JP2021508947A

JP2021508947A - 発光装置、その製造方法及び表示モジュール

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Publication number: JP2021508947A
Application number: JP2020535611A
Authority: JP
Inventors: シエ，ミン−シュン; チェヌ，シャウ−イ; ドン，シャオ−ユー
Original assignee: Epistar Corp
Current assignee: Epistar Corp
Priority date: 2017-12-26
Filing date: 2018-06-08
Publication date: 2021-03-11
Also published as: CN111542930B; CN116053385A; TW201928475A; TW202310442A; WO2019128118A1; CN115207192A; KR20240006084A; TWI786126B; CN116053391A; CN111542930A; KR20200119233A; US11641010B2; CN115207195A; EP3734674A1; EP3734674A4; US20210066562A1; US20230231098A1; US20230207769A1

Abstract

【課題】本発明は、搭載板、発光素子及び接続構造を含む発光装置を提供する。
【解決手段】搭載板は第一導電領域を含む。発光素子は第一光線を発する第一発光層、及び前記第一発光層の下に形成された第一接触電極を含み、前記第一接触電極が前記第一導電領域に対応する。接続構造は第一電気接続部、及び前記第一接触電極と前記第一電連接部を囲む保護部を含み、かつ、第一電気接続部が前記第一導電領域と前記第一接触電極に電気的に接続される。前記第一電気接続部は、上部分、下部分及び前記上部分と前記下部分の間に位置するネック部を含み、前記上部分の縁部が前記ネック部より突出し、前記下部分の縁部が前記上部分より突出する。
【選択図】図４Ｅ

Description

本発明は発光装置及びその製造方法に関し、特に特定構造の接続構造を含む発光装置及びその製造方法に関する。

発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ−ＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ：ＬＥＤ）は電気消費量が低い、発熱量が低い、操作寿命が長い、耐衝撃性、体積が小さい、及び応答速度が速い等の特性を有するため、発光素子を必要とする様々な分野、例えば、車両、家電、表示パネル及び照明具等に幅広く応用されている。

発光ダイオードは単色光（ｍｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｉｃｌｉｇｈｔ）であるため、ディスプレイ中の画素（ｐｉｘｅｌ）に非常に適している。例えば、屋外または屋内の表示パネルの画素に用いることができる。また、ディスプレイの解像度を高めることが今の技術発展の一つの傾向である。解像度を高めるには、画素としてのＬＥＤを目標基板により多く転写しなければならない。これにより多くの技術問題が派生し、例えば、ＬＥＤと基板の電気接続の歩留まりの向上が一大チャレンジである。

本発明は特定構造の接続構造を含む発光装置及びその製造方法を提供する。

発光装置は搭載板、発光素子及び接続構造を含む。搭載板は第一導電領域を含む。発光素子は第一光線を発する第一発光層及び前記第一発光層の下に形成された第一接触電極を含み、前記第一接触電極が前記第一導電領域に対応する。接続構造は第一電気接続部、及び前記第一接触電極と前記第一電連接部を囲む保護部を含み、第一電気接続部が前記第一導電領域と前記第一接触電極に電気的に接続される。前記第一電気接続部は上部分、下部分、及び前記上部分と前記下部分との間に位置するネック部を含み、前記上部分の縁部が前記ネック部より突出し、かつ前記底部の縁部が前記上部分より突出する。

本発明の一実施例が開示した発光素子の断面図。本発明の別の実施例が開示した発光素子の断面図。本発明の別の実施例が開示した発光素子の断面図。本発明の一実施例が開示した発光ユニットの断面図。本発明の別の実施例が開示した発光ユニットの断面図。本発明の別の実施例が開示した発光ユニットの断面図。本発明の一実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の一実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の一実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の一実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の一実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の別の実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の別の実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の別の実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の別の実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の別の実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の別の実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の別の実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の別の実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の別の実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の別の実施例の発光装置の製造フローチャート。本発明の一実施例の発光装置の部分構成図。本発明の一実施例の発光装置の部分構成図。本発明の一実施例の発光装置の部分構成図。本発明の一実施例の発光装置の部分構成図。本発明の一実施例が開示した発光モジュールの上面図。本発明の一実施例が開示した光モジュールを補修する製造フローチャート。本発明の一実施例が開示した光モジュールを補修する製造フローチャート。本発明の一実施例が開示した光モジュールを補修する製造フローチャート。本発明の一実施例が開示した光モジュールを補修する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した光モジュールを補修する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した光モジュールを補修する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した光モジュールを補修する製造フローチャート。本発明の一実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の一実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の一実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の一実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の一実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の一実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の一実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した転写装置の転写ヘッド。本発明の一実施例が開示した発光装置中の接続構造が硬化前の概略図。本発明の一実施例が開示した発光装置中の接続構造が硬化後の概略図。本発明の別の実施例が開示した発光装置中の接続構造が硬化前の概略図。本発明の別の実施例が開示した発光装置中の接続構造が硬化後の概略図。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の一実施例が開示した発光素子の底面図。本発明の一実施例が開示した接続構造に覆われた発光素子の底面図。本発明の一実施例が開示した接続構造に覆われた目標基板の底面図。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャート。図１８Ａないし図１８Ｄが開示した発光装置における接続構造が硬化前の概略図。図１８Ａないし図１８Ｄが開示した発光装置における接続構造が硬化後の概略図。図１８Ｄが例示した発光装置の上面図。図１８Ｆが例示した発光装置の上面図。

図１Ａは本発明の一実施例が開示した発光素子１００Ａの断面図であり、図１Ｂは本発明の別の実施例が開示した発光素子１００Ｂの断面図であり、及び、図１Ｃは本発明の別の実施例が開示した発光素子１００Ｃの断面図である。図１Ａが示すように、発光素子１００Ａは発光ユニット１２０及び突出ブロック１４２ａ、１４４ａを含む。一実施例において、発光ユニット１２０は発光積層１２２と接触電極１２４を含み、接触電極１２４が一対の電極１２４１、１２４２であり、かつ、突出ブロック１４２ａ、１４４ａがそれぞれ接触電極１２４１、１２４２に電気的に接続される。

発光積層１２２は外部電力（図示せず）の提供を受けて光線を発することができる。突出ブロック１４２ａ、１４４ａは、発光積層１２２と外部電力の間の架け橋となり、かつ、発光装置が形成された後接続構造の一部になる。一実施例において、突出ブロック１４２ａは接触電極１２４１の下に直接形成され、かつ、突出ブロック１４２ａは接触電極１２４１に近い上表面の幅が接触電極１２４１から遠い下表面の幅より大きい形状を有する。一実施例において、突出ブロック１４２ａは幅が上表面から下表面に向かって次第に小さくなる形状であり、例えば、円錐状、角錐状である。一実施例において、突出ブロック１４２ａの形状が下表面に近い部分に針状または管状構造を有する。一実施例において、突出ブロック１４２ａの材料が導電材料であり、例えば、金属または導電高分子である。一実施例において、金属が金、銅、金合金または銅合金を含む。突出ブロック１４４ａと突出ブロック１４２ａの形状または材料が同じまたは類似するものであってもよい。

図１Ｂが示すように、発光素子１００Ｂは発光ユニット１２０及び突出ブロック１４２ｂ、１４４ｂを含む。発光素子１００Ａとの異なる点は突出ブロック１４２ｂ、１４４ｂの形状にあり、突出ブロック１４２ｂ、１４４ｂは下表面に平坦部を有する形状、例えば、先端切りの円錐状（ｔｒｕｎｃａｔｅｄｃｏｎｅｓｈａｐｅ）または先端切りの角錐状（ｔｒｕｎｃａｔｅｄｐｙｒａｍｉｄｓｈａｐｅ）である。

図１Ｃが示すように、発光素子１００Ｃは発光ユニット１２０及び突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃを含む。発光素子１００Ａとの異なる点は突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃにある。一実施例において、突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃはそれぞれ接触電極１２４１、１２４２の下表面に形成された薄膜である。一実施例において、突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃの厚さＴ１が約１〜１２マイクロメートル（μｍ）である。別の実施例において、突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃの厚さＴ１が約２〜１０μｍである。突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃの材料が低融点の金属または低液化融点（ｌｉｑｕｉｄｕｓｍｅｌｔｉｎｇｐｏｉｎｔ）の合金である。また、前記金属は例えば錫またはインジウムであり、かつ、前記合金は例えば金錫合金である。一実施例において、突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃがそれぞれ平坦な底表面を有し、これにより、後の搭載板と接合させる工程で安定して搭載板の上に設置することができる。

図２Ａは本発明の一実施例が開示した発光ユニット１２０Ａの断面図であり、図２Ｂは本発明の別の実施例が開示した発光ユニット１２０Ｂの断面図であり、及び、図２Ｃは本発明の別の実施例が開示した発光ユニット１２０Ｃの断面図である。前記発光ユニット１２０は発光ユニット１２０Ａ、１２０Ｂまたは１２０Ｃのうちの一つであってもよい。図２Ａが示すように、発光ユニット１２０Ａは、導電パッド１２１１Ａ、１２１２Ａ、発光積層１２２、絶縁層１２３Ａ（第一絶縁層とも呼ぶ）、接触電極１２４１Ａ、１２４２Ａ及び搭載基板１２６Ａを含む。具体的に言うと、発光積層１２２は、下から上へ順に第一半導体１２２１、発光層１２２２及び第二半導体１２２３を含み、かつ搭載基板１２６Ａの下に位置する。導電パッド１２１１Ａ、１２１２Ａはそれぞれ第一半導体１２２１及び第二半導体１２２３に電気的に接続される。絶縁層１２３Ａは発光積層１２２の下に位置し、かつ二つの導電パッド１２１１Ａ、１２１２Ａの間に位置する。接触電極１２４１Ａ、１２４２Ａはそれぞれ導電パッド１２１１Ａ、１２１２Ａに電気的に接続される。接触電極１２４１Ａ、１２４２Ａは導電パッド１２１１Ａ、１２１２Ａに対しより大きな底面面積または幅を有し、これにより、より簡単に外部の電極（図示せず）と接続することができる。

発光ユニット１２０Ａは発光ダイオードチップであってもよい。一実施例において、発光ユニット１２０Ａは赤色発光ダイオードチップであり、電源が提供する電力により光線（または第一光線と呼ぶ）を出射し、かつ光線の主波長（ｄｏｍｉｎａｎｔｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）またはピーク波長（ｐｅａｋｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）が６００ｎｍ〜６６０ｎｍである。別の実施例において、発光ユニット１２０Ａは緑色発光ダイオードチップであり、かつ出射光線（または第一光線と呼ぶ）の主波長（ｄｏｍｉｎａｎｔｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）またはピーク波長（ｐｅａｋｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）が５１０ｎｍ〜５６０ｎｍの間にある。別の実施例において、発光ユニット１２０Ａは青色発光ダイオードチップであり、かつ出射光線（または第一光線と呼ぶ）の主波長（ｄｏｍｉｎａｎｔｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）またはピーク波長（ｐｅａｋｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）が４３０ｎｍ〜４８０ｎｍの間にある。一実施例において、発光ユニット１２０Ａの搭載基板１２６Ａが成長基板（ｇｒｏｗｔｈｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であり、発光積層１２２のエピタキシャル成長時の基板とする。成長基板の材料として、例えば、サファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅ）である。別の実施例において、搭載基板１２６Ａは透明セラミックス基板であり、結合層（ｂｏｎｄｉｎｇｌａｙｅｒ、図示せず）によって発光積層１２２に接続される。透明セラミックスの材料は、例えば、酸化アルミニウムである。導電パッド１２１１Ａ、１２１２Ａの材料は、高導電性の金属、例えば、アルミニウムを含むことができる。接触電極１２４ａ、１２４ｂの材料は高導電性の金属または合金、例えば、アルミニウム、銅、金または金錫合金を含むことができる。

