JP2021187808A - オニウム塩、化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 55
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 117
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 89
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 70
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 47
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 51
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 28
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 claims description 26
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 26
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 23
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 20
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 19
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000000743 hydrocarbylene group Chemical group 0.000 claims description 16
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 13
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 12
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 12
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 12
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 11
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 claims description 8
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 7
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- 125000005708 carbonyloxy group Chemical group [*:2]OC([*:1])=O 0.000 claims description 4
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 claims description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 17
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 abstract description 5
- -1 ethylhexyl group Chemical group 0.000 description 94
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 46
- 0 C*(C1)C1C1(**1)c(cc1)cc2c1cc(C(C)(C)O)cc2 Chemical compound C*(C1)C1C1(**1)c(cc1)cc2c1cc(C(C)(C)O)cc2 0.000 description 36
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 19
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 11
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010626 work up procedure Methods 0.000 description 11
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 10
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 10
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 9
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 8
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 8
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 8
- 238000004809 thin layer chromatography Methods 0.000 description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 7
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 7
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 6
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 6
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 6
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 6
- FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M sodium iodide Chemical compound [Na+].[I-] FVAUCKIRQBBSSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 5
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 125000004210 cyclohexylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 5
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 5
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002596 lactones Chemical group 0.000 description 5
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 5
- 108010001861 pregnancy-associated glycoprotein 1 Proteins 0.000 description 5
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 5
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- LMDZBCPBFSXMTL-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-3-(3-dimethylaminopropyl)carbodiimide Chemical compound CCN=C=NCCCN(C)C LMDZBCPBFSXMTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 4
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 125000001979 organolithium group Chemical group 0.000 description 4
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004343 1-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 3
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 3
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 3
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 3
- 125000004851 cyclopentylmethyl group Chemical group C1(CCCC1)C* 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000006038 hexenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 3
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 3
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 3
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Chemical compound [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 3
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 3
- AKTDWFLTNDPLCH-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetrakis(hydroxymethyl)urea Chemical compound OCN(CO)C(=O)N(CO)CO AKTDWFLTNDPLCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWZJGRDWJVHRDV-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(ethenoxy)butane Chemical compound C=COCCCCOC=C MWZJGRDWJVHRDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CZAVRNDQSIORTH-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2,2-bis(ethenoxymethyl)butane Chemical compound C=COCC(CC)(COC=C)COC=C CZAVRNDQSIORTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 2
- QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N Dicylcohexylcarbodiimide Chemical compound C1CCCCC1N=C=NC1CCCCC1 QOSSAOTZNIDXMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N N,N-Diisopropylethylamine (DIPEA) Chemical compound CCN(C(C)C)C(C)C JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGCOKJWKWLYHTG-UHFFFAOYSA-N [[4,6-bis[bis(hydroxymethyl)amino]-1,3,5-triazin-2-yl]-(hydroxymethyl)amino]methanol Chemical compound OCN(CO)C1=NC(N(CO)CO)=NC(N(CO)CO)=N1 YGCOKJWKWLYHTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical group C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005074 adamantylmethyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003302 alkenyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 125000005587 carbonate group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004186 cyclopropylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 2
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 150000003951 lactams Chemical group 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001840 matrix-assisted laser desorption--ionisation time-of-flight mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N norbornane Chemical group C1C[C@H]2CC[C@@H]1C2 UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 2
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 235000009518 sodium iodide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 2
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- GPHWXFINOWXMDN-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(ethenoxy)hexane Chemical compound CCCCCC(OC=C)OC=C GPHWXFINOWXMDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYIGRWUIQAVBFG-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(2-ethenoxyethoxy)ethane Chemical compound C=COCCOCCOCCOC=C CYIGRWUIQAVBFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXHDVRATSGZISC-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenoxy)ethane Chemical compound C=COCCOC=C ZXHDVRATSGZISC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXSVCBDMOGLGFA-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenoxy)propane Chemical compound C=COC(C)COC=C LXSVCBDMOGLGFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(oxiran-2-ylmethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1N(CC2OC2)C(=O)N(CC2OC2)C(=O)N1CC1CO1 OUPZKGBUJRBPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDWRKTULOHXYGN-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(ethenoxy)-2,2-bis(ethenoxymethyl)propane Chemical compound C=COCC(COC=C)(COC=C)COC=C XDWRKTULOHXYGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AITKNDQVEUUYHE-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(ethenoxy)-2,2-dimethylpropane Chemical compound C=COCC(C)(C)COC=C AITKNDQVEUUYHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDNKZNFMNDZQMI-UHFFFAOYSA-N 1,3-diisopropylcarbodiimide Chemical compound CC(C)N=C=NC(C)C BDNKZNFMNDZQMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGHMMUAOPPRRMX-UHFFFAOYSA-N 1,4-bis(ethenoxy)cyclohexane Chemical compound C=COC1CCC(OC=C)CC1 CGHMMUAOPPRRMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEWWCWZGHNIUBW-UHFFFAOYSA-N 1-(4-nitrophenyl)propan-2-one Chemical compound CC(=O)CC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 GEWWCWZGHNIUBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIHSRORUWXJGF-UHFFFAOYSA-N 1-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]propan-2-yl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)COC(C)(C)C JEIHSRORUWXJGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- SFRDXVJWXWOTEW-UHFFFAOYSA-N 2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)CO SFRDXVJWXWOTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004204 2-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(OC([H])([H])[H])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,4-n,4-n,6-n,6-n-hexakis(methoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound COCN(COC)C1=NC(N(COC)COC)=NC(N(COC)COC)=N1 BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPQQSJJWHUJYPU-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethylamino)propyliminomethylidene-ethylazanium;chloride Chemical compound Cl.CCN=C=NCCCN(C)C FPQQSJJWHUJYPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILRVMZXWYVQUMN-UHFFFAOYSA-N 3-ethenoxy-2,2-bis(ethenoxymethyl)propan-1-ol Chemical compound C=COCC(CO)(COC=C)COC=C ILRVMZXWYVQUMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNGIFMKMDRDNBQ-UHFFFAOYSA-N 3-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC(C=C)=C1 YNGIFMKMDRDNBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-3-methylbutan-1-ol Chemical compound COC(C)(C)CCO MFKRHJVUCZRDTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004207 3-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C1[H] 0.000 description 1
