JP2021128965A - 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】温度制御対象物の温度制御を行う温度制御装置は、温度制御対象物を加熱する加熱源を有する加熱機構と、温度制御対象物を冷却する冷却源を有する冷却機構と、温度制御対象物の温度を測定する赤外線センサと、赤外線センサからの測定信号に基づいて、スライディングモード制御を含む制御系により加熱機構および冷却機構を制御して制御対象物の温度をフィードバック制御する温度コントローラとを備える。
【選択図】図4
Description
最初に、一実施形態に係る検査装置について説明する。
図1は一実施形態に係る検査装置の概略構成を示す斜視図、図2は図1の検査装置の一部を断面で示す正面図である。
次に、温度制御装置20の構成について図4を用いて説明する。図4は、ステージ10の上部構成、赤外線センサが装着されたプローブカード12の構成、および温度制御装置20を概略的に示す断面図であり、検査を行っている際の状態を示している。
次に、温度コントローラ30について詳細に説明する。
温度コントローラ30は、電子デバイスDの検査時に、上述した赤外線センサ80で測定した電子デバイスDの温度の測定信号を受け取り、その測定信号に基づいて、スライディングモード制御を含む制御系により加熱機構40および冷却機構50を制御し、電子デバイスDの温度をフィードバック制御する。これにより、高精度の温度制御を実施する。また、検査時以外は、温度測定の信号をステージ10の蓋部材31に設けられた温度センサ31aに切り替えて温度制御を行う。
u=−(SB)−1SAx−K(SB)−1・sgn(σ)
=−(SB)−1{SAx+K・sgn(σ)}
σ=Sx
SAxが線形項であり、K・sgn(σ)が非線形項である。A、Bは状態方程式の行列であり、SとKが制御パラメータである。関数sgnは不連続な関数を表していて、sgn(σ)がスライディングモードの切替関数となる。切替超平面は線形制御の枠組みで設計可能であり、スライディングモードでは、切替超平面上を、非線形項により図7に示す領域IIと領域Iを極めて短時間で行き来しながら進んでいく。すなわち、スライディングモードでは、線形項(線形制御操作量)は制御システムの状態を切替超平面上で制御誤差を最小にするようにし、非線形項(非線形制御操作量)はモデル化誤差や不確かな外乱があると制御システムの状態を切替超平面へ向かわせる。これにより極めて高い精度で温度制御を行うことができる。
温度コントローラ30の第1の例は、加熱源であるLED41へ投入するパワー(電流値出力)を操作量としたスライディングモード制御、および冷却源である高速バルブへ投入するパワー(すなわち高速バルブの開閉信号)を操作量とした冷却モード制御により温度制御を行う。
unl=−k・σ/(|σ|+η)
ηはチャタリング抑制項である。非線形入力(非線形項):unlは、切り替え周波数を無限としているため、状態量が切替超平面近傍でチャタリング(高周波振動)する。このため、ηを用いてチャタリングを抑制して入力を平滑化する。
冷却モードコントローラ72は、冷却源である高速バルブ54へ投入するパワー(高速バルブ54の開閉信号)を操作量として冷却制御を行う。これによりステージ10の冷媒流路32aに供給される冷媒の量を制御し、電子デバイスDの温度制御を行う。冷却モードコントローラ72の出力は、冷媒流量および吸熱係数に基づき吸熱モデルにより算出される。図11では吸熱係数が−0.4と表示されているが、これは一例にすぎず、その値は電子デバイス等によって変化する。
温度コントローラの第2の例の基本構成は、第1の例と同じであるが、後述する図13に示すように、第1の例とは制御方式が異なっている。
図13は温度コントローラ30´の制御ブロックを示す図である。温度コントローラ30´は、スライディングモードコントローラ71と、冷却モードコントローラ72と、加算器77と、切替コントローラ73´と、プラントモデル74とを有する。スライディングモードコントローラ71と、冷却モードコントローラ72と、プラントモデル74の基本構成は、第1の例の温度コントローラ30と同様である。
次に、検査装置1を用いたウエハWに対する検査処理の一例について説明する。
まず、ローダ3のFOUPから搬送装置によりウエハWを取り出してステージ10に搬送し、載置する。次いで、ステージ10を所定の位置に移動する。
以上、実施形態について説明したが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
2;検査部
3;ローダ
4;テスタ
10;ステージ
12;プローブカード
12a;プローブ
13;インターフェース
15;制御部
20;温度制御装置
30、30´;温度コントローラ
31a;温度センサ
32a;冷媒流路
40;加熱機構
41;LED
50;冷却機構
52;冷媒配管
53;可変流量バルブ
54;高速バルブ
