JP2021167257A - スクライブ方法及びスクライブ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】スクライブ方法及びスクライブ装置において、貼り合わせ基板にスクライブラインを形成する場合に、十分な深さのクラックを基板に形成可能にする。
【解決手段】スクライブ方法は、ガラス基板Ｇ１とガラス基板Ｇ２をシール材ＳＬにより貼り合わせてなる基板Ｇにスクライブラインを形成する方法である。スクライブ方法は、第１基板Ｇ１の第１スクライブライン形成予定位置Ｇ１０１にスクライビングホイール３０１を押し当てながら移動させることで、第１基板Ｇ１に第１スクライブラインＬ１を形成し、第２基板Ｇ２の第２スクライブライン形成予定位置Ｇ１０２を、シール材ＳＬの軟化温度より低い温度になるように加熱し、加熱後に、第２スクライブライン形成予定位置Ｇ１０２にスクライビングホイール４０１を押し当てながら移動させることで、第２基板Ｇ２に第２スクライブラインＬ２を形成する。
【選択図】図９

Description

本発明は、貼り合わせ基板にスクライブラインを形成するスクライブ方法及びスクライブ装置に関する。

従来、ガラス基板等の脆性材料基板の分断は、基板表面にスクライブラインを形成するスクライブ工程と、形成されたスクライブラインに沿って基板表面に所定の力を付加するブレイク工程とによって行われる。スクライブ工程では、スクライビングホイールの刃先が、基板表面に押し付けられながら、所定のラインに沿って移動される。スクライブラインの形成には、スクライブヘッドを備えたスクライブ装置が用いられる。

以下の特許文献１には、マザー基板から液晶パネルを切り出すための方法が記載されている。この方法では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成された基板と、カラーフィルタ（ＣＦ）が形成された基板とをシール材を介して貼り合わせることによって、マザー基板が形成される。このマザー基板が分断されることにより個々の液晶パネルが取得される。シール材は、２つの基板が貼り合わされた状態で液晶注入領域となる空間が残るように配置される。

上記構成のマザー基板を分断する場合には、２つのスクライブヘッドを用いて、マザー基板の両面に、同時にスクライブラインを形成する方法が用いられ得る（たとえば、特許文献２参照）。この場合、２つのスクライブヘッドがマザー基板を挟むように配置される。２つのスクライビングホイールは、マザー基板を平面視したときに同じ位置に位置付けられる。この状態で、２つのスクライビングホイールが同じ方向に同時に移動されて、マザー基板の各面にスクライブラインが形成される。

特開２００６−１３７６４１号公報 特開２０１２−２４０９０２号公報

上記特許文献１にも示されるように、従前のマザー基板には、隣り合う液晶注入領域の間に、シール材が介在しない領域が存在していた。したがって、上記のように２つのスクライブヘッドによってマザー基板の両面に同時にスクライブラインを形成する場合には、シール材が介在しない領域に、スクライブラインを形成することができた。このようにスクライブラインを形成してマザー基板を分断すると、液晶パネルには、液晶注入領域の周りに所定幅の額縁領域が残ることとなる。

しかしながら、近年、特にモバイル用の液晶パネルにおいて、上記額縁領域を極限まで狭くすることが主流になりつつある。この要求に応えるためには、マザー基板においてシール材が介在しない領域が省略され、隣り合う液晶注入領域は、シール材のみによって区切られるよう構成される必要がある。この場合、スクライブラインは、シール材の直上及び直下に形成されることになる。

ところが、このようにシール材の直上及び直下の位置にスクライブラインを形成すると、２つのガラス基板にクラックが十分に入らないといった問題が本願発明者らによって確認された。このようにクラックが不十分な状態でブレイク工程が実行されると、ブレイク後の基板の端縁に細かい亀裂や破損が生じて、ガラス基板の強度が低下する恐れがある。

本発明の目的は、スクライブ方法及びスクライブ装置において、貼り合わせ基板にスクライブラインを形成する場合に、十分な深さのクラックを基板に形成可能にすることにある。

