JP3870696B2 - 液晶装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶装置の製造方法に係り、特に、基板の分割工程に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、液晶装置は、シール材を介して一対の基板を所定間隔となるように貼り合わせ、シール材の内側の基板間に液晶を封入してなる液晶パネルを備えている。ここで、比較的小型の液晶パネルを製造する場合には、大型の母基板同士をシール材により貼り合わせて大判パネルを形成し、この大判パネルを分割して複数の液晶パネルを形成するという多数個取りの製造方法を採用する場合が多い。
【0003】
図11及び図12には、従来の多数個取りの製造方法を採用した液晶パネルの製造工程例の概略を示す。図12に示すように、ガラス製の第1母基板11と第2母基板12には、それぞれ複数の液晶パネルに相当する電極や配線を構成する内面導電体パターン、硬質保護膜、配向膜等の表面構造が形成され、その後、配向膜に対してラビング処理が施される。さらに、第1母基板11上の液晶パネルとなる領域毎に、ディスペンサによる塗布或いはスクリーン印刷等によって所定のパターンでシール材が配置される。一方、第2母基板12の上記表面構造上にはパネルの基板間隔を規制するための微細なスペーサが散布される。
【0004】
その後、第1母基板11と第2母基板12とは上記のシール材により相互に貼り合わされ、図11(a)に示すように、両基板11,12が上記スペーサによって規制された基板間隔で相互に対向した構造を有する大判パネル10が構成される。この大判パネル10の一対の母基板11,12の外面上には、図示X方向に伸びるスクライブ溝15が形成される(1次スクライブ)。次に、破断させようとする一方の母基板を図示しないゴムシートなどの弾性体上に接触させた状態で、他方の母基板に対して応力を加えることにより、一対の母基板11,12がスクライブ線15に沿って順次破断される(1次ブレイク)。これによって大判パネル10は図11(b)に示す複数の短冊パネル13に分割される。
【0005】
この短冊パネル13は複数の液晶パネルに相当する部分が縦列配置されたものであり、図示X方向に伸びる端面部には、シール材の開口部位からなる複数の液晶注入口が配列されている。そして、上記液晶注入口から液晶が注入され、その後、液晶注入口は封止材によって封鎖される。
【0006】
次に、短冊パネル13を構成する一対の短冊基板の外面上にそれぞれ図示Y方向に伸びるスクライブ溝16が形成される(2次スクライブ)。そして、このスクライブ溝16を利用して上記と同様に基板が破断され、これによって、短冊パネル13から複数の液晶パネル14が分割形成される(2次ブレイク)。その後、液晶パネル14に対して、入力端子の封止、ICチップの実装、フレキシブル配線基板の接続等の、適宜の仕上げ処理が施される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の製造工程においては、大判パネル10の2枚の母基板11,12に対してそれぞれ1次スクライブを施し、1次ブレイクを行って一対の母基板をそれぞれ分割した後、再び短冊パネル13の2枚の基板に対してそれぞれ2次スクライブを施し、2次ブレイクを行って一対の基板をそれぞれ分離するという、複雑かつ手間のかかる作業を行わなければならないので、この基板分割工程が液晶装置の製造コストの低減を図る上で大きな障害になっているという問題点がある。
【0008】
また、スクライブ溝の形成後ブレイク作業が開始される以前に、基板がスクライブ溝に沿って自然に割れてしまう場合があり、この場合には、破断方向が規制されずに分割不良となったり、通常のパネル形状とは異なることによりその後の製造工程に適合しなくなったりすることとなり、製品の歩留まりを著しく阻害するという問題点がある。
【0009】
さらに、上記短冊パネル13に対する2次スクライブにおいて、スクライブ線16の形成を開始する度に短冊パネル13の角部に刃が衝突することにより、当該角部に衝撃クラックが形成されるため、この衝撃クラックから基板が割れやすくなることにより液晶パネル14のパネル強度が低下し、例えば、腕時計や携帯電話等の機器に液晶パネル14が組み込まれた状態で、機器の落下等により衝撃を受けた際に、液晶パネル14に破損が生じやすくなるという問題点がある。
【0010】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、製造工程を簡略化することができる新たな製造方法を提供することにある。また、本発明の別の課題は、製造工程を簡略化しても、製品の歩留まりを低下させることのない製造方法を提供することにある。さらに、本発明の異なる課題は、液晶パネルのパネル強度の低下を防止することのできる製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本願の請求項に係る液晶装置の製造方法の一つは、シール材を介して2枚の母基板を貼り合わせて大判パネルを構成し、その後に、前記大判パネルを構成する前記母基板を分割して中間パネルを形成する第1分割工程と、さらにその後に、前記中間パネルを構成する中間基板を分割する第2分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、前記大判パネルを構成する前記母基板に、前記母基板を分割するための第1分割予定線上の一部に形成される第1傷痕と、前記中間パネルを構成する前記中間基板を分割するための第2分割予定線上の一部に形成される第2傷痕と、を前記母基板の平面内において前記第1分割予定線と前記第2分割予定線の交点上で交差するように形成し、その後、前記第1分割工程及び前記第2分割工程を実施することを特徴とする。
上記の液晶装置の製造方法の一つにおける前記第2分割工程においては、前記第2分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記中間パネルを構成する前記中間基板を割断することが好ましい。
上記の液晶装置の製造方法の一つにおける前記第1分割工程においては、前記第1分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記大判パネルを構成する前記母基板を割断することが好ましい。
上記の液晶装置の製造方法の一つにおける前記第1分割工程と前記第2分割工程の少なくとも一方の工程において、前記大判パネルを構成する2枚の前記母基板若しくは前記中間パネルを構成する2枚の前記中間基板に対して外面側から同時にレーザ光を照射して割断することをしてもよい。
上記の液晶装置の製造方法の一つにおいて、前記第1分割工程と前記第2分割工程との間に、前記中間パネルに対して基板分割以外の他の処理を施す中間工程を有してもよい。
上記の液晶装置の製造方法の一つにおいて、前記第2傷痕を、前記母基板における前記第2分割予定線上の前記中間基板の端部相当部位に設けるようにしてもよい。
また、上記の液晶装置の製造方法の一つにおいて、前記第2傷痕を前記第2分割予定線上の前記中間基板の両端部相当部位にそれぞれ設けるようにしてもよい。
上記の液晶装置の製造方法の一つにおいて、前記第1傷痕を、前記母基板における前記第1分割予定線上の端部に設けるようにしてもよい。
また、上記の液晶装置の製造方法の一つにおいて、前記第1傷痕を前記第1分割予定線上の両端部にそれぞれ設けるようにしてもよい。
