JP2021530742A - 光制御構造を形成する磁化可能な粒子及びそのような構造の製造方法 - Google Patents

光制御構造を形成する磁化可能な粒子及びそのような構造の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021530742A
JP2021530742A JP2021502472A JP2021502472A JP2021530742A JP 2021530742 A JP2021530742 A JP 2021530742A JP 2021502472 A JP2021502472 A JP 2021502472A JP 2021502472 A JP2021502472 A JP 2021502472A JP 2021530742 A JP2021530742 A JP 2021530742A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetizable particles
magnetic field
mixture
desired structure
respect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021502472A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2020018771A5 (ja
Inventor
ビー. オニール,マーク
イー. ガイデス,ゲイリー
ディー. ファム,トリ
ケイ. ニーナバー,アーロン
ディー. ジェスメ,ロナルド
ジョセフ ビー. エッケル,
シー. ドッズ,ショーン
ティー. チエン,バート
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
3M Innovative Properties Co
Original Assignee
3M Innovative Properties Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 3M Innovative Properties Co filed Critical 3M Innovative Properties Co
Publication of JP2021530742A publication Critical patent/JP2021530742A/ja
Publication of JPWO2020018771A5 publication Critical patent/JPWO2020018771A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/20Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by magnetic fields
    • B05D3/203Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by magnetic fields pre-treatment by magnetic fields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/20Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by magnetic fields
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/06Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain multicolour or other optical effects
    • B05D5/061Special surface effect
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/003Light absorbing elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0549Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising spectrum splitting means, e.g. dichroic mirrors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/06Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
    • B05D3/061Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation using U.V.
    • B05D3/065After-treatment
    • B05D3/067Curing or cross-linking the coating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/06Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain multicolour or other optical effects
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B2207/00Coding scheme for general features or characteristics of optical elements and systems of subclass G02B, but not including elements and systems which would be classified in G02B6/00 and subgroups
    • G02B2207/123Optical louvre elements, e.g. for directional light blocking
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/30Polarising elements
    • G02B5/3025Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3058Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048Encapsulation of modules
    • H01L31/0488Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02SGENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S20/00Supporting structures for PV modules
    • H02S20/20Supporting structures directly fixed to an immovable object
    • H02S20/22Supporting structures directly fixed to an immovable object specially adapted for buildings
    • H02S20/23Supporting structures directly fixed to an immovable object specially adapted for buildings specially adapted for roof structures
    • H02S20/25Roof tile elements
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52PV systems with concentrators

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

一実施形態によれば、光を制御するための光学フィルムを作製する方法であって、方法は、第1の混合物を基材上に配置することであって、第1の混合物は、第1の樹脂中に分散された第1の複数の磁化可能な粒子を含む、配置することと、第1の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも第1の磁界を回転変調することによって、第1の複数の磁化可能な粒子を、光を制御するための所望の構造に組み立てることと、第1の複数の磁化可能な粒子が所望の構造にある間に第1の樹脂をガラス化することと、を含む。

