CN106068186B - 流体喷射结构 - Google Patents
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Abstract
流体喷射结构可以包括热敏电阻器、衬底、位于衬底上的层，其中所述层可以包括接近电阻器的具有减小的场氧化物的区。
Description
背景技术
流体喷射结构基于输入数字数据来分配液滴。典型的流体喷射结构包括位于喷嘴板中以分配流体的喷嘴阵列。喷嘴阵列可以被布置在相对高的分辨率下以能够在高精确度下分配。一些流体喷射结构被提供有位于喷嘴附近以使流体喷射出喷嘴的热敏电阻器。为了利用热敏电阻器产生点火事件，电流穿过电阻器，这使电阻器附近的流体的薄层快速加热并蒸发。液体到蒸汽转变在点火室中的流体的主体附近产生膨胀气泡并且通过喷嘴将液滴喷射出。绝缘氧化物层通常存在于电阻器之下，以便于朝着点火室中的流体引导热。
附图说明
为了说明的目的，现在将参考附图描述根据本公开内容所构建的某些示例，在附图中：
图1示出了流体喷射结构的横截面的示意图；
图2示出了流体喷射结构的另一个示例的横截面的示意图；
图3示出了流体喷射结构的另一个示例的横截面的示意图；
图4示出了流体喷射结构的另一个示例的横截面的示意图；以及
图5示出了流体喷射结构的又一个示例的横截面视图；以及
图6示出了流体喷射结构的再一个示例的横截面视图。
具体实施方式
在以下具体实施方式中，参考附图。在说明书和附图中的示例应被认为是说明性的，并且不是要局限于所描述的具体示例或元件。可以通过对不同元件的修改、组合或变化从以下具体实施方式和附图中得到多个示例。
在本公开内容中，将讨论流体喷射结构。典型的流体喷射结构是打印头。本公开内容的流体喷射结构可以形成集成打印头墨盒或者固定或半永久打印机打印头的部分。典型的流体包括油墨。另外的示例性流体喷射结构包括三维打印机和高精度数字滴定设备的打印头。另外的示例性流体包括三维打印流体，例如三维打印制剂，其包括粉末结合增强剂和抑制剂以及用于数字滴定(例如用于测试、组成和/或定剂量制药、生物医学、科学或法医学应用)的流体。流体喷射结构可以是完成的设备的部分或可以形成中间产品。本公开内容的流体喷射结构被提供有热敏电阻器以喷射液滴。在一个示例中，电阻器是热喷墨(TIJ)电阻器。电阻器可以在任何高精度分配应用(例如，二维打印、三维打印和数字滴定)中使用。
流体喷射结构可以包括设置在衬底或导电电路之上的至少一个氧化物层。氧化物层具有电和热绝缘特性。在热敏电阻器附近的氧化物层可以在点火事件期间使热敏电阻器热绝缘，从而便于快速和能量有效的点火事件。这可以导致电阻器的低接通能量。
当适当的电流被施加到电阻器时，电阻器和具有电阻器的界面附近的流体快速变热，例如施加大约0.02到200微秒的脉冲宽度范围，其中时间的量可以取决于电阻器电阻、电阻器尺寸、高宽比、流体类型、液滴尺寸和电阻器间距。在电阻器附近的流体转变为蒸汽并产生膨胀气泡。生长的蒸汽气泡使液体中的一些强制流出液滴喷射喷嘴，从而产生经喷射的液滴。在这样的点火事件之后，由蒸汽气泡引起的局部压力减小。这个事件可被称为气泡破裂。在气泡破裂期间，存在于附近流体馈送槽中的新流体被抽回到点火室中。在点火事件期间，如果电阻器被充分冷却下来，则嘶嘶声效应或小规模再沸腾可以通过流回到点火室中、到热电阻器表面上的流体出现。在流体是油墨的情况下，有时可以出现以油墨形式的固体沉积在电阻器上或附近，这可能产生可消极地影响电阻器和喷嘴的性能的热抑制膜。例如，如果流体与热电阻器反复地发生接触则电阻器或其保护层(例如钽)可以更易于氧化。另外，在升高的温度下花费更多的时间可能对电阻器有消极影响，例如较短的功能电阻器寿命。电阻器或流体的其它化学和物理特性也可能受到缓慢的冷却消极地影响。因此，电阻器的更快冷却可以防止以上所提及的消极影响中的一些影响。尽管在电阻器附近的绝缘氧化物层在点火时便于较低的接通能量，太多的绝缘可以在点火之后减慢对电阻器的冷却。
