JP2021180060A - 磁気記録媒体、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置 - Google Patents

Abstract

【課題】電磁変換特性および摩擦特性に優れる磁気記録媒体を提供すること。【解決手段】磁性層の表面の算術平均粗さＲａが２．２ｎｍ以下であり、磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析によって求められるフッ素濃度Ａが５原子％以上５０原子％以下であり、ＴＯＦ−ＳＩＭＳのラインプロファイル分析によって磁性層の断面の厚み方向の全域について求められるフッ素含有化合物由来のフラグメントの積算強度Ｆｔｏｔａｌと上記断面の厚み方向の磁性層の表面から中間厚みまでの領域について求められるフッ素化合物由来のフラグメントの積算強度Ｆｕｐｐｅｒと、から、式１：Ｂ＝（Ｆｕｐｐｅｒ／Ｆｔｏｔａｌ）×１００、により算出されるＢが６０％以上９５％以下である磁気記録媒体。上記磁気記録媒体を含む磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置。【選択図】なし

Description

本発明は、磁気記録媒体、磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置に関する。

各種データを記録するための記録媒体として、磁気記録媒体が広く用いられている（例えば特許文献１参照）。

特許第６４３７３９２号明細書

磁気記録媒体には、優れた電磁変換特性を発揮することが望まれる。電磁変換特性向上の手段としては、スペーシングロス低減のために磁気記録媒体の磁性層表面の平滑性を高めることが挙げられる。しかし、磁性層表面の平滑性を高めるほど、データの記録および／または再生のために磁性層表面と磁気ヘッドとを接触させて摺動させる際に摩擦係数が高くなる傾向がある。摩擦係数が高いことは走行安定性の低下（例えば磁性層表面と磁気ヘッドとの貼り付きの発生）および／または磁性層表面の削れの原因となり得るため、摩擦係数を低くできることが望ましい。以下において、摩擦係数が低いことを、摩擦特性に優れるともいう。

本発明の一態様は、電磁変換特性および摩擦特性に優れる磁気記録媒体を提供することを目的とする。

本発明の一態様は、
非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気記録媒体であって、
上記磁性層の表面の算術平均粗さＲａが２．２ｎｍ以下であり、
上記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析によって求められるフッ素濃度Ａが５原子％以上５０原子％以下であり、
ＴＯＦ−ＳＩＭＳ（Ｔｉｍｅ−ｏｆ−Ｆｌｉｇｈｔ Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）のラインプロファイル分析によって上記磁性層の断面の厚み方向の全域について求められるフッ素含有化合物由来のフラグメントの積算強度Ｆｔｏｔａｌと、上記断面の厚み方向の上記磁性層の表面から中間厚みまでの領域について求められるフッ素化合物由来のフラグメントの積算強度Ｆｕｐｐｅｒと、から下記式１：
（式１）
Ｂ＝（Ｆｕｐｐｅｒ／Ｆｔｏｔａｌ）×１００
により算出されるＢが６０％以上９５％以下である磁気記録媒体、
に関する。

一形態では、上記磁気記録媒体の垂直方向角型比は、０．６５以上であることができる。

一形態では、上記Ａは、１５原子％以上５０原子％以下であることができる。

一形態では、上記Ｂは、７０％以上９５％以下であることができる。

一形態では、上記強磁性粉末は、六方晶フェライト粉末であることができる。

一形態では、上記六方晶フェライト粉末は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末であることができる。

一形態では、上記六方晶フェライト粉末は、六方晶バリウムフェライト粉末であることができる。

一形態では、上記強磁性粉末は、ε−酸化鉄粉末であることができる。

一形態では、上記磁気記録媒体は、上記磁性層と上記非磁性支持体との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を有することができる。

一形態では、上記磁気記録媒体は、上記非磁性支持体の上記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有することができる。

一形態では、上記磁気記録媒体は、磁気テープであることができる。

本発明の一態様は、上記磁気記録媒体を含む磁気テープカートリッジに関する。

本発明の一態様は、上記磁気記録媒体を含む磁気記録再生装置に関する。

本発明の一態様によれば、電磁変換特性および摩擦特性に優れる磁気記録媒体を提供することができる。また、本発明の一態様によれば、かかる磁気記録媒体を含む磁気テープカートリッジおよび磁気記録再生装置を提供することができる。

実施例および比較例の磁性層の膜質評価結果の一例を示す。

［磁気記録媒体］
本発明の一態様は、非磁性支持体と強磁性粉末を含む磁性層とを有する磁気記録媒体に関する。上記磁気記録媒体において、上記磁性層の表面の算術平均粗さＲａは２．２ｎｍ以下であり、上記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析によって求められるフッ素濃度Ａは５原子％以上５０原子％以下であり、かつＴＯＦ−ＳＩＭＳのラインプロファイル分析によって上記磁性層の断面の厚み方向の全域について求められるフッ素含有化合物由来のフラグメントの積算強度Ｆｔｏｔａｌと上記断面の厚み方向の上記磁性層の表面から中間厚みまでの領域について求められるフッ素化合物由来のフラグメントの積算強度Ｆｕｐｐｅｒとから上記式１により算出されるＢは６０％以上９５％以下である。

以下に、上記Ｒａ、ＡおよびＢの測定方法を説明する。

本発明および本明細書における磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＡＦＭ）によって磁性層の表面の面積４０μｍ×４０μｍの領域において測定される値とする。３つの異なる測定位置において、それぞれ測定を５回行う。３つの測定位置で得られた測定結果の中から、各測定位置での５回の測定により得られたＲａの中で最小値および最大値を除く測定値（したがって１つの測定位置について３つの測定値、３つの測定位置について合計９つの測定値）の算術平均を、測定対象の磁気記録媒体の磁性層の表面の算術平均粗さＲａとして採用する。本発明および本明細書において、「磁性層（の）表面」は磁気記録媒体の磁性層側表面と同義である。測定条件の一例としては、下記の測定条件を挙げることができる。後述の実施例に示す磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、下記測定条件下での測定によって求められた値である。
ＡＦＭ（Ｖｅｅｃｏ社製Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４）をタッピングモードで用いて磁気記録媒体の磁性層の表面の面積４０μｍ×４０μｍの領域を測定する。探針としてはＢＲＵＫＥＲ社製ＲＴＥＳＰ−３００を使用し、スキャン速度（探針移動速度）は１画面（５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌ）を３４１秒で測定する速度とする。

本発明および本明細書における「Ａ」は、磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析によって求められるフッ素濃度である。
「Ｘ線光電子分光分析」は、一般にＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）またはＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）とも呼ばれる分析法である。以下において、Ｘ線光電子分光分析を、ＥＳＣＡとも記載する。ＥＳＣＡは、測定対象試料表面にＸ線を照射すると光電子が放出されることを利用する分析法であり、測定対象試料の表層部の分析法として広く用いられている。ＥＳＣＡによれば、測定対象の試料表面における分析により取得されるＸ線光電子分光スペクトルを用いて定性分析および定量分析を行うことができる。試料表面から分析位置までの深さ（以下、「検出深さ」とも記載する。）と光電子取り出し角（ｔａｋｅ−ｏｆｆ ａｎｇｌｅ）との間には、一般に次の式：検出深さ≒電子の平均自由行程×３×ｓｉｎθ、が成立する。式中、検出深さは、Ｘ線光電子分光スペクトルを構成する光電子の９５％が発生する深さであり、θは光電子取り出し角である。上記の式から、光電子取り出し角が小さいほど試料表面からの深さが浅い部分が分析でき、光電子取り出し角が大きいほど深い部分が分析できることがわかる。そして光電子取り出し角１０度でのＥＳＣＡによって行われる分析では、通常、試料の表面から深さ数ｎｍ程度の位置に亘る極表層部が分析位置になる。したがって、磁気記録媒体の磁性層の表面において、光電子取り出し角１０度でＥＳＣＡによって行われる分析によれば、磁性層の表面から深さ数ｎｍ程度の位置に亘る極表層部の組成分析を行うことができる。
上記フッ素濃度Ａとは、ＥＳＣＡによって行われる定性分析により検出される全元素の合計（原子基準）１００原子％に対して、フッ素原子Ｆが占める割合である。分析を行う領域は、磁気記録媒体の磁性層の表面の任意の位置の３００μｍ×７００μｍの面積の領域とする。ＥＳＣＡによって行われるワイドスキャン測定（パスエネルギー：１６０ｅＶ、スキャン範囲：０〜１２００ｅＶ、エネルギー分解能：１ｅＶ／ｓｔｅｐ）により定性分析を実施する。次いで、定性分析により検出された全元素のスペクトルをナロースキャン測定（パスエネルギー：８０ｅＶ、エネルギー分解能：０．１ｅＶ、スキャン範囲：測定するスペクトルの全体が入るように元素毎に設定。）により求める。こうして得られた各スペクトルにおけるピーク面積から、定性分析により検出された全元素に対する各元素の原子濃度（ａｔｏｍｉｃ ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ、単位：原子％）を算出する。ここでＦ１ｓスペクトルのピーク面積からフッ素原子の原子濃度Ａも算出される。
以上の処理を磁気記録媒体の磁性層の表面の異なる位置において３回行って得られた値の算術平均を、フッ素濃度Ａとする。また、以上の処理の具体的形態を、後述の実施例に示す。

本発明および本明細書における「Ｂ」は、ＴＯＦ−ＳＩＭＳのラインプロファイル分析によって磁性層の断面の厚み方向の全域について求められるフッ素含有化合物由来のフラグメントの積算強度Ｆｔｏｔａｌと、上記断面の厚み方向の磁性層の表面から中間厚みまでの領域について求められるフッ素化合物由来のフラグメントの積算強度Ｆｕｐｐｅｒと、から上記式１により算出される。
ＴＯＦ−ＳＩＭＳのラインプロファイル分析を行うための前処理として、磁気記録媒体の磁性層の断面を含む斜め切削面を形成する。斜め切削面は、磁気記録媒体の磁性層の表面から磁性層に隣接する部分（磁気記録媒体が非磁性層を有する場合には非磁性層、非磁性支持体上に直接磁性層が設けられている場合は非磁性支持体）の少なくとも一部まで切削装置の切刃を切り込ませて斜め切削することによって形成される。こうして形成される斜め切削面には、磁性層の断面と磁性層と隣接する部分の少なくとも一部の断面とが含まれる。斜め切削は、ラインプロファイル分析において磁性層と隣接する部分について長さ１００μｍ以上の領域の分析が可能なように磁性層と隣接する部分が露出されるように行う。磁気記録媒体の磁性層の表面に対する切刃の侵入角度は、例えば０．０１０〜０．２００度の範囲とすることができる。後述の実施例では、磁気記録媒体の磁性層の表面に対する切刃の侵入角度を０．１１５度として斜め切削を行った。切削装置としては、例えば、ＳＡＩＣＡＳ（登録商標）と呼ばれる斜め切削装置を使用することができる。ＳＡＩＣＡＳは、Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｎｄ Ｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌ Ｃｕｔｔｉｎｇ Ａｎａｌｙｓｉｓ Ｓｙｓｔｅｍの略称であり、ＳＡＩＣＡＳ装置としては、例えばダイプラ・ウィンテス社製ＳＡＩＣＡＳ装置を挙げることができ、後述の実施例では、この装置を使用した。
ＴＯＦ−ＳＩＭＳのラインプロファイル分析は、磁性層の表面（未切削部分）の１００μｍ長の領域から上記斜め切削面にわたる連続する領域について行われる。ＴＯＦ−ＳＩＭＳ装置としては、例えば、ＩＯＮ−ＴＯＦ社またはアルバックファイ社のＴＯＦ−ＳＩＭＳ装置を使用することができる。測定条件について、イオンビーム径は５μｍとする。ＴＯＦ−ＳＩＭＳの測定モードには、高質量分解能モードと高空間分解能モードとがある。ここでは、測定モードは、一次イオンビームをバンチング（Ｂｕｎｃｈｉｎｇ）して高質量分解能での測定を行う測定モードである高質量分解能モード（バンチングモードとも呼ばれる。）を採用する。ラインプロファイル分析は、測定点の間隔を２μｍとして行う。
ＴＯＦ−ＳＩＭＳのラインプロファイル分析の分析結果として得られる各種フラグメントの中から、「Ｂ」を求めるためのフッ素系フラグメントは、以下のように決定するものとする。磁性層の表面（未切削部分）の１００μｍ長の領域におけるＴＯＦ−ＳＩＭＳのラインプロファイル分析において、フッ素系フラグメントが１つのみ検出された場合には、この検出されたフッ素系フラグメントを、「Ｂ」を求めるためのフッ素系フラグメントとして採用する。一方、磁性層の表面（未切削部分）の１００μｍ長の領域におけるＴＯＦ−ＳＩＭＳのラインプロファイル分析において、複数のフッ素系フラグメントが検出された場合には、「Ｂ」を求めるためのフッ素系フラグメントとしては、最も高感度に検出されたフッ素系フラグメントを採用する。例えば、後述の実施例では、「Ｂ」を求めるためのフッ素系フラグメントとして、Ｃ_３ＯＦ_７ ⁻フラグメントを採用した。また、ラインプロファイル分析が行われた領域から磁性層の断面の領域を特定するためには、磁性層と隣接する部分に含まれる成分の中から１種の成分を選択し、この成分を最も高感度に検出可能なフラグメントを選択する。かかるフラグメントの選択は、公知技術または予備実験の結果に基づき行うことができる。例えば、後述の実施例では、上記成分として、非磁性層の成分であるフェニルホスホン酸を選択し、この成分を最も高感度に検出可能なフラグメントとしてＰＯ_３ ⁻フラグメントを選択した。
上記の磁性層の表面（未切削部分）の１００μｍ長の領域について、上記で選択したフッ素系フラグメントのフラグメント強度の算術平均を算出する。以下において、この算術平均を［ＭＦ］と呼ぶ。また、磁性層と隣接する部分について、斜め切削面に露出している長さ１００μｍの領域について、上記で選択したフラグメントのフラグメント強度の算術平均を算出する。以下において、この算術平均を［ＭＮ］と呼ぶ。ラインプロファイル分析の結果から、［ＭＦ］に対して上記で選択したフッ素系フラグメントのフラグメント強度が１／２倍になる位置を、斜め切削を開始した位置（以下、［Ｍ地点］と呼ぶ。）として特定する。また、［ＭＮ］に対して上記で選択したフラグメントのフラグメント強度が１／２倍になる位置を、磁性層と磁性層と隣接する部分との界面の位置（以下、［Ｋ地点］と呼ぶ。）として特定する。こうして特定された［Ｍ地点］と［Ｋ地点］との間の領域を磁性層として特定し、［Ｍ地点］と［Ｋ地点］との中間を、中間厚みの位置（以下、［Ｈ地点］と呼ぶ。）として特定する。Ｈ地点は、磁性層の厚みをＴとすると、磁性層の表面から深さが「Ｔ／２」の位置ということができる。
ラインプロファイル分析の結果において、Ｍ地点からＫ地点までの全域（即ち磁性層の断面の厚み方向の全域）について求められる上記で選択したフッ素系フラグメントの積算強度を「Ｆｔｏｔａｌ」とする。また、ラインプロファイル分析の結果において、Ｍ地点からＨ地点までの全域（即ち磁性層の断面の厚み方向の磁性層表面から中間厚みまでの領域）について求められる上記で選択したフッ素系フラグメントの積算強度を「Ｆｕｐｐｅｒ」とする。こうして求められたＦｔｏｔａｌおよびＦｕｐｐｅｒから、下記式１によってＢが算出される。測定対象の磁気記録媒体の無作為に選択した３箇所において上記の斜め切削面の形成およびＴＯＦ−ＳＩＭＳのラインプロファイル分析を行って得られたＢの値の算術平均を、測定対象の磁気記録媒体のＢの値とする。
（式１）
Ｂ＝（Ｆｕｐｐｅｒ／Ｆｔｏｔａｌ）×１００