以下に、課題を解決するための手段として複数の態様を説明する。これら態様は、必要に応じて任意に組み合せることができる。

本発明の一見地に係るスクライブ方法は、第１基板と第２基板をシール材により貼り合わせてなる貼り合わせ基板にスクライブラインを形成する方法である。スクライブ方法は、下記の工程を含んでいる。
◎第１基板の第１スクライブライン形成予定位置に刃を押し当てながら移動させることで、第１基板に第１スクライブラインを形成する第１スクライブライン形成工程。
◎第１スクライブライン形成工程後に、第２基板の第２スクライブライン形成予定位置を、シールの軟化温度より低い温度になるように加熱する加熱工程。
◎加熱工程後に、第２スクライブライン形成予定位置に刃を押し当てながら移動させることで、第２基板に第２スクライブラインを形成する第２スクライブライン形成工程。
この方法では、加熱工程において第２基板の第２スクライブライン形成予定位置を加熱するので、その部分の残留応力が低くなる。そのため、第２スクライブラインのクラック浸透量が大きくなる。
また、この方法では、加熱工程において第２スクライブライン形成予定位置の温度はシール材の軟化温度より低いので、シール材の接合強度が低下しない。

第２スクライブライン形成工程は、第２スクライブライン形成予定位置に沿って、加熱工程に追従して実行されてもよい。
この方法では、第２スクライブライン形成予定位置において、加熱工程と第２スクライブライン形成工程が連続して行われるので、第２スクライブラインのクラック浸透量が大きくなる。

第１スクライブライン形成工程、加熱工程、及び第２スクライブライン形成工程は、シール材に沿って実行されてもよい。
この方法では、第１スクライブラインと第２スクライブラインがシール材の真上及び真下に形成されており、その場合でも、加熱工程において第２基板の第２スクライブライン形成予定位置を加熱するので、その部分の残留応力が低くなる。そのため、第２スクライブラインのクラック浸透量が大きくなる。

本発明の他の見地に係るスクライブ装置は、第１基板と第２基板をシール材により貼り合わせてなる貼り合わせ基板にスクライブラインを形成する装置である。
スクライブ装置は、第１刃と、加熱装置と、第２刃とを備えている。
第１刃は、第１基板の第１スクライブライン形成予定位置に押し当てられながら移動することで、第１基板に第１スクライブラインを形成する。
加熱装置は、第１スクライブラインの形成後に、第２基板の第２スクライブライン形成予定位置を、シールの軟化温度より低い温度になるように加熱する。
第２刃は、加熱後に、第２スクライブライン形成予定位置に押し当てられながら移動することで、第２基板に第２スクライブラインを形成する。
この装置では、加熱工程において第２基板の第２スクライブライン形成予定位置を加熱するので、その部分の残留応力が低くなる。そのため、第２スクライブラインのクラック浸透量が大きくなる。
また、この装置では、加熱工程において第２スクライブライン形成予定位置の温度はシール材の軟化温度より低いので、シール材の接合強度が低下しない。

第２刃は、加熱装置の移動方向後側において、第２スクライブライン形成予定位置に沿って、加熱装置と同時に移動してもよい。
この装置では、第２スクライブライン形成予定位置において、加熱工程と第２スクライブライン形成工程が連続して行われるので、第２スクライブラインのクラック浸透量が大きくなる。

第１刃、加熱装置、及び第２刃は、シール材に沿って移動してもよい。
この装置では、第１スクライブラインと第２スクライブラインがシール材の真上及び真下に形成されており、その場合でも、第２基板の第２スクライブライン形成予定位置を加熱するので、その部分の残留応力が低くなる。そのため、第２スクライブラインのクラック浸透量が大きくなる。