图1概略地示出了横截面前视图中的流体喷射结构1的一部分的示例的横截面。流体喷射结构1包括热敏电阻器3。本公开内容的流体喷射结构1被提供有热敏电阻器3的阵列。例如，热敏电阻器3被布置在至少一个线性阵列(例如，多个平行的线性阵列)中。线性阵列可以具有每英寸至少大约300个电阻器、每英寸至少大约590个电阻器(例如，每英寸大约600个喷嘴)的间距。
每个热敏电阻器3可以设置在相应的点火室5中或附近。热敏电阻器3设置在至少一个薄膜层7上。至少一个层7设置在衬底9上。流体馈送槽11被提供为靠近电阻器3和至少一个层7。流体馈送槽11将流体馈送到点火室5。
至少一个层7包括至少一个氧化物层。至少一个氧化物层可以包括场氧化物层13。至少一个层7可以被划分成两个区15、17。至少一个层7的在电阻器3与衬底9之间的区15在本文中被称为散热区15。靠近散热区15的区在本文中被称为相邻区17。如本公开内容中将解释的，由层7增强的散热可以出现在散热区15中。散热还可以出现在散热区15之外，虽然是在较小的程度上。在操作状态中，流体喷射结构1沿着向下的方向喷射液滴，从而使散热区15在电阻器3的顶部上延伸。在图1中，散热区15直接在电阻器3之下延伸。例如，图1的流体喷射结构位于可以用于说明的目的的制造或运输方位上。散热区15可以被限定为限定电阻器3和衬底9之间的最短距离的层区，其可以通过将热敏电阻器3投射到层7上、直接到衬底9上来示出，如由虚线指示的。相邻层区17位于散热区15旁边。在所示示例中，相邻层区17设置在与流体馈送槽11相对的散热区15的侧上。在散热区15的另一侧上，设置了层7的槽区23。槽区23位于流体馈送槽11的边上。散热区15可以中心地位于电阻器之下/之上，并且可以具有比相邻区17和槽区23更少的氧化物绝缘层存在或更小的总氧化物厚度。
在所示横截面中，场氧化物层13、13A设置在衬底9之上。具有第一厚度T的场氧化物层13设置在相邻层区17中的衬底9之上。在散热区15中，场氧化物相对于相邻区减小。在一个示例中，存在场氧化物层13A的散热区15具有减小的厚度T2。在另一个示例中，散热区15没有场氧化物。在本公开内容中，“减小的场氧化物”指的是在散热区15中少于相邻区的任何场氧化物的特征，其具有在大约0％与80％、0％与70％、0％与60％、0％与50％、0％与40％、0％与30％、或0％与20％之间的厚度T2或相邻厚度T。当减小的场氧化物是相邻厚度的0％时，散热区15没有场氧化物。在其它示例中，场氧化物13A被减小到在相邻厚度T的20％与80％之间。减小的但不完全省略的场氧化物层13A的示例由虚线指示。
例如，使用可以在施加相应的条形、矩形或圆形掩模之后包括蚀刻的适当的硅处理技术来减小场氧化物的条形、矩形或圆形场。在一个示例中，沉积氮化硅(SiN)膜、光图案化和蚀刻，并且随后在SiN膜不存在的地方生长场氧化物。例如，SiN膜存在于散热区15中。随后SiN被蚀刻，并且场氧化物保留在相邻层区17中。在另一个示例中，场氧化物跨过散热区15以及相邻区和槽区17、23生长，但以后在散热区15中和在槽区23中被蚀刻到较薄的层13A。
在附图中，具有第一厚度T的场氧化物层13在散热区15的边缘处终止。在其它示例中，场氧化物层13可以仅在散热区15之外或仅在散热区15内终止，只要衬底9的至少一部分不受散热区15中的场氧化物层13的影响。场氧化物13还设置在槽区23中的衬底9之上。在附图中，槽区23中的场氧化物13沿着流体馈送槽11终止。在层7已经设置在衬底9上之后，馈送槽11可以被蚀刻穿过层7。散热区15中的总计的氧化物层的平均厚度可以比相邻层区17和槽区23中的总计的氧化物层的平均厚度薄。
可以发现的是可以在散热区15中去除或省略电阻器3附近的一些氧化物以允许电阻器在流体被抽到点火室5中之前相对快速地冷却下来，同时在点火事件期间维持足够的绝缘，即，实质上不影响接通能量。场氧化物13除了是电绝缘体以外还具有相对高的热绝缘特性。通过减小散热区中的场氧化物厚度，热可以更快速地逸出到衬底9。通过增强的散热，可以抑制慢电阻器冷却的消极影响。在不同的示例中，减小电阻器3附近的场氧化物可以提高电阻器寿命、电阻器可靠性以及喷嘴健康状况而实质上不影响电阻器3的接通能量。在另一个示例中，因为电阻器3更快速地冷却下来，相对宽的范围的流体可以由流体喷射结构1喷射。
