JP2021128247A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021128247A5 JP2021128247A5 JP2020022459A JP2020022459A JP2021128247A5 JP 2021128247 A5 JP2021128247 A5 JP 2021128247A5 JP 2020022459 A JP2020022459 A JP 2020022459A JP 2020022459 A JP2020022459 A JP 2020022459A JP 2021128247 A5 JP2021128247 A5 JP 2021128247A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- mask blank
- reflective mask
- reflective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 18
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 3
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical group [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020022459A JP7475154B2 (ja) | 2020-02-13 | 2020-02-13 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2024066024A JP7676624B2 (ja) | 2020-02-13 | 2024-04-16 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2025075419A JP2025105890A (ja) | 2020-02-13 | 2025-04-30 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020022459A JP7475154B2 (ja) | 2020-02-13 | 2020-02-13 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024066024A Division JP7676624B2 (ja) | 2020-02-13 | 2024-04-16 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021128247A JP2021128247A (ja) | 2021-09-02 |
| JP2021128247A5 true JP2021128247A5 (https=) | 2023-01-25 |
| JP7475154B2 JP7475154B2 (ja) | 2024-04-26 |
Family
ID=77488487
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020022459A Active JP7475154B2 (ja) | 2020-02-13 | 2020-02-13 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2024066024A Active JP7676624B2 (ja) | 2020-02-13 | 2024-04-16 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2025075419A Pending JP2025105890A (ja) | 2020-02-13 | 2025-04-30 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024066024A Active JP7676624B2 (ja) | 2020-02-13 | 2024-04-16 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2025075419A Pending JP2025105890A (ja) | 2020-02-13 | 2025-04-30 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (3) | JP7475154B2 (https=) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7475154B2 (ja) * | 2020-02-13 | 2024-04-26 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法 |
| KR20240025708A (ko) * | 2021-09-28 | 2024-02-27 | 에이지씨 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 도전막을 구비한 기판 |
| WO2023190360A1 (ja) | 2022-04-01 | 2023-10-05 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、および反射型マスクの製造方法 |
| EP4550046A1 (en) * | 2022-06-28 | 2025-05-07 | Hoya Corporation | Substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and method for producing semiconductor device |
| JP7392236B1 (ja) | 2022-07-05 | 2023-12-06 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、および反射型マスクの製造方法 |
| WO2024009819A1 (ja) | 2022-07-05 | 2024-01-11 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、および反射型マスクの製造方法 |
| KR20240007530A (ko) * | 2022-07-08 | 2024-01-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 포토 마스크 |
| TW202414447A (zh) * | 2022-09-14 | 2024-04-01 | 日商三菱化學股份有限公司 | 導電膜的製造方法、罩幕的製造方法、半導體元件的製造方法、導電膜的缺陷檢查方法以及缺陷檢查裝置 |
| JP2024119143A (ja) * | 2023-02-22 | 2024-09-03 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
| KR20250060932A (ko) * | 2023-03-17 | 2025-05-07 | 에이지씨 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 도전막 구비 기판 |
| WO2024195577A1 (ja) * | 2023-03-17 | 2024-09-26 | Ａｇｃ株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよび導電膜付き基板 |
| JP2024142177A (ja) * | 2023-03-29 | 2024-10-10 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| WO2025033114A1 (ja) * | 2023-08-09 | 2025-02-13 | Ａｇｃ株式会社 | 光学式検査装置の校正方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 |
| JP2025095450A (ja) * | 2023-12-14 | 2025-06-26 | Hoya株式会社 | 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、および半導体装置の製造方法 |
| WO2025239181A1 (ja) * | 2024-05-16 | 2025-11-20 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008118143A (ja) * | 2002-04-11 | 2008-05-22 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
| WO2010007955A1 (ja) | 2008-07-14 | 2010-01-21 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク |
| KR20120034074A (ko) * | 2009-07-08 | 2012-04-09 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 |
| JP6125772B2 (ja) | 2011-09-28 | 2017-05-10 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法 |
| JP6287099B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2018-03-07 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク |
| JP6408790B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2018-10-17 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP6301127B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2018-03-28 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
| US11281088B2 (en) * | 2017-04-17 | 2022-03-22 | AGC Inc. | Reflective mask blank for EUV exposure, and reflective mask |
| US10996553B2 (en) * | 2017-11-14 | 2021-05-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Extreme ultraviolet mask with reduced wafer neighboring effect and method of manufacturing the same |
| TWI811369B (zh) * | 2018-05-25 | 2023-08-11 | 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 | 反射型光罩基底、反射型光罩、以及反射型光罩及半導體裝置之製造方法 |
| JP6636581B2 (ja) * | 2018-08-01 | 2020-01-29 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP7475154B2 (ja) * | 2020-02-13 | 2024-04-26 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法 |
-
2020
- 2020-02-13 JP JP2020022459A patent/JP7475154B2/ja active Active
-
2024
- 2024-04-16 JP JP2024066024A patent/JP7676624B2/ja active Active
-
2025
- 2025-04-30 JP JP2025075419A patent/JP2025105890A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2021128247A5 (https=) | ||
| JP2024096901A5 (https=) | ||
| JP2022009220A5 (https=) | ||
| JPWO2022138360A5 (https=) | ||
| JPWO2020184473A5 (https=) | ||
| JP7676624B2 (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク、導電膜付き基板、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2022064956A5 (https=) | ||
| JP4926523B2 (ja) | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 | |
| TWI467317B (zh) | Optical components for EUV microsurgery | |
| JP6301127B2 (ja) | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 | |
| JPWO2022118762A5 (https=) | ||
| JP2017181571A5 (https=) | ||
| JPWO2019131506A5 (https=) | ||
| CN109669318A (zh) | 极紫外（euv）光刻掩模 | |
| JP2018173664A (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| TWI841741B (zh) | 反射型空白光罩及反射型光罩 | |
| TW201435485A (zh) | Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底及其製造方法 | |
| TW201232163A (en) | Mask blank, method for producing same, and transfer mask | |
| TW202119120A (zh) | 用於極紫外光微影之空白罩幕以及光罩 | |
| JP6271780B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2021184108A (ja) | 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JPWO2023190696A5 (https=) | ||
| JP2024133671A5 (https=) | ||
| JP2016072438A (ja) | 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 | |
| WO2020166475A1 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |