JP2021093510A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
Description
特許文献1は、たとえば、ゲートが分離された、一対のp型MOSFETおよびn型MOSFETからなる基本セルを含む半導体集積回路装置を開示している。当該半導体集積回路装置は、基本セルが規則的に配列されたゲートアレイを有している。
そこで、本発明の目的は、従来に比べて基本セルの長さを短くできるゲートアレイを備える半導体集積回路装置を提供することである。
まず、本発明の実施形態を列記して説明する。
本発明の第1実施形態に係る半導体集積回路装置は、半導体基板上に配置され、第1方向に延びる第1電源配線と、前記第1方向に延び、かつ前記第1電源配線と間隔を空けた第2電源配線と、前記第1電源配線と前記第2電源配線との間の領域に配置されたpチャネル型MOSFET用の第1拡散層と、前記第1電源配線と前記第2電源配線との間の領域であり、かつ前記第1拡散層に対して前記第2電源配線側に配置されたnチャネル型MOSFET用の第2拡散層と、前記第1方向に直交する第2方向に延び、前記第1拡散層に跨っている第1ゲート電極と、前記第2方向に延び、前記第2拡散層に跨っている第2ゲート電極と、前記第1電源配線および前記第2電源配線の少なくとも一方の下方に配置され、かつ前記第1方向に沿って点在しているバックゲート用の第3拡散層とを含む。
本発明の第1実施形態に係る半導体集積回路装置では、前記第3拡散層は、前記第1電源配線の下方に配置され、前記第1拡散層とは反対導電型であり、かつpチャネル型MOSFET用の第3拡散層を含み、前記半導体集積回路装置は、前記第1拡散層から、前記第1電源配線の下方であり、かつ前記pチャネル型MOSFET用の第3拡散層が形成されていない領域まで選択的に延びる第1コンタクト部を含んでいてもよい。
本発明の第1実施形態に係る半導体集積回路装置では、前記第1ゲート電極は、互いに離れている1ペアの第1ゲート電極を含み、前記1ペアの第1ゲート電極、前記1ペアの第1ゲート電極の間の前記第1拡散層、および前記1ペアの第1ゲート電極の両側の前記第1拡散層によって、1ペアのpチャネル型MOSFETが構成されており、前記第1コンタクト部は、前記1ペアの第1ゲート電極の間の前記第1拡散層から延びていてもよい。
本発明の第1実施形態に係る半導体集積回路装置では、前記第3拡散層は、前記第2電源配線の下方に配置され、前記第2拡散層とは反対導電型であり、かつnチャネル型MOSFET用の第3拡散層を含み、前記半導体集積回路装置は、前記第2拡散層から、前記第2電源配線の下方であり、かつ前記nチャネル型MOSFET用の第3拡散層が形成されていない領域まで選択的に延びる第2コンタクト部を含んでいてもよい。
本発明の第1実施形態に係る半導体集積回路装置では、前記第2ゲート電極は、互いに離れている1ペアの第2ゲート電極を含み、前記1ペアの第2ゲート電極、前記1ペアの第2ゲート電極の間の前記第2拡散層、および前記1ペアの第2ゲート電極の両側の前記第2拡散層によって、1ペアのnチャネル型MOSFETが構成されており、前記第2コンタクト部は、前記1ペアの第2ゲート電極の間の前記第2拡散層から延びていてもよい。
本発明の第1実施形態に係る半導体集積回路装置では、前記第1ゲート電極の前記第2電源配線側の端部と、前記第2ゲート電極の前記第1電源配線側の端部とが一体的に接続されていてもよい。
本発明の第1実施形態に係る半導体集積回路装置は、前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極との接続部分で定義され、前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極よりも幅広なゲートコンタクト部を含んでいてもよい。
本発明の第1実施形態に係る半導体集積回路装置では、1ペアの前記pチャネル型MOSFETおよび1ペアの前記nチャネル型MOSFETの合計4つのMOSFETからなる基本セルが、前記第1電源配線と前記第2電源配線との間の領域を前記第1方向に沿って複数配列されていてもよい。
