JP2021115637A

JP2021115637A - Ｍｅｍｓ装置

Info

Publication number: JP2021115637A
Application number: JP2020008500A
Authority: JP
Inventors: 雅実吉川; Masami Yoshikawa
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2020-01-22
Filing date: 2020-01-22
Publication date: 2021-08-10
Anticipated expiration: 2040-01-22
Also published as: JP7345404B2

Abstract

【課題】動作が良好で接続信頼性に優れたＭＥＭＳ装置を提供すること。【解決手段】配線基板２００と、第１面および第１面の反対側の第２面を有する四角枠状の支持部１１０ならびに該支持部１１０の前記第１面上に位置する素子部１２０とを備えるＭＥＭＳ素子１００と、を含み、前記素子部１２０は、前記支持部１１０と重なる枠部１２２および該枠部１２２の内側に位置して前記枠部１２２に接続されている機能部１２１を有し、前記支持部１１０の前記第２面と前記配線基板２００とが、前記支持部１１０の４つの辺部のそれぞれにおいて互いに間隔を設けて配置された複数の接合部材３００で接合されており、前記支持部１１０の４つの辺部のうち、第１辺部１１３における接合部材３００の間隔は、第２辺部１１４における接合部材３００の間隔よりも小さいＭＥＭＳ装置。【選択図】図１

Description

本発明は、ＭＥＭＳ装置に関するものである。

圧力センサ、加速度センサおよびマイクロフォン等の各種センサ、光スキャナおよびデジタルミラーデバイス等のミラーデバイスにＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子を用いたＭＥＭＳ装置が用いられている。ＭＥＭＳ素子を実装基板に実装することで外部回路と接続可能なＭＥＭＳ装置となる。

ＭＥＭＳ素子の実装基板への実装は、例えばＭＥＭＳ素子を接着剤で固定してワイヤボンディングで電気的に接続することで行なわれる。ＭＥＭＳ素子と実装基板とでは熱膨張係数が異なるため、これらの間に発生する熱応力によってＭＥＭＳ素子に歪が発生する場合がある。これに対して、所定の厚みを有する弾性材料をセンサチップとリードフレームとの間の仲介固着層として使用する技術が知られている（例えば特許文献１を参照。）。この技術では実装基板の材料が制約され、用途に応じたセンサを提供できないという課題に対して、ＭＥＭＳ素子の実装面に突起物を設けて突起物と実装基板とを接着剤を介して接続したＭＥＭＳデバイスが知られている（例えば特許文献２を参照。）。

特開平３−２８９５２８号公報特開２０１２−６０９２号公報

しかしながら、特許文献１のＭＥＭＳ素子の実装構造は、ＭＥＭＳ素子の枠状の下面の全面が配線基板に接合されるものであるため、熱応力の低減が十分ではなくＭＥＭＳ素子に歪が発生する可能性があった。特許文献２のＭＥＭＳ素子の実装構造においては、ある程度の応力の緩和は可能であるが、ボンディングワイヤによる電気的接続性、あるいはＭＥＭＳ素子の形状による歪の影響を考慮した接着剤の配置（接続位置）ではなかった。そのため、ボンディングワイヤの接続性を含む実装信頼性、歪によるＭＥＭＳ素子の動作の精度が低下してしまう可能性があった。

本開示の１つの態様によるＭＥＭＳ装置は、配線基板と、第１面および第１面と反対側の第２面を有する四角枠状の支持部ならびに該支持部の前記第１面上に位置する素子部を備えるＭＥＭＳ素子と、を含み、前記素子部は、前記支持部と重なる枠部および該枠部の内側に位置して前記枠部に接続されている機能部を有し、前記支持部の前記第２面と前記配線基板とが、前記支持部の４つの辺部のそれぞれにおいて互いに間隔を設けて配置された複数の接合部材で接合されており、前記支持部の４つの辺部のうち、第１辺部における接合部材の間隔は、第２辺部における接合部材の間隔よりも小さい。

本開示の１つの態様のＭＥＭＳ装置によれば、支持部の４つの辺部のそれぞれにおいて互いに間隔を設けて配置された複数の接合部材で接合されている点状の接合によって熱応力が低減され、ＭＥＭＳ素子全体の歪みを抑えられるとともに、支持部の４つの辺部のうち第１辺部における接合部材の間隔は小さいことから、第１辺部を電極の位置に応じてよ
り強固に接合する箇所、あるいはＭＥＭＳ素子の形状に応じて歪みのより小さい箇所とすることができるため、実装信頼性あるいはＭＥＭＳ素子の動作の精度が高いものとなる。