図２Ｂが示すように、発光ユニット１２０Ｂは導電パッド１２１１Ｂ、１２１２Ｂ、発光積層１２２、接触電極１２４１Ｂ、１２４２Ｂ、搭載基板１２６Ｂ及び波長変換層１２８Ｂを含む。一実施例において、発光積層１２２は接触電極１２４１Ｂ、１２４２Ｂに電気的に接続される。搭載基板１２６Ｂは発光積層１２２の下に位置し、かつ接触電極１２４１Ｂ、１２４２Ｂを囲んでこれら電極に接触する。一実施例において、発光積層１２２のエピタキシャル成長時の成長基板はその一部または全部が除去されるため、搭載基板１２６Ｂは成長基板ではない。また、波長変換層１２８Ｂは発光積層１２２の上に位置する。一実施例において、波長変換層１２８Ｂはさらに搭載基板１２６Ｂの一部表面を被覆する。

一実施例において、発光ユニット１２０Ｂの接触電極１２４１Ｂ、１２４２Ｂの形状が柱状である。搭載基板１２６Ｂの材料が樹脂、例えば、エポキシ樹脂であってもよい。一実施例において、波長変換層１２８Ｂは接着剤（図示せず、第一接着剤）及び接着剤中に分散された複数個の波長変換粒子（図示せず）を含み、波長変換粒子は発光積層１２２が発した第一光線を吸収し、かつその一部または全部を第一光線と異なる波長または周波数を有する第二光線に変換する。一実施例において、波長変換粒子は、例えば青色光またはＵＶ光である第一光線を吸収した後、緑色光である第二光線に完全に変換し、その主波長またはピーク波長が５１０ｎｍ〜５６０ｎｍの間にある。別の実施例において、波長変換粒子は、例えば青色光またはＵＶ光である第一光線を吸収した後、赤色光である第二光線に完全に変換し、その主波長またはピーク波長が６００ｎｍ〜６６０ｎｍの間にある。波長変換粒子の材料は、無機の蛍光分（ｐｈｏｓｐｈｏｒ）、有機分子蛍光着色剤（ｏｒｇａｎｉｃｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔｃｏｌｏｒａｎｔ）、半導体材料（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、または前記材料の組み合わせを含むことができる。半導体材料はナノ結晶（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）の半導体材料、例えば量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍ-ｄｏｔ）発光材料を含む。

図２Ｃが示すように、発光ユニット１２０Ｃは、発光積層１２２、接触電極１２４１Ｃ、１２４２Ｃ、光遮断囲い壁１２５Ｃ、搭載基板１２６Ｃ及び波長変換層１２８Ｃを含む。一実施例において、発光積層１２２は接触電極１２４１Ｃ、１２４２Ｃに電気的に接続され、搭載基板１２６Ｃが発光積層１２２の上に位置し、波長変換層１２８Ｃが搭載基板１２６Ｃの上に位置し、かつ、光遮断囲い壁１２５Ｃが発光積層１２２、搭載基板１２６Ｃ及び波長変換層１２８Ｃの側壁を囲む。光遮断囲い壁１２５Ｃは、発光積層１２２が発した第一光線及び／または波長変換層１２８Ｃが発した第二光線が発光ユニット１２０Ｃの側面から射出して複数個の発光ユニット間にクロストーク（ｃｒｏｓｓｔａｌｋ）問題が発生することを回避できる。

光遮断囲い壁１２５Ｃは接着剤（図示せず、第二接着剤）及び接着剤に分散された複数個の吸光粒子または光反射粒子を含むことができる。吸光粒子の材料がカーボンブラックであってもよい。光反射粒子の材料が酸化チタン（ｔｉｔａｎｉｕｍｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、硫酸バリウムまたは炭酸カルシウムであってもよい。

図３Ａないし図３Ｅは本発明の一実施例の発光装置３００Ａの製造フローチャートである。図３Ａにおいて、搭載板を提供する。前記搭載板は絶縁層３２２（または第二絶縁層と呼ぶ）及び複数個の導電領域３２３、３２４を含む。一実施例において、導電領域３２３、３２４は絶縁層３２２の上に形成される。一実施例において、導電領域３２３、３２４はそれぞれ一対であり、それぞれ発光ユニット１２０の接触電極１２４１、１２４２に対応する。また、導電領域３２３、３２４の間は電気的に分離されても、または電気的に接続されてもよい。

絶縁層３２２の材料がエポキシ樹脂、ＢＴ（ＢｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅＴｒｉａｚｉｎｅ）樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）樹脂、エポキシ樹脂とガラス繊維の複合材料またはＢＴ樹脂とガラス繊維の複合材料であってもよい。導電領域３２３、３２４の材料が金属、例えば、銅、錫、アルミニウム、銀または金であってもよい。一実施例において、発光装置３００Ａが表示装置の画素である場合、絶縁層３２２の表面に一層の吸光層（図示せず）、例えば黒色コーティング層を形成し、これによりコントラストを上げることができる。

図３Ｂにおいて、樹脂３４１ａ、３４１ｂ及び導電粒子３４２ａ、３４２ｂを含む接着材（ｇｌｕｅ）３４０’ａ、３４０’ｂをそれぞれ導電領域３２３、３２４の上及び周りに形成する。一実施例において、パターン化治具を用いて接着材３４０’ａ、３４０’ｂを形成し、パターン化治具は例えばステンシル（ｓｔｅｎｃｉｌ）またはスクリーンである。

一実施例において、複数個の導電粒子３４２ａが樹脂３４１ａ中に分散される。同様に、複数個の導電粒子３４２ｂが樹脂３４１ｂ中に分散される。樹脂３４１ａ、３４１ｂの材料は熱硬化高分子及びフラックスを含む。熱硬化高分子はエポキシ樹脂であってもよい。導電粒子３４２ａ、３４２ｂの材料は金、銀、銅または錫合金であってもよい。一実施例において、導電粒子の材料が低融点の金属または低液化融点（ｌｉｑｕｉｄｕｓｍｅｌｔｉｎｇｐｏｉｎｔ）の合金であってもよい。一実施例において、低融点の金属または低液化融点の合金の融点または液化温度が２１０℃より低い。別の実施例において、低融点の金属または低液化融点の合金の融点または液化温度が１７０℃より低い。低液化融点の合金の材料は錫インジウム合金または錫ビスマス合金であってもよい。

図３Ｃが示すように、接着材３４０’ａ、３４０’ｂの中の樹脂３４１ａ、３４１ｂが硬化して接続構造３４０ａ、３４０ｂの中の保護部３４３ａ、３４３ｂが形成される。これと同時に、導電粒子３４２ａ、３４２ｂが融解して接続構造３４０ａ、３４０ｂの中の電気接続部の下部分３４４２ａ、３４４２ｂが形成される。硬化方法が加熱であってもよい。一実施例において、硬化の段階で、樹脂３４１ａ、３４１ｂの粘度が一旦低下してから再上昇し、かつ、導電粒子３４２ａ、３４２ｂは導電領域３２３、３２４の周囲に集合する。導電粒子３４２ａ、３４２ｂは集合すると同時に融解態を経過する。一実施例において、硬化温度が１４０℃以上である。

図３Ｄにおいて、発光素子１００Ａ‐１を提供する。一実施例において、一つの発光素子１００Ａ‐１が一つの導電領域３２３及び一つの接続構造３４０ａに対応する。別の実施例において、複数個の発光素子１００Ａ‐１、１００Ａ‐２が同時に複数個の導電領域３２３、３２４及び接続構造３４０ａ、３４０ｂに対応するようにしてもよい。

図３Ｅが示すように、発光素子１００Ａ‐１の突出ブロック１４２ａ、１４４ａが電気接続部の下部分３４４２ａによって導電領域３２３に電気的に接続されて、発光装置３００Ａを構成する。一実施例において、発光素子１００Ａ‐１の突出ブロック１４２ａ、１４４ａは、外力によって下に向く力が提供され、電気接続部の下部分３４４２ａに接触するまで保護部３４３ａに挿し込まれる。この時、突出ブロック１４２ａ、１４４ａは接続構造３４０ａの中の電気接続部の上部分３４４１ａとなる。また、電気接続部の上部分３４４１ａと電気接続部の下部分３４４２ａとの間にネック部構造３４４３ａが形成される。一実施例において、電気接続部の上部分３４４１ａと電気接続部の下部分３４４２ａとで材料組成が異なり、例えば、電気接続部の上部分３４４１ａが銅元素を含み、電気接続部の下部分３４４２ａが錫元素を含む。同じように、発光素子１００Ａ‐２の突出ブロック１４２ａ、１４４ａは電気接続部の下部分３４４２ｂによって導電領域３２４に電気的に接続されて、もう一つの発光装置を構成する。一実施例において、発光素子１００Ａ‐１と発光素子１００Ａ‐２がそれぞれ単一の発光装置を形成してもよい。別の実施例において、発光素子１００Ａ‐１と発光素子１００Ａ‐２が同時に複数個の発光装置を形成してもよい。一実施例において、絶縁層３２２を後のステップで切断することで発光装置３００Ａと別の発光装置を物理的に分離させることができる。別の実施例において、絶縁層３２２を切断する必要がなく、発光装置３００Ａと別の発光装置が絶縁層３２２を共用する。

図３Ａないし図３Ｃ、及び図３Ｆないし図３Ｊは本発明の別の実施例の発光装置３００Ｂの製造フローチャートを示す。図３Ｃのように接続構造３４０ａ、３４０ｂの中の保護部３４３ａ、３４３ｂ及び電気接続部の下部分３４４２ａ、３４４２ｂを形成するステップの後、引き続き図３Ｆないし図３Ｈのように、治具を用いて接続構造３４０ａ、３４０ｂに複数個の凹陷部３４７ａ、３４７ｂを形成する。一実施例において、図３Ｆが示すように、複数個の凸部を有する治具３６０を提供し、凸部の形状が例えば尖がった形である。治具３６０の各凸部がそれぞれ接続構造３４０ａ、３４０ｂの電気接続部の下部分３４４２ａ、３４４２ｂに合わせられる。図３Ｇにおいて、治具３６０中の複数個の凸部が保護部３４３ａに挿し込まれ、かつ電気接続部の下部分３４４２ａ、３４４２ｂに接触するまで挿し込まれる。図３Ｈにおいて、治具３６０を上に引き、接続構造３４０ａ、３４０ｂから離すと、複数個の凹陷部３４７ａ、３４７ｂが形成される。複数個の凹陷部３４７ａ、３４７ｂはそれぞれ導電領域３２３、３２４及び電気接続部の下部分３４４２ａ、３４４２ｂに対応する。図３Ｉが示すように、発光素子１００Ｂ‐１、１００Ｂ‐２の突出ブロック１４２ｂ、１４４ｂはそれぞれ電気接続部の下部分３４４２ａと導電領域３２３に合わせられる。図３Ｊが示すように、発光素子１００Ｂ‐１の突出ブロック１４２ｂ、１４４ｂが電気接続部の下部分３４４２ａによって導電領域３２３に電気的に接続されて、発光装置３００Ｂを構成する。同じように、発光素子１００Ｂ‐２の突出ブロック１４２ａ、１４４ａが電気接続部の下部分３４４２ｂによって導電領域３２４に電気的に接続されて、もう一つの発光装置を構成する。一実施例において、発光素子１００Ｂ‐１と発光素子１００Ｂ‐２が同時に複数個の発光装置を形成してよい。別の実施例において、発光素子１００Ｂ‐１と発光素子１００Ｂ‐２がそれぞれ単一な発光装置を形成してもよい。

