JP2021093886A - スイッチング電源装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】出力電圧の電圧変動を抑制するスイッチング電源装置を提供する。【解決手段】スイッチング電源装置1は、トランス200、トランジスタ2、制御部3、出力部40、放電部50、比較部60、及びフィードバック部70を備え、放電部50の第1トランジスタ502は、第1主電極は第2出力端子32に接続され、第2主電極は抵抗501を介して、第1出力側ライン301に接続されている。また、第1制御電極は比較部60に接続されている。比較部60は出力電圧と所定の上限基準電圧とを比較し、その比較結果出力信号を放電部50の第1トランジスタ502の第1制御電極に出力する。【選択図】図1
Description
本発明は、スイッチング電源装置に関する。
フィードバック回路を備えたスイッチング電源装置としては、例えば、特許文献1に記載のものが知られている。特許文献1に記載のスイッチング電源装置において、フィードバック回路は、2次側の出力電圧の多寡に関するフィードバック信号を1次側の制御回路に出力する。制御回路はフィードバック信号を誤差信号として、出力電圧が目標電圧一定になるように1次側のFETをフィードバック制御する。
従来のスイッチング電源装置は、フィードバック制御の応答が遅いため、電源起動時や急激な負荷(電流)変動時に出力電圧変動が発生し、出力電圧がスイッチング電源装置の出力端子に接続される負荷(装置)の許容電圧範囲を超えてしまい、負荷(装置)が誤動作するおそれがあった。
そこで、本発明は上記事実を考慮して、出力電圧変動を抑制するスイッチング電源装置を提供する。
本発明の第1実施態様に係るスイッチング電源装置は、電源端子から入力される直流電流を導通遮断するスイッチ部と、該スイッチ部を制御する制御部と、前記スイッチ部により入力される直流電流により、電磁エネルギーの蓄積と放出を繰り返すインダクタと、該インダクタの電磁エネルギーの蓄積と放出の繰り返しによって発生した電圧を、整流平滑して出力電圧を生成する出力部と、該出力電圧を検出して前記制御部にフィードバック信号を出力するフィードバック部と、前記出力電圧と所定の上限基準電圧とを比較する比較部と、前記出力電圧が上限基準電圧よりも高いときに、前記出力電圧を低下させる放電部と、を備えている。
第1実施態様に係るスイッチング電源装置は、スイッチ部と、制御部と、インダクタと、出力部と、フィードバック部と、比較部と、放電部と、を備える。そして、電源起動時や急激な負荷(電流)変動により出力電圧変動が発生したときに、比較部において出力電圧が所定の上限基準電圧より高くなったことを検出する。当該検出信号は放電部に入力され、放電部は出力電圧を低下させる。したがって、この構成によれば出力電圧変動を好適に抑制することができる。
本発明の第2実施態様に係るスイッチング電源装置では、第1実施態様に係るスイッチング電源装置において、出力電圧のグランドに第1主電極が接続され、出力電圧が印加される第1出力側ラインに第2主電極が接続され、比較部の出力端子に第1制御電極が接続された第1トランジスタを備え、比較部は出力電圧が上限基準電圧より高いときに、第1トランジスタをオン状態にする。
第2実施態様に係るスイッチング電源装置では、第1実施態様に係るスイッチング電源装置において、比較部は第1トランジスタを備え、出力電圧が上限基準電圧より高いとき、放電部の第1トランジスタをオン状態にするように構成される。
すなわち、出力電圧が上限基準電圧より高くなると、第1トランジスタはオン状態にされ、放電部において出力電圧を放電するため、上限基準電圧を超えた出力電圧を下げることができる。
すなわち、出力電圧が上限基準電圧より高くなると、第1トランジスタはオン状態にされ、放電部において出力電圧を放電するため、上限基準電圧を超えた出力電圧を下げることができる。
本発明の第3実施態様に係るスイッチング電源装置では、第2実施態様に係るスイッチング電源装置において、第1トランジスタはnチャネル導電型絶縁ゲート電界効果トランジスタからなり、第2主電極は放電用抵抗を介して第1出力側ラインに接続されている。
本発明の第4実施態様に係るスイッチング電源装置では、第1実施態様〜第3実施態様に係るスイッチング電源装置において、比較部は上限基準電圧を生成するシャントレギュレータと、出力電圧を分圧する分圧抵抗回路と、上限基準電圧と出力電圧とを比較するコンパレータと、を備えている。
ここで、電源起動時や急激な負荷(電流)変動により出力電圧変動が発生したときに、比較部は出力電圧を抵抗により分圧した電圧とシャントレギュレータで生成された上限基準電圧とを比較する。出力電圧が上限基準電圧より高くなると、放電部の第1トランジスタはオン状態となる。放電部の第1トランジスタがオン状態にされると、第1出力側ラインは放電用抵抗を介して放電され、出力電圧が低下する。
