの複素環化合物;
9-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:CzPA)、3,6-ジフェニル-9-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:DPCzPA)、9,10-ビス(3,5-ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2-tert-ブチル-9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:t-BuDNA)、9,9’-ビアントリル(略称:BANT)、9,9’-(スチルベン-3,3’-ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’-(スチルベン-4,4’-ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS2)、3,3’,3’’-(ベンゼン-1,3,5-トリイル)トリピレン(略称:TPB3)、9,10-ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物;及び
N,N-ジフェニル-9-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:CzA1PA)、4-(10-フェニル-9-アントリル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、N,9-ジフェニル-N-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:PCAPA)、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:PCAPBA)、N-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:2PCAPA)、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPBまたはα-NPD)、N,N’-ビス(3-メチルフェニル)-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン(略称:TPD)、4,4’-ビス[N-(9,9-ジメチルフルオレン-2-イル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DFLDPBi)、4,4’-ビス[N-(スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル)-N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)などの芳香族アミン化合物を用いることができる。ホスト材料は複数種用いてもよい。
2-(4-ビフェニリル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3-ビス[5-(p-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン(略称:OXD-7)、3-(4-ビフェニリル)-4-フェニル-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,2,4-トリアゾール(略称:TAZ)、2,2’,2’’-(1,3,5-ベンゼントリイル)トリス(1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール)(略称:TPBI)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)などの複素環化合物;
9-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:CzPA)、3,6-ジフェニル-9-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:DPCzPA)、9,10-ビス(3,5-ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2-tert-ブチル-9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:t-BuDNA)、9,9’-ビアントリル(略称:BANT)、9,9’-(スチルベン-3,3’-ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’-(スチルベン-4,4’-ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS2)、3,3’,3’’-(ベンゼン-1,3,5-トリイル)トリピレン(略称:TPB3)、9,10-ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセンなどの縮合芳香族化合物;及び
N,N-ジフェニル-9-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:CzA1PA)、4-(10-フェニル-9-アントリル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、N,9-ジフェニル-N-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:PCAPA)、N,9-ジフェニル-N-{4-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]フェニル}-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:PCAPBA)、N-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:2PCAPA)、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPBまたはα-NPD)、N,N’-ビス(3-メチルフェニル)-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン(略称:TPD)、4,4’-ビス[N-(9,9-ジメチルフルオレン-2-イル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DFLDPBi)、4,4’-ビス[N-(スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル)-N―フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)などの芳香族アミン化合物を用いることができる。ホスト材料は複数種用いてもよい。
特に、青色蛍光素子の場合には、下記のアントラセン化合物をホスト材料として用いることが好ましい。
電子輸送層
電子輸送層は電子輸送性の高い材料(電子輸送性材料)を含む層であり、発光層と陰極の間、又は、存在する場合は、発光層と電子注入層の間に形成される。