- GYWYASONLSQZBB-UHFFFAOYSA-N 3-methylhexan-2-one Chemical compound CCCC(C)C(C)=O GYWYASONLSQZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 3-piperidin-1-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCCCC1 MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-dimethylaminopyridine Substances CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004860 4-ethylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004203 4-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- FAYOCELKCDKZCA-UHFFFAOYSA-N 5-hydroxy-2,4-dimethylthiophen-3-one Chemical group CC1SC(O)=C(C)C1=O FAYOCELKCDKZCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSVJEUPQWPCKOG-UHFFFAOYSA-N 6-ethenylnaphthalen-1-ol Chemical compound C=CC1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 SSVJEUPQWPCKOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVZWMPLMWUJTCE-UHFFFAOYSA-N 6-ethenylnaphthalen-2-ol Chemical compound C1=C(C=C)C=CC2=CC(O)=CC=C21 XVZWMPLMWUJTCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKOPUHKJMKMCQV-UHFFFAOYSA-N CCC(CC)(C(C(CC1C2O3)C2OCC(OCCC(C(C)(F)F)F)=O)C1C3=O)O Chemical compound CCC(CC)(C(C(CC1C2O3)C2OCC(OCCC(C(C)(F)F)F)=O)C1C3=O)O RKOPUHKJMKMCQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWYBOWJVFMFXDB-UHFFFAOYSA-N CCC(CC)(C(C1)C1C(OCCC(C(F)(F)[S](C)(O)(=O)=O)F)=O)O Chemical compound CCC(CC)(C(C1)C1C(OCCC(C(F)(F)[S](C)(O)(=O)=O)F)=O)O NWYBOWJVFMFXDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQFYJIBTWNLXSB-UHFFFAOYSA-N CCC(CC)(C(CC(C1)C2)(CC1C1)CC21C(OCCC(C)C(F)(F)[S](C)(O)(=O)=O)=O)O Chemical compound CCC(CC)(C(CC(C1)C2)(CC1C1)CC21C(OCCC(C)C(F)(F)[S](C)(O)(=O)=O)=O)O XQFYJIBTWNLXSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPBOMJFZJMOGGF-UHFFFAOYSA-N CCC(CC)(C(CC1)CC1C(OCCC(C(F)(F)[S](C)(O)(=O)=O)(F)F)=O)[O](C)=C Chemical compound CCC(CC)(C(CC1)CC1C(OCCC(C(F)(F)[S](C)(O)(=O)=O)(F)F)=O)[O](C)=C VPBOMJFZJMOGGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEESXUCLMHCBEP-UHFFFAOYSA-N CCC(CC)(C1(CC2CC(C3)C1)CC3C2C(OCCC(C)C(F)(F)[S](C)(O)(=O)=O)=O)O Chemical compound CCC(CC)(C1(CC2CC(C3)C1)CC3C2C(OCCC(C)C(F)(F)[S](C)(O)(=O)=O)=O)O HEESXUCLMHCBEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHRUHFOKNZUEQE-UHFFFAOYSA-N CCC(CC)([N]#C)O Chemical compound CCC(CC)([N]#C)O LHRUHFOKNZUEQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQOPZCISMQXWIM-UHFFFAOYSA-M COS(=O)(=O)[O-].C1(=CC=CC=C1)[S+]1C2=C(C3=C1C=CC=C3)C=CC=C2 Chemical compound COS(=O)(=O)[O-].C1(=CC=CC=C1)[S+]1C2=C(C3=C1C=CC=C3)C=CC=C2 AQOPZCISMQXWIM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical compound NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical group NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N Methyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- OMRDSWJXRLDPBB-UHFFFAOYSA-N N=C=O.N=C=O.C1CCCCC1 Chemical compound N=C=O.N=C=O.C1CCCCC1 OMRDSWJXRLDPBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008812 WSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 125000005042 acyloxymethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000004849 alkoxymethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005355 arylox oalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTDPJWGXKSGRHE-UHFFFAOYSA-M benzyl(trimethyl)azanium;1,1,3,3,3-pentafluoro-2-hydroxypropane-1-sulfonate Chemical compound C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1.FC(F)(F)C(O)C(F)(F)S([O-])(=O)=O JTDPJWGXKSGRHE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229940006460 bromide ion Drugs 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001028 difluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(F)* 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229940052303 ethers for general anesthesia Drugs 0.000 description 1
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229960004979 fampridine Drugs 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 description 1
- 125000001207 fluorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000004464 hydroxyphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940006461 iodide ion Drugs 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 125000000686 lactone group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 description 1
- JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate(1-) Chemical compound COS([O-])(=O)=O JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000004674 methylcarbonyl group Chemical group CC(=O)* 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 125000003261 o-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 125000004043 oxo group Chemical group O=* 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000003880 polar aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 108010001843 pregnancy-associated glycoprotein 2 Proteins 0.000 description 1
- 150000003139 primary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- VODRWDBLLGYRJT-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl 2-chloroacetate Chemical compound CC(C)OC(=O)CCl VODRWDBLLGYRJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000005619 secondary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)(C)C WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC(C)(C)C JAELLLITIZHOGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003510 tertiary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003258 trimethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N trimethylolethane Chemical compound OCC(C)(CO)CO QXJQHYBHAIHNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
1.下記式(A)で表される部分構造を有するオニウム塩。
2.下記式(A1)で表されるアニオン及び下記式(A1−a)〜(A1−c)のいずれかで表されるカチオンを含む1のオニウム塩。
kは、0〜4の整数である。m1は、1〜4の整数である。m2は、それぞれ独立に、0〜4の整数である。nは、それぞれ独立に、0〜10の整数である。pは、0〜3の整数である。qは、0〜2の整数である。rは、0〜4の整数である。
Ra3は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20のヒドロカルビル基である。nが2以上のとき、各Ra3は互いに同一であっても異なっていてもよく、2以上のRa3が、互いに結合してこれらが結合するW2上の原子と共に環を形成してもよい。