上記課題を解決するために本願の請求項に係る他の液晶装置の製造方法の一つは、シール材を介して貼り合わされた一対の基板を分割する第1分割工程と、前記分割された基板をさらに分割する第2分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、一方の前記基板の外側面に、前記基板を分割するための第1分割予定線上の一部に形成される第1傷痕と、前記分割された基板をさらに分割するための第2分割予定線上の一部に形成される第2傷痕と、を前記母基板の平面内において前記第1分割予定線と前記第2分割予定線の交点上で交差するように形成する工程、を具備することを特徴とする。
また、上記他の液晶装置の製造方法の一つにおいて、他方の前記基板の外側面に、前記基板を分割するための第1分割予定線上の一部に形成される第1傷痕と、前記分割された基板をさらに分割するための第2分割予定線上の一部に形成される第2傷痕と、を前記母基板の平面内において前記第1分割予定線と前記第2分割予定線の交点上で交差するように形成する工程、を具備することが好ましい。
上記課題を解決するために液晶装置の製造方法の一つは、シール材を介して2枚の母基板を貼り合わせて大判パネルを構成し、その後に、前記大判パネルを構成する前記母基板を分割して中間パネルを形成する第1分割工程と、さらにその後に、前記中間パネルを構成する中間基板を分割する第2分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、前記大判パネルを構成する前記母基板に、前記母基板を分割するための第1分割予定線上に位置する第1傷痕と、前記中間パネルを構成する前記中間基板を分割するための第2分割予定線上に位置する第2傷痕とを形成し、その後、前記第1分割工程及び前記第2分割工程を実施することを特徴とする。
本発明において、シール材を介して2枚の母基板を貼り合わせて大判パネルを構成し、その後に、前記大判パネルを構成する前記母基板を分割して中間パネルを形成する第1分割工程と、さらにその後に、前記中間パネルを構成する中間基板を分割する第2分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、前記大判パネルを構成する前記母基板に、前記母基板を分割するための第1分割予定線上に位置する第1傷痕と、前記中間パネルを構成する前記中間基板を分割するための第2分割予定線上に位置する第2傷痕と、を前記母基板の平面内において交差するように形成し、その後、前記第1分割工程及び前記第2分割工程を実施することを特徴とする。
【0012】
この発明によれば、大判パネルを構成する母基板に予め第1傷痕と第2傷痕とを形成しておき、その後の第1分割工程において第1傷痕によって前記母基板を分割し、さらにその後の第2分割工程において第2傷痕によって前記中間基板を分割するようにしたので、第1傷痕と第2傷痕とをまとめて形成することができることから、工程数及び加工の作業量を低減することができ、製造コストを削減することが可能になる。
【0013】
ここで、第1分割予定線と、第2分割予定線とは大判パネルのパネル面上において相互にほぼ直交する直線である場合がある。
【0014】
本発明において、前記第2分割工程においては、前記第2分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記中間パネルを構成する前記中間基板を割断することが好ましい。特に、第1分割工程よりも後に行われる第2分割工程においてレーザ割断を用いることによって、第2傷痕の長さを短くし、その深さを浅くしても基板分割を確実に行うことができるので、工程途中における基板割れを低減することができる。
【0015】
本発明において、前記第1分割工程においては、前記第1分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記大判パネルを構成する前記母基板を割断することが好ましい。
【0016】
基板分割方法としてレーザ割断を用いることにより、平滑な破断面を得ることができ、従来の機械的応力を加える方法に較べて破断面近傍のマイクロクラックの発生量を抑制することができる。
【0017】
本発明において、前記第1分割工程と前記第2分割工程の少なくとも一方の工程において、前記大判パネルを構成する2枚の前記母基板若しくは前記中間パネルを構成する2枚の前記中間基板に対して外面側から同時にレーザ光を照射して割断することが好ましい。大判パネル若しくは中間パネル自体を分割する場合にはパネルを構成する2枚の母基板若しくは中間基板の双方を共に分割しなければならないが、この発明によれば、2枚の母基板若しくは中間基板に同時にレーザ光を照射し、外面側から同時に割断を実施するので、短時間にパネル分割を行うことができることはもとより、レーザ光照射により発生する内部応力に起因するパネル歪を低減でき、さらに、2枚の母基板若しくは中間基板のそれぞれを、他方の基板から割断を妨げる抵抗を受けることなく破断させることができるので、確実かつ容易にパネル分割を行うことができる。
【0018】
本発明において、前記第2傷痕は、前記第2分割予定線に沿って伸びるスクライブ溝であることが好ましい。
【0019】
本発明において、前記第1傷痕は、前記第1分割予定線に沿って伸びるスクライブ溝であることが好ましい。
【0020】
傷痕としてスクライブ溝を形成することによって、基板分割をより確実に、より精度良く実施できる。特に、基板分割方法としてレーザ割断を用いる場合には、スクライブ溝を形成することによって分割予定線に沿った正確な破断面を得ることができる。
【0021】
本発明において、前記第1分割工程と前記第2分割工程との間に、前記中間パネルに対して基板分割以外の他の処理を施す中間工程を有する場合がある。このように第1分割工程と第2分割工程との間に他の中間工程を有する場合には、当該中間工程において第2傷痕に起因する基板割れが発生する可能性がある。この場合には、基板分割方法としてレーザ割断を用いることによって第2傷痕の長さや深さを低減することが可能になるので、基板割れの発生確率を低減できる。また、一般に傷痕としてスクライブ溝を形成すると基板割れが発生しやすくなるが、この場合でも、後述するようにスクライブ溝の溝深さを低減することにより、基板割れを防止できる。
【0022】
上記中間工程を設ける場合の具体例としては、上記の第1分割工程後に中間パネルに対して液晶の注入及び封止を行い、その後、上記の第2分割工程を実施する場合がある。
【0023】
次に、第2発明の液晶装置の製造方法は、シール材を介して貼り合わせられた一対の基板に対して前記基板を分割する工程を有し、前記シール材の内側に液晶が封入されてなる液晶装置の製造方法であって、前記基板の外面上にスクライブ溝を形成する工程と、前記スクライブ溝に沿ってレーザ光を照射することにより前記基板を分割する工程と、を有することを特徴とする。
【0024】
この発明によれば、スクライブ溝を形成した上でレーザ割断を行うことによって、レーザ割断の方向性を安定させることができるので、破断面位置を高精度に形成することができる。また、レーザ割断を可能にするためのスクライブ溝の溝深さはきわめて小さくて足りるので、単に割断開始位置にクラックを形成する場合に比べて溝深さをクラックの深さよりも小さくでき、それによってスクライブ溝の形成に起因するマイクロクラックの形成量を低減することができるため、パネル強度を低下を抑制することができる。
