JP2022010071A - 流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層 - Google Patents

流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層 Download PDF

Info

Publication number
JP2022010071A
JP2022010071A JP2021180868A JP2021180868A JP2022010071A JP 2022010071 A JP2022010071 A JP 2022010071A JP 2021180868 A JP2021180868 A JP 2021180868A JP 2021180868 A JP2021180868 A JP 2021180868A JP 2022010071 A JP2022010071 A JP 2022010071A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
oxide
forming
nitride layer
fluid discharge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021180868A
Other languages
English (en)
Inventor
チェン，ツィシャン
Zhizhang Chen
プリエーゼ，ロベルト，エイ
A Pugliese Robert
シャアラウィ，モハメド，エス
S Shaarawi Mohammed
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hewlett Packard Development Co LP
Original Assignee
Hewlett Packard Development Co LP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hewlett Packard Development Co LP filed Critical Hewlett Packard Development Co LP
Priority to JP2021180868A priority Critical patent/JP2022010071A/ja
Publication of JP2022010071A publication Critical patent/JP2022010071A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/135—Nozzles
    • B41J2/16—Production of nozzles
    • B41J2/1621—Manufacturing processes
    • B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
    • B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/135—Nozzles
    • B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
    • B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
    • B41J2/14088—Structure of heating means
    • B41J2/14112—Resistive element
    • B41J2/14129—Layer structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C64/00—Additive manufacturing, i.e. manufacturing of three-dimensional [3D] objects by additive deposition, additive agglomeration or additive layering, e.g. by 3D printing, stereolithography or selective laser sintering
    • B29C64/20—Apparatus for additive manufacturing; Details thereof or accessories therefor
    • B29C64/205—Means for applying layers
    • B29C64/209—Heads; Nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y30/00—Apparatus for additive manufacturing; Details thereof or accessories therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/135—Nozzles
    • B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
    • B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/135—Nozzles
    • B41J2/16—Production of nozzles
    • B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
    • B41J2/1603—Production of bubble jet print heads of the front shooter type
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01—Ink jet
    • B41J2/135—Nozzles
    • B41J2/16—Production of nozzles
    • B41J2/1621—Manufacturing processes
    • B41J2/1626—Manufacturing processes etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
    • B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
    • B41J2202/21—Line printing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)

Abstract

【解決手段】幾つかの例において、流体吐出デバイスを形成するために、熱抵抗器が基板上に形成され、窒化物層が熱抵抗器の上に形成され、２５０℃より高い温度で原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて酸化物層が窒化物層の上に形成され、窒化物層および酸化物層が、熱抵抗器を保護するためのパッシベーション層を構成する。【効果】より薄いパッシベーション層が流体吐出デバイスの各熱抵抗器の上に形成されることができ、それによりターンオンエネルギーの低減が可能になり、その結果、流体吐出デバイスのノズルを付勢するために印加され得る電流および／またはターンオン電圧が低減される。また、流体吐出デバイスの付勢の頻度を増加させることも可能にする。低減されたターンオンエネルギーによって、流体吐出デバイスの温度が低減され得る。更に、より薄いパッシベーション層は、流体吐出デバイスの製造コストを低減することができる。【選択図】図２