图2概略地示出了另一个横截面中的流体喷射结构101的另一个示例。例如，图2的一部分Ⅰ对应于图1的示意图。在示例中，图2的流体喷射结构101形成打印头的部分。流体喷射结构101包括流体馈送槽111、点火室105和喷嘴板119中的喷嘴121。流体馈送槽111打开到两个点火室105中，点火室105打开到喷嘴121中。热敏电阻器103被提供在点火室105中的每个点火室中以使流体喷射出喷嘴121。额外的层(例如，碳化硅、氮化硅和/钽)可以覆盖每个电阻器103以提供保护而免受化学和物理攻击以及在制造期间的电隔离和免受油墨和点火事件。
电阻器103由衬底109上的相应的层叠置体107支撑。流体馈送槽111贯穿层叠置体107和衬底109。层叠置体107包括场氧化物层113。如所示的，与相邻层区中的未减小的场氧化物113相比较，在接近电阻器103的层区中的场氧化物减小。在所示示例中，接近电阻器103的场氧化物减小到零。在另一个示例(未示出)中，一些场氧化物存在于电阻器103附近，具有相对于相邻层区中的场氧化物层113的厚度减小的厚度。
图3示出了包括流体喷射结构201的集成打印头墨盒200的示意图。墨盒200还可以包括用于向流体馈送槽211供应流体的流体储液器。图3的流体喷射结构201可以对应于图2的流体喷射结构的横截面Ⅲ-Ⅲ。流体喷射结构201包括热敏电阻器203的线性阵列227，每个热敏电阻器203设置在至少一个相应喷嘴附近。因为热敏电阻器203在这个横截面中不被直接暴露，所以用虚线指示热敏电阻器203。在所示示例中，沿着单个流体馈送槽211提供了线性电阻器203的两个平行的线性阵列227。喷嘴在这个横截面中也是不可见的并且被布置在相应的线性阵列中。例如，可以提供多个流体馈送槽211和双倍数量的平行电阻器阵列227。例如，在一个集成打印头墨盒中可以提供多个彩色储液器，其中每个彩色储液器流体地连接到至少一个流体馈送槽211。
在一个示例中，热敏电阻器和/或喷嘴阵列具有每英寸至少大约300个电阻器203和/或喷嘴的间距。在另一个示例中，热敏电阻器和/或喷嘴阵列可以具有每英寸至少大约590个电阻器203和/或喷嘴、例如每英寸至少大约600个电阻器203和/或喷嘴、例如每英寸至少大约600个电阻器203和/或喷嘴的间距。在再一些其它示例中，间距可以高达每英寸大约2400个电阻器203和/或喷嘴。
流体馈送槽211设置在电阻器阵列227之间并平行于电阻器阵列227。流体馈送槽211从储液器接收流体。场氧化物层213在流体馈送槽211的两侧上延伸，终止于流体馈送槽211。流体馈送槽211可以被蚀刻穿过所述层(在其沉积之后)。流体氧化物213在接近每个电阻器阵列227的、位于电阻器203与衬底之间的散热区215附近减小。场氧化物213在电阻器203的两侧上(例如在沿着流体馈送槽211的槽区223中和在散热区215的相对侧处的相邻区217中)延伸。
在所示示例中，连续减小的场氧化物条状物229跨越电阻器阵列227，延伸穿过每个电阻器203的每个散热区215。每个减小的场氧化物条状物229可以没有场氧化物或与具有未减小的场氧化物的相邻层区相比较可以具有更少的场氧化物。在流体馈送槽211的两侧处，减小的场氧化物条状物229平行于流体馈送槽211延伸。在一个示例中，通过首先沉积并图案化氮化硅(SiN)膜来图案化场氧化物，从而使SiN跨越电阻器阵列227。场氧化物随后在SiN不存在的地方生长，并且SiN被蚀刻掉。因此，矩形减小的场氧化物条状物229可以被限定为允许更好的散热。