W1は、単環又は多環構造を有する炭素数3〜20の(n+2)価の基であり、W2は、それぞれ独立に、単環又は多環構造を有する炭素数3〜20の(m2+n+1)価の基であり、これらを構成する−CH2−が、−O−、−S−又は−C(=O)−で置換されていてもよい。
Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のフッ素化飽和ヒドロカルビル基である。
Q3及びQ4は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数1〜6のフッ素化飽和ヒドロカルビル基である。
La1及びLa2は、それぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート結合又はカーバメート結合である。
XLは、単結合、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜40のヒドロカルビレン基である。
R1、R2及びR3は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20のヒドロカルビル基である。また、2つのR1及びW2のうちのいずれか2つが、互いに結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。また、3つのR3及びW2のうちのいずれか2つが、互いに結合して式中の窒素原子と共に環を形成してもよい。)
3.式(A1)で表されるアニオンが、下記式(A2)で表されるものである2のオニウム塩。
4.式(A2)で表されるアニオンが、下記式(A3)で表されるものである3のオニウム塩。
5.式(A3)で表されるアニオンが、下記式(A4)で表されるものである4のオニウム塩。
6.1〜5のいずれかのオニウム塩からなる光酸発生剤。
7.6の光酸発生剤を含む化学増幅ネガ型レジスト組成物。
8.更に、下記式(B1)で表される繰り返し単位及び下記式(B2)で表される繰り返し単位を含むベースポリマーを含む7の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
R11及びR12は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜6の飽和ヒドロカルビル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2〜8の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜6の飽和ヒドロカルビルオキシ基である。
A1及びA2は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜10の飽和ヒドロカルビレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基を構成する−CH2−が−O−で置換されていてもよい。
W11は、水素原子、炭素数1〜10の脂肪族ヒドロカルビル基、又は置換基を有してもよいアリール基であり、該脂肪族ヒドロカルビル基を構成する−CH2−が、−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−又は−C(=O)−O−で置換されていてもよい。
Rx及びRyは、それぞれ独立に、水素原子、若しくはヒドロキシ基若しくは飽和ヒドロカルビルオキシ基で置換されていてもよい炭素数1〜15の飽和ヒドロカルビル基、又は置換基を有してもよいアリール基である。ただし、Rx及びRyは、同時に水素原子になることはない。また、Rx及びRyは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。
t1及びt2は、それぞれ独立に、0又は1である。x1及びx2は、それぞれ独立に、0〜2の整数である。aは、0≦a≦5+2x1−bを満たす整数である。cは、0≦c≦5+2x2−dを満たす整数である。b及びdは、それぞれ独立に、1〜3の整数である。)
9.式(B1)で表される繰り返し単位が下記式(B1−1)で表されるものであり、式(B2)で表される繰り返し単位が下記式(B1−2)で表されるものである8の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
10.前記ベースポリマーが、更に、下記式(B3)で表される繰り返し単位、下記式(B4)で表される繰り返し単位及び下記式(B5)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種を含むものである7又は8の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
R15は、ハロゲン原子、アセトキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜8のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜8の飽和ヒドロカルビルオキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2〜8の飽和ヒドロカルビルカルボニル基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2〜8の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基である。ただし、R15は、酸不安定基ではない。
e、f及びgは、それぞれ独立に、0〜4の整数である。)
11.更に、有機溶剤を含む7〜10のいずれかの化学増幅ネガ型レジスト組成物。
12.更に、クエンチャーを含む7〜11のいずれかの化学増幅ネガ型レジスト組成物。
13.更に、架橋剤を含む7〜12のいずれかの化学増幅ネガ型レジスト組成物。
14.7〜13のいずれかの化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線を用いて前記レジスト膜にパターンを照射する工程、及びアルカリ現像液を用いて前記レジスト膜を現像する工程を含むレジストパターン形成方法。
15.前記高エネルギー線が、EB又は波長3〜15nmのEUVである14のレジストパターン形成方法。
本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物は、前記オニウム塩からなる光酸発生剤を必須成分として含むものである。また、前記オニウム塩に加えて、所定の構造のベースポリマーを含むことが好ましい。
本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物に含まれるベースポリマーは、下記式(B1)で表される繰り返し単位(以下、繰り返し単位B1ともいう。)及び下記式(B2)で表される繰り返し単位(以下、繰り返し単位B2ともいう。)を含むポリマーである。
本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物は、更に有機溶剤、クエンチャー、架橋剤、界面活性剤等を、必要に応じて適宜組み合わせて含むことができる。このように化学増幅ネガ型レジスト組成物を構成することによって、従来のネガ型レジスト組成物を用いて形成させたネガ型パターンに比べ、アルカリ現像液に対する溶解性が抑制され、トップロスが少なく良好なパターン形状を形成することができる。そして、レジスト膜の溶解コントラスト及び解像性が高く、露光余裕度があり、プロセス適応性に優れ、露光後のパターン形状が良好でありながら、特に酸拡散を抑制できることから粗密寸法差が小さく、これらのことから実用性が高く、超LSI用レジスト組成物として非常に有効なものとすることができる。
前記有機溶剤としては、前述した各成分や後述する各成分を溶解可能なものであれば、特に限定されない。このような有機溶剤としては、例えば、特開2008−111103号公報の段落[0144]〜[0145]に記載の、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、メチル−2−n−ペンチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;3−メトキシブタノール、3−メチル−3−メトキシブタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール、ジアセトンアルコール等のアルコール類;プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸tert−ブチル、プロピオン酸tert−ブチル、プロピレングリコールモノtert−ブチルエーテルアセテート等のエステル類;γ−ブチロラクトン等のラクトン類、及びこれらの混合溶剤が挙げられる。
前記クエンチャーとしては、従来型の塩基性化合物が挙げられる。従来型の塩基性化合物としては、第1級、第2級、第3級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド類、イミド類、カーバメート類等が挙げられる。特に、特開2008−111103号公報の段落[0146]〜[0164]に記載の第1級、第2級、第3級のアミン化合物、特にはヒドロキシ基、エーテル結合、エステル結合、ラクトン環、シアノ基、スルホン酸エステル結合を有するアミン化合物あるいは特許第3790649号公報に記載のカーバメート基を有する化合物等が好ましい。このような塩基性化合物を添加することによって、例えば、レジスト膜中での酸の拡散速度を更に抑制したり、形状を補正したりすることができる。
本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物は、架橋剤を含んでもよい。前記架橋剤としては、メチロール基、アルコキシメチル基及びアシロキシメチル基から選ばれる少なくとも1つの基で置換された、エポキシ化合物、メラミン化合物、グアナミン化合物、グリコールウリル化合物又はウレア化合物、イソシアネート化合物、アジド化合物、アルケニルオキシ基等の二重結合を含む化合物等が挙げられる。これらは、添加剤として用いてもよいが、ポリマー側鎖にペンダント基として導入してもよい。また、ヒドロキシ基を含む化合物も架橋剤として用いることができる。
本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物は、基板への塗布性を向上させるため、慣用されている界面活性剤を含んでもよい。前記界面活性剤を用いる場合、PF-636(OMNOVA SOLUTIONS社製)やFC-4430(3M社製)、特開2004−115630号公報にも多数の例が記載されているように多数のものが公知であり、それらを参考にして選択することができる。界面活性剤の含有量は、ベースポリマー100質量部に対し、0〜5質量部が好ましい。
本発明のレジストパターン形成方法は、基板上に、前述した本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線を用いて前記レジスト膜にパターンを照射する工程(高エネルギー線を用いて前記レジスト膜を露光する工程)、及びアルカリ現像液を用いて露光した前記レジスト膜を現像する工程を含む。
・IR:サーモフィッシャーサイエンティフィック社製、NICOLET 6700
・1H-NMR:日本電子(株)製、ECA-500
・MALDI TOF-MS:日本電子(株)製、S3000
IR(D-ATR): ν= 3453, 3091, 2975, 2935, 1798, 1594, 1476, 1449, 1435, 1372, 1330, 1279, 1263, 1247, 1218, 1172, 1145, 1103, 1068, 998, 962, 936, 923, 859, 833, 782, 758, 733, 707, 680, 644, 613, 575, 552, 524, 500, 489, 422 cm-1.
