JP2021103712A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】端子間ショートを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ダイパッド５の周辺にはダイパッド５と離間してリード４が複数配置され、半導体チップ１の表面に設けられた電極とリード４はワイヤ３で電気的に接続されている。リード４は厚肉部４ａとその外側に設けられた薄肉部４ｂとからなり、薄肉部４ｂの外側面よりも封止樹脂２の側面１７が突出している。リード４の表面にメッキ層１４を設けられている。【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法に関する。

電子機器の小型軽量化及び高機能化のニーズに伴い、電子機器に半導体装置を高密度に実装することが可能な表面実装型パッケージが多用されている。表面実装型パッケージのうち、ノンリードタイプの半導体装置として、接続信頼性を確保するためにいくつかの形態が提案されている。

図１０には、リード５４の下の一部に切削面を設け、その切削面にメッキ層５８を施し、リード５４の上面を封止樹脂５２で被覆した半導体装置５０が図示されている。この切削面により、リード５４と半田が接続される接続面積が大きくなり、実装強度が向上する（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１６−２１９５２０号公報

このようなノンリードタイプの半導体装置の場合、図１１に示すように、封止樹脂５２とリード５４とメッキ層５８を一緒に回転刃で切断するという製造手法を用いるが、図１２に示すように、切断中にメッキ層５８の一部が回転刃を介して切断面のいたるところに再付着してメッキバリ５８ａを形成することがある。そして、隣接するリード５４に跨るメッキバリ５８ａが形成されることで端子間ショートに至り、電気的特性に悪影響を及ぼすことがある。
本発明は、かかる課題に鑑みなされたもので、メッキバリ起因の端子間ショートを防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。

上記課題を解決するために、本発明では、以下の手段を用いた。
まず、半導体チップと、
前記半導体チップを載置するダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に配置されるリードと、
前記半導体チップと前記ダイパッドと前記リードの一部を被覆する封止樹脂と、を備え、
前記リードは前記ダイパッドに近い側に位置する厚肉部と前記ダイパッドから遠い側に位置する薄肉部とからなり、
前記厚肉部の底面は前記薄肉部の下面よりも突出し、
前記封止樹脂の側面は前記薄肉部の外側面よりも突出し、
前記厚肉部の底面と外側面、および前記薄肉部の下面と外側面が前記封止樹脂から露出し、それらの表面にメッキ層を設けていることを特徴とする半導体装置とした。
また、ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードとを有するリードフレームを準備する工程と、
前記ダイパッド上に半導体チップを載置し、前記半導体チップと前記リードを電気的に接続する工程と、
少なくとも前記ダイパッドと前記半導体チップと前記リードとを樹脂封止する工程と、
前記リードの底面側から前記リードの第１の高さまで、第１の幅の回転ブレードを用いて切削する第１の切削工程と、
前記第１の幅より狭い第２の幅の回転ブレードを用いて前記リードの前記第１高さから前記リードの上面を越えて前記封止樹脂に達するまで切削する第２の切削工程と、
前記第１の切削工程と第２の切削工程によって形成された切削溝の内面および前記リードの底面にメッキ層を形成する工程と、
前記第２の幅より狭い第３の幅の回転ブレードを用いて前記封止樹脂の残部を切断する第３の切削工程と、を備え、
前記第１の切削工程と第２の切削工程と第３の切削工程で形成された切削溝のおのおのは平面視的に重なることを特徴とする半導体装置の製造方法を用いた。

上記手段を用いることで、メッキバリ起因の端子間ショートを防止する半導体装置とすることができる。

本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の断面図、拡大断面図および底面図である。 本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図である。 本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造に用いる回転ブレードの断面図である。 本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の変形例である。 本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の基板実装図である。 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の断面図、底面図および基板実装図である。 本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一部を示す断面図である。 本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の断面図および底面図である。 本発明の第４実施形態にかかる半導体装置の断面図および底面図である。 従来の半導体装置の断面図である。 従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。 従来の半導体装置の側面図である。