本発明に係るスクライブ方法及びスクライブ装置では、貼り合わせ基板にスクライブラインを形成する場合に、十分な深さのクラックを基板に形成可能である。

第１実施形態スクライブ装置の模式的正面図。 スクライブ装置の模式的側面図。 スクライブヘッドの斜視図。 スクライブヘッドの分解斜視図。 スクライブ方法の第１スクライブ形成工程を示す模式的平面図。 図５のＶＩ−ＶＩ断面図。 図５のＶＩＩ−ＶＩＩ断面図。 スクライブ方法の加熱工程及び第２スクライブ形成工程を示す断面図。 スクライブ方法の加熱工程及び第２スクライブ形成工程を示す断面図。 実施例のマザー基板の応力イメージ図（写真）。 比較例のマザー基板の応力イメージ図（写真）。 第２実施形態のスクライブ方法の第１スクライブ形成工程を示す模式的平面図。 図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ断面図。 スクライブ方法の加熱工程及び第２スクライブ形成工程を示す断面図。 スクライブ方法の加熱工程及び第２スクライブ形成工程を示す断面図。

１．第１実施形態
（１）マザー基板
図５〜図７（後述）に示すように、マザー基板Ｇ（貼り合わせ基板の一例）は、シール材ＳＬ（シール材の一例）を介して２つのガラス基板Ｇ１、Ｇ２（第１基板、第２基板の一例）を貼り合わせて構成されている。ガラス基板Ｇ１にはカラーフィルタ（ＣＦ）が形成され、ガラス基板Ｇ２には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。
シール材ＳＬは、エポキシ樹脂等の樹脂材料からなる接着剤である。
シール材ＳＬは格子状に配置されており、シール材ＳＬと２つのガラス基板Ｇ１、Ｇ２によって、液晶注入領域Ｒが形成され、この液晶注入領域Ｒに液晶が注入される。

（２）スクライブ装置
図１及び図２を用いて、本発明の第１実施形態に係るスクライブ装置１を説明する。スクライブ装置１は、基板にスクライブラインを形成する装置である。図１は、第１実施形態スクライブ装置の模式的正面図である。図２は、スクライブ装置の模式的側面図である。
なお、各図には、便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸が付記されている。Ｘ−Ｙ平面は水平面に平行で、Ｚ軸方向は鉛直方向である。

スクライブ装置１は、コンベア１１と、支柱１２ａ、１２ｂと、ガイド１３ａ、１３ｂと、ガイド１４ａ、１４ｂと、摺動ユニット１５、１６と、２つのスクライブヘッド２を備える。
コンベア１１は、スクライブヘッド２が配置される箇所を除いて、Ｙ軸方向に延びるように設けられている。コンベア１１上には、マザー基板Ｇが載置される。マザー基板Ｇは、一対のガラス基板Ｇ１、Ｇ２が相互に貼り合わされた基板構造を有する。マザー基板Ｇは、コンベア１１によりＹ軸方向に送られる。

支柱１２ａ、１２ｂは、スクライブ装置１のベースにコンベア１１を挟んで垂直に設けられている。ガイド１３ａ、１３ｂ及びガイド１４ａ、１４ｂは、それぞれ、Ｘ軸方向に平行となるように、支柱１２ａ、１２ｂの間に架設されている。摺動ユニット１５、１６は、それぞれ、ガイド１３ａ、１３ｂ、ガイド１４ａ、１４ｂに摺動自在に設けられている。ガイド１３ａ、１３ｂ及びガイド１４ａ、１４ｂには、それぞれ、所定の駆動機構が設けられており、この駆動機構により、摺動ユニット１５、１６がＸ軸方向に移動される。
摺動ユニット１５、１６には、それぞれ、スクライブヘッド２が装着されている。Ｚ軸正側のスクライブヘッド２とＺ軸負側のスクライブヘッド２には、それぞれ、マザー基板Ｇに対向するようにスクライビングツール３０、４０が取り付けられている。スクライビングツール３０、４０に保持されたスクライビングホイールがマザー基板Ｇの表面に押し付けられた状態でスクライブヘッド２がＸ軸方向に移動する。これにより、マザー基板Ｇの表面にスクライブラインが形成される。

（３）スクライブヘッド
図３及び図４を用いて、スクライブヘッドを説明する。図３は、スクライブヘッドの斜視図である。図４は、スクライブヘッドの分解斜視図である。
図１及び図２に示すように、２つのスクライブヘッド２がマザー基板Ｇの上下にそれぞれ配される。２つのスクライブヘッド２は同じ構成となっている。
スクライブヘッド２は、昇降機構２１と、スクライブライン形成機構２２と、ベースプレート２３と、トッププレート２４と、ボトムプレート２５と、ゴム枠２６と、カバー２７と、サーボモータ２８とを備える。