Description

背景
印刷システムは、印刷流体を印刷対象に一定量供給するためのノズルを有するプリントヘッドを含むことができる。二次元（２Ｄ）印刷システムにおいて、印刷対象は、用紙、又は印刷イメージが形成され得る別のタイプの基材のような印刷媒体である。２Ｄ印刷システムの例は、インク滴を一定量供給することができるインクジェット印刷システムを含む。三次元（３Ｄ）印刷システムにおいて、印刷対象は、３Ｄ物体を形成するために堆積された構築材料の層（単数または複数）であることができる。
本開示の幾つかの具現化形態は、添付図面に関連して説明される。
幾つかの例による、流体吐出ダイの断面図である。 幾つかの例による、流体吐出デバイスを形成するプロセスの流れ図である。 幾つかの例による、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス温度の関数としての酸化物層のエッチ速度を示すグラフである。 更なる例による、流体吐出デバイスを形成するプロセスの流れ図である。 幾つかの例による、流体吐出ダイの断面図である。 他の例による流体吐出デバイスを形成するプロセスの流れ図である。 幾つかの例による流体吐出デバイスが取り付けられ得るカートリッジを示す図である。 幾つかの例による流体吐出デバイスが取り付けられ得るバーを示す図である。
図面の全体にわたって、同一の参照番号は、類似するが必ずしも全く同一でない要素を示す。図面は、必ずしも一律の縮尺に従っておらず、幾つかの部品のサイズは、図示された例をより明確に示すために誇張され得る。更に、図面は、説明と首尾一貫した例および／または具現化形態を提供するが、説明は、図面に提供された例および／または具現化形態に制限されない。
詳細な説明
本開示において、用語「a」、「an」又は「the」の使用は、文脈上明白に別段の指示がない限り、複数形も同様に含むことが意図されている。また、本開示で使用される場合の用語「含む」、「含んでいる」、「包含する」、「包含している」、「有する」又は「有している」は、述べられた要素の存在を明記するが、他の要素の存在または追加を排除しない。
印刷システム用のプリントヘッドは、印刷流体滴が個々のノズルから吐出されるように付勢されるノズルを含むことができる。各ノズルは、付勢された場合にノズル内の吐出チャンバからの印刷流体の小滴の吐出を引き起こす能動吐出要素を含む。印刷システムは、二次元（２Ｄ）又は三次元（３Ｄ）印刷システムであることができる。２Ｄ印刷システムは、紙媒体または他のタイプの印刷媒体のような印刷媒体上にイメージを形成するために、インクのような印刷流体を一定量供給（吐出）する。３Ｄ印刷システムは、構築材料の逐次の層を堆積することにより３Ｄ物体を形成する。３Ｄ印刷システムにより一定量供給される印刷流体は、インク、並びに構築材料の層の粉末を溶融する、及び構築材料の層をディーテイリングする（例えば、構築材料の層のエッジ又は形状を画定することにより）などのために使用される流体を含むことができる。
その後の説明において、用語「プリントヘッド」は一般に、支持体上に実装された複数のプリントヘッドダイを含む全体としてのアセンブリを意味することができ、この場合、プリントヘッドダイは、対象へ向けて印刷流体を一定量供給するために使用される。プリントヘッドは、印刷システムに着脱可能に装着され得る印刷カートリッジの一部分であることができる。他の例において、プリントヘッドは、２Ｄ印刷媒体または３Ｄ物体のような印刷対象の幅に及ぶ幅を有することができる印刷バーの一部分であることができる。印刷バーにおいて、プリントヘッドの複数のダイは、印刷バーの幅に沿って配列され得る。更なる例において、プリントヘッドは、印刷システムのカートリッジ上に実装されることができ、この場合、カートリッジは印刷対象に対して移動可能である。
幾つかの例において、印刷システムに使用するためのプリントヘッドに言及されるが、留意されるべきは、本開示の技術またはメカニズムは、ノズルを介して流体を一定量供給ことができる非印刷用途に使用される他のタイプの流体吐出デバイスに適用可能である。係る他のタイプの流体吐出デバイスの例は、流体検出システム、医療システム、乗り物、及び流量制御システムなどに使用されるものを含む。
流体吐出デバイスから流体を吐出するために流体吐出デバイスに含まれ得る能動吐出要素のタイプは、熱抵抗器を含むことができる。複数のノズルを備える流体吐出デバイスは、対応するノズルと関連付けられた個々の熱抵抗器を含むことができる。熱抵抗器を用いて、流体吐出チャンバ内に収容された流体を気化させる熱を生成する。吐出チャンバ内の流体の気化は、ノズルの対応するオリフィスを介した流体の小滴の放出を引き起こす。
流体吐出デバイスは、様々な薄膜層が設けられ得るダイの形態であることができる。薄膜層は、個々の熱抵抗器を形成するためにパターン形成され得る電気抵抗層を含むことができる。パッシベーション層（電気絶縁材料から形成された）が、流体吐出チャンバ内の流体から熱抵抗器を電気絶縁するために形成され得る。従来のパッシベーション層は、比較的厚くなる可能性がある。厚いパッシベーション層の存在は、流体吐出デバイスのターンオンエネルギーを増大させる可能性があり、この場合、ターンオンエネルギーは、オリフィスを介して所定量の流体を吐出するのに十分なサイズの蒸気泡を形成するために供給されなければならないエネルギーである。熱抵抗器と流体吐出チャンバとの間のより厚いパッシベーション層の場合、流体吐出チャンバから流体を吐出するのに十分なターンオンエネルギーを生成するために、増加した量の電流および／または増加した電圧が、熱抵抗器に印加されなければならない。