本発明の第2実施形態に係る半導体集積回路装置では、前記第1ゲート電極は、互いに離れている1ペアの第1ゲート電極を含み、前記1ペアの第1ゲート電極、前記1ペアの第1ゲート電極の間の前記第1拡散層、および前記1ペアの第1ゲート電極の両側の前記第1拡散層によって、1ペアの前記pチャネル型MOSFETが構成されており、前記第1コンタクト部は、前記1ペアの第1ゲート電極の両側の前記第1拡散層から延びていてもよい。
本発明の第2実施形態に係る半導体集積回路装置では、前記第3拡散層は、前記第1拡散層とは反対導電型であり、かつ前記pチャネル型MOSFET用の第3拡散層を含んでいてもよい。
本発明の第3実施形態に係る半導体集積回路装置では、前記第2ゲート電極は、互いに離れている1ペアの第2ゲート電極を含み、前記1ペアの第2ゲート電極、前記1ペアの第2ゲート電極の間の前記第2拡散層、および前記1ペアの第2ゲート電極の両側の前記第2拡散層によって、1ペアの前記nチャネル型MOSFETが構成されており、前記第2コンタクト部は、前記1ペアの第2ゲート電極の両側の前記第2拡散層から延びていてもよい。
本発明の第3実施形態に係る半導体集積回路装置では、前記第4拡散層は、前記第2拡散層とは反対導電型であり、かつ前記nチャネル型MOSFET用の第4拡散層を含んでいてもよい。
本発明の第2および第3実施形態に係る半導体集積回路装置では、前記第1ゲート電極の前記第2電源配線側の端部と、前記第2ゲート電極の前記第1電源配線側の端部とが一体的に接続されていてもよい。
本発明の第2および第3実施形態に係る半導体集積回路装置は、前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極との接続部分で形成され、前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極よりも幅広なゲートコンタクト部を含んでいてもよい。
本発明の第2および第3実施形態に係る半導体集積回路装置では、1ペアの前記pチャネル型MOSFETおよび1ペアの前記nチャネル型MOSFETの合計4つのMOSFETからなる基本セルが、前記第1電源配線と前記第2電源配線との間の領域を前記第1方向に沿って複数配列されていてもよい。
<本発明の実施形態の詳細な説明>
次に、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
半導体集積回路装置1は、所定の機能を果たす電子回路の素子が多数搭載された電子部品(IC)である。半導体集積回路装置1は、外形を構成する樹脂パッケージ2と、樹脂パッケージ2から露出する複数の端子3(アウタリード)とを含む。
複数の回路セル4,5,6は、様々な回路を含むことができる。複数の回路セル4,5,6、たとえば、NAND、NOR等の論理回路や、AD変換器やコンパレータ等のアナログ回路を含んでいてもよい。複数の回路セル4,5,6は、互いに面積が異なっていてもよく、この実施形態では、第3回路セル6が、第1回路セル4および第2回路セル5に比べて広い面積で形成されている。以下では、第1回路セル4の内部構成について説明する。
半導体基板7は、たとえばシリコン基板等で構成されていてもよく、この実施形態では、p型のシリコン基板で構成されている。
半導体基板7には、互いに隣り合う基本セル13の間、および各基本セル13においてpチャネル型MOSFET11とnチャネル型MOSFET12との間に素子分離部14が形成されている。素子分離部14は、この実施形態では、トレンチ15に埋め込まれた絶縁膜16によって構成されたSTI(Shallow Trench Isolation)構造によって構成されている。むろん、素子分離部14は、STI構造に制限されず、たとえば、LOCOS等のフィールド酸化膜によって構成されていてもよい。
pチャネル型MOSFET11は、n型ウェル19と、本発明の第1拡散層の一例としてのp型拡散層20と、第1ゲート絶縁膜21と、第1ゲート電極22と、本発明の第3拡散層の一例としてのn型拡散層23と、第1コンタクト部24とを含む。