本発明者は、上記のように求められるＲａ、ＡおよびＢが先に記載した範囲の磁気記録媒体が、優れた電磁変換特性および摩擦特性を発揮できる理由について、以下のように推察している。
磁性層の表面の算術平均粗さＲａが２．２ｎｍ以下であることは、スペーシングロスを低減して電磁変換特性を向上させることに寄与し得る。
また、磁性層の表面について先に記載した方法によって求められるＡは、磁性層の表面を含む極表層部におけるフッ素の存在量の指標とすることができ、Ａの値がより大きいほど、磁性層の表面を含む極表層部にフッ素がより多く存在すると考えることができる。そしてフッ素がより多く存在することによって、磁性層の表面の自由エネルギーはより低くなると推察され、これにより摩擦特性の向上が可能になり、磁性層表面と磁気ヘッドとの摺動時の摩擦係数を小さくすることができると考えられる。したがって、磁性層の表面について先に記載した方法によって求められるＡが５原子％以上であることは、上記のＲａが２．２ｎｍ以下の磁気記録媒体の摩擦特性向上に寄与し得ると推察される。また、上記のＡが５０原子％以下であることは、電磁変換特性の低下の抑制に寄与し得ると本発明者は考えている。これは、Ａの値が小さいことは、相対的に強磁性粉末の存在量が多いことを示し得ると考えられるためである。
更に、磁性層について先に記載した方法によって求められるＢの値がより大きいほど、磁性層の表面から中間厚みまでの領域（「上層領域」ということができる。）にフッ素含有化合物がより多く存在しているということができる。かかる上層領域にフッ素含有化合物が多く存在できることには、磁性層に含まれる成分（例えば後述する結合剤）とフッ素含有化合物とのエンタングルメント（Ｅｎｔａｎｇｌｅｍｅｎｔ）および／または化学結合といった相互作用が強く働いていることが寄与し得ると考えられる。このことは、磁性層表面と磁気ヘッドとの摺動によりフッ素含有化合物が磁性層から脱離することによって摩擦係数が上昇してしまうことを抑制することに寄与し得ると、本発明者は推察している。したがって、上記のＢが６０％以上であることは、摩擦特性向上につながり得ると本発明者は考えている。また、上記のＢが９５％以下であることは、より均質な膜質の磁性層の形成を可能とすることに寄与し得ると、本発明者は推察している。
ただし、上記およびこの後に記載されている本発明者の推察は、推察に過ぎず、本発明を限定するものではない。

以下、上記磁気記録媒体について、更に詳細に説明する。

＜磁性層の表面の算術平均粗さＲａ＞
上記磁気記録媒体において、磁性層の表面の算術平均粗さＲａは、電磁変換特性向上の観点から、２．２ｎｍ以下であり、２．１ｎｍ以下であることが好ましく、上記Ｒａの値がより小さいほどより好ましい。上記Ｒａは、例えば、１．０ｎｍ以上、１．２ｎｍ以上、１．５ｎｍ以上または１．８ｎｍであることができ、ここに例示した値を下回ることもできる。上記Ｒａは、磁気記録媒体の製造条件（例えば後述するカレンダ処理条件）等によって制御することができる。

＜フッ素濃度Ａ＞
上記磁気記録媒体において、先に記載した方法によって求められるＡは、摩擦特性向上の観点から、５原子％以上であり、７原子％以上であることが好ましく、１０原子％以上であることがより好ましく、１２原子％以上、１５原子％以上、１７原子％以上、２０原子％以上、２２原子％以上、２５原子％以上、２７原子％以上、３０原子％以上の順に更に好ましい。また、電磁変換特性向上の観点からは、上記Ａは、５０原子％以下であり、４８原子％以下であることが好ましく、４５原子％以下であることがより好ましく、４３原子％以下であることが更に好ましく、４０原子％以上であることが一層好ましい。

＜式１により算出されるＢ＞
上記磁気記録媒体において、先に記載した方法によって求められるＦｔｏｔａｌとＦｕｐｐｅｒとから式１により算出されるＢは、摩擦特性向上の観点から、６０％以上であり、６５％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましく、７５％以上であることが更に好ましく、８０％以上であることが一層好ましい。また、より均質な膜質の磁性層の形成を可能とする観点から、上記Ｂは、９５％以下であり、９０％以下であることが好ましく、８５％以下であることがより好ましい。

上記ＡおよびＢを制御するための手段の具体的形態については後述する。

＜磁性層＞
（強磁性粉末）
上記磁気記録媒体の磁性層に含まれる強磁性粉末は、好ましくは六方晶フェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選択される強磁性粉末であることができる。六方晶フェライト粉末およびε−酸化鉄粉末は、磁気記録媒体の記録密度向上の観点から好ましい強磁性粉末と言われている。上記磁気記録媒体の磁性層は、例えば、六方晶フェライト粉末およびε−酸化鉄粉末からなる群から選択される強磁性粉末を１種単独または２種以上含むことができる。

磁気記録媒体の磁性層に含まれる強磁性粉末として平均粒子サイズの小さいものを使用することは、記録密度向上の観点から好ましい。この点から、強磁性粉末の平均粒子サイズは５０ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以下であることがより好ましく、４０ｎｍ以下であることが更に好ましく、３５ｎｍ以下であることが一層好ましく、３０ｎｍ以下であることがより一層好ましく、２５ｎｍ以下であることが更に一層好ましく、２０ｎｍ以下であることがなお一層好ましい。一方、磁化の安定性の観点からは、強磁性粉末の平均粒子サイズは５ｎｍ以上であることが好ましく、８ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることが更に好ましく、１５ｎｍ以上であることが一層好ましく、２０ｎｍ以上であることがより一層好ましい。

六方晶フェライト粉末
上記磁気記録媒体は、一形態では、磁性層に六方晶フェライト粉末を含むことができる。六方晶フェライト粉末の詳細については、例えば、特開２０１１−２２５４１７号公報の段落００１２〜００３０、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１３４〜０１３６、特開２０１２−２０４７２６号公報の段落００１３〜００３０および特開２０１５−１２７９８５号公報の段落００２９〜００８４を参照できる。

本発明および本明細書において、「六方晶フェライト粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相として六方晶フェライト型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。主相とは、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが帰属する構造をいう。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークが六方晶フェライト型の結晶構造に帰属される場合、六方晶フェライト型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。Ｘ線回折分析によって単一の構造のみが検出された場合には、この検出された構造を主相とする。六方晶フェライト型の結晶構造は、構成原子として、少なくとも鉄原子、二価金属原子および酸素原子を含む。二価金属原子とは、イオンとして二価のカチオンになり得る金属原子であり、ストロンチウム原子、バリウム原子、カルシウム原子等のアルカリ土類金属原子、鉛原子等を挙げることができる。本発明および本明細書において、六方晶ストロンチウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がストロンチウム原子であるものをいい、六方晶バリウムフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がバリウム原子であるものをいう。また、六方晶コバルトフェライト粉末とは、この粉末に含まれる主な二価金属原子がコバルト原子であるものをいう。主な二価金属原子とは、この粉末に含まれる二価金属原子の中で、原子％基準で最も多くを占める二価金属原子をいうものとする。ただし、上記の二価金属原子には、希土類原子は包含されないものとする。本発明および本明細書における「希土類原子」は、スカンジウム原子（Ｓｃ）、イットリウム原子（Ｙ）、およびランタノイド原子からなる群から選択される。ランタノイド原子は、ランタン原子（Ｌａ）、セリウム原子（Ｃｅ）、プラセオジム原子（Ｐｒ）、ネオジム原子（Ｎｄ）、プロメチウム原子（Ｐｍ）、サマリウム原子（Ｓｍ）、ユウロピウム原子（Ｅｕ）、ガドリニウム原子（Ｇｄ）、テルビウム原子（Ｔｂ）、ジスプロシウム原子（Ｄｙ）、ホルミウム原子（Ｈｏ）、エルビウム原子（Ｅｒ）、ツリウム原子（Ｔｍ）、イッテルビウム原子（Ｙｂ）、およびルテチウム原子（Ｌｕ）からなる群から選択される。

六方晶フェライト粉末としては、六方晶ストロンチウムフェライト粉末、六方晶バリウムフェライト粉末および六方晶コバルトフェライト粉末からなる群から選ばれる１種または２種以上を用いることができる。磁気記録媒体の記録密度向上の観点からは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末が好ましい。

以下に、六方晶フェライト粉末の一形態である六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、更に詳細に説明する。以下に六方晶ストロンチウムフェライト粉末に関して記載する事項の少なくとも一部は、六方晶バリウムフェライト粉末および六方晶コバルトフェライト粉末についても当てはまり得る。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００〜１６００ｎｍ^３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化された六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気記録媒体の作製のために好適である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、好ましくは８００ｎｍ^３以上であり、例えば８５０ｎｍ^３以上であることもできる。また、電磁変換特性の更なる向上の観点から、六方晶ストロンチウムフェライト粉末の活性化体積は、１５００ｎｍ^３以下であることがより好ましく、１４００ｎｍ^３以下であることが更に好ましく、１３００ｎｍ^３以下であることが一層好ましく、１２００ｎｍ^３以下であることがより一層好ましく、１１００ｎｍ^３以下であることが更により一層好ましい。六方晶バリウムフェライト粉末の活性化体積についても、同様である。

「活性化体積」とは、磁化反転の単位であって、粒子の磁気的な大きさを示す指標である。本発明および本明細書に記載の活性化体積および後述の異方性定数Ｋｕは、振動試料型磁力計を用いて保磁力Ｈｃ測定部の磁場スイープ速度３分と３０分とで測定し（測定温度：２３℃±１℃）、以下のＨｃと活性化体積Ｖとの関係式から求められる値である。異方性定数Ｋｕの単位に関して、１ｅｒｇ／ｃｃ＝１．０×１０^−１Ｊ／ｍ^３である。
Ｈｃ＝２Ｋｕ／Ｍｓ｛１−［（ｋＴ／ＫｕＶ）ｌｎ（Ａｔ／０．６９３）］^１／２｝
［上記式中、Ｋｕ：異方性定数（単位：Ｊ／ｍ^３）、Ｍｓ：飽和磁化（単位：ｋＡ／ｍ）、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度（単位：Ｋ）、Ｖ：活性化体積（単位：ｃｍ^３）、Ａ：スピン歳差周波数（単位：ｓ^−１）、ｔ：磁界反転時間（単位：ｓ）］

熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、好ましくは１．８×１０^５Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは２．０×１０^５Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができる。また、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のＫｕは、例えば２．５×１０^５Ｊ／ｍ^３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含んでいてもよく、含まなくてもよい。六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、鉄原子１００原子％に対して、０．５〜５．０原子％の含有率（バルク含有率）で希土類原子を含むことが好ましい。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一形態では、希土類原子表層部偏在性を有することができる。本発明および本明細書における「希土類原子表層部偏在性」とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により部分溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子表層部含有率」または希土類原子に関して単に「表層部含有率」と記載する。）が、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を酸により全溶解して得られた溶解液中の鉄原子１００原子％に対する希土類原子含有率（以下、「希土類原子バルク含有率」または希土類原子に関して単に「バルク含有率」と記載する。）と、
希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０
の比率を満たすことを意味する。後述の六方晶ストロンチウムフェライト粉末の希土類原子含有率とは、希土類原子バルク含有率と同義である。これに対し、酸を用いる部分溶解は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部を溶解するため、部分溶解により得られる溶解液中の希土類原子含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部における希土類原子含有率である。希土類原子表層部含有率が、「希土類原子表層部含有率／希土類原子バルク含有率＞１．０」の比率を満たすことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。本発明および本明細書における表層部とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面から内部に向かう一部領域を意味する。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、希土類原子含有率（バルク含有率）は、鉄原子１００原子％に対して０．５〜５．０原子％の範囲であることが好ましい。上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることは、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することに寄与すると考えられる。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末が上記範囲のバルク含有率で希土類原子を含み、かつ六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に希土類原子が偏在していることにより、異方性定数Ｋｕを高めることができるためと推察される。異方性定数Ｋｕは、この値が高いほど、いわゆる熱揺らぎと呼ばれる現象の発生を抑制すること（換言すれば熱的安定性を向上させること）ができる。熱揺らぎの発生が抑制されることにより、繰り返し再生における再生出力の低下を抑制することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の粒子表層部に希土類原子が偏在することが、表層部の結晶格子内の鉄（Ｆｅ）のサイトのスピンを安定化することに寄与し、これにより異方性定数Ｋｕが高まるのではないかと推察される。
また、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末を磁性層の強磁性粉末として用いることは、磁気ヘッドとの摺動によって磁性層側の表面が削れることを抑制することにも寄与すると推察される。即ち、磁気記録媒体の走行耐久性の向上にも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末が寄与し得ると推察される。これは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表面に希土類原子が偏在することが、粒子表面と磁性層に含まれる有機物質（例えば、結合剤および／または添加剤）との相互作用の向上に寄与し、その結果、磁性層の強度が向上するためではないかと推察される。
繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点および／または走行耐久性の更なる向上の観点からは、希土類原子含有率（バルク含有率）は、０．５〜４．５原子％の範囲であることがより好ましく、１．０〜４．５原子％の範囲であることが更に好ましく、１．５〜４．５原子％の範囲であることが一層好ましい。

上記バルク含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる含有率である。本発明および本明細書において、特記しない限り、六方晶ストロンチウムフェライト粉末に含まれる原子について、含有率とは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められるバルク含有率をいうものとする。希土類原子を含む六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子として１種の希土類原子のみ含んでもよく、２種以上の希土類原子を含んでもよい。２種以上の希土類原子を含む場合の上記バルク含有率とは、２種以上の希土類原子の合計について求められる。この点は、本発明および本明細書における他の成分についても同様である。即ち、特記しない限り、ある成分は、１種のみ用いてもよく、２種以上用いてもよい。２種以上用いられる場合の含有量または含有率とは、２種以上の合計についていうものとする。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末が希土類原子を含む場合、含まれる希土類原子は、希土類原子のいずれか１種以上であればよい。繰り返し再生における再生出力の低下をより一層抑制する観点から好ましい希土類原子としては、ネオジム原子、サマリウム原子、イットリウム原子およびジスプロシウム原子を挙げることができ、ネオジム原子、サマリウム原子およびイットリウム原子がより好ましく、ネオジム原子が更に好ましい。

希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、偏在の程度は限定されるものではない。例えば、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末について、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は１．０超であり、１．５以上であることができる。「表層部含有率／バルク含有率」が１．０より大きいことは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子において、希土類原子が表層部に偏在（即ち内部より多く存在）していることを意味する。また、後述する溶解条件で部分溶解して求められた希土類原子の表層部含有率と後述する溶解条件で全溶解して求められた希土類原子のバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は、例えば、１０．０以下、９．０以下、８．０以下、７．０以下、６．０以下、５．０以下、または４．０以下であることができる。ただし、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末において、希土類原子は六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子の表層部に偏在していればよく、上記の「表層部含有率／バルク含有率」は、例示した上限または下限に限定されるものではない。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末の部分溶解および全溶解について、以下に説明する。粉末として存在している六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、部分溶解および全溶解する試料粉末は、同一ロットの粉末から採取する。一方、磁気記録媒体の磁性層に含まれている六方晶ストロンチウムフェライト粉末については、磁性層から取り出した六方晶ストロンチウムフェライト粉末の一部を部分溶解に付し、他の一部を全溶解に付す。磁性層からの六方晶ストロンチウムフェライト粉末の取り出しは、例えば、特開２０１５−９１７４７号公報の段落００３２に記載の方法によって行うことができる。
上記部分溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認できる程度に溶解することをいう。例えば、部分溶解により、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を構成する粒子について、粒子全体を１００質量％として１０〜２０質量％の領域を溶解することができる。一方、上記全溶解とは、溶解終了時に液中に六方晶ストロンチウムフェライト粉末の残留が目視で確認されない状態まで溶解することをいう。
上記部分溶解および表層部含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。ただし、下記の試料粉末量等の溶解条件は例示であって、部分溶解および全溶解が可能な溶解条件を任意に採用できる。
試料粉末１２ｍｇおよび１ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度７０℃のホットプレート上で１時間保持する。得られた溶解液を０．１μｍのメンブレンフィルタでろ過する。こうして得られたろ液の元素分析を誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）分析装置によって行う。こうして、鉄原子１００原子％に対する希土類原子の表層部含有率を求めることができる。元素分析により複数種の希土類原子が検出された場合には、全希土類原子の合計含有率を、表層部含有率とする。この点は、バルク含有率の測定においても、同様である。
一方、上記全溶解およびバルク含有率の測定は、例えば、以下の方法により行われる。
試料粉末１２ｍｇおよび４ｍｏｌ／Ｌ塩酸１０ｍＬを入れた容器（例えばビーカー）を、設定温度８０℃のホットプレート上で３時間保持する。その後は上記の部分溶解および表層部含有率の測定と同様に行い、鉄原子１００原子％に対するバルク含有率を求めることができる。

磁気記録媒体に記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気記録媒体に含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、希土類原子を含むものの希土類原子表層部偏在性を持たない六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、希土類原子を含まない六方晶ストロンチウムフェライト粉末と比べてσｓが大きく低下する傾向が見られた。これに対し、そのようなσｓの大きな低下を抑制するうえでも、希土類原子表層部偏在性を有する六方晶ストロンチウムフェライト粉末は好ましいと考えられる。一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末のσｓは、４５Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることができ、４７Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることもできる。一方、σｓは、ノイズ低減の観点からは、８０Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることが好ましく、６０Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることがより好ましい。σｓは、振動試料型磁力計等の磁気特性を測定可能な公知の測定装置を用いて測定することができる。本発明および本明細書において、特記しない限り、質量磁化σｓは、磁場強度１５ｋＯｅで測定される値とする。

六方晶ストロンチウムフェライト粉末の構成原子の含有率（バルク含有率）に関して、ストロンチウム原子含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば２．０〜１５．０原子％の範囲であることができる。一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、この粉末に含まれる二価金属原子がストロンチウム原子のみであることができる。また他の一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、ストロンチウム原子に加えて１種以上の他の二価金属原子を含むこともできる。例えば、バリウム原子および／またはカルシウム原子を含むことができる。ストロンチウム原子以外の他の二価金属原子が含まれる場合、六方晶ストロンチウムフェライト粉末におけるバリウム原子含有率およびカルシウム原子含有率は、それぞれ、例えば、鉄原子１００原子％に対して、０．０５〜５．０原子％の範囲であることができる。

六方晶フェライトの結晶構造としては、マグネトプランバイト型（「Ｍ型」とも呼ばれる。）、Ｗ型、Ｙ型およびＺ型が知られている。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、いずれの結晶構造を取るものであってもよい。結晶構造は、Ｘ線回折分析によって確認することができる。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によって、単一の結晶構造または２種以上の結晶構造が検出されるものであることができる。例えば一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、Ｘ線回折分析によってＭ型の結晶構造のみが検出されるものであることができる。例えば、Ｍ型の六方晶フェライトは、ＡＦｅ_１２Ｏ_１９の組成式で表される。ここでＡは二価金属原子を表し、六方晶ストロンチウムフェライト粉末がＭ型である場合、Ａはストロンチウム原子（Ｓｒ）のみであるか、またはＡとして複数の二価金属原子が含まれる場合には、上記の通り原子％基準で最も多くをストロンチウム原子（Ｓｒ）が占める。六方晶ストロンチウムフェライト粉末の二価金属原子含有率は、通常、六方晶フェライトの結晶構造の種類により定まるものであり、特に限定されるものではない。鉄原子含有率および酸素原子含有率についても、同様である。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、少なくとも、鉄原子、ストロンチウム原子および酸素原子を含み、更に希土類原子を含むこともできる。更に、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、これら原子以外の原子を含んでもよく、含まなくてもよい。一例として、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、アルミニウム原子（Ａｌ）を含むものであってもよい。アルミニウム原子の含有率は、鉄原子１００原子％に対して、例えば０．５〜１０．０原子％であることができる。繰り返し再生における再生出力低下をより一層抑制する観点からは、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子を含み、これら原子以外の原子の含有率が、鉄原子１００原子％に対して、１０．０原子％以下であることが好ましく、０〜５．０原子％の範囲であることがより好ましく、０原子％であってもよい。即ち、一形態では、六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、鉄原子、ストロンチウム原子、酸素原子および希土類原子以外の原子を含まなくてもよい。上記の原子％で表示される含有率は、六方晶ストロンチウムフェライト粉末を全溶解して求められる各原子の含有率（単位：質量％）を、各原子の原子量を用いて原子％表示の値に換算して求められる。また、本発明および本明細書において、ある原子について「含まない」とは、全溶解してＩＣＰ分析装置により測定される含有率が０質量％であることをいう。ＩＣＰ分析装置の検出限界は、通常、質量基準で０．０１ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｍｉｌｌｉｏｎ）以下である。上記の「含まない」とは、ＩＣＰ分析装置の検出限界未満の量で含まれることを包含する意味で用いるものとする。六方晶ストロンチウムフェライト粉末は、一形態では、ビスマス原子（Ｂｉ）を含まないものであることができる。

ε−酸化鉄粉末
本発明および本明細書において、「ε−酸化鉄粉末」とは、Ｘ線回折分析によって、主相としてε−酸化鉄型の結晶構造が検出される強磁性粉末をいうものとする。例えば、Ｘ線回折分析によって得られるＸ線回折スペクトルにおいて最も高強度の回折ピークがε−酸化鉄型の結晶構造に帰属される場合、ε−酸化鉄型の結晶構造が主相として検出されたと判断するものとする。ε−酸化鉄粉末の製造方法としては、ゲーサイトから作製する方法、逆ミセル法等が知られている。上記製造方法は、いずれも公知である。また、Ｆｅの一部がＧａ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｒｈ等の置換原子によって置換されたε−酸化鉄粉末を製造する方法については、例えば、Ｊ． Ｊｐｎ． Ｓｏｃ． Ｐｏｗｄｅｒ Ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ Ｖｏｌ． ６１ Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ， Ｎｏ． Ｓ１， ｐｐ． Ｓ２８０−Ｓ２８４、Ｊ． Ｍａｔｅｒ． Ｃｈｅｍ． Ｃ， ２０１３， １， ｐｐ．５２００−５２０６等を参照できる。ただし、上記磁気記録媒体の磁性層において強磁性粉末として使用可能なε−酸化鉄粉末の製造方法は、ここで挙げた方法に限定されない。

ε−酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００〜１５００ｎｍ^３の範囲である。上記範囲の活性化体積を示す微粒子化されたε−酸化鉄粉末は、優れた電磁変換特性を発揮する磁気記録媒体の作製のために好適である。ε−酸化鉄粉末の活性化体積は、好ましくは３００ｎｍ^３以上であり、例えば５００ｎｍ^３以上であることもできる。また、電磁変換特性の更なる向上の観点から、ε−酸化鉄粉末の活性化体積は、１４００ｎｍ^３以下であることがより好ましく、１３００ｎｍ^３以下であることが更に好ましく、１２００ｎｍ^３以下であることが一層好ましく、１１００ｎｍ^３以下であることがより一層好ましい。

熱揺らぎの低減、換言すれば熱的安定性の向上の指標としては、異方性定数Ｋｕを挙げることができる。ε−酸化鉄粉末は、好ましくは３．０×１０^４Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができ、より好ましくは８．０×１０^４Ｊ／ｍ^３以上のＫｕを有することができる。また、ε−酸化鉄粉末のＫｕは、例えば３．０×１０^５Ｊ／ｍ^３以下であることができる。ただしＫｕが高いほど熱的安定性が高いことを意味し、好ましいため、上記例示した値に限定されるものではない。

磁気記録媒体に記録されたデータを再生する際の再生出力を高める観点から、磁気記録媒体に含まれる強磁性粉末の質量磁化σｓが高いことは望ましい。この点に関して、一形態では、ε−酸化鉄粉末のσｓは、８Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることができ、１２Ａ・ｍ^２／ｋｇ以上であることもできる。一方、ε−酸化鉄粉末のσｓは、ノイズ低減の観点からは、４０Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることが好ましく、３５Ａ・ｍ^２／ｋｇ以下であることがより好ましい。