図４Ａないし図４Ｅは本発明の別の実施例の発光装置４００Ａの製造フローチャートである。図４Ａにおいて、搭載板を提供する。前記搭載板は絶縁層３２２及び複数個の導電領域３２３、３２４を含む。絶縁層３２２及び複数個の導電領域３２３、３２４の構造、作用及び材料について、図３Ａの関連段落を参照することができる。

図４Ｂが示すように、接着材４４０’ａ、４４０’ｂはそれぞれ導電領域３２３、３２４の上及び周りに形成される。一実施例において、パターン化治具を用いる方法で接着材４４０’ａ、４４０’ｂを形成し、かつ、パターン化治具は例えばステンシル（ｓｔｅｎｃｉｌ）またはスクリーンである。一実施例において、接着材４４０’ａ、４４０’ｂは樹脂を含む。樹脂の材料は熱硬化高分子及びフラックスを含む。熱硬化高分子はエポキシ樹脂であってもよい。別の実施例において、接着材４４０’ａ、４４０’ｂは樹脂及び樹脂の中に分散された光反射粒子を含む。光反射粒子の材料が酸化チタン（ｔｉｔａｎｉｕｍｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、硫酸バリウムまたは炭酸カルシウムであってもよい。

図４Ｃにおいて、発光素子１００Ｃ‐１、１００Ｃ‐２を提供する。発光素子１００Ｃ‐１の突出ブロック１４２ｃ‐１、１４４ｃ‐１が導電領域３２３に合わせられ、及び、発光素子１００Ｃ‐２の突出ブロック１４２ｃ‐２、１４４ｃ‐２が導電領域３２４に合わせられる。図４Ｄが示すように、発光素子１００Ｃ‐１の突出ブロック１４２ｃ‐１、１４４ｃ‐１が接着材４４０’ａに挿し込まれ、かつ導電領域３２３に接触する。同じように、発光素子１００Ｃ‐２の突出ブロック１４２ｃ−２、１４４ｃ−２が接着材４４０’ｂに挿し込まれ、かつ導電領域３２４に接触する。

図４Ｅが示すように、突出ブロック１４２ｃ‐１、１４４ｃ‐１、１４２ｃ‐２、１４４ｃ‐２を融解させる。従って、突出ブロック１４２ｃ‐１、１４４ｃ‐１と導電領域３２３が接合して接続構造４４０ａ、４４０ｂの中の電気接続部４４１、４４２を形成する。同じように、突出ブロック１４２ｃ‐２、１４４ｃ‐２と導電領域３２４が接合して電気接続部４４４、４４５を形成する。このステップにおいて、突出ブロック１４２ｃ‐１、１４４ｃ‐１、１４２ｃ‐２、１４４ｃ‐２を融解させるほか、接着材４４０’ａ、４４０’ｂを硬化させて接続構造４４０ａ、４４０ｂの中の保護部４４３ａ、４４３ｂを形成する。発光素子１００Ｃ‐１の突出ブロック１４２ｃ‐１、１４４ｃ‐１を融解させ、及び接着材４４０’ａを硬化させた後に発光装置４００Ａが形成される。同じように、発光素子１００Ｃ‐２の突出ブロック１４２ｃ‐２、１４４ｃ‐２を融解させた後、及び接着材４４０’ｂを硬化させた後に、もう一つの発光装置４００Ｂが形成される。一実施例において、接続構造４４０ａ、４４０ｂはさらに光反射粒子（図示せず）を含み、光反射粒子がそれぞれ保護部４４３ａ、４４３ｂ内に分散される。これにより、発光素子１００Ｃ‐１、１００Ｃ‐２の発した光に対する接続構造４４０ａ、４４０ｂの反射率を高めることができる。

図５Ａを参照すると、一実施例における発光装置４００Ｂの中の接続構造４４０ｂの部分構成図である。発光素子１００Ｃ‐２の接触電極１２４１Ｃ‐２と絶縁層３２２の上の導電領域３２４との間に電気接続部４４４Ａを有する。一実施例において、電気接続部４４４Ａは上部分４４４１Ａ、ネック部４４４３Ａ及び下部分４４４２Ａを含む。ネック部４４４３Ａは上部分４４４１Ａ及び下部分４４４２Ａとの間に位置する。一実施例において、電気接続部の上部分４４４１Ａと電気接続部の下部分４４４２Ａの材料組成が同じであり、例えば、両者は何れも錫元素を含む。一実施例において、ネック部４４４３Ａの幅が上部分４４４１Ａの幅より小さい。一実施例において、上部分４４４１Ａの幅が下部分４４４２Ａの幅より小さい。一実施例において、電気接続部４４４の厚さＴ２が５μｍより小さい。別の実施例において、電気接続部４４４の厚さＴ２が３μｍより大きい。別の実施例において、電気接続部４４４の厚さＴ２が１μｍから４μｍの間にある。一実施例において、上部分４４４１Ａの底表面の少なくとも一部分が平面である。一実施例において、接触電極１２４１Ｃ‐２の底表面から上部分４４４１Ａの底表面の平面までの距離が１μｍより小さい。別の実施例において、接触電極１２４１Ｃ‐２の底表面から上部分４４４１Ａの底表面の平面までの距離が０.５μｍより小さい。一実施例において、保護部４４３ａは電気接続部４４４Ａを囲む。一実施例において、保護部４４３ａは接触電極１２４１Ｃ‐２、電気接続部４４４Ａ及び導電領域３２４を被覆する。保護部４４３ａは接触電極１２４１Ｃ‐２、電気接続部４４４Ａ及び／または導電領域３２４を保護し、環境中の水気または酸素が接触電極１２４１Ｃ‐２、電気接続部４４４Ａ及び／または導電領域３２４に接触することを防ぐ。また、保護部４４３ａは、電気接続部４４４Ａが高温環境で軟化または融解してショートする問題を回避できる。

図５Ａが示す一実施例において、上部分４４４１Ａ、ネック部４４４３Ａ及び下部分４４４２Ａは何れも金元素を含む。一実施例において、上部分４４４１Ａ、ネック部４４４３Ａ及び下部分４４４２Ａは何れも金元素及び錫元素を含む。一実施例において、接触電極１２４１Ｃ‐２及び上部分４４４１Ａの面積Ａ１の金元素の強度が導電領域３２４及び下部分４４４２Ａの面積Ａ２の金元素の強度より大きい。これにより、接触電極１２４１Ｃ‐２及び上部分４４４１Ａの面積Ａ１の金元素の原子パーセント（百分比）が下部分４４４２Ａの面積Ａ２の金元素の原子パーセントより大きい。前記元素の分析は、エネルギー分散型Ｘ線分析（Ｅｎｅｒｇｙ−ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅＸ−ｒａｙｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、ＥＤＸ）によって行うことができる。

図５Ｂは別の実施例における発光装置４００Ｂ中の接続構造４４０ｂの部分構成図である。図５Ａとの異なる点は、接続構造４４０ｂの電気接続部４４４Ｂはネック部構造を有しない。一実施例において、電気接続部４４４Ｂの幅が接触電極１２４１Ｃ‐２から導電領域３２４の方向へ次第に大きくなる。一実施例において、電気接続部４４４の厚さＴ２が３μｍより小さい。電気接続部４４４の厚さＴ３が１μｍから３μｍの間にある。

図５Ｃは別の実施例における発光装置４００Ｂの中の接続構造４４０ｂの部分構成図である。図５Ａとの異なる点は、電気接続部４４４Ｃの二つの縁部の厚さが異なり、厚さＴ４及びＴ５を有する。また、厚さＴ４は厚さＴ５より小さい。厚さＴ５が対応する構造は図５Ａに類似し、ネック部構造を有する。厚さＴ４が対応する構造は図５Ｂに類似し、ネック部構造を有しない。

図５Ｄは別の実施例における発光装置４００Ｂ中の接続構造４４０ｂの部分構成図である。電気接続部４４４Ｄの内部に孔４４４ｄを有する。電気接続部４４４Ｄは単一または複数個の孔４４４ｄを含むことができる。孔４４４ｄの形状が規則的または非規則的であってもよい。規則的な形状として円形、楕円形または多角形であってもよい。

図６は本発明の一実施例が開示した発光モジュール６００を示す上面図である。一実施例において、発光モジュール６００は第一画素６１０及び第二画素６２０を含む。理解すべきなのは、画素の数は発光モジュール６００のニーズに応じて決めるものであり、ここで、表示発光モジュール６００の中の二つの画素が示されている。第一画素６１０は６つのサブ画素セクション６１１ａ、６１１ｂ、６１２ａ、６１２ｂ、６１３ａ、６１３ｂを含む。サブ画素セクション６１１ａ、６１１ｂ、６１２ａ、６１２ｂ、６１３ａ、６１３ｂはそれぞれセクション中に形成された発光素子６１４ａ、６１４ｂ、６１５ａ、６１５ｂ、６１６ａ、６１６ｂを提供してもよい。発光素子６１４ａ、６１４ｂ、６１５ａ、６１５ｂ、６１６ａ、６１６ｂの構造は前記発光素子１００Ａ、発光素子１００Ｂ、発光素子１００Ｃまたはその組み合わせ、または任意の適切な発光素子であってもよい。サブ画素セクション６１１ａ及びサブ画素セクション６１１ｂが一組である。サブ画素セクション６１２ａ及びサブ画素セクション６１２ｂが一組である。また、サブ画素セクション６１３ａ及びサブ画素セクション６１３ｂが一組である。二つのサブ画素セクションを一組とすることで、バックアップ（ｂａｃｋｕｐ）機能を提供することができ、一つのサブ画素セクションがテスト時に動作しない、または必要な機能を達成できない場合、例えば、輝度不足または色点偏移の場合、後の補修でもう一つのサブ画素セクションをもう一つの発光素子に提供することができる。従って、すべてのサブ画素セクション６１１ａ、６１１ｂ、６１２ａ、６１２ｂ、６１３ａ、６１３ｂ内に発光素子６１４ａ、６１４ｂ、６１５ａ、６１５ｂ、６１６ａ、６１６ｂを有するものではない。一実施例において、最初は発光素子６１４ａ、６１５ａ、６１６ａのみがそれぞれサブ画素セクション６１１ａ、６１２ａ、６１３ａ内にある。テストの結果、発光素子６１４ａ、６１５ａ、６１６ａが全て正常であれば、サブ画素セクション６１１ｂ、６１２ｂ、６１３Ｂ内に発光素子６１４ｂ、６１５ｂ、６１６ｂを設置しない。発光素子６１４ａに異常がある場合、発光素子６１４ａが導通しないため、代わりに発光素子６１４ｂを用いる。発光素子６１５ａ、６１６ａの場合も発光素子６１４ａと同じようにする。同様に、第二画素６２０は６つのサブ画素セクション６２１ａ、６２１ｂ、６２２ａ、６２２ｂ、６２３ａ、６２３ｂを含む。サブ画素セクション６２１ａ、６２１ｂ、６２２ａ、６２２ｂ、６２３ａ、６２３ｂはそれぞれセクション中に形成された発光素子６２４ａ、６２４ｂ、６２５ａ、６２５ｂ、６２６ａ、６２６ｂを提供することができる。第二画素６２０中のサブ画素セクション及び発光素子の作用が第一画素６１０と略同じである。

