JP2021158819A - 皮膜除去方法 - Google Patents

皮膜除去方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021158819A
JP2021158819A JP2020057693A JP2020057693A JP2021158819A JP 2021158819 A JP2021158819 A JP 2021158819A JP 2020057693 A JP2020057693 A JP 2020057693A JP 2020057693 A JP2020057693 A JP 2020057693A JP 2021158819 A JP2021158819 A JP 2021158819A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
laser beam
less
wavelength
removing method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020057693A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7489207B2 (ja
Inventor
史香 西野
Fumika NISHINO
史香 西野
暢康 松本
Nobuyasu Matsumoto
暢康 松本
昌充 金子
Akimitsu Kaneko
昌充 金子
和行 梅野
Kazuyuki Umeno
和行 梅野
大烈 尹
Dairetsu In
大烈 尹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP2020057693A priority Critical patent/JP7489207B2/ja
Publication of JP2021158819A publication Critical patent/JP2021158819A/ja
Priority to JP2024077096A priority patent/JP2024109665A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7489207B2 publication Critical patent/JP7489207B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Removal Of Insulation Or Armoring From Wires Or Cables (AREA)
  • Manufacture Of Motors, Generators (AREA)
  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)

Abstract

【課題】例えば、より不都合の少ない新規な皮膜除去方法を得る。【解決手段】皮膜除去方法は、例えば、レーザ光の照射により電線の絶縁皮膜を除去する皮膜除去方法であって、レーザ光の波長が533[nm]以下であるのが好適である。また、皮膜除去方法では、例えば、レーザ光の波長が350[nm]以上でありかつ533[nm]以下であるのがより好適である。また、皮膜除去方法では、例えば、レーザ光の出射エネルギ密度が1[J/mm2]以上でありかつ20[J/mm2]以下であるのがより好適である。【選択図】図3

