JP2021512470A - 電子源の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
放出点は、真空環境下、かつ一定の温度範囲で、電界の作用により針先の表面の金属原子とガス分子とが生成された反応生成物である。ただし、電界は、正のバイアス又は負のバイアスを印加して形成された電界であってもよく、例えば、正のバイアスを印加した場合、電界強度が1〜50V/nmであり、負のバイアスを印加した場合、電界強度が1〜30V/nmである。
1.まず、高電界強度構造を形成し、高電界強度構造を形成する過程は下記の操作を含んでもよい。
Claims (19)
- 少なくとも1つの針先に1つ又は2つ以上の固定された放出点を形成し、前記放出点は、針先の表面の金属原子とガス分子とで形成された反応生成物を含む、電子源の製造方法。
- 電界の作用により、前記金属原子と前記ガス分子とを反応させて前記放出点を生成する、請求項1に記載の方法。
- 少なくとも1つの針先は、基板と、前記基板上の、前記基板の他の箇所よりも電界強度が高い1つ又は2つ以上の高電界強度構造と、を含み、少なくとも1つの前記高電界強度構造の外面に金属原子を含み、かつ/または
少なくとも1つの針先は、基板と、前記基板上の、前記基板の他の箇所よりも反応活性が高い1つ又は2つ以上の活性領域と、を含み、少なくとも1つの前記活性領域の外面に金属原子を含み、かつ/または
少なくとも1つの針先は、基板と、前記基板上の、前記基板の他の箇所よりも電界強度が高い1つ又は2つ以上の高電界強度構造と、を含み、前記高電界強度構造の少なくとも一部の表面は反応活性の高い活性領域である、請求項1に記載の方法。 - 前記高電界強度構造は突起を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記突起のサイズはサブナノから100ナノメートルオーダーである、請求項4に記載の方法。
- 前記突起は、熱処理、電界印加、熱電界処理、エッチング又はナノ加工のいずれか1種又は2種以上の方法によって形成される、請求項4に記載の方法。
- 突起を含む針先は、真空条件下でガス分子との反応において、前記突起の少なくとも一部の表面の金属原子が、前記基板のその他の表面の部分と同じ反応活性、又はそれよりも高い反応活性を有し、
突起を含まない針先は、真空条件下でガス分子との反応において、前記基板の活性領域の表面の金属原子が、前記基板のその他の表面の部分よりも高い反応活性を有する、請求項4に記載の方法。 - 前記針先の基板及び/又は高電界強度構造のサイズ及び形状を調節することによって電子ビームのビーム角の大きさを調節し、かつ/または
高電界強度構造及び/又は活性領域のサイズを調節することによって放出点の数を調節し、かつ/または
基板の構造及び/又は高電界強度構造の構造を調節することによって電子源放出電流の電圧の大きさ又は一致性を調節し、かつ/または
針先頂部の形状を調節することによって放出電流の方向を調節することをさらに含む、請求項3に記載の方法。 - 前記ガス分子は、水素含有ガス分子と、窒素含有ガス分子、炭素含有ガス分子又は酸素含有ガス分子のうちのいずれか1種又は2種以上のガス分子とを含む、請求項2に記載の方法。
- 前記水素含有ガス分子は、導入された水素含有ガス分子で構成されるか、及び/又は真空環境に残存したガス分子で構成され、かつ
水素含有ガス分子の量を調節することで前記放出点の形成速度を調節する、請求項9に記載の方法。 - 前記水素含有ガス分子は水素ガス分子を含み、
前記金属原子はタングステン原子を含み、
前記放出点が水素タングステン化合物である、請求項9に記載の方法。 - 前記電界はバイアスを印加することで形成され、ただし、前記バイアスの印加は、正のバイアスの印加、負のバイアスの印加又は正のバイアスと負のバイアスとの組み合わせの印加のいずれか1種又は2種以上を含む、請求項2に記載の方法。
- 正のバイアスを印加する場合、形成した電界強度の範囲が1〜50V/nmであり、
負のバイアスを印加する場合、形成した電界強度の範囲が1〜30V/nmである、請求項12に記載の方法。 - 負のバイアスを印加して放出点を形成する際に、前記針先に負のバイアスを印加して、電流値がマイクロアンペアオーダーの放出電流を生成し、
所定値の放出電流を生成するまで、所定時間維持する又は前記負のバイアスを調節し、
負のバイアスを調節することで前記電子源の放出電流をミリアンペアオーダーより小さくし、針先の形貌変化又は焼損を避ける、請求項12に記載の方法。 - 正のバイアスを印加して放出点を形成する際に、前記針先に正のバイアスを印加して所定時間維持し、前記正のバイアスの値が、前記突起を形成する電界蒸発のバイアスの値より小さい、請求項12に記載の方法。
- 前記印加するバイアスの値を調節すること、あるいは所定時間の値を調節することで、形成される放出点の数を調節する、請求項12に記載の方法。
- 針先温度≦1000Kの場合、圧力≦10−3Pa、あるいは、
500K≦針先温度≦800Kの場合、圧力≦10−6Pa、あるいは、
針先温度≦150Kの場合、圧力≦10−6Paである、請求項2に記載の方法。 - 放出点の数を調節することで放出点の均一性を調節し、かつ/又は、
放出点の数を調節することで電流の大きさを調節し、かつ/又は、
放出点の数を増加させることで放出電流の安定性を増加させることをさらに含む、請求項2に記載の方法。 - 少なくとも1つの針先に1つ又は2つ以上の固定された放出点を形成した後、電界を印加することでガス分子を放出点に吸着させ、少なくとも1つの放出点を除去することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
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