JP2021190636A - 電気検査用基板 - Google Patents

Abstract

【課題】 電気検査用基板において、亀裂の発生を抑制する技術を提供する。【解決手段】 電気検査用基板は、各層が自身の６０体積％以上のガラスを含有する多層セラミック基板を備える電気検査用基板であって、多層セラミック基板は、多層セラミック基板の一方の主面を構成する第１表層と、多層セラミック基板の他方の主面を構成する第２表層と、第１表層と隣接して配置される第１中間層と、第２表層と隣接して配置される第２中間層と、第１中間層と第２中間層との間に配置される内層と、を備え、第１表層、第２表層、および内層は、ガラスとして、第１ガラスを主に含み、第１中間層および第２中間層は、ガラスとして、第１ガラスより軟化点が低い非晶質の第２ガラスを主に含む。【選択図】 図２

Description

本発明は、電気検査用基板に関する。

従来、ガラス成分とセラミック成分との混合物を焼成した、いわゆるガラスセラミックで形成された複数のセラミック層を積層した多層セラミック基板において、内層と外層の熱膨張率を違えることにより、多層セラミック基板の強度を向上させる技術が提案されている（例えば、特許文献１〜４参照）。

特開２０１０−１４７１０１号公報 国際公開第２０１４／０７３６０４号公報 特開２０１４−２３６０７２号公報 特開平６−２９６６４号公報

ところで、シリコンウエハの電気検査を行うための電気検査用冶具は、セラミック基板を含む電気検査用基板に、複数のプローブが形成されたものからなる。電気検査用基板では、基板の変形が小さいことが望まれるため、ガラスセラミックで形成された多層セラミック基板が用いられる場合がある。電気検査用基板で、多層セラミック基板の表面に樹脂層やスタッドを形成することや、検査時の冷熱サイクルに起因して発生する応力により亀裂が生じる虞がある。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、電気検査用基板において、亀裂の発生を抑制する技術を提供することを目的とする。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。

（１）本発明の一形態によれば、電気検査用基板が提供される。この電気検査用基板は、各層が自身の６０体積％以上のガラスを含有する多層セラミック基板を備える電気検査用基板であって、前記多層セラミック基板は、前記多層セラミック基板の一方の主面を構成する第１表層と、前記多層セラミック基板の他方の主面を構成する第２表層と、前記第１表層と隣接して配置される第１中間層と、前記第２表層と隣接して配置される第２中間層と、前記第１中間層と第２中間層との間に配置される内層と、を備え、前記第１表層、前記第２表層、および前記内層は、前記ガラスとして、第１ガラスを主に含み、前記第１中間層および前記第２中間層は、前記ガラスとして、前記第１ガラスより軟化点が低い非晶質の第２ガラスを主に含む。

この構成によれば、第１中間層および第２中間層（以下、単に「中間層」とも呼ぶ）は、第１表層、第２表層（以下、単に「表層」とも呼ぶ）、および内層に主に含まれる第１ガラスより軟化点が低い非晶質の第２ガラスを主に含むため、多層セラミック基板を製造する際、焼成降温時にガラスが硬化するタイミングを、表層および内層と、中間層とで異ならせることができる。中間層は、表層および内層よりも硬化し始めるタイミングが遅く、表層が硬化した後にも収縮するため、表層の主面方向に圧縮力を発生させることができ、多層セラミック基板における亀裂の発生を抑制することができる。

また、多層セラミック基板において、内層を備えず、第１表層と第２表層との間が全て中間層の場合、第２ガラスは第１ガラスより軟化点が低いため、溶融時に、中間層が先に溶融されてつぶれるため、多層セラミック基板の厚みの制御が困難になる。これに対し、この構成によれば、内層を備えるため、内層を備えない場合と比較して、厚みの制御を容易にすることができる。

（２）上記形態の電気検査用基板であって、前記第１ガラスの軟化点と、前記第２ガラスの軟化点との差は、２００℃以上であってもよい。このようにすると、多層セラミック基板を製造する際、焼成降温時にガラスが硬化するタイミングを、表層および内層と、中間層とで、比較的大きく異ならせることができる。そのため、表層の主面方向に生じる圧縮力によって、多層セラミック基板における亀裂の発生を、より抑制することができる。