Description

本発明は、皮膜除去方法に関する。
従来、レーザ光を照射することにより電線の皮膜を除去して当該皮膜が覆う導体を露出させる皮膜除去方法が知られている。(特許文献1)
特開2017−220634号公報
この種の皮膜除去方法にあっては、例えば、より確実に皮膜を除去することができたり、あるいはより手間をかけずに皮膜を除去することができたりなど、より不都合の少ない方法が得られれば、有益である。
そこで、本発明の課題の一つは、例えば、より不都合の少ない新規な皮膜除去方法を得ること、である。
本発明の皮膜除去方法は、例えば、レーザ光の照射により電線の絶縁皮膜を除去する皮膜除去方法であって、レーザ光の波長が533[nm]以下である。
また、前記皮膜除去方法では、例えば、レーザ光の波長が350[nm]以上でありかつ533[nm]以下である。
また、前記皮膜除去方法では、例えば、レーザ光の波長が400[nm]以上でありかつ500[nm]以下である。
また、前記皮膜除去方法では、例えば、レーザ光の出射エネルギ密度が1[J/mm]以上でありかつ20[J/mm]以下である。
また、前記皮膜除去方法では、例えば、レーザ光の出射エネルギ密度が3[J/mm]以上でありかつ13[J/mm]以下である。
また、前記皮膜除去方法では、例えば、レーザ光のスポットをスキャンして照射する。
また、前記皮膜除去方法では、例えば、レーザ光のスポット径は、200[μm]以上である。
また、前記皮膜除去方法では、例えば、レーザ光は連続波である。
本発明によれば、例えば、より不都合の少ない新規な皮膜除去方法を得ることができる。
図1は、実施形態の皮膜除去方法によって皮膜を除去する電線の例示的かつ模式的な斜視図である。 図2は、実施形態の皮膜除去システムの例示的な模式図である。 図3は、実施形態の皮膜除去方法を示すフローチャートである。 図4は、照射するレーザ光の波長に対する合成樹脂材料の光の吸収率を示すグラフである。
以下、本発明の例示的な実施形態が開示される。以下に示される実施形態の構成、ならびに当該構成によってもたらされる作用および結果(効果)は、一例である。本発明は、以下の実施形態に開示される構成以外によっても実現可能である。また、本発明によれば、構成によって得られる種々の効果(派生的な効果も含む)のうち少なくとも一つを得ることが可能である。
本明細書において、序数は、部品や、部位、工程等を区別するために便宜上付与されており、優先順位や順番を示すものではない。
また、各図において、X方向を矢印Xで表し、Y方向を矢印Yで表し、Z方向を矢印Zで表す。X方向、Y方向、およびZ方向は、互いに交差するとともに互いに直交している。なお、X方向は、長手方向あるいは延び方向とも称され、Y方向は、短手方向あるいは幅方向とも称され、Z方向は、厚さ方向とも称されうる。
[実施形態]
図1は、本実施形態の皮膜除去方法によって皮膜12が除去される電線10の斜視図である。図1に示されるように、電線10は、例えば、扁平な長方形状の断面を有した平角線である。電線10は、帯状かつ板状の形状を有した導体11と、当該導体11の周囲を取り囲む皮膜12と、を有している。
導体11は、例えば、無酸素銅や銅合金のような銅系材料で作られる。また、皮膜12は、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトンのような合成樹脂材料で作られる。
図1に示されるように、導体11を他の導体と電気的に接続するため、導体11の端部から長手方向の所定区間に渡って、皮膜12が除去される。なお、皮膜12が除去される位置は、電線10の端部には限定されない。
皮膜12は、レーザ光を照射することによって除去される。皮膜12の除去に際しては、例えば、図1中に破線の矢印で示されるように、皮膜12上でレーザ光のスポットがスキャンされる。スキャン方向や回数などは、図1に示されるものには限定されない。また、皮膜12は、図1とは異なる面も同様に除去されうる。また、電線10は、平角線には限定されず、断面形状も長方形状には限定されない。
[皮膜除去システムおよび皮膜除去方法]
図2は、皮膜除去システム100の模式図である。図2に示されるように、皮膜除去システム100は、レーザ装置110と、光学ヘッド120と、レーザ装置110と光学ヘッド120とを接続する光ファイバ130とを備えている。
レーザ装置110は、例えば、数十から数千[W]程度のパワーのレーザ光を出力できるよう構成されている。例えば、レーザ装置110は、内部に複数の半導体レーザ素子を備え、当該複数の半導体レーザ素子の合計の出力として数十から数千[W]程度のパワーのマルチモードのレーザ光を出力できるように構成することとしてもよい。また、レーザ装置110は、ファイバレーザ、YAGレーザ、ディスクレーザ等様々なレーザ光源を備えてもよい。
光ファイバ130は、レーザ装置110から出力されたレーザ光を、光学ヘッド120に導く。
光学ヘッド120は、レーザ装置110から光ファイバ130を経由して入力されたレーザ光を、電線10に向けて出射する光学装置である。光学ヘッド120は、出射部とも称されうる。
光学ヘッド120は、コリメートレンズ121と集光レンズ122とを備えている。コリメートレンズ121は、入力されたレーザ光を平行光にするための光学系である。集光レンズ122は、平行光化されたレーザ光を集光し、電線10に照射する光学系である。光学ヘッド120は、レーザ光をZ方向の反対方向に出射する。光学ヘッド120から出射したレーザ光Lは、電線10の皮膜12に照射される。
皮膜除去システム100は、光学ヘッド120と電線10すなわち当該電線10を保持する保持部材(不図示)との相対位置を変更可能に構成されている。これにより、電線10の皮膜12の表面上で、レーザ光の照射位置が移動する。これにより、レーザ光Lのスポット、すなわち照射領域は、皮膜12の表面上を掃引される。
光学ヘッド120と電線10との相対移動は、移動機構(不図示)によって実現される。移動機構は、光学ヘッド120の単独、電線10(保持部材)の単独、あるいは光学ヘッド120および電線10の双方を移動することができるよう、構成される。なお、本実施形態では、光学ヘッド120および電線10は、X方向およびY方向に相対的に移動する。
掃引されるレーザ光Lは、連続光であるのが好適である。ただし、これには限定されず、レーザ光Lは、断続周波数が比較的高いパルス光であってもよい。
図3は、実施形態の皮膜除去方法を示すフローチャートである。図3に示されるように、本実施形態では、まず、加工対象としての電線10を準備し(S1、第一工程)、その後、電線10の皮膜12にレーザ光Lを照射することにより当該皮膜12を除去し、当該皮膜12によって覆われている導体11を露出する(S2、第二工程)。なお、電線10が平角線である場合、第一工程S1において、電線10照射面(剥離面)の切り替えおよびセットが実行される。第一工程S1において、電線10は、除去される皮膜12の表面(外面)がZ方向を向くようにセットされる。
[波長と光の吸収率]
ここで、合成樹脂材料の光の吸収率について説明する。図4は、照射するレーザ光Lの波長に対する合成樹脂材料の光の吸収率を示すグラフである。図4のグラフの横軸は波長であり、縦軸は吸収率である。図4には、一例として、合成樹脂材料としてのポリイミドについて、波長と吸収率との関係が示されている。