71;スライディングモードコントローラ
72;冷却モードコントローラ
73、73´;切替コントローラ
74;プラントモデル
77;加算器
80;赤外線センサ
D;電子デバイス
W;ウエハ
Claims (19)
- 温度制御対象物の温度制御を行う温度制御装置であって、
前記温度制御対象物を加熱する加熱源を有する加熱機構と、
前記温度制御対象物を冷却する冷却源を有する冷却機構と、
前記温度制御対象物の温度を測定する赤外線センサと、
前記赤外線センサからの測定信号に基づいて、スライディングモード制御を含む制御系により前記加熱機構および前記冷却機構を制御して前記制御対象物の温度をフィードバック制御する温度コントローラと、
を備える、温度制御装置。 - 前記赤外線センサは、サーマルダイオードを含む、請求項1に記載の温度制御装置。
- 前記温度コントローラは、
前記加熱源へ投入するパワーを操作量とするスライディングモードコントローラと、
前記冷却源へ投入するパワーを操作量とする冷却モードコントローラと、
前記スライディングモードコントローラの出力である線形項と非線形項のうち、前記非線形項の値により、前記スライディングモードコントローラの出力をそのまま第1の操作量として前記加熱源に出力するか、または、前記スライディングモードコントローラの出力を使用せず、前記冷却モードコントローラの出力を第2の操作量として使用するかを決定する切替コントローラと、
を有する、請求項1または請求項2に記載の温度制御装置。 - 前記温度コントローラは、
前記加熱源へ投入するパワーを操作量とするスライディングモードコントローラと、
前記冷却源へ投入するパワーを操作量とする冷却モードコントローラと、
前記スライディングモードコントローラの出力である線形項と非線形項のうち、前記非線形項の値により、前記スライディングモードコントローラの出力をそのまま第1の操作量として前記加熱源に出力するか、または、前記スライディングモードコントローラの出力と前記冷却モードコントローラの出力とを加えたものを第2の操作量として使用するかを決定する切替コントローラと、
を有する、請求項1または請求項2に記載の温度制御装置。 - 前記冷却機構は、前記温度制御対象物を冷媒により冷却し、前記冷却源は冷媒の流路を開閉する高速バルブであり、前記冷却モードコントローラの出力は前記高速バルブへの開閉信号である、請求項3または請求項4に記載の温度制御装置。
- 前記加熱源はLEDであり、前記第1の操作量はLEDに投入する電流値である、請求項3から請求項5のいずれか一項に記載の温度制御装置。
- 前記温度制御対象物は、基板に設けられた電子デバイスである、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の温度制御装置。
- 温度制御対象物の温度制御を行う温度制御方法であって、
赤外線センサにより温度制御対象物の温度を測定する工程と、
前記赤外線センサからの測定信号に基づいて、スライディングモード制御を含む制御系により前記温度制御対象物を加熱する加熱機構および前記温度制御対象物を冷却する冷却機構を制御して前記制御対象物の温度をフィードバック制御する工程と、
を有する、温度制御方法。 - 前記温度制御対象物の温度を制御する工程は、
前記加熱源へ投入するパワーを操作量としてスライディングモード制御を行う工程と、
前記温度制御対象物を冷却する冷却源へ投入するパワーを操作量として冷却モード制御を行う工程と、
前記スライディングモード制御における出力である線形項と非線形項のうち、前記非線形項の値により、前記スライディングモード制御の出力をそのまま第1の操作量として前記加熱源に出力するか、または、前記スライディングモード制御の出力を使用せず、前記冷却モード制御の出力を第2の操作量として使用するかを決定する工程と、
を有する、請求項8に記載の温度制御方法。 - 前記温度制御対象物の温度を制御する工程は、
前記温度制御対象物を加熱する加熱源へ投入するパワーを操作量としてスライディングモード制御を行う工程と、
前記スライディングモード制御と、前記温度制御対象物を冷却する冷却源へ投入するパワーを操作量とする冷却モード制御とを併用する工程と、
前記スライディングモード制御における出力である線形項と非線形項のうち、前記非線形項の値により、前記スライディングモード制御の出力をそのまま第1の操作量として前記加熱源に出力するか、または、前記スライディングモード制御の出力と前記冷却モード制御の出力を加えたものを第2の操作量として使用するかを決定する工程と、
を有する、請求項8に記載の温度制御方法。 - 前記温度制御対象物は、基板に設けられた電子デバイスである、請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の温度制御方法。
- 複数の電子デバイスが設けられた基板を載置するステージと、
前記ステージ上の基板に設けられた前記電子デバイスにプローブを電気的に接触させて当該電子デバイスを検査する検査機構と、