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、多層セラミック基板を備える電子部品のパッケージ、多層セラミック基板を備える無線通信モジュール基板、多層セラミック基板を備える制御回路、電気検査基板の製造方法、多層セラミック基板の製造方法などの形態で実現することができる。

第１実施形態の電気検査用冶具の使用方法を示す説明図である。 電気検査用基板の断面を模式的に表した説明図である。 グリーンシート積層体の構成を模式的に表した説明図である。 積層焼結体の構成を模式的に表した説明図である。 実施例１の多層セラミック基板の構成を模式的に表した説明図である。 実施例および比較例のセラミック基板の破壊靭性の評価結果を示す図である。 実施例および比較例のセラミック基板の破壊靭性値を示す図である。

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態の電気検査用冶具１００の使用方法を示す説明図である。本実施形態の電気検査用冶具１００は、電気検査用基板１と、導電性の複数のプローブ２とを備える。

電気検査用冶具１００は、例えば直径が３００ｍｍのシリコンウエハＳＷに対応したものである。シリコンウエハＳＷには、複数のデバイス（ＩＣ等）が形成されている。このようなシリコンウエハＳＷに形成された複数の端子ＴＭにプローブ２を接触させることにより、シリコンウエハＳＷに形成された複数のデバイスの電気的な検査が一度にまとめて行われる。

図２は、電気検査用基板１の断面を模式的に表した説明図である。電気検査用基板１は、多層セラミック基板３と、多層セラミック基板３の表面３ａに形成された電極４と、多層セラミック基板３の裏面３ｂに形成された電極５と、を備える。図２において、多層セラミック基板３を構成する各層の積層方向ＳＤを、矢印で図示している。多層セラミック基板３は、例えば、厚み５ｍｍ×縦３００ｍｍ×横３００ｍｍの直方体状に形成されている。

多層セラミック基板３は、積層方向ＳＤの下（図２の紙面下）から順に、第１表層１１，第１中間層１２，第１内層１３，第２内層１４，第３内層１５，第２中間層１６，および第２表層１７を、備える。第１表層１１は、多層セラミック基板３の一方の主面である裏面３ｂを構成し、第２表層１７は、多層セラミック基板３の他方の主面である表面３ａを構成する。第１表層１１と第２表層とを区別しないときには、単に「表層」とも呼ぶ。第１中間層１２は、第１表層１１と隣接して配置され、第２中間層１６は、第２表層１７と隣接して配置される。第１中間層１２と第２中間層１６とを区別しないときには、単に「中間層」とも呼ぶ。第１内層１３，第２内層１４，および第３内層１５は、第１中間層１２と第２中間層１６との間に配置される。第１内層１３と、第２内層１４と、第３内層１５と、を区別しないときには、単に「内層」とも呼ぶ。また、これらの各層を区別しないときには、単に、「セラミック層」とも呼ぶ。

多層セラミック基板３は、上記各セラミック層１１〜１７の間に、６層の配線層２１，２２，２３，２４，２５，２６を備える。具体的には、配線層２１はセラミック層１１とセラミック層１２との間に配置され、配線層２２はセラミック層１２とセラミック層１３との間に配置され、配線層２３はセラミック層１３とセラミック層１４との間に配置される。また、配線層２４はセラミック層１４とセラミック層１５との間に配置され、配線層２５はセラミック層１５とセラミック層１６との間に配置され、配線層２６はセラミック層１６とセラミック層１７との間に配置される。

また、各セラミック層１１〜１７の内部には、積層方向ＳＤ（厚み方向）に延びて各セラミック層１１〜１７を貫通するビア導体３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７が形成される。これにより、セラミック層１１を挟むようにセラミック層１１の両面に形成されている電極５と配線層２１とがビア導体３１により電気的に接続される。また、セラミック層１２を挟むようにセラミック層１２の両面に形成されている配線層２１と配線層２２とがビア導体３２により電気的に接続される。また、セラミック層１３を挟むようにセラミック層１３の両面に形成されている配線層２２と配線層２３とがビア導体３３により電気的に接続される。また、セラミック層１４を挟むようにセラミック層１４の両面に形成されている配線層２３と配線層２４とがビア導体３４により電気的に接続される。また、セラミック層１５を挟むようにセラミック層１５の両面に形成されている配線層２４と配線層２５とがビア導体３５により電気的に接続される。また、セラミック層１６を挟むようにセラミック層１６の両面に形成されている配線層２５と配線層２６とがビア導体３６により電気的に接続される。また、セラミック層１７を挟むようにセラミック層１７の両面に形成されている配線層２６と電極４とがビア導体３７により電気的に接続される。