Description

本明細書は、概して、磁化可能な粒子、光を制御するための磁化可能な粒子から形成された構造、並びにそのような構造を作製する関連する装置及び方法に関するが、限定するものではない。
光制御フィルム(LCF)は、光の透過を調節するように構成された光学フィルムである。典型的なLCFは、光吸収材料で形成された複数の平行溝を有する光透過性フィルムを含む。
当該技術分野において公知のLCFは可視光を制御し、ディスプレイに利用可能な光の制御と併せて使用される。例えば、LCFは、ディスプレイ表面、画像表面、又は視認される他の表面に近接して配置され得る。観察者がフィルム表面に垂直な方向でLCFを通して画像を見る垂直入射(すなわち、0度の視野角)では、画像は視認可能である。視野角が増加するにつれて、LCFを透過する光の量は、外部視野カットオフ角度に達するまで減少し、外部視野カットオフ角度では実質的に全て(約95%超)の光が光吸収材料によって阻止され、画像はもはや視認できない。LCFは、視野角の典型的な範囲の外にいる他の観察者による観察を阻止することによって、観察者にプライバシーを提供する。
元来、LCFは、重合性樹脂をポリカーボネート基材上で成形及び紫外線硬化することによって調製することができる。このようなLCFは、商標名「3M(商標)Privacy Filters for Notebook Computers and LCD Monitors」にて、3M Company(St.Paul,MN)から市販されている。これらの形成プロセスは、労力の集中を要し、かつ費用を要する場合がある。
本開示は、LCFの一部として使用することができる磁化可能な粒子に関する。磁化可能な粒子を、磁界を使用して樹脂中で互いに対して配置、整列、及び/又は配向させて、光を制御するための所望の構造を形成することができる。
従来のLCFに関連するプロセシング及びコストを考慮すると、本発明者らは、LCFが、とりわけ、より低いコストで所望の構造に構成できる磁化可能な粒子の使用から利益を得ることができることを認識した。したがって、本発明者らは、磁界を変化させて、磁化可能な粒子の互いに対する配向、位置、及び/又は整列を制御して所望の構造を形成するプロセス及び装置を開発した。より具体的には、本発明者らは、磁化可能な粒子に対して回転変調することによって変化するとき、印加された磁界を使用して、樹脂中の複数の磁化可能な粒子について所望の構造を実現できることを発見した。樹脂中の複数の磁化可能な粒子にとって、このような所望の構造がいったん実現されると、樹脂を部分的に硬化させるか又は完全に硬化させることによって、樹脂の粘度を増加させることができる。磁界の変化は複数のプロセスによって達成することができ、そのプロセスのいくつかが以下の実施形態に記載される。プロセスは、複数の磁化可能な粒子に対して所望の構造を実現することができる。
一例示的実施形態によれば、光を制御するための光学フィルムを作製する方法は、第1の混合物を基材上に配置することであって、第1の混合物は、第1の樹脂中に分散された第1の複数の磁化可能な粒子を含む、配置することと、第1の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも第1の磁界を回転変調することによって、第1の複数の磁化可能な粒子を、光を制御するための所望の構造に組み立てることと、第1の複数の磁化可能な粒子が所望の構造にある間に第1の樹脂をガラス化することと、を任意選択的に含み得る。
別の実施形態によれば、光を制御するための光学フィルムを作製する方法は、基材と、第1の樹脂中に分散された第1の複数の磁化可能な粒子を含む第1の混合物と、第2の樹脂中に分散された第2の複数の磁化可能な粒子を含む第2の混合物と、を提供することと、第1の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも第1の磁界を回転変調することによって、第1の複数の磁化可能な粒子を、光を制御するための第1の所望の構造に組み立てることと、第1の所望の構造に組み立てられた第1の複数の磁化可能な粒子を有する第1の樹脂をガラス化することと、第2の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも第2の磁界を回転変調することによって、第2の複数の磁化可能な粒子を、光を制御するための第2の所望の構造に組み立てることと、第2の所望の構造に組み立てられた第2の複数の磁化可能な粒子を有する第2の樹脂をガラス化することと、を任意選択的に含み得る。
更に別の実施形態では、光を制御するための光学フィルムを作製する方法は、第1の磁石を、第1の複数の磁化可能な粒子が第1の樹脂中に分散されている第1の混合物を少なくとも含有するウェブに対して配置することと、第1の磁石のN極及びS極がウェブの近傍を交互に通過するように、第1の磁石を軸の周りに回転させることと、第1の複数の磁化可能な粒子が、第1の磁石の磁界によって影響を受けて、第1の磁界によって影響を及ぼされた所望の構造を形成するようにウェブを第1の磁石に隣接させて通過させることであって、所望の構造は光を制御するように構成されている、通過させることと、第1の樹脂をガラス化して第1の複数の磁化可能な粒子を所望の構造にて捕捉することと、を任意選択的に含み得る。
本明細書で使用される場合、
「1つの(a)」、「1つの(an)」、及び「その(the)」という用語は、「少なくとも1つの」と交換可能に使用され、記載されている要素のうちの1つ又は複数を意味する。
用語「及び/又は(and/or)」は、いずれか一方又は両方を意味する。例えば「A及び/又はB」は、Aのみ、Bのみ、又はAとBとの両方を意味する。
用語「含む(including)」、「備える/含む(comprising)」又は「有する(having)」及びこれらの変化形は、それらの後に記載される物品及びそれらの均等物並びに付加的な物品を包含するものである。
特に指定又は限定されない限り、「結合された」、「配置された」、又は「堆積された」という用語及びその変形は広義で使用され、直接及び間接の両方の、結合、配置、堆積などを包含する。
用語「隣接している」とは、本明細書で使用する場合、例えば、互いに近接している2つの層などの、2つの要素の相対位置を意味し、これらは、互いに接触していても必ずしも接触していなくてもよく、「隣接している」が用いられている文脈により理解される2つの要素を分離する1つ以上の層を有していてもよい。
用語「直接隣接している」は、例えば、互いに隣り合い、互いに接触し、2つの要素を分離する中間層を有さない2つの層などの、2つの要素の相対位置を指す。ただし、用語「直接隣接している」は、一方又は両方の要素(例えば、層)がプライマーで処理されている状況、又はそれらの性質に影響を及ぼすように、例えば、エッチング、エンボス加工等、若しくは粘着力を改善し得る表面処理、例えば、コロナ処理若しくはプラズマ処理等によって、その表面が改質される状況を包含する。
本明細書で使用する場合、用語「光学的に透明な」は、電磁スペクトルの所与の領域(例えば、可視光、赤外線、無線、又は任意の他の範囲)において、20%より高い視感透過率を有し40%未満のヘイズ値を呈する物品(例えば、フィルム)を指す。視感透過率及び全ヘイズの両方は、ASTM−D 1003−13、手順A(視程計)の方法に従って、例えば、BYK Gardner Haze−gard Plus(カタログ番号4725)を使用して、決定することができる。
用語「フィルム」は、本明細書で使用する場合、状況に応じて、単一層物品、又は様々な層が本明細書にて記載される技術に従って処理された多層構造体のいずれかを指す。
本明細書で使用する場合、用語「透過率」は、電磁スペクトル(例えば、可視光、赤外線、又は任意の他の範囲)の所与の領域において、表面を横切って透過されたのエネルギーの割合を指す。透過率は、ASTM 1348−15に記載されている方法に従って測定される。
「主表面」又はその変形は、その長さ及び幅と比較して小さい厚さを有する物品、例えばウェブ、を記述するために使用される。かかる物品の長さ及び幅は、物品の「主表面」を画定することができるが、この主表面は物品と同様に、平坦又は平面である必要はない。例えば、上記のフレーズは、物品が主表面の第1の表面寸法(例えば、幅又は長さ)に対する厚さ(例えば、主表面に沿った任意の点で物品の主表面に直交するZ方向での)の第1の比(R)と、主表面の第2の表面寸法に対する厚さの第2の比(R)とを有して、第1の比(R)及び第2の比(R)が共に0.1未満である場合に、その物品を記述するために使用することができる。いくつかの実施形態では、第1の比(R)及び第2の比(R)は0.01未満、いくつかの実施形態では0.001未満、及びいくつかの実施形態では0.0001未満であり得る。第1の比(R)及び第2の比(R)の双方が所望の範囲内に収まるようにするために、2つの表面寸法は同じである必要はなく、第1の比(R)と第2の比(R)は同じである必要はない。加えて、第1の比(R)及び第2の比(R)の双方が所望の範囲内に収まるようにするために、第1の表面寸法、第2の表面寸法、厚さ、第1の比(R)、及び第2の比(R)のいずれも一定である必要はない。
用語「光」は、可視光、紫外光及び赤外線、並びに高周波電磁波を含むがこれらに限定されない1つ以上の形態の光を単独で又は組み合わせて含む。
用語「光を制御する」、「光制御」などは、光学フィルムを通る光の透過を調節するように構成された光学フィルムを意味する。いくつかの実施形態では、光の透過は、光学フィルムを通過して基材に至ることになる。
用語「フェリ磁性の」は、フェリ磁性を呈する材料を指す。フェリ磁性は、個々の原子に関連する磁界がそれ自体を自発的に整列させ、ある場合は(強磁性のように)平行に又は同一方向に、及び他の場合は(反強磁性のように)略逆平行に又は反対方向に対をなして整列させる、固体中で生じる永久磁性の一種である。フェリ磁性材料の単一結晶の磁気挙動を、平行な整列に起因させることができ、逆平行構成にあるそれら原子の希釈効果により、これら材料の磁気強度は、金属鉄などの純粋な強磁性固体の磁気強度よりも概ね低く保持される。フェリ磁性は、主にフェライトとして知られる磁性酸化物において生じる。フェリ磁性を生成する自発的な整列は、各フェリ磁性材料の特性であるキュリー点と呼ばれる温度を超えると完全に損なわれる。材料の温度がキュリー点を下回ると、フェリ磁性が復活する。
用語「磁石」は、磁界に応答し磁石として機能する強磁性材料を含むことができる。「磁石」は、永久的、半永久的、又は一時的な状態のいずれかで磁界を及ぼす任意の材料であり得る。用語「磁石」は、1つの個々の磁石であるか、又は単一の磁石のように機能する磁石のアセンブリであり得る。用語「磁石」は、永久磁石及び電磁石を含むことができる。
用語「強磁性の」は、強磁性を呈する材料を指す。磁性は、特定の帯電していない材料が他の材料を強く引き付ける物理的現象である。他の物質とは対照的に、強磁性材料は容易に磁化され、強い磁界において、磁化は飽和と呼ばれる明確な限界に近づく。磁界が印加され、次いで除去されると、磁化はその元の値には戻らない。この現象は、ヒステリシスと呼ばれる。強磁性材料は、キュリー点と呼ばれる特定の温度(一般にキュリー点は各物質にとって異なる)に加熱されると、その特性を失い、磁性であることを停止するが、冷却されると再び強磁性になる。
用語「磁性」及び「磁化された」は、特に指定しない限り、20℃で強磁性又はフェリ磁性であることを意味する。
用語「磁化可能」は、言及されている物品が磁性であるか、又は印加された磁界を用いて磁性にすることができることを意味し、少なくとも0.001電磁単位(emu)、場合によっては少なくとも0.005emu、及び更に他の場合では0.01emu、最大で0.1emuの磁気モーメントを有するが、これは必要条件ではない。用語「磁化可能」は、磁化されることが可能であるか、又は既に磁化された状態にあることを意味する。
用語「磁界」は、任意の天体(例えば、地球又は太陽)によって生成された磁界ではない磁界を指す。一般に、本開示の実施に使用される磁界は、磁化可能な粒子の配向されている領域における磁界強度が、少なくとも約10ガウス(1mT)、場合によっては少なくとも約100ガウス(10mT)、更に他の場合では少なくとも約1000ガウス(0.1T)、更に他の場合では少なくとも約10,000ガウス(1.0T)である。
用語「回転」は、1回転の一部、又は1回転、又は複数の回転である角変位を指す。
「長さ」という用語は、物体の最長寸法を指す。
「幅」という用語は、物体の長さに対して垂直なその最長寸法を指す。
「厚さ」という用語は、物体の長さ及び幅の両方に対して垂直なその最長寸法を指す。
用語「アスペクト比」は、物体の長さ/厚さの比を指す。
用語「配向」、「配向させる」、「配向する」、又は「配向された」は、本開示の磁界によって提供される磁化可能な粒子を指す場合、基材(本明細書ではバッキングと呼ばれることもある)に対する少なくとも大部分の粒子の非ランダムな配置を指し得る。例えば、大部分の磁化可能な粒子は、磁界の印加後に、基材の第1の主表面に対して少なくとも70度の角度で配置された主平坦表面を有する。これらの用語はまた、磁化可能な粒子自体の主軸及び寸法を指し得る。例えば、粒子の最大長さ、幅、及び厚さは、磁化可能な粒子の形状の関数であり、形状は均一であっても、均一でなくてもよい。本開示は、いかなる特定の粒子の形状、寸法、種類などに限定されることもなく、本開示にとって有用な多数の例示的な磁化可能な粒子について、以下で更に詳細に記載される。しかしながら、いくつかの形状では、「高さ」、「幅」、及び「厚さ」は、主面及び副側面を与える。厳密な形状にかかわらず、任意の磁化可能な粒子は、図1に示すような粒子の局所的なデカルト軸であるu(長さ)、v(幅)、及びw(厚さ)を画定し得る重心を有し得る。これらの記法において、粒子w軸は最大高さと平行であり、粒子u軸は最大長さと平行であり、粒子v軸は粒子の最大厚さと平行である。基準点として、磁化可能な粒子の各々に対して、バッキング構造から独立したスタンドアロン物体として、粒子軸を特定することができ、各粒子は(粒子の局所(uvw)座標系に沿って)磁界によって操作されて、粒子にグローバル(xyz)座標系に対する所望の配向を実現させることができる。ここで、x軸はダウンウェブ(長さ)、y軸はクロスウェブ(幅)、z軸はxy平面に対して垂直(厚さ)であり、図3及び追加の図2〜図23Bを参照のこと。いったんバッキングに適用されると、磁化可能粒子の「z軸回転配向」は、粒子を通過しバッキングに対して垂直なz軸の周りの、粒子の角度回転によって画定される。本開示の磁界によって達成される配向は、磁界を適用して、基材に対して及び/又は粒子レベルで、複数の磁化可能な粒子の少なくとも大部分の空間構成を、粒子軸の周りの回転配向範囲についてのz軸、y軸、及び/又はx軸のうちの1つ以上における粒子の周りの所望の回転配向範囲に変更する、又はなんらかのやり方で変えることを必然的に伴う。
用語「位置」、「位置決め」、「位置」、又は「位置」は、本開示の磁界によって提供される磁化可能な粒子を指す場合、少なくとも大部分の粒子の、互いに対しての非ランダムな配置を指し得る。例えば、磁化可能な粒子の大部分は、磁界の印加後に、少なくとも1つの軸において所望の距離だけ離れていてもよい。
用語「整列」、「整列する」、「整列された」、又は「整列させる」という用語は、本開示の磁界によって提供される磁化可能な粒子を指す場合、磁化可能な粒子の少なくとも大部分の非ランダムな配置を指し得る。具体的には、「整列」させることにより、大部分の磁化可能な粒子が、互いに実質的に平行である、互いに実質的に垂直である、及び/又は互いに対して所望の角度に配向されている、主表面を有するように、磁化可能な粒子の大部分を配置することができる。
用語「所望の構造」は、複数の粒子のうちの少なくとも大部分が、互いに対する配向、位置、及び/又は整列のうちの1つ以上を有する複数の磁化可能な粒子から形成される構造、及び/又は磁界の印加によって影響を受ける基材、を意味する。
用語「ガラス化」、「ガラス化された」、「ガラス化している」、又は「ガラス化する」は、磁化可能な粒子を含有する樹脂混合物を指す場合、磁化可能な粒子の少なくとも大部分が、磁界の適用後に、それらの所望の構造を維持することが可能なように、樹脂混合物の粘度を増加させることを意味する。ガラス化は、磁界の印加後に、磁化可能な粒子の少なくとも大部分が、その所望の構造を維持することが可能となるのに十分な量が部分的にのみ達成されてもよい。ガラス化は、重合(例えば、放射線硬化性樹脂系又は熱硬化性樹脂系)、熱エネルギーの除去による固化(例えば、ポリマー溶融体の固化)、又は樹脂混合物からの溶媒の蒸発によって起こり得る。本明細書で使用する場合、用語「硬化」、「硬化1」、及び「硬化2」は、全てガラス化プロセスである。
本明細書で使用される全ての科学用語及び技術用語は、別途明記しない限り、当該技術分野で通常使用される意味を有する。本明細書に提示される定義は、本出願で頻繁に使用される特定の用語の理解を促すためのものであり、そうした用語の妥当な解釈を本開示の文脈で排除することを意図していない。
特に示さない限り、本明細書及び特許請求の範囲に使用される加工寸法(特徴サイズ)、量及び物理的特性を表す、説明及び特許請求の範囲における数字は全て、全ての場合において、「約」という用語によって修飾されているものとして理解されるべきである。したがって、特に反対の指示がない限り、上記明細書及び添付の特許請求の範囲に記載されている数値パラメータは、本明細書で開示される教示を利用して当業者が得ようとする所望の特性に応じて変動し得る近似値である。最低でも、各数値パラメータは少なくとも、報告される有効桁の数に照らして通常の丸め技法を適用することにより解釈されるべきであるが、このことは特許請求の範囲への均等論の適用を制限しようとするものではない。本開示の広範な範囲を記述する数値範囲及びパラメータは近似値であるが、具体例において記載される数値は可能な限り正確に報告される。しかしながら、どの数値も、それぞれの試験測定値に見られる標準偏差から必然的に生じる一定の誤差を本質的に含んでいる。
用語「実質的に」は、参照される属性から20パーセント以内(場合によっては15パーセント以内、更に他の場合では10パーセント以内、更に他の場合では5パーセント以内)を意味する。したがって、値Aが、値Aから5%、10%、20%のうちの1つ以上の、プラス/マイナスの範囲内にある場合、値Aは値Bと「実質的に類似」である。
本開示の特徴及び利点は、詳細な説明並びに添付の特許請求の範囲を考察することによって更に理解されるであろう。