前記電子デバイスの温度制御を行う温度制御装置と、
を具備し、
前記温度制御装置は、
前記電子デバイスを加熱する加熱源を有する加熱機構と、
前記電子デバイスを冷却する冷却源を有する冷却機構と、
前記電子デバイスの温度を測定する赤外線センサと、
前記赤外線センサからの測定信号に基づいて、スライディングモード制御を含む制御系により前記加熱機構および前記冷却機構を制御して前記電子デバイスの温度をフィードバック制御する温度コントローラと、
を備える、検査装置。 - 前記赤外線センサは、前記検査機構に設けられている、請求項12に記載の検査装置。
- 前記検査機構は、前記プローブを有するプローブカードを備え、前記赤外線センサは、前記プローブカードの外周部、または、前記プローブカードの前記プローブの上方位置に設けられる、請求項13に記載の検査装置。
- 前記ステージは、前記基板の温度を測定する温度センサを有し、前記検査機構による前記電気デバイスの検査時以外には、前記温度コントローラの温度情報として前記温度センサの測定信号を用いる、請求項12から請求項14のいずれか一項に記載の検査装置。
- 前記温度コントローラは、
前記加熱源へ投入するパワーを操作量とするスライディングモードコントローラと、
前記冷却源へ投入するパワーを操作量とする冷却モードコントローラと、
前記スライディングモードコントローラの出力である線形項と非線形項のうち、前記非線形項の値により、前記スライディングモードコントローラの出力をそのまま第1の操作量として前記加熱源に出力するか、または、前記スライディングモードコントローラの出力を使用せず、前記冷却モードコントローラの出力を第2の操作量として使用するかを決定する切替コントローラと、
を有する、請求項12から請求項15のいずれか一項に記載の検査装置。 - 前記温度コントローラは、
前記加熱源へ投入するパワーを操作量とするスライディングモードコントローラと、
前記冷却源へ投入するパワーを操作量とする冷却モードコントローラと、
前記スライディングモードコントローラの出力である線形項と非線形項のうち、前記非線形項の値により、前記スライディングモードコントローラの出力をそのまま第1の操作量として前記加熱源に出力するか、または、前記スライディングモードコントローラの出力と、前記冷却モードコントローラの出力とを加えたものを第2の操作量として使用するかを決定する切替コントローラと、
を有する、請求項12から請求項15のいずれか一項に記載の検査装置。 - 前記冷却機構は、前記温度制御対象物を冷媒により冷却し、前記冷却源は冷媒の流路を開閉する高速バルブであり、前記冷却モードコントローラの出力は前記高速バルブへの開閉信号である、請求項16または請求項17に記載の検査装置。
- 前記加熱源はLEDであり、前記第1の操作量はLEDに投入する電流値である、請求項16から請求項18のいずれか一項に記載の検査装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020021128A JP7365923B2 (ja) | 2020-02-12 | 2020-02-12 | 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置 |
KR1020210014441A KR102517505B1 (ko) | 2020-02-12 | 2021-02-02 | 온도 제어 장치, 온도 제어 방법, 및 검사 장치 |
TW110103945A TW202141660A (zh) | 2020-02-12 | 2021-02-03 | 溫度控制裝置、溫度控制方法、以及檢查裝置 |
CN202110163760.4A CN113325900B (zh) | 2020-02-12 | 2021-02-05 | 温度控制装置、温度控制方法以及检查装置 |
US17/172,655 US11740643B2 (en) | 2020-02-12 | 2021-02-10 | Temperature control device and method, and inspection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020021128A JP7365923B2 (ja) | 2020-02-12 | 2020-02-12 | 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021128965A true JP2021128965A (ja) | 2021-09-02 |
JP2021128965A5 JP2021128965A5 (ja) | 2022-10-17 |
JP7365923B2 JP7365923B2 (ja) | 2023-10-20 |
Family