ＭＥＭＳ装置の一例の実装構造を示す平面図である。（ａ）は図１のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線における断面図である。ＭＥＭＳ装置の他の一例の実装構造を示す平面図である。（ａ）は図３のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｂ）は図３のＢ−Ｂ線における断面図である。ＭＥＭＳ装置の他の一例の実装構造を示す平面図である。（ａ）は図５のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｂ）は図５のＢ−Ｂ線における断面図である。ＭＥＭＳ装置の他の一例の実装構造を示す平面図である。（ａ）は図７のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｂ）は図７のＢ−Ｂ線における断面図である。（ａ）はＭＥＭＳ装置の一例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。（ａ）はＭＥＭＳ装置の他の一例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。（ａ）はＭＥＭＳ装置の他の一例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。

本発明の実施形態のＭＥＭＳ装置について、添付の図面を参照して説明する。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際にＭＥＭＳ装置が使用されるときの上下を限定するものではない。図１はＭＥＭＳ装置の一例の実装構造を示す平面図である。図２（ａ）は図１のＡ−Ａ線における断面図であり、図２（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線における断面図である。図３はＭＥＭＳ装置の他の一例の実装構造を示す平面図である。図４（ａ）は図３のＡ−Ａ線における断面図であり、図４（ｂ）は図３のＢ−Ｂ線における断面図である。図５はＭＥＭＳ装置の他の一例の実装構造を示す平面図である。図６（ａ）は図５のＡ−Ａ線における断面図であり、図６（ｂ）は図５のＢ−Ｂ線における断面図である。図７はＭＥＭＳ装置の他の一例の実装構造を示す平面図である。図８（ａ）は図７のＡ−Ａ線における断面図であり、図８（ｂ）は図７のＢ−Ｂ線における断面図である。図９（ａ）はＭＥＭＳ装置の一例を示す平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。図１０（ａ）はＭＥＭＳ装置の他の一例を示す平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。図１１（ａ）はＭＥＭＳ装置の他の一例を示す平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。

本開示の１つの態様のＭＥＭＳ装置６００は、配線基板２００と、第１面１１１および第１面１１１の反対側の第２面１１２を有する四角枠状の支持部１１０ならびに該支持部１１０の前記第１面１１１上に位置する素子部１２０とを備えるＭＥＭＳ素子１００と、を含む。素子部１２０は、支持部１１０と重なる枠部１２２および枠部１２２の内側に位置して枠部１２２に接続されている機能部１２１を有する。支持部１１０の第２面１１２と配線基板２００とは、支持部１１０の４つの辺部のそれぞれにおいて互いに間隔を設けて配置された複数の接合部材３００で接合されている。そして、支持部１１０の４つの辺部のうち、第１辺部１１３における接合部材３００の間隔は、第２辺部１１４における接合部材３００の間隔よりも小さい。

図１および図２に示す例においては、ＭＥＭＳ素子１００の支持部１１０の第２面１１２（下面）が、配線基板２００に接合部材３００で接合されている。接合部材３００は枠状の支持部１１０の周方向で間隔を設けて配置されている。図１におけるＭＥＭＳ素子１００の四角枠状の支持部１１０の上側の辺部（上辺部）、左側の辺部および右側の辺部においては、接合部材３００が同じ間隔Ｄ３で配置されている。ＭＥＭＳ素子１００は平面視で長方形であり、支持部１１０の平面視形状も長方形である。そのため長辺である上辺部は３か所で接合され、短辺である左右の辺部は２か所で接合されている。上辺部と左右の辺部とで接合箇所の数、配置されている接合部材３００の数は異なるが、いずれも複数でありその間隔は同じＤ３である。これに対して下の辺部（下辺部）における接合箇所の数、すなわち配置されている接合部材３００の数は４つである。下辺部における接合部材３００の間隔Ｄ１は、上辺部および左右の辺部における接合部材３００の間隔Ｄ３よりも小さい。図１に示す例においては、上辺部および左右の辺部が第２辺部１１４に相当し、下辺部が第１辺部１１３に相当する。

図３および図４に示す例においても、ＭＥＭＳ素子１００の支持部１１０の第２面１１２（下面）が、配線基板２００に接合部材３００で接合されている。また、接合部材３００は枠状の支持部１１０の周方向で間隔を設けて配置されている。図３におけるＭＥＭＳ素子１００の四角枠状の支持部１１０の左側の辺部および右側の辺部は、２つの接合部材３００が同じ間隔Ｄ３で配置されて２か所で接合されている。これに対して、上辺部および下辺部における接合箇所の数、すなわち配置されている接合部材の数は３つである。この例のＭＥＭＳ素子１００は平面視で正方形であり、支持部１１０の平面視形状も正方形である。そのため、上辺部および下辺部における接合部材３００の間隔Ｄ１は、左右の辺部における接合部材３００の間隔Ｄ３よりも小さい。図３に示す例においては、左右の辺部が第２辺部１１４に相当し、上辺部および下辺部が第１辺部１１３に相当する。