材料によって若干特性が異なるものの、合成樹脂材料に関しては、一般的な赤外線(IR)のレーザ光Lを用いるよりも、青や緑のレーザ光Lを用いた方が、エネルギの吸収率がより高いことが理解できよう。吸収率が高い場合、例えば、レーザ光Lの照射によりより効率的に皮膜12を除去することが可能となる。このような観点から、発明者らは、合成樹脂材料について吸収率が高くなる533[nm]以下のレーザ光の照射による皮膜12の除去の有用性を確認すべく、以下の評価1および評価2を実施した。
[評価結果]
[評価1]
発明者らは、レーザ装置110から出射するレーザ光の波長、レーザ装置110から出射するレーザ光の出力、皮膜12上でのレーザ光Lのスポットの走査速度、およびスポット径(ビーム径)を異ならせた合計12個のサンプル(1−1〜1−12)について、皮膜除去システム100による皮膜除去方法の評価を行った。その評価結果(実験結果)が表1に示される。
Figure 2021158819
評価1では、皮膜残存、表面平坦度、および質量損失の3項目について評価が実施され、さらに、それら3項目に基づいて総合評価が実施された。3項目の評価は、「○」(良)、「△」(可)、および「×」(不可)の3ランクに区分され、総合評価については、さらに「◎」(優)を加えた4ランクに区分された。なお、表1中、「UM」は、「測定不能」を意味する。
皮膜残存については、皮膜除去部位(露出部位)と当該皮膜除去部位と密着的に接触させた他の導電体との間の電気抵抗(接触抵抗)により評価が実行された。これは、皮膜除去部位における皮膜の残存により当該皮膜除去部位と他の導体との間の電気抵抗が低下する、という現象に則っている。
表面平坦度は、JIS B 0601−2001で規定される表面粗さである算術平均粗さ(Ra)により評価が実行された。
質量損失は、皮膜剥離処理の前後における電線10の質量の差分(減分)を計測することにより、当該差分の元の電線10の質量に対する比率として、算出された。
また、総合評価は、皮膜残存、表面平坦度、および質量損失の3項目の重み付け評価に基づいて実施された。
(波長)
評価1において、総合評価が良または優のサンプル1−1〜1−7については、波長が450[nm]あるいは532[nm]であった。これに対し、波長が1070[nm]の場合(サンプル1−11,1−12)については、総合評価において良好な結果が得られなかった。
(エネルギ密度)
評価1において、総合評価が良または優のサンプル1−1〜1−7については、エネルギ密度が3.33[J/mm]以上20.0[J/mm]以下であった。これに対し、エネルギ密度が、0.75[J/mm]の場合(サンプル1−9)、33.3[J/mm]の場合(サンプル1−8)、50.0[J/mm]の場合(サンプル1−10)、および100.0[J/mm]の場合(サンプル1−12)については、総合評価において良好な結果が得られなかった。
(スポット径)
評価1において、総合評価が優のサンプル1−1〜1−5については、スポット径が230[μm]から400[μm]であった。
[評価2]
次に、発明者らは、レーザ装置110から出射するレーザ光の波長、レーザ装置110から出射するレーザ光の出力、レーザ光の照射時間、およびスポット径(ビーム径)を異ならせた合計6個のサンプル(2−1〜2−6)について、皮膜除去システム100による皮膜除去方法の評価を行った。その評価結果(実験結果)が表2に示される。
Figure 2021158819
評価2では、接合部空隙率、所要時間、および接合強度の3項目について評価が実施され、さらに、それら3項目に基づいて総合評価が実施された。評価2でも、3項目については、「○」(良)、「△」(可)、および「×」(不可)の3ランクに区分され、総合評価については、さらに「◎」(優)を加えた4ランクに区分された。
接合部空隙率は、所定条件での接合処理により皮膜除去部位と他の導体とが接合されて形成された接合部位における体積空隙率である。なお、接合部空隙率が高いほど、接合面積がより大きくなり、より良質な接合であると言える。
所要時間は、一定の所定面積の皮膜除去に要した時間である。
接合強度は、所定条件での接合処理によって皮膜除去部位と他の導体とが接合された接合部位の引張強度(剥離強度)である。
また、総合評価は、接合部空隙率、所要時間、および接合強度の3項目の重み付け評価に基づいて実施された。
(波長)
評価2において、総合評価が良または優のサンプル2−1〜2−4については、波長が450[nm]あるいは532[nm]であった。これに対し、波長が1070[nm]の場合(サンプル2−5,2−6)については、総合評価において良好な結果が得られなかった。
(エネルギ密度)
評価2において、総合評価が良または優のサンプル2−1〜2−4については、エネルギ密度が4.44[J/mm]または6.67[J/mm]であった。これに対し、エネルギ密度が20.0[J/mm]または13.3[J/mm]の場合(サンプル2−5,2−6)については、総合評価において良好な結果が得られなかった。ただし、これは波長が1070[nm]であることによる影響であると考えられる。
(スポット径)
評価2において、総合評価が良または優のサンプル2−1〜2−4については、スポット径が300[μm]であった。
以上、説明したように、上記評価1および評価2の結果を含めた発明者らの研究により、レーザ装置110が出射するレーザ光の波長は、533[nm]以下であるのが好適であり、350[nm]以上でありかつ533[nm]以下であるのがより好適であり、400[nm]以上でありかつ500[nm]以下であるのがさらに好適であることが判明した。
また、上記評価1および評価2の結果を含めた発明者らの研究により、レーザ装置110が出射するレーザ光のエネルギ密度は、1[J/mm]以上でありかつ20[J/mm]以下であるのが好適であり、3[J/mm]以上でありかつ13[J/mm]以下であるのがさらに好適であることが判明した。なお、エネルギ密度の好適な範囲は、波長の好適な範囲において、定められた。
また、上記評価1および評価2の結果を含めた発明者らの研究により、皮膜12上のレーザ光Lのスポット径は、200[μm]以上であるのが好適であることが判明した。なお、スポット径の好適な範囲は、波長の好適な範囲において、定められた。
以上、本発明の実施形態が例示されたが、上記実施形態は一例であって、発明の範囲を限定することは意図していない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、組み合わせ、変更を行うことができる。また、各構成や、形状、等のスペック(構造や、種類、方向、型式、大きさ、長さ、幅、厚さ、高さ、数、配置、位置、材質等)は、適宜に変更して実施することができる。
10…電線
11…導体
12…皮膜
100…皮膜除去システム
110…レーザ装置
120…光学ヘッド
121…コリメートレンズ
122…集光レンズ
130…光ファイバ
L…レーザ光
S1…第一工程
S2…第二工程
X…方向
Y…方向
Z…方向