端点による数値範囲の列挙には、その範囲内に包含される全ての数値(例えば、1〜5の範囲は、例えば、1、1.5、2、2.75、3、3.80、4及び5を含む)、及びその範囲内の任意の範囲が含まれる。
この概要は、本特許出願の主題の概観を提供することが意図されている。本発明の専門的又は網羅的説明を提供することは意図されていない。詳細な説明は、本特許出願に関する更なる情報を提供するために含まれる。
本開示の一実施形態に係る磁化可能な粒子の概略斜視図である。 図1の領域1Aの拡大図である。 本開示の一実施例に係る、基材への磁界の印加に起因して所望の構造で構成された複数の磁化可能な粒子の画像である。 本開示の一実施例に係る、光学フィルムを作製する第1の方法のであって、回転変調することによって磁界を変化させ硬化を適用し、磁界の影響下で、複数の磁化可能な粒子は所望の構造をとる方法の概略図である。 本開示の一実施例に係る、図3の方法の磁界から生じる、複数の磁化可能な粒子の所望の構造の図である。 図3Aの3B−3Bにおける線に沿った図3Aの断面図である。 本開示で論じられる磁界を作り出すことができる磁石の一例の概略図である。 本開示の一実施例に係る、磁石の回転の結果として回転変調することを伴う磁界を有する図4の磁石を示す概略図である。 本開示の一実施例に係る、互いに対してクロスウェブ方向、ダウンウェブ方向、及び厚さ方向にある複数の磁化可能な粒子の構成の図である。 本開示の一実施例に係る、互いに対してクロスウェブ方向、ダウンウェブ方向、及び厚さ方向にある複数の磁化可能な粒子の構成の図である。 本開示の一実施例に係る、互いに対してクロスウェブ方向、ダウンウェブ方向、及び厚さ方向にある複数の磁化可能な粒子の構成の図である。 本開示の一実施例に係る、本明細書で論じられる方法のうちの1つによって作製され複数の層を有する例示的な光学フィルムであって、複数の層のうちのいくつかは、複数の磁化可能な粒子を含有する光学フィルムの断面図である。 本開示の一実施例に係る、2つの磁界及び2つの硬化を使用して光学フィルムを形成する第2の方法であって、第2の複数の磁化可能な粒子は第2の所望の構造をとる方法の概略図である。 図7の実施形態の方法の、2つの磁界から生じる複数の磁化可能な粒子の第2の所望の構造の図である。 図7に矢印で示すようにクロスウェブ方向及びダウンウェブ方向に枢動される2つの磁界から生じる磁化可能な粒子の第3の所望の構造の図である。 本開示の一実施例に係る、2つの磁界及び2つの硬化を使用して光学フィルムを形成する第3の方法であって、複数の磁化可能な粒子の一部と第2の樹脂とが第1の硬化後に追加される方法の概略図である。 単一の磁石の周りにウェブ経路を有する、光学フィルムを形成する第4の方法であって、単一の磁石は、複数の磁化可能な粒子及びウェブに対して、2つの異なる配向を有する磁界を印加する方法の概略図である。 図9を第1の視点から見た概略図である。 図9を第2の視点から見た概略図である。 図9に示す構成を用いた単一の磁石のみを用いた2つの磁界から生じる、磁化可能な粒子の第3の所望の構造の図である。 本開示の一実施例に係る、第2の軸の周りで往復で揺動(dither)させられ、一方で更に回転変調を受ける1つの磁界を使用して光学フィルムを形成する第5の方法の概略図である。 図10の実施形態の、第2の軸の周りの揺動と磁界を回転変調することによる、複数の磁化可能の第4の所望の構造の図である。 図10の実施形態の、第2の軸の周りの完全回転及び磁界を回転変調することによる、複数の磁化可能の第5の所望の構造の図である。 本開示の一実施例に係る、それぞれが往復で揺動しており、一方で更に各磁界が回転変調を受けている少なくとも2つの磁界を使用して光学フィルムを形成する第6の方法の概略図である。 図11の実施形態の、第2の軸の周りの揺動と、少なくとも2つの磁界を回転変調することとによる、複数の磁化可能な粒子の第6の所望の構造の図である。 本開示の一実施例に係る、光学フィルムを形成する第7の方法であって、硬化が適用されるダウンウェブ位置を磁界に対して変化させることができ、磁界の異なる配向を受ける異なるダウンウェブ距離を示している、概略図である。 本開示の一実施例に係る、同じダウンウェブの場所の全てのクロスウェブの場所が、磁界の実質的に同じ配向を受けるように、ウェブを磁石の周りで湾曲させることができることを示す、別の視点からの図12の方法の概略図である。 本開示の一実施例に係る、光学フィルムを形成する第8の方法であって、硬化が適用されるダウンウェブ位置を、磁界に対して2つの場所(0度及び25度として示される)の間で交互に変えている方法の概略図である。 図13の方法の2つの交互に変わる硬化場所から生じる複数の磁化可能な粒子の第7の所望の構造の図である。 図13の13B−13Bにおける線に沿った図13A断面図である。 本開示の一実施例に係る、光学フィルムを形成する第9の方法であって、磁界の相対的な配向が複数の磁化可能な粒子に対して変わるように、磁石の表面に対するウェブ全体の位置を変える方法の概略図である。 図14の方法を図3の方法と組み合わせ、図14の方法を図12の方法と組み合わせることにより得られる、複数の磁化可能な粒子の第8及び第9の所望の構造の図である。 図14の方法を図3の方法と組み合わせ、図14の方法を図12の方法と組み合わせることにより得られる、複数の磁化可能な粒子の第8及び第9の所望の構造の図である。 図14Aの線14C−14Cに沿った図14Aの断面図である。 図14Aの線14D−14Dに沿った図14Aの断面図である。 図14Bの線14E−14Eに沿った図14Bの断面図である。 本開示の一実施例に係る、光学フィルムを形成する第10の方法であって、磁界に対するウェブの角度を変える方法の概略図である。 図15の方法の磁界に対してウェブの一部を変えることから生じる、複数の磁化可能な粒子の第9の所望の構造の図である。 図15Bの線15B−15Bに沿った図15Aの断面図である。 線15C−15Cを通る図15Aの断面図である。 複数の層を有する光学フィルム内の複数の磁化可能な粒子についての更なる所望の構造を示す図であり、複数の層は、例えば少なくとも図10〜図15の方法を組み合わせることにより、複数の磁界を使用することにより得ることができる。 本開示の一実施例に係る、光学フィルムを形成する第11の方法であって、第1の磁界が、回転変調を受けながらウェブに対してクロスウェブ方向に並進移動され、第2の磁界が、第1の磁界に対して実質的に横断して配向されて回転変調を受ける方法の概略図である。 図17の実施形態の2つの磁界の結果としての複数の磁化可能な粒子の第10の所望の構造の図である。 本開示の一実施例に係る、光学フィルムを形成する第12の方法であって、磁界及び/又は硬化の適用前、適用中、又は適用後に、光学フィルムに1つ以上のフィーチャが付与される方法の概略図である。 光学フィルムに付与される1つ以上のフィーチャの例を示す図である。 光学フィルムに付与される1つ以上のフィーチャの例を示す図である。 本開示の一実施例に係る、一実施形態による磁石アセンブリであって、磁石アセンブリの第1の部分が磁界の第2の部分に対して回転されており、第1の部分及び第2の部分の極が完全には整列しておらず、磁石アセンブリのこの構成により、磁界において局所的不規則性がもたらされる磁石アセンブリを示す図である。 本出願の一実施例に係る、別の実施形態に係る磁石アセンブリであって、より大きな直径を有するセクションを有する不規則な直径を有し、磁束集中(flux concentration)をもたらす磁石アセンブリを示す図である。 光学フィルムの基材は所定の形態で厚さが変化しており、可変厚さは、図23Aに示すように、複数の磁化可能な粒子を捕捉し配向させるように設計されている、本出願の一実施例に係る一実施形態を示す図である。 光学フィルムの基材は所定の形態で厚さが変化しており、可変厚さは、図23Aに示すように、複数の磁化可能な粒子を捕捉し配向させるように設計されている、本出願の一実施例に係る一実施形態を示す図である。 実施例に更に記載されているように、基材上に磁界が印加されていないことに起因して構成されていない複数の磁化可能な粒子の画像である。 実施例に更に記載されるように、基材上に磁界が印加されていないことに起因して構成されていない複数の磁化可能な粒子の断面SEM画像である。 本開示の一実施例に係る、基材への磁界の印加に起因してz方向に整列されているが、実施例に記載されるような線状構造には組織化されていない複数の磁化可能な粒子の画像である。 実施例に記載されるように、基材への磁界の印加に起因してz方向に整列された複数の磁化可能な粒子の断面SEM画像である。 実施例に記載されるように、基材への磁界の印加に起因して所望の構造で構成された複数の磁化可能な粒子の画像である。 実施例に記載されるように、基材への磁界の印加に起因してz方向に整列された複数の磁化可能な粒子の断面SEM画像である。 実施例に記載されるように、基材への磁界の印加に起因して、所望の構造で構成された複数の磁化可能な球状粒子の画像である。 実施例に記載されるように、基材への磁界の印加に起因してz方向に積層された複数の磁化可能な球状粒子の断面SEM画像である。 線状構造が球状粒子のアセンブリであることを示す、図27Bの、より高い倍率のSEMである。 実施例に記載されるように、微細構造化基材への磁界の印加に起因して所望の構造で構成された複数の磁化可能な粒子の画像である。 実施例に記載されるように、微細構造化基材への磁界の印加に起因してz方向に整列され、プリズム状表面の谷部と一致する、複数の磁化可能な粒子の断面SEM画像である。 実施例に更に記載されるように、回転磁石に対して角度が付けられた光学フィルムの構成の概略図である。 本開示の一実施例に係る、基材への磁界の印加に起因して所望の構造で構成された複数の傾いた磁化可能な粒子の画像である。 図29Bのコーティングの断面図である。
磁化可能な粒子は、本明細書に例として記載されており、様々な構成を有することができる。例えば、磁化可能な粒子は、セラミック、金属合金粉末、金属合金、磁化可能となるようにコーティングされたガラス粒子、複合材などが挙げられるが、これらに限定されない様々な材料で構成することができる。同様に、磁化可能な粒子は、いくつかの実施例によれば、実質的に完全に磁化可能な材料で構成されてもよく、その中に配置された磁化可能な部分(例えば、鉄トレース)を有することができ、又はその1つ以上の表面上の層として配置された磁化可能な部分を有することができる(例えば、1つ以上の表面を磁化可能な材料でコーティングすることができる)。磁化可能な粒子は、いくつかの実施例、例えば図1に示す実施例、に従って成形することができる。他の実施例によれば、磁化可能な粒子は、フレーク、破砕粒子(crush grain)、集塊物(agglomerates)などを含むことができる。磁化可能な粒子は、硬化前に固まっていない(loose)形態(例えば、易流動性である又はスラリー中にある)で使用することができ、本明細書で論じられる光学フィルムを含む様々な物品に組み込むことができる。
ここで図1及び図1Aを参照すると、例示的な磁化可能な粒子100が開示される。磁化可能な粒子100は、磁化可能な材料120でコーティングされた成形された本体110を有することができる。いくつかの例によれば、本体110は成形される必要はなく、ランダムであり得る。更に、本体110は、磁化可能な材料で形成することができ、コーティングされる必要はない。磁化可能な材料120は、図1Aに更に示すように、バインダーマトリックス130(単に「バインダー」とも称される)中に保持された磁化可能な粒子125(例えば、鉄)から構成され得る。多くの実施形態では必要はないが、図1の実施形態に示すように成形される場合、本体110は、4つの副側面140a、140b、140c、及び140dによって互いに接続された2つの反対側の主表面160、162を有し得る。図示された種類の磁化可能な粒子は、所望の構造を形成するために後で論じられるように、磁界の力線と整列するように移動可能であり得る。
磁化可能な材料120は、一体となった磁化可能な材料とすることができ、又はバインダーマトリックス中で磁化可能な粒子を含むことができる。好適なバインダーは、バインダーマトリックス130に関して後述されるように、例えば、ガラス質又は有機であり得る。バインダーマトリックスは、例えば、これらのガラス質バインダー及び有機バインダーから選択され得る。本体110は、例えば、鉄材料又は非鉄材料を含み得る。
磁化可能な材料が、図1の実施形態に示すように粒子100上にコーティングされた層を含む場合、これは、例えばディップコーティング、噴霧、塗装、物理蒸着、及び粉末コーティングなどの任意の好適な方法によって達成することができる。個々の磁化可能な粒子は、異なる被覆率及び/又は被覆場所を有する磁化可能な層を有し得る。磁化可能な材料は、成形された本体110において使用される材料を本質的に含まない(すなわち、5重量パーセント未満を含有する、更に他の場合では1重量パーセント未満を含有する)場合がある。磁化可能な層は、磁化可能な材料(例えば、99超〜100重量%の蒸着された金属及びその合金)から本質的になることができ、又はバインダーマトリックス中に保持された磁化可能な粒子を含有することができる。磁化可能な層のバインダーマトリックスは、存在する場合は、無機(例えば、ガラス質)樹脂ベース又は有機樹脂ベースとすることができ、典型的には、それぞれのバインダー前駆体から形成される。
本開示による磁化可能な粒子は、例えば、磁化可能な層又はその前駆体を本体110に適用することによって調製することができる。磁化可能な層は、以下で論じられるように、物理蒸着によって提供され得る。磁化可能な層の前駆体は、液状ビヒクル中の分散体又はスラリーとして提供することができる。分散体又はスラリービヒクルは、例えば、その成分(例えば、磁化可能な粒子、任意選択のバインダー前駆体、及び液状ビヒクル)の単純な混合によって作製することができる。例示的な液状ビヒクルとしては、水、アルコール(例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル)、エーテル(例えば、グリム、ジグリム)、及びこれらの組み合わせが挙げられる。分散体又はスラリーは、例えば、分散剤、界面活性剤、離型剤、着色剤、消泡剤、及びレオロジー変性剤などの追加の成分を含有し得る。典型的には、セラミック本体上にコーティングした後、磁化可能な層の前駆体を乾燥させて、液状ビヒクルの大部分又は全てを除去するが、これは必要条件ではない。硬化性バインダー前駆体が使用される場合、一般に硬化工程(例えば、加熱及び/又は化学線への曝露)が続いて、磁化可能な層が提供される。
ガラス質バインダーは、高温に加熱されると融解及び/又は溶融してガラス質バインダーマトリックスを形成する、1つ以上の原材料の混合物又は組み合わせを含む前駆体組成物から生成され得る。物品と共に使用することができる適切なガラス質バインダーの更なる開示は、PCT国際公開第2018/080703号、同第2018/080756号、同第2018/080704号、同第2018/080705号、同第2018/080765号、同第2018/080784号、同第2018/080755号、及び同第2018/080799号に見出すことができ、これらはそれぞれ、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
いくつかの実施形態では、例えば、マグネトロンスパッタリングを含む物理蒸着(PVD)などの蒸着技術を用いて磁化可能な層を堆積させることができる。様々な金属、金属酸化物、及び金属合金のPVD金属被覆法は、例えば、米国特許第4,612,242号(Vesley)、及び同第7,727,931号(Breyら)に開示されている。磁化可能な層は、典型的には、この一般的な方法で作製することができる。
前述したように、磁化可能な粒子の本体は、成形される(例えば、精密に成形される)、又はランダム(例えば、フレーク、破砕、球体など)であり得る。例示的な形状としては、正方形、球体、矩形、角錐(例えば、3面、4面、5面、又は6面の角錐)、切頭角錐(例えば、3面、4面、5面、又は6面の切頭角錐)、錐体、切頭錐体、ロッド(例えば、円筒形、虫状(vermiform))、及びプリズム(例えば、3面、4面、5面、又は6面のプリズム)が挙げられる。
磁化可能な粒子での使用に好適であり得る例示的な磁化可能な材料の例としては、鉄;コバルト;ニッケル;様々なグレードでPermalloyとして市販されているニッケルと鉄の様々な合金;Fernico、Kovar、FerNiCo I、又はFerNiCo IIとして市販されている鉄、ニッケル、及びコバルトの様々な合金;様々なグレードでAlnicoとして市販されている鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト、及び場合によっては銅及び/又はチタンの様々な合金;センダスト合金として市販されている鉄、ケイ素、及びアルミニウムの合金(典型的には重量比約85:9:6);Heusler合金(例えば、CuMnSn);ビスマス化マンガン(Bismanolとしても知られる);希土類の磁化可能な材料、例えば、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、ユーロピウム酸化物、ネオジムと鉄とホウ素の合金(例えば、NdFe14B)、及びサマリウムとコバルトの合金(例えば、SmCo);MnSb;MnOFe;YFe12;CrO;MnAs;フェライト、例えば、フェライト、マグネタイト;亜鉛フェライト;ニッケルフェライト;コバルトフェライト、マグネシウムフェライト、バリウムフェライト、及びストロンチウムフェライト;イットリウム鉄ガーネット;及びこれらの組み合わせが挙げられる。いくつかの実施形態では、磁化可能な材料は、鉄、ニッケル、及びコバルトから選択される少なくとも1つの金属、2つ以上のそのような金属の合金、又は1つのそのような金属と、リン及びマンガンから選択される少なくとも1つの元素との合金を含む。いくつかの実施形態では、磁化可能な材料は、8〜12重量%(wt%)のアルミニウム、15〜26重量%のニッケル、5〜24重量%のコバルト、最大で6重量%の銅、最大で1重量%のチタンを含有する合金(例えば、アルニコ合金)であり、100重量%にするための材料の残部は鉄である。
磁化可能な粒子は、磁化可能な粒子が一部を占める光学フィルムの厚さに対して、任意の大きさの主寸法を有する場合があるが、場合によっては、光学フィルムの厚さよりもはるかに小さい場合がある。例えば、磁化可能な粒子は、いくつかの実施形態では、1〜2000分の1倍の大きさ、更に他の実施形態では、100〜2000分の1倍の大きさ、更に他の実施形態では、500〜2000分の1倍の大きさであり得るが、他のサイズも使用することができる。