【0025】
本発明において、前記スクライブ溝の溝深さを50μm以下とすることが好ましい。スクライブ溝の溝深さを50μm以下とすることによって、スクライブ溝の形成に起因するマイクロクラックの発生量を低減し、パネル強度の向上を図ることができるとともに、不所望のタイミングで基板割れを生ずる可能性を低減できるため、製造工程の歩留まりを高めることができる。
【0026】
本発明において、前記スクライブ溝の溝深さDs[μm]を約(200/3)t+70/3(t[mm]は基板厚)以下とすることが好ましい。この場合には、基板厚tの関数である上記式の値以下の溝深さDsを有するスクライブ溝を形成することにより、パネル強度の向上及び基板割れの低減をより確実に実現することができる。
【0027】
本発明において、前記第2傷痕を、前記母基板における前記第2分割予定線上の前記中間基板の端部相当部位に設けることが好ましい。この手段によれば、第2傷痕を前記中間基板の端部相当部位(すなわち、中間基板の端部に相当する母基板上の部位)に設けることによって、レーザ割断を可能にしながら、第2分割工程前の不所望の基板割れの発生をより低減できる。
【0028】
本発明において、前記第2傷痕を前記第2分割予定線上の前記中間基板の両端部相当部位にそれぞれ設けることが好ましい。第2傷痕を中間基板の両端部に相当する部位にそれぞれ設けることにより、レーザ割断の開始位置近傍および終了位置近傍において生ずる割断方向の不安定性を低減できる。
【0029】
本発明において、前記第1傷痕を、前記母基板における前記第1分割予定線上の端部に設けることが好ましい。
【0030】
本発明において、前記第1傷痕を前記第1分割予定線上の両端部にそれぞれ設けることが好ましい。
【0031】
次に、第3発明の液晶装置の製造方法は、シール材を介して貼り合わされた一対の基板を分割する第1分割工程と、前記分割された基板をさらに分割する第2分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、一方の前記基板の外側面に、前記基板を分割するための第1分割予定線上に位置する第1傷痕と、前記分割された基板をさらに分割するための第2分割予定線上に位置する第2傷痕と、を形成する工程、を具備することを特徴とする。
本発明において、シール材を介して貼り合わされた一対の基板を分割する第1分割工程と、前記分割された基板をさらに分割する第2分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、一方の前記基板の外側面に、前記基板を分割するための第1分割予定線上に位置する第1傷痕と、前記分割された基板をさらに分割するための第2分割予定線上に位置する第2傷痕と、を前記母基板の平面内において交差するように形成する工程、を具備することを特徴とする。
【0032】
本発明において、他方の前記基板の外側面に、前記基板を分割するための第1分割予定線上に位置する第1傷痕と、前記分割された基板をさらに分割するための第2分割予定線上に位置する第2傷痕と、をそれぞれ形成する工程、を具備することが好ましい。
【0033】
本発明において、前記第2分割工程においては、前記第2分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記分割された基板をさらに割断することが好ましい。
【0034】
本発明において、前記第1分割工程においては、前記第1分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記基板を割断することが好ましい。
【0035】
本発明において、前記第1分割工程と前記第2分割工程の少なくとも一方の工程において、前記基板若しくは前記分割された基板に対して、前記基板の両方の外面側からレーザ光を照射して割断することが好ましい。
【0036】
本発明において、前記第1傷痕若しくは前記第2傷痕が前記第1分割予定線若しくは前記第2分割予定線に沿って伸びるスクライブ溝である場合がある。
【0037】
この場合、前記スクライブ溝を、50μm若しくは(200/3)t+70/3(t[mm]は基板厚)以下の溝深さを有するように形成することが好ましい。スクライブ溝が上記のように浅い溝で構成されていることにより、このスクライブ溝に沿って基板を分割する工程前に不所望の基板割れが生ずる可能性を低減できる。特に、後の分割において用いられる第2分割予定線に沿って伸びるスクライブ溝の場合には、第1分割予定線に沿った分割工程の後に行われる中間工程等の際に基板割れが発生する可能性を低減できる。
【0038】
本発明において、前記スクライブ溝における分割時に両端部となる領域のうち、少なくともいずれか一方の端部と、前記両端部以外の部分とで溝深さが異なるように前記スクライブ溝を形成することが好ましい。この手段によれば、スクライブ溝の一方の端部と上記部分との溝深さが異なるように形成されていることにより、不所望の基板割れを防止しつつ、基板分割を確実、高精度に、しかも基板強度を低下させることなく行うことが可能になる。
【0039】
本発明において、前記端部の溝深さが深く、前記部分の溝深さが浅くなるように前記スクライブ溝を形成することが好ましい。端部の溝深さを深くしたことにより、基板分割を確実かつ高精度に行うことができるとともに、上記部分の溝深さが浅くなることでマイクロクラックの発生量を抑制することができ、分割後の基板強度をさらに向上させることができる。特に、レーザ割断を行う場合には、スクライブ溝の端部が深く形成されていることによってスクライブ溝に沿った位置で基板分割を確実に行うことが可能になる。
【0040】
本発明において、前記スクライブ溝の両端部の溝深さがいずれも深く、前記部分の溝深さが浅くなるように前記スクライブ溝を形成することが好ましい。スクライブ溝の両端部がいずれも深く形成されていることにより、基板分割をより高い位置精度で行うことができる。特に、レーザ割断を用いる場合には両端部において破断線の位置が不安定になる傾向があるため、この手段によって割断位置を安定させることができる。
【0041】
本発明において、前記端部が50μm若しくは(200/3)t+70/3(t[mm]は基板厚)を越える溝深さを有することが好ましい。スクライブ溝の端部を上記のように深く形成することにより、より安定的に、かつ、高い位置精度で基板分割を行うことができる。特に、レーザ割断を用いる場合には、端部においてスクライブ溝の位置によって優先的に破断面位置が決定されるので、分割位置及び分割方向を安定させることができる。
【0042】
本発明において、前記部分が50μm若しくは(200/3)t+70/3(t[mm]は基板厚)以下の溝深さを有するように前記スクライブ溝を形成することが好ましい。上記のようにスクライブ溝の上記部分を浅くすることによって不所望の基板割れを防止できるとともに、マイクロクラックの発生を抑制して分割後の基板強度を向上させることができる。特に、レーザ割断を用いる場合には、端部において定まった分割位置及び分割方向によって上記のような浅い溝深さでも充分に分割方向を安定させることができる。