图4示出了流体喷射结构301的横截面的另一个示例的示意图。流体喷射结构301包括设置在层叠置体307之上的热敏电阻器303，进而使层叠置体307设置在衬底309之上。在所示横截面部分中，在对层叠置体307的沉积之后层叠置体307和衬底309终止于流体馈送槽311，流体馈送槽311已经被蚀刻穿过层叠置体307。层叠置体307包括接近电阻器303的散热区315，如由图4中的虚线所指示的，通过将电阻器303投射到层叠置体307之上、直接到衬底309上来限定散热区315。槽区323在散热区315的散热区315与流体馈送槽311之间的一侧处延伸，并且相邻层区317在散热区315的相对侧上延伸。
层叠置体307包括离衬底309至少一个层的距离的至少一个氧化物层335。在示例中，氧化物层335不是场氧化物层313。氧化物层335分别延伸穿过相邻区、接近区和槽区317、315、323，并且终止于流体馈送槽311。流体馈送槽311被蚀刻穿过层307并从而限定场氧化物层313和氧化物层335的终止点。氧化物层335使电阻器303电和热地绝缘。层叠置体307包括导电层337。氧化物层335设置在导电层337之上。导电层337包括金属部件或可以实质上由金属部件组成。导电层337延伸穿过相邻层区317并至少部分地在散热区315中延伸。在示例中，导电层337跨越整个散热区315。导电层337可以是电源布线电路的部分。导电层337可以具有导热特性，从而使其适当的作为散热材料。导电层337可以起电阻器303的散热的作用以在点火事件之后进行冷却。
场氧化物313、313A设置在衬底309之上。在散热区315中省略或从衬底309去除场氧化物313的至少一部分。在一个示例中，衬底309在散热区315中没有场氧化物。在另一个示例中，如由虚线所指示的，相对于相邻区317具有减小的氧化物厚度的减小的场氧化物层313A被提供在散热区315中。通过局部地去除场氧化物313，在点火之后，热可以穿过导电层337和衬底309逸出，同时氧化物层335为脉冲/点火事件的持续时间提供足够的绝缘。
图5示出了示例性流体喷射结构401的横截面。流体喷射结构401包括衬底409和位于衬底409之上的层叠置体407。热敏电阻器材料层441设置在层叠置体407的顶部上。在一个示例中，热敏电阻器材料层441包括钨-硅-氮化物(WSiN)。热敏电阻器材料层441的有源部分403从此以后被称为电阻器403。可以通过例如在近似直角下将电阻器403投射到衬底409上来限定电阻器403与衬底409之间的散热区415。相邻层区417在流体馈送槽411的相对侧处、靠近散热区415延伸。槽区423覆盖位于散热区415与流体馈送槽411之间的层叠置体区。
热敏电阻器材料层441相应地设置在第一和第二导电层443、445之上。第一和第二导电层443、445是电阻器电源线以在电阻器材料层441的有源电阻器部分403之上施加电压。在图示中，第一和第二导电层443、445是同一层，电阻器403所位于的层443的部分被去除。在示例中，第一和第二导电层443、445包括铝-铜(AlCu)合金。第一和第二导电层443、445在电阻器403的相对侧上延伸。电阻器403和第一和第二导电层443、445设置在第一氧化物层435之上。第一氧化物层435包括四乙基原硅酸盐(TEOS)和/或高密度等离子体TEOS。第一氧化物层435在相邻层区417、散热区415和槽区423中延伸。第一氧化物层435终止于流体馈送槽411。第一氧化物层435设置在第三导电层437之上。第三导电层437包括金属部件。在示例中，第三导电层437包括钛(Ti)、氮化钛(TiN)和AlCu。第三导电层437可以是电源布线电路(例如，电源接地或电源电路)的部分。第三导电层437从相邻层区417延伸到散热区415中。在所示示例中，第三导电层437在槽区423中的散热区415之外、在离流体馈送槽411的一段距离处终止。在槽区423中，第一氧化物层435和场氧化物413使第三导电层437与流体馈送槽411中的流体隔离。第三导电层437设置在第二氧化物层447之上。在示例中，第二氧化物层447包括TEOS和硼磷硅酸盐(BPSG)。