昇降機構２１は、サーボモータ２８の駆動軸に連結された円筒カム２１ａと、昇降部２１ｂの上面に形成されたカムフォロア２１ｃとを備える。昇降部２１ｂは、スライダー（図示せず）を介してベースプレート２３に上下方向に移動可能に支持され、バネ２１ｄによってＺ軸正方向に付勢されている。バネ２１ｄの付勢により、カムフォロア２１ｃは円筒カム２１ａの下面に押し付けられている。昇降部２１ｂはスクライブライン形成機構２２に連結されている。サーボモータ２８により円筒カム２１ａが回動すると、円筒カム２１ａのカム作用によって昇降部２１ｂが昇降し、これに伴い、スクライブライン形成機構２２が昇降する。スクライブライン形成機構２２の下端に、スクライビングツール３０、４０が装着される。

ゴム枠２６は、空気を通さない弾性部材である。ゴム枠２６は、ベースプレート２３の溝２３ａ、トッププレート２４の溝２４ａ及びボトムプレート２５の溝２５ａに嵌まり込む形状を有している。ゴム枠２６が溝２３ａ、２４ａ、２５ａに装着された状態で、ゴム枠２６の表面は、ベースプレート２３、トッププレート２４及びボトムプレート２５の側面よりも僅かに外側に突出する。
カバー２７は、前面部２７ａ、右側面部２７ｂ及び左側面部２７ｃの３つの板部が折り曲げられた形状を有する。前面部２７ａの上下の端縁には、２つの孔２７ｆが形成されている。

ゴム枠２６が溝２３ａ、２４ａ、２５ａに嵌め込まれた状態で、カバー２７の右側面部２７ｂと左側面部２７ｃが外側に撓むように変形されて、カバー２７がベースプレート２３、トッププレート２４及びボトムプレート２５に取り付けられる。この状態で、前面部２７ａの上下の端縁に形成された２つの孔２７ｆを介して、ネジがトッププレート２４及びボトムプレート２５に螺着される。さらに、ベースプレート２３、トッププレート２４及びボトムプレート２５の溝２３ａ、２４ａ、２５ａのやや外側に形成されたネジ穴に、ネジが螺着される。これにより、カバー２７が、ベースプレート２３、トッププレート２４及びボトムプレート２５とネジの頭部とによって挟み込まれ、右側面部２７ｂ及び左側面部２７ｃの周縁部がゴム枠２６に押し付けられる。こうして、図３に示すようにスクライブヘッド２が組み立てられる。

スクライビングツール３０、４０は、図７及び図９（後述）に示すように、それぞれ、スクライビングホイール３０１（刃、第１刃の一例）、４０１（刃、第２刃の一例）を有している。スクライビングホイール３０１、４０１は、それぞれ、軸３０１ａ、４０１ａを回転軸として回転可能になっている。

（４）加熱装置
加熱装置５０は、ガラス基板Ｇ２の第２スクライブライン形成予定位置Ｇ１０２を加熱する装置である。加熱装置５０は、具体的には、ガラス基板Ｇ２の表面に熱風を噴射する熱風噴射装置である。加熱装置５０は、公知の技術であり、気体噴射装置と、気体を加熱する加熱源（例えば、電熱線ヒータ、ランプヒータ）とを有している。
この実施形態では、加熱装置５０は、ガラス基板Ｇ２の下方に配置されている。
加熱装置５０は、さらに、上向きのノズル５０ａと、ノズル５０ａを水平方向に移動させる移動装置（図示せず）とを有している。なお、ノズル５０ａは、摺動ユニット１６に装着されていてもよいし、他の独立した移動装置に装着されていてもよい。

