JP2021195304A - ブタジエンの製造方法およびブタジエンの製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、ブタジエンの収率を向上させることができるブタジエンの製造方法およびブタジエンの製造装置を提供することを課題とする。【解決手段】エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物からブタジエンを得るブタジエンの製造方法であって、エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物を、第１１族、第１２族および第１３族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ａ）を担体に担持してなる固体触媒Ａ、ならびに、第３族、第４族および第５族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｂ）を担体に担持してなる固体触媒Ｂに、この順で接触させてブタジエンを得る、ブタジエンの製造方法。【選択図】なし

Description

本発明は、ブタジエンの製造方法およびブタジエンの製造装置に関する。

従来、１，３−ブタジエン（以下、「ブタジエン」とも略す。）は、モノマーとしてブタジエンゴム（ＢＲ）、スチレン・ブタジエンゴム（ＳＢＲ）等の合成ゴムの原料として使用されており、主として、ナフサをエチレンクラッカー（ナフサクラッカー）により熱分解してエチレンやプロピレンを生成させる際の副生成物として得られている。
しかしながら、近年の原料のライトフィード化により、ブタジエンの生成量が減少してきている。
そこで、石化代替原料として、バイオマス（トウモロコシやサトウキビ）を発酵させ、ブタンジオール、ブタノール、ブテンまたはエタノールを経由してブタジエンを製造するプロセスが研究されている。

例えば、特許文献１には、「エタノールを含む原料を触媒に接触させることにより、生成物中のブタン類、ブテン類、ブタジエン類からなるＣ４留分中の１，３−ブタジエンの割合を９８ｍｏｌ％以上とすることを特徴とする、１，３−ブタジエンの製造方法。」が記載されており（［請求項１］）、また、触媒として、周期表第４族および第５族の元素を含有する触媒が記載されている（［請求項４］）。

国際公開第２０１６／１２５５７８号

本発明者らは、特許文献１に記載されたブタジエンの製造方法について検討したところ、ブタジエンの収率が劣ることを明らかとした。

そこで、本発明は、ブタジエンの収率を向上させることができるブタジエンの製造方法およびブタジエンの製造装置を提供することを課題とする。

本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討した結果、原料であるエタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物を、第１１族、第１２族および第１３族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属を担体に担持してなる固体触媒、ならびに、第３族、第４族および第５族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属を担体に担持してなる固体触媒に、この順で接触させることにより、ブタジエンの収率が向上することを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。

［１］ エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物からブタジエンを得るブタジエンの製造方法であって、
エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物を、第１１族、第１２族および第１３族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ａ）を担体に担持してなる固体触媒Ａ、ならびに、第３族、第４族および第５族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｂ）を担体に担持してなる固体触媒Ｂに、この順で接触させてブタジエンを得る、ブタジエンの製造方法。
［２］ エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物を、上記固体触媒Ａに接触させる際の温度が２５０〜４００℃であり、かつ、上記固体触媒Ｂに接触させる際の温度が３５０〜５００℃である、［１］に記載のブタジエンの製造方法。
［３］ エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物を、上記固体触媒Ｂに接触させる際の温度が４００℃超５００℃以下である、［１］または［２］に記載のブタジエンの製造方法。
［４］ 上記金属（Ａ）が、第１１族に属する金属であり、
上記金属（Ｂ）が、第３族および第４族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属である、［１］〜［３］のいずれかに記載のブタジエンの製造方法。
［５］ 上記金属（Ａ）が、銀であり、
上記金属（Ｂ）が、ハフニウム、ジルコニウおよびスカンジウムからなる群から選択される少なくとも１種である、［１］〜［４］のいずれかに記載のブタジエンの製造方法。
［６］ 上記固体触媒Ａおよび上記固体触媒Ｂに含まれる担体が、いずれもシリカである、［１］〜［５］のいずれかに記載のブタジエンの製造方法。
［７］ 上記金属（Ａ）の含有量が、上記固体触媒Ａに含まれる担体の質量に対して０．１〜５０質量％であり、
上記金属（Ｂ）の含有量が、上記固体触媒Ｂに含まれる担体の質量に対して０．１〜５０質量％である、［１］〜［６］のいずれかに記載のブタジエンの製造方法。
［８］ エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物からブタジエンを得るブタジエンの製造装置であって、
反応器Ａと、上記反応器Ａに連結された反応器Ｂとを有し、
上記反応器Ａが、第１１族、第１２族および第１３族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ａ）を担体に担持してなる固体触媒Ａを充填した反応器であり、
上記反応器Ｂが、第３族、第４族および第５族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｂ）を担体に担持してなる固体触媒Ｂを充填した反応器であり、
エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物を、上記反応器Ａおよび上記反応器Ｂの順に通過させる、ブタジエンの製造装置。