以下、本発明の半導体装置の実施形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の断面図、拡大断面図および底面図である。まず、断面図である図１（ａ）を参照して半導体装置２０の構成を説明する。本図は、後に説明する図１（ｃ）の切断線Ａ−Ａ´に沿った断面図である。ダイパッド５上に半導体チップ１が搭載されている。ダイパッド５の周囲にはダイパッド５と離間してリード４が設けられている。そして、半導体チップ１の上面に設けられた電極パッド（図示せず）とリード４の上面とが接続部材であるワイヤ３を介して電気的に接続されている。ワイヤ３の材料としては金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）が用いられる。なお、半導体チップ１とリード４との電気的接続はワイヤ法に限られることなく、バンプを介したフリップチップボンディング法を用いても構わない。
半導体チップ１とダイパッド５とワイヤ３の周囲は上面１８と側面１７を有する封止樹脂２によって被覆されるが、ダイパッド５の底面は封止樹脂２から露出している。

次に、図１（ａ）および部分拡大断面図である図１（ｂ）を用いて説明する。リード４は厚肉部４ａと、厚肉部４ａの上部から連続して延伸される薄肉部４ｂからなる。厚肉部４ａの上面９と薄肉部４ｂの上面１２は同一面を成している。そして、厚肉部４ａはダイパッド５と同じ厚さを有し、薄肉部４ｂは厚肉部４ａやダイパッド５の厚さよりも薄い形状である。厚肉部４ａはダイパッド５に近い側に位置し、薄肉部４ｂはダイパッド５から遠い側に位置している。断面視的に、厚肉部４ａはダイパッド５に近い側の側面である内側面６と底面７とダイパッド５から遠い側の外側面８と薄肉部４ｂとの境界１３と上面９で囲まれる部分である。境界１３は厚肉部４ａの外側面８の上方に位置している。ここで、封止樹脂２の側面１７は厚肉部４ａの外側面８から第１長さＬ１だけ突出している。

薄肉部４ｂは下面１０とダイパッド５から遠い側の外側面１１と厚肉部４ａとの境界１３と上面１２で囲まれる部分である。そして、封止樹脂２の側面１７は外側面１１から第２長さＬ２だけ突出している。図示するように、第２長さＬ２は第１長さＬ１よりも小さい。すなわち、封止樹脂２の側面１７に対し、薄肉部４ｂの外側面１１が近く位置し、厚肉部４ａの外側面８が遠いという位置関係になる。また、薄肉部４ｂの下面１０よりも厚肉部４ａが第１高さＨ１だけ突出する形状である。さらに、封止樹脂２の側面の下端１９よりも厚肉部４ａの底面７が第２高さＨ２だけ突出する形状である。ここで、封止樹脂２の側面の下端１９は薄肉部４ｂの上面１２よりも高い位置にある。

リード４の厚肉部４ａの上面９と内側面６は封止樹脂２と接し、厚肉部４ａの底面７はダイパッド５の底面１５と同様、封止樹脂２と同一面を成し、封止樹脂２の底面１６から露出している。また、厚肉部４ａのダイパッド５から遠い側の外側面８も封止樹脂２に接しておらず封止樹脂２から露出している。リード４の薄肉部４ｂの上面１２は封止樹脂２と接し、薄肉部４ｂの下面１０と外側面１１は封止樹脂２から露出している。なお、リード４は紙面手前方向および紙面奥方向で封止樹脂２と接しており、紙面手前方向および紙面奥方向における封止樹脂２の断面形状はリード４と同じである。

リード４やダイパッド５は銅、銅合金または４２アロイなどの金属からなるが、半田を介して半導体装置を基板に実装するとき、これらの金属の表面は半田濡れ性が悪く、十分な実装強度が得られない。そこで、これらの金属の表面に錫膜やニッケル−金の積層膜等のメッキ層を形成することで半田濡れ性が改善される。本実施形態ではリード４の厚肉部４ａの底面７と外側面８、薄肉部４ｂの下面１０と外側面１１にメッキ層１４を被覆させている。薄肉部４ｂの外側面１１に被覆させたメッキ層１４の外側面３１よりも封止樹脂２の側面１７が幾分突出する形状である。また、ダイパッド５の底面１５にもメッキ層１４を有する構造である。これにより、リード４の厚肉部４ａの底面７と外側面８、薄肉部４ｂの下面１０と外側面１１が半田濡れ性の良好な領域となる。