図５および図６に示す例においても、ＭＥＭＳ素子１００の支持部１１０の第２面１１２（下面）が、配線基板２００に接合部材３００で接合されている。また、接合部材３００は枠状の支持部１１０の周方向で間隔を設けて配置されている。図５におけるＭＥＭＳ素子１００の四角枠状の支持部１１０の左の辺部においては、２つの接合部材３００が間隔Ｄ３で配置され、左の辺部は２か所で接合されている。これに対して、上辺部および下辺部における接合箇所の数、すなわち配置されている接合部材の数は３つであり、その間隔はＤ２である。また、右の辺部における接合箇所の数、すなわち配置されている接合部材の数は４つであり、その間隔はＤ１である。上辺部および下辺部における接合部材３００の間隔Ｄ２は、左の辺部における接合部材３００の間隔Ｄ３よりも小さい。また、右の辺部における接合部材３００の間隔Ｄ１もまた、左の辺部における接合部材３００の間隔Ｄ３よりも小さく、また上辺部および下辺部における接合部材３００の間隔Ｄ２よりも小さい。図５に示す例においては、左の辺部が第２辺部１１４に相当し、上辺部および下辺部ならびに右の辺部が第１辺部１１３に相当する。すなわち、接合部材３００の間隔が他の辺部の少なくとも１つよりも小さい間隔で接合されている辺部が第１辺部１１３である。

図１〜図６に示すいずれの例においても、ＭＥＭＳ素子１００は、支持部１１０の第２面１１２（下面）の全面ではなく、間隔を設けて配置された接合部材３００で接合されている。すなわち、ＭＥＭＳ素子１００と配線基板２００とは複数の点状の接合部で接合されている。全面で接合されている場合に比較して、接合部材３００が小さく歪みやすいため接合部材３００で応力が緩和され、ＭＥＭＳ素子１００に加わる応力が小さくなる。そのため、ＭＥＭＳ素子１００が応力により破損してしまう可能性が低減される。また、ＭＥＭＳ素子１００の歪みが小さいため、ＭＥＭＳ素子１００（の素子部１２０）が精度よく動作することができる。

また、支持部１１０の各辺部は複数個所で接合されている。そのため、応力をより緩和しやすい、より小さな接合部材３００であっても、ＭＥＭＳ素子１００は強固に配線基板２００に固定される。また、ＭＥＭＳ素子１００は、配線基板２００に対して傾くことなく実装されやすいため、各種センサやミラーデバイス等のＭＥＭＳ装置６００としての精度がより高いものとなる。

そして、間隔の小さい接合部材３００で接合されている第１辺部１１３を備えていることによって、より強固に接合すべき辺部、あるいはＭＥＭＳ素子１００における歪をより小さくすべき辺部を設定することができる。そのため、実装信頼性が高く、ＭＥＭＳ素子１００の動作精度の高いＭＥＭＳ装置６００となる。

ＭＥＭＳ素子１００は、実質的な素子である素子部１２０と四角枠状の支持部１１０とで構成されている。支持部１１０は、素子部１２０と配線基板２００との間に素子部１２０が動作可能な空間を形成して配線基板２００に固定するためのものであるため、中央部に貫通孔を有する枠状である。素子部１２０は、支持部１１０の第１面１１１（上面）上に位置しており支持部１１０と一体となっている。素子部１２０は、支持部１１０と重なる枠部１２２と枠部１２２の内側に位置している機能部１２１とを有している。枠部１２２は支持部１１０と同様の四角枠状である。機能部１２１は、枠部１２２の内側、支持部１１０の貫通孔の上に位置し、枠部１２２と接続されて一体となっている。機能部１２１と枠部１２２とは、枠部１２２の４つの辺部の一部と接続されている。機能部１２１と枠部１２２との接続部の幅は枠部１２２の辺部の長さより短い。このように、機能部１２１は枠部１２２の内側で宙吊りのような形になっている。

機能部１２１は可動部を含み、音圧、圧力または加速度といった外力を可動部の変位によって電気信号へ変換するもの、外部から入力された電流によって可動部が動くものがある。図１〜図１１に示す例は、ＭＥＭＳ素子１００がミラーＭＥＭＳである場合であり、外部から入力された電流によって、機能部１２１の中央に位置する円形状のミラーの角度が変わるものである。図１〜図１１に示す例では、外部からの電流は枠部１２２に設けられた電極１２３に入力される。図示は省略しているが、電極１２３から機能部１２１のミラー周辺にかけて、コイルを含む配線が設けられている。