図７Ａないし図７Ｄは本発明の一実施例が開示した補修発光モジュールの製造フローチャートである。図７Ａにおいて、搭載板を提供する。前記搭載板は絶縁層７２２（第二絶縁層）及び複数個の導電領域７２３、７２４を含む。絶縁層７２２及び複数個の導電領域７２３、７２４の構造、作用及び材料について図３Ａの関連段落を参照することができる。搭載板の導電領域７２４上に発光素子６１４ａが形成される。一実施例において、発光素子６１４ａは導電領域７２４に電気的に接続され、電気接続の方法が一般的なはんだ７４２（ｓｏｌｄｅｒ）である。別の実施例において、電気接続の方法が図３Ａないし図４Ｅの前記段落に述べた任意一つの実施例の方法である。ここで、導電領域７２３が露出されている。発光素子６１４ａをテストした結果、発光素子６１４ａに異常があった。図７Ｂが示すように、樹脂３４１及び導電粒子３４２を含む接着材３４０’が導電領域３２３の上及び周りに形成されている。樹脂３４１、導電粒子３４２及び接着材３４０’の構造、作用及び材料について図３Ｂの関連段落を参照することができる。

図７Ｃにおいて、発光素子６１４ｂを提供し、かつ発光素子６１４ｂの電極６１４ｂ‐１、６１４ｂ‐２を導電領域７２３に合わせる。発光素子６１４ｂの電極６１４ｂ‐１、６１４ｂ‐２は一般的な金属パッド、一般的な突出ブロックまたは図１Ａないし図１Ｃの何れか一種の突出ブロックであってもよい。図７Ｄが示すように、発光素子６１４ｂは導電領域７２３の上に設置され、かつ導電粒子３４２が融解して接続構造３４０を形成する。このステップにおいて、接着材３４０’中の樹脂３４１が硬化して接続構造３４０中の保護部３４３を形成する。このステップの樹脂３４１、導電粒子３４２及び接着材３４０’の変化について、図３Ｃの関連段落を参照することができる。

図７Ａ、図７Ｅないし図７Ｇは本発明の別の実施例が開示した補修発光モジュールの製造フローチャートを示す。図７Ａの後、引き続き図７Ｅにおいて、接着材４４０’をそれぞれ導電領域７２３の上及び周りに形成する。接着材４４０’の形成方法、作用及び材料について、図４Ｂの関連段落を参照することができる。

図７Ｆにおいて発光素子１００Ｃを提供し、かつ発光素子１００Ｃの突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃを導電領域７２３に合わせる。発光素子１００Ｃの突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃについて図１Ｃの関連段落を参照することができる。図７Ｇが示すように、突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃを融解させる。従って、突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃと導電領域７２３が接合して接続構造４４０中の電気接続部４４１、４４２を形成する。このステップにおいて、突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃを融解させるほか、さらに接着材４４０’を硬化させて接続構造４４０中の保護部４４３を形成する。

図８Ａないし図８Ｇは本発明の一実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャートである。図８Ａにおいて、転写装置を提供する。一実施例において、転写装置が転写ヘッド８２０を有し、かつ転写ヘッド８２０が複数個の柱状体８２２を含む。一実施例において、複数個の柱状体８２２が互いに同距離で間隔を開けている。別の実施例において、複数個の柱状体８２２の互いの間隔が異なる距離であってもよい。また、複数個の柱状体８２２の底部にそれぞれ接着剤８１０’を有する。一実施例において、接着剤８１０’の材料が熱剥離材料（ｔｈｅｒｍａｌｒｅｌｅａｓｅｍａｔｅｒｉａｌ）である。熱剥離材料の特性は、加熱により材料の粘度が変わることである。一実施例において、熱剥離材料は加熱後に粘度が低下する熱剥離テープ（ｔｈｅｒｍａｌｒｅｌｅａｓｅｔａｐｅ）である。粘度低下とは、加熱後の粘着力（ａｄｈｅｓｉｖｅｓｔｒｅｎｇｔｈ）が加熱前の二十分の一より小さいとすることができる。

図８Ｂにおいて、原始基板８３０を提供し、かつ原始基板８３０上に複数個の発光素子８６０を含む。原始基板８３０は発光素子８６０を搭載するために用いられる。一実施例において、原始基板８３０の材料がプラスチック、ガラスまたはサファイアであってもよい。一実施例において、発光素子８６０は半導体材料を含む。複数個の発光素子８６０の構造は、前記発光素子１００Ａ、発光素子１００Ｂ、発光素子１００Ｃまたはその組み合わせ、または任意の適切な発光素子であってもよい。複数個の発光素子８６０は二つのグループを含み、一つのグループが選択発光素子８６２であり、もう一つのグループが選択外発光素子８６４である。一実施例において、選択発光素子８６２の間に選択外発光素子８６４が挟み込まれている。挟み込まれる数は、ニーズによって調整することができ、例えば、１、２または３である。挟み込まれる数が固定的でも、変動的であってもいい。複数個の柱状体８２２が選択発光素子８６２に対応する。一実施例において、接着剤８１０’が選択発光素子８６２に接触する。

図８Ｃにおいて、選択発光素子８６２と原始基板８３０を分離させる。一実施例において、複数個の柱状体８２２の接着剤８１０’の接合力を選択発光素子８６２と原始基板８３０間の接合力より大きくすることで、複数個の柱状体８２２が選択発光素子８６２を持ち上げることができる。

図８Ｄにおいて、目標基板８５０を提供し、目標基板８５０の上表面に複数個の導電パッド８５２を有し、導電パッド８５２の上及び周りに接着材（自己集合接着剤（ｓｅｌｆ-ａｓｓｅｍｂｌｙｇｌｕｅ）とも呼ぶ）８４０’が形成され、かつ転写ヘッド８２０の選択発光素子８６２が導電パッド８５２に対応する。目標基板８５０は回路基板であってもよい。接着材（自己集合接着剤とも呼ぶ）８４０’の構造、作用及び材料について、図３Ｂ及び図７Ｂの関連段落を参照することができる。

図８Ｅにおいて、選択発光素子８６２と導電パッド８５２上の接着材８４０’を接触させる。一実施例において、発光素子８６２に下へ押す力が加えられて発光素子８６２上の接触電極（図示せず）と導電パッド８５２が接触または非常に接近する。ここで、発光素子８６２の底部の少なくとも一部が接着材８４０’に被覆される。

図８Ｆにおいて、選択発光素子８６２を導電パッド８５２の上に設置し、かつエネルギーＥ１を提供して接着材８４０’中の導電粒子（図示せず）を融解させ、及び接着材８４０’中の樹脂（図示せず）を硬化させて、硬化した接着層（接続構造とも呼ぶ）８４０を形成する。このステップの樹脂、導電粒子及び接着材８４０’の変化の説明について図３Ｃの関連段落を参照することができる。一実施例において、エネルギーＥ１は熱であり、加熱によって導電粒子を融解させ、樹脂を硬化させ、かつ接着剤８１０’の粘度を低下させて、接着剤８１０を形成する。このように、硬化した接着層（または接続構造と呼ぶ）８４０が発光素子８６２に対する接合力が接着剤８１０より大きい。

図８Ｇにおいて、選択発光素子８６２が目標基板８５０上に形成され、かつ転写装置から分離される。前のステップにおいて硬化した接着層８４０が発光素子８６２に対する接合力は接着剤８１０が発光素子８６２に対する接合力より大きくなったため、転写装置の転写ヘッド８２０が上へ移動する時に、選択発光素子８６２が目標基板８５０に固定され、かつ転写装置の転写ヘッド８２０と分離する。このステップにおいて、発光素子８６２も目標基板８５０の導電パッド８５２に電気的に接続される。

図９Ａと図９Ｂは本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャートである。図９Ａより前のステップについて図８Ａないし図８Ｅの関連段落を参照することができる。この実施例において、接着剤８１０’は光剥離材料である。光剥離材料または光硬化材料の特性は、光照射により材料の粘度が変わることである。一実施例において、光剥離材料は紫外線を照射した後に粘度が低下する紫外線剥離テープ（ＵＶｒｅｌｅａｓｅｔａｐｅ）である。図９Ａが示すように、選択発光素子８６２を導電パッド８５２の上に設置し、かつエネルギーＥ１を提供して接着材８４０’中の導電粒子（図示せず）を融解させ、及び接着材８４０’中の樹脂（図示せず）を硬化させて、硬化した接着層（または接続構造と呼ぶ）８４０を形成する。また、エネルギーＥ２を接着剤８１０’に提供し、接着剤８１０’を粘度が比較的に低い接着剤８１０に変換する。一実施例において、エネルギーＥ１が熱エネルギーであり、エネルギーＥ２が紫外線であり、かつ接着剤８１０’が紫外線剥離接着剤である。このステップの接着材８４０’の変化の説明について図３Ｃの関連段落を参照することができる。

図９Ｂにおいて、選択発光素子８６２を目標基板８５０の上に形成し、かつ転写装置から分離させる。前記ステップについて図８Ｇの関連段落を参照することができる。

図１０Ａと図１０Ｂは本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャートである。図１０Ａより前のステップについて図８Ａないし図８Ｅの関連段落を参照することができる。この実施例において、接着剤８１０’は熱剥離材料であり、導電パッド８５２の上にはんだが形成されている。一実施例において、導電パッド８５２の上に、共晶（ｅｕｔｅｃｔｉｃ）特性を有するはんだが形成されている。図１０Ａが示すように、選択発光素子８６２を導電パッド８５２の上に設置し、かつエネルギーＥ１を提供し、はんだ融解させて接続構造１０４０を形成する。また、同時にエネルギーＥ３を提供して発光素子８６２と導電パッド８５２を緊密に接触させる。一実施例において、エネルギーＥ１は熱エネルギーであり、エネルギーＥ３は圧力である。

図１０Ｂが示すように、選択発光素子８６２の下に接続構造１０４０を形成した後、選択発光素子８６２を目標基板８５０の上に形成し、かつ転写装置と分離させる。前記ステップについて図８Ｇの関連段落を参照することができる。

