JP2021136437A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下に例示をする基板100は、例えば、半導体ウェーハ、インプリント用テンプレート、フォトリソグラフィ用マスク、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)に用いられる板状体などとすることができる。
なお、基板100には、表面にパターンである凹凸部が形成されていることもあるが、本実施の形態に係る基板処理装置1は、凹凸部が形成される前の基板(例えば、いわゆるバルク基板)の洗浄に好適に用いることができる。ただし、基板処理装置1の用途は、バルク基板の洗浄に限定されるわけではない。
図1に示すように、基板処理装置1には、載置部2、冷却部3、第1液体供給部4、第2液体供給部5、筐体6、送風部7、検出部8、制御部9、および排気部11が設けられている。
載置台2aは、筐体6の内部に回転可能に設けられている。載置台2aは、板状を呈している。載置台2aの一方の主面には、基板100を支持する複数の支持部2a1が設けられている。基板100を複数の支持部2a1に支持させる際には、基板100の表面100b(洗浄を行う側の面)が、載置台2a側とは反対の方を向くようにする。
なお、冷却液部3aが、タンクに収納された冷却液を気化させることで冷却ガス3a1を生成する場合を例示したが、窒素ガス等をチラーなどで冷却し、冷却ガス3a1とすることもできる。この様にすれば、冷却液部を簡素化できる。
水とアルコールの混合液とすれば表面張力を低下させることができるので、基板100の表面100bに形成された微細な凹凸部の内部に液体101を供給するのが容易となる。
水とアルカリ溶液の混合液とすれば、ゼータ電位を低下させることができるので、基板100の表面100bから分離させた汚染物が基板100の表面100bに再付着するのを抑制することができる。
供給部4bは、配管を介して、液体収納部4aに接続されている。供給部4bは、液体収納部4aに収納されている液体101を液体ノズル4dに向けて供給する。供給部4bは、例えば、液体101に対する耐性を有するポンプなどとすることができる。なお、供給部4bがポンプである場合を例示したが、供給部4bはポンプに限定されるわけではない。例えば、供給部4bは、液体収納部4aの内部にガスを供給し、液体収納部4aに収納されている液体101を圧送するものとしてもよい。
図2は、基板処理装置1の作用を例示するためのタイミングチャートである。
図3は、凍結洗浄工程における基板100に供給された液体101の温度変化を例示するためのグラフである。
また、所定の厚みを厚くしたい場合、第3の回転数から第2の回転数とすることなく第1の回転数とすることもできる。また、この場合、第1の回転数は、0rpmに近い回転数とすることが好ましい。特に、基板100の回転が停止すれば、遠心力により液膜の厚みがばらつくのをより抑制することができる。
なお、予備工程から第1の回転数としてもよい。また、第3の回転数が第1の回転数よりも遅い回転数であってもよい。
なお、液膜の厚みに関する詳細は後述する。
図4(a)に示すように、凍結工程(固相)において、凍結膜101aの温度が低下すると、凍結膜101aの熱膨張係数と、基板100の熱膨張係数との差に応じた応力Fが発生する。
なお、凍結洗浄工程の実行回数は、不図示の入出力画面を介して操作者により入力される。あるいは、基板を収納するケースに付属したバーコードやQRコード(登録商標)などのマークを基板処理装置1が読み込むようにしてもよい。
凍結工程(固相)の処理時間を長く設定することで、なぜ除去率が液膜の厚さに依らず向上するのか、そのメカニズムについては、明らかではない。しかし、凍結工程(固相)の処理時間を所定の時間以上実施することで、1回の凍結工程でも高い除去率が得られる。
基板100の回転が速くなれば、液体101と液体101が凍結したものとを遠心力で振り切ることができる。そのため、液体101と液体101が凍結したものとを基板100の表面100bから排出することができる。この際、基板100の表面100bから分離された汚染物103も液体101と液体101が凍結したものととともに排出される。
凍結洗浄が終了した基板100は、筐体6の図示しない搬入搬出口を介して、筐体6の外部に搬出される。
以上の様にすることで、1回の凍結洗浄工程を行うことができる。
さらに、凍結工程(固相)において、凍結膜101aにひび割れを発生させることで、汚染物103が取り込まれている凍結膜101aが外部に向けて凸状に変形することで、基板100の表面に付着している汚染物103を分離する。
すなわち、基板処理装置1によれば、凍結工程(固液相)および凍結工程(固相)において、それぞれ異なるメカニズムにより汚染物103を分離する。そのため、汚染物103の除去率を向上させることができる。