p型拡散層20は、n型ウェル19の表面部に形成され、かつ半導体基板7の表面から露出している。p型拡散層20は、p型の半導体基板7よりも高いp型不純物濃度を有している。また、p型拡散層20は、この実施形態では、各基本セル13に3つ配置されている。各p型拡散層20は、Y方向における長さがX方向における長さよりも長い長方形状である。たとえば、各p型拡散層20のY方向における長さW2は、0.95μm〜1.48μmである。
互いに隣り合うp型拡散層20は、一方がpチャネル型MOSFET11のソースとされ、他方がpチャネル型MOSFET11のドレインとされる。ソース/ドレインのいずれとして機能するかは、各p型拡散層20に接続されるメタル配線(後述する層間絶縁膜35上の配線)のパターンによって決定される。この実施形態では、pチャネル型MOSFET11に関して、中央のp型拡散層20は、第1コンタクト部24を介して第1電源配線8(正側の配線)に接続される拡散層であるので、ソース領域と称してもよい。一方、両側のp型拡散層20は、ドレイン領域と称してもよい。
n型拡散層23は、図3および図6に示すように、第1電源配線8の下方のn型ウェル19の表面部に形成され、かつX方向に沿って点在している。つまり、複数のn型拡散層23が、第1電源配線8に沿って間隔を空けて規則的に配列されている。この実施形態では、互いに隣り合う基本セル13の境界部にn型拡散層23が配置されており、n型拡散層23が、互いに隣り合う基本セル13で共有されている。したがって、各基本セル13において、第1電源配線8の下方領域であって、かつY方向においてp型拡散層20に対向する領域は、n型拡散層23が形成されていない領域となっている。
また、第1コンタクト部24は、図3に示すように、p型拡散層20よりも幅狭であってもよく、たとえば、平面視において、第1ゲート電極22にオーバーラップしないような幅で形成されていてもよい。
より具体的には、nチャネル型MOSFET12は、本発明の第2拡散層の一例としてのn型拡散層27と、第2ゲート絶縁膜28と、第2ゲート電極29と、本発明の第3拡散層の一例としてのp型拡散層30と、第2コンタクト部31とを含む。
互いに隣り合うn型拡散層27は、一方がnチャネル型MOSFET12のソースとされ、他方がnチャネル型MOSFET12のドレインとされる。ソース/ドレインのいずれとして機能するかは、各n型拡散層27に接続されるメタル配線(後述する層間絶縁膜35上の配線)のパターンによって決定される。この実施形態では、nチャネル型MOSFET12に関して、中央のn型拡散層27は、第2コンタクト部31を介して第2電源配線9(負側の配線)に接続される拡散層であるので、ソース領域と称してもよい。一方、両側のn型拡散層27は、ドレイン領域と称してもよい。
より具体的には、ゲートコンタクト部34は、X方向において、第1ゲート電極22および第2ゲート電極29に対して両側に突出する形状で形成されている。第1ゲート電極22および第2ゲート電極29に対して内側(第1コンタクト部24および第2コンタクト部31に近づく側)に突出するゲートコンタクト部34の部分の突出量が、その反対側に突出するゲートコンタクト部34の突出量よりも小さくなっている。
p型拡散層30は、図3および図6に示すように、第2電源配線9の下方の半導体基板7の表面部に形成され、かつX方向に沿って点在している。つまり、複数のp型拡散層30が、第2電源配線9に沿って間隔を空けて規則的に配列されている。この実施形態では、互いに隣り合う基本セル13の境界部にp型拡散層30が配置されており、p型拡散層30が、互いに隣り合う基本セル13で共有されている。したがって、各基本セル13において、第2電源配線9の下方領域であって、かつY方向においてn型拡散層27に対向する領域は、p型拡散層30が形成されていない領域となっている。
第2コンタクト部31は、n型拡散層27から、第2電源配線9の下方におけるp型拡散層30が形成されていない領域に向かって選択的に延びている。これにより、半導体基板7の厚さ方向において、第2コンタクト部31の先端部51は、第2電源配線9に対向している。この実施形態では、第2コンタクト部31は、1ペアの第2ゲート電極29の間のn型拡散層27(中央のn型拡散層27)から選択的に延びており、1ペアの第2ゲート電極29の両側のn型拡散層27には、第2コンタクト部31が接続されていない。一方、第2電源配線9の下方領域においてp型拡散層30が形成されていない領域は、第2コンタクト部31の先端部51を除いて、素子分離部14で構成されている。