電子輸送層は、単層構造でもよく、2以上の層を含む多層構造でもよい。例えば、電子輸送層は第1電子輸送層(陽極側)と第2電子輸送層(陰極側)を含む2層構造であってもよい。本発明の一態様において、前記単層構造の電子輸送層は発光層に隣接していることが好ましく、又、前記多層構造中の最も陽極に近い電子輸送層、例えば、上記2層構造の第1電子輸送層、は発光層に隣接していることが好ましい。本発明の他の態様において、前記単層構造の電子輸送層と発光層の間に、又は、前記多層構造中の最も発光層に近い電子輸送層と発光層の間に、後述する正孔阻止層などを介在させてもよい。
電子輸送層は電子輸送性の高い材料(電子輸送性材料)を含む層であり、発光層と陰極の間、又は、存在する場合は、発光層と電子注入層の間に形成される。
電子輸送層は、単層構造でもよく、2以上の層を含む多層構造でもよい。例えば、電子輸送層は第1電子輸送層(陽極側)と第2電子輸送層(陰極側)を含む2層構造であってもよい。本発明の一態様において、前記単層構造の電子輸送層は発光層に隣接していることが好ましく、又、前記多層構造中の最も陽極に近い電子輸送層、例えば、上記2層構造の第1電子輸送層、は発光層に隣接していることが好ましい。本発明の他の態様において、前記単層構造の電子輸送層と発光層の間に、又は、前記多層構造中の最も発光層に近い電子輸送層と発光層の間に、後述する正孔阻止層などを介在させてもよい。
本発明の有機EL素子は発光層に隣接する電子輸送層を含み、該電子輸送層が前記化合物(1)と前記化合物(2)を同時に含む。
化合物(1)と化合物(2)の含有割合、化合物(1)/化合物(2)、は質量比で95/5~5/95、好ましくは70/30~30/70である。化合物(1)と化合物(2)の電子輸送層中の合計量は、20~100%、好ましくは50~100%である。化合物(1)と化合物(2)の含有割合及び合計量が上記の範囲であると、低電圧駆動を維持したまま素子寿命が向上する。
化合物(1)と化合物(2)の含有割合、化合物(1)/化合物(2)、は質量比で95/5~5/95、好ましくは70/30~30/70である。化合物(1)と化合物(2)の電子輸送層中の合計量は、20~100%、好ましくは50~100%である。化合物(1)と化合物(2)の含有割合及び合計量が上記の範囲であると、低電圧駆動を維持したまま素子寿命が向上する。
電子輸送層には、化合物(1)と化合物(2)に加えて、他の化合物、例えば、
(1)アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、
(2)イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、
(3)高分子化合物を使用してもよい。
(1)アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、
(2)イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、
(3)高分子化合物を使用してもよい。
金属錯体としては、例えば、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)、トリス(4-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq3)、ビス(10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq2)、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(4-フェニルフェノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス(8-キノリノラト)亜鉛(II)(略称:Znq)、ビス[2-(2-ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnPBO)、ビス[2-(2-ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnBTZ)が挙げられる。
複素芳香族化合物としては、例えば、2-(4-ビフェニリル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3-ビス[5-(ptert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン(略称:OXD-7)、3-(4-tert-ブチルフェニル)-4-フェニル-5-(4-ビフェニリル)-1,2,4-トリアゾール(略称:TAZ)、3-(4-tert-ブチルフェニル)-4-(4-エチルフェニル)-5-(4-ビフェニリル)-1,2,4-トリアゾール(略称:p-EtTAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、4,4’-ビス(5-メチルベンゾオキサゾール-2-イル)スチルベン(略称:BzOs)が挙げられる。
高分子化合物としては、例えば、ポリ[(9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジイル)-co-(ピリジン-3,5-ジイル)](略称:PF-Py)、ポリ[(9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル)-co-(2,2’-ビピリジン-6,6’-ジイル)](略称:PF-BPy)が挙げられる。
上記材料は、10-6cm2/Vs以上の電子移動度を有する材料である。なお、正孔輸送性よりも電子輸送性の高い材料であれば、上記以外の材料を電子輸送層に用いてもよい。
電子注入層
電子注入層は、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入層には、リチウム(Li)、セシウム(Cs)等のアルカリ金属、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、ユーロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属、及びこれらの金属を含む化合物を用いることができる。そのような化合物としては、例えば、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ金属含有有機錯体、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属含有有機錯体、希土類金属酸化物、希土類金属ハロゲン化物、及び希土類金属含有有機錯体が挙げられる。また、これらの化合物を複数混合して用いることもできる。
その他、電子輸送性を有する材料にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはAlq中にマグネシウム(Mg)を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体(ドナー)とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、有機化合物が電子供与体から電子を受け取るため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、受け取った電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する材料(金属錯体や複素芳香族化合物等)を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す材料であればよい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン(略称:TTF)等の有機化合物を用いることもできる。