本発明によれば、ブタジエンの収率を向上させることができるブタジエンの製造方法およびブタジエンの製造装置を提供することができる。

図１は、本発明のブタジエンの製造装置の実施態様の一例を示す模式図である。

以下、本発明について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。
なお、本願明細書において、「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書において、「ブタジエン」とは、「１，３−ブタジエン」のことを示す。
また、本明細書において、各成分は、各成分に該当する物質を１種単独でも用いても、２種以上を併用してもよい。ここで、各成分について２種以上の物質を併用する場合、その成分についての含有量とは、特段の断りが無い限り、併用した物質の合計の含有量を指す。

［ブタジエンの製造方法］
本発明のブタジエンの製造方法（以下、「本発明の製造方法」とも略す。）は、エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物（以下、「原料」とも略す。）からブタジエンを得るブタジエンの製造方法である。
また、本発明の製造方法は、原料を、第１１族、第１２族および第１３族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ａ）を担体（以下、「担体Ａ」とも略す。）に担持してなる固体触媒Ａ、ならびに、第３族、第４族および第５族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｂ）を担体（以下、「担体Ｂ」とも略す。）に担持してなる固体触媒Ｂに、この順で接触させてブタジエンを得る方法である。
なお、本発明においては、金属（Ａ）および金属（Ｂ）は、それぞれ、担体Ａおよび担体Ｂ上に、金属として存在していてもよいし、金属酸化物等の化合物として存在していてもよい。

本発明においては、上述した通り、原料を固体触媒Ａおよび固体触媒Ｂにこの順で接触させることにより、ブタジエンの収率が向上する。
これは、詳細には明らかではないが、本発明者らは以下のように推測している。
すなわち、後述する比較例１−１〜１−４などに示すように、固体触媒Ｂとして第３〜５族に属さない金属を担体に担持させた場合や、後述する比較例１−５に示すように、原料を接触させる固体触媒の順序を逆にした場合には、副反応である脱水反応が起こるため、ブタジエンの収率が低くなると考えられる。
そのため、本発明においては、原料を所定の固体触媒Ａおよび固体触媒Ｂにこの順で接触させることにより、副反応である脱水反応の進行が抑制され、ブタジエンの選択率が向上したため、ブタジエンの収率が向上したと考えられる。

〔固体触媒Ａ〕
本発明の製造方法で用いる固体触媒Ａは、第１１族、第１２族および第１３族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ａ）を担体Ａに担持してなる固体触媒である。

＜担体Ａ＞
固体触媒Ａに用いる担体Ａは、後述する金属（Ａ）を担持できれば特に限定されず、その具体例としては、シリカ、アルミナ、マグネシアなどが挙げられる。

本発明においては、エタノールの転化率およびブタジエンの選択率がより高くなり、ブタジエンの収率がより向上する理由から、担体Ａが、シリカであることが好ましい。

また、本発明においては、ブタジエンの選択率が更に高くなり、ブタジエンの収率が更に向上する理由から、担体Ａとして、平均細孔径が３〜１５ｎｍの範囲にあるシリカを用いることが好ましく、平均細孔径が３ｎｍ超１０ｎｍ以下の範囲にあるシリカを用いることがより好ましい。
ここで、「平均細孔径」とは、窒素の吸着等温線からＢＪＨ法あるいはＤＦＴ法で求めた細孔径分布曲線のピーク値を示す細孔径をいう。

＜金属（Ａ）＞
固体触媒Ａが有する金属（Ａ）は、第１１族、第１２族および第１３族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属である。
第１１族に属する金属としては、具体的には、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、Ａｕ（金）などが挙げられる。
また、第１２族に属する金属としては、具体的には、例えば、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、水銀（Ｈｇ）が挙げられる。
また、第１３族に属する金属としては、具体的には、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）が挙げられる。

ここで、第１１族に属する金属の原料は特に限定されないが、例えば、第１１族から選択される金属の硝酸塩、および、酢酸塩などが挙げられる。具体的には、Ａｇ（ＮＯ_３）、ＣＨ_３ＣＯＯＡｇなどが挙げられる。
また、第１２族に属する金属の原料は特に限定されないが、例えば、第１２族から選択される金属の硝酸塩、酢酸塩、およびこれらの水和物などが挙げられる。具体的には、Ｚｎ（ＮＯ_３）_２、Ｚｎ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２Ｏ、Ｚｎ（ＯＣＯＣＨ_３）_２などが挙げられる。
また、第１３族に属する金属の原料は特に限定されないが、例えば、第１３族から選択される金属の硝酸塩、オキシ硝酸塩、酢酸塩、オキシ酢酸塩、および、これらの水和物などが挙げられる。具体的には、硝酸アルミニウム九水和物、硝酸ガリウム水和物、硝酸インジウム三水和物などが挙げられる。

本発明においては、エタノールの転化率およびブタジエンの選択率がより高くなり、ブタジエンの収率がより向上する理由から、上記金属（Ａ）が、第１１族に属する金属であることが好ましく、銀であることがより好ましい。

また、本発明においては、上記金属（Ａ）の含有量は、上述した担体Ａの質量に対して、０．１〜５０質量％であることが好ましく、０．１〜４０質量％であることがより好ましく、０．２〜３０質量％であることが更に好ましい。
ここで、金属（Ａ）、後述する金属（Ｂ）の「含有量」は、例えば、ＩＣＰまたは蛍光Ｘ線等により測定することができる。

〔固体触媒Ｂ〕
本発明の製造方法で用いる固体触媒Ｂは、第３族、第４族および第５族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｂ）を担体Ｂに担持してなる固体触媒である。

＜担体Ｂ＞
固体触媒Ｂに用いる担体Ｂは、後述する金属（Ｂ）を担持できれば特に限定されず、その具体例としては、上述した担体Ａと同様のものが挙げられ、その好適態様も同様である。

＜金属（Ｂ）＞
本発明の固体触媒が有する金属酸化物（Ｂ）は、第３族、第４族および第５族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属の酸化物である。
第３族に属する金属としては、具体的には、例えば、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）などが挙げられる。
また、第４族に属する金属としては、具体的には、例えば、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）などが挙げられる。
また、第５族に属する金属としては、具体的には、例えば、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）などが挙げられる。

ここで、第３族に属する金属の原料は特に限定されないが、例えば、第３族から選択される金属の硝酸塩、オキシ硝酸塩、酢酸塩、オキシ酢酸塩、および、これらの水和物などが挙げられる。具体的には、Ｓｃ（ＮＯ_３）_２、硝酸スカンジウム五水和物などが挙げられる。
また、第４族に属する金属の原料は特に限定されないが、例えば、第４族から選択される金属の硝酸塩、塩酸塩、オキシ硝酸塩、酢酸塩、オキシ酢酸塩、および、これらの水和物などが挙げられる。具体的には、ＺｒＯ（ＮＯ_３）_２、ＺｒＯ（ＮＯ_３）_２・２Ｈ_２Ｏ、ＺｒＯ（ＯＣＯＣＨ_３）_２、ＨｆＣｌ_４などが挙げられる。
また、第５族に属する金属の原料は特に限定されないが、例えば、第５族から選択される金属の硫酸塩、オキシ硫酸塩、酢酸塩、オキシ酢酸塩、塩酸塩、および、これらの水和物などが挙げられる。具体的には、ＶＯＳＯ_４、ＶＯＳＯ_４・ｎＨ_２Ｏ、（ＣＨ_３ＣＯＯ）_２Ｔａ、ＶＣｌ_３、ＮｂＣｌ_５、ＴａＣｌ_５などが挙げられる。