つまり、比較部と、放電部とは出力電圧変動抑制回路を構築し、スイッチング電源装置の出力端子に接続される負荷(装置)の許容電圧を超えないように、出力電圧変動を抑制することができる。
つまり、比較部と、放電部とは出力電圧変動抑制回路を構築し、スイッチング電源装置の出力端子に接続される負荷(装置)の許容電圧を超えないように、出力電圧変動を抑制することができる。
本発明の実施形態によれば、出力電圧変動を抑制するスイッチング電源装置を提供することができる。
[第1実施の形態]
図1を用いて、本発明の第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1について、説明する。
図1を用いて、本発明の第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1について、説明する。
[スイッチング電源装置1の全体構成]
第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1は、1次側電源回路100と、トランス(インダクタ)200と、2次側電源回路300と、フォトカプラ11とを含んで構成されている。
第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1は、1次側電源回路100と、トランス(インダクタ)200と、2次側電源回路300と、フォトカプラ11とを含んで構成されている。
(1次側電源回路100の構成)
1次側電源回路100は直流電源20に接続される第1入力端子21と、第2入力端子22と、を備える。第1入力端子21は直流電源20の正極に接続され、第2入力端子22は直流電源20の負極に接続される。
第1入力端子21は、この第1入力端子21から延設されている第1入力側ライン101を通して、トランス200の1次側巻き線の一端に接続されている。トランス200の1次側巻き線の他端から延設されている第3入力側ライン103は、トランジスタ2の電流路となる一端の主電極(ドレイン電極)に接続されている。
トランス200の1次側巻き線の両端には、抵抗4、コンデンサ5及びダイオード6が接続され、スナバ回路を構成している。コンデンサ5の一端は第1入力側ライン101に接続され、他端はダイオード6のカソード電極に接続されている。ダイオード6のアノード電極は第3入力側ライン103に接続されている。抵抗4はコンデンサ5に電気的に並列接続されている。
1次側電源回路100は直流電源20に接続される第1入力端子21と、第2入力端子22と、を備える。第1入力端子21は直流電源20の正極に接続され、第2入力端子22は直流電源20の負極に接続される。
第1入力端子21は、この第1入力端子21から延設されている第1入力側ライン101を通して、トランス200の1次側巻き線の一端に接続されている。トランス200の1次側巻き線の他端から延設されている第3入力側ライン103は、トランジスタ2の電流路となる一端の主電極(ドレイン電極)に接続されている。
トランス200の1次側巻き線の両端には、抵抗4、コンデンサ5及びダイオード6が接続され、スナバ回路を構成している。コンデンサ5の一端は第1入力側ライン101に接続され、他端はダイオード6のカソード電極に接続されている。ダイオード6のアノード電極は第3入力側ライン103に接続されている。抵抗4はコンデンサ5に電気的に並列接続されている。
第1実施の形態では、トランジスタ2はnチャネル導電型絶縁ゲート電界効果トランジスタ(IGFET:Insulated Gate Field Effect Transistor)を用いて構成されている。
ここで、本実施の形態においては、絶縁ゲート電界効果トランジスタとは、金属−酸化膜−半導体型電界効果トランジスタ(MOSFET:Metal Oxide Semiconductor FET)、金属−絶縁体−半導体型電界効果トランジスタ(MISFET:Metal Insulator Semiconductor FET)の双方が少なくとも含まれる意味で使用されている。
トランジスタ2の主電極(ドレイン電極)は、第3入力側ライン103を通してトランス200の1次側巻き線の他端に接続される。トランジスタ2の他端の主電極(ソース電極)は、抵抗10の一端に接続され、抵抗10の他端は第2入力側ライン102を通して第2入力端子22に接続されている。トランジスタ2の制御電極(ゲート電極)は、制御部3からの制御信号が入力される。トランジスタ2は直流電源20から供給される直流電流をスイッチングして、トランス200の1次側巻き線にスイッチング電流を供給する。
ここで、本実施の形態においては、絶縁ゲート電界効果トランジスタとは、金属−酸化膜−半導体型電界効果トランジスタ(MOSFET:Metal Oxide Semiconductor FET)、金属−絶縁体−半導体型電界効果トランジスタ(MISFET:Metal Insulator Semiconductor FET)の双方が少なくとも含まれる意味で使用されている。