本発明および本明細書において、特記しない限り、各種粉末の平均粒子サイズは、透過型電子顕微鏡を用いて、以下の方法により測定される値とする。
粉末を、透過型電子顕微鏡を用いて撮影倍率１０００００倍で撮影し、総倍率５０００００倍になるように印画紙にプリントするか、ディスプレイに表示する等して、粉末を構成する粒子の写真を得る。磁気記録媒体の磁性層に含まれる粉末については、以下の方法により作製した切削片を用いて撮影を行い、上記の粒子の写真を得ることができる。磁気記録媒体を樹脂ブロック等に接着し、ミクロトーム等を用いて切削片を作製し、作製した切削片を透過型電子顕微鏡を用いて観察して磁性層部分を特定して撮影を行う。例えば、テープ状の磁気記録媒体（即ち磁気テープ）については、磁気テープを長手方向に切削して切削片を作製することができる。
得られた粒子の写真から目的の粒子を選びデジタイザーで粒子の輪郭をトレースし粒子（一次粒子）のサイズを測定する。一次粒子とは、凝集のない独立した粒子をいう。
以上の測定を、無作為に抽出した５００個の粒子について行う。こうして得られた５００個の粒子の粒子サイズの算術平均を、粉末の平均粒子サイズとする。上記透過型電子顕微鏡としては、例えば日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型を用いることができる。また、粒子サイズの測定は、公知の画像解析ソフト、例えばカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて行うことができる。後述の実施例に示す平均粒子サイズは、特記しない限り、透過型電子顕微鏡として日立製透過型電子顕微鏡Ｈ−９０００型、画像解析ソフトとしてカールツァイス製画像解析ソフトＫＳ−４００を用いて測定された値であり、強磁性粉末の平均粒子体積は、こうして求められた平均粒子サイズから球相当体積として算出された値である。本発明および本明細書において、粉末とは、複数の粒子の集合を意味する。例えば、強磁性粉末とは、複数の強磁性粒子の集合を意味する。また、複数の粒子の集合とは、集合を構成する粒子が直接接触している形態に限定されず、後述する結合剤、添加剤等が、粒子同士の間に介在している形態も包含される。粒子との語が、粉末を表すために用いられることもある。

粒子サイズ測定のために磁気記録媒体から試料粉末を採取する方法としては、例えば特開２０１１−０４８８７８号公報の段落００１５に記載の方法を採用することができる。

本発明および本明細書において、特記しない限り、粉末を構成する粒子のサイズ（粒子サイズ）は、上記の粒子写真において観察される粒子の形状が、
（１）針状、紡錘状、柱状（ただし、高さが底面の最大長径より大きい）等の場合は、粒子を構成する長軸の長さ、即ち長軸長で表され、
（２）板状または柱状（ただし、厚みまたは高さが板面または底面の最大長径より小さい）の場合は、その板面または底面の最大長径で表され、
（３）球形、多面体状、不特定形等であって、かつ形状から粒子を構成する長軸を特定できない場合は、円相当径で表される。円相当径とは、円投影法で求められるものを言う。

また、粉末の平均針状比は、上記測定において粒子の短軸の長さ、即ち短軸長を測定し、各粒子の（長軸長／短軸長）の値を求め、上記５００個の粒子について得た値の算術平均を指す。ここで、特記しない限り、短軸長とは、上記粒子サイズの定義で（１）の場合は、粒子を構成する短軸の長さを、同じく（２）の場合は、厚みまたは高さを各々指し、（３）の場合は、長軸と短軸の区別がないから、（長軸長／短軸長）は、便宜上１とみなす。
そして、特記しない限り、粒子の形状が特定の場合、例えば、上記粒子サイズの定義（１）の場合、平均粒子サイズは平均長軸長であり、同定義（２）の場合、平均粒子サイズは平均板径である。同定義（３）の場合、平均粒子サイズは、平均直径（平均粒径、平均粒子径ともいう）である。

磁性層における強磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。磁性層において強磁性粉末の充填率が高いことは、記録密度向上の観点から好ましい。

（結合剤）
上記磁気記録媒体は塗布型の磁気記録媒体であることができ、磁性層に結合剤を含むことができる。結合剤は、１種以上の樹脂である。結合剤としては、塗布型磁気記録媒体の結合剤として通常使用される各種樹脂を用いることができる。例えば、結合剤としては、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、スチレン、アクリロニトリル、メチルメタクリレート等を共重合したアクリル樹脂、ニトロセルロース等のセルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルキラール樹脂等から選ばれる樹脂を単独で用いるか、または複数の樹脂を混合して用いることができる。これらの中で好ましいものはポリウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、および塩化ビニル樹脂である。これらの樹脂は、ホモポリマーでもよく、コポリマー（共重合体）でもよい。これらの樹脂は、後述する非磁性層および／またはバックコート層においても結合剤として使用することができる。
以上の結合剤については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００２８〜００３１を参照できる。磁性層の結合剤の含有量は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、例えば１．０〜３０．０質量部であることができる。結合剤として使用される樹脂の平均分子量は、重量平均分子量として、例えば１０，０００以上２００，０００以下であることができる。本発明および本明細書における重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって、下記測定条件により測定された値をポリスチレン換算して求められる値である。後述の実施例に示す結合剤の重量平均分子量は、下記測定条件によって測定された値をポリスチレン換算して求めた値である。
ＧＰＣ装置：ＨＬＣ−８１２０（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ（東ソー社製、７．８ｍｍＩＤ（Ｉｎｎｅｒ Ｄｉａｍｅｔｅｒ）×３０．０ｃｍ）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）

（硬化剤）
結合剤として使用可能な樹脂とともに硬化剤を使用することもできる。硬化剤は、一形態では加熱により硬化反応（架橋反応）が進行する化合物である熱硬化性化合物であることができ、他の一形態では光照射により硬化反応（架橋反応）が進行する光硬化性化合物であることができる。硬化剤は、磁性層形成工程の中で硬化反応が進行することにより、少なくとも一部は、結合剤等の他の成分と反応（架橋）した状態で磁性層に含まれ得る。この点は、他の層を形成するために用いられる組成物が硬化剤を含む場合に、この組成物を用いて形成される層についても同様である。また、この点は、後述するフッ素含有化合物が反応性基を有する場合にも同様である。好ましい硬化剤は、熱硬化性化合物であり、ポリイソシアネートが好適である。ポリイソシアネートの詳細については、特開２０１１−２１６１４９号公報の段落０１２４〜０１２５を参照できる。磁性層形成用組成物の硬化剤の含有量は、結合剤１００．０質量部に対して例えば０〜８０．０質量部であることができ、磁性層の強度向上の観点からは５０．０〜８０．０質量部であることができる。

（添加剤）
磁性層には、必要に応じて１種以上の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、一例として、上記の硬化剤が挙げられる。また、磁性層に含まれる添加剤としては、非磁性粉末（例えば無機粉末、カーボンブラック等）、潤滑剤、分散剤、分散助剤、防黴剤、帯電防止剤、酸化防止剤等を挙げることができる。添加剤は、所望の性質に応じて市販品または公知の方法で製造されたものを適宜選択して使用することができる。例えば分散剤については、特開２０１２−１３３８３７号公報の段落００６１および００７１を参照できる。また、分散剤としては、例えば特開２０１５−２８８３０号公報に記載されているポリアルキレンイミン鎖およびポリエステル鎖を含む化合物を挙げることもできる。かかる化合物の詳細については、特開２０１５−２８８３０号公報の段落００２６〜００７１および同公報の実施例の記載を参照できる。ただし上記化合物は一例であって、添加剤としては、公知の各種添加剤を用いることができる。分散剤は、非磁性層形成用組成物に添加してもよい。非磁性層形成用組成物に添加し得る分散剤については、特開２０１２−１３３８３７号公報の段落００６１を参照できる。

フッ素含有化合物
上記磁気記録媒体は、非磁性支持体上の磁性層側の部分に、フッ素含有化合物を含むことが好ましい。本発明および本明細書において、「非磁性支持体上の磁性層側の部分」とは、非磁性支持体上に直接磁性層を有する磁気記録媒体については磁性層であり、非磁性支持体と磁性層との間に詳細を後述する非磁性層を有する磁気記録媒体については、磁性層および／または非磁性層である。以下において、「非磁性支持体上の磁性層側の部分」を、単に「磁性層側の部分」とも記載する。磁気記録媒体の磁性層側の表面上に存在していることも、磁性層側の部分に含まれることに包含される。フッ素含有化合物は潤滑剤として機能することができ、磁気記録媒体の磁性層側の表面と磁気ヘッドとの摺動時の摩擦係数低減に寄与し得るため、フッ素含有化合物が磁性層側の部分に含まれることは好ましい。

フッ素含有化合物とは、１分子あたり１つ以上のフッ素原子（Ｆ）を含有する化合物である。フッ素含有化合物としては、市販の化合物または公知の方法によって合成可能な化合物の１種を使用することができ、２種以上を任意の割合で混合して使用することもできる。フッ素原子は、例えば、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２等、−ＣＨ_２Ｆ等の含フッ素置換基等の各種形態でフッ素含有化合物に含まれ得る。また、フッ素含有化合物としては、架橋構造を形成可能な反応性基を有する化合物が好ましい。架橋構造を形成可能な反応性基としては、エポキシ基、イソシアネート基、ヒドロキシ基等を挙げることができる。かかる反応性基を有するフッ素含有化合物を磁性層形成用組成物の成分として使用することは、先に記載のＡの値を大きくすることに寄与し得る。磁気記録媒体の製造工程において上記反応性基が磁性層に含まれる他の成分（例えば結合剤）と架橋構造を形成することによって、フッ素含有化合物が磁性層の表面等に留まり易くなると考えられ、これにより、フッ素含有化合物が製造工程中に脱落することおよび／または後述するバックコート層側に転写されることを抑制できることがＡの値を大きくすることに寄与し得ると、本発明者は推察している。ただし推察に過ぎず、本発明を限定するものではない。

フッ素含有化合物は、１種または２種以上を磁気記録媒体の製造のために使用することができる。一形態では、磁性層形成用組成物の成分としてフッ素含有化合物を添加することによって、磁性層側の部分にフッ素含有化合物を含む磁気記録媒体を作製することができる。また、一形態では、フッ素含有化合物を含む塗布液を調製し、この塗布液を磁性層の表面に塗布（いわゆるオーバーコート）することによって、フッ素含有化合物を磁性層側の部分に存在させることができる。先に記載したＢの値の上昇を抑制する観点からは、前者の形態で磁気記録媒体を製造することが好ましい。前者の形態について、磁性層形成用組成物へのフッ素含有化合物の添加量によって、Ａの値および／またはＢの値を調整することができる。一形態では、磁性層形成用組成物へのフッ素含有化合物の添加量を多くするほど、Ａの値は大きくなる傾向があり、Ｂの値は小さくなる傾向がある。磁性層形成用組成物へのフッ素含有化合物の添加量は、例えば、強磁性粉末１００．０質量部に対して、０．１質量部以上８．０質量部以下、０．１質量部以上５．０質量部以下または０．１質量部以上３．０質量部以下であることができる。ただし、上記範囲は例示であって、フッ素含有化合物の種類等に応じて添加量を調整することができる。

また、潤滑剤として機能し得る化合物として、フッ素含有化合物に加えて、１種以上の他の化合物を用いて磁気記録媒体を作製することもできる。そのような化合物としては、脂肪酸およびその誘導体（例えば脂肪酸アミド、脂肪酸エステル等）からなる群から選択される１種以上の化合物を挙げることができる。上記化合物を含む磁性層形成用組成物および／または非磁性層形成用組成物を用いることにより、磁性層側の部分に上記化合物を含む磁気記録媒体を作製することができる。
脂肪酸としては、例えば、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、ベヘン酸、エルカ酸、エライジン酸等を挙げることができ、ステアリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸が好ましく、ステアリン酸がより好ましい。脂肪酸は、金属塩等の塩の形態で磁性層側の部分に含まれていてもよい。
脂肪酸アミドとしては、上記の各種脂肪酸のアミド、例えば、ラウリン酸アミド、ミリスチン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステアリン酸アミド等を挙げることができる。
脂肪酸エステルとしては、上記の各種脂肪酸のエステル、例えば、ミリスチン酸ブチル、パルミチン酸ブチル、ステアリン酸ブチル（ブチルステアレート）、ネオペンチルグリコールジオレエート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンジステアレート、ソルビタントリステアレート、オレイン酸オレイル、ステアリン酸イソセチル、ステアリン酸イソトリデシル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸ブトキシエチル等を挙げることができる。
脂肪酸量は、磁性層形成用組成物（または磁性層；以下同様）における含有量として、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０．１〜１０.０質量部であり、好ましくは０．５〜７．０質量部である。
非磁性層形成用組成物（または非磁性層；以下同様）中の脂肪酸含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば１．０〜１０．０質量部であり、好ましくは０．５〜７．０質量部である。
磁性層形成用組成物中の脂肪酸アミド含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜３．０質量部であり、好ましくは０．１〜３.０質量部であり、より好ましくは０．１〜１．０質量部である。
非磁性層形成用組成物中の脂肪酸アミド含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０．１〜３．０質量部であり、好ましくは０．１〜１．０質量部である。
磁性層形成用組成物中の脂肪酸エステル含有量は、強磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０.０質量部であり、好ましくは１．０〜７．０質量部である。
非磁性層形成用組成物中の脂肪酸エステル含有量は、非磁性粉末１００．０質量部あたり、例えば０〜１０．０質量部であり、好ましくは１．０〜７．０質量部である。

以上説明した磁性層は、非磁性支持体表面上に直接、または非磁性層を介して間接的に、設けることができる。

＜非磁性層＞
上記磁気記録媒体は、非磁性支持体表面上に直接磁性層を有していてもよく、非磁性支持体と磁性層との間に非磁性粉末を含む非磁性層を有していてもよい。非磁性層に含まれる非磁性粉末は、無機粉末でも有機粉末でもよい。また、カーボンブラック等も使用できる。無機粉末としては、例えば金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、金属硫化物等の粉末が挙げられる。これらの非磁性粉末は、市販品として入手可能であり、公知の方法で製造することもできる。その詳細については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００３６〜００３９を参照できる。非磁性層における非磁性粉末の含有量（充填率）は、好ましくは５０〜９０質量％の範囲であり、より好ましくは６０〜９０質量％の範囲である。