本発明においては、エタノールの転化率およびブタジエンの選択率がより高くなり、ブタジエンの収率がより向上する理由から、上記金属（Ｂ）が、第３族および第４族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属であることが好ましく、ハフニウム、ジルコニウおよびスカンジウムからなる群から選択される少なくとも１種であることがより好ましく、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウおよび酸化スカンジウムからなる群から選択される少なくとも１種であることが更に好ましい。

また、本発明においては、上記金属（Ｂ）の含有量は、上述した担体Ｂの質量に対して、０．１〜５０質量％であることが好ましく、０．１〜４０質量％であることがより好ましく、０．２〜３０質量％であることが更に好ましい。

〔固体触媒の調製方法〕
上述した固体触媒ＡおよびＢの調製方法は特に限定されず、例えば、含浸法、ゾルゲル法等の公知の方法を採用することができる。これらの中でも、得られる固体触媒の活性および選択性が高く、また、簡便であることから、含浸法が好ましい。
含浸方法としては、例えば、噴霧法、コーティング法、ポアフィリング法、選択吸着法などの公知の手法を採用することができる。具体的には、上述した金属（Ａ）または金属（Ｂ）の原料となる金属の硝酸塩、酢酸塩等を水に溶解させ、得られた水溶液を上述した担体に含浸させ、その後、担体を乾燥させる方法が挙げられる。なお、乾燥方法や乾燥時間は特に限定されないが、６０〜８０℃で減圧乾燥することが好ましい。また、乾燥後に、２００〜６００℃の温度で焼成することが好ましい。
また、上述した調製方法以外にも、例えば、上述した金属（Ａ）または金属（Ｂ）の原料となる金属の硝酸塩、酢酸塩等を混合した後に、加熱、濃縮、水熱合成などの処理を施し、乾燥・焼成する方法も挙げられる。
また、調製した触媒は、使用前に、必要に応じて、成型、整粒などを施してもよい。

〔原料〕
本発明の製造方法では、目的生成物であるブタジエンの原料として、エタノール、または、エタノールとアセトアルデヒドとの混合物を使用する。
また、原料は、適宜希釈して、上述した固体触媒ＡおよびＢに接触させてもよい。
また、原料を希釈する媒体（以下、「希釈媒体」ともいう。）としては、具体的には、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスが挙げられる。
また、原料は、エタノール、アセトアルデヒド、希釈媒体以外の不純物等を含んでいてもよい。

本発明の製造方法においては、原料として、エタノールとアセトアルデヒドとの混合物を使用する場合、エタノールとアセトアルデヒドの質量比（エタノール：アセトアルデヒド）は、特に限定されるものではないが、例えば、１９：１〜１：９の範囲が好ましく、１６：４〜２：８の範囲が更に好ましい。

〔反応条件等〕
本発明の製造方法は、公知の反応形式で実施でき、流通式でも、バッチ式でも、その他でもよいが、生産性の観点から、流通式で実施することが好ましい。
また、本発明の製造方法は、気相で行っても、液相で行ってもよいが、高い反応温度を適用でき、原料の転化率が向上する観点から、気相条件下で行うことが好ましい。
また、所望により、反応開始前に、触媒を還元してもよく、例えば、水素気流中、２００〜５００℃で、触媒を還元した後、原料と接触させて、ブタジエンの生成工程を実施してもよい。

原料を固体触媒に接触させる方法としては、例えば、懸濁床方式、流動床方式、固定床方式等を挙げることができる。また、本発明は、気相法、液相法のいずれであってもよいが、気相法を用いることが好ましい。