ＭＥＭＳ素子１００は、例えば図９〜図１１に示す例のように、配線基板２００に接合部材３００で機械的に固定されるとともに、ボンディングワイヤ４００で配線基板２００の配線２２０と電気的に接続される。ボンディングワイヤ４００の一端がＭＥＭＳ素子１００の電極１２３に接続され、ボンディングワイヤ４００の他端が配線基板２００の接続パッド２２１に接続される。図９に示す例のＭＥＭＳ装置６００は、図１および図２に示す例の実装構造を有するものであり、図１０に示す例のＭＥＭＳ装置６００は図３および図４に示す例の実装構造を有するものであり、図１１に示す例のＭＥＭＳ装置６００は図５および図６に示す例の実装構造を有するものである。図１および図２に示す例の実装構造においては、電極１２３は、枠部１２２における支持部１１０の下辺部の上に位置する部分に８つ設けられている。図３および図４に示す例の実装構造においては、電極１２３は、枠部１２２における支持部１１０の上辺部および下辺部の上に位置する部分に、それぞれ４つずつ設けられている。図５および図６に示す例の実装構造においては、電極１２３は、枠部１２２における支持部１１０の右側の辺部の上に位置する部分に８つ設けられている。

このように、枠部１２２における第１辺部１１３上に位置する部分に、ボンディングワイヤ４００が接続される電極１２３があるＭＥＭＳ装置６００とすることができる。接合部材３００を点状に配置することで応力が緩和され、ＭＥＭＳ素子１００に加わる応力が小さくなる。この接合部材３００の数（接合箇所の数）が少ないほど応力緩和の効果は高
まるが、接合部材３００の数が少ないと接合の剛性が小さくなる。そのため、ボンディングワイヤ４００を電極１２３に接続する際に、十分な超音波振動が印加され難くなって強固な接続ができなくなる場合がある。また、接合部材３００間の間隔が大きい場合には、平面透視で２つの接合部材３００間に位置する電極１２３にボンディングワイヤ４００を接合すると、その際の圧力によってＭＥＭＳ素子１００が破損してしまう可能性がある。小さい間隔で接合部材３００が配置されている第１辺部１１３の上にボンディングワイヤ４００が接続される電極１２３があることで、上記のようなワイヤボンディングによる接続性が低下する可能性およびＭＥＭＳ素子１００が破損する可能性が低減される。

図１および図２に示す例の実装構造においては、素子部１２０の機能部１２１と枠部１２２との接合部は、枠部１２２における支持部１１０の下辺部の上に位置する部分に２つ設けられている。機能部１２１は、枠部１２２の下辺部の両端部の２箇所に接続されている。図３および図４に示す例の実装構造においては、機能部１２１と枠部１２２との接合部は、枠部１２２における支持部１１０の上辺部および下辺部の上に位置する部分に、それぞれ１つずつ設けられている。機能部１２１は、枠部１２２の上辺部の中央部および下辺部の中央部の計２箇所に接続されている。図５および図６に示す例の実装構造においては、機能部１２１と枠部１２２との接合部は、枠部１２２における支持部１１０の上辺部および下辺部の上に位置する部分に、それぞれ１つずつ設けられている。機能部１２１は、枠部１２２の上辺部の中央部および下辺部の中央部の計２箇所に接続されている。

このように、機能部１２１が、枠部１２２における第１辺部１１３と重なる部分に接続されているＭＥＭＳ装置６００とすることができる。図１〜図９に示す例において、機能部１２１は枠部１２２の４つの辺部のうち１つまたは２つと接続されている。枠部１２２の内側で宙吊り状態の機能部１２１の全体または一部（可動部）が精度よく動作するためには、機能部１２１の支持体である枠部１２２および支持部１１０の歪が小さい方がよい。特に、機能部１２１が接続されている部分の歪みが小さい方がよい。機能部１２１が接続されているのは、枠部１２２における第１辺部１１３と重なる部分であり、第１辺部１１３は小さい間隔で接合されている部分である。第１辺部１１３は応力による歪みが小さく、枠部１２２の第１辺部１１３の上に重なっている部分もまた歪みが小さい。よって、ＭＥＭＳ素子１００（の素子部１２０）が、より精度よく動作することが可能な実装構造となる。