また、第2コンタクト部31は、図3に示すように、n型拡散層27よりも幅狭であってもよく、たとえば、平面視において、第2ゲート電極29にオーバーラップしないような幅で形成されていてもよい。
層間絶縁膜35上には、配線パターン36が形成されている。配線パターン36は、たとえば、アルミニウム等のメタル配線で構成されている。配線パターン36は、第1電源配線8および第2電源配線9の他、第1ゲート電極22、第2ゲート電極29、p型拡散層20、n型拡散層27等に接続される回路配線37を含んでいてもよい。
また、層間絶縁膜35には、第1コンタクトホール38、第2コンタクトホール39、第3コンタクトホール40、第4コンタクトホール41および第5コンタクトホール42が形成されている。
以上、この半導体集積回路装置1によれば、pチャネル型MOSFET11およびnチャネル型MOSFET12の素子配置領域10(第1領域17および第2領域18)が、第1電源配線8と第2電源配線9との間の領域に配置されている。そのため、第1電源配線8および第2電源配線9が基本セル13内に配置されていない。
たとえば、図3に示すように、第1電源配線8の下方の領域であり、かつn型拡散層23が形成されていない領域の近傍を、p型拡散層20への電源供給のための第1コンタクト部24として有効利用することができる。これにより、p型拡散層20への電源供給のための配線(第1分岐配線48)を基本セル13内(第1領域17内)に長く引き回す必要がなく、第1電源配線8から少し分岐させるだけで済むので、基本セル13内の配線性を一層向上させることができる。
半導体基板107は、たとえばシリコン基板等で構成されていてもよく、この実施形態では、p型のシリコン基板で構成されている。
半導体基板107には、互いに隣り合う基本セル113の間、および各基本セル113においてpチャネル型MOSFET111とnチャネル型MOSFET112との間に素子分離部114が形成されている。素子分離部114は、この実施形態では、トレンチ115に埋め込まれた絶縁膜116によって構成されたSTI(Shallow Trench Isolation)構造によって構成されている。むろん、素子分離部114は、STI構造に制限されず、たとえば、LOCOS等のフィールド酸化膜によって構成されていてもよい。
pチャネル型MOSFET111は、n型ウェル119と、本発明の第1拡散層の一例としてのp型拡散層120と、第1ゲート絶縁膜121と、第1ゲート電極122と、本発明の第3拡散層の一例としてのn型拡散層123と、第1コンタクト部124とを含む。
p型拡散層120は、n型ウェル119の表面部に形成され、かつ半導体基板107の表面から露出している。p型拡散層120は、p型の半導体基板107よりも高いp型不純物濃度を有している。また、p型拡散層120は、この実施形態では、各基本セル113に3つ配置されている。各p型拡散層120は、X方向における長さがY方向における長さよりも長い長方形状である。たとえば、各p型拡散層120のY方向における長さL1は、1.14μm〜1.86μmである。
互いに隣り合うp型拡散層120は、一方がpチャネル型MOSFET111のソースとされ、他方がpチャネル型MOSFET111のドレインとされる。ソース/ドレインのいずれとして機能するかは、各p型拡散層120に接続されるメタル配線(後述する層間絶縁膜135上の配線)のパターンによって決定される。この実施形態では、pチャネル型MOSFET111に関して、両側のp型拡散層120のうち一方(図10の紙面左側)のp型拡散層120は、第1コンタクト部124を介して第1電源配線108(正側の配線)に接続される拡散層であるので、ソース領域と称してもよい。一方、両側のp型拡散層120のうち他方(図10の紙面右側)のp型拡散層120は、ドレイン領域と称してもよい。