MALDI TOF-MS: POSITIVE M+261(C18H13S+相当)
NEGATIVE M-479(C17H20F5O8S-相当)
公知の有機合成方法により、以下に示すオニウム塩PAG−2〜PAG−14及びcPAG1〜cPAG−4を合成した。
[合成例1〜24]ポリマーP−1〜P−24の合成
窒素雰囲気下、各モノマーを組み合わせてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びγ−ブチロラクトンの混合溶剤中で共重合反応を行い、得られた重合溶液をジイソプロピルエーテルに滴下し、ポリマーを析出させた。デカンテーションにより溶剤を除去し、ポリマーをアセトンに溶解した。このアセトン溶液をジイソプロピルエーテルに滴下し、析出したポリマーを濾別した。濾別したポリマーを再度アセトンに溶解し、このアセトン溶液を水に滴下し、析出した共重合体を濾別した。その後、40℃で40時間乾燥し、白色固体であるポリマーを得た。得られたポリマーの組成は1H-NMR及び13C-NMRにより、Mw及び分散度(Mw/Mn)はGPC(溶剤:THF、標準:ポリスチレン)により確認した。
[実施例2−1〜2−36、比較例2−1〜2−7]
下記表2〜5に示す組成で、各成分を有機溶剤中に溶解して溶液を調製し、得られた各溶液を0.02μmサイズのUPEフィルター及び/又はナイロンフィルターで濾過して、ネガ型レジスト組成物を調製した。
・有機溶剤:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
γ−ブチロラクトン(GBL)
ジアセトンアルコール(DAA)
・界面活性剤:PolyFox PF-636(OMNOVA SOLUTIONS社製)
[実施例3−1〜3−10、比較例3−1〜3−2]
シリコン基板上に反射防止膜溶液(日産化学(株)製DUV-42)を塗布し、200℃で60秒間ベークして反射防止膜(膜厚61nm)を形成した。その反射防止膜上にレジスト組成物R−1〜R−10、cR−1及びcR−2をそれぞれスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、膜厚45nmのレジスト膜を作製した。これに対し、エリオニクス社製電子線描画装置(ELS-F125、加速電圧125kV)を用いて、ウェハー上寸法が26nm、ピッチ52nmのドットパターンを、露光量50μC/cm2からステップ1μC/cm2で変化させながら描画を行い、その後、表6に示す温度で60秒間ベーク(PEB)した。その後、2.38質量%のTMAH水溶液で30秒間パドル現像を行い、純水でリンスし、スピンドライを行って、ドットパターンであるネガ型レジストパターンを得た。得られたドットパターンを(株)日立ハイテクノロジーズ製測長SEM(S9380)で観察し、感度、露光余裕度(EL)及びCDUを下記方法に従って評価した。結果を表6に示す。
感度として、寸法26nm、ピッチ52nmのドットパターンが得られる最適露光量Eop(μC/cm2)を求めた。この値が小さいほど、感度が高い。
寸法26nm±10%(23〜29nm)の範囲内でドットパターンを形成する露光量から、次式によりEL(単位:%)を求めた。この値が大きいほど、良好である。
EL(%)=(|E1−E2|/Eop)×100
E1 :寸法23nm、ピッチ52nmのドットパターンを与える最適露光量
E2 :寸法29nm、ピッチ52nmのドットパターンを与える最適露光量
Eop:寸法26nm、ピッチ52nmのドットパターンを与える最適露光量
Eopで照射して得たドットパターンについて、同一露光量ショット内10箇所(1箇所につき9個のCHパターン)の寸法を測定し、その結果から標準偏差(σ)の3倍値(3σ)をCDUとして求めた。この値が小さいほど、ドットパターンのCDUが優れる。
[実施例4−1〜4−20、比較例4−1〜4−2]
レジスト組成物R−11〜R−30、cR−3及びcR−4を、それぞれ信越化学工業(株)製ケイ素含有スピンオンハードマスクSHB-A940(ケイ素の含有量が43質量%)を膜厚20nmで形成したSi基板上にスピンコートし、ホットプレートを用いて105℃で60秒間プリベークして膜厚50nmのレジスト膜を作製した。これに対し、ASML社製EUVスキャナーNXE3,300(NA0.33、σ0.9/0.5、クアドルポール照明)を用いて露光を行い、ホットプレート上で表7記載の温度で60秒間PEBを行い、2.38質量%TMAH水溶液で30秒間現像を行った。その結果、未露光部分が現像液に溶解し、スペース幅23nm、ピッチ46nmのLSパターンであるネガ型レジストパターンを得た。得られたレジストパターンについて次の評価を行った。結果を表7に示す。
前記LSパターンを電子顕微鏡にて観察し、スペース幅23nm、ピッチ46nmのLSパターンが得られる最適露光量Eop(mJ/cm2)を求めた。
最適露光量で照射して得たLSパターンを、(株)日立ハイテクノロジーズ製CD-SEM(CG-5000)でスペース幅の長手方向に10箇所の寸法を測定し、その結果から標準偏差(σ)の3倍値(3σ)をLWRとして求めた。この値が小さいほど、ラフネスが小さく均一なスペース幅のパターンが得られる。
最適露光量におけるパターン形状を比較し、以下の基準により良否を判別した。
良好:パターン形状が矩形であり側壁の垂直性が高い。
不良:パターン側壁の傾斜が大きいテーパー形状、又はトップロスによる
トップラウンディング形状。
[実施例5−1〜5−6、比較例5−1〜5−3]
レジスト組成物R−31〜R−36及びcR−5〜cR−7を、それぞれ信越化学工業(株)製ケイ素含有スピンオンハードマスクSHB-A940(ケイ素の含有量が43質量%)を膜厚20nmで形成したSi基板上にスピンコートし、ホットプレートを用いて105℃で60秒間プリベークして膜厚50nmのレジスト膜を作製した。これに対し、(株)ニコン製KrFスキャナーS206D(NA0.82、Conventional照明)を用いて露光量を変化させながら露光し、ホットプレート上で表8記載の温度で60秒間PEBを行い、2.38質量%TMAH水溶液で30秒間現像を行った。(株)SCREENセミコンダクターソルーションズ製膜厚計RE-3100を用いて各露光量で露光した箇所の膜厚を測定し、レジスト組成物塗布後の膜厚に対する割合を下記式のように計算してそれを残膜率と定義した。横軸に露光量、縦軸に残膜率をプロットし、グラフ化したものを図2に示す。本発明の化学増幅ネガ型レジスト組成物は、現像液としてアルカリ現像液を使用するので、図2のように露光量が増加するほど、レジスト残膜率が増加する。残膜率はいずれ飽和するが、飽和した際の残膜率を飽和残膜率(図2中Aの値)として表8に示す。この値が大きいほど、露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が抑制されていて優れていることを示す。