上述したように、図５および図６に示す例では、枠部１２２の電極１２３が設けられている部分の下に位置する支持部１１０の右側の辺部と、枠部１２２の機能部１２１が接続されている部分の下に位置する支持部１１０の上辺部および下辺部との３つの辺部が第１辺部１１３である。そのため、電極１２３の下に位置する右側の辺部を接合する接合部材３００の間隔Ｄ１および機能部１２１の接続部の下に位置する支持部１１０の上辺部および下辺部を接合する接合部材３００の間隔Ｄ２は、支持部１１０の左側の辺部を接合する接合部材３００の間隔Ｄ３よりも小さい。

また、電極１２３の下に位置する第１辺部１１３を接合する接合部材３００の間隔Ｄ１は、機能部１２１の接続部の下に位置する支持部１１０の第１辺部１１３を接合する接合部材３００の間隔Ｄ２よりも小さい。上述したように電極１２３から機能部１２１にかけて配線が設けられる。この配線の引き回しを容易にし、また配線を短くするために、電極１２３は接続部の近く、すなわち電極部１２３と接続部とを枠部１２２の同じ辺部に設けることができる。図５および図６に示す例のように、枠部１２２における機能部１２１が設けられる辺部と電極１２３が設けられる辺部とを異ならせることもできる。この例では、平面視が長方形のＭＥＭＳ素子１００が正方形状の配線基板２００に搭載されている。そのため、ＭＥＭＳ素子１００の短辺部に電極１２３を設けると、ＭＥＭＳ素子１００と配線基板２００とを接続するボンディングワイヤ４００の長さを短くすることができる。
この場合は、電極１２３の下に位置する接合部材３００の間隔を他の辺部よりも小さくすることができる。電極１２３の下に位置する支持部１１０の辺部は、ＭＥＭＳ素子１００の配線基板２００への接合の際、あるはその後の蓋体５００の接合の際の熱応力だけでなく、ワイヤボンディングの際の応力も加わるため、この辺部における接合部材３００の間隔をより小さくしている。

図７および図８に示す例のＭＥＭＳ素子の実装構造は、図１〜図６に示す例のＭＥＭＳ素子の実装構造に対して、接合部材３００が異なっている。第１辺部１１３に相当する下辺部は間隔Ｄ１で配置された６つの接合部材３００で配線基板２００に接合されている。同じ長さの上辺部には間隔Ｄ３で４つの接合部材３００が配置され、これらより短い左右の辺部には間隔Ｄ３で２つの接合部材３００が配置されている。上辺部および左右の辺部が第２辺部１１４に相当する。第１辺部１１３の接合部材３００の間隔Ｄ１が第２辺部１１４の接合部材３００の間隔Ｄ３よりも小さい点は同じである。なお、図１〜図６に示す例では、断面の切断位置にある接合部材３００はハッチングを施し、切断位置より奥にある接合部材３００はハッチングを施さずに示している。これに対して、図７および図８に示す例では、接合部材３００が小さく区別がつけがたいため、切断位置にある接合部材３００のみを示している。

図１〜図６に示す例は、接合部材３００が接着剤である例を示しており、接合部材３００の幅は支持部１１０の（辺部の）幅よりも大きい。これに対して、図７および図８に示す例は、接合部材３００が金属バンプである例を示しており、接合部材３００の幅は支持部１１０の（辺部の）幅よりも小さい。この場合もまた、ＭＥＭＳ素子１００と配線基板２００との接合は点状の接合となっているため、応力が緩和され、ＭＥＭＳ素子１００に加わる応力が小さくなる。この例のＭＥＭＳ素子の実装構造もまた、接合部材３００の間隔Ｄ１が他の辺部（第２辺部１１４）の接合部材３００の間隔Ｄ３よりも小さい第１辺部１１３を有しているので、図１〜図６に示す例と同様の効果を有する。

ＭＥＭＳ装置６００は、上述したような実装構造でＭＥＭＳ素子１００が配線基板２００に実装されたものである。ＭＥＭＳ素子１００が配線基板２００に搭載され、接合部材３００によって固定されている。また、図９〜図１１に示す例のように、ＭＥＭＳ素子１００の電極１２３と、配線基板２００の配線２２０である接続パッド２２１とが、ボンディングワイヤ４００によって電気的に接続されている。これらの例では、配線基板２００は凹部を有しており、ＭＥＭＳ素子１００は凹部の底面に接合部材３００で接合されている。また、この凹部を塞ぐように蓋体５００が取り付けられ、凹部内のＭＥＭＳ素子１００が気密封止されている。凹部内は真空にすることもできる。平板状の配線基板２００上にＭＥＭＳ素子１００を搭載し、ＭＥＭＳ素子１００およびボンディングワイヤ４００を覆うキャップ状の蓋体５００で封止することもできる。