図１１Ａと図１１Ｂは本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャートである。図１０Ａより前のステップについて図８Ａないし図８Ｅの関連段落を参照することができる。この実施例において、接着剤８１０’は熱剥離材料であり、導電パッド８５２の上に形成された接着材１１４０’は異方性導電ペースト（ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ：ＡＣＰ）である。図１１Ａが示すように、選択発光素子８６２を導電パッド８５２の上に設置し、かつエネルギーＥ１を提供して接着材１１４０’中の樹脂（図示せず）を硬化させて、硬化した接着層（または接続構造と呼ぶ）１１４０を形成する。また、同時にエネルギーＥ３を提供して発光素子８６２と導電パッド８５２を緊密に隣接させ、かつ接着材１１４０’中の導電粒子により発光素子８６２と導電パッド８５２を電気的に接続させる。一実施例において、エネルギーＥ１が熱エネルギーであり、エネルギーＥ３が圧力である。

図１１Ｂが示すように、選択発光素子８６２の下に接続構造１１４０を形成した後、選択発光素子８６２を目標基板８５０の上に形成し、かつ転写装置と分離させる。前記ステップについて図８Ｇの関連段落を参照することができる。

図１２は本発明の別の実施例が開示した転写装置１２００の転写ヘッド１２２０を示す。転写装置１２００中の転写ヘッド１２２０は複数個の柱状体１２２２を有し、柱状体１２２２の構造を断面図で見ると、柱状体１２２２の底部の幅が柱状体１２２２の上部の幅より大きい。柱状体１２２２の間に溝が形成され、溝の幅が内から外へ次第に狭くなるなっているため、一部の接着剤１２１０’が溝内を充填した場合、転写装置１２００が接着剤１２１０’を持ち上げる力が増し、接着剤１２１０’が転写装置１２００から脱落することを回避できる。転写装置１２００を前記図８Ａないし図１１Ｂ中の任意の実施例、または発光素子の転写に適する任意の実施例に用いることができる。

図１３Ａ及び図１３Ｂは本発明の一実施例が開示した発光装置における接続構造の硬化前後の概略図である。図１３Ａが示すように、目標基板８５０の上表面に複数個の導電パッド８５２を有し、硬化の前、導電パッド８５２の上及び周りに接着材（自己集合接着剤とも呼ぶ）３４０’が形成され、発光素子８６２が導電パッド８５２の上に形成され、かつ一部が接着材３４０’中に埋め込まれている。詳しく言うと、接着材３４０’は樹脂３４１及び樹脂３４１中に分散された導電粒子３４２を含む。導電パッド８５２の上から発光素子８６２の下まで接合エリア１３０１を有し、導電パッド８５２の間及び発光素子８６２の間に非接合エリア１３０２を有する。接着材３４０’、樹脂３４１及び導電粒子３４２の構造、作用及び材料について図３Ｂの関連段落を参照することができる。

図１３Ｂが示すように、硬化の後、接続構造３４０が形成され、導電粒子３４２が融解した後、接合エリア１３０１内及び周りに集中して電気接続部３４４を構成する。また、樹脂３４１が硬化した後、保護部３４３を構成する。一実施例において、一部少ない導電粒子３４２が非接合エリア１３０２中に分散される。非接合エリア１３０２内の導電粒子３４２の少なくとも一部が互いに分離しているため、ショート問題が発生しない。

図１４Ａ及び図１４Ｂは本発明の別の実施例が開示した発光装置における接続構造が硬化前後の概略図である。硬化の前、図１４Ａが示すように、図１３Ａと異なる点は、樹脂３４１がそれぞれ二つの発光素子８６２の下及び周りに形成されるが、互いに分離している。同じように、非接合エリア１４０２が二つのエリアを有し、それぞれ一つの発光素子８６２に対応し、非接合エリア１４０２のこの二つのエリアが互いに分離している。接合エリア１４０１の一部が図１３Ａと同じである。硬化の後は図１４Ｂが示す通りであり、接続構造３４０、保護部３４３及び電気接続部３４４の構造、作用及び材料について図１３Ｂの関連段落を参照することができる。

図１５Ａないし図１５Ｄは本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャートである。図１５Ａにおいて、原始基板１５３０を提供し、かつ原始基板１５３０上に複数個の発光素子８６０を有する。また、目標基板８５０を提供し、目標基板８５０の上表面に複数個の導電パッド８５２を有する。一実施例において、原始基板１５３０は搭載基板１５３２及びリリース接着剤（ｒｅｌｅａｓｅｇｌｕｅ）１５３４を含む。リリース接着剤１５３４は複数個の発光素子８６０を一時的に搭載基板１５３２上に固定する。複数個の発光素子８６０は二つのグループを含み、一つのグループが選択発光素子８６２であり、もう一つのグループが選択外発光素子８６４である。一実施例において、選択発光素子８６２はそれぞれ二つの接触電極８６２ａを含む。原始基板１５３０、発光素子８６０、選択発光素子８６２、選択外発光素子８６４、目標基板８５０及び導電パッド８５２の構造、作用及び材料について、図８Ｂ及び図８Ｄの関連段落を参照することができる。

図１５Ｂが示すように、接着材３４０’がそれぞれ導電パッド８５２の上及びまわりに形成され、かつ選択発光素子８６２が接着材３４０’を有する導電パッド８５２に合わせられる。接着材３４０’の的構造、作用及び材料について図３Ｂの関連段落を参照することができる。

図１５Ｃが示すように、選択発光素子８６２を導電パッド８５２の上に設置し、かつエネルギーＥ１を提供して、接着材３４０’中の電粒子（図示せず）を融解させ、及び接着材３４０’中の樹脂（図示せず）を硬化させる。このステップのエネルギーＥ１、樹脂、導電粒子及び接着材３４０’の関連説明について、図３Ｃ、図８Ｆ及び図１３Ａないし図１４Ｂの関連段落を参照することができる。

図１５Ｄが示すように、選択発光素子８６２を目標基板８５０の上に形成し、かつ転写装置と分離している。エネルギーＥ１を受けた後、リリース接着剤１５３４の粘度が低下し、かつ接着材３４０’が接続構造３４０に変換され、保護部３４３及び電気接続部３４４が形成される。接続構造３４０が選択発光素子８６２に対する接合力はリリース接着剤１５３４が選択発光素子８６２に対する接合力より大きい。

図１５Ａ、図１５Ｂ、図１５Ｅないし図１５Ｄは本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャートを示す。図１５Ｂの後、図１５Ｅが続く。図１５Ｅと図１５Ｃの異なる点は、エネルギーＥ１を提供する位置が原始基板１５３０のところから提供してもよい。その後、図１５Ｄが続く。

図１５Ａ、図１５Ｂ、図１５Ｆないし図１５Ｄは本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャートを示す。図１５Ｂの後、図１５Ｆが続く。図１５Ｆと図１５Ｃの異なる点は、一部領域（エリア）にエネルギーＥ４を提供する。一実施例において、エネルギーＥ４はレーザーであるため、一部領域、例えば接合領域に熱エネルギーを提供することができる。その後、図１５Ｄが続く。

図１６Ａないし図１６Ｃは本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャートである。図１６Ａにおいて、原始基板１５３０を提供し、かつ原始基板１５３０上に複数個の発光素子８６０を有する。また、複数個の発光素子８６０の下表面が接着材３４０’に被覆されている。さらに、目標基板８５０を提供し、目標基板８５０の上表面に複数個の導電パッド８５２を有する。原始基板１５３０、発光素子８６０、目標基板８５０及び導電パッド８５２の構造、作用及び材料について図８Ｂ、図８Ｄ及び図１５Ａの関連段落を参照することができる。

図１６Ｂが示すように、選択発光素子８６２を導電パッド８５２の上に設置し、かつエネルギーＥ１を提供して、接着材３４０’の中の導電粒子（図示せず）を融解させ、及び接着材３４０’の中の樹脂（図示せず）を硬化させる。このステップのエネルギーＥ１、樹脂、導電粒子及び接着材３４０’の関連説明について、図３Ｃ、図８Ｆ及び図１３Ａないし図１４Ｂの関連段落を参照することができる。

図１６Ｃにおいて、選択発光素子８６２が目標基板８５０上に形成され、かつ転写装置から分離される。前記ステップの関連説明について、図１５Ｄの関連段落を参照することができる。

図１６Ｄ、図１６Ｅないし図１６Ｃは本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャートを示す。図１６Ｄにおいて、原始基板１５３０を提供し、かつ原始基板１５３０上に複数個の発光素子８６０を有する。また、複数個の発光素子８６０の下表面が接着材３４０’に被覆されている。また、目標基板８５０を提供し、目標基板８５０の上表面に複数個の導電パッド８５２を有する。原始基板１５３０、発光素子８６０、目標基板８５０及び導電パッド８５２の構造、作用及び材料について、図８Ｂ、図８Ｄ及び図１５Ａの関連段落を参照することができる。

図１６Ｅにおいて、一部の領域にエネルギーＥ４を提供して、接着材３４０’の中の導電粒子（図示せず）を融解させ、及び接着材３４０’の中の樹脂（図示せず）を硬化させる。一実施例において、エネルギーＥ４はレーザーである。このステップのエネルギーＥ４、樹脂、導電粒子及び接着材３４０’の関連説明について、図３Ｃ、図８Ｆ、図１３Ａないし図１４Ｂ及び図１５Ｆの関連段落を参照することができる。図１６Ｅの後に図１６Ｃが続く。

図１７Ａは本発明の一実施例が開示した発光素子の底面図である。図１７Ｂは本発明の一実施例が開示した被覆接続構造の発光素子の底面図である。図１７Ｃは本発明の一実施例が開示した被覆接続構造の目標基板の底面図である。図１７Ａないし図１７Ｃを同時に参照し、本発明が開示した任意の実施例における発光素子、接続構造及び目標基板の間の関係を示すことができる。

図１７Ａが示すように、選択発光素子８６２の底面図において、二つの接触電極８６２ａ及び境界８６２ｂを含む。境界８６２ｂに囲まれている面積はＡ３である。

図１７Ｂにおいて、接続構造３４０が一部の選択発光素子８６２の底表面を被覆する。また、接続構造３４０に被覆される選択発光素子８６２の面積がＡ４である。一実施例において、面積Ａ４と面積Ａ３に比が約６０％から８０％の間にある。面積Ａ４と面積Ａ３の比が８０％より大きい場合、接続構造３４０の未硬化段階の接着材３４０’が隣接する選択外発光素子８６４に付着する可能性があり、選択外発光素子８６４まで目標基板に転写されるという予想外のことが発生する。

図１７Ｃが示すように、接続構造３４０は一部の導電パッド８５２の底表面を被覆する。接続構造３４０に被覆される選択された導電パッド８５２の面積はＡ５である。一実施例において、面積Ａ５と面積Ａ３の比が約６０％から８０％の間にある。面積Ａ５と面積Ａ３の比が８０％より大きい場合、接続構造３４０の未硬化段階の接着材３４０’が隣接する選択外発光素子８６４に付着する可能性があり、選択外発光素子８６４まで目標基板に転写される予想外のことが発生する。