【0043】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明に係る液晶装置の製造方法の実施形態について詳細に説明する。図1乃至図5は、本実施形態の液晶装置の製造方法の主要部分を示すものである。ここで、図1は製造工程中におけるパネル形状の変遷の概略を示す斜視図(a)〜(d)であり、図2はスクライブ作業を行うためのスクライブ装置の概略を模式的に示す概略構成図であり、図3はスクライブ時のカッタ近傍の拡大説明図であり、図4は、レーザ光によるパネルの分割を行うためのレーザ割断装置の概略構成図であり、図5は製造工程の手順を示す概略フローチャートである。
【0044】
本実施形態においては、まず、図1(a)に示すように、複数の液晶パネルを包含し得る大判の第1母基板11と第2母基板12をシール材によって貼り合わせ、大判パネル10を形成する。第1母基板11及び第2母基板12の内面上に形成する表面構造は従来と同様である。また、第1母基板11及び第2母基板12に対するそれぞれの処理は従来と同様に図5に示されている。
【0045】
次に、図1(b)に示すように、大判パネル10を構成する第1母基板11及び第2母基板12の外面上に、それぞれ図示X方向に伸びるスクライブ溝17及び図示Y方向に伸びるスクライブ溝18を形成する。
【0046】
スクライブ溝17,18の形成は、図2に模式的に示すスクライブ装置20を用いて行う。このスクライブ装置20は、回転可能に構成された基台21と、基台21の上方に配置された直動機構22と、直動機構22によって図示左右に移動可能に構成されたスクライブヘッド23とを備えている。スクライブヘッド23には回転自在に取り付けられた回転刃状のスクライブカッタ25が設けられている。このスクライブカッタ25は、その最下位置が所定高さに制限されているとともに、下方へ向けて常時所定の圧力が加えられた状態となっている。
【0047】
大判パネル10は上記基台21の上に載置され、真空吸着等の適宜の方法で固定される。そして、上記直動機構22によってスクライブヘッド23は例えば図示左端から図示右側へ移動を開始し、スクライブカッタ25が基台21上の大判パネル10上に乗り上げ、大判パネル10の上側にある母基板の外面上にスクライブ溝を形成しながら図示右端まで移動していく。
【0048】
図3は、上記スクライブ時の状態を拡大して示すものである。スクライブカッタ25には、スクライブヘッド23内の機械的構造によって押し込み量Da及び押し込み圧Faが付与されている。すなわち、スクライブカッタ25の刃先25aの最下位置は、基台21上に固定された大判パネル10の上側の基板上面位置よりも押し込み量Daだけ下方の位置まで降下可能に構成され、また、スクライブカッタ25は、常時下方へ押し込み圧Faで押し下げられている。したがって、スクライブカッタ25は最下位置が大判パネル10の基板上面よりも押し込み量Daだけ下がった状態で大判パネル10の角部に衝突し、そのまま大判パネル10の基板上面上に乗り上げ、刃先25aによって大判パネル10の上面にスクライブ溝17,18を形成しながら移動していく。上記押し込み量Daは、スクライブ加工時においてスクライブカッタ25が大判パネルの湾曲等の原因によりその基板上面から離れることを防止するためのマージンであり、上記押し込み圧Faは、スクライブカッタ25の刃先25aにより大判パネル10の基板表面に既定の溝深さDsを有するスクライブ溝17,18を形成するための加工圧である。
【0049】
このスクライブ加工においては、大判パネル10を図2に示すように基台21上に固定して、例えば第2母基板12の外面上に、図1(b)に示すX方向に伸びる複数本のスクライブ溝17を形成した後、基台21を90度回転させて、図1(b)に示すY方向に伸びる複数本のスクライブ溝18を形成する。次に、大判パネル10の表裏を反転させて第1母基板11を上にした姿勢で基台21上に固定し、第1母基板11の外面に対して上記と同様にスクライブ溝17の形成、基台21の回転、スクライブ溝18の形成を順次行う。このスクライブ加工が図5に示すXYスクライブの工程である。
【0050】
次に、上記のようにして形成したスクライブ溝17に沿って大判パネル10を分割し、図1(c)に示す短冊パネル13を形成する。この大判パネル10の分割工程は、図5に示す1次ブレイクの工程である。この工程では、図4に示すレーザ割断装置30を用いる。
【0051】
図4に示すように、レーザ割断装置30は、一対のレーザ発振器31,32と、このレーザ発振器31,32から放出されるレーザ光を加工対象に導き、集光するための照射光学系33,34と、加工対象を保持するための保持板35と、保持板35を支持する支持体36と、支持体36を駆動して加工対象の位置及び姿勢を調整するための駆動機構37と、上記レーザ発振器31,32、照射光学系33,34、及び、駆動機構37を制御するための制御部38とを備えている。
【0052】
レーザ発振器31,32としては、CO2レーザ等の気体レーザ、YAGレーザ等の固体レーザ、或いは、半導体レーザその他の各種レーザ発振器を用いることができるが、加工対象の光吸収特性を勘案して、加工対象が有効に吸収しうる帯域の発振波長を備えたものを選定する必要がある。例えば、液晶パネルの基板材料として一般的に用いられるソーダガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス等のガラス材料(シリカガラス)を加工対象とする場合には、CO2レーザを用いることができる。このレーザ発振器31,32は、その発振出力(光パワー)を外部から制御できるように構成されている。
【0053】
照射光学系33,34としては、通常、図示の反射ミラー及び集光レンズを備えたものがあるが、導光経路や照射スポット径に応じて適宜の光学的構成を設計することができる。この照射光学系33,34は、その導光経路及び照射スポット径(集光特性)を外部から制御できるようになっている。
【0054】
保持板35は、大判パネル10を載置可能(好ましくは固定可能)に構成されている。保持板35は、大判パネル10を載置又は固定する面とは反対側から(図示下方から)光を照射できるように、例えば、上記スクライブ溝17に沿ってスリット状に形成された光学窓35aを備えている。この光学窓35aは開口部であっても、或いは、レーザ光を透過可能な素材で構成されていてもよい。保持板35は加工対象の大きさ、スクライブ溝の位置や方向によって取付姿勢を変えることができるように構成されていることが好ましい。また、異なる形状の保持板を交換することができるように支持体36に取り付けられていることが好ましい。
【0055】
支持体36は、保持板35に接続されているとともに、駆動機構37によって水平方向及び垂直方向に移動可能に構成されている。支持体36を駆動する駆動機構37は、支持体36を水平方向及び垂直方向に移動できるように構成されている。
【0056】
制御部38は、上記レーザ発振器31,32の発振出力、照射光学系33,34の導光経路及び集光特性、並びに、駆動機構37の駆動の有無及び位置をそれぞれ調整可能に構成されている。また、レーザ発振器31,32が発振波長を切り換え可能に構成されている場合には、制御部38は発振波長の切り換えも可能に構成されていることが好ましい。さらに、レーザ光の照射スポットをパネル上で走査する場合、パネルの所定部位における照射エネルギー量(密度)はレーザ出力に比例し、照射スポットの走査速度に反比例する。一方、基板の割断作用はレーザ光の照射エネルギー量(密度)に正の相関を有するので、割断作用を良好な状態に維持するために、レーザ出力と照射スポットの走査速度とを制御部38にて制御し、照射エネルギー量(密度)が所定範囲内に収まるようにすることが好ましい。