また、第1コンタクト部124は、図10に示すように、各p型拡散層120よりも幅狭であってもよく、たとえば、平面視において、第1ゲート電極122にオーバーラップしないような幅で形成されていてもよい。
n型拡散層123は、図9、図10および図14に示すように、第1電源配線108の下方のn型ウェル119の表面部に形成され、かつX方向に沿って点在している。つまり、複数のn型拡散層123が、第1電源配線108に沿って間隔を空けて規則的に配列されている。
また、n型拡散層123は、Y方向において、中央のp型拡散層120に対向する位置に形成されている。これにより、n型拡散層123は、Y方向において、素子分離部114を挟んで第1延出部152に隣り合っている(図14参照)。n型拡散層123と第1延出部152とのY方向における距離は、ラインアンドスペース(L/S)等のデザインルールに基づいて、適宜定めることができるが、たとえば、0.27μm〜0.29μmであってもよい。
より具体的には、nチャネル型MOSFET112は、本発明の第2拡散層の一例としてのn型拡散層127と、第2ゲート絶縁膜128と、第2ゲート電極129と、本発明の第4拡散層の一例としてのp型拡散層130と、第2コンタクト部131とを含む。
互いに隣り合うn型拡散層127は、一方がnチャネル型MOSFET112のソースとされ、他方がnチャネル型MOSFET112のドレインとされる。ソース/ドレインのいずれとして機能するかは、各n型拡散層127に接続されるメタル配線(後述する層間絶縁膜135上の配線)のパターンによって決定される。この実施形態では、nチャネル型MOSFET112に関して、両側のn型拡散層127のうち一方(図10の紙面左側)のn型拡散層127は、第2コンタクト部131を介して第2電源配線109(負側の配線)に接続される拡散層であるので、ソース領域と称してもよい。一方、両側のp型拡散層120のうち他方(図10の紙面右側)のn型拡散層127は、ドレイン領域と称してもよい。
より具体的には、ゲートコンタクト部134は、X方向において、第1ゲート電極122および第2ゲート電極129に対して両側に突出する形状で形成されている。第1ゲート電極122および第2ゲート電極129に対して内側に突出するゲートコンタクト部134の部分の突出量が、その反対側(第1コンタクト部124および第2コンタクト部131に近づく側)に突出するゲートコンタクト部134の突出量よりも小さくなっている。
また、第2コンタクト部131は、図10に示すように、n型拡散層127よりも幅狭であってもよく、たとえば、平面視において、第2ゲート電極129にオーバーラップしないような幅で形成されていてもよい。
p型拡散層130は、図9、図10および図14に示すように、第2電源配線109の下方の半導体基板107の表面部に形成され、かつX方向に沿って点在している。つまり、複数のp型拡散層130が、第2電源配線109に沿って間隔を空けて規則的に配列されている。
また、p型拡散層130は、Y方向において、中央のn型拡散層127に対向する位置に形成されている。これにより、p型拡散層130は、Y方向において、素子分離部114を挟んで第2延出部156に隣り合っている(図14参照)。p型拡散層130と第2延出部156とのY方向における距離は、ラインアンドスペース(L/S)等のデザインルールに基づいて、適宜定めることができるが、たとえば、0.27μm〜0.29μmであってもよい。
層間絶縁膜135上には、配線パターン136が形成されている。配線パターン136は、たとえば、アルミニウム等のメタル配線で構成されている。配線パターン136は、第1電源配線108および第2電源配線109の他、第1ゲート電極122、第2ゲート電極129、p型拡散層120、n型拡散層127等に接続される回路配線137を含んでいてもよい。
また、層間絶縁膜135には、第1コンタクトホール160、第2コンタクトホール161、第3コンタクトホール162、第4コンタクトホール163、第5コンタクトホール164、第6コンタクトホール165、第7コンタクトホール166、第8コンタクトホール167および第9コンタクトホール168が形成されている。