図2は、所望の構造に組織化された複数の磁化可能な粒子202を有する光学フィルム200の写真であり、磁界の印加に起因して、磁化可能な粒子の大部分が磁力線に沿って非ランダムな配置を示している。図2に示すように、複数の磁化可能な粒子202の少なくとも大部分が整列され離されて、特有の列を有する所望の構造204になっている。図2では、複数の磁化可能な粒子202はセンダストを含む。センダスト粒子は、重量パーセントで光学フィルムの実質的に20%を占め、基材上にスラリーとして適用される。センダスト粒子は、最初に、光学的に透明な樹脂中にランダムに分散される。樹脂系の種類としては、(メタ)アクリレートモノマー、及び(メタ)アクリレートオリゴマー、及びそれらの混合物から選択される、第1の重合性成分及び第2の重合性成分の組み合わせが挙げられるが、これらに限定されない。本明細書で使用するとき、「モノマー」又は「オリゴマー」は、ポリマーに変換できる任意の物質である。用語「(メタ)アクリレート」は、アクリレート化合物及びメタクリレート化合物の両方を指す。いくつかの事例では、重合性組成物は、(メタ)アクリル化ウレタンオリゴマー、(メタ)アクリル化エポキシオリゴマー、(メタ)アクリル化ポリエステルオリゴマー、(メタ)アクリル化フェノールオリゴマー、(メタ)アクリル化アクリルオリゴマー及びそれらの混合物を含むことができる。重合性樹脂は任意選択的に、かつ好ましくは、3つ以上の(メタ)アクリレート基を有する少なくとも1種の架橋剤を更に含む。重合性組成物は、(例えば、単官能性の)反応性希釈剤を任意選択的に含んでもよい。重合性樹脂は、UV硬化性樹脂などの放射線硬化性ポリマー樹脂であってもよい。放射線(例えばUV)硬化性組成物は通常、少なくとも1種の光開始剤を含む。1種の光開始剤、又は光開始剤の組み合わせは、約0.1〜約10重量%の濃度で使用することができる。より好ましくは、光開始剤又はその組み合わせは、約0.2〜約3重量%の濃度で使用される。概ね、光開始剤は、少なくとも部分的に可溶性であり(例えば、樹脂の加工温度で)、重合後に実質的に無色である。紫外線源への曝露後に光開始剤が実質的に無色となるのであれば、光開始剤は有色(例えば黄色)であってよい。樹脂系の種類としては、高ポリマー、エポキシド及び/又はシロキサンからなる重合性樹脂を含むことができるが、これらに限定されない。
印加された磁界によってセンダスト粒子が所望の構造に組織化された後に、樹脂を少なくとも部分的に硬化することができる。センダストフレークの高いアスペクト比に起因して、磁界による組織化の前には、スラリーを通した透過が最初は殆ど又は全く存在しない可能性がある。いったん磁界が印加されると、センダスト粒子は組織化されて所望の構造になり、磁力線(field line)が、センダスト粒子(フレークを含む)を上向きに配向させ、それらを互いに対して整列させる。この所望の構造は、光学フィルム200を通る法線方向(z軸に平行)、及びx−z平面における任意の角度にて光透過の能力を実現するが、更に(y−z平面内の)光学フィルム200に対して傾斜した角度での光透過を制限する。引き続いて更に詳細に論じられるように、光が遮断される角度、並びに光学フィルムを垂直方向から視野方向へと角度を付けたときに透過が低減する速さの程度を、光学的に透明な樹脂へのセンダストの重量含有率と、光学フィルムの構造に影響を及ぼす他の技術及びフィーチャとによって制御することができる。
図3は、本開示の一実施形態による、光学フィルム302を作製する方法300を示す。図3Aは、図3の方法の磁界から生じる、複数の磁化可能な粒子306の所望の構造304を示す。図3Aにおいて、並びに引き続き示され説明される方法及び図4〜図29Aの所望の構造において、所望の構造、方法、及び光学フィルムは、複数の磁化可能な粒子の個体が具体的には示されないような、より大きなスケール(高レベル)で示されていることに留意すべきである。したがって、所望の構造の(線として示される)各列は、複数の磁化可能な粒子のいくつかから構成されることになる。所望の構造は、複数の磁化可能な粒子から構成され、これら粒子は、図2に示すように、磁力線に沿って列にグループ化されている場合であっても、互いに離されている場合があることを認識すべきである。開示される方法では、複数の磁化可能な粒子の大部分(又はそれ以上)が所望の構造を示す場合があり、本明細書に示される所望の構造は高度に概略的な形態で示されており、複数の磁化可能な粒子の少なくとも一部(過半数未満)の配向、整列、及び/又は配置において生じ得る、ある程度のランダム性を示していないことを更に認識すべきである。このランダム性は、図2の光学フィルムの一部の領域に示されている。
方法300は、図3Aに示すように、光学フィルム302中に所望の構造304を有する複数の磁化可能な粒子306を提供するように実施可能である。図3Bは、別の視点からの所望の構造304を示す図3Aの断面図を示す。複数の磁化可能な粒子306は、前に図示した又は記載したものと同様の構造を有することができる。一実施形態によると、ここで図3を参照すると、磁化可能な粒子は、(関心の対象である電磁スペクトルの範囲において)光学的に透明な樹脂中に分散されて、第1の混合物308を形成することができる。光学的に透明な樹脂は、図2を参照して提供される実施例と同じ組成を有することができる。第1の混合物308を、(基材312を含む)ウェブ310上に配置することができる。複数の磁化可能な粒子306は、樹脂の重量パーセントに対して、0.01%〜90%重量パーセントのいずれかであり得る。基材312の特定の化学組成及び厚さは、構築されている特定の光学製品の必要条件に依存し得る。すなわち、とりわけ、強度、透明度、耐熱性、表面エネルギー、光学層への接着、についての必要性のバランスをとることである。基材312の厚さは、典型的には、少なくとも約0.025ミリメートル(mm)、より典型的には少なくとも約0.125mmである。更に、基材312は一般に、約0.5mm以下の厚さを有する。
有用な基材材料としては、例えばスチレン−アクリロニトリル、酢酸酪酸セルロース、酢酸プロピオン酸セルロース、三酢酸セルロース、ポリエーテルスルホン、ポリメチルメタクリレート、ポリウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエチレンナフタレート、ナフタレンジカルボン酸に基づくコポリマー又はブレンド、ポリオレフィン系材料、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、及びポリシクロ−オレフィンの、キャストフィルム又は配向フィルム、ポリイミド、及びガラスが挙げられる。任意選択的に、基材材料は、これらの材料の混合物又は組み合わせを含んでもよい。いくつかの実施形態では、基材は多層であってもよく、又は連続相中に懸濁若しくは分散された分散成分を含有してもよい。
基材の更なる例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)及びポリカーボネートが挙げられる。有用なPETフィルムの例としては、DuPont Films(Wilmington,Del.)から、商品名「Melinex 618」で入手可能なフォトグレードポリエチレンテレフタレートが挙げられる。
任意選択的に、第2の基材(組成及び厚さにおいて第1の基材312と同様であっても同様でなくてもよい)を、光学フィルム302にラミネートして(laminate)(例えば、光学的に透明な接着剤を使用して接着させ)、透明度を向上させること、光学層304を保護すること、光学フィルム302に所望の物理的性質を提供すること、などができる。
第1の混合物308は、磁石314(永久又は電磁石)のアップウェブに適用することができる。磁石314は、複数の磁化可能な粒子306と樹脂との第1の混合物308を含有するウェブ310の極めて近傍に(数フィート以内)置くことができる。磁石314に対するウェブ310の配置を理解すること、及び図3Aの所望の構造304を理解することに役立つように、デカルト座標系が図3及び図3Bに提供される。示される実施形態によれば、提供されるデカルト座標系は、ダウンウェブ/アップウェブ方向に配向された軸(x軸)を有することができる。(y軸)は、ウェブ310のクロスウェブ方向、及び磁石314の回転軸ARと実質的に整列している。(z軸)は、x軸及びy軸の両方に対して実質的に垂直に整列している。
図3の例に示すように、磁石314は、回転軸ARの周りに、ウェブ310に対して回転される。磁石の回転速度は、100〜10,000rpm、又はそれ以上であり得る。ウェブ310は、矢印316によって示すように磁石314に対して並進移動することができる。図4及び図4Aは、磁石314の構造を更に詳細に示す。図4は、磁石314が、それぞれ半球として成形され、回転軸ARの両側に配置された2つの極、N及びS、を含むことができることを示す。図4Aは、磁石314によって生成される磁界318、及び回転軸AR(図3及び図4)の周りの磁石314の回転により生じる磁界318の回転変調を示す。図3の方法300の光学フィルム302及び他の詳細は、図4Aには示されていない。複数の磁化可能な粒子306に及ぼされるであろう分解された磁力線は、図4Aの矢印Aによって示される。
磁界構成及び磁界を生成するための装置の更なる例は、米国特許出願公開第2008/0289262A1号(Gao)、及び米国特許第2,370,636号(Carlton)、同第2,857,879号(Johnson)、同第3,625,666号(James)、同第4,008,055号(Phaal)、同第5,181,939号(Neff)、及び英国特許第1477767号(Edenville Engineering Works Limited)に記載されており、これらはそれぞれ、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
ここで図3に戻ると、例示的実施形態によれば、磁石314は、提供されるデカルト座標系のy軸方向にウェブ310のクロスウェブ延長の全体を横切って延びるように配置される。しかしながら、いくつかの実施形態では、磁石314は、図3に示すように、クロスウェブ長さ全体にわたって延びていなくてもよい。図3は、加えて、方法300が、図3において硬化1として示される少なくとも1つの硬化を光学フィルム302に適用することを示す。硬化1は、磁石314の近傍(アップウェブ又はダウンウェブに数インチ以内)に適用される。硬化1は、限定するわけではないが、例えば、紫外線光の適用、電子ビームの適用、熱エネルギーの適用又は除去(例えば、加熱又は冷却の適用)などの任意の既知の技術によって適用することができる。図4Aに示すように、磁界318が回転変調を受けている際に、複数の磁化可能な粒子が所望の構造304(図3A)になるように、磁力線と分解された磁力線とが所望の形態で配向される特定の時間及び場所において、硬化1の適用が光学フィルム302に適用されるべきである。硬化1は、完全な硬化(すなわち、樹脂の完全な重合が起こり得る)であることができる、又は磁化可能な粒子の大部分が所望の構造304(図3A)にあるような十分な重合を伴う部分硬化であることができる。完全硬化の場合は、図3の方法では、(硬化2として示される)第2の硬化は必要ないであろう。図3は、完全な重合を完了するために、ダウンウェブの場所での部分硬化(硬化1)及び第2の硬化(硬化2)を有する方法300を示す。
したがって、図3の方法300は、第1の混合物308を基材310上に配置することを含めて、光を制御するための光学フィルムを作製することができる。第1の混合物308は、第1の樹脂中に分散された複数の磁化可能な粒子306を含むことができる。方法300は、複数の磁化可能な粒子306に対する少なくとも磁界318を回転変調することによって、複数の磁化可能な粒子306を、光を制御するための所望の構造304に組み立てることを含み得る。方法300は、複数の磁化可能な粒子306が所望の構造304にある間に、第1の樹脂の粘度を増加させるためにガラス化させる(例えば、上記の硬化1及び/又は硬化2による)ことを更に含み得る。
図3Aは、高レベルで及び高度に概略的な形態で所望の構造304を示す。図3Aに示すように、基材312(図3)を除去することができる。しかしながら、他の実施形態では、基材312を保持することができる。前述したように、複数の磁化可能な粒子のうちの個々の粒子は、図3Aには示されていない。図3Aは、図2の光学フィルム200と同様の所望の構造304を有する光学フィルム302の構成を示す。所望の構造304は、複数の磁化可能な粒子が、概ねダウンウェブ方向に延びる離れた列320で構成されている構造である。所望の構造304は、図3Aに示す配向(x−z平面に平行)で直接見た場合に、光学フィルム302が実質的に光透過性になることを可能にする構造である。しかしながら、所望の構造304はまた、y−z平面(すなわち、図3Aの図に直交する、xz平面内ではない平面)内の光学フィルム302に対して傾斜した角度での光透過を制限する。図3及び図3Aの実施形態は、第1の混合物308を単一層として基材上に適用することについて記載されていることに留意することが重要である。しかしながら、同じ混合物又は異なる混合物の組成物を使用した複数の層の適用も考えられ、実際に、本開示において更に説明及び例示される。
図5A〜図5Cは、本明細書に記載される複数の磁化可能な粒子のうちの例示的な粒子の更なる可能な配向、位置、及び整列を示す。図5Aは、粒子402及び404の特定の配向を示し、副表面がデカルト座標系のz方向及びx方向に構成され(図3〜図4Aで使用されているものと同じ配向系)、主表面がy方向に配向されている。そのような配向は、本質的に純粋に例示的であり、参照及び説明を容易にするために使用される。図5Aの多層配向では、粒子402及び404は、互いに積層され離されている。いくつかの実施形態では、粒子402及び404は、矢印Aによって示すように、互いに引き寄せられるか、又は反発するように構成され得る。
図5Bは、クロスウェブ方向に互いに離されている粒子406及び408を示す。いくつかの実施形態では、粒子406及び408は、矢印Aによって示すように、互いに引き寄せられるか、又は反発するように構成され得る。図5Cは、クロスウェブ方向に互いに離されている粒子410及び412を示す。いくつかの実施形態では、粒子410及び412は、矢印Aによって示すように、互いに引き寄せられるか、又は反発するように構成され得る。複数の粒子の複数の構成(例えば、図5A、図5B及び/又は図5Cが考えられ、実際に、本明細書にて開示されている。
図6は、複数の層を有する光学フィルム500の1つの可能な構成を示す。光学フィルム500は、前述したような基材502と、第1の層504とを有することができる。第1の層504は、第1の光学的に透明な樹脂508と第1の複数の磁化可能な粒子510との第1の混合物506を含むことができる。第1の層504は、直接的に又は間接的に、基材502に結合することができる。図6では、第1の複数の磁化可能な粒子510の相対的なサイズ及び間隔は、例示目的で及び見る人の理解のために誇張されている。図6に示すように、第1の複数の磁化可能な粒子510は、第1の所望の構造511を有する。
図6では、第2の層512は、直接的に又は間接的に(例えば、第2の基材を介して)第1の層506に結合することができる。第2の層512は、第2の光学的に透明な樹脂516と第2の複数の磁化可能な粒子518との第2の混合物514を含むことができる。図6では、第2の複数の磁化可能な粒子518の相対的なサイズ及び間隔は、例示目的で及び見る人の理解のために誇張されている。図6に示すように、第2の複数の磁化可能な粒子518は、第2の所望の構造519を有する。第2の所望の構造518は、第1の所望の構造511とは異なるか、又は実質的に同様であり得る。
図6に示すように、第1の複数の磁化可能な粒子510は、基材502に対して共有された第1の配向又は第1の共通整列方向のうちの少なくとも一方を有することができ、第2の複数の粒子518は、基材502に対して共有された第2の配向又は第2の共通整列方向のうちの少なくとも一方を有することができる。図6では、共有された第1の配向又は第1の共通整列方向は、共有された第2の配向又は第2の共通整列方向とは異なる。
任意選択的に、更なる所望の構造を有する磁化可能な粒子を有する層を含む更なる層を光学フィルム500に追加することができる。図6の実施形態は、光学フィルムの基材502とは反対側に沿って、光学フィルム500に平滑な表面を提供するように構成され得る更なる層520を示す。他の場合には、更なる層520は、所望であれば、所望のテクスチャリング又は他の物理的属性を提供することができる。
図7は、光を制御するための少なくとも2つの層を有する光学フィルム602を形成する別の方法600を示す。本開示の残りの部分については特に更に指示がない限り、磁石、樹脂、磁化可能な粒子、基材の構造及び構成は、本明細書で前述したものと実質的に類似であるか又は同じであり得る。したがって、例えば、各磁石は、特に指示がない限り、図3〜図4Aの磁石314と同様の回転を受ける。したがって、このような磁石によって生成される磁界は、回転振動を受ける。
方法600は、第1の混合物608を基材612上に配置すること(「混合物を適用」で示される)を含み得る。第1の混合物608は、第1の樹脂607(図7A及び図7B)中に分散された複数の磁化可能な粒子606(図7A及び図7Bを参照)を含み得る。方法600は、複数の磁化可能な粒子606に対する第1の磁界618を回転変調することによって、第1の複数の磁化可能な粒子606を、光を制御するための所望の構造604A及び604B(ここでも図7A及び図7Bを参照)に組み立てることを含み得る。方法300は、複数の磁化可能な粒子606が所望の構造604A又は604Bにある間に、第1の樹脂の粘度を増加させるためにガラス化すること(「硬化1」として示される)を更に含むことができる。
図7A及び図7Bは、方法600から得られ得る所望の構造604A及び604Bを示す。これらの所望の構造は、第1の磁石614及び第2の磁石620を、光学フィルム602に対してクロスウェブ及びダウンウェブの両方向に配向させることから生じる。第1の磁石614及び第2の磁石620のこの配向は、磁界618及び622を、第1の複数の磁化可能な粒子606及び第2の複数の磁化可能な粒子624に印加される際に変化させる。