気相で反応を行う場合、原料ガス（例えば、エタノールガス、好ましくはエタノールガスとアセトアルデヒドガスの混合物）は、希釈することなく反応器に供給してもよく、窒素、ヘリウム、アルゴン、水蒸気、などの不活性ガスにより適宜希釈して反応器に供給してもよい。

反応温度は、エタノールの転化率およびブタジエンの選択率がより高くなり、ブタジエンの収率がより向上する理由から、原料を上記固体触媒Ａに接触させる際の温度が２５０〜４００℃であり、かつ、上記固体触媒Ｂに接触させる際の温度が３５０〜５００℃であることが好ましい。特に、エタノールの転化率およびブタジエンの選択率がより高くなり、ブタジエンの収率がより向上する理由から、原料を上記固体触媒Ｂに接触させる際の温度が４００℃超５００℃以下であることが好ましい。
反応圧力は、常圧から高圧までの広い範囲で適宜設定できるが、製造効率や装置構成などの観点から、１．０ＭＰａ以下に設定することが好ましい。

原料と固体触媒との接触時間は、原料の供給速度を調整することによりコントロールすることができ、単位触媒あたりの重量空間速度（ＷＨＳＶ）は１．０〜４０ｇ−原料／ｇ−ｃａｔ・ｈであることが好ましく、２．０〜２０ｇ−原料／ｇ−ｃａｔ・ｈであることがより好ましい。

反応終了後、反応生成物は、例えば、蒸留、抽出、膜分離等の分離手段や、これらを組み合わせた分離手段により、軽質ガス、Ｃ４留分、重質分、水、エタノール、アセトアルデヒド等に分離精製することができる。

［ブタジエンの製造装置］
本発明のブタジエンの製造装置（以下、「本発明の製造装置」とも略す。）は、エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物からブタジエンを得るブタジエンの製造装置であり、反応器Ａと、上記反応器Ａに連結された反応器Ｂとを有する。
また、本発明の製造装置においては、上記反応器Ａが、第１１族、第１２族および第１３族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ａ）を担体に担持してなる固体触媒Ａを充填した反応器であり、上記反応器Ｂが、第３族、第４族および第５族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｂ）を担体に担持してなる固体触媒Ｂを充填した反応器である。
また、本発明の製造装置は、エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物を、上記反応器Ａおよび上記反応器Ｂの順に通過させる製造装置である。
なお、反応器Ａに充填された固体触媒Ａ、および、反応器Ｂに充填された固体触媒Ｂは、それぞれ、本発明の製造方法において説明した固体触媒Ａおよび固体触媒Ｂと同様である。

図１は、本発明のブタジエンの製造装置の実施態様の一例を示す模式図である。
図１に示すブタジエンの製造装置１０は、反応器Ａ１と、反応器Ａ１に連結された反応器Ｂ２を有する。
また、図１に示すブタジエンの製造装置１０は、送液ポンプＰを有しており、この送液ポンプＰを用いて、原料であるエタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物を、反応器Ａ１および反応器Ｂ２の順に通過させることができる。なお、送液ポンプＰは、原料を反応器Ａ１および反応器Ｂ２の順に通過させることができるものであれば、配置する位置や機能は特に限定されない。
また、図１に示すブタジエンの製造装置１０は、反応器Ａ１および反応器Ｂ２の反応雰囲気を調整するガスボンベ３を有する。
また、図１に示すブタジエンの製造装置１０は、反応器Ａ１および反応器Ｂ２のそれぞれに、反応器内の温度を調整するヒーター４を有する。
また、図１に示すブタジエンの製造装置１０は、反応器Ｂ２の下流側に、生成物を分析するガスクロマトグラフィー分析装置５を有する。

以下に実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容および処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。