トランジスタ2の主電極(ドレイン電極)は、第3入力側ライン103を通してトランス200の1次側巻き線の他端に接続される。トランジスタ2の他端の主電極(ソース電極)は、抵抗10の一端に接続され、抵抗10の他端は第2入力側ライン102を通して第2入力端子22に接続されている。トランジスタ2の制御電極(ゲート電極)は、制御部3からの制御信号が入力される。トランジスタ2は直流電源20から供給される直流電流をスイッチングして、トランス200の1次側巻き線にスイッチング電流を供給する。
制御部3は抵抗8及び抵抗9を介してトランジスタ2の制御電極(ゲート電極)に接続されている。ダイオード7は抵抗8に並列に接続されている。ダイオード7のカソード電極は制御部3に接続され、ダイオード7のアノード電極は抵抗8及び抵抗9の一端に接続されている。また、制御部3にはフォトカプラ11を介して、出力電圧(第1出力端子31と第2出力端子32の端子間電圧)の検出信号となるフィードバック信号が入力される。
制御部3は、例えばマイコンまたは、専用ICで構成される。制御部3にはフィードバックライン104を介してフィードバック信号が入力され、出力電圧が一定になるように、トランジスタ2を制御する。本実施の形態では、PWM制御を用いて出力電圧が目標電圧一定になるように制御を行っている。
制御部3は、例えばマイコンまたは、専用ICで構成される。制御部3にはフィードバックライン104を介してフィードバック信号が入力され、出力電圧が一定になるように、トランジスタ2を制御する。本実施の形態では、PWM制御を用いて出力電圧が目標電圧一定になるように制御を行っている。
(2次側電源回路300の構成)
2次側電源回路300は、出力部40と、放電部50と、比較部60と、フィードバック部70と、を含んで構成されている。
スイッチング電源装置1の出力電圧は、第2出力端子32(GND)をグランドとし、第1出力端子31(VOUT)に出力される。
2次側電源回路300は、出力部40と、放電部50と、比較部60と、フィードバック部70と、を含んで構成されている。
スイッチング電源装置1の出力電圧は、第2出力端子32(GND)をグランドとし、第1出力端子31(VOUT)に出力される。
(1)出力部40の構成
出力部40はダイオード401と、コンデンサ402と、を含んで構成される。
ダイオード401のアノード電極は、トランス200の2次側巻き線の一端に接続され、カソード電極は第1出力端子31から延設される第1出力側ライン301に接続されている。コンデンサ402の一端は第1出力側ライン301に接続される。コンデンサ402の他端はトランス200の2次側巻き線の他端と第2出力端子32(GND)から延設される第2出力側ライン302に接続される。
出力部40のダイオード401とコンデンサ402とにより、トランス200の1次側巻き線にスイッチング電流を供給することで発生する2次側巻き線の誘起電圧を整流平滑し、出力電圧を生成する。
出力部40はダイオード401と、コンデンサ402と、を含んで構成される。
ダイオード401のアノード電極は、トランス200の2次側巻き線の一端に接続され、カソード電極は第1出力端子31から延設される第1出力側ライン301に接続されている。コンデンサ402の一端は第1出力側ライン301に接続される。コンデンサ402の他端はトランス200の2次側巻き線の他端と第2出力端子32(GND)から延設される第2出力側ライン302に接続される。
出力部40のダイオード401とコンデンサ402とにより、トランス200の1次側巻き線にスイッチング電流を供給することで発生する2次側巻き線の誘起電圧を整流平滑し、出力電圧を生成する。
(2)放電部50の構成
放電部50は第1トランジスタ502と、抵抗501と、抵抗503と、を含んで構成されている。
第1トランジスタ502の第1主電極(ソース電極)は、第2出力側ライン302を通して第2出力端子32に接続される。第1トランジスタ502の第2主電極(ドレイン電極)は、抵抗501を介して第1出力側ライン301に接続される。第1トランジスタ502の第1制御電極(ゲート電極)は、抵抗503を介して比較部60に接続される。
なお、本実施の形態では、第1トランジスタ502はトランジスタ2と同様に、nチャネル導電型絶縁ゲート電界効果トランジスタ(IGFET)を用いて構成されている。
放電部50は第1トランジスタ502と、抵抗501と、抵抗503と、を含んで構成されている。
第1トランジスタ502の第1主電極(ソース電極)は、第2出力側ライン302を通して第2出力端子32に接続される。第1トランジスタ502の第2主電極(ドレイン電極)は、抵抗501を介して第1出力側ライン301に接続される。第1トランジスタ502の第1制御電極(ゲート電極)は、抵抗503を介して比較部60に接続される。
なお、本実施の形態では、第1トランジスタ502はトランジスタ2と同様に、nチャネル導電型絶縁ゲート電界効果トランジスタ(IGFET)を用いて構成されている。