図１（ｃ）は本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の底面図である。矩形形状の封止樹脂２の中央領域にダイパッド５が配置されている。封止樹脂２の一方の辺（封止樹脂２の側面１７に相当）に沿って複数のリード４が配置され、一方の辺と対向する他方の辺（封止樹脂２の側面１７に相当）に沿って複数のリード４が配置されている。そして、互いの辺（封止樹脂２の側面１７に相当）に沿って配置されたリード４はダイパッド５を挟んで向かい合っている。

リード４は一方の辺および他方の辺から第２長さＬ２だけ離れた位置から封止樹脂２の内部に向かって配置されている。封止樹脂２には封止樹脂２の側面１７から第２長さＬ２だけ離れた位置に第２段差Ｓ２が設けられ、第１長さＬ１だけ離れた位置に第１段差Ｓ１が設けられている。第一段差Ｓ１はリード４にも設けられている。第１段差Ｓ１の段差深さは図１（ｂ）における「第１高さＨ１」に相当し、第２段差の段差深さは「第２高さＨ２−第１高さＨ１」に相当する。第１段差Ｓ１と第２段差Ｓ２に囲まれた領域においてリード４と封止樹脂２は同一面を成している。また、第１段差Ｓ１よりも内側、すなわちダイパッド５側の領域においてリード４と封止樹脂２は同一面を成している。第１段差Ｓ１と第２段差Ｓ２に囲まれた領域において封止樹脂２から露出するリード４の一部が薄肉部４ｂ、第１段差Ｓ１よりもダイパッド５寄りの領域において封止樹脂２から露出するリード４の他部が厚肉部４ａに相当する。なお、紙面縦方向がリード４の幅であるが、厚肉部４ａと薄肉部４ｂのそれぞれの幅は同一である。

図１（ｃ）ではメッキ層１４をリード４の先端にのみ図示している。リード４の薄肉部４ｂの先端に設けられたメッキ層１４の外側面３１は封止樹脂２の側面１７よりも内側に位置している。すなわち、メッキ層１４の外側面３１よりも封止樹脂２の側面１７が幾分突出する形状である。また、半導体装置２０の底面ではメッキ層１４の膜厚分だけリード４やダイパッド５が底面方向に封止樹脂２よりも突出することになる。

図２は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図である。なお、この断面図ではダイパッドおよび半導体チップ等を省略している。
まず、図２（ａ）に示すように、ダイパッド（図示せず）の周囲に複数のリード部４１を配置したリードフレームを準備し、ダイパッド上に半導体チップ（図示せず）を載置して半導体チップとリード部４１を電気的に接続した後、リード部４１を含むリードフレームと半導体チップを封止樹脂４２で被覆する。

次に、図２（ｂ）に示すように、リードフレームのリード部４１の下面から幅広（回転ブレード幅１００μｍ以上）の第１の回転ブレード２６を用いて切断中心線３０に沿って所定の高さまで切削して切削溝４５ａを形成する。このときの切削量はリード部４１の厚さの１／３〜２／３が望ましい。このときの、切削溝４５ａの高さは図１（ｂ）における第１高さＨ１に相当する。

次に、図２（ｃ）に示すように、リードフレームのリード部４１を第１の回転ブレード２６よりも幅狭（回転ブレード幅４０〜８０μｍ）の第２の回転ブレード２７を用いて切断中心線３０に沿って切削し、切削溝４５ｂを形成する。切削溝４５ｂは平面視的に切削溝４５ａと重畳し、その幅は切削溝４５ａの幅より狭く、切削溝４５ａの上面から上方にリード部４１を貫通して封止樹脂４２に達する。これにより、切削溝４５ａと切削溝４５ｂによる階段状の溝が設けられる。このときの、階段状溝の最も高い位置の高さは図１（ｂ）における第２高さＨ２に相当する。
以上では、切削溝４５ａを形成した後に切削溝４５ｂを形成するとしているが、これらの工程は異なる順番、すなわち、切削溝４５ｂを形成した後に切削溝４５ａを形成するという工程であっても構わない。

