JP2022052054A - 光源ユニット及び加熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
基板と、
前記基板に搭載された複数のLED素子によって形成された光源領域とを備え、
それぞれの前記光源領域は、複数の前記LED素子が直列接続されてなるLED素子群を複数備えると共に、当該LED素子群が並列接続されてなり、
複数の前記光源領域のうちの少なくとも一つは、含まれる全ての前記LED素子が出射する光のピーク波長が実質的に同一である単一波長光源領域であることを特徴とする。
前記基板上に配置された複数の小基板を備え、
複数の前記光源領域のそれぞれは、異なる前記小基板上に形成されていても構わない。
前記単一波長光源領域に含まれる前記LED素子群は、直列に接続されている前記LED素子の数が同一であっても構わない。
前記単一波長光源領域は、前記基板の主面と直交する方向から見たときに、前記基板の周方向に配列されていても構わない。
搭載されている全ての前記LED素子は、出射する光ピーク波長が実質的に同一であっても構わない。
前記単一波長光源領域に含まれる前記LED素子は、出射する光のピーク波長が300nm以上1000nm以下の範囲内であっても構わない。
前記単一波長光源領域に含まれる前記LED素子は、出射する光のピーク波長が300nm以上500nm以下の範囲内であっても構わない。
前記単一波長光源領域に含まれる前記LED素子は、出射する光のピーク波長が800nm以上900nm以下の範囲内であっても構わない。
被処理基板を加熱処理する加熱処理装置であって、
前記被処理基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内で前記被処理基板を支持する支持部材と、
前記被処理基板に向かって光を照射する上記光源ユニットとを備えることを特徴とする。
図1は、加熱処理装置1の一実施形態の構成をY方向に見たときの断面図である。図1に示すように、第一実施形態の加熱処理装置1は、被処理基板W1が収容されるチャンバ10と、光源ユニット2と、放射温度計14とを備える。光源ユニット2は、複数のLED素子11と、LED素子11が載置された基板12とを備える。第一実施形態は、被処理基板W1がシリコンウェハであることを前提として説明するが、シリコン以外の材料からなる半導体ウェハであってもよく、ガラス基板等であっても構わない。
は、放射温度計14が被処理基板W1の主面W1aの温度を観測するために設けられている。透光窓10bは、光源ユニット2のLED素子11から出射されて被処理基板W1の主面W1bに向かって進行する光を、チャンバ10内に取り込むために設けられている。
本発明の加熱処理装置1の第二実施形態の構成につき、第一実施形態と異なる箇所を中心に説明する。
以下、別実施形態につき説明する。
2 : 光源ユニット
10 : チャンバ
10a : 観測用窓
10b : 透光窓
11 : LED素子
11s : LED素子群
12 : 基板
12a,12b : 光源領域
12c : 中心
13 : 支持部材
14 : 放射温度計
20 : 小基板
30a : アノード電極
30b : カソード電極
30c : ツェナーダイオード
W1 : 被処理基板
W1a,W1b : 主面
Claims (9)
- 基板と、
前記基板に搭載された複数のLED素子によって形成された光源領域とを備え、
それぞれの前記光源領域は、複数の前記LED素子が直列接続されてなるLED素子群を複数備えると共に、当該LED素子群が並列接続されてなり、
複数の前記光源領域のうちの少なくとも一つは、含まれる全ての前記LED素子が出射する光のピーク波長が実質的に同一である単一波長光源領域であることを特徴とする光源ユニット。 - 前記基板上に配置された複数の小基板を備え、
複数の前記光源領域のそれぞれは、異なる前記小基板上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光源ユニット。 - 前記単一波長光源領域に含まれる前記LED素子群は、直列に接続されている前記LED素子の数が同一であることを特徴とする請求項1又は2に記載の光源ユニット。
- 前記単一波長光源領域は、前記基板の主面と直交する方向から見たときに、前記基板の周方向に配列されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の光源ユニット。
- 搭載されている全ての前記LED素子は、出射する光のピーク波長が実質的に同一であることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の光源ユニット。
- 前記単一波長光源領域に含まれる前記LED素子は、出射する光のピーク波長が300nm以上1000nm以下の範囲内であることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の光源ユニット。
- 前記単一波長光源領域に含まれる前記LED素子は、出射する光のピーク波長が300nm以上500nm以下の範囲内であることを特徴とする請求項6のいずれか一項に記載の光源ユニット。
- 前記単一波長光源領域に含まれる前記LED素子は、出射する光のピーク波長が800nm以上900nm以下の範囲内であることを特徴とする請求項6に記載の光源ユニット。
- 被処理基板を加熱処理する加熱処理装置であって、
前記被処理基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内で前記被処理基板を支持する支持部材と、
前記被処理基板に向かって光を照射する請求項1~8のいずれか一項に記載の光源ユニットとを備えることを特徴とする加熱処理装置。
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