また、第2電源配線109の下方であり、かつ第2コンタクト部131と重ならない領域(第4領域159)を、バックゲート用のp型拡散層130として有効利用することができる。これにより、基本セル113内の配線性を一層向上させることができる。
たとえば、図16に示すように、第1ゲート電極22および第2ゲート電極29は、素子分離部14上で互いに分離されていてもよい。つまり、pチャネル型MOSFET11およびnチャネル型MOSFET12のゲート電極が共通化されていなくてもよい。
また、p型拡散層20への電源供給のための配線を基本セル13内に引き回すこと、およびn型拡散層27への電源供給のための配線を基本セル13内に引き回すことを避けるという観点に限れば、第1コンタクト部24および第2コンタクト部31は、複数備えられていてもよい。
また、図3で示した回路配線37および図10で示した回路配線137のパターンは、ほんの一例に過ぎず、たとえば、回路配線37,137を所定のパターンで形成することによって、基本セル13,113を用いてインバータ回路等の所望の回路を形成することができる。
たとえば、前述の実施形態において、比較的面積を広く使用できる第3回路セル6に、その他のゲートアレイの基本セルパターン(前述の実施形態のようにセル長W2,W3(セル長L1,L2)が縮小されていないもの)を敷き詰め、比較的小面積の第1回路セル4および第2回路セル5に、前述の基本セル13,113やスタンダードセル方式のセルを敷き詰めてもよい。
なお、図1、図9〜図15および図17の形態から、特許請求の範囲に記載した発明以外にも、以下のような特徴が抽出され得る。
(項1)
半導体基板上に配置され、第1方向に延びる第1電源配線と、
前記第1方向に延び、かつ前記第1電源配線と間隔を空けた第2電源配線と、
前記第1電源配線と前記第2電源配線との間の領域に配置されたpチャネル型MOSFET用の第1拡散層と、
前記第1電源配線と前記第2電源配線との間の領域であり、かつ前記第1拡散層に対して前記第2電源配線側に配置されたnチャネル型MOSFET用の第2拡散層と、
前記第1方向に直交する第2方向に延び、前記第1拡散層に跨っている第1ゲート電極と、
前記第2方向に延び、前記第2拡散層に跨っている第2ゲート電極と、
前記第1拡散層の、前記第1方向における前記第1ゲート電極の両側から、前記第1電源配線の下方の領域へ選択的に延びる一対の第1コンタクト部とを含む、半導体集積回路装置。
(項2)
前記第1ゲート電極は、互いに離れている1ペアの第1ゲート電極を含み、
前記1ペアの第1ゲート電極、前記1ペアの第1ゲート電極の間の前記第1拡散層、および前記1ペアの第1ゲート電極の両側の前記第1拡散層によって、1ペアの前記pチャネル型MOSFETが構成されており、
前記第1コンタクト部は、前記1ペアの第1ゲート電極の両側の前記第1拡散層から延びている、項1に記載の半導体集積回路装置。
(項3)
前記第1電源配線の下方の領域は、前記一対の第1コンタクト部の延出方向に沿う一対の第1仮想線に重なる一対の第1領域と、前記一対の第1領域に挟まれた第2領域とを含み、
前記第2領域に前記一対の第1コンタクト部から離れて配置された第3拡散層をさらに含む、項1または2に記載の半導体集積回路装置。
(項4)
前記第3拡散層は、前記第1拡散層とは反対導電型であり、かつ前記pチャネル型MOSFET用の第3拡散層を含む、項3に記載の半導体集積回路装置。
(項5)
半導体基板上に配置され、第1方向に延びる第1電源配線と、
前記第1方向に延び、かつ前記第1電源配線と間隔を空けた第2電源配線と、
前記第1電源配線と前記第2電源配線との間の領域に配置されたpチャネル型MOSFET用の第1拡散層と、
前記第1電源配線と前記第2電源配線との間の領域であり、かつ前記第1拡散層に対して前記第2電源配線側に配置されたnチャネル型MOSFET用の第2拡散層と、
前記第1方向に直交する第2方向に延び、前記第1拡散層に跨っている第1ゲート電極と、
前記第2方向に延び、前記第2拡散層に跨っている第2ゲート電極と、
前記第2拡散層の、前記第1方向における前記第2ゲート電極の両側から、前記第2電源配線の下方の領域へ選択的に延びる一対の第2コンタクト部とを含む、半導体集積回路装置。