図９〜図１１に示す例は、上述したように、ＭＥＭＳ素子１００がミラーＭＥＭＳである例であり、ＭＥＭＳ素子１００とＭＥＭＳ装置６００の外部との間で光の授受がある。そのため、蓋体５００はこの光を透過する透光性部材５１０を備えるものである。図９に示す例では、蓋体５００は透光性部材５１０のみで構成され、板状の透光性部材５１０が例えば樹脂接着剤等の接合材５３０で配線基板２００に接合されている。図１０に示す例および図１１に示す例では、蓋体５００は透光性部材５１０と枠部材５２０とで構成されている。枠部材５２０の開口を塞ぐように透光性部材５１０が取り付けられている。図１０に示す例の枠部材５２０は例えば金属製であり、枠部材５２０と配線基板２００上に設けられた金属枠２３０とが、はんだを含むろう材あるいはシームウエルド等の溶接によって接合されている。図１１に示す例の枠部材５２０は例えばセラミック製であり、枠部材５２０と配線基板２００上とがガラス等の接合材５３０によって接合されている。各例の蓋体５００の配線基板２００への接合方法は上記に限られるものではなく、他の例の接合
材５３０で接合することもできる。接合材５３０としてろう材を用いる場合には、ろう材が濡れて接合可能なように蓋体５００および配線基板２００に枠状の金属膜を設けるか、活性金属を含むろう材を用いる。接合材５３０による接合時の加熱によってＭＥＭＳ素子１００を接合する接合部材３００およびＭＥＭＳ素子１００が損傷しないような加熱温度で接合できる接合材５３０を用いる。シームウエルドによる接合は局所加熱による接合であるため、接合部材３００等へ与える熱の影響は比較的抑えられる。

ＭＥＭＳ素子１００は、上述したような構造を有するものである。シリコンウエハを、半導体製造プロセスを用いて加工することで製造される。

ＭＥＭＳ素子１００としては、例えば、角速度センサ素子、角度センサ素子および加速度センサ素子等の機能部１２１に可動部（振動部）を有するものである。これらは、回転運動時のコリオリ力、重力の作用方向または加速度を生じさせる力等の物理量（力学量）を機能部１２１で検知し、これを電気信号に変換するものである。あるいは、ＭＥＭＳ素子１００は、例えば機能部１２１の可動部としてミラーを備えるミラーデバイスであって、外部から入力された電流によってミラーの角度が変わるものである。

ＭＥＭＳ素子１００は、ＭＥＭＳ素子１００の下面である支持部１１０の第２面１１２が接合部材３００によって配線基板２００の搭載領域１ｂに接合されて固定される。その後、ＭＥＭＳ素子１００の電極１２３と配線基板２００の接続パッド２２１とがボンディングワイヤ４００で接続されて配線基板２００と電気的に接続される。ＭＥＭＳ素子１００で検知されて電気信号に変換された上記の物理量（力学量）は、ボンディングワイヤ４００および配線２２０を介して外部回路に電気的に導出される。あるいは、外部回路から配線基板２００の配線２２０に入力された電気信号（電流）が、ボンディングワイヤ４００を介してＭＥＭＳ素子１００に入力すると、電気信号に応じてミラーの角度が変わる。

配線基板２００は、絶縁基板２１０に配線２２０が設けられたものである。絶縁基板２１０は、配線基板２００の基本的な構造部分であり、配線基板２００としての機械的な強度の確保、および複数の配線２２０間の絶縁性の確保等の機能を有している。絶縁基板２１０は、例えば上から見たときに（平面視において）正方形状あるいは長方形状である。正方形状および長方形状とは、厳密な正方形および長方形だけでなく、図３に示す例のように角部が切り取られた正方形（厳密には八角形）または長方形、あるいは図５に示す例のように角部が丸められた正方向あるいは長方形を含むものである。絶縁基板２１０は、上述したように、平板状であってもよいし、凹部を有する形状であってもよい。凹部の平面視の形状もまた、正方形状あるいは長方形状である。

絶縁基板２１０の寸法は、例えば、四角形の一辺の長さが５ｍｍ〜１０ｍｍで、厚みが１ｍｍ〜３ｍｍである。絶縁基板２１０が凹部を有する場合であれば、凹部の寸法は、例えば、開口部が四角形の一辺の長さが３ｍｍ〜８ｍｍで、深さが０．５ｍｍ〜２ｍｍである。