次に、図２（ｄ）に示すように、リード部４１にメッキ層４４を形成する。メッキ層４４は電解メッキ法にて形成され、リード部４１が封止樹脂４２から露出する表面部分のみに形成され、封止樹脂４２の表面には形成されない。したがって、メッキ層４４はリード部４１の底面および切削溝４５ａ、４５ｂからなる階段状溝の内面に形成される。メッキ層４４としては、錫膜やニッケル−金の積層膜が用いられる。当然ながら、切削溝４５ｂの上面に位置する封止樹脂４２にはメッキ層４４は形成されない。

次に、図２（ｅ）に示すように、リード部４１の底面とは反対側の封止樹脂４２の上面から封止樹脂４２の残部を切断して個片化する。ここで用いる第３の回転ブレード２８は第２の回転ブレード２７よりも幅狭（回転ブレード幅２０〜３０μｍ）の回転ブレードである。したがって、このとき形成される切削溝４５ｃは切削溝４５ｂよりも幅が狭く、メッキ層４４に接することなく切断することができる。よって、第３の回転ブレード２８による切削（切断）工程においてメッキ層４４が第３の回転ブレード２８に付着することがなく、メッキ層４４の一部が切断面の他の領域に再付着（メッキバリ形成）するおそれもなく、それによる端子間ショートを防止できる半導体装置とすることができる。なお、第３の回転ブレード２８による切断方向は封止樹脂４２の上面から下方側に向かって切断することに固定されることなく、切削溝４５ｂ側から上方に向かって封止樹脂４２を切断してもよい。個片化されて完成した半導体装置２０は図１に示す構造である。

図３は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造に用いる回転ブレードの断面図である。図３（ａ）に幅ｄ１の第１の回転ブレード２６、図３（ｂ）に幅ｄ２の第２の回転ブレード２７、図３（ｃ）に幅ｄ３の第３の回転ブレード２８を図示している。幅広の第１の回転ブレード２６の回転ブレード幅ｄ１は１００μｍ以上で回転ブレード基部から回転ブレード先端部にかけてほぼ一定であり、第２の回転ブレード２７の回転ブレード幅ｄ２は４０〜８０μｍで回転ブレード基部から回転ブレード先端部にかけてほぼ一定の幅を有する。第３の回転ブレード２８の回転ブレード幅ｄ３は２０〜３０μｍである。以上のように、回転ブレードの幅はｄ１＞ｄ２＞ｄ３の関係にある。また、いずれの回転ブレードも平頭形状の先端部を有する回転ブレードであることが望ましいが、切削能力を考慮して先端部がラウンド形状の回転ブレードを用いても構わない。なお、図３（ｄ）および図３（ｅ）に示す回転ブレード２９、回転ブレード２５については後に説明する。

図４は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の変形例である。図示した製造工程では、前出の図２（ｂ）および図２（ｃ）で説明した工程を同時に処理する工程を示している。リード部４１を底面側から切削する回転ブレード２５は異径回転ブレードである。図３（ｅ）に図示されているように、回転ブレード２５の基部には第１の回転ブレード２６と同じ幅の回転ブレード、先端部には第２の回転ブレード２７と同じ幅の回転ブレードが設けられている。回転ブレード２５の基部の幅は１００μｍ以上、先端部の幅は４０〜８０μｍが望ましい。上記説明した異径回転ブレードを用いることで第１の回転ブレードによる研削工程と第２の回転ブレードを用いる検索工程の両方を一度に行うことができ、工程の短縮を図ることができる。