（５）スクライブ動作
（５−１）第１スクライブライン形成工程
図５〜図７を用いて、第１スクライブライン形成工程を説明する。図５は、スクライブ方法の第１スクライブ形成工程を示す模式的平面図である。図６は、図５のＶＩ−ＶＩ断面図である。図７は、図５のＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。
スクライビングホイール３０１が、シール材ＳＬの直上の位置において、ガラス基板Ｇ１の第１スクライブライン形成予定位置Ｇ１０１に押し付けられる。スクライビングホイール３０１は、シール材ＳＬに沿って移動させられる。その結果、ガラス基板Ｇ１に第１スクライブラインＬ１が形成される。

（５−２）加熱工程
図８及び図９を用いて、加熱工程及び第２スクライブライン形成工程を説明する。図８は、スクライブ方法の加熱工程及び第２スクライブ形成工程を示す断面図である。図９は、スクライブ方法の加熱工程及び第２スクライブ形成工程を示す断面図である。
加熱装置５０のノズル５０ａが、図９に示すように、ガラス基板Ｇ２（第２基板の一例）の第２スクライブライン形成予定位置Ｇ１０２に沿って移動し、当該部分をシール材ＳＬの軟化温度より低い温度になるように加熱する。なお、加熱される位置は、シール材ＳＬの真下である。加熱される領域の幅は例えば約２０ｍｍである。

（５−３）第２スクライブライン形成工程
スクライビングホイール４０１が、シール材ＳＬの直下の位置において、ガラス基板Ｇ２の第２スクライブライン形成予定位置Ｇ１０２に押し付けられる。スクライビングホイール４０１は、シール材ＳＬに沿って移動させられる。その結果、ガラス基板Ｇ２に第２スクライブラインＬ２が形成される。
具体的には、第２スクライブライン形成工程は、第２スクライブライン形成予定位置Ｇ１０２に沿って、加熱工程に追従して実行される。つまり、図９に示すように、加熱装置５０のノズル５０ａが加工方向前側に配置され、スクライビングホイール４０１が加工方向後側に配置され、両者が前後した状態でＸ方向に移動する。

（５−４）効果
以上のように加熱工程においてガラス基板Ｇ２の第２スクライブライン形成予定位置Ｇ１０２を加熱するので、その部分の残留応力が低くなる。そのため、第２スクライブラインＬ２のクラック浸透量が大きくなる。
また、以上のように加熱工程において第２スクライブライン形成予定位置Ｇ１０２の温度はシール材ＳＬの軟化温度より低いので、シール材ＳＬの接合強度が低下しない。

さらに、以上のように第２スクライブライン形成予定位置Ｇ１０２において、加熱工程と第２スクライブライン形成工程が連続して行われるので、第２スクライブラインＬ２のクラック浸透量が大きくなる。
以上のように第１スクライブラインＬ１と第２スクライブラインＬ２がシール材ＳＬの真上及び真下に形成されているが、その場合でも、加熱工程においてガラス基板Ｇ２の第２スクライブライン形成予定位置Ｇ１０２を加熱するので、その部分の残留応力が低くなる。そのため、第２スクライブラインＬ２のクラック浸透量が大きくなる。

（６）実施例
本願発明者らは、上記スクライブ方法に従ってマザー基板Ｇにスクライブラインを形成する実験を行った。以下、この実験と実験結果について説明する。
実験では、マザー基板Ｇ（ガラス基板Ｇ１、Ｇ２をシール材ＳＬによって貼り合わせた基板）を用いた。ガラス基板Ｇ１、Ｇ２の厚みは各々０．４ｍｍであった。
シール材ＳＬは、ガラス転移点Ｔｇが１１０〜１２０℃であった。

第１スクライブライン形成工程では、スクライビングホイール３０１に付与される荷重は１１Ｎに制御した。また、スクライビングホイール３０１の移動速度は、一定（１００〜３００ｍｍ／ｓｅｃ）とした。
第２スクライブライン形成工程では、スクライビングホイール３０１に付与される荷重は８〜１０Ｎに制御した。また、スクライビングホイール３０１の移動速度は、一定（５０〜１００ｍｍ／ｓｅｃ）とした。
加熱工程では、ガラス基板Ｇ２の第２スクライブライン予定位置は、８０〜１０５℃に加熱された。

