JP2021158752A5 - - Google Patents
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Description
図４は、従来のバッテリ装置を示す回路図である。
従来のバッテリ装置は、充電制御ＦＥＴ１と、放電制御ＦＥＴ２と、二次電池３と、充放電制御装置５０を備え、充電器４からの充電や負荷５への放電を制御している。充放電制御装置５０は、電圧検出回路５１と、チャージポンプ５２と、低電圧検出回路５３と、制御回路５４と、駆動回路５５と、スイッチ５８と、ＮＭＯＳトランジスタ５９と、電源端子ＶＤＤ、接地端子ＶＳＳ、出力端子ＣＯ及びＤＯ、入力端子ＶＭを備えている。
従来のバッテリ装置は、充電制御ＦＥＴ１と、放電制御ＦＥＴ２と、二次電池３と、充放電制御装置５０を備え、充電器４からの充電や負荷５への放電を制御している。充放電制御装置５０は、電圧検出回路５１と、チャージポンプ５２と、低電圧検出回路５３と、制御回路５４と、駆動回路５５と、スイッチ５８と、ＮＭＯＳトランジスタ５９と、電源端子ＶＤＤ、接地端子ＶＳＳ、出力端子ＣＯ及びＤＯ、入力端子ＶＭを備えている。
しかしながら、従来のバッテリ装置の低電圧検出回路５３は、図５に示すように、ゲートが電源端子ＶＤＤに接続されたＮＭＯＳトランジスタ５３１と抵抗５３２を入力端子ＶＭと接地端子ＶＳＳの間に直列接続した回路構成（特許文献１図５）のため、電源端子ＶＤＤの電圧が高い通常状態において、入力端子ＶＭと接地端子ＶＳＳの間に常時電流が流れることになる。
電圧検出回路１６は、過放電検出信号ＶＤＬが入力されているときに充電器４が接続されて入力端子ＶＭの電圧が電源端子ＶＤＤの電圧よりも高くなったことを検出すると、検出信号ＶＤを出力する。
二次電池３が過放電状態のため、過放電検出回路１１は、過放電検出信号ＶＤＬを出力する。電圧検出回路１６は、過放電検出信号ＶＤＬが入力されているため、充電器４が接続されて、入力端子ＶＭの電圧が電源端子ＶＤＤの電圧よりも高くなると、検出信号ＶＤを出力する。スイッチ２２、２３は、検出信号ＶＤを受けてオフする。ＮＭＯＳトランジスタ２６はゲートに検出信号ＶＤを受けるとオンするため、スイッチ２１はオンする。従って、充電制御ＦＥＴ１は、ゲートに入力端子ＶＭの電圧が印加されるためオンする。これにより、二次電池３は、充電器４より放電制御ＦＥＴ２のボディダイオードを経由して充電電流が供給される。
このとき、充電制御ＦＥＴ１のソース端子から放電制御ＦＥＴ２のソース端子に発生する電圧は、充電制御ＦＥＴ１の閾値電圧、充電制御ＦＥＴ１のソース―ドレイン飽和電圧と放電制御ＦＥＴ２のボディダイオードの順方向電圧の合計値のいずれか大きい方で決定される。
このとき、充電制御ＦＥＴ１のソース端子から放電制御ＦＥＴ２のソース端子に発生する電圧は、充電制御ＦＥＴ１の閾値電圧、充電制御ＦＥＴ１のソース―ドレイン飽和電圧と放電制御ＦＥＴ２のボディダイオードの順方向電圧の合計値のいずれか大きい方で決定される。
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| JP2020055620A JP7345416B2 (ja) | 2020-03-26 | 2020-03-26 | 充放電制御装置及びバッテリ装置 |
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2020
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