〔実施例１−１〕
ＡｇＮＯ_３（Ａｇ塩）０．２１１ｇを水５ｍｌに溶解させて水溶液Ａ１を調製した。
調製した水溶液Ａ１を、メソポーラスシリカ（富士シリシア株式会社製、商品名：ＣＡＲｉＡＣＴ Ｇ−６、平均細孔径：６ｎｍ）に含浸させた後、１１０℃で４時間乾燥し、更に５００℃で４時間焼成することにより、Ａｇがシリカに担持されてなる固体触媒Ａ１を調製した。
また、ＨｆＣｌ_４（Ｈｆ塩）０．２０４ｇを水５ｍｌに溶解させて水溶液Ｂ１を調製した。
調製した水溶液Ｂ１を、メソポーラスシリカ（富士シリシア株式会社製、商品名：ＣＡＲｉＡＣＴ Ｇ−６、平均細孔径：６ｎｍ）に含浸させた後、１１０℃で４時間乾燥し、更に５００℃で４時間焼成することにより、Ｈｆがシリカに担持されてなる固体触媒Ｂ１を調製した。
下記表１に、担持させる金属の種類および担持量を示す。

調製した固体触媒Ａ１の０．３ｇを固定床流通式反応器に充填し、反応器Ａを作製した。
同様に、固体触媒Ｂ１の０．３ｇを固定床流通式反応器に充填し、反応器Ｂを作製した。
これらの反応器を連結し、反応器Ａよりも上流側から、Ｎ_２ガスを５〜１５ｍｌ／ｍｉｎで流し、更に、エタノール（ＥｔＯＨ）を０．０３ｍｌ／ｍｉｎの割合で、Ｎ_２ガス流に添加し、反応器Ａにおける反応温度３５０℃、反応器Ｂにおける反応温度４２５℃、大気圧下において、重量空間速度（ＷＨＳＶ）５．０ｇ−原料／ｇ−ｃａｔ・ｈの条件で流通させた。下記表１に、原料、反応温度および重量空間速度（ＷＨＳＶ）を示す。
反応を２時間行い、得られた生成物をガスクロマトグラフ（島津製作所社製）を用いて分析した。
また、以下の式に従って、原料の転化率、ブタジエン（ＢＤ）選択率、ＢＤ収率、および、ＢＤ生産性を算出した。これらの結果を下記表１に示す。
原料の転化率＝（原料投入量−未反応原料の留出量）／（原料投入量）×１００（％）
ＢＤ選択率＝（ブタジエンの生成量）／（原料投入量−未反応原料の留出量）×１００（Ｃ−ｍｏｌ％）
ＢＤ収率＝（原料の転化率）×（ＢＤ選択率）÷１００（Ｃ−ｍｏｌ％）
ＢＤ生産性＝（１時間あたりのブタジエンの生成質量）／（使用した触媒質量）（ｇ−ＢＤ／ｇ−ｃａｔ・ｈ）

〔実施例１−２〕
反応器Ｂにおける反応温度を下記表１に示す温度（４００℃）に変更した以外は、実施例１−１と同様の方法で、原料の転化率、ブタジエン（ＢＤ）選択率、ＢＤ収率、および、ＢＤ生産性を算出した。これらの結果を下記表１に示す。

〔実施例１−３〕
水溶液Ｂ１に代えて、ＺｒＯ（ＮＯ_３）_２・２Ｈ_２Ｏ（Ｚｒ塩）０．１４７ｇを水５ｍｌに溶解させた水溶液Ｂ３を用いた以外は、実施例１−１と同様の方法で、ＺｒＯ_２がシリカに担持されてなる固体触媒Ｂ３を調製した。
また、固体触媒Ｂ１に代えて、調製した固体触媒Ｂ３を用いた以外は、実施例１−１と同様の方法で、原料の転化率、ブタジエン（ＢＤ）選択率、ＢＤ収率、および、ＢＤ生産性を算出した。これらの結果を下記表１に示す。

〔実施例１−４〕
反応器Ｂにおける反応温度を下記表１に示す温度（４００℃）に変更した以外は、実施例１−３と同様の方法で、原料の転化率、ブタジエン（ＢＤ）選択率、ＢＤ収率、および、ＢＤ生産性を算出した。これらの結果を下記表１に示す。

〔実施例１−５〕
水溶液Ｂ１に代えて、Ｓｃ（ＮＯ_３）_２（Ｓｃ原料）０．１０８ｇを水５ｍｌに溶解させた水溶液Ｂ５を用いた以外は、実施例１−１と同様の方法で、Ｓｃ_２Ｏ_３がシリカに担持されてなる固体触媒Ｂ５を調製した。
また、固体触媒Ｂ１に代えて、調製した固体触媒Ｂ５を用いた以外は、実施例１−１と同様の方法で、原料の転化率、ブタジエン（ＢＤ）選択率、ＢＤ収率、および、ＢＤ生産性を算出した。これらの結果を下記表１に示す。

〔比較例１−１〕
水溶液Ｂ１に代えて、Ｍｇ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２Ｏ（Ｍｇ塩）０．１２５ｇを水５ｍｌに溶解させた水溶液Ｃ１を用いた以外は、実施例１−１と同様の方法で、ＭｇＯがシリカに担持されてなる固体触媒Ｃ１を調製した。
また、固体触媒Ｂ１に代えて、調製した固体触媒Ｃ１を用いた以外は、実施例１−１と同様の方法で、原料の転化率、ブタジエン（ＢＤ）選択率、ＢＤ収率、および、ＢＤ生産性を算出した。これらの結果を下記表１に示す。

〔比較例１−２〕
水溶液Ｂ１に代えて、Ｚｎ（ＮＯ_３）_２・６Ｈ_２Ｏ（Ｚｎ塩）０．１８３ｇを水５ｍｌに溶解させた水溶液Ｃ２を用いた以外は、実施例１−１と同様の方法で、ＭｇＯがシリカに担持されてなる固体触媒Ｃ２を調製した。
また、固体触媒Ｂ１に代えて、調製した固体触媒Ｃ２を用いた以外は、実施例１−１と同様の方法で、原料の転化率、ブタジエン（ＢＤ）選択率、ＢＤ収率、および、ＢＤ生産性を算出した。これらの結果を下記表１に示す。

〔比較例１−３〕
水溶液Ｂ１に代えて、Ｆｅ（ＮＯ_３）_３・９Ｈ_２Ｏ（Ｆｅ塩）０．２４８５ｇを水５ｍｌに溶解させた水溶液Ｃ２を用いた以外は、実施例１−１と同様の方法で、Ｆｅ_２Ｏ_３がシリカに担持されてなる固体触媒Ｃ３を調製した。
また、固体触媒Ｂ１に代えて、調製した固体触媒Ｃ３を用いた以外は、実施例１−１と同様の方法で、原料の転化率、ブタジエン（ＢＤ）選択率、ＢＤ収率、および、ＢＤ生産性を算出した。これらの結果を下記表１に示す。

〔比較例１−４〕
水溶液Ｂ１に代えて、Ｃｒ（ＮＯ_３）_３・９Ｈ_２Ｏ（Ｃｒ塩）０．２４６２ｇを水５ｍｌに溶解させた水溶液Ｃ２を用いた以外は、実施例１−１と同様の方法で、Ｃｒ_２Ｏ_３がシリカに担持されてなる固体触媒Ｃ４を調製した。
また、固体触媒Ｂ１に代えて、調製した固体触媒Ｃ４を用いた以外は、実施例１−１と同様の方法で、原料の転化率、ブタジエン（ＢＤ）選択率、ＢＤ収率、および、ＢＤ生産性を算出した。これらの結果を下記表１に示す。

〔比較例１−５〕
実施例１−１で調製した固体触媒Ａ１の反応器Ｂに用い、実施例１−１で調製した固体触媒Ｂ１を反応器Ａに用いた以外は、実施例１−１と同様の方法で、原料の転化率、ブタジエン（ＢＤ）選択率、ＢＤ収率、および、ＢＤ生産性を算出した。これらの結果を下記表１に示す。