(3)比較部60の構成
比較部60は基準電圧生成回路と、分圧抵抗回路と、コンパレータ回路と、を含んで構成されている。
基準電圧生成回路は抵抗601と、シャントレギュレータ602と、を含んで構成されている。
シャントレギュレータ602は、アノード電極、カソード電極及びリファレンス電極を有する。アノード電極は第2出力側ライン302を通して第2出力端子32に接続されている。カソード電極は抵抗601を介して第1出力側ライン301に接続されている。リファレンス電極はカソード電極に接続されている。基準電圧生成回路で生成された基準電圧は、基準電圧ライン61を通して比較部60のコンパレータ回路及びフィードバック部70に接続されている。
比較部60は基準電圧生成回路と、分圧抵抗回路と、コンパレータ回路と、を含んで構成されている。
基準電圧生成回路は抵抗601と、シャントレギュレータ602と、を含んで構成されている。
シャントレギュレータ602は、アノード電極、カソード電極及びリファレンス電極を有する。アノード電極は第2出力側ライン302を通して第2出力端子32に接続されている。カソード電極は抵抗601を介して第1出力側ライン301に接続されている。リファレンス電極はカソード電極に接続されている。基準電圧生成回路で生成された基準電圧は、基準電圧ライン61を通して比較部60のコンパレータ回路及びフィードバック部70に接続されている。
分圧抵抗回路は抵抗603〜抵抗605で構成されている。
第1出力側ライン301と第2出力側ライン302との間に、直列に抵抗603〜抵抗605が接続されている。分圧抵抗回路は第1出力側ライン301の電圧を分圧した2つの比較電圧ラインを生成する。第1比較電圧ライン62は、抵抗604の一端と抵抗605の一端に接続されている。第2比較電圧ライン63は、抵抗603の一端と抵抗604の他端に接続されている。
第1出力側ライン301の電圧が目標電圧になったとき、第2比較電圧ライン63の電圧が、基準電圧ライン61の電圧と同じになるように、抵抗603〜抵抗605の抵抗値は設定される。さらに、第1出力側ライン301の電圧が目標電圧より高い、所定の上限基準電圧になったとき、第1比較電圧ライン62の電圧が、基準電圧ライン61の電圧と同じになるように、抵抗603〜抵抗605の抵抗値は設定されている。上限基準電圧は、スイッチング電源装置1に接続される負荷(装置)の最大許容電圧より小さい電圧に設定されている。
第1出力側ライン301と第2出力側ライン302との間に、直列に抵抗603〜抵抗605が接続されている。分圧抵抗回路は第1出力側ライン301の電圧を分圧した2つの比較電圧ラインを生成する。第1比較電圧ライン62は、抵抗604の一端と抵抗605の一端に接続されている。第2比較電圧ライン63は、抵抗603の一端と抵抗604の他端に接続されている。
第1出力側ライン301の電圧が目標電圧になったとき、第2比較電圧ライン63の電圧が、基準電圧ライン61の電圧と同じになるように、抵抗603〜抵抗605の抵抗値は設定される。さらに、第1出力側ライン301の電圧が目標電圧より高い、所定の上限基準電圧になったとき、第1比較電圧ライン62の電圧が、基準電圧ライン61の電圧と同じになるように、抵抗603〜抵抗605の抵抗値は設定されている。上限基準電圧は、スイッチング電源装置1に接続される負荷(装置)の最大許容電圧より小さい電圧に設定されている。
コンパレータ回路はコンパレータIC606で構成されている。
コンパレータIC606は反転入力端子、非反転入力端子及び出力端子を有する。コンパレータIC606の反転入力端子は基準電圧ライン61に接続されている。コンパレータIC606の非反転入力端子は第1比較電圧ライン62に接続されている。コンパレータIC606の出力端子は抵抗503を介して、第1トランジスタ502の第1制御電極(ゲート電極)に接続されている。
コンパレータIC606は反転入力端子、非反転入力端子及び出力端子を有する。コンパレータIC606の反転入力端子は基準電圧ライン61に接続されている。コンパレータIC606の非反転入力端子は第1比較電圧ライン62に接続されている。コンパレータIC606の出力端子は抵抗503を介して、第1トランジスタ502の第1制御電極(ゲート電極)に接続されている。
(4)フィードバック部70の構成
フィードバック部70は、抵抗701と、コンデンサ702と、コンパレータIC703と、抵抗704と、を含んで構成されている。
コンパレータIC703は反転入力端子、非反転入力端子及び出力端子を有する。コンパレータIC703の反転入力端子は第2比較電圧ライン63に接続されている。コンパレータIC703の非反転入力端子は基準電圧ライン61に接続されている。コンパレータIC703の出力端子と反転入力端子との間には、直列に抵抗701と、コンデンサ702とが接続されている。また、コンパレータIC703の出力端子はフォトカプラ11のフォトダイオードのカソード電極に接続され、フォトダイオードのアノード電極は抵抗704を介して第1出力側ライン301に接続されている。