第1の磁石614の配向は、図7の軸AA1の周りの矢印A1によって示すように、光学フィルム602に対して変えることができる。同様に、第2の磁石620の配向は、軸AA2の周りの矢印A2によって示すように、光学フィルム602に対して変えることができる。第1の磁石614及び/又は第2の磁石620を互いに対して及び光学フィルムに対して所望に応じて配向させることによって、(第1の磁石614の配向/再配向によって)第1の所望の構造604A及び604Bを含む異なる全体的な所望の構造を得ることができる。図7A及び図7Bは、第2の磁石620の配向/再配向から生じる、第2の複数の磁化可能な粒子624に対する第2の所望の構造626A及び626Bを更に示す。第2の所望の構造626Aを第1の所望の構造604Aと組み合わせると、図7Aに示す全体的な所望の構造が提供される。第2の所望の構造626Bを第1の所望の構造604Bと組み合わせると、図7Bに示す全体的な所望の構造が提供される。繰り返すと、図7A及び図7Bの全体的な所望の構造は、第1の磁石614及び第2の磁石620の異なる配向に起因して異なり得る。
図7A及び図7Bは、可能な所望の構造の2つの例のみを提供しており、具体的に示していないが、光学フィルムに対する第1の磁石及び第2の磁石の配向に起因して異なる形状を有する更なる所望の構造も考えられることに留意すべきである。図7A及び図7Bでは、第1の所望の構造604A又は604Bが、第2の所望の構造626A又は626Bと同じ層内にあるように見えるが、これは図7A及び図7Bを見る向きの結果であり、第1の所望の構造604A又は604Bは実際には、第2の所望の構造626A又は626Bとは異なる光学フィルム602の層内に配置されるであろうことにも更に留意すべきである。
所望の構造604A又は604Bにより、光学フィルム602をz軸に直接平行に見たときに実質的に光透過性であることが可能になる。しかしながら、所望の構造604A又は604Bはまた、光学フィルム602に対して傾斜した角度での光透過を制限する(構造が二次元なので、これはy−z平面に限定されない。
図7の方法600は、複数の層を有する光学フィルム602を形成するので、方法600は、第2の樹脂630中に分散された第2の複数の磁化可能な粒子624(図7A及び図7B)を含む第2の混合物628を形成すること(「混合物を適用」で示される)を含むことができる。方法600は、第2の混合物628を、基材、第2の基材、又は第1の混合物のうちの1つ以上の上に配置することができる。方法600は、第2の複数の磁化可能な粒子624に対する第2の磁界622を更に回転変調することによって、第2の複数の磁化可能な粒子624を、光を制御するための第2の所望の構造626A又は626Bに組み立てることができる。この方法は、第2の複数の磁化可能な粒子624が第2の所望の構造626A又は626Bにおける列である間に、第2の樹脂630(硬化2として示される)の粘度を増加させることができる。
いくつかの実施形態では、第2の混合物628及び第1の混合物608は、異なる組成物を有する、又は実質的に同じ組成物を有する、のいずれか一方である。第1の混合物608及び第2の混合物628の組成が実質的に同じ組成である場合、第1の複数の磁化可能な粒子が第1の所望の構造604A又は604Bにある間、かつ第1の樹脂608の粘度を増加させた後に、図8の方法700に従って第2の混合物628を配置することができる。
図8は、光を制御するための少なくとも2つの層を有する光学フィルム602を形成する更なる方法700を示す。方法700は、第2の樹脂630(図7A及び図7B)が第1の樹脂607(図7A及び図7B)と共に硬化されないように、硬化1の後に第2の混合物628が(「層を追加」と)表示された箇所においてウェブに適用され得るという点で、図7の方法600とは異なる。
図9、図9A、及び図9Bは、硬化1の前に、又は硬化1の前そして次に再び硬化2の前に適用することができる複数の層を有する光学フィルム802を形成する方法800を示す。方法800は、光学フィルム802に対する磁石804の配向に起因して、前述したように、例えば、第1の所望の構造604A又は604B及び第2の所望の構造626A又は626Bを提供することができる。図9、図9A、及び図9Bの方法800は、単一の磁石804を利用できるという点で図7〜図8とは異なる。硬化1における磁石の回転軸とウェブとの間の距離は、硬化2における回転軸とウェブとの間の距離とは異なっていてもよい。単一の磁石804は、図9及び図9Aの視野Aによって示すように、硬化1の領域内の光学フィルム802上に回転変調することを伴う第1の印加磁界808を発生させ、図9Bの視野Bによって示すように、硬化2の領域内に回転変調すること(少なくとも配向に起因して、第1の印加磁界808とは異なる)を伴う第2の印加磁界810を生成する。このようにして、方法800は、単一の磁石を使用して、光学フィルム802の複数の層内に図9Cのような所望の構造812及び814を生成することができる。
図10は、軸AA3の周りで往復する矢印O1及びO2によって示すように揺動する形態で磁石904を移動させることができることを除いて、方法300と同じであり得る光学フィルム902を形成する方法900を示す。この揺動運動は、前述したような回転軸ARの周りの磁石904の回転に追加されるものである。したがって、磁石904によって生成される磁界906は、光学フィルム902に対して回転変調することと揺動の両方を有することになる。
図10Aは、磁界906の適用から生じる、光学フィルム902内の複数の磁化可能な粒子910の所望の構造908を示す。所望の構造908は、磁界906の揺動運動に起因して、ダウンウェブ方向に正弦波パターンを有する。
図10Bは、別の実施形態に係る、光学フィルム902内の複数の磁化可能な粒子910のついての別の所望の構造912を示し、図10に示すように360度未満の円弧状に往復して揺動するよりもむしろ、磁石904を、軸AA3の周りに360度連続して完全に回転させて、図10Bに示す構造のような繰り返しリングを生成する。
図11は、この方法が、複数の磁石1004及び1006を利用し、光学フィルム1002が複数の層を有することは除いては、図10の方法900と同一である光学フィルム1002を形成する方法1000を示す。図11Aは、2つの層について所望の構造1008及び1010を有する光学フィルム1002を示す。所望の構造1008は、第1の複数の磁化可能な粒子1012を有する。所望の構造1010は、第2の複数の磁化可能な粒子1014を有する。第1の複数の磁化可能な粒子1012は、第2の複数の磁化可能な粒子1014とは異なる配向を有する。
図12は、光学フィルム1102を形成する方法1100を示し、少なくとも部分硬化の場所を、磁石1106によりアップウェブ又はダウンウェブにシフトさせることができる。硬化におけるこのシフトは、磁石1106の回転に起因する回転変調を受ける、磁界1104からの磁力線が、光学フィルム1102の主表面1108に対して異なる角度にある場所へのシフトであり得る。図12の実施形態では、磁石1106は、以前に示し説明した磁石に対して再配向されていることに留意されたい。磁石1106は、概ねアップウェブ方向及びダウンウェブ方向に延び、デカルト座標系(この座標系は、図全体にわたって維持されている)のx方向と整列する回転軸ARを有する。光学フィルム1102が受ける磁力線の角度は、主表面1108に対して実質的に直交する角度から測定されるように示され、0度の角度は主表面に実質的に直交し、25度の角度は直交から実質的に25度であり、45度の角度は直交から実質的に45度である、といった具合である。
図12Aは、図12の方法1100を示すが、図12の視野に直交する角度におけるものである。図12Aは、光学フィルム1102を、ローラー、気流、テンティング(tenting)、ウェブ張力、又は別の技術によって、クロスウェブ方向に湾曲させるか又は別の方法で成形し得ることを更に示す。光学フィルム1102をクロスウェブ方向にこのように成形することにより、光学フィルム1102の主表面1108が、磁石1106の曲率に概ね対応し一致する曲率を有するようにできる。光学フィルム1102をこのように成形することにより、主表面1108にとって、矢印Aで示すようなクロスウェブ方向の磁界1104の磁力線に対する相対角度が実質的に同じになることが可能になる。換言すれば、磁石1106の外面の曲率と実質的に一致する光学フィルム1102の曲率ゆえに、矢印Aの各々が、主表面1108に対して実質的に同じ角度を有する。したがって、複数の磁化可能な粒子は、異なるクロスウェブの場所に位置する場合であっても、磁界1104に対して実質的に同じ相対角度になる。
図13は、図12で前述した方法1100を利用する例を示し、ダウンウェブ方向における硬化の場所が磁石1106に対して変更され、それにより、磁石1106の回転に起因する回転変調を受ける磁界1104からの磁力線は、主表面1108に直交する方向から測定して実質的に0度、及び主表面1108に直交する方向から測定して実質的に25度の角度にある。
図13Aは、図13の方法から、光学フィルム1102に対してもたらされた所望の構造1110を示す。図13Bは、図13Aの線13B−13Bに沿った断面における所望の構造1110を示す。
図14は、磁界1205を有する磁石1204に対して、光学フィルム1202の相対位置を(矢印Aで示すように)変えた方法1200を示す。より具体的には、光学フィルム1202の主表面1214と磁石1204の回転軸ARとの間の距離が変化するように、磁石1204及び磁界1205から、相対的に近い位置1206と相対的に離れた位置1208との間で、光学フィルム1202を移動させることができる。光学フィルム1202が相対的に近い位置1206にある場合は、複数の磁化可能な粒子の軌道は、より近く離れる傾向があり、光学フィルム1202が相対的に離れた位置1208にある場合は、複数の磁化可能な粒子の軌道は、より広く離れる傾向がある。図14及び図15(後で論じられる)では、磁石1204、1304は、以前に図3に示したように実質的にクロスウェブに配向され、したがって、図12〜図13のようには配向されないことに留意されたい。しかしながら、他の実施形態では、磁石1204、1304は、図12〜図13に示すように光学フィルム1202、1302に対して配向され得ることに留意すべきであり、方法1200、1300は、図14A、図14B、及び図15Aに示すものとは異なる所望の構造を得るために利用される。
図14A及び図14Bは、複数の磁化可能な粒子1212に対する所望の構造1210を示す。図14C〜図14Eは、図14A及び図14Bの様々な断面からの所望の構造1210を示す。図14Aは、図14の方法及び図3の方法を組み合わせることによって形成されるダウンウェブ方向(x方向)への複数の磁化可能な粒子1212の波形トラックであり、図3の方法はダウンウェブトラックを形成する傾向があり、図14の方法は、これらのトラックの間隔を変化させる傾向がある。図14Bは、図14の方法と図12の方法とを組み合わせることによって形成され、図12の方法はクロスウェブトラックを形成する傾向があり、図14の方法は、これらのトラックの間隔を変化させる傾向がある。
図15は、磁界1305を有する磁石1304に対して、光学フィルム1302の第1の部分1303のみの相対位置を(矢印Aで示すように)変えた方法1300を示す。より具体的には、光学フィルム1302の第1の部分1303は、磁石1304及び磁界1305から、相対的に近い位置1306と相対的に離れた位置1308との間で移動する(例えば、傾ける)ことができる。光学フィルム1302の第2の端部1307は、磁石1304及び磁界1305に対して、実質的に同じ位置に、又はわずかに変更された位置に留まることができる。
図15Aは、光学フィルム1302の第1の部分1303の、1306の位置及び1308の位置からの位置の往復変化から生じる、所望の構造1310を示す。図15B及び図15Cは、図15Aからの所望の構造1310の断面図である。図15Aに示すように、位置1308への変化及び位置1306へと戻る変化により、複数の磁化可能な粒子がクロスウェブ方向に傾いた領域1312がもたらされる。
図16は、方法900〜1300の様々な方法を組み合わせて多層光学フィルム1402、1404、及び1406を形成する実施例を示す。実際に、本明細書に開示される方法のいずれも、組み合わせるか又は修正して、例えば、光を制御するための様々な所望の構造で組織化された複数の磁化可能な粒子を有する多層光学フィルムを形成することができることに留意すべきである。
図17は、光学フィルム1502を作製するための、別の実施形態による方法1500であり、光学フィルムは、図17Aに示すように、全体的な所望の構造1506に組織化された第1の複数の磁化可能な粒子1504及び第2の複数の磁化可能な粒子1505を有する。方法1500は、少なくとも2つの磁石1508及び1510を利用することができる。第1の磁石1508は、回転軸ARの周りに回転することができ、回転変調することを伴う第1の磁界1512を有することができる。第2の磁石1510は、回転軸ARの周りに回転することができ、回転変調することを伴う第2の磁界1514を有することができる。加えて、第1の磁石1508は、矢印T1及びT2によって示すように、クロスウェブ(y軸)方向に往復で並進移動することができる。
図17Aは、方法1500から得られた、多層光学フィルム1502についての全体的な所望の構造1506を示し、第1の複数の磁化可能な粒子1504が第1の磁界1512によって配置、配向、及び/又は整列されて第1の所望の構造体1516になり、第2の複数の磁化可能な粒子1505が第2の磁界1514によって配置、配向、及び/又は整列されて第2の所望の構造体1518になっている。図17Aに示すように、第1の所望の構造1516の第1の複数の磁化可能な粒子1504の列が、第2の所望の構造1518の第2の複数の磁化可能な粒子1505の列を横断して配向されている。
図18は、フィーチャ1604及び/又は1606を、光学的に透明な樹脂及び複数の磁化可能な粒子を含有する少なくとも第1の混合物の少なくとも部分硬化の前に、最中に、又は後に、光学フィルム1602に付与することができる方法1600を示す。図18は、第1の磁石1608に隣接する第1の部分硬化(「硬化1」)を実行し、第1の磁石1608からダウンウェブに第2の完全硬化(「硬化2」)適用する方法1600を示す。フィーチャは、光学フィルム1602に付与することができ、又は、方法1600の適用前に、光学フィルム1602の初期的なウェブに固有に存在するように事前に作製することができる。フィーチャは、限定するものではないが、光学フィルム1602をクロスウェブ方向に一時的に湾曲させること(図12及び図12Aに前述)、光学フィルム1602をアップウェブ/ダウンウェブ方向に湾曲させる/歪ませること、光学フィルムに磁化可能な粒子、基材、及び/又は層を更に付与すること(前述)、基材にテクスチャを追加すること(図19に示す)、複数の磁化可能な粒子を含有する層にテクスチャを追加すること(図20に示す)、プロファイルダイ(profiled die)又は別のツールを用いて混合物/層に厚さ変動を付与すること、複数の磁化可能な粒子を含有する不連続層を設けること、磁界に局所的不規則性を提供すること、磁界に磁束集中を提供すること、磁石によって印加される磁界強度(磁力)を増加又は減少させること、及び/又は可変厚さを有する基材を提供すること、を含む。
図19は、少なくとも部分硬化(図18の「硬化1」)の前に、最中に、又は後に、装置1610によってフィーチャが基材に付与される方法1600を示す。これらのフィーチャは、磁石の回転軸に対する基材の、基材の位置及び角度が、1つの領域(領域1612)と別の領域とで変化し得るように、クロスウェブ、ダウンウェブ、又はその両方のいずれかの方向における基材のテクスチャ加工を含み得る。この基材のテクスチャ加工により、ある領域における複数の磁化可能な粒子が、他の領域におけるものとは異なる配置、配向、又は整列を有し得るように、複数の磁化可能な粒子を含有する層1614を変化させることができる。図20は、フィーチャが基材によってではなく装置1610によって層1614に直接付与される方法1600を示す。層1614をテクスチャ加工することにより、ある領域における複数の磁化可能な粒子が、他の領域におけるものとは異なる配置、配向、又は整列を有し得るように、複数の磁化可能な粒子を含有する層1614の厚さを、クロスウェブ、ダウンウェブ、又はその両方のいずれかの方向で変化させることができる。
図21は、その磁界1704中に局所的不規則性を形成するための複合アセンブリである磁石1702を示す。より具体的には、磁石1702は、第1の磁界1708を有する第1の部分1706と、第2の磁界1712を有する第2の部分1710とを有する。第1の部分1702は、第1の部分1706の極Nが第2の部分1710の極Nと直接整列しないように、軸Aの周りにわずかに回転されている。したがって、第1の磁界1708は、第2の磁界1712とは配向が異なっており、そのような配向のシフトは、本開示において局所的不規則性と呼ばれる。
図22は、磁石1802の表面に沿った突出部1808に起因する磁束集中1806を有する磁界1804を有する磁石1802を示す。このような突出部は、磁石1802の一部とすることができ、又は磁石1802とは別個の鉄片であってもよい。磁束集中に関する更なる情報は、PCT国際公開第2018/136269号に見出すことができ、その開示全体が参照により本明細書に組み込まれる。
図23及び図23Aは、可変厚さを有するように製作された基材1904を有する光学フィルム1902を示す。基材1904は、交互の山部1906及び谷部1908を有することができる。谷部1908は、図23Aに示すように、複数の磁化可能な粒子1910を内部に収容するように構成され得る。光学的に透明な樹脂は、図23Aには示されていない。山部1908は、複数の磁化可能な粒子1910を図23Aに示す配向にガイドすることによって、かつ複数の磁化可能な粒子1910をその側面に沿って支持することによって、複数の磁化可能な粒子1910が所望の配向を実現することを支援するように構成され得る。谷部1908は、複数の磁化可能な粒子1910が、所望の配向で、並びに図23Aに示すような相対間隔で配置されることを支援するように構成され得る。
以下の実施形態は、本開示を例示することが意図され、限定するものではない。
様々な注記及び実施例