残膜率(%)=各露光量における膜厚(nm)/塗布直後の膜厚(50nm)×100
1.下記式(A)で表される部分構造を有するオニウム塩。
2.下記式(A1)で表されるアニオン及び下記式(A1−a)〜(A1−c)のいずれかで表されるカチオンを含む1のオニウム塩。
kは、0〜4の整数である。m1は、1〜4の整数である。m2は、それぞれ独立に、0〜4の整数である。nは、それぞれ独立に、0〜10の整数である。pは、0〜3の整数である。qは、0〜2の整数である。rは、0〜4の整数である。
Ra3は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20のヒドロカルビル基である。nが2以上のとき、各Ra3は互いに同一であっても異なっていてもよく、2以上のRa3が、互いに結合してこれらが結合するW2上の原子と共に環を形成してもよい。
W1は、単環又は多環構造を有する炭素数3〜20の(n+2)価の基であり、W2は、それぞれ独立に、単環又は多環構造を有する炭素数3〜20の(m2+n+1)価の基であり、これらを構成する−CH2−が、−O−、−S−又は−C(=O)−で置換されていてもよい。
Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のフッ素化飽和ヒドロカルビル基である。
Q3及びQ4は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数1〜6のフッ素化飽和ヒドロカルビル基である。
La1及びLa2は、それぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート結合又はカーバメート結合である。
XLは、単結合、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜40のヒドロカルビレン基である。
R1、R2及びR3は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20のヒドロカルビル基である。また、2つのR1及びW2のうちのいずれか2つが、互いに結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。また、3つのR3及びW2のうちのいずれか2つが、互いに結合して式中の窒素原子と共に環を形成してもよい。)
3.式(A1)で表されるアニオンが、下記式(A2)で表されるものである2のオニウム塩。
4.式(A2)で表されるアニオンが、下記式(A3)で表されるものである3のオニウム塩。
5.式(A3)で表されるアニオンが、下記式(A4)で表されるものである4のオニウム塩。
6.1〜5のいずれかのオニウム塩からなる光酸発生剤。
7.6の光酸発生剤を含む化学増幅ネガ型レジスト組成物。
8.更に、下記式(B1)で表される繰り返し単位及び下記式(B2)で表される繰り返し単位を含むベースポリマーを含む7の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
R11及びR12は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜6の飽和ヒドロカルビル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2〜8の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜6の飽和ヒドロカルビルオキシ基である。
A1及びA2は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜10の飽和ヒドロカルビレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基を構成する−CH2−が−O−で置換されていてもよい。
W11は、水素原子、炭素数1〜10の脂肪族ヒドロカルビル基、又は置換基を有してもよいアリール基であり、該脂肪族ヒドロカルビル基を構成する−CH2−が、−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−又は−C(=O)−O−で置換されていてもよい。
Rx及びRyは、それぞれ独立に、水素原子、若しくはヒドロキシ基若しくは飽和ヒドロカルビルオキシ基で置換されていてもよい炭素数1〜15の飽和ヒドロカルビル基、又は置換基を有してもよいアリール基である。ただし、Rx及びRyは、同時に水素原子になることはない。また、Rx及びRyは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。
t1及びt2は、それぞれ独立に、0又は1である。x1及びx2は、それぞれ独立に、0〜2の整数である。aは、0≦a≦5+2x1−bを満たす整数である。cは、0≦c≦5+2x2−dを満たす整数である。b及びdは、それぞれ独立に、1〜3の整数である。)
9.式(B1)で表される繰り返し単位が下記式(B1−1)で表されるものであり、式(B2)で表される繰り返し単位が下記式(B2−1)で表されるものである8の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
10.前記ベースポリマーが、更に、下記式(B3)で表される繰り返し単位、下記式(B4)で表される繰り返し単位及び下記式(B5)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種を含むものである7又は8の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
