JP2021510887A - メモリ媒体の劣化を検出および軽減するための方法、ならびにそれを採用するメモリ・デバイス - Google Patents
メモリ媒体の劣化を検出および軽減するための方法、ならびにそれを採用するメモリ・デバイス Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (26)
- メモリ・デバイスであって、
不揮発性メモリ・アレイと、
前記メモリ・デバイスにおいて受信されるアクティブ化コマンドの数に対応する値を格納し、
ホスト・デバイスから受信されるアクティブ化コマンドを受信したことに応じて、前記値を更新し、
前記値が所定のしきい値を超えたことに応じて、前記メモリ・デバイスによって実行される修復アクションをトリガする、
ように構成された制御回路構成とを備える、メモリ・デバイス。 - 前記修復アクションは、前記ホスト・デバイスに更新コマンドを要求することと、さらなる修復アクションをスケジュールすることとを備える、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- 前記さらなる修復アクションは、前記要求された更新コマンドを受信したことに応じて実行されるウェア・レベリング動作を備える、請求項2に記載のメモリ・デバイス。
- 前記修復アクションは、前記ホスト・デバイスから、後続する更新コマンドが受信されたことに応じて実行されるように、ウェア・レベル動作をスケジュールすることを備える、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- 前記修復アクションは、前記ホスト・デバイスから更新コマンドを受信することを待つことなく、ウェア・レベリング動作を実行することを備える、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- 前記値を更新することは、デバイス温度、デバイス電圧、デバイスのアップ・タイム、またはそれらの組合せに対応する量により、前記値を更新することを備える、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- 前記修復アクションは、センス増幅器の重み、読取ウィンドウ・バジェット、基準電圧、サンプル・タイミング、またはそれらの組合せを更新することを備える、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- 前記修復アクションは、前記値をリセットすることを備える、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- 前記値は、第1の値であり、前記修復アクションは、第1の修復アクションであり、前記所定のしきい値は、第1の所定のしきい値であり、前記制御回路構成はさらに、
前記メモリ・デバイスによって実行される更新動作の数に対応する第2の値を格納し、
更新動作を実行したことに応じて、前記第2の値を更新し、
前記値が第2の所定のしきい値を超えたことに応じて、前記メモリ・デバイスによって実行される第2の修復アクションをトリガするように構成された、請求項1に記載のメモリ・デバイス。 - 前記第2の修復アクションは、センス増幅器の重み、読取ウィンドウ・バジェット、基準電圧、サンプル・タイミング、またはそれらの組合せをのうちの1つまたは複数を更新することを備える、請求項9に記載のメモリ・デバイス。
- 前記第2の修復アクションは、前記第2の値をリセットすることを備える、請求項9に記載のメモリ・デバイス。
- 単一の半導体ダイが、前記不揮発性メモリ・アレイおよび前記制御回路構成を備える、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- 前記不揮発性アレイは、フラッシュ・アレイ、相変化アレイ、強誘電性アレイ、または磁気抵抗性アレイを備える、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- 前記制御回路構成は、前記メモリ・アレイに前記値を格納するように構成される、請求項1に記載のメモリ・デバイス。
- メモリ・アレイを含むメモリ・デバイスを動作させる方法であって、
前記メモリ・デバイスにおいて受信されるアクティブ化コマンドの数に対応する値を格納することと、
ホスト・デバイスから受信されるアクティブ化コマンドを受信したことに応じて、前記値を更新することと、
前記値が所定のしきい値を超えたことに応じて、前記メモリ・デバイスによって実行される修復アクションをトリガすることとを備える、方法。 - 前記修復アクションは、前記ホスト・デバイスに更新コマンドを要求することと、さらなる修復アクションをスケジュールすることとを備える、請求項15に記載の方法。
- 前記さらなる修復アクションは、前記要求された更新コマンドを受信したことに応じて実行されるウェア・レベリング動作を備える、請求項16に記載の方法。
- 前記修復アクションは、前記ホスト・デバイスから、後続する更新コマンドが受信されたことに応じて実行されるように、ウェア・レベル動作をスケジュールすることを備える、請求項15に記載の方法。
- 前記修復アクションは、前記ホスト・デバイスから更新コマンドを受信することを待つことなく、ウェア・レベリング動作を実行することを備える、請求項15に記載の方法。
- 前記値を更新することは、デバイス温度、デバイス電圧、デバイスのアップ・タイム、またはそれらの組合せに対応する量により、前記値を更新することを備える、請求項15に記載の方法。
- 前記修復アクションは、センス増幅器の重み、読取ウィンドウ・バジェット、基準電圧、サンプル・タイミング、またはそれらの組合せを更新することを備える、請求項15に記載の方法。
- 前記修復アクションは、前記値をリセットすることを備える、請求項15に記載の方法。
- 前記値は、第1の値であり、前記修復アクションは、第1の修復アクションであり、前記所定のしきい値は、第1の所定のしきい値であり、前記方法はさらに、
前記メモリ・デバイスによって実行される更新動作の数に対応する第2の値を格納することと、
更新動作を実行したことに応じて、前記第2の値を更新することと、
前記第2の値が、第2の所定のしきい値を超えたことに応じて、前記メモリ・デバイスによって実行される第2の修復アクションをトリガすることとを備える、請求項15に記載の方法。 - 前記第2の修復アクションは、センス増幅器の重み、読取ウィンドウ・バジェット、基準電圧、サンプル・タイミング、またはそれらの組合せのうちの1つまたは複数を更新することを備える、請求項23に記載の方法。
- 前記第2の修復アクションは、前記第2の値をリセットすることを備える、請求項23に記載の方法。
- メモリ・システムを動作させる方法であって、
アクティブ化コマンドをメモリ・デバイスへ送信することと、
前記アクティブ化コマンドに少なくとも部分的に基づいて、前記メモリ・デバイスから、更新コマンドを発行する要求を受信することと、
前記要求に少なくとも部分的に基づいて、前記更新コマンドを発行することとを備える、方法。
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