本開示の幾つかの具現化形態によれば、より薄いパッシベーション層が流体吐出デバイスの各熱抵抗器の上に形成されることができ、それによりターンオンエネルギーの低減が可能になり、その結果、流体吐出デバイスのノズルを付勢するために印加され得る電流および／またはターンオン電圧が低減される。また、低減されたターンオン電圧および／または電流は、流体吐出デバイスの付勢の頻度を増加させることも可能にする。低減されたターンオンエネルギーによって、流体吐出デバイスの温度が低減され得る。更に、より薄いパッシベーション層は、流体吐出デバイスの製造コストを低減することができる。
より薄いパッシベーション層は、パッシベーション層に酸化物層を形成するために原子層堆積（Atomic Layer Deposition：ＡＬＤ）を用いることにより達成され得る。ＡＬＤを用いて形成される酸化物層は、「ＡＬＤ酸化物層」と称する。幾つかの例において、流体吐出デバイスのパッシベーション層に酸化物層を形成するためにＡＬＤを使用することは、仮により薄いパッシベーション層が使用されたとしても、流体吐出デバイスの強化された信頼性も提供することができる。例えば、パッシベーション層のピンホール欠陥および／または他の製造欠陥は、幾つかの具現化形態によるＡＬＤ形成されたパッシベーション層を用いることにより、回避または低減され得る。ピンホール欠陥は、パッシベーション層の材料で完全に形成されないパッシベーション層の領域により生じる可能性がある。また、パッシベーション層の酸化物層を形成するためにＡＬＤを用いることにより、製造中に、改善されたステップカバレージが達成されることができ、この場合、ステップカバレージは、開放上側表面上に形成される層の厚さに対するその最も薄い所での層の厚さの比を意味する。
図１は、例示的な流体吐出ダイ１００の一部を示す。「ダイ」は、ノズルを設けられる基板、及びノズルによる流体の吐出を制御するための制御回路を含む構造体を意味することができる。流体吐出ダイ１００に形成される制御回路を用いて、熱抵抗器の付勢を制御することができる。
流体吐出ダイ１００は様々な層を含む。特定の層の配列が図１に示されるが、留意されるべきは、流体吐出ダイは、他の例において他の配列を有することができる。
その後の説明において、別の層の上に形成されている１つの層に言及される。留意されるべきは、使用中、流体吐出ダイ１００は、図１に示された向きから逆さまであることができ、その結果、用語「上側に」または「上に」は実際には、異なる向きにおいて別の層の下にある１つの層を意味することができ、逆もまた同じである。図１に示された向きは、流体吐出ダイ１００の層が形成される際に、流体吐出ダイ１００の製造中の流体吐出ダイ１００の向きであることができる。
流体吐出ダイ１００は、シリコン（ケイ素）、別の半導体材料、又は別のタイプの材料から形成され得る基板１０２を含む。電気抵抗層１０４が基板１０２の上に形成される。抵抗層１０４は、タングステン窒化シリコン、タンタル、アルミニウム、シリコン、及び窒化タンタルなどのような、抵抗材料を含むことができる。抵抗層１０４は、流体吐出ダイ１００の対応するノズルの熱抵抗器を形成することができ、この場合、ノズルは、流体吐出チャンバ１１２及びオリフィス１１４を更に含む。
製造中、基板１０２上に堆積された電気抵抗層１０４は、流体吐出ダイ１００の対応するノズルの個々の熱抵抗器を形成するためにパターン形成され得る。
パッシベーション層１０６が、抵抗層１０４の上に設けられる。パッシベーション層１０６は、流体吐出チャンバ１１２内の流体を抵抗層１０４から絶縁することにより、抵抗層１０４に対する保護を提供する。パッシベーション層１０６は、流体吐出チャンバ１１０内の流体から抵抗層１０４を電気絶縁するための電気絶縁材料を含むことができる。
幾つかの具現化形態によれば、パッシベーション層１０６は、抵抗層１０４の上に形成された窒化物層１０８、及び窒化物層１０８の上に形成された酸化物層１１０を含む。本明細書で使用される限り、第１の層が第２の層と接触し且つ第２の層の上にある場合に、第１の層は第２の層の「表面に」又は「上に」存在し、又は代案として、第１の層は、第１の層と第２の層との間の介在層（又は複数の介在層）と共に、第２の層の上に存在する。
図１による例において、２つの層１０８及び１１０を備えるパッシベーション層が示されるが、留意されるべきは、他の例において、パッシベーション層１０６は、３つ以上の層を含むことができる。
金属層１１６が、パッシベーション層１０６の上に設けられ得る。金属層１１６は、タンタル又は他の金属を含むことができ、機械的強度を追加するためにパッシベーション層１０６の上に形成される。
図１に更に示されるように、チャンバ層１１８が金属層１１６の上に形成される。チャンバ層１１８は、エポキシ樹脂、別のポリマー、又は任意の他のタイプの材料から形成され得る。製造中、チャンバ層１１８のエッチングは、流体吐出チャンバ１１２及びオリフィス１１４を形成するために実施され得る。流体は、流体チャネル（図示せず）から流体吐出チャンバ１１２に流れる。オリフィス１１４は、流体吐出チャンバ１１２から流体吐出ダイ１００の外部へ通じる。
図１は、モノリシックのチャンバ層１１８に形成された流体吐出チャンバ１１２及びオリフィス１１４を示すが、留意されるべきは、他の例において、流体吐出チャンバ１１２及びオリフィス１１４は、別個に処理される個々の異なる層に形成され得る。