【0057】
本実施形態においては、上記のレーザ割断装置30を用いることにより、大判パネル10の表裏の第1母基板11と第2母基板12とを、それぞれに形成されたスクライブ溝17に沿って同時に破断させる。このようにスクライブ線が形成されている場合には、レーザ光を照射することによって基板の照射領域が加熱され、膨張することによって一時的に圧縮応力が生ずるが、その後、照射領域の温度が低下するとともに基板素材が収縮し、スクライブ線の両側へ基板素材を引き離そうとする引張応力が生ずることにより、スクライブ線に沿って基板が割断される。したがって、レーザ光をスクライブ線に沿って走査していくことにより、レーザ光の照射スポットが通過した後の部位に引張応力が生じるので、レーザ光照射にやや遅れてスクライブ溝17に沿った破断が進行していく。
【0058】
ここで、上記引張応力の発生を助長するために、レーザ光の照射スポットよりもやや走査方向後方位置に気流の吹き付けなどで冷却を行うことも可能である。
【0059】
上記の大判パネル10その他の液晶パネルに対してレーザ光による基板の割断を行う場合には、図13に示すように局所的な応力が発生する。例えば、図13(a)に示すように、2枚の基板51,52をシール材53によって貼り合わせてなるパネル50を考える。この場合、基板51にスクライブ溝又はクラック51aを形成し、このスクライブ溝又はクラック51aの近傍にレーザ光を照射すると、上記圧縮応力及び引張応力はスクライブ溝又はクラック51aを中心に発生し、例えば引張応力はスクライブ溝又はクラック51aを引き離そうとする。この応力は、基板51を破断させる応力となるが、パネル50においてはシール材53を介してもう一方の基板52が存在するため、シール材53を介して基板52にも応力が伝達されるとともに、基板51における破断作用がシール材53と基板52とによって妨げられる。
【0060】
したがって、図13(b)に示すように、一枚の基板51のみをレーザ割断する場合に較べて、図13(c)に示すようにパネル50を構成する基板51のレーザ割断は一般に困難になる。例えば、0.4mm、0.7mmの厚さの基板を用いて図13(b)に示す単一の基板51にレーザ光を照射すると、いずれの基板厚の場合においても良好に割断が行われるが、同様の条件で図13(c)に示すパネル50を構成する基板51に対してレーザ光を照射すると、0.7mm厚の場合には割断不能となり、0.4mm厚の場合にも割断ができない場合が生じた。さらに、図13(d)に示すように、基板51に対向する基板52の外面にもスクライブ溝52aを形成した場合には、0.4mm厚の基板では割断可能であるが、0.7mm厚の基板では割断ができない場合が生じた。また、図13(e)に示すように、基板52を破断面52bにて破断させた状態で、基板51にレーザ光を照射すると、いずれの厚さでも良好に割断を行うことができた。
【0061】
上記のように、パネルの一方の基板に対してレーザ割断を行う場合には、シール材を介して他方の基板によって割断作用が妨げられるので、本実施形態のように、大判パネル10の表裏両側から同時にレーザ光を照射して割断を行うことが割断不良を防止する上で好ましい。また、この場合には、他方の基板応力による影響を低減できるので、良好な破断面を得ることができるという効果もある。
【0062】
また、図13(a)に示す状況でレーザ割断を行う場合には、レーザ光による加熱によって基板51に生ずる圧縮応力及び冷却によって生ずる引張応力の双方によってパネル50に歪みが発生する可能性がある。一方、本実施形態のように両側の基板に同時にレーザ光を照射する方法を採用することによって、両側の基板が同時に膨張又は収縮するので、パネルに発生する歪みを低減することができるという効果がある。
【0063】
上記レーザ割断によって大判パネル10のスクライブ溝17に沿った分割が完了すると、図1(c)に示す短冊パネル13が形成される。この短冊パネル13には、それぞれ図示しないシール材にて囲まれた液晶封入領域が複数形成されており、各液晶封入領域の液晶注入口がパネル端面に開口している。そして、公知の方法によりこれらの液晶注入口から液晶を注入し、封止する。
【0064】
次に、短冊パネル13を構成する短冊基板の外面に予め形成されているスクライブ溝18に沿ってパネルを分割する。これは、図5に示す2次ブレイクの工程である。この分割工程においても、上記のレーザ割断装置30を用い、短冊パネル13の表裏両側の短冊基板に対して同時にレーザ光を照射して、短冊パネル13を個々の液晶パネル14に分離させる。
【0065】
図9及び図10は、上述のようにして形成された液晶パネル14の概略構造を示すものである。液晶パネル14は、基板141と142とがシール材143によって貼り合わせられ、シール材143の内側であって基板141,142の間に液晶144が封入されている。ここで、液晶注入口143aは封止材145によって封鎖されている。
【0066】
基板141の内面上には透明電極146及び配向膜147が形成され、透明電極146はシール材143の外側へ出て基板張出部141a上に引き出された配線となっている。また、基板142の内面上には透明電極148及び配向膜149が形成され、透明電極148は図示しない上下導通部(例えば異方性導電体として形成されたシール材143の一部によって構成される。)を介して基板張出部141a上の配線に接続されている。
【0067】
基板張出部141aの表面上には、図5に示す仕上げ工程において液晶駆動回路を構成した半導体チップ150が実装される。半導体チップ150は、上記の透明電極146,148に導通した基板張出部141a上の配線と、基板張出部141aの端部に形成された入力端子151とに導電接続された状態となっている。図5に示す仕上げ工程においては、フレキシブル配線基板を入力端子151に導電接続したり、基板張出部141aの表面をシリコーン樹脂等の封止剤によって封止したりするなどの処理が行われる。
【0068】
上記の製造工程においては、2度のブレイク加工に対応するスクライブ加工を一度に行っていることにより、加工工程数を削減することができ、実際の加工作業を大幅に低減できる。例えば、従来の製造工程においては、1次スクライブとして、大判パネルの一方の母基板に対してスクライブ溝を形成した後に、大判パネルを反転させて他方の母基板に対してスクライブ溝を形成し、その後1次ブレイクを行った後、また、2次スクライブとして、短冊パネルの一方の基板に対してスクライブ溝を形成した後に、短冊パネルを反転させて他方の基板に対してスクライブ溝を形成し、その後、2次ブレイクを行っている。これに対して、本実施形態では、スクライブ加工を一つの工程にて行うことができ、特に大判パネルの一方の母基板に対してXY両方向のスクライブを実施した後に、大判パネルを反転させて他方の母基板に対して再びXY両方向のスクライブを実施するので、効率的にスクライブ加工を行うことができる。
【0069】
また、大判パネルの状態でスクライブ溝18を形成してしまうので、個々の短冊パネル13に対してスクライブ加工を行う従来方法に比べて、図3に示すようにスクライブカッタ25がパネルに乗り上げる際に刃先25aが衝突することによって生ずる衝撃クラックが液晶パネル14の角部に残りにくくなり、その結果、パネル強度を向上させることが可能になる。衝撃クラックは基板破損の原因となるからである。