R15は、ハロゲン原子、アセトキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜8のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜8の飽和ヒドロカルビルオキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2〜8の飽和ヒドロカルビルカルボニル基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2〜8の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基である。ただし、R15は、酸不安定基ではない。
e、f及びgは、それぞれ独立に、0〜4の整数である。)
11.更に、有機溶剤を含む7〜10のいずれかの化学増幅ネガ型レジスト組成物。
12.更に、クエンチャーを含む7〜11のいずれかの化学増幅ネガ型レジスト組成物。
13.更に、架橋剤を含む7〜12のいずれかの化学増幅ネガ型レジスト組成物。
14.7〜13のいずれかの化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線を用いて前記レジスト膜にパターンを照射する工程、及びアルカリ現像液を用いて前記レジスト膜を現像する工程を含むレジストパターン形成方法。
15.前記高エネルギー線が、EB又は波長3〜15nmのEUVである14のレジストパターン形成方法。
Eopで照射して得たドットパターンについて、同一露光量ショット内10箇所(1箇所につき9個のドットパターン)の寸法を測定し、その結果から標準偏差(σ)の3倍値(3σ)をCDUとして求めた。この値が小さいほど、ドットパターンのCDUが優れる。
Claims (15)
- 下記式(A1)で表されるアニオン及び下記式(A1−a)〜(A1−c)のいずれかで表されるカチオンを含む請求項1記載のオニウム塩。
kは、0〜4の整数である。m1は、1〜4の整数である。m2は、それぞれ独立に、0〜4の整数である。nは、それぞれ独立に、0〜10の整数である。pは、0〜3の整数である。qは、0〜2の整数である。rは、0〜4の整数である。
Ra3は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20のヒドロカルビル基である。nが2以上のとき、各Ra3は互いに同一であっても異なっていてもよく、2以上のRa3が、互いに結合してこれらが結合するW2上の原子と共に環を形成してもよい。
W1は、単環又は多環構造を有する炭素数3〜20の(n+2)価の基であり、W2は、それぞれ独立に、単環又は多環構造を有する炭素数3〜20の(m2+n+1)価の基であり、これらを構成する−CH2−が、−O−、−S−又は−C(=O)−で置換されていてもよい。
Q1及びQ2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のフッ素化飽和ヒドロカルビル基である。
Q3及びQ4は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は炭素数1〜6のフッ素化飽和ヒドロカルビル基である。
La1及びLa2は、それぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、スルホン酸エステル結合、カーボネート結合又はカーバメート結合である。
XLは、単結合、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜40のヒドロカルビレン基である。
R1、R2及びR3は、それぞれ独立に、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数1〜20のヒドロカルビル基である。また、2つのR1及びW2のうちのいずれか2つが、互いに結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。また、3つのR3及びW2のうちのいずれか2つが、互いに結合して式中の窒素原子と共に環を形成してもよい。) - 請求項1〜5のいずれか1項記載のオニウム塩からなる光酸発生剤。
- 請求項6記載の光酸発生剤を含む化学増幅ネガ型レジスト組成物。
- 更に、下記式(B1)で表される繰り返し単位及び下記式(B2)で表される繰り返し単位を含むベースポリマーを含む請求項7記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
R11及びR12は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜6の飽和ヒドロカルビル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2〜8の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜6の飽和ヒドロカルビルオキシ基である。
A1及びA2は、それぞれ独立に、単結合又は炭素数1〜10の飽和ヒドロカルビレン基であり、該飽和ヒドロカルビレン基を構成する−CH2−が−O−で置換されていてもよい。
W11は、水素原子、炭素数1〜10の脂肪族ヒドロカルビル基、又は置換基を有してもよいアリール基であり、該脂肪族ヒドロカルビル基を構成する−CH2−が、−O−、−C(=O)−、−O−C(=O)−又は−C(=O)−O−で置換されていてもよい。
Rx及びRyは、それぞれ独立に、水素原子、若しくはヒドロキシ基若しくは飽和ヒドロカルビルオキシ基で置換されていてもよい炭素数1〜15の飽和ヒドロカルビル基、又は置換基を有してもよいアリール基である。ただし、Rx及びRyは、同時に水素原子になることはない。また、Rx及びRyは、互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。