フィードバック部70は、抵抗701と、コンデンサ702と、コンパレータIC703と、抵抗704と、を含んで構成されている。
コンパレータIC703は反転入力端子、非反転入力端子及び出力端子を有する。コンパレータIC703の反転入力端子は第2比較電圧ライン63に接続されている。コンパレータIC703の非反転入力端子は基準電圧ライン61に接続されている。コンパレータIC703の出力端子と反転入力端子との間には、直列に抵抗701と、コンデンサ702とが接続されている。また、コンパレータIC703の出力端子はフォトカプラ11のフォトダイオードのカソード電極に接続され、フォトダイオードのアノード電極は抵抗704を介して第1出力側ライン301に接続されている。
(第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1の起動時動作)
第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1の起動時動作について説明する。
スイッチング電源装置1の起動直後に、1次側電源回路100の制御部3によるスイッチング制御が開始され、第1出力端子31の電圧は上昇を開始する。この第1出力端子31の電圧上昇に合わせて、基準電圧ライン61、第1比較電圧ライン62及び第2比較電圧ライン63の電圧が上昇する。このとき、基準電圧ライン61の電圧が第1比較電圧ライン62の電圧より高いため、コンパレータIC606の出力信号はローレベルとなる。その結果、第1トランジスタ502はオフ状態とされ、放電部50はオフ状態となる。
また、基準電圧ライン61の電圧は第2比較電圧ライン63の電圧より高いため、コンパレータIC703の出力信号はハイレベルとなる。その結果、フォトカプラ11のフォトダイオードには電流が流れず、制御部3は第1出力端子31の電圧を上げる制御を継続する。
第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1の起動時動作について説明する。
スイッチング電源装置1の起動直後に、1次側電源回路100の制御部3によるスイッチング制御が開始され、第1出力端子31の電圧は上昇を開始する。この第1出力端子31の電圧上昇に合わせて、基準電圧ライン61、第1比較電圧ライン62及び第2比較電圧ライン63の電圧が上昇する。このとき、基準電圧ライン61の電圧が第1比較電圧ライン62の電圧より高いため、コンパレータIC606の出力信号はローレベルとなる。その結果、第1トランジスタ502はオフ状態とされ、放電部50はオフ状態となる。
また、基準電圧ライン61の電圧は第2比較電圧ライン63の電圧より高いため、コンパレータIC703の出力信号はハイレベルとなる。その結果、フォトカプラ11のフォトダイオードには電流が流れず、制御部3は第1出力端子31の電圧を上げる制御を継続する。
さらに、第1出力端子31の電圧が上昇し、シャントレギュレータ602で設定した基準電圧の値より高くなると、基準電圧ライン61の電圧上昇は止まり、シャントレギュレータ602により設定された一定の電圧が基準電圧ライン61に出力される。
また、更に第1出力端子31の電圧が上昇し、目標電圧より高くなると、基準電圧ライン61の電圧よりも第2比較電圧ライン63の電圧が高くなり、コンパレータIC703の出力信号はローレベルとなる。その結果、フォトカプラ11のフォトダイオードに電流が流れ、制御部3にフィードバック信号がフィードバックライン104を介して入力される。そして、制御部3は出力電圧を降下させる制御に移行する。制御部3は直ちに電圧降下させるために、トランジスタ2の制御を行うが、フィードバック制御の応答が遅いため、第1出力端子31の電圧は瞬時に応答せず、目標電圧を超えて更に上昇を継続する。
出力電圧の上昇が継続すると、第1比較電圧ライン62の電圧が基準電圧ライン61の電圧より高くなり、コンパレータIC606の出力信号がハイレベルとなる。コンパレータIC606のハイレベルの出力信号は抵抗503を介して、第1トランジスタ502の第1制御電極(ゲート電極)に印加され、第1トランジスタ502はオン状態に移行する。
第1トランジスタ502がオン状態に移行すると、コンデンサ402に充電された電荷が、抵抗501およびオン状態とされた第1トランジスタ502を介して第2出力端子32に放電される。その結果、第1出力端子31の電圧上昇が抑制され、出力電圧は低下する。
第1出力端子31の電圧が低下し、第1比較電圧ライン62の電圧よりも基準電圧ライン61の電圧が高くなると、コンパレータIC606の出力信号がローレベルとなる。これにより、第1トランジスタ502はオフ状態に移行し、放電部50による放電動作は停止され、コンデンサ402の電荷は負荷により放電し、第1出力端子31の電圧が低下し、制御部3による電圧制御へ移行する。