絶縁基板２１０は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体、ムライト質焼結体または窒化アルミニウム質焼結体等の絶縁材料からなる複数の絶縁層が積層されて形成されている。

絶縁基板２１０は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして作製することができる。すなわち、まず、絶縁層となるセラミックグリーンシートを作製する。酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末を適当な有機バインダおよび有機溶剤とともにシート状に成形して四角シート状の複数のセラミックグリーンシートを作製する。次にこれらのセラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する。凹部
は、セラミックグリーンシートに金型等を用いて貫通孔を設けておけばよい。その後、この積層体を１３００〜１６００℃の温度で焼成することによって絶縁基板２１０を作製することができる。

絶縁基板２１０を含む配線基板２００は、このような配線基板２００となる複数の基板領域が母基板に配列された多数個取り基板として製作することもできる。複数の基板領域を含む母基板を、基板領域毎に分割して複数の配線基板２００をより効率よく製作することもできる。この場合には、母基板のうち基板領域の境界に沿って分割用の溝が設けられていてもよい。また、多数個取り基板の各基板領域にＭＥＭＳ素子１００を搭載した後に、これを分割して複数のＭＥＭＳ装置６００を得るようにしてもよい。

絶縁基板２１０の表面および内部には配線２２０が設けられている。例えば、図１〜図１１に示す例においては、絶縁基板２１０の上面に開口する凹部内にはＭＥＭＳ素子１００と接続するための接続パッド２２１がある。これらの例における凹部は段部を有しており、段部上に接続パッド２２１がある。段部を有さない凹部の場合は、凹部の底面に接続パッド２２１を設けることができる。また、絶縁基板２１０の下面には、外部電気回路と接続するための端子電極２２４がある。これら接続パッド２２１と端子電極２２４とは、絶縁基板２１０の内部に設けられた貫通導体２２２および内部配線層２２３によって電気的に接続されている。貫通導体２２２は絶縁層を貫通し、内部配線層２２３は絶縁層間に配置されている。端子電極２２４は絶縁基板２１０の下面ではなく、下面から側面にかけて、あるいは側面に設けられていてもよい。

配線２２０は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金、白金、ニッケルまたはコバルト等の金属、またはこれらの金属を含む合金の金属材料を導体材料として主に含むものである。このような金属材料は、メタライズ層またはめっき層等の金属層として絶縁基板２１０の表面に設けられている。この金属層は、１層でもよく、複数層でもよい。また、メタライズで絶縁基板２１０の内部に設けられている。

配線２２０の接続パッド２２１、内部配線層２２３および端子電極２２４は、例えば、タングステンのメタライズ層である場合には、タングステンの粉末を有機溶剤および有機バインダと混合して作製した金属ペーストを絶縁基板２１０となるセラミックグリーンシートの所定位置にスクリーン印刷法等の方法で印刷して焼成する方法で形成することができる。また、このうち、接続パッド２２１および端子電極２２４となるメタライズ層の露出表面には、電解めっき法または無電解めっき法等のめっき法でニッケルおよび金等のめっき層がさらに被着されていてもよい。この場合、前述したように多数個取り基板の形態で配線基板２００またはＭＥＭＳ装置６００を製作する際に、複数の基板領域の配線を互いに電気的に接続させておけば、複数の配線基板２００の配線２２０に一括してめっき層を被着させることもできる。また、貫通導体２２２は、上記の金属ペーストの印刷に先駆けてセラミックグリーンシートの所定の位置に貫通孔を設け、上記と同様の金属ペーストをこの貫通孔に充填しておくことで形成することができる。

ＭＥＭＳ素子１００を配線基板２００に接合固定するための接合部材３００は、上述した図１〜図６に示す例のように、エポキシ樹脂等の樹脂接着剤を用いることができる。接合材が樹脂接着剤の場合には、シリコーンゴムやウレタンゴム等のより柔軟なものを用いることで接合部材３００によって応力や振動を吸収することもできる。あるいは、接合部材３００として、はんだを含むろう材を用いることもできる。ろう材を用いるも、融点がより低く、より柔軟なものを用いるとよい。また、上述した図７および図８に示す例のように、接合部材３００として金属バンプを用いることができる。この場合の金属もまた比較的軟らかいものがよく、例えば、金やはんだを用いることができる。ろう材または金属バンプを用いる場合には、ＭＥＭＳ素子１００の支持部１１０の第２面１１２および配線
基板２００（の絶縁基板２１０）に、ろう材等が接合可能な金属膜を設ける。