動作中、抵抗層１０４が（抵抗層１０４を加熱するために抵抗層１０４に電流を通電することにより）付勢される場合、抵抗層１０４により生成された熱は、流体吐出チャンバ１１２内の流体を気化させ、それにより流体滴１２０がオリフィス１１４から吐出される。
図２は、図１の流体吐出ダイ１００のような、流体吐出デバイスを形成するプロセスの流れ図である。プロセスは、例えば図１に示された基板１０２上に抵抗層１０４を形成することにより、基板上に熱抵抗器を形成すること（２０２）を含む。抵抗層が堆積された後、抵抗層は、熱抵抗器（又は具体的には、流体吐出デバイスの複数の熱抵抗器）を形成するためにパターン形成される。
次に、プロセスは、熱抵抗器の上に窒化物層（例えば、図１の窒化物層１０８）を形成すること（２０４）を含む。窒化物層は、抵抗層の熱的および化学的安定化を提供することができる。窒化物層は、幾つかの例において、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）を用いることにより形成され得る。他の例において、他の技術を用いて、窒化物層が形成され得る。窒化物層の例は、次の何れかを含むことができ、即ち、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化チタン、窒化タンタル、酸化ニオブ、窒化モリブデン、及び窒化タングステンなである。
次に、プロセスは、２５０℃より高い温度で、ＡＬＤを用いて窒化物層の上に酸化物層を形成すること（２０６）を含む。窒化物層および酸化物層は、熱抵抗器を保護するためのパッシベーション層を構成する。
幾つかの例に従ってＡＬＤ用いて形成された酸化物層は、金属酸化物を含むことができる。金属酸化物の例は、以下の中から選択されることができ、即ち、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸化セシウム、酸化ニオブ、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化アルミニウムチタン、及び酸化タンタルハフニウムなどである。
ＡＬＤは、下にある構造体の上に薄層を形成するために使用される。ＡＬＤプロセスは、酸化物層を積み重ねるために、反復的な方法で気相化学薬品を逐次に加えることを含む。ＡＬＤプロセスの気相化学薬品は、異なる前駆体の使用の間に導入される不活性パージガスと交互に及び順番に使用される原料前駆体および結合前駆体を含む、前駆体と呼ばれ得る。堆積された原料前駆体は、単一分子ＡＬＤ層を形成するために、堆積された結合前駆体と表面上で化学的に反応する。ＡＬＤプロセスが継続する場合、単一分子ＡＬＤ層が分子層毎に積み重ねられる。ＡＬＤ層の最終的な厚さは、良好に制御され得る。
酸化物層を形成する際のＡＬＤの温度は、酸化物層と関連するエッチ速度に影響を及ぼす可能性がある。酸化物層のエッチ速度は、例えば電気コンタクト用のバイアを形成するために又は他の構造体を形成するために、酸化物層をパターン形成するための流体吐出デバイスの製造中に使用されるエッチング化学薬品の存在下で、酸化物層が除去される速度（時間経過に伴う厚さとして表される）を意味することができる。エッチング化学薬品の例は、フッ化水素酸化物、アンモニアフッ化物、又は流体吐出デバイスの製造中に層をエッチングするために使用される任意の他のタイプの化学薬品を含むことができる。
図３に示されるように、曲線３０２は、ＡＬＤプロセスの温度の関数としてエッチ速度を表す。曲線３０２により示されるように、ＡＬＤプロセスを用いて形成された酸化物層のエッチ速度は、ＡＬＤプロセスの温度の増加に応じて減少する。上述されたように、幾つかの例において、酸化物層は、２５０℃より高い温度でＡＬＤを用いて、窒化物層の上に形成される。他の例において、酸化物層は、２７０℃より高い温度で、又は２８０℃より高い温度で、又は２９０℃より高い温度で、又は３００℃より高い温度でＡＬＤを用いて形成される。更なる例において、酸化物層は、約３００℃の温度でＡＬＤを用いて形成される。ＡＬＤの温度は、温度がターゲット温度の所定のパーセンテージの範囲内にある場合に、「約」ターゲット温度であり（この場合３００℃）、この場合、所定のパーセンテージは、１％、２％、５％、及び１０％などであることができる。
図３に示されるように、ＡＬＤプロセス温度を２５０℃より上に上げることにより、酸化物層のエッチ速度が低減されることができ、それは、エッチング剤が酸化物層をパターン形成するために塗布される際に、より少ない量の酸化物層が除去されることを意味する。
図４は、更なる例による、流体吐出デバイスを形成するプロセスの流れ図である。図４のプロセスは、基板上に抵抗層を形成すること（４０２）を含む。プロセスは更に、流体吐出デバイスの個々の熱抵抗器を形成するために抵抗層をパターン形成すること（４０４）を含む。パターン形成は、プラズマエッチングなどのような、様々なパターン形成技術の何れかを用いることにより、実施され得る。
図４のプロセスは更に、熱抵抗器の上に窒化物層を形成すること（４０６）を含む。次いで、プロセスは、例えば２５０℃より高い、より高い温度でＡＬＤを用いて酸化物層を形成する（４０８）。