図１８Ａないし図１８Ｄは本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャートである。図１８Ａにおいて、図１５Ａと異なる点は、原始基板１５３０と目標基板８５０との間に隔離部材１８１１、１８１２が存在することである。一実施例において、隔離部材１８１１、１８１２はそれぞれ目標基板８５０の上にあり、かつ目標基板８５０の縁部、例えば四つの隅にある。別の実施例において、隔離部材１８１１、１８１２が目標基板８５０のその他の領域、例えば中間領域にあってもよい。一実施例において、隔離部材１８１１、１８１２の形状が球状である。別の実施例において、隔離部材１８１１、１８１２の形状が柱状、長方体またはテーパー状であってもよい。隔離部材１８１１、１８１２の数はニーズに応じて調整することができる。図１８Ａのその他の特徴の関連説明について、図１５Ａの関連段落を参照することができる。

図１８Ｂにおいて、接着材１８４０’‐１がそれぞれ導電パッド８５２の上及び周りに形成され、かつ選択発光素子８６２が接着材１８４０’‐１を有する導電パッド８５２に合わせられる。接着材１８４０’‐１の構造、作用及び材料について図３Ｂの関連段落を参照することができる。

図１８Ｃにおいて、選択発光素子８６２を導電パッド８５２の上に設置し、かつエネルギーＥ１を提供して、接着材１８４０’‐１の中の導電粒子（図示せず）を融解させ、及び接着材１８４０’‐１の中の樹脂（図示せず）を硬化させる。原始基板１５３０と目標基板８５０の間の間隔が隔離部材１８１１、１８１２の直径Ｒによって制限される。従って、隔離部材１８１１、１８１２の導入により、原始基板１５３０と目標基板８５０の間に比較的に均一な間隔を提供することができる。言い換えれば、選択発光素子８６２の厚さＹが固定であるため、発光素子８６２から目標基板８５０までの距離ｈが固定され、Ｒ＝Ｙ＋ｈである。このステップのエネルギーＥ１、樹脂、導電粒子及び接着材１８４０’‐１の関連説明について、図３Ｃ、図８Ｆ及び図１３Ａないし図１４Ｂの関連段落を参照することができる。

図１８Ｄにおいて、選択発光素子８６２が目標基板８５０の上に形成され、かつ転写装置から分離される。前記ステップの関連説明について、図１５Ｄの関連段落を参照することができる。

図１８Ａ、図１８Ｂ、図１８Ｅないし図１８Ｆは本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャートである。図１８Ｅは図１８Ｂに続き、図１８Ｅは図１８Ｃに類似し、かつ図１８Ｆは図１８Ｄに類似する。図１８Ｅが示すように、一実施例において、接着材１８４０’‐２は導電パッド８５２の上及び周りに形成され、接着材１８４０’‐２の幅が発光素子８６０の幅Ｗより大きく、かつ発光素子８６０の幅Ｗと発光素子８６０間の間隔ｄとの合計より小さい。図１８Ｆが示すように、接着材１８４０’‐２の中の導電粒子（図示せず）が融解され、及び接着材１８４０’‐２の中の樹脂（図示せず）が硬化された後、接続構造１８４０‐２の幅が発光素子８６０の幅Ｗと発光素子８６０間の間隔ｄとの合計より小さい。これにより、未硬化階段の接着材１８４０’‐２が隣接する選択外発光素子８６４に付着し、選択外発光素子８６４まで目標基板に転写されることの発生を回避できる。

図１８Ａ、図１８Ｇないし図１８Ｉは本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャートである。図１８Ｇは図１８Ａに続く。図１８Ｇが示すように、図１８Ｇと図１８Ｂの異なる点は、接着材１８４０’‐３が先に選択された発光素子８６２の上に形成される。そして、図１８Ｈが図１８Ｃに類似し、かつ図１８Ｆが図１８Ｄに類似する。

図１９Ａ及び図１９Ｂは図１８Ａないし図１８Ｄが開示した発光装置における接続構造が硬化前後の概略図である。図１９Ａは、硬化の前（低温において）、接着材（自己集合接着剤とも呼ぶ）１８４０’‐１が導電パッド８５２の上及び周りに形成され、かつ発光素子８６２の下表面の一部が接着材１８４０’‐１中に埋め込まれたことを示す。下へ押す力が提供されていないため、接着材１８４０’‐１は発光素子８６２の下表面のみを被覆し、発光素子８６２の側表面を被覆していない。また、導電粒子１８４２‐１は略均等に樹脂１８４１-１内に分散されている。導電パッド８５２の上から発光素子８６２の下まで接合エリア１９０１を有し、導電パッド８５２の間及び発光素子８６２の間に非接合エリア１９０２を有する。導電粒子１８４２‐１の接合エリア１９０１及び非接合エリア１９０２内の密度が略同じ。

図１９Ｂは、硬化の後（高温下）、接着材１８４０’‐１が接続構造１８４０‐１を形成する。同じように、接続構造１８４０‐１は発光素子８６２の下表面のみを被覆し、発光素子８６２の側表面まで被覆していない。ただし、導電粒子１８４２‐１の接合エリア１９０１内の密度が非接合エリア１９０２内の密度より大きい。

図１９Ｃは図１８Ｄが例示した発光装置の上面図である。一実施例において、目標基板８５０において、接続構造１８４０‐１の面積Ａ（Ｐ）が発光素子８６２の面積Ａ（Ｃ）より小さい。一実施例において、電気接続部１８４４‐１の面積Ａ（Ｓ）が接触電極８６２ａの面積Ａ（Ｅ）より大きい。

図１９Ｄは図１８Ｆが例示した発光装置の上面図である。一実施例において、目標基板８５０において、接続構造１８４０‐２の面積Ａ（Ｐ）が発光素子８６２の面積Ａ（Ｃ）より大きい。

前記の実施例は、本発明の技術思想及び特徴を説明するものであり、その目的は、当業者に本発明の内容を理解させ、かつ実施させることであり、本発明の権利範囲を制限するものではない。即ち、本発明が開示した精神に基づく均等な変更または修正は、本発明の権利範囲内に属する。

１００ａ‐１、１００ａ‐２、３００Ａ、３００Ｂ、４００Ａ、４００Ｂ発光装置
１００Ａ、１００Ａ‐１、１００Ａ‐２、１００Ｂ、１００Ｂ‐１、１００Ｂ‐２、１００Ｃ、１００Ｃ‐１、１００Ｃ‐２、６１４ａ、６１４ｂ、６１５ａ、６１５ｂ、６１６ａ、６１６ｂ、８６０発光素子
１２０、１２０Ａ、１２０Ｂ、１２０Ｃ発光ユニット
１２１１Ａ、１２１１Ｂ、１２１２Ａ、１２１２Ｂ、８５２導電パッド
１２２発光積層
１２２１第一半導体
１２２２発光層
１２２３第二半導体
１２３Ａ、３２２、７２２絶縁層
１２４、１２４１、１２４１Ａ、１２４１Ｂ、１２４１Ｃ、１２４１Ｃ‐１、１２４１Ｃ‐２、１２４２、１２４２Ａ、１２４２Ｂ、１２４２Ｃ、１２４２Ｃ‐１、１２４２Ｃ‐２、８６２ａ接触電極
１２５Ｃ光遮断囲い壁
１２６Ａ、１２６Ｂ、１２６Ｃ、１５３２搭載基板
１２８Ｂ、１２８Ｃ波長変換層
１４２ａ、１４２ｂ、１４２ｃ、１４２ｃ‐１、１４２ｃ‐２、１４４ａ、１４４ｂ、１４４ｃ、１４４ｃ‐１、１４４ｃ‐２突出ブロック
３２３、３２４、７２３、７２４導電領域
３４０、３４０ａ、３４０ｂ、４４０、４４０ａ、４４０ｂ、８４０、１０４０、１１４０、１８４０‐１、１８４０‐２接続構造
３４０’、３４０’ａ、３４０’ｂ、４４０’、４４０’ａ、４４０’ｂ、８４０’、１１４０’、１８４０’‐１、１８４０’‐２接着材
３４１ａ、３４１ｂ、１８４１‐１樹脂
３４２ａ、３４２ｂ、１８４２‐１導電粒子
３４３、３４３ａ、３４３ｂ、４４３、４４３ａ、４４３ｂ保護部
３４４、３４４ａ、３４４ｂ、４４１、４４２、４４４、４４４Ａ、４４４Ｂ、４４４Ｃ、４４４Ｄ、４４５、１８４４‐１電気接続部
３４４１ａ、３４４１ｂ、４４４１Ａ電気接続部の上部分
３４４２ａ、３４４２ｂ、４４４２Ａ電気接続部の下部分
３４４３ａ、３４４３ｂ、４４４２Ａ電気接続部のネック部
４４４ｄ孔
６００発光モジュール
６１０第一画素
６１１ａ、６１１ｂ、６１２ａ、６１２ｂ、６１３ａ、６１３ｂ、６２１ａ、６２１ｂ、６２２ａ、６２２ｂ、６２３ａ、６２３ｂサブ画素セクション
６２０第二画素
６１４ｂ‐１、６１４ｂ‐２電極
８１０’、１２１０’ 接着剤
８２０、１２２０転写ヘッド
８２２、１２２２柱状体
８３０、１５３０原始基板
８５０目標基板
８６２選択発光素子
８６２ｂ境界
８６４選択外発光素子
１２００転写装置
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ（Ｃ）、Ａ（Ｅ）、Ａ（Ｐ）、Ａ（Ｓ）面積
Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４エネルギー
Ｒ直径
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｙ厚さ
Ｗ幅
ｈ距離

発光ユニット１２０Ａは発光ダイオードチップであってもよい。一実施例において、発光ユニット１２０Ａは赤色発光ダイオードチップであり、電源が提供する電力により光線（または第一光線と呼ぶ）を出射し、かつ光線の主波長（ｄｏｍｉｎａｎｔｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）またはピーク波長（ｐｅａｋｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）が６００ｎｍ〜６６０ｎｍである。別の実施例において、発光ユニット１２０Ａは緑色発光ダイオードチップであり、かつ出射光線（または第一光線と呼ぶ）の主波長（ｄｏｍｉｎａｎｔｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）またはピーク波長（ｐｅａｋｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）が５１０ｎｍ〜５６０ｎｍの間にある。別の実施例において、発光ユニット１２０Ａは青色発光ダイオードチップであり、かつ出射光線（または第一光線と呼ぶ）の主波長（ｄｏｍｉｎａｎｔｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）またはピーク波長（ｐｅａｋｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）が４３０ｎｍ〜４８０ｎｍの間にある。一実施例において、発光ユニット１２０Ａの搭載基板１２６Ａが成長基板（ｇｒｏｗｔｈｓｕｂｓｔｒａｔｅ）であり、発光積層１２２のエピタキシャル成長時の基板とする。成長基板の材料として、例えば、サファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅ）である。別の実施例において、搭載基板１２６Ａは透明セラミックス基板であり、結合層（ｂｏｎｄｉｎｇｌａｙｅｒ、図示せず）によって発光積層１２２に接続される。透明セラミックスの材料は、例えば、酸化アルミニウムである。導電パッド１２１１Ａ、１２１２Ａの材料は、高導電性の金属、例えば、アルミニウムを含むことができる。接触電極１２４１Ａ、１２４２Ａの材料は高導電性の金属または合金、例えば、アルミニウム、銅、金または金錫合金を含むことができる。