なお、上記では、スイッチング電源装置1の起動時の動作を例に説明したが、急激な負荷(電流)変動により出力電圧上昇が発生したときも同様の動作となる。出力電圧が所定の上限基準電圧より上昇したときに、第1トランジスタ502はオン状態に移行し、コンデンサ402に充電された電荷は抵抗501を介して放電され、出力電圧の上昇を抑制することができる。
(作用効果)
本実施の形態に係るスイッチング電源装置1は、図1に示されるように、1次側電源回路100と、トランス200と、2次側電源回路300と、フォトカプラ11と、を備える。
1次側電源回路100は、トランジスタ2と、制御部3と、を備える。
2次側電源回路300は、出力部40と、放電部50と、比較部60と、フィードバック部70と、を含んで構成されている。
出力部40はダイオード401とコンデンサ402と、で構成される。トランス200の1次側巻き線にスイッチング電流を供給することで発生する2次巻き線の誘起電圧を整流平滑して、第1出力側ライン301に出力電圧が生成される。
放電部50の第1トランジスタ502は、その第1主電極(ソース電極)が第2出力端子32に接続され、第2主電極(ドレイン電極)が抵抗501を介して、第1出力側ライン301に接続され、第1制御電極(ゲート電極)が比較部60の出力端子に接続されている。
比較部60はシャントレギュレータ602と第1出力端子31の電圧を分圧する抵抗603〜抵抗605と、を含んで構成されている。そして、第1出力側ライン301の電圧が所定の上限基準電圧よりも高いときに、第1トランジスタ502はオン状態に移行される。
フィードバック部70は第1出力側ライン301の電圧と目標電圧とを比較し、誤差信号であるフィードバック信号を出力する。フィードバック部70の出力信号はフォトカプラ11を介して制御部3に入力され、制御部3はトランジスタ2の制御を実行する。
本実施の形態に係るスイッチング電源装置1は、図1に示されるように、1次側電源回路100と、トランス200と、2次側電源回路300と、フォトカプラ11と、を備える。
1次側電源回路100は、トランジスタ2と、制御部3と、を備える。
2次側電源回路300は、出力部40と、放電部50と、比較部60と、フィードバック部70と、を含んで構成されている。
出力部40はダイオード401とコンデンサ402と、で構成される。トランス200の1次側巻き線にスイッチング電流を供給することで発生する2次巻き線の誘起電圧を整流平滑して、第1出力側ライン301に出力電圧が生成される。
放電部50の第1トランジスタ502は、その第1主電極(ソース電極)が第2出力端子32に接続され、第2主電極(ドレイン電極)が抵抗501を介して、第1出力側ライン301に接続され、第1制御電極(ゲート電極)が比較部60の出力端子に接続されている。
比較部60はシャントレギュレータ602と第1出力端子31の電圧を分圧する抵抗603〜抵抗605と、を含んで構成されている。そして、第1出力側ライン301の電圧が所定の上限基準電圧よりも高いときに、第1トランジスタ502はオン状態に移行される。
フィードバック部70は第1出力側ライン301の電圧と目標電圧とを比較し、誤差信号であるフィードバック信号を出力する。フィードバック部70の出力信号はフォトカプラ11を介して制御部3に入力され、制御部3はトランジスタ2の制御を実行する。
ここで、起動時や急激な負荷(電流)変動により、第1出力側ライン301の電圧変動が発生したとき、第1出力側ライン301の電圧が所定の上限基準電圧より高くなると、比較部60により第1トランジスタ502がオン状態に移行される。そして、第1トランジスタ502がオン状態に移行されることで、コンデンサ402に充電された電荷は抵抗501を介して放電され、第1出力側ライン301の電圧が低下する。
つまり、放電部50と比較部60とは電圧変動抑制回路を構成し、スイッチング電源装置1の第1出力端子31及び第2出力端子32に接続される負荷(装置)の許容電圧を超えないように、出力電圧変動を抑制することができる。
つまり、放電部50と比較部60とは電圧変動抑制回路を構成し、スイッチング電源装置1の第1出力端子31及び第2出力端子32に接続される負荷(装置)の許容電圧を超えないように、出力電圧変動を抑制することができる。
[第2実施の形態]
図2を用いて、本発明の第2実施の形態に係るスイッチング電源装置1Aについて、説明する。
第2実施の形態に係るスイッチング電源装置1Aは、前述の第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1における1次側電源回路100の構成を変更したものである。第1実施の形態の1次側電源回路100は、絶縁型のフライバック方式のスイッチング電源装置であったが、第2実施の形態は1次側電源回路100Aを非絶縁型のスイッチング電源装置とした場合を例示している。さらに、第2実施の形態に係るスイッチング電源装置1Aは、非絶縁型のスイッチング電源装置であるため、第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1には必要であったフォトカプラ11と、抵抗704と、を削除している。