表１に示す結果から、固体触媒Ｂとして、第３族、第４族および第５族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｂ）に該当しない金属を担体に担持させた場合には、ブタジエンの収率が２０％以下となることが分かった（比較例１−１〜１−４）。
また、固体触媒Ａとして、第３族、第４族および第５族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｂ）を担体に担持させ、固体触媒Ｂとして、第１１族、第１２族および第１３族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ａ）を担体に担持させた場合には、ブタジエンの収率が著しく低下することが分かった（比較例１−５）。
これに対し、固体触媒Ａとして、第１１族、第１２族および第１３族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ａ）を担体に担持させ、固体触媒Ｂとして、第３族、第４族および第５族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｂ）を担体に担持させ、固体触媒Ａおよび固体触媒Ｂの順に原料を接触させた場合には、ブタジエンの収率が向上することが分かった（実施例１−１〜１−５）。
特に、実施例１−１と実施例１−２との対比から、原料を固体触媒Ｂに接触させる際の温度が４００℃超５００℃以下であると、ブタジエンの収率がより向上することが分かった。

〔実施例２−１〜２−５および比較例２−１〜２−４〕
実施例２−１〜２−５および比較例２−１〜２−４は、反応器Ａにおける反応温度を下記表２に示す温度（４００℃）に変更した以外は、それぞれ、実施例１−１〜１−５および比較例１−１〜１−４と同様の方法で、原料の転化率、ブタジエン（ＢＤ）選択率、ＢＤ収率、および、ＢＤ生産性を算出した。これらの結果を下記表２に示す。

表２に示す結果から、反応器Ａにおける反応温度を４００℃に変更した場合でも、表１に示す結果と同様の結果が得られることが分かった。

１ 反応器Ａ
２ 反応器Ｂ
３ ガスボンベ
４ ヒーター
５ ガスクロマトグラフィー分析装置
Ｐ 送液ポンプ

Claims (8)

1. エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物からブタジエンを得るブタジエンの製造方法であって、
   エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物を、第１１族、第１２族および第１３族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ａ）を担体に担持してなる固体触媒Ａ、ならびに、第３族、第４族および第５族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｂ）を担体に担持してなる固体触媒Ｂに、この順で接触させてブタジエンを得る、ブタジエンの製造方法。
2. エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物を、前記固体触媒Ａに接触させる際の温度が２５０〜４００℃であり、かつ、前記固体触媒Ｂに接触させる際の温度が３５０〜５００℃である、請求項１に記載のブタジエンの製造方法。
3. エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物を、前記固体触媒Ｂに接触させる際の温度が４００℃超５００℃以下である、請求項１または２に記載のブタジエンの製造方法。
4. 前記金属（Ａ）が、第１１族に属する金属であり、
   前記金属（Ｂ）が、第３族および第４族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のブタジエンの製造方法。
5. 前記金属（Ａ）が、銀であり、
   前記金属（Ｂ）が、ハフニウム、ジルコニウおよびスカンジウムからなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のブタジエンの製造方法。
6. 前記固体触媒Ａおよび前記固体触媒Ｂに含まれる担体が、いずれもシリカである、請求項１〜５のいずれか１項に記載のブタジエンの製造方法。
7. 前記金属（Ａ）の含有量が、前記固体触媒Ａに含まれる担体の質量に対して０．１〜５０質量％であり、
   前記金属（Ｂ）の含有量が、前記固体触媒Ｂに含まれる担体の質量に対して０．１〜５０質量％である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のブタジエンの製造方法。
8. エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物からブタジエンを得るブタジエンの製造装置であって、
   反応器Ａと、前記反応器Ａに連結された反応器Ｂとを有し、
   前記反応器Ａが、第１１族、第１２族および第１３族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ａ）を担体に担持してなる固体触媒Ａを充填した反応器であり、
   前記反応器Ｂが、第３族、第４族および第５族に属する金属からなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｂ）を担体に担持してなる固体触媒Ｂを充填した反応器であり、
   エタノールまたはエタノールとアセトアルデヒドとの混合物を、前記反応器Ａおよび前記反応器Ｂの順に通過させる、ブタジエンの製造装置。

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