接合部材３００が接着剤である場合には、配線基板２００上に所定の間隔を設けて液状の接着剤を塗布し、その上にＭＥＭＳ素子１００を載置して、接着剤を硬化することでＭＥＭＳ素子１００を配線基板２００に固定することができる。接合部材３００の前駆体である液状の接着剤は、例えば熱硬化型のものであれば加熱によって硬化することができ、紫外線硬化型のものであれば紫外線を照射することによって硬化することができる。紫外線硬化型の接着剤であると、接合時の応力を小さくすることができる。

接合部材３００が金属バンプである場合は、配線基板２００上に配線２２０と同様のメタライズおよびめっき皮膜によって金属膜を設けておき、この金属膜上に例えば金の細線であるボンディングワイヤをボンディングするとともにワイヤを延ばすことなく切断することで金バンプを形成することができる。所定の間隔で金バンプを設けた上にＭＥＭＳ素子１００を載置して加熱および加圧することによって接合することができる。ＭＥＭＳ素子１００の支持部１１０の第２面１１２上に薄膜の金属膜を設けて同様に金バンプを設けてもよい。はんだバンプの場合は、ＭＥＭＳ素子１００および配線基板２００の少なくとも一方の上に金属膜を設け、金属膜状にはんだペーストを塗布してはんだを加熱溶融して凝固させることで設けることができる。間にはんだバンプを挟んでＭＥＭＳ素子１００を配線基板２００上に載置し、加熱することによりＭＥＭＳ素子１００と配線基板２００とを接合することができる。

配線基板２００上に接合部材３００で固定され、ボンディングワイヤ４００で電気的に接続されたＭＥＭＳ素子１００は、蓋体５００によって封止されるとともに外部環境から保護されている。図９〜図１１に示す例は、上述したように、ＭＥＭＳ素子１００がミラーＭＥＭＳである例であるため、蓋体５００はこの光を透過する透光性部材５１０を備えるものである。ＭＥＭＳ素子１００とＭＥＭＳ装置６００の外部との間で光の授受が不要である場合は、透光性部材５１０を備えていない蓋体５００とすることができる。このときの蓋体５００は、金属、セラミックス、樹脂等からなるものを用いることができる。蓋体５００と配線基板２００との接合材５３０および接合方法は、上述した透光性部材５１０を有する蓋体５００の場合と同様の接合材５３０および方法を用いることができる。また、蓋体５００の形状は、配線基板２００が凹部を有する場合は平板状で、配線基板２００が平板状である場合はキャップ状とすることができる。

ＭＥＭＳ装置６００について、配線２２０のうち絶縁基板２１０の下面等に設けられた端子電極２２４が外部電気回路と電気的に接続されれば、搭載されたＭＥＭＳ素子１００が外部電気回路と電気的に接続される。すなわち、ＭＥＭＳ素子１００と外部電気回路とが、ボンディングワイヤ４００および配線２２０を介して互いに電気的に接続される。外部電気回路は、例えばスマートフォンおよびプロジェクター等の機器あるいは自動車に搭載された各種電子制御装置等に実装されている回路基板が有する電気回路である。

１００・・・ＭＥＭＳ素子
１１０・・・支持部
１１１・・・第１面
１１２・・・第２面
１１３・・・第１辺部
１１４・・・第２辺部
１２０・・・素子部
１２１・・・機能部
１２２・・・枠部
１２３・・・電極
２００・・・配線基板
２１０・・・絶縁基板
２２０・・・配線
２２１・・・接続パッド
２２２・・・貫通導体
２２３・・・内部配線層
２２４・・・端子電極
２３０・・・金属枠
３００・・・接合部材
４００・・・ボンディングワイヤ
５００・・・蓋体
５１０・・・透光性部材
５２０・・・枠部材
５３０・・・接合材
６００・・・ＭＥＭＳ装置

Claims

配線基板と、
第１面および第１面と反対側の第２面を有する四角枠状の支持部ならびに該支持部の前記第１面上に位置する素子部を備えるＭＥＭＳ素子と、を含み、
前記素子部は、前記支持部と重なる枠部および該枠部の内側に位置して前記枠部に接続されている機能部を有し、
前記支持部の前記第２面と前記配線基板とが、前記支持部の４つの辺部のそれぞれにおいて互いに間隔を設けて配置された複数の接合部材で接合されており、
前記支持部の４つの辺部のうち、第１辺部における接合部材の間隔は、第２辺部における接合部材の間隔よりも小さいＭＥＭＳ装置。
前記枠部における前記第１辺部上に位置する部分に、ボンディングワイヤが接続される電極がある請求項１記載のＭＥＭＳ装置。
前記枠部における前記第１辺部と重なる部分に、前記機能部が接続されている請求項１または請求項２に記載のＭＥＭＳ装置。