電子注入層は、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入層には、リチウム(Li)、セシウム(Cs)等のアルカリ金属、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、ユーロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属、及びこれらの金属を含む化合物を用いることができる。そのような化合物としては、例えば、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ金属含有有機錯体、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属含有有機錯体、希土類金属酸化物、希土類金属ハロゲン化物、及び希土類金属含有有機錯体が挙げられる。また、これらの化合物を複数混合して用いることもできる。
その他、電子輸送性を有する材料にアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を含有させたもの、具体的にはAlq中にマグネシウム(Mg)を含有させたもの等を用いてもよい。なお、この場合には、陰極からの電子注入をより効率良く行うことができる。
あるいは、電子注入層に、有機化合物と電子供与体(ドナー)とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、有機化合物が電子供与体から電子を受け取るため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、受け取った電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層を構成する材料(金属錯体や複素芳香族化合物等)を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す材料であればよい。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属及び希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン(略称:TTF)等の有機化合物を用いることもできる。
陰極
陰極には、仕事関数の小さい(具体的には3.8eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(例えば、MgAg、AlLi)、ユーロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、グラフェン、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
陰極には、仕事関数の小さい(具体的には3.8eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(例えば、MgAg、AlLi)、ユーロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。
なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、これらを含む合金を用いて陰極を形成する場合には、真空蒸着法やスパッタリング法を用いることができる。また、銀ペーストなどを用いる場合には、塗布法やインクジェット法などを用いることができる。
なお、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、グラフェン、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム-酸化スズ等様々な導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。
絶縁層
有機EL素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層からなる絶縁層を挿入してもよい。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。なお、これらの混合物や積層物を用いてもよい。
有機EL素子は、超薄膜に電界を印加するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層からなる絶縁層を挿入してもよい。
絶縁層に用いられる材料としては、例えば、酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。なお、これらの混合物や積層物を用いてもよい。
スペース層
上記スペース層とは、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子を蛍光発光層に拡散させない、あるいは、キャリアバランスを調整する目的で、蛍光発光層と燐光発光層との間に設けられる層である。また、スペース層は、複数の燐光発光層の間に設けることもできる。
スペース層は発光層間に設けられるため、電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備える材料であることが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防ぐため、三重項エネルギーが2.6eV以上であることが好ましい。スペース層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられるものと同様のものが挙げられる。
上記スペース層とは、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子を蛍光発光層に拡散させない、あるいは、キャリアバランスを調整する目的で、蛍光発光層と燐光発光層との間に設けられる層である。また、スペース層は、複数の燐光発光層の間に設けることもできる。
スペース層は発光層間に設けられるため、電子輸送性と正孔輸送性を兼ね備える材料であることが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防ぐため、三重項エネルギーが2.6eV以上であることが好ましい。スペース層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられるものと同様のものが挙げられる。
阻止層
電子阻止層、正孔阻止層、励起子阻止層などの阻止層を発光層に隣接して設けてもいい。電子阻止層とは発光層から正孔輸送層へ電子が漏れることを防ぐ層であり、正孔阻止層とは発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防ぐ層である。励起子阻止層は発光層で生成した励起子が周辺の層へ拡散することを防止し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