図４のプロセスは更に、窒化物層および酸化物層を含むパッシベーション層をパターン形成する（４１０）。次に、プロセスは、パッシベーション層の上に金属層（例えば、図１の金属層１１６）を形成し（４１２）、その後、プロセスは、金属層の上にチャンバ層（例えば、図１の１１８）を形成し（４１４）、この場合、チャンバ層は、流体吐出デバイスの流体吐出チャンバ及びオリフィスを形成するために、パターン形成されてエッチングされ得る。
図１に更に示されるように、窒化物層１０８は、厚さＴ１を有することができ、ＡＬＤを用いて形成された酸化物層１１０は厚さＴ２を有することができる。窒化物層１０８の厚さＴ１は、４０ｎｍ（４００Å）から８０ｎｍ（８００Å）の範囲内にあることができる。代案として、窒化物層１０８の厚さＴ１は、４０ｎｍ（４００Å）から６０ｎｍ（６００Å）の範囲内にあることができる。幾つかの例において、酸化物層の厚さＴ２は、５ｎｍ（５０Å）の厚さから２５ｎｍ（２５０Å）未満の厚さの範囲内にあることができる。更なる例において、厚さＴ２は、１０ｎｍ（１００Å）の厚さから２０ｎｍ（２００Å）未満の厚さの範囲内にあることができる。Ｔ１及びＴ２の特定の厚さが列挙されたが、留意されるべきは、他の例において、異なる厚さが使用され得る。
酸化物層１１０を形成するためにＡＬＤを用いることにより、窒化物層１０８は、より薄くなるように作成され得る。この結果、パッシベーション層１０６の全体としての厚さが、より薄くされ得る。
窒化物層および酸化物層の厚さＴ１及びＴ２それぞれに基づいた、パッシベーション層１０６の組み合わされた厚さは、従来技術を用いて形成されたパッシベーション層の厚さより小さい。
図５は、幾つかの具現化形態による、流体吐出デバイス１００の層の一部の断面図である。図５に示された層は、金属層１１６及びチャンバ層１１８が図５において省略されていることを除いて、図１に示された対応する層と同じである。流体吐出デバイスは、基板１０２、基板１０２上に形成された熱抵抗器（抵抗層１０４を含む）、及び熱抵抗器の上に形成されたパッシベーション層１０６を含み、パッシベーション層１０６は、窒化物層１０８、及び幾つかの例において１．４ｎｍ（１４Å）／分未満の酸化物エッチ速度を有するＡＬＤ酸化物層１１０を含む。他の例において、ＡＬＤ酸化物層は、エッチング化学薬品（例えば、フッ化水素酸化物、アンモニアフッ化物など）の存在下で、１ｎｍ（１０Å）／分未満、０．８ｎｍ（８Å）／分未満、０．５ｎｍ（５Å）／分未満、０．４ｎｍ（４Å）／分未満、０．２ｎｍ（２Å）／分未満、及び０．１ｎｍ（１Å）／分未満などの酸化物エッチ速度を有することができる。図３に示されたように、ＡＬＤ酸化物層のエッチ速度は、酸化物層を形成する際のＡＬＤプロセス温度を上げることにより、低減され得る。
図６は、更なる具現化形態による、流体吐出デバイスを形成するプロセスの流れ図である。図６のプロセスは、基板上に熱抵抗器を形成する（６０２）。プロセスは、熱抵抗器の上に窒化ケイ素の層を形成する（６０４）。プロセスは更に、２７０℃より高い温度でＡＬＤを用いて、窒化ケイ素層の上に金属酸化物層を形成すること（６０６）を含む。
本明細書で説明されたようなＡＬＤベースのパッシベーション層（ＡＬＤ酸化物層を含む）を含む流体吐出デバイス（例えば、プリントヘッド）は、図７に示されるように、カートリッジ７００上に実装され得る。カートリッジ７００は、例えば印刷システムに着脱可能に装着され得る印刷カートリッジであることができる。他の例において、カートリッジ７００は、他のタイプのシステムに着脱可能に装着される別のタイプの流体吐出カートリッジであることができる。
カートリッジ７００は、流体吐出デバイス７０４（例えば、プリントヘッド又はプリントヘッドダイ）が実装され得るハウジング７０２を有する。例えば、流体吐出デバイス７０４は、ハウジング７０２の外面に取り付けられ得る可撓ケーブル又は他のタイプの薄い回路基板を含むことができる。流体吐出デバイス７０４は、それぞれがＡＬＤベースのパッシベーション層を用いて形成された、流体吐出ダイ７０６、７０８、７１０及び７１２を含む。
流体吐出デバイス７０４は更に、流体吐出デバイス７０４が別のデバイスと電気接続することを可能にするための電気コンタクト７１４を含む。幾つかの例において、カートリッジ７００は、カートリッジ７００から分離した流体供給部から流体を受け取るための流体入口ポート７１６を含む。他の例において、カートリッジ７００は、流体をダイアセンブリに供給することができる流体リザーバを含むことができる。
更なる例において、幾つかの具現化形態によるＡＬＤベースのパッシベーション層を含む流体吐出デバイスは、図８に示されるようなバー８００（例えば、印刷バー）に実装されることができ、この場合、バー８００は、流体が流体吐出ダイ８０４により一定量供給されるべき対象８０２の幅に、バー８００が及ぶことを可能にする幅Ｗを有する。流体吐出ダイ８０４は、ＡＬＤベースのパッシベーション層を含むことができる。
更なる例において、ＡＬＤベースのパッシベーション層を含む流体吐出デバイス（例えば、プリントヘッド）は、流体が流体吐出デバイスにより一定量供給されるべき対象を支持する対象支持構造体に対して移動可能であるキャリッジ上に搭載され得る。
上記の説明において、本明細書に開示された主題の理解を提供するために、多くの細部が説明されている。しかしながら、具現化形態は、これらの細部の幾つかを用いずに実施され得る。他の具現化形態は、上述された細部からの変更態様および変形態様を含むことができる。添付の特許請求の範囲は、係る変更態様および変形態様を網羅することが意図されている。