セラミック層１１〜１７は、ガラス成分とセラミック成分との混合物を焼成した、いわゆるガラスセラミックで形成されており、セラミック層１１〜１７は、それぞれ、自身の６０体積％以上のガラスを含有する。なお、各セラミック層１１〜１７の製造過程で添加されるバインダ成分、溶剤等の他の成分は、基本的に、焼成時に焼失する。

表層１１，１７，および内層１３，１４，１５は、ガラスとして第１ガラスを主に含み、第１中間層１２および第２中間層１６は、ガラスとして第１ガラスより軟化点が低い非晶質の第２ガラスを主に含む。ここで、「主に含む」とは、各層に含まれるガラスの９０体積％以上含むこという。すなわち、中間層１２，１６は、結晶質ガラスを含んでもよいし、第１ガラスより軟化点が高いガラスを含んでもよい。

多層セラミック基板３において、中間層１２，１６は、表層１１，１７、および内層１３，１４，１５に主に含まれる第１ガラスより軟化点が低い非晶質の第２ガラスを主に含むため、多層セラミック基板３を製造する際、焼成降温時にガラスが硬化するタイミングを、表層１１，１７および内層１３，１４，１５と、中間層１２，１６とで異ならせることができる。中間層１２，１６は、第１ガラスより軟化点が低い非晶質の第２ガラスを主に含むため、表層１１，１７および内層１３，１４，１５よりも硬化し始めるタイミングが遅く、表層１１，１７が硬化した後にも収縮するため、表層１１，１７の主面（裏面３ｂ，表面３ａ）方向に圧縮力を発生させることができる。そのため、多層セラミック基板３における亀裂の発生を抑制することができる。また、多層セラミック基板３に、小さな亀裂が発生しても、その亀裂の成長を、上記の圧縮力により、抑制することができる。

第１ガラスの軟化点と、第２ガラスの軟化点との差は、特に限定されないが、２００℃以上の差があることが好ましい。

第１ガラスの軟化点と、第２ガラスの軟化点は、以下の方法により特定することができる。多層セラミック基板３を積層方向ＳＤに沿って切断し、断面方向に研磨した上で、ＥＰＭＡ（電子プローブマイクロアナライザ）で定量評価することにより、セラミック、およびガラスの組成を特定することができる。ガラスの組成を特定した後、組成比からガラスの軟化点を特定することができる。

各セラミック層１１〜１７に含まれるセラミックは、特に限定されないが、例えば、アルミナ、ムライト等を用いることができる。例えば、セラミックとして、アルミナとムライトとを両方含んでもよい。

各セラミック層１１〜１７の厚みは、特に限定されないが、例えば、７０μｍ以上３４０μｍ以下に設定してもよい。

配線層２１〜２６およびビア導体３１〜３７は、例えば、ガラスセラミックの焼成の際に低温で同時焼成可能な、Ａｇ、Ａｇ／Ｐｔ合金、Ａｇ／Ｐｄ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金等の導体で形成されている。

電極４，５は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｃｕ、ＮｉおよびＡｕの少なくとも１つの導体で形成されている。

ここで、電気検査用基板１の製造方法を説明する。電気検査用基板１を製造するために、先ず、表層１７，１１および内層１３，１４，１５を形成するための第１グリーンシートを用意する。また、中間層１６，１２を形成するための第２グリーンシートを用意する。また、拘束シートとしての第３グリーンシートを用意する。第１グリーンシート、第２グリーンシート、および第３グリーンシートの具体的な作製方法は後述する。

次いで、用意された第１グリーンシートおよび第２グリーンシートの所定箇所に、パンチにより、例えば直径が０．１２ｍｍのビアホールを形成する。その後、第１グリーンシートおよび第２グリーンシートに形成されたビアホールの内部に、導電性ペーストを充填する。導電性ペーストは、銀粉末１００質量部に対して、軟化点が７００℃のホウケイ酸系ガラス粉末を２質量部添加した粉末原料に、エチルセルロース樹脂を加えると共に、溶剤としてターピネオールを加え、３本ロールミルに混練して作製される。