非磁性層は、非磁性粉末を含み、非磁性粉末とともに結合剤を含むこともできる。非磁性層の結合剤、添加剤等のその他詳細は、非磁性層に関する公知技術が適用できる。また、例えば、結合剤の種類および含有量、添加剤の種類および含有量等に関しては、磁性層に関する公知技術も適用できる。

本発明および本明細書において、非磁性層には、非磁性粉末とともに、例えば不純物として、または意図的に、少量の強磁性粉末を含む実質的に非磁性な層も包含されるものとする。ここで実質的に非磁性な層とは、この層の残留磁束密度が１０ｍＴ以下であるか、保磁力が１００Ｏｅ以下であるか、または、残留磁束密度が１０ｍＴ以下であり、かつ保磁力が１００Ｏｅ以下である層をいうものとする。非磁性層は、残留磁束密度および保磁力を持たないことが好ましい。

＜バックコート層＞
上記磁気記録媒体は、非磁性支持体の磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有することもできる。バックコート層は、カーボンブラックおよび無機粉末の一方または両方を含有することができる。

バックコート層は、非磁性粉末を含み、結合剤を含むことができ、１種以上の添加剤を含むこともできる。バックコート層の結合剤および添加剤については、バックコート層に関する公知技術を適用することができ、磁性層および／または非磁性層の処方に関する公知技術を適用することもできる。例えば、特開２００６−３３１６２５号公報の段落００１８〜００２０および米国特許第７，０２９，７７４号明細書の第４欄６５行目〜第５欄３８行目の記載を、バックコート層について参照できる。

＜非磁性支持体＞
次に、非磁性支持体について説明する。非磁性支持体（以下、単に「支持体」とも記載する。）としては、二軸延伸を行ったポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、芳香族ポリアミド等のポリアミド、ポリアミドイミド等の公知のものが挙げられる。これらの中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびポリアミドが好ましい。これらの支持体には、あらかじめコロナ放電、プラズマ処理、易接着処理、加熱処理等を行ってもよい。

＜各種厚み＞
非磁性支持体の厚みは、好ましくは３．００〜６．００μｍであり、より好ましくは３．００〜４．５０μｍである。
磁性層の厚みは、用いる磁気ヘッドの飽和磁化、ヘッドギャップ長、記録信号の帯域等に応じて最適化することができる。磁性層の厚みは、例えば１０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、高密度記録化の観点から、好ましくは２０ｎｍ〜１２０ｎｍであり、更に好ましくは３０ｎｍ〜１００ｎｍである。磁性層は少なくとも一層あればよく、磁性層を異なる磁気特性を有する２層以上に分離してもかまわず、公知の重層磁性層に関する構成が適用できる。２層以上に分離する場合の磁性層の厚みとは、これらの層の合計厚みとする。
非磁性層の厚みは、例えば０．０１〜３．００μｍであり、０．０５〜２．００μｍであることが好ましく、０．０５〜１．５０μｍであることが更に好ましい。
バックコート層の厚みは、０．９０μｍ以下であることが好ましく、０．１０〜０．７０μｍであることが更に好ましい。
磁気記録媒体の各層および非磁性支持体の厚みは、公知の膜厚測定法により求めることができる。一例として、例えば、磁気記録媒体の厚み方向の断面を、イオンビーム、ミクロトーム等の公知の手法により露出させた後、露出した断面において透過型電子顕微鏡または走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行う。断面観察において１箇所において求められた厚み、または無作為に抽出した２箇所以上の複数箇所、例えば２箇所、において求められた厚みの算術平均として、各種厚みを求めることができる。または、各層の厚みは、製造条件から算出される設計厚みとして求めてもよい。

＜製造工程＞
磁性層、非磁性層およびバックコート層を形成するための組成物は、先に説明した各種成分とともに、通常、溶剤を含む。溶剤としては、塗布型磁気記録媒体を製造するために一般に使用される各種有機溶剤の１種または２種以上を用いることができる。具体的には、任意の比率でアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、テトラヒドロフラン等のケトン系溶剤、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、メチルシクロヘキサノール等のアルコール系溶剤、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸イソプロピル、乳酸エチル、酢酸グリコール等のエステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコールモノエチルエーテル、ジオキサン等のグリコールエーテル系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン、クレゾール、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロロヒドリン、ジクロロベンゼン等の塩素化炭化水素系溶剤、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ヘキサン等を使用することができる。中でも、塗布型磁気記録媒体に通常使用される結合剤の溶解性の観点からは磁性層形成用組成物には、ケトン系溶剤の一種以上が含まれることが好ましい。一形態では、磁性層形成用組成物の調製のための溶剤として、１種または２種以上の溶剤と、これら溶剤より低沸点のフッ素系溶剤とを併用することができる。このようにフッ素系溶剤を含む複数の溶剤を併用することは、先に記載したＡの値を大きくすること、および／または、先に記載したＢの値を小さくすることに寄与し得ると考えられる。詳しくは、磁気記録媒体の製造工程で行われる乾燥処理によって磁性層形成用組成物の塗布層を乾燥させる際、上記フッ素系溶剤の揮発時にフッ素含有化合物のブリードアウトが促進されてフッ素含有化合物が磁性層の表面を含む極表層部に偏在し易くなるのではないかと本発明者は推察している。ただし推察に過ぎず、かかる推察に本発明は限定されない。ブリードアウトをより促進する観点からは、併用される溶剤より低沸点のフッ素系溶剤は、強磁性粉末１００．０質量部に対して、５．０質量部以上２０．０質量部以下の量で磁性層形成用組成物の調製時に使用することが好ましい。また、その使用量は、併用される溶剤量より少量であることが好ましい。併用される溶剤量（２種以上使用される場合はそれらの合計量）は、例えば、強磁性粉末１００．０質量部に対して、１００．０質量部以上または２００．０質量部以上であることができ、また、８００．０質量部以下または６００質量部以下であることができる。一形態では、併用される溶剤より低沸点のフッ素系溶剤の沸点は、５０℃以上７０℃以下であることができ、併用される溶剤の沸点は７５℃以上２００℃以下であることができる。ただし、上記磁気記録媒体を製造するために磁性層形成用組成物の調製に使用される溶剤の沸点は上記範囲に限定されるものではない。尚、本発明および本明細書において、沸点とは、１気圧（１気圧は１０１３２５Ｐａ（パスカル））における沸点をいう。フッ素系溶剤の具体例としては、３Ｍ社製Ｎｏｖｅｃシリーズ等を挙げることができる。ただし、これに限定されず、各種フッ素系溶剤の１種または２種以上を用いることができる。

各層形成用組成物を調製する工程は、通常、少なくとも混練工程、分散工程、およびこれらの工程の前後に必要に応じて設けた混合工程を含むことができる。個々の工程はそれぞれ２段階以上に分かれていてもかまわない。各層形成用組成物の調製に用いられる各種成分は、どの工程の最初または途中で添加してもよい。また、個々の成分を２つ以上の工程で分割して添加してもよい。

各層形成用組成物を調製するためには、公知技術を用いることができる。混練工程では、オープンニーダ、連続ニーダ、加圧ニーダ、エクストルーダ等の強い混練力をもつニーダを使用することが好ましい。これらの混練処理の詳細については、特開平１−１０６３３８号公報および特開平１−７９２７４号公報に記載されている。また、各層形成用組成物を分散させるためには、分散メディアとして、ガラスビーズおよびその他の分散ビーズからなる群から選ばれる１種以上の分散ビーズを用いることができる。このような分散ビーズとしては、高比重の分散ビーズであるジルコニアビーズ、チタニアビーズ、およびスチールビーズが好適である。これら分散ビーズの粒径（ビーズ径）および充填率は最適化して用いることができる。分散機は公知のものを使用することができる。各層形成用組成物は、塗布工程に付す前に公知の方法によってろ過してもよい。ろ過は、例えばフィルタろ過によって行うことができる。ろ過に用いるフィルタとしては、例えば孔径０．０１〜３μｍのフィルタ（例えばガラス繊維製フィルタ、ポリプロピレン製フィルタ等）を用いることができる。

磁性層は、磁性層形成用組成物を、例えば、非磁性支持体上に直接塗布するか、または非磁性層形成用組成物と逐次もしくは同時に重層塗布することにより形成することができる。バックコート層は、バックコート層形成用組成物を、非磁性支持体の磁性層を有する（または磁性層が追って設けられる）側とは反対側に塗布することにより形成することができる。各層形成のための塗布の詳細については、特開２０１０−２４１１３号公報の段落００５１を参照できる。

塗布工程後には、乾燥処理、磁性層の配向処理、表面平滑化処理（カレンダ処理）等の各種処理を行うことができる。各種工程については、例えば特開２０１０−２４１１３号公報の段落００５２〜００５７等の公知技術を参照できる。

例えば、磁性層形成用組成物の塗布層には、この塗布層が湿潤状態にあるうちに配向処理を施すことができる。配向処理については、特開２０１０−２３１８４３号公報の段落００６７の記載をはじめとする各種公知技術を適用することができる。例えば、垂直配向処理は、異極対向磁石を用いる方法等の公知の方法によって行うことができる。配向ゾーンでは、乾燥風の温度、風量および／または配向ゾーンにおける上記塗布層を形成した非磁性支持体の搬送速度によって塗布層の乾燥速度を制御することができる。また、配向ゾーンに搬送する前に塗布層を予備乾燥させてもよい。配向条件を強化すると、磁気記録媒体の角型比の値は大きくなる傾向がある。磁気記録媒体の角型比は、配向処理の有無、配向処理の配向条件等によって制御することができる。配向条件としては、配向処理に用いる磁石の強度、磁場印加時間等が挙げられる。

一形態では、上記磁気記録媒体の垂直方向角型比は、０．６０以上であることができ、０．６３以上であることが好ましく、０．６５以上であることがより好ましい。垂直方向角型比の最大値は、原理上１．００である。したがって、上記磁気記録媒体の垂直方向角型比は、１．００以下であり、０．９５以下、０．９０以下、０．８５以下、０．８０以下、０．７５以下または０．７０以下であることができる。垂直方向角型比の値が大きいことは、電磁変換特性の更なる向上の観点から好ましい。

本発明および本明細書において、磁気記録媒体の垂直方向角型比は、磁気記録媒体の垂直方向において測定される角型比である。垂直方向とは、磁気記録媒体の表面と直交する方向であり、厚み方向ということもできる。垂直方向角型比は、垂直方向Ｍ−Ｈ曲線から求められる。また、本発明および本明細書において、方向および角度に関する記載（例えば直交）には、本発明が属する技術分野において許容される誤差の範囲を含むものとする。上記誤差の範囲とは、例えば、厳密な角度±１０°未満の範囲を意味し、厳密な角度±５°以内であることが好ましく、±３°以内であることがより好ましい。
垂直方向角型比は、振動試料型磁力計において磁気記録媒体に外部磁場を磁場強度−１１９７ｋＡ／ｍ〜１１９７ｋＡ／ｍの範囲で掃引して行われる測定により求められる。磁場強度に関して、単位Ｏｅ（エルステッド）のＳＩ単位Ａ／ｍへの換算係数は１０^３／４πである。−１１９７ｋＡ／ｍ〜１１９７ｋＡ／ｍの範囲は−１５ｋＡＯｅ〜１５ｋＯｅの範囲と同義である。本発明および本明細書において、振動試料型磁力計を用いて行われる測定は、２４℃±１℃の測定温度において行われる。外部磁場の掃引は、測定対象の磁気記録媒体から切り出した測定用試料を用いて、後述の表４に示す掃引条件にしたがい、各ステップでの平均数＝１で行われる。こうして外部磁場を掃引することにより、磁場強度−１１９７ｋＡ／ｍ〜１１９７ｋＡ／ｍの範囲でヒステリシス曲線（「Ｍ−Ｈ曲線」と呼ばれる。）が得られる。外部磁場の印加方向と測定用試料の表面とが直交するように測定用試料を振動試料型磁力計に配置して行われる測定によって得られるＭ−Ｈ曲線を、「垂直方向Ｍ−Ｈ曲線」と呼ぶ。測定値は、振動試料型磁力計のサンプルプローブの磁化をバックグラウンドノイズとして差し引いた値として得るものとする。また、角型比は、反磁界補正なしの角型比である。振動試料型磁力計（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ Ｓａｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ；ＶＳＭ）としては、後述の実施例で使用した装置等の公知の装置を用いることができる。測定用試料は、こうして得られるＭ−Ｈ曲線から求められる飽和磁化が５×１０^−６〜１０×１０^−６Ａ・ｍ^２（５×１０^−３〜１０×１０^−３ｅｍｕ）の範囲のものであればよく、この範囲の飽和磁化が得られる限りサイズおよび形状は限定されない。

また、カレンダ処理については、カレンダ条件を強化すると、磁気記録媒体の磁性層の表面のＲａの値は小さくなる傾向がある。カレンダ条件としては、カレンダ圧力、カレンダ温度（カレンダロールの表面温度）、カレンダ速度、カレンダロールの硬度等が挙げられ、カレンダ圧力、カレンダ温度およびカレンダロールの硬度は、これらの値を大きくするほどカレンダ処理は強化され、カレンダ速度は遅くするほどカレンダ処理は強化される。例えば、カレンダ圧力（線圧）は２００〜５００ｋＮ／ｍであることができ、２５０〜３５０ｋＮ／ｍであることが好ましい。カレンダ温度（カレンダロールの表面温度）は、例えば８５〜１２０℃であることができ、９０〜１１０℃であることが好ましく、９５〜１１０℃であることがより好ましい。カレンダ速度は、例えば５０〜３００ｍ／ｍｉｎであることができ、５０〜２００ｍ／ｍｉｎであることが好ましい。