ID=77176985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020021128A Active JP7365923B2 (ja) | 2020-02-12 | 2020-02-12 | 温度制御装置、温度制御方法、および検査装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11740643B2 (ja) |
JP (1) | JP7365923B2 (ja) |
KR (1) | KR102517505B1 (ja) |
CN (1) | CN113325900B (ja) |
TW (1) | TW202141660A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7161854B2 (ja) * | 2018-03-05 | 2022-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
TWI811153B (zh) * | 2022-11-10 | 2023-08-01 | 明泰科技股份有限公司 | 網路設備之智慧溫度控制系統 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10135315A (ja) * | 1996-10-29 | 1998-05-22 | Tokyo Electron Ltd | 試料載置台の温度制御装置及び検査装置 |
JP2000052985A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-02-22 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 鉄道車両の振動抑制方法及び装置 |
JP2001118798A (ja) | 1999-10-22 | 2001-04-27 | Tokyo Electron Ltd | 放射温度計の校正方法および熱処理装置 |
JP2001263136A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-26 | Unisia Jecs Corp | 内燃機関の空燃比フィードバック制御装置 |
JP4480921B2 (ja) | 2001-02-19 | 2010-06-16 | 株式会社小松製作所 | むだ時間を有するプロセス系に対する離散時間スライディングモード制御装置及び方法 |
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JP6994313B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び電子デバイス検査装置 |
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JP7161854B2 (ja) | 2018-03-05 | 2022-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 検査装置 |
JP2020009927A (ja) * | 2018-07-09 | 2020-01-16 | フェニックス電機株式会社 | 加熱用ledランプ、およびそれを備えるウエハ加熱ユニット |
-
2020
- 2020-02-12 JP JP2020021128A patent/JP7365923B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-02 KR KR1020210014441A patent/KR102517505B1/ko active IP Right Grant
- 2021-02-03 TW TW110103945A patent/TW202141660A/zh unknown
- 2021-02-05 CN CN202110163760.4A patent/CN113325900B/zh active Active
- 2021-02-10 US US17/172,655 patent/US11740643B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7365923B2 (ja) | 2023-10-20 |
US20210247786A1 (en) | 2021-08-12 |
TW202141660A (zh) | 2021-11-01 |
CN113325900B (zh) | 2022-08-05 |
US11740643B2 (en) | 2023-08-29 |
CN113325900A (zh) | 2021-08-31 |
KR20210102847A (ko) | 2021-08-20 |
KR102517505B1 (ko) | 2023-04-03 |
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