(項6)
前記第2ゲート電極は、互いに離れている1ペアの第2ゲート電極を含み、
前記1ペアの第2ゲート電極、前記1ペアの第2ゲート電極の間の前記第2拡散層、および前記1ペアの第2ゲート電極の両側の前記第2拡散層によって、1ペアの前記nチャネル型MOSFETが構成されており、
前記第2コンタクト部は、前記1ペアの第2ゲート電極の両側の前記第2拡散層から延びている、項5に記載の半導体集積回路装置。
(項7)
前記第2電源配線の下方の領域は、前記一対の第2コンタクト部の延出方向に沿う一対の第2仮想線に重なる一対の第3領域と、前記一対の第3領域に挟まれた第4領域とを含み、
前記第4領域に前記一対の第2コンタクト部から離れて配置された第4拡散層をさらに含む、項5または6に記載の半導体集積回路装置。
(項8)
前記第4拡散層は、前記第2拡散層とは反対導電型であり、かつ前記nチャネル型MOSFET用の第4拡散層を含む、項7に記載の半導体集積回路装置。
(項9)
前記第2方向における前記第1拡散層の長さL1に対する、前記第2方向における前記第2拡散層の長さL2の比(L2/L1)は、0.45〜0.70である、項1〜8のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置。
(項10)
前記第1ゲート電極の前記第2電源配線側の端部と、前記第2ゲート電極の前記第1電源配線側の端部とが一体的に接続されている、項1〜9のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置。
(項11)
前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極との接続部分で形成され、前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極よりも幅広なゲートコンタクト部を含む、項10に記載の半導体集積回路装置。
(項12)
前記第2方向における前記第1電源配線と前記第2電源配線との距離は、3.38μm〜3.40μmである、項1〜11のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置。
(項13)
1ペアの前記pチャネル型MOSFETおよび1ペアの前記nチャネル型MOSFETの合計4つのMOSFETからなる基本セルが、前記第1電源配線と前記第2電源配線との間の領域を前記第1方向に沿って複数配列されている、項1〜12のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置。
7 半導体基板
8 第1電源配線
9 第2電源配線
10 素子配置領域
11 pチャネル型MOSFET
12 nチャネル型MOSFET
13 基本セル
20 p型拡散層
21 第1ゲート絶縁膜
22 第1ゲート電極
23 n型拡散層
24 第1コンタクト部
27 n型拡散層
28 第2ゲート絶縁膜
29 第2ゲート電極
30 p型拡散層
31 第2コンタクト部
34 ゲートコンタクト部
107 半導体基板
108 第1電源配線
109 第2電源配線
110 素子配置領域
111 pチャネル型MOSFET
112 nチャネル型MOSFET
113 基本セル
120 p型拡散層
121 第1ゲート絶縁膜
122 第1ゲート電極
123 n型拡散層
124 第1コンタクト部
127 n型拡散層
128 第2ゲート絶縁膜
129 第2ゲート電極
130 p型拡散層
131 第2コンタクト部
134 ゲートコンタクト部
153 第1仮想線
154 第1領域
155 第2領域
157 第2仮想線
158 第3領域
159 第4領域
Claims (11)
- 半導体基板上に配置され、第1方向に延びる第1電源配線と、
前記第1方向に延び、かつ前記第1電源配線と間隔を空けた第2電源配線と、
前記第1電源配線と前記第2電源配線との間の領域に配置されたpチャネル型MOSFET用の第1拡散層と、