図３Ｃが示すように、図３Ｂにおける接着材３４０’ａ、３４０’ｂの中の樹脂３４１ａ、３４１ｂが硬化して接続構造３４０ａ、３４０ｂの中の保護部３４３ａ、３４３ｂが形成される。これと同時に、導電粒子３４２ａ、３４２ｂが融解して接続構造３４０ａ、３４０ｂの中の電気接続部の下部分３４４２ａ、３４４２ｂが形成される。硬化方法が加熱であってもよい。一実施例において、硬化の段階で、樹脂３４１ａ、３４１ｂの粘度が一旦低下してから再上昇し、かつ、導電粒子３４２ａ、３４２ｂは導電領域３２３、３２４の周囲に集合する。導電粒子３４２ａ、３４２ｂは集合すると同時に融解態を経過する。一実施例において、硬化温度が１４０℃以上である。

図３Ｅが示すように、発光素子１００Ａ‐１の突出ブロック１４２ａ、１４４ａが電気接続部の下部分３４４２ａによって導電領域３２３に電気的に接続されて、発光装置３００Ａを構成する。一実施例において、発光素子１００Ａ‐１の突出ブロック１４２ａ、１４４ａは、外力によって下に向く力が提供され、電気接続部の下部分３４４２ａに接触するまで保護部３４３ａに挿し込まれる。この時、突出ブロック１４２ａ、１４４ａは接続構造３４０ａの中の電気接続部の上部分３４４１ａとなる。また、電気接続部の上部分３４４１ａと電気接続部の下部分３４４２ａとの間にネック部構造３４４３ａが形成される。一実施例において、電気接続部の上部分３４４１ａと電気接続部の下部分３４４２ａとで材料組成が異なり、例えば、電気接続部の上部分３４４１ａが銅元素を含み、電気接続部の下部分３４４２ａが錫元素を含む。同じように、発光素子１００Ａ‐２の突出ブロック１４２ａ、１４４ａは電気接続部の下部分３４４２ｂによって導電領域３２４に電気的に接続されて、もう一つの発光装置を構成する。一実施例において、発光素子１００Ａ‐１と発光素子１００Ａ‐２がそれぞれ単一の発光装置を形成してもよい。別の実施例において、発光素子１００Ａ‐１と発光素子１００Ａ‐２が同時に一つの発光装置を形成してもよい。一実施例において、絶縁層３２２を後のステップで切断することで発光装置３００Ａと別の発光装置を物理的に分離させることができる。別の実施例において、絶縁層３２２を切断する必要がなく、発光装置３００Ａと別の発光装置が絶縁層３２２を共用する。

図５Ａは本発明の一実施例に基づく図４Ｅの発光装置４００Ｂの中の接続構造４４０ｂの部分構成図である。発光素子１００Ｃ‐２の接触電極１２４１Ｃ‐２と絶縁層３２２の上の導電領域３２４との間に電気接続部４４４Ａを有する。一実施例において、電気接続部４４４Ａは上部分４４４１Ａ、ネック部４４４３Ａ及び下部分４４４２Ａを含む。ネック部４４４３Ａは上部分４４４１Ａ及び下部分４４４２Ａとの間に位置する。一実施例において、電気接続部の上部分４４４１Ａと電気接続部の下部分４４４２Ａの材料組成が同じであり、例えば、両者は何れも錫元素を含む。一実施例において、ネック部４４４３Ａの幅が上部分４４４１Ａの幅より小さい。一実施例において、上部分４４４１Ａの幅が下部分４４４２Ａの幅より小さい。一実施例において、電気接続部４４４Ａの厚さＴ２が５μｍより小さい。別の実施例において、電気接続部４４４Ａの厚さＴ２が３μｍより大きい。別の実施例において、電気接続部４４４Ａの厚さＴ２が１μｍから４μｍの間にある。一実施例において、上部分４４４１Ａの底表面の少なくとも一部分が平面である。一実施例において、接触電極１２４１Ｃ‐２の底表面から上部分４４４１Ａの底表面の平面までの距離が１μｍより小さい。別の実施例において、接触電極１２４１Ｃ‐２の底表面から上部分４４４１Ａの底表面の平面までの距離が０.５μｍより小さい。一実施例において、保護部４４３ｂは電気接続部４４４Ａを囲む。一実施例において、保護部４４３ｂは接触電極１２４１Ｃ‐２、電気接続部４４４Ａ及び導電領域３２４を被覆する。保護部４４３ｂは接触電極１２４１Ｃ‐２、電気接続部４４４Ａ及び／または導電領域３２４を保護し、環境中の水気または酸素が接触電極１２４１Ｃ‐２、電気接続部４４４Ａ及び／または導電領域３２４に接触することを防ぐ。また、保護部４４３ｂは、電気接続部４４４Ａが高温環境で融解してショートまた開回路（遮断）になる問題を回避できる。

図５Ｂは本発明の別の実施例の図４Ｅの発光装置４００Ｂ中の接続構造４４０ｂの部分構成図である。図５Ａとの異なる点は、接続構造４４０ｂの電気接続部４４４Ｂはネック部構造を有しない。一実施例において、電気接続部４４４Ｂの幅が接触電極１２４１Ｃ‐２から導電領域３２４の方向へ次第に大きくなる。電気接続部４４４Ｂの厚さＴ３が１μｍから３μｍの間にある。

図５Ｃは本発明の別の実施例の図４Ｅの発光装置４００Ｂの中の接続構造４４０ｂの部分構成図である。図５Ａとの異なる点は、電気接続部４４４Ｃの二つの縁部の厚さが異なり、厚さＴ４及びＴ５を有する。また、厚さＴ４は厚さＴ５より小さい。厚さＴ５が対応する構造は図５Ａに類似し、ネック部構造を有する。厚さＴ４が対応する構造は図５Ｂに類似し、ネック部構造を有しない。

図５Ｄは本発明の別の実施例の図４Ｅの発光装置４００Ｂ中の接続構造４４０ｂの部分構成図である。電気接続部４４４Ｄの内部に孔４４４ｄを有する。電気接続部４４４Ｄは単一または複数個の孔４４４ｄを含むことができる。孔４４４ｄの形状が規則的または非規則的であってもよい。規則的な形状として円形、楕円形または多角形であってもよい。

図６は本発明の一実施例が開示した発光モジュール６００を示す上面図である。一実施例において、発光モジュール６００は第一画素６１０及び第二画素６２０を含む。理解すべきなのは、画素の数は発光モジュール６００のニーズに応じて決めるものであり、ここで、表示発光モジュール６００の中の二つの画素が示されている。第一画素６１０は６つのサブ画素セクション６１１ａ、６１１ｂ、６１２ａ、６１２ｂ、６１３ａ、６１３ｂを含む。サブ画素セクション６１１ａ、６１１ｂ、６１２ａ、６１２ｂ、６１３ａ、６１３ｂはそれぞれセクション中に形成された発光素子６１４ａ、６１４ｂ、６１５ａ、６１５ｂ、６１６ａ、６１６ｂを提供してもよい。発光素子６１４ａ、６１４ｂ、６１５ａ、６１５ｂ、６１６ａ、６１６ｂの構造は前記発光素子１００Ａ、発光素子１００Ｂ、発光素子１００Ｃまたはその組み合わせ、または任意の適切な発光素子であってもよい。サブ画素セクション６１１ａ及びサブ画素セクション６１１ｂが一組である。サブ画素セクション６１３ａ及びサブ画素セクション６１３ｂが一組である。また、サブ画素セクション６１３ａ及びサブ画素セクション６１３ｂが一組である。二つのサブ画素セクションを一組とすることで、バックアップ（ｂａｃｋｕｐ）機能を提供することができ、一つのサブ画素セクションがテスト時に動作しない、または必要な機能を達成できない場合、例えば、輝度不足または色点偏移の場合、後の補修でもう一つのサブ画素セクションをもう一つの発光素子に提供することができる。従って、すべてのサブ画素セクション６１１ａ、６１１ｂ、６１２ａ、６１２ｂ、６１３ａ、６１３ｂ内に発光素子６１４ａ、６１４ｂ、６１５ａ、６１５ｂ、６１６ａ、６１６ｂを有するものではない。一実施例において、最初は発光素子６１４ａ、６１５ａ、６１６ａのみがそれぞれサブ画素セクション６１１ａ、６１２ａ、６１３ａ内にある。テストの結果、発光素子６１４ａ、６１５ａ、６１６ａが全て正常であれば、サブ画素セクション６１１ｂ、６１２ｂ、６１３Ｂ内に発光素子６１４ｂ、６１５ｂ、６１６ｂを設置しない。発光素子６１４ａに異常がある場合、発光素子６１４ａが導通しないため、代わりに発光素子６１４ｂを用いる。発光素子６１５ａ、６１６ａの場合も発光素子６１４ａと同じようにする。同様に、第二画素６２０は６つのサブ画素セクション６２１ａ、６２１ｂ、６２２ａ、６２２ｂ、６２３ａ、６２３ｂを含む。サブ画素セクション６２１ａ、６２１ｂ、６２２ａ、６２２ｂ、６２３ａ、６２３ｂはそれぞれセクション中に形成された発光素子６２４ａ、６２４ｂ、６２５ａ、６２５ｂ、６２６ａ、６２６ｂを提供することができる。第二画素６２０中のサブ画素セクション及び発光素子の作用が第一画素６１０と略同じである。

図７Ａないし図７Ｄは本発明の一実施例が開示した補修発光モジュールの製造フローチャートである。図７Ａにおいて、搭載板を提供する。前記搭載板は絶縁層７２２（第二絶縁層）及び複数個の導電領域７２３、７２４を含む。絶縁層７２２及び複数個の導電領域７２３、７２４の構造、作用及び材料について図３Ａの関連段落を参照することができる。搭載板の導電領域７２４上に発光素子６１４ａが形成される。一実施例において、発光素子６１４ａは導電領域７２４に電気的に接続され、電気接続の方法が一般的なはんだ７４２（ｓｏｌｄｅｒ）である。別の実施例において、電気接続の方法が図３Ａないし図４Ｅの前記段落に述べた任意一つの実施例の方法である。ここで、導電領域７２３が露出されている。発光素子６１４ａをテストした結果、発光素子６１４ａに異常があった。図７Ｂが示すように、樹脂３４１及び導電粒子３４２を含む接着材３４０’が導電領域７２３の上及び周りに形成されている。樹脂３４１、導電粒子３４２及び接着材３４０’の構造、作用及び材料について図３Ｂの関連段落を参照することができる。

図７Ｃにおいて、発光素子６１４ｂを提供し、かつ発光素子６１４ｂの電極６１４ｂ‐１、６１４ｂ‐２を導電領域７２３に合わせる。発光素子６１４ｂの電極６１４ｂ‐１、６１４ｂ‐２は一般的な金属パッド、一般的な突出ブロックまたは図１Ａないし図１Ｃの何れか一種の突出ブロックであってもよい。図７Ｄが示すように、発光素子６１４ｂは導電領域７２３の上に設置され、かつ導電粒子３４２が融解して接続構造３４０を形成する。このステップにおいて、接着材３４０’中の樹脂３４１が硬化して接続構造３４０中の保護部３４３を形成する。このステップの樹脂３４１、導電粒子３４２及び接着材３４０’の変化について、図３Ｃの関連段落を参照することができる。従って、異常な発光素子６１４ａが発光素子６１４ｂに替えられ、発光モジュールを補修する工程を完成する。