【0070】
さらに、レーザ割断を用いてブレイクを行っていることによって、チッピングなどが生じなくなり、また、破断面がきわめて平滑となり、破断面にマイクロクラックが形成されにくくなるので、この点からもパネル強度を向上させることが可能になる。特に、パネルの表裏の基板に対して同時にレーザ割断を行うことによって、上述のように破断作用を確実かつ良好に生起させることができるとともに割断時に生ずるパネルの歪みを低減できる。
【0071】
次に、本実施形態のスクライブ加工と、レーザ割断方法との関連性について詳細に説明する。上記のスクライブ加工は、基板表面に微細なスクライブ溝17,18を形成することによってレーザ割断時の破断作用を生起させるとともに、その破断方向を規制するために行われるものである。一方、従来のレーザ割断は、レーザ光による基板の局所加熱と冷却とによって生ずる内部応力で、クラックを起因として破断部位が基板の厚さ方向及び板面方向に進むようにさせるものである。本実施形態では、スクライブ加工を施した上でレーザ割断を実施することにより、上記内部応力で基板の厚さ方向に破断部位が進むようにしながらレーザ照射位置を走査していくことにより、スクライブ溝に沿って基板を破断させることが可能となっている。したがって、本実施形態の方法では、破断方向をスクライブ溝によって正確に規制することができる。
【0072】
本実施形態において、スクライブ加工によって形成するスクライブ溝の溝深さDsは、従来の機械的応力を与えるいわゆるスクライブ・ブレイク法による割断方法を行う場合よりもきわめて小さくて足りる。
【0073】
図6は、ガラス基板に対して従来のスクライブ・ブレイク法を実施する場合に要求されるスクライブ溝の溝深さと、本実施形態のスクライブ・レーザ割断を実施する場合に要求されるスクライブ溝の溝深さとを示すグラフである。縦軸はスクライブ溝の溝深さDs[μm]であり、横軸は基板厚t[mm]である。従来のスクライブ・ブレイク法では、スクライブ溝の溝深さDsが図示の点線A上の値以上でなければ良好なブレイクができず、破断不良が発生していた。したがって、従来のスクライブ・ブレイク法で液晶パネルのガラス基板を分割する場合には、0.4mm厚の基板を採用した場合には溝深さDsを約80〜120μm、0.7mm厚の基板を採用した場合には約120〜180μm程度にしていた。
【0074】
しかしながら、このようにスクライブ溝の溝深さDsを大きくすると、スクライブ溝の形成時に生ずるマイクロクラックが多くかつ大きくなり、パネル強度が低下してしまう。このパネル強度の低下を低減するという観点からみると、図6に示す一点鎖線C上の値以下に溝深さDsを抑制する必要がある。
【0075】
また、従来のスクライブ・ブレイク法を用いる場合に上記実施形態のようにXYスクライブを実施しようとすると、2次ブレイク以前において基板が破断してしまい、以後の製造工程を実施することが不可能になってしまう。このような未然の基板割れを防止するには、図6に示す実線B(Ds=(200/3)t+70/3)上の値以下に溝深さDsを抑制する必要がある。実線B以下の溝深さであれば、途中工程において基板割れはほとんど発生しない。
【0076】
本実施形態のレーザ割断によれば、図6の実線B以下の溝深さDsであっても、スクライブ溝が存在する限り、全く問題なく割断を行うことができる。また、基板厚tが0.2〜1.2mm程度の液晶パネル用の基板であれば、基板厚tに拘わらず、約50μm以下の溝深さDsであればパネル強度の低下や工程途中の基板割れを実質的に回避することができる。この観点から見た溝深さDsの下限は存在しないが、スクライブ加工時に安定してスクライブ溝を形成するためには溝深さDsは5μm以上であることが好ましく、特に10μm以上であることが望ましい。
【0077】
上記実施形態では、スクライブ溝を形成し、その後、レーザ割断、特に両基板に対する同時レーザ割断、を行う場合について説明した。しかしながら、本発明の製造方法においては、スクライブ溝を基板表面の全体に亘り形成する必要は必ずしもなく、基板表面の一部にのみ部分的に傷痕(スクライブ溝、クラック等の所定方向に伸びる表面傷)を形成しても構わない。
【0078】
例えば、上記実施形態においては、XYスクライブを行う場合、図7(a)に示すようにスクライブ溝17,18を分割予定線の全長に亘って形成している。しかしながら、レーザ割断では、傷痕が分割予定線の全長に亘り伸びるように形成されている必要はなく、一部においてのみ形成されていれば、レーザ光の照射スポットを分割予定線に沿って走査していくだけで、分割予定線に沿って破断部位を進行させていくことができる。また、スクライブ溝を分割予定線の全長に亘って形成すると、スクライブ溝の形成によって生ずるマイクロクラックがパネル強度を僅かであっても低下させるので、傷痕を部分的に形成することによってパネル強度をさらに高めることができるという利点がある。
【0079】
図7(b)〜(d)は、上記のように傷痕を分割予定線の一部にのみ部分的に形成した例を示すものである。図7(b)に示す方法においては、基板表面にX方向に伸びるスクライブ溝17を形成するとともに、Y方向に伸びる短い傷痕41,42を形成する。傷痕41は、母基板における2次ブレイク時の分割予定線(すなわちY方向に伸びる分割予定線)上のY方向の両端部にそれぞれ所定長さ41Lとなるように形成される。また、傷痕42は、母基板における2次ブレイク時の分割予定線(Y方向に伸びる分割予定線)と1次ブレイク時の分割予定線(X方向に伸びる分割予定線、すなわちスクライブ溝17)との交点を含む前後にそれぞれ所定長さ42Lに亘りY方向に伸びるように形成される。この交点位置は、将来1次ブレイク後において短冊パネルの短冊基板の端部となる部位である。傷痕41,42のいずれも、その上記所定長さ41L,42Lは2〜15mmの範囲内であることが好ましく、特に、3〜10mmであることが望ましい。なお、上記傷痕41,42は、図2に示すスクライブ装置20を用いて、傷痕を形成する領域においてのみスクライブカッタ25が通常どおりに基板表面上を走行し、他の領域においてはスクライブカッタ25が上方へ引き上げられた状態となるように動作させることにより、容易に形成することができる。
【0080】
上記のようにY方向に伸びる分割予定線に沿って傷痕41,42を設けた理由は、短冊パネル13を形成した場合に、短冊パネル13を液晶パネル14に分割するための分割予定線の両端に傷痕41,42が残るようにするためである。短冊パネル13をレーザ割断する場合には、レーザ割断を開始する端部とレーザ割断を終了する端部との双方に傷痕41,42がそれぞれ形成されていることにより、割断方向のずれを防止することができる。
【0081】
レーザ割断を開始する端部に傷痕(クラック)が分割予定線に沿った方向に伸びるように或る程度の長さに亘り形成されていれば、分割予定線にほぼ沿った方向にレーザ割断を行うことは可能である。しかし、レーザ割断の開始部分と終了部分においては割断方向が不安定になり、レーザ割断の方向がしばしば分割予定線から外れてしまう場合がある。そこで、図7(b)に示す例においては、短冊パネル13の分割予定線の分割開始部分と分割終了部分にそれぞれ所定長さの傷痕が残るように構成している。これによって、分割予定線の全長に亘り安定したレーザ割断を行うことができ、破断面を分割予定線に精度良く一致するように形成することができる。また、この例においては、短冊パネル13の両端部にのみ傷痕が残るように構成されているので、スクライブ溝18を分割予定線全長に亘って形成する場合にくらべてマイクロクラックの発生が低減され、パネル強度を向上させることができる。