電子阻止層、正孔阻止層、励起子阻止層などの阻止層を発光層に隣接して設けてもいい。電子阻止層とは発光層から正孔輸送層へ電子が漏れることを防ぐ層であり、正孔阻止層とは発光層から電子輸送層へ正孔が漏れることを防ぐ層である。励起子阻止層は発光層で生成した励起子が周辺の層へ拡散することを防止し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する。
前記有機EL素子の各層は従来公知の蒸着法、塗布法等により形成することができる。例えば、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)などの蒸着法、あるいは、層を形成する化合物の溶液を用いた、ディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。
各層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い駆動電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常5nm~10μmであり、10nm~0.2μmがより好ましい。
前記有機EL素子は、有機ELパネルモジュール等の表示部品、テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の表示装置、及び、照明、車両用灯具の発光装置等の電子機器に使用できる。
以下、実施例を用いて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
実施例1
有機EL素子の製造
25mm×75mm×1.1mmのITO透明電極付きガラス基板(ジオマテック株式会社製)をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行った。ITO透明電極の厚さは130nmとした。
洗浄後のITO透明電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずITO透明電極を覆うようにして化合物HIを蒸着して膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
次に、この正孔注入層上に、化合物HT1(第1正孔輸送層材料)を蒸着して膜厚80nmの第1正孔輸送層を形成した。
次に、この第1正孔輸送層上に、化合物HT2(第2正孔輸送層材料)を蒸着して膜厚10nmの第2正孔輸送層を形成した。
次に、この第2正孔輸送層上に、化合物BH(ホスト材料)と化合物BD(ドーパント材料)を共蒸着し、膜厚25nmの発光層を形成した。化合物BHと化合物BDの質量比は96:4であった。
次に、この発光層の上に、化合物aET-2(化合物(1))と化合物bET-2(化合物(2))を共蒸着し、膜厚10nmの電子輸送層を形成した。化合物aET-2と化合物bET-2の質量比は70:30であった。
次に、この電子輸送層の上に、化合物ET3とLiを共蒸着して膜厚15nmの電子注入層を形成した。化合物ET3とLiの質量比は96:4であった。
次に、この電子注入層上に金属Alを蒸着して膜厚80nmの陰極を形成し、下記の層構造を有する有機EL素子を製造した。
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
aET-2:bET-2=70:30(10)/ ET3:Li=96:4(15)/Al(80)
上記層構造において、括弧内の数字は膜厚(nm)であり、割合は質量比である(以下、同様)。
有機EL素子の製造
25mm×75mm×1.1mmのITO透明電極付きガラス基板(ジオマテック株式会社製)をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行った。ITO透明電極の厚さは130nmとした。
洗浄後のITO透明電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まずITO透明電極を覆うようにして化合物HIを蒸着して膜厚5nmの正孔注入層を形成した。
次に、この正孔注入層上に、化合物HT1(第1正孔輸送層材料)を蒸着して膜厚80nmの第1正孔輸送層を形成した。
次に、この第1正孔輸送層上に、化合物HT2(第2正孔輸送層材料)を蒸着して膜厚10nmの第2正孔輸送層を形成した。
次に、この第2正孔輸送層上に、化合物BH(ホスト材料)と化合物BD(ドーパント材料)を共蒸着し、膜厚25nmの発光層を形成した。化合物BHと化合物BDの質量比は96:4であった。
次に、この発光層の上に、化合物aET-2(化合物(1))と化合物bET-2(化合物(2))を共蒸着し、膜厚10nmの電子輸送層を形成した。化合物aET-2と化合物bET-2の質量比は70:30であった。
次に、この電子輸送層の上に、化合物ET3とLiを共蒸着して膜厚15nmの電子注入層を形成した。化合物ET3とLiの質量比は96:4であった。
次に、この電子注入層上に金属Alを蒸着して膜厚80nmの陰極を形成し、下記の層構造を有する有機EL素子を製造した。
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
aET-2:bET-2=70:30(10)/ ET3:Li=96:4(15)/Al(80)
上記層構造において、括弧内の数字は膜厚(nm)であり、割合は質量比である(以下、同様)。
駆動電圧の測定
得られた有機EL素子に電流密度が10mA/cm2となるときの電圧を(単位:V)を測定した。
結果を表1に示す。
得られた有機EL素子に電流密度が10mA/cm2となるときの電圧を(単位:V)を測定した。
結果を表1に示す。
素子寿命
得られた有機EL素子を電流密度50mA/cm2で直流駆動により発光させ、輝度が初期輝度の95%に減少するまでの時間を測定し、これを95%寿命(LT95)とした。
結果を表1に示す。
得られた有機EL素子を電流密度50mA/cm2で直流駆動により発光させ、輝度が初期輝度の95%に減少するまでの時間を測定し、これを95%寿命(LT95)とした。
結果を表1に示す。
実施例2
化合物aET-2を化合物aET-1に代えた以外は実施例1と同様にして以下の素子構成を有する有機EL素子を製造し、実施例1と同様にして、駆動電圧及び95%寿命(LT95)を測定した。結果を表1に示す。
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
aET-1:bET-2=70:30(10)/ ET3:Li=96:4(15)/Al(80)
化合物aET-2を化合物aET-1に代えた以外は実施例1と同様にして以下の素子構成を有する有機EL素子を製造し、実施例1と同様にして、駆動電圧及び95%寿命(LT95)を測定した。結果を表1に示す。
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
aET-1:bET-2=70:30(10)/ ET3:Li=96:4(15)/Al(80)
比較例1
化合物aET-2を単独で用いて形成した以外は実施例1と同様にして以下の素子構成を有する有機EL素子を製造し、実施例1と同様にして駆動電圧及び95%寿命(LT95)を測定した。結果を表1に示す。
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
aET-2(10)/ ET3:Li=96:4(15)/Al(80)
化合物aET-2を単独で用いて形成した以外は実施例1と同様にして以下の素子構成を有する有機EL素子を製造し、実施例1と同様にして駆動電圧及び95%寿命(LT95)を測定した。結果を表1に示す。
