JP2020009927A - 加熱用ledランプ、およびそれを備えるウエハ加熱ユニット - Google Patents
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Abstract
Description
基板と、
前記基板の表面に載置された複数のLEDとを備える加熱用LEDランプが提供される。
上記加熱用LEDランプと、
加熱炉体とを備える、ウエハ加熱ユニットが提供される。
本発明が適用された加熱用LEDランプ100について、図面を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る加熱用LEDランプ100を示す図である。
加熱用LEDランプ100における基板110に対してLED120を載置・実装する際、封止用シリコーン樹脂を使用するのが一般的であるが、この封止用シリコーン樹脂は400nm以下のUV光により早期に劣化する事が確認できている。ところが一般的に使用されているシリコンウエハの吸収波長は300nm付近において高く、400nm付近から長波長になるほど低下していく傾向にあるため、封止用シリコーン樹脂を使用すると極端に寿命が短くなる点が指摘されている。
LED120には、発光層を2層有するダブルジャンクションチップを使用するのが好適である。これにより、加熱用LEDランプ100の単位面積当たりの発光量(加熱量)を多くすることができる。
複数のLED120を基板110に載置(実装)する間隔は、各LED120のサイズが1mm角であるとき、LED120の中心同士の間隔を2mm未満とするのが好適であり、1.5mm未満とするのがさらに好適である。このように、各LED120をChip On Board(COB)型で基板110の表面に載置(実装)することによってLED120を高い密度で配置することができ、加熱用LEDランプ100の大光量化ができる。また、COB型はLED120を直接基板110に実装するので、LED120から基板110へ熱が伝達する際の熱抵抗が小さくなり、LED120で発生した熱を効率よく基板110に逃がすことができる。
基板110における各LED120の実装配置形状は、各LED120同士の間隔が一定となるような、格子状あるいは千鳥格子状とすることが考えられる。
加熱用LEDランプ100における発光面の面積がウエハWの面積よりも大きくなるように設計し、発光面の周縁部に位置するLED120はウエハWの加熱には使用しないように当該LED120からの光はウエハWに当たらないようにするのが好適である。
A=C×R×B (1)
0.063<R≦0.0845 (2)
A:発光面の直径[mm]
B:加熱用LEDランプ100とウエハWとの間の距離[mm]
C:ウエハWの直径[mm]
R:変数
A=C×R×B (1)
0.063<R≦0.0769 (3)
A:発光面の直径[mm]
B:加熱用LEDランプ100とウエハWとの間の距離[mm]
C:ウエハWの直径[mm]
R:変数
基板110の形状については、長方形または正方形状の基板110を隣り合うように並べて、上述のように、加熱用LEDランプ100全体の面積がウエハWの面積よりも大きくなるように設定するのが好適である。
加熱用LEDランプ100とウエハWとの間の距離は、1mm以上あればよいが、短すぎるとウエハWの加熱の均一性の点で不利になることから、少なくとも3mm以上、好ましくは5mm以上、さらに好ましくは10mm以上とするべきである。
加熱用LEDランプ制御装置230が各LED120に流す電流値を大きくすれば、それだけLED120からの発光量が多くなり、ウエハWを所定の温度まで加熱ために要する時間を短くすることができる。
加熱装置200に複数の加熱用LEDランプ100を使用する場合、各加熱用LEDランプ100に同じ値の電流を流しても、加熱用LEDランプ100ごとに発光量のばらつきが見られる場合があり、このばらつきに起因して、加熱装置200によるウエハWの加熱の均一性が低下するおそれがある。
ウエハWだけでなく、電流が供給されて発光中のLED120自身も昇温していき、LED120自身の温度が上がりすぎると、放射する光の波長が変化したり発光量が低下したりするなど、加熱用LEDランプ100として問題が生じる場合がある。このため、基板110の裏面(LED120が載置(実装)された面とは反対の面)に放熱性の高いシート材等を配設し、このシート材等に水冷ヒートシンク(図示せず)を当接させてLED120を冷却するのが好適である。もちろん、水冷するほどの温度上昇が各LED120に見られない場合は、空冷でもよい。
上述のように、LED120自身の温度が上がりすぎるのを回避するため、基板110としては、熱抵抗の小さいアルミニウムをベースとした基板や、銅をベースとした基板、あるいは、アルミナ基板や窒化アルミ基板を使用するのが望ましい。また、基板110の寸法が大きくなってくると、アルミニウムや銅をベースとした金属系の基板では、アルミニウムや銅といった金属の熱膨張係数と、LED120を基板に固定する樹脂レジストの熱膨張係数との違いによって基板110が反ってしまうという問題がある。このため、基板110の寸法が大きい場合は、このような問題が生じないアルミナ基板や窒化アルミ基板といったセラミック系の基板を用いるのが好適である。
図9に示すように、加熱用LEDランプ100におけるウエハWに向かう面に光の指向角を狭くさせるレンズ260を設けてもよい。LED120からの光の指向角をレンズ260によって狭めることにより、ウエハWから外れて当該ウエハWの加熱に寄与しなかった光もウエハWの加熱に使用できるようになり、効率のよい加熱用LEDランプ100とすることができる。なお、レンズ260の数は、1つの加熱用LEDランプ100に対して1つのレンズ260であってもよいし(図9の例)、1つのLED120に対して1つのレンズを設けてもよい。
加熱炉体210の内部空間214に充填する気体は、空気や窒素、あるいは、不活性ガスを用いるのが好適である。
加熱装置200の加熱能力としては、ウエハWを200℃以上500℃以下まで加熱でき、また、各LED120に対して電流を供給開始してから2秒以上10秒以下、好適には2秒以上5秒以下の時間でウエハW自身の温度を上記の温度まで加熱できるものであることが好適である。
各LED120を基板110に接合させる材料としては、一般に樹脂入り銀ペーストが使用されているが、これに変えて、樹脂を用いない銀ナノペーストを用いるのが好適である。銀ナノペーストを用いてLED120を基板110に金属結合させることにより、従来の樹脂入りに比べてLED120から基板110への熱移動の効率(熱伝導率)が約10倍になることから、LED120の冷却の点で有利だからである。
200…加熱装置
210…加熱炉体、212…開口、214…内部空間、216…ウエハ保持部、218…圧力調整孔
220…ウエハテーブル
230…加熱用LEDランプ制御装置
240…加圧制御装置
250…ウエハテスター
260…レンズ
Claims (2)
- 基板と、
前記基板の表面に載置された複数のLEDとを備える加熱用LEDランプ。 - 請求項1に記載の加熱用LEDランプと、
加熱炉体とを備える、ウエハ加熱ユニット。
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