Claims (8)

  1. レーザ光の照射により電線の絶縁皮膜を除去する皮膜除去方法であって、
    レーザ光の波長が533[nm]以下である、皮膜除去方法。
  2. レーザ光の波長が350[nm]以上でありかつ533[nm]以下である、請求項1に記載の皮膜除去方法。
  3. レーザ光の波長が400[nm]以上でありかつ500[nm]以下である、請求項2に記載の皮膜除去方法。
  4. レーザ光の出射エネルギ密度が1[J/mm]以上でありかつ20[J/mm]以下である、請求項1〜3のうちいずれか一つに記載の皮膜除去方法。
  5. レーザ光の出射エネルギ密度が3[J/mm]以上でありかつ13[J/mm]以下である、請求項4に記載の皮膜除去方法。
  6. レーザ光のスポットをスキャンして照射する、請求項1〜5のうちいずれか一つに記載の皮膜除去方法。
  7. レーザ光のスポット径は、200[μm]以上である、請求項6に記載の皮膜除去方法。
  8. レーザ光は連続波である、請求項1〜7のうちいずれか一つに記載の皮膜除去方法。
JP2020057693A 2020-03-27 2020-03-27 皮膜除去方法 Active JP7489207B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020057693A JP7489207B2 (ja) 2020-03-27 2020-03-27 皮膜除去方法
JP2024077096A JP2024109665A (ja) 2020-03-27 2024-05-10 皮膜除去方法および皮膜除去装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020057693A JP7489207B2 (ja) 2020-03-27 2020-03-27 皮膜除去方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024077096A Division JP2024109665A (ja) 2020-03-27 2024-05-10 皮膜除去方法および皮膜除去装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021158819A true JP2021158819A (ja) 2021-10-07
JP7489207B2 JP7489207B2 (ja) 2024-05-23