次に、第１グリーンシートおよび第２グリーンシートの表面における必要な箇所に、導電性ペーストを用いて、印刷により、配線層２１〜２６となる配線パターンを形成する。

その後、第１グリーンシート、第２グリーンシート、および第３グリーンシートを積層して、グリーンシート積層体を作製する。具体的には、３つの第１グリーンシートを積層することにより、第１グリーンシート積層体を作製する。続いて、その第１グリーンシート積層体の表面および裏面のそれぞれに、１つずつ第２グリーンシートを積層することにより、第２グリーンシート積層体を作製する。また、第２グリーンシート積層体の表面および裏面のそれぞれに、１つずつ第１グリーンシートを積層することにより、第３グリーンシート積層体を作製する。そして、その第３グリーンシート積層体の表面および裏面のそれぞれに、１つずつ第３グリーンシートを積層することにより、目的とするグリーンシート積層体が得られる。

その後、プレス機を用いて、積層方向ＳＤの両側からグリーンシート積層体を挟んで、グリーンシート積層体に０．２ＭＰａの圧力を加えながら、そのグリーンシート積層体を８５０℃にて３０分間焼成（即ち、脱脂焼成）して、積層焼結体を作製する。

その後、プレス機による加圧が解除され、積層焼結体の表面および裏面に残っている未焼結の第３グリーンシートを、水を媒体とした超音波洗浄機により除去する。そして、アルミナ質砥粒を用いたラップ研磨により、積層焼結体の表面および裏面を研磨する。次いで、研磨した積層焼結体の表面および裏面におけるビア導体３１，３７に対応する位置に、例えば、Ｔｉ膜をスパッタ法により形成した後に順次Ｃｕメッキ、ＮｉメッキおよびＡｕメッキを施して、電極４，５を形成し、電気検査用基板１の製造を終了する。

このように構成された電気検査用基板１は、表面３ａおよび裏面３ｂをそれぞれ構成し、かつ第１グリーンシートより形成される表層１７，１１を備える。

また、電気検査用基板１は、第２グリーンシートより形成され、第１表層１１と隣接して配置される第１中間層１２と、第２表層１７と隣接して配置される第２中間層１６と、を備える。

また、電気検査用基板１は、第１中間層１２と第２中間層１６との間に配置され、第１グリーンシートより形成される内層１３，１４，１５を備える。

以上のような電気検査用基板１が備える多層セラミック基板３において、中間層１２，１６は、表層１１，１７、および内層１３，１４，１５に主に含まれる第１ガラスより軟化点が低い非晶質の第２ガラスを主に含むため、多層セラミック基板３を製造する際、焼成降温時にガラスが硬化するタイミングを、表層１１，１７および内層１３，１４，１５と、中間層１２，１６とで異ならせることができる。中間層１２，１６は、第１ガラスより軟化点が低い非晶質の第２ガラスを主に含むため、表層１１，１７および内層１３，１４，１５よりも硬化し始めるタイミングが遅く、表層１１，１７が硬化した後にも収縮するため、表層１１，１７の主面（裏面３ｂ，表面３ａ）方向に圧縮力を発生させることができる。このような多層セラミック基板３を有する電気検査用基板１は、亀裂の発生や成長が抑制され、強度が向上する。

以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。なお、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。

〔実施例１〕
（第１グリーンシートの作製）
セラミック原料粉末として、平均粒径が３．０μｍであり、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃を主成分とするホウケイ酸系ガラス粉末と、平均粒径が２．０μｍのムライト粉末と、平均粒径が２．０μｍのアルミナ粉末を用意した。更に、シート成形時のバインダー成分及び可塑剤成分として、アクリル系バインダー及びＤＯＰ（ジ・オクチル・フタレート）を用意した。そして、アルミナ製のポットに、ホウケイ酸ガラス粉末とムライト粉末及びアルミナ粉末を、質量比で５０：３０：２０、総量１０００ｇとなるように投入するとともに、アクリル樹脂を１２０ｇ投入した。更に、適当なスラリー粘度とシート強度を持たせるのに必要な量の溶剤（ＭＥＫ：メチルエチルケトン、トルエン）と可塑剤（ＤＯＰ）を上記ポットに入れ、３時間混合することにより、セラミックスラリーを得た。得られたセラミックスラリーを用いて、ドクターブレード法により、厚み０．２５ｍｍの第１グリーンシートを作製した。