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
aET-2(10)/ ET3:Li=96:4(15)/Al(80)
比較例2
化合物aET-1を単独で用いて形成した以外は実施例2と同様にして以下の素子構成を有する有機EL素子を製造し、実施例2と同様にして駆動電圧及び95%寿命(LT95)を測定した。結果を表1に示す。
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
aET-1(10)/ ET3:Li=96:4(15)/Al(80)
化合物aET-1を単独で用いて形成した以外は実施例2と同様にして以下の素子構成を有する有機EL素子を製造し、実施例2と同様にして駆動電圧及び95%寿命(LT95)を測定した。結果を表1に示す。
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
aET-1(10)/ ET3:Li=96:4(15)/Al(80)
比較例3
化合物bET-2を単独で用いて形成した以外は実施例1と同様にして以下の素子構成を有する有機EL素子を製造し、実施例1と同様にして駆動電圧及び95%寿命(LT95)を測定した。結果を表1に示す。
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
bET-2(10)/ ET3:Li=96:4(15)/Al(80)
化合物bET-2を単独で用いて形成した以外は実施例1と同様にして以下の素子構成を有する有機EL素子を製造し、実施例1と同様にして駆動電圧及び95%寿命(LT95)を測定した。結果を表1に示す。
ITO(130)/HI(5)/HT1(80)/HT2(10)/BH:BD=96:4(25)/
bET-2(10)/ ET3:Li=96:4(15)/Al(80)
表1から明らかなように、電子輸送層に化合物(1)(aET-2)と化合物(2)(bET-2)とを含む実施例1の素子は、電子輸送層に化合物(1)(aET-2)を単独で用いた素子(比較例1)に比べ、低電圧駆動が維持され同時に寿命が向上していることが分かる。また、実施例1の素子は、電子輸送層に化合物(2)(bET-2)を単独で用いた素子(比較例3)に比べ、寿命が向上していることがわかる。すなわち、実施例1のように電子輸送層に化合物(1)と化合物(2)とを含む構成とすることで、それぞれの化合物を単独で用いた場合のいずれと比較しても寿命が向上している。
実施例2と比較例2、比較例3との対比からも、同様の効果が確認できる。
実施例2と比較例2、比較例3との対比からも、同様の効果が確認できる。
1、11 有機EL素子
2 基板
3 陽極
4 陰極
5 発光層
6 正孔輸送帯域(正孔輸送層)
6a 第1正孔輸送層
6b 第2正孔輸送層
7 電子輸送帯域(電子輸送層)
7a 第1電子輸送層
7b 第2電子輸送層
10、20 発光ユニット
2 基板
3 陽極
4 陰極
5 発光層
6 正孔輸送帯域(正孔輸送層)
6a 第1正孔輸送層
6b 第2正孔輸送層
7 電子輸送帯域(電子輸送層)
7a 第1電子輸送層
7b 第2電子輸送層
10、20 発光ユニット
Claims (30)
- 陽極、陰極、及び該陽極と陰極の間に配置された有機層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機層が発光層と電子輸送層を含み、
前記電子輸送層は前記陰極と前記発光層の間に配置され、かつ、前記発光層に隣接し、
前記電子輸送層が下記式(1)で表される化合物及び下記式(2)で表される化合物を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
(式中、
Ar1~Ar3は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
nは、1~3の整数である。
Xa、Xb、及びXcの1つは窒素原子、残りの2つはそれぞれ独立にCH又は窒素原子であり、
L1は単結合、環形成炭素数6~18の芳香族炭化水素の置換もしくは無置換の2~4価の残基、又は環形成炭素数6~18の芳香族炭化水素を2~3個含む環集合の置換もしくは無置換の2~4価の残基である、ただし、L1が単結合の場合、nは1である。)
(式中、
Rxは置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
XdはCRd又は窒素原子であり、
Rdは、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
L3及びL4は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30の複素環基であり、
mは、1~3の整数であり、mが2~3の整数である場合、2~3個のAr4は互いに同一であるか又は異なり、
qは、1~5の整数であり、qが2~5の整数である場合、2~5個のAzは互いに同一であるか又は異なり、
Ar4は、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基であり、
Azは、下記一般式(11)で表される基である。
(式中、
X29は、CR29又は窒素原子であり、
X30は、CR30又は窒素原子であり、
R21~R23、R29、及びR30は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、
R21~R23、R29、及びR30から選ばれる隣接する2つは、互いに結合して環構造を形成してもよい。
ただし、R21~R23、R29、及びR30の1つは、式(2)のL4に結合する単結合である。)) - 前記式(1)のAr3が下記式(3-a)又は(4-a)で表される基である、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(式中、
*aはL1に結合する位置を表し、
Xbは酸素原子、硫黄原子、又はNRbであり、
Rbは置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基であり、
X1~X8は、それぞれ独立に、N又はCRcである、
Rcは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、
nは1~3の整数である。
ただし、
X1~X8の少なくとも一つはCRcであり、Rb及びRcから選ばれる一つは*aを介してL1に結合する単結合であり、
隣接する2つのRcは、それぞれ独立に、水素原子又は前記置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。)
(式中、
*bはL1に結合する位置を表し、
R5~R8の1つは*cに結合する単結合であり、
R11~R14の1つは*dに結合する単結合であり、
R1~R4、R15~R18、*cに結合する単結合ではないR5~R8、及び*dに結合する単結合ではないR11~R14は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基である。
ただし、R1~R4、R15~R18、*cに結合する単結合ではないR5~R8、及び*dに結合する単結合ではないR11~R14から選ばれる隣接する2つは、それぞれ独立に、水素原子又は前記置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。