実施例1は、光を制御するための光学フィルムを作製する方法であって、第1の混合物を基材上に配置することであって、第1の混合物は、第1の樹脂中に分散された第1の複数の磁化可能な粒子を含む、配置することと、第1の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも第1の磁界を回転変調することによって、第1の複数の磁化可能な粒子を、光を制御するための所望の構造に組み立てることと、第1の複数の磁化可能な粒子が所望の構造にある間に第1の樹脂をガラス化することと、を任意選択的に含み得る方法である。
実施例2は、第1の樹脂をガラス化することが、第1の樹脂を少なくとも部分的に重合させることを含み得る、実施例1に記載の方法である。
実施例3は、第2の樹脂中に分散された第2の複数の磁化可能な粒子を含む第2の混合物を形成することと、第2の混合物を、基材、第2の基材、又は第1の混合物のうちの1つ以上の上に配置することと、更に第2の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも第2の磁界を回転変調することによって、第2の複数の磁化可能な粒子を、光を制御するための第2の所望の構造に組み立てることと、第2の複数の磁化可能な粒子が第2の所望の構造にある間に第2の樹脂をガラス化することと、を任意選択的に更に含む、実施例1又は2に記載の方法、又は実施例1及び2を組み合わせた方法である。
実施例4は、第2の混合物及び第1の混合物が、異なる組成を有する、又は実質的に同じ組成を有する、のいずれか一方であることができ、実質的に同じ組成を有する場合、第1の複数の磁化可能な粒子が所望の構造にある間、かつ第1の樹脂の粘度を増加させた後に、第2の混合物が配置され得る、実施例3に記載の方法である。
実施例5は、第1の複数の磁化可能な粒子が、基材に対して共有された第1の配向又は第1の共通整列方向のうちの少なくとも一方を有することができ、第2の複数の粒子が、基材に対して共有された第2の配向又は第2の共通整列方向のうちの少なくとも一方を有することができ、共有された第1の配向又は第1の共通整列方向が、共有された第2の配向又は第2の共通整列方向とは異なり得る、実施例3又は4に記載の方法、又は実施例3及び4を組み合わせた方法である。
実施例6は、第1の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも第1の磁界を回転変調することと、第2の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも第2の磁界を回転変調することとが、単一の磁石からのものである、実施例3〜5のいずれか1つに記載の方法、又は実施例3〜5に記載の方法を任意に組み合わせた方法である。
実施例7は、第1の複数の磁化可能な粒子を第1の磁界に対して1つ以上の方向に移動させることと、第1の磁界を第1の複数の磁化可能な粒子に対して少なくとも第2の方向に移動させることと、第1の磁界の強度を変化させることと、第1の磁界において局所的不規則性又は磁束集中のうちの少なくとも1つを提供することと、のうちの1つ以上によって、第1の磁界を第1の複数の磁化可能な粒子に対して変化させることを、任意選択的に更に含み得る、実施例1〜6のいずれか1つに記載の方法、又は実施例1〜6に記載の方法を任意に組み合わせた方法である。
実施例8は、第1の複数の磁化可能な粒子を第1の磁界に対して移動させることが、第1の混合物及び基材のうちの1つ以上にテクスチャを適用して第1の混合物及び基材のうちの1つ以上に可変厚さを提供することと、基材及び第1の混合物をダウンウェブ方向及びクロスウェブ方向のうちの1つ以上に湾曲させることと、基材及び第1の混合物を歪ませることと、基材が可変厚さを有しかつ第1の混合物を基材上に堆積させることと、のうちの1つ以上を含み得る、実施例7に記載の方法である。
実施例9は、第1の磁界を第1の複数の磁化可能な粒子に対して少なくとも第2の方向に移動させることが、第1の磁界を、第1の磁界の回転軸に直交する平面内でクロスウェブ及びダウンウェブのうちの1つ以上の方向に並進移動させることと、第1の磁界を、第1の磁界の回転軸に直交する平面内でクロスウェブ及びダウンウェブのうちの1つ以上の方向に揺動させることと、のうちの1つ以上を含み得る、実施例7又は8に記載の方法、又は実施例7及び8に記載の方法を任意に組み合わせた方法である。
実施例10は、光を制御するための光学フィルムを作製する方法であって、基材と、第1の樹脂中に分散された第1の複数の磁化可能な粒子を含む第1の混合物と、第2の樹脂中に分散された第2の複数の磁化可能な粒子を含む第2の混合物と、を提供することと、第1の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも第1の磁界を回転変調することによって、第1の複数の磁化可能な粒子を、光を制御するための第1の所望の構造に組み立てることと、第1の所望の構造に組み立てられた第1の複数の磁化可能な粒子を有する第1の樹脂をガラス化することと、第2の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも第2の磁界を回転変調することによって、第2の複数の磁化可能な粒子を、光を制御するための第2の所望の構造に組み立てることと、第2の所望の構造に組み立てられた第2の複数の磁化可能な粒子を有する第2の樹脂をガラス化することと、を任意選択的に含み得る方法である。
実施例11は、第1の樹脂及び第2の樹脂が異なる組成を有することができ、異なるガラス化技術を使用してガラス化され得る、実施例10に記載の方法である。
実施例12は、異なるガラス化技術は、UVガラス化を含み、第1の樹脂を第1の波長でガラス化し第2の樹脂を第2の波長でガラス化するものである、実施例11に記載の方法である。
実施例13は、第1の複数の磁化可能な粒子を第1の磁界に対して1つ以上の方向に移動させることと、第1の磁界を第1の複数の磁化可能な粒子に対して少なくとも第2の方向に移動させることと、第1の磁界の強度を変化させることと、第1の磁界において局所的不規則性又は磁束集中のうちの少なくとも1つを提供することと、のうちの1つ以上によって、少なくとも第1の磁界を第1の複数の磁化可能な粒子に対して変化させることを任意選択的に更に含む、実施例10〜12のいずれか1つに記載の方法、又は実施例10〜12に記載の方法を任意に組み合わせた方法である。
実施例14は、第1の複数の磁化可能な粒子を第1の磁界に対して移動させることが、第1の混合物及び基材のうちの1つ以上にテクスチャを適用して第1の混合物及び基材のうちの1つ以上に可変厚さを提供することと、基材及び第1の混合物をダウンウェブ方向及びクロスウェブ方向のうちの1つ以上に湾曲させることと、基材及び第1の混合物を歪ませることと、基材が可変厚さを有しかつ第1の混合物を基材上に堆積させることと、のうちの1つ以上を含み得る、実施例13に記載の方法である。
実施例15は、第1の磁界を第1の複数の磁化可能な粒子に対して少なくとも第2の方向に移動させることが、第1の磁界を、第1の磁界の回転軸に直交する平面内で、クロスウェブ及びダウンウェブのうちの1つ以上の方向に並進移動させることと、第1の磁界を、第1の磁界の回転軸に直交する平面内でクロスウェブ及びダウンウェブのうちの1つ以上の方向に揺動させることと、のうちの1つ以上を含み得る、実施例12又は13に記載の方法、又は実施例12及び13に記載の方法を任意に組み合わせた方法である。
実施例16は、光を制御するための光学フィルムを作製する方法であって、第1の磁石を、第1の複数の磁化可能な粒子が第1の樹脂中に分散されている第1の混合物を少なくとも含有するウェブに対して配置することと、第1の磁石のN極及びS極がウェブの近傍を交互に通過するように、第1の磁石を軸の周りに回転させることと、第1の複数の磁化可能な粒子が、第1の磁石の磁界によって影響を受けて、第1の磁界によって影響を及ぼされた所望の構造を形成するように、ウェブを第1の磁石に隣接させて通過させることであって、所望の構造は光を制御するように構成されている、通過させることと、第1の樹脂をガラス化して第1の複数の磁化可能な粒子を所望の構造にて捕捉することと、を任意選択的に含み得る方法である。
実施例17は、第2の磁石をウェブに対して配置することであって、ウェブは、ウェブ上に堆積された、第2の複数の磁化可能な粒子が第2の樹脂中に分散されている第2の混合物を少なくとも有する、配置することと、第2の磁石のN極及びS極がウェブの近傍を交互に通過するように、第2の磁石を軸線の周りに回転させることと、第2の複数の磁化可能な粒子が、第2の磁石の磁界によって影響を受けて、第2の磁界によって影響を及ぼされた第2の所望の構造を形成するように、ウェブを第2の磁石に隣接させて通過させることであって、第2の所望の構造は光を制御するように構成されている、通過させることと、第2の樹脂をガラス化して第2の複数の磁化可能な粒子を所望の構造にて捕捉することと、を任意選択的に更に含む、実施例16に記載の方法である。
実施例18は、第1の複数の磁化可能な粒子を第1の磁界に対して1つ以上の方向に移動させることと、第1の磁界を第1の複数の磁化可能な粒子に対して少なくとも第2の方向に移動させることと、第1の磁界の強度を変化させることと、第1の磁界において局所的不規則性又は磁束集中のうちの少なくとも1つを提供することと、のうちの1つ以上によって、少なくとも第1の磁界を第1の複数の磁化可能な粒子に対して変化させることを任意選択的に更に含む、実施例16又は17に記載の方法、又は実施例16及び17に記載の方法を任意に組み合わせた方法である。
実施例19は、第1の複数の磁化可能な粒子を第1の磁界に対して移動させることが、第1の混合物及び基材のうちの1つ以上にテクスチャを適用して第1の混合物及び基材のうちの1つ以上に可変厚さを提供することと、基材及び第1の混合物をダウンウェブ方向及びクロスウェブ方向のうちの1つ以上に湾曲させることと、基材及び第1の混合物を歪ませることと、基材が可変厚さを有しかつ第1の混合物を基材上に堆積させることと、のうちの1つ以上を含み得る、実施例18に記載の方法である。
実施例20は、第1の磁界を第1の複数の磁化可能な粒子に対して少なくとも第2の方向に移動させることが、第1の磁界を、第1の磁界の回転軸に直交する平面内でクロスウェブ及びダウンウェブのうちの1つ以上の方向に並進移動させることと、第1の磁界を、第1の磁界の回転軸に直交する平面内でクロスウェブ及びダウンウェブのうちの1つ以上の方向に揺動させることと、のうちの1つ以上を含み得る、実施例18又は19に記載の方法、又は実施例18及び19に記載の方法を任意に組み合わせた方法である。
実施例
特に記載のない限り、実施例及び本明細書のその他の箇所における全ての部、百分率、比などは、重量によるものである。
実施例において使用される材料の略記を以下の表1に記載する。
Figure 2021530742
Figure 2021530742
磁石装置MAG1のアセンブリ
寸法が、外径50.8mm、幅50.8mm、内径6.35mmである6個の直径方向に磁化された円筒磁石(K&J Magnetic Inc.(Plumsteadville,Pennsylvania)からRY04Y0DIAとして入手)を、全てのN極が同じ方向を向くように、6.22mmの304ステンレス鋼シャフトに、エポキシ(3M Company(St.Paul,Minnesota)からEPOXY ADHESIVE DP460として入手)で取り付けて、寸法が直径50.8mm×304.8mmである、単一の直径方向に磁化された円筒磁石を本質的に構築した。この結果得られた円筒磁石MAG1を、電気DCモータ(Lake Forest,ILにあるW.W.Grainger(Lake Forest,IL)からLEESON 108020.00 1HP DC motorとして入手)に接続し、磁石をその軸の周りにスピンさせた。
以下の2つの溶液を、本明細書に列挙される実験に使用した。
MIX1の調製
98グラムのRESを2グラムのSENと手で30秒間混合した。得られたMIX1は、2重量%のSEN粒子を含有していた。
MIX2の調製
98グラムのRESを2グラムのMAGPと手で30秒間混合した。得られたMIX2は、2重量%のMAGP粒子を含有していた。
実施例1
ピペットを使用してMIX1の0.5mLの液滴をガラススライド(GLAS)上に置いた。厚さ0.38mmのシムをスライドの2つの縁部に置いて間隙を設け、フィルムの厚さを設定した。第2のガラススライド(GLAS)をシムの上に置き、液滴を挟んで比較的一定の厚さを得た。次いで、液滴を、2枚のガラススライド間でUVLEDを使用して10秒間硬化させた。コーティングを光学顕微鏡で観察し、図24Aに示す画像を得た。この画像では、粒子が流体全体にランダムに分散されていることが観察される。断面SEMを図24Bに示す。フィルム厚さは垂直方向における厚さである。この画像では、w軸がガラススライド(GLAS)の主表面に対して垂直に概ね整列されるように、粒子は配向されている。粒子は、概ね垂直方向に整列していない。
実施例2
ピペットを使用してMIX1の0.5mLの液滴をガラススライド(GLAS)上に置いた。厚さ0.38mmのシムをスライドの2つの縁部に置いて間隙を設け、フィルムの厚さを設定した。第2のガラススライド(GLAS)をシムの上に置き、液滴を挟んで比較的一定の厚さを得た。次いで、このガラス、シム、及び流体の積層体をMAG1(この実験では静止していた)の約10mm上方に置き、次いで、2枚のガラススライド間でUVLEDを使用して10秒間硬化させた。コーティングを光学顕微鏡で観察し、図25Aに示す画像を得た。この画像では、粒子は、w軸がGLASの主表面に平行であるように配向され、そうでなければ、粒子のクラスターが画像内でランダムに配向されているように見えるように、ランダムに配向されている。断面SEMを図25Bに示す。フィルム厚さは垂直方向における厚さである。粒子が、磁界の方向に積層されていることが示されている。
実施例3
ピペットを使用してMIX1の0.5mLの液滴をガラススライド(GLAS)上に置いた。厚さ0.38mmのシムをスライドの2つの縁部に置いて間隙を設け、フィルムの厚さを設定した。第2のガラススライド(GLAS)をシムの上に置き、液滴を挟んで比較的一定の厚さを得た。次いで、このガラス、シム、及び流体の積層体を、MAG1を2,500RPMで回転させながらMAG1の約10mm上方に置き、次いで、2枚のガラススライド間でUVLEDを使用して10秒間硬化させた。コーティングを光学顕微鏡で観察し、図26Aに示す画像を得た。この画像では、粒子は、w軸が回転軸(Y軸)に平行であるように配向され、粒子のクラスターが線状の配向構造を構築するように配置されている。断面SEMを図26Bに示す。フィルム厚さは垂直方向における厚さである。粒子が、磁界の方向に積層されていることが示されている。
実施例4
ピペットを使用してMIX2の0.5mLの液滴をガラススライド(GLAS)上に置いた。厚さ0.38mmのシムをスライドの2つの縁部に置いて間隙を設け、フィルムの厚さを設定した。第2のガラススライド(GLAS)をシムの上に置き、液滴を挟んで比較的一定の厚さを得た。次いで、このガラス、シム、及び流体の積層体を、MAG1を2,500RPMで回転させながらMAG1の約10mm上方に置き、次いで、2枚のガラススライド間でUVLEDを使用して10秒間硬化させた。コーティングを光学顕微鏡で観察し、図27Aに示す画像を得た。この画像では、粒子は一緒にクラスター化されているように、かつ線状に配向した構造を構築するように整列されているように見える。断面SEMを図27Bに示す。フィルム厚さは垂直方向における厚さである。図27Cは、線状構造が球状粒子のアセンブリであることを示す、図27Bのより高倍率のSEMである。
実施例5
ピペットを使用して0.5mLのMIX1の液滴をプリズムフィルム(3M Company(St.Paul,MN)から入手したOptical Lighting Film OLF−2405)の表面上に置いた。厚さ0.38mmのシムをガラススライド上に置き、MIX1の液滴をフィルムとスライドとの間に挟み、シムがプリズム構造の上のコーティングの厚さを設定するように、このスライドをフィルム上に置いた。次いで、MAG1を2,500RPMで回転させながら、このフィルム、ガラス、シム、及び流体の積層体をMAG1の約10mm上方に置いた。次いで、液滴を、フィルムとスライドの間でUVLEDを使用して10秒間硬化させた。コーティングを光学顕微鏡で観察し、図28Aに示す画像を得た。この画像では、粒子は、w軸が回転軸(Y軸)に平行であるように配向され、粒子のクラスターが線状の配向構造を構築するように配置されている。加えて、構造体は、フィルムの溝内に収容されている。すなわち、粒子は、プリズムフィルム内に埋め込まれたルーバーを形成する。断面SEMを図28Bに示す。フィルム厚さは垂直方向における厚さである。粒子が、磁界の方向に積層され、プリズムの谷部と一致していることが示される。
実施例6
ピペットを使用してMIX1の0.5mLの液滴をガラススライド(GLAS)(2002)上に置いた。厚さ0.38mmのシム(2006)をスライドの2つの縁部に置いて間隙を設け、フィルムの厚さを設定した。第2のガラススライド(GLAS)(2004)をシム(2006)の上に置き、液滴を挟んで比較的一定の厚さを得た。次いで、このガラス、シム、及び流体の積層体を、磁石の長さに対して20°の角度でMAG1(2008)の上方に保持した(図29Aを参照)。MAG1(2008)を2,500RPMで回転させ、次いで、液滴を、2枚のガラススライド間でUVLEDを使用して10秒間硬化させた。コーティングを光学顕微鏡で観察し、図29Bに示す画像、及び図29Cにおけるコーティングの断面を得た。この画像では、粒子は、w軸が回転軸(Y軸)に平行であるように配向され、粒子のクラスターが線状の配向構造を構築するように配置されている。しかしながら、この例では、コーティング自体が磁石に対して傾けられ、ガラススライドの法線ベクトルに対して傾いた線状構造が構築されている(図29Aを参照)。
実施例7
本実施例で実施される方法は、MAG1とガラススライドの積層体の底部との間の距離を表3に従って変化させたことを除き、実施例3と同一であった。複数の顕微鏡画像を撮影し、隣接する線状の配向された構造間のおよその間隔を測定し、その平均も表3に記入した。表3から、隣接する構造間の間隔は、磁石からの距離が増加するにつれて、概ね増加することが注目される。間隔が150mmの場合は、構造は、間隔を確実に測定するのに十分な配向をもはや有しておらず、この点における値は記録されなかったことに留意すべきである。
Figure 2021530742