【0082】
図7(c)に示す例は、上記の図7(b)に示す例と同様にY方向に伸びる分割予定線に沿って傷痕41,42を形成するとともに、X方向に伸びる分割予定線に沿って、上記スクライブ溝17の代わりに傷痕43,44を形成したものである。ここで、傷痕43,44の長さ43L,44Lは上記傷痕41,42の長さ41L,42Lと同様の長さである。この場合、傷痕43は母基板の両端部にそれぞれ形成され、母基板をレーザ割断する場合に上述の2次ブレイクにおける傷痕41,42と同様の役割を果たすものである。また、傷痕44は、X方向に伸びる分割予定線に沿ってレーザ割断を行う場合にその割断方向を規制し、特にY方向に伸びる傷痕42によって割断方向が分割予定線から外れてしまうことを防止するために設けられたものである。
【0083】
図7(d)に示す例は、上記の図7(c)と同様にX方向及びY方向のいずれの方向に伸びる分割予定線に沿っても傷痕を形成している点で同様であるが、Y方向に沿って伸びる分割予定線に沿って、図7(c)に示す傷痕42のように分割予定線の交点の前後両側に伸びるように構成するのではなく、当該交点の片側にのみ伸びるように構成された傷痕45を形成している点で異なる。この場合には、母基板が分割されて短冊パネルが形成された後、この短冊パネルの基板表面には、Y方向に伸びる分割予定線上の両端部のうち一方の端部にのみ傷痕41,45が残る。このようにしても、短冊パネルの一方の端部にのみ残された傷痕41,45の形成位置からレーザ割断を開始することによって、短冊パネルの分割を行うことができる。ここで、傷痕45の長さ45Lは上記41L,42Lと同様の長さである。
【0084】
図8には、本発明のさらに異なるスクライブ方法を説明するための大判パネル250の平面図(a)及び短冊パネル260の平面図(b)を示す。このスクライブ方法においては、第1母基板251,第2母基板252のそれぞれの表面上に図示X方向に伸びるスクライブ溝253と、図示Y方向に伸びるスクライブ溝254を上記実施形態と同様の方法で形成する。ただし、スクライブ溝253,254は、その長さ方向に見て溝深さが50μm若しくは(200/3)t+70/3)(tは基板厚)を越え、好ましくは80μmを越えるように形成された深溝部253A,254Aと、溝深さが50μm若しくは(200/3)t+70/3)(tは基板厚)以下であるように形成された浅溝部253B,254Bとを有している点で、上記実施形態とは異なるものである。深溝部253A,254Aと浅溝部253B,254Bとは、図2及び図3に示す上記実施形態のスクライブ装置を用いてそれぞれのスクライブ溝253,254を刻設していく際に、途中で押し込み圧Faを変化させることによって形成される。押し込み圧Faを大きくすると溝深さが大きくなり、押し込み圧Faを小さくすると溝深さは小さくなる。
【0085】
図8(a)に示すように、スクライブ溝253の深溝部253Aは、スクライブ溝253の両端部(母基板のX方向の端部に形成された部分)にそれぞれ形成されている。また、浅溝部253Bは、スクライブ溝253の両端部を除く全ての部分を構成している。一方、スクライブ溝254の深溝部254Aは、スクライブ溝254の両端部(母基板のY方向の端部に形成された部分)にそれぞれ形成されているとともに、スクライブ溝253とスクライブ溝254との交点を含み、その前後いずれか(図示例では前後両方)に伸びた部分にも形成されている。また、浅溝部254Bは、上記深溝部254Aが形成されていない全ての部分を構成している。
【0086】
図8(a)に示すようにスクライブ溝253,254が形成された母基板251,252に対して、スクライブ溝253に沿って上記実施形態に示す方法と同じ方法で第1母基板251,第2母基板252を分割すると、図8(b)に示す短冊パネル260が形成される。この短冊パネル260の短冊基板261,262の表面上には、図示のように、上記スクライブ溝254の一部がそのまま残り、そのスクライブ溝の一方の端部(図示例では両端部)は深溝部254Aとなり、当該端部以外(図示例では両端部以外)の中央部分は浅溝部254Bとなる。そして、これらの短冊基板261,262に残されたスクライブ溝に沿って上記と同様に短冊基板261,262を分割し、上記の液晶パネル14を形成することができる。
【0087】
このスクライブ方法においては、基板の端部に深溝部253A,254Aが形成されているので、特にレーザ割断を行う場合に、その割断位置が深溝部253A,254Aの位置によって規制されることから、基板の分割位置を高精度に得ることができる。また、スクライブ溝の一部にのみ溝深さの深い部分が設けられているに過ぎないので、全体としてはスクライブに伴うマイクロクラックの発生量を低減することができ、したがって分割後の基板強度の低下を抑えることができる。
【0088】
さらに、一部にのみ深溝部253A,254Aを形成していることによって、基板が不所望に割れてしまうことが防止されるので、製品の歩留まりの低下を抑制できる。特に、上記スクライブ溝254において深溝部254A以外は浅溝部254Bとなっているので、大判パネル250から短冊パネル260を形成した後に、液晶注入・封止工程等の中間工程において基板割れが発生する恐れを低減できる。
【0089】
また、レーザ割断を用いて基板分割を行う場合には、レーザ光の走査を開始する部分及び走査を終了する部分(すなわち基板の両端部)において破断位置が分割予定線からずれる傾向にある。これは、レーザ光の照射によって生ずる加熱領域の温度分布及び進行方向が走査開始時及び走査終了時において不安定になることに起因する。しかし、上記のスクライブ方法においては、基板の端部、特に基板の両端部において深溝部253A,254Aが形成されているので、当該部分においてスクライブ溝によって破断位置が決定されることから、分割予定線からの破断位置のずれを防止し、精度良く基板を分割することができる。
【0090】
尚、本発明の液晶装置の製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【0091】
例えば、上記実施形態では、液晶パネルをパッシブマトリクス型の液晶パネルであるものとして説明をしているが、本発明はこのような液晶パネルに限らず、アクティブマトリクス型パネル、セグメント型パネル等のように種々の液晶パネルの製造方法に適用できるものである。
【0092】
また、上記実施形態では、レーザ割断の方法として、パネルの表裏両側から同時にレーザ光を照射し、パネルを構成する2枚の基板に対して同時にレーザ割断を行っているが、表裏の基板に対して順次にレーザ割断を実施してもよい。なお、パネル自体を分割するのではなく、パネルを構成する一方の基板のみを分割する場合には、当該基板のみをレーザ割断すればよい。
【0093】
さらに、上記実施形態では、傷痕を形成する場合にスクライブ加工と同様の加工を行っているが、短い傷痕は、砥粒やピンの先端で基板表面を擦過するなどの方法で形成することもできる。
【0094】