図５は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の基板実装図である。図５（ａ）は、実装断面図、図５（ｂ）は、実装底面図であり、半田層２４はリード４の先端の形状のみを図示している。なお、この基板実装図ではダイパッドや半導体チップ等を省略している。
図５（ａ）に示すように、半導体装置２０のリード４が半田を介して基板２１に接合することになるが、リード４は基板２１上に形成されるランド２３と呼ばれる電極と電気的に接続されることになる。リード４をランド２３上に投影した平面積は対応するランド２３の平面積よりも小さく、メッキ層１４から基板２１に向かって半田フィレット２２と呼ばれる裾引きが形成される。本実施形態ではリード４が封止樹脂２から露出するすべての表面にメッキ層１４を被覆され、メッキ層１４の表面に半田層２４が濡れ広がっている。メッキ層１４はリード４の薄肉部４ｂの側面の上端にも形成されているため、従来の半導体装置に比べ半田が被着される高さが高く、その被着される領域も大きいため、外観検査における半田濡れ性を容易に観察することができる。図５（ｂ）は半導体装置２０を基板２１に実装したときに、基板２１を透過して見た半導体装置２０の底面図である。図示するように、平面視的にはリード４の先端のメッキ層１４の表面に半田フィレット２２が形成される。半田フィレット２２の裾引き状況からリード４の下の半田層形成状態を推測でき、容易な外観検査が可能となる。以上説明したように、本発明の実施形態にかかる半導体装置は、端子間ショートを防止できるだけでなく、基板実装後の外観検査も容易とする効果を有するものである。さらに、リード４が厚肉部４ａと薄肉部４ｂからなる形状であるため、リード４と半田層２４が接続される接続面積が大きくなり、実装強度が向上するという効果も有する。

図６は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の断面図、底面図および基板実装図である。図６（ａ）は断面図、図６（ｂ）は底面図、図６（ｃ）は基板実装図である。
この半導体装置２０のダイパッド５周辺の構造は図１（ａ）に示す構造と同じなので説明を省略し、リード４周辺の構造について説明する。
図６（ａ）に示すように、半導体装置２０のリード４は厚肉部４ａとこれから延伸された薄肉部４ｂから形成されている。厚肉部４ａの上面９、薄肉部４ｂの上面１２は同一面を成し、これらは封止樹脂２と接している。また、厚肉部４ａの内側面６も封止樹脂２で覆われている。これに対し、厚肉部４ａの底面７と外側面８、薄肉部４ｂの下面１０と外側面１１は封止樹脂２から露出する構造である。リード４が封止樹脂２から露出している面にはメッキ層１４が設けられている。ここで、薄肉部４ｂの外側面１１が封止樹脂２の側面１７に極めて接近した構造である点で本発明の第１実施形態にかかる半導体装置と異なる。本実施形態の半導体装置２０では封止樹脂２の側面１７が薄肉部４ｂの外側面１１よりも突出する形状であるが、その突出量は極めて小さい。そのため、薄肉部４ｂの外端に形成されたメッキ層１４の外側面３１は封止樹脂２の側面１７よりも突出している。

半導体装置２０に底面を示す図６（ｂ）においても、封止樹脂２の側面１７よりも内側にリード４が配置され、メッキ層１４が封止樹脂２の側面１７の内側から外側にかけて形成され、メッキ層１４の外側面３１が封止樹脂２の側面１７よりも突出していることが確認できる。

図６（ｃ）は半導体装置２０を基板２１に実装したときに、基板２１を透過して見た半導体装置２０の底面図であり、半田層２４はリード４の先端の形状のみを図示している。この半導体装置２０を基板２１に実装した場合、メッキ層１４の外側面３１が封止樹脂２の側面から突出しているため、平面視的に確認できる半田フィレット２２の面積は図５（ｂ）で示したものに比べ大きいものとなる。よって、半田層形成状態を確認するための外観検査がより容易なものとなる。なお、この基板実装図ではダイパッドや半導体チップ等を省略している。