在所示示例中，第二氧化物层447在相邻层区417中延伸和终止。散热区415没有第二氧化物层447。第二氧化物层447设置在场氧化物层413之上。场氧化物层413覆盖衬底409。在这个示例中，场氧化物层413在相邻层区417中和在槽区423中延伸。在这个示例中，场氧化物层413相应地在相邻区和槽区417、423中的散热区415之外终止。衬底409不受到散热区415中的场氧化物的影响。栅极层449设置在散热区415中的衬底409之上，跨越散热区415。栅极层449可以包括多晶硅和栅极氧化物。多晶硅可以表现为保护性蚀刻停止层，同时栅极氧化物提供电绝缘。栅极层449终止于相邻层区417和槽区423。栅极层449部分地设置在场氧化物层413之上、在相邻层区417中、在一个边缘附近和部分地在场氧化物层413之上、在槽区423中、在相对的边缘附近。第三导电层437设置在相邻层区417、散热区415和槽区423的部分中的栅极层449之上。第二氧化物层447和栅极层449可以使第三导电层437与场氧化物层413和衬底409绝缘。
衬底409可以包括具有增加的电阻的掺杂n阱区433，其提供位于导电衬底409与第三导电层437之间的额外电隔离。这样的n阱区433可以电连接到接地电源或是电浮动的。一个掺杂的n阱区433跨越散热区415。例如，掺杂的n阱区433从相邻层区417延伸到散热区415中和槽区423中，终止于相邻层区415中的一个边缘和槽区423中的相对边缘。掺杂的n阱区433跨越整个表面，其中栅极层449设置在衬底409上，边缘终止于相应的场氧化物层413。
P阱区431被提供在n阱区433的两侧处。场氧化物413可以被设置在p阱区431之上。例如，p阱区431延伸，其中场氧化物层413和另一个氧化物层435、447堆叠在衬底409之上。例如，在相邻层区417中，p阱区431存在，其中场氧化物层413和第二氧化物层447堆叠在衬底409之上。例如，在槽区423中，其它p阱区431存在，其中场氧化物层413和第一氧化物层435堆叠在衬底409之上。
n阱区433使第三导电层437与p阱区431电隔离。为了进一步增强第三导电层437的电隔离，在相邻层区417中，第二氧化物层447终止于栅极层449，并且栅极层449终止于场氧化物层413上和第二氧化物层447之下。在相对侧，在槽区423中，栅极层449终止于场氧化物层413上，而n阱区433更进一步终止于槽区423中。
示例性流体喷射结构401可以提供适当的点火事件-绝缘和点火事件后冷却。第一氧化物层435在点火事件期间使电阻器403热绝缘，而所去除和减小的第二氧化物层447和减小的场氧化物层在点火后允许热传送到衬底409。第三导电层437帮助将热传导到衬底409。
图6示出了另一个示例性流体喷射结构501的横截面的示意图。流体喷射结构501包括衬底509和位于衬底509之上的层叠置体507。热敏电阻器503被提供在层叠置体507的顶部上，例如作为热敏电阻器材料层(未示出)的部分，并且连接到电源线以将电压施加在电阻器503之上。可以通过例如在近似直角下将电阻器503投射到衬底509上来限定电阻器503与衬底509之间的散热区515。相邻层区517在流体馈送槽511的相对侧处靠近散热区515延伸。槽区523覆盖位于散热区515与流体馈送槽511之间的层叠置体区。
电阻器503设置在第一氧化物层535之上。第一氧化物层535在相邻层区517、散热区515和槽区523中延伸。第一氧化物层535终止于流体馈送槽511，其中流体馈送槽511在沉积层507之后被蚀刻穿过层507。第一氧化物层535设置在导电层537之上。导电层537可以是电源布线电路(例如电源接地或电源电路)的部分。导电层537从相邻层区517延伸到散热区515中。在所示示例中，导电层537在槽区523中的散热区515之外、在离流体馈送槽511的一段距离处终止。在槽区523中，第一氧化物层535使导电层537与流体馈送槽511中的流体隔离。导电层537设置在第二氧化物层547之上。在所示示例中，第二氧化物层547在相邻层区517中延伸并终止。散热区515没有第二氧化物层547。第二氧化物层547设置在场氧化物层513、513A之上。