t1及びt2は、それぞれ独立に、0又は1である。x1及びx2は、それぞれ独立に、0〜2の整数である。aは、0≦a≦5+2x1−bを満たす整数である。cは、0≦c≦5+2x2−dを満たす整数である。b及びdは、それぞれ独立に、1〜3の整数である。) - 前記ベースポリマーが、更に、下記式(B3)で表される繰り返し単位、下記式(B4)で表される繰り返し単位及び下記式(B5)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも1種を含むものである請求項7又は8記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
R15は、ハロゲン原子、アセトキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜8のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1〜8の飽和ヒドロカルビルオキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2〜8の飽和ヒドロカルビルカルボニル基又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数2〜8の飽和ヒドロカルビルカルボニルオキシ基である。ただし、R15は、酸不安定基ではない。
e、f及びgは、それぞれ独立に、0〜4の整数である。) - 更に、有機溶剤を含む請求項7〜10のいずれか1項記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
- 更に、クエンチャーを含む請求項7〜11のいずれか1項記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
- 更に、架橋剤を含む請求項7〜12のいずれか1項記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物。
- 請求項7〜13のいずれか1項記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線を用いて前記レジスト膜にパターンを照射する工程、及びアルカリ現像液を用いて前記レジスト膜を現像する工程を含むレジストパターン形成方法。
- 前記高エネルギー線が、電子線又は波長3〜15nmの極端紫外線である請求項14記載のレジストパターン形成方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020097345A JP7371574B2 (ja) | 2020-06-04 | 2020-06-04 | 光酸発生剤、化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
US17/331,869 US20210395195A1 (en) | 2020-06-04 | 2021-05-27 | Onium salt, chemically amplified negative resist composition, and pattern forming process |
TW110119915A TWI776534B (zh) | 2020-06-04 | 2021-06-02 | 鎓鹽、化學增幅負型阻劑組成物及阻劑圖案形成方法 |
KR1020210071238A KR102618396B1 (ko) | 2020-06-04 | 2021-06-02 | 오늄염, 화학 증폭 네거티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021187808A true JP2021187808A (ja) | 2021-12-13 |
JP7371574B2 JP7371574B2 (ja) | 2023-10-31 |
Family
ID=78832082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020097345A Active JP7371574B2 (ja) | 2020-06-04 | 2020-06-04 | 光酸発生剤、化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210395195A1 (ja) |
JP (1) | JP7371574B2 (ja) |
KR (1) | KR102618396B1 (ja) |
TW (1) | TWI776534B (ja) |
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2020
- 2020-06-04 JP JP2020097345A patent/JP7371574B2/ja active Active
-
2021
- 2021-05-27 US US17/331,869 patent/US20210395195A1/en active Pending
- 2021-06-02 TW TW110119915A patent/TWI776534B/zh active
- 2021-06-02 KR KR1020210071238A patent/KR102618396B1/ko active IP Right Grant
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JP7310724B2 (ja) | 2020-06-04 | 2023-07-19 | 信越化学工業株式会社 | オニウム塩、化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI776534B (zh) | 2022-09-01 |
KR102618396B1 (ko) | 2023-12-27 |
TW202202941A (zh) | 2022-01-16 |
US20210395195A1 (en) | 2021-12-23 |
KR20210150991A (ko) | 2021-12-13 |
JP7371574B2 (ja) | 2023-10-31 |
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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