なお、第2実施の形態において、第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1の構成要素と同一の構成要素又は実質的に同一の構成要素には、同一符号を付し、重複する説明は省略する。
図2を用いて、本発明の第2実施の形態に係るスイッチング電源装置1Aについて、説明する。
第2実施の形態に係るスイッチング電源装置1Aは、前述の第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1における1次側電源回路100の構成を変更したものである。第1実施の形態の1次側電源回路100は、絶縁型のフライバック方式のスイッチング電源装置であったが、第2実施の形態は1次側電源回路100Aを非絶縁型のスイッチング電源装置とした場合を例示している。さらに、第2実施の形態に係るスイッチング電源装置1Aは、非絶縁型のスイッチング電源装置であるため、第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1には必要であったフォトカプラ11と、抵抗704と、を削除している。
なお、第2実施の形態において、第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1の構成要素と同一の構成要素又は実質的に同一の構成要素には、同一符号を付し、重複する説明は省略する。
(1次側電源回路100Aの構成)
1次側電源回路100Aは直流電源20に接続される第1入力端子21と第2入力端子22とを備える。第1入力端子21は直流電源20の正極に接続され、第2入力端子22は直流電源20の負極に接続されている。さらに、第2入力端子22は第2出力側ライン302を通して、第2出力端子32に接続されている。
また、第1入力端子21はインダクタ12の一端に接続され、インダクタ12の他端は出力部40のダイオード401のアノード電極及びスイッチ素子13の電流路となる一端に接続されている。スイッチ素子13の電流路となる他端は、第2入力端子22及び第2出力側ライン302を通して第2出力端子32に接続されている。スイッチ素子13の制御端子は制御部3に接続されている。制御部3にはフィードバック部70の出力であるフィードバック信号がフィードバックライン104を介して入力され、出力電圧が一定になるように、スイッチ素子13の制御端子を制御する。例えば、スイッチ素子13は第1実施の形態のトランジスタ2と同様に、nチャネル導電型絶縁ゲート電界効果トランジスタ(IGFET)を用いて構成され、PWM制御を用いて出力電圧が一定になるように制御を行っている。
1次側電源回路100Aは直流電源20に接続される第1入力端子21と第2入力端子22とを備える。第1入力端子21は直流電源20の正極に接続され、第2入力端子22は直流電源20の負極に接続されている。さらに、第2入力端子22は第2出力側ライン302を通して、第2出力端子32に接続されている。
また、第1入力端子21はインダクタ12の一端に接続され、インダクタ12の他端は出力部40のダイオード401のアノード電極及びスイッチ素子13の電流路となる一端に接続されている。スイッチ素子13の電流路となる他端は、第2入力端子22及び第2出力側ライン302を通して第2出力端子32に接続されている。スイッチ素子13の制御端子は制御部3に接続されている。制御部3にはフィードバック部70の出力であるフィードバック信号がフィードバックライン104を介して入力され、出力電圧が一定になるように、スイッチ素子13の制御端子を制御する。例えば、スイッチ素子13は第1実施の形態のトランジスタ2と同様に、nチャネル導電型絶縁ゲート電界効果トランジスタ(IGFET)を用いて構成され、PWM制御を用いて出力電圧が一定になるように制御を行っている。
(作用効果)
本実施の形態に係るスイッチング電源装置1Aは、図2に示されるように、制御部3と、インダクタ12と、スイッチ素子13と、出力部40と、放電部50と、比較部60と、フィードバック部70と、を含んで構成されている。
このように構成される第2実施の形態に係るスイッチング電源装置1Aは、第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
本実施の形態に係るスイッチング電源装置1Aは、図2に示されるように、制御部3と、インダクタ12と、スイッチ素子13と、出力部40と、放電部50と、比較部60と、フィードバック部70と、を含んで構成されている。
このように構成される第2実施の形態に係るスイッチング電源装置1Aは、第1実施の形態に係るスイッチング電源装置1により得られる作用効果と同様の作用効果を得ることができる。