Claims (14)

  1. 流体吐出デバイスを形成する方法であって、
    基板上に熱抵抗器を形成し、
    前記熱抵抗器の上に窒化物層を形成し、
    ２５０℃より高い温度で原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて前記窒化物層の上に酸化物層を形成し、前記窒化物層および前記酸化物層が、前記熱抵抗器を保護するためのパッシベーション層を構成し、
    エッチング化学薬品の存在下で前記酸化物層をエッチングして酸化物層をパターン形成することを含む、方法。
  2. 前記エッチング化学薬品が、フッ化水素酸化物またはアンモニアフッ化物を含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記酸化物層は、１．４ｎｍ（１４Å）／分未満の酸化物エッチ速度、１ｎｍ（１０Å）／分未満の酸化物エッチ速度、０．８ｎｍ（８Å）／分未満の酸化物エッチ速度、０．５ｎｍ（５Å）／分未満の酸化物エッチ速度、０．４ｎｍ（４Å）／分未満の酸化物エッチ速度、０．２ｎｍ（２Å）／分未満の酸化物エッチ速度、又は０．１ｎｍ（１Å）／分未満の酸化物エッチ速度を有する、請求項１又は２に記載の方法。
  4. 前記酸化物層を形成することが、２７０℃より高い温度で又は約３００℃の温度でＡＬＤを使用する、請求項１～３の何れか１項に記載の方法。
  5. 前記窒化物層を形成することは、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）を用いて窒化物層を形成することを含む、請求項１～４の何れか１項に記載の方法。
  6. 前記酸化物層を形成することが、窒化物層が形成される温度より高い温度でＡＬＤを使用する、請求項１～５の何れか１項に記載の方法。
  7. 前記ＡＬＤを用いて前記酸化物層を形成することが、金属酸化物層を形成することを含む、請求項１～６の何れか１項に記載の方法。
  8. 前記金属酸化物層の金属酸化物が、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸化セシウム、酸化ニオブ、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化アルミニウムチタン、及び酸化タンタルハフニウムの中から選択される、請求項７に記載の方法。
  9. 前記窒化物層を形成することが、窒化ケイ素層を形成することを含む、請求項１～８の何れか１項に記載の方法。
  10. 前記酸化物層を形成することが、５ｎｍ（５０Å）の厚さから２５ｎｍ（２５０Å）未満の厚さの範囲内の厚さ、又は１０ｎｍ（１００Å）の厚さから２０ｎｍ（２００Å）未満の厚さの範囲内の厚さを有する酸化物層を形成することを含む、請求項１～９の何れか１項に記載の方法。
  11. 窒化物層を形成することが、４０ｎｍ（４００Å）から８０ｎｍ（８００Å）の範囲内の厚さ、又は４０ｎｍ（４００Å）から６０ｎｍ（６００Å）の範囲内の厚さを有する窒化物層を形成することを含む、請求項１～１０の何れか１項に記載の方法。
  12. 前記酸化物層の厚さが、前記窒化物層の厚さより小さい、請求項１～１１の何れか１項に記載の方法。
  13. 前記パッシベーション層の上に金属層を形成することを更に含む、請求項１～１２の何れか１項に記載の方法。
  14. 流体吐出チャンバを含むためのチャンバ層を、前記金属層の上に形成することを更に含む、請求項１３に記載の方法。に記載の方法。