前記第1電源配線と前記第2電源配線との間の領域であり、かつ前記第1拡散層に対して前記第2電源配線側に配置されたnチャネル型MOSFET用の第2拡散層と、
前記第1方向に直交する第2方向に延び、前記第1拡散層に跨っている第1ゲート電極と、
前記第2方向に延び、前記第2拡散層に跨っている第2ゲート電極と、
前記第1電源配線および前記第2電源配線の少なくとも一方の下方に配置され、かつ前記第1方向に沿って点在しているバックゲート用の第3拡散層とを含む、半導体集積回路装置。 - 前記第3拡散層は、前記第1電源配線の下方に配置され、前記第1拡散層とは反対導電型であり、かつpチャネル型MOSFET用の第3拡散層を含み、
前記第1拡散層から、前記第1電源配線の下方における前記pチャネル型MOSFET用の第3拡散層が形成されていない領域に向かって選択的に延びる第1コンタクト部を含む、請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第1ゲート電極は、互いに離れている1ペアの第1ゲート電極を含み、
前記1ペアの第1ゲート電極、前記1ペアの第1ゲート電極の間の前記第1拡散層、および前記1ペアの第1ゲート電極の両側の前記第1拡散層によって、1ペアのpチャネル型MOSFETが構成されており、
前記第1コンタクト部は、前記1ペアの第1ゲート電極の間の前記第1拡散層から延びている、請求項2に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第2方向における前記第1拡散層の長さは、0.95μm〜1.48μmである、請求項2または3に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第3拡散層は、前記第2電源配線の下方に配置され、前記第2拡散層とは反対導電型であり、かつnチャネル型MOSFET用の第3拡散層を含み、
前記第2拡散層から、前記第2電源配線の下方における前記nチャネル型MOSFET用の第3拡散層が形成されていない領域に向かって選択的に延びる第2コンタクト部を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第2ゲート電極は、互いに離れている1ペアの第2ゲート電極を含み、
前記1ペアの第2ゲート電極、前記1ペアの第2ゲート電極の間の前記第2拡散層、および前記1ペアの第2ゲート電極の両側の前記第2拡散層によって、1ペアのnチャネル型MOSFETが構成されており、
前記第2コンタクト部は、前記1ペアの第2ゲート電極の間の前記第2拡散層から延びている、請求項5に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第2方向における前記第2拡散層の長さは、0.81μm〜1.34μmである、請求項5または6に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1ゲート電極の前記第2電源配線側の端部と、前記第2ゲート電極の前記第1電源配線側の端部とが一体的に接続されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1ゲート電極と前記第2ゲート電極との接続部分で定義され、前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極よりも幅広なゲートコンタクト部を含む、請求項8に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第2方向における前記第1電源配線と前記第2電源配線との距離は、3.38μm〜3.40μmである、請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置。
- 1ペアの前記pチャネル型MOSFETおよび1ペアの前記nチャネル型MOSFETの合計4つのMOSFETからなる基本セルが、前記第1電源配線と前記第2電源配線との間の領域を前記第1方向に沿って複数配列されている、請求項1〜10のいずれか一項に記載の半導体集積回路装置。
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