図７は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一部を示す断面図である。第２実施形態の半導体装置の製造方法においては、まず、図２（ａ）〜図２（ｄ）に図示した工程を行い、最後の個片化する工程を図２（ｅ）に代えて図７に示す処理を行う。図２（ｅ）では第３の回転ブレード２８としてその幅が２０〜３０μｍの回転ブレードを用いたが、ここでは、それよりも幅広の回転ブレード２９を用いて封止樹脂４２を切断している。図３（ｄ）に示すように、回転ブレード２９の幅ｄ４は第２の回転ブレード２７よりもわずかに狭く、幅ｄ４は３０〜７０μｍである。このため、図７に示すように、封止樹脂４２の個片化においては、封止樹脂４２の上面から下方側へ回転ブレード２９を侵入させて封止樹脂４２の残部を切断して個片化する方法に限られる。ここで、封止樹脂４２に侵入した回転ブレード２９の侵入深さは切削溝４５ｂの上面に達する深さである。このとき、回転ブレード２９が深く入り過ぎてメッキ層４４に接触しないように注意しなければならない。先の図２（ｃ）に示す工程における切削溝４５ｂの形成において、封止樹脂４２を大きく切削すること、すなわち、リード部４１の上面と接する封止樹脂４２をその上方の数十μｍまで切削することで、図７に示す工程での回転ブレード２９とメッキ層４４との接触を回避できる許容値を大幅に増やすことができる。仮に、封止樹脂の総厚が２００μｍ以上の場合、切削溝４５ｂが形成されたのちの封止樹脂４２の残部が封止樹脂２の総厚の１／３〜１／２であれば、その後の工程で必要とされる抗折強度を十分に有することができる。

以上説明した工程を用いれば、メッキ層４４が回転ブレード２９に付着することがなく、メッキ層４４の一部が切断面の他の領域に再付着（メッキバリ形成）するおそれもなく、それによる端子間ショートを防止できる半導体装置２０を得ることができる。

図８は、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の断面図および底面図である。
本発明の第１実施形態にかかる半導体装置との違いは、リード４が厚肉部４ａと薄肉部４ｂに加えて極薄肉の庇部４ｃを有する点である。図８（ａ）に示すように、庇部４ｃは厚肉部４ａの上部および薄肉部４ｂの上部に一様な厚さで設けられている。そして、庇部４ｃの上面は、厚肉部４ａの上面９および薄肉部４ｂの上面１２と同一面を成している。庇部４ｃの厚さは薄肉部４ｂの厚さよりも薄く、各部位の相対的な厚さは以下のとおりである。
厚肉部４ａの厚さ：薄肉部４ｂの厚さ：庇部４ｃの厚さ＝６：２〜４：１〜２

図８（ｂ）に示すように、破線で図示している庇部４ｃは厚肉部４ａおよび薄肉部４ｂの周縁に設けられている。ただし、薄肉部４ｂが第２段差Ｓ２と接する側には庇部４ｃを形成せず、ここにはメッキ層１４が設けられる。メッキ層１４は薄肉部４ｂの外側面１１だけでなく、庇部４ｃが第２段差Ｓ２に面する外側面にも形成される。したがって、紙面縦方向に相当するメッキ層１４の幅は薄肉部４ｂの幅に庇部４ｃの幅を加えたものと同等である。半導体装置２０の底面から見た場合、庇部４ｃは封止樹脂２で覆われており、厚肉部４ａと薄肉部４ｂが封止樹脂２から露出している。このように、庇部４ｃの下面が封止樹脂２で覆われることにより、リード４が封止樹脂２から脱落することを防止している。そして、本技術は前出の第１の実施形態や第２の実施形態の半導体装置２０に適用されているため、リード４の脱落防止だけでなく、メッキバリ起因の端子間ショートも防止できる半導体装置２０が得られる。

図９は、本発明の第４実施形態にかかる半導体装置の断面図および底面図である。
本発明の第１実施形態にかかる半導体装置との違いは、リード４が厚肉部４ａと薄肉部４ｂに加えて庇部４ｃを有する点である。図９（ａ）に示すように、庇部４ｃは厚肉部４ａの上部の上部に一様な厚さで設けられている。そして、庇部４ｃの上面は、厚肉部４ａの上面９および薄肉部４ｂの上面１２と同一面を成している。庇部４ｃの厚さは薄肉部４ｂの厚さよりも薄い。各部位の相対的な厚さは以下のとおりである。
厚肉部４ａの厚さ：薄肉部４ｂの厚さ：庇部４ｃの厚さ＝６：２〜４：１〜２

