JP2021153100A - 半導体パッケージ用ステム、半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1実施形態に係る半導体パッケージ用ステムを例示する斜視図(その1)であり、半導体パッケージ用ステムを第1基板及び第2基板の表面側から視た図である。図2は、第1実施形態に係る半導体パッケージ用ステムを例示する斜視図(その2)であり、半導体パッケージ用ステムを第1基板及び第2基板の裏面側から視た図である。図3は、第1実施形態に係る半導体パッケージ用ステムを例示する平面図である。
第1実施形態の変形例1では、第1実施形態とは構造の異なる半導体パッケージ用ステムの例を示す。なお、第1実施形態の変形例1において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
次に、第1基板31、第2基板32、及び第3基板33の裏面側における接地パターン同士の接続のシミュレーションを行った結果について、詳しく説明する。シミュレーションには、解析ソフト:ANSYS Electromagnetics Suite 2019 R3を使用した。線状部材80としては、直径25μmの金製のボンディングワイヤを想定した。なお、シミュレーション結果は第1基板31側についてのみ示すが、左右対称である第2基板32側も同様の結果である。
シミュレーション1では、第1基板31及び第3基板33の裏面側において接地パターン同士を接続する線状部材80の本数を2本とし、線状部材80を接続する高さ方向の位置による特性差についてシミュレーションを行った。又、比較例として、線状部材80を接続しない場合についてもシミュレーションを行った。
シミュレーション2では、第1金属ブロック21の高さを変更した場合の影響について、線状部材80の本数を2本、8本としてシミュレーションを行った。
シミュレーション3−1では、第1金属ブロック21の高さを一定とし、線状部材80の本数を変更した場合のシミュレーションを行った。
シミュレーション3−2では、第1金属ブロック21の高さを一定とし、線状部材80の本数を変更した場合のシミュレーションを行った。
シミュレーション3−3では、第1金属ブロック21の高さを一定とし、線状部材80の本数を変更した場合のシミュレーションを行った。
2 半導体パッケージ
10 アイレット
10a 上面
10b 下面
21 第1金属ブロック
21a、22a、23a 基板固定面
22 第2金属ブロック
23 第3金属ブロック
31 第1基板
31G、32G、33G 接地パターン
31S、32S、33S1、33S2 信号パターン
32 第2基板
33 第3基板
41 第1リード
42 第2リード
43 第3リード
44 第4リード
45 第5リード
46 第6リード
50 封止部
60 発光素子
70 ペルチェ素子
80 線状部材
100 キャップ
110 透明部材
Claims (10)
- アイレットと、
前記アイレットの上面に突起する第1金属ブロックと、
前記アイレットを上面側から下面側に貫通する第1貫通孔内に封着された第1リードと、
前記第1リードと電気的に接続された第1信号パターンが形成された表面、及び前記表面の反対面となる裏面を備え、前記裏面の側が前記第1金属ブロックの第1側面に固定された第1基板と、を有し、
前記第1基板の前記裏面の一部である第1部分が前記第1金属ブロックから露出し、
前記第1基板の前記第1部分に接地パターンが形成されている半導体パッケージ用ステム。 - 前記アイレットの上面を基準として、前記第1金属ブロックの高さは前記第1基板の高さよりも低い請求項1に記載の半導体パッケージ用ステム。
- 前記アイレットの上面に突起し、前記第1側面と同一側を向く第2側面を備えた第2金属ブロックと、
前記アイレットを上面側から下面側に貫通する第2貫通孔内に封着された第2リードと、
前記第2リードと電気的に接続された第2信号パターンが形成された表面、及び前記表面の反対面となる裏面を備え、前記裏面の側が前記第2金属ブロックの前記第2側面に固定された第2基板と、を有し、
前記第1金属ブロックと前記第2金属ブロックは離間して配置され、
前記第2基板の前記裏面の一部である第2部分が前記第2金属ブロックから露出し、
前記第2基板の前記第2部分に接地パターンが形成されている請求項1又は2に記載の半導体パッケージ用ステム。 - 前記アイレットの上面を基準として、前記第2金属ブロックの高さは前記第2基板の高さよりも低い請求項3に記載の半導体パッケージ用ステム。
- 前記第1側面と前記第2側面は、同一平面上に位置している請求項3又は4に記載の半導体パッケージ用ステム。
- 請求項1又は2に記載の半導体パッケージ用ステムと、
前記アイレットの上面に配置されたペルチェ素子と、
前記ペルチェ素子上に配置され、前記第1側面と同一側を向く第3側面を備えた第3金属ブロックと、
発光素子が実装された表面、及び前記表面の反対面となる裏面を備え、前記裏面の側が前記第3金属ブロックの前記第3側面に固定された第3基板と、を有し、
前記第3基板の前記裏面の一部である第3部分が前記第3金属ブロックから露出し、
前記第3基板の前記第3部分に接地パターンが形成され、
前記第1金属ブロックと前記第3金属ブロックは離間して配置され、
前記第1金属ブロックの前記第1部分に形成された前記接地パターンと、前記第3金属ブロックの前記第3部分に形成された前記接地パターンとが線状部材を介して電気的に接続されている半導体パッケージ。 - 請求項3乃至5の何れか一項に記載の半導体パッケージ用ステムと、
前記アイレットの上面に配置されたペルチェ素子と、
前記ペルチェ素子上に配置され、前記第1側面及び前記第2側面と同一側を向く第3側面を備えた第3金属ブロックと、
発光素子が実装された表面、及び前記表面の反対面となる裏面を備え、前記裏面の側が前記第3金属ブロックの前記第3側面に固定された第3基板と、を有し、
前記第3基板の前記裏面の一部である第3部分が前記第3金属ブロックの前記第1基板側から露出し、
前記第3基板の前記裏面の一部である第4部分が前記第3金属ブロックの前記第2基板側から露出し、
前記第3基板の前記第3部分及び前記第4部分に接地パターンが形成され、
前記第1金属ブロックと前記第3金属ブロック、及び前記第2金属ブロックと前記第3金属ブロックは離間して配置され、
前記第1金属ブロックの前記第1部分に形成された前記接地パターンと、前記第3金属ブロックの前記第3部分に形成された前記接地パターンとが線状部材を介して電気的に接続され、
前記第2金属ブロックの前記第2部分に形成された前記接地パターンと、前記第3金属ブロックの前記第4部分に形成された前記接地パターンとが線状部材を介して電気的に接続されている半導体パッケージ。 - 前記第1金属ブロックの前記第1部分に形成された前記接地パターンと、前記第3金属ブロックの前記第3部分に形成された前記接地パターンとが複数の線状部材を介して電気的に接続され、
前記第2金属ブロックの前記第2部分に形成された前記接地パターンと、前記第3金属ブロックの前記第4部分に形成された前記接地パターンとが複数の線状部材を介して電気的に接続されている請求項7に記載の半導体パッケージ。 - 前記第1基板及び前記第2基板は、前記第3基板よりも熱伝導性の低い材料で形成されている請求項7又は8に記載の半導体パッケージ。
- 前記第1基板及び前記第2基板はアルミナ製であり、前記第3基板は窒化アルミニウム製である請求項9に記載の半導体パッケージ。
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