図6に示すように、基板処理装置1aには、載置部2、冷却部3、第1液体供給部4、第2液体供給部5、筐体6、送風部7、検出部8、温度検出部8a、ガス供給部10、排気部11、および制御部9が設けられている。
ガス収納部10aは、ガス10dの収納と供給を行う。ガス収納部10aは、ガス10dが収納された高圧ボンベや工場配管などとすることができる。
流量制御部10bは、ガス10dの流量を制御する。流量制御部10bは、例えば、ガス10dの流量を直接的に制御するMFCとすることもできるし、圧力を制御することでガス10dの流量を間接的に制御するAPCとすることもできる。
また、送風部7により供給される空気7aの量を制御することで、液体101の過冷却状態の制御を行うこともできる。
このようにすることで、凍結工程(固相)の時間、つまり、ひびが入るまでの時間を短縮することができる。
このように、凍結工程(固液相)および凍結工程(固相)の開始時刻を検出部8で検出できれば、検出部8のデータを解析または演算して求めた、結果からひびの発生の有無を判断する機能を基板処理装置1に取付け無くてもよい。つまり、簡易な制御部9とすることができる。
このように、反射率によってひび割れを検出することで、温度変化からでは検出できないひび割れを確実に検知をすることができる。結果的に、より確実にパーティクルの除去をすることができる。
このようにすることで、反射率、屈折率をおよび画像を撮像する機構を不要とでき、簡易な構成とすることができる。なお、しきい値となってから0.2〜2.0秒程度経過してから解凍を始めるようにしてもよい。
このようにすることで、ひびの発生を直接検知するので、より確実にパーティクルの除去をすることができる。
Claims (7)
- 基板を回転可能な載置台と、
前記載置台と、前記基板と、の間の空間に、冷却ガスを供給可能な冷却部と、
前記基板の、前記載置台側とは反対の面に液体を供給可能な液体供給部と、
前記基板の回転、前記冷却ガスの流量、および、前記液体の供給量を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記基板の前記面の上にある前記液体が過冷却状態となるようにし、前記過冷却状態となった前記液体を凍結することで凍結膜を生成し、前記凍結膜の温度を低下させて前記凍結膜にひび割れを生じさせる基板処理装置。 - 前記制御部は、繰返し数20回以上なら、前記液体の供給量を制御して、前記基板の前記面の上にある前記液体の液膜の厚みを300μm以上、1200μm以下にする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、
前記液体供給部を制御して前記基板の載置台側とは反対の面に前記液体を凝固点よりも高い温度で供給させるとともに、前記冷却部を制御して前記冷却ガスを前記基板の前記載置台側の面に供給させた後に、所定時間が経過するまでこの状態を維持し、
前記所定時間の経過後に、前記載置台を制御して前記液膜の厚みが所定の厚みとなる第2の回転数に変更し、
前記第2の回転数に変更後、前記冷却部を制御して前記冷却ガスの供給を維持しながら、前記液体供給部を制御して前記液体の供給を停止させ、
前記液体の供給の停止後に、前記液膜の厚みが所定の厚みとなるまでの間、前記第2の回転数で前記基板を回転させ、
前記液膜の厚みが所定の厚みとなった後、前記載置台を制御して前記基板の回転を停止、あるいは第2の回転数よりも遅い回転数である第1の回転数とする請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記ひび割れを検出する検出部をさらに備えた請求項1〜3のいずれか1つに記載の基板処理装置。
- 前記検出部は、
前記基板の前記面の上にある前記液体の温度を検出し、
前記制御部は、
前記検出部が検出した前記温度から前記液膜が前記凍結膜となった時刻を検出し、予め決められた時間が経過したら、前記凍結膜を解凍させる請求項4記載の基板処理装置。 - 前記検出部は、
前記基板の前記面の上にある前記液体の温度を検出し、
前記制御部は、
前記凍結膜にひび割れが発生する温度を予め記憶し、
前記検出部が検出した前記温度が前記ひび割れが発生する温度に達したら、前記凍結膜を解凍させる請求項4記載の基板処理装置。 - 前記検出部は、
前記基板の前記面を撮像し、
前記制御部は、
ひび割れの数、あるいはひび割れの面積を閾値として予め記憶し、
前記検出部が撮像した画像から前記ひび割れを検出し、前記ひび割れの数、あるいは前記ひび割れの面積が前記閾値以上となったら、前記凍結膜を解凍させる請求項4記載の基板処理装置。
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