また、上記実施形態では、大判パネルを複数の短冊パネル(すなわち中間パネル)に分割した後に、個々の短冊パネル(中間パネル)をさらに液晶パネルに分割するときに2次ブレイクを行っているが、本発明はこのような場合に限らず、例えば大判パネルを複数の短冊パネルに分割するのではなく、1次ブレイク工程として大判パネルの一方の母基板のみを部分的に除去するための母基板の分割を行い、大判パネルのサイズを有してはいるが構造の異なる中間パネルとし、この中間パネルに対して、さらに個々の液晶パネルに分割するための2次ブレイク工程を実施する場合にも適用できる。また、例えば、前のブレイク工程において大判パネル又は短冊パネルからサイズとしては上記の液晶パネルと同等の複数の中間パネルに分割した後、後のブレイク工程において個々の中間パネルの一方の基板を部分的に割断させる場合、より具体的には一方の基板の端部を分割して図9及び図10に示す基板142のように他方の基板141よりもサイズを小さくして基板張出部141aを露出させる場合、に適用させることも可能である。
【0095】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によれば、製造工程を簡略化して製造コストを低減することができる。また、レーザ割断を用いることによって高精度かつ高品位の基板分割を行うことができ、パネル強度を向上できる。さらに、スクライブ溝を浅くすることにより不所望の基板割れを防止できるとともにパネル強度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る液晶装置の製造方法の実施形態におけるパネル形状の変遷を示す概略斜視図(a)〜(d)である。
【図2】同実施形態に用いるスクライブ装置の概略構成を示す概略構成図である。
【図3】同実施形態に用いるスクライブ装置においてスクライブを行う際のパネルの様子を示す拡大断面図である。
【図4】同実施形態に用いるレーザ割断装置の概略構成を示す概略構成図である。
【図5】同実施形態における工程手順を示す概略フローチャートである。
【図6】基板厚t及びスクライブ溝の溝深さDsと、基板割れやブレイク不良等との関係を説明するためのグラフである。
【図7】同実施形態の基板表面の傷痕形成例を示す平面図(a)、及び、他の傷痕形成例を示す平面図(b)〜(d)である。
【図8】他のスクライブ形成方法を示す大判パネルの平面図(a)、及び、短冊パネルの平面図(b)である。
【図9】同実施形態により形成された液晶パネルの透視平面図である。
【図10】同実施形態により形成された液晶パネルの概略断面図である。
【図11】従来の液晶装置の製造方法におけるパネル形状の変遷を示す斜視図(a)〜(d)である。
【図12】従来の液晶装置の製造方法の工程手順を示す概略フローチャートである。
【図13】レーザ割断によってパネルを分割する場合の説明図(a)〜(e)である。
【符号の説明】
10,250 大判パネル
11,251 第1母基板
12,252 第2母基板
13,260 短冊パネル
14 液晶パネル
15,16,17,18,253,254 スクライブ溝
20 スクライブ装置
30 レーザ割断装置
41,42,43,44,45 傷痕
41L,43L,45L 傷痕の長さ
42L,44L 傷痕の長さの半分
253A,254A 深溝部
253B,254B 浅溝部
Ds スクライブ溝の溝深さ
t 基板厚
Claims (11)
- シール材を介して2枚の母基板を貼り合わせて大判パネルを構成し、その後に、前記大判パネルを構成する前記母基板を分割して中間パネルを形成する第1分割工程と、さらにその後に、前記中間パネルを構成する中間基板を分割する第2分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、
前記大判パネルを構成する前記母基板に、前記母基板を分割するための第1分割予定線上の一部に形成される第1傷痕と、前記中間パネルを構成する前記中間基板を分割するための第2分割予定線上の一部に形成される第2傷痕と、を前記母基板の平面内において前記第1分割予定線と前記第2分割予定線の交点上で交差するように形成し、
その後、前記第1分割工程及び前記第2分割工程を実施することを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 前記第2分割工程においては、前記第2分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記中間パネルを構成する前記中間基板を割断することを特徴とする請求項1に記載の液晶装置の製造方法。
- 前記第1分割工程においては、前記第1分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記大判パネルを構成する前記母基板を割断することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の液晶装置の製造方法。
- 前記第1分割工程と前記第2分割工程の少なくとも一方の工程において、前記大判パネルを構成する2枚の前記母基板若しくは前記中間パネルを構成する2枚の前記中間基板に対して外面側から同時にレーザ光を照射して割断することを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の液晶装置の製造方法。
- 前記第1分割工程と前記第2分割工程との間に、前記中間パネルに対して基板分割以外の他の処理を施す中間工程を有することを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の液晶装置の製造方法。
- 前記第2傷痕を、前記母基板における前記第2分割予定線上の前記中間基板の端部相当部位に設けることを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれか1項に記載の液晶装置の製造方法。
- 前記第2傷痕を前記第2分割予定線上の前記中間基板の両端部相当部位にそれぞれ設けることを特徴とする請求項6に記載の液晶装置の製造方法。
- 前記第1傷痕を、前記母基板における前記第1分割予定線上の端部に設けることを特徴とする請求項2乃至請求項4、或いは、請求項6又は請求項7のいずれか1項に記載の液晶装置の製造方法。
- 前記第1傷痕を前記第1分割予定線上の両端部にそれぞれ設けることを特徴とする請求項8に記載の液晶装置の製造方法。
- シール材を介して貼り合わされた一対の基板を分割する第1分割工程と、前記分割された基板をさらに分割する第2分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、
一方の前記基板の外側面に、前記基板を分割するための第1分割予定線上の一部に形成される第1傷痕と、前記分割された基板をさらに分割するための第2分割予定線上の一部に形成される第2傷痕と、を前記母基板の平面内において前記第1分割予定線と前記第2分割予定線の交点上で交差するように形成する工程、を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。 - 他方の前記基板の外側面に、前記基板を分割するための第1分割予定線上の一部に形成される第1傷痕と、前記分割された基板をさらに分割するための第2分割予定線上の一部に形成される第2傷痕と、を前記母基板の平面内において前記第1分割予定線と前記第2分割予定線の交点上で交差するように形成する工程、を具備することを特徴とする請求項10に記載の液晶装置の製造方法。
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