场氧化物层513覆盖衬底509。在这个示例中，氧化物层513在相邻层区517、散热区515中和在槽区523中延伸。在相邻层区517中，场氧化物层513具有第一厚度T。在散热区515和槽区523中，场氧化物层513A具有相对于第一厚度T减小的厚度T2。在所示示例中，减小的场氧化物层513A延伸到相邻层区517中，在第二氧化物层547终止的点处终止于散热区515之外。在槽区523中，减小的场氧化物层513A终止于流体馈送槽511。减小的场氧化物层513A具有未减小的厚度T1的大约70％或更小、或大约60％或更小、或大约50％或更小、或大约40％或更小的厚度T2。此处，在散热区515中的衬底之上没有提供栅极层或蚀刻停止层。衬底509包括与散热区515重叠并延伸到相邻层区517和槽区523中的掺杂的p阱区533。例如，p阱区533沿着整个减小的场氧化物层513A和在此之外延伸。
在示例中，流体喷射结构501不具有作为保护性蚀刻停止的多晶硅。干法蚀刻过程可以用于去除预先暴露的或经图案化的第二氧化物层547。例如，当第二氧化物层547被蚀刻以清除第二氧化物层547的部分时，场氧化物暴露于要清除第二氧化物层547的相同蚀刻过程，从而对未被任何多晶硅保护的场氧化物进行蚀刻并减薄。在这个最终蚀刻之后，靠近第二氧化物层547的场氧化物513的厚度T2可以是原始场氧化物厚度T的80％或更小、70％或更小、60％或更小、50％或更小、40％或更小、30％或更小、或20％或更小。在示例中，减小的场氧化物层513A具有介于相邻厚度T的大约20％和大约80％之间的厚度T2。在示例中，减小的场氧化物层513A终止于与第二氧化物层547大约相同的点处。因此，减小的场氧化物层513A从第二氧化物层547的端点一直延伸到流体馈送槽511。减小的场氧化物层513A减小，以便于足够厚以致于提供在导电层537与衬底509之间的电隔离。因此，在减小的场氧化物层513A之下不需要n阱掺杂区531。
示例性流体喷射结构501可以提供适当的点火事件-绝缘和点火事件后冷却。第一氧化物层535在点火事件期间使电阻器503热绝缘，同时减小的第二氧化物层547和场氧化物513A在点火后允许热传送到衬底509。导电层537和减小的场氧化物513A帮助将热传导到衬底509。
在本公开内容中所描述的不同示例中，在电阻器附近的氧化物层足够厚以致于在点火事件的持续时间期间绝缘，并且足够薄以致于允许散热到衬底以在点火之后并在被吹出点火室之后流体重新填充点火室之前将电阻器冷却下来。在本公开内容的不同示例中，热和冷事件出现在使用小于1毫秒一直到几(数十)毫秒的脉冲宽度范围时。在本公开内容的不同示例中，所有层厚度可以在大约10到大约2000nm的范围内。例如，场氧化物层可以具有在大约200与大约1000nm之间、例如在大约400与大约700nm之间的厚度。
可以通过使用适当的集成电路(IC)晶片制造技术(例如阻止场氧化物生长的图案化膜或光刻法和干法或湿法蚀刻技术)来沉积并减小场氧化物。在不同的示例中，减小的场氧化物层厚度T2可以在相邻厚度T的大约0与80％之间。例如，场氧化物的减小的厚度在被完全省略时是0％(例如，防止生长)或在只部分地被去除时高于0％，例如高达20％、30％、40％、50％、60％、70％或80％。其它层可以被设置或省略以提供足够鲁棒的电绝缘和隔离或在结构的制造期间提供化学或物理蚀刻停止。示例性流体结构的增强的热性能可以至少在一些程度上抑制热驱动问题，问题包括电阻器的钽保护层的化学或物理降级和在电阻器上对污染物的沉积。可以得到执行得更好且更长的电阻器，并且可以使用本公开内容的示例中的一些示例来喷射更宽泛范围的流体。
Claims (15)
1.一种流体喷射结构，包括：
处于每英寸至少300个的间距的多个热敏电阻器；
衬底；