図７Ｆにおいて発光素子１００Ｃを提供し、かつ発光素子１００Ｃの突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃを導電領域７２３に合わせる。発光素子１００Ｃの突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃについて図１Ｃの関連段落を参照することができる。図７Ｇが示すように、突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃを融解させる。従って、突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃと導電領域７２３が接合して接続構造４４０中の電気接続部４４１、４４２を形成する。このステップにおいて、突出ブロック１４２ｃ、１４４ｃを融解させるほか、さらに接着材４４０’を硬化させて接続構造４４０中の保護部４４３を形成する。従って、異常な発光素子６１４ａが発光素子１００Ｃに替えられ、発光モジュールを補修する工程を完成する。

図８Ａないし図８Ｇは本発明の一実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャートである。図８Ａにおいて、転写装置を提供する。一実施例において、転写装置が転写ヘッド８２０及び複数個の柱状体８２２を有する。一実施例において、複数個の柱状体８２２が互いに同距離で間隔を開けている。別の実施例において、複数個の柱状体８２２の互いの間隔が異なる距離であってもよい。また、複数個の柱状体８２２の底部にそれぞれ接着剤８１０’を有する。一実施例において、接着剤８１０’の材料が熱剥離材料（ｔｈｅｒｍａｌｒｅｌｅａｓｅｍａｔｅｒｉａｌ）である。熱剥離材料の特性は、加熱により材料の粘度が変わることである。一実施例において、熱剥離材料は加熱後に粘度が低下する熱剥離テープ（ｔｈｅｒｍａｌｒｅｌｅａｓｅｔａｐｅ）である。粘度低下とは、加熱後の粘着力（ａｄｈｅｓｉｖｅｓｔｒｅｎｇｔｈ）が加熱前の二十分の一より小さいとすることができる。

図１１Ａと図１１Ｂは本発明の別の実施例が開示した複数個の発光素子を目標基板に転写する製造フローチャートである。図１１Ａより前のステップについて図８Ａないし図８Ｅの関連段落を参照することができる。この実施例において、接着剤８１０’は熱剥離材料であり、導電パッド８５２の上に形成された接着材１１４０’は異方性導電ペースト（ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ：ＡＣＰ）である。図１１Ａが示すように、選択発光素子８６２を導電パッド８５２の上に設置し、かつエネルギーＥ１を提供して接着材１１４０’中の樹脂（図示せず）を硬化させて、硬化した接着層（または接続構造と呼ぶ）１１４０を形成する。また、同時にエネルギーＥ３を提供して発光素子８６２と導電パッド８５２を緊密に隣接させ、かつ接着材１１４０’中の導電粒子により発光素子８６２と導電パッド８５２を電気的に接続させる。一実施例において、エネルギーＥ１が熱エネルギーであり、エネルギーＥ３が圧力である。

図１２は本発明の別の実施例が開示した転写装置１２００を示す。転写装置１２００は転写ヘッド１２２０及び複数個の柱状体１２３０を有し、柱状体１２３０の構造を断面図で見ると、柱状体１２３０の底部の幅が柱状体１２３０の上部の幅より大きい。柱状体１２３０の間に溝が形成され、溝の幅が内から外へ次第に狭くなるなっているため、一部の接着剤１２１０’が溝内を充填した場合、転写装置１２００が接着剤１２１０’を持ち上げる力が増し、接着剤１２１０’が転写装置１２００から脱落することを回避できる。転写装置１２００を前記図８Ａないし図１１Ｂ中の任意の実施例、または発光素子の転写に適する任意の実施例に用いることができる。

図１３Ａ及び図１３Ｂは本発明の一実施例が開示した発光装置における接続構造の硬化前後の概略図である。図１３Ａが示すように、目標基板８５０の上表面に複数個の導電パッド８５２を有し、硬化の前、導電パッド８５２の上及び周りに接着材（自己集合接着剤とも呼ぶ）３４０’が形成され、発光素子８６２が導電パッド８５２の上に形成され、かつ一部が接着材３４０’中に埋め込まれている。詳しく言うと、接着材３４０’は樹脂３４１及び樹脂３４１中に分散された導電粒子３４２を含む。導電パッド８５２の上から発光素子８６２の下まで接合エリア１３０１を有し、導電パッド８５２の間及び発光素子８６２の間に非接合エリア１３０２を有する。接着材３４０’ 、樹脂３４１及び導電粒子３４２の構造、作用及び材料について図３Ｂの関連段落を参照することができる。

図１７Ａは本発明の一実施例が開示した発光素子の底面図である。図１７Ｂは本発明の一実施例が開示した被覆接続構造の発光素子の底面図である。図１７Ｃは本発明の一実施例が開示した接続構造が目標基板に形成された底面図である。図１７Ａないし図１７Ｃを同時に参照し、本発明が開示した任意の実施例における発光素子、接続構造及び目標基板の間の関係を示すことができる。

図１７Ｂにおいて、接続構造３４０が一部の選択発光素子８６２の底表面を被覆する。また、接続構造３４０に被覆される選択発光素子８６２の面積がＡ４である。一実施例において、面積Ａ４と面積Ａ３に比が約６０％から８０％の間にある。面積Ａ４と面積Ａ３の比が８０％より大きい場合、接続構造３４０の未硬化段階の接続構造（接着材）３４０’が隣接する選択外発光素子８６４に付着する可能性があり、前記転写の実施例において、選択外発光素子８６４まで目標基板に転写されるという予想外のことが発生する。

図１７Ｃが示すように、接続構造３４０は一部の導電パッド８５２の底表面を被覆する。接続構造３４０に被覆される選択された導電パッド８５２の面積はＡ５である。一実施例において、面積Ａ５と面積Ａ３の比が約６０％から８０％の間にある。面積Ａ５と面積Ａ３の比が８０％より大きい場合、接続構造３４０の未硬化段階の接着材３４０’が隣接する選択外発光素子８６４に付着する可能性があり、前記転写の実施例において、選択外発光素子８６４まで目標基板に転写される予想外のことが発生する。

１００ａ‐１、１００ａ‐２、３００Ａ、３００Ｂ、４００Ａ、４００Ｂ発光装置
１００Ａ、１００Ａ‐１、１００Ａ‐２、１００Ｂ、１００Ｂ‐１、１００Ｂ‐２、１００Ｃ、１００Ｃ‐１、１００Ｃ‐２、６１４ａ、６１４ｂ、６１５ａ、６１５ｂ、６１６ａ、６１６ｂ、８６０発光素子
１２０、１２０Ａ、１２０Ｂ、１２０Ｃ発光ユニット
１２１１Ａ、１２１１Ｂ、１２１２Ａ、１２１２Ｂ、８５２導電パッド
１２２発光積層
１２２１第一半導体
１２２２発光層
１２２３第二半導体
１２３Ａ、３２２、７２２絶縁層
１２４、１２４１、１２４１Ａ、１２４１Ｂ、１２４１Ｃ、１２４１Ｃ‐１、１２４１Ｃ‐２、１２４２、１２４２Ａ、１２４２Ｂ、１２４２Ｃ、１２４２Ｃ‐１、１２４２Ｃ‐２、８６２ａ接触電極
１２５Ｃ光遮断囲い壁
１２６Ａ、１２６Ｂ、１２６Ｃ、１５３２搭載基板
１２８Ｂ、１２８Ｃ波長変換層
１４２ａ、１４２ｂ、１４２ｃ、１４２ｃ‐１、１４２ｃ‐２、１４４ａ、１４４ｂ、１４４ｃ、１４４ｃ‐１、１４４ｃ‐２突出ブロック
３２３、３２４、７２３、７２４導電領域
３４０、３４０ａ、３４０ｂ、４４０、４４０ａ、４４０ｂ、８４０、１０４０、１１４０、１８４０‐１、１８４０‐２接続構造
３４０’、３４０’ａ、３４０’ｂ、４４０’、４４０’ａ、４４０’ｂ、８４０’、１１４０’、１８４０’‐１、１８４０’‐２接着材
３４１ａ、３４１ｂ、１８４１‐１樹脂
３４２ａ、３４２ｂ、１８４２‐１導電粒子
３４３、３４３ａ、３４３ｂ、４４３、４４３ａ、４４３ｂ保護部
３４４、３４４ａ、３４４ｂ、４４１、４４２、４４４、４４４Ａ、４４４Ｂ、４４４Ｃ、４４４Ｄ、４４５、１８４４‐１電気接続部
３４４１ａ、３４４１ｂ、４４４１Ａ電気接続部の上部分
３４４２ａ、３４４２ｂ、４４４２Ａ電気接続部の下部分
３４４３ａ、３４４３ｂ、４４４２Ａ電気接続部のネック部
４４４ｄ孔
６００発光モジュール
６１０第一画素
６１１ａ、６１１ｂ、６１２ａ、６１２ｂ、６１３ａ、６１３ｂ、６２１ａ、６２１ｂ、６２２ａ、６２２ｂ、６２３ａ、６２３ｂサブ画素セクション
６２０第二画素
６１４ｂ‐１、６１４ｂ‐２電極
８１０’、１２１０’ 接着剤
８２０、１２２０転写ヘッド
８２２、１２３０柱状体
８３０、１５３０原始基板
８５０目標基板
８６２選択発光素子
８６２ｂ境界
８６４選択外発光素子
１２００転写装置
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ（Ｃ）、Ａ（Ｅ）、Ａ（Ｐ）、Ａ（Ｓ）面積
Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３、Ｅ４エネルギー
Ｒ直径
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｙ厚さ
Ｗ幅
ｈ距離

Claims

発光装置であって、
前記発光装置は搭載板、発光素子及び接続構造を含み、
前記搭載板は第一導電領域を含み、
前記発光素子は、第一光線を発する第一発光層と、前記第一発光層の下に形成された第一接触電極とを含み、かつ前記第一接触電極が前記第一導電領域に対応し、
前記接続構造は、第一電気接続部と、前記第一接触電極及び前記第一電気接続部を囲む保護部とを含み、前記第一電気接続部が前記第一導電領域及び前記第一接触電極に電気的に接続され、
前記第一電気接続部が上部分、下部分、及び前記上部分と前記下部分との間に位置するネック部を含み、前記上部分の縁部が前記ネック部より突出し、かつ前記下部分の縁部が前記上部分より突出する、発光装置。
前記上部分と前記下部分の材料組成が同じである、請求項１に記載の発光装置。
前記上部分と前記下部分の材料組成が異なる、請求項１に記載の発光装置。
前記第一電気接続部の厚さが５μｍより小さい、請求項１に記載の発光装置。
前記第一電気接続部は、第一厚さを有する第一縁部と第二厚さを有する第二縁部を含み、
前記第一厚さが前記第二厚さより大きい、請求項１に記載の発光装置。
前記第一縁部がネック部構造を有し、かつ前記第二縁部がネック部構造を有しない、請求項５に記載の発光装置。
前記第一電気接続部が孔を含む、請求項１に記載の発光装置。
前記上部分、前記ネック部及び前記下部分は何れも金元素を含む、請求項１に記載の発光装置。
前記上部分、前記ネック部及び前記下部分は何れ錫元素を含む、請求項８に記載の発光装置。
前記上部分の金元素の原子パーセントが前記下部分の金元素の原子パーセントより大きい、請求項８に記載の発光装置。