Claims (25)

  1. 光を制御するための光学フィルムを作製する方法であって、
    第1の混合物を基材上に配置することであって、前記第1の混合物は、第1の樹脂中に分散された第1の複数の磁化可能な粒子を含む、配置することと、
    前記第1の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも第1の磁界を回転変調することによって、前記第1の複数の磁化可能な粒子を、前記光を制御するための所望の構造に組み立てることと、
    前記第1の複数の磁化可能な粒子が前記所望の構造にある間に前記第1の樹脂をガラス化することと、を含む、方法。
  2. 前記第1の樹脂をガラス化することは、前記第1の樹脂を少なくとも部分的に重合させることを含む、請求項1に記載の方法。
  3. 第2の樹脂中に分散された第2の複数の磁化可能な粒子を含む第2の混合物を形成することと、
    前記第2の混合物を、前記基材、第2の基材、又は前記第1の混合物のうちの1つ以上の上に配置することと、
    更に前記第2の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも第2の磁界を回転変調することによって、前記第2の複数の磁化可能な粒子を、前記光を制御するための第2の所望の構造に組み立てることと、
    前記第2の複数の磁化可能な粒子が前記第2の所望の構造にある間に前記第2の樹脂をガラス化することと、を更に含む、請求項1又は2に記載の方法。
  4. 前記第2の混合物及び前記第1の混合物が、異なる組成を有する、又は実質的に同じ組成を有する、のいずれか一方であり、実質的に同じ組成を有する場合、前記第1の複数の磁化可能な粒子が前記所望の構造にある間、かつ前記第1の樹脂の粘度を増加させた後に、前記第2の混合物が配置される、請求項3に記載の方法。
  5. 前記第1の複数の磁化可能な粒子は、前記基材に対して共有された第1の配向又は第1の共通整列方向のうちの少なくとも一方を有し、前記第2の複数の粒子は、前記基材に対して共有された第2の配向又は第2の共通整列方向のうちの少なくとも一方を有し、前記共有された第1の配向又は第1の共通整列方向は、前記共有された第2の配向又は第2の共通整列方向とは異なる、請求項3又は4に記載の方法。
  6. 前記第1の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも前記第1の磁界を回転変調することと、前記第2の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも前記第2の磁界を回転変調することとが、単一の磁石からのものである、請求項3〜5のいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記第1の複数の磁化可能な粒子を前記第1の磁界に対して1つ以上の方向に移動させることと、前記第1の磁界を前記第1の複数の磁化可能な粒子に対して少なくとも第2の方向に移動させることと、前記第1の磁界の強度を変化させることと、前記第1の磁界において局所的不規則性又は磁束集中のうちの少なくとも1つを提供することと、のうちの1つ以上によって、前記第1の磁界を前記第1の複数の磁化可能な粒子に対して変化させることを更に含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記第1の複数の磁化可能な粒子を前記第1の磁界に対して移動させることが、前記第1の混合物及び前記基材のうちの1つ以上にテクスチャを適用して前記第1の混合物及び前記基材のうちの1つ以上に可変厚さを提供することと、前記基材及び前記第1の混合物をダウンウェブ方向及びクロスウェブ方向のうちの1つ以上に湾曲させることと、前記基材及び前記第1の混合物を歪ませることと、前記基材が可変厚さを有しかつ前記第1の混合物を前記基材上に堆積させることと、のうちの1つ以上を含む、請求項7に記載の方法。
  9. 前記第1の磁界を前記第1の複数の磁化可能な粒子に対して少なくとも前記第2の方向に移動させることが、前記第1の磁界を、前記第1の磁界の回転軸に直交する平面内でクロスウェブ及びダウンウェブのうちの1つ以上の方向に並進移動させることと、前記第1の磁界を、前記第1の磁界の前記回転軸に直交する平面内でクロスウェブ及びダウンウェブのうちの1つ以上の方向に揺動させることと、のうちの1つ以上を含む、請求項7又は8に記載の方法。
  10. 光を制御するための光学フィルムを作製する方法であって、
    基材と、第1の樹脂中に分散された第1の複数の磁化可能な粒子を含む第1の混合物と、第2の樹脂中に分散された第2の複数の磁化可能な粒子を含む第2の混合物と、を提供することと、
    前記第1の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも第1の磁界を回転変調することによって、前記第1の複数の磁化可能な粒子を、前記光を制御するための第1の所望の構造に組み立てることと、
    前記第1の所望の構造に組み立てられた前記第1の複数の磁化可能な粒子を有する前記第1の樹脂をガラス化することと、
    前記第2の複数の磁化可能な粒子に対する少なくとも第2の磁界を回転変調することによって、前記第2の複数の磁化可能な粒子を、前記光を制御するための第2の所望の構造に組み立てることと、
    前記第2の所望の構造に組み立てられた前記第2の複数の磁化可能な粒子を有する前記第2の樹脂をガラス化することと、を含む、方法。
  11. 前記第1の樹脂及び前記第2の樹脂が異なる組成を有し、異なるガラス化技術を使用してガラス化される、請求項10に記載の方法。
  12. 前記異なるガラス化技術は、UVガラス化を含み、前記第1の樹脂を第1の波長でガラス化し前記第2の樹脂を第2の波長でガラス化するものである、請求項11に記載の方法。
  13. 前記第1の複数の磁化可能な粒子を前記第1の磁界に対して1つ以上の方向に移動させることと、前記第1の磁界を前記第1の複数の磁化可能な粒子に対して少なくとも第2の方向に移動させることと、前記第1の磁界の強度を変化させることと、前記第1の磁界において局所的不規則性及び磁束集中のうちの少なくとも1つを提供することと、のうちの1つ以上によって、少なくとも前記第1の磁界を前記第1の複数の磁化可能な粒子に対して変化させることを更に含む、請求項10〜12のいずれか一項に記載の方法。
  14. 前記第1の複数の磁化可能な粒子を前記第1の磁界に対して移動させることが、前記第1の混合物及び前記基材のうちの1つ以上にテクスチャを適用して前記第1の混合物及び前記基材のうちの1つ以上に可変厚さを提供することと、前記基材及び前記第1の混合物をダウンウェブ方向及びクロスウェブ方向のうちの1つ以上に湾曲させることと、前記基材及び前記第1の混合物を歪ませることと、前記基材が可変厚さを有しかつ前記第1の混合物を前記基材上に堆積させることと、のうちの1つ以上を含む、請求項13に記載の方法。
  15. 前記第1の磁界を前記第1の複数の磁化可能な粒子に対して少なくとも前記第2の方向に移動させることが、前記第1の磁界を、前記第1の磁界の回転軸に直交する平面内でクロスウェブ及びダウンウェブのうちの1つ以上の方向に並進移動させることと、前記第1の磁界を、前記第1の磁界の前記回転軸に直交する平面内でクロスウェブ及びダウンウェブのうちの1つ以上の方向に揺動させることと、のうちの1つ以上を含む、請求項12又は13に記載の方法。
  16. 光を制御するための光学フィルムを作製する方法であって、
    第1の磁石を、第1の複数の磁化可能な粒子が第1の樹脂中に分散されている第1の混合物を少なくとも含有するウェブに対して配置することと、
    前記第1の磁石のN極及びS極が前記ウェブの近傍を交互に通過するように、前記第1の磁石を軸線の周りに回転させることと、
    前記第1の複数の磁化可能な粒子が、前記第1の磁石の磁界によって影響を受けて、第1の磁界によって影響を及ぼされた所望の構造を形成するように、前記ウェブを前記第1の磁石に隣接させて通過させることであって、前記所望の構造は前記光を制御するように構成されている、通過させることと、
    前記第1の樹脂をガラス化して前記第1の複数の磁化可能な粒子を前記所望の構造にて捕捉することと、を含む、方法。
  17. 第2の磁石を前記ウェブに対して配置することであって、前記ウェブは、前記ウェブ上に堆積された、第2の複数の磁化可能な粒子が第2の樹脂中に分散されている第2の混合物を少なくとも有する、配置することと、
    前記第2の磁石のN極及びS極が前記ウェブの近傍を交互に通過するように、前記第2の磁石を軸線の周りに回転させることと、
    前記第2の複数の磁化可能な粒子が、前記第2の磁石の磁界によって影響を受けて、第2の磁界によって影響を及ぼされた第2の所望の構造を形成するように、前記ウェブを前記第2の磁石に隣接させて通過させることであって、前記第2の所望の構造は前記光を制御するように構成されている、通過させることと、
    前記第2の樹脂をガラス化して前記第2の複数の磁化可能な粒子を前記所望の構造にて捕捉することと、を更に含む、請求項16に記載の方法。
  18. 前記第1の複数の磁化可能な粒子を前記第1の磁界に対して1つ以上の方向に移動させることと、前記第1の磁界を前記第1の複数の磁化可能な粒子に対して少なくとも第2の方向に移動させることと、前記第1の磁界の強度を変化させることと、前記第1の磁界において局所的不規則性及び磁束集中のうちの少なくとも1つを提供することと、のうちの1つ以上によって、少なくとも前記第1の磁界を前記第1の複数の磁化可能な粒子に対して変化させることを更に含む、請求項16又は17に記載の方法。
  19. 前記第1の複数の磁化可能な粒子を前記第1の磁界に対して移動させることが、前記第1の混合物及び基材のうちの1つ以上にテクスチャを適用して前記第1の混合物及び前記基材のうちの1つ以上に可変厚さを提供することと、前記基材及び前記第1の混合物をダウンウェブ方向及びクロスウェブ方向のうちの1つ以上に湾曲させることと、前記基材及び前記第1の混合物を歪ませることと、前記基材が可変厚さを有しかつ前記第1の混合物を前記基材上に堆積させることと、のうちの1つ以上を含む、請求項18に記載の方法。
  20. 前記第1の磁界を前記第1の複数の磁化可能な粒子に対して少なくとも前記第2の方向に移動させることが、前記第1の磁界を、前記第1の磁界の回転軸に直交する平面内でクロスウェブ及びダウンウェブのうちの1つ以上の方向に並進移動させることと、前記第1の磁界を、前記第1の磁界の前記回転軸に直交する平面内でクロスウェブ及びダウンウェブのうちの1つ以上の方向に揺動させることと、のうちの1つ以上を含む、請求項18又は19に記載の方法。
  21. 請求項1〜20のいずれか一項に記載の方法によって作製された、光制御フィルム。
  22. 基材と、
    前記基材に直接的に又は間接的に結合された第1の層であって、第1の光学的に透明な樹脂と第1の複数の磁化可能な粒子との第1の混合物を含み、前記第1の複数の磁化可能な粒子は第1の所望の構造を含む、第1の層と、
    前記第1の層に直接的に又は間接的に結合された第2の層であって、第2の光学的に透明な樹脂と第2の複数の磁化可能な粒子との第2の混合物を含み、前記第2の複数の磁化可能な粒子は第2の所望の構造を含む、第2の層と、を備える、光制御フィルム。
  23. 前記第1の所望の構造及び前記第2の所望の構造が実質的に類似している、請求項22に記載の光制御フィルム。
  24. 前記第1の所望の構造及び前記第2の所望の構造が実質的に異なる、請求項22に記載の光制御フィルム。
  25. 前記第1の複数の磁化可能な粒子は、前記基材に対して共有された第1の配向を有し、前記第2の複数の磁化可能な粒子は、前記基材に対して共有された第2の配向を有し、前記共有された第1の配向及び共有された第2の配向は、互いに実質的に異なる、請求項22に記載の光制御フィルム。
JP2021502472A 2018-07-18 2019-07-18 光制御構造を形成する磁化可能な粒子及びそのような構造の製造方法 Pending JP2021530742A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862699966P 2018-07-18 2018-07-18
US62/699,966 2018-07-18
PCT/US2019/042372 WO2020018771A1 (en) 2018-07-18 2019-07-18 Magnetizable particles forming light controlling structures and methods of making such structures