本発明の一態様にかかる磁気記録媒体は、テープ状の磁気記録媒体（磁気テープ）であることができ、ディスク状の磁気記録媒体（磁気ディスク）であることもできる。例えば磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジに収容され、磁気テープカートリッジが磁気記録再生装置に装着される。磁気記録媒体には、磁気記録再生装置においてヘッドトラッキングを行うことを可能とするために、公知の方法によってサーボパターンを形成することもできる。「サーボパターンの形成」は、「サーボ信号の記録」ということもできる。以下に、磁気テープを例として、サーボパターンの形成について説明する。

サーボパターンは、通常、磁気テープの長手方向に沿って形成される。サーボ信号を利用する制御（サーボ制御）の方式としては、タイミングベースサーボ（ＴＢＳ）、アンプリチュードサーボ、周波数サーボ等が挙げられる。

ＥＣＭＡ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）―３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示される通り、ＬＴＯ（Ｌｉｎｅａｒ Ｔａｐｅ−Ｏｐｅｎ）仕様に準拠した磁気テープ（一般に「ＬＴＯテープ」と呼ばれる。）では、タイミングベースサーボ方式が採用されている。このタイミングベースサーボ方式において、サーボパターンは、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（「サーボストライプ」とも呼ばれる。）が、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置されることによって構成されている。上記のように、サーボパターンが互いに非平行な一対の磁気ストライプにより構成される理由は、サーボパターン上を通過するサーボ信号読み取り素子に、その通過位置を教えるためである。具体的には、上記の一対の磁気ストライプは、その間隔が磁気テープの幅方向に沿って連続的に変化するように形成されており、サーボ信号読み取り素子がその間隔を読み取ることによって、サーボパターンとサーボ信号読み取り素子との相対位置を知ることができる。この相対位置の情報が、データトラックのトラッキングを可能にする。そのために、サーボパターン上には、通常、磁気テープの幅方向に沿って、複数のサーボトラックが設定されている。

サーボバンドは、磁気テープの長手方向に連続するサーボ信号により構成される。このサーボバンドは、通常、磁気テープに複数本設けられる。例えば、ＬＴＯテープにおいて、その数は５本である。隣接する２本のサーボバンドに挟まれた領域は、データバンドと呼ばれる。データバンドは、複数のデータトラックで構成されており、各データトラックは、各サーボトラックに対応している。

また、一態様では、特開２００４−３１８９８３号公報に示されているように、各サーボバンドには、サーボバンドの番号を示す情報（「サーボバンドＩＤ（ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）」または「ＵＤＩＭ（Ｕｎｉｑｕｅ ＤａｔａＢａｎｄ Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｍｅｔｈｏｄ）情報」とも呼ばれる。）が埋め込まれている。このサーボバンドＩＤは、サーボバンド中に複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のものを、その位置が磁気テープの長手方向に相対的に変位するように、ずらすことによって記録されている。具体的には、複数ある一対のサーボストライプのうちの特定のもののずらし方を、サーボバンド毎に変えている。これにより、記録されたサーボバンドＩＤはサーボバンド毎にユニークなものとなるため、一つのサーボバンドをサーボ信号読み取り素子で読み取るだけで、そのサーボバンドを一意に（ｕｎｉｑｕｅｌｙ）特定することができる。

尚、サーボバンドを一意に特定する方法には、ＥＣＭＡ―３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示されているようなスタッガード方式を用いたものもある。このスタッガード方式では、磁気テープの長手方向に連続的に複数配置された、互いに非平行な一対の磁気ストライプ（サーボストライプ）の群を、サーボバンド毎に磁気テープの長手方向にずらすように記録する。隣接するサーボバンド間における、このずらし方の組み合わせは、磁気テープ全体においてユニークなものとされているため、２つのサーボ信号読み取り素子によりサーボパターンを読み取る際に、サーボバンドを一意に特定することも可能となっている。

また、各サーボバンドには、ＥＣＭＡ―３１９（Ｊｕｎｅ ２００１）に示されている通り、通常、磁気テープの長手方向の位置を示す情報（「ＬＰＯＳ（Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎ）情報」とも呼ばれる。）も埋め込まれている。このＬＰＯＳ情報も、ＵＤＩＭ情報と同様に、一対のサーボストライプの位置を、磁気テープの長手方向にずらすことによって記録されている。ただし、ＵＤＩＭ情報とは異なり、このＬＰＯＳ情報では、各サーボバンドに同じ信号が記録されている。

上記のＵＤＩＭ情報およびＬＰＯＳ情報とは異なる他の情報を、サーボバンドに埋め込むことも可能である。この場合、埋め込まれる情報は、ＵＤＩＭ情報のようにサーボバンド毎に異なるものであってもよいし、ＬＰＯＳ情報のようにすべてのサーボバンドに共通のものであってもよい。
また、サーボバンドに情報を埋め込む方法としては、上記以外の方法を採用することも可能である。例えば、一対のサーボストライプの群の中から、所定の対を間引くことによって、所定のコードを記録するようにしてもよい。

サーボパターン形成用ヘッドは、サーボライトヘッドと呼ばれる。サーボライトヘッドは、上記一対の磁気ストライプに対応した一対のギャップを、サーボバンドの数だけ有する。通常、各一対のギャップには、それぞれコアとコイルが接続されており、コイルに電流パルスを供給することによって、コアに発生した磁界が、一対のギャップに漏れ磁界を生じさせることができる。サーボパターンの形成の際には、サーボライトヘッド上に磁気テープを走行させながら電流パルスを入力することによって、一対のギャップに対応した磁気パターンを磁気テープに転写させて、サーボパターンを形成することができる。各ギャップの幅は、形成されるサーボパターンの密度に応じて適宜設定することができる。各ギャップの幅は、例えば、１μｍ以下、１〜１０μｍ、１０μｍ以上等に設定可能である。

磁気テープにサーボパターンを形成する前には、磁気テープに対して、通常、消磁（イレース）処理が施される。このイレース処理は、直流磁石または交流磁石を用いて、磁気テープに一様な磁界を加えることによって行うことができる。イレース処理には、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）イレースとがある。ＡＣイレースは、磁気テープに印加する磁界の方向を反転させながら、その磁界の強度を徐々に下げることによって行われる。一方、ＤＣイレースは、磁気テープに一方向の磁界を加えることによって行われる。ＤＣイレースには、更に２つの方法がある。第一の方法は、磁気テープの長手方向に沿って一方向の磁界を加える、水平ＤＣイレースである。第二の方法は、磁気テープの厚み方向に沿って一方向の磁界を加える、垂直ＤＣイレースである。イレース処理は、磁気テープ全体に対して行ってもよいし、磁気テープのサーボバンド毎に行ってもよい。

形成されるサーボパターンの磁界の向きは、イレースの向きに応じて決まる。例えば、磁気テープに水平ＤＣイレースが施されている場合、サーボパターンの形成は、磁界の向きがイレースの向きと反対になるように行われる。これにより、サーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号の出力を、大きくすることができる。尚、特開２０１２−５３９４０号公報に示されている通り、垂直ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、単極パルス形状となる。一方、水平ＤＣイレースされた磁気テープに、上記ギャップを用いた磁気パターンの転写を行った場合、形成されたサーボパターンが読み取られて得られるサーボ信号は、双極パルス形状となる。

磁気テープは、通常、磁気テープカートリッジに収容され、磁気テープカートリッジが磁気記録再生装置に装着される。

［磁気テープカートリッジ］
本発明の一態様は、テープ状の上記磁気記録媒体（即ち磁気テープ）を含む磁気テープカートリッジに関する。

上記磁気テープカートリッジに含まれる磁気テープの詳細は、先に記載した通りである。

磁気テープカートリッジでは、一般に、カートリッジ本体内部に磁気テープがリールに巻き取られた状態で収容されている。リールは、カートリッジ本体内部に回転可能に備えられている。磁気テープカートリッジとしては、カートリッジ本体内部にリールを１つ具備する単リール型の磁気テープカートリッジおよびカートリッジ本体内部にリールを２つ具備する双リール型の磁気テープカートリッジが広く用いられている。単リール型の磁気テープカートリッジは、磁気テープへのデータの記録および／または再生のために磁気記録再生装置に装着されると、磁気テープカートリッジから磁気テープが引き出されて磁気記録再生装置側のリールに巻き取られる。磁気テープカートリッジから巻き取りリールまでの磁気テープ搬送経路には、磁気ヘッドが配置されている。磁気テープカートリッジ側のリール（供給リール）と磁気記録再生装置側のリール（巻き取りリール）との間で、磁気テープの送り出しと巻き取りが行われる。この間、磁気ヘッドと磁気テープの磁性層側の表面とが接触し摺動することにより、データの記録および／または再生が行われる。これに対し、双リール型の磁気テープカートリッジは、供給リールと巻き取りリールの両リールが、磁気テープカートリッジ内部に具備されている。上記磁気テープカートリッジは、単リール型および双リール型のいずれの磁気テープカートリッジであってもよい。上記磁気テープカートリッジは、本発明の一態様にかかる磁気テープを含むものであればよく、その他については公知技術を適用することができる。

［磁気記録再生装置］
本発明の一態様は、上記磁気記録媒体を含む磁気記録再生装置に関する。

本発明および本明細書において、「磁気記録再生装置」とは、磁気記録媒体へのデータの記録および磁気記録媒体に記録されたデータの再生の少なくとも一方を行うことができる装置を意味するものとする。かかる装置は、一般にドライブと呼ばれる。上記磁気記録再生装置は、摺動型の磁気記録再生装置であることができる。摺動型の磁気記録再生装置とは、磁気記録媒体へのデータの記録および／または記録されたデータの再生を行う際に磁性層側の表面と磁気ヘッドとが接触し摺動する装置をいう。例えば、上記磁気記録再生装置は、上記磁気テープカートリッジを着脱可能に含むことができる。

上記磁気記録再生装置は磁気ヘッドを含むことができる。磁気ヘッドは、磁気記録媒体へのデータの記録を行うことができる記録ヘッドであることができ、磁気記録媒体に記録されたデータの再生を行うことができる再生ヘッドであることもできる。また、上記磁気記録再生装置は、一態様では、別々の磁気ヘッドとして、記録ヘッドと再生ヘッドの両方を含むことができる。他の一態様では、上記磁気記録再生装置に含まれる磁気ヘッドは、データの記録のための素子（記録素子）とデータの再生のための素子（再生素子）の両方を１つの磁気ヘッドに備えた構成を有することもできる。以下において、データの記録のための素子および再生のための素子を、「データ用素子」と総称する。再生ヘッドとしては、磁気記録媒体に記録されたデータを感度よく読み取ることができる磁気抵抗効果型（ＭＲ；Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を再生素子として含む磁気ヘッド（ＭＲヘッド）が好ましい。ＭＲヘッドとしては、ＡＭＲ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド、ＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド、ＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）ヘッド等の公知の各種ＭＲヘッドを用いることができる。また、データの記録および／またはデータの再生を行う磁気ヘッドには、サーボ信号読み取り素子が含まれていてもよい。または、データの記録および／またはデータの再生を行う磁気ヘッドとは別のヘッドとして、サーボ信号読み取り素子を備えた磁気ヘッド（サーボヘッド）が上記磁気記録再生装置に含まれていてもよい。例えば、データの記録および／または記録されたデータの再生を行う磁気ヘッド（以下、「記録再生ヘッド」とも呼ぶ。）は、サーボ信号読み取り素子を２つ含むことができ、２つのサーボ信号読み取り素子のそれぞれが、隣接する２つのサーボバンドを同時に読み取ることができる。２つのサーボ信号読み取り素子の間に、１つまたは複数のデータ用素子を配置することができる。

上記磁気記録再生装置において、磁気記録媒体へのデータの記録および／または磁気記録媒体に記録されたデータの再生は、磁気記録媒体の磁性層側の表面と磁気ヘッドとを接触させて摺動させることにより行うことができる。上記磁気記録再生装置は、本発明の一態様にかかる磁気記録媒体を含むものであればよく、その他については公知技術を適用することができる。

例えば、データの記録および／または記録されたデータの再生の際には、まず、サーボ信号を用いたトラッキングが行われる。すなわち、サーボ信号読み取り素子を所定のサーボトラックに追従させることによって、データ用素子が、目的とするデータトラック上を通過するように制御される。データトラックの移動は、サーボ信号読み取り素子が読み取るサーボトラックを、テープ幅方向に変更することにより行われる。
また、記録再生ヘッドは、他のデータバンドに対する記録および／または再生を行うことも可能である。その際には、先に記載したＵＤＩＭ情報を利用してサーボ信号読み取り素子を所定のサーボバンドに移動させ、そのサーボバンドに対するトラッキングを開始すればよい。

以下に、本発明を実施例により更に具体的に説明する。ただし本発明は、実施例に示す実施形態に限定されるものではない。以下に記載の「部」および「％」は、特記しない限り、「質量部」および「質量％」を示す。下記工程および評価は、特記しない限り、特記しない限り、室温（２０〜２５℃）の大気中で行った。以下に記載の「ｅｑ」は、当量（ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ）であり、ＳＩ単位に換算不可の単位である。

［実施例１］
１．アルミナ分散物（研磨剤液）の調製
アルファ化率約６５％、ＢＥＴ（Ｂｒｕｎａｕｅｒ−Ｅｍｍｅｔｔ−Ｔｅｌｌｅｒ）比表面積２０ｍ^２／ｇのアルミナ粉末（住友化学社製ＨＩＴ−８０）１００．０部に対し、３．０部の２，３−ジヒドロキシナフタレン（東京化成社製）、極性基としてＳＯ_３Ｎａ基を有するポリエステルポリウレタン樹脂（東洋紡社製ＵＲ−４８００（極性基量：８０ｍｅｑ／ｋｇ））の３２％溶液（溶剤はメチルエチルケトンとトルエンの混合溶剤）を３１．３部、溶剤としてメチルエチルケトンとシクロヘキサノン１：１（質量比）の混合溶液５７０．０部を混合し、ジルコニアビーズ存在下で、ペイントシェーカーにより５時間分散させた。分散後、メッシュにより分散液とビーズとを分け、アルミナ分散物を得た。