図９（ｂ）に示すように、破線で図示している庇部４ｃは厚肉部４ａの周縁に設けられている。ただし、薄肉部４ｂが第２段差Ｓ２と接する側には庇部４ｃを形成せず、ここにはメッキ層１４が設けられる。メッキ層１４は薄肉部４ｂの外側面１１に形成される。半導体装置２０の底面から見た場合、庇部４ｃは封止樹脂２で覆われており、厚肉部４ａと薄肉部４ｂが封止樹脂２から露出している。庇部４ｃの下面が封止樹脂２で覆われることにより、リード４が封止樹脂２から脱落することを防止している。また、庇部４ｃを厚肉部４ａの周縁のみに設けることで、リード４の封止樹脂２の底面１６方向への脱落だけでなく側面１７方向への脱落も防止できる。そして、前出の第１の実施形態や第２の実施形態の半導体装置２０に適用しているため、リード４の脱落防止だけでなく、メッキバリ起因の端子間ショートも防止できる半導体装置２０が得られる。

１ 半導体チップ
２、４２ 封止樹脂
３ ワイヤ
４ リード
４ａ 厚肉部
４ｂ 薄肉部
４ｃ 庇部
５ ダイパッド
６ （厚肉部の）内側面
７ （厚肉部の）底面
８ （厚肉部の）外側面
９ （厚肉部の）上面
１０ （薄肉部の）下面
１１ （薄肉部の）外側面
１２ （薄肉部の）上面
１３ （厚肉部／薄肉部の）境界
１４、４４ メッキ層
１５ （ダイパッドの）底面
１６ （封止樹脂の）底面
１７ （封止樹脂の）側面
１８ （封止樹脂の）上面
１９ （封止樹脂の）側面の下端
２０ 半導体装置
２１ 基板
２２ 半田フィレット
２３ ランド
２４ 半田層
２５、２６、２７、２８、２９ 回転ブレード
３０ 切断中心線
３１ （メッキ層の）外側面
４１ リード部
４５ａ、４５ｂ、４５ｃ 切削溝
ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４ 回転ブレード幅
Ｌ１ 第１長さ
Ｌ２ 第２長さ
Ｈ１ 第１高さ
Ｈ２ 第２高さ
Ｓ１ 第１段差
Ｓ２ 第２段差

Claims (7)

1. 半導体チップと、
   前記半導体チップを載置するダイパッドと、
   前記ダイパッドの周囲に配置されるリードと、
   前記半導体チップと前記ダイパッドと前記リードの一部を被覆する封止樹脂と、を備え、
   前記リードは前記ダイパッドに近い側に位置する厚肉部と前記ダイパッドから遠い側に位置する薄肉部とからなり、
   前記厚肉部の底面は前記薄肉部の下面よりも突出し、
   前記封止樹脂の側面は前記薄肉部の外側面よりも突出し、
   前記厚肉部の底面と外側面、および前記薄肉部の下面と外側面が前記封止樹脂から露出し、それらの表面にメッキ層を設けていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記メッキ層の外側面よりも前記封止樹脂の側面が突出することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記メッキ層の外側面が前記封止樹脂の側面よりも突出していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
4. 前記メッキ層がはんだを介して回路基板の外部端子に接続されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
5. ダイパッドと前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリードとを有するリードフレームを準備する工程と、
   前記ダイパッド上に半導体チップを載置し、前記半導体チップと前記リードを電気的に接続する工程と、
   少なくとも前記ダイパッドと前記半導体チップと前記リードとを樹脂封止する工程と、
   前記リードの底面側から前記リードの第１高さまで、第１の幅の回転ブレードを用いて切削する第１の切削工程と、
   前記第１の幅より狭い第２の幅の回転ブレードを用いて前記リードの前記第１高さから前記リードの上面を越えて前記封止樹脂に達するまで切削する第２の切削工程と、
   前記第１の切削工程と第２の切削工程によって形成された切削溝の内面および前記リードの底面にメッキ層を形成する工程と、
   前記第２の幅より狭い第３の幅の回転ブレードを用いて前記封止樹脂の残部を切断する第３の切削工程と、を備え、
   前記第１の切削工程と第２の切削工程と第３の切削工程で形成された切削溝のおのおのは平面視的に重なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 前記第１の幅と前記第２の幅を有する異径回転ブレードを用いて、前記第１の切削工程と前記第２の切削工程を同時に処理することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記第３の切削工程において、前記第３の幅の回転ブレードの侵入深さが前記封止樹脂の上面から前記メッキ層の上方であることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。

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