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021530742A true JP2021530742A (ja) 2021-11-11
JPWO2020018771A5 JPWO2020018771A5 (ja) 2022-07-26

Family

ID=67515160

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021502472A Pending JP2021530742A (ja) 2018-07-18 2019-07-18 光制御構造を形成する磁化可能な粒子及びそのような構造の製造方法
JP2021502473A Pending JP2021530743A (ja) 2018-07-18 2019-07-18 磁化可能な粒子を有する光制御構造体を有するデバイス

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021502473A Pending JP2021530743A (ja) 2018-07-18 2019-07-18 磁化可能な粒子を有する光制御構造体を有するデバイス

Country Status (4)

Country Link
US (3) US11911791B2 (ja)
JP (2) JP2021530742A (ja)
CN (2) CN112639585A (ja)
WO (2) WO2020018771A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020018771A1 (en) 2018-07-18 2020-01-23 3M Innovative Properties Company Magnetizable particles forming light controlling structures and methods of making such structures
US11427026B1 (en) 2021-03-23 2022-08-30 Viavi Solutions Inc. Orienting magnetic flakes within a binder layer
AU2021229201B1 (en) * 2021-09-08 2022-10-06 Yaue-Sheng Chang Solar panel for pitched roof and construction method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61235804A (ja) * 1985-04-11 1986-10-21 Ricoh Co Ltd 光学フイルタ−およびその製造方法
JPH0331804A (ja) * 1989-06-16 1991-02-12 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 光制御フィルム及びその製法
JP2008176065A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Kyoritsu Kagaku Sangyo Kk 光学異方性を有する複合材料及び電子装置の製造方法
US20170003424A1 (en) * 2014-01-13 2017-01-05 The Regents Of The University Of California Wide-range infra-red-reflection and ultra-violet-cut transparent filters based on magnetically responsive photonic crystals

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2370636A (en) 1933-03-23 1945-03-06 Minnesota Mining & Mfg Manufacture of abrasives
US2857879A (en) 1955-09-01 1958-10-28 Abrasive Company Of America Apparatus for preparing abrasive articles
US3625666A (en) 1968-06-19 1971-12-07 Ind Distributors 1946 Ltd Method of forming metal-coated diamond abrasive wheels
ZA741474B (en) 1974-03-07 1975-10-29 Edenvale Eng Works Abrasive tools
ZA746013B (en) 1974-09-23 1976-05-26 Edenvale Eng Works Abrasive tools
US4612242A (en) 1985-06-03 1986-09-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Pressure-sensitive adhesive tape containing coated glass microbubbles
US5104210A (en) * 1989-04-24 1992-04-14 Monsanto Company Light control films and method of making
US5181939A (en) 1989-12-20 1993-01-26 Charles Neff Article and a method for producing an article having a high friction surface
JP2942707B2 (ja) 1994-08-09 1999-08-30 鹿島建設株式会社 太陽電池
JPH09269513A (ja) * 1996-03-29 1997-10-14 Tokin Corp 磁気配向シート
US5943156A (en) * 1997-04-25 1999-08-24 Tdk Corporation Polarizing plate and method of manufacturing polarizing plate
JPH116916A (ja) * 1997-06-13 1999-01-12 Tdk Corp 偏光板およびその製造方法
US7517578B2 (en) * 2002-07-15 2009-04-14 Jds Uniphase Corporation Method and apparatus for orienting magnetic flakes
US6649256B1 (en) * 2000-01-24 2003-11-18 General Electric Company Article including particles oriented generally along an article surface and method for making
US20040036993A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Tin Hla Ngwe Transparent heat mirror for solar and heat gain and methods of making
PL1663481T3 (pl) 2003-09-26 2009-07-31 3M Innovative Properties Co Nanoskalowe katalizatory ze złota, środki aktywujące, nośniki oraz powiązane metodologie użyteczne do wytwarzania takich układów katalitycznych, zwłaszcza gdy złoto jest osadzane na nośniku z zastosowaniem fizycznego osadzania z fazy gazowej
JP2005257782A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Fuji Photo Film Co Ltd 異方性光透過膜及びその製造方法
KR20090016155A (ko) * 2007-08-10 2009-02-13 삼성전자주식회사 능동형 반사판 및 이를 채용한 마그네틱 디스플레이 패널
CN100563935C (zh) 2007-05-23 2009-12-02 江苏天一超细金属粉末有限公司 一种使磨料颗粒均匀分布/有序排列/择优取向的方法和装置
JP2011508262A (ja) 2007-12-21 2011-03-10 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 光制御フィルム
US20110075258A1 (en) 2008-05-23 2011-03-31 Reflexite Corporation Light control films and method thereof
KR101042263B1 (ko) * 2010-08-02 2011-06-21 주식회사 나노브릭 자성 입자를 이용한 광 투과 조절 방법, 필름 및 표시 장치
CA2910020C (en) * 2013-05-02 2020-04-28 Sicpa Holding Sa Processes for producing security threads or stripes
US10655038B2 (en) 2016-10-25 2020-05-19 3M Innovative Properties Company Method of making magnetizable abrasive particles
WO2018080704A1 (en) 2016-10-25 2018-05-03 3M Innovative Properties Company Bonded abrasive wheel and method of making the same
CN109863220B (zh) 2016-10-25 2021-04-13 3M创新有限公司 功能性磨料颗粒、磨料制品及其制备方法
US11484990B2 (en) 2016-10-25 2022-11-01 3M Innovative Properties Company Bonded abrasive wheel and method of making the same
WO2018080705A1 (en) 2016-10-25 2018-05-03 3M Innovative Properties Company Magnetizable agglomerate abrasive particles, abrasive articles, and methods of making the same
EP3532561B1 (en) 2016-10-25 2021-04-28 3M Innovative Properties Company Magnetizable abrasive particles and abrasive articles including them
CN109843509A (zh) 2016-10-25 2019-06-04 3M创新有限公司 结构化磨料制品及其制备方法
US10947432B2 (en) 2016-10-25 2021-03-16 3M Innovative Properties Company Magnetizable abrasive particle and method of making the same
US20180120580A1 (en) 2016-10-28 2018-05-03 3M Innovative Properties Company Light control film with varied viewing angle
US20190344403A1 (en) 2017-01-19 2019-11-14 3M Innovative Properties Company Use of magnetics with magnetizable abrasive particles, methods, apparatuses and systems using magnetics to make abrasive articles
EP3571011A1 (en) 2017-01-19 2019-11-27 3M Innovative Properties Company Magnetically assisted transfer of magnetizable abrasive particles and methods, apparatuses and systems related thereto
EP3571012A4 (en) 2017-01-19 2020-11-04 3M Innovative Properties Company HANDLING OF MAGNETISABLE ABRASIVE PARTICLES WITH MODULATION OF THE ANGLE OR THE FORCE OF THE MAGNETIC FIELD
CN110225953A (zh) 2017-01-23 2019-09-10 3M创新有限公司 可磁化磨料颗粒的磁力辅助布置
EP3639070A1 (en) 2017-06-13 2020-04-22 3M Innovative Properties Company Light control films
CN112041119A (zh) * 2018-04-24 2020-12-04 3M创新有限公司 制备涂覆磨料制品的方法
WO2020018771A1 (en) 2018-07-18 2020-01-23 3M Innovative Properties Company Magnetizable particles forming light controlling structures and methods of making such structures

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61235804A (ja) * 1985-04-11 1986-10-21 Ricoh Co Ltd 光学フイルタ−およびその製造方法
JPH0331804A (ja) * 1989-06-16 1991-02-12 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 光制御フィルム及びその製法
JP2008176065A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Kyoritsu Kagaku Sangyo Kk 光学異方性を有する複合材料及び電子装置の製造方法
US20170003424A1 (en) * 2014-01-13 2017-01-05 The Regents Of The University Of California Wide-range infra-red-reflection and ultra-violet-cut transparent filters based on magnetically responsive photonic crystals

Also Published As

Publication number Publication date
US20230411547A1 (en) 2023-12-21
JP2021530743A (ja) 2021-11-11
US20210273126A1 (en) 2021-09-02
WO2020018771A1 (en) 2020-01-23
CN112424955A (zh) 2021-02-26
CN112639585A (zh) 2021-04-09
WO2020018794A1 (en) 2020-01-23
US20210294002A1 (en) 2021-09-23
US11911791B2 (en) 2024-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2021530742A (ja) 光制御構造を形成する磁化可能な粒子及びそのような構造の製造方法
Tazaki et al. Radiative grain alignment in protoplanetary disks: Implications for polarimetric observations
Smith et al. Magnetic microhelix coil structures
WO2018080755A1 (en) Method of making magnetizable abrasive particles
JP6619216B2 (ja) 透光性磁性体
CN101392103A (zh) 各向异性磁片
US20220403177A1 (en) Effect pigment, production method, value document and printing ink
Huang et al. 3D printing of high-precision and ferromagnetic functional devices
Li et al. Macroscopic gradient ordered α-Fe/Pr2Fe14B nanocomposites with ultrahigh energy density
Lisjak et al. Influence of the morphology of ferrite nanoparticles on the directed assembly into magnetically anisotropic hierarchical structures
JP2007024949A (ja) 光学フィルム及びその製造方法
Hu et al. Nanoscale-driven crystal growth of hexaferrite heterostructures for magnetoelectric tuning of microwave semiconductor integrated devices
Han et al. Chiral metamaterials by shadowing vapor deposition
US20200050140A1 (en) Optical security device based on a surface of revolution
US20230055151A1 (en) Thermal interface layer
JP5291885B2 (ja) 意匠性媒体形成方法
US20230059388A1 (en) Magnetic film
JP2005257782A (ja) 異方性光透過膜及びその製造方法
CN115379954B (zh) 效应颜料、印刷油墨、防伪元件和数据载体
Thomas et al. Exchange bias effect in partially oxidized amorphous Fe–Ni–B based metallic glass nanostructures
CN117651897A (zh) 磁光材料及其制造方法
US20230001735A1 (en) Effect pigment, manufacturing method, valuable document and printing ink
Rozenberg et al. Resin-bonded permanent magnetic films with out-of-plane magnetization for MEMS applications
Hui et al. Spin Hall magnetoresistance in Ta/CoFe2O4 nanostructures
Sahoo et al. Role of film thickness and disorder in tuning perpendicular magnetic anisotropy in GdTb-FeCo alloy films

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20220421

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220715

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220715

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230418

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230419

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20231114