２．磁性層形成用組成物の処方
（磁性液）
強磁性粉末（種類：表５参照） １００．０部
ＳＯ_３Ｎａ基含有塩化ビニル共重合体 １０．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ_３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 ４．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ_３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
フッ素含有化合物（種類および含有量：表５参照）
特開２０１５−２８８３０号公報に記載の合成例２２に記載の方法で得られたポリアルキレンイミン誘導体（Ｊ−２） １０．０部
シクロヘキサノン １５０．０部
メチルエチルケトン １７０．０部
フッ素系溶剤（種類および含有量：表５参照）
（研磨剤液）
上記１．で調製したアルミナ分散物 ６．０部
（その他成分）
コロイダルシリカ ２．０部
平均粒子サイズ：１００ｎｍ
ステアリン酸 ２．０部
ブチルステアレート ６．０部
ポリイソシアネート（東ソー社製コロネート（登録商標）） ２．５部
（仕上げ添加溶剤）
シクロヘキサノン ３００．０部
メチルエチルケトン １４０．０部

３．非磁性層形成用組成物の処方
カーボンブラック １００．０部
平均粒子サイズ：２０ｎｍ
ＳＯ_３Ｎａ基含有塩化ビニル共重合体 １０．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ_３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
ＳＯ_３Ｎａ基含有ポリウレタン樹脂 ４．０部
重量平均分子量：７０，０００、ＳＯ_３Ｎａ基：０．２ｍｅｑ／ｇ
トリオクチルアミン ５．０部
フェニルホスホン １．０部
ステアリン酸 ２．０部
ブチルステアレート ２．０部
シクロヘキサノン ４５０．０部
メチルエチルケトン ４５０．０部

４．バックコート層形成用組成物の処方
非磁性無機粉末：α−酸化鉄 ８０．０部
平均粒子サイズ（平均長軸長）：０．１５μｍ、平均針状比：７、ＢＥＴ比表面積：５２ｍ^２／ｇ
カーボンブラック ２０．０部
平均粒子サイズ：２０ｎｍ
塩化ビニル共重合体 １３．０部
スルホン酸塩基含有ポリウレタン樹脂 ６．０部
フェニルホスホン酸 ３．０部
シクロヘキサノン ３５５．０部
メチルエチルケトン １５５．０部
ステアリン酸 ３．０部
ブチルステアレート ３．０部
ポリイソシアネート ５．０部

５．各層形成用組成物の調製
磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
上記磁性液の各種成分をホモジナイザーを用いて混合し、その後連続式横型ビーズミルによってビーズ径０．０５ｍｍのジルコニアビーズを用いて１０分間ビーズ分散して磁性液を調製した。
上記ビーズミルを用いて、上記磁性液を、上記研磨剤液、その他成分および仕上げ添加溶剤と混合した後、バッチ式超音波装置（２０ｋＨｚ、３００Ｗ）で０．５分間処理（超音波分散）を行った。その後、０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過を行い、磁性層形成用組成物を調製した。
非磁性層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
ステアリン酸およびブチルステアレートを除いた各種成分を、バッチ式縦型サンドミルを用いて１２時間分散して分散液を得た。分散ビーズとしてはビーズ径０．１ｍｍのジルコニアビーズを使用した。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディスパーで撹拌した。こうして得られた分散液を０．５μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過し、非磁性層用組成物を調製した。
バックコート層形成用組成物を、以下の方法により調製した。
ステアリン酸、ブチルステアレート、ポリイソシアネートおよびシクロヘキサノンを除いた各種成分をオープンニーダにより混錬および希釈した後、横型ビーズミルにより、ビーズ径１ｍｍのジルコニアビーズを用い、ビーズ充填率８０体積％、ローター先端周速１０ｍ／秒にて、１パスあたりの滞留時間を２分とし、１２パスの分散処理を行った。その後、得られた分散液に残りの成分を添加し、ディスパーで撹拌した。こうして得られた分散液を１μｍの孔径を有するフィルタを用いてろ過しバックコート層形成用組成物を調製した。

６．磁気テープの作製
厚み３．６０μｍのアラミド製支持体の表面上に、乾燥後の厚みが０．１０μｍになるように上記５．で調製した非磁性層形成用組成物を塗布し乾燥させて非磁性層を形成した。形成した非磁性層表面上に、乾燥後の厚みが７０ｎｍになるように上記５．で調製した磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した後、この塗布層を乾燥させた。ここでは垂直配向処理は行わなかった。
その後、上記アラミド製支持体の非磁性層および磁性層を形成した表面とは反対の表面上に乾燥後の厚みが０．４０μｍになるように上記５．で調製したバックコート層形成用組成物を塗布し乾燥させた。
その後、金属ロールのみから構成されるカレンダロールによって、速度１００ｍ／秒、線圧３００ｋｇ／ｃｍ（２９４ｋＮ／ｍ）、表５に示すカレンダ温度（カレンダロールの表面温度）で表面平滑化処理（カレンダ処理）を行った。
その後、雰囲気温度７０℃の環境で３６時間熱処理を行った後に１／２インチ（０．０１２７メートル）幅にスリットし、磁気テープを得た。
上記各層の厚みは、製造条件から算出された設計厚みである。

［実施例２〜６、８〜１２、比較例１〜９、１１〜１３］
表５に示す項目を表５に示すように変更した点以外、実施例１と同様に磁気テープを作製した。
表５中、フッ素含有化合物の欄に記載されている「ＸＳ−Ｓ」、「ＸＣ−ＳＬ」、「ＸＩＨ１６０８２６」は、それぞれ野田スクリーン社からフッ素樹脂添加剤として商品名「フルオリペールＸＳ−Ｓ」、「フルオリペールＸＣ−ＳＬ」、「ネオフルオリペールＸＩＨ１６０８２６」で市販されている市販品である。これらは、フッ素含有化合物を濃度５質量％で含む溶液である（溶剤：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートメトキシプロピルアセテート）。磁性液の調製において、各溶液を、磁性液におけるフッ素含有化合物量が表５に記載の値となる液量で使用した。また、商品名「ネオフルオリペールＸＩＨ１６０８２６」に含まれるフッ素含有化合物はエポキシ基を有する化合物である。一方、商品名「フルオリペールＸＳ−Ｓ」および「フルオリペールＸＣ−ＳＬ」は、架橋構造を形成可能な反応性基を有さないフッ素含有化合物を含む。
表５中、フッ素系溶剤の種類の欄に記載されている「Ｎｏｖｅｃ７１００」は、３Ｍ社から高機能性液体として商品名「Ｎｏｖｅｃ７１００」で市販されているフッ素系溶剤を示す。

［実施例７］
磁性層形成用組成物を塗布して塗布層を形成した後、この塗布層が未乾燥状態にあるうちに磁場強度０．４Ｔの磁場を、塗布層の表面に対し垂直方向に印加し垂直配向処理を行い、その後塗布層を乾燥させた点以外、実施例３と同様に磁気テープを作製した。
表５中、「垂直配向処理」の欄には、実施例１と同様に垂直配向処理を行わなかった実施例および比較例については「なし」と記載し、垂直配向処理を行った実施例７については「あり」と記載した。

［比較例１０］
以下の点以外、実施例１と同様に磁気テープを作製した。
フッ素含有化合物およびフッ素系溶剤を添加せずに磁性液を調製した
カレンダ処理後の磁性層表面に、ワイヤーバーによって野田スクリーン社製商品名「ネオフルオリペールＸＩＨ１６０８２６」を塗布し（即ちオーバーコートし）、乾燥させた。オーバーコートで塗布する液量は、塗布される液中のフッ素含有化合物の量が磁性液に含まれる強磁性粉末１００．０質量部に対して表５に示す量になる量とした。その後、雰囲気温度７０℃の環境で３６時間熱処理を行った後に１／２インチ（０．０１２７メートル）幅にスリットし、磁気テープを得た。
表５中、「フッ素含有化合物」の「添加方法」の欄には、実施例１と同様にフッ素含有化合物を磁性液に添加した実施例および比較例については「磁性液添加」と記載し、比較例１０については「オーバーコート」と記載した。

［強磁性粉末］
表５中、「強磁性粉末」の「種類」の欄に記載の「ＳｒＦｅ」は、以下のように作製された六方晶ストロンチウムフェライト粉末を示す。
ＳｒＣＯ_３を１７０７ｇ、Ｈ_３ＢＯ_３を６８７ｇ、Ｆｅ_２Ｏ_３を１１２０ｇ、Ａｌ（ＯＨ）_３を４５ｇ、ＢａＣＯ_３を２４ｇ、ＣａＣＯ_３を１３ｇ、およびＮｄ_２Ｏ_３を２３５ｇ秤量し、ミキサーにて混合し原料混合物を得た。
得られた原料混合物を、白金ルツボで溶融温度１３９０℃で溶融し、融液を撹拌しつつ白金ルツボの底に設けた出湯口を加熱し、融液を約６ｇ／秒で棒状に出湯させた。出湯液を水冷双ローラーで圧延急冷して非晶質体を作製した。
作製した非晶質体２８０ｇを電気炉に仕込み、昇温速度３．５℃／分にて６３５℃（結晶化温度）まで昇温し、同温度で５時間保持して六方晶ストロンチウムフェライト粒子を析出（結晶化）させた。
次いで六方晶ストロンチウムフェライト粒子を含む上記で得られた結晶化物を乳鉢で粗粉砕し、この粉砕物を入れたガラス瓶に粒径１ｍｍのジルコニアビーズ１０００ｇと濃度１％の酢酸水溶液を８００ｍＬ加えてペイントシェーカーにて３時間分散処理を行った。その後、得られた分散液をビーズと分離させステンレスビーカーに入れた。分散液を液温１００℃で３時間静置させてガラス成分の溶解処理を行った後、遠心分離器で沈澱させてデカンテーションを繰り返して洗浄し、炉内温度１１０℃の加熱炉内で６時間乾燥させて六方晶ストロンチウムフェライト粉末を得た。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の平均粒子サイズは１８ｎｍ、活性化体積は９０２ｎｍ^３、異方性定数Ｋｕは２．２×１０^５Ｊ／ｍ^３、質量磁化σｓは４９Ａ・ｍ^２／ｋｇであった。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって部分溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子の表層部含有率を求めた。
別途、上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末から試料粉末を１２ｍｇ採取し、この試料粉末を先に例示した溶解条件によって全溶解して得られたろ液の元素分析をＩＣＰ分析装置によって行い、ネオジム原子のバルク含有率を求めた。
上記で得られた六方晶ストロンチウムフェライト粉末の鉄原子１００原子％に対するネオジム原子の含有率（バルク含有率）は、２．９原子％であった。また、ネオジム原子の表層部含有率は８．０原子％であった。表層部含有率とバルク含有率との比率、「表層部含有率／バルク含有率」は２．８であり、ネオジム原子が粒子の表層に偏在していることが確認された。

上記で得られた粉末が六方晶フェライトの結晶構造を示すことは、ＣｕＫα線を電圧４５ｋＶかつ強度４０ｍＡの条件で走査し、下記条件でＸ線回折パターンを測定すること（Ｘ線回折分析）により確認した。上記で得られた粉末は、マグネトプランバイト型（Ｍ型）の六方晶フェライトの結晶構造を示した。また、Ｘ線回折分析により検出された結晶相は、マグネトプランバイト型の単一相であった。
ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ Ｘ’Ｐｅｒｔ Ｐｒｏ回折計、ＰＩＸｃｅｌ検出器
入射ビームおよび回折ビームのＳｏｌｌｅｒスリット：０．０１７ラジアン
分散スリットの固定角：１／４度
マスク：１０ｍｍ
散乱防止スリット：１／４度
測定モード：連続
１段階あたりの測定時間：３秒
測定速度：毎秒０．０１７度
測定ステップ：０．０５度

表５中、「強磁性粉末」の「種類」の欄に記載の「ε−酸化鉄」は、以下のように作製されたε−酸化鉄粉末を示す。
純水９０ｇに、硝酸鉄（ＩＩＩ）９水和物８．３ｇ、硝酸ガリウム（ＩＩＩ）８水和物１．３ｇ、硝酸コバルト（ＩＩ）６水和物１９０ｍｇ、硫酸チタン（ＩＶ）１５０ｍｇ、およびポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）１．５ｇを溶解させたものを、マグネチックスターラーを用いて撹拌しながら、大気雰囲気中、雰囲気温度２５℃の条件下で、濃度２５％のアンモニア水溶液４．０ｇを添加し、雰囲気温度２５℃の温度条件のまま２時間撹拌した。得られた溶液に、クエン酸１ｇを純水９ｇに溶解させて得たクエン酸水溶液を加え、１時間撹拌した。撹拌後に沈殿した粉末を遠心分離によって採集し、純水で洗浄し、炉内温度８０℃の加熱炉内で乾燥させた。
乾燥させた粉末に純水８００ｇを加えて再度粉末を水に分散させて分散液を得た。得られた分散液を液温５０℃に昇温し、撹拌しながら濃度２５％アンモニア水溶液を４０ｇ滴下した。５０℃の温度を保ったまま１時間撹拌した後、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）１４ｍＬを滴下し、２４時間撹拌した。得られた反応溶液に、硫酸アンモニウム５０ｇを加え、沈殿した粉末を遠心分離によって採集し、純水で洗浄し、炉内温度８０℃の加熱炉内で２４時間乾燥させ、強磁性粉末の前駆体を得た。
得られた強磁性粉末の前駆体を、大気雰囲気下、炉内温度１０００℃の加熱炉内に装填し、４時間の加熱処理を施した。
加熱処理した強磁性粉末の前駆体を、４ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）水溶液中に投入し、液温を７０℃に維持して２４時間撹拌することにより、加熱処理した強磁性粉末の前駆体から不純物であるケイ酸化合物を除去した。
その後、遠心分離処理により、ケイ酸化合物を除去した強磁性粉末を採集し、純水で洗浄を行い、強磁性粉末を得た。
得られた強磁性粉末の組成を高周波誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ−ＯＥＳ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ−Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により確認したところ、Ｇａ、ＣｏおよびＴｉ置換型ε−酸化鉄（ε−Ｇａ_０．２８Ｃｏ_０．０５Ｔｉ_０．０５Ｆｅ_１．６２Ｏ_３）であった。また、先に六方晶ストロンチウムフェライト粉末ＳｒＦｅに関して記載した条件と同様の条件でＸ線回折分析を行い、Ｘ線回折パターンのピークから、得られた強磁性粉末が、α相およびγ相の結晶構造を含まない、ε相の単相の結晶構造（ε−酸化鉄型の結晶構造）を有することを確認した。
得られたε−酸化鉄粉末の平均粒子サイズは１２ｎｍ、活性化体積は７４６ｎｍ^３、異方性定数Ｋｕは１．２×１０^５Ｊ／ｍ^３、質量磁化σｓは１６Ａ・ｍ^２／ｋｇであった。

