JP2021513191A - 電子源及び電子銃 - Google Patents
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Abstract
Description
1つの実施形態において、電界印加によって針先の表面の金属原子とガス分子とが反応生成物を形成することは、具体的に幾つかの実現方式を用いることができ、例えば、針先に電圧を直接印加して針先の表面に高い電界強度を形成することで針先の表面の金属原子とガス分子とが反応して反応生成物を形成することを促進してもよいし、針先近傍の電界強度発生構造(例えば電極等)に電圧を印加して電界を形成し、さらに針先の表面に高い電界強度を形成することで針先の表面の金属原子とガス分子とが反応して反応生成物を形成することを促進してもよい。要するに、針先の表面に形成されたフィールド、及び該フィールドの形成方式については限定されなく、針先の表面の金属原子と周囲ガス分子とが反応して反応生成物を形成することを促進するフィールド(例えば電界)を針先の表面に形成することができればよい。
さらに、基板の構造及び/又は高電界強度構造を調節することで電子源放出電流の電圧の大きさ及び一致性を調節し、例えば電界エッチング、電界蒸発等の方法により形成された針先の突起に放出点を形成し、放出電流が1マイクロアンペアである場合、電圧が−0.5KV未満(例えば引出電圧が−0.4KVである)に達することができ、これにより、電子銃の構造デザインがよりコンパクトとなる。
該電子源は良好な安定性を有し、放出点(図4の右の図における黒丸が示しているように)は針先の表面の特定位置に安定的に根を下ろすことができ、複数個の放出点は最大でmAオーダーの総電流を提供することができ、かつ悪い真空度下(10−5Pa)で動作可能であり、かつ貯蔵しやすい。
Ma1の形成位置(Lo)は予め選定することができ、例えば、針先の表面に1つの電界優位性領域Lo1を形成し(図5Aを参照して、例えば1つのnmオーダーの突起を形成する)、この箇所の電界を針先の他の領域よりも高くしたり、針先の表面に1つの活性領域Lo2を形成し、該領域がガスと反応してより高い活性を有させたり(図5Cを参照して、その他の領域に対していう)、ある領域Lo3(図5Dを参照)に上述した2種の特徴を有させたりする方法により選定することができる。ただし、突起は熱処理、熱電界処理、エッチング、ナノ加工等の手段により形成することができ、活性原子領域は各種の原子蒸着等の方法により形成することができる。
針先の条件:突起を有する針先を例として、針先の表面に上述した物質を形成しようとする領域にまず1つのナノオーダーの突起を形成することで、針先にバイアス(VS)を印加する時に、突起の表面に1つの強い表面電界ESを形成し、ESがその近傍の電界よりも大きい。
Claims (21)
- 1つ又は2つ以上の針先を含み、少なくとも1つの針先は、1つ又は2つ以上の固定された放出点を有し、前記放出点は、針先の表面の金属原子とガス分子とで形成された反応生成物を含む、電子源。
- 前記放出点は、金属原子とガス分子とが電界下で形成された反応生成物を含む、請求項1に記載の電子源。
- 少なくとも1つの針先は、基板と、前記基板上の、前記基板の他の箇所よりも電界強度が高い1つ又は2つ以上の高電界強度構造と、を含み、少なくとも1つの前記高電界強度構造の外面に金属原子を含み、かつ/または
少なくとも1つの針先は、基板と、前記基板上の、前記基板の他の箇所よりも反応活性が高い1つ又は2つ以上の活性領域と、を含み、少なくとも1つの前記活性領域の外面に金属原子を含み、かつ/または
少なくとも1つの針先は、基板と、前記基板上の、前記基板の他の箇所よりも電界強度が高い1つ又は2つ以上の高電界強度構造と、を含み、前記高電界強度構造の少なくとも一部の表面は反応活性の高い活性領域であり、ただし、前記活性領域の外面に金属原子を含む、請求項1に記載の電子源。 - 前記電界は、正のバイアス、負のバイアス又は正のバイアスと負のバイアスとの組み合わせを印加することによって生成される電界であり、
正のバイアスが印加される場合、電界強度が1〜50V/nmであり、
負のバイアスが印加される場合、電界強度が1〜30V/nmである、請求項2に記載の電子源。 - 前記高電界強度構造は突起を含む、請求項3に記載の電子源。
- 前記突起のサイズはサブナノから100ナノオーダーである、請求項5に記載の電子源。
- 前記突起は、熱処理、電界印加、熱電界処理、エッチング又はナノ加工のいずれか1種又は2種以上の方法によって形成される、請求項5に記載の電子源。
- 突起を含む針先は、真空条件下でガス分子との反応において、前記突起の少なくとも一部の表面の金属原子が、前記基板のその他の表面の部分と同じ反応活性、又はそれよりも高い反応活性を有し、
突起を含まない針先は、真空条件下でガス分子との反応において、前記基板の活性領域の表面の金属原子が、前記基板のその他の表面の部分よりも高い反応活性を有する、請求項5に記載の電子源。 - 前記基板の材料は導電材であり、かつ/または
前記高電界強度構造の材料は導電材であり、かつ/または
基板及び/又は高電界強度構造の表面は金属原子であり、かつ/または
前記高電界強度構造の材料は基板の材料と同じ又は異なり、かつ/または
前記基板及び/又は高電界強度構造の表面の金属原子の材料が高電界強度構造の材料と同じ又は異なり、異なっている場合、前記基板及び/又は高電界強度構造の表面の金属原子は、蒸着又は電気めっきにより形成され、かつ/または
前記基板及び/又は高電界強度構造の表面の金属原子の材料は基板の材料と同じ又は異なり、異なっている場合、前記基板及び/又は高電界強度構造の表面の金属原子は、蒸着又は電気めっきによって形成される、請求項3に記載の電子源。 - 前記ガス分子は、導入されたガス分子及び/又は真空環境中に残存したガス分子であり、
前記ガス分子は、水素含有ガス分子と、窒素含有ガス分子、炭素含有ガス分子又は酸素含有ガス分子のうちのいずれか1種又は2種以上のガス分子と、を含む、請求項2に記載の電子源。 - 前記水素含有ガス分子は水素ガス分子を含む、請求項10に記載の電子源。
- 前記放出点の消失温度が前記基板、前記高電界強度構造及び前記金属原子の消失温度の最小値よりも低く、かつ前記放出点の消失温度が前記電子源の動作温度よりも高いか、あるいは、
前記放出点の消失温度が前記基板、前記高電界強度構造及び前記金属原子の消失温度の最小値よりも低く、かつ、前記放出点の消失温度が前記電子源の動作温度及び任意の針先に吸着されたガス分子の脱着温度の最大値よりも高い、請求項3に記載の電子源。 - 前記基板の材料は融点1000K超の導電材であり、かつ/または
前記高電界強度構造の材料は融点1000K超の導電材であり、かつ/または
前記基板及び/又は高電界強度構造の表面の金属原子の材料は融点1000K超の金属材料であり、かつ
前記金属原子とガス分子との反応生成物は、真空条件下で融点1000K超の金属原子とガス分子との反応生成物を含む、請求項9に記載の電子源。 - 前記金属材料は、タングステン、タンタル、ニオブ、モリブデン、レニウム、ハフニウム、イリジウム、オスミウム、ロジウム、ルテニウム、白金、パラジウム、金、クロム、バナジウム、ジルコニウム、チタン、又は金属六ホウ化物のうちのいずれか1種又は2種以上を含む、請求項13に記載の電子源。
- 前記金属材料はタングステンであり、かつ
前記放出点は水素タングステン化合物を含む、請求項14に記載の電子源。 - 前記針先の基板及び/又は高電界強度構造のサイズ及び形状を調節することによって電子ビームのビーム角の大きさを調節し、かつ/または
高電界強度構造及び/又は活性領域のサイズを調節することによって放出点の数を調節し、かつ/または
基板の構造及び/又は高電界強度構造の構造を調節することによって電子源放出電流の電圧の大きさ又は一致性を調節し、かつ/または
針先頂部の形状を調節することによって放出電流の方向を調節する、請求項3に記載の電子源。 - 高電界強度構造又は反応活性の高い領域は前記基板の表面の中心位置に位置し、かつ/または
高電界強度構造は、サイズが所定閾値よりも大きい基板上に位置し、かつ/または
前記金属原子は、前記高電界強度構造の頂端又は前記基板の表面の中心位置に位置する、請求項16に記載の電子源。 - 前記針先の動作条件は、
針先温度≦1000Kの場合、動作圧力≦10−3Paとなるか、あるいは、
500K≦針先温度≦800Kの場合、動作圧力≦10−6Paとなるか、あるいは、
針先温度≦150Kの場合、動作圧力≦10−6Paとなる、請求項2に記載の電子源。 - 前記放出点のサイズがナノオーダー又はサブナノオーダーであり、かつ
動作電圧を調節することにより、針先の放出点から放出される電流の値が10mAオーダーに達することができる、請求項2に記載の電子源。 - 前記電子源は、冷陰極電界放出の特徴を有し、引出電圧を調節することによって放出電流の大きさを調節する、請求項1に記載の電子源。
- 電子を放出するための請求項1から20のいずれか一項に記載の電子源と、
前記電子源の冷却を行うための冷却装置と、
前記電子源の温度を調節するための加熱装置と、
水素含有ガスを導入するためのガス導入装置と、
を含み、
前記電子源が電気絶縁性熱伝導体によって前記冷却装置に固定されている、電子銃。
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