（第２グリーンシートの作製）
セラミック原料粉末として、平均粒径が３．０μｍであり、ＳｉＯ₂、ＺｎＯ、Ｎａ₂Ｏ、Ｂ₂Ｏ₃を主成分とするホウケイ酸系ガラス粉末と、平均粒径が２．０μｍのムライト粉末と、平均粒径が２．０μｍのアルミナ粉末を用意した。更に、シート成形時のバインダー成分及び可塑剤成分として、アクリル系バインダー及びＤＯＰ（ジ・オクチル・フタレート）を用意した。そして、アルミナ製のポットに、ホウケイ酸ガラス粉末とムライト粉末及びアルミナ粉末を、質量比で５０：３０：２０、総量１０００ｇになるように投入するとともに、アクリル樹脂を１２０ｇ投入した。更に、適当なスラリー粘度とシート強度を持たせるのに必要な量の溶剤（ＭＥＫ：メチルエチルケトン、トルエン）と可塑剤（ＤＯＰ）を上記ポットに入れ、３時間混合することにより、セラミックスラリーを得た。得られたセラミックスラリーを用いて、ドクターブレード法により、厚み０．２５ｍｍの第２グリーンシートを作製した。

（第３グリーンシートの作製）
セラミック原料粉末として、平均粒径が２．０μｍのアルミナ粉末を用意した。更に、シート形成時のバインダー成分としてアクリル系バインダー、可塑剤成分としてＤＯＰ、溶剤としてＭＥＫを用意した。そして、前記第１グリーンシートと同様に、アルミナ製のポットに、アルミナ粉末を１０００ｇ、アクリル樹脂を１２０ｇ投入し、更に、スラリー粘度とシート強度を持たせるために、必要な量の溶剤（ＭＥＫ、トルエン）と可塑剤（ＤＯＰ）を投入し、３時間混合してスラリーを得た。このスラリーを用いて、ドクターブレード法により、厚み０．５０ｍｍの第３グリーンシートを作製した。

（グリーンシート積層体の作製）
図３は、グリーンシート積層体４０の構成を模式的に表した説明図である。上記のようにして製造された第１グリーンシート５０、第２グリーンシート６０および第３グリーンシート７０を積層して、グリーンシート積層体４０を得た。具体的には、３枚の第１グリーンシート５０を積層することにより、第１グリーンシート積層体４１を作製した。続いて、その第１グリーンシート積層体４１の表面および裏面のそれぞれに、１枚ずつ第２グリーンシート６０を積層することにより、第２グリーンシート積層体４２を作製した。また、第２グリーンシート積層体４２の表面および裏面のそれぞれに、１つずつ第１グリーンシートを積層することにより、第３グリーンシート積層体４３を得た。そして、その第３グリーンシート積層体４３の表面および裏面のそれぞれ、１枚ずつ第３グリーンシート７０を積層することにより、目的とするグリーンシート積層体４０を得た。

図４は、グリーンシート積層体４０を積層方向ＳＤに圧縮した状態で焼成することにより得られる積層焼結体４４の構成を模式的に表した説明図である。図３に示されるグリーンシート積層体４０を、プレス機を利用して、積層方向の両側（表面側および裏面側）から、０．２ＭＰａの押圧力を加えながら、８５０℃の温度条件で３０分間焼成（脱脂焼成）し、図４に示されるような積層焼結体４４を得た。

図５は、実施例１の多層セラミック基板３の構成を模式的に表した説明図である。上記のようにして得られた積層焼結体４４の両面に残っている未焼結の第３グリーンシート７０を、水を媒体として超音波洗浄機により除去することで、図５に示されるような実施例１の多層状の多層セラミック基板３を得た。なお、この多層セラミック基板３は、基本的な構成が、上述した図２に示される多層セラミック基板３に対応するものである。

〔比較例１〕
実施例の第２グリーンシート６０に替えて第１グリーンシート５０使用したこと（つまり、第３グリーンシート７０以外はすべて第１グリーンシート５０を使用したこと）以外は、実施例と同様にして、比較例１のセラミック基板を作製した。

〔比較例２〕
実施例の第２グリーンシート６０におけるＺｎＯ、Ｎａ₂Ｏ、Ｂ₂Ｏ₃を主成分とするホウケイ酸系ガラス粉末に替えて、ＳｉＯ₂、ＢａＯ、ＣａＯを主成分とするガラス粉末を使用して、第２グリーンシート６０を作製したこと以外は、実施例と同様にして、比較例２のセラミック基板を作製した。