上記の六方晶ストロンチウムフェライト粉末およびε−酸化鉄粉末の活性化体積および異方性定数Ｋｕは、各強磁性粉末について、振動試料型磁力計（東英工業社製）を用いて、先に記載の方法により求められた値である。
また、質量磁化σｓは、振動試料型磁力計（東英工業社製）を用いて磁場強度１１９４ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）で測定された値である。

表５中、「強磁性粉末」の「種類」の欄に記載の「ＢａＦｅ」は、平均粒子サイズ（平均板径）２１ｎｍの六方晶バリウムフェライト粉末を示す。

［評価方法］
（１）磁性層の膜質
実施例および比較例の各磁気テープについて、磁性層表面の無作為に選択した位置の１０ｍｍ×１０ｍｍのサイズの領域を光学顕微鏡で５０倍の倍率（接眼レンズ：１０倍、対物レンズ：５倍）で観察した。
図１に、観察結果の例（顕微鏡写真）を示す。図１中、右側の顕微鏡写真は比較例９の顕微鏡写真であり、磁性層の表面に凹み等が存在して膜質の均質性が低いことが確認された。この場合を「ＮＧ」と評価する。これに対し、図１中、左側の顕微鏡写真は磁性層の膜質の均質性が高い例である。このように均質性が高い場合を「ＯＫ」と評価する。比較例９については、膜質の評価結果がＮＧであったため、後述の電磁変換特性および摩擦特性の評価は実施しなかった。

（２）磁性層の表面の算術平均粗さＲａ
ＡＦＭとしてＶｅｅｃｏ社製Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ４をタッピングモードで使用し、探針としてはＢＲＵＫＥＲ社製ＲＴＥＳＰ−３００を使用した。実施例および比較例の各磁気テープの磁性層の表面の面積４０μｍ×４０μｍの領域を、スキャン速度（探針移動速度）を１画面（５１２ｐｉｘｅｌ×５１２ｐｉｘｅｌ）を３４１秒で測定する速度として測定して、先に記載したように算術平均粗さＲａを求めた。

（３）フッ素濃度Ａ
以下の方法により、磁気テープの磁性層表面（測定領域：３００μｍ×７００μｍ）においてＥＳＣＡ装置を用いてＸ線光電子分光分析を行い、分析結果からフッ素濃度Ａを算出した。

（分析および算出方法）
下記（ｉ）および（ｉｉ）の測定は、いずれも表１に示す測定条件にて行った。

（ｉ）ワイドスキャン測定
磁気テープの磁性層表面においてＥＳＣＡ装置によりワイドスキャン測定（測定条件：表２参照）を行い、検出された元素の種類を調べた（定性分析）。

（ｉｉ）ナロースキャン測定
上記（ｉ）で検出された全元素について、ナロースキャン測定（測定条件：表３参照）を行った。装置付属のデータ処理用ソフトウエア（Ｖｉｓｉｏｎ２．２．６）を用いて、各元素のピーク面積から検出された各元素の原子濃度（単位：原子％）を算出した。ここでフッ素濃度Ａも算出した。

以上の処理を磁気テープの磁性層表面の異なる位置において３回行い、得られた値の算術平均をフッ素濃度Ａとした。

（４）式１により算出されるＢ
実施例および比較例の各磁気テープについて、無作為に選択した３箇所において下記の方法によってＢの値を求め、求められた値の算術平均を、各磁気テープのＢの値とした。
前処理として、ダイプラ・ウィンテス社製ＳＡＩＣＡＳ装置にダイヤモンド切刃を取り付けて使用して先に記載した方法によって斜め切削面の形成を行った。磁気テープの磁性層の表面に対するダイヤモンド切刃の侵入角度は０．１１５度とした。
ＴＯＦ−ＳＩＭＳ装置としてアルバックファイ社製ＴＯＦ−ＳＩＭＳ装置を高質量分解能モードで使用して先に記載した方法によってラインプロファイル分析を行い、先に記載した方法によってＦｔｏｔａｌおよびＦｕｐｐｅｒを求めた。ここでフッ素系フラグメントとしては、Ｃ_３ＯＦ_７ ⁻フラグメントを採用した。また、磁性層に隣接する部分である非磁性層の成分としてはフェニルホスホン酸を選択し、この成分のフラグメントとしては、予備実験を行った結果、この成分を最も高感度に検出できることが確認されたフラグメントであるＰＯ_３ ⁻フラグメントを採用した。
こうして求められたＦｔｏｔａｌおよびＦｕｐｐｅｒから、下記式１によってＢを算出した。
（式１）
Ｂ＝（Ｆｕｐｐｅｒ／Ｆｔｏｔａｌ）×１００

（５）垂直方向角型比
実施例および比較例の各磁気テープから、短辺１２ｍｍ×長辺３２ｍｍのサイズのテープ試料を３つ切り出した。各テープ試料を短辺で１回折り長辺で２回折り、６ｍｍ×８ｍｍのサイズに折り畳んだ。こうして折り畳んだ３つのテープ試料を重ねて振動試料型磁力計内に配置した。３つのテープ試料は各テープ試料の方向（テープ試料の長手方向および幅方向）が一致するように重ねた。
振動試料型磁力計として東英工業社製ＴＥＭ−ＷＦ８２．５Ｒ−１５２を使用し、測定温度２４℃にて外部磁場の掃引を行いヒステリシス曲線（Ｍ−Ｈ曲線）を得た。垂直方向Ｍ−Ｈ曲線を得るための測定は、磁場印加方向とテープ試料の表面とが直交するように振動試料型磁力計にテープ試料を配置して行った。外部磁場の掃引は、表４に示す掃引条件にしたがい、各ステップでの平均数＝１とし、磁場強度１１９７ｋＡ／ｍから開始して−１１９７ｋＡ／ｍまで掃引し再び１１９７ｋＡ／ｍまで行った。表４に示す掃引条件は、上段から下段の順に順次実施した。合計掃引時間は３１２秒間であった。また、予め測定用サンプルプローブのみの磁化量の測定を行い、測定時にバックグラウンドノイズとして差し引いた。各テープ試料について、こうして得られた垂直方向Ｍ−Ｈ曲線から求められた飽和磁化は、いずれも５×１０^−６〜１０×１０^−６Ａ・ｍ^２（５×１０^−３〜１０×１０^−３ｅｍｕ）の範囲であった。
上記測定により得られた垂直方向Ｍ−Ｈ曲線から各磁気テープの垂直方向角型比を求めた。

（６）電磁変換特性（Ｓｉｇｎａｌ−ｔｏ−Ｎｏｉｓｅ−Ｒａｔｉｏ；ＳＮＲ）
実施例および比較例の各磁気テープのＳＮＲを、以下の方法により測定した。
リニアヘッドを用いて、下記走行方法にて磁気テープを走行させながら、２７．６ＭＨｚ（線記録密度３５０ｋｆｃｉ）の信号を記録し再生した。尚、単位ｋｆｃｉは、線記録密度の単位（ＳＩ単位系に換算不可）である。再生信号をＡｄｖａｎｔｅｓｔ社製Ｕ３７４１に入力し、２７．６Ｈｚ（ヘルツ）のピーク信号の信号出力（Ｓ）、および２７．６ＭＨｚ±０．３ＭＨｚを除く１ＭＨｚ〜５４．９ＭＨｚの範囲における積分ノイズ（Ｎ）を測定した。これらの比（Ｓ／Ｎ）をＳＮＲとした。
（走行方法）
全長９０ｃｍの磁気テープをループ状にしてループ式記録再生装置に取り付け、ヘッドと磁気テープとの相対速度（走行速度）を２ｍ／秒、バックテンションを０．７Ｎ（ニュートン）、ラップ角度を３度として走行させた。
表５中、強磁性粉末として六方晶ストロンチウムフェライト粉末を含む磁気テープについては比較例３のＳＮＲを基準（０ｄＢ）とした相対値として、強磁性粉末としてε−酸化鉄粉末を含む磁気テープについては比較例１２のＳＮＲを基準（０ｄＢ）とした相対値として、強磁性粉末として六方晶バリウムフェライト粉末を含む磁気テープについては比較例１３のＳＮＲを基準（０ｄＢ）とした相対値として、ＳＮＲを示す。ＳＮＲが１．０ｄＢ以上であれば、電磁変換特性に優れるということができる。比較例１の磁気テープはヘッドとの摩擦が大きく安定して走行させることができず、電磁変換特性を評価できなかった（表５中、「評価不可」と表記）。

（７）摩擦特性
ＡＦＭで４０μｍ×４０μｍのサイズの領域を測定した時の算術平均粗さＲａが１５ｎｍで直径が４ｍｍのＡｌＴｉＣ（アルミナチタンカーバイド）製の丸棒に、実施例および比較例の各磁気テープを、磁気テープの幅方向が丸棒の軸方向と平行になるように丸棒に巻き付けて、磁気テープの一方の端に１００ｇの重りを吊り下げ他方の端をロードセルに取り付けた状態で、１４ｍｍ／秒の速度で磁気テープを１パスあたり４５ｍｍ摺動させ、合計１００パス摺動を繰り返した。この時の１パス目および１００パス目の等速で摺動中の荷重をロードセルで検出して測定値を得て、以下の式：
摩擦係数＝ｌｎ（測定値（ｇ）／１００（ｇ））／π
に基づいて、１パス目および１００パス目の摩擦係数を算出した。
評価結果に関して、測定中に磁気テープの磁性層表面と上記丸棒との貼り付きが生じてしまい摩擦係数を評価できなかった場合、評価結果を「Ｅ」とした。また、上記ロードセルの測定上限値に相当する摩擦係数は０．８０であるため、０．８０超の摩擦係数を測定することができない。摩擦係数がロードセルの測定上限値を超えた場合、評価結果を「Ｄ」とした。摩擦係数が０．５未満の場合、評価結果を「Ａ」、摩擦係数が０．５以上０．６未満の場合、評価結果を「Ｂ」、摩擦係数が０．６〜０．８の範囲の場合、評価結果を「Ｃ」とした。評価結果がＡまたはＢの場合、摩擦特性に優れるということができる。

以上の結果を表５に示す。

表５に示す結果から、実施例の磁気テープが電磁変換特性および摩擦特性に優れることが確認できる。

本発明は、データストレージ用磁気テープ等の各種磁気記録媒体の技術分野において有用である。

Claims (13)

1. 非磁性支持体と、強磁性粉末を含む磁性層と、を有する磁気記録媒体であって、
   前記磁性層の表面の算術平均粗さＲａが２．２ｎｍ以下であり、
   前記磁性層の表面において光電子取り出し角１０度で行われるＸ線光電子分光分析によって求められるフッ素濃度Ａが５原子％以上５０原子％以下であり、
   ＴＯＦ−ＳＩＭＳのラインプロファイル分析によって前記磁性層の断面の厚み方向の全域について求められるフッ素含有化合物由来のフラグメントの積算強度Ｆｔｏｔａｌと、前記断面の厚み方向の前記磁性層の表面から中間厚みまでの領域について求められるフッ素化合物由来のフラグメントの積算強度Ｆｕｐｐｅｒと、から下記式１：
   （式１）
   Ｂ＝（Ｆｕｐｐｅｒ／Ｆｔｏｔａｌ）×１００
   により算出されるＢが６０％以上９５％以下である磁気記録媒体。
2. 垂直方向角型比が０．６５以上である、請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記Ａが１５原子％以上５０原子％以下である、請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
4. 前記Ｂが７０％以上９５％以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
5. 前記強磁性粉末は六方晶フェライト粉末である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
6. 前記六方晶フェライト粉末は六方晶ストロンチウムフェライト粉末である、請求項５に記載の磁気記録媒体。
7. 前記六方晶フェライト粉末は六方晶バリウムフェライト粉末である、請求項５に記載の磁気記録媒体。
8. 前記強磁性粉末はε−酸化鉄粉末である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
9. 前記磁性層と前記非磁性支持体との間に、非磁性粉末を含む非磁性層を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
10. 前記非磁性支持体の前記磁性層を有する表面側とは反対の表面側に、非磁性粉末を含むバックコート層を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
11. 磁気テープである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
12. 請求項１１に記載の磁気記録媒体を含む磁気テープカートリッジ。
13. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の磁気記録媒体を含む磁気記録再生装置。

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