JP2021180868A 2017-01-31 2021-11-05 流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層 Pending JP2022010071A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021180868A JP2022010071A (ja) 2017-01-31 2021-11-05 流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2017/015706 WO2018143908A1 (en) 2017-01-31 2017-01-31 Atomic layer deposition oxide layers in fluid ejection devices
JP2019519667A JP2019532842A (ja) 2017-01-31 2017-01-31 流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層
JP2021180868A JP2022010071A (ja) 2017-01-31 2021-11-05 流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019519667A Division JP2019532842A (ja) 2017-01-31 2017-01-31 流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022010071A true JP2022010071A (ja) 2022-01-14

Family

ID=63040232

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019519667A Pending JP2019532842A (ja) 2017-01-31 2017-01-31 流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層
JP2021180868A Pending JP2022010071A (ja) 2017-01-31 2021-11-05 流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019519667A Pending JP2019532842A (ja) 2017-01-31 2017-01-31 流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190263125A1 (ja)
EP (1) EP3519196A4 (ja)
JP (2) JP2019532842A (ja)
CN (1) CN110023088B (ja)
WO (1) WO2018143908A1 (ja)

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11240157A (ja) * 1997-12-18 1999-09-07 Canon Inc インクジェット記録ヘッド、該ヘッド用基板、該基板の製造方法及びインクジェット記録装置
US6273555B1 (en) * 1999-08-16 2001-08-14 Hewlett-Packard Company High efficiency ink delivery printhead having improved thermal characteristics
JP2003332297A (ja) * 2002-05-10 2003-11-21 Daikin Ind Ltd エッチング液及びエッチング方法
JP2007317704A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置
JP2008296572A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Samsung Electronics Co Ltd インクジェットプリントヘッド及びその製造方法
JP2009062606A (ja) * 2007-09-10 2009-03-26 Seiko Epson Corp マスクの製造方法およびマスク製造装置
JP2013140956A (ja) * 2011-12-12 2013-07-18 Power Integrations Inc Ｉｎ−Ｓｉｔｕ成長させたゲート誘電体およびフィールドプレート誘電体
JP2014165494A (ja) * 2013-02-22 2014-09-08 Imec 半導体上の酸素単原子層
JP2014170934A (ja) * 2013-02-28 2014-09-18 Power Integrations Inc ヘテロ構造パワートランジスタおよびヘテロ構造半導体装置を作製する方法
WO2016122584A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Hewlett Packard Development Company, L.P. Atomic layer deposition passivation for via
JP2016143843A (ja) * 2015-02-04 2016-08-08 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US20180001636A1 (en) * 2015-03-12 2018-01-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printhead structure

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7025894B2 (en) * 2001-10-16 2006-04-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fluid-ejection devices and a deposition method for layers thereof
KR100429844B1 (ko) * 2001-10-25 2004-05-03 삼성전자주식회사 일체형 잉크 젯 프린트헤드 및 그 제조방법
KR101155991B1 (ko) * 2007-06-27 2012-06-18 삼성전자주식회사 잉크젯 화상형성기기의 헤드칩 및 그 제조방법
KR20090008022A (ko) * 2007-07-16 2009-01-21 삼성전자주식회사 잉크젯 프린트 헤드 및 그 제조방법
US7837886B2 (en) * 2007-07-26 2010-11-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Heating element
JP5311975B2 (ja) * 2007-12-12 2013-10-09 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッド用基体及びこれを用いる液体吐出ヘッド
WO2009134225A1 (en) * 2008-04-29 2009-11-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printing device
CN102333656B (zh) * 2009-02-24 2015-04-08 惠普开发有限公司 打印头及其制造方法
US8376523B2 (en) * 2010-04-21 2013-02-19 Lexmark International, Inc. Capping layer for insulator in micro-fluid ejection heads
JP5740469B2 (ja) * 2010-04-29 2015-06-24 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー．Ｈｅｗｌｅｔｔ‐Ｐａｃｋａｒｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙ， Ｌ．Ｐ． 流体噴射装置
US8567909B2 (en) * 2011-09-09 2013-10-29 Eastman Kodak Company Printhead for inkjet printing device
US8840981B2 (en) * 2011-09-09 2014-09-23 Eastman Kodak Company Microfluidic device with multilayer coating
WO2013055349A1 (en) * 2011-10-14 2013-04-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Resistor
US8727499B2 (en) * 2011-12-21 2014-05-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Protecting a fluid ejection device resistor
US9016836B2 (en) * 2013-05-14 2015-04-28 Stmicroelectronics, Inc. Ink jet printhead with polarity-changing driver for thermal resistors
CN108136776B (zh) * 2015-10-30 2020-08-11 惠普发展公司，有限责任合伙企业 流体喷射设备
WO2018057028A1 (en) * 2016-09-26 2018-03-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin film stacks
US10186420B2 (en) * 2016-11-29 2019-01-22 Asm Ip Holding B.V. Formation of silicon-containing thin films