〔破壊靭性の測定〕
実施例および比較例１，２のセラミック基板を用いて、ＪＩＳ Ｒ １６０７−１９９５に準じて、破壊靭性値を求めた。

図６は、実施例および比較例のセラミック基板の破壊靭性の評価結果を示す図である。図６では、実施例および比較例のセラミック基板に含まれるガラスの組成および軟化点を、併せて図示している。図７は、実施例および比較例のセラミック基板の破壊靭性値を示す図である。

図７に示すように、実施例の多層セラミック基板の破壊靭性値は１．９（Ｐａ ｍ^1/2）、比較例１の多層セラミック基板の破壊靭性値は１．５（Ｐａ ｍ^1/2）、比較例２の多層セラミック基板の破壊靭性値は１．４（Ｐａ ｍ^1/2）であった。図６に示すように、比較例１を基準とすると、破壊靭性の評価は、実施例の多層セラミック基板が〇、比較例２の多層セラミック基板が×になる。破壊靭性の評価において、比較例１を基準としたのは、比較例１の多層セラミック基板は、全ての層が同じガラスセラミックから形成されているためである。

実施例は、中間層に含まれるガラスが、表層および内層に含まれるガラスより軟化点が低い非晶質のガラスであり、軟化点の差が２００℃以上である例である。比較例１は、中間層に含まれるガラスの軟化点と、表層および内層に含まれるガラスの軟化点とが等しい例である。比較例２は、中間層に含まれるガラスが、表層および内層に含まれるガラスより軟化点が高い例である。

上述の通り、実施例の多層セラミック基板は、中間層に含まれるガラスが、表層および内層に含まれるガラスより軟化点が低い非晶質のガラスであるため、破壊靭性を向上させることができ、亀裂の発生および亀裂の成長を抑制することができる。

＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

・上記実施形態において、多層セラミック基板３が３つの内層１３，１４，１５を備える例を示したが、内層の数は、上記実施形態に限定されない。例えば、多層セラミック基板は、４つ以上の内層を備えてもよいし、２つ以下の内層を備えてもよい。

・上記実施形態では、表層１１，１７と内層１３，１４，１５とが、第１グリーンシートから形成される同一のセラミック層である例を示したが、これに限定されない。表層および内層に主に含まれるガラスの軟化点が、中間層に主に含まれるガラスの軟化点より高ければよく、表層および内層に含まれる残余のガラスが互いに異なってもよい。また、表層および内層に含まれるセラミックが互いに異なってもよい。

以上、実施形態、変形例に基づき本発明について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。

１…電気検査用基板
２…プローブ
３…多層セラミック基板
３ａ…表面
３ｂ…裏面
４…電極
５…電極
１１…第１表層
１２…第１中間層
１３…第１内層
１４…第２内層
１５…第３内層
１６…第２中間層
１７…第２表層
２１〜２６…配線層
３１〜３７…ビア導体
４０…グリーンシート積層体
４１…第１グリーンシート積層体
４２…第２グリーンシート積層体
４３…第３グリーンシート積層体
４４…積層焼結体
５０…第１グリーンシート
６０…第２グリーンシート
７０…第３グリーンシート
１００…電気検査用冶具
ＳＤ…積層方向
ＳＷ…シリコンウエハ
ＴＭ…端子

Claims (2)

1. 各層が自身の６０体積％以上のガラスを含有する多層セラミック基板を備える電気検査用基板であって、
   前記多層セラミック基板は、
   前記多層セラミック基板の一方の主面を構成する第１表層と、
   前記多層セラミック基板の他方の主面を構成する第２表層と、
   前記第１表層と隣接して配置される第１中間層と、
   前記第２表層と隣接して配置される第２中間層と、
   前記第１中間層と第２中間層との間に配置される内層と、
   を備え、
   前記第１表層、前記第２表層、および前記内層は、前記ガラスとして、第１ガラスを主に含み、
   前記第１中間層および前記第２中間層は、前記ガラスとして、前記第１ガラスより軟化点が低い非晶質の第２ガラスを主に含むことを特徴とする、
   電気検査用基板。
2. 請求項１に記載の電気検査用基板であって、
   前記第１ガラスの軟化点と、前記第２ガラスの軟化点との差は、２００℃以上であることを特徴とする、
   電気検査用基板。

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