[その他の実施の形態]
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲において、種々変形可能である。例えば、比較部60の第1比較電圧ライン62、第2比較電圧ライン63は出力電圧を抵抗で分圧し生成したが、抵抗で分圧せず、出力電圧を直接比較してもよい。
また、本発明の放電部50は出力電圧が所定の上限基準電圧より高いときに出力電圧を低下させるのであればよく、その構成は上記実施の形態に記載された事項に限定されるものではない。
また、本発明の比較部60は出力電圧が所定の上限基準電圧より高いときに放電部50による放電を実行させるのであればよく、その構成は上記実施の形態に記載された事項に限定されるものではない。
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲において、種々変形可能である。例えば、比較部60の第1比較電圧ライン62、第2比較電圧ライン63は出力電圧を抵抗で分圧し生成したが、抵抗で分圧せず、出力電圧を直接比較してもよい。
また、本発明の放電部50は出力電圧が所定の上限基準電圧より高いときに出力電圧を低下させるのであればよく、その構成は上記実施の形態に記載された事項に限定されるものではない。
また、本発明の比較部60は出力電圧が所定の上限基準電圧より高いときに放電部50による放電を実行させるのであればよく、その構成は上記実施の形態に記載された事項に限定されるものではない。
1、1A…スイッチング電源装置、2…トランジスタ、3…制御部、11…フォトカプラ、12…インダクタ、13…スイッチ素子、20…直流電源、21…第1入力端子、22…第2入力端子、31…第1出力端子、32…第2出力端子、40…出力部、50…放電部、60…比較部、70…フィードバック部、200…トランス、301…第1出力側ライン、502…第1トランジスタ、602…シャントレギュレータ、606、703…コンパレータIC
Claims (4)
- 電源端子から入力される直流電流を導通遮断するスイッチ部と、
該スイッチ部を制御する制御部と、
前記スイッチ部により入力される直流電流により、電磁エネルギーの蓄積と放出を繰り返すインダクタと、
該インダクタの電磁エネルギーの蓄積と放出の繰り返しによって発生した電圧を、整流平滑して出力電圧を生成する出力部と、
該出力電圧を検出して前記制御部にフィードバック信号を出力するフィードバック部と、
前記出力電圧と所定の上限基準電圧とを比較する比較部と、
前記出力電圧が前記上限基準電圧より高いときに前記出力電圧を低下させる放電部と、
を備えているスイッチング電源装置。 - 前記放電部は、
前記出力電圧のグランドに第1主電極が接続され、前記出力電圧が印加される第1出力側ラインに第2主電極が接続され、前記比較部の出力に第1制御電極が接続された第1トランジスタを備え、
前記比較部は、前記出力電圧が前記上限基準電圧より高いときに、前記第1トランジスタをオン状態にする
請求項1に記載のスイッチング電源装置。 - 前記第1トランジスタは、
nチャネル導電型絶縁ゲート電界効果トランジスタからなり、
前記第2主電極は、放電用抵抗を介して、前記第1出力側ラインに接続されている
請求項2に記載のスイッチング電源装置。 - 前記比較部は、
前記上限基準電圧を生成するシャントレギュレータと、
前記出力電圧を分圧する分圧抵抗回路と、
前記上限基準電圧と前記出力電圧とを比較するコンパレータと、
を備えている
請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載のスイッチング電源装置。
Priority Applications (1)
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011200034A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Aiphone Co Ltd | スイッチング電源装置 |
WO2013005529A1 (ja) * | 2011-07-01 | 2013-01-10 | ローム株式会社 | 過電圧保護回路、電源装置、液晶表示装置、電子機器、テレビ |
JP2013240240A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Nichicon Corp | 電力変換装置の二次側放電回路、該二次側放電回路を備えた電力変換装置 |
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-
2019
- 2019-12-12 JP JP2019224484A patent/JP2021093886A/ja active Pending
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