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11240157A (ja) * 1997-12-18 1999-09-07 Canon Inc インクジェット記録ヘッド、該ヘッド用基板、該基板の製造方法及びインクジェット記録装置
US6273555B1 (en) * 1999-08-16 2001-08-14 Hewlett-Packard Company High efficiency ink delivery printhead having improved thermal characteristics
JP2003332297A (ja) * 2002-05-10 2003-11-21 Daikin Ind Ltd エッチング液及びエッチング方法
JP2007317704A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置
JP2008296572A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Samsung Electronics Co Ltd インクジェットプリントヘッド及びその製造方法
JP2009062606A (ja) * 2007-09-10 2009-03-26 Seiko Epson Corp マスクの製造方法およびマスク製造装置
JP2013140956A (ja) * 2011-12-12 2013-07-18 Power Integrations Inc Ｉｎ−Ｓｉｔｕ成長させたゲート誘電体およびフィールドプレート誘電体
JP2014165494A (ja) * 2013-02-22 2014-09-08 Imec 半導体上の酸素単原子層
JP2014170934A (ja) * 2013-02-28 2014-09-18 Power Integrations Inc ヘテロ構造パワートランジスタおよびヘテロ構造半導体装置を作製する方法
WO2016122584A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Hewlett Packard Development Company, L.P. Atomic layer deposition passivation for via
JP2016143843A (ja) * 2015-02-04 2016-08-08 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US20180001636A1 (en) * 2015-03-12 2018-01-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Printhead structure

Also Published As

Publication number Publication date
US20190263125A1 (en) 2019-08-29
CN110023088A (zh) 2019-07-16
EP3519196A4 (en) 2020-06-10
JP2019532842A (ja) 2019-11-14
EP3519196A1 (en) 2019-08-07
WO2018143908A1 (en) 2018-08-09
CN110023088B (zh) 2021-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5179510B2 (ja) 液体チャンバが改善された液滴排出装置
US6786575B2 (en) Ink jet heater chip and method therefor
US9623655B2 (en) Liquid discharge head and method for manufacturing the same
WO2005118298A2 (en) Resistor protective layer for micro-fluid ejection devices
TWI598459B (zh) 用於通孔的原子層沉積鈍化技術
JP2008168631A (ja) インクジェットプリントヘッド用発熱構造体とその製造方法及びそれを備えたインクジェットプリントヘッド
CN106068186B (zh) 流体喷射结构
US20080002000A1 (en) Protective Layers for Micro-Fluid Ejection Devices and Methods for Depositing the Same
KR19990023939A (ko) 잉크-젯 프린트헤드와 그 제조 방법
JP2004025862A (ja) インクジェットプリンタヘッド及びその製造方法
JP2022010071A (ja) 流体吐出デバイスの原子層堆積酸化物層
JP5052295B2 (ja) シリコンエッチングによるサーマルインクジェットプリントヘッドの処理加工
JP2004237732A (ja) インクジェットプリントヘッド及びその製造方法
US10449762B2 (en) Fluid ejection device
US20070030313A1 (en) Heater of inkjet printhead, inkjet printhead having the heater and method of manufacturing the inkjet printhead
US10654270B2 (en) Printhead comprising a thin film passivation layer
US8409458B2 (en) Process for reactive ion etching a layer of diamond like carbon
JP6976743B2 (ja) 液体吐出ヘッド用基板、液体吐出ヘッド、液体吐出装置、導電層の形成方法、及び液体吐出ヘッド用基板の製造方法
JP2005254815A (ja) インクジェットヘッド基板，インクジェットヘッド基板の製造方法およびインクジェットヘッド
JP2004203049A (ja) インクジェットプリントヘッド及びその製造方法
JP5744549B2 (ja) インクジェット記録ヘッドおよびインクジェット記録ヘッドの製造方法
KR20050072523A (ko) 잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법
KR20060067755A (ko) 잉크젯 프린트 헤드의 제조방법
KR20060067754A (ko) 잉크젯 프린트 헤드의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211105

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230110

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20230801