Ar5は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、
L5は単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリーレン基である。) - 前記式(1)のXaとXb、XaとXc、又はXbとXcが窒素原子である、請求項1又は2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記式(1)のXa、Xb、及びXcがすべて窒素原子である、請求項1~3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記式(1)のAr1及びAr2が、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基であり、該置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基において、該環形成炭素数6~18のアリール基が、それぞれ独立に、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ビフェニレニル基、ナフチル基、アントリル基、ベンゾアントリル基、フェナントリル基、ベンゾフェナントリル基、フェナレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオレニル基、フルオランテニル基、又はトリフェニレニル基である、請求項1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記式(1)のAr1及びAr2が、置換もしくは無置換の環形成炭素数5~13のヘテロアリール基であり、該置換もしくは無置換の環形成炭素数5~13のヘテロアリール基において、該環形成炭素数6~13のヘテロアリール基が、それぞれ独立に、ピロリル基、フリル基、チエニル基、ピリジル基、イミダゾピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピラゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、オキサジアゾリル基、チアジアゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、キノリジニル基、キノリル基、イソキノリル基、シンノリル基、フタラジニル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、インダゾリル基、ベンゾイソキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、イソベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、又はカルバゾリル基である、請求項1~5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記式(4-a)のAr5が、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリール基である、請求項2又は12に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記式(4-a)のL5が、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~18のアリーレン基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数5~13のヘテロアリーレン基である、請求項2、12及び13のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記式(4-a)のL5が、単結合である、請求項14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記式(2)のXdがCH又は窒素原子である、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記式(2)のAr4が、下記式(10-a)で表される基である、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
(式中、
*gはL3に結合する位置を表し、
Xfは酸素原子、硫黄原子、又はNRfであり、
Rfは置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基であり、
X21~X28は、それぞれ独立に、N又はCReである、
Reは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基であり、該置換基はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数3~30のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数7~36のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のアルキル基及び置換もしくは無置換の環形成炭素数6~30のアリール基から選ばれる置換基を有するモノ、ジ又はトリ置換シリル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30ハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~30のハロアルコキシ基、又は、置換もしくは無置換の環形成原子数5~30のヘテロアリール基であり、
mは1~3の整数である。
ただし、
X21~X28の少なくとも一つはCReであり、Rf及びReから選ばれる一つは*gを介してL3に結合する単結合であり、
隣接する2つのReは、それぞれ独立に、水素原子又は前記置換基であるか、又は、互いに結合して置換もしくは無置換の環構造を形成する。) - 前記陰極と前記電子輸送層の間に電子注入層を有し、該電子注入層が、
アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属を含有する有機錯体、アルカリ土類金属を含有する有機錯体、及び希土類金属を含有する有機錯体からなる群から選択される1以上を含有する、請求項1~25のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記電子注入層が、アルカリ金属又は希土類金属を含有する、請求項26に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が蛍光ドーパント材料を含む、請求項1~27のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層が燐光ドーパント材料を含む、請求項1~27のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項1~29のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた電子機器。
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