図１０〜図１１を用いて、第１スクライブライン形成工程後のマザー基板Ｇの応力イメージを説明する。図１０は、実施例のマザー基板の応力イメージ図（写真）である。図１１は、比較例のマザー基板の応力イメージ図（写真）である。
図１０に示すように、実施例では、ガラス基板Ｇ１に第１スクライブラインＬ１を形成した後に、第２スクライブライン形成予定位置を加熱しているので、第２スクライブライン形成予定位置に高応力が残留していない。
図１１に示すように、比較例では、ガラス基板Ｇ１に第１スクライブラインＬ１を形成した後に、第２スクライブライン形成予定位置を加熱していないので、第２スクライブライン形成予定位置に高応力（破線部分）が残留している。

したがって、実施例では、第２スクライブラインＬ２を形成すると、クラック浸透量が大きくなった。例えば、浸透量は約２４０μｍであり、浸透率は約６０％であった。上記の結果が得られた理由としては、スクライブ荷重を高くしても水平Ｃｒａｃｋが発生しなかったので、スクライブ荷重を高くできたからであると考えられる。
それに対して、比較例では、第２スクライブラインＬ２を形成すると、クラック浸透量が小さくなった。例えば、浸透量は約８０μｍであり、浸透率は約２３％であった。上記の結果が得られた理由としては、スクライブ荷重が高くなると水平Ｃｒａｃｋが発生したので、スクライブ荷重を実施例に比べて高くできなかったからであると考えられる。

２．第２実施形態
第１実施形態ではスクライブラインはシール材の真上及び真下に形成されたが、スクライブラインはシール材とは異なる位置に形成されてもよい。
そのような実施例を第２実施形態として説明する。なお、第２実施形態は、装置の基本構成及び基本動作は第１実施形態と同じである。

（１）スクライブ動作
（１−１）第１スクライブライン形成工程
図１２〜図１３を用いて、第１スクライブライン形成工程を説明する。図１２は、第２実施形態のスクライブ方法の第１スクライブ形成工程を示す模式的平面図である。図１３は、図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ断面図である。
スクライビングホイール３０１が、シール材ＳＬとは異なる位置において、ガラス基板Ｇ１の第１スクライブライン形成予定位置Ｇ１０１に押し付けられる。スクライビングホイール３０１は、シール材ＳＬとは異なる位置に沿って移動させられる。その結果、ガラス基板Ｇ１に第１スクライブラインＬ１が形成される。

（１−２）加熱工程
図１４及び図１５を用いて、加熱工程及び第２スクライブライン形成工程を説明する。図１４は、スクライブ方法の加熱装置及び第２スクライブ形成工程を示す断面図である。図１５は、スクライブ方法の加熱装置及び第２スクライブ形成工程を示す断面図である。
加熱装置５０のノズル５０ａが、ガラス基板Ｇ２（第２基板の一例）の第２スクライブライン形成予定位置Ｇ１０２に沿って移動し、当該部分をシール材ＳＬの軟化温度より低い温度になるように加熱する。なお、加熱される位置は、シール材ＳＬとは異なる位置である。

（１−３）第２スクライブライン形成工程
スクライビングホイール４０１が、シール材ＳＬとは異なる位置において、ガラス基板Ｇ２の第２スクライブライン形成予定位置Ｇ１０２に押し付けられる。スクライビングホイール４０１は、シール材ＳＬとは異なる位置に沿って移動させられる。その結果、ガラス基板Ｇ２に第２スクライブラインＬ２が形成される。
具体的には、第２スクライブライン形成工程は、第２スクライブライン形成予定位置Ｇ１０２に沿って、加熱工程に追従して実行される。つまり、図１５に示すように、加熱装置５０のノズル５０ａが加工方向前側に配置され、スクライビングホイール４０１が加工方向後側に配置され、両者が前後した状態でＸ方向に移動する。
この実施形態でも、第１実施形態と同じ効果が得られる。

３．他の実施形態
以上、本発明の複数の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。特に、本明細書に書かれた複数の実施形態及び変形例は必要に応じて任意に組み合せ可能である。

第２スクライブライン形成工程は加熱工程に追従して行われなくてもよい。例えば、加熱工程が終了してから第２スクライブライン形成工程が実行されてもよい。その場合、加熱工程はスクライブ装置とは異なるユニットで実行されてもよい。
第２スクライブライン形成工程は、第２スクライブライン形成予定位置が常温に戻ってから行われてもよいし、高温状態で行われてもよい。
ガラス基板Ｇ１、Ｇ２のスクライブライン形成時の上下関係は特に限定されない。具体的には、第１実施形態では、上側基板に第１スクライブラインを形成し、下側基板を加熱処理した後に第２スクライブラインを形成する構成と方法が記載されているが、下側基板に第１スクライブラインを形成し、上側基板を加熱処理した後に第２スクライブラインを形成してもよい。

マザー基板の構成、厚み、材質等は、上記実施の形態に示すものに限定されない。
スクライブ装置の具体的な構成は特に限定されない。
加熱装置は、レーザ照射装置でもよいし、遠赤外線照射装置でもよい。
加熱装置は、ガラス基板の第２スクライブライン形成予定位置に直接接触する熱伝達部材でもよい。

本発明は、貼り合わせ基板にスクライブラインを形成するスクライブ方法及びスクライブ装置に広く適用できる。

１ ：スクライブ装置
２ ：スクライブヘッド
３０ ：スクライビングツール
４０ ：スクライビングツール
５０ ：加熱装置
３０１ ：スクライビングホイール
４０１ ：スクライビングホイール
Ｇ ：マザー基板
Ｇ１ ：ガラス基板
Ｇ１０１ ：第１スクライブライン形成予定位置
Ｇ１０２ ：第２スクライブライン形成予定位置
Ｇ２ ：ガラス基板
Ｌ１ ：第１スクライブライン
Ｌ２ ：第２スクライブライン
ＳＬ ：シール材

Claims (6)

1. 第１基板と第２基板をシール材により貼り合わせてなる貼り合わせ基板にスクライブラインを形成する方法であって、
   前記第１基板の第１スクライブライン形成予定位置に刃を押し当てながら移動させることで、前記第１基板に第１スクライブラインを形成する第１スクライブライン形成工程と、
   前記第１スクライブライン形成工程後に、前記第２基板の第２スクライブライン形成予定位置を、前記シール材の軟化温度より低い温度になるように加熱する加熱工程と、
   前記加熱工程後に、前記第２スクライブライン形成予定位置に刃を押し当てながら移動させることで、前記第２基板に第２スクライブラインを形成する第２スクライブライン形成工程と、
   を備えたスクライブ方法。
2. 前記第２スクライブライン形成工程は、前記第２スクライブライン形成予定位置に沿って、前記加熱工程に追従して実行される、請求項１に記載のスクライブ方法。
3. 前記第１スクライブライン形成工程、前記加熱工程、及び前記第２スクライブライン形成工程は、前記シール材に沿って実行される、請求項１又は２に記載のスクライブ方法。
4. 第１基板と第２基板をシール材により貼り合わせてなる貼り合わせ基板にスクライブラインを形成する装置であって、
   前記第１基板の第１スクライブライン形成予定位置に押し当てられながら移動することで、前記第１基板に第１スクライブラインを形成する第１刃と、
   前記第１スクライブラインの形成後に、前記第２基板の第２スクライブライン形成予定位置を、前記シール材の軟化温度より低い温度になるように加熱する加熱装置と、
   前記加熱後に、前記第２スクライブライン形成予定位置に押し当てられながら移動することで、前記第２基板に第２スクライブラインを形成する第２刃と、
   を備えたスクライブ装置。
5. 前記第２刃は、前記加熱装置の移動方向後側において、前記第２スクライブライン形成予定位置に沿って、前記加熱装置と同時に移動する、請求項４に記載のスクライブ装置。
6. 前記第１刃、前記加熱装置、及び前記第２刃は、前記シール材に沿って移動する、請求項４又は５に記載のスクライブ装置。

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