位于所述衬底上的层，其包括：
位于每个电阻器与所述衬底之间的、接近所述电阻器的散热区；以及
靠近所述散热区的相邻区，所述相邻区包括位于所述衬底上的、具有第一厚度的场氧化物层，其中
位于所述散热区中的减小的场氧化物层具有介于所述第一厚度的0％与80％之间的减小的厚度，
位于所述电阻器中的至少一个电阻器附近的至少一个点火室，
到所述点火室的流体馈送槽，其中
所述相邻区靠近与所述流体馈送槽相对的所述散热区延伸，并且
槽区被提供在所述散热区与所述流体馈送槽之间，所述槽区包括覆盖所述衬底并且终止于流体馈送槽处的场氧化物层。
2.根据权利要求1所述的流体喷射结构，其中，至少一个热敏电阻器材料层包括所述多个热敏电阻器，其中，所述散热区和所述相邻区由堆叠在所述衬底与所述热敏电阻器材料层之间的层组成。
3.根据权利要求1所述的流体喷射结构，包括至少一个所述流体馈送槽和平行于所述流体馈送槽的至少一个热敏电阻器阵列，其中，所述减小的场氧化物层跨越整个热敏电阻器阵列。
4.根据权利要求1所述的流体喷射结构，其中：
所述相邻区包括除了所述相邻区中的所述场氧化物层之外的至少一个氧化物层，并且
所述层没有位于所述散热区中的所述氧化物层。
5.根据权利要求1所述的流体喷射结构，其中，位于所述散热区中的总计的氧化物层的平均厚度比位于所述相邻区中的总计的氧化物层的平均厚度薄。
6.根据权利要求1所述的流体喷射结构，包括导电层，所述导电层包括从所述相邻区延伸到所述散热区中的金属部件。
7.根据权利要求6所述的流体喷射结构，其中，所述导电层是电源布线电路的部分。
8.根据权利要求1所述的流体喷射结构，其中，所述散热区没有场氧化物。
9.根据权利要求8所述的流体喷射结构，包括从所述相邻区延伸到所述散热区中的导电层，其中，至少一个栅极层设置在所述衬底与所述导电层之间。
10.根据权利要求8所述的流体喷射结构，其中，所述衬底包括跨越所述散热区的n阱区。
11.根据权利要求1所述的流体喷射结构，其中，具有减小的层厚度的场氧化物被提供在所述散热区中，并且没有栅极层设置在所述散热区中。
12.根据权利要求11所述的流体喷射结构，其中，所述衬底包括跨越所述散热区的p阱区。
13.根据权利要求1所述的流体喷射结构，其中，所述相邻区还包括：
热敏电阻器材料层；
除了所述场氧化物层以外的至少两个氧化物层；以及
电源布线电路层；并且
所述散热区还包括：
至少一个与所述相邻区相比更小的氧化物层；
所述电源布线电路层；以及
栅极氧化物层。
14.一种流体喷射结构，包括：
处于每英寸至少300个的间距的多个热敏电阻器；
衬底；
位于所述衬底上的层，其包括：
位于每个电阻器与所述衬底之间的、接近所述电阻器的散热区；以及
靠近所述散热区的相邻区，所述相邻区包括位于所述衬底上的、具有第一厚度的场氧化物层，其中
位于所述散热区中的减小的场氧化物层具有介于所述第一厚度的0％与80％之间的减小的厚度，
其中，所述相邻区还包括：
热敏电阻器材料层；
除了所述场氧化物层以外的至少两个氧化物层；以及
电源布线电路层；并且
所述散热区还包括：
至少一个与所述相邻区相比更小的氧化物层；
所述电源布线电路层；以及
栅极氧化物层。
15.一种流体喷射结构，包括：
包括热敏电阻器阵列的至少一个热敏电阻器材料层，所述热敏电阻器阵列具有每英寸至少300个的间距；
衬底；以及
位于热敏电阻器材料层与所述衬底之间的至少一个氧化物层，所述至少一个氧化物层包括：
位于所述衬底之上的接近所述电阻器的区中的厚度减小的场氧化物层，其用于在点火之后增强对所述电阻器的冷却；以及
位于所述衬底之上的接近所述电阻器的区之外的厚度未减小的场氧化物层，
位于所述电阻器中的至少一个电阻器附近的至少一个点火室，
到所述点火室的流体馈送槽，以及
槽区，所述槽区被提供在所述接近所述电阻器的区与所述流体馈送槽之间，所述槽区包括覆盖所述衬底并且终止于流体馈送槽处的场氧化物层。
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