Family

ID=77918612

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020057693A Active JP7489207B2 (ja) 2020-03-27 2020-03-27 皮膜除去方法
JP2024077096A Pending JP2024109665A (ja) 2020-03-27 2024-05-10 皮膜除去方法および皮膜除去装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024077096A Pending JP2024109665A (ja) 2020-03-27 2024-05-10 皮膜除去方法および皮膜除去装置

Country Status (1)

Country Link
JP (2) JP7489207B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024053744A1 (ja) * 2022-09-08 2024-03-14 古河電気工業株式会社 皮膜除去方法および皮膜除去装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04105509A (ja) * 1990-08-24 1992-04-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 電線皮膜の剥離方法
JPH11337418A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Miyachi Technos Corp シース型熱電対の製造方法
JP2008234917A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Mitsubishi Electric Corp 銅線の製造方法および銅線被膜剥離装置
JP2015524642A (ja) * 2012-06-29 2015-08-24 ラゼレック 紫色又は青色レーザーダイオードを用いた電気ケーブル剥皮装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04105509A (ja) * 1990-08-24 1992-04-07 Sumitomo Electric Ind Ltd 電線皮膜の剥離方法
JPH11337418A (ja) * 1998-05-26 1999-12-10 Miyachi Technos Corp シース型熱電対の製造方法
JP2008234917A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Mitsubishi Electric Corp 銅線の製造方法および銅線被膜剥離装置
JP2015524642A (ja) * 2012-06-29 2015-08-24 ラゼレック 紫色又は青色レーザーダイオードを用いた電気ケーブル剥皮装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024053744A1 (ja) * 2022-09-08 2024-03-14 古河電気工業株式会社 皮膜除去方法および皮膜除去装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7489207B2 (ja) 2024-05-23
JP2024109665A (ja) 2024-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2024109665A (ja) 皮膜除去方法および皮膜除去装置
US10369659B2 (en) Wafer producing method
US9925619B2 (en) Wafer producing method
US10076804B2 (en) Wafer producing method
US9789565B2 (en) Wafer producing method
US9815138B2 (en) Wafer producing method
US10297438B2 (en) Water producing method
TW201735143A (zh) SiC晶圓的生成方法
US9764428B2 (en) Wafer producing method
US20160193690A1 (en) Wafer producing method
JP6947664B2 (ja) 絶縁皮膜剥離方法
US9764420B2 (en) Wafer producing method
TW201631227A (zh) 晶圓的生成方法
TW201639017A (zh) 晶圓的生成方法
CN110340541B (zh) 一种浪推式激光加工方法、装置和系统
TWI399256B (zh) 雷射切斷方法及雷射切斷裝置
KR20120127218A (ko) 광 디바이스 웨이퍼의 분할 방법
CN110957676B (zh) 线圈线的覆膜层除去方法
JP6255192B2 (ja) 光デバイス及び光デバイスの加工方法
JP6699595B2 (ja) 貫通孔を有するガラス基板
JP5361916B2 (ja) レーザスクライブ方法
KR20120039216A (ko) 초음파를 이용한 레이저 가공장치 및 가공방법
JP2004342494A (ja) 極細同軸ケーブル及び極細同軸ケーブルの端末加工方法
JP4800729B2 (ja) 基板加工方法及び発光素子の製造方法
JP2007296556A (ja) レーザ切断方法及びレーザ切断装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230323

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20231031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231128